JP2002009035A - 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 - Google Patents
基板洗浄方法及び基板洗浄装置Info
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- B08—CLEANING
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 酸性薬液で被洗浄基板を洗浄する方法におい
て、洗浄後に被洗浄基板に残留している酸性薬液を効率
的に取り除く基板洗浄方法及びこの方法に用いられる基
板洗浄装置を提供する。 【解決手段】 酸性薬液で被洗浄基板を洗浄した後であ
って残留する酸性薬液を純水を用いて洗い流した後、さ
らに、塩基性薬液を前記被洗浄基板表面に吐出させて被
洗浄基板に残留する酸性薬液を除去する。酸性薬液に塩
基性薬液を吐出することにより酸・塩基の中和反応が生
じて被洗浄基板表面に残留する酸性薬液が効率的に除去
される。。高温純水を被洗浄基板表面の中心からわずか
に離れた箇所に吐出し、その後、それほど高くない回転
数で被洗浄基板表面を乾燥させ、この表面の乾燥がある
程度の面積まで広がったところで高速回転させて被洗浄
基板の端面の乾燥を行う。
て、洗浄後に被洗浄基板に残留している酸性薬液を効率
的に取り除く基板洗浄方法及びこの方法に用いられる基
板洗浄装置を提供する。 【解決手段】 酸性薬液で被洗浄基板を洗浄した後であ
って残留する酸性薬液を純水を用いて洗い流した後、さ
らに、塩基性薬液を前記被洗浄基板表面に吐出させて被
洗浄基板に残留する酸性薬液を除去する。酸性薬液に塩
基性薬液を吐出することにより酸・塩基の中和反応が生
じて被洗浄基板表面に残留する酸性薬液が効率的に除去
される。。高温純水を被洗浄基板表面の中心からわずか
に離れた箇所に吐出し、その後、それほど高くない回転
数で被洗浄基板表面を乾燥させ、この表面の乾燥がある
程度の面積まで広がったところで高速回転させて被洗浄
基板の端面の乾燥を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】薬液及び純水を使用して乾燥
処理を含む洗浄処理を行うための基板洗浄方法及び基板
洗浄装置に関するものである。
処理を含む洗浄処理を行うための基板洗浄方法及び基板
洗浄装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩなどの半導体装置は、半導
体基板に形成する集積回路を設計する設計工程、集積回
路を形成するために用いられる電子ビームなどを描画す
るためのマスク作成工程、シリコンなどの半導体単結晶
インゴットから所定の厚みのウェーハを形成するウェー
ハ製造工程、ウェーハに集積回路などの半導体素子を形
成するウェーハ処理工程、ウェーハを各半導体基板に分
離しパッケージングして半導体装置を形成する組立工程
及び検査工程等を経て形成される。ウェーハ処理工程
は、複数の工程からなり、これら工程間において付着し
た、例えば、有機系の不純物などのダストを除去するた
めに洗浄処理がさらに加えられる。ウェーハの表面に付
着したダストは、製造された半導体装置を不良品とする
原因になるのでその除去には大きな努力が払われてい
る。表面に付着したダストが製造される半導体装置を不
良品とする原因になるのは半導体装置に限らず、例え
ば、液晶の製造や半導体装置、液晶を製造する際に用い
られるフォトマスクの製造においてもダストなどの除去
には大きな努力が払われている。
体基板に形成する集積回路を設計する設計工程、集積回
路を形成するために用いられる電子ビームなどを描画す
るためのマスク作成工程、シリコンなどの半導体単結晶
インゴットから所定の厚みのウェーハを形成するウェー
ハ製造工程、ウェーハに集積回路などの半導体素子を形
成するウェーハ処理工程、ウェーハを各半導体基板に分
離しパッケージングして半導体装置を形成する組立工程
及び検査工程等を経て形成される。ウェーハ処理工程
は、複数の工程からなり、これら工程間において付着し
た、例えば、有機系の不純物などのダストを除去するた
めに洗浄処理がさらに加えられる。ウェーハの表面に付
着したダストは、製造された半導体装置を不良品とする
原因になるのでその除去には大きな努力が払われてい
る。表面に付着したダストが製造される半導体装置を不
良品とする原因になるのは半導体装置に限らず、例え
ば、液晶の製造や半導体装置、液晶を製造する際に用い
られるフォトマスクの製造においてもダストなどの除去
には大きな努力が払われている。
【０００３】従来、半導体装置などの製造においては、
純水や超純水はもとよりこれらを電気分解して得られた
電解イオン水を用いてシリコン等の半導体基板を洗浄し
たり、ポリッシング等を行っている。これまで半導体基
板などの洗浄には、フロンなどの弗素系溶剤が用いられ
ていたが、生活環境に悪影響を及ぼすので敬遠され始め
たことにより、純水や超純水などの水が最も安全な溶剤
として利用されるようになった。純水は、イオン、微粒
子、微生物、有機物などの不純物をほとんど除去した抵
抗率が５〜１８ＭΩｃｍ程度の高純度の水である。超純
水は、超純水製造装置により水中の懸濁物質、溶解物質
及び高効率に取り除いた純水よりさらに純度の高い極め
て高純度の水である。ウェーハなどを洗浄する方法とし
ては、その裏面を真空吸着式のスピンチャックに保持さ
せた状態でウェーハを回転させ、この状態でノズルから
純水などの洗浄液を回転するロール状ブラシに滴下させ
て清掃処理することが従来行われていた。従来、有機系
の不純物を除去するために連続的に酸性薬液を被洗浄基
板上に吐出し、その後、純水で被洗浄基板上の酸性薬液
を洗い流して被洗浄基板を乾燥していた。薬液は、高速
回転による乾燥前に純水で洗い流していたが、その際の
純水温度は、室温であった。また被洗浄基板を回転させ
て乾燥する場合、その回転数の設定値は１個のみであっ
た。また純水あるいは薬液の昇温機構がある場合、昇温
機構と洗浄室の吐出口（ノズル）の間の配管内の圧力を
考慮することはなかった。
純水や超純水はもとよりこれらを電気分解して得られた
電解イオン水を用いてシリコン等の半導体基板を洗浄し
たり、ポリッシング等を行っている。これまで半導体基
板などの洗浄には、フロンなどの弗素系溶剤が用いられ
ていたが、生活環境に悪影響を及ぼすので敬遠され始め
たことにより、純水や超純水などの水が最も安全な溶剤
として利用されるようになった。純水は、イオン、微粒
子、微生物、有機物などの不純物をほとんど除去した抵
抗率が５〜１８ＭΩｃｍ程度の高純度の水である。超純
水は、超純水製造装置により水中の懸濁物質、溶解物質
及び高効率に取り除いた純水よりさらに純度の高い極め
て高純度の水である。ウェーハなどを洗浄する方法とし
