JP2001332041A - Thin film piezoelectric actuator for disk device and method of manufacturing the same - Google Patents
Thin film piezoelectric actuator for disk device and method of manufacturing the sameInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜圧電体アクチュエーターを容易に製造す
ることができ、しかも、薄膜圧電体素子への電源供給の
信頼性を向上させる。
【解決手段】 回転駆動されるディスクに対して少なく
ともデータの再生を行うヘッド(図示せず)を変位させ
るディスク装置用薄膜圧電体アクチュエーター5Aにお
いて、薄膜圧電体用基板1を構成する銅板8の表面に薄
膜圧電体素子4Aを、直接、接着剤10によって導電状
態で接着させる。薄膜圧電体素子4Aが接着される銅板
8の表面には、高低差が0.4μm以上の凹凸形状を付
与する。銅板8の表面凹凸形状を、サンドブラストプロ
セスにより付与する。
(57) Abstract: A thin film piezoelectric actuator can be easily manufactured, and the reliability of power supply to a thin film piezoelectric element is improved. SOLUTION: In a thin film piezoelectric actuator 5A for a disk device for displacing at least a head (not shown) for reproducing data on a rotationally driven disk, a surface of a copper plate 8 constituting a thin film piezoelectric substrate 1 is provided. Then, the thin film piezoelectric element 4A is directly bonded in an electrically conductive state by the adhesive 10. The surface of the copper plate 8 to which the thin-film piezoelectric element 4A is bonded is provided with an uneven shape having a height difference of 0.4 μm or more. The surface unevenness of the copper plate 8 is provided by a sand blast process.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピューターの
記憶装置等として用いられるディスク装置のディスクに
対する情報の記録および再生に使用されるヘッドの支持
機構に関し、特に、ディスク装置に設けられたディスク
に対する情報の記録を高密度化するために最適なヘッド
支持機構として好適に使用される薄膜圧電体アクチュエ
ーターに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a head support mechanism used for recording and reproducing information on and from a disk of a disk device used as a storage device of a computer, and more particularly to information on a disk provided on the disk device. The present invention relates to a thin-film piezoelectric actuator suitably used as an optimal head support mechanism for increasing the recording density of a recording medium.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、ディスク装置に設けられたデ
ィスクへのデータの記録密度は高密度化される傾向にあ
り、特に、磁気ディスク装置に設けられた磁気ディスク
へのデータの記録密度は、日を追う毎に高密度化が進ん
でいる。磁気ディスクに対するデータの記録および再生
に使用される磁気ヘッドは、通常、スライダに搭載され
ており、磁気ヘッドが搭載されたスライダは、磁気ディ
スク装置内に設けられたヘッド支持機構によって支持さ
れている。ヘッド支持機構は、スライダが取り付けられ
たヘッドアクチュエーターアームを有しており、このヘ
ッドアクチュエーターアームが、ボイスコイルモーター
(VCM)によって回動されるようになっている。そし
て、VCMを制御することにより、スライダに搭載され
た磁気ヘッドが、磁気ディスク上の任意の位置に位置決
めされる。2. Description of the Related Art Conventionally, the recording density of data on a disk provided in a disk device has tended to be increased. In particular, the recording density of data on a magnetic disk provided in a magnetic disk device has been increasing. The density is increasing with each passing day. A magnetic head used for recording and reproducing data on and from a magnetic disk is usually mounted on a slider, and the slider on which the magnetic head is mounted is supported by a head support mechanism provided in the magnetic disk device. . The head support mechanism has a head actuator arm to which a slider is attached, and the head actuator arm is rotated by a voice coil motor (VCM). By controlling the VCM, the magnetic head mounted on the slider is positioned at an arbitrary position on the magnetic disk.
【0003】磁気ディスクに対してデータをさらに高密
度で記録するためには、磁気ディスクに対して磁気ヘッ
ドをさらに高精度に位置決めする必要がある。しかしな
がら、このように、VCMにてヘッドアクチュエーター
アームを回動させて磁気ヘッドを位置決めする構成で
は、磁気ヘッドを、より高精度に位置決めできないとい
う問題がある。この問題を解決するために、磁気ヘッド
を磁気ディスクの所定のトラックに対して高精度に位置
決めする技術について、種々の提案がなされている。特
に、近年、電圧を印加することにより伸縮変形する性質
を有する圧電体材料を利用し、磁気ヘッドを微小の範囲
で変位させる薄膜圧電体アクチュエーターが提案されて
いる。以下、薄膜圧電体アクチュエーターを搭載したサ
スペンションの一例について説明する。In order to record data on a magnetic disk at a higher density, it is necessary to position the magnetic head with respect to the magnetic disk with higher precision. However, the configuration in which the magnetic head is positioned by rotating the head actuator arm in the VCM has a problem that the magnetic head cannot be positioned with higher accuracy. In order to solve this problem, various proposals have been made for a technique for positioning a magnetic head with respect to a predetermined track of a magnetic disk with high accuracy. In particular, in recent years, a thin film piezoelectric actuator that displaces a magnetic head in a minute range by using a piezoelectric material having a property of expanding and contracting by applying a voltage has been proposed. Hereinafter, an example of a suspension equipped with a thin film piezoelectric actuator will be described.
【0004】図3は、薄膜圧電体アクチュエーターを搭
載したサスペンションの一例の全体構造を示す斜視図、
図4は、図3のサスペンション25を分解して示す斜視
図である。FIG. 3 is a perspective view showing the overall structure of an example of a suspension on which a thin film piezoelectric actuator is mounted.
FIG. 4 is an exploded perspective view showing the suspension 25 of FIG.
【0005】この薄膜圧電体アクチュエーター5Aおよ
び5Bを搭載したサスペンション25は、磁気ヘッドが
搭載されたスライダ(図示せず)を保持するスライダ保
持板2と、スライダおよびスライダ保持板2を先端部上
に回動可能に支持するロードビーム6と、ロードビーム
6の上でスライダを先端部上に支持して、スライダを回
動させる操作基板としての薄膜圧電体用基板1と、薄膜
圧電体用基板1を保持するステンレス板3と、薄膜圧電
体用基板1の先端側からその基端側にかけて設けられた
第一の配線パターン20と、第一の配線パターン20に
沿って設けられた第二の配線パターン21とを具備して
いる。A suspension 25 on which the thin film piezoelectric actuators 5A and 5B are mounted has a slider holding plate 2 for holding a slider (not shown) on which a magnetic head is mounted, and the slider and the slider holding plate 2 are mounted on the tip. A load beam 6 rotatably supported, a thin-film piezoelectric substrate 1 as an operation substrate for supporting a slider on the distal end on the load beam 6 and rotating the slider, and a thin-film piezoelectric substrate 1 , A first wiring pattern 20 provided from the front end side to the base end side of the thin film piezoelectric substrate 1, and a second wiring provided along the first wiring pattern 20. And a pattern 21.
【0006】ロードビーム6は、正方形状をした基端部
6Aと、基端部6Aから先端側へ先細状に延出したネッ
ク部6Cと、ネック部6Cからさらに先端側へ先細状に
延出したビーム部6Eを有しており、ビーム部6Eの先
端部に設けられた搭載部6G上にスライダ保持板2が搭
載されている。The load beam 6 has a square base portion 6A, a neck portion 6C extending from the base portion 6A toward the distal end, and a taper shape further extending from the neck portion 6C toward the distal end. The slider holding plate 2 is mounted on a mounting portion 6G provided at the tip of the beam portion 6E.
【0007】ロードビーム6における基端部6Aの下面
には、この基端部6Aに対応する正方形状のベースプレ
ート7がビーム溶接等によって取り付けられている。ベ
ースプレート7は、ヘッドアクチュエーター(図示せ
ず)に旋回可能に取り付けられており、ロードビーム6
は、ヘッドアクチュエーターによって、ビーム部6Eの
先端部が、磁気ディスク(図示せず)における実質的な
半径方向に沿って移動するように、基端部6Aを中心と
して旋回駆動される。従って、ロードビーム6がこのよ
うに旋回駆動されることによって、スライダは、磁気デ
ィスクにおける実質的な半径方向に沿って移動される。[0007] A square base plate 7 corresponding to the base end 6A is attached to the lower surface of the base end 6A of the load beam 6 by beam welding or the like. The base plate 7 is pivotally attached to a head actuator (not shown), and a load beam 6 is provided.
