JP2002001251A - Substrate processing equipment - Google Patents
Substrate processing equipmentInfo
- Publication number
- JP2002001251A JP2002001251A JP2000184244A JP2000184244A JP2002001251A JP 2002001251 A JP2002001251 A JP 2002001251A JP 2000184244 A JP2000184244 A JP 2000184244A JP 2000184244 A JP2000184244 A JP 2000184244A JP 2002001251 A JP2002001251 A JP 2002001251A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- ultraviolet
- unit
- ultraviolet irradiation
- scanning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 走査式の紫外線照射処理において、特に走査
方向の基板端部でも良好な処理品質を安定確実に得るこ
と。
【解決手段】 最初に基板Gの一端部(右側端部Ga)
に対する静止状態で紫外線照射を行う。この紫外線照射
中は、ステージ76がY方向原点位置で静止したままで
あり、紫外線は基板右側端部Gaの表面に集中的または
局所的に入射する。次に、基板Gの表面全体に対して走
査による紫外線照射を行う。この走査による紫外線照射
工程では、ステージ76がY方向で原点位置から往動位
置まで所定の速度で片道移動することにより、紫外線が
基板G表面の右側端部から左側端部まで照射される。次
に、基板左側端部Gbに対する静止状態で紫外線照射を
行う。この紫外線照射工程では、紫外線が基板左側端部
Gbの表面に集中的または局所的に入射する。
PROBLEM TO BE SOLVED: To stably and surely obtain good processing quality in a scanning type ultraviolet irradiation process, especially also at an end portion of a substrate in a scanning direction. SOLUTION: First, one end of a substrate G (right end Ga).
UV irradiation is performed in a stationary state with respect to. During the ultraviolet irradiation, the stage 76 remains stationary at the origin position in the Y direction, and the ultraviolet rays are intensively or locally incident on the surface of the substrate right end Ga. Next, ultraviolet irradiation by scanning is performed on the entire surface of the substrate G. In the ultraviolet irradiation step by this scanning, the stage 76 moves one-way at a predetermined speed from the origin position to the forward movement position in the Y direction, so that ultraviolet light is emitted from the right end to the left end of the surface of the substrate G. Next, ultraviolet irradiation is performed on the left end Gb of the substrate in a stationary state. In this ultraviolet irradiation step, ultraviolet light is intensively or locally incident on the surface of the substrate left end Gb.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板に紫外
線を照射して所定の処理を行う基板処理装置に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing predetermined processing by irradiating a substrate to be processed with ultraviolet rays.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理基板(たとえば半導体ウエハ、LCD基板等)の表面
が清浄化された状態にあることを前提として各種の微細
加工が行われる。したがって、各加工処理に先立ちまた
は各加工処理の合間に被処理基板表面の洗浄が行われ、
たとえばフォトリソグラフィー工程では、レジスト塗布
に先立って被処理基板の表面が洗浄される。2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, various types of fine processing are performed on the premise that a surface of a substrate to be processed (for example, a semiconductor wafer, an LCD substrate, etc.) is in a cleaned state. Therefore, prior to each processing or between each processing, the surface of the substrate to be processed is cleaned,
For example, in a photolithography process, the surface of a substrate to be processed is cleaned before applying a resist.
【0003】従来より、被処理基板表面の有機物を除去
するための洗浄法として、紫外線照射による乾式洗浄技
術が知られている。この洗浄技術は、所定波長(紫外線
光源として低圧水銀ランプを使用するときは185n
m、254nm、誘電体バリア放電ランプでは172n
m)の紫外線を用いて酸素を励起させ、生成されるオゾ
ンや発生期の酸素によって基板表面上の有機物を酸化・
気化させ除去するものである。Conventionally, as a cleaning method for removing organic substances on the surface of a substrate to be processed, a dry cleaning technique using ultraviolet irradiation has been known. This cleaning technique has a predetermined wavelength (185 n when a low-pressure mercury lamp is used as an ultraviolet light source).
m, 254 nm, 172 n for dielectric barrier discharge lamps
m) Oxygen is excited using ultraviolet light, and the organic substances on the substrate surface are oxidized by ozone and nascent oxygen.
It is to be vaporized and removed.
【0004】一般に、そのような紫外線照射による乾式
洗浄を行うための紫外線照射洗浄装置は、石英ガラスの
窓を有するランプ室内に紫外線光源となるランプを1本
または複数本並べて収容し、該石英ガラス窓を介してラ
ンプ室に隣接する洗浄処理室内に被処理基板を配置し、
ランプ室内のランプより発せられる紫外線を該石英ガラ
ス窓を通して被処理基板の被処理面に照射するようにな
っている。最近は、被処理基板の被処理面に対してラン
プを相対的に平行移動させて被処理面上で紫外線を走査
することにより、ランプ数の削減や石英ガラス窓の小型
化が図られている。In general, such an ultraviolet irradiation cleaning apparatus for performing dry cleaning by irradiation with ultraviolet light contains one or more lamps serving as ultraviolet light sources arranged side by side in a lamp chamber having a window made of quartz glass. Arranging the substrate to be processed in the cleaning processing chamber adjacent to the lamp chamber through the window,
Ultraviolet rays emitted from a lamp in the lamp chamber are irradiated to the surface of the substrate to be processed through the quartz glass window. Recently, the number of lamps has been reduced and the size of the quartz glass window has been reduced by moving the lamp relatively parallel to the surface of the substrate to be processed and scanning the surface with ultraviolet light. .
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
走査式紫外線照射洗浄装置では、走査方向における被処
理基板の両端部で洗浄効果が十分でないという問題があ
った。この問題の原因は、走査方向の基板の両端部は走
査の開始・終了位置であるとともにランプの点灯・消灯
位置であるため、空間的かつ時間的に紫外線の照度ない
し照射量が不足することにある。したがって、基板の端
にいくほど紫外線照射量が低下または不足して洗浄効果
が弱くなる。However, the conventional cleaning type ultraviolet irradiation cleaning apparatus has a problem that the cleaning effect is not sufficient at both ends of the substrate in the scanning direction. The cause of this problem is that both ends of the substrate in the scanning direction are the starting and ending positions of the scanning and the turning on and off positions of the lamps, so that the illuminance or irradiation amount of ultraviolet rays is insufficient spatially and temporally. is there. Therefore, the closer to the edge of the substrate, the lower or insufficient the amount of ultraviolet irradiation, and the weaker the cleaning effect.
【0006】本発明は、上記のような従来技術の問題点
に鑑みてなされたものであり、走査式の紫外線照射処理
において被処理基板の各部で、特に走査方向の基板端部
でも良好な処理品質を安定確実に得るようにした基板処
理装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and provides a good treatment at each part of a substrate to be processed, particularly at a substrate end in the scanning direction in a scanning type ultraviolet irradiation treatment. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of stably and reliably obtaining quality.
【0007】本発明の別の目的は、走査式の紫外線照射
処理において被処理基板の各部で良好な処理品質を均一
にかつ効率よく得るようにした基板処理装置を提供する
ことにある。It is another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of uniformly and efficiently obtaining good processing quality in each part of a substrate to be processed in a scanning type ultraviolet irradiation process.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の基板処理装置は、被処理基板に紫外線を
照射して所定の処理を行う基板処理装置において、前記
被処理基板を支持する支持手段と、電力の供給を受けて
紫外線を発するランプを1個または複数個備え、前記ラ
ンプより出た紫外線を前記被処理基板に向けて照射する
紫外線照射手段と、前記紫外線照射手段からの紫外線が
前記支持手段に支持されている前記被処理基板の被処理
面を基板の一端部から他端部まで走査するように、前記
支持手段および前記紫外線照射手段のいずれか一方また
は双方を所定の方向で移動させる駆動手段と、前記被処
理基板の一端部および/または他端部に対しては前記支
持手段および前記紫外線照射手段の双方を実質的に静止
させた状態で前記紫外線照射手段からの紫外線を所定時
間照射させる制御手段とを有する構成とした。In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus of the present invention irradiates a substrate with ultraviolet light to perform a predetermined processing. A supporting means for supporting, one or a plurality of lamps which emit ultraviolet rays when supplied with electric power, an ultraviolet irradiating means for irradiating ultraviolet rays emitted from the lamps toward the substrate to be processed, and One or both of the support means and the ultraviolet irradiation means are predetermined so that the target surface of the substrate to be processed supported by the support means is scanned from one end to the other end of the substrate. And the driving means for moving the substrate in one direction and the one end and / or the other end of the substrate to be processed with both the support means and the ultraviolet irradiation means substantially stationary. The ultraviolet rays from the outside line irradiation means has a configuration and a control means for irradiating a predetermined time.
【0009】本発明の基板処理装置では、走査方向にお
ける被処理基板の一端部および/または他端部に対して
は、静止状態で紫外線が所定時間持続的に照射されるこ
とにより、所望の紫外線照射量で安定確実な処理を施す
ことができる。また、被処理基板の他の被処理面部分に
ついては走査速度を適当な値に設定することで、所望の
紫外線照射量で安定確実な処理を施すことができる。走
査方向において、被処理基板の一端部および/または他
端部から外に紫外線照射手段の紫外線照射部がはみ出な
い構成とすることができるため、装置スペースを小さく
することができる。In the substrate processing apparatus of the present invention, one end and / or the other end of the substrate to be processed in the scanning direction is continuously irradiated with ultraviolet light for a predetermined time in a stationary state, so that a desired ultraviolet light is emitted. Stable and reliable processing can be performed with the irradiation amount. In addition, by setting the scanning speed to an appropriate value for the other processing surface portion of the substrate to be processed, it is possible to perform a stable and reliable processing at a desired ultraviolet irradiation amount. In the scanning direction, the ultraviolet irradiation unit of the ultraviolet irradiation unit does not protrude outside from one end and / or the other end of the substrate to be processed, so that the apparatus space can be reduced.