ては、その裏面を真空吸着式のスピンチャックに保持さ
せた状態でウェーハを回転させ、この状態でノズルから
純水などの洗浄液を回転するロール状ブラシに滴下させ
て清掃処理することが従来行われていた。従来、有機系
の不純物を除去するために連続的に酸性薬液を被洗浄基
板上に吐出し、その後、純水で被洗浄基板上の酸性薬液
を洗い流して被洗浄基板を乾燥していた。薬液は、高速
回転による乾燥前に純水で洗い流していたが、その際の
純水温度は、室温であった。また被洗浄基板を回転させ
て乾燥する場合、その回転数の設定値は１個のみであっ
た。また純水あるいは薬液の昇温機構がある場合、昇温
機構と洗浄室の吐出口（ノズル）の間の配管内の圧力を
考慮することはなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の酸
性薬液による有機系不純物除去は、非常に高い洗浄効果
を示しているが、一方において、酸性薬液は、被洗浄基
板に付着する恐れがあった。また、酸性薬液による洗浄
は、高い反応性を利用しているが、その場合に、飛沫が
発生、洗浄室の内壁を汚染し、高速回転による乾燥時
に、その汚染物が被洗浄基板上に降りかかる恐れがあっ
た。また、薬液を室温純水で洗い流す場合には、その後
の高速回転による遠心力を利用する乾燥時において、被
洗浄基板の表面中心に最後まで純水が残る。また、室温
純水が高速で被洗浄基板上を走行すると、純水・基板表
面間の摩擦により静電気が生じ、その電荷が放電する
際、被洗浄基板に形成されているパターンが破壊される
恐れがある。さらに、純水あるいは薬液の昇温機構があ
る場合には、昇温機構と洗浄室の吐出口（ノズル）の間
の配管内の圧力は、室温の場合に比べて高くなる。ま
た、洗浄液が高温の場合、配管内壁と洗浄液の摩擦が小
さくなる。以上の圧力上昇と配管内壁・洗浄液の摩擦低
下により、薬液などの吐出停止後しばらくの間は、洗浄
液が漏れが生じる。特に、純水による洗い流し後に回転
乾燥させる際、しばらくのあいだは純水が漏れたままで
あれば、この漏れが被洗浄基板の下に落下する恐れがあ
る。本発明は、このような事情によりなされたものであ
り、酸性薬液で被洗浄基板を洗浄する方法において、洗
浄後に被洗浄基板に残留している酸性薬液を効率的に取
り除く基板洗浄方法及びこの方法に用いられる基板洗浄
装置を提供する。
性薬液による有機系不純物除去は、非常に高い洗浄効果
を示しているが、一方において、酸性薬液は、被洗浄基
板に付着する恐れがあった。また、酸性薬液による洗浄
は、高い反応性を利用しているが、その場合に、飛沫が
発生、洗浄室の内壁を汚染し、高速回転による乾燥時
に、その汚染物が被洗浄基板上に降りかかる恐れがあっ
た。また、薬液を室温純水で洗い流す場合には、その後
の高速回転による遠心力を利用する乾燥時において、被
洗浄基板の表面中心に最後まで純水が残る。また、室温
純水が高速で被洗浄基板上を走行すると、純水・基板表
面間の摩擦により静電気が生じ、その電荷が放電する
際、被洗浄基板に形成されているパターンが破壊される
恐れがある。さらに、純水あるいは薬液の昇温機構があ
る場合には、昇温機構と洗浄室の吐出口（ノズル）の間
の配管内の圧力は、室温の場合に比べて高くなる。ま
た、洗浄液が高温の場合、配管内壁と洗浄液の摩擦が小
さくなる。以上の圧力上昇と配管内壁・洗浄液の摩擦低
下により、薬液などの吐出停止後しばらくの間は、洗浄
液が漏れが生じる。特に、純水による洗い流し後に回転
乾燥させる際、しばらくのあいだは純水が漏れたままで
あれば、この漏れが被洗浄基板の下に落下する恐れがあ
る。本発明は、このような事情によりなされたものであ
り、酸性薬液で被洗浄基板を洗浄する方法において、洗
浄後に被洗浄基板に残留している酸性薬液を効率的に取
り除く基板洗浄方法及びこの方法に用いられる基板洗浄
装置を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸性薬液で被
洗浄基板を洗浄した後であって、残留する酸性薬液を純
水を用いて洗い流した後、さらに、塩基性薬液を前記被
洗浄基板表面に吐出させて被洗浄基板に残留する酸性薬
液を除去することを特徴としている。酸性薬液に塩基性
薬液を吐出することにより酸・塩基の中和反応が生じて
被洗浄基板表面に残留する酸性薬液が効率的に除去され
る。また、基板洗浄装置の洗浄室内に付着した酸性薬液
を乾燥前に洗い流すことを特徴としている。また、本発
明は、高温純水を被洗浄基板表面の中心からわずかに離
れた箇所に吐出し、その後、それほど高くない回転数
（略１００〜２００ｒｐｍ）で被洗浄基板表面を乾燥さ
せ、この表面の乾燥がある程度の面積まで広がったとこ
ろで高速回転させて被洗浄基板の端面の乾燥を行うこと
を特徴としている。高速回転による遠心力を利用して乾
燥する場合、被洗浄基板表面中心は遠心力が極小のた
め、その箇所の純水は残留し易くなる。回転乾燥前に略
６０〜８０℃の高温純水を被洗浄基板表面に吐出するの
で基板温度を昇温させることができる。
洗浄基板を洗浄した後であって、残留する酸性薬液を純
水を用いて洗い流した後、さらに、塩基性薬液を前記被
洗浄基板表面に吐出させて被洗浄基板に残留する酸性薬
液を除去することを特徴としている。酸性薬液に塩基性
薬液を吐出することにより酸・塩基の中和反応が生じて
被洗浄基板表面に残留する酸性薬液が効率的に除去され
る。また、基板洗浄装置の洗浄室内に付着した酸性薬液
を乾燥前に洗い流すことを特徴としている。また、本発
明は、高温純水を被洗浄基板表面の中心からわずかに離
れた箇所に吐出し、その後、それほど高くない回転数
（略１００〜２００ｒｐｍ）で被洗浄基板表面を乾燥さ
せ、この表面の乾燥がある程度の面積まで広がったとこ
ろで高速回転させて被洗浄基板の端面の乾燥を行うこと
を特徴としている。高速回転による遠心力を利用して乾
燥する場合、被洗浄基板表面中心は遠心力が極小のた
め、その箇所の純水は残留し易くなる。回転乾燥前に略
６０〜８０℃の高温純水を被洗浄基板表面に吐出するの
で基板温度を昇温させることができる。
【０００６】その際、被洗浄基板表面の中心からわずか
に離れた箇所に高温純水を吐出するので被洗浄基板表面
の温度が中心付近で極大にすることができる。これによ
り、乾燥は被洗浄基板表面中心から始まる。また、被洗
浄基板が昇温されているため、それほど高くない回転数
（略１００〜２００ｒｐｍ）で被洗浄基板表面を乾燥で
き、純水が被洗浄基板表面を高速に走行することがなく
なり、純水・基板表面間の摩擦が小さくなり、静電気発
生を抑えることができる。被洗浄基板表面の乾燥がある
程度の面積まで広がってから高速回転（略７００ｒｐｍ
以上）しても純水が被洗浄基板表面を高速で走行するこ
とはない。この高速回転により被洗浄基板端面の乾燥が
可能になる。また、本発明は、酸性薬液で被洗浄基板を