Is driven to rotate around the base end 6A by a head actuator such that the front end of the beam portion 6E moves in a substantially radial direction of a magnetic disk (not shown). Therefore, the slider is moved along a substantially radial direction of the magnetic disk by the turning drive of the load beam 6 in this manner.
【0008】ロードビーム6における基端部6Aの中心
部には円形開口部6Bが設けられており、また、ネック
部6Cの中心部には三角状開口部6Dが設けられてい
る。ネック部6Cにおける三角状開口部6Dの両側部分
が、それぞれ板バネ部6Iおよび6Jになっている。搭
載部6Gは、各板バネ部6Iおよび6Jによって、磁気
ディスクの表面に対して垂直方向へ弾性的に変位するよ
うになっており、搭載部6Gが弾性的に変位することに
よって、搭載部6Gに設けられるスライダにロード荷重
が付加される。A circular opening 6B is provided at the center of the base end 6A of the load beam 6, and a triangular opening 6D is provided at the center of the neck 6C. Both sides of the triangular opening 6D in the neck 6C are leaf springs 6I and 6J, respectively. The mounting portion 6G is elastically displaced in a direction perpendicular to the surface of the magnetic disk by the leaf spring portions 6I and 6J, and the mounting portion 6G is elastically displaced by the mounting portion 6G. , A load is applied to the slider provided in the slider.
【0009】搭載部6Gには、上面側へ半球形状に突出
したディンプル6Hが一体的に形成されている。搭載部
6Gには、また、搭載部6Gの先端から基端部側に向か
って直線状に延出した一対の規制部6F、6Fが設けら
れている。各規制部6Fは、搭載部6Gの上面に対して
上方に適当な間隙をあけて、基端部側に延出している。The mounting portion 6G is integrally formed with dimples 6H projecting hemispherically toward the upper surface. The mounting portion 6G is further provided with a pair of regulating portions 6F, 6F extending linearly from the distal end of the mounting portion 6G toward the base end side. Each restricting portion 6F extends toward the base end with an appropriate gap above the upper surface of the mounting portion 6G.
【0010】搭載部6G上に搭載されたスライダ保持板
2上には、薄膜圧電体用基板1の先端部を介して、スラ
イダが保持される。また、スライダ保持板2の基端部側
中央部には、基端部側へ半円形状に突出した突起部2A
が設けられている。A slider is held on the slider holding plate 2 mounted on the mounting portion 6G via the tip of the thin film piezoelectric substrate 1. In the center of the slider holding plate 2 at the base end side, a protrusion 2A protruding in a semicircular shape toward the base end side.
Is provided.
【0011】スライダ保持板2の突起部2Aは、ロード
ビーム6の搭載部6Gに設けられたディンプル6Hに、
下方から点接触で支持されており、スライダ保持板2の
両端部が、搭載部6Gに設けられた各規制部6Fとは適
当な微小間隔をあけた状態で規制されている。これによ
り、スライダ保持板2は、その上に設けられるスライダ
と共に、微小の変位角度で全方向へ回動し得るように支
持されている。The protrusion 2A of the slider holding plate 2 is attached to a dimple 6H provided on the mounting portion 6G of the load beam 6.
The slider holding plate 2 is supported by point contact from below, and both ends of the slider holding plate 2 are regulated with a suitable minute interval from each regulating portion 6F provided on the mounting portion 6G. Thus, the slider holding plate 2 is supported so as to be able to rotate in all directions at a small displacement angle together with the slider provided thereon.
【0012】薄膜圧電体用基板1は、ロードビーム6の
先端部から基端部に沿って延びる長板形状をしており、
磁気ディスクの表面に沿うように配置されている。薄膜
圧電体用基板1の先端部には、スライダ保持板2上に配
置されるスライダ貼り付け部1Cが設けられており、こ
のスライダ貼り付け部1C上に、スライダが貼り付けら
れる。スライダ保持板2の基端部側の側縁は、スライダ
貼り付け部1Cの基端部側の側縁とほぼ揃った状態にな
っている。The thin-film piezoelectric substrate 1 has a long plate shape extending from the distal end to the proximal end of the load beam 6.
It is arranged along the surface of the magnetic disk. A slider attaching portion 1C disposed on the slider holding plate 2 is provided at the tip of the thin film piezoelectric substrate 1, and a slider is attached on the slider attaching portion 1C. The side edge on the base end side of the slider holding plate 2 is substantially aligned with the side edge on the base end side of the slider attachment portion 1C.
【0013】薄膜圧電体用基板1の基板保持部1Dに
は、ロードビーム6の板バネ部6I上および基端部6A
の一方の側部上に配置される配線部1Gが連続して設け
られており、配線部1Gの基端部に端子保持部1Hが設
けられている。The substrate holding portion 1D of the thin film piezoelectric substrate 1 has a leaf spring portion 6I of the load beam 6 and a base end portion 6A.
The wiring portion 1G disposed on one side of the wiring portion 1G is provided continuously, and the terminal holding portion 1H is provided at the base end of the wiring portion 1G.
【0014】図5は、ロードビーム6上に配置される薄
膜圧電体用基板1の先端部の平面図、図6は、図5のA
−A’線における断面模式図である。FIG. 5 is a plan view of the tip of the thin-film piezoelectric substrate 1 arranged on the load beam 6, and FIG.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along line -A ′.
【0015】スライダ貼り付け部1Cの基端部側には、
磁気ディスクの表面に対して水平方向へ異なる位相で伸
縮変形する一対の薄膜圧電体アクチュエーター5Aおよ
び5Bをそれぞれ構成する一対の支持部1Aおよび1B
が、それぞれ、弾性ヒンジ部1Eおよび1Fを介して、
一体的に設けられている。各支持部1Aおよび1Bの基
端部は、長方形状の基板保持部1Dに、それぞれ連続し
ている。基板保持部1Dは、ロードビーム6におけるビ
ーム部6Eの上面に、ステンレス板3を介して固定され
ている。On the base end side of the slider attaching portion 1C,
A pair of support portions 1A and 1B respectively forming a pair of thin film piezoelectric actuators 5A and 5B that expand and contract in different phases in the horizontal direction with respect to the surface of the magnetic disk.
Respectively, via the elastic hinge portions 1E and 1F,
It is provided integrally. The base ends of the support portions 1A and 1B are respectively continuous with the rectangular substrate holding portion 1D. The substrate holding section 1D is fixed to the upper surface of the beam section 6E of the load beam 6 via the stainless steel plate 3.
【0016】一対の支持部1Aおよび1Bは、所定の間
隔をあけて平行になっている。一対の弾性ヒンジ部1E
および1Fは、支持部1Aおよび1Bの先端部分の幅寸
法をそれぞれ小さくすることによって形成されている。
スライダ貼り付け部1Cは、各弾性ヒンジ部1Eおよび
1Fによって、微小の変位角度で全方向へ回動し得るよ
うになっており、従って、スライダ貼り付け部1C上に
配置されるスライダおよびスライダ貼り付け部1Cの下
方に配置されたスライダ保持板2は、微小の変位角度で
全方向へ回動し得るようになっている。The pair of supports 1A and 1B are parallel at a predetermined interval. A pair of elastic hinges 1E
And 1F are formed by reducing the width dimensions of the tip portions of the support portions 1A and 1B, respectively.
The slider attaching portion 1C can be rotated in all directions at a small displacement angle by the elastic hinge portions 1E and 1F. Therefore, the slider and the slider attaching portion disposed on the slider attaching portion 1C are provided. The slider holding plate 2 disposed below the attachment portion 1C can rotate in all directions at a small displacement angle.
【0017】各支持部1Aおよび1Bは、3μm厚の銅
板8を、絶縁体としてのポリイミド樹脂9によって覆っ
て構成されており、各支持部1Aおよび1Bの上面に
は、薄膜圧電体素子4Aおよび4Bがそれぞれ接着剤1
0により積層状態で貼り付けられて、各支持部1Aおよ
び1Bと一体化されている。薄膜圧電体用基板1の各支
持部1Aおよび1Bは、薄膜圧電体素子4Aおよび4B
と共に、薄膜圧電体アクチュエーター5Aおよび5Bを
それぞれ構成している。なお、銅板8に代えて、ステン
レス等の金属板を使用してもよい。Each of the supporting portions 1A and 1B is formed by covering a 3 μm thick copper plate 8 with a polyimide resin 9 as an insulator, and the thin film piezoelectric elements 4A and 4A are provided on the upper surfaces of the supporting portions 1A and 1B. 4B is adhesive 1
0 is attached in a laminated state, and is integrated with each of the support portions 1A and 1B. The supporting portions 1A and 1B of the thin-film piezoelectric substrate 1 are thin-film piezoelectric elements 4A and 4B
Together, they constitute the thin film piezoelectric actuators 5A and 5B, respectively. Note that, instead of the copper plate 8, a metal plate such as stainless steel may be used.
【0018】薄膜圧電体用基板1には、磁気ヘッド(図
示せず)に対する記録再生信号を転送するための第一の
配線パターン20が設けられている。この第一の配線パ
ターン20は、四本の配線ライン20A〜20Dを有し
ている。各配線ライン20A〜20Dの一方の端部は、
薄膜圧電体用基板1のスライダ貼り付け部1C上に設け
られた四つのスライダ接続用端子22A、22B、22
C、22Dにそれぞれ接続されている。そして、四つの
スライダ接続用端子22A、22B、22C、22D
は、薄膜圧電体用基板1におけるスライダ貼り付け部1
Cの上面のスライダに設けられた各端子(図示せず)に
それぞれ接続される。The thin film piezoelectric substrate 1 is provided with a first wiring pattern 20 for transferring a recording / reproducing signal to a magnetic head (not shown). The first wiring pattern 20 has four wiring lines 20A to 20D. One end of each of the wiring lines 20A to 20D is
Four slider connection terminals 22A, 22B, 22 provided on slider attachment portion 1C of thin film piezoelectric substrate 1
C and 22D. Then, the four slider connection terminals 22A, 22B, 22C, 22D
Is a slider attaching portion 1 on the thin film piezoelectric substrate 1.
Each terminal is connected to each terminal (not shown) provided on the slider on the upper surface of C.
【0019】スライダ接続用端子22Aおよび22Bに
それぞれ接続された第一の配線パターン20の一対の配
線ライン20Aおよび20Bは、薄膜圧電体用基板1の
一方の支持部1A上に設けられた薄膜圧電体素子4Aの
側部、基板保持部1D上を通って、それぞれ基端部側へ
引き出されている。スライダ接続用端子22Cおよび2
2Dにそれぞれ接続された他の一対の配線ライン20C
および20Dは、薄膜圧電体用基板1の他方の支持部1
B上に設けられた薄膜圧電体素子4B側部、基板保持部
1D上を通って、それぞれ基端部側へ引き出されてい
る。The pair of wiring lines 20A and 20B of the first wiring pattern 20 connected to the slider connection terminals 22A and 22B are respectively formed on the thin film piezoelectric member 1A provided on one support portion 1A of the thin film piezoelectric substrate 1. The body element 4A is drawn to the base end side through the side portion and the substrate holding portion 1D. Slider connection terminals 22C and 2
Another pair of wiring lines 20C respectively connected to 2D
And 20D are the other support portions 1 of the thin film piezoelectric substrate 1.
It passes through the thin film piezoelectric element 4B provided on B and the substrate holding portion 1D, and is drawn out to the base end side.
【0020】薄膜圧電体用基板1の基端部側へ引き出さ
れた四本の配線ライン20A〜20Dは、配線部1Gを
通って、端子保持部1H上に設けられた外部接続用端子
24C〜24Fと、それぞれ接続されている。The four wiring lines 20A to 20D drawn to the base end side of the thin film piezoelectric substrate 1 pass through the wiring portion 1G, and the external connection terminals 24C to 24C provided on the terminal holding portion 1H. 24F, respectively.
【0021】なお、四本の配線ライン20A〜20D
は、薄膜圧電体用基板1に対しては、ポリイミド樹脂9
によって固定されている。The four wiring lines 20A to 20D
Is a polyimide resin 9 for the thin film piezoelectric substrate 1.
Has been fixed by.
【0022】第二の配線パターン21は、薄膜圧電体用
基板1の上面に配置された二つの薄膜圧電体素子4Aお
よび4Bの駆動に使用される。第二の配線パターン21
は、四本の配線ライン21A〜21Dにより構成されて
いる。薄膜圧電体用基板1における各支持部1Aおよび
1Bの基端部側には、各一対の薄膜圧電体素子接続用端
子23Aおよび23B、23Cおよび23Dが、それぞ
れ、ポリイミド樹脂9から露出した状態で設けられてい
る。各配線ライン21A〜21Dの一方の端部は、一対
の支持板1Aおよび1Bの基端部側にて、四つの薄膜圧
電体素子接続用端子23A、23B、23C、23Dに
それぞれ接続されている。The second wiring pattern 21 is used for driving two thin film piezoelectric elements 4A and 4B arranged on the upper surface of the thin film piezoelectric substrate 1. Second wiring pattern 21
Is composed of four wiring lines 21A to 21D. A pair of thin film piezoelectric element connection terminals 23A, 23B, 23C, and 23D are exposed from the polyimide resin 9 on the base end side of the support portions 1A and 1B in the thin film piezoelectric substrate 1, respectively. Is provided. One end of each of the wiring lines 21A to 21D is connected to four thin film piezoelectric element connecting terminals 23A, 23B, 23C, 23D on the base end sides of the pair of support plates 1A and 1B, respectively. .
【0023】第二の配線パターン21の配線ライン21
A〜21Dは、薄膜圧電体用基板1の基板保持部1D上
を通って、それぞれ基端部側へ引き出されている。Wiring line 21 of second wiring pattern 21
A to 21D pass through the substrate holding portion 1D of the thin film piezoelectric substrate 1 and are respectively drawn to the base end side.
【0024】薄膜圧電体用基板1の基端部側へ引き出さ
れた四本の配線ライン21A〜21Dは、配線部1Gを
通って、端子保持部1H上にて外部接続用端子24A〜
24B、24G〜24Hと、それぞれ接続されている。The four wiring lines 21A to 21D drawn to the base end side of the thin film piezoelectric substrate 1 pass through the wiring portion 1G and are connected to the external connection terminals 24A to 24A on the terminal holding portion 1H.
24B, 24G to 24H, respectively.
【0025】これら四本の配線ライン20A〜20D
も、薄膜圧電体用基板1に対しては、ポリイミド樹脂9
によって固定されている。These four wiring lines 20A to 20D
Also, for the thin film piezoelectric substrate 1, a polyimide resin 9
Has been fixed by.
【0026】図7は、図5のA−A’線における断面図
であり、一方の薄膜圧電体アクチュエーター5Aを詳細
に示している。FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line AA 'of FIG. 5, and shows one thin film piezoelectric actuator 5A in detail.
【0027】薄膜圧電体素子4Aは、圧電体材料である
ジルコン酸チタン酸鉛(PZT)薄膜13を有してお
り、その上面および下面の間に電圧を印加することによ
って、電圧に対応して長手方向に伸縮変形が発生し、薄
膜圧電体素子4Aに発生する伸縮変形によって、薄膜圧
電体アクチュエーター5Aにそれぞれ長手方向への伸縮
変形が発生する。これにより、スライダ貼り付け部1C
は、微小の変位角度で全方向へ回動される。The thin-film piezoelectric element 4A has a lead zirconate titanate (PZT) thin film 13, which is a piezoelectric material, and a voltage is applied between its upper and lower surfaces to correspond to the voltage. The elastic deformation occurs in the longitudinal direction, and the elastic deformation generated in the thin film piezoelectric element 4A causes the thin film piezoelectric actuator 5A to expand and contract in the longitudinal direction. Thereby, the slider attaching portion 1C
Is rotated in all directions at a small displacement angle.
【0028】薄膜圧電体素子4Aのジルコン酸チタン酸
鉛(PZT)薄膜13の上面および下面には、白金によ
って構成された上面電極12および下面電極14がそれ
ぞれ設けられており、下面電極14からは、下面電極1
4と電気的に接続されたリード線18が、薄膜圧電体素
子4Aの側面側へ引き出されている。他方の薄膜圧電体
アクチュエーター5Bも、同様の構造になっている。On the upper and lower surfaces of the lead zirconate titanate (PZT) thin film 13 of the thin film piezoelectric element 4A, an upper electrode 12 and a lower electrode 14 made of platinum are provided, respectively. , Lower electrode 1
A lead wire 18 electrically connected to 4 is drawn out to the side of the thin film piezoelectric element 4A. The other thin film piezoelectric actuator 5B has a similar structure.
【0029】一対の薄膜圧電体素子接続用端子23Aお
よび23Bは、薄膜圧電体素子4Aの上面電極12およ
びリード18に、導電状態で、それぞれ取り付けられて
いる。同様に、一対の薄膜圧電体素子接続用端子23C
および23Dは、薄膜圧電体素子4Bの上面電極12お
よびリード線18に、電気的に接触した状態で、それぞ
れ取り付けられている。The pair of thin film piezoelectric element connecting terminals 23A and 23B are mounted in a conductive state on the upper electrode 12 and the lead 18 of the thin film piezoelectric element 4A, respectively. Similarly, a pair of thin film piezoelectric element connection terminals 23C
And 23D are attached to the upper surface electrode 12 and the lead wire 18 of the thin film piezoelectric element 4B in a state of being in electrical contact with each other.
【0030】薄膜圧電体アクチュエーター5Aおよび5
Bの動作について、図5および図6に基づいて説明す
る。The thin film piezoelectric actuators 5A and 5
The operation of B will be described with reference to FIGS.
【0031】薄膜圧電体素子4Aおよび4Bは、薄膜圧
電体素子4Aおよび4Bのそれぞれの上面電極12とリ
ード線18に印加される電圧に対応して、薄膜圧電体素
子4Aおよび4Bの長手方向に等しく伸縮変形するよう
に設計されている。従って、薄膜圧電体用基板1の支持
部1Aおよび1Bの上面に貼り付けられた薄膜圧電体素
子4Aおよび4Bに相互に逆位相の電圧を印加すること
により、薄膜圧電体アクチュエーター5Aおよび5B
は、その長手方向であるLaおよびLbの方向に、薄膜
圧電体素子4Aおよび4Bに印加された電圧に対応し
て、相互に逆方向に伸縮変形する。The thin film piezoelectric elements 4A and 4B are arranged in the longitudinal direction of the thin film piezoelectric elements 4A and 4B in accordance with the voltage applied to the upper electrode 12 and the lead wire 18 of each of the thin film piezoelectric elements 4A and 4B. Designed to expand and contract equally. Accordingly, by applying mutually opposite voltages to the thin film piezoelectric elements 4A and 4B attached to the upper surfaces of the support portions 1A and 1B of the thin film piezoelectric substrate 1, the thin film piezoelectric actuators 5A and 5B are applied.
Expands and contracts in directions opposite to each other in the longitudinal directions La and Lb, corresponding to the voltages applied to the thin film piezoelectric elements 4A and 4B.
【0032】スライダ貼り付け部1Cおよびスライダ保
持板2には、薄膜圧電体アクチュエーター5Aおよび5
Bが相互に逆方向に伸縮変形することにより、ロードビ
ーム6上に設けられたディンプル6Hとスライダ保持板
から突出する突起部2Aの点接触部を回動中心として、
R方向への微小角変位が与えられる。スライダ貼り付け
部1Cおよびスライダ保持板2に与えられたこのR方向
への微小角変位により、スライダ貼り付け部1Cの上面
に貼り付けられるスライダにはR方向への微小角変位が
与えられると共に、スライダに搭載された磁気ヘッド
は、磁気ディスクの表面に沿って、磁気ディスクに同心
状態で設けられた各トラックの幅方向に微小な範囲で変
位され、高精度で移動することになる。これにより、磁
気ヘッドのトラックに追従させるオントラック操作を高
精度で実施することが可能となる。The thin film piezoelectric actuators 5A and 5A are provided on the slider attaching portion 1C and the slider holding plate 2.
When B expands and contracts in opposite directions to each other, the point of contact between the dimple 6H provided on the load beam 6 and the protrusion 2A protruding from the slider holding plate is set as a rotation center.
A small angular displacement in the R direction is given. The minute angular displacement in the R direction given to the slider attaching portion 1C and the slider holding plate 2 imparts a small angular displacement in the R direction to the slider attached to the upper surface of the slider attaching portion 1C. The magnetic head mounted on the slider is displaced along the surface of the magnetic disk in a minute range in the width direction of each track provided concentrically on the magnetic disk, and moves with high precision. Thus, it is possible to perform the on-track operation for following the track of the magnetic head with high accuracy.
【0033】従来の薄膜圧電体アクチュエーターの製造
方法について、図7および図8に基づいて説明する。な
お、説明は、薄膜圧電体アクチュエーター5Aのみにつ
いて行う。A method for manufacturing a conventional thin film piezoelectric actuator will be described with reference to FIGS. The description will be made only for the thin film piezoelectric actuator 5A.
【0034】図8(a)〜(g)は、それぞれ、従来の
薄膜圧電体アクチュエーターの製造方法の各工程を示す
断面図である。FIGS. 8A to 8G are cross-sectional views showing respective steps of a conventional method of manufacturing a thin film piezoelectric actuator.
【0035】まず、図8(a)に示すように、薄膜圧電
体素子4Aを形成するためのスパッタリングベースとし
て用いられる酸化マグネシウム基体11上に、薄膜圧電
体素子4Aへ電源を供給する電極となる上面電極12、
圧電性材料であるジルコン酸チタン酸鉛(PZT)薄膜
13、さらに電源電極としての下面電極14をスパッタ
リングにより積層成膜し、薄膜圧電体15を形成する。
なお、この工程における各薄膜の成膜温度条件は600
℃とし、各薄膜の膜厚は、上面電極12を200nm、
PZT薄膜13を3μm、下面電極14を200nmと
する。First, as shown in FIG. 8A, an electrode for supplying power to the thin film piezoelectric element 4A is formed on a magnesium oxide substrate 11 used as a sputtering base for forming the thin film piezoelectric element 4A. Top electrode 12,
A thin film piezoelectric member 15 is formed by stacking a thin film of lead zirconate titanate (PZT) 13 as a piezoelectric material and a lower electrode 14 as a power supply electrode by sputtering.
Note that the film forming temperature condition of each thin film in this step is 600
° C, the thickness of each thin film is 200 nm for the upper electrode 12,
The PZT thin film 13 is 3 μm, and the lower electrode 14 is 200 nm.
【0036】次に、図8(b)に示すように、フォトリ
ソプロセスおよび現像プロセスにより薄膜圧電体15の
必要部分をフォトレジスト等により保護し、その後、薬
液により不要部分をエッチングするケミカルエッチング
プロセス、または、反応性ガスにより不要部分をエッチ
ングする反応性イオンエッチングプロセス等により、酸
化マグネシウム基体11上に形成した薄膜圧電体15を
所定の形状に成形して、薄膜圧電体素子4Aを形成す
る。Next, as shown in FIG. 8B, a necessary portion of the thin film piezoelectric material 15 is protected by a photoresist or the like by a photolithography process and a developing process, and thereafter, a chemical etching process of etching an unnecessary portion with a chemical solution. Alternatively, the thin film piezoelectric element 15A formed on the magnesium oxide substrate 11 is formed into a predetermined shape by a reactive ion etching process of etching an unnecessary portion with a reactive gas, and the thin film piezoelectric element 4A is formed.
