JP2002025781A - 有機ｅｌ素子およびその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ素子およびその製造方法Info
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Classifications
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
-
- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/341—Short-circuit prevention
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K2102/301—Details of OLEDs
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パターン形成装置等を必要とせず、真空蒸着
装置によって、有機ＥＬ素子作製基板を大気に曝するこ
となく真空一貫工程で、製造工数の増大を招くことな
く、有機ＥＬ素子の信頼性低下を防止し、製造コストの
低減を可能とする。 【解決手段】 基板１１に並設された複数の透明電極１
２と、隣接する透明電極１２どうしの間のスペース部Ｓ
に形成された絶縁有機層１８と、これら透明電極および
絶縁有機層の上側に形成された発光層１５を含む有機層
１９と、有機層１９の上側に透明電極１２と交差する方
向に延在する複数の陰極１７と、を具備する有機ＥＬ素
子１０の製造方法であって、透明電極１２を形成する工
程と、絶縁有機層１８を形成する工程と、有機層１９を
形成する工程と、陰極１７を形成する工程との各工程を
真空一貫でおこなう。
装置によって、有機ＥＬ素子作製基板を大気に曝するこ
となく真空一貫工程で、製造工数の増大を招くことな
く、有機ＥＬ素子の信頼性低下を防止し、製造コストの
低減を可能とする。 【解決手段】 基板１１に並設された複数の透明電極１
２と、隣接する透明電極１２どうしの間のスペース部Ｓ
に形成された絶縁有機層１８と、これら透明電極および
絶縁有機層の上側に形成された発光層１５を含む有機層
１９と、有機層１９の上側に透明電極１２と交差する方
向に延在する複数の陰極１７と、を具備する有機ＥＬ素
子１０の製造方法であって、透明電極１２を形成する工
程と、絶縁有機層１８を形成する工程と、有機層１９を
形成する工程と、陰極１７を形成する工程との各工程を
真空一貫でおこなう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬ（エレク
トロルミネッセンス）素子およびその製造方法に用いて
好適な技術に関する。
トロルミネッセンス）素子およびその製造方法に用いて
好適な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素
子）は、自己発光のため視認性が高く、また完全固体素
子であるため耐衝撃性に優れるという特徴を有してお
り、各種の表示装置における発光素子等の利用が試みら
れている。特に有機EL素子は陰極／発光層／正孔注入層
／陽極，陰極／電子注入層／発光層／陽極，陰極／電子
注入層／発光層／正孔注入層／陽極，陽極／発光層／電
子注入層／陰極／等の構成のものが開発されている。こ
れらは、低電圧を印加するだけで発光する、高輝度高効
率の発光が得られる、多色表示が可能であるなどの優れ
た特性を有しているものである。
子）は、自己発光のため視認性が高く、また完全固体素
子であるため耐衝撃性に優れるという特徴を有してお
り、各種の表示装置における発光素子等の利用が試みら
れている。特に有機EL素子は陰極／発光層／正孔注入層
／陽極，陰極／電子注入層／発光層／陽極，陰極／電子
注入層／発光層／正孔注入層／陽極，陽極／発光層／電
子注入層／陰極／等の構成のものが開発されている。こ
れらは、低電圧を印加するだけで発光する、高輝度高効
率の発光が得られる、多色表示が可能であるなどの優れ
た特性を有しているものである。
【０００３】カラー有機ＥＬ素子の例としては、図５に
示すように、ガラス基板１上に透明電極２（陽極）がパ
ターニングされ、その上に、正孔注入層３、正孔輸送層
４、発光層５、電子輸送層６、陰極７がそれぞれ成膜さ
れて有機ＥＬ素子が形成されている構成が知られてい
る。前記透明導電極（陽極）２としては、ＩＴＯ（イン
ジウム−スズ酸化物）が一般に用いられている。また、
陰極７は、マグネシウムと第二金属系の合金または混合
物の電極として形成されることが多い。陽極２と陰極７
との間には、発光層５が設けられ、この発光層５は、赤
発光層５ａ、緑発光層５ｂ、青発光層５ｃにそれぞれパ
ターニングされている。さらに、陽極２と陰極７との間
には、発光効率を高めるため正孔注入層３、正孔輸送層
４、電子輸送層６が設けられている。有機ＥＬ素子は前
記陽極２と陰極７に電圧を掛けることで発光層５が発光
する。有機ＥＬ素子の各層は陰極７を除いていずれも２
００ｎｍ以下の膜厚構造となっている。
示すように、ガラス基板１上に透明電極２（陽極）がパ
ターニングされ、その上に、正孔注入層３、正孔輸送層
４、発光層５、電子輸送層６、陰極７がそれぞれ成膜さ
れて有機ＥＬ素子が形成されている構成が知られてい
る。前記透明導電極（陽極）２としては、ＩＴＯ（イン
ジウム−スズ酸化物）が一般に用いられている。また、
陰極７は、マグネシウムと第二金属系の合金または混合
物の電極として形成されることが多い。陽極２と陰極７
との間には、発光層５が設けられ、この発光層５は、赤
発光層５ａ、緑発光層５ｂ、青発光層５ｃにそれぞれパ
ターニングされている。さらに、陽極２と陰極７との間
には、発光効率を高めるため正孔注入層３、正孔輸送層
４、電子輸送層６が設けられている。有機ＥＬ素子は前
記陽極２と陰極７に電圧を掛けることで発光層５が発光
する。有機ＥＬ素子の各層は陰極７を除いていずれも２
００ｎｍ以下の膜厚構造となっている。
【０００４】ここで、図５に示すように、カラー有機Ｅ
Ｌ素子の製造時においては、ガラス基板１上に透明電極
２（陽極）をフォトリソグラフイー法によりパターニン
グし、その後に、この陽極２の上に正孔注入層３、正孔
輸送層４、発光層５、電子輸送層６、陰極７の各層をそ
れぞれ成膜している。ここで、前記透明導電極（陽極）
２としてのＩＴＯ膜はパターン加工性が悪く、生産性に
適したウエットエッチングを行うと、陽極２としてのＩ
ＴＯパターンエッジ端部２ａ，２ａが凸凹状になって１