【0010】本発明の一態様によれば、前記紫外線照射
手段において複数個の前記ランプがランプ長手方向を前
記走査の方向に直交させて前記走査の方向と平行に一列
に配列され、前記制御手段が前記複数個のランプを前記
走査の方向の最後尾側から1個ずつ所定の時間間隔を置
いて順次点灯または消灯する構成としてよい。かかる構
成により、上記のような静止状態で紫外線照射を施され
る基板端部に対して、走査による紫外線照射量のばらつ
きを補償して、静止モードと走査モードを合わせた紫外
線照射量を均一化させることができる。According to one aspect of the present invention, in the ultraviolet irradiation means, a plurality of the lamps are arranged in a line in parallel with the scanning direction with a lamp longitudinal direction orthogonal to the scanning direction. May be configured such that the plurality of lamps are sequentially turned on or off at predetermined time intervals one by one from the last side in the scanning direction. With such a configuration, variations in the amount of ultraviolet irradiation due to scanning are compensated for the end of the substrate to which the ultraviolet irradiation is performed in the stationary state as described above, and the amount of ultraviolet irradiation in the stationary mode and the scanning mode is made uniform. Can be done.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】以下、添付図を参照して本発明の
好適な実施形態を説明する。Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
【0012】図1に、本発明の基板処理装置が組み込み
可能なシステム例として塗布現像処理システムを示す。
この塗布現像処理システムは、クリーンルーム内に設置
され、たとえばLCD基板を被処理基板とし、LCD製
造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗
浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベー
クの各処理を行うものである。露光処理は、このシステ
ムに隣接して設置される外部の露光装置(図示せず)で
行われる。FIG. 1 shows a coating and developing system as an example of a system into which the substrate processing apparatus of the present invention can be incorporated.
This coating and developing system is installed in a clean room, and performs, for example, cleaning, resist coating, pre-baking, developing and post-baking in a photolithography process in an LCD manufacturing process, for example, using an LCD substrate as a substrate to be processed. is there. The exposure processing is performed by an external exposure apparatus (not shown) installed adjacent to this system.
【0013】この塗布現像処理システムは、大きく分け
て、カセットステーション(C/S)10と、プロセス
ステーション(P/S)12と、インタフェース部(I
/F)14とで構成される。The coating and developing system is roughly divided into a cassette station (C / S) 10, a process station (P / S) 12, and an interface (I / O).
/ F) 14.
【0014】システムの一端部に設置されるカセットス
テーション(C/S)10は、複数の基板Gを収容する
カセットCを所定数たとえば4個まで載置可能なカセッ
トステージ16と、このステージ16上のカセットCに
ついて基板Gの出し入れを行う搬送機構20とを備えて
いる。この搬送機構20は、基板Gを保持できる手段た
とえば搬送アームを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作
可能であり、後述するプロセスステーション(P/S)
12側の主搬送装置38と基板Gの受け渡しを行えるよ
うになっている。A cassette station (C / S) 10 installed at one end of the system includes a cassette stage 16 on which a predetermined number, for example, four, of cassettes C accommodating a plurality of substrates G can be placed, and a cassette stage 16 on this stage 16. And a transfer mechanism 20 for loading and unloading the substrate G with respect to the cassette C. The transfer mechanism 20 has a unit capable of holding the substrate G, for example, a transfer arm, is operable in four axes of X, Y, Z, and θ, and is a process station (P / S) described later.
The transfer of the substrate G to and from the main transfer device 38 on the 12th side can be performed.
【0015】プロセスステーション(P/S)12は、
上記カセットステーション(C/S)10側から順に洗
浄プロセス部22と、塗布プロセス部24と、現像プロ
セス部26とを基板中継部23、薬液供給ユニット25
およびスペース27を介して(挟んで)横一列に設けて
いる。The process station (P / S) 12 includes:
The cleaning process unit 22, the coating process unit 24, and the developing process unit 26 are sequentially changed from the cassette station (C / S) 10 side to the substrate relay unit 23, the chemical solution supply unit 25.
And are provided in a horizontal row with (and sandwiching) a space 27 therebetween.
【0016】洗浄プロセス部22は、2つのスクラバ洗
浄ユニット(SCR)28と、上下2段の紫外線照射/
冷却ユニット(UV/COL)30と、加熱ユニット
(HP)32と、冷却ユニット(COL)34とを含ん
でいる。The cleaning process unit 22 includes two scrubber cleaning units (SCRs) 28 and two upper and lower ultraviolet irradiation / irradiation units.
It includes a cooling unit (UV / COL) 30, a heating unit (HP) 32, and a cooling unit (COL).
【0017】塗布プロセス部24は、レジスト塗布ユニ
ット(CT)40と、減圧乾燥ユニット(VD)42
と、エッジリムーバ・ユニット(ER)44と、上下2
段型アドヒージョン/冷却ユニット(AD/COL)4
6と、上下2段型加熱/冷却ユニット(HP/COL)
48と、加熱ユニット(HP)50とを含んでいる。The coating process unit 24 includes a resist coating unit (CT) 40 and a reduced-pressure drying unit (VD) 42
And the edge remover unit (ER) 44 and the upper and lower 2
Stage type adhesion / cooling unit (AD / COL) 4
6, upper and lower two-stage heating / cooling unit (HP / COL)
48 and a heating unit (HP) 50.
【0018】現像プロセス部26は、3つの現像ユニッ
ト(DEV)52と、2つの上下2段型加熱/冷却ユニ
ット(HP/COL)55と、加熱ユニット(HP)5
3とを含んでいる。The development process section 26 includes three development units (DEV) 52, two upper and lower two-stage heating / cooling units (HP / COL) 55, and a heating unit (HP) 5
3 is included.
【0019】各プロセス部22,24,26の中央部に
は長手方向に搬送路36,52,58が設けられ、主搬
送装置38,54,60が各搬送路に沿って移動して各
プロセス部内の各ユニットにアクセスし、基板Gの搬入
/搬出または搬送を行うようになっている。なお、この
システムでは、各プロセス部22,24,26におい
て、搬送路36,52,58の一方の側にスピンナ系の
ユニット(SCR,CT,DEV等)が配置され、他方
の側に熱処理または照射処理系のユニット(HP,CO
L,UV等)が配置されている。At the center of each of the process sections 22, 24 and 26, transport paths 36, 52 and 58 are provided in the longitudinal direction, and the main transport devices 38, 54 and 60 move along each transport path to Each unit in the unit is accessed to carry in / out or carry in the substrate G. In this system, in each of the process units 22, 24, and 26, a spinner system unit (SCR, CT, DEV, etc.) is disposed on one side of the transport paths 36, 52, and 58, and heat treatment or heat treatment is performed on the other side. Irradiation treatment system unit (HP, CO
L, UV, etc.).
【0020】システムの他端部に設置されるインタフェ
ース部(I/F)14は、プロセスステーション(P/
S)12と隣接する側にイクステンション(基板受け渡
し部)57およびバッファステージ56を設け、露光装
置と隣接する側に搬送機構59を設けている。An interface unit (I / F) 14 installed at the other end of the system has a process station (P / F).
S) An extension (substrate transfer section) 57 and a buffer stage 56 are provided on the side adjacent to 12, and a transport mechanism 59 is provided on the side adjacent to the exposure apparatus.
【0021】図2に、この塗布現像処理システムにおけ
る処理の手順を示す。先ず、カセットステーション(C
/S)10において、搬送機構20が、ステージ16上
の所定のカセットCの中から1つの基板Gを取り出し、
プロセスステーション(P/S)12の洗浄プロセス部
22の主搬送装置38に渡す(ステップS1)。FIG. 2 shows a processing procedure in the coating and developing processing system. First, the cassette station (C
/ S) 10, the transport mechanism 20 takes out one substrate G from the predetermined cassette C on the stage 16 and
It is transferred to the main transfer device 38 of the cleaning process section 22 of the process station (P / S) 12 (step S1).
【0022】洗浄プロセス部22において、基板Gは、
先ず紫外線照射/冷却ユニット(UV/COL)30に
順次搬入され、上段の紫外線照射ユニット(UV)では
紫外線照射による乾式洗浄を施され、次に下段の冷却ユ
ニット(COL)では所定温度まで冷却される(ステッ
プS2)。この紫外線照射洗浄では基板表面の有機物が
除去される。これによって、基板Gの濡れ性が向上し、
次工程のスクラビング洗浄における洗浄効果を高めるこ
とができる。In the cleaning process section 22, the substrate G
First, they are sequentially carried into an ultraviolet irradiation / cooling unit (UV / COL) 30, subjected to dry cleaning by ultraviolet irradiation in the upper ultraviolet irradiation unit (UV), and then cooled to a predetermined temperature in the lower cooling unit (COL). (Step S2). This ultraviolet irradiation cleaning removes organic substances on the substrate surface. This improves the wettability of the substrate G,
The cleaning effect in the scrubbing cleaning in the next step can be enhanced.
【0023】次に、基板Gはスクラバ洗浄ユニット(S
CR)28の1つでスクラビング洗浄処理を受け、基板
表面から粒子状の汚れが除去される(ステップS3)。
スクラビング洗浄の後、基板Gは、加熱ユニット(H
P)32で加熱による脱水処理を受け(ステップS
4)、次いで冷却ユニット(COL)34で一定の基板
温度まで冷却される(ステップS5)。これで洗浄プロ
セス部22における前処理が終了し、基板Gは、主搬送
装置38により基板受け渡し部23を介して塗布プロセ
ス部24へ搬送される。Next, the substrate G is provided with a scrubber cleaning unit (S
One of the CRs 28 undergoes a scrubbing cleaning process to remove particulate contamination from the substrate surface (step S3).
After the scrubbing cleaning, the substrate G is heated by a heating unit (H
(P) 32 undergoes dehydration by heating (step S)
4) Then, the substrate is cooled to a certain substrate temperature by the cooling unit (COL) 34 (step S5). Thus, the pre-processing in the cleaning process unit 22 is completed, and the substrate G is transported by the main transport unit 38 to the coating process unit 24 via the substrate transfer unit 23.
【0024】塗布プロセス部24において、基板Gは、
先ずアドヒージョン/冷却ユニット(AD/COL)4
6に順次搬入され、最初のアドヒージョンユニット(A
D)では疎水化処理(HMDS)を受け(ステップS
6)、次の冷却ユニット(COL)で一定の基板温度ま
で冷却される(ステップS7)。In the coating processing section 24, the substrate G
First, the adhesion / cooling unit (AD / COL) 4
6 in sequence, and the first adhesion unit (A
In D), a hydrophobizing treatment (HMDS) is performed (step S).
6) Then, the substrate is cooled to a constant substrate temperature in the next cooling unit (COL) (step S7).
【0025】その後、基板Gは、レジスト塗布ユニット
(CT)40でレジスト液を塗布され、次いで減圧乾燥
ユニット(VD)42で減圧による乾燥処理を受け、次
いでエッジリムーバ・ユニット(ER)44で基板周縁
部の余分(不要)なレジストを除かれる(ステップS
8)。Thereafter, the substrate G is coated with a resist solution in a resist coating unit (CT) 40, and then subjected to a drying process under reduced pressure in a reduced-pressure drying unit (VD) 42, and then the substrate is removed in an edge remover unit (ER) 44. Excess (unnecessary) resist on the periphery is removed (step S
8).
【0026】次に、基板Gは、加熱/冷却ユニット(H
P/COL)48に順次搬入され、最初の加熱ユニット
(HP)では塗布後のベーキング(プリベーク)が行わ
れ(ステップS9)、次に冷却ユニット(COL)で一
定の基板温度まで冷却される(ステップS10)。なお、
この塗布後のベーキングに加熱ユニット(HP)50を
用いることもできる。Next, the substrate G is placed in a heating / cooling unit (H
P / COL) 48, and the first heating unit (HP) performs baking (pre-bake) after coating (step S9), and then cools to a constant substrate temperature by the cooling unit (COL) (step S9). Step S10). In addition,
The heating unit (HP) 50 can be used for baking after the application.
【0027】上記塗布処理の後、基板Gは、塗布プロセ
ス部24の主搬送装置54と現像プロセス部26の主搬
送装置60とによってインタフェース部(I/F)14
へ搬送され、そこから露光装置に渡される(ステップS
11)。露光装置では基板G上のレジストに所定の回路パ
ターンを露光される。そして、パターン露光を終えた基
板Gは、露光装置からインタフェース部(I/F)14
に戻される。インタフェース部(I/F)14の搬送機
構59は、露光装置から受け取った基板Gをイクステン
ション57を介してプロセスステーション(P/S)1
2の現像プロセス部26に渡す(ステップS11)。After the coating process, the substrate G is transferred to the interface (I / F) 14 by the main transfer device 54 of the coating process unit 24 and the main transfer device 60 of the development process unit 26.
To the exposure apparatus from there (step S
11). The exposure device exposes a resist on the substrate G to a predetermined circuit pattern. Then, the substrate G after the pattern exposure is transferred from the exposure apparatus to the interface unit (I / F) 14.
Is returned to. The transfer mechanism 59 of the interface unit (I / F) 14 transfers the substrate G received from the exposure apparatus via the extension 57 to the process station (P / S) 1.
(Step S11).
【0028】現像プロセス部26において、基板Gは、
現像ユニット(DEV)52のいずれか1つで現像処理
を受け(ステップS12)、次いで加熱/冷却ユニット
(HP/COL)55の1つに順次搬入され、最初の加
熱ユニット(HP)ではポストベーキングが行われ(ス
テップS13)、次に冷却ユニット(COL)で一定の基
板温度まで冷却される(ステップS14)。このポストベ
ーキングに加熱ユニット(HP)53を用いることもで
きる。In the developing process section 26, the substrate G
One of the developing units (DEV) 52 undergoes a developing process (step S12), and then is sequentially loaded into one of the heating / cooling units (HP / COL) 55, and is post-baked in the first heating unit (HP). Is performed (step S13), and then cooled to a certain substrate temperature by the cooling unit (COL) (step S14). A heating unit (HP) 53 can be used for this post-baking.
【0029】現像プロセス部26での一連の処理が済ん
だ基板Gは、プロセスステーション(P/S)24内の
搬送装置60,54,38によりカセットステーション
(C/S)10まで戻され、そこで搬送機構20により
いずれか1つのカセットCに収容される(ステップS
1)。The substrate G that has been subjected to a series of processes in the developing process section 26 is returned to the cassette station (C / S) 10 by the transfer devices 60, 54, and 38 in the process station (P / S) 24. Stored in one of the cassettes C by the transport mechanism 20 (step S
1).
【0030】この塗布現像処理システムにおいては、洗
浄プロセス部22の紫外線照射ユニット(UV)に本発
明を適用することができる。以下、図3〜図13につき
本発明を紫外線照射ユニット(UV)に適用した実施形
態を説明する。In this coating and developing system, the present invention can be applied to the ultraviolet irradiation unit (UV) of the cleaning process section 22. Hereinafter, an embodiment in which the present invention is applied to an ultraviolet irradiation unit (UV) will be described with reference to FIGS.
【0031】図3および図4に示すように、本発明の一
実施形態による紫外線照射ユニット(UV)は、下面に
石英ガラス窓62を取付し、室内に1本または複数本
(図示の例はn=4すなわち4本)の円筒状紫外線ラン
プ64(1),64(2)‥‥,64(n)をランプの長手方向
と垂直な水平方向に並べて収容してなるランプ室66
と、このランプ室66の下に隣接して設けられた洗浄処
理室68とを有する。As shown in FIGS. 3 and 4, the ultraviolet irradiation unit (UV) according to the embodiment of the present invention has a quartz glass window 62 attached to the lower surface, and one or more windows are installed in the room (in the illustrated example, FIG. (n = 4, ie, four) cylindrical ultraviolet lamps 64 (1), 64 (2) 2, 64 (n) arranged side by side in the horizontal direction perpendicular to the longitudinal direction of the lamps.
And a cleaning processing chamber 68 provided adjacent to and below the lamp chamber 66.
【0032】ランプ室66内において、各紫外線ランプ
64(i)(i=1,2,‥‥,n)はたとえば誘電体バリ
ア放電ランプでよく、後述するランプ電源部(96)よ
り商用交流電力の供給を受けて発光し、有機汚染の洗浄
に好適な波長172nmの紫外線(紫外エキシマ光)を
放射する。各紫外線ランプ64(i)の背後または上には
横断面円弧状の凹面反射鏡70が配置されており、各ラ
ンプ64(i)より上方ないし側方に放射された紫外線は
直上の反射鏡凹面部で反射して石英ガラス窓62側に向
けられるようになっている。In the lamp chamber 66, each of the ultraviolet lamps 64 (i) (i = 1, 2,..., N) may be, for example, a dielectric barrier discharge lamp. And emits ultraviolet light (ultraviolet excimer light) having a wavelength of 172 nm suitable for cleaning of organic contamination. Behind or above each ultraviolet lamp 64 (i), a concave reflecting mirror 70 having an arc-shaped cross section is arranged. Ultraviolet rays emitted from each lamp 64 (i) upward or to the side are concave mirrors directly above. The light is reflected by the portion and directed toward the quartz glass window 62 side.
【0033】ランプ室66内には、紫外線ランプ64
(1)〜64(n)をたとえば水冷方式で冷却する冷却ジャケ
ット(図示せず)や、紫外線を吸収する(したがってラ
ンプ発光効率を悪化させる)酸素の室内への進入を防止
するための不活性ガスたとえばN2ガスを導入しかつ充
満させるガス流通機構(図示せず)等も設けられてよ
い。ランプ室66の両側には、この紫外線照射ユニット
(UV)内の各部に所要の用力または制御信号を供給す
るための用力供給部および制御部を収容するユーティリ
ティ・ユニット74が設けられている。An ultraviolet lamp 64 is provided in the lamp chamber 66.
A cooling jacket (not shown) for cooling (1) to 64 (n) by, for example, a water-cooling method, or an inert gas for preventing entry of oxygen that absorbs ultraviolet rays (and thus deteriorates lamp luminous efficiency) into the room. A gas distribution mechanism (not shown) for introducing and filling a gas such as N2 gas may be provided. On both sides of the lamp chamber 66, there are provided utility units 74 for accommodating a control unit and a utility supply unit for supplying a required utility or control signal to each unit in the ultraviolet irradiation unit (UV).
【0034】洗浄処理室68内には、基板Gを載置して
支持するための水平移動および昇降可能なステージ76
が設けられている。この実施形態では、ボールネジ78
を用いる自走式のステージ駆動部80の上にステージ7
6を垂直方向(図のZ方向)に昇降可能に搭載し、ステ
ージ駆動部80がボールネジ78およびこれと平行に延
在するガイド82に沿って所定の水平方向(図のY方
向)に、つまりランプ室66の真下をランプ配列方向と
平行に横切るように、原点位置(図3)と往動位置(図
4)との間で往復移動できるように構成されている。ま
た、図示しないが、洗浄処理室68の室内を排気する排
気系統も設けられてよい。A horizontally movable and vertically movable stage 76 for mounting and supporting the substrate G is provided in the cleaning processing chamber 68.
Is provided. In this embodiment, the ball screw 78
Stage 7 on a self-propelled stage drive 80 using
6 is mounted so as to be able to move up and down in the vertical direction (Z direction in the figure), and the stage driving unit 80 is moved in a predetermined horizontal direction (Y direction in the figure) along the ball screw 78 and the guide 82 extending in parallel with the ball screw 78. It is configured to be able to reciprocate between an origin position (FIG. 3) and a forward movement position (FIG. 4) so as to cross right below the lamp chamber 66 in parallel with the lamp arrangement direction. Although not shown, an exhaust system for exhausting the interior of the cleaning processing chamber 68 may be provided.
【0035】この実施形態では、ステージ76が基板G
を載置した状態でY方向原点位置に位置しているとき
は、図3に示すようにランプ室66の石英ガラス窓62
が基板Gの一方(図の右側)の端部Gaに対向し、ステ
ージ76が基板Gを載置した状態でY方向往動位置に位
置しているときは、図4に示すようにランプ室66の石
英ガラス窓62が基板Gの他方(図の左側)の端部Gb
に対向するようになっている。なお、ランプ室66内の
紫外線ランプ64(1)〜64(n)は、その真下に位置する
ステージ76上の基板Gに対してランプ長手方向に基板
Gよりも幾らかはみ出るような寸法(ランプ長)に選ば
れてよい。In this embodiment, the stage 76 is mounted on the substrate G
Is placed at the origin position in the Y direction with the quartz glass window 62 of the lamp chamber 66 as shown in FIG.
