JP2002008280A

JP2002008280A - 光ディスク装置

Info

Publication number: JP2002008280A
Application number: JP2000183313A
Authority: JP
Inventors: Yuichi Tsuchimochi; 裕一土持
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 2000-06-19
Filing date: 2000-06-19
Publication date: 2002-01-11

Abstract

(57)【要約】【課題】基準となるデータが予め記載されていない状
態では、読みとりに際し、記録パターンに起因した読み
とり不具合と、読みとりそのものの不具合との切り分け
が付かず、読みとり判定が不正確になるという問題があ
った。【解決手段】記録媒体に長マーク／スペースの繰り返
しパターンを記録し、外部磁場を印加せずに、再生層に
記録層のデータを直接転写される再生パワーまで変動さ
せた時の、再生可能な下限パワーをＰ_ｒ２とし、その
後、外部磁場を印加し再生層の直接転写を戻し、超解像
再生を行い、再生信号を検出する下限パワーをＰ_ｒ１、
再生パワーをＰ_ｒとして、Ｐ_ｒ１ _≦Ｐ_ｒ _＜Ｐ_ｒ２となるパワーに設定されている光ディスク装置を用い
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、レーザー光を利
用し円盤上の記録媒体に、記録情報を書き込み、もしく
は読み出しを行う光ディスク装置に係り、特に磁気超解
像による読み出しを行う場合の再生条件の正確かつ迅速
な制御に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光磁気記録においては、ＩＳＯ規
格に代表される光磁気記録方式がよく知られている。こ
れら光磁気記録においては、記録媒体の透明基板上に真
空蒸着された、垂直磁化膜にレーザー光を照射し、垂直
磁化膜の温度をキュリー点まで上昇させ、さらに外部磁
場を印加し、外部磁場方向に垂直磁化膜を配向させる事
により記録を行う。この際の記録密度は、垂直磁化膜に
照射されるレーザー光スポットによる温度分布、つまり
キュリー点以上の温度分布を持つ領域の大きさによって
決まる。このため通常ではレーザーのスポット径よりも
小さな記録部位を形成する事が出来ず、記録密度の向上
はレーザー光のスポット径の縮小化によって担われてい
た。

【０００３】これに対し、一つのピットにいわゆる
“１”、“０”の情報を持たせるのではなく、一つのピ
ットの両端（エッジ）に情報を持たせる事で、記録を行
う、いわゆるマークエッジ記録と言うものが光磁気記録
では知られている。前記マークエッジ記録では、記録密
度の向上を達成する事が出来るが、情報の信頼性を保つ
ためには、この情報を持ったエッジが正確に形成される
ことが必要である。このため、通常マークエッジ記録で
光磁気記録を行う場合、事前にテストトラック（トラッ
クは、光ディスクにおいて、情報を記録する際の記録の
スポットが円周状に並んでいる領域）に、記録パワーを
変更し（この場合には通常より弱いパワーのレーザーを
用いる）、記録を行うことで、最適な記録パワーを求め
る、いわゆる試し書きを行う事が必要とされている。

【０００４】さらに近年では、レーザー光の照射強度及
びタイミングを複数段階に分けたり、また記録媒体の熱
的な拡散係数を変更する事等で、レーザー光の最小スポ
ット径よりも小さな磁区領域のみをキュリー点以上に上
昇させて記録を行う、いわゆる“筆先記録”が可能とな
っている。このとき、記録された後の読み出し時におい
ては、レーザー光のスポット径よりも小さく記録された
磁区領域を読み出すためには、磁気超解像（以下ＭＳＲ
と記載する）と呼ばれる技術が必要である。ＭＳＲと
は、記録を行う磁化膜（以下記録層と呼ぶ）の上に中間
層を介して再生層を設け、レーザーを照射し再生を行う
場合、中間層の熱的な特性（キュリー点等）を変更し、
外部磁場を印加する事により、記録層の情報が転写され
る領域を制限（マスク）する。さらに、上記レーザーの
読み出しスポットに対して一部の部位のみ（記録された
スポットよりもレーザーの読み出しスポットの大きい部
分）がマスクされることにより、レーザーのスポットよ
りも小さい領域の記録層の磁区配向が再生層に転写さ
れ、再生される。前記記録層の情報が再生層に転写され
読み出される領域（以下アパーチャと呼ぶ）は、レーザ
ースポットとマスク領域との関係によりＦＡＤ（Front
Aperture Detection），ＣＡＤ（Center Aperture Dete
ction），ＲＡＤ（Rear Aperture Detection）と呼ばれ
る方式が存在する。ＭＳＲを用いた記録再生装置では、
正しくマスクが形成されないと、適切な読み出しを行う
ことが出来ない。このため、ＭＳＲ方式では最適な再生
パワーを求める、いわゆる試し読みが必要とされる。こ
の際問題となるのが、前述のようにＭＳＲでは試し読み
が必要となるが、試し読みには予め基準となる記録デー
タが必要となる。しかしながら、前記試し書き操作が行
われていない段階では、基準となる記録データを記録す
ると、記録パワーの最適化が行われていないため、記録
データそのものが持つ信号品位の悪さが、試し読みでの
判定結果の誤認識につながることがあった。あるいは、
記録パワーの不適正さのために記録が行われず、試し読
みを行えない事もあり、試し書きを先に行っても、再生
パワーの最適化が行われていないため、試し書きの判定
の誤認識あるいは、試し書き情報を読みとる事が出来な
い、という問題があった。

【０００５】この問題に対処するため特開平１０−３１
２５９３号公報では、情報記録領域ＩＡ（Information
Area）の他に記録条件制御領域ＯＡ（Operation Area）
を設け、記録制御領域には磁気超解像を生じない膜構成
にして、ＯＡにて試し書き動作を行い、試し書きが終了
してからＩＡにて試し読みを行うという手法を提案して
いる。

【０００６】また特開平１１−２５５３７号公報に、磁
気超解像のうち、特にＦＡＤ方式による磁気超解像にお
いては、レーザー光の強度が低い状態ではマスク領域が
形成されないため、前記パワーで読み出しを行い、レー
ザースポット径＝アパーチャとし、さらにスポット径よ
りも大きなパターンを試し書きに使用する事で、磁気超
解像の影響を受けない試し書きを行い、後に試し読みを
行う手法を開示している。さらに特開平１１−６６５９
６号公報では、予め該記録媒体に再生に関するパラメー
タが記載されていない場合、仮パワーで記録を行い、試
し読みをして、その後、各パラメータが決定し、指定さ
れたテストトラックに各パラメータ情報の記録を行い、
次回の初期設定では初めに、上記テストトラックにアク
セスして、情報を読み出し、早期に処理を終了させると
いうものである。