５〜９０゜のテーパー角をなして形成される。
Ｌ素子の製造時においては、ガラス基板１上に透明電極
２（陽極）をフォトリソグラフイー法によりパターニン
グし、その後に、この陽極２の上に正孔注入層３、正孔
輸送層４、発光層５、電子輸送層６、陰極７の各層をそ
れぞれ成膜している。ここで、前記透明導電極（陽極）
２としてのＩＴＯ膜はパターン加工性が悪く、生産性に
適したウエットエッチングを行うと、陽極２としてのＩ
ＴＯパターンエッジ端部２ａ，２ａが凸凹状になって１
５〜９０゜のテーパー角をなして形成される。
【０００５】このため、ＩＴＯパターンエッジ端部の凸
凹上に成膜される、正孔注入層３、正孔輸送層４、電子
輸送層６は、その膜厚が変化し、膜厚の薄い箇所および
凸部上では、印加電圧による局所的な膜破壊および電界
集中によるショートが発生し、また最後に成膜される陰
極７が切れてしまうなど、有機ＥＬ素子の信頼性を低下
させている原因の一つとなっている。
凹上に成膜される、正孔注入層３、正孔輸送層４、電子
輸送層６は、その膜厚が変化し、膜厚の薄い箇所および
凸部上では、印加電圧による局所的な膜破壊および電界
集中によるショートが発生し、また最後に成膜される陰
極７が切れてしまうなど、有機ＥＬ素子の信頼性を低下
させている原因の一つとなっている。
【０００６】このショートや陰極切れを防止するため
に、特許第２７３４４６４号公報に対向電極間に絶縁性
物質を設ける方法が記載されている。
に、特許第２７３４４６４号公報に対向電極間に絶縁性
物質を設ける方法が記載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記公報記載
の方法では蒸着装置とは別の成膜装置、パターン形成装
置等が必要になり、製造工数の増大が避けられないた
め、これに伴って製造コストが高くなるという問題があ
った。またスピンコート等によってポリイミド膜を層間
絶縁膜とすることが好ましいとあるが、有機ＥＬ素子完
成後の信頼性においてポリイミド膜に含まれる微量水分
の影響によって発光素子領域が黒くなるダークスポット
が増大するなど、欠点を有する。
の方法では蒸着装置とは別の成膜装置、パターン形成装
置等が必要になり、製造工数の増大が避けられないた
め、これに伴って製造コストが高くなるという問題があ
った。またスピンコート等によってポリイミド膜を層間
絶縁膜とすることが好ましいとあるが、有機ＥＬ素子完
成後の信頼性においてポリイミド膜に含まれる微量水分
の影響によって発光素子領域が黒くなるダークスポット
が増大するなど、欠点を有する。
【０００８】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
ので、パターン形成装置等を必要とせず、有機ＥＬ素子
の製造に用いる真空蒸着装置によって、有機ＥＬ素子作
製基板を大気に曝することなく真空一貫工程で、製造工
数の増大を招くことなく、有機ＥＬ素子の信頼性低下を
防止すること、および、製造工数低減により、製造コス
トの低減を可能とすることを目的とする。
ので、パターン形成装置等を必要とせず、有機ＥＬ素子
の製造に用いる真空蒸着装置によって、有機ＥＬ素子作
製基板を大気に曝することなく真空一貫工程で、製造工
数の増大を招くことなく、有機ＥＬ素子の信頼性低下を
防止すること、および、製造工数低減により、製造コス
トの低減を可能とすることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の有機ＥＬ素子
は、基板に並設された複数の透明電極と、前記透明電極
と交差する方向に延在する複数の陰極と、これら透明電
極と陰極との間に形成された発光層を含む有機層と、を
具備する有機ＥＬ素子であって、隣接する前記透明電極
どうしの間のスペース部に、絶縁有機層が形成されてな
ることにより上記課題を解決した。本発明において、前
記絶縁有機層が、前記透明電極の端部の上側に張り出し
て、該透明電極の端部を被覆していることができる。本
発明において、前記絶縁有機層は、その幅方向端部に、
前記幅方向外側に向かって膜厚が減少するようにテーパ
角を有することが好ましい。本発明において、前記絶縁
有機層のテーパー角θが０．０１゜〜７０゜の範囲の値
に設定されることができる。また、本発明において、前
記絶縁有機層の膜厚が１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の値
に設定されることができる。また、本発明において、前
記絶縁有機層が、前記透明電極の端部の上側に張り出す
幅方向寸法が１μｍ〜１５μｍの範囲の値に設定される
ことができる。また、本発明において、前記絶縁有機層
が、少なくとも有機層の一部分と同一の材質から形成さ
れることができる。本発明の有機ＥＬ素子の製造方法
は、基板に並設された複数の透明電極と、隣接する前記
透明電極どうしの間のスペース部に形成された絶縁有機
層と、これら透明電極および絶縁有機層の上側に形成さ
れた発光層を含む有機層と、該有機層の上側に前記透明
電極と交差する方向に延在する複数の陰極と、を具備す
る有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記絶縁有機層を
形成する工程と、前記有機層を形成する工程と、前記陰
極を形成する工程との各工程を真空一貫で行うことによ
り上記課題を解決した。
は、基板に並設された複数の透明電極と、前記透明電極
と交差する方向に延在する複数の陰極と、これら透明電
極と陰極との間に形成された発光層を含む有機層と、を
具備する有機ＥＬ素子であって、隣接する前記透明電極
どうしの間のスペース部に、絶縁有機層が形成されてな
ることにより上記課題を解決した。本発明において、前
記絶縁有機層が、前記透明電極の端部の上側に張り出し
て、該透明電極の端部を被覆していることができる。本
発明において、前記絶縁有機層は、その幅方向端部に、
前記幅方向外側に向かって膜厚が減少するようにテーパ
角を有することが好ましい。本発明において、前記絶縁
有機層のテーパー角θが０．０１゜〜７０゜の範囲の値
に設定されることができる。また、本発明において、前
記絶縁有機層の膜厚が１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の値
に設定されることができる。また、本発明において、前
記絶縁有機層が、前記透明電極の端部の上側に張り出す
幅方向寸法が１μｍ〜１５μｍの範囲の値に設定される
ことができる。また、本発明において、前記絶縁有機層
