JP2002057009A - 抵抗器の製造方法および抵抗器 - Google Patents
抵抗器の製造方法および抵抗器Info
- Publication number
- JP2002057009A JP2002057009A JP2000239076A JP2000239076A JP2002057009A JP 2002057009 A JP2002057009 A JP 2002057009A JP 2000239076 A JP2000239076 A JP 2000239076A JP 2000239076 A JP2000239076 A JP 2000239076A JP 2002057009 A JP2002057009 A JP 2002057009A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- alloy
- resistance
- shunt resistor
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- UTICYDQJEHVLJZ-UHFFFAOYSA-N copper manganese nickel Chemical compound [Mn].[Ni].[Cu] UTICYDQJEHVLJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 claims description 4
- UPHIPHFJVNKLMR-UHFFFAOYSA-N chromium iron Chemical compound [Cr].[Fe] UPHIPHFJVNKLMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N gold silver Chemical compound [Ag].[Au] PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GDYSGADCPFFZJM-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Pt].[Au] Chemical compound [Ag].[Pt].[Au] GDYSGADCPFFZJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 229910002482 Cu–Ni Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- JUWSSMXCCAMYGX-UHFFFAOYSA-N gold platinum Chemical compound [Pt].[Au] JUWSSMXCCAMYGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 特性の良好な大電流測定用のシャント抵抗器
およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 シャント抵抗器１００は、１１０に示す
貴金属合金あるいは金属合金から作製される抵抗体およ
び１２１と１２２に示す高伝導性の電極および１３１と
１３２に示す溶融はんだ材から構成され、抵抗体１１０
と電極１２１と１２２は強固に接合されており、抵抗体
には抵抗調整用の切り込みがない。そのためシャント抵
抗器１００は、低抵抗値を示し、ＴＣＲ値、抵抗値変化
率が小さく、大電流を精度よく測定するのに適してい
る。
およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 シャント抵抗器１００は、１１０に示す
貴金属合金あるいは金属合金から作製される抵抗体およ
び１２１と１２２に示す高伝導性の電極および１３１と
１３２に示す溶融はんだ材から構成され、抵抗体１１０
と電極１２１と１２２は強固に接合されており、抵抗体
には抵抗調整用の切り込みがない。そのためシャント抵
抗器１００は、低抵抗値を示し、ＴＣＲ値、抵抗値変化
率が小さく、大電流を精度よく測定するのに適してい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、抵抗器およびその
製造方法に関し、例えば、高電流検出に適する低抵抗素
子部と導電率の高い金属導体よりなる電極を有する抵抗
器およびその製造方法に関する。
製造方法に関し、例えば、高電流検出に適する低抵抗素
子部と導電率の高い金属導体よりなる電極を有する抵抗
器およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】大電流の検出用にミリオーム程度の極め
て抵抗値が小さい抵抗器（シャント抵抗器）を用いるこ
とは良く知られている。このシャント抵抗器を用いた大
電流Ｉ（Ａ）の検出では、既知の低抵抗値を有し、抵抗
値の変動が小さいシャント抵抗器Ｒ（Ω）に、高電流Ｉ
（Ａ）を流した時のシャント抵抗器の両端における電圧
降下Ｖ（Ｖ）を測定し、Ｉ＝Ｖ／Ｒを用いて電流値Ｉ
（Ａ）を算出する。
て抵抗値が小さい抵抗器（シャント抵抗器）を用いるこ
とは良く知られている。このシャント抵抗器を用いた大
電流Ｉ（Ａ）の検出では、既知の低抵抗値を有し、抵抗
値の変動が小さいシャント抵抗器Ｒ（Ω）に、高電流Ｉ
（Ａ）を流した時のシャント抵抗器の両端における電圧
降下Ｖ（Ｖ）を測定し、Ｉ＝Ｖ／Ｒを用いて電流値Ｉ
（Ａ）を算出する。
【０００３】シャント抵抗器の一例を図７に示す。シャ
ント抵抗器１０００は、金属製の抵抗部１４００および
２つの電極部１１００から構成されている。抵抗部１４
００は、例えば、Ｃｕ−Ｎｉ合金（例えば、ＣＮ４９
Ｒ）などの金属合金が用いられる。電極１１００には、
はんだ付け性を考慮してはんだめっき１２００が施され
ている。
ント抵抗器１０００は、金属製の抵抗部１４００および
２つの電極部１１００から構成されている。抵抗部１４
００は、例えば、Ｃｕ−Ｎｉ合金（例えば、ＣＮ４９
Ｒ）などの金属合金が用いられる。電極１１００には、
はんだ付け性を考慮してはんだめっき１２００が施され
ている。
【０００４】ここで、シャント抵抗器の特性は、抵抗の
温度係数（ＴＣＲ：Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆ
ｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）やシャ
ント抵抗器を所定条件下で長時間使用した場合（例え
ば、１０００時間）の使用前後における抵抗値変化（寿
命試験）などを用いて評価される。
温度係数（ＴＣＲ：Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆ
ｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）やシャ
ント抵抗器を所定条件下で長時間使用した場合（例え
ば、１０００時間）の使用前後における抵抗値変化（寿
命試験）などを用いて評価される。
【０００５】ここで、抵抗の温度係数（ＴＣＲ）は、
（１）式で求められ、１０００時間の寿命試験前後の抵
抗値変化ΔＲ／Ｒは、（２）式を用いて評価される。
（１）式で求められ、１０００時間の寿命試験前後の抵
抗値変化ΔＲ／Ｒは、（２）式を用いて評価される。
【０００６】 ＴＣＲ＝（（Ｒ１−Ｒ０）／Ｒ０）×（１／（Ｔ１−Ｔ０）） （１） Ｒ１：測定温度Ｔ１における抵抗値（Ω）、Ｔ１：測定
温度 Ｒ０：基準温度Ｔ０における抵抗値（Ω）、Ｔ０：基準
温度 ΔＲ／Ｒ＝（Ｒ１０００−Ｒ０）／Ｒ０ （２） Ｒ１０００：１０００時間の寿命試験後の抵抗値（Ω） Ｒ０ ：寿命試験前の抵抗値（Ω） また、シャント抵抗器をプリント配線板などに実装する