【0037】次に、図8(c)に示すように、酸化マグ
ネシウム基体11および薄膜圧電体素子4Aの表面に感
光性ポリイミド16を塗布し、フォトリソプロセスなら
びに現像プロセスにより感光性ポリイミドを所定の形状
に成形すると共に、リード線18取り出し用の端子用穴
17を開けた後、感光性ポリイミド16を熱硬化させ
る。Next, as shown in FIG. 8C, a photosensitive polyimide 16 is applied to the surfaces of the magnesium oxide substrate 11 and the thin film piezoelectric element 4A, and the photosensitive polyimide is formed into a predetermined shape by a photolithographic process and a developing process. After forming a terminal hole 17 for taking out the lead wire 18, the photosensitive polyimide 16 is thermally cured.
【0038】その後、図8(d)に示すように、酸化マ
グネシウム基体11と熱硬化させた感光性ポリイミド1
6とリード線18取り出し用の端子用穴17から露出し
た下面電極14との表面にTa/Auをスパッタリング
することによりTa/Au薄膜を成膜した後、このTa
/Au薄膜から、パターニングプロセスにより、下面電
極14と導通するリード線18を形成する。Thereafter, as shown in FIG. 8D, a magnesium oxide substrate 11 and a heat-cured photosensitive polyimide 1
A Ta / Au thin film is formed by sputtering Ta / Au on the surfaces of the lower electrode 6 and the lower electrode 14 exposed from the terminal hole 17 for taking out the lead wire 18.
A lead wire 18 that is electrically connected to the lower electrode 14 is formed from the / Au thin film by a patterning process.
【0039】次に、図8(e)に示すように、薄膜圧電
体用基板1に設けられている支持板1Aの上面に接着剤
10を塗布した後、酸化マグネシウム基体11により支
持されている薄膜圧電体素子4Aを、下面電極14を下
方に向けて支持板1Aの上面に貼り付け、その後、接着
剤を硬化させる。Next, as shown in FIG. 8E, an adhesive 10 is applied to the upper surface of the support plate 1A provided on the thin film piezoelectric substrate 1, and is then supported by the magnesium oxide substrate 11. The thin film piezoelectric element 4A is attached to the upper surface of the support plate 1A with the lower electrode 14 facing downward, and then the adhesive is cured.
【0040】次に、図8(f)に示すように、酸化マグ
ネシウム基体11により支持されている薄膜圧電体素子
4Aを貼り付けた薄膜圧電体用基板1を60℃の燐酸溶
液に浸漬し、酸化マグネシウム基体11をケミカルエッ
チングにより除去する。その後、酸化マグネシウム基体
11が除去された薄膜圧電体用基板1を温水で十分に洗
浄した後、真空乾燥機中で十分に乾燥させる。Next, as shown in FIG. 8 (f), the thin film piezoelectric substrate 1 to which the thin film piezoelectric element 4A supported by the magnesium oxide substrate 11 is attached is immersed in a phosphoric acid solution at 60 ° C. The magnesium oxide substrate 11 is removed by chemical etching. After that, the thin-film piezoelectric substrate 1 from which the magnesium oxide substrate 11 has been removed is sufficiently washed with warm water, and then sufficiently dried in a vacuum dryer.
【0041】最後に、図8(g)に示すように、薄膜圧
電体素子4Aから引き出されたリード線18を、薄膜圧
電体用基板1の支持部1Aの基端部側に設けられた薄膜
圧電体素子接続用端子23Aに、上面電極12を薄膜圧
電体素子接続用端子23Bに、それぞれ、リード19を
用いて電気的に接続する。その後、薄膜圧電体素子4
A、接着剤10およびリード19の全体を、ポリイミド
樹脂9により覆う。これにより、図7に示す薄膜圧電体
アクチュエーター5Aが得られる。Finally, as shown in FIG. 8 (g), the lead wire 18 drawn out of the thin film piezoelectric element 4A is connected to a thin film provided on the base end side of the support 1A of the thin film piezoelectric substrate 1. The top electrode 12 is electrically connected to the piezoelectric element connection terminal 23A and the thin film piezoelectric element connection terminal 23B using the lead 19, respectively. Then, the thin film piezoelectric element 4
A, adhesive 10 and leads 19 are entirely covered with polyimide resin 9. Thereby, the thin film piezoelectric actuator 5A shown in FIG. 7 is obtained.
【0042】[0042]
【発明が解決しようとする課題】このような薄膜圧電体
アクチュエーターでは、薄膜圧電体素子4Aおよび4B
上にリード線18をそれぞれ形成する必要があり、ま
た、支持部1Aおよび1Bの上面に薄膜圧電体素子4A
および4Bを搭載する際にも、薄膜圧電体素子4Aおよ
び4Bの各接続端子と薄膜圧電体用基板1に設けられた
各薄膜圧電体接続用端子とを電気的に接続するために、
複数のリード19を設ける必要がある。このため、薄膜
圧電体アクチュエーターを容易に製造することができな
いという問題がある。In such a thin film piezoelectric actuator, the thin film piezoelectric elements 4A and 4B
The lead wires 18 need to be formed on the upper surfaces of the support portions 1A and 1B, respectively.
Also, when mounting the thin film piezoelectric elements 4A and 4B and the thin film piezoelectric body connecting terminals provided on the thin film piezoelectric body substrate 1, even when mounting the thin film piezoelectric elements 4A and 4B,
It is necessary to provide a plurality of leads 19. Therefore, there is a problem that the thin film piezoelectric actuator cannot be easily manufactured.
【0043】さらに、製造された薄膜圧電体アクチュエ
ーターでは、薄膜圧電体素子4Aおよび4Bを構成する
上面電極12および下面電極14へ電圧を印加するため
に複数のリード19を設ける必要がある。このように複
数のリード19が設けられていることによって、それら
の電気的接続部において導通不良が発生して、薄膜圧電
体アクチュエーターの信頼性が低下するおそれがある。Further, in the manufactured thin film piezoelectric actuator, it is necessary to provide a plurality of leads 19 for applying a voltage to the upper electrode 12 and the lower electrode 14 constituting the thin film piezoelectric elements 4A and 4B. By providing the plurality of leads 19 in this way, a conduction failure may occur in the electrical connection portions, and the reliability of the thin film piezoelectric actuator may be reduced.
【0044】本発明はこのような課題を解決するもので
あり、その目的は、薄膜圧電体アクチュエーターを容易
に製造することができ、しかも、薄膜圧電体素子に対し
て確実に電圧を印加することができる薄膜圧電体アクチ
ュエーターおよびその製造方法を提供することにある。An object of the present invention is to solve such a problem. An object of the present invention is to make it possible to easily manufacture a thin film piezoelectric actuator and to apply a voltage to a thin film piezoelectric element without fail. And a method of manufacturing the same.
【0045】[0045]
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜圧電体アク
チュエーターは、回転駆動されるディスクに対して少な
くともデータの再生を行うヘッドが基板上に設けられた
ヘッド支持機構において、薄膜圧電体素子によって、基
板を変形させて該ヘッドを変位させるディスク装置用薄
膜圧電体アクチュエーターであって、基板を構成する金
属板に薄膜圧電体素子が、直接、導電状態で接着されて
おり、薄膜圧電体素子が接着される金属板の表面が凹凸
形状になっていることを特徴とする。According to a thin film piezoelectric actuator of the present invention, a thin film piezoelectric element is used in a head support mechanism provided with a head for reproducing at least data on a rotationally driven disk on a substrate. A thin film piezoelectric actuator for a disk device for deforming a substrate to displace the head, wherein the thin film piezoelectric element is directly and electrically conductively bonded to a metal plate constituting the substrate, and the thin film piezoelectric element is The surface of the metal plate to be bonded has an uneven shape.
【0046】前記金属板の表面における凹凸形状の高低
差は、0.4μm以上になっている。The height difference between the irregularities on the surface of the metal plate is 0.4 μm or more.
