JP2002001240A - Spin processing device - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は回転させながら処理される基板か
ら飛散した液体が再付着するのを防止したスピン処理装
置を提供することにある。
【解決手段】 基板11を回転させて洗浄処理及び乾燥
処理するスピン処理装置において、スピンカップ16
と、このスピンカップ内に設けられ上記基板を保持する
とともに回転駆動される回転テーブル8と、上記回転テ
ーブルの径方向外方で、しかもこの回転テーブルに保持
された基板の上方に設けられ回転テーブルとともに回転
する基板から飛散する液体と交差する方向に気体を噴射
して上記液体が上記スピンカップで反射して上記基板に
付着すのを阻止する反射防止用ノズル体42とを具備す
る。
(57) Abstract: An object of the present invention is to provide a spin processing apparatus in which liquid scattered from a substrate to be processed while being rotated is prevented from re-adhering. SOLUTION: In a spin processing apparatus for performing a cleaning process and a drying process by rotating a substrate 11, a spin cup 16 is provided.
A rotary table 8 provided in the spin cup and holding and rotating the substrate; and a rotary table provided radially outside the rotary table and above the substrate held by the rotary table. And an anti-reflection nozzle body 42 for injecting gas in a direction intersecting with the liquid scattered from the rotating substrate to prevent the liquid from being reflected by the spin cup and attached to the substrate.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は回転テ−ブルによ
って基板を回転させて処理するスピン処理装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a spin processing apparatus for processing a substrate by rotating a substrate using a rotating table.
【0002】[0002]
【従来の技術】たとえば、液晶表示装置や半導体装置の
製造過程においては、ガラス基板や半導体ウエハなどの
基板に回路パタ−ンを形成するための成膜プロセスやフ
ォトプロセスがある。これらのプロセスでは、処理液に
よって上記基板に対する処理と洗浄及び洗浄された基板
の乾燥処理とが行なわれる。基板に対するこのような処
理を行なう場合、上記基板を回転テ−ブルに保持し、こ
の回転テ−ブルとともに回転させ、それによって生じる
遠心力を利用する、スピン処理装置が用いられる。2. Description of the Related Art For example, in a process of manufacturing a liquid crystal display device or a semiconductor device, there are a film forming process and a photo process for forming a circuit pattern on a substrate such as a glass substrate or a semiconductor wafer. In these processes, processing of the substrate with a processing liquid, cleaning and drying of the cleaned substrate are performed. When performing such processing on a substrate, a spin processing apparatus is used which holds the substrate on a rotating table, rotates the substrate with the rotating table, and utilizes the centrifugal force generated thereby.
【0003】一般に、スピン処理装置は処理槽を有し、
この処理槽内にスピンカップが配置されている。このス
ピンカップは上面が開口しており、内部には回転テーブ
ルが設けられている。この回転テーブルには上記基板が
保持される。In general, a spin processing apparatus has a processing tank,
A spin cup is arranged in the processing tank. The spin cup has an open upper surface, and a rotary table is provided inside. The substrate is held on the turntable.
【0004】上記カップ体の底部には排出管が接続さ
れ、この排出管は上記処理槽の底壁を貫通して外部に導
出され、気液分離器を介して排気ポンプに接続されてい
る。[0004] A discharge pipe is connected to the bottom of the cup body. The discharge pipe penetrates the bottom wall of the processing tank and is led out to the outside, and is connected to an exhaust pump via a gas-liquid separator.
【0005】したがって、排気ポンプを作動させれば、
上記カップ体内の空気及び処理液が上記排出管から外部
へ排出されるようになっている。Therefore, if the exhaust pump is operated,
The air and the processing liquid in the cup body are discharged to the outside from the discharge pipe.
【0006】上記スピン処理装置によってたとえば洗浄
された基板を乾燥処理する場合、回転テーブルに基板を
保持してこの回転テーブルを高速度で回転させること
で、基板に付着した処理液を遠心力で飛散させ、乾燥さ
せるようにしている。基板から飛散した処理液は、上記
排出管に生じた吸引力によってカップ体内から排出され
るようになっている。In the case of drying a substrate, for example, which has been washed by the spin processing apparatus, the substrate is held on a rotary table and the rotary table is rotated at a high speed, whereby the processing liquid attached to the substrate is scattered by centrifugal force. And let it dry. The processing liquid scattered from the substrate is discharged from the inside of the cup by the suction force generated in the discharge pipe.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、基板を高速
度で回転駆動して処理液を上記基板の周方向(ほぼ接線
方向)に飛散させると、処理液はカップ体の内周面に衝
突して反射し、ミスト状となる。When the substrate is rotated at a high speed to scatter the processing liquid in the circumferential direction (almost tangential direction) of the substrate, the processing liquid collides with the inner peripheral surface of the cup body. To reflect and become mist-like.
【0008】カップ体の内周面で反射してミスト状とな
った処理液の飛散方向は、上記排気管によって上記カッ
プ体内が吸引されていても、その吸引力によって排気管
へ確実に排気されず、一部は基板に戻って再付着するた
め、基板の汚染原因になるということがあった。[0008] Even if the inside of the cup is sucked by the exhaust pipe, the processing liquid reflected by the inner peripheral surface of the cup and formed into a mist is reliably exhausted to the exhaust pipe by the suction force. However, some of them return to the substrate and re-attach, thus causing contamination of the substrate.
【0009】この発明は、基板をスピン処理する際に、
基板から飛散した液体がスピンカップで反射して再付着
し、その基板の汚染原因になることがないようにしたス
ピン処理装置を提供することにある。According to the present invention, when spin-treating a substrate,
An object of the present invention is to provide a spin processing apparatus in which liquid scattered from a substrate is prevented from being reflected and re-attached by a spin cup and causing contamination of the substrate.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、基板
を回転させて洗浄処理及び乾燥処理するスピン処理装置
において、スピンカップと、このスピンカップ内に設け
られ上記基板を保持するとともに回転駆動される回転テ
ーブルと、上記回転テーブルの径方向外方で、しかもこ
の回転テーブルに保持された基板の上方に設けられ回転
テーブルとともに回転する基板から飛散する液体と交差
する方向に気体を噴射して上記液体が上記スピンカップ
で反射して上記基板に付着するのを阻止する反射防止用
ノズル体とを具備したことを特徴とするスピン処理装置
にある。According to a first aspect of the present invention, there is provided a spin processing apparatus for performing a cleaning process and a drying process by rotating a substrate, a spin cup, a substrate provided in the spin cup, and holding and rotating the substrate. Injects gas in a direction intersecting with the liquid that is scattered from the driven rotary table and the substrate that is provided radially outward of the rotary table and above the substrate held by the rotary table and that rotates with the rotary table. And an anti-reflection nozzle for preventing the liquid from being reflected by the spin cup and adhering to the substrate.
【0011】請求項2の発明は、上記反射防止用ノズル
体には、気体を噴射する複数のノズル孔が上記回転テー
ブルの周方向に沿って環状に、しかも径方向に沿って複
数の環状に形成されていることを特徴とする請求項1記
載のスピン処理装置にある。According to a second aspect of the present invention, in the anti-reflection nozzle body, a plurality of nozzle holes for injecting gas are formed in an annular shape along the circumferential direction of the rotary table and in a plurality of annular shapes along the radial direction. The spin processing apparatus according to claim 1, wherein the spin processing apparatus is formed.
【0012】請求項3の発明は、上記反射防止ノズル体
への気体の供給量を、上記回転テーブルの回転数の増加
に応じて増大させることを特徴とする請求項1記載のス
ピン処理装置にある。According to a third aspect of the present invention, in the spin processing apparatus according to the first aspect, the amount of gas supplied to the anti-reflection nozzle body is increased in accordance with an increase in the number of rotations of the rotary table. is there.
【0013】請求項1の発明によれば、反射防止用ノズ
ル体から噴射される気体によって基板から飛散した液体
やスピンカップの内周面で反射した液体のほとんどが上
記気体と同方向に流れ、基板へ再付着するのが阻止され
る。According to the first aspect of the present invention, most of the liquid scattered from the substrate or the liquid reflected on the inner peripheral surface of the spin cup by the gas ejected from the anti-reflection nozzle body flows in the same direction as the gas, Redeposition to the substrate is prevented.
【0014】請求項2の発明によれば、反射防止用ノズ
ル体に気体を噴射するノズル孔を径方向に沿って複数の
環状に形成したから、基板から飛散する液体やスピンカ
ップで反射した液体に対してノズル体からの気体が衝突
する確率が高くなるから、基板から飛散した液体が基板
に再付着し難くなる。According to the second aspect of the present invention, since the nozzle holes for injecting gas into the anti-reflection nozzle body are formed in a plurality of rings along the radial direction, the liquid scattered from the substrate or the liquid reflected by the spin cup is formed. Therefore, the probability that the gas from the nozzle body collides with the liquid becomes high, so that the liquid scattered from the substrate hardly adheres to the substrate.
【0015】請求項3の発明によれば、回転テーブルの
回転数が高くなり、基板から液体が飛散する遠心力が増
大すると、反射防止用ノズル体から噴射される気体の圧
力も増大するから、基板から飛散する液体の進行方向を
反射防止用ノズル体からの気体によって変えることがで
きる。According to the third aspect of the invention, when the number of rotations of the turntable increases and the centrifugal force at which the liquid scatters from the substrate increases, the pressure of the gas ejected from the anti-reflection nozzle body also increases. The traveling direction of the liquid scattered from the substrate can be changed by the gas from the antireflection nozzle body.
【0016】[0016]
【実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図面を参
照して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0017】図1乃至図3はこの発明の第1の実施の形
態を示し、図1に示すスピン処理装置は架台1を備えて
いる。この架台1は下板2及びこの下板2の上面に立設
された脚体3によって上記下板2の上方向に所定間隔で
保持された上板4とを有し、この上板4上には処理槽5
が設置されている。FIGS. 1 to 3 show a first embodiment of the present invention. The spin processing apparatus shown in FIG. The gantry 1 has a lower plate 2 and an upper plate 4 held at a predetermined interval in the upper direction of the lower plate 2 by a leg 3 erected on the upper surface of the lower plate 2. Has a treatment tank 5
Is installed.
【0018】上記処理槽5は上面が開放した角筒状をな
していて、周壁は高さ方向中途部から上端に向かって外
形寸法が次第に小さくなるテーパ壁5aに形成されてい
る。処理槽5の上壁6にはクリンエアユニット7が取付
けられている。The processing tank 5 has a rectangular cylindrical shape with an open upper surface, and its peripheral wall is formed as a tapered wall 5a whose outer dimensions gradually decrease from a middle part in the height direction toward the upper end. A clean air unit 7 is attached to an upper wall 6 of the processing tank 5.
【0019】上記クリンエアユニット7は、スピン処理
装置が設置されるクリーンルームの天井から吹き降ろす
ダウンフロー(図中矢印で示す)を浄化して処理槽5内
に導入するためのもので、具体的にはHEPAなどのフ
ィルタによってクリーンルームの清浄空気をさらに浄化
して処理槽1内に導入するようになっている。The clean air unit 7 is for purifying a downflow (indicated by an arrow in the drawing) blown down from a ceiling of a clean room in which a spin processing device is installed, and introducing the downflow into the processing tank 5. Further, the clean air in the clean room is further purified by a filter such as HEPA and introduced into the processing tank 1.
【0020】上記処理槽5の内部には回転テーブル8が
設けられている。この回転テーブル8の上面には複数の
支持部材9が周方向に所定間隔で設けられ、これら支持
部材9にはたとえば半導体ウエハなどの基板11が着脱
可能に保持される。A rotary table 8 is provided inside the processing tank 5. A plurality of support members 9 are provided on the upper surface of the turntable 8 at predetermined intervals in a circumferential direction, and a substrate 11 such as a semiconductor wafer is detachably held on the support members 9.
【0021】上記処理槽5の底部には開口部12が形成
され、この開口部12にはモータ13によって回転駆動
される駆動軸13aが挿通され、この駆動軸13aの上
端に上記回転テーブル8が連結されている。An opening 12 is formed at the bottom of the processing tank 5, and a drive shaft 13a, which is driven to rotate by a motor 13, is inserted through the opening 12, and the rotary table 8 is mounted on the upper end of the drive shaft 13a. Are linked.
【0022】上記モータ13は上下駆動機構14に取付
けられている。それによって、上記回転テーブル8は、
上記モータ13によって回転駆動され、さらに上記上下
駆動機構14によってモータ13とともに上下駆動され
るようになっている。なお、上下駆動機構14は下板2
上に載置部材15を介して設置されている。The motor 13 is mounted on a vertical drive mechanism 14. Thereby, the turntable 8 becomes
It is rotationally driven by the motor 13 and is further vertically driven by the vertical drive mechanism 14 together with the motor 13. In addition, the vertical drive mechanism 14 is a lower plate 2
It is installed on a mounting member 15 above.
【0023】上記処理槽5の内底部にはスピンカップ1
6が設けられている。このスピンカップ16の内部、つ
まり処理空間部17には上記回転テーブル8が収容され
ている。A spin cup 1 is provided on the inner bottom of the processing tank 5.
6 are provided. The rotating table 8 is accommodated in the spin cup 16, that is, in the processing space 17.
【0024】上記スピンカップ16の底部には排出管2
2が接続されている。この排出管22は気液分離器23
を介して図示しない排出ポンプに接続されている。気液
分離器23では気体と液体とを分離し、液体は排液管2
4を通じて排出し、気体はたとえば大気中に放散するよ
うになっている。したがって、上記排出ポンプが作動す
ると、スピンカップ16内の気体と液体とが上記排出管
22を通じて排出されるようになっている。A discharge pipe 2 is provided at the bottom of the spin cup 16.
2 are connected. This discharge pipe 22 is connected to a gas-liquid separator 23.
Is connected to a discharge pump (not shown). The gas-liquid separator 23 separates gas and liquid, and the liquid is
The gas is exhausted through, for example, the atmosphere 4. Therefore, when the discharge pump operates, the gas and liquid in the spin cup 16 are discharged through the discharge pipe 22.
【0025】なお、図1では排出管22は1本だけしか
示されていないが、スピンカップ16の周方向に所定の
間隔で複数本設けられ、スピンカップ16内の排気を周
方向において均一に行なうことができるようになってい
る。Although only one exhaust pipe 22 is shown in FIG. 1, a plurality of exhaust pipes 22 are provided at predetermined intervals in the circumferential direction of the spin cup 16, and the exhaust in the spin cup 16 is uniformly distributed in the circumferential direction. Can do it.
【0026】上記処理槽5の底部に形成された開口部1
2の周辺部には円筒状の遮蔽壁25が設けられている。
この遮蔽壁25の上端は回転テーブル8の下面周辺部に
設けられたリング状部材26の内周面にわずかの隙間を
介して対向している。それによって、上記開口部12を
通じて処理空間部17で飛散する処理液が処理槽5の外
底部に流出するのを阻止している。The opening 1 formed at the bottom of the processing tank 5
2, a cylindrical shielding wall 25 is provided.
The upper end of the shielding wall 25 is opposed to the inner peripheral surface of a ring-shaped member 26 provided around the lower surface of the turntable 8 with a slight gap. This prevents the processing liquid scattered in the processing space 17 through the opening 12 from flowing out to the outer bottom of the processing tank 5.
【0027】上記処理槽5の処理空間部17の底面は、
径方向中心部から周辺部にゆくにつれて次第に低くなる
傾斜面27に形成され、この傾斜面27の最も低い位置
に上記排出管22が接続されている。The bottom of the processing space 17 of the processing tank 5
The inclined surface 27 is formed to be gradually lower as going from the radial center portion to the peripheral portion, and the discharge pipe 22 is connected to the lowest position of the inclined surface 27.
【0028】上記上下駆動機構14によって回転テーブ
ル8を上昇方向に駆動すると、この回転テーブル8に保
持された基板11がスピンカップ16の上端面よりも上
方に突出位置する。When the rotary table 8 is driven in the ascending direction by the vertical drive mechanism 14, the substrate 11 held on the rotary table 8 projects above the upper end surface of the spin cup 16.
【0029】上記処理槽5の一側には出し入れ口32が
開口形成されている。この出し入れ口32はシリンダ3
3によって上下方向に駆動されるシャッタ34で開閉さ
れるようになっている。An access port 32 is formed on one side of the processing tank 5. This inlet / outlet 32 is a cylinder 3
The shutter 3 is opened and closed by a shutter 34 driven in the vertical direction by the shutter 3.
【0030】上記回転テーブル8が上昇方向に駆動さ
れ、出し入れ口32が開放されると、この出し入れ口3
2に進入可能な図示しないロボットのハンドによって上
記回転テーブル8に保持された処理済の基板11を取り
出したり、未処理の基板11を供給できるようになって
いる。未処理の基板11には、回転テーブル8の上方に
設けられた洗浄用ノズル体35から処理液が噴射される
ようになっている。処理液としては、洗浄液、エッチン
グ液、レジストを剥離するための剥離液などがあり、こ
の実施の形態では基板11を洗浄処理するための洗浄液
が供給されるようになっている。When the rotary table 8 is driven in the ascending direction and the access port 32 is opened, the access port 3 is opened.
The unprocessed substrate 11 held on the turntable 8 can be taken out or the unprocessed substrate 11 can be supplied by a hand of a robot (not shown) capable of entering the apparatus 2. The processing liquid is sprayed onto the unprocessed substrate 11 from a cleaning nozzle body 35 provided above the turntable 8. Examples of the processing liquid include a cleaning liquid, an etching liquid, a stripping liquid for stripping the resist, and the like. In this embodiment, a cleaning liquid for cleaning the substrate 11 is supplied.
【0031】上記スピンカップ16の周壁の上部は径方
向内方に向かって傾斜した環状の傾斜壁41に形成され
ている。この傾斜壁41の内径寸法は上記回転テーブル
8の外形寸法よりも大きく形成され、その下面には周方
向全長にわたって反射防止用ノズル体42が設けられて
いる。The upper part of the peripheral wall of the spin cup 16 is formed on an annular inclined wall 41 inclined inward in the radial direction. The inner diameter of the inclined wall 41 is formed to be larger than the outer dimension of the turntable 8, and an antireflection nozzle body 42 is provided on the lower surface over the entire length in the circumferential direction.
【0032】上記反射防止用ノズル体42には図2と図
3に示すように多数のノズル孔43が形成されている。
各ノズル孔43は回転テーブル8に保持された基板11
の板面がなす水平方向と交差するほぼ垂直方向に向いて
形成されている。A large number of nozzle holes 43 are formed in the anti-reflection nozzle body 42 as shown in FIGS.
Each nozzle hole 43 is provided on the substrate 11 held on the turntable 8.
Are formed in a substantially vertical direction that intersects with the horizontal direction formed by the plate surfaces.
【0033】上記ノズル孔43は、上記回転テーブル8
の外周面よりも径方向外方に環状に配設された第1のノ
ズル群43a、この第1のノズル群43の径方向外方に
順次環状に配設された第2のノズル群43b及び第3の
ノズル群43cからなる。第1のノズル群43aのノズ
ル孔43と第2のノズル群43bのノズル孔43とは周
方向に位置をずらして配置されており、同様に第2のノ
ズル群43bと第3のノズル群43cのノズル孔43も
周方向に位置をずらして形成されている。The nozzle hole 43 is provided in the rotary table 8.
A first nozzle group 43a arranged annularly radially outward from the outer peripheral surface of the second nozzle group; a second nozzle group 43b arranged annularly sequentially radially outward of the first nozzle group 43; It comprises a third nozzle group 43c. The nozzle holes 43 of the first nozzle group 43a and the nozzle holes 43 of the second nozzle group 43b are arranged so as to be displaced in the circumferential direction, and similarly, the second nozzle group 43b and the third nozzle group 43c The nozzle holes 43 are also formed with their positions shifted in the circumferential direction.
【0034】上記反射防止用ノズル体42には、各ノズ
ル群43a〜43cのノズル孔43に連通する環状の連
通路44が形成されている。この連通路44には窒素や
パーティクルを含まない空気などの加圧気体を供給する
供給管45が接続されている。この供給管45には図示
しない制御装置によって開度が制御される開閉制御弁4
6が設けられている。この開閉制御弁46の開度は、上
記制御装置によって上記回転テーブル8の回転速度に応
じて自動的に制御されるようになっている。つまり、回
転テーブル8の回転速度が速くなればなる程、開閉制御
弁46の開度が大きくなり、それによってノズル孔43
から噴射される圧力気体の圧力が高くなるようになって
いる。The antireflection nozzle body 42 has an annular communication passage 44 communicating with the nozzle holes 43 of the nozzle groups 43a to 43c. A supply pipe 45 for supplying a pressurized gas such as air containing no nitrogen or particles is connected to the communication path 44. The supply pipe 45 has an opening / closing control valve 4 whose opening is controlled by a control device (not shown).
6 are provided. The opening degree of the opening / closing control valve 46 is automatically controlled by the control device according to the rotation speed of the turntable 8. That is, as the rotation speed of the turntable 8 increases, the opening degree of the opening / closing control valve 46 increases, whereby the nozzle hole 43
The pressure of the pressurized gas injected from is increased.
【0035】なお、反射防止用ノズル体42の内周面に
はフランジ45が形成されている。このフランジ45
は、上記洗浄用ノズル35から噴射される洗浄液がノズ
ル孔43に入り込むのを阻止したり、ノズル孔43から
の気体の噴射方向が上記洗浄液の影響を受けるのを防止
している。A flange 45 is formed on the inner peripheral surface of the anti-reflection nozzle body 42. This flange 45
This prevents the cleaning liquid injected from the cleaning nozzle 35 from entering the nozzle hole 43 and prevents the direction of gas injection from the nozzle hole 43 from being affected by the cleaning liquid.
【0036】つぎに、上記構成のスピン処理装置によっ
て基板11を処理液によって洗浄処理し、ついで乾燥処
理する場合の動作について説明する。Next, the operation in the case where the substrate 11 is cleaned with the processing liquid by the spin processing apparatus having the above configuration and then dried is described.
【0037】シャッタ34によって閉塞された処理槽5
の出し入れ口32を開放するとともに、上下駆動機構1
4を作動させて回転テーブル8をスピンカップ16の上
端から上方に突出する位置まで上昇させる。Processing tank 5 closed by shutter 34
The opening 32 is opened and the vertical drive mechanism 1 is opened.
4 is operated to raise the turntable 8 to a position protruding upward from the upper end of the spin cup 16.
【0038】ついで、図示しないロボットによって回転
テーブル8に基板11を供給したならば、この回転テー
ブル8を下降させて出し入れ口32を閉じる。つぎに、
排気ポンプを作動させて排出管22に吸引力を発生させ
たのち、モータ13によって回転テーブル8を回転させ
る。さらに、洗浄用ノズル体35から基板11の上面に
向けて洗浄液を供給する。それによって、基板11の上
面は洗浄液によって洗浄されることになる。Next, when the substrate 11 is supplied to the rotary table 8 by a robot (not shown), the rotary table 8 is lowered to close the slot 32. Next,
After the suction pump is operated to generate a suction force in the discharge pipe 22, the rotary table 8 is rotated by the motor 13. Further, a cleaning liquid is supplied from the cleaning nozzle body 35 toward the upper surface of the substrate 11. Thereby, the upper surface of the substrate 11 is cleaned by the cleaning liquid.
【0039】洗浄後、洗浄用ノズル体35から洗浄液を
供給せずに、回転テーブル8を高速回転させるととも
に、反射防止用ノズル体42に加圧気体を供給し、その
ノズル孔43から下方に向かって噴射させる。After the cleaning, the rotary table 8 is rotated at a high speed without supplying the cleaning liquid from the cleaning nozzle body 35, and a pressurized gas is supplied to the antireflection nozzle body 42 so as to be directed downward from the nozzle hole 43. And spray it.
【0040】回転テーブル8とともに高速回転する基板
11からは、この基板11に付着した洗浄液が遠心力に
よって基板11の接線方向に向かって飛散する。基板1
1から飛散する液体には、上記反射防止用ノズル体42
のノズル孔43から下方に向かって噴射される気体が衝
突する。それによって、基板11から噴射した液体は気
体によって流れ方向が変換されてその気体とともにスピ
ンカップ16の底部に落下し、排出管22から吸引排出
される。From the substrate 11 which rotates at high speed together with the rotary table 8, the cleaning liquid attached to the substrate 11 is scattered in the tangential direction of the substrate 11 by centrifugal force. Substrate 1
The liquid scattered from the nozzle 1 is provided with the anti-reflection nozzle body 42.
The gas injected downward from the nozzle hole 43 collides. Thereby, the flow direction of the liquid ejected from the substrate 11 is changed by the gas, falls with the gas to the bottom of the spin cup 16, and is sucked and discharged from the discharge pipe 22.
【0041】反射防止用ノズル体42のノズル孔43か
ら噴射される気体と衝突せずにスピンカップ16の内周
面に到達した液体は、スピンカップ16の内周面で反射
する。スピンカップ16の内周面で反射した液体は、基
板11に戻る前に反射防止用ノズル体42のノズル孔4
3から噴射される圧力気体に衝突し、その気体の流れ方
向に方向変換してスピンカップ16の内底部に落下し、
排出管22から排出される。The liquid that has reached the inner peripheral surface of the spin cup 16 without colliding with the gas ejected from the nozzle hole 43 of the antireflection nozzle body 42 is reflected by the inner peripheral surface of the spin cup 16. The liquid reflected on the inner peripheral surface of the spin cup 16 is returned to the nozzle hole 4 of the antireflection nozzle body 42 before returning to the substrate 11.
3 collides with the pressurized gas ejected from 3 and changes its direction in the flow direction of the gas and falls on the inner bottom of the spin cup 16,
It is discharged from the discharge pipe 22.
【0042】したがって、基板11を乾燥処理する際
に、基板11から飛散した液体及びスピンカップ16の
内周面で反射した液体のほとんどは反射防止用ノズル体
42のノズル孔43から噴射する圧力気体の流れ方向と
同方向に方向変換して排液管28から排出されるから、
基板11に再付着して基板11を汚染するということが
ない。Therefore, when the substrate 11 is dried, most of the liquid scattered from the substrate 11 and the liquid reflected on the inner peripheral surface of the spin cup 16 are compressed gas jetted from the nozzle hole 43 of the antireflection nozzle body 42. Is changed in the same direction as the flow direction of the liquid and discharged from the drain pipe 28,
It does not reattach to the substrate 11 and contaminate the substrate 11.
【0043】上記反射防止用ノズル体42にはノズル孔
43が複数の環状(この実施の形態では三重)に形成さ
れている。そのため、基板11から飛散した液体のほと
んどはノズル孔43から噴射される気体に衝突するた
め、スピンカップ16の内周面に到達することがなく、
一部の液体がスピンカップ16の内周面に到達して反射
しても、反射後にはノズル孔43から噴射される気体に
衝突する確率が高いから、基板11へ戻って再付着する
ということがほとんどない。The antireflection nozzle body 42 has a plurality of annular (in this embodiment, triple) nozzle holes 43. Therefore, most of the liquid scattered from the substrate 11 collides with the gas ejected from the nozzle holes 43, and does not reach the inner peripheral surface of the spin cup 16,
Even if a part of the liquid reaches the inner peripheral surface of the spin cup 16 and is reflected, the liquid is likely to collide with the gas ejected from the nozzle hole 43 after the reflection, so that the liquid returns to the substrate 11 and adheres again. There is almost no.
【0044】基板11の回転速度を上昇させると、基板
から飛散する液体の速度も上昇する。基板1の回転速度
が上昇すると、開閉制御弁46の開度が大きくなってノ
ズル孔43から噴射される気体の圧力が上昇する。その
ため、基板1から飛散する液体の勢いが増加しても、気
体の圧力も増加するため、気体の勢いによって基板11
から飛散する液体を気体と同方向へ流すことができる。As the rotational speed of the substrate 11 increases, the speed of the liquid scattered from the substrate also increases. When the rotation speed of the substrate 1 increases, the opening degree of the open / close control valve 46 increases, and the pressure of the gas injected from the nozzle hole 43 increases. Therefore, even if the force of the liquid scattered from the substrate 1 increases, the pressure of the gas also increases.
The liquid scattered from the gas can flow in the same direction as the gas.
【0045】さらに、反射防止用ノズル体42のノズル
孔43から下方に向けて気体を噴射することで、スピン
カップ16内に気流が滞留して生じる渦流が生じにく
い。それによって、基板11から飛散する液体によって
スピンカップ16内でミストが発生しても、そのミスト
は内部に滞留し難くなるから、乾燥処理後の基板11に
ミストが付着して汚染を招くということも防止できる。Further, by injecting the gas downward from the nozzle hole 43 of the antireflection nozzle body 42, a vortex generated by the stagnation of the airflow in the spin cup 16 is less likely to occur. As a result, even if mist is generated in the spin cup 16 by the liquid scattered from the substrate 11, the mist hardly stays in the inside, so that the mist adheres to the substrate 11 after the drying process, thereby causing contamination. Can also be prevented.
【0046】反射防止用ノズル体42のノズル孔43か
らは、基板11を乾燥処理するときにだけ圧力気体を噴
射するようにしたが、基板1を洗浄処理するときにもノ
ズル孔43から気体を噴射させるようにしてもよい。Although the pressurized gas is injected from the nozzle hole 43 of the antireflection nozzle body 42 only when the substrate 11 is dried, the gas is also injected from the nozzle hole 43 when the substrate 1 is cleaned. You may make it inject.
【0047】それによって、基板1を洗浄することで飛
散する、パーティクルを含んだ洗浄液がスピンカップ1
6の内周面で反射して基板11に再付着し、基板11を
汚染するのを防止できる。As a result, the cleaning liquid containing particles, which is scattered by cleaning the substrate 1, is supplied to the spin cup 1.
6 can be prevented from being reflected on the inner peripheral surface and re-adhering to the substrate 11 and contaminating the substrate 11.
【0048】図4(a)はこの発明のスピンカップ16
内の気体の流れを示しており、図4(b)は従来のスピ
ンカップ16内の気体の流れを示している。図4(a)
(b)において、矢印Aはクリンユニット7からのダウ
ンフローを示しており、矢印BはダウンフローAがスピ
ンカップ16内で流れる内部気流である。図4(b)に
示す従来の場合、スピンカップ16の内周面上部には回
転テーブル8の回転によって生じる気流が滞留する渦流
Cが発生し易かった。FIG. 4A shows a spin cup 16 according to the present invention.
4 (b) shows the flow of gas in the conventional spin cup 16. FIG. FIG. 4 (a)
In (b), the arrow A indicates a downflow from the clean unit 7, and the arrow B indicates an internal airflow through which the downflow A flows in the spin cup 16. In the case of the related art shown in FIG. 4B, the vortex C in which the airflow generated by the rotation of the turntable 8 stays is easily generated in the upper portion of the inner peripheral surface of the spin cup 16.
【0049】一方、図4(a)に示すこの発明の場合に
は、矢印Dで示すようにスピンカップ16の周辺部の上
方から下方に向けて反射防止用ノズル体42のノズル孔
43から噴射される気体によって反射防止用気流を発生
させている。On the other hand, in the case of the present invention shown in FIG. The generated gas generates an antireflection airflow.
【0050】そのため、回転テーブル8の回転によって
スピンカップ16の内周面の上部に向かって流れる気流
C1 は、反射防止用気流Dの流れによって下方へ向か
う流れとなるから、従来のようにスピンカップ16の内
周面上部で渦流Cが生じるのが防止される。したがっ
て、スピンカップ16内にミストが滞留し、乾燥処理後
の基板11の上面にミストが付着し、汚れが発生するの
を防止できる。[0050] Therefore, the air flow C 1 flowing toward the upper part of the inner circumferential surface of the spin cup 16 by the rotation of the rotary table 8, because the flow directed downwards by the flow of the antireflection airflow D, spin like a conventional The vortex C is prevented from being generated in the upper part of the inner peripheral surface of the cup 16. Therefore, it is possible to prevent the mist from staying in the spin cup 16 and the mist from adhering to the upper surface of the substrate 11 after the drying processing, thereby preventing the occurrence of dirt.
【0051】[0051]
【発明の効果】請求項1の発明によれば、反射防止用ノ
ズル体から噴射される気体によって基板から飛散した液
体やスピンカップの内周面で反射した液体のほとんどが
上記気体に衝突し、その気体の流れ方向と同方向に流れ
て基板へ再付着するのが阻止される。According to the first aspect of the present invention, most of the liquid scattered from the substrate or the liquid reflected on the inner peripheral surface of the spin cup by the gas ejected from the anti-reflection nozzle body collides with the gas, The gas is prevented from flowing in the same direction as the gas and re-adhering to the substrate.
【0052】そのため、基板から飛散した液体が基板に
再付着して基板を汚染するのを防止することができる。Therefore, it is possible to prevent the liquid scattered from the substrate from re-adhering to the substrate and contaminating the substrate.
【0053】請求項2の発明によれば、反射防止用ノズ
ル体に気体を噴射するノズル孔を径方向に沿って複数の
環状に形成した。According to the second aspect of the present invention, the plurality of nozzle holes for injecting gas into the anti-reflection nozzle body are formed along the radial direction.
【0054】そのため、基板から飛散する液体やスピン
カップで反射した液体に対してノズル体からの気体が衝
突する確率が高くなるから、基板から飛散した液体が基
板に再付着するのを良好に防止することができる。As a result, the probability that the gas from the nozzle body collides with the liquid scattered from the substrate or the liquid reflected by the spin cup increases, so that the liquid scattered from the substrate is prevented from re-adhering to the substrate. can do.
【0055】請求項3の発明によれば、回転テーブルの
回転数の増加に応じて反射防止用ノズル体のノズル孔か
ら噴射される気体の圧力を増大させるようにした。According to the third aspect of the present invention, the pressure of the gas injected from the nozzle hole of the anti-reflection nozzle body is increased in accordance with the increase in the rotation speed of the turntable.
【0056】そのため、回転テーブルの回転数が増大す
ることで、基板から飛散する液体の勢いが強くなって
も、その勢いにノズル孔から噴射される気体の勢いが負
けるのを防止できるから、気体によって基板からの液体
の向きを変えることができる。Therefore, even if the force of the liquid scattered from the substrate is increased by increasing the number of rotations of the rotary table, it is possible to prevent the force of the gas ejected from the nozzle holes from losing to the force. Can change the direction of the liquid from the substrate.
【図1】この発明の一実施の形態を示すスピン処理装置
の概略的構成の縦断面図。FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a schematic configuration of a spin processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】スピンカップの内周上部に設けられた反射防止
用ノズル体の断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view of an anti-reflection nozzle provided at an upper portion of the inner periphery of a spin cup.
【図3】反射防止用ノズル体のノズル孔が形成された下
面を示す平面図。FIG. 3 is a plan view showing a lower surface of the anti-reflection nozzle body where a nozzle hole is formed.
【図4】(a)はこの発明のスピンカップ内における気
流の流れを示す説明図、(b)は従来のスピンカップ内
における気流の流れを示す説明図。FIG. 4A is an explanatory diagram showing an airflow in a spin cup according to the present invention, and FIG. 4B is an explanatory diagram showing an airflow in a conventional spin cup.
8…回転テーブル 11…基板 16…スピンカップ 17…処理空間部 22…排出管 42…反射防止用ノズル体 43…ノズル孔 Reference Signs List 8 rotating table 11 substrate 16 spin cup 17 processing space 22 discharge pipe 42 anti-reflection nozzle body 43 nozzle hole
Claims (3)
するスピン処理装置において、 スピンカップと、 このスピンカップ内に設けられ上記基板を保持するとと
もに回転駆動される回転テーブルと、 上記回転テーブルの径方向外方で、しかもこの回転テー
ブルに保持された基板の上方に設けられ回転テーブルと
ともに回転する基板から飛散する液体と交差する方向に
気体を噴射して上記液体が上記スピンカップで反射して
上記基板に付着するのを阻止する反射防止用ノズル体と
を具備したことを特徴とするスピン処理装置。1. A spin processing apparatus for performing a cleaning process and a drying process by rotating a substrate, comprising: a spin cup; a rotary table provided in the spin cup for holding the substrate and driven to rotate; A gas is ejected radially outward and in a direction intersecting with the liquid scattered from the substrate that is provided above the substrate held on the rotary table and rotates with the rotary table, and the liquid is reflected by the spin cup. A spin processing apparatus comprising: an anti-reflection nozzle body for preventing the nozzle body from adhering to the substrate.
射する複数のノズル孔が上記回転テーブルの周方向に沿
って環状に、しかも径方向に沿って複数の環状に形成さ
れていることを特徴とする請求項1記載のスピン処理装
置。2. The anti-reflection nozzle body, wherein a plurality of nozzle holes for injecting gas are formed in an annular shape along the circumferential direction of the rotary table and in a plurality of annular shapes along the radial direction. The spin processing device according to claim 1, wherein:
を、上記回転テーブルの回転数の増加に応じて増大させ
ることを特徴とする請求項1記載のスピン処理装置。3. The spin processing apparatus according to claim 1, wherein the amount of gas supplied to the anti-reflection nozzle body is increased in accordance with an increase in the number of rotations of the turntable.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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