ためには、シャント抵抗器を小型化し、高密度実装に適
した構造にすることが必要である。
温度 Ｒ０：基準温度Ｔ０における抵抗値（Ω）、Ｔ０：基準
温度 ΔＲ／Ｒ＝（Ｒ１０００−Ｒ０）／Ｒ０ （２） Ｒ１０００：１０００時間の寿命試験後の抵抗値（Ω） Ｒ０ ：寿命試験前の抵抗値（Ω） また、シャント抵抗器をプリント配線板などに実装する
ためには、シャント抵抗器を小型化し、高密度実装に適
した構造にすることが必要である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、シャント抵
抗器を用いて大電流を精度よく測定するためには、シャ
ント抵抗器の特性である設定した抵抗の温度係数に限り
なく近づけたり、使用時の抵抗の経時変化を小さくする
必要がある。また、大電流を流したときの電流に対する
抵抗値変化を小さくして電圧（Ｖ）−電流（Ｉ）特性を
良くする必要がある。
抗器を用いて大電流を精度よく測定するためには、シャ
ント抵抗器の特性である設定した抵抗の温度係数に限り
なく近づけたり、使用時の抵抗の経時変化を小さくする
必要がある。また、大電流を流したときの電流に対する
抵抗値変化を小さくして電圧（Ｖ）−電流（Ｉ）特性を
良くする必要がある。
【０００８】図７に示すシャント抵抗器１０００では、
所定の抵抗値とするためにレーザ加工機などを用いて１
３００で示される切り込みが抵抗部１４００中に数カ所
入れられている。この切り込み１３００は、抵抗調整に
は必要であるが、シャント抵抗器１０００の特性を劣化
させる原因となっている。
所定の抵抗値とするためにレーザ加工機などを用いて１
３００で示される切り込みが抵抗部１４００中に数カ所
入れられている。この切り込み１３００は、抵抗調整に
は必要であるが、シャント抵抗器１０００の特性を劣化
させる原因となっている。
【０００９】本発明は、上述の問題点を解決するために
なされたものであり、その目的は、特性の良好な大電流
測定用のシャント抵抗器およびその製造方法を提供する
ことである。
なされたものであり、その目的は、特性の良好な大電流
測定用のシャント抵抗器およびその製造方法を提供する
ことである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の抵抗器の製造方法は、以下の構成を有する。
すなわち、抵抗用合金からなる抵抗体と、高導電率の金
属からなる電極とを有する抵抗器の製造方法であって、
略板状の前記抵抗用合金と略板状の前記高導電率の金属
とを積層し、前記抵抗用合金と前記金属との接触界面を
接合して接合体を形成する接合工程と、前記接合体の金
属面の所定範囲を、前記金属面から前記接触界面まで除
去して前記金属を少なくとも２分割して前記電極を形成
する除去工程と、前記接合体を分割して複数の抵抗器を
形成する分割工程と、を有することを特徴とする。
の本発明の抵抗器の製造方法は、以下の構成を有する。
すなわち、抵抗用合金からなる抵抗体と、高導電率の金
属からなる電極とを有する抵抗器の製造方法であって、
略板状の前記抵抗用合金と略板状の前記高導電率の金属
とを積層し、前記抵抗用合金と前記金属との接触界面を
接合して接合体を形成する接合工程と、前記接合体の金
属面の所定範囲を、前記金属面から前記接触界面まで除
去して前記金属を少なくとも２分割して前記電極を形成
する除去工程と、前記接合体を分割して複数の抵抗器を
形成する分割工程と、を有することを特徴とする。
【００１１】また例えば、さらに、前記電極にはんだ層
を形成する工程を有することを特徴とする。
を形成する工程を有することを特徴とする。
【００１２】また例えば、さらに、形成された抵抗器の
抵抗値を調整する工程を有することを特徴とする。
抵抗値を調整する工程を有することを特徴とする。
【００１３】また例えば、前記抵抗用合金は、銅・ニッ
ケル合金、ニッケル・クロム合金、鉄・クロム合金、マ
ンガン・銅・ニッケル合金、白金・パラジウム・銀合
金、金・銀合金、金・白金・銀合金、のいずれかである
ことを特徴とする。
ケル合金、ニッケル・クロム合金、鉄・クロム合金、マ
ンガン・銅・ニッケル合金、白金・パラジウム・銀合
金、金・銀合金、金・白金・銀合金、のいずれかである
ことを特徴とする。
【００１４】また例えば、前記電極は、銅または銅を含
む合金であることを特徴とする。
む合金であることを特徴とする。
【００１５】また、上記目的を達成するための本発明の
抵抗器は、以下の構成を有する。すなわち、高導電率の
金属によりなる互いに分離した少なくとも２つの電極
と、前記電極に電気的かつ機械的に結合された、略板状
の抵抗用合金からなる抵抗部と、を有する。
抵抗器は、以下の構成を有する。すなわち、高導電率の
金属によりなる互いに分離した少なくとも２つの電極
と、前記電極に電気的かつ機械的に結合された、略板状
の抵抗用合金からなる抵抗部と、を有する。
【００１６】また例えば、前記抵抗用合金は、銅・ニッ
ケル合金、ニッケル・クロム合金、鉄・クロム合金、マ
ンガン・銅・ニッケル合金、白金・パラジウム・銀合
金、金・銀合金、金・白金・銀合金、のいずれかである
ことを特徴とする。
ケル合金、ニッケル・クロム合金、鉄・クロム合金、マ
ンガン・銅・ニッケル合金、白金・パラジウム・銀合
金、金・銀合金、金・白金・銀合金、のいずれかである
ことを特徴とする。
【００１７】また例えば、前記電極は、銅または銅を含
む合金であることを特徴とする。
む合金であることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して、本発明
の好適な実施の形態であるシャント抵抗器１００および
シャント抵抗器１００の作製方法を詳細に説明する。
の好適な実施の形態であるシャント抵抗器１００および
シャント抵抗器１００の作製方法を詳細に説明する。
【００１９】なお、本実施の形態に記載されているシャ
ント抵抗器の抵抗体として用いられる合金組成は、一例
であり、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範
囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、作製す
るシャント抵抗器の必要特性や仕様に応じて決定される
ものである。
ント抵抗器の抵抗体として用いられる合金組成は、一例
であり、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範
囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、作製す
るシャント抵抗器の必要特性や仕様に応じて決定される
ものである。
【００２０】［シャント抵抗器の構造］図１に、基板１
４０の導体パターン上にはんだ付けされた本実施の形態
であるシャント抵抗器１００を示す。シャント抵抗器１
００は、１１０の金属製の抵抗体、接続端子である電極
１２１および１２２から構成されている。
４０の導体パターン上にはんだ付けされた本実施の形態
であるシャント抵抗器１００を示す。シャント抵抗器１
００は、１１０の金属製の抵抗体、接続端子である電極
１２１および１２２から構成されている。
【００２１】シャント抵抗器１００は、１つの直方体形
状を有する抵抗体１１０に２つの直方体形状の電極１２
１と１２２を図１に示すように接合した構造である。抵
抗体の厚さは、約１００〜１０００μｍである。また、
各電極の厚さは、約１０〜３００μｍである。また、各
電極の表面には、約２〜１０μｍのはんだ膜が形成され
ている。
状を有する抵抗体１１０に２つの直方体形状の電極１２
１と１２２を図１に示すように接合した構造である。抵
抗体の厚さは、約１００〜１０００μｍである。また、
各電極の厚さは、約１０〜３００μｍである。また、各