【０００７】ところで近年、株式会社富士通研究所−ソ
ニー株式会社より提案された、９０ｍｍの１．３ＧＢ光
磁気記録規格（ＧＩＧＡＭＯ規格）では、Ｄ−ＲＡＤ方
式によるＭＳＲ再生を用い、信号の読み出しを行ってい
る。Ｄ−ＲＡＤ方式でのアパーチャ形成状態を図１８に
記載する。図１８に示すように、このＤ−ＲＡＤ方式
は、先に触れたＲＡＤ方式の改良型で、光スポットのう
ちフロントの低温度部を温度条件でマスクし、リアのア
パーチャを形成しているが、さらに高温状態では、外部
印加磁場の影響によりマスクされる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従来の技術、例えば特
開平１０−３１２５９３号公報の記録媒体では、幾層か
の膜については蒸着部位を特定する、もしくは膜圧を変
更するという工程操作が必要となり、媒体制作に生じる
コストが多大となっていた。また、ただでさえ困難とさ
れる多層膜の蒸着に、さらに上記操作を加える事は、生
産の歩留まりも悪くなり実用には向かないという問題が
あった。

【０００９】また、特開平１１−２５５３７号公報で
は、ＦＡＤ方式のＭＳＲ媒体用いており、低再生パワー
においては、アパーチャのみ形成され、マスクが形成さ
れていないため、信号の検出が行えるが、Ｄ−ＲＡＤ方
式の媒体では、低温部ではマスクのみ形成され、信号の
検出が不可能であり、Ｄ−ＲＡＤ方式ではこの技術を使
用する事が出来ない。

【００１０】さらに特開平１１−６６５９６号公報の技
術では、先にも触れたように、基準となるデータが予め
記載されていない状態では、試し読みのために記録され
るパターンが、真に記録に最適なパワーで記録される事
が保証されないため、読みとりに際し、記録パターンに
起因した読みとり不具合と、読みとりそのものの不具合
との切り分けが付かず、読みとり判定が不正確になると
いう問題があった。

【００１１】本発明は前記不具合に鑑み、ＧＩＧＡＭＯ
規格のＭＳＲ記録媒体に、特に媒体に特別な製作法を必
要とせず、正確な試し読み操作を迅速に行う事を目的と
している。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の光ディスク装置は、記録媒体にレーザー
光を照射することで再生を行う光ディスク装置におい
て、前記記録媒体に長マーク／スペースの繰り返しパタ
ーンを記録し、外部磁場を印加せずに、再生層に記録層
のデータを直接転写される再生パワーまで変動させた時
の、再生可能な下限パワーをＰ_ｒ２とし、その後、外部
磁場を印加し再生層の直接転写を戻し、超解像再生を行
い、再生信号を検出する下限パワーをＰ_ｒ１として、再
生パワーＰ _ｒ、定数γをＰ_ｒ１に乗算、Ｐ_ｒ＝γ×Ｐ
_ｒ１（γ≧１）または、Ｐ_ｒ１とＰ_ｒ _２との内分点Ｐ_ｒ
＝ａ・Ｐ_ｒ１ _＋ｂ・Ｐ_ｒ２（但し、ａ＜１、ｂ＜１かつ
ａ＋ｂ＝１）の演算を行い、Ｐ_ｒ１ _≦Ｐ_ｒ _＜Ｐ_ｒ２とな
る再生パワーに設定することを特徴としている。

【００１３】また、前記記録媒体挿入後、前記再生パワ
ーの第１回目の再生パワー設定のためにテストトラック
に記載されたデータを利用して、前記記録媒体挿入後の
第２回目以降の再生パワー設定を行うことを特徴として
いる。

【００１４】また、前記外部磁場を印加しない時の再生
層への直接転写による再生パワーを求める際に用いるパ
ターンに、長マーク／スペースの繰り返しパターンを用
いる事を特徴としている。

【００１５】また、前記記録媒体に長マーク／スペース
の繰り返しパターンを記録し、外部磁場を印加せずに再
生層に記録層のデータを直接転写する再生パワーまで変
動する工程と、前記再生パワーを下げて外部磁場を印加
し、前記再生層の直接転写を戻す工程とするものにおい
て、ＭＳＲ再生に必要な磁場強度を確認または演算をす
ることを特徴としている。

【００１６】上記構成を有する光ディスク装置によれ
ば、ＧＩＧＡＭＯ等の媒体での適切な再生パワーを求め
る領域において、記録信号が存在する事が保証でき、こ
れにより再生パワーの適正化を行う事ができ、さらに後
の記録パワーを正確に求める事を可能になる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態を、
図面を参照して説明する。なお、全図面において、共通
する部分には、共通する参照符号を付す。

【００１８】まず、図１は本実施形態による光ディスク
装置の概略図を示し、図２は本実施形態による光ディス
ク装置で試し読みを行う際に、ディスクの状態によりテ
ストトラックヘの消去を行うかどうかの分岐を行うフロ
ーチャートを示している。また、図３は前記テストトラ
ックに再生パターンを書き込み、テストトラックにて直
接転写再生パワーを検出するフローチャートを示してお
り、図４は再生強度を下げ、マスクが形成されるまで、
再生磁場を変動させるフローチャートを示している。ま
た、図５は、ＭＳＲ再生を行い、再生開始パワー及び最
適な再生パワーを検出するフローチャートを示してお
り、図６は書き始め感度を検出するフローチャートを示
している。また、図７は書き始め感度により、記録パワ
ーを算出するフローチャートを示しており、図８は試し
読み及び試し書きシーケンスのベリファイのフローチャ
ートを示している。また、図９は試し読みのみの処理フ
ローチャートを示しており、図１０は再生磁場を印加す
る／しないで、再生パワーを変化させた時のＧＩＧＡＭ
Ｏ媒体のＣ／Ｎ特性を示している。また、図１１は、Ｇ
ＩＧＡＭＯディスクのトラックレイアウトを示してお
り、図１２はデータＲＦ信号を示している。また、図１
３〜図１６は再生磁場、再生強度を変更した際のＤ−Ｒ
ＡＤ媒体の中間層及び、再生層垂直磁化膜の各磁区の配
向を示しており、図１７は再生強度が大きい時、及び小
さい時の、再生磁場の変化による、再生信号の変動をそ
れぞれ図示している。