Is opposed to one end Ga of the substrate G (right side in the figure), and when the stage 76 is located at the forward movement position in the Y direction with the substrate G mounted thereon, as shown in FIG. The quartz glass window 62 at the other end (left side in the figure) Gb of the substrate G
To be opposed. The ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) in the lamp chamber 66 have a dimension (the lamp) that slightly protrudes from the substrate G in the lamp longitudinal direction with respect to the substrate G on the stage 76 located immediately below. Head).
【0036】ステージ76には、基板Gの搬入/搬出時
に基板Gを水平姿勢で担持するための複数本(たとえば
6本)のリフトピン84が垂直に貫通している。この実
施形態では、各リフトピン84が基板受け渡し用の所定
高さ位置で固定され、これらの固定リフトピン84に対
してステージ76が基板Gの搬入/搬出の邪魔にならな
い退避用の下限高さ位置Hdとステージ76自ら基板G
を載置支持するための一点鎖線で示す上限高さ位置Hc
との間で昇降機構(図示せず)により昇降可能となって
いる。ステージ76の上面には、基板Gを支持するため
の多数の支持ピン(図示せず)や基板Gを吸引保持する
ための真空チャック吸引口(図示せず)等が設けられて
いる。A plurality of (for example, six) lift pins 84 for vertically supporting the substrate G when loading / unloading the substrate G are vertically penetrated through the stage 76. In this embodiment, each of the lift pins 84 is fixed at a predetermined height position for transferring the substrate, and the stage 76 is positioned against the fixed lift pins 84 so as not to hinder the loading / unloading of the substrate G. And stage 76 itself substrate G
The upper limit height Hc indicated by the dashed line for mounting and supporting
Can be moved up and down by an elevating mechanism (not shown). On the upper surface of the stage 76, a large number of support pins (not shown) for supporting the substrate G, a vacuum chuck suction port (not shown) for sucking and holding the substrate G, and the like are provided.
【0037】ステージ76のY方向原点位置に隣接する
洗浄処理室68の側璧には、固定リフトピン84の上端
部に近い高さ位置にて基板Gを搬入/搬出するための開
閉可能なシャッタ(扉)86が取り付けられている。こ
のシャッタ86は洗浄プロセス部22の搬送路36(図
1)に面しており、搬送路36上から主搬送装置38が
開状態のシャッタ86を通って洗浄処理室68内への基
板Gの搬入・搬出を行えるようになっている。On the side wall of the cleaning chamber 68 adjacent to the origin position of the stage 76 in the Y direction, an openable / closable shutter (for opening / closing the substrate G at a height near the upper end of the fixed lift pin 84). Door) 86 is attached. The shutter 86 faces the transport path 36 (FIG. 1) of the cleaning process unit 22, and the substrate G is transferred from the transport path 36 into the cleaning processing chamber 68 through the shutter 86 in which the main transport device 38 is open. Loading and unloading can be performed.
【0038】図5に、この紫外線照射ユニット(UV)
における制御系の構成を示す。制御部88は、マイクロ
コンピュータで構成されてよく、内蔵のメモリには本ユ
ニット内の各部および全体を制御するための所要のプロ
グラムを格納しており、適当なインタフェースを介し
て、本塗布現像処理システムの全体的な処理手順を統括
するメインコントローラ(図示せず)やこの紫外線照射
ユニット(UV)内の制御系の各部に接続されている。FIG. 5 shows this ultraviolet irradiation unit (UV).
3 shows the configuration of the control system. The control unit 88 may be constituted by a microcomputer, and a built-in memory stores a necessary program for controlling each unit in the unit and the entire unit. It is connected to a main controller (not shown) that controls the overall processing procedure of the system and to various parts of a control system in the ultraviolet irradiation unit (UV).
【0039】この実施形態において、制御部88と関係
する本紫外線照射ユニット(UV)内の主要な部分は、
シャッタ86を駆動するためのシャッタ駆動部90、ス
テージ76をZ方向で昇降駆動するためのステージ昇降
駆動部92、ステージ76をY方向で水平駆動または走
査駆動するための走査駆動部94、ランプ室66内の紫
外線ランプ64(1)〜64(n)を点灯駆動するためのラン
プ電源部96、装置内各部の状態を検出するためのセン
サ類98等である。ステージ昇降駆動部92および走査
駆動部94はそれぞれ駆動源としてたとえばサーボモー
タを有し、ステージ駆動部80内に設けられる。ランプ
電源部96は制御部88と一緒にユーティリティ・ユニ
ット74内に設けられる。センサ類98は、ステージ7
6のY方向における原点位置および往動位置、およびZ
方向における基板載置用および退避用高さ位置をそれぞ
れ検出するための位置センサを含んでいる。In this embodiment, main parts in the present ultraviolet irradiation unit (UV) related to the control unit 88 are as follows:
A shutter driving unit 90 for driving the shutter 86; a stage elevating driving unit 92 for elevating the stage 76 in the Z direction; a scanning driving unit 94 for horizontally or scanning driving the stage 76 in the Y direction; A lamp power supply unit 96 for driving and driving the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) in 66, sensors 98 for detecting the state of each unit in the apparatus, and the like. The stage elevating drive unit 92 and the scan drive unit 94 each have, for example, a servomotor as a drive source, and are provided in the stage drive unit 80. The lamp power supply 96 is provided in the utility unit 74 together with the control unit 88. The sensors 98 are in the stage 7
6, the origin position and the forward movement position in the Y direction, and Z
And a position sensor for detecting a height position for mounting the substrate and a height position for retreating in the direction.
【0040】図6に、この紫外線照射ユニット(UV)
における主要な動作手順を示す。先ず、上記メインコン
トローラからの指示を受けて制御部88を含めてユニッ
ト内の各部を初期化する(ステップA1)。この初期化
の中で、ステージ76は、Y方向ではシャッタ86に近
接する所定の原点位置に位置決めされ、Z方向では退避
用の高さ位置(Hd)に降ろされる。また、後述するよ
うに走査の始端および終端でステージ76を静止させた
ままランプ室66内のランプ64(1)〜64(n)をしばら
く発光させておく時間Ta,Tbが所定のレジスタにセッ
トされてよい。FIG. 6 shows the ultraviolet irradiation unit (UV)
The main operation procedure in is shown. First, upon receiving an instruction from the main controller, each unit in the unit including the control unit 88 is initialized (step A1). During this initialization, the stage 76 is positioned at a predetermined origin position close to the shutter 86 in the Y direction, and is lowered to the retreat height position (Hd) in the Z direction. As will be described later, the times Ta and Tb during which the lamps 64 (1) to 64 (n) in the lamp chamber 66 emit light for a while with the stage 76 stationary at the start and end of scanning are set in predetermined registers. May be.
【0041】主搬送装置38(図1)がカセットステー
ション(C/S)10から処理前の基板Gを本紫外線照
射ユニット(UV)の前まで搬送してくると、制御部8
8は主搬送装置38と基板Gの受け渡しをするように該
当の各部を制御する(ステップA2)。When the main transfer device 38 (FIG. 1) transfers the unprocessed substrate G from the cassette station (C / S) 10 to the position before the main ultraviolet irradiation unit (UV), the control unit 8 operates.
Reference numeral 8 controls the corresponding sections so as to transfer the substrate G to and from the main transport device 38 (step A2).
【0042】より詳細には、先ずシャッタ駆動部90を
制御してシャッタ86を開けさせる。主搬送装置38は
一対の搬送アームを有しており、一方の搬送アームに洗
浄前の基板Gを載せ、他方の搬送アームを空き(基板無
し)状態にしてくる。本紫外線照射ユニット(UV)内
に洗浄済みの基板Gがないときは、洗浄前の基板Gを支
持する方の搬送アームをそのまま開状態のシャッタ86
を通って洗浄処理室68内に伸ばし、その未洗浄基板G
を固定リフトピン84の上に移載する。本紫外線照射ユ
ニット(UV)内に洗浄済みの基板Gが有るときは、最
初に空の搬送アームでその洗浄済みの基板Gを搬出して
から、未洗浄の基板Gを上記と同様にして搬入する。上
記のようにして本紫外線照射ユニット(UV)で紫外線
洗浄処理を受けるべき基板Gが主搬送装置38により固
定リフトピン84の上に搬入載置されたなら、シャッタ
86を閉める。More specifically, first, the shutter driver 90 is controlled to open the shutter 86. The main transfer device 38 has a pair of transfer arms, and places the substrate G before cleaning on one transfer arm, and leaves the other transfer arm empty (no substrate). When there is no cleaned substrate G in the ultraviolet irradiation unit (UV), the transfer arm for supporting the substrate G before cleaning has the shutter 86 opened.
Through the cleaning processing chamber 68, and the uncleaned substrate G
Is transferred onto the fixed lift pins 84. If there is a cleaned substrate G in the ultraviolet irradiation unit (UV), the cleaned substrate G is first carried out by an empty transfer arm, and then the uncleaned substrate G is carried in as described above. I do. As described above, when the substrate G to be subjected to the ultraviolet cleaning process by the main ultraviolet irradiation unit (UV) is loaded and placed on the fixed lift pins 84 by the main transfer device 38, the shutter 86 is closed.
【0043】次いで、制御部88は、ステージ昇降駆動
部92を制御してステージ76を基板載置用の高さ位置
Hcまで上昇させる(ステップA3)。この際、ステージ
76の上昇する間に真空チャック部の吸引を開始させ、
ステージ76が基板載置用の高さ位置Hcに到達すると
同時に基板Gを吸引保持できるようにしてよい。ステー
ジ76が基板Gを載置した状態で基板載置用の高さ位置
Hcまで上昇すると、基板Gの右側端部Gaはそのすぐ真
上に位置するランプ室66の紫外線出射窓62と一定の
間隔を空けて向かい合う(図3)。Next, the control section 88 controls the stage up / down drive section 92 to raise the stage 76 to the substrate mounting height position Hc (step A3). At this time, the suction of the vacuum chuck portion is started while the stage 76 is rising,
The substrate G may be suctioned and held at the same time when the stage 76 reaches the substrate mounting height position Hc. When the stage 76 rises to the substrate mounting height position Hc with the substrate G mounted thereon, the right end Ga of the substrate G is fixed to the ultraviolet emission window 62 of the lamp chamber 66 located immediately above the same. They face each other at intervals (Fig. 3).