が、少なくとも有機層の一部分と同一の材質から形成さ
れることができる。本発明の有機ＥＬ素子の製造方法
は、基板に並設された複数の透明電極と、隣接する前記
透明電極どうしの間のスペース部に形成された絶縁有機
層と、これら透明電極および絶縁有機層の上側に形成さ
れた発光層を含む有機層と、該有機層の上側に前記透明
電極と交差する方向に延在する複数の陰極と、を具備す
る有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記絶縁有機層を
形成する工程と、前記有機層を形成する工程と、前記陰
極を形成する工程との各工程を真空一貫で行うことによ
り上記課題を解決した。
【００１０】本発明の有機ＥＬ素子においては、隣接す
る前記透明電極どうしの間のスペース部に、絶縁有機層
が形成されてなることにより、スペース部近傍における
透明電極端部のテーパー角度の急峻性を防ぐことがで
き、有機層および陰極を滑らかに形成することが可能と
なるため、陰極切れを防止することができる。同時に、
ショートの原因である端部のラフネスによる有機層の薄
膜化を防ぐことができる。
る前記透明電極どうしの間のスペース部に、絶縁有機層
が形成されてなることにより、スペース部近傍における
透明電極端部のテーパー角度の急峻性を防ぐことがで
き、有機層および陰極を滑らかに形成することが可能と
なるため、陰極切れを防止することができる。同時に、
ショートの原因である端部のラフネスによる有機層の薄
膜化を防ぐことができる。
【００１１】本発明の有機ＥＬ素子においては、前記絶
縁有機層が、前記透明電極の端部の上側に張り出して、
該透明電極の端部を被覆していることにより、透明電極
端部が凸凹状になっている場合でも、スペース部近傍に
おける透明電極端部のテーパ角度の急峻性を防ぐことが
でき、有機層の膜厚が変化し、膜厚の薄い箇所および凸
部上では、印加電圧による局所的な膜破壊および電界集
中によるショートが発生し、また最後に成膜される陰極
が切れてしまうことが防止できる。
縁有機層が、前記透明電極の端部の上側に張り出して、
該透明電極の端部を被覆していることにより、透明電極
端部が凸凹状になっている場合でも、スペース部近傍に
おける透明電極端部のテーパ角度の急峻性を防ぐことが
でき、有機層の膜厚が変化し、膜厚の薄い箇所および凸
部上では、印加電圧による局所的な膜破壊および電界集
中によるショートが発生し、また最後に成膜される陰極
が切れてしまうことが防止できる。
【００１２】本発明の有機ＥＬ素子においては、前記絶
縁有機層は、その幅方向端部に、前記幅方向外側に向か
って膜厚が減少するようにテーパ角を有することによ
り、より一層、スペース部近傍における透明電極端部の
テーパー角度の急峻性を防ぐことができ、有機層および
陰極を滑らかに形成することが可能となる。ここで、前
記絶縁有機層のテーパー角θが０．０１゜〜７０゜の範
囲の値に設定されることが可能であり、これ以外の値に
設定された場合には、上記の不具合を充分防止すること
ができなくなり好ましくない。
縁有機層は、その幅方向端部に、前記幅方向外側に向か
って膜厚が減少するようにテーパ角を有することによ
り、より一層、スペース部近傍における透明電極端部の
テーパー角度の急峻性を防ぐことができ、有機層および
陰極を滑らかに形成することが可能となる。ここで、前
記絶縁有機層のテーパー角θが０．０１゜〜７０゜の範
囲の値に設定されることが可能であり、これ以外の値に
設定された場合には、上記の不具合を充分防止すること
ができなくなり好ましくない。
【００１３】本発明の有機ＥＬ素子においては、前記絶
縁有機層の膜厚が１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の値に設
定されることにより、陰極を滑らかに形成することが可
能となるため、陰極切れを防止することができる。同時
に、またショートの原因である端部のラフネスによる有
機層の薄膜化を防ぐことができる。
縁有機層の膜厚が１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の値に設
定されることにより、陰極を滑らかに形成することが可
能となるため、陰極切れを防止することができる。同時
に、またショートの原因である端部のラフネスによる有
機層の薄膜化を防ぐことができる。
【００１４】本発明の有機ＥＬ素子においては、前記絶
縁有機層が、少なくとも有機層の一部分と同一の材質か
ら形成されることにより、前記絶縁有機層を形成する工
程と、前記有機層を形成する工程と、前記陰極を形成す
る工程との各工程を真空一貫で行うことが可能となるた
め、工数、コストの低減が可能である。また、絶縁有機
層のテーパー角度はメタルマスク等を用いて真空蒸着中
にパターニングすることにより、蒸着分子のマスク部へ
の回り込み効果により自動的に形成されるため、工数の
低減が可能となる。
縁有機層が、少なくとも有機層の一部分と同一の材質か
ら形成されることにより、前記絶縁有機層を形成する工
程と、前記有機層を形成する工程と、前記陰極を形成す
る工程との各工程を真空一貫で行うことが可能となるた
め、工数、コストの低減が可能である。また、絶縁有機
層のテーパー角度はメタルマスク等を用いて真空蒸着中
にパターニングすることにより、蒸着分子のマスク部へ
の回り込み効果により自動的に形成されるため、工数の
低減が可能となる。
【００１５】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法において
は、有機ＥＬ素子を形成する際の真空一貫の蒸着工程に
て一層追加しただけであり、また有機ＥＬ素子の基本構
造に使用している材料を使用可能なため、ポリイミド等
をパターニングした場合に発生する水分の影響によって
発光素子領域が黒くなるダークスポットが増大すること
を回避することができる。また、絶縁有機層の成膜及び
パターニングは、従来の有機ＥＬ素子を形成する際の蒸
着工程にて一層追加したのみであり、パターニングはメ
タルマスクを使用し、また有機ＥＬ素子構造に使用して
いる材料を使用可能で、かつ、各工程を真空一貫で行う
ことが可能となるため、ポリイミドを使用してのフォト
リソグラフイー法に比べ格段に工数、コストの削減が可
能である。
は、有機ＥＬ素子を形成する際の真空一貫の蒸着工程に
て一層追加しただけであり、また有機ＥＬ素子の基本構
造に使用している材料を使用可能なため、ポリイミド等
をパターニングした場合に発生する水分の影響によって
発光素子領域が黒くなるダークスポットが増大すること
を回避することができる。また、絶縁有機層の成膜及び
パターニングは、従来の有機ＥＬ素子を形成する際の蒸
着工程にて一層追加したのみであり、パターニングはメ
タルマスクを使用し、また有機ＥＬ素子構造に使用して
いる材料を使用可能で、かつ、各工程を真空一貫で行う
ことが可能となるため、ポリイミドを使用してのフォト
リソグラフイー法に比べ格段に工数、コストの削減が可
能である。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るの一実施形態
を、図面に基づいて説明する。図１は、本実施形態の有
機ＥＬ素子を示す概略平面図であり、図２は、図１の有
機ＥＬ素子のＡ−Ａ顔面を示す拡大断面図である。図１
ないし図４において、符号１０は有機ＥＬ素子、１１ば
ガラス基板である。
を、図面に基づいて説明する。図１は、本実施形態の有
機ＥＬ素子を示す概略平面図であり、図２は、図１の有
機ＥＬ素子のＡ−Ａ顔面を示す拡大断面図である。図１
ないし図４において、符号１０は有機ＥＬ素子、１１ば
ガラス基板である。
【００１７】本実施形態の有機ＥＬ素子１０において
は、図１，図２に示すように、厚さ１．１ｍｍのガラス
基板１１上には、複数の透明電極１２（陽極）が膜厚１
５０ｎｍ程度に設定されて平行状態にパターニングされ
る。隣り合う透明電極１２，１２の間のスペース部Ｓに
は、絶縁有機層１８が透明電極１２，１２の端部に平面
視して重なるように形成されている。これら透明電極１
２，絶縁有機層１８の上に、正孔注入層１３、正孔輸送
層１４、発光層１５、電子輸送層１６からなる有機層１
９が積層される。さらにこの有機層１９の上には透明電
極１２，１２と交差するようにパターンニングされた陰
極１７が成膜されている。一つの透明電極１２と陰極１
７の交差部で１ドットとし、ＲＧＢの３ドットで１画素
となるように設定される。
は、図１，図２に示すように、厚さ１．１ｍｍのガラス
基板１１上には、複数の透明電極１２（陽極）が膜厚１
５０ｎｍ程度に設定されて平行状態にパターニングされ
る。隣り合う透明電極１２，１２の間のスペース部Ｓに
は、絶縁有機層１８が透明電極１２，１２の端部に平面
視して重なるように形成されている。これら透明電極１
２，絶縁有機層１８の上に、正孔注入層１３、正孔輸送
層１４、発光層１５、電子輸送層１６からなる有機層１
９が積層される。さらにこの有機層１９の上には透明電
極１２，１２と交差するようにパターンニングされた陰
極１７が成膜されている。一つの透明電極１２と陰極１
７の交差部で１ドットとし、ＲＧＢの３ドットで１画素
となるように設定される。
【００１８】前記透明導電極（陽極）１２としては、Ｉ
ＴＯ（インジウム−スズ酸化物）が一般に用いられてい
る。また、陰極１７としては、電子輸送層に電子を効果
的に注入するために、仕事関数が陽極１２よりも小さい
材料が好ましい。陰極材料は特に限定されないが、具体
的には、インジウム、アルミニウム、マグネシウムや、
マグネシウム−インジウム、マグネシウム−アルミニウ
ム、アルミニウム−リチウム、マグネシウム−銀の混合
金属または合金等が使用できる。
ＴＯ（インジウム−スズ酸化物）が一般に用いられてい
る。また、陰極１７としては、電子輸送層に電子を効果
的に注入するために、仕事関数が陽極１２よりも小さい
材料が好ましい。陰極材料は特に限定されないが、具体
的には、インジウム、アルミニウム、マグネシウムや、
マグネシウム−インジウム、マグネシウム−アルミニウ
ム、アルミニウム−リチウム、マグネシウム−銀の混合
金属または合金等が使用できる。
【００１９】陽極１２と陰極１７との間には、有機層１
９が積層され、この有機層１９として透明電極１２と陰
極７とに電圧をかけることで発光する発光層１５が設け
られ、また、この発光層１５の発光効率を高めるため正
孔注入層１３、正孔輸送層１４、電子輸送層１６がそれ
ぞれ設けられている。
９が積層され、この有機層１９として透明電極１２と陰
極７とに電圧をかけることで発光する発光層１５が設け
られ、また、この発光層１５の発光効率を高めるため正
孔注入層１３、正孔輸送層１４、電子輸送層１６がそれ
ぞれ設けられている。
【００２０】本実施形態の発光層１５は、上記の１画素
となるＲＧＢの３ドットに対応して、赤発光層１５ａ、
緑発光層１５ｂ、青発光層１５ｃにそれぞれパターニン
グされている。ここで発光層１５に用いる材料として
は、赤発光層１５ａの場合は例えばアルミキノリン錯体
にドーパントとして４−ジシアノメチレン−２−メチル
−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン
（ＤＣＭ、ドーピング濃度５ｗｔ％）、緑発光層１５ｂ
の場合は例えばホストにトリス（８−キノリノール）ア
ルミニウム（アルミニュウム錯体）、ドーパントとして
キナクリドン（ドーピング濃度５ｗｔ％）、青発光層１
５ｃの場合は例えばペリレンを挙げることができる。
となるＲＧＢの３ドットに対応して、赤発光層１５ａ、
緑発光層１５ｂ、青発光層１５ｃにそれぞれパターニン
グされている。ここで発光層１５に用いる材料として
は、赤発光層１５ａの場合は例えばアルミキノリン錯体
にドーパントとして４−ジシアノメチレン−２−メチル
−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン
（ＤＣＭ、ドーピング濃度５ｗｔ％）、緑発光層１５ｂ
の場合は例えばホストにトリス（８−キノリノール）ア
ルミニウム（アルミニュウム錯体）、ドーパントとして
キナクリドン（ドーピング濃度５ｗｔ％）、青発光層１
５ｃの場合は例えばペリレンを挙げることができる。
【００２１】本実施形態の正孔注入層１３を形成する正
孔注入材料は、その機能をはたすものであれば特に限定
されず、例えば４，４’，４’’―トリス（３―メチル
フェニルフェニルアミノ）―トリフェニルアミン、４−
フェニル−４’，４’’−ビス〔ジ（３−メチルフェニ
ル）アミノ〕トリフェニルアミンなどのアリールアミン
系、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチ
ルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４、４’−ジア
ミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ‘―ジフェニルーＮ，Ｎ’―ビ
ス（α―ナフチル）―１，１‘ ―ビフェニルー４，
４’―ジアミン（α―ＮＰＤ）等のジアミン誘導体等が
使用可能である。
孔注入材料は、その機能をはたすものであれば特に限定
されず、例えば４，４’，４’’―トリス（３―メチル
フェニルフェニルアミノ）―トリフェニルアミン、４−
フェニル−４’，４’’−ビス〔ジ（３−メチルフェニ
ル）アミノ〕トリフェニルアミンなどのアリールアミン
系、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチ
ルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４、４’−ジア
ミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ‘―ジフェニルーＮ，Ｎ’―ビ
ス（α―ナフチル）―１，１‘ ―ビフェニルー４，
４’―ジアミン（α―ＮＰＤ）等のジアミン誘導体等が
使用可能である。
【００２２】また、正孔輸送層１４を形成するための正
孔輸送材料は特に限定されず、通常正孔輸送材料として
使用される化合物であればいかなる化合物でも使用可能
である。例えば、ビス（ジ（ｐ−トリル）アミノフェニ
ル）−１，１−シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−
ビフェニル−４、４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ’−ビス（α−ナフチル）−（１，１’−ビ
フェニル）−４、４‘−ジアミン等のジアミンや、トリ
アミン、テトラアミン類やスターバースト型分子が挙げ
られる。
孔輸送材料は特に限定されず、通常正孔輸送材料として
使用される化合物であればいかなる化合物でも使用可能
である。例えば、ビス（ジ（ｐ−トリル）アミノフェニ
ル）−１，１−シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−
ビフェニル−４、４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ’−ビス（α−ナフチル）−（１，１’−ビ
フェニル）−４、４‘−ジアミン等のジアミンや、トリ
アミン、テトラアミン類やスターバースト型分子が挙げ
られる。
【００２３】本実施形態の有機ＥＬ素子１０の電子輸送
層１６に用いる材料は、一般式で示される化合物の例と
して、有機金属錯体等が挙げられ、トリス（８−キノリ
ノール）アルミニウム等がある。
層１６に用いる材料は、一般式で示される化合物の例と
して、有機金属錯体等が挙げられ、トリス（８−キノリ
ノール）アルミニウム等がある。
【００２４】絶縁有機層１８，１８は、図１，図２に示
すように、パターンニングされている透明電極１２，１
２どうしの間に位置するスペース部Ｓ、および、透明電
極１２の端部１２ａに重なるように形成されており、前
記絶縁有機層１８が、前記透明電極１２の端部１２ａの
上側に張り出す幅方向寸法が１μｍ〜１５μｍの範囲の
値に設定される。前記絶縁有機層１８は、この透明電極
１２の端部１２ａでは、前記スペース部Ｓから透明電極
１２側に向かって膜厚が薄くなるようにテーパー角θを
有する構成とされている。このテーパ角θは、透明電極
１２の上面と絶縁有機層の上側のテーパ面１８ａとのな
す角である。このテーパー角θを０．０１゜≦θ≦７０
゜以内に設定することができる。この範囲外の値にテー
パー角θを設定した場合には、絶縁有機層１８の端部位
置においても陰極１７が切れが発生する可能性があり好
ましくない。また、絶縁有機層１８の最大膜厚つまりス
ペース部Ｓにおける膜厚は、１０ｎｍ〜５００ｎｍの範
囲の値に設定されることができ、さらに、透明電極１２
の膜厚および発光層１５の膜厚の合計と略同等か、これ
よりも小さく設定することができる。これにより、最上
部に積層されている陰極１７における厚み方向の凸凹の
発生を防止することが可能となる。絶縁有機層１８を形
成する材料としては、上記有機層１９のうち正孔注入層
１３、正孔輸送層１４、電子輸送層１６と同等のものを
選択することが可能であるが、本実施形態においては、
電子輸送層１６と同等の電子輸送材料により成膜され
る。上記有機ＥＬ素子１０の各層は、絶縁有機層１８、
陰極１７を除いていずれも２００ｎｍ以下の膜厚に設定
される。
すように、パターンニングされている透明電極１２，１
２どうしの間に位置するスペース部Ｓ、および、透明電
極１２の端部１２ａに重なるように形成されており、前
記絶縁有機層１８が、前記透明電極１２の端部１２ａの
上側に張り出す幅方向寸法が１μｍ〜１５μｍの範囲の
値に設定される。前記絶縁有機層１８は、この透明電極
１２の端部１２ａでは、前記スペース部Ｓから透明電極
１２側に向かって膜厚が薄くなるようにテーパー角θを
有する構成とされている。このテーパ角θは、透明電極
１２の上面と絶縁有機層の上側のテーパ面１８ａとのな
す角である。このテーパー角θを０．０１゜≦θ≦７０
゜以内に設定することができる。この範囲外の値にテー
パー角θを設定した場合には、絶縁有機層１８の端部位
置においても陰極１７が切れが発生する可能性があり好
ましくない。また、絶縁有機層１８の最大膜厚つまりス
ペース部Ｓにおける膜厚は、１０ｎｍ〜５００ｎｍの範
囲の値に設定されることができ、さらに、透明電極１２
の膜厚および発光層１５の膜厚の合計と略同等か、これ
よりも小さく設定することができる。これにより、最上
部に積層されている陰極１７における厚み方向の凸凹の
発生を防止することが可能となる。絶縁有機層１８を形
成する材料としては、上記有機層１９のうち正孔注入層
１３、正孔輸送層１４、電子輸送層１６と同等のものを
選択することが可能であるが、本実施形態においては、
電子輸送層１６と同等の電子輸送材料により成膜され
る。上記有機ＥＬ素子１０の各層は、絶縁有機層１８、
陰極１７を除いていずれも２００ｎｍ以下の膜厚に設定
される。
【００２５】本実施形態の有機ＥＬ素子１０は前記陽極
１２と陰極１７に電圧を印加することで発光層１５が発
光する。本実施形態の有機ＥＬ素子１０においては、ス
ペース部Ｓに絶縁有機層１８を設け、透明電極１２の端
部１２ａを絶縁有機層１８により被覆すること、およ
び、絶縁有機層１８のテーパ角θを設定することによっ
て、陰極切れの原因である透明電極１２端部１２ａにお
ける有機層１９のテーパ角度が急峻になることを防ぐこ
とができる。同時に、透明電極１２，陰極１７における
ショートの原因である透明電極端部のラフネスによる有
機層１９の薄膜化を防ぐことができる。また、絶縁有機
層１８の最大膜厚を、上記の値とし、透明電極１２の膜
厚および発光層１５の膜厚の合計と略同等か、これより
も小さく設定することにより、最上部に積層されている
陰極１７における厚み方向の凸凹の発生を防止すること
が可能となる。これらにより、陰極１７切れおよび陰極
１７，陽極１２のショートを防ぐことができ、有機ＥＬ
素子１０の信頼性を向上することができる。
１２と陰極１７に電圧を印加することで発光層１５が発
光する。本実施形態の有機ＥＬ素子１０においては、ス
ペース部Ｓに絶縁有機層１８を設け、透明電極１２の端
部１２ａを絶縁有機層１８により被覆すること、およ
び、絶縁有機層１８のテーパ角θを設定することによっ
て、陰極切れの原因である透明電極１２端部１２ａにお
ける有機層１９のテーパ角度が急峻になることを防ぐこ
とができる。同時に、透明電極１２，陰極１７における
ショートの原因である透明電極端部のラフネスによる有
機層１９の薄膜化を防ぐことができる。また、絶縁有機
層１８の最大膜厚を、上記の値とし、透明電極１２の膜
厚および発光層１５の膜厚の合計と略同等か、これより
も小さく設定することにより、最上部に積層されている
陰極１７における厚み方向の凸凹の発生を防止すること
が可能となる。これらにより、陰極１７切れおよび陰極
１７，陽極１２のショートを防ぐことができ、有機ＥＬ
素子１０の信頼性を向上することができる。
【００２６】本実施形態の有機ＥＬ素子１０において
は、従来陰極切れ及び陰極、陽極のショートを防ぐため
にポリイミド等をパターニングする方法で問題となって
いた、ポリイミド膜に含まれる微量水分の影響によって
発光素子領域が黒くなるダークスポットの増大を防止す
ることができる。これは、本実施形態の場合、有機ＥＬ
素子１０の基本構造に使用している材料からなる絶縁有
機層１８を積層するため、画素収縮の原因となる水分の
影響による問題は回避することができることによる。
は、従来陰極切れ及び陰極、陽極のショートを防ぐため
にポリイミド等をパターニングする方法で問題となって
いた、ポリイミド膜に含まれる微量水分の影響によって
発光素子領域が黒くなるダークスポットの増大を防止す
ることができる。これは、本実施形態の場合、有機ＥＬ
素子１０の基本構造に使用している材料からなる絶縁有
機層１８を積層するため、画素収縮の原因となる水分の
影響による問題は回避することができることによる。
【００２７】次に本実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法
を図面に基づいて説明する。図３，図４は本実施形態の
有機ＥＬ素子の製造方法を示す工程図である。
を図面に基づいて説明する。図３，図４は本実施形態の
有機ＥＬ素子の製造方法を示す工程図である。
【００２８】本実施形態の製造方法図３（ａ）に示すよ
うに、厚さ１．１ｍｍのガラス基板１１上に透明電極１
２’をスパッター法により膜厚１５０ｎｍ形成し、図３
（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー等によるパ
ターニングを行い、複数の透明電極１２，１２および、
この間のスペース部Ｓ，Ｓを形成する。
うに、厚さ１．１ｍｍのガラス基板１１上に透明電極１
２’をスパッター法により膜厚１５０ｎｍ形成し、図３
（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー等によるパ
ターニングを行い、複数の透明電極１２，１２および、
この間のスペース部Ｓ，Ｓを形成する。
【００２９】その後、図３（ｃ）に示すように、透明電
極１２の端部１２ａおよびスペース部Ｓに、メタルマス
クＭ１を使用して、上述の電子輸送材料からなる絶縁有
機層１８を、膜厚３００ｎｍになるように蒸着成膜す
る。このとき、図２に示す絶縁有機層１８のテーパ角θ
は、例えば１０゜に設定する。絶縁有機層１８のテーパ
角θを形成するためには、絶縁有機層１８の蒸着の際に
メタルマスクＭ１と基板１１との間隔を調節することが
必要であり、これにより、蒸着粒子の回り込み効果によ
り自動的にテーパが形成され、テーパ角θを設定するこ
とが可能となる。さらに、透明電極１２の端部１２ａを
覆う絶縁有機層１８の幅は５μｍとする。絶縁有機層１
８の幅はメタルマスクＭ１のスリット幅によって決める
ことができる。
極１２の端部１２ａおよびスペース部Ｓに、メタルマス
クＭ１を使用して、上述の電子輸送材料からなる絶縁有
機層１８を、膜厚３００ｎｍになるように蒸着成膜す
る。このとき、図２に示す絶縁有機層１８のテーパ角θ
は、例えば１０゜に設定する。絶縁有機層１８のテーパ
角θを形成するためには、絶縁有機層１８の蒸着の際に
メタルマスクＭ１と基板１１との間隔を調節することが
必要であり、これにより、蒸着粒子の回り込み効果によ
り自動的にテーパが形成され、テーパ角θを設定するこ
とが可能となる。さらに、透明電極１２の端部１２ａを
覆う絶縁有機層１８の幅は５μｍとする。絶縁有機層１
８の幅はメタルマスクＭ１のスリット幅によって決める
ことができる。
【００３０】次に、真空状態を破ることなく、図４
（ｄ）に示すように、透明電極１２，絶縁有機層１８の
上に正孔注入層１３、正孔輸送層１４を形成する。さら
に、真空状態を維持して、発光層１５は、図４（ｅ）に
示すように、メタルマスクＭ２等を使用し透明電極１２
上に赤発光層１５ａ、緑発光層１５ｂ、青発光層１５ｃ
をパターニングする。
（ｄ）に示すように、透明電極１２，絶縁有機層１８の
上に正孔注入層１３、正孔輸送層１４を形成する。さら
に、真空状態を維持して、発光層１５は、図４（ｅ）に
示すように、メタルマスクＭ２等を使用し透明電極１２
上に赤発光層１５ａ、緑発光層１５ｂ、青発光層１５ｃ
をパターニングする。
【００３１】そして、図４（ｆ）に示すように、真空状
態を維持した状態で、電子輸送層１６、陰極１７を形成
する。このとき、陰極１７，１７は、図２に示すよう
に、透明電極１２と交差するようにパターニングをおこ
なう。
態を維持した状態で、電子輸送層１６、陰極１７を形成
する。このとき、陰極１７，１７は、図２に示すよう
に、透明電極１２と交差するようにパターニングをおこ
なう。
【００３２】本実施形態においては、電子輸送層１６と
同材質からなる絶縁有機層１８のテーパ角θを、メタル
マスクＭ１等を用いて真空蒸着中にパターニングするこ
とにより、蒸着分子のマスク部への回り込み効果により
自動的に形成することができこれにより、真空維持状態
を破ることなく、透明電極１２端部１２ａに絶縁有機層
１８を被覆することによって、陰極切れの原因である透
明電極１２端部１２ａのテーパ角度の急峻性を防ぐこと
ができ、またショートの原因である端部１２ａのラフネ
スによる有機層１９薄膜化を防ぐことができる。
同材質からなる絶縁有機層１８のテーパ角θを、メタル
マスクＭ１等を用いて真空蒸着中にパターニングするこ
とにより、蒸着分子のマスク部への回り込み効果により
自動的に形成することができこれにより、真空維持状態
を破ることなく、透明電極１２端部１２ａに絶縁有機層
１８を被覆することによって、陰極切れの原因である透
明電極１２端部１２ａのテーパ角度の急峻性を防ぐこと
ができ、またショートの原因である端部１２ａのラフネ
スによる有機層１９薄膜化を防ぐことができる。
【００３３】本実施形態の有機ＥＬ素子１０において
は、従来陰極切れ及び陰極、陽極のショートを防ぐため
にポリイミド等をパターニングする方法で問題となって
いた、ポリイミド膜に含まれる微量水分の影響によって
発光素子領域が黒くなるダークスポットの増大を防止す
ることができる。これは本実施形態の場合、有機ＥＬ素
子１０を形成する際の真空一貫の蒸着工程にて積層する
層と同一材料の絶縁有機層１８を追加しただけであり、
また有機ＥＬ素子１０の基本構造に使用している材料を
使用するため、画素収縮の原因となる水分の影響による
問題や、真空を破ることに起因する製造不良等を回避す
ることができるからである。同時に、有機ＥＬ素子１０
を形成する際の蒸着工程にて一層追加したのみであり、
パターニングはメタルマスクＭ１を使用し、また有機Ｅ
Ｌ素子１０構造に使用している電子輸送層１６と同等の
材料を絶縁有機層１８に使用するため、ポリイミドを使
用してのフォトリソグラフイー法に比べ格段に工数、コ
ストの削減ができるという効果を奏する。
は、従来陰極切れ及び陰極、陽極のショートを防ぐため
にポリイミド等をパターニングする方法で問題となって
いた、ポリイミド膜に含まれる微量水分の影響によって
発光素子領域が黒くなるダークスポットの増大を防止す
ることができる。これは本実施形態の場合、有機ＥＬ素
子１０を形成する際の真空一貫の蒸着工程にて積層する
層と同一材料の絶縁有機層１８を追加しただけであり、
また有機ＥＬ素子１０の基本構造に使用している材料を
使用するため、画素収縮の原因となる水分の影響による
問題や、真空を破ることに起因する製造不良等を回避す
ることができるからである。同時に、有機ＥＬ素子１０
を形成する際の蒸着工程にて一層追加したのみであり、
パターニングはメタルマスクＭ１を使用し、また有機Ｅ
Ｌ素子１０構造に使用している電子輸送層１６と同等の
材料を絶縁有機層１８に使用するため、ポリイミドを使
用してのフォトリソグラフイー法に比べ格段に工数、コ
ストの削減ができるという効果を奏する。
【００３４】
【発明の効果】本発明の有機ＥＬ素子およびその製造方
法によれば、以下の効果を奏する。 （１） 隣接する透明電極の間に絶縁有機層を設け、透
明電極の端部を絶縁有機層により被覆すること、およ
び、絶縁有機層端部のテーパ角を設定することによっ
て、陰極切れの原因である透明電極端部位置における透
明電極上側の層のテーパ角度が急峻になることを防ぐこ
とができる。同時に、透明電極，陰極におけるショート
の原因である透明電極端部のラフネスによる透明電極上
側の層の薄膜化を防ぐことができる。また、陰極切れお
よび陰極，透明電極のショートを防ぐことにより有機Ｅ
Ｌ素子の信頼性を向上することができる。 （２） 有機ＥＬ素子の基本構造に使用している材料か
らなる絶縁有機層を積層することにより、画素収縮の原
因となる水分の影響によるダークスポットの増大を防止
することができる。同時に、有機ＥＬ素子を形成する際
の真空一貫の蒸着工程にて積層する層と同一材料の絶縁
有機層を追加しただけであり、また有機ＥＬ素子の基本
構造に使用している材料を使用するため、工数、コスト
の削減ができる。
法によれば、以下の効果を奏する。 （１） 隣接する透明電極の間に絶縁有機層を設け、透
明電極の端部を絶縁有機層により被覆すること、およ
び、絶縁有機層端部のテーパ角を設定することによっ
て、陰極切れの原因である透明電極端部位置における透
明電極上側の層のテーパ角度が急峻になることを防ぐこ
とができる。同時に、透明電極，陰極におけるショート
の原因である透明電極端部のラフネスによる透明電極上
側の層の薄膜化を防ぐことができる。また、陰極切れお
よび陰極，透明電極のショートを防ぐことにより有機Ｅ
Ｌ素子の信頼性を向上することができる。 （２） 有機ＥＬ素子の基本構造に使用している材料か
らなる絶縁有機層を積層することにより、画素収縮の原
因となる水分の影響によるダークスポットの増大を防止
することができる。同時に、有機ＥＬ素子を形成する際
の真空一貫の蒸着工程にて積層する層と同一材料の絶縁
有機層を追加しただけであり、また有機ＥＬ素子の基本
構造に使用している材料を使用するため、工数、コスト
の削減ができる。
【図１】 本発明に係る有機ＥＬ素子の一実施形態を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】 図１における有機ＥＬ素子を示す拡大断面
図である。
図である。
【図３】 本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法の一
実施形態を示す工程図である。
実施形態を示す工程図である。
【図４】 本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法の一
実施形態を示す工程図である。
実施形態を示す工程図である。
【図５】 従来の有機ＥＬ素子の一例を示す断面図で
ある。
ある。
１０…有機ＥＬ素子，１１…ガラス基板，１２…透明電
極（陽極），１２ａ…端部，１３…正孔注入層，１４…
正孔輸送層，１５…発光層，１５ａ…赤発光層，１５ｂ
…緑発光層，１５ｃ…青発光層，１６…電子輸送層，１
７…陰極，１８…絶縁有機層，１９…有機層，Ｓ…スペ
ース部，θ…テーパ角
極（陽極），１２ａ…端部，１３…正孔注入層，１４…
正孔輸送層，１５…発光層，１５ａ…赤発光層，１５ｂ
…緑発光層，１５ｃ…青発光層，１６…電子輸送層，１
７…陰極，１８…絶縁有機層，１９…有機層，Ｓ…スペ
ース部，θ…テーパ角
Claims (8)
- 【請求項１】 基板に並設された複数の透明電極と、
前記透明電極と交差する方向に延在する複数の陰極と、
これら透明電極と陰極との間に形成された発光層を含む
有機層と、を具備する有機ＥＬ素子であって、 隣接する前記透明電極どうしの間のスペース部に、絶縁
有機層が形成されてなることを特徴とする有機ＥＬ素
子。 - 【請求項２】 前記絶縁有機層が、前記透明電極の端
部の上側に張り出して、該透明電極の端部を被覆してい
ることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 前記絶縁有機層は、その幅方向端部
に、前記幅方向外側に向かって膜厚が減少するようにテ
ーパ角を有することを特徴とする請求項１または２記載
の有機ＥＬ素子。 - 【請求項４】 前記絶縁有機層のテーパー角θが０．
０１゜〜７０゜の範囲の値に設定されることを特徴とす
る請求項３記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項５】 前記絶縁有機層の膜厚が１０ｎｍ〜５
００ｎｍの範囲の値に設定されることを特徴とする請求
項１から４のいずれか記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項６】 前記絶縁有機層が、前記透明電極の端
部の上側に張り出す幅方向寸法が１μｍ〜１５μｍの範
囲の値に設定されることを特徴とする請求項２から５の
いずれか記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項７】 前記絶縁有機層が、少なくとも有機層
の一部分と同一の材質から形成されることを特徴とする
請求項１から６のいずれか記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項８】 基板に並設された複数の透明電極と、
隣接する前記透明電極どうしの間のスペース部に形成さ
れた絶縁有機層と、これら透明電極および絶縁有機層の
上側に形成された発光層を含む有機層と、該有機層の上
側に前記透明電極と交差する方向に延在する複数の陰極
と、を具備する有機ＥＬ素子の製造方法であって、 前記絶縁有機層を形成する工程と、前記有機層を形成す
る工程と、前記陰極を形成する工程との各工程を真空一
貫でおこなうことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方
法。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2000207463A JP2002025781A (ja) | 2000-07-07 | 2000-07-07 | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| US09/899,352 US6690108B2 (en) | 2000-07-07 | 2001-07-05 | Organic electroluminescence element and manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000207463A JP2002025781A (ja) | 2000-07-07 | 2000-07-07 | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002025781A true JP2002025781A (ja) | 2002-01-25 |
Family
ID=18704220
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000207463A Pending JP2002025781A (ja) | 2000-07-07 | 2000-07-07 | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2002025781A (ja) |
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| US9048206B2 (en) | 2011-07-20 | 2015-06-02 | Joled Inc. | Organic electroluminescence display panel and method of manufacturing thereof |
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| SG114514A1 (en) * | 2001-11-28 | 2005-09-28 | Univ Singapore | Organic light emitting diode (oled) |
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| TWI517378B (zh) | 2005-10-17 | 2016-01-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| US7691151B2 (en) | 2006-03-31 | 2010-04-06 | Spiration, Inc. | Articulable Anchor |
| JP7395271B2 (ja) * | 2019-06-28 | 2023-12-11 | キヤノン株式会社 | 発光装置、表示装置、及び発光装置の製造方法 |
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| JPH07118387A (ja) | 1993-10-26 | 1995-05-09 | Bio Material Kenkyusho:Kk | ハロアセトアミドメチル化ポリイミドおよびその製造 方法 |
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| JPH11121178A (ja) | 1997-10-14 | 1999-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
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2000
- 2000-07-07 JP JP2000207463A patent/JP2002025781A/ja active Pending
-
2001
- 2001-07-05 US US09/899,352 patent/US6690108B2/en not_active Expired - Lifetime
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