JP2002074610A

JP2002074610A - 磁気ヘッド

Info

Publication number: JP2002074610A
Application number: JP2000263264A
Authority: JP
Inventors: Heikichi Sato; 平吉佐藤; Masaya Kosaka; 昌哉香坂
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2000-08-28
Filing date: 2000-08-28
Publication date: 2002-03-15

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気ギャップの途切れ（リーク）や磁性膜の特
性劣化等が生じない効率の良い磁気ヘッドを提供するこ
と。【解決手段】磁気コアに形成された磁気記録媒体の摺
動面１２０と、この摺動面に少なくとも磁性膜１３０と
ギャップ材１３０ａ，１３０ｂを配置して形成される磁
気ギャップｇと、この磁気ギャップの一端部又は両端部
に対して配置された溝部１７０と、この溝部内に配置さ
れている非磁性体１６１と、を有する磁気ヘッドであっ
て、前記溝部のアスペクト比（溝の深さ／溝幅）が１を
超えるように形成されていると共に、前記溝部には、Ｃ
ＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法で非磁性酸化膜１７０ａが形成されているこ
とで磁気ヘッド１００を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に対
して音声信号や映像信号、あるいはデータ信号等の情報
信号を記録再生する磁気ヘッドに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、磁気テープ等を磁気記録媒体とし
て用いているビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）、デジタ
ルオーディオテープレコーダ（ＤＡＴ）、あるいはデジ
タルデータ記録再生装置等は、磁気テープ等の記録トラ
ック上に情報信号を磁気信号として書き込み、あるいは
記録トラック上に記録されている情報信号を磁気信号と
して読み込む磁気ヘッドを備えている。

【０００３】この磁気ヘッドは、２つの磁気コア半体を
突き合わせることにより形成されている磁気コアを有
し、この磁気コアには、前記磁気テープが摺動するため
の摺動面が形成されている。この摺動面には、磁気ギャ
ップが形成されており、この磁気ギャップは、２つの磁
気コア半体に設けられたギャップ材を突き合わせて形成
されている。このギャップ材は、具体的には、前記磁気
コア半体に成膜された磁性膜に対して成膜されている。
このように形成される磁気ギャップは、記録時には磁気
テープへの磁界の広がりの範囲を絞る働きをし、再生時
には磁気テープから磁束を取り入れる働きをする。

【０００４】そして、磁気ヘッドの摺動面は、具体的に
は図１１に示すように構成されている。すなわち、図１
１に示すように、磁気ヘッド１０は、磁気コア半体１１
ａ，１１ｂとを有している。そして、これら磁気コア半
体１１ａ，１１ｂに対して、磁気回路を形成するための
金属磁性薄膜１２ａ，１２ｂが形成されている。このよ
うに金属磁性薄膜１２ａ，１２ｂが成膜された磁気コア
半体１１ａ，１１ｂをギャップ材１３ａ，１３ｂを介し
て突き合わせることで、磁気ギャップｇが所定のトラッ
ク幅（Ｔｗ）で形成されることになる。そして、この磁
気ギャップｇ上を前記磁気テープが摺動することで、磁
気テープと磁気ヘッド１０との間で情報信号の記録再生
が行われる。ところで、この磁気ギャップｇの図におけ
る縦方向の上端及び下端は、エッジと呼ばれ、このエッ
ジ部分で、突き合されている金属磁性薄膜１２ａ，１２
ｂがズレたり、もしくはダレが生じる場合がある。この
ように金属磁性薄膜１２ａ，１２ｂにズレやダレが生じ
ると、磁気ギャップｇのエッジから不要な漏れ磁界が発
生し、磁気ヘッド１０の摺動面を走行する磁気テープの
記録パターンを乱していた。

【０００５】これは、特に、情報信号の記録方式が、図
１２に示すような重ね書き記録方式の場合、いわゆるサ
イドイレーズにより記録のＳ／Ｎが低下し、磁気テープ
の全記録トラックを有効に利用することができないとい
う問題を引き起こすことになる。このような不都合を避
けるため、図１１に示すように、磁気ヘッド１０の磁気
ギャップｇの重ね書き側である下端側に溝３３を形成す
ることで、磁気ギャップｇの重ね書き側のエッジにズレ
やダレを生じないようにしている。また、この溝３３内
には、ガラス３３ａが充填されている。これは、磁気テ
ープの磁性粉による目詰まりや磁気ギャップのエッジの
欠けが発生するのを防止し、安定的して磁気テープを走
行させるためである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
磁気ヘッド１０の溝３３内にガラス３３ａを充填する
と、ガラス３３ａが溝３３内に流れ込むときに、ギャッ
プ材１３ａ，１３ｂを侵食し、磁気ギャップｇが途切れ
（リーク）たり、ガラス３３ａが金属磁性薄膜１２ａ，
１２ｂと反応し、金属磁性薄膜１２ａ，１２ｂの特性劣
化が生じたりしていた。これらは、実質的にトラック幅
（Ｔｗ）のバラツキが生じる原因となっていた。このた
め、ガラス３３ａやギャップ材１３ａ，１３ｂの材質を
工夫し、ガラス３３ａのギャップ材１３ａ，１３ｂに対
する侵食を防止したり、金属磁性薄膜１２ａ，１２ｂに
対する反応を防止してきた。

【０００７】しかし、近年になって、磁気ギャップｇの
狭ギャップ化が進み、ギャップ材１３ａ，１３ｂが小さ
くなり、ギャップ材１３ａ，１３ｂの材質等を工夫して
も、ギャップ材１３ａ，１３ｂに対する侵食防止や金属
磁性薄膜１２ａ，１２ｂに対する反応防止を有効に制御
することが困難となった。また、複雑な溝形状の溝３３
内にガラス３３ａを充填する必要から、ガラス３３ａの
粘性を下げるなければならず、このため、ガラス３３ａ
の作業温度が上昇することになる。このガラス３３ａの
作業温度上昇は、ギャップ材１３ａ，１３ｂに対する侵
食や金属磁性薄膜１２ａ，１２ｂに対する反応をもたら
し、磁気ギャップｇの途切れ（リーク）や金属磁性薄膜
１２ａ，１２ｂの特性劣化が生じ、実質的にトラック幅
（Ｔｗ）のバラツキが生じるという問題が生じていた。

【０００８】本発明は、以上の点に鑑み、磁気ギャップ
の途切れ（リーク）や磁性膜の特性劣化等が生じない効
率の良い磁気ヘッドを提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記目的は、請求項１の
発明によれば、磁気コアに形成された磁気記録媒体の摺
動面と、この摺動面に少なくとも磁性膜とギャップ材を
配置して形成される磁気ギャップと、この磁気ギャップ
の一端部又は両端部に対して配置された溝部と、この溝
部内に配置されている非磁性体と、を有する磁気ヘッド
であって、前記溝部のアスペクト比（溝の深さ／溝幅）
が１を超えるように形成されていると共に、前記溝部に
は、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）法で非磁性酸化膜が形成されていること
を特徴とする磁気ヘッドにより、達成される。

【００１０】請求項１の構成によれば、前記溝部には、
ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）法で非磁性酸化膜が形成されているので、前
記のようなアスペクト比が大きい溝部でも均一な非磁性
酸化膜が形成され、この非磁性酸化膜が保護膜となっ
て、前記非磁性体の前記ギャップ材に対する侵食や前記
磁性膜に対する反応を有効に防止することができる。し
たがって、前記反応により生じる磁気ギャップの途切れ
（リーク）や前記磁性膜の特性劣化を防止することがで
きる。また、磁気ギャップにより形成されるトラック幅
にバラツキが生じるのも防止することができる。

【００１１】好ましくは、請求項２の発明によれば、請
求項１の構成において、前記溝部が、前記磁気記録媒体
の摺動方向と略平行に配置されていることを特徴とする
磁気ヘッドである。

【００１２】請求項２の構成によれば、前記溝部が、前
記磁気記録媒体の摺動方向と略平行に配置されているの
で、磁気ギャップのエッジから不要な漏れ磁界が発生す
るのを防止することができる。

【００１３】好ましくは、請求項３の発明によれば、請
求項２の構成において、前記溝部が前記磁気記録媒体に
対して重ね書きを行う側に形成されていることを特徴と
する磁気ヘッドである。

【００１４】請求項３の構成によれば、前記溝部が前記
磁気記録媒体に対して重ね書きを行う側に形成されてい
るので、重ね書きを行う側の磁気ギャップのエッジから
不要な漏れ磁界が発生するのを防止することができる。

【００１５】好ましくは、請求項４の発明によれば、請
求項３の構成によれば、前記溝部に形成される前記非磁
性酸化膜が０．１μｍ乃至４．０μｍの厚みで形成され
ることを特徴とする磁気ヘッドである。

【００１６】請求項４の構成によれば、前記非磁性酸化
膜が０．１μｍ乃至４．０μｍの厚みで形成されるの
で、前記非磁性酸化膜が破壊されたり、ヒビが入ったり
するのを防ぎ、前記非磁性酸化膜の機能を十分に発揮さ
せることができる。

【００１７】好ましくは、請求項５の発明によれば、請
求項４の構成において、前記溝部の側面に形成される前
記非磁性酸化膜の側面厚と前記溝部の上面に形成される
前記非磁性酸化膜の上面厚との成膜比（側面厚／上面
厚）が０．２５以上であることを特徴とする磁気ヘッド
である。

【００１８】請求項５の構成によれば、前記溝部の側面
に形成される前記非磁性酸化膜の側面厚と前記溝部の上
面に形成される前記非磁性酸化膜の上面厚との成膜比
（側面厚／上面厚）が０．２５以上であるので、ステッ
プカバレージが良好な非磁性酸化膜を成膜することがで
きる。

【００１９】前記目的は、請求項６の発明によれば、磁
気コアに形成された磁気記録媒体の摺動面と、この摺動
面に少なくとも磁性膜とギャップ材を配置して形成され
る磁気ギャップと、この磁気ギャップの一端部又は両端
部に対して配置された溝部と、を有する磁気ヘッドであ
って、前記溝部のアスペクト比（溝の深さ／溝幅）が１
を超えるように形成されていると共に、前記溝部には、
ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）法で非磁性酸化膜が形成されていることを特
徴とする磁気ヘッドにより、達成される。

【００２０】請求項６の構成によれば、前記溝部には、
ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）法で非磁性酸化膜が形成されているので、溝
部内に異物が付着するのを防ぐことができ、異物の付着
により生じる前記磁気ギャップの途切れ（リーク）の発
生を防止することができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を
添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述べ
る実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術
的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範
囲は、以下の説明において、特に本発明を限定する旨の
記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。

【００２２】図１は、本発明の実施の形態に係るＭＩＧ
（メタルインギャップ）型磁気ヘッド１００を示す概略
斜視図である。このＭＩＧ型磁気ヘッド１００は、磁気
記録媒体である例えば磁気テープに対して映像等の情報
信号を記録したり、逆に、磁気テープの映像等の情報信
号を再生したりするために用いられる。ところで、この
ような映像等の情報信号の記録再生には、近年、映像の
高画質化等を目的として、あるいは記憶容量の大容量化
を目的として、情報信号の波長をより短くし、より多く
の情報信号を記録再生するため高密度磁気記録方法が採
用されている。そして、この高密度磁気記録方法を採用
するために、磁気テープも高抗磁力型の磁気テープと成
っている。このような高抗磁力型の磁気テープは、具体
的には、メタルテープや蒸着テープ等が挙げられる。こ
のメタルテープは、例えばベースフィルム上に強磁性金
属粉末を磁性紛として塗布し、磁性層を形成して成るも
のである。また、蒸着テープは、強磁性金属材料をベー
スフィルム上に直接蒸着して形成するものである。

【００２３】このように形成される高抗磁力型の磁気テ
ープとの間で映像等の情報信号の記録再生を行うため、
図１に示すＭＩＧ型磁気ヘッド１００が用いられるが、
このＭＩＧ型磁気ヘッド１００は、以下のような構成と
なっている。すなわち、ＭＩＧ型磁気ヘッド１００は、
先ず、図１に示すように２つの磁気コア半体１１１，１
１２を有している。これら磁気コア半体１１１，１１２
は、例えば、Ｍｎ−Ｚｎフェライト等により形成されて
いる。また、これら磁気コア半体１１１，１１２は、ガ
ラス融着或いは貴金属同士の熱拡散による低温熱拡散結
合等により接合一体化される。そして、接合一体化され
る磁気コア半体１１１，１１２には、それぞれ、コイル
巻線溝１４０、１４０が、図１に示すように形成され
る。このようにして形成されるコイル巻線溝１４０、１
４０に対応して、磁気コア半体１１１，１１２には、図
１に示すように巻線ガイド溝１５０，１５０がそれぞれ
形成されている。ところで、相互に突き合わされた磁気
コア半体１１１，１１２の図における上面には、上述の
磁気テープが摺動するための摺動面１２０が形成されて
いる。

【００２４】この摺動面１２０の平面図を表したのが図
２である。図２に示すように磁気コア半体１１１、１１
２は、それぞれがトラック幅規制溝１１１ａ，１１２ａ
が形成されている。そして、このトラック幅規制溝１１
１ａ，１１２ａには、一定の厚みで磁性膜である強磁性
金属薄膜１３０が、図１及び図２に示すようにされてい
る。このように磁気コア半体１１１，１１２に成膜され
た強磁性金属薄膜１３０が、図２に示すように、ギャッ
プ材であるＳｉＯ₂等のギャップスペーサ１３０ａ，１
３０ｂを介して、微小間隔を空けて突合されることで、
磁気ギャップｇが形成されることになる。この磁気ギャ
ップｇを形成する強磁性金属薄膜１３０の外側、図２に
おいて半円状に表されている部分には、たとえば、ガラ
ス１６０が配置されている。

【００２５】以上のように形成されるＭＩＧ型磁気ヘッ
ド１００の摺動面１２０には、図１及び図２に示すよう
に、溝部である平行溝１７０が設けられている。この平
行溝１７０は、磁気ギャップｇのトラック幅Ｔｗの一端
部である図における下方の端部に設けられ、磁気テープ
の摺動方向と略平行に配置されている。ところで、この
ように構成されるＭＩＧ型磁気ヘッド１００に用いられ
る磁気テープの記録方式は、映像等の情報信号を図１３
に示すように重ね書きする重ね書き記録方式となってい
る。そして、磁気テープの重ね書きをする側に前記平行
溝１７０が形成されることになる。このように重ね書き
側である磁気ギャップｇの一端部に平行溝１７０を配置
することにより、この磁気ギャップｇの一端部において
磁気コア半体１１１，１１２に成膜されている強磁性金
属薄膜１３０、１３０相互にズレやダレが生じても、こ
の一端部から不要な漏れ磁界が発生するのを未然に防止
することができることになる。

【００２６】以上のようにＭＩＧ型磁気ヘッド１００の
摺動面１２０に形成される平行溝１７０には、最終的に
は図２に示すように例えばガラス１６１が充填される。
この平行溝１７０は、具体的には、図３に示すように形
成される。図３は、ガラス１６１充填前の平行溝１７０
を磁気ギャップｇの形成方向に切断した状態を示す概略
断面図である。図３に示すように平行溝１７０は、例え
ばその幅が２０μｍ、その深さが５０μｍと成ってい
る。これは、溝の深さ／溝の幅を示すアスペクト比で
は、２．５となる。本実施の形態では、平行溝１７０の
アスペクト比を２．５に設定したが、平行溝１７０のア
スペクト比は、これに限らずアスペクト比が１を超える
ものであれば平行溝１７０に適用できる。

【００２７】このように形成されている平行溝１７０に
は、図３に示すように非磁性酸化膜であるＳｉＯ₂膜１
７０ａが形成されている。具体的には、ＳｉＯ₂膜１７
０ａは、図における平行溝１７０の側面の厚み（図にお
いてａで示す部分）が０．４μｍ、平行溝１７０の上面
の厚み（図においてｂで示す部分）並びに底面の厚み
（図においてｃで示す部分）が１μｍとなるように形成
される。このＳｉＯ₂膜１７０ａは、平行溝１７０の側
面の厚み（ａ）においては、０．１μｍ以上の膜厚が必
要となる。これは、膜厚が０．１μｍ未満の場合、膜厚
が薄すぎて、保護膜としての役目を果たし難く、また特
に平行溝１７０の縁部１７０ｂ（図３参照）等でＳｉＯ
₂膜１７０ａが破壊されてしまうからである。

【００２８】また、ＳｉＯ₂膜１７０ａの平行溝１７０
の上面の厚み（ｂ）並びに底面の厚み（ｃ）は、４．０
μｍ未満の膜厚に設定する必要がある。これは、膜厚を
４．０μｍ超とした場合、平行溝１７０にガラス１６１
を充填する際、ガラス１６１の膨張の応力でＳｉＯ₂膜
１７０ａにヒビが入り、ＳｉＯ₂膜１７０ａが機能しな
くなるおそれがあるからである。

【００２９】このように平行溝１７０のような、例えば
アスペクト比２．５の溝に対して、例えば上面の厚み
（ｂ）（底面の厚み（ｃ））を１μｍ、側面の厚み
（ａ）を０．４μｍに形成することは、従来、困難であ
った。すなわち、このような平行溝１７０に対してＳｉ
Ｏ₂膜１７０ａを形成する方法として、スパッタによる
成膜方法がある。しかし、スパッタによる成膜方法で
は、図４のようにスパッタは４５度の角度で行うため、
溝の幅より溝の深さが大となった場合、溝の内部の成膜
状態に大きなバラツキが生じてしまうという問題があっ
た。したがって、溝のアスペクト比が１を越える場合、
スパッタによる成膜は困難であった。

【００３０】具体的には、図５に実験例を示す。図５
は、幅２０μｍ、深さ０〜１２０μｍの溝に対して、ス
パッタによりＳｉＯ₂膜を形成した場合の側面厚／上面
厚の成膜比を示したものである。ここで、側面厚／上面
厚の成膜比は、本実施の形態の場合、側面厚が０．４μ
ｍ／上面厚が１μｍとなり、０．４となる。この０．４
の成膜比はステップカバレージに優れる成膜比となる。
しかし、このように好ましい成膜比である０．４をスパ
ッタで達成することは、図５に示すように困難である。

【００３１】一方、本実施の形態においては、平行溝１
７０に対してＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて成膜しているので、
例えば、平行溝１７０の側面厚を０．４μｍとし、上面
厚又は底面厚を１μｍとすることができる。したがっ
て、上述の成膜比を０．４とすることができ、ステップ
カバレージが良好となる。具体的には、図６に示す。図
６は、ＣＶＤ法により成膜したときの成膜比を表したも
のであり、ＣＶＤ法により成膜したこと以外は、図５と
同様である。より具体的には、以下の条件で成膜した。
すなわち、Ｔｅｍｐ＝４００℃，Ｐｒｅｓｓ＝０．３Ｔ
ｏｒｒ、Ｐｏｗｅｒ＝２００Ｗとした。また、使用した
混合ガスは、ＴＥＯＳ／Ｏ₂＝１０／３４０ＳＣＣＭで
ある。

【００３２】ここで［ＳＣＣＭ］という単位は、［サブ
ＣＣ／ｍｉｎ］の意味であり、１［ＳＣＣＭ］は０．１
［ＣＣ／ｍｉｎ］となる。したがって、ＴＥＯＳ／Ｏ₂
＝１０／３４０ＳＣＣＭは、ＴＥＯＳ＝１［ＣＣ／ｍｉ
ｎ］とＯ₂＝３４［ＣＣ／ｍｉｎ］の混合ガスを意味す
る。また、ＴＥＯＳは、テトラエトキシシランの意味で
あるので、この混合ガスはテトラエトキシシランと酸素
の混合ガスである。このような条件で、ＣＶＤ法で成膜
すると、図６に示すように、平行溝１７０の溝深さが５
０μｍの場合、側面厚／上面厚の成膜比は、０．４とな
り、ステップカバレージが良好なＳｉＯ₂膜１７０ａを
成膜することができる。

【００３３】以上のように平行溝１７０に対してＳｉＯ
₂膜１７０ａを成膜した後、平行溝１７０内にガラス１
６１が充填される。このとき、ガラス１６１が平行溝１
７０内に円滑に流れるように、ガラス１６１の温度を上
げ、ガラス１６１の粘性を下げた場合でも、このガラス
１６１の温度の影響は、上記ＳｉＯ₂膜１７０ａにより
遮断されることになる。すなわち、ＳｉＯ₂膜１７０ａ
が保護膜の機能を果たすことになる。そして、このＳｉ
Ｏ₂膜１７０ａは平行溝１７０に対してステップカバレ
ージが優れて配置されているため、部分的にＳｉＯ₂膜
１７０ａが必要以上に薄く形成され、そこからＳｉＯ₂
膜１７０ａが破壊され、ギャップスペーサ１３０ａ，１
３０ｂを侵食するということがない。したがって、磁気
ギャップｇの途切れ（リーク）を防止することができ
る。また、ガラス１６１が強磁性金属薄膜１３０に対し
て反応をもたらすことをＳｉＯ₂膜１７０ａによって防
止することができるので、強磁性金属薄膜１３０の特性
劣化も防止することができる。

【００３４】これは、特に本実施の形態のように磁気ギ
ャップｇが狭い狭ギャップの磁気ヘッド１００において
効果を発揮する。すなわち、従来のようにガラスによる
影響をギャップスペーサ１３０ａ，１３０ｂの材質等で
工夫しなくてもよいため、ガラスの影響を考慮せず、狭
ギャップとすることができるからである。さらに、ガラ
スの影響による実質的トラック幅（Ｔｗ）のバラツキが
生じないため、有効トラック幅（Ｔｗ）を精度良く加工
することができる。そして、上述の重ね書き記録の際の
トラックエッジをシャープにできるため、磁気テープへ
のトラックピッチ内でのサイドイレーズを最小限に止め
ることができる。以上のことから、磁気ヘッド１００の
加工歩留まりを向上させることができる。

【００３５】ところで、以上のように摺動面１２０上に
平行溝１７０を形成した後、所定の工程を経て図１に示
すＭＩＧ型磁気ヘッド１００が構成されるが、以下に、
このＭＩＧ型磁気ヘッド１００の製造工程の概要を説明
する。先ず、図７に示すように、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライ
トの磁気コア半体１１１，１１２となる２つの磁気コア
半体ブロック１１１ｂ，１１２ｂを研削水を用いた砥石
加工により作製する。続いて、各磁気コア半体ブロック
１１１ｂ，１１２ｂの長手方向に磁気ギャップｇのギャ
ップデプスを規制し、巻線を施すためのコイル巻線溝１
４０を研削水を用いた砥石加工によりそれぞれ形成す
る。次に、図８に示すように各磁気コア半体ブロック１
１１ｂ，１１２ｂの短手方向にトラック幅規制溝１１１
ａ，１１２ａを研削水を用いた砥石加工により形成す
る。そして、各磁気コア半体ブロック１１１ｂ、１１２
ｂの突き合わせ面となる面を研磨加工により表面粗度が
２０Å（オングストローム）乃至１００Å（オングスト
ローム）程度になるように鏡面加工した後、強磁性金属
薄膜１３０を真空薄膜形成技術等を用いた方法で成膜
し、続いて、図示しないギャップスペーサを成膜する。

【００３６】次に、図９に示すように、各磁気コア半体
ブロック１１１ｂ，１１２ｂを互いに突き合わせ、ガラ
ス融着或いは貴金属同士の熱拡散による低温熱拡散結合
等により接合一体化して、一つの磁気コアブロックとす
る。これにより、磁気ギャップｇが形成される。そし
て、磁気コアブロックの短手方向に磁気ギャップｇの一
端部に接する平行溝１７０となる切り込みを研削水を用
いた砥石加工により、それぞれ形成し、磁気ギャップｇ
を所定のトラック幅Ｔｗに規制する。次に、上述のＳｉ
Ｏ₂膜１７０ａを、ＣＶＤ法により、平行溝１７０に対
して成膜する。そして、この平行溝１７０内にガラス１
６１を充填する。その後、図１０に示すように、磁気コ
アブロックの磁気ギャップｇの形成面を円筒研削加工に
より所定のデプスまで、曲率を持たせてラッピングして
摺動面１２０を形成する。また、最後に、磁気コアブロ
ックの長手方向に巻線ガイド溝１５０を研削水を用いて
砥石加工により形成し、切削加工により切断してＭＩＧ
型磁気ヘッド１００を形成することとなる。以上のよう
にして製造される本実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッ
ド１００がアジマス記録方式の磁気ヘッドである場合
は、その摺動面１２０のにおいて、磁気テープ２００の
摺動方向と磁気ギャップｇとの間に所定のアジマス角が
設けられることになる。

【００３７】本実施の形態においては、図１の磁気ヘッ
ド１００の平行溝１７０内にガラス１６１が充填されて
いるが、本発明は、これに限らず、平行溝１７０内にガ
ラス１６１が充填されていない場合も含まれる。すなわ
ち、平行溝１７０に対してＳｉＯ₂膜１７０ａをＣＶＤ
法で成膜し、ガラス１６１を充填されていない磁気ヘッ
ドも含まれる。このような磁気ヘッドは、ＳｉＯ₂膜１
７０ａが成膜されているため、平行溝１７０内に異物が
付着するのを防ぐことができ、異物の付着により生じる
磁気ギャップの途切れ（リーク）の発生を防止すること
ができる。

【００３８】なお、上述の実施の形態の構成は、その一
部を省略したり、上述していない他の任意の組み合わせ
に変更することができる。

【００３９】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、磁気ギ
ャップの途切れ（リーク）や磁性膜の特性劣化等が生じ
ない効率の良い磁気ヘッドを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係るＭＩＧ型磁気ヘッド
を示す概略斜視図である。

【図２】図１のＭＩＧ型磁気ヘッドの概略平面図であ
る。

【図３】図２の平行溝の断面を示す概略断面図である。

【図４】スパッタによる成膜方法の説明図である。

【図５】スパッタによる成膜比を示す図である。

【図６】ＣＶＤによる成膜比を示す図である。

【図７】図１のＭＩＧ型磁気ヘッドの製造工程を示す概
略図である。

【図８】図７の次の製造工程を示す概略図である。

【図９】図８の次の製造工程を示す概略図である。

【図１０】図９の次の製造工程を示す概略図である。

【図１１】従来の磁気ヘッドの摺動面を示す概略図であ
る。

【図１２】重ね書き記録方式の説明図である。

【符号の説明】

１００・・・ＭＩＧ型磁気ヘッド、１１１，１１２・・
・磁気コア半体、１１１ａ，１１２ａ・・・トラック幅
規制溝、１１１ｂ，１１２ｂ・・・磁気コア半体ブロッ
ク、１２０・・・摺動面、１３０・・・強磁性金属薄
膜、１３０ａ，１３０ｂ・・・ギャップスペーサ、１４
０・・・コイル巻線溝、１５０・・・巻線ガイド溝、１
６０、１６１・・・ガラス、１７０・・・平行溝、１７
０ａ・・・ＳｉＯ₂膜、１７０ｂ・・・縁部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気コアに形成された磁気記録媒体の摺
動面と、この摺動面に少なくとも磁性膜とギャップ材を配置して
形成される磁気ギャップと、この磁気ギャップの一端部又は両端部に対して配置され
た溝部と、この溝部内に配置されている非磁性体と、を有する磁気
ヘッドであって、前記溝部のアスペクト比（溝の深さ／溝幅）が１を超え
るように形成されていると共に、前記溝部には、ＣＶＤ
（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法で非磁性酸化膜が形成されていることを特徴とす
る磁気ヘッド。
【請求項２】前記溝部が、前記磁気記録媒体の摺動方
向と略平行に配置されていることを特徴とする請求項１
に記載の磁気ヘッド。
【請求項３】前記溝部が前記磁気記録媒体に対して重
ね書きを行う側に形成されていることを特徴とする請求
項２に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】前記溝部に形成される前記非磁性酸化膜
が０．１μｍ乃至４．０μｍの厚みで形成されることを
特徴とする請求項３に記載の磁気ヘッド。
【請求項５】前記溝部の側面に形成される前記非磁性
酸化膜の側面厚と前記溝部の上面に形成される前記非磁
性酸化膜の上面厚との成膜比（側面厚／上面厚）が０．
２５以上であることを特徴とする請求項４に記載の磁気
ヘッド。
【請求項６】磁気コアに形成された磁気記録媒体の摺
動面と、この摺動面に少なくとも磁性膜とギャップ材を配置して
形成される磁気ギャップと、この磁気ギャップの一端部又は両端部に対して配置され
た溝部と、を有する磁気ヘッドであって、前記溝部のアスペクト比（溝の深さ／溝幅）が１を超え
るように形成されていると共に、前記溝部には、ＣＶＤ
（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法で非磁性酸化膜が形成されていることを特徴とす
る磁気ヘッド。