電極の表面には、約２〜１０μｍのはんだ膜が形成され
ている。
【００２２】シャント抵抗器１００は、放熱しやすいよ
うに設計されており、プリント配線板などに実装する際
の基板１４０としては、例えばアルミ基板などが用いら
れ、その基板１４０もヒートシンクなどに接続された構
造となっている。
うに設計されており、プリント配線板などに実装する際
の基板１４０としては、例えばアルミ基板などが用いら
れ、その基板１４０もヒートシンクなどに接続された構
造となっている。
【００２３】すなわち、高電流を測定したときにシャン
ト抵抗器１００に発生する熱は、基板１４０方向に伝達
されるために、シャント抵抗器１００と基板１４０との
接合面が重要であり、シャント抵抗器１００は、基板１
４０との接合面である電極１２１、１２２に熱伝導の良
い銅の厚板を用い、接合面積を大きく取ることを特徴と
している。
ト抵抗器１００に発生する熱は、基板１４０方向に伝達
されるために、シャント抵抗器１００と基板１４０との
接合面が重要であり、シャント抵抗器１００は、基板１
４０との接合面である電極１２１、１２２に熱伝導の良
い銅の厚板を用い、接合面積を大きく取ることを特徴と
している。
【００２４】また、高電流を測定するときの電流は、基
板１４０のパターンよりシャント抵抗器１００の一方の
電極１２１を介して抵抗体１１０に流れ、さらに抵抗体
１１０から他の１つの電極１２２へと流れる。また、高
電流を流したときの電極１２１と電極１２２間、すなわ
ちシャント抵抗器１００の両端における電圧降下を測定
する。このため図１の構造を有するシャント抵抗器１０
０は、大電流での使用が可能である。
板１４０のパターンよりシャント抵抗器１００の一方の
電極１２１を介して抵抗体１１０に流れ、さらに抵抗体
１１０から他の１つの電極１２２へと流れる。また、高
電流を流したときの電極１２１と電極１２２間、すなわ
ちシャント抵抗器１００の両端における電圧降下を測定
する。このため図１の構造を有するシャント抵抗器１０
０は、大電流での使用が可能である。
【００２５】抵抗体１１０用材料としては、例えば、Ｃ
ｕ−Ｎｉ合金（ＣＮ４９Ｒなど）や図４に示す各種金属
合金および各種貴金属合金が用いられ、仕様に応じて決
定される比抵抗、ＴＣＲ、抵抗値変化などの各種特性に
適合する金属合金や貴金属合金などが図４より適宜選択
されて使用される。また図４以外にも、例えば、マンガ
ン・銅・ニッケル合金などを使用しても良い。
ｕ−Ｎｉ合金（ＣＮ４９Ｒなど）や図４に示す各種金属
合金および各種貴金属合金が用いられ、仕様に応じて決
定される比抵抗、ＴＣＲ、抵抗値変化などの各種特性に
適合する金属合金や貴金属合金などが図４より適宜選択
されて使用される。また図４以外にも、例えば、マンガ
ン・銅・ニッケル合金などを使用しても良い。
【００２６】また、図４に示すように、貴金属合金を使
用する場合には、約２〜約７μΩ・ｃｍと極めて低い電
気抵抗を有する抵抗体１１０が得られ、例えば、これら
の貴金属合金を抵抗体１１０として使用する場合には、
図１に示す構造のシャント抵抗器１００の抵抗値は、約
０．０４〜０．１５ｍΩとなる。
用する場合には、約２〜約７μΩ・ｃｍと極めて低い電
気抵抗を有する抵抗体１１０が得られ、例えば、これら
の貴金属合金を抵抗体１１０として使用する場合には、
図１に示す構造のシャント抵抗器１００の抵抗値は、約
０．０４〜０．１５ｍΩとなる。
【００２７】また電極１２１および１２２の材料として
は、電気抵抗が抵抗体１１０に比べて小さい銅材料（例
えば、１．５μΩ・ｃｍ程度）が用いられ、抵抗体１１
０と電極１２１あるい抵抗体１１０と電極１２２とはク
ラッド接合により接合される。２つの電極１２１および
１２２の電極面は、高電流を測定する際に発生する熱を
放熱しやすくするため、基板１４０方向に熱が伝達され
やすいように電極面積を広くとるように設計されてお
り、熱伝導性の良い銅の厚板を用い、接合面積を大きく
取ることを特徴としている。
は、電気抵抗が抵抗体１１０に比べて小さい銅材料（例
えば、１．５μΩ・ｃｍ程度）が用いられ、抵抗体１１
０と電極１２１あるい抵抗体１１０と電極１２２とはク
ラッド接合により接合される。２つの電極１２１および
１２２の電極面は、高電流を測定する際に発生する熱を
放熱しやすくするため、基板１４０方向に熱が伝達され
やすいように電極面積を広くとるように設計されてお
り、熱伝導性の良い銅の厚板を用い、接合面積を大きく
取ることを特徴としている。
【００２８】また電極１２１および１２２の表面には、
基板の導体パターンへのはんだ付け性を向上するため
に、例えば、溶融はんだ材（Ｓｎ：Ｐｂ＝９：１）また
は鉛フリーはんだ材の膜１３１および１３２が形成され
ている。溶融はんだ材は、銅材の電極１２１または１２
２との間に拡散層を有するため、電極の接合強度および
電気的信頼性は、向上する。
基板の導体パターンへのはんだ付け性を向上するため
に、例えば、溶融はんだ材（Ｓｎ：Ｐｂ＝９：１）また
は鉛フリーはんだ材の膜１３１および１３２が形成され
ている。溶融はんだ材は、銅材の電極１２１または１２
２との間に拡散層を有するため、電極の接合強度および
電気的信頼性は、向上する。
【００２９】なお、シャント抵抗器１００の特徴は、抵
抗体１１０が平板からなる単純構造となっており、従来
のシャント抵抗器１０００に見られるような切れ込み１
３００が無い点である。このように抵抗体１１０中に切
れ込みがないため、大電流を流したときの電流経路が安
定し、抵抗値変化（ΔＲ／Ｒ）は、約０．１％以下に抑
えることができ、切れ込みがある場合の抵抗値変化（Δ
Ｒ／Ｒ）数〜２０％に比べて抵抗値変化を１／数１０〜
１／２００程度に低減できる。
抗体１１０が平板からなる単純構造となっており、従来
のシャント抵抗器１０００に見られるような切れ込み１
３００が無い点である。このように抵抗体１１０中に切
れ込みがないため、大電流を流したときの電流経路が安
定し、抵抗値変化（ΔＲ／Ｒ）は、約０．１％以下に抑
えることができ、切れ込みがある場合の抵抗値変化（Δ
Ｒ／Ｒ）数〜２０％に比べて抵抗値変化を１／数１０〜
１／２００程度に低減できる。
【００３０】また、抵抗体１１０に約２〜７μΩ・ｃｍ
の極めて低い電気抵抗を有する貴金属合金を使用する
と、シャント抵抗器１００の抵抗値は、約０．０４〜
０．１５ｍΩとなるため、高電流の測定に適したシャン
ト抵抗器が得られる。
の極めて低い電気抵抗を有する貴金属合金を使用する
と、シャント抵抗器１００の抵抗値は、約０．０４〜
０．１５ｍΩとなるため、高電流の測定に適したシャン
ト抵抗器が得られる。
【００３１】［シャント抵抗器の作製方法］次に、図２
および図３を用いて、シャント抵抗器１００の作製方法
について以下に説明する。図２は、シャント抵抗器１０
０の作製方法の一例を示すものであり、図３は、図２の
各作製工程で用いられる各素材や作製されるシャント抵
抗器１００の形状を示したものである。
および図３を用いて、シャント抵抗器１００の作製方法
について以下に説明する。図２は、シャント抵抗器１０
０の作製方法の一例を示すものであり、図３は、図２の
各作製工程で用いられる各素材や作製されるシャント抵
抗器１００の形状を示したものである。
【００３２】図２において、電極材の銅合金２３０とし
ては、例えば、比抵抗約１．５μΩ・ｃｍの銅材が選択
され、素材加工２４０工程において、所定の寸法に加工
される。
ては、例えば、比抵抗約１．５μΩ・ｃｍの銅材が選択
され、素材加工２４０工程において、所定の寸法に加工
される。
【００３３】また、抵抗材の合金２１０としては、例え
ば、図４に示す所定の比抵抗を有する各種金属合金や各
種貴金属合金の中から用途や仕様に応じて選択され、素
材加工２２０工程において、所定の寸法に加工される。
ば、図４に示す所定の比抵抗を有する各種金属合金や各
種貴金属合金の中から用途や仕様に応じて選択され、素
材加工２２０工程において、所定の寸法に加工される。
【００３４】次に、図３の１２０に示す銅材と１１０に
示す抵抗体、例えば、貴金属合金とが接合２５０工程に
てクラッド接合される。この接合体３１０における抵抗
体１１０と電極１２０の界面は、拡散層により強固に結
合されているため、抵抗体１１０と電極１２０との接合
強度および電気的信頼性は向上する。
示す抵抗体、例えば、貴金属合金とが接合２５０工程に
てクラッド接合される。この接合体３１０における抵抗
体１１０と電極１２０の界面は、拡散層により強固に結
合されているため、抵抗体１１０と電極１２０との接合
強度および電気的信頼性は向上する。
【００３５】次に、接合体３１０は、電極加工２６０工
程にて、図３の３２０に示す所定の形状の接合体となる
ように電極１２０の一部が除去される。例えば、切削装
置を用いて、図３の３２０に示す電極１２０の中央部分
１２３が抵抗体１１０が露出するまで除去され、電極１
２０は、１２１と１２２に分割される。電極１２１と電
極１２２の厚さは、約１０〜３００μｍである。また、
抵抗体１１０の厚さは、約１００〜１０００μｍであ
る。
程にて、図３の３２０に示す所定の形状の接合体となる
ように電極１２０の一部が除去される。例えば、切削装
置を用いて、図３の３２０に示す電極１２０の中央部分
１２３が抵抗体１１０が露出するまで除去され、電極１
２０は、１２１と１２２に分割される。電極１２１と電
極１２２の厚さは、約１０〜３００μｍである。また、
抵抗体１１０の厚さは、約１００〜１０００μｍであ
る。
【００３６】次に、接合体３２０は、溶融はんだ加工２
７０工程にて、電極１２１と電極１２２の表面に１３１
と１３２で示す約２〜１０μｍのはんだ膜が形成され、
接合体３３０を得る。この時使用されるはんだとして
は、例えば、溶融はんだ材（Ｓｎ：Ｐｂ＝９：１）ある
いは、鉛フリーはんだ材などが用いられる。
７０工程にて、電極１２１と電極１２２の表面に１３１
と１３２で示す約２〜１０μｍのはんだ膜が形成され、
接合体３３０を得る。この時使用されるはんだとして
は、例えば、溶融はんだ材（Ｓｎ：Ｐｂ＝９：１）ある
いは、鉛フリーはんだ材などが用いられる。
【００３７】この溶融はんだ材と銅材の電極１２０との
間には、拡散層が形成されるため、溶融はんだ材１３１
と電極１２１および溶融はんだ材１３２と電極１２２と
は強固に接合される。そのためそれらの界面の接合強度
は高く電気的信頼性も向上し、さらに、溶融はんだ材１
３１および１３２を介してシャント抵抗器１００をアル
ミ基板１４０の導体パターンにはんだ付けすることが可
能となる。
間には、拡散層が形成されるため、溶融はんだ材１３１
と電極１２１および溶融はんだ材１３２と電極１２２と
は強固に接合される。そのためそれらの界面の接合強度
は高く電気的信頼性も向上し、さらに、溶融はんだ材１
３１および１３２を介してシャント抵抗器１００をアル
ミ基板１４０の導体パターンにはんだ付けすることが可
能となる。
【００３８】次に、接合体３３０は、切断加工２８０工
程にて、レーザ加工機、プレス加工機、ワイヤー放電加
工機、円盤切削機などを用いて、所定の長さに切断さ
れ、３４０に示す所定の寸法を有する接合体、例えば、
厚さ約０．１〜２０ｍｍを得る。
程にて、レーザ加工機、プレス加工機、ワイヤー放電加
工機、円盤切削機などを用いて、所定の長さに切断さ
れ、３４０に示す所定の寸法を有する接合体、例えば、
厚さ約０．１〜２０ｍｍを得る。
【００３９】次に、接合体３４０は、抵抗調整２９０工
程にて、所定の抵抗値を有するように調整される。すな
わち接合体３５０の抵抗値を測定しながら、サンドブラ
スト法など、またはレーザー加工機などの各種切断機を
用いて、接合体３５０の側面部や表面部の一部を除去す
る。その結果、所定の抵抗値を有すシャント抵抗器１０
０が得られる。
程にて、所定の抵抗値を有するように調整される。すな
わち接合体３５０の抵抗値を測定しながら、サンドブラ
スト法など、またはレーザー加工機などの各種切断機を
用いて、接合体３５０の側面部や表面部の一部を除去す
る。その結果、所定の抵抗値を有すシャント抵抗器１０
０が得られる。
【００４０】［シャント抵抗器の諸特性］図４の各種金
属合金および各種貴金属合金を用いて作製したシャント
抵抗器の抵抗値の一例を以下に説明する。例えば、図４
に示す約２〜約７μΩｃｍの低抵抗の貴金属合金を使用
した場合の図１に示す構造のシャント抵抗器の抵抗値
は、約０．０５〜０．１４ｍΩ程度であり、低抵抗値を
有するシャント抵抗器が得られる。
属合金および各種貴金属合金を用いて作製したシャント
抵抗器の抵抗値の一例を以下に説明する。例えば、図４
に示す約２〜約７μΩｃｍの低抵抗の貴金属合金を使用
した場合の図１に示す構造のシャント抵抗器の抵抗値
は、約０．０５〜０．１４ｍΩ程度であり、低抵抗値を
有するシャント抵抗器が得られる。
【００４１】図５に、Ｃｕ−Ｎｉ系合金であるＣＮ４９
を抵抗体１１０として用い図２の本作製方法で作製され
たシャント抵抗器１００のＴＣＲ値および１０００時間
の寿命試験後の抵抗値変化を一例として示す。また、図
５には、比較として図７に示す従来の方法で作製された
シャント抵抗器１０００のＴＣＲ値および１０００時間
の寿命試験後の抵抗値変化を合わせて示す。図５より、
本作製方法で作製されたシャント抵抗器１００は、従来
品に比べてＴＣＲ値が約１／３以下に、抵抗値変化が１
／２０〜１／３０以下に低下し、各々の特性が向上して
いることがわかる。
を抵抗体１１０として用い図２の本作製方法で作製され
たシャント抵抗器１００のＴＣＲ値および１０００時間
の寿命試験後の抵抗値変化を一例として示す。また、図
５には、比較として図７に示す従来の方法で作製された
シャント抵抗器１０００のＴＣＲ値および１０００時間
の寿命試験後の抵抗値変化を合わせて示す。図５より、
本作製方法で作製されたシャント抵抗器１００は、従来
品に比べてＴＣＲ値が約１／３以下に、抵抗値変化が１
／２０〜１／３０以下に低下し、各々の特性が向上して
いることがわかる。
【００４２】ここで、Ｃｕ−Ｎｉ系合金であるＣＮ４９
のＴＣＲ値は、約５０ｐｐｍ／℃であり、シャント抵抗
器１１０のＴＣＲ値に極めて近い。このことから、本製
造方法で製造されるシャント抵抗器１１０は、Ｃｕ−Ｎ
ｉ系合金（ＣＮ４９）がもつ本来のＴＣＲ値をほぼ再現
できる製造方法といえる。また、従来の製造方法で製造
されたシャント抵抗器１０００は、抵抗調整用の切り込
み１４００がＣｕ−Ｎｉ系合金（ＣＮ４９）の本来のＴ
ＣＲ値を発現できない阻害要因として働いているといえ
る。
のＴＣＲ値は、約５０ｐｐｍ／℃であり、シャント抵抗
器１１０のＴＣＲ値に極めて近い。このことから、本製
造方法で製造されるシャント抵抗器１１０は、Ｃｕ−Ｎ
ｉ系合金（ＣＮ４９）がもつ本来のＴＣＲ値をほぼ再現
できる製造方法といえる。また、従来の製造方法で製造
されたシャント抵抗器１０００は、抵抗調整用の切り込
み１４００がＣｕ−Ｎｉ系合金（ＣＮ４９）の本来のＴ
ＣＲ値を発現できない阻害要因として働いているといえ
る。
【００４３】なお、図５には示さなかったが、シャント
抵抗器１００の抵抗体として図４に示す各金属合金また
は各基金属合金を抵抗体１１０として用いてＴＣＲ値お
よび１０００時間の寿命試験後の抵抗値変化を行った。
その結果も図５とほぼ同様のＴＣＲ値や抵抗値変化値が
得られた。これらのことから、図４に示す各金属合金ま
たは各基金属合金を抵抗体１１０として用い、図２の作
製方法によって作製されたたシャント抵抗器１００は優
れたＴＣＲ値や抵抗値変化値が得られることがわかる。
抵抗器１００の抵抗体として図４に示す各金属合金また
は各基金属合金を抵抗体１１０として用いてＴＣＲ値お
よび１０００時間の寿命試験後の抵抗値変化を行った。
その結果も図５とほぼ同様のＴＣＲ値や抵抗値変化値が
得られた。これらのことから、図４に示す各金属合金ま
たは各基金属合金を抵抗体１１０として用い、図２の作
製方法によって作製されたたシャント抵抗器１００は優
れたＴＣＲ値や抵抗値変化値が得られることがわかる。
【００４４】また、図６に、図５で示した本実施の形態
であるシャント抵抗器１００と従来例のシャント抵抗器
１０００との電圧（Ｖ）−電流（Ｉ）特性を測定した結
果を示す。図６の結果より、抵抗体１１０に切り込みが
無いシャント抵抗器１００の電流値の増加に伴う抵抗値
の変化は、０．１％以下に抑えることができ、優れた電
圧（Ｖ）−電流（Ｉ）特性が得られた。
であるシャント抵抗器１００と従来例のシャント抵抗器
１０００との電圧（Ｖ）−電流（Ｉ）特性を測定した結
果を示す。図６の結果より、抵抗体１１０に切り込みが
無いシャント抵抗器１００の電流値の増加に伴う抵抗値
の変化は、０．１％以下に抑えることができ、優れた電
圧（Ｖ）−電流（Ｉ）特性が得られた。
【００４５】一方、抵抗体に切り込みが多数あるシャン
ト抵抗器１０００では、電流値の増加に伴い抵抗値が数
％から２０％も増加し、大電流を流したときの抵抗値の
変化が大きい。これは、切り込みがあると電流経路が安
定しないためである。このことから、大電流を流したと
きのシャント抵抗器の抵抗値変化を小さくするために
は、切り込みの無い形状が望ましいことがわかる。
ト抵抗器１０００では、電流値の増加に伴い抵抗値が数
％から２０％も増加し、大電流を流したときの抵抗値の
変化が大きい。これは、切り込みがあると電流経路が安
定しないためである。このことから、大電流を流したと
きのシャント抵抗器の抵抗値変化を小さくするために
は、切り込みの無い形状が望ましいことがわかる。
【００４６】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、シャント抵抗器を作製する際に貴金属合金などの低
抵抗材料を抵抗体として用い、抵抗体中にさらに抵抗調
整用の切り込みを入れないでシャント抵抗器を作製する
ことにより、低抵抗で高電流の測定に適した電流経路を
有する抵抗変化率の小さなシャント抵抗器が提供ができ
る。
ば、シャント抵抗器を作製する際に貴金属合金などの低
抵抗材料を抵抗体として用い、抵抗体中にさらに抵抗調
整用の切り込みを入れないでシャント抵抗器を作製する
ことにより、低抵抗で高電流の測定に適した電流経路を
有する抵抗変化率の小さなシャント抵抗器が提供ができ
る。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により特性
の良好な大電流測定用のシャント抵抗器およびその製造
方法を提供することができる。
の良好な大電流測定用のシャント抵抗器およびその製造
方法を提供することができる。
【図１】本発明の一実施形態であるシャント抵抗器の概
略構造図である。
略構造図である。
【図２】シャント抵抗器の作製方法を示す図である。
【図３】シャント抵抗器の各製造工程における接合体の
形状を示す図である。
形状を示す図である。
【図４】抵抗体の種類を示す図である。
【図５】シャント抵抗器のＴＣＲ値及び寿命試験後の抵
抗値変化を比較した図である。
抗値変化を比較した図である。
【図６】シャント抵抗器のＶ−Ｉ特性を比較した図であ
る。
る。
【図７】従来の切れ込みが入ったシャント抵抗器の概略
構造図である。
構造図である。
１００ シャント抵抗器 １１０ 抵抗体 １２１ 電極 １２２ 電極 １３１ 溶融はんだ材 １３２ 溶融はんだ材 １４０ 基板
Claims (8)
- 【請求項１】 抵抗用合金からなる抵抗体と、高導電率
の金属からなる電極とを有する抵抗器の製造方法であっ
て、 略板状の前記抵抗用合金と略板状の前記高導電率の金属
とを積層し、前記抵抗用合金と前記金属との接触界面を
接合して接合体を形成する接合工程と、 前記接合体の金属面の所定範囲を、前記金属面から前記
接触界面まで除去して前記金属を少なくとも２分割して
前記電極を形成する除去工程と、 前記接合体を分割して複数の抵抗器を形成する分割工程
と、を有することを特徴とする抵抗器の製造方法。 - 【請求項２】 さらに、前記電極にはんだ層を形成す
る工程を有することを特徴とする請求項１に記載の抵抗
器の製造方法。 - 【請求項３】 さらに、形成された抵抗器の抵抗値を
調整する工程を有することを特徴とする請求項１または
請求項２に記載の抵抗器の製造方法。 - 【請求項４】 前記抵抗用合金は、銅・ニッケル合金、
ニッケル・クロム合金、鉄・クロム合金、マンガン・銅
・ニッケル合金、白金・パラジウム・銀合金、金・銀合
金、金・白金・銀合金、のいずれかであることを特徴と
する請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の抵抗
器の製造方法。 - 【請求項５】 前記電極は、銅または銅を含む合金であ
ることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１
項に記載の抵抗器の製造方法。 - 【請求項６】 高導電率の金属によりなる互いに分離し
た少なくとも２つの電極と、 前記電極に電気的かつ機械的に結合された、略板状の抵
抗用合金からなる抵抗部と、を有する抵抗器。 - 【請求項７】 前記抵抗用合金は、銅・ニッケル合金、
ニッケル・クロム合金、鉄・クロム合金、マンガン・銅
・ニッケル合金、白金・パラジウム・銀合金、金・銀合
金、金・白金・銀合金、のいずれかであることを特徴と
する請求項６に記載の抵抗器。 - 【請求項８】 前記電極は、銅または銅を含む合金であ
ることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の抵
抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000239076A JP4138215B2 (ja) | 2000-08-07 | 2000-08-07 | チップ抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000239076A JP4138215B2 (ja) | 2000-08-07 | 2000-08-07 | チップ抵抗器の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007010798A Division JP4189005B2 (ja) | 2007-01-19 | 2007-01-19 | チップ抵抗器 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002057009A true JP2002057009A (ja) | 2002-02-22 |
| JP2002057009A5 JP2002057009A5 (ja) | 2007-03-15 |
| JP4138215B2 JP4138215B2 (ja) | 2008-08-27 |
Family
ID=18730674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000239076A Expired - Fee Related JP4138215B2 (ja) | 2000-08-07 | 2000-08-07 | チップ抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4138215B2 (ja) |
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003100501A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 表面実装用抵抗器及びその製造方法 |
| WO2004010440A1 (ja) * | 2002-07-24 | 2004-01-29 | Rohm Co., Ltd. | チップ抵抗器およびその製造方法 |
| WO2004090915A1 (ja) * | 2003-04-08 | 2004-10-21 | Rohm Co. Ltd. | チップ抵抗器およびその製造方法 |
| US7129814B2 (en) | 2003-04-28 | 2006-10-31 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method of making the same |
| JP2006332413A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器およびその製造方法 |
| JP2007049071A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器とその製造方法 |
| JP2007049070A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器の製造方法 |
| US7193499B2 (en) | 2003-04-28 | 2007-03-20 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method of making the same |
| JP2008010895A (ja) * | 2007-09-27 | 2008-01-17 | Rohm Co Ltd | 低い抵抗値を有するチップ抵抗器の製造方法 |
| US7326999B2 (en) | 2003-04-16 | 2008-02-05 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method for manufacturing same |
| US7342480B2 (en) | 2002-06-13 | 2008-03-11 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method of making same |
| JP2009130977A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Mitsubishi Electric Corp | サーボモータ制御装置 |
| JP2009194316A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Kamaya Denki Kk | 抵抗金属板低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法 |
| US7612429B2 (en) | 2002-10-31 | 2009-11-03 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor, process for producing the same, and frame for use therein |
| WO2009145133A1 (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-03 | コーア株式会社 | 抵抗器 |
| US7667568B2 (en) | 2004-03-24 | 2010-02-23 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and manufacturing method thereof |
| JP2010135522A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Koa Corp | 電流検出用抵抗器の実装基板 |
| US8044765B2 (en) | 2007-12-17 | 2011-10-25 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method of making the same |
| DE102012004110A1 (de) | 2011-03-03 | 2012-09-06 | Koa Corp. | Verfahren zur Herstellung eines Widerstands |
| JP2012227360A (ja) * | 2011-04-20 | 2012-11-15 | Panasonic Corp | チップ型抵抗器およびその製造方法 |
| JP2013030795A (ja) * | 2012-10-01 | 2013-02-07 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器およびその製造方法 |
| JP2014078538A (ja) * | 2012-10-08 | 2014-05-01 | Denso Corp | シャント抵抗器およびその実装方法 |
| WO2014155841A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | コーア株式会社 | 抵抗器の製造方法及び抵抗器 |
| US9305685B2 (en) | 2013-07-17 | 2016-04-05 | Rohm Co. Ltd. | Chip resistor and mounting structure thereof |
| US9437352B2 (en) | 2012-03-26 | 2016-09-06 | Koa Corporation | Resistor and structure for mounting same |
| US9625494B2 (en) | 2012-09-07 | 2017-04-18 | Koa Corporation | Current detection resistor |
| DE112020006622T5 (de) | 2020-01-27 | 2022-11-10 | Koa Corporation | Widerstand |
| DE112020006627T5 (de) | 2020-01-27 | 2022-12-01 | Koa Corporation | Herstellungsverfahren für einen widerstand und widerstand |
| DE112022001712T5 (de) | 2021-03-25 | 2024-01-11 | Koa Corporation | Widerstand und verfahren zur herstellung des widerstands |
| WO2024111494A1 (ja) * | 2022-11-22 | 2024-05-30 | 株式会社大真空 | 薄板サーミスタおよび薄板サーミスタ搭載型圧電振動デバイス |
-
2000
- 2000-08-07 JP JP2000239076A patent/JP4138215B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003100501A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 表面実装用抵抗器及びその製造方法 |
| US7342480B2 (en) | 2002-06-13 | 2008-03-11 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method of making same |
| KR100764617B1 (ko) * | 2002-07-24 | 2007-10-08 | 롬 가부시키가이샤 | 칩 저항기 및 그 제조 방법 |
| WO2004010440A1 (ja) * | 2002-07-24 | 2004-01-29 | Rohm Co., Ltd. | チップ抵抗器およびその製造方法 |
| US7755468B2 (en) | 2002-07-24 | 2010-07-13 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and manufacturing method therefor |
| US7330099B2 (en) | 2002-07-24 | 2008-02-12 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and manufacturing method therefor |
| US7612429B2 (en) | 2002-10-31 | 2009-11-03 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor, process for producing the same, and frame for use therein |
| WO2004090915A1 (ja) * | 2003-04-08 | 2004-10-21 | Rohm Co. Ltd. | チップ抵抗器およびその製造方法 |
| US7326999B2 (en) | 2003-04-16 | 2008-02-05 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method for manufacturing same |
| US7378937B2 (en) | 2003-04-28 | 2008-05-27 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method of making the same |
| US7129814B2 (en) | 2003-04-28 | 2006-10-31 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method of making the same |
| US7327214B2 (en) | 2003-04-28 | 2008-02-05 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method of making the same |
| CN100350518C (zh) * | 2003-04-28 | 2007-11-21 | 罗姆股份有限公司 | 芯片电阻器及其制造方法 |
| US7193499B2 (en) | 2003-04-28 | 2007-03-20 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method of making the same |
| US7667568B2 (en) | 2004-03-24 | 2010-02-23 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and manufacturing method thereof |
| US8081059B2 (en) * | 2004-03-24 | 2011-12-20 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and manufacturing method thereof |
| JP2006332413A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器およびその製造方法 |
| JP2007049070A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器の製造方法 |
| JP2007049071A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器とその製造方法 |
| JP2008010895A (ja) * | 2007-09-27 | 2008-01-17 | Rohm Co Ltd | 低い抵抗値を有するチップ抵抗器の製造方法 |
| JP2009130977A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Mitsubishi Electric Corp | サーボモータ制御装置 |
| US8044765B2 (en) | 2007-12-17 | 2011-10-25 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method of making the same |
| JP2009194316A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Kamaya Denki Kk | 抵抗金属板低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法 |
| WO2009145133A1 (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-03 | コーア株式会社 | 抵抗器 |
| JP2009289770A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Koa Corp | 抵抗器 |
| DE112009001287T5 (de) | 2008-05-27 | 2011-04-14 | Koa Corp., Ina-shi | Widerstand |
| JP2010135522A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Koa Corp | 電流検出用抵抗器の実装基板 |
| DE102012004110A1 (de) | 2011-03-03 | 2012-09-06 | Koa Corp. | Verfahren zur Herstellung eines Widerstands |
| JP2012227360A (ja) * | 2011-04-20 | 2012-11-15 | Panasonic Corp | チップ型抵抗器およびその製造方法 |
| US9437352B2 (en) | 2012-03-26 | 2016-09-06 | Koa Corporation | Resistor and structure for mounting same |
| US9625494B2 (en) | 2012-09-07 | 2017-04-18 | Koa Corporation | Current detection resistor |
| JP2013030795A (ja) * | 2012-10-01 | 2013-02-07 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器およびその製造方法 |
| JP2014078538A (ja) * | 2012-10-08 | 2014-05-01 | Denso Corp | シャント抵抗器およびその実装方法 |
| WO2014155841A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | コーア株式会社 | 抵抗器の製造方法及び抵抗器 |
| JP2014194961A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Koa Corp | 抵抗器の製造方法及び抵抗器 |
| US9305685B2 (en) | 2013-07-17 | 2016-04-05 | Rohm Co. Ltd. | Chip resistor and mounting structure thereof |
| US9870849B2 (en) | 2013-07-17 | 2018-01-16 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and mounting structure thereof |
| US10083779B2 (en) | 2013-07-17 | 2018-09-25 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and mounting structure thereof |
| DE112020006622T5 (de) | 2020-01-27 | 2022-11-10 | Koa Corporation | Widerstand |
| DE112020006627T5 (de) | 2020-01-27 | 2022-12-01 | Koa Corporation | Herstellungsverfahren für einen widerstand und widerstand |
| US12243667B2 (en) | 2020-01-27 | 2025-03-04 | Koa Corporation | Manufacturing method of resistor and resistor |
| US12424356B2 (en) | 2020-01-27 | 2025-09-23 | Koa Corporation | Resistor |
| DE112022001712T5 (de) | 2021-03-25 | 2024-01-11 | Koa Corporation | Widerstand und verfahren zur herstellung des widerstands |
| WO2024111494A1 (ja) * | 2022-11-22 | 2024-05-30 | 株式会社大真空 | 薄板サーミスタおよび薄板サーミスタ搭載型圧電振動デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4138215B2 (ja) | 2008-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4138215B2 (ja) | チップ抵抗器の製造方法 | |
| USRE39660E1 (en) | Surface mounted four terminal resistor | |
| US7089652B2 (en) | Method of manufacturing flip chip resistor | |
| US5896081A (en) | Resistance temperature detector (RTD) formed with a surface-mount-device (SMD) structure | |
| JP5237299B2 (ja) | 抵抗器（特にｓｍｄ抵抗器）及びその製造方法 | |
| US10181367B2 (en) | Resistor element, method of manufacturing the same, and resistor element assembly | |
| JP7216602B2 (ja) | 電流検出用抵抗器 | |
| JP4189005B2 (ja) | チップ抵抗器 | |
| JP7216603B2 (ja) | 電流検出用抵抗器の実装構造及び電流検出用抵抗器 | |
| JP4712943B2 (ja) | 抵抗器の製造方法および抵抗器 | |
| JP2002184601A (ja) | 抵抗器 | |
| JP6652393B2 (ja) | シャント抵抗器およびシャント抵抗器を用いた電流検出装置 | |
| US20210257174A1 (en) | Chip-type fuse with a metal wire type fusible element and manufacturing method for the same | |
| JP3670593B2 (ja) | 抵抗器を用いる電子部品及びその使用方法 | |
| WO2024111254A1 (ja) | シャント抵抗器 | |
| US20230333143A1 (en) | Jumper element, shunt resistor apparatus, and method of adjusting characteristic of shunt resistor apparatus for current detection | |
| KR20170073400A (ko) | 저항 소자 및 그 실장 기판 | |
| CN113884718A (zh) | 电流检测用电阻器以及电路基板 | |
| JP2025128701A (ja) | 積層型抵抗器 | |
| JP2002075714A (ja) | 低抵抗器及びその製造方法 | |
| JP7779850B2 (ja) | チップ抵抗器及びその製造方法 | |
| JP2005108900A5 (ja) | ||
| JP3215648B2 (ja) | チップ抵抗器の製造方法 | |
| JP2003197403A (ja) | 低抵抗器 | |
| JP2006019669A (ja) | クラッド材を使用した低抵抗器および製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070119 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070119 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20070119 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070119 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080116 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080314 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080509 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080605 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4138215 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130613 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313632 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |