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JP2002005858A - 全反射蛍光x線分析装置 - Google Patents

全反射蛍光x線分析装置

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Publication number
JP2002005858A
JP2002005858A JP2000184042A JP2000184042A JP2002005858A JP 2002005858 A JP2002005858 A JP 2002005858A JP 2000184042 A JP2000184042 A JP 2000184042A JP 2000184042 A JP2000184042 A JP 2000184042A JP 2002005858 A JP2002005858 A JP 2002005858A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
ray
primary
measurement site
detector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000184042A
Other languages
English (en)
Inventor
Akihiro Ikeshita
昭弘 池下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rigaku Corp
Original Assignee
Rigaku Industrial Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rigaku Industrial Corp filed Critical Rigaku Industrial Corp
Priority to JP2000184042A priority Critical patent/JP2002005858A/ja
Publication of JP2002005858A publication Critical patent/JP2002005858A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 板状の試料の任意の測定部位を測定する全反
射蛍光X線分析装置において、試料の縁近傍にある任意
の測定部位についても正確に測定できる装置を提供す
る。 【解決手段】 板状の試料1 の表面に対し微小な入射角
で1次X線2 を照射するX線源3 と、試料1 における1
次X線2 の照射位置の直上で試料1 から発生する蛍光X
線4 の強度を測定するエネルギー分散型の検出器5 と、
試料1 の任意の測定部位が前記検出器5 の直下に位置す
るように試料1 を移動させるための移動手段6 とを備え
た全反射蛍光X線分析装置において、試料1 の縁近傍に
ある任意の測定部位について、試料1 の上方の領域10か
ら1次X線2 が照射されて前記領域10外へ全反射するよ
うに位置させて測定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ等の板状の
試料の任意の測定部位を測定する全反射蛍光X線分析装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、例えば図2に示すように、試
料1の表面に対し微小な入射角でX線源3から1次X線
2を照射して、発生する蛍光X線4の強度を、試料1に
おける1次X線2の照射位置の直上にあるSSD等のエ
ネルギー分散型の検出器5で測定する全反射蛍光X線分
析装置があり、Si ウエハ等の板状の試料1の任意の測
定部位を検出器5の直下に位置させて測定できるよう
に、試料1を載置して移動させるためのXYθステージ
等の移動手段6を備えている。
【0003】X線源3は、X線管と1次X線2の単色化
のためのモノクロメータを含み、例えばW−Lβ線であ
る1次X線2を、試料1の表面に対し例えば0.05度
程度の微小な入射角で入射させ(図示と理解の容易のた
め、図面においては誇張して表す)、全反射したX線7
を検出器5に入射させないように図面右方向に逃がしつ
つ、例えば円板状のSi ウエハ1に付着した汚染物質か
ら発生する微弱な蛍光X線4を検出器5に入射させて分
析する。
【0004】ここで、装置の感度向上のため、すなわ
ち、1次X線2をできるだけ減衰させずに試料1に照射
するため、さらにいえば、試料1の測定部位をできるだ
けX線源3に近づけて測定するため、以下のように、試
料1の測定部位を、X線源3からみて試料1の中心かそ
れよりも近くになるよう移動手段6で位置させて測定す
る。例えば、試料1の中心部を測定したい場合には、試
料1を、XYθステージ6のYステージ6cでその移動
スパンの左端(図2中二点鎖線で示す位置)まで移動さ
せる。XYθステージ6のXステージ6bによる紙面垂
直方向への試料1の移動は適宜行う。これにより、所望
の測定部位である試料1の中心部を、検出器5の直下で
1次X線2が照射される位置にもってくることができ
る。
【0005】また、試料1の図における左端部を測定し
たい場合には、試料1を、XYθステージ6のYステー
ジ6cでその移動スパンの右端(図2中実線で示す位
置)まで移動させる。Xステージ6bによる紙面垂直方
向への移動は適宜行う。これにより、所望の測定部位で
ある試料1の左端部を、検出器5の直下で1次X線2が
照射される位置にもってくることができる。所望の測定
部位が、試料1の中心部と左端部の間にある場合には、
試料1を、Xステージ6bでその移動スパンの間で適宜
左右方向に移動させる。Xステージ6bによる紙面垂直
方向への移動は適宜行う。これにより、試料1の中心部
と左端部の間にある所望の測定部位を、検出器5の直下
で1次X線2が照射される位置にもってくることができ
る。
【0006】試料1をXYθステージ6のθステージ6
dに載置した状態で、所望の測定部位が、試料1の中心
よりも右にある場合には、θステージ6dで試料1を水
平面内で適宜例えば180度回転させ、試料1の中心よ
りも左に位置するよう移動させてから、上述の左端部の
場合または中心部と左端部の間にある場合と同様に位置
合わせすれば、所望の測定部位を、検出器5の直下で1
次X線2が照射される位置にもってくることができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】X線源3および検出器
5とXYθステージ6が上述のような配置関係にある装
置を用いて、試料1の縁近傍にある所望の測定部位、例
えば前記試料1の左端部を、検出器5の直下で1次X線
2が照射される位置にくるように位置合わせすると(図
2に実線で示す状態)、試料1の上方の領域10外から
1次X線2が照射されて前記領域10へ全反射するよう
に位置させて測定することになる。その結果、図3の拡
大図に示すように、1次X線2の一部が板状の試料1の
鉛直な端面に照射され、四方に向けて強い散乱線9が発
生する。この散乱線9の一部は、図2の検出器5に入射
し、測定すべき蛍光X線4に対して大きなバックグラウ
ンドとなり、実質的に測定が不可能になる。例えば縁か
ら6mm未満の部位は、実質的に測定ができず、これで
は、ウエハ1枚あたりの取得チップ数を増やすため、で
きるだけ縁近傍まで測定したいという要求に応ずること
ができない。
【0008】本発明は前記従来の問題に鑑みてなされた
もので、ウエハ等の板状の試料の任意の測定部位を測定
する全反射蛍光X線分析装置において、試料の縁近傍に
ある任意の測定部位についても正確に測定できる装置に
関する。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求項1の装置は、板状の試料の表面に対し微小な
入射角で1次X線を照射するX線源と、試料における1
次X線の照射位置の直上で試料から発生する蛍光X線の
強度を測定するエネルギー分散型の検出器と、試料の任
意の測定部位が前記検出器の直下に位置するように試料
を移動させるための移動手段とを備えた全反射蛍光X線
分析装置において、試料の縁近傍にある任意の測定部位
について、試料の上方の領域から1次X線が照射されて
前記領域外へ全反射するように位置させて測定すること
を特徴とする。
【0010】請求項1の装置によれば、試料の縁近傍に
ある任意の測定部位について、試料の上方の領域から1
次X線が照射されて前記領域外へ全反射するように移動
手段で位置させて測定するので、1次X線が板状の試料
の鉛直な端面に照射されることがなく、強い散乱線が発
生して検出器に入射しバックグラウンドとなることもな
い。したがって、試料の縁近傍の任意の測定部位につい
ても正確に測定できる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態である
全反射蛍光X線分析装置を図面にしたがって説明する。
まず、この装置の構成について説明する。図1に示すよ
うに、この装置は、いわゆる全反射蛍光X線分析装置で
あって、ウエハ、液晶用ガラス、ハードディスク、ウエ
ハ結晶成長炉用石英ガラス等の板状の試料1の表面に対
し微小な入射角で1次X線2を照射するX線源3と、試
料1における1次X線2の照射位置の直上で試料1から
発生する蛍光X線4の強度を測定するSSD等のエネル
ギー分散型の検出器5と、試料1の任意の測定部位が検
出器5の直下に位置するように試料1を載置して移動さ
せるための例えばXYθステージである移動手段6とを
備えている。
【0012】X線源3は、簡略化して図示したが、実際
にはX線管と1次X線2の単色化のためのモノクロメー
タを含み、1次X線2を試料1の表面に対し全反射が起
こる臨界角以下の微小な入射角例えば0.05度程度で
入射させ(図示と理解の容易のため、図面においては誇
張して表す)、全反射したX線7を検出器5に入射させ
ないように図面右方向に逃がしつつ、試料1から発生す
る蛍光X線4を検出器5に入射させてその強度を測定す
る。測定は、真空引きされる試料室8内で行われる。
【0013】XYθステージ6は、試料室8の底部に固
定され紙面垂直方向(X方向)に延びる基台6aと、基
台6aの上で基台6aに対しX方向に移動自在なXステ
ージ6bと、Xステージ6bの上でXステージ6bに対
し左右方向(Y方向)に移動自在なYステージ6cと、
Yステージ6cの上でYステージ6cに対し鉛直な回転
軸回りに回転自在なθステージ6dとを有している。試
料1は、θステージ6dの上に載置される。なお、各ス
テージ6b,6c,6dの直進移動、回転のための駆動
源は、図示しないモータ等である。また、基台6aと試
料室8の底部との間に、高さ調整器や入射角調整器を備
えてもよい。この装置は、試料1の縁近傍にある任意の
測定部位について、試料1の上方の領域10から1次X
線2が照射されて前記領域10外へ全反射するように位
置させて測定する。
【0014】次に、この装置の動作について説明する。
例えば、円板状の試料1の中心部を測定したい場合に
は、試料1を、XYθステージ6のYステージ6cでそ
の移動スパンの右端(図1中二点鎖線で示す位置)まで
移動させる。XYθステージ6のXステージ6bによる
紙面垂直方向への試料1の移動は適宜行う。これによ
り、所望の測定部位である試料1の中心部を、検出器5
の直下で1次X線2が照射される位置にもってくること
ができる。
【0015】また、試料1の図における右端部を測定し
たい場合には、試料1を、XYθステージ6のYステー
ジ6cでその移動スパンの左端(図1中実線で示す位
置)まで移動させる。Xステージ6bによる紙面垂直方
向への移動は適宜行う。これにより、所望の測定部位で
ある試料1の右端部を、検出器5の直下で1次X線2が
照射される位置にもってくることができる。所望の測定
部位が、試料1の中心部と右端部の間にある場合には、
試料1を、Xステージ6bでその移動スパンの間で適宜
左右方向に移動させる。Xステージ6bによる紙面垂直
方向への移動は適宜行う。これにより、試料1の中心部
と右端部の間にある所望の測定部位を、検出器5の直下
で1次X線2が照射される位置にもってくることができ
る。
【0016】試料1をθステージ6dに載置した状態
で、所望の測定部位が、試料1の中心よりも左にある場
合には、θステージ6dで試料1を水平面内で適宜例え
ば180度回転させ、試料1の中心よりも右に位置する
よう移動させてから、上述の右端部の場合または中心部
と右端部の間にある場合と同様に位置合わせすれば、所
望の測定部位を、検出器5の直下で1次X線2が照射さ
れる位置にもってくることができる。
【0017】X線源3および検出器5とXYθステージ
6が上述のような配置関係にあるこの装置を用いれば、
試料1の縁近傍にある任意の測定部位、例えば前記試料
1の右端部を、検出器5の直下で1次X線2が照射され
る位置にくるように位置合わせすると(図1に実線で示
す状態)、試料1の上方の領域10から1次X線2が照
射されて前記領域10外へ全反射するように位置させて
測定することになる。その結果、1次X線2が板状の試
料1の鉛直な端面に照射されることがなく、強い散乱線
9(図3)が発生して検出器5に入射しバックグラウン
ドとなることもない。したがって、試料1の縁近傍の任
意の測定部位についても正確に測定できる。なお、前記
従来の装置(図2)に比べれば、試料1の測定部位はX
線源3から遠い位置で測定されることになるが、X線源
3におけるX線管の出力向上等により、装置全体として
の感度低下は回避できる。
【0018】1次X線2をW−Lβ線、試料1を円板状
のSi ウエハとし、この実施形態の装置においては試料
1の右の縁から左へ12mmまで、図2の従来の装置に
おいては試料1の左の縁から右へ12mmまで、蛍光X
線4であるSi −Kα線と散乱線9(図3)であるW−
Lβ線の強度を測定した結果を図4に示す。従来の装置
によれば、縁から6mm未満の部位は、W−Lβ散乱線
によるバックグラウンドの増大のため、実質的にSi −
Kα線の測定ができないが、この実施形態の装置によれ
ば、縁から2mmの部位でも、より中心側の部位と同様
の正確さでSi−Kα線の測定ができ、縁から2mm未
満の部位においても、1次X線照射面積の減少によるX
線強度の低下はあるが、W−Lβ散乱線によるバックグ
ラウンドの増大は見られない。
【0019】なお、従来の装置(図2)、本実施形態の
装置ともに、移動手段6をXYθステージ6として説明
したが、図における左右方向(Y方向)をr方向とする
rθステージとしてもよい。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の全反射蛍
光X線分析装置によれば、試料の縁近傍にある任意の測
定部位について、試料の上方の領域から1次X線が照射
されて前記領域外へ全反射するように移動手段で位置さ
せて測定するので、1次X線が板状の試料の鉛直な端面
に照射されることがなく、強い散乱線が発生して検出器
に入射しバックグラウンドとなることもない。したがっ
て、試料の縁近傍の任意の測定部位についても正確に測
定できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態である全反射蛍光X線分析
装置を示す正面図である。
【図2】従来の全反射蛍光X線分析装置の一例を示す正
面図である。
【図3】同装置における散乱線発生部分の拡大図であ
る。
【図4】本実施形態の装置と従来の装置による試料の縁
近傍の測定結果を示す図である。
【符号の説明】
1…試料、2…1次X線、3…X線源、4…蛍光X線、
5…エネルギー分散型の検出器、6…移動手段、10…
試料の上方の領域。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 板状の試料の表面に対し微小な入射角で
    1次X線を照射するX線源と、 試料における1次X線の照射位置の直上で試料から発生
    する蛍光X線の強度を測定するエネルギー分散型の検出
    器と、 試料の任意の測定部位が前記検出器の直下に位置するよ
    うに試料を移動させるための移動手段とを備えた全反射
    蛍光X線分析装置において、 試料の縁近傍にある任意の測定部位について、試料の上
    方の領域から1次X線が照射されて前記領域外へ全反射
    するように位置させて測定することを特徴とする全反射
    蛍光X線分析装置。
JP2000184042A 2000-06-20 2000-06-20 全反射蛍光x線分析装置 Pending JP2002005858A (ja)

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