[go: up one dir, main page]

JP2002075054A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents

誘電体磁器組成物

Info

Publication number
JP2002075054A
JP2002075054A JP2000259675A JP2000259675A JP2002075054A JP 2002075054 A JP2002075054 A JP 2002075054A JP 2000259675 A JP2000259675 A JP 2000259675A JP 2000259675 A JP2000259675 A JP 2000259675A JP 2002075054 A JP2002075054 A JP 2002075054A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
value
temperature
weight
parts
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000259675A
Other languages
English (en)
Inventor
Takao Nukushina
貴夫 温品
Takashi Ito
伊藤  隆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2000259675A priority Critical patent/JP2002075054A/ja
Publication of JP2002075054A publication Critical patent/JP2002075054A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 特性ばらつき等の小さい積層磁器コンデンサ
を確実に量産することができる誘電体磁器組成物を提供
する。 【解決手段】一般式(CaO)x(Zr1-y・Tiy)O2
(但し、0.95≦x≦1.05、0.01≦y≦0.
10の範囲の数値)で表される基本成分100重量部に
対して、MnCO3を1〜5重量部と、一般式aSiO2
−bLi2O−cY23(但し、0.35≦a≦0.4
5、0.35≦b≦0.45、0.1≦c≦0.3の範
囲の数値)、あるいは一般式dSiO2−eB23−fY
23(但し、0.4≦d≦0.7、0.15≦e≦0.
35、0.1≦f≦0.3の範囲の数値)で表されるガ
ラス成分を0.5〜5重量部含有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ニッケル等の卑金
属を内部電極とする積層磁器コンデンサの誘電体として
好適な誘電体磁器組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、積層磁器コンデンサを製造する際
には、誘電体磁器原料粉末から成るグリーンシート(未
焼結磁器シート)に白金又はパラジウム等の貴金属の導
電性ペーストを所望パターンに印刷し、これを複数枚積
み重ねて圧着し、1300℃〜1600℃の酸化性雰囲
気中で焼結させていた。これにより、誘電体磁器と内部
電極とが同時に得られる。上述の如く、貴金属を使用す
れば、酸化性雰囲気中で高温で焼結させても目的とする
内部電極を得ることが出来る。しかし、白金、パラジウ
ム等の貴金属は高価であるため、必然的に積層磁器コン
デンサがコスト高になった。
【0003】この種の問題を解決するために、CaZr
3とMnO2とから成る磁器組成物をコンデンサの誘電
体として使用することが、例えば特開昭53−9809
9号公報に開示されている。ここに開示されている誘電
体磁器組成物は還元性雰囲気中で焼成可能であるので、
ニッケル等の卑金属の酸化が生じない。
【0004】ところで、上記のCaZrO3とMnO2
から成る誘電体磁器組成物は高温(1350℃〜138
0℃)で焼成しなければならない。このため、グリーン
シートにニッケルを主成分とする導電性ペーストを印刷
して焼成すると、たとえ非酸化性雰囲気中での焼成であ
っても、ニッケル粒子の溶融凝集が生じ、ニッケルが玉
状に分布する。また、高温焼成のためにニッケルが誘電
体磁器中に拡散し、誘電体磁器の絶縁劣化が生じる。こ
の結果、所望の静電容量、及び絶縁抵抗を有する磁器コ
ンデンサを得ることが困難であった。
【0005】そこで、CaZrO3とCaTiO3とから
成る基本成分に、Si−Li−アルカリ土類金属で構成
されるガラス成分(焼結助剤)を添加した非還元性温度
補償用誘電体磁器組成物が特公平5−52604に、S
i−B−アルカリ土類金属で構成されるガラス成分(焼
結助剤)を添加した非還元性温度補償用誘電体磁器組成
物が特公平5−52603に開示されている。
【0006】上記発明の誘電体磁器組成物は、非酸化性
雰囲気、且つ1100〜1300℃の焼成で得られるの
で、ニッケル等の卑金属を内部電極とする温度補償用積
層磁器コンデンサの誘電体として好適なものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記誘電体磁
器組成物によれば、低融点元素であるLi、Bの蒸発が
著しく、更に詳しく説明すると、中性雰囲気状況下での
800℃以上の温度域になるとLi、Bが蒸発し始め、
遂には磁器の焼結開始温度である1000℃〜1100
℃近傍の温度域になると、Li、B元素が大幅に減少し
たガラス組成となることにより、結果的に磁器の焼結不
足を引き起こし、特性ばらつきが大きくなるという問題
点があった。この問題は、特にEIA規格における32
16型以下の小型の積層磁器コンデンサにおいて顕著で
あった。
【0008】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、1100℃〜1300℃の還元性
雰囲気中でも安定な焼成が可能で、特性ばらつきが小さ
い誘電体磁器組成物を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物は、一般式(CaO)x(Zr1-y・Tiy)O2(但
し、0.95≦x≦1.05、0.01≦y≦0.10
の範囲の数値)で表される基本成分100重量部に対し
て、MnCO3を1〜5重量部と、ガラス成分を0.5
〜5重量部含有する。
【0010】即ち、基本成分のxが0.95未満ではQ
値が著しく低下し、1.05を越える場合は、1100
〜1300℃で十分に焼結しない。また、yが0.01
未満では誘電率が25以下となり目標を満足しなくな
る。更に、yが0.10を越える場合でも誘電率の温度
特性の絶対値が30ppmより大きくなる。
【0011】そして、本発明のガラス成分は、その組成
を一般式(1) aSiO2−bLi2O−cY23 (式中、a+b+c=1) (1) で表した時、a,b,c値が図1の三角ダイヤグラムに
おいて、座標A,B,C,D(但し、線上も含む)で結
ばれる領域の内部に位置する組成から構成される。
【0012】即ち、ガラスのaが0.35未満では十分
に焼結しない。更に、0.45を超えると、Q値が著し
く低下する。また、bが0.35未満となると十分に焼
結しない。更に0.45を超えるとQ値が著しく低下す
る。更に、cが0.1未満では容量値バラツキ(CV
値)が大きくなり、0.3を超えると、1100〜13
00℃で十分に焼結しない。
【0013】あるいは、本発明のガラス成分は、その組
成を一般式(2) dSiO2−eB23−fY23 (式中、d+e+f=1) (2) で表した時、d,e,f値が図2の三角ダイヤグラムに
おいて、座標E,F,G,H,I,J(但し、線上も含
む)で結ばれる領域の内部に位置する組成から構成され
る。
【0014】即ち、ガラスのdが0.4未満では十分に
焼結しない。更に、0.70を超えると、Q値が著しく
低下する。また、eが0.15未満となると十分に焼結
しない。更に0.35を超えるとQ値が著しく低下す
る。更に、fが0.1未満では容量値バラツキ(CV
値)が大きくなり、0.3を超えると、1100〜13
00℃で十分に焼結しない。
【0015】また、最も望ましい範囲は 0.98≦X≦1.00 0.02≦y≦0.03 2.0≦z≦4.0 0.38≦a≦0.42 0.38≦b≦0.42 0.18≦c≦0.22 0.50≦d≦0.60 0.20≦e≦0.30 0.15≦f≦0.25 の範囲である。
【作用】本発明による誘電体磁器組成物では、CaZr
3とCaTiO3とから成る基本成分に、Si−Li−
YあるいはSi−B−Yで構成されるガラス成分(焼結
助剤)を添加することにより、LiあるいはBの減少が
抑えられ、焼成が十分に行われるため、中性又は還元性
雰囲気中での焼成時に、容量バラツキの低減を図ること
が可能であり、更には、静電容量Cap、温度特性T
C、Q値、比抵抗ρなどについても十分に満足なものと
なる。
【0016】従って、本発明における誘電体磁器組成物
を応用することにより、品質的に極めて安定で、且つ静
電容量Cap、温度特性TC、Q値、比抵抗ρなどにつ
いても十分満足させる温度補償用積層磁器コンデンサを
提供することが可能になる。
【0017】
【実施例】次に、本発明の実施例(比較例も含む)につ
いて説明する。
【0018】炭酸カルシウム(CaCO3)、二酸化チ
タン(TiO2)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、炭酸
マンガン(MnCO3)を出発原料として用意し、表
1、2に示すような比率になるようにそれぞれ秤量し
た。なお、この秤量において、不純物は目方に入れない
で秤量した。次に、これらの秤量された原料をポットミ
ルに入れ、更にアルミナボールと水2.5リットルとを
入れ、15時間湿式撹拌した後、撹拌物をステンレスバ
ットに入れて熱風式乾燥機で150℃×4時間乾燥し
た。次にこの乾燥物を粗粉砕し、この粗粉砕物をトンネ
ル炉にて大気中で1300℃×2時間の焼成を行い、表
1、2に示す組成式の平均粒径1μm程度の基本成分を
得た。
【0019】一方、ガラス成分を得るために、二酸化珪
素(SiO2)、炭酸リチウム(Li2CO3)又は酸化
硼素(B23)、酸化イットリウム(Y23)を適宜秤
量し、これに水を300cc加え、ポリエチレンポット
にてアルミナボールを用いて10時間撹拌した後、大気
中1300℃で2時間仮焼成し、これを300ccの水
と共にアルミナポットに入れ、アルミナボールで15時
間粉砕し、しかる後、150℃で4時間乾燥させて、表
1、2に示す平均粒径1μm程度のガラス成分の粉末を
得た。表1は炭酸リチウム、表2は酸化硼素で実験を行
った。
【0020】次に、上記基本成分の粉末にガラス成分の
粉末を加え、更に、アクリル酸エステルポリマー、グリ
セリン、縮合リン酸塩の水溶液から成る有機バインダを
基本成分と添加成分との合計重量に対して15重量%添
加し、更に50重量%の水を加え、これらをボールミル
に入れて約20時間粉砕及び混合して磁器原料のスラリ
ーを作製した。
【0021】次に、上記スラリーを真空脱泡機に入れて
脱泡し、このスラリーをリバースロールコーターに入
れ、これを使用してポリエステルフイルム上にスラリー
に基づく薄膜を形成し、この薄膜をフイルム上で100
℃に加熱して乾燥させ、厚さ約25μmのグリーンシー
トを得た。このシートは、長尺なものであるが、これを
10cm角の正方形に打ち抜いて使用した。
【0022】一方、内部電極用の導電ペーストは、粒径
平均1.5μmのニッケル粉末10gと、エチルセルロ
ーズ0.9gをブチルカルビトール9.1gに溶解させ
たものとを撹拌機に入れ、10時間撹拌することにより
得た。この導電ペーストを長さ14mm、幅7mmのパ
ターンを50個有するスクリーンを介して上記グリーン
シートの片面に印刷した後、これを乾燥させた。
【0023】次に、上記印刷面を上にしてグリーンシー
トを2枚積層した。この際、隣接する上下のシートにお
いて、その印刷面がパターンの長手方向に約半分程ずれ
るように配置した。更に、この積層物の上下両面にそれ
ぞれ4枚ずつ厚さ60μmのグリーンシートを積層し
た。次いで、この積層物を約50℃の温度で厚さ方向に
約40トンの圧力を加えて圧着させた。しかる後、この
積層物を格子状に裁断し、約100個の積層チップを得
た。
【0024】次に、この積層体チップを雰囲気焼成が可
能な炉に入れ、大気雰囲気中で100℃/hの速度で3
00℃まで昇温して、有機バインダを燃焼させた。しか
る後、炉の雰囲気を大気からH22体積%+N298体積
%の雰囲気に変えた。そして、炉を上述の如き還元性雰
囲気とした状態を保って、積層体チップの加熱温度を6
00℃から焼結温度まで100℃/hの速度で昇温して
1100〜1300℃(最高温度)×3時間保持した
後、100℃/hの速度で600℃まで降温し、雰囲気
を大気雰囲気(酸化性雰囲気)におきかえて、600℃
を30分間保持して酸化処理を行い、その後、室温まで
冷却して焼結体チップを作製した。
【0025】次に、電極が露出する焼結体チップの側面
にCuとガラスフリットとビヒクルとから成る導電性ペ
ーストを塗布して乾燥し、これを大気中で800〜90
0℃の温度で15分間焼付け、Cu電極層を形成し、更
にこの上に銅を無電解メッキで被着させて、更にこの上
に電気メッキ法でSn半田層を設けて、一対の外部電極
を形成した。
【0026】これにより、誘電体磁器層、内部電極と、
外部電極から成る積層磁器コンデンサが得られた。な
お、このコンデンサの寸法は2.0mm×1.25mm
であり、積層仕様は15μm×40層である。また、焼
結後の磁器層の組成は、焼結前の基本成分と添加成分と
の混合組成と実質的に同じである。
【0027】次に、完成した積層磁器コンデンサの静電
容量Cap、容量ばらつきCV、比誘電率εs、温度係
数TC、Q値、比抵抗ρを測定した。
【0028】なお、上記電気的特性は次の要領で測定し
た。 (1)比誘電率εsは、温度25℃、周波数1MHz、
交流電圧〔実効値〕0.5Vの条件で静電容量を測定
し、この測定値と一対の内部電極の対向面積25mm2
と磁器層の厚さ0.05mmから計算で求めた。静電容
量Capも同様の方法で求めた。 (2)静電容量の容量値バラツキCV(%)は次の計算
式で算出した。
【0029】
【数1】
【0030】(3)温度係数(TC)は、85℃の静電
容量(C85)と25℃の静電容量(C 25)とを測定し、
下記計算式で算出した。
【0031】
【数2】
【0032】(3)Q値は温度25℃において、周波数
1MHz、電圧〔実効値]0.5Vの交流でQメータに
より測定した。 (4)抵抗率ρ(MΩ・cm)は、温度25℃において
DC50Vを1分間印加した後に一対の外部電極間の抵
抗値を測定し、この測定値と寸法とに基づいて計算で求
めた。
【0033】まず、SiO2−Li2O−Y23系ガラス
についての結果を表1に示す。
【0034】
【表1】
【0035】表1から明らかな如く、本発明に従う試料
(試料No.2〜5、8〜11、14〜17、20〜2
1、24〜25、28〜29)では、静電容量Capが
950〜1050pF、容量ばらつきCV値が2.0%
以下、比誘電率εsが30〜66、誘電率の温度係数T
Cが±30ppm以内、Q値が5000以上、比抵抗ρ
が1×109MΩ・cm以上となり、所望の特性の温度
補償用コンデンサを得ることができた。これに対し、x
が0.90の場合(試料No.1)は、Q値が1100
と著しく低下した。また、xが1.10の場合(試料N
o.6)は、Q値が2300、比抵抗ρが5.21×1
7MΩ・cmとなり、焼結不十分だった。
【0036】また、yが0の場合(試料No.7)は、
静電容量Capが885、比誘電率εsが25となっ
た。更にyが0.15の場合(試料No.12)は、静
電容量Capが1320、誘電率の温度特性の絶対値が
60ppmとなった。
【0037】zが0.99の場合(試料No.13)
は、Q値が1100と著しく低下した。更に5.5重量
部の場合(試料No.18)においても、Q値が139
0と著しく低下した。
【0038】また、aが0.3の場合(試料No.1
9)は、Q値が4200、比抵抗ρが3.53×107
MΩ・cmとなり、焼結不十分だった。更に、aが0.
5の場合(試料No.22)は、Q値が1600と著し
く低下した。
【0039】また、bが0.3の場合(試料No.2
3)は、Q値が4600、比抵抗ρが2.53×107
MΩ・cmとなり、焼結不十分だった。更に、bが0.
5の場合(試料No.25)は、Q値が1950と著し
く低下した。
【0040】また、cが0.05の場合(試料No.2
6)は、容量値バラツキCV値が4.21と大きくなっ
た。更に、0.35の場合(試料No.30)は、Q値
が4500、比抵抗ρが2.53×107MΩ・cmと
なり、焼結不十分だった。
【0041】また、ICP定量分析により、本発明の誘
電体磁器組成物は、従来に比べて、Liの割合の変動が
小さいことが確認できた。
【0042】次に、SiO2−B23−Y23系ガラス
についての結果を表2に示す。
【0043】
【表2】
【0044】表2から明らかな如く、本発明に従う試料
(試料No.32〜33、36〜37、40〜41)で
は、静電容量Capが950〜1050pF、容量ばら
つきCV値が2.0%以下、比誘電率εsが30〜6
6、誘電率の温度係数TCが±30ppm以内、Q値が
5000以上、比抵抗ρが1×109MΩ・cm以上と
なり、所望の特性の温度補償用コンデンサを得ることが
できた。
【0045】これに対し、dが0.35の場合(試料N
o.31)は、Q値が4000、比抵抗ρが3.66×
107MΩ・cmとなり、焼結不十分だった。更に、d
が0.75の場合(試料No.34)は、Q値が160
0と著しく低下した。
【0046】また、eが0.1の場合(試料No.3
5)は、Q値が4200、比抵抗ρが2.61×107
MΩ・cmとなり、焼結不十分だった。更に、eが0.
4の場合(試料No.38)は、Q値が2010と著し
く低下した。
【0047】また、fが0.05の場合(試料No.3
9)は、容量値バラツキCV値が5.21と大きくなっ
た。更に、0.35の場合(試料No.42)は、Q値
が4000、比抵抗ρが2.11×107MΩ・cmと
なり、焼結不十分だった。
【0048】また、ICP定量分析により、本発明の誘
電体磁器組成物は、従来に比べて、Bの割合の変動が小
さいことが確認できた。
【0049】以上、本発明の実施例について述べたが、
本発明はこれに限定されるものではなく、例えば次の変
形例が可能なものである。 (1)基本成分の中に、本発明の目的を阻害しない範囲
で微量(好ましくは0.05〜0.1重量%)の鉱化剤
を添加し、焼結性を向上させてもよい。 (2)基本成分を得るための出発原料を、実施例で示し
たもの以外の例えば、CaO等の酸化物又は水酸化物又
はその他の化合物してもよい。また、添加成分の出発原
料を酸化物、水酸化物等の他の化合物としてもよい。 (3)酸化温度を600℃以外の焼結温度よりも低い温
度(好ましくは500℃〜1000℃の範囲)としても
よい。即ち、ニッケル等の電極と磁器の酸化とを考慮し
て種々変更するることが可能である。 (4)非酸化性雰囲気中の焼成温度を、電極材料を考慮
して種々変えることができる。ニッケルを内部電極とす
る場合には、1050℃〜1200℃の範囲で溶融凝集
がほとんど生じない。 (5)焼結を中性雰囲気で行ってもよい。 (6)積層磁器コンデンサ以外の一般的な磁器コンデン
サにも適用可能である。 (7)ガラス成分中にLiとBの両方を含んでもよい。
また、他の融点が低いガラス成分にも適用可能である。
【0050】
【発明の効果】以上のように、本発明の誘電体磁器は、
CaZrO3とCaTiO3とから成る基本成分に、Si
−Li−Y、あるいはSi−B−Yで構成されるガラス
成分(焼結助剤)を添加することにより、中性又は還元
性雰囲気中での焼成時に、容量バラツキの低減を図るこ
とが可能であり、更には、比誘電率εs、温度特性T
C、Q値、比抵抗ρなどについても十分に満足なものと
なる。
【0051】従って、本発明における非還元性誘電体磁
器組成物を応用することにより、品質的に極めて安定
で、且つ静電容量Cap、温度特性TC、Q値、比抵抗
ρなどについても十分満足させる温度補償用積層磁器コ
ンデンサを提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の誘電体磁器組成物のSiO2、Li
2O、及びY23の三角ダイヤグラムである。
【図2】本発明の誘電体磁器組成物のSiO2、B
23、及びY23の三角ダイヤグラムである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4G031 AA01 AA04 AA08 AA11 AA12 AA19 AA28 AA30 BA09 5E001 AB03 AC09 AE03 AJ02 5E082 AB03 BC15 EE04 EE11 EE23 EE35 FF05 FG06 FG26 FG54 PP03 5G303 AA01 AB06 AB08 AB11 AB20 BA12 CA01 CB02 CB06 CB16 CB18 CB30 CB35 CB39 CB40

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(CaO)x(Zr1-y・Tiy
    2(但し、0.95≦x≦1.05、0.01≦y≦
    0.10の範囲の数値)で表される基本成分100重量
    部に対して、 MnCO3を1〜5重量部と、 一般式aSiO2−bLi2O−cY23(但し、0.3
    5≦a≦0.45、0.35≦b≦0.45、0.1≦
    c≦0.3の範囲の数値)で表されるガラス成分を0.
    5〜5重量部とを含有することを特徴とする誘電体磁器
    組成物。
  2. 【請求項2】 一般式(CaO)x(Zr1-y・Tiy
    2(但し、0.95≦x≦1.05、0.01≦y≦
    0.10の範囲の数値)で表される基本成分100重量
    部に対して、 MnCO3を1〜5重量部と、 一般式一般式dSiO2−eB23−fY23(但し、
    0.4≦d≦0.7、0.15≦e≦0.35、0.1
    ≦f≦0.3の範囲の数値)で表されるガラス成分を
    0.5〜5重量部とを含有することを特徴とする誘電体
    磁器組成物。
JP2000259675A 2000-08-29 2000-08-29 誘電体磁器組成物 Pending JP2002075054A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000259675A JP2002075054A (ja) 2000-08-29 2000-08-29 誘電体磁器組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000259675A JP2002075054A (ja) 2000-08-29 2000-08-29 誘電体磁器組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002075054A true JP2002075054A (ja) 2002-03-15

Family

ID=18747812

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000259675A Pending JP2002075054A (ja) 2000-08-29 2000-08-29 誘電体磁器組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002075054A (ja)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62131415A (ja) * 1985-11-30 1987-06-13 太陽誘電株式会社 誘電体磁器組成物
JPS62157604A (ja) * 1985-12-30 1987-07-13 太陽誘電株式会社 誘電体磁器組成物
JPS62157605A (ja) * 1985-12-30 1987-07-13 太陽誘電株式会社 誘電体磁器組成物
JPS63126117A (ja) * 1986-11-14 1988-05-30 株式会社村田製作所 非還元性温度補償用誘電体磁器組成物
JPH08183659A (ja) * 1994-12-28 1996-07-16 Kyocera Corp 非還元性誘電体磁器組成物
JPH10279353A (ja) * 1997-03-31 1998-10-20 Kyocera Corp 誘電体磁器
JPH10330163A (ja) * 1997-05-28 1998-12-15 Kyocera Corp 非還元性誘電体磁器組成物
JPH11106259A (ja) * 1997-09-30 1999-04-20 Kyocera Corp 誘電体磁器組成物
JPH11130531A (ja) * 1997-10-31 1999-05-18 Kyocera Corp 誘電体磁器
JPH11157928A (ja) * 1997-11-28 1999-06-15 Kyocera Corp 誘電体磁器
JP2000053466A (ja) * 1998-08-07 2000-02-22 Murata Mfg Co Ltd 非還元性誘電体磁器組成物およびそれを用いた積層セラミックコンデンサ

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62131415A (ja) * 1985-11-30 1987-06-13 太陽誘電株式会社 誘電体磁器組成物
JPS62157604A (ja) * 1985-12-30 1987-07-13 太陽誘電株式会社 誘電体磁器組成物
JPS62157605A (ja) * 1985-12-30 1987-07-13 太陽誘電株式会社 誘電体磁器組成物
JPS63126117A (ja) * 1986-11-14 1988-05-30 株式会社村田製作所 非還元性温度補償用誘電体磁器組成物
JPH08183659A (ja) * 1994-12-28 1996-07-16 Kyocera Corp 非還元性誘電体磁器組成物
JPH10279353A (ja) * 1997-03-31 1998-10-20 Kyocera Corp 誘電体磁器
JPH10330163A (ja) * 1997-05-28 1998-12-15 Kyocera Corp 非還元性誘電体磁器組成物
JPH11106259A (ja) * 1997-09-30 1999-04-20 Kyocera Corp 誘電体磁器組成物
JPH11130531A (ja) * 1997-10-31 1999-05-18 Kyocera Corp 誘電体磁器
JPH11157928A (ja) * 1997-11-28 1999-06-15 Kyocera Corp 誘電体磁器
JP2000053466A (ja) * 1998-08-07 2000-02-22 Murata Mfg Co Ltd 非還元性誘電体磁器組成物およびそれを用いた積層セラミックコンデンサ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0355002B2 (ja)
JPH0355003B2 (ja)
JPH0361963B2 (ja)
JPH0552604B2 (ja)
JP3269910B2 (ja) 磁器コンデンサ及びその製造方法
JP2003124049A (ja) 積層セラミックコンデンサ
JPH0524656B2 (ja)
JPH0552602B2 (ja)
JP4325900B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP2843736B2 (ja) 磁器コンデンサ及びその製造方法
JPH0544764B2 (ja)
JP3269908B2 (ja) 磁器コンデンサ及びその製造方法
JP2831894B2 (ja) 磁器コンデンサ及びその製造方法
JP2002075054A (ja) 誘電体磁器組成物
JP2843733B2 (ja) 磁器コンデンサ及びその製造方法
JP3269909B2 (ja) 磁器コンデンサ及びその製造方法
JP3269907B2 (ja) 磁器コンデンサ及びその製造方法
JPH0552603B2 (ja)
JPH0551127B2 (ja)
JP2514358B2 (ja) 磁器コンデンサ
JP2954298B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JPH0518202B2 (ja)
JP2514359B2 (ja) 磁器コンデンサ
JPH0518203B2 (ja)
JP3269989B2 (ja) 磁器コンデンサ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070718

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100803

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100930

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110823