洗浄した後であって、残留する酸性薬液を純水を用いて
洗い流した後、さらに、塩基性薬液を前記被洗浄基板表
面に吐出させて被洗浄基板に残留する酸性薬液を除去す
る基板洗浄方法に用いる基板洗浄装置に純水あるいは薬
液の昇温機構がある場合において、昇温機構と洗浄室の
吐出口（ノズル）の間にある配管途中に分岐配管を設
け、その分岐配管に弁を取り付け、さらに、その弁を必
要に応じて開閉することを特徴としている。基板洗浄装
置の洗浄室内に純水あるいは薬液の昇温機構がある場
合、この分岐配管の分岐系に弁を取り付け、その弁を開
閉することにより、適宜に配管内の圧力を変えることが
できる。特に、回転乾燥前に略６０〜８０℃の高温純水
を吐出している場合、吐出停止と同時に分岐系の弁を開
くことにより、配管内の圧力を下げることができ、回転
乾燥時にノズルからの液漏れを防ぐことができる。
に離れた箇所に高温純水を吐出するので被洗浄基板表面
の温度が中心付近で極大にすることができる。これによ
り、乾燥は被洗浄基板表面中心から始まる。また、被洗
浄基板が昇温されているため、それほど高くない回転数
（略１００〜２００ｒｐｍ）で被洗浄基板表面を乾燥で
き、純水が被洗浄基板表面を高速に走行することがなく
なり、純水・基板表面間の摩擦が小さくなり、静電気発
生を抑えることができる。被洗浄基板表面の乾燥がある
程度の面積まで広がってから高速回転（略７００ｒｐｍ
以上）しても純水が被洗浄基板表面を高速で走行するこ
とはない。この高速回転により被洗浄基板端面の乾燥が
可能になる。また、本発明は、酸性薬液で被洗浄基板を
洗浄した後であって、残留する酸性薬液を純水を用いて
洗い流した後、さらに、塩基性薬液を前記被洗浄基板表
面に吐出させて被洗浄基板に残留する酸性薬液を除去す
る基板洗浄方法に用いる基板洗浄装置に純水あるいは薬
液の昇温機構がある場合において、昇温機構と洗浄室の
吐出口（ノズル）の間にある配管途中に分岐配管を設
け、その分岐配管に弁を取り付け、さらに、その弁を必
要に応じて開閉することを特徴としている。基板洗浄装
置の洗浄室内に純水あるいは薬液の昇温機構がある場
合、この分岐配管の分岐系に弁を取り付け、その弁を開
閉することにより、適宜に配管内の圧力を変えることが
できる。特に、回転乾燥前に略６０〜８０℃の高温純水
を吐出している場合、吐出停止と同時に分岐系の弁を開
くことにより、配管内の圧力を下げることができ、回転
乾燥時にノズルからの液漏れを防ぐことができる。
【０００７】また、本発明は、基板洗浄方法において、
初期段階で酸化剤により被洗浄基板表面の不純物を酸化
させる工程と、前記酸化工程終了後、前記被洗浄基板に
対して還元剤による洗浄を行って最終的に前記酸化され
た不純物を除去することを特徴としている。基板洗浄装
置に酸化剤供給用ノズルと還元剤供給用ノズルを用意す
ることにより、被洗浄基板洗浄後、効率的に不純物をこ
の被洗浄基板表面から取り除くことが可能になる。本発
明が対象とする被洗浄基板は、半導体装置の材料となる
シリコンなどのウェーハ、液晶ディスプレイ装置の材料
となる液晶基板、半導体装置や液晶を製造する際に用い
られるフォトマスクなどが挙げられる。
初期段階で酸化剤により被洗浄基板表面の不純物を酸化
させる工程と、前記酸化工程終了後、前記被洗浄基板に
対して還元剤による洗浄を行って最終的に前記酸化され
た不純物を除去することを特徴としている。基板洗浄装
置に酸化剤供給用ノズルと還元剤供給用ノズルを用意す
ることにより、被洗浄基板洗浄後、効率的に不純物をこ
の被洗浄基板表面から取り除くことが可能になる。本発
明が対象とする被洗浄基板は、半導体装置の材料となる
シリコンなどのウェーハ、液晶ディスプレイ装置の材料
となる液晶基板、半導体装置や液晶を製造する際に用い
られるフォトマスクなどが挙げられる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して発明の実施
の形態を説明する。本発明は、酸性薬液で被洗浄基板を
洗浄した後、残留する酸性薬液を純水を用いて洗い流
し、その後、塩基性薬液を前記被洗浄基板表面に吐出さ
せて被洗浄基板に残留する酸性薬液を除去する被洗浄基
板の洗浄方法を特徴としている。まず、図１及び図８を
参照して第１の実施例を説明する。図１は、本発明の基
板洗浄方法の工程を説明するフロー図、図８は、この基
板洗浄方法を実施する基板洗浄装置の斜視図である。図
８に示すように、基板洗浄装置は、ロード用及びアンロ
ード用カセットが配置されており、洗浄室として洗浄カ
ップ６が配置されている。洗浄カップ６の内部には回転
テーブル３が設けられている。回転テーブル３は、洗浄
室内に配置された回転軸７に支持され、被洗浄基板２を
支持する。そして、回転軸７は、これら被洗浄基板２を
支えている回転テーブル３を高速あるいは低速で回転さ
せる。洗浄室内には、さらに、酸性薬液供給用ノズル４
及び純水／塩基性薬液供給用ノズル５がその先端を被洗
浄基板２表面に向くように形成配置されている。また、
裏面ノズル８が回転テーブル３の下からこのテーブルに
載置されたウェーハなどの被洗浄基板２の裏面に薬液や
純水などを供給できるようになっている。ここで、純水
は、超純水も含んでいる。
の形態を説明する。本発明は、酸性薬液で被洗浄基板を
洗浄した後、残留する酸性薬液を純水を用いて洗い流
し、その後、塩基性薬液を前記被洗浄基板表面に吐出さ
せて被洗浄基板に残留する酸性薬液を除去する被洗浄基
板の洗浄方法を特徴としている。まず、図１及び図８を
参照して第１の実施例を説明する。図１は、本発明の基
板洗浄方法の工程を説明するフロー図、図８は、この基
板洗浄方法を実施する基板洗浄装置の斜視図である。図
８に示すように、基板洗浄装置は、ロード用及びアンロ
ード用カセットが配置されており、洗浄室として洗浄カ
ップ６が配置されている。洗浄カップ６の内部には回転
テーブル３が設けられている。回転テーブル３は、洗浄
室内に配置された回転軸７に支持され、被洗浄基板２を
支持する。そして、回転軸７は、これら被洗浄基板２を
支えている回転テーブル３を高速あるいは低速で回転さ
せる。洗浄室内には、さらに、酸性薬液供給用ノズル４
及び純水／塩基性薬液供給用ノズル５がその先端を被洗
浄基板２表面に向くように形成配置されている。また、
裏面ノズル８が回転テーブル３の下からこのテーブルに
載置されたウェーハなどの被洗浄基板２の裏面に薬液や
純水などを供給できるようになっている。ここで、純水
は、超純水も含んでいる。
【０００９】以上に説明した基板洗浄装置において、図
１を参照して、例えば、シリコン半導体などからなる被
洗浄基板が洗浄される工程を説明する。まず、基板洗浄
装置内の回転テーブル３上にシリコンウェーハからなる
被洗浄基板２を配線などのパターンが形成されたパター
ン面を上にして搭載する（）。そして、酸性薬液とし
て硫酸と過酸化水素水の混合液を酸性液供給用ノズル４
から被洗浄基板２上に供給する。即ち、被洗浄基板２の
パターン面にこの混合液を注ぎこの面を洗浄する。一
方、パターン面と反対側の裏面には略６０〜８０℃の高
温純水を注ぐ。このとき回転テーブル３は、略１５〜３
０ｒｐｍの低速回転とする（）。次に、洗浄液の吐出
は行わず、略２０秒間無処理の期間をおく。この期間中
回転テーブル３を略１５〜３０ｒｐｍの低速回転状態に
しておく（）。この工程／工程を３回繰り返す。
次に、回転テーブル３を略１５〜３０ｒｐｍの低速度で
回転させた状態で略６０〜８０℃の高温純水リンス処理
を行う。純水／塩基性薬液供給用ノズル５から高温純水
を被洗浄基板２のパターン面上に注いでリンスすると共
に、裏面にも裏面ノズル８により高温純水を注ぐ処理を
行う（）。次に、回転テーブル３を略１５〜３０ｒｐ
ｍの低速度で回転させながら洗浄カップ６の洗浄処理を
行う。即ち、被洗浄基板２のパターン面は処理を行わず
放置しておき、パターン面と反対側の裏面には略６０〜
８０℃の高温純水を注ぐ。このとき回転テーブル３は、
略１５〜３０ｒｐｍの低速回転とする（）。
１を参照して、例えば、シリコン半導体などからなる被
洗浄基板が洗浄される工程を説明する。まず、基板洗浄
装置内の回転テーブル３上にシリコンウェーハからなる
被洗浄基板２を配線などのパターンが形成されたパター
ン面を上にして搭載する（）。そして、酸性薬液とし
て硫酸と過酸化水素水の混合液を酸性液供給用ノズル４
から被洗浄基板２上に供給する。即ち、被洗浄基板２の
パターン面にこの混合液を注ぎこの面を洗浄する。一
方、パターン面と反対側の裏面には略６０〜８０℃の高
温純水を注ぐ。このとき回転テーブル３は、略１５〜３
０ｒｐｍの低速回転とする（）。次に、洗浄液の吐出
は行わず、略２０秒間無処理の期間をおく。この期間中
回転テーブル３を略１５〜３０ｒｐｍの低速回転状態に
しておく（）。この工程／工程を３回繰り返す。
次に、回転テーブル３を略１５〜３０ｒｐｍの低速度で
回転させた状態で略６０〜８０℃の高温純水リンス処理
を行う。純水／塩基性薬液供給用ノズル５から高温純水
を被洗浄基板２のパターン面上に注いでリンスすると共
に、裏面にも裏面ノズル８により高温純水を注ぐ処理を
行う（）。次に、回転テーブル３を略１５〜３０ｒｐ
ｍの低速度で回転させながら洗浄カップ６の洗浄処理を
行う。即ち、被洗浄基板２のパターン面は処理を行わず
放置しておき、パターン面と反対側の裏面には略６０〜
８０℃の高温純水を注ぐ。このとき回転テーブル３は、
略１５〜３０ｒｐｍの低速回転とする（）。
【００１０】次に、回転テーブル３を略１５〜３０ｒｐ
ｍの低速度で回転させながらメガソニック処理を行う。
メガソニックノズル（図示せず）から薬液を被洗浄基板
２に注入する。薬液は、略６０℃以下の中温純水で希釈
したアルカリ水溶液から構成され、被洗浄基板２のパタ
ーン面に注がれる。裏面には略６０〜８０℃の高温純水
が注がれる（）。次に、塩基性薬液による洗浄を被洗
浄基板に対して行う。即ち、塩基性薬液として希釈され
たＮＨ4 ＯＨ液を純水／塩基性薬液供給用ノズル５から
被洗浄基板２上に供給する。被洗浄基板２のパターン面
にこの薬液を注ぎこの面を洗浄する。一方、パターン面
と反対側の裏面には略６０〜８０℃の高温純水を注ぐ。
このとき回転テーブル３は、略１５〜３０ｒｐｍの低速
回転とする（）。次に、被洗浄基板に対して回転乾燥
処理を行う。初めは低速の数倍の中速回転数（略１００
〜２００ｒｐｍ）で回転テーブル３を回転させ、その
後、略７００ｒｐｍ以上の高速度で回転させながら乾燥
を行う（）。
ｍの低速度で回転させながらメガソニック処理を行う。
メガソニックノズル（図示せず）から薬液を被洗浄基板
２に注入する。薬液は、略６０℃以下の中温純水で希釈
したアルカリ水溶液から構成され、被洗浄基板２のパタ
ーン面に注がれる。裏面には略６０〜８０℃の高温純水
が注がれる（）。次に、塩基性薬液による洗浄を被洗
浄基板に対して行う。即ち、塩基性薬液として希釈され
たＮＨ4 ＯＨ液を純水／塩基性薬液供給用ノズル５から
被洗浄基板２上に供給する。被洗浄基板２のパターン面
にこの薬液を注ぎこの面を洗浄する。一方、パターン面
と反対側の裏面には略６０〜８０℃の高温純水を注ぐ。
このとき回転テーブル３は、略１５〜３０ｒｐｍの低速
回転とする（）。次に、被洗浄基板に対して回転乾燥
処理を行う。初めは低速の数倍の中速回転数（略１００
〜２００ｒｐｍ）で回転テーブル３を回転させ、その
後、略７００ｒｐｍ以上の高速度で回転させながら乾燥
を行う（）。
【００１１】次に、工程と同様に、回転テーブル３を
略１５〜３０ｒｐｍの低速度で回転させながらメガソニ
ック処理を行う。メガソニックノズルから薬液を被洗浄
基板２に注入する。薬液は、略６０℃以下の中温純水で
希釈したアルカリ水溶液から構成され、被洗浄基板２の
パターン面に注がれる。裏面には略６０〜８０℃の高温
純水が注がれる（）。次に、工程と同じ様に、塩基
性薬液による洗浄を被洗浄基板に対して行う。即ち、塩
基性薬液として希釈されたＮＨ4 ＯＨ液を純水／塩基性
薬液供給用ノズル５から被洗浄基板２上に供給する。被
洗浄基板２のパターン面にこの薬液を注ぎこの面を洗浄
する。一方、パターン面と反対側の裏面には略６０〜８
０℃の高温純水を注ぐ。このとき回転テーブル３は、略
１５〜３０ｒｐｍの低速回転とする（■）。最後に、工
程と同様に、被洗浄基板に対して回転乾燥処理を行
う。初めは低速より数倍（略１００〜２００ｒｐｍ）の
中速回転数で回転テーブル３を回転させ、その後、略７
００ｒｐｍ以上の高速回転させて乾燥を行う（11）。こ
の実施例により、酸性薬液に塩基性薬液を吐出すること
により酸と塩基との中和反応が生じて被洗浄基板表面に
残留する酸性薬液が効率的に除去される。また、基板洗
浄装置の洗浄室内に付着した酸性薬液を乾燥前に洗い流
すことができる。
略１５〜３０ｒｐｍの低速度で回転させながらメガソニ
ック処理を行う。メガソニックノズルから薬液を被洗浄
基板２に注入する。薬液は、略６０℃以下の中温純水で
希釈したアルカリ水溶液から構成され、被洗浄基板２の
パターン面に注がれる。裏面には略６０〜８０℃の高温
純水が注がれる（）。次に、工程と同じ様に、塩基
性薬液による洗浄を被洗浄基板に対して行う。即ち、塩
基性薬液として希釈されたＮＨ4 ＯＨ液を純水／塩基性
薬液供給用ノズル５から被洗浄基板２上に供給する。被
洗浄基板２のパターン面にこの薬液を注ぎこの面を洗浄
する。一方、パターン面と反対側の裏面には略６０〜８
０℃の高温純水を注ぐ。このとき回転テーブル３は、略
１５〜３０ｒｐｍの低速回転とする（■）。最後に、工
程と同様に、被洗浄基板に対して回転乾燥処理を行
う。初めは低速より数倍（略１００〜２００ｒｐｍ）の
中速回転数で回転テーブル３を回転させ、その後、略７
００ｒｐｍ以上の高速回転させて乾燥を行う（11）。こ
の実施例により、酸性薬液に塩基性薬液を吐出すること
により酸と塩基との中和反応が生じて被洗浄基板表面に
残留する酸性薬液が効率的に除去される。また、基板洗
浄装置の洗浄室内に付着した酸性薬液を乾燥前に洗い流
すことができる。
【００１２】次に、図２を参照して第２の実施例を説明
する。図２は、シリコンウェーハなどの被洗浄基板が搭
載された洗浄装置の部分断面図である。この実施例は、
基板洗浄方法は、被洗浄基板に対して、初期段階におい
て酸性薬液による洗浄を行う工程と、前記酸性薬液によ
る洗浄工程後に塩基性薬液による洗浄を行って前記被洗
浄基板表面を中和させる工程とを具備している。被洗浄
基板２０２を支持する回転テーブル２０３は、回転軸２
０７により回転される。そして、酸性薬液供給用ノズル
２０４から酸性薬液２０１を被洗浄基板２０１のパター
ン面に供給するように構成されている。この基板洗浄装
置において、被洗浄基板２０２のパターン面に酸性薬液
２０１を少量吐出する。その際、被洗浄基板２０２を略
１５〜３０ｒｐｍの低速で回転させる。また、酸性薬液
供給用ノズル２０４を被洗浄基板２０２上で走行させ、
酸性薬液２０１が基板表面に広がり易いようにする。こ
の実施例により、酸性薬液は、被洗浄基板表面に均一に
広げることが可能になる。
する。図２は、シリコンウェーハなどの被洗浄基板が搭
載された洗浄装置の部分断面図である。この実施例は、
基板洗浄方法は、被洗浄基板に対して、初期段階におい
て酸性薬液による洗浄を行う工程と、前記酸性薬液によ
る洗浄工程後に塩基性薬液による洗浄を行って前記被洗
浄基板表面を中和させる工程とを具備している。被洗浄
基板２０２を支持する回転テーブル２０３は、回転軸２
０７により回転される。そして、酸性薬液供給用ノズル
２０４から酸性薬液２０１を被洗浄基板２０１のパター
ン面に供給するように構成されている。この基板洗浄装
置において、被洗浄基板２０２のパターン面に酸性薬液
２０１を少量吐出する。その際、被洗浄基板２０２を略
１５〜３０ｒｐｍの低速で回転させる。また、酸性薬液
供給用ノズル２０４を被洗浄基板２０２上で走行させ、
酸性薬液２０１が基板表面に広がり易いようにする。こ
の実施例により、酸性薬液は、被洗浄基板表面に均一に
広げることが可能になる。
【００１３】次に、図３を参照して第３の実施例を説明
する。図３は、シリコンウェーハなどの被洗浄基板が搭
載された洗浄装置の部分断面図である。この実施例は、
基板洗浄方法は、被洗浄基板に対して、初期段階におい
て酸性薬液による洗浄を行う工程と、前記酸性薬液によ
る洗浄工程後に塩基性薬液による洗浄を行って前記被洗
浄基板表面を中和させる工程とを具備している。被洗浄
基板３０２を支持する回転テーブル３０３は、回転軸３
０７により回転される。そして、酸性薬液供給用ノズル
から酸性薬液３０１を被洗浄基板３０１のパターン面に
供給するように構成されている。この基板洗浄装置にお
いて、被洗浄基板３０２のパターン面に酸性薬液２０１
を少量吐出する。その際、被洗浄基板３０２を略１５〜
３０ｒｐｍの低速で回転させる。また、酸性薬液供給用
ノズルを被洗浄基板３０２上で走行させ、酸性薬液３０
１が基板表面に広がり易いようにする。以上の工程は、
２回以上繰り返し行われる。この実施例により、酸性薬
液は、被洗浄基板表面に均一に広げられる。
する。図３は、シリコンウェーハなどの被洗浄基板が搭
載された洗浄装置の部分断面図である。この実施例は、
基板洗浄方法は、被洗浄基板に対して、初期段階におい
て酸性薬液による洗浄を行う工程と、前記酸性薬液によ
る洗浄工程後に塩基性薬液による洗浄を行って前記被洗
浄基板表面を中和させる工程とを具備している。被洗浄
基板３０２を支持する回転テーブル３０３は、回転軸３
０７により回転される。そして、酸性薬液供給用ノズル
から酸性薬液３０１を被洗浄基板３０１のパターン面に
供給するように構成されている。この基板洗浄装置にお
いて、被洗浄基板３０２のパターン面に酸性薬液２０１
を少量吐出する。その際、被洗浄基板３０２を略１５〜
３０ｒｐｍの低速で回転させる。また、酸性薬液供給用
ノズルを被洗浄基板３０２上で走行させ、酸性薬液３０
１が基板表面に広がり易いようにする。以上の工程は、
２回以上繰り返し行われる。この実施例により、酸性薬
液は、被洗浄基板表面に均一に広げられる。
【００１４】次に、図４を参照して第４の実施例を説明
する。図４は、シリコンウェーハなどの被洗浄基板が搭
載された洗浄装置の部分断面図である。この実施例で
は、基板洗浄方法は、被洗浄基板に対して初期段階にお
いて酸性薬液による洗浄を行う工程と、前記酸性薬液に
よる洗浄工程後に塩基性薬液による洗浄を行って前記被
洗浄基板表面を中和させる工程とを具備している。被洗
浄基板４０２を支持する回転テーブル４０３は、回転軸
４０７により回転される。そして、酸性薬液供給用ノズ
ル４０４から酸性薬液４０１を被洗浄基板４０２のパタ
ーン面に供給するように構成されている。この実施例で
は、また、酸性薬液４０１が被洗浄基板４０２上に塗布
されている状態で、洗浄室清掃用ノズル４０８から純水
４０９を放出させる。その清掃の際、洗浄室を構成する
洗浄カップ４０６を上昇（実線）させて清掃し易いよう
にする。清掃後は再び洗浄カップ４０６を下降（破線）
させる。この実施例において、洗浄室清掃用ノズル４０
８から吐出される純水４０９を略６０〜８０℃の高温に
すると、清掃効果が高くなり、且つ洗浄カップ４０６の
内壁の乾燥が早くなる。この実施例により、洗浄室が迅
速に清掃されるので乾燥工程が効率的に行うことができ
る。
する。図４は、シリコンウェーハなどの被洗浄基板が搭
載された洗浄装置の部分断面図である。この実施例で
は、基板洗浄方法は、被洗浄基板に対して初期段階にお
いて酸性薬液による洗浄を行う工程と、前記酸性薬液に
よる洗浄工程後に塩基性薬液による洗浄を行って前記被
洗浄基板表面を中和させる工程とを具備している。被洗
浄基板４０２を支持する回転テーブル４０３は、回転軸
４０７により回転される。そして、酸性薬液供給用ノズ
ル４０４から酸性薬液４０１を被洗浄基板４０２のパタ
ーン面に供給するように構成されている。この実施例で
は、また、酸性薬液４０１が被洗浄基板４０２上に塗布
されている状態で、洗浄室清掃用ノズル４０８から純水
４０９を放出させる。その清掃の際、洗浄室を構成する
洗浄カップ４０６を上昇（実線）させて清掃し易いよう
にする。清掃後は再び洗浄カップ４０６を下降（破線）
させる。この実施例において、洗浄室清掃用ノズル４０
８から吐出される純水４０９を略６０〜８０℃の高温に
すると、清掃効果が高くなり、且つ洗浄カップ４０６の
内壁の乾燥が早くなる。この実施例により、洗浄室が迅
速に清掃されるので乾燥工程が効率的に行うことができ
る。
【００１５】次に、図５を参照して第５の実施例を説明
する。図５は、シリコンウェーハなどの被洗浄基板が搭
載された洗浄装置の部分断面図である。この実施例で
は、基板洗浄方法は、被洗浄基板に対して初期段階にお
いて酸性薬液による洗浄を行う工程と、前記酸性薬液に
よる洗浄工程後に塩基性薬液による洗浄を行って前記被
洗浄基板表面を中和させる工程とを具備している。被洗
浄基板５０２を支持する回転テーブル５０３は、回転軸
５０７により回転される。そして、酸性薬液供給用ノズ
ルから酸性薬液を被洗浄基板５０２のパターン面に供給
するように構成されている。この実施例では、酸性薬液
による洗浄後に、高温純水５１０（８０℃）を洗浄室内
壁に取り付けられた純水供給用ノズル５０５から吐出さ
せる。その際、高温純水５１０が被洗浄基板５０２表面
の中心からわずかに離れたところに当たるようにする。
高温純水５０１を図５のように当てることにより、基板
表面の温度が中心付近で極大となり洗浄効果がより向上
する。このように、略７００ｒｐｍ以上の高速回転によ
る遠心力を利用して乾燥する場合、被洗浄基板表面中心
は遠心力が極小のため、その箇所の純水は残留し易くな
る。回転乾燥前に略８０℃の高温純水を被洗浄基板表面
に吐出しておけば乾燥時に基板温度を昇温させておくこ
とができる。その際、被洗浄基板表面の中心からわずか
に離れた箇所にこのような高温純水を吐出すれば被洗浄
基板表面の温度が中心付近で極大にすることができる。
これにより、乾燥は被洗浄基板表面中心から始まる。
する。図５は、シリコンウェーハなどの被洗浄基板が搭
載された洗浄装置の部分断面図である。この実施例で
は、基板洗浄方法は、被洗浄基板に対して初期段階にお
いて酸性薬液による洗浄を行う工程と、前記酸性薬液に
よる洗浄工程後に塩基性薬液による洗浄を行って前記被
洗浄基板表面を中和させる工程とを具備している。被洗
浄基板５０２を支持する回転テーブル５０３は、回転軸
５０７により回転される。そして、酸性薬液供給用ノズ
ルから酸性薬液を被洗浄基板５０２のパターン面に供給
するように構成されている。この実施例では、酸性薬液
による洗浄後に、高温純水５１０（８０℃）を洗浄室内
壁に取り付けられた純水供給用ノズル５０５から吐出さ
せる。その際、高温純水５１０が被洗浄基板５０２表面
の中心からわずかに離れたところに当たるようにする。
高温純水５０１を図５のように当てることにより、基板
表面の温度が中心付近で極大となり洗浄効果がより向上
する。このように、略７００ｒｐｍ以上の高速回転によ
る遠心力を利用して乾燥する場合、被洗浄基板表面中心
は遠心力が極小のため、その箇所の純水は残留し易くな
る。回転乾燥前に略８０℃の高温純水を被洗浄基板表面
に吐出しておけば乾燥時に基板温度を昇温させておくこ
とができる。その際、被洗浄基板表面の中心からわずか
に離れた箇所にこのような高温純水を吐出すれば被洗浄
基板表面の温度が中心付近で極大にすることができる。
これにより、乾燥は被洗浄基板表面中心から始まる。
【００１６】次に、図６を参照して第６の実施例を説明
する。図６は、シリコンウェーハなどの被洗浄基板が搭
載された洗浄装置の部分断面図である。この実施例で
は、基板洗浄方法は、被洗浄基板に対して初期段階にお
いて酸性薬液による洗浄を行う工程と、前記酸性薬液に
よる洗浄工程後に塩基性薬液による洗浄を行って前記被
洗浄基板表面を中和させる工程とを具備している。被洗
浄基板６０２を支持する回転テーブル６０３は、回転軸
６０７により回転される。そして、酸性薬液供給用ノズ
ルから酸性薬液を被洗浄基板６０２のパターン面に供給
するように構成されている。この実施例では、酸性薬液
による被洗浄基板の洗浄後に略６０〜８０℃の高温純水
によるリンス処理を行う。高温純水の吐出を停止してか
ら、略１００〜２００ｒｐｍの高速回転より低い回転数
で被洗浄基板を回転させ、被洗浄基板表面の乾燥が所定
の面積まで広がってから被洗浄基板の略７００ｒｐｍ以
上の高速回転を行う。この実施例では、略６０〜８０℃
の高温純水によるリンス処理を行うので、乾燥が、被洗
浄基板６０２表面中心から開始される。また、被洗浄基
板６０２表面に、残留する純水６１０が図６に示すよう
に、形成パターン外のみとなるまでは略１００〜２００
ｒｐｍのそれほど高くない回転数で乾燥を行い、その
後、略７００ｒｐｍ以上の高速回転による乾燥を行う。
予め基板が昇温されているのでそれほど高くない回転数
で回転が可能であり、純水・基板表面間の摩擦が小さく
なる。また、被洗浄基板端面の純水が十分乾燥される。
する。図６は、シリコンウェーハなどの被洗浄基板が搭
載された洗浄装置の部分断面図である。この実施例で
は、基板洗浄方法は、被洗浄基板に対して初期段階にお
いて酸性薬液による洗浄を行う工程と、前記酸性薬液に
よる洗浄工程後に塩基性薬液による洗浄を行って前記被
洗浄基板表面を中和させる工程とを具備している。被洗
浄基板６０２を支持する回転テーブル６０３は、回転軸
６０７により回転される。そして、酸性薬液供給用ノズ
ルから酸性薬液を被洗浄基板６０２のパターン面に供給
するように構成されている。この実施例では、酸性薬液
による被洗浄基板の洗浄後に略６０〜８０℃の高温純水
によるリンス処理を行う。高温純水の吐出を停止してか
ら、略１００〜２００ｒｐｍの高速回転より低い回転数
で被洗浄基板を回転させ、被洗浄基板表面の乾燥が所定
の面積まで広がってから被洗浄基板の略７００ｒｐｍ以
上の高速回転を行う。この実施例では、略６０〜８０℃
の高温純水によるリンス処理を行うので、乾燥が、被洗
浄基板６０２表面中心から開始される。また、被洗浄基
板６０２表面に、残留する純水６１０が図６に示すよう
に、形成パターン外のみとなるまでは略１００〜２００
ｒｐｍのそれほど高くない回転数で乾燥を行い、その
後、略７００ｒｐｍ以上の高速回転による乾燥を行う。
予め基板が昇温されているのでそれほど高くない回転数
で回転が可能であり、純水・基板表面間の摩擦が小さく
なる。また、被洗浄基板端面の純水が十分乾燥される。
【００１７】次に、図７を参照して第７の実施例を説明
する。図７は、基板洗浄方法を実施するために用いられ
る基板洗浄装置の概略部分断面図である。この基板洗浄
装置は、被洗浄基板を収納する洗浄室と、前記洗浄室内
に配置された酸性薬液を供給するノズルと、前記洗浄室
内に配置された塩基性薬液を供給するノズルと、前記洗
浄室内に配置された高温純水供給ノズルと、前記洗浄室
内に配置された純水昇温機構と、前記洗浄室に配置さ
れ、前記純水昇温機構から前記高温純水供給用ノズルま
での配管７０１、７０２内の水圧を下げるためにこの配
管７０１、７０２の途中に形成された分岐配管７０４と
を具備しており、初期段階で酸性薬液による洗浄を行う
工程と前記酸性薬液による洗浄工程後に塩基性薬液によ
る洗浄を行って前記被洗浄基板表面を中和させる工程と
を有する洗浄処理を行うものである。そして、この基板
洗浄装置は、前記分岐配管７０４に弁７０５を取り付
け、前記高温純水供給用ノズルから略６０〜８０℃の高
温純水を吐出・停止するとともに、この弁７０５を開い
て前記配管７０１、７０２内の水圧を下げるように構成
されている。
する。図７は、基板洗浄方法を実施するために用いられ
る基板洗浄装置の概略部分断面図である。この基板洗浄
装置は、被洗浄基板を収納する洗浄室と、前記洗浄室内
に配置された酸性薬液を供給するノズルと、前記洗浄室
内に配置された塩基性薬液を供給するノズルと、前記洗
浄室内に配置された高温純水供給ノズルと、前記洗浄室
内に配置された純水昇温機構と、前記洗浄室に配置さ
れ、前記純水昇温機構から前記高温純水供給用ノズルま
での配管７０１、７０２内の水圧を下げるためにこの配
管７０１、７０２の途中に形成された分岐配管７０４と
を具備しており、初期段階で酸性薬液による洗浄を行う
工程と前記酸性薬液による洗浄工程後に塩基性薬液によ
る洗浄を行って前記被洗浄基板表面を中和させる工程と
を有する洗浄処理を行うものである。そして、この基板
洗浄装置は、前記分岐配管７０４に弁７０５を取り付
け、前記高温純水供給用ノズルから略６０〜８０℃の高
温純水を吐出・停止するとともに、この弁７０５を開い
て前記配管７０１、７０２内の水圧を下げるように構成
されている。
【００１８】この実施例では、純水昇温用ヒーター（昇
温機構）と、純水供給用ノズルとの間にフィルター７０
３を設ける。フィルター７０３の入り口にヒーターから
の配管７０２を設け、出口に純水供給用ノズルへの配管
７０１を接続する。フィルター７０３内の空気を抜く口
に分岐配管７０４を接続する。高温純水吐出停止と同時
にエアーオペレイトバルブ（弁）７０５を開放して、ヒ
ーター・フィルター・ノズルへとつながる配管７０１、
７０２の圧力を低下させて純水供給用ノズルからの液漏
れを防止する。このように、基板洗浄装置の洗浄室内に
純水あるいは薬液の昇温機構がある場合、この分岐配管
の分岐系に弁を取り付け、その弁を開閉することによ
り、適宜に配管内の圧力を変えることができる。とくに
回転乾燥前に高温純水を吐出している場合、吐出停止と
同時に分岐系の弁を開くことにより、配管内の圧力を下
げることができ、回転乾燥時にノズルからの液漏れを防
ぐことができる。
温機構）と、純水供給用ノズルとの間にフィルター７０
３を設ける。フィルター７０３の入り口にヒーターから
の配管７０２を設け、出口に純水供給用ノズルへの配管
７０１を接続する。フィルター７０３内の空気を抜く口
に分岐配管７０４を接続する。高温純水吐出停止と同時
にエアーオペレイトバルブ（弁）７０５を開放して、ヒ
ーター・フィルター・ノズルへとつながる配管７０１、
７０２の圧力を低下させて純水供給用ノズルからの液漏
れを防止する。このように、基板洗浄装置の洗浄室内に
純水あるいは薬液の昇温機構がある場合、この分岐配管
の分岐系に弁を取り付け、その弁を開閉することによ
り、適宜に配管内の圧力を変えることができる。とくに
回転乾燥前に高温純水を吐出している場合、吐出停止と
同時に分岐系の弁を開くことにより、配管内の圧力を下
げることができ、回転乾燥時にノズルからの液漏れを防
ぐことができる。
【００１９】以上、実施例ではシリコンなどのウェーハ
について説明したが、本発明は、ウェーハに限らず、液
晶基板やフォトマスクなどに適用される。また、基板洗
浄装置に酸化剤供給用ノズル及び還元剤供給用ノズルを
設けることにより、初期段階で酸化剤により被洗浄基板
表面の不純物を酸化させる工程と、前記酸化工程終了
後、前記被洗浄基板に対して還元剤による洗浄を行う工
程とを備えた処理を行って最終的に前記酸化された不純
物を効率的に除去する基板洗浄方法を実施することがで
きる。以上、本発明により、酸性薬液を純水で洗い流し
た後、塩基性薬液を吐出することにより、酸・塩基の中
和反応を生じさせて被洗浄基板表面に残留する酸性薬液
を効率的に除去することができる。また、この基板洗浄
方法において、回転乾燥前に高温純水を被洗浄基板表面
に吐出することにより乾燥時の基板温度を昇温させるこ
とができる。その際、被洗浄基板表面の中心からわずか
に離れた箇所に高温純水を吐出することにより、被洗浄
基板表面の温度が中心付近で極大とすることができる。
について説明したが、本発明は、ウェーハに限らず、液
晶基板やフォトマスクなどに適用される。また、基板洗
浄装置に酸化剤供給用ノズル及び還元剤供給用ノズルを
設けることにより、初期段階で酸化剤により被洗浄基板
表面の不純物を酸化させる工程と、前記酸化工程終了
後、前記被洗浄基板に対して還元剤による洗浄を行う工
程とを備えた処理を行って最終的に前記酸化された不純
物を効率的に除去する基板洗浄方法を実施することがで
きる。以上、本発明により、酸性薬液を純水で洗い流し
た後、塩基性薬液を吐出することにより、酸・塩基の中
和反応を生じさせて被洗浄基板表面に残留する酸性薬液
を効率的に除去することができる。また、この基板洗浄
方法において、回転乾燥前に高温純水を被洗浄基板表面
に吐出することにより乾燥時の基板温度を昇温させるこ
とができる。その際、被洗浄基板表面の中心からわずか
に離れた箇所に高温純水を吐出することにより、被洗浄
基板表面の温度が中心付近で極大とすることができる。
【００２０】これにより、乾燥は基板表面中心から始ま
るようにすることができる。また、被洗浄基板が昇温さ
れているため、それほど高くない回転数で被洗浄基板表
面を乾燥することができ、その結果、純水が被洗浄基板
表面を高速に走行することがなくなり、純水・基板表面
間の摩擦が小さくなって静電気発生を抑制できる。被洗
浄基板表面の乾燥がある程度の面積まで広がってから高
速回転しても純水が基板表面を高速で走行することはな
い。この高速回転で基板端面の乾燥ができる。また、純
水あるいは薬液の昇温機構がある場合、昇温機構と洗浄
室の吐出口の間にある配管途中に分岐配管を設け、その
分岐系に弁を取り付けることにより、その弁を開閉させ
て、適宜に配管内の圧力を変えることができる。とく
に、回転乾燥前に高温純水を吐出している場合、吐出停
止と同時に分岐系の弁を開くことにより、配管内の圧力
を下げることができ、回転乾燥時にノズルからの液漏れ
が防げる。
るようにすることができる。また、被洗浄基板が昇温さ
れているため、それほど高くない回転数で被洗浄基板表
面を乾燥することができ、その結果、純水が被洗浄基板
表面を高速に走行することがなくなり、純水・基板表面
間の摩擦が小さくなって静電気発生を抑制できる。被洗
浄基板表面の乾燥がある程度の面積まで広がってから高
速回転しても純水が基板表面を高速で走行することはな
い。この高速回転で基板端面の乾燥ができる。また、純
水あるいは薬液の昇温機構がある場合、昇温機構と洗浄
室の吐出口の間にある配管途中に分岐配管を設け、その
分岐系に弁を取り付けることにより、その弁を開閉させ
て、適宜に配管内の圧力を変えることができる。とく
に、回転乾燥前に高温純水を吐出している場合、吐出停
止と同時に分岐系の弁を開くことにより、配管内の圧力
を下げることができ、回転乾燥時にノズルからの液漏れ
が防げる。
【００２１】
【発明の効果】以上、本発明は、このような構成によ
り、酸性薬液を純水で洗い流した後、塩基性薬液を吐出
することにより、酸・塩基の中和反応を生じさせて被洗
浄基板表面に残留する酸性薬液を効率的に除去すること
ができる。
り、酸性薬液を純水で洗い流した後、塩基性薬液を吐出
することにより、酸・塩基の中和反応を生じさせて被洗
浄基板表面に残留する酸性薬液を効率的に除去すること
ができる。
【図１】本発明の基板洗浄方法の工程を説明するフロー
図。
図。
【図２】本発明の被洗浄基板が搭載された洗浄装置の部
分断面図。
分断面図。
【図３】本発明の被洗浄基板が搭載された洗浄装置の部
分断面図。
分断面図。
【図４】本発明の被洗浄基板が搭載された洗浄装置の部
分断面図。
分断面図。
【図５】本発明の被洗浄基板が搭載された洗浄装置の部
分断面図。
分断面図。
【図６】本発明の被洗浄基板が搭載された洗浄装置の部
分断面図。
分断面図。
【図７】本発明の被洗浄基板が搭載された洗浄装置の部
分断面図。
分断面図。
【図８】本発明の基板洗浄方法を実施する基板洗浄装置
の斜視図。
の斜視図。
１、２０１、３０１、４０１・・・酸性薬液、２、２０
２、３０２、４０２、５０２、６０２・・・被洗浄基
板、３、２０３、３０３、４０３、５０３、６０３・・
・回転テーブル、４、２０４・・・酸性薬液供給用ノズ
ル、５・・・純水／塩基性薬液供給用ノズル、 ６、４
０６・・・洗浄カップ、７、２０７、３０７、４０７、
５０７、６０７・・・回転軸、８・・・裏面ノズル、４
０８・・・洗浄室清掃用ノズル、 ４０９・・・純
水、５０５・・・純水供給用ノズル、 ５１０、６１
０・・・高温純水、７０１・・・吐出口への配管、
７０２・・・ヒータからの配管、７０３・・・フィルタ
ー、 ７０４・・・分岐配管、７０５・・・エアーオ
ペレイトバルブ。
２、３０２、４０２、５０２、６０２・・・被洗浄基
板、３、２０３、３０３、４０３、５０３、６０３・・
・回転テーブル、４、２０４・・・酸性薬液供給用ノズ
ル、５・・・純水／塩基性薬液供給用ノズル、 ６、４
０６・・・洗浄カップ、７、２０７、３０７、４０７、
５０７、６０７・・・回転軸、８・・・裏面ノズル、４
０８・・・洗浄室清掃用ノズル、 ４０９・・・純
水、５０５・・・純水供給用ノズル、 ５１０、６１
０・・・高温純水、７０１・・・吐出口への配管、
７０２・・・ヒータからの配管、７０３・・・フィルタ
ー、 ７０４・・・分岐配管、７０５・・・エアーオ
ペレイトバルブ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 秀弘 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター内 Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB34 BB02 BB05 BB22 BB62 BB82 BB92 BB93 BB96 CB12 CC01 CC13
Claims (10)
- 【請求項１】 被洗浄基板に対して、初期段階において
酸性薬液による洗浄を行う工程と、 前記酸性薬液による洗浄工程後に塩基性薬液による洗浄
を行って前記被洗浄基板表面を中和させる工程とを具備
したことを特徴とする基板洗浄方法。 - 【請求項２】 前記初期段階で酸性薬液による洗浄を行
う工程において、加熱した酸性薬液を前記被洗浄基板に
少量だけ吐出させ、その後直ちに吐出を停止し、前記被
洗浄基板を略１５〜３０ｒｐｍの低速回転させることに
より前記酸性薬液を前記被洗浄基板表面に均一に広げる
ことを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄方法。 - 【請求項３】 前記初期段階で酸性薬液による洗浄を行
う工程は、繰り返し行うことを特徴とする請求項２に記
載の基板洗浄方法。 - 【請求項４】 前記被洗浄基板の洗浄は、清掃用純水吐
出口を有する洗浄室内で行われ、且つ前記被洗浄基板表
面を中和させる工程後に前記被洗浄基板を乾燥させる工
程をさらに具備し、この洗浄室は、前記被洗浄基板の乾
燥させる工程前に前記吐出口からの純水により清掃する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記
載の基板洗浄方法。 - 【請求項５】 前記被洗浄基板を乾燥させる工程は、前
記被洗浄基板の略７００ｒｐｍ以上の高速回転により行
い、且つ前記被洗浄基板の高速回転を行う前に、前記被
洗浄基板表面に略６０〜８０℃の高温純水を吐出するこ
とを特徴とする請求項４に記載の基板洗浄方法。 - 【請求項６】 前記被洗浄基板表面の中心からわずかに
離れた箇所に高温純水を吐出することを特徴とする請求
項５に記載の基板洗浄方法。 - 【請求項７】 高温純水の吐出を停止してから、前記高
速回転より低い回転数で前記被洗浄基板を回転させ、前
記被洗浄基板表面の乾燥が所定の面積まで広がってから
前記被洗浄基板を略７００ｒｐｍ以上の高速回転させる
ことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の基板洗
浄方法。 - 【請求項８】 被洗浄基板を収納する洗浄室と、 前記洗浄室内に配置された酸性薬液を供給するノズル
と、 前記洗浄室内に配置された塩基性薬液を供給するノズル
と、 前記洗浄室内に配置された高温純水供給ノズルと、 前記洗浄室内に配置された純水昇温機構と、 前記洗浄室に配置され、前記純水昇温機構から前記高温
純水供給用ノズルまでの配管内の水圧を下げるためにこ
の配管途中に形成された分岐配管とを具備し、 初期段階で酸性薬液による洗浄を行う工程と前記酸性薬
液による洗浄工程後に塩基性薬液による洗浄を行って前
記被洗浄基板表面を中和させる工程とを有する洗浄処理
を行うことを特徴とする基板洗浄装置。 - 【請求項９】 前記分岐配管に弁を取り付け、前記高温
純水供給用ノズルから略６０〜８０℃の高温純水を吐出
停止すると共にこの弁を開いて前記配管内の水圧を下げ
るようにしたことを特徴とする請求項８に記載の基板洗
浄装置。 - 【請求項１０】 初期段階で酸化剤により被洗浄基板表
面の不純物を酸化させる工程と、 前記酸化工程終了後、前記被洗浄基板に対して還元剤に
よる洗浄を行って最終的に前記酸化された不純物を除去
することを特徴とする基板洗浄方法。
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