【００１９】はじめに図１において、光ディスク装置１
１に光ディスク１２が挿入されている状態で、情報の読
みとりを行う場合、ＣＰＵ１ｋから、再生レーザーパワ
ーの強度の制御を行う再生レーザー強度制御部１ｆに再
生レーザーパワーの強度情報が与えられ、１ｆは、この
強度情報に基づき、ＬＤドライバ１ｂに対し、ＬＤにど
の程度の電流を流すかの指示を行う。このＬＤドライバ
の電流量により、ＬＤ１９より発光されるレーザー強度
を任意に変更できる。ＬＤ１９より発光された強度可変
の再生レーザー光はビームスプリッタ１８を介し、分離
した光学ヘッド１５内にある立ち上げミラー１７で反射
し、対物光学系１６より、光ディスク１２上に集光して
照射する。光学ヘッドは、回転する光ディスクに平行し
て、図示しないスピンドルモータにより１次元方向に駆
動でき、光ディスク面内の任意の部位に再生レーザー光
を集光させる事ができる。また再生時に再生磁場を必要
とする場合には、ＣＰＵ１ｋより磁場強度制御部１ｊに
磁場強度情報が与えられ、バイアス発生装置１４に磁場
を発生させる。光ディスク面より、反射された再生光は
再び対物光学系１６を通り立ち上げミラー１７で反射し
て、ビームスプリッタ１８で分割され、フォトディテク
タ１ａで検出される。検出された再生信号は信号強度に
応じた情報として、再生信号処理部１ｇにて処理され、
データに変換されＣＰＵ１ｋに伝えられる。この光ディ
スク装置１１にて情報の記録を行う場合には、ＣＰＵ１
ｋより記録強度制御部１ｅに、記録レーザーパワーの強
度情報が与えられ、記録信号処理部１ｄを介し、１ｅ
は、ＬＤドライバ１ｂにどの程度の電流を流すかの指示
を行う。また記録信号処理部１ｄは、ＣＰＵ１ｋから記
録信号の情報を受け、実際の記録信号に即したパスル発
光パターンを生成し、先の強度にてＬＤをパルス発光さ
せる。ＣＰＵ１ｋの指示により再生強度制御部１ｆを介
して再生強度を様々に変更させたときの、いわゆる試し
読みを行った際の再生強度は、ＲＡＭであるリードパワ
ー記憶手段１ｈに記憶される。さらにＣＰＵの指示によ
り磁場強度制御部１ｊを介して磁場強度を様々に変更さ
せたときの、いわゆる磁場変更による試し読みを行った
際の再生磁場強度は、ＲＡＭであるリード磁場記憶手段
１ｉに記憶される。また、前述したＣＰＵは、例えばＳ
ＣＳＩＩ／Ｆ（スカジーインターフェイス）１ｌを介し
て、ホストコンピュータ１３と接続され、制御されてい
る。

【００２０】次に、図２以降のフローチャートを用い
て、本実施例を説明する。本発明の試し読みを行う場
合、図２のフローチャート処理に従い、Ｂａｎｄ０（図
１１参照）のＴＥＳＴＺＯＮＥヘシークを行う（ステ
ップ３１）。この際ディスクが挿入直後であるかどうか
の判別を行い（ステップ３２）、ディスク挿入直後でな
ければ、直ちに図５のの処理へ移行する。ディスク挿
入直後であると判別された場合、初めにＴＥＳＴＺＯ
ＮＥのうち試し読みに使用するセクタを固定パワーでイ
レース（ステップ３３）する。このときのイレースパワ
ーは予め温度ごとに消去可能である事が確認されている
パワーでも良いし、ドライブで設定されている上限パワ
ーでも良い。その後試し読みを行うに当たり、試し読み
に使用するセクタ位置をリセットする。ここではセクタ
位置を表すパラメータとしてＳｃｔｃｏｕｎｔという変
数を設定し、Ｓｃｔｃｏｕｎｔ＝０として（ステップ３
４）、図３のの処理に移行する。

【００２１】以下図３にで示すＧｌＧＡＭＯ媒体での
再生直接転写パワーを測定するループについて説明す
る。初めにＴＥＳＴＺＯＮＥにある１ＳＣＴ（これは
ＴＥＳＴＺＯＮＥの開始セクタにＳｃｔｃｏｕｎｔ分
セクタ数をずらしたセクタ）に６Ｔ長の連続パターン
（３３パターン）を固定パワーで記録する（ステップ４
１）。この際の６Ｔ長の連続パターンは、長マーク／ス
ペースの繰り返しであれば何でも良い（例えば８Ｔ連続
パターン等）。さらに、このときの固定パワーは先のイ
レースパワーと同様固定パワーを使用する。この６Ｔ連
続パターンは、長マーク／スペースの繰り返し信号とな
るため、スポット径が大きくても読み出しでマーク間の
干渉を受けず、最適記録パワーに対してオーバーパワー
であっても信号品質の低下がほとんど無い。その後再生
磁場を印加しない際の再生パワー（以後Ｐ_ｒｎと記載す
る）を固定値に設定する（ステップ４２）。この際の固
定値は、予めＣＰＵに記録されている固定値でも良い
し、シーケンス短縮のため、温度特性、媒体の再生位置
等を加味したパラメータテーブルを参照するものでも良
い。前記ステップ４１で記録した６Ｔ連続パターンを前
記再生パワーで再生する（ステップ４３）。この再生さ
れた信号のＤＡＴＡ部でのＲＦ信号の上下エンベロープ
波高値（ｐ−ｐ値）をサンプルホールドし（ステップ４
４）、信号振幅値を取り込む（ステップ４５）。この時
の振幅値取り込みは、信号の立ち上がりをアナログ→デ
ジタル変換でモニタしている。

【００２２】ここで、ＲＦ信号の概略を図１２に記載す
る。ＲＦ信号の実際の信号振幅の大きさは、エンベロー
プの上限及び下限の差によって求められ、これをＲＦ信
号としている。

【００２３】再び図３に戻り、検出された振幅値につい
て、判定基準値以上を満たしているか判定を行う。この
際の判定基準をここでは仮に３２０ｍＶとする（ステッ
プ４６）。この振幅値判定において、上記判定基準を満
たしている場合は、ステップ４７以下の処理に移る。ま
ず先に、判定基準を満たしている時の処理について説明
する。振幅値が判定基準を満たしている場合、ここでは
ＭＳＲ媒体に外部磁場を印可していない状態での再生で
あるので、ＭＳＲ再生が行われていない。この場合再生
信号が検出されるのは、再生強度がＭＳＲ再生パワーよ
りもかなり大きく、記録層のパターンが再生層まで直接
転写されているためである。例えばＧＩＧＡＭＯ媒体等
で再生磁場を印加する／しない時の再生パワーに於け
る、再生信号振幅強度変化を図１０に記載する。再生磁
場を印加しない場合、再生層に直接転写されるまで、再
生信号の読みとりが不可能なため、ＭＳＲ再生パワーよ
りも大きな再生パワーが必要となる。

【００２４】更に、再生磁場を印加しない際の再生パワ
ーＰ_ｒｎを再生上限パワーＰ_ｒ２としてＣＰＵに記憶し
（ステップ４７）、図４で示される、に移行する。

【００２５】次に前記ステップ４６の振幅判定におい
て、判定条件を満たさなかった際のシーケンス処理につ
いて説明する。前記ステップ４６にて振幅判定条件を満
たさない場合、再生パワーが記録パターンを再生層まで
直接転写させる強度に満たない、として再生パワーを上
昇させる（ステップ４８）。このときの上昇のステップ
は任意の値が選択できるが、ここでは仮に０．１ｍＷと
した。再生パワーの上昇において、あまりにも大きな値
（異常値）が設定されると、媒体の特性悪化、記録パタ
ーンの消失、媒体破壊等の悪影響を及ぼすことがある。
そこで、次のステップ４９にて、再生パワーの上限を設
け、この数値以上に再生パワーを設定させない様にして
いる。例えばこのステップ４９では、仮の上限値として
８ｍＷ以上再生パワーを設定させない様になっている。
再生パワーが前記上限値を下回っている場合は、前記ス
テップ４３のシーケンスから繰り返し動作を行う。また
前記ステップ４９の上限設定で、上限値を上回った場
合、試し読みセクタのシフトを行う。ここでは先のステ
ップ３４で設定したＳｃｔｃｏｕｎｔを利用する。試し
読みセクタのシフト量が一定値を超えた場合、セクタそ
のものによらない異常、この場合ドライブ異常が考えら
れるため、ある一定数量の上限でドライブ異常かどうか
の判定を行う（ステップ４ａ）。ここでは前記判定値を
仮に３（セクタ）とした。このステップ４ａの判定条件
を上回る場合、試し読みを行うセクタによらない異常、
すなわちリードパワー設定エラーとして処理を終了する
（ステップ４ｂ）。セクタシフト量が上限を上回らない
場合は、これらシーケンスを行おうとしていたセクタに
よる欠陥も考えられるため、セクタシフト量、ここでは
Ｓｃｔｃｏｕｎｔを１加算し、シーケンスをやり直す
（ステップ４ｃ）。即ち、本フローチャートでは、前記
ステップ４１より再試行を行う。

【００２６】次に図４で示される、よりのシーケンス
の説明を行う。シーケンスでは、再生パワーをＭＳＲ
再生ができず、かつフォーカス、トラックサーボが外れ
ない程度の大きさに下げる。ここでは仮値として１．４
ｍＷとしている（ステップ５１）。そして外部印加磁場
をライト方向に印加する（ステップ５２）。印加する磁
場強度は初期固定値にて印加される。再生パワーを下げ
十分な再生磁場を印加した場合、ＧＩＧＡＭＯ媒体では
マスクのみが形成され、アパーチャが開かない。しかし
ながら再生パワーを下げても十分な再生磁場が印加され
ていない場合、再生層へ直接転写した記録パターンが再
生磁場によりマスクされず、振幅を持った信号として検
出されてしまう。このときの磁場強度の検出は図示しな
い、ホール素子による強度検出でも良いし、あるいは図
１の１４にて図示されるバイアス発生装置に流れる電流
量をモニタしても良い。ここでは信号検出条件を仮に１
７０ｍＶとして、ＲＦ信号の振幅が規定値（１７０ｍ
Ｖ）以下かを判定し（ステップ５３）、規定値以下の場
合、外部磁場の印加によりマスクが形成されたものとし
て、現在の磁場強度に１以上の定数を乗算し、再生磁場
強度としてＣＰＵに記憶させ、のシーケンスへ移行す
る。前記１以上の定数は、予め光ドライブの温度上昇率
を考慮し、温度上昇によりバイアスコイルの磁場強度減
少率等をマージンとして含む値を設定する。このステッ
プ５４で記憶したドライブ温度はその後の処理において
ドライブ温度の大きな変動が認められた場合、再生上限
パワーＰ _ｒ２に補正係数を乗算し、新たなＰ_ｒ２を算出
する。

【００２７】次に、前記ステップ５３の振幅判定におい
て、判定条件を満たさなかった際のシーケンス処理につ
いて説明する。前記ステップ５３にて振幅判定条件を満
たさない場合、再生磁場強度が、再生層をマスクする強
度に満たない、として再生磁場を上昇させる（ステップ
５５）。このときの上昇のステップは任意の値が選択で
きるが、ここでは仮に１０［０ｅ］とした。再生磁場の
上昇において、あまりにも大きな値（異常値）が設定さ
れると、光ディスク装置の電力消費過多、もしくは光デ
ィスク装置の急激な温度上昇等の悪影響を及ぼすことが
ある。そこで、図４のシーケンスではステップ５６に
て、再生磁場の上限を設け、この数値以上に再生パワー
を設定させない様にしている。再生パワーが上限値を下
回っている場合は、前記ステップ５３のシーケンスから
繰り返し動作を行う。前記ステップ５６の上限設定で、
上限値を上回った場合、試し読みセクタのシフトを行
う。ここでは先のステップ３４で設定したＳｃｔｃｏｕ
ｎｔを利用する。読み出しセクタのシフト量が一定値を
超えた場合、セクタそのものによらない異常、この場合
ドライブ異常が考えられるため、ある一定数量の上限で
ドライブ異常かどうかの判定を行う（ステップ５７）。
ここでは前記判定値を仮に３（セクタ）とした。このス
テップ５７の判定条件を上回る場合、試し読みを行うセ
クタによらない異常、すなわち再生磁場設定エラーとし
て処理を終了する（ステップ５８）。セクタシフト量が
上限を上回らない場合は、これらシーケンスを行おうと
していたセクタによる欠陥も考えられるため、セクタシ
フト量、ここではＳｃｔｃｏｕｔに１を加算し、シーケ
ンスをやり直す。本フローチャートでは図３に示される
シーケンスより再試行を行う。

【００２８】次に図５の説明を行う。図５は、図２〜図
４のフローチャートで試し読みに必要な各種条件出しを
行った後の、実際の試し読みのフローチャートとなる。
図３でステップ４ａの処理が正常終了、もしくは（ステ
ップ３２）の判定でＤｉｓｋ挿入直後で無い事が分かっ
た場合の試し読みのフローチャートである。ここでは、
既にテストトラックに、試し読みの判定パターンが記録
されている事が保証されており、かつ外部印加磁場も、
ＭＳＲ再生においてマスクを形成するだけ十分な強度の
磁場が印加されている事が保証された状態での試し読み
のフローチャートである。以下各項目について詳細説明
を行う。

【００２９】シーケンスのフローチャートでは、先ず
外部磁場の印加を行う（ステップ６１）。これは先の図
４のフローチャートで、再生層の直接転写をマスクでき
るとした磁場強度と同等の磁場を印加する。ディスク挿
入直後で無い場合も、初めてディスクを挿入した際のシ
ーケンスで確認した印加磁場を用いる。その後、再生パ
ワーの上下限値の初期設定を行う（ステップ６２）。再
生パワーの上限は先の図３のフローチャートでも述べた
様に、再生層に直接転写するパワーよりも小さくなくて
はならないため、（ステップ４７）のＰ_ｒ２に依って規
定される。本フローチャートではＭＳＲ再生下限Ｐ_ｒ１
を求めるが、値が未定のため、初期に仮値としてＰ_ｒ１
をＰ_ｒ２と同じ大きさにしている。その後に試し読みの
初期再生パワーを設定する（ステップ６３）。現在設定
されている再生パワーを他と区別するため、ここではＰ
_ｒｎと記載する。ここで試し読み初期設定の再生パワー
は、上限パワーＰ_ｒ２よりも小さな任意のパワーが選択
できるが、これから記載するループの回転回数を少なく
するため、再生下限値に近いと思われる見込みパワーを
選択する方が望ましい。

【００３０】以下試し読みの再生パワー加減のシーケン
スについて説明する。初めに、先の図２〜５の操作によ
り、記録されている事が確実なセクタ（基準セクタ＋Ｓ
ｃｔｃｏｕｎｔ）を上記設定した再生パワーで読みとる
（ステップ６４）。そして再生信号のうち、ＤＡＴＡ信
号ＳＢ部のＲＦ信号のエンベロープ波高値をサンプルホ
ールドし、再生信号データ部に、信号が検出されるかど
うかを見る（ステップ６５）。サンプルホールドされた
ピークトゥピーク信号はＡＤＲＤＥＮ信号にて、立ち上
がり信号をＡ／Ｄ変換して取り込む（ステップ６６）。
こうしてモニタされたＲＦ振幅値を判定条件として用い
る。ここでは判定条件として、飽和振幅値の約半分の３
２０ｍＶを仮値として用いた（ステップ６７）。この判
定条件で振幅が検出された場合はＭＳＲ再生されたもの
として、ステップ６８以下の処理を行う。

【００３１】ここでは先に振幅が検出出来なかった時の
処理ルーチンを説明する。ＲＦ信号が検出されなかった
場合、再生パワーＰ_ｒｎの強度が低かったとして、Ｐ
_ｒｎの強度を１ステップ上げる（ステップ６ｄ）。ここ
では前記ステップの仮値を０．１ｍＷとして０．１ｍＷ
上昇させている。さらに、ＭＳＲ再生の上下限の確認と
して、新たに設定された再生パワーＰ_ｒｎと上限パワー
Ｐ_ｒ２とを比較する（ステップ６ｅ）。Ｐ_ｒｎがＰ_ｒ２
よりも大きい場合、Ｐ_ｒ２は既に外部印加磁場が無くて
も、直接再生層に転写するだけの大きなパワーであるの
で、Ｐ_ｒｎがそれを上回る事が無いため、ドライブの発
光状態に異常があるものとして、リードパワー設定エラ
ーで終了させる（ステップ６ｆ）。Ｐ_ｒｎがＰ_ｒ２を下
回っている場合は、再び前記ステップ６４のシーケンス
に戻り、再生信号の振幅判定を行う。

【００３２】また、ＲＦ信号の振幅検出に成功した場
合、現在設定している再生パワーＰ_ｒ _ｎと再生下限パワ
ーＰ_ｒ１の比較を行う（ステップ６８）。再生下限パワ
ーＰ_ｒ _１は初期に上限パワーＰ_ｒ２と等しいとしている
ため、十分に大きなパワーである。さらに、Ｐ_ｒｎとＰ
_ｒ１との比較（ステップ６９）において、Ｐ_ｒｎがＰ_ｒ
_１を下回る場合の処理を先に述べる。この場合、ＭＳＲ
再生可能なさらなる下限パワーが検出された、と言うこ
とで、下限パワーＰ_ｒ１をＰ_ｒｎと同じにする（ステッ
プ６ｇ）。さらに、ＭＳＲ再生出来る、より小さい再生
パワーがあるかどうかの判定を行うため、再生パワーＰ
_ｒｎを１ステップ（０．１ｍＷ）下げ（ステップ６
ｈ）、再生パワーＰ_ｒｎが、再生下限値を下回らないか
どうかの判定を行う（ステップ６ｉ）。ここでの再生パ
ワー固定下限値は、事前検討において、必ずＭＳＲしな
い再生パワーでも良いし、あるいは０ｍＷでも良い。こ
こでは仮値として２．０ｍＷを使用している。前記ステ
ップ６ｈの操作によりＰ_ｒｎが再生パワー固定下限値を
下回る場合は、再生パワー設定がうまく行かなかったも
のとして、リードパワー設定処理エラーとして処理する
（ステップ６ｊ）。再生パワー固定下限値を下回ってい
なければ、前記ステップ６４のシーケンスまで戻り、再
生信号検出ループを繰り返し行う。

【００３３】一方、前記ステップ６９の判定条件を満た
した場合、ＭＳＲ再生下限パワーＰ _ｒ１が設定されたも
のとして、外部印加磁場を切り（ステップ６ａ）、再生
パワーの設定を行う（ステップ６ｂ）。再生パワーの設
定に用いるパラメータは、ＭＳＲ再生下限パワー
Ｐ_ｒ１、ＭＳＲ再生上限Ｐ_ｒ２のいずれかを使用する。
例えば両者の平均値を取る、あるいは両者のある一定比
率における内分点を指定しても良い。ここでは、事前の
検討に基づいた１以上の定数γを指定し、下限Ｐ_ｒ１に
乗算している。その後、設定再生パワーＰ_ｒが上下限
（Ｐ_ｒ１≦Ｐ_ｒ＜Ｐ_ｒ２）を満たしているかどうかの確
認を行う（ステップ６ｃ）。ここでは、Ｐ_ｒの設定に１
以上の定数γをＰ_ｒ１に乗算する事で求めているため、
Ｐ_ｒがＰ_ｒ２よりも小さいかどうかのみで判定を行って
いる。このとき、Ｐ_ｒが上限パワーＰ_ｒ２を上回ってい
たら、リードパワー設定エラー（ステップ６ｋ）として
処理を終了する。さらに、前記ステップ６ｃにて再生パ
ワーＰ_ｒが設定後、再びディスクの挿入直後かどうかで
分岐を設定する（ステップ６１）。ディスク挿入直後で
あるなら、図６で図示されるのフローチャート、ディ
スク挿入直後で無いなら図９で図示されるのフローチ
ャート処理に移る。

【００３４】次に図６で図示されるのフローチャート
の説明を行う。ここでは、ディスク挿入直後の一連の行
動として、試し読み終了直後の、試し書きの処理を行っ
ている。

【００３５】以下フローチャートには記載しないが、下
記操作を行う上での再生パワーは、前記図５のフローチ
ャートで設定した再生パワーを用いる。先ず、後々試し
読み再試行を行う上で、〜で使用したセクタを使用
するため、試し書き開始前に、試し書きセクタを、前記
使用セクタから次のセクタへずらす（ステップ７１）。
ここでは仮に１セクタずらして、隣のセクタで行う事と
した。現在アクセスしているセクタ以降を固定パワーに
て消去を行う（ステップ７２）。このときの消去パワー
は、図４のステップ５３の処理同様、予めＣＰＵのメモ
リに記憶した、必ず消去可能なパワーに設定する。

【００３６】以下、試し書きのループの説明を行う。先
ず現在アクセスしているセクタにテストライトを行う
（ステップ７３）。このときのテストライトのパワー
は、初期値として固定パワーを選択しても良いし、収束
時間を短縮するために、試し書き結果に近いと予想され
るパワーをテーブルで持っておき、必要に応じてそれを
参照するようにしても良い。また、図４のフローチャー
トではＰＷＭ３値記録による試し書きを例に取ってお
り、このときの３値パワーの比率を固定にしているが、
各パワーを変動させテストライトしても良い。

【００３７】次に、記録信号のリード（ステップ７４）
後、ＤＡＴＡ信号ＳＢ部のＲＦ信号のエンベロープ波高
値をサンプルホールドし、再生信号データ部に、信号が
検出されるかどうかを見る（ステップ７５）。サンプル
ホールドされたピークトゥピーク信号はＡＤＲＤＥＮ信
号にて、立ち上がり信号をＡ／Ｄ変換して取り込む（ス
テップ７６）。こうしてモニタされたＲＦ振幅値を判定
条件として用いる。ここでは記録信号の判定条件とし
て、振幅の飽和し始めの特性の評価により判定を行って
いる。記録パワーによる記録信号振幅は、図１０に示す
様に、狭いパワー領域で急峻に振幅値が増加する傾向を
示す。本発明の実施の形態では飽和記録信号が約６００
ｍＶ近傍であり、非記録時は３０〜５０ｍＶとして、振
幅値が急峻となるポイントの判定条件を３２０ｍＶとし
ている。先ず本実施形態では、振幅が検出されたかどう
かの判定条件として、検出マージンを持たせて、１７０
ｍＶ以上であるかどうかで判定を行っている（ステップ
７７）。

【００３８】信号振幅が前記一定以上の値であれば、信
号が検出されたものとして次のステップ７８の処理に移
行するが、ここでは先に振幅が検出されなかった時の処
理について説明する。即ち、信号振幅が検出されなかっ
た時、該セクタの次のセクタに移動し、ライトパワー
（書き込み出力）を上げてライトを行う（ステップ７
９）。このときのライトパワーを変更するステップは、
粗調整として少し大きめのパワーを用いる。ここでは仮
値として０．３ｍＷを使用している。その後ライトパワ
ーが大きすぎて、ドライブに搭載されているＬＤ１９を
破壊しないように、上限パワーを設け、判定を行う。こ
こでは上限パワーを１５ｍＷとしている（ステップ７
ａ）。このステップ７ａの判定条件をオーバーしている
場合は、ライトパワー設定エラーとして処理を終了する
（ステップ７ｂ）。判定条件以内であれば、前記ステッ
プ７６からの処理を再試行する。

【００３９】次に記録信号が確認された時の処理につい
て説明する。前記ステップ７７と同様、検出マージンを
取り、４７０ｍＶ以下にて判定を行う（ステップ７
８）。次に先に判定条件を満たさない時のループについ
て説明する。信号振幅が前記値以下であれば、記録パワ
ーが飽和しているとして、次のセクタに移動し、ライト
パワーを下げてライトを行う（ステップ７ｃ）。このス
テップでは前記ステップ７９と同様の０．３ｍＷを使用
している。ここでもライトパワー下限値を設けて、無為
な試し書き時間の浪費を防止している（ステップ７
ｄ）。ライトパワーの下限値として、ここでは３ｍＷと
している。また下限値については、図４の処理で用いた
再生下限パワーＰ_ｒ２との比較による最小値により判定
してもよい。ライトパワーがこの下限値を下回った場
合、処理を中止し、ライトパワー設定エラーを返す（ス
テップ７ｅ）。判定条件以内であれば、前記ステップ７
６からの処理を再試行する。

【００４０】前記ステップ７７及びステップ７８の判定
条件を満たした場合、さらに正確な試し書きパワーを求
めるため、ステップ７ｆ及びステップ７ｇの判定を行
う。即ち、ステップ７ｆは、前記ステップ７７に比べさ
らに１００ｍＶ判定条件を大きくし２７０ｍＶにて判定
を行い、ステップ７ｇは、前記ステップ７８に比べ１０
０ｍＶ判定条件を小さくし３７０ｍＶにて判定を行い、
さらにループにおいて加減させるパワーを細かくして精
度を出している。ここではステップを０．１ｍＷにして
いる。

【００４１】前記ステップ７ｆの判定条件を満たした場
合、さらに判定結果が正しいかどうかの再確認を行う。
ここでは次のセクタに同じライトパワーで記録を行い、
波高値をＡ／Ｄで取り込み（ステップ７ｈ）、前のセク
タで記録した信号振幅との差が１５０ｍＶ以内であるか
どうか判定を行っている（ステップ７ｏ）。前記判定条
件を満たす場合は、のステップに移行し、満たさない
場合、次のセクタに移動する（ステップ７ｐ）。判定条
件を満たさず、次のセクタに移動した場合、テストトラ
ックの全てのセクタを使用してしまったかどうかの確認
を行う（ステップ７ｑ）。テストトラック全てのセクタ
を使用してしまった場合は、ライトパワー設定エラーと
して処理を終了し（ステップ７ｒ）、まだ未使用の場合
はステップ７６からの処理を再試行する。

【００４２】ここで、図７のの処理ルーチンについて
の説明の前に、図１１に、ＧＩＧＡＭＯディスクのトラ
ックレイアウトを示す。図１１に示すように、Ｂａｎｄ
０、Ｂａｎｄ１、・・・Ｂａｎｄ１６、Ｂａｎｄ１７と
Ｂａｎｄが配置されており、各ＢａｎｄにＴｅｓｔＺ
ｏｎｅが配置されている。これに基づいて、図７に示す
の処理ルーチンについて説明を行う。

【００４３】では、先ずのフローチャートにて書き
始めのライトパワーを求めているので、それに定数倍乗
算して、ライトパワーの決定を行う（ステップ８１）。
ここでは定数倍の値をβとしている。βはディスクのＢ
ａｎｄ、ドライブの動作温度によりマトリックステーブ
ルを用意しておき、必要に応じてそれから読み出ことで
決定される。ライトパワーが上限パワー以上の時（試し
書きが決定されるとき）は、上限パワーに設定される
（ステップ８２）。さらに設定されたライトパワー／リ
ードパワー共に正しいかどうか、ＲＦ波高値を測定した
最後のセクタで、消去／記録／再生を行い、正常終了す
るかを確認する（ステップ８３）。このときの記録パタ
ーンは、例えば短マーク／スペースと長マーク／スペー
スの繰り返しパターン等を用いるのが望ましい。上記動
作が正常終了する事を確認の上、今度はＢａｎｄ１６で
これまでと同様の操作を行う（ステップ８４）。その後
Ｂａｎｄ０で決定された、リードパワー／ライトパワー
と、Ｂａｎｄ１６で決定されたリードパワー／ライトパ
ワーをそれぞれ直線近似を行い、各Ｂａｎｄのリードパ
ワー／ライトパワーを決定する（ステップ８５）。ま
た、のルーチンにおいて、各Ｂａｎｄのリードパワー
／ライトパワーを決定するために、２つのＢａｎｄの直
線近似を用いたが、リードパワー／ライトパワーの精度
を向上させるために、３つのＢａｎｄもしくはそれ以上
のＢａｎｄを用いても良い。各Ｂａｎｄのリードパワー
／ライトパワーを決定した後、のフローチャートへ移
行する。また、決定された各Ｂａｎｄのリードパワー／
ライトパワーは、図１のリードパワー記憶手段１ｈに記
憶され、ＣＰＵ１ｋの制御で随時読み出して使用され
る。

【００４４】次に図８ののフローチャートについて説
明する。の演算終了後再びＢａｎｄ１６の試し読みに
使用したセクタに移動する（ステップ９１）。この部分
には試し読みに使用したデータパターンが残っているの
で、再生した信号のＤＡＴＡ部でのＲＦ信号の上下エン
ベロープ波高値をサンプルホールドし、信号振幅値を取
り込み（ステップ９２）、再生が行われたかどうかの判
定を行う（ステップ９３）。ここでは６Ｔ連続パターン
を使用しているため、振幅値の判定条件として仮に８０
０ｍＶとした。再生信号の判定条件を満たさない時（ス
テップ９６）、以下の処理に移る。この場合、先ず再生
信号を検出するためのリードＩＣのゲイン調整を行う
（ステップ９６）。再生信号が所望の値内に入る様に、
振幅が大きい時はゲインを下げ、振幅が小さい時はゲイ
ンを上げる。ゲインレジスタを変動させたとき、レジス
タ設定値が上限もしくは下限を超えたかどうかの判定を
行う（ステップ９７）。この判定で上限もしくは下限を
超えていなければ、ステップ９２からの処理を再試行す
る。レジスタが上限もしくは下限を超えている場合は、
媒体もしくはリードＩＣの異常が考えられるため、次の
セクタへの移動する（ステップ９８）。このときテスト
ゾーンの全セクタを使用したかどうかで判定を行い（ス
テップ９９）、全セクタを使用しきっている場合は試し
読み／書き設定エラーとして処理を終了する（ステップ
９ｃ）。そうでなければ、次のセクタで、６Ｔ連続パタ
ーンを記録し、再び前記ステップ９２の処理を再試行す
る。前記ステップ９３の判定条件を満たした場合、次の
セクタで現在のライトパワーでライトを行い、波高値を
取り込む（ステップ９４）。前記ステップ９２の波高値
振幅とこのステップ９４の波高値振幅との差が１００ｍ
Ｖ以下であるかどうかの判定を行い（ステップ９５）、
判定条件をみたしていなければ、次のセクタへ移動し
（ステップ９ａ）、テストゾーンの全てのセクタを使用
したかどうかの判定を行い（ステップ９ｂ）、使用して
いなければ、ステップ９ｄの処理に移行し、全て使用し
ていた場合はステップ９ｃのエラーで処理を終了する。
そしてステップ９５の判定条件を満たしたならば、試し
読み／書きの一連のシーケンスの終了となる。

【００４５】また、ディスク挿入直後以外での試し読み
では、のフローチャート終了後、のフローチャート
に移行する。図９にのフローチャートを図示する。
では、ディスク挿入直後に試し読みパターンを記録して
いるので、パターンが記録されているセクタを予めＣＰ
Ｕで記憶しておき、でＢａｎｄ０でのリードパワー確
認後、同様にＢａｎｄ１６でもリードパワーの確認を行
い（ステップ１０１）、両者のパワーの直線近似から、
各Ｂａｎｄのリードパワーを求めて（ステップ１０
２）、処理を終了させる事ができる。

【００４６】以上のシーケンスを要約すると以下のよう
になる。

【００４７】即ち、ＧＩＧＡＭＯ等の媒体のテストトラ
ックに、長マーク／スペースの繰り返しパターンを記録
し、再生磁場を印加せずに再生パワーを変動させて、信
号の再生を行う。この状態では、図１３に示すように通
常のＭＳＲ再生と異なり、図１４に示すように、アパー
チャが形成されず、再生層への直接転写が行われるま
で、信号を再生する事ができない（図１４参照）。ま
た、図１５に示すように、信号が再生された時の再生パ
ワーを直接転写開始パワーＰ_ｒ２として記憶し、その後
再生パワーをＭＳＲ再生が行われるよりも十分小さなパ
ワーまで低下させ、外部磁場を印加する。このとき、図
１６に示すように、外部磁場が正常に印加されていれ
ば、ＧＩＧＡＭＯ媒体はスポット全体にマスクを形成
し、信号が読めなくなる。さらに外部磁場を印加しつ
つ、再生パワーを変動させ、その際の再生開始パワーを
Ｐ_ｒ１として記憶する。ＧＩＧＡＭＯ媒体では直接転写
パワーＰ_ｒ２は、Ｐ_ｒ１よりも十分大きく（図１０参
照）、また直接転写を起きる条件を予め規定しているの
で、ＭＳＲ再生が行われる再生パワーを選択できる。ま
た、直接転写時の記録パターン再生を確認するため、試
し読みに際し、記録パワーによらず情報が必ず記録され
ていることが確認できる。さらに、再生パワーを下げ、
外部磁場を印加したときに、再生信号が消失するまで磁
場強度を変動させ、前記磁場強度に温度変動等による磁
場強度減少量を含む補正係数を加え、演算した磁場強度
を設定することで、ドライブへの負担を最小限押さえた
ＭＳＲ再生磁場強度の設定が可能となる。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光ディス
ク装置を用いることにより、ＧＩＧＡＭＯ等の媒体での
適切な再生パワーを求める領域において、記録信号が存
在する事が保証でき、これにより再生パワーの適正化を
行う事ができ、さらに後の記録パワーを正確に求める事
が可能である。また再生磁場の印加状況、再生磁場がＭ
ＳＲ再生を行うのに十分な強度であるかの確認を行う事
が出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施形態に係る光ディスク装置の概
略図を示す図。

【図２】この発明の実施形態に係る光ディスク装置で試
し読みを行う際に、ディスクの状態によりテストトラッ
クヘの消去を行うかどうかの分岐を行うフローチャート
を示す図。

【図３】この発明の実施形態に係る光ディスク装置で、
テストトラックに再生パターンを書き込みテストトラッ
クにて直接転写再生パワーＰ_ｒ１を検出するフローチャ
ートを示す図。

【図４】この発明の実施形態に係る光ディスク装置で、
再生強度を下げ、マスクが形成されるまで、再生磁場を
変動させるフローチャートを示す図。

【図５】この発明の実施形態に係る光ディスク装置で、
ＭＳＲ再生を行い、再生開始パワーＰ_ｒ１及び最適な再
生パワーＰ_ｒを検出するフローチャートを示す図。

【図６】この発明の実施形態に係る光ディスク装置で、
書き始め感度を検出するフローチャートを示す図。

【図７】この発明の実施形態に係る光ディスク装置で、
書き始め感度により、記録パワーを算出するフローチャ
ートを示す図。

【図８】この発明の実施形態に係る光ディスク装置で、
試し読み及び試し書きシーケンスのベリファイのフロー
チャートを示す図。

【図９】この発明の実施形態に係る光ディスク装置で、
試し読みのみの処理フローチャートを示す図。

【図１０】この発明の実施形態に係る光ディスク装置
で、再生磁場を印加する／しないで、再生パワーを変化
させた時のＧＩＧＡＭＯ媒体のＣ／Ｎ特性を示す図。

【図１１】この発明の実施形態に係る光ディスク装置
で、ＧＩＧＡＭＯディスクのトラックレイアウトを示す
図。

【図１２】この発明の実施形態に係る光ディスク装置
で、データＲＦ信号を示す図。

【図１３】この発明の実施形態に係る光ディスク装置
で、再生磁場、再生強度を変更した際のＤ−ＲＡＤ媒体
の中間層及び、再生層垂直磁化膜の各磁区の配向を示す
図。

【図１４】この発明の実施形態に係る光ディスク装置
で、再生磁場、再生強度を変更した際のＤ−ＲＡＤ媒体
の中間層及び、再生層垂直磁化膜の各磁区の配向を示す
図。

【図１５】この発明の実施形態に係る光ディスク装置
で、再生磁場、再生強度を変更した際のＤ−ＲＡＤ媒体
の中間層及び、再生層垂直磁化膜の各磁区の配向を示す
図。

【図１６】この発明の実施形態に係る光ディスク装置
で、再生磁場、再生強度を変更した際のＤ−ＲＡＤ媒体
の中間層及び、再生層垂直磁化膜の各磁区の配向を示す
図。

【図１７】この発明の実施形態に係る光ディスク装置
で、再生強度が大きい時、及び小さい時の、再生磁場の
変化による、再生信号の変動を示す図。

【図１８】従来の実施形態に係るＤ−ＲＡＤ方式でのア
パーチャ形成状態を示す図。

【符号の説明】

Ｐ_ｒ…再生パワー、Ｐ_ｒ _z…再生上限パワー、Ｐ_ｒｎ…
再生磁場を印加しない際の再生パワー、Ｐ_ｒ１…ＭＳＲ
再生信号を検出する下限パワー、Ｐ_ｒ２…ＭＳＲ再生可
能な下限パワー、３…ＰＷＭ、１１…光ディスク装置、
１２…光ディスク、１４…バイアス発生装置、１５…光
学ヘッド、１６…対物光学系、１７…ミラー、１８…ビ
ームスプリッタ、１９…ＬＤ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 7/005 Ｇ１１Ｂ 7/005 Ａ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】記録媒体にレーザー光を照射することで再
生を行う光ディスク装置において、前記記録媒体に長マーク／スペースの繰り返しパターン
を記録し、外部磁場を印加せずに、再生層に記録層のデ
ータを直接転写される再生パワーまで変動させた時の、
再生可能な下限パワーをＰ_ｒ２とし、その後、外部磁場
を印加し再生層の直接転写を戻し、超解像再生を行い、
再生信号を検出する下限パワーをＰ_ｒ１として、再生パ
ワーＰ_ｒ、定数γをＰ_ｒ１に乗算、Ｐ_ｒ＝γ×Ｐ_ｒ１（γ≧１）または、Ｐ_ｒ１とＰ_ｒ２との内分点Ｐ_ｒ＝ａ・Ｐ_ｒ１ _＋ｂ・Ｐ_ｒ２（但し、ａ＜１、ｂ＜１
かつａ＋ｂ＝１）の演算を行い、Ｐ_ｒ１ _≦Ｐ_ｒ _＜Ｐ_ｒ２となる再生パワーに設定することを特徴とする光ディス
ク装置。
【請求項２】前記記録媒体挿入後、前記再生パワーの第
１回目の再生パワー設定のためにテストトラックに記載
されたデータを利用して、前記記録媒体挿入後の第２回
目以降の再生パワー設定を行うことを特徴とする請求項
１記載の光ディスク装置。
【請求項３】前記外部磁場を印加しない時の再生層への
直接転写による再生パワーを求める際に用いるパターン
に、長マーク／スペースの繰り返しパターンを用いる事
を特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項４】前記記録媒体に長マーク／スペースの繰り
返しパターンを記録し、外部磁場を印加せずに再生層に
記録層のデータを直接転写する再生パワーまで変動する
工程と、前記再生パワーを下げて外部磁場を印加し、前記再生層
の直接転写を戻す工程とするものにおいて、ＭＳＲ再生
に必要な磁場強度を確認または演算をすることを特徴と
する請求項１記載の光ディスク装置。