【0047】本発明の薄膜圧電体アクチュエーターの製
造方法は、回転駆動されるディスクに対して少なくとも
データの再生を行うヘッドが基板上に設けられたヘッド
支持機構において、薄膜圧電体素子によって、基板を変
形させて該ヘッドを変位させるディスク装置用薄膜圧電
体アクチュエーターの製造方法であって、基板を構成す
る金属板の表面を凹凸形状とする工程と、該金属板の凹
凸形状になった表面に薄膜圧電体素子を接着剤によっ
て、直接、導電状態で接着する工程とを包含することを
特徴とする。According to the method of manufacturing a thin film piezoelectric actuator of the present invention, in a head support mechanism provided with at least a head for reproducing data from a rotationally driven disk on a substrate, the substrate is thinned by a thin film piezoelectric element. A method for manufacturing a thin-film piezoelectric actuator for a disk device for deforming and displacing a head, comprising the steps of: forming a surface of a metal plate constituting a substrate into an uneven shape; and forming a thin film on the uneven surface of the metal plate. Bonding the piezoelectric element directly in an electrically conductive state with an adhesive.
【0048】前記金属板の表面凹凸形状を、サンドブラ
ストプロセスにより付与する。The surface unevenness of the metal plate is provided by a sand blast process.
【0049】前記金属板の表面凹凸形状を、エッチング
プロセスにより付与する。The surface irregularities of the metal plate are provided by an etching process.
【0050】前記金属板の表面凹凸形状を、スパッタリ
ングプロセスにより付与する。The surface irregularities of the metal plate are provided by a sputtering process.
【0051】前記金属板の表面凹凸形状を、ラッピング
テープを機械的に摺動するプロセスにより付与する。The surface unevenness of the metal plate is provided by a process of mechanically sliding the wrapping tape.
【0052】[0052]
【発明の実施の形態】以下、本発明について図1および
図2に基づいて説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to FIGS.
【0053】本発明は、図5〜図8に示すヘッドの支持
機構における一対の薄膜圧電体アクチュエーター5Aお
よび5Bに適用されるものであり、図1は、本発明の一
方の薄膜圧電体アクチュエーター5Aの断面図である。
なお、他方の薄膜圧電体アクチュエーター5Bと薄膜圧
電体アクチュエーター5Aとは、同等の構成となってい
る。The present invention is applied to a pair of thin film piezoelectric actuators 5A and 5B in the head support mechanism shown in FIGS. 5 to 8. FIG. 1 shows one thin film piezoelectric actuator 5A of the present invention. FIG.
The other thin film piezoelectric actuator 5B and the thin film piezoelectric actuator 5A have the same configuration.
【0054】図1に示す薄膜圧電体アクチュエーター5
Aは、薄膜圧電体用基板1の一方の支持部1Aと共に構
成されており、支持部1Aを構成する銅板8は、端子保
持部1Hまで延出して、端子保持部1H上に設けられた
外部接続用端子24Bと接続されている。他方の支持部
1Bの銅板8も、支持部1Aの銅板8とは絶縁状態で端
子保持部1Hまで延出して、端子保持部1H上に設けら
れた外部接続用端子24Hと接続されている。The thin film piezoelectric actuator 5 shown in FIG.
A is configured together with one supporting portion 1A of the thin-film piezoelectric substrate 1, and the copper plate 8 forming the supporting portion 1A extends to the terminal holding portion 1H and is provided on the terminal holding portion 1H. It is connected to the connection terminal 24B. The copper plate 8 of the other support portion 1B also extends to the terminal holding portion 1H while being insulated from the copper plate 8 of the support portion 1A, and is connected to the external connection terminal 24H provided on the terminal holding portion 1H.
【0055】銅板8における薄膜圧電体素子4Aが載置
される表面は、凹凸状に形成されている。この凹凸の高
低差は、例えば、0.8μm以上になっている。The surface of the copper plate 8 on which the thin film piezoelectric element 4A is mounted is formed in an uneven shape. The height difference of the unevenness is, for example, 0.8 μm or more.
【0056】薄膜圧電体素子4Aは、ジルコン酸チタン
酸鉛(PZT)薄膜13の上面および下面に上面電極1
2および下面電極14がそれぞれ設けられて構成されて
おり、銅板8の凹凸状の表面に、薄膜圧電体素子4Aの
下面電極14が接着剤によって、直接、導電状態で貼り
付けられている。The thin-film piezoelectric element 4 A has an upper electrode 1 on the upper and lower surfaces of a lead zirconate titanate (PZT) thin film 13.
The lower electrode 14 of the thin-film piezoelectric element 4A is directly adhered to the uneven surface of the copper plate 8 in an electrically conductive state by an adhesive.
【0057】上面電極12は、銅板8と並んで配置され
た薄膜圧電体素子接続用端子23Aに、リード19によ
って接続されている。薄膜圧電体素子接続用端子23A
は、前述したように、端子保持部1Hにまで延出してお
り、端子保持部1Hに設けられた外部接続用端子24A
に接続されている。リード19は、ワイヤー、銀ペース
ト等によって構成されている。The upper electrode 12 is connected by leads 19 to thin film piezoelectric element connection terminals 23 A arranged side by side with the copper plate 8. Terminal for connecting thin film piezoelectric element 23A
Extends to the terminal holding portion 1H as described above, and the external connection terminals 24A provided on the terminal holding portion 1H.
It is connected to the. The lead 19 is made of a wire, a silver paste or the like.
【0058】銅板8および薄膜圧電体素子4Aは、リー
ド19と共に、ポリイミド樹脂9によって覆われてい
る。The copper plate 8 and the thin-film piezoelectric element 4 A are covered with the polyimide resin 9 together with the leads 19.
【0059】図2(a)〜(g)は、それぞれ、本発明
の薄膜圧電体アクチュエーターの製造方法の各工程を示
す断面図である。FIGS. 2A to 2G are cross-sectional views showing steps of a method of manufacturing a thin film piezoelectric actuator according to the present invention.
【0060】まず、図2(a)に示すように、薄膜圧電
体素子4Aを形成するためのスパッタリングベースとし
て用いられる酸化マグネシウム基体11上に、薄膜圧電
体素子4Aへ電源を供給する電極となる上面電極12、
圧電性材料であるジルコン酸チタン酸鉛(PZT)薄膜
13、さらに電源電極としての下面電極14をスパッタ
リングにより積層成膜して、薄膜圧電体15を形成す
る。なお、この工程における各薄膜の成膜温度条件は6
00℃とし、各薄膜の膜厚は、上面電極12を200n
m、PZT薄膜13を3μm、下面電極14を200n
mとする。First, as shown in FIG. 2A, an electrode for supplying power to the thin film piezoelectric element 4A is formed on a magnesium oxide substrate 11 used as a sputtering base for forming the thin film piezoelectric element 4A. Top electrode 12,
A thin film piezoelectric body 15 is formed by laminating a lead zirconate titanate (PZT) thin film 13 as a piezoelectric material and a lower electrode 14 as a power supply electrode by sputtering. Note that the film forming temperature conditions for each thin film in this step are 6
The temperature of the upper electrode 12 was set to 200 n.
m, PZT thin film 13 is 3 μm, lower electrode 14 is 200 n
m.
【0061】次いで、図2(b)に示すように、フォト
リソプロセスおよび現像プロセスにより薄膜圧電体15
の必要部分を保護するフォトレジストを形成し、その
後、薬液により不要部分をエッチングするケミカルエッ
チングプロセス、または反応性ガスにより不要部分をエ
ッチングする反応性イオンエッチングプロセス等によ
り、この薄膜圧電体15を所定の形状に成形して、薄膜
圧電体素子4Aを形成する。Next, as shown in FIG. 2B, a thin film piezoelectric material 15 is formed by a photolithographic process and a developing process.
A thin film piezoelectric body 15 is formed by a chemical etching process of etching unnecessary portions with a chemical solution or a reactive ion etching process of etching unnecessary portions with a reactive gas. To form the thin film piezoelectric element 4A.
【0062】他方、薄膜圧電体用基板1を準備する。図
2(c)は、この薄膜圧電体用基板1に設けられた一方
の支持部1Aの断面図である。この支持部1Aは、端子
保持部1Hまで延びている金属板として銅板8を有して
おり、ポリイミド樹脂9の金属板上面の一部が除去され
ることにより、銅板8の上側表面の一部が露出されるよ
うに加工されている。なお、他方の支持部1Bにも、端
子保持部1Hまで延びる銅板8が、支持部1Aの銅板8
とは絶縁状態で設けられている。On the other hand, a thin film piezoelectric substrate 1 is prepared. FIG. 2C is a cross-sectional view of one supporting portion 1 </ b> A provided on the thin film piezoelectric substrate 1. The support portion 1A has a copper plate 8 as a metal plate extending to the terminal holding portion 1H, and a part of the upper surface of the copper plate 8 is removed by removing a part of the upper surface of the metal plate of the polyimide resin 9. Is processed so that is exposed. The copper plate 8 extending to the terminal holding portion 1H is also provided on the other support portion 1B.
Are provided in an insulated state.
【0063】薄膜圧電体用基板1の支持部1Aが準備さ
れると、図2(d)に示すように、銅板8のポリイミド
樹脂9からの露出表面に、サンドブラストプロセスによ
り、凹凸形状を付与する。この際、銅板8の露出表面に
付与する凹凸形状の高低差を、約0.8μmとする。When the support portion 1A of the substrate 1 for thin film piezoelectric material is prepared, as shown in FIG. 2D, the surface exposed from the polyimide resin 9 of the copper plate 8 is provided with an uneven shape by a sandblasting process. . At this time, the height difference of the uneven shape given to the exposed surface of the copper plate 8 is set to about 0.8 μm.
【0064】次に、図2(e)に示すように、凹凸形状
を付与した銅板8の表面に接着剤10を塗布し、その上
に、酸化マグネシウム基体11により支持されている薄
膜圧電体素子4Aを下面電極14を下方に向け貼り付
け、その後、接着剤を硬化させる。これにより、薄膜圧
電体素子4Aの下面電極14と銅板8とが、直接、導電
状態で接続される。Next, as shown in FIG. 2 (e), an adhesive 10 is applied to the surface of the copper plate 8 provided with the uneven shape, and the thin film piezoelectric element supported by the magnesium oxide substrate 11 is further placed thereon. 4A is attached with the lower electrode 14 facing downward, and then the adhesive is cured. Thereby, the lower surface electrode 14 of the thin film piezoelectric element 4A and the copper plate 8 are directly connected in a conductive state.
【0065】次に、図2(f)に示すように、酸化マグ
ネシウム基体11により支持されている薄膜圧電体素子
4Aを貼り付けた薄膜圧電体用基板1を60℃の燐酸溶
液に浸漬し、酸化マグネシウム基体11をケミカルエッ
チングにより除去する。その後、酸化マグネシウム基体
11が除去された薄膜圧電体用基板1を温水で十分に洗
浄し、真空乾燥機中で十分に乾燥させる。Next, as shown in FIG. 2 (f), the thin film piezoelectric substrate 1 to which the thin film piezoelectric element 4A supported by the magnesium oxide substrate 11 is attached is immersed in a phosphoric acid solution at 60 ° C. The magnesium oxide substrate 11 is removed by chemical etching. Thereafter, the thin-film piezoelectric substrate 1 from which the magnesium oxide substrate 11 has been removed is sufficiently washed with warm water and sufficiently dried in a vacuum dryer.
【0066】このような状態になると、薄膜圧電体素子
4Aの上面電極12と、銅板8に並んで配置された薄膜
圧電体接続用端子23Aとを、リード19によって電気
的に接続する。その後、図2(g)に示すように、薄膜
圧電体素子4Aおよびリード19の全体を、ポリイミド
樹脂9により覆う。これにより、図1に示す薄膜圧電体
アクチュエーター5Aが得られる。In such a state, the upper electrode 12 of the thin film piezoelectric element 4A and the thin film piezoelectric connecting terminal 23A arranged side by side on the copper plate 8 are electrically connected by the leads 19. Thereafter, as shown in FIG. 2G, the entire thin film piezoelectric element 4A and the leads 19 are covered with the polyimide resin 9. Thus, the thin film piezoelectric actuator 5A shown in FIG. 1 is obtained.
【0067】このようにして製造される薄膜圧電体アク
チュエーター5Aは、端子保持部1Hに設けられた各端
子に電圧を印加することにより、図7に示す薄膜圧電体
アクチュエーターと同様の動作原理により、同様の機能
を発現する。The thin-film piezoelectric actuator 5A manufactured in this manner is applied with a voltage to each terminal provided on the terminal holding portion 1H, and operates according to the same operating principle as the thin-film piezoelectric actuator shown in FIG. Expresses a similar function.
【0068】本発明では、サンドブラストプロセスによ
り銅板8の表面に高低差が約0.8μmの凹凸形状が付
与されており、これにより、薄膜圧電体素子4Aに設け
られた各下面電極14と銅板8とが導電状態で、しか
も、強固に接続されている。銅板8の表面に付与する凹
凸形状の高低差が0.4μmより小さいと、各下面電極
14と銅板8とを電気的に接続することができなくなる
おそれがあり、しかも、各下面電極14と銅板8との間
の接着剤10の体積が小さくなるために、薄膜圧電体素
子4Aの銅板8の表面への接着力も低下する。薄膜圧電
体素子4Aの各下面電極14と銅板8とを導電状態で強
固に接続するためには、高低差が0.8μm以上になっ
ていることが、さらに望ましい。In the present invention, the surface of the copper plate 8 is provided with an uneven shape having a height difference of about 0.8 μm by the sand blast process, whereby the lower surface electrode 14 provided on the thin film piezoelectric element 4A and the copper plate 8 are formed. Are in a conductive state and are firmly connected. If the height difference of the uneven shape provided on the surface of the copper plate 8 is smaller than 0.4 μm, there is a possibility that each lower electrode 14 and the copper plate 8 cannot be electrically connected, and further, each lower electrode 14 and the copper plate 8, the adhesive strength of the thin film piezoelectric element 4A to the surface of the copper plate 8 is also reduced. In order to firmly connect each lower surface electrode 14 of the thin film piezoelectric element 4A to the copper plate 8 in a conductive state, it is more preferable that the height difference is 0.8 μm or more.
【0069】銅板8の表面に凹凸形状を付与する手段と
してサンドブラストプロセスを用いたが、ケミカルエッ
チングプロセスによる付与、あるいはラッピングテープ
等を摺動することにより凹凸形状を付与しても、サンド
ブラストプロセスを用いた場合と同様の効果が得られ
る。Although the sand blast process is used as a means for providing the surface of the copper plate 8 with an uneven shape, the sand blast process may be used even if the unevenness is applied by applying a chemical etching process or sliding a lapping tape or the like. The same effect can be obtained.
【0070】また、付与する凹凸形状を制御するため
に、フォトリソグラフ技術を用い、あらかじめ銅板8の
表面に所定のパターンを有する保護レジスト膜を形成
し、その後、ケミカルエッチングプロセス、ドライエッ
チングプロセス、もしくはスパッタリングプロセス等に
より銅板8の表面を凹凸処理し、レジストを剥離するこ
とによって得られる凹凸形状でも、サンドブラストプロ
セスを用いた場合と同様の効果が得られる。Further, in order to control the concavo-convex shape to be applied, a protective resist film having a predetermined pattern is formed in advance on the surface of the copper plate 8 using a photolithographic technique, and thereafter, a chemical etching process, a dry etching process, or a The same effect as in the case of using the sand blast process can be obtained even with the uneven shape obtained by subjecting the surface of the copper plate 8 to unevenness by a sputtering process or the like and removing the resist.
【0071】[0071]
【発明の効果】本発明の薄膜圧電体アクチュエーターに
よれば、これまで必要不可欠であった薄膜圧電体素子上
にリード線を形成するための複雑なプロセスが不要とな
り、薄膜圧電体アクチュエーターを容易に製造すること
が可能になる。また、薄膜圧電体素子への電源供給を効
果的かつ確実に行うことが可能となり、薄膜圧電体アク
チュエーターを搭載したサスペンションの電気的信頼性
も向上する。さらに、薄膜圧電体素子を接着する金属板
表面の凹凸形状の高低差を制御することにより、金属板
表面に対する薄膜圧電体素子の接着強度を制御すること
も可能となる。According to the thin film piezoelectric actuator of the present invention, a complicated process for forming a lead wire on a thin film piezoelectric element, which has been indispensable until now, is not required, and the thin film piezoelectric actuator can be easily manufactured. It becomes possible to manufacture. In addition, power can be effectively and reliably supplied to the thin-film piezoelectric element, and the electrical reliability of a suspension mounted with the thin-film piezoelectric actuator is improved. Furthermore, by controlling the height difference of the uneven shape on the surface of the metal plate to which the thin film piezoelectric element is bonded, it is also possible to control the adhesive strength of the thin film piezoelectric element to the metal plate surface.
【図1】本発明の薄膜圧電体アクチュエーターの一方の
断面図である。FIG. 1 is a sectional view of one side of a thin film piezoelectric actuator of the present invention.
【図2】本発明の薄膜圧電体アクチュエーターの製造方
法の実施の形態の一例を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an example of an embodiment of a method for manufacturing a thin-film piezoelectric actuator of the present invention.
【図3】従来の薄膜圧電体アクチュエーターを搭載した
サスペンションの一例の斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of an example of a suspension on which a conventional thin film piezoelectric actuator is mounted.
【図4】従来の薄膜圧電体アクチュエーターを搭載した
サスペンションの一例の分解斜視図である。FIG. 4 is an exploded perspective view of an example of a suspension equipped with a conventional thin film piezoelectric actuator.
【図5】薄膜圧電体アクチュエーターの動作を説明する
ための平面図である。FIG. 5 is a plan view for explaining the operation of the thin film piezoelectric actuator.
【図6】従来の薄膜圧電体アクチュエーターのA−A’
線における断面模式図である。FIG. 6 shows a conventional thin film piezoelectric actuator AA ′.
It is a cross section schematic diagram in a line.
【図7】従来の薄膜圧電体アクチュエーターの一方の断
面図である。FIG. 7 is a sectional view of one side of a conventional thin film piezoelectric actuator.
【図8】従来の薄膜圧電体アクチュエーターの製造方法
の実施の形態の一例を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example of an embodiment of a method for manufacturing a conventional thin film piezoelectric actuator.
1 薄膜圧電体用基板 1A、1B 支持部 1C スライダ貼り付け部 1D 基板保持部 1E、1F 弾性ヒンジ部 1G 配線部 1H 端子保持部 2 スライダ保持板 2A 突起部 3 ステンレス板 4A、4B 薄膜圧電体素子 5A、5B 薄膜圧電体アクチュエーター 6 ロードビーム 6A 基端部 6B 円形開口部 6C ネック部 6D 三角状開口部 6E ビーム部 6F 規制部 6G 搭載部 6H ディンプル 6I、6J 板バネ部 7 ベースプレート 8 銅板 9 ポリイミド樹脂 10 接着剤 11 酸化マグネシウム基体 12 上面電極 14 下面電極 13 PZT薄膜 15 薄膜圧電体 16 感光性ポリイミド 17 端子用穴 18 リード線 19 リード 20 第一配線パターン 20A〜D 配線ライン 21 第二配線パターン 21A〜D 配線ライン 22A〜D スライダ接続用端子 23A〜D 薄膜圧電体素子接続用端子 24A〜H 外部接続用端子 25 サスペンション DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Thin film piezoelectric substrate 1A, 1B Support part 1C Slider attaching part 1D Substrate holding part 1E, 1F Elastic hinge part 1G Wiring part 1H Terminal holding part 2 Slider holding plate 2A Projection part 3 Stainless steel plate 4A, 4B Thin film piezoelectric element 5A, 5B Thin film piezoelectric actuator 6 Load beam 6A Base 6B Circular opening 6C Neck 6D Triangular opening 6E Beam 6F Regulator 6G Mounting 6H Dimple 6I, 6J Plate spring 7 Base plate 8 Copper plate 9 Polyimide resin DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Adhesive 11 Magnesium oxide base material 12 Upper electrode 14 Lower electrode 13 PZT thin film 15 Thin film piezoelectric material 16 Photosensitive polyimide 17 Terminal hole 18 Lead wire 19 Lead 20 First wiring pattern 20A-D Wiring line 21 Second wiring pattern 21A- D Wiring line 22A-D Slider connection terminals 23A to D Thin film piezoelectric element connection terminals 24A to H External connection terminals 25 Suspension
フロントページの続き (72)発明者 松岡 薫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5D042 AA07 GA01 KA03 KA09 5D068 AA01 BB01 CC12 EE15 GG03 5D096 AA02 NN03 Continued on the front page (72) Inventor Kaoru Matsuoka 1006 Kazuma Kadoma, Kazuma, Osaka Prefecture F-term (reference) in Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 5D042 AA07 GA01 KA03 KA09 5D068 AA01 BB01 CC12 EE15 GG03 5D096 AA02 NN03
Claims (7)
ともデータの再生を行うヘッドが基板上に設けられたヘ
ッド支持機構において、薄膜圧電体素子によって、基板
を変形させて該ヘッドを変位させるディスク装置用薄膜
圧電体アクチュエーターであって、 基板を構成する金属板に薄膜圧電体素子が、直接、導電
状態で接着されており、薄膜圧電体素子が接着される金
属板の表面が凹凸形状になっていることを特徴とする薄
膜圧電体アクチュエーター。1. A disk drive in which a thin film piezoelectric element deforms a substrate and displaces the head in a head support mechanism provided with a head for reproducing at least data on a rotationally driven disk. A thin film piezoelectric actuator for use in which a thin film piezoelectric element is directly bonded in a conductive state to a metal plate constituting a substrate, and the surface of the metal plate to which the thin film piezoelectric element is bonded has an uneven shape. A thin film piezoelectric actuator.
低差が0.4μm以上になっている請求項1に記載の薄
膜圧電体アクチュエーター。2. The thin-film piezoelectric actuator according to claim 1, wherein the height difference of the uneven shape on the surface of the metal plate is 0.4 μm or more.
ともデータの再生を行うヘッドが基板上に設けられたヘ
ッド支持機構において、薄膜圧電体素子によって、基板
を変形させて該ヘッドを変位させるディスク装置用薄膜
圧電体アクチュエーターの製造方法であって、 基板を構成する金属板の表面を凹凸形状とする工程と、 該金属板の凹凸形状になった表面に薄膜圧電体素子を接
着剤によって、直接、導電状態で接着する工程とを包含
することを特徴とする薄膜圧電体アクチュエーターの製
造方法。3. A disk drive in which a thin film piezoelectric element deforms a substrate and displaces the head in a head support mechanism provided with a head for reproducing at least data on a rotationally driven disk. A method of manufacturing a thin-film piezoelectric actuator for use, comprising the steps of: forming a surface of a metal plate constituting a substrate into an uneven shape; and directly bonding the thin-film piezoelectric element to the uneven surface of the metal plate by an adhesive. And a step of bonding in a conductive state.
ストプロセスにより付与する請求項3に記載の薄膜圧電
体アクチュエーターの製造方法。4. The method for manufacturing a thin film piezoelectric actuator according to claim 3, wherein the surface irregularities of the metal plate are provided by a sandblasting process.
プロセスにより付与する請求項3に記載の薄膜圧電体ア
クチュエーターの製造方法。5. The method for manufacturing a thin film piezoelectric actuator according to claim 3, wherein the surface irregularities of the metal plate are provided by an etching process.
ングプロセスにより付与する請求項3に記載の薄膜圧電
体アクチュエーターの製造方法。6. The method for manufacturing a thin-film piezoelectric actuator according to claim 3, wherein the surface irregularities of the metal plate are provided by a sputtering process.
テープを機械的に摺動するプロセスにより付与する請求
項3に記載の薄膜圧電体アクチュエーターの製造方法。7. The method for manufacturing a thin film piezoelectric actuator according to claim 3, wherein the surface unevenness of the metal plate is provided by a process of mechanically sliding a wrapping tape.
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