【0044】次に、制御部88は、ランプ電源部96を
制御して全ての紫外線ランプ64(1)〜64(n)を一斉に
点灯させる(ステップA4)。紫外線ランプ64(1)〜6
4(n)が点灯することによって基板Gに対する紫外線照
射洗浄処理(ステップA5)が開始される。Next, the control section 88 controls the lamp power supply section 96 to turn on all the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) at the same time (step A4). UV lamp 64 (1) -6
By turning on 4 (n), the ultraviolet irradiation cleaning process (step A5) for the substrate G is started.
【0045】ここで、図7につきこの紫外線照射洗浄処
理(ステップA5)の手順を示す。FIG. 7 shows the procedure of the ultraviolet irradiation cleaning process (step A5).
【0046】上記のようにして紫外線ランプ64(1)〜
64(n)が点灯すると、その時点から基板Gの一端部
(右側端部Ga)に対する静止状態での紫外線照射工程
が実行される(ステップB1)。この紫外線照射工程中
は、ステージ76がY方向原点位置で静止したままであ
り、ランプ室66の石英ガラス窓62から下方に向けて
出射された紫外線は真下に位置する基板右側端部Gaの
表面に集中的または局所的に入射する。As described above, the ultraviolet lamps 64 (1)-
When 64 (n) is turned on, an ultraviolet irradiation step in a stationary state with respect to one end (right end Ga) of the substrate G is executed from that point on (step B1). During this ultraviolet irradiation step, the stage 76 remains stationary at the origin position in the Y direction, and the ultraviolet light emitted downward from the quartz glass window 62 of the lamp chamber 66 is directed to the surface of the right end portion Ga of the substrate located immediately below. Incident intensively or locally.
【0047】このように基板右側端部Gaの表面に波長
172nmの紫外線(紫外エキシマ光)が照射されるこ
とにより、その紫外線照射領域付近に存在している酸素
が該紫外線によりオゾンO3に変わり、さらにこのオゾ
ンO3が該紫外線によって励起され酸素原子ラジカルO
*が生成される。この酸素ラジカルにより、紫外線照射
領域に付着している有機物が二酸化炭素と水とに分解さ
れて基板表面から除去される。なお、基板Gの表面に入
射する紫外線の照度が上記のような有機物の除去に必要
な所定値(下限値)を上回るように、ランプ室66にお
ける紫外線ランプ64(1)〜64(n)の輝度が設定され
る。By irradiating the surface of the right end portion Ga of the substrate with ultraviolet rays (ultraviolet excimer light) having a wavelength of 172 nm, oxygen existing near the ultraviolet irradiation area is changed to ozone O3 by the ultraviolet rays. Further, the ozone O3 is excited by the ultraviolet light and the oxygen atom radical O
* Is generated. Due to the oxygen radicals, organic substances attached to the ultraviolet irradiation region are decomposed into carbon dioxide and water and removed from the substrate surface. Note that the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) in the lamp chamber 66 are so arranged that the illuminance of the ultraviolet light incident on the surface of the substrate G exceeds a predetermined value (lower limit value) necessary for removing the organic substances as described above. The brightness is set.
【0048】上記のようにして行われる基板右側端部G
aに対する静止状態での紫外線照射工程(ステップB1)
の所要時間Taは、少なくとも基板Gの右端(縁部)表
面の各部で単位面積当たりの紫外線照射量(積算光量)
Paが所望の洗浄処理結果を保証できる基準値Psを上回
るように、所定値以上の時間に選ばれてよい。The right edge G of the substrate performed as described above
UV irradiation process in a stationary state for a (step B1)
Is the amount of ultraviolet irradiation per unit area (integrated light amount) at least at each part of the right end (edge) surface of the substrate G.
The time may be selected to be equal to or longer than a predetermined value so that Pa exceeds a reference value Ps that can guarantee a desired cleaning result.
【0049】制御部88は、上記時間Taを計時すると
(ステップB2)、その時点で基板Gの右側端部に対す
る上記の紫外線照射工程を終了させ、ステージ駆動部8
0の走査駆動部94によりステージ76をY方向に移動
させる。これにより、基板Gの表面全体に対して走査に
よる紫外線照射工程が実行される(ステップB3)。When the control unit 88 measures the time Ta (step B2), the control unit 88 terminates the ultraviolet irradiation step on the right end of the substrate G at that time, and the stage driving unit 8
The stage 76 is moved in the Y direction by the 0 scan driver 94. Thus, an ultraviolet irradiation step by scanning is performed on the entire surface of the substrate G (step B3).
【0050】この走査による紫外線照射工程(ステップ
B3)では、ステージ76がY方向で原点位置(図3)
から往動位置(図4)まで所定の速度で片道移動するこ
とにより、ランプ室66より基板Gの表面に照射する紫
外線が基板Gの右側端部から左側端部まで逆方向(図8
のY’方向)に上記速度で移動または走査する。この走
査中も、紫外線の入射する基板G上の各部で上記と同様
にオゾンや酸素原子ラジカルO*の働きによって有機物
が分解除去される。走査速度(ステージ76の移動速
度)Vは、紫外線が通過する基板表面の各部で単位面積
当たりの紫外線照射量(積算光量)Pjが上記基準値Ps
を上回るように、所定値以下の速度に選ばれてよい。In the ultraviolet irradiation step by this scanning (step B3), the stage 76 is moved to the origin position in the Y direction (FIG. 3).
8 moves from the lamp chamber 66 to the front surface of the substrate G in a reverse direction from the right end to the left end of the substrate G (FIG. 8).
(Y ′ direction) at the above speed. Even during this scanning, the organic substances are decomposed and removed by the action of ozone and oxygen atom radicals O * at the respective portions on the substrate G where the ultraviolet rays are incident, similarly to the above. The scanning speed (movement speed of the stage 76) V is the above-mentioned reference value Ps, which is the amount of ultraviolet irradiation (integrated light amount) Pj per unit area at each part of the substrate surface through which ultraviolet light passes.
The speed may be selected to be less than a predetermined value so as to exceed the predetermined value.
【0051】ステージ76がY方向の往動位置に達する
と(ステップB4)、制御部88は所定の位置センサか
らの信号に往動して走査駆動部94を停止させてステー
ジ76のY方向移動を止め、上記の走査による紫外線照
射工程を終了させる。この時、図4に示すようにランプ
室66の真下には基板Gの左側端部Gbが位置する。When the stage 76 reaches the forward movement position in the Y direction (step B4), the control unit 88 moves forward in response to a signal from a predetermined position sensor, stops the scanning drive unit 94, and moves the stage 76 in the Y direction. Is stopped, and the ultraviolet irradiation step by the above-described scanning is completed. At this time, the left end Gb of the substrate G is located immediately below the lamp chamber 66 as shown in FIG.
【0052】したがって、走査による紫外線照射工程
(ステップB3)を終了した時点から直ちに基板左側端
部Gbに対する静止状態での紫外線照射工程(ステップ
B5)が実行される。この紫外線照射工程では、ランプ
室66の石英ガラス窓62から下方に向けて出射された
紫外線が真下に位置する基板左側端部Gbの表面に集中
的または局所的に入射する。これにより、紫外線を照射
される基板左側端部Gbの表面各部で上記と同様にオゾ
ンや酸素原子ラジカルO*の働きによって有機物が分解
除去される。Therefore, immediately after the step of irradiating the ultraviolet ray by scanning (step B3) is completed, the ultraviolet ray irradiating step (step B5) of the substrate left end Gb in a stationary state is executed. In this ultraviolet irradiation step, ultraviolet light emitted downward from the quartz glass window 62 of the lamp chamber 66 is intensively or locally incident on the surface of the substrate left end Gb located immediately below. As a result, organic substances are decomposed and removed by the action of ozone and oxygen atom radicals O * at the respective portions of the surface of the substrate left end Gb to be irradiated with ultraviolet rays in the same manner as described above.
【0053】上記のような基板右側端部Gbに対する静
止状態での紫外線洗浄処理(ステップB5)の所要時間
Tbは、少なくとも基板Gの左端(縁部)表面の各部で
単位面積当たりの紫外線照射量(積算光量)Pbが上記
基準値Psを上回るように、所定値以上の時間に選ばれ
てよく、通常は基板右側端部に対する上記紫外線照射工
程(ステップB1)の設定時間Taと同じ値に選ばれてよ
い。The time Tb required for the above-mentioned stationary ultraviolet cleaning process (step B5) for the right end portion Gb of the substrate is at least the amount of ultraviolet irradiation per unit area at each portion of the left end (edge) surface of the substrate G. (Integrated light amount) Pb may be selected to be equal to or longer than a predetermined value so as to exceed the reference value Ps, and is usually set to the same value as the set time Ta of the ultraviolet irradiation step (step B1) for the right end of the substrate May be.
【0054】制御部88は、上記設定時間Tbを計時す
ると(ステップB6)、その時点で基板Gに対する全紫
外線照射洗浄処理(ステップA5)を終了し、ランプ電
源部96を制御して紫外線ランプ64(1)〜64(n)を一
斉に消灯させる(ステップA6)。When the control unit 88 has counted the set time Tb (step B6), the control unit 88 completes the all-ultraviolet irradiation cleaning processing for the substrate G (step A5) at that time, and controls the lamp power supply unit 96 to control the ultraviolet lamp 64. (1) to 64 (n) are turned off all at once (step A6).
【0055】次いで、制御部88はステージ76をスタ
ート位置に戻す(ステップA7)。この実施形態では、
先ず走査駆動部94によりステージ76を往動位置(図
4)からY方向原点位置(図3)まで移動または復動さ
せ、次にY方向原点位置にて真空チャックをオフにして
からステージ昇降駆動部92によりステージ76を退避
用の高さ位置(Hd)まで降ろし、基板Gを固定リフト
ピン84に支持させる。こうして、1枚の基板Gに対す
る本紫外線洗浄ユニット(UV)内の全工程が終了し、
主搬送装置38(図1)が来るのを待つ。Next, the control unit 88 returns the stage 76 to the start position (step A7). In this embodiment,
First, the stage 76 is moved or moved back from the forward movement position (FIG. 4) to the origin position in the Y direction (FIG. 3) by the scanning drive unit 94, and then the vacuum chuck is turned off at the origin position in the Y direction, and then the stage is moved up and down. The stage 76 is lowered to the retreat height position (Hd) by the part 92, and the substrate G is supported by the fixed lift pins 84. In this manner, all the steps in the main ultraviolet ray cleaning unit (UV) for one substrate G are completed,
Wait for the main transfer device 38 (FIG. 1) to come.
【0056】図8に、この実施形態における上記した紫
外線照射洗浄処理(ステップA5)の作用を模式的に示
す。この紫外線照射洗浄処理では、ステージ76上の基
板Gに対してランプ室66が、基板Gの右端から左端ま
で基板Gの表面全体に紫外線を走査して照射するだけで
なく、基板右側端部Gaおよび左側端部Gbに対しては所
定時間Ta,Tbだけ静止した状態で紫外線を局所的に照
射する。FIG. 8 schematically shows the operation of the above-described ultraviolet irradiation cleaning process (step A5) in this embodiment. In this ultraviolet irradiation cleaning process, the lamp chamber 66 not only scans and irradiates the entire surface of the substrate G with ultraviolet light from the right end to the left end of the substrate G with respect to the substrate G on the stage 76, but also scans and irradiates the substrate right end G Ultraviolet rays are locally radiated to the left end Gb in a state of being stationary for a predetermined time Ta, Tb.
【0057】なお、この実施形態において、「基板右側
端部Ga」とはステージ76をY方向原点位置(図3)
に位置させた状態でランプ室66からの紫外線が洗浄に
有効な照度で入射する基板Gの表面領域であり、「基板
左側端部Gb」とはステージ76をY方向往動位置(図
4)に位置させた状態でランプ室66からの紫外線が洗
浄に有効な照度で入射する基板Gの表面領域である。In this embodiment, "the right edge Ga of the substrate" refers to the stage 76 at the origin position in the Y direction (FIG. 3).
Is the surface area of the substrate G on which ultraviolet light from the lamp chamber 66 is incident with illuminance effective for cleaning in the state where the substrate 76 is located at the left side Gb of the substrate. Is the surface area of the substrate G where the ultraviolet light from the lamp chamber 66 is incident at an illuminance effective for cleaning in a state where it is located at the position shown in FIG.
【0058】基板右側端部Gaおよび基板左側端部Gbに
おいては、基板中心部に向かうほど静止状態での紫外線
照射と重なる走査による紫外線照射の照射時間が多いた
め、紫外線照射量(積算光量)が極大になる。理解を簡
単にするために、ランプ室66の石英ガラス窓62より
紫外線が走査方向に幅Wを有する平行光であって真下の
基板表面に一定の照度Eで照射されると仮定すると、た
とえば図8の基板左側端部Gbの各走査方向位置yiにお
ける単位面積当たりの紫外線照射量(積算光量)Piは
次の式(1)で与えられる。 Pi=E(Tb+yi/V) ‥‥‥(1)At the right end portion Ga and the left end portion Gb of the substrate, the irradiation time of the ultraviolet irradiation by scanning overlapping with the ultraviolet irradiation in the stationary state increases toward the center of the substrate. It becomes maximal. For the sake of simplicity, it is assumed that ultraviolet light is irradiated from the quartz glass window 62 of the lamp chamber 66 as parallel light having a width W in the scanning direction and irradiates the substrate surface immediately below with a constant illuminance E. The ultraviolet irradiation amount (integrated light amount) Pi per unit area at each scanning direction position yi of the substrate left end Gb of No. 8 is given by the following equation (1). Pi = E (Tb + yi / V) ‥‥‥ (1)
【0059】この式(1)において、右辺の第1項(E
・Tb)は基板Gの左端における上記紫外線照射量(積
算光量)Pbに相当する。Tbは基板左側端部Gbに対す
る静止状態での紫外線照射工程の設定時間、Vは走査速
度(一定と仮定)である。In this equation (1), the first term (E
(Tb) corresponds to the above-mentioned ultraviolet irradiation amount (integrated light amount) Pb at the left end of the substrate G. Tb is a set time of the ultraviolet irradiation step in a stationary state with respect to the substrate left end Gb, and V is a scanning speed (assumed constant).
【0060】また、図8において基板中間部の各走査方
向基板位置yjにおける単位面積当たりの紫外線照射量
(積算光量)Pjは次の式(2)で与えられる。 Pj=E・W/V ‥‥‥(2)In FIG. 8, the ultraviolet irradiation amount (integrated light amount) Pj per unit area at each substrate position yj in the scanning direction at the intermediate portion of the substrate is given by the following equation (2). Pj = E · W / V ‥‥‥ (2)
【0061】上記したように、この実施形態において
は、基板Gに対する紫外線走査においてランプ室66が
基板Gとの相対的位置関係で基板の端から外に殆どはみ
出ないか少ししかはみ出ないため、走査方向における装
置スペースを小さくすることができる。また、基板Gの
外側に紫外線を無駄に放射しなくて済むという利点もあ
る。そして、紫外線を走査するうえで時間的かつ空間的
に紫外線照射量が少なくなりやすい走査方向の基板両端
部Ga,Gbに対してはそれぞれ走査の開始前および終了
後にランプ室66からの紫外線を局所的または集中的に
照射するようにしたので、走査距離ないし走査方向の装
置寸法を短くした装置構成であっても基板Gの表面各部
に所望の洗浄結果を保証できる基準値Ps以上の照射量
で紫外線を照射することが可能であり、基板表面の隅々
から有機汚染を安定確実に除去することができる。As described above, in this embodiment, the lamp chamber 66 hardly or slightly protrudes from the edge of the substrate G in the ultraviolet scanning of the substrate G due to the relative positional relationship with the substrate G. The device space in the direction can be reduced. In addition, there is an advantage that ultraviolet rays need not be radiated to the outside of the substrate G. Ultraviolet rays from the lamp chamber 66 are locally applied to the both ends Ga and Gb in the scanning direction, in which the amount of ultraviolet irradiation tends to be reduced temporally and spatially in the scanning of the ultraviolet rays, before and after the start of the scanning, respectively. Irradiating light in a focused or intensive manner, so that even with an apparatus configuration in which the scanning distance or the apparatus size in the scanning direction is shortened, the irradiation amount is equal to or more than the reference value Ps that can guarantee a desired cleaning result on each surface of the substrate G. It is possible to irradiate ultraviolet rays, so that organic contamination can be stably and reliably removed from every corner of the substrate surface.
【0062】上記した実施形態では紫外線照射洗浄処理
(ステップA5)の中で基板Gに対する端から端までの
紫外線の走査を1回だけに止めたが、複数回繰り返して
もよく、その場合ステージ76の往動だけでなく復動も
走査に利用できる。In the above-described embodiment, the scanning of the substrate G with the ultraviolet rays from one end to the other is stopped only once in the ultraviolet irradiation cleaning process (step A5), but may be repeated a plurality of times. Not only forward movement but also backward movement can be used for scanning.
【0063】また、上記した実施形態では、ランプ室6
6における複数の紫外線ランプ64(1)〜64(n)を全部
発光させながら基板Gの右側端部Gaおよび左側端部Gb
に対する静止状態での紫外線照射工程(ステップB1,
B5)を行った。しかし、別の実施形態として、これら
静止状態での紫外線照射工程(ステップB1,B5)の中
で紫外線ランプ64(1)〜64(n)の点灯および消灯をそ
れぞれ図9および図10に示すようなシーケンスで所定
時間置きに順次行うことにより、基板Gにおける紫外線
照射量(積算光量)分布を図11に示すように均すとと
もに、ランプ電力消費量を節約することができる。In the above embodiment, the lamp chamber 6
6 while the plurality of ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) are all emitting light, the right end Ga and the left end Gb of the substrate G.
UV irradiation process in a stationary state with respect to
B5) was performed. However, as another embodiment, the turning on and off of the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) in these stationary ultraviolet irradiation steps (steps B1 and B5) are shown in FIGS. 9 and 10, respectively. By sequentially performing the sequence at predetermined time intervals in a simple sequence, it is possible to equalize the UV irradiation amount (integrated light amount) distribution on the substrate G as shown in FIG. 11 and to save lamp power consumption.
【0064】図9において、走査に先立って行われる基
板Gの右側端部Gaに対する静止状態での紫外線照射処
理(ステップB1)では、図9の(A)→(B)→
(C)→(D)のように走査方向(Y’方向)の最後尾
である右端のランプ64(n)を最初に点灯させ、所定時
間後に最後尾から2番目のランプ64(n-1)を点灯さ
せ、以下走査方向(Y’方向)の先頭に向かって後続の
ランプ64(n-2)、64(n-3)‥‥を上記所定時間置きに
順次点灯させる。In FIG. 9, in the ultraviolet irradiation process (step B 1) in the stationary state on the right end Ga of the substrate G performed before the scanning (step B 1), (A) → (B) →
As shown in (C) → (D), the rightmost lamp 64 (n) which is the last in the scanning direction (Y ′ direction) is first turned on, and after a predetermined time, the second lamp 64 (n−1) from the last. ) Is turned on, and the subsequent lamps 64 (n-2), 64 (n-3)} are sequentially turned on at the predetermined time intervals toward the head in the scanning direction (Y 'direction).
【0065】この場合、右端のランプ64(n)は基板右
側端部Gaの領域内でも最も右側の部分(右端縁部)を
照射し、その照射時間は全ランプ64(1)〜64(n)の中
で最も長い。一方、左端(先頭)のランプ64(1)は基
板右側端部Gaの領域内でも最も基板中心部寄りの部分
を照射し、その照射時間は全ランプ64(1)〜64(n)の
中で最も短い。したがって、この静止状態での紫外線照
射工程(ステップB1)が終了した時点では、図12の
実線Q1で示すような階段状の紫外線照射量分布とな
り、基板右側端部Gaの領域内でランプ室66内の右端
のランプ64(n)と対向する部分で紫外線照射量が最も
大きくなる。この紫外線照射量Pa’が所望の洗浄効果
を保証する上記基準値Psを上回るように右端のランプ
64(n)の照射時間を設定してよい。なお、理解を簡単
にするため、各ランプ64(i)より石英ガラス窓62を
介して下方に照射される紫外線は走査方向に幅woを有
する平行光であって真下の基板表面に一定の照度で照射
されるものと仮定する。In this case, the rightmost lamp 64 (n) irradiates the rightmost portion (right edge) even in the area of the right side edge Ga of the substrate, and the irradiation time is all lamps 64 (1) to 64 (n). ) The longest of. On the other hand, the left end (leading) lamp 64 (1) irradiates the portion closest to the substrate center even in the region of the right end portion Ga of the substrate, and the irradiation time is the same as that of all the lamps 64 (1) to 64 (n). The shortest. Therefore, when the ultraviolet irradiation step (step B1) in the stationary state is completed, the ultraviolet irradiation amount distribution has a stepped shape as shown by the solid line Q1 in FIG. 12, and the lamp chamber 66 is located within the region of the right end Ga of the substrate. In the portion facing the rightmost lamp 64 (n), the amount of ultraviolet irradiation is the largest. The irradiation time of the rightmost lamp 64 (n) may be set so that this ultraviolet irradiation amount Pa 'exceeds the above-mentioned reference value Ps which guarantees a desired cleaning effect. For simplicity of understanding, the ultraviolet light emitted downward from each lamp 64 (i) through the quartz glass window 62 is parallel light having a width wo in the scanning direction and has a constant illuminance on the substrate surface immediately below. It is assumed that irradiation is performed.
【0066】次に行われる走査による紫外線照射工程
(ステップB3)では、図12の一点鎖線Q2で示すよう
な紫外線照射量分布となり、基板Gの右端位置で積算光
量が最も低くなる。その結果、基板右側端部Gaにおい
ては、上記2つの紫外線照射工程(ステップB1,B3)
による紫外線照射量が加え合さる結果、各部における紫
外線照射量の総量は図12の点線Q3で示すような分布
特性となり、ほぼ均一化される。In the ultraviolet irradiation step (step B 3) performed by the scanning that is performed next, the ultraviolet irradiation amount distribution is as shown by the dashed line Q 2 in FIG. 12, and the integrated light amount becomes the lowest at the right end position of the substrate G. As a result, the two ultraviolet irradiation steps (steps B1 and B3) are performed at the right end Ga of the substrate.
As a result, the total amount of ultraviolet irradiation in each portion has a distribution characteristic as indicated by a dotted line Q3 in FIG. 12, and is substantially uniform.
【0067】図10において、走査終了直後に行われる
基板左側端部Gbに対する静止状態での紫外線照射工程
(ステップB5)では、図10の(A)→(B)→
(C)→(D)のシーケンスで走査方向(Y’方向)の
最後尾(右端)から前方(左側)に向かって64(n),
64(n-1)‥‥64(1)と1本ずつ所定時間置きに順次消
灯させる。これにより、基板左側端部Gbにおいては、
基板右側端部Gaと対称なパターンで上記と同様にほぼ
均一化された紫外線照射量分布が得られる。両端部G
a,Gbの間の基板中間部分における紫外線照射量Pjは
上記実施形態と同様に上式(2)で与えられる。In FIG. 10, the ultraviolet irradiation step (step B5) in the stationary state on the left end portion Gb of the substrate performed immediately after the end of scanning (step B5) is shown in FIG.
In the sequence of (C) → (D), 64 (n), 64 (n) from the end (right end) in the scanning direction (Y ′ direction) to the front (left side),
The lights are sequentially turned off at predetermined intervals of 64 (n-1) ‥‥ 64 (1). Thereby, at the left end Gb of the substrate,
An almost uniform UV irradiation dose distribution can be obtained in the same manner as described above with a pattern symmetrical to the right end Ga of the substrate. Both ends G
The ultraviolet irradiation amount Pj at the intermediate portion of the substrate between a and Gb is given by the above equation (2) as in the above embodiment.
【0068】上記した実施形態では、ランプ室66側を
固定し、基板G側をランプ配列方向に平行移動させる構
成であった。しかし、図13に示すように、基板G側を
所定位置で固定し、ランプ室66側を基板面と平行に移
動させる構成も可能である。In the above embodiment, the lamp chamber 66 is fixed, and the substrate G is moved in parallel in the lamp arrangement direction. However, as shown in FIG. 13, a configuration in which the substrate G side is fixed at a predetermined position and the lamp chamber 66 side is moved in parallel with the substrate surface is also possible.
【0069】図13の構成例では、ランプ室66にボー
ルネジ100を用いる自走式の走査駆動部102が一体
に取付され、この走査駆動部102がボールネジ100
およびこれと平行に延在するガイド102に沿って水平
方向(Y方向)に往復移動することにより、ランプ室6
6からの紫外線が定位置でステージ76に支持されてい
る基板Gの表面をY方向で端から端まで走査できるよう
になっている。各種用力供給部および制御部を収容する
ユーティリティ・ユニット74はランプ室66の水平移
動領域の上方に設置されてよく、ユニット74からラン
プ室66内への不活性ガスや電力等の供給は可動または
伸縮可能な配管106やケーブル108等を用いてよ
い。In the configuration example shown in FIG. 13, a self-propelled scanning drive unit 102 using a ball screw 100 is integrally attached to the lamp chamber 66, and this scanning drive unit 102 is mounted on the ball screw 100.
And reciprocate in the horizontal direction (Y direction) along the guide 102 extending in parallel with the lamp chamber 6.
The ultraviolet rays from 6 can scan the surface of the substrate G supported on the stage 76 at a fixed position from end to end in the Y direction. The utility unit 74 containing the various utility supply units and the control unit may be installed above the horizontal movement area of the lamp chamber 66, and the supply of the inert gas, electric power, etc. from the unit 74 into the lamp chamber 66 is movable or An extendable pipe 106, a cable 108, or the like may be used.
【0070】この構成例でも、ランプ室66がY方向原
点位置および往動位置に位置するときは、走査方向(Y
方向)においてランプ室66が基板Gの両端部Ga,Gb
と向き合うようにしてよい。このように、基板G側を所
定位置で固定してランプ室66側を基板面と平行に移動
させる方式の方が、走査方向における装置寸法をより一
層小さくすることができる。Also in this configuration example, when the lamp chamber 66 is located at the origin position in the Y direction and the forward movement position, the scanning direction (Y
Direction), the lamp chamber 66 is connected to both ends Ga, Gb of the substrate G.
You may face it. As described above, the method in which the substrate G side is fixed at a predetermined position and the lamp chamber 66 side is moved in parallel with the substrate surface can further reduce the size of the apparatus in the scanning direction.
【0071】もっとも、基板Gの両端部Ga,Gbのいず
れか一方に対して静止状態での紫外線照射工程を省く構
成、つまりその一方の基板端部に対してはランプ室66
が走査方向で外にはみ出て、通過する際に(走査によっ
て)紫外線を照射する構成も可能である。The ultraviolet irradiation step in a stationary state is omitted for either one of the two ends Ga and Gb of the substrate G. That is, the lamp chamber 66 is provided for one of the substrate ends.
It is also possible to irradiate ultraviolet rays (by scanning) as they protrude outside in the scanning direction and pass through.
【0072】上記した実施形態におけるランプ室66内
や洗浄処理室68内の構成、特に紫外線ランプ64(1)
〜64(n)、ステージ76、ステージ駆動部80等の構
成は一例であり、各部について種々の変形が可能であ
る。The structure inside the lamp chamber 66 and the inside of the cleaning processing chamber 68 in the above-described embodiment, in particular, the ultraviolet lamp 64 (1)
The configuration of the stage 6464 (n), the stage 76, the stage driving section 80, and the like are merely examples, and various modifications can be made to each section.
【0073】上記実施形態は、紫外線照射洗浄装置(U
V)に係わるものであった。しかし、本発明の基板処理
装置は、有機汚染の除去以外の目的で被処理基板に紫外
線を照射する処理にも適用可能である。たとえば、上記
したような塗布現像処理システムにおいて、ポストベー
キング(ステップS13)の後にレジストを硬化させる目
的で基板Gに紫外線を照射する工程に上記実施形態と同
様の紫外線照射装置を使用できる。本発明における被処
理基板はLCD基板に限らず、半導体ウエハ、CD基
板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能
である。In the above embodiment, the ultraviolet irradiation cleaning device (U
V). However, the substrate processing apparatus of the present invention is also applicable to a process of irradiating a substrate to be processed with ultraviolet rays for a purpose other than the removal of organic contamination. For example, in the coating and developing system as described above, the same ultraviolet irradiating apparatus as in the above embodiment can be used in the step of irradiating the substrate G with ultraviolet rays for the purpose of curing the resist after the post-baking (step S13). The substrate to be processed in the present invention is not limited to the LCD substrate, but may be a semiconductor wafer, a CD substrate, a glass substrate, a photomask, a printed substrate, or the like.
【0074】[0074]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板処理
装置によれば、走査式の紫外線照射処理において被処理
基板の各部で、特に走査方向の基板端部でも良好な処理
品質を安定確実に得ることができ、さらには均一にかつ
効率的に得ることもできる。As described above, according to the substrate processing apparatus of the present invention, good processing quality can be stably ensured at each part of the substrate to be processed, particularly at the substrate edge in the scanning direction in the scanning type ultraviolet irradiation processing. , And can also be obtained uniformly and efficiently.
【図1】本発明の基板処理装置が適用可能な塗布現像処
理システムの構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a coating and developing processing system to which a substrate processing apparatus of the present invention can be applied.
【図2】実施形態の塗布現像処理システムにおける処理
の手順を示すフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart illustrating a processing procedure in the coating and developing processing system according to the embodiment.
【図3】実施形態の紫外線照射ユニットの構成(ステー
ジが走査方向の原点位置に位置している状態)を示す図
である。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of an ultraviolet irradiation unit according to the embodiment (a state in which a stage is located at an origin position in a scanning direction).
【図4】実施形態の紫外線照射ユニットの構成(ステー
ジが走査方向の往動位置に位置している状態)を示す図
である。FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration of an ultraviolet irradiation unit of the embodiment (a state in which a stage is located at a forward movement position in a scanning direction).
【図5】実施形態の紫外線照射ユニットの制御系の構成
を示すブロック図である。FIG. 5 is a block diagram illustrating a configuration of a control system of the ultraviolet irradiation unit according to the embodiment.
【図6】実施形態の紫外線照射ユニットにおける主要な
動作手順を示すフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart showing a main operation procedure in the ultraviolet irradiation unit of the embodiment.
【図7】実施形態の紫外線照射ユニットにおける紫外線
照射洗浄処理の手順を示すフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart illustrating a procedure of an ultraviolet irradiation cleaning process in the ultraviolet irradiation unit of the embodiment.
【図8】実施形態の紫外線照射ユニットにおける紫外線
照射洗浄処理の作用を模式的に示す図である。FIG. 8 is a diagram schematically illustrating an action of an ultraviolet irradiation cleaning process in the ultraviolet irradiation unit of the embodiment.
【図9】別の実施形態において複数の紫外線ランプを段
階的に順次点灯させるシーケンスを示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a sequence in which a plurality of ultraviolet lamps are sequentially turned on in a stepwise manner in another embodiment.
【図10】別の実施形態おいて複数の紫外線ランプを段
階的に順次消灯させるシーケンスを示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a sequence for sequentially turning off a plurality of ultraviolet lamps in a stepwise manner in another embodiment.
【図11】図9および図10の段階的ランプ点灯・消灯
制御により基板上で得られる紫外線照射量分布を示す図
である。FIG. 11 is a view showing an ultraviolet irradiation amount distribution obtained on a substrate by the stepwise lamp on / off control of FIGS. 9 and 10;
【図12】図9の段階的ランプ点灯制御により基板端部
で得られる紫外線照射量分布特性を説明するための図で
ある。FIG. 12 is a diagram for explaining an ultraviolet irradiation dose distribution characteristic obtained at an end of a substrate by the stepwise lamp lighting control of FIG. 9;
【図13】他の実施形態の紫外線照射ユニットの構成を
示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating a configuration of an ultraviolet irradiation unit according to another embodiment.
38 主搬送装置 UV 紫外線照射ユニット 62 石英ガラス窓 64(1),64(2),‥‥,64(n) 紫外線ランプ 66 ランプ室 68 洗浄処理室 76 ステージ 78 ボールネジ 80 ステージ駆動部 82 ガイド 84 固定リフトピン 86 シャッタ 88 制御部 92 ステージ昇降駆動部 94 走査駆動部 96 ランプ電源部 98 センサ類 100 ボールネジ 102 走査駆動部 104 ガイド 38 Main transfer unit UV ultraviolet irradiation unit 62 Quartz glass window 64 (1), 64 (2), ‥‥, 64 (n) Ultraviolet lamp 66 Lamp room 68 Cleaning processing room 76 Stage 78 Ball screw 80 Stage drive unit 82 Guide 84 Fixed Lift pin 86 Shutter 88 Control unit 92 Stage elevation drive unit 94 Scan drive unit 96 Lamp power supply unit 98 Sensors 100 Ball screw 102 Scan drive unit 104 Guide
Claims (6)
理を行う基板処理装置において、 前記被処理基板を支持する支持手段と、 電力の供給を受けて紫外線を発するランプを1個または
複数個備え、前記ランプより出た紫外線を前記被処理基
板に向けて照射する紫外線照射手段と、 前記紫外線照射手段からの紫外線が前記支持手段に支持
されている前記被処理基板の被処理面を基板の一端部か
ら他端部まで走査するように、前記支持手段および前記
紫外線照射手段のいずれか一方または双方を所定の方向
で移動させる駆動手段と、 前記被処理基板の一端部および/または他端部に対して
前記支持手段および前記紫外線照射手段の双方を実質的
に静止させた状態で前記紫外線照射手段からの紫外線を
所定時間照射させる制御手段とを有する基板処理装置。1. A substrate processing apparatus for performing predetermined processing by irradiating ultraviolet rays to a substrate to be processed, a support means for supporting the substrate to be processed, and one or more lamps for emitting ultraviolet rays when supplied with electric power. An ultraviolet irradiation unit for irradiating ultraviolet light emitted from the lamp toward the substrate to be processed, and a processing surface of the substrate to be processed, wherein the ultraviolet light from the ultraviolet irradiation unit is supported by the support unit. Driving means for moving one or both of the support means and the ultraviolet irradiation means in a predetermined direction so as to scan from one end to the other end of the substrate, and one end and / or the other end of the substrate to be processed Control means for irradiating the ultraviolet ray from the ultraviolet ray irradiating means for a predetermined time while both the supporting means and the ultraviolet ray irradiating means are substantially stationary with respect to the portion. Processing apparatus.
記ランプがランプ長手方向を前記走査の方向に直交させ
て前記走査の方向と平行に一列に配列され、前記制御手
段が前記複数個のランプを前記走査方向の後尾側から1
個ずつ所定の時間間隔を置いて順次点灯または消灯する
請求項1に記載の基板処理装置。2. In the ultraviolet irradiation means, a plurality of the lamps are arranged in a line in parallel with the scanning direction with a lamp longitudinal direction orthogonal to the scanning direction, and the control means controls the plurality of lamps. 1 from the rear side in the scanning direction
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate is sequentially turned on or off at predetermined time intervals.
段より前記被処理基板の被処理面に照射される紫外線の
単位面積当たりの積算光量が前記紫外線照射処理で最低
限必要とされる所定の基準量を上回るように、前記所定
時間の長さが設定される請求項1または2に記載の基板
処理装置。3. A predetermined reference amount at which the integrated light amount per unit area of the ultraviolet light applied to the surface of the substrate to be processed by the ultraviolet light irradiating unit over the predetermined time is a minimum required in the ultraviolet light irradiation processing. 3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the length of the predetermined time is set so as to exceed a predetermined time.
り前記被処理基板の被処理面に照射される紫外線の単位
面積当たりの積算光量が前記紫外線照射処理で最低限必
要とされる所定の基準量を上回るように、前記走査の速
度が設定される請求項1〜3のいずれかに記載の基板処
理装置。4. An integrated light amount per unit area of the ultraviolet light to be irradiated on the surface of the substrate to be processed by the ultraviolet light irradiating means by the scanning is a predetermined reference amount which is a minimum required in the ultraviolet light irradiation processing. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the scanning speed is set so as to exceed the scanning speed.
段が前記支持手段に支持されている前記被処理基板の一
端部と対向する請求項1〜4のいずれかに記載の基板処
理装置。5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the ultraviolet irradiation unit faces one end of the substrate to be processed supported by the support unit at an origin position of the scanning.
段が前記支持手段に支持されている前記被処理基板の一
端部と対向する請求項1〜5のいずれかに記載の基板処
理装置。6. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the ultraviolet irradiation unit faces one end of the substrate to be processed supported by the support unit at the forward movement position of the scan.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000184244A JP3772325B2 (en) | 2000-06-20 | 2000-06-20 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| TW090114196A TW502293B (en) | 2000-06-20 | 2001-06-12 | Substrate processing device and substrate processing method |
| KR1020010034571A KR100784004B1 (en) | 2000-06-20 | 2001-06-19 | Substrate processing apparatus and method |
| KR1020070061562A KR100818019B1 (en) | 2000-06-20 | 2007-06-22 | Substrate processing apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000184244A JP3772325B2 (en) | 2000-06-20 | 2000-06-20 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002001251A true JP2002001251A (en) | 2002-01-08 |
| JP3772325B2 JP3772325B2 (en) | 2006-05-10 |
Family
ID=18684709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000184244A Expired - Fee Related JP3772325B2 (en) | 2000-06-20 | 2000-06-20 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3772325B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010131878A3 (en) * | 2009-05-11 | 2011-02-24 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | Substrate processing system |
| JP7526517B1 (en) | 2023-02-27 | 2024-08-01 | Aiメカテック株式会社 | Light irradiation method and light irradiation device |
| JP7526518B1 (en) | 2023-02-27 | 2024-08-01 | Aiメカテック株式会社 | Light irradiation method and light irradiation device |
| JP2024121721A (en) * | 2023-02-27 | 2024-09-06 | Aiメカテック株式会社 | Light irradiation device |
-
2000
- 2000-06-20 JP JP2000184244A patent/JP3772325B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010131878A3 (en) * | 2009-05-11 | 2011-02-24 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | Substrate processing system |
| JP7526517B1 (en) | 2023-02-27 | 2024-08-01 | Aiメカテック株式会社 | Light irradiation method and light irradiation device |
| JP7526518B1 (en) | 2023-02-27 | 2024-08-01 | Aiメカテック株式会社 | Light irradiation method and light irradiation device |
| JP2024121720A (en) * | 2023-02-27 | 2024-09-06 | Aiメカテック株式会社 | Light irradiation method and light irradiation device |
| JP2024121721A (en) * | 2023-02-27 | 2024-09-06 | Aiメカテック株式会社 | Light irradiation device |
| JP2024121722A (en) * | 2023-02-27 | 2024-09-06 | Aiメカテック株式会社 | Light irradiation method and light irradiation device |
| JP7564571B2 (en) | 2023-02-27 | 2024-10-09 | Aiメカテック株式会社 | Light irradiation device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3772325B2 (en) | 2006-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6543064B2 (en) | Exposure apparatus, substrate processing apparatus, substrate exposure method and substrate processing method | |
| JP5891013B2 (en) | Ultraviolet irradiation apparatus and substrate processing apparatus | |
| KR101846652B1 (en) | Exposure device and substrate processing apparatus | |
| TW201250850A (en) | Heat treatment method and heat treatment apparatus | |
| JP3593654B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| CN108535966A (en) | Exposure device, substrate board treatment, exposure method and substrate processing method using same | |
| JP3742986B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP3772325B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| KR101026279B1 (en) | Coating method and coating device | |
| JP3823027B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| KR100873265B1 (en) | Substrate processing apparatus and film forming apparatus | |
| KR100818019B1 (en) | Substrate processing apparatus and method | |
| WO2018159005A1 (en) | Exposure device, substrate treatment device, substrate exposure method, and substrate treatment method | |
| JP2002057133A (en) | Substrate processing equipment | |
| JP3898579B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP3174691B2 (en) | Board exchange device | |
| JP3704677B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP2002075945A (en) | Substrate processing equipment | |
| JP3878470B2 (en) | Processing equipment | |
| JP3027686B2 (en) | UV irradiation device | |
| JP2003218007A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP2008159768A (en) | Baking apparatus and substrate processing apparatus | |
| JP7009122B2 (en) | Board processing equipment and board processing method | |
| JP2002158203A (en) | Method and apparatus for ultraviolet treatment of substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040727 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040810 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041006 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050705 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050811 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060131 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060203 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090224 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120224 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |