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JP2001328959A - アクリレート化合物及びその製造法 - Google Patents

アクリレート化合物及びその製造法

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Publication number
JP2001328959A
JP2001328959A JP2000147397A JP2000147397A JP2001328959A JP 2001328959 A JP2001328959 A JP 2001328959A JP 2000147397 A JP2000147397 A JP 2000147397A JP 2000147397 A JP2000147397 A JP 2000147397A JP 2001328959 A JP2001328959 A JP 2001328959A
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JP
Japan
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formula
bis
compound
decane
tricyclo
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Application number
JP2000147397A
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English (en)
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Inventor
Hideo Suzuki
秀雄 鈴木
Shinichiro Takigawa
進一朗 滝川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
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Publication date
Application filed by Nissan Chemical Corp filed Critical Nissan Chemical Corp
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 波長248nm以下の遠紫外線に対して
高い透明性を有し、かつドイエッチング耐性に優れ、基
板密着性、アルカリ現像液に対し良好な溶解性を示し、
更に高感度、高解像度を有するフォトレジスト用モノマ
ーの提供。 【解決手段】 式[1]〜[4]で示されるトリシクロ
[5.2.1.02,6]デカン骨格を含む脂環式アクリ
レート化合物及びその製造方法。 (式中、R1は水素原子または炭素数1〜4のアルキル
基を表し、R2、R3、R4及びR5は水素原子または炭素
数1〜10のアルキル基を表す。)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、脂環式アクリレー
ト化合物及びその製造法に関する。本発明の化合物は、
半導体製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程
に関し、紫外線、遠紫外線、電子線、イオンビーム及び
X線などの活性光線を用いたリソグラフィに好適なパタ
ーン形式材料分野のモノマ−に関する。また、本発明の
モノマーは、歯科用接着剤、歯科用修復材料、歯科用仮
封材、歯科用補綴材料等に要求される光を照射した場合
に速やかに重合硬化し、硬化深度が深く、疎水性が大き
く、変色し難い、又機械的物性等に優れた性能を十分に
満たした光重合用モノマー組成物としての用途もある。
【0002】
【従来の技術】波長193nmに対し透明性を持ち、な
おかつドライエッチング耐性を持つ高分子化合物とし
て、脂環族高分子であるアダマンチルメタクリレート単
位を持つ共重合体[S.タケチ等、ジャーナル・オブ・
フォトポリマー・サイエンス・アンド・テクノロジー
(Journal of Photopolymer Science and Technolog
y),5巻(3号),439〜446頁(1992);及び
特開平5−265212号公報]、ポリ(イソボルニル
メタクリレート)単位を持つ共重合体[G.M.ウォルラフ
(G.M.Wallraff)ら、ジャーナル・オブ・ヴァキューム
・サイエンス・アンド・テクノロジー(Journal of Vac
uum Science and Technology),B11巻(6号),27
83〜2788頁(1993年)]およびポリ(メンチルメタクリ
レート)単位を持つ共重合体[特開平8−82925号
公報]などが提案されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】前述の従来技術は、ド
ライエッチング耐性の由来となる脂環基(アダマンチル
基、イソボルニル基、メンチル基)の残基単位中に露光
前後での溶解度差を発現しうる残基を有していないた
め、例えばターシャリブチルメタクリレートやテトラヒ
ドロピラニルメタクリレートなどの溶解度差を発揮しう
るコモノマーとの共重合体とすることによりレジストの
樹脂成分として利用できた。 しかしパターンニングに
はコモノマーが30〜50%程度含有させることが必要
であり、結果的に脂環基骨格によるドライエッチング耐
性効果が著しく低下し実用性の乏しいものになってい
る。
【0004】又、従来品は、極性部位を含有しないた
め、シリコン基板に対する密着性が悪い。更に、アルカ
リ性現像水溶液に対する溶解性が低いため、低感度であ
り、かつ現像液に残渣が出やすいという欠点があった。
【0005】本発明は、波長248nm以下の遠紫外
線、特にArFエキシマレーザに対して高い透明性を有
し、かつ耐ドライエッチング耐性に優れ、基板密着性、
アルカリ現像液に対し良好な溶解性を示し、更に高感
度、高解像度を有するフォトレジスト用モノマーの提供
を課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため、鋭意研究を行った。高い透明性と高い
ドライエッチング耐性を得るために脂環基としてトリシ
クロデカニル基を選択し、更に基板密着性とアルカリ現
像液に対して良好な溶解性かつ高感度・高解像度を付与
する極性置換基としてヒドロキシ基、アルコキシカルボ
ニル基、カルボキシル基及びジカルボン酸無水基の導入
を図り、その結果本発明を完成するに至った。
【0007】即ち、本発明化合物は、式[1]、
[2]、[3]及び[4]
【0008】
【化17】
【0009】(式中、R1は、水素原子または炭素数1
〜4のアルキル基を表し、R2、R3、R4及びR5は、水
素原子または炭素1〜10のアルキル基を表す。)で表
される3(4)−ヒドロキシ−4(3)−アクリロイル
オキシ−8,9−ビス[アルコキシカルボニル(カルボ
キシ)]トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合
物(式[1])、3,4−ビス(アクリロイルオキシ)
−8,9−ビス[アルコキシカルボニル(カルボキ
シ)]トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物
(式[2])、3(4)−ヒドロキシ−4(3)−アク
リロイルオキシトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ
ン−8,9−ジカルボン酸無水物化合物(式[3])及
び3(4),4(3)−ビス(アクリロイルオキシ)ト
リシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8,9−ジカ
ルボン酸無水物化合物(式[4])に関する。
【0010】又、本発明は、式[5]
【0011】
【化18】
【0012】(式中、R4及びR5は、水素原子または炭
素1〜10のアルキル基を表す。)で表される3,4−
エポキシ−8,9−ビス[アルコキシカルボニル(カル
ボキシ)]トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化
合物と式[6]
【0013】
【化19】
【0014】(式中、R1は、水素原子または炭素数1
〜4のアルキル基を表し、R2及びR3は、水素原子また
は炭素1〜10のアルキル基を表す。)で表されるアク
リル酸化合物とを反応させることを特徴とする前記式
[1]、[2]、[3]及び[4]で表される3(4)
−ヒドロキシ−4(3)−アクリロイルオキシ−8,9
−ビス[アルコキシカルボニル(カルボキシ)]トリシ
クロ[5.2.1.02,6]デカン化合物(式
[1])、3,4−ビス(アクリロイルオキシ)−8,
9−ビス[アルコキシカルボニル(カルボキシ)]トリ
シクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物(式
[2])、3(4)−ヒドロキシ−4(3)−アクリロ
イルオキシトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−
8,9−ジカルボン酸無水物化合物(式[3])及び3
(4),4(3)−ビス(アクリロイルオキシ)トリシ
クロ[5.2.1.02,6]デカン−8,9−ジカルボ
ン酸無水物化合物(式[4])の製造法に関する。
【0015】更に本発明は、式[7]
【0016】
【化20】
【0017】(式中、R4及びR5は、水素原子または炭
素1〜10のアルキル基を表す。)で表される3,4−
ジヒドロキシ−8,9−ビス[アルコキシカルボニル
(カルボキシ)]トリシクロ[5.2.1.02,6]デ
カン化合物と式[8]
【0018】
【化21】
【0019】(式中、R1は、水素原子または炭素数1
〜4のアルキル基を表し、R2及びR3は、水素原子また
は炭素1〜10のアルキル基を表し、Xはハロゲン原子
を表す。)で表されるアクリロイルハライド化合物と
を、塩基存在下反応させることを特徴とする前記式
[1]、[2]、[3]及び[4]で表される3(4)
−ヒドロキシ−4(3)−アクリロイルオキシ−8,9
−ビス[アルコキシカルボニル(カルボキシ)]トリシ
クロ[5.2.1.02,6]デカン化合物(式
[1])、3,4−ビス(アクリロイルオキシ)−8,
9−ビス[アルコキシカルボニル(カルボキシ)]トリ
シクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物(式
[2])、3(4)−ヒドロキシ−4(3)−アクリロ
イルオキシトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−
8,9−ジカルボン酸無水物化合物(式[3])及び3
(4),4(3)−ビス(アクリロイルオキシ)トリシ
クロ[5.2.1.02,6]デカン−8,9−ジカルボ
ン酸無水物化合物(式[4])の製造法に関する。
【0020】又、本発明は、前記式[7]で表される
3,4−ジヒドロキシ−8,9−ビス[アルコキシカル
ボニル(カルボキシ)]トリシクロ[5.2.1.0
2,6]デカン化合物と式[9]
【0021】
【化22】
【0022】(式中、R1は、水素原子または炭素数1
〜4のアルキル基を表し、R2、R3及びR6は、水素原
子または炭素1〜10のアルキル基を表す。)で表され
るアクリル酸化合物とを、酸触媒存在下反応させること
を特徴とする前記式[1]、[2]、[3]及び[4]
で表される3(4)−ヒドロキシ−4(3)−アクリロ
イルオキシ−8,9−ビス[アルコキシカルボニル(カ
ルボキシ)]トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン
化合物(式[1])、3,4−ビス(アクリロイルオキ
シ)−8,9−ビス[アルコキシカルボニル(カルボキ
シ)]トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物
(式[2])、3(4)−ヒドロキシ−4(3)−アク
リロイルオキシトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ
ン−8,9−ジカルボン酸無水物化合物(式[3])及
び3(4),4(3)−ビス(アクリロイルオキシ)ト
リシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8,9−ジカ
ルボン酸無水物化合物(式[4])の製造法に関する。
【0023】又、本発明は、前記式[7]で表される
3,4−ジヒドロキシ−8,9−ビス[アルコキシカル
ボニル(カルボキシ)]トリシクロ[5.2.1.0
2,6]デカン化合物及び前記式[5]で表される3,4
−エポキシ−8,9−ビス[アルコキシカルボニル(カ
ルボキシ)]トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン
化合物に関する。
【0024】更にまた本発明は、式[11]
【0025】
【化23】
【0026】で表される3,4−ジヒドロキシトリシク
ロ[5.2.1.02,6]デカン−8,9−ジカルボン
酸無水物に関する。
【0027】更にまた本発明は、、式[10]
【0028】
【化24】
【0029】(式中、R4及びR5は、水素原子または炭
素1〜10のアルキル基を表す。)で表される8,9−
ビス[アルコキシカルボニル(カルボキシ)]トリシク
ロ[5.2.1.02,6]デセ−3−エン化合物と酸素
又は過酸化物と反応させて、前記式[5]で表される
3,4−エポキシ−8,9−ビス[アルコキシカルボニ
ル(カルボキシ)]トリシクロ[5.2.1.02,6
デカン化合物の製造法に関する。
【0030】次に、このエポキシ化合物に酸触媒下、水
を付加させることを特徴とする前記式[7]で表される
3,4−ジヒドロキシ−8,9−ビス[アルコキシカル
ボニル(カルボキシ)]トリシクロ[5.2.1.0
2,6]デカン化合物の製造法に関する。
【0031】以下、本発明を詳細に説明する。
【0032】
【発明の実施の形態】本発明の前記式[1]、[2]、
[3]及び[4]化合物は、下記の反応スキームで製造
される。
【0033】
【化25】
【0034】(式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6
びXは、前記と同じ意味を表す。)(1)及び(2)の
反応から説明する。
【0035】原料のエポキシ化合物は、以下の反応スキ
ームで表される反応で製造される。
【0036】
【化26】
【0037】即ち、ジシクロペンタジエン(DCPD)
と一酸化炭素及びアルコール化合物から、塩化第二銅存
在下、パラジウム触媒によって8,9−ビス(アルコキ
シカルボニル)トリシクロ[5.2.1.02,6]デセ
−3−エン(TCDE)が得られる(特公平4−601
00)。TCDEを加水分解すると8,9−ジカルボキ
シトリシクロ[5.2.1.02,6]デセ−3−エン
(TCDC)が得られる(特公平2−32267)。更
に、TCDE及びTCDCを酸化剤で酸化することによ
り3,4−エポキシ−8,9−ビス(アルコキシカルボ
ニル)トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物
(ETCDE)及び、3,4−エポキシ−8,9−ジカ
ルボキシトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン(E
TCDC)が得られる。
【0038】エポキシ化の酸化剤としては、例えば過酸
化水素、過酢酸、過安息香酸化合物、オゾン及び酸素等
が挙げられる。溶媒としては、例えば、ジオキサン、ア
セトニトリル、水、1,2−ジクロロエタン(EDC)
及び1,2−ジメトキエタン等の一元系又は多元系溶媒
を用いて行なわれる。反応温度は、0〜150℃間が好
ましいが、特には30〜100℃間が相応しい。
【0039】次に、こうして得られたETCDE及びE
TCDCと前記式[6]で表されるアクリル酸化合物の
付加反応について述べる。式[6]で表されるアクリル
酸化合物のR1は、水素原子または炭素数1〜4のアル
キル基を表し、好ましくは水素原子または炭素数1〜2
である。また、R 2及びR3は水素原子または炭素数1〜
10であり、好ましくは水素原子または炭素数1〜5で
ある。
【0040】具体的には、アクリル酸、メタアクリル
酸、チグリル酸、3,3−ジメチルアクリル酸、2−メ
チル−2−ペンテン酸、2−エチル−2−ヘキセン酸及
び2−オクテン酸等が挙げられる。
【0041】式[6]で表されるアクリル酸化合物の使
用量は、ETCDE及びETCDCに対して1〜50倍
モル、好ましくは2〜30倍モルである。
【0042】又、本反応では、無触媒下でも反応する
が、触媒として四級塩(相間移動触媒)を使用すること
も有効である。その種類としては、テトラメチルアンモ
ニウムクロライド、テトラブチルアンモニウムクロライ
ド、テトラブチルアンモニウムブロマイド、トリメチル
ベンジルアンモニウムクロライド、トリエチルベンジル
アンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムク
ロリド、テトラエチルアンモニウムブロミド、トリオク
チルメチルアンモニウムクロリド、硫酸水素テトラ−n
−ブチルアンモニウム、トリメチルベンジルアンモニウ
ムヒドロキサイドメタノール溶液及びテトラ−n−ブチ
ルアンモニウムヒドロキサイド水溶液等が挙げられる。
【0043】触媒の使用量は、反応基質に対し1〜20
0モル%、好ましくは、5〜50モル%が適当である。
又、重合禁止剤を添加することが好ましい。重合禁止剤
の種類としては、公知のものが使用できる。例えば、ハ
イドロキノン、ジ−t−ブチル−4−メチルフェノー
ル、ハイドロキノンモノメチルエーテル、p−ベンゾキ
ノン及び9−tert−ブチルカテコールが挙げられ
る。その添加量はアクリル酸化合物に対し、0.1〜1
0モル%が好ましい。
【0044】尚、本反応では、トルエン、キシレン等の
芳香族炭化水素系溶媒、1,2−ジメトキシエタン、
1,4−ジオキサン、ジエチレングリコールジメチルエ
ーテル等のエーテル系溶媒等のエーテル系溶媒を使用す
ることも出来るが、一般に溶媒を用いると反応速度が低
下する傾向にある。
【0045】反応温度は、0〜200℃で行われるが、
好ましくは、40〜150℃の間で行うのが目的物の収
率を向上させる。又、反応は、常圧でも加圧でも行うこ
とができる。
【0046】反応時間は、塩基の種類・量・反応温度・
溶媒等で異なるが、通常1〜50時間で行われ、好まし
くは、2〜30時間で終了する条件が望ましい。また、
反応は、回分式でも連続式でも行うことができる。
【0047】尚、前記式[5]のデカン化合物において
4、R5が水素の場合、反応後もジカルボン酸である
が、後処理で、加熱減圧乾燥により、反応スキーム
(2)で示す様に式[3]、式[4]で表される酸無水
物が得られる。
【0048】次に、反応スキーム(3)〜(6)の製造
法について述べる。出発原料のジオール化合物は、以下
の反応スキームにより製造される。
【0049】
【化27】
【0050】即ち、ETCDEを酸触媒下、加水分解す
ることにより3,4−ジヒドロキシ−8,9−ビス[ア
ルコキシカルボニル(カルボキシ)]トリシクロ[5.
2.1.02,6]デカン化合物(DHDE)が得られ
る。ここで前記式[5]においてR4及びR5が水素の場
合であるジカルボキシエポキシ体(ETCDC)の場合
は、加水分解反応後もジカルボン酸であるが反応後の後
処理で、加熱減圧乾燥により3,4−ジヒドロキシトリ
シクロ[5.2.1.02,6]デカン−8,9−ジカル
ボン酸無水物(DHDA)が得られる。
【0051】酸触媒としては、塩酸、硫酸及び燐酸等の
鉱酸が用いられ、特には硫酸が好ましい。その使用量
は、基質に対し0.05〜20モル%が好ましく、特に
は0.1〜10モル%が相応しい。
【0052】反応溶媒としては、例えば、水、ジオキサ
ン及びアセトニトリル等の単独または混合系で使用する
ことができる。その使用量は、基質に対し1〜20重量
倍が好ましく、特には2〜10重量倍が好ましい。
【0053】反応温度は、20〜150℃が好ましく、
特には50〜130℃が好ましい。反応後は、濃縮して
から1,2−ジクロロエタン(EDC)と水で抽出し
て、有機層を濃縮すると目的ジオールが得られる。
【0054】以下、これらのジオールを用いて(3)〜
(6)の反応について述べる。まず、反応スキーム
(3)及び(4)の製造法について述べる。
【0055】前記式[8]で表されるアクリル酸ハライ
ド化合物は、前記のアクリル酸化合物をハロゲン化チオ
ニルなどで酸ハライドにして得られる。ハロゲン元素と
しては、F、Cl、Br及びIが挙げられるが、最も安
価なClが使用される。具体的には、アクリロイルクロ
ライド、メタアクリロイルクロライド、チグリロイルク
ロライド、3,3−ジメチルアクリロイルクロライド、
2−メチル−2−ペンテノイルクロライド、2−エチル
−2−ヘキセノイルクロライド及び2−オクテロイルク
ロライド等が挙げられる。その使用量は、基質に対し、
2.0〜2.5当量が好ましい。
【0056】反応式(3)及び(4)で表される方法
は、塩基が必須でありその種類としては、トリメチルア
ミン、トリエチルアミン及びトリプロピルアミン等に代
表される鎖状アルキルアミン化合物、ピリジン、アニリ
ン及びN−メチルアニリン等に代表される芳香族アミン
化合物、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]ノ−5
−ネン(DBN)、1,4−ジアザビシクロ[2,2,
2]オクタン(DBO)及び1,8−ジアザビシクロ
[5,4,0]ウンデセ−7−エン(DBU)等に代表
される環状アルキルアミン化合物、炭酸ナトリウム、炭
酸水素ナトリウム、炭酸カリウム及び炭酸水素カリウム
等の金属炭酸塩等が挙げられる。これらの塩基の中で好
ましいものは、トリエチルアミンやトリプロピルアミン
である。その使用量は、基質に対し2.0〜2.5当量
(酸クロライドと当量)が好ましい。
【0057】本法は溶媒を使用するのが好ましい。溶媒
としては、テトラヒドロフラン(THF)、1,2−ジ
メトキシエタン、ジオキサン及び2−メトキシエチルエ
ーテル等のエーテル化合物、N,N−ジメチルホルムア
ミド(DMF)、N,N−ジメチルアセトアミド(DM
Ac),N−メチルピロリドン及び1,3−ジメチル−
2−イミダゾリジノン(DMI)等が好ましい。これら
の中で安価な1,2−ジメトキシエタンやDMFが好ま
しい。その使用量は、基質に対して1〜10重量倍が好
ましく、特には2〜5重量倍が好ましい。
【0058】反応温度は、0〜100℃、特には0〜5
0℃が好ましい。反応後は、水を添加し、残余酸クロラ
イドを加水分解してから、溶媒を留去し、難水溶性溶媒
(エーテル系やエステル系)で抽出した後、蒸留又はカ
ラムクロマトグラフィーで精製し、目的物を得ることが
できる。
【0059】尚、式[7]においてR4、R5が水素の場
合、反応後もジカルボン酸であるが、反応後の後処理
で、加熱減圧乾燥により、反応スキーム(4)で示す式
[3]、[4]で表される酸無水物が得られる。
【0060】次に、反応スキーム(5)及び(6)の製
造法について述べる。一般式[9]で表されるアクリル
酸化合物のR1は、水素または炭素数1〜4のアルキル
基を表し、好ましくは水素原子または炭素数1〜2であ
る。また、R 2、R3及びR4は水素原子または炭素数1
〜10であり、好ましくは水素原子または炭素数1〜5
である。
【0061】具体的には、アクリル酸、メタアクリル
酸、チグリル酸、3,3−ジメチルアクリル酸、2−メ
チル−2−ペンテン酸、2−エチル−2−ヘキセン酸及
び2−オクテン酸等、及びそれらの炭素数1〜10のア
クリル酸エステル化合物、具体的には、アクリル酸メチ
ル、アクリル酸エチル、メタアクリル酸メチル、メタア
クリル酸エチル、チグリル酸メチル、チグリル酸エチ
ル、3,3−ジメチルアクリル酸メチル、3,3−ジメ
チルアクリル酸エチル、2−メチル−2−ペンテン酸メ
チル、2−メチル−2−ペンテン酸エチル、2−エチル
−2−ヘキセン酸メチル、2−エチル−2−ヘキセン酸
エチル、2−オクテン酸メチル及び2−オクテン酸エチ
ル等が挙げられる。
【0062】本反応は、触媒が必要であり、触媒として
は、硫酸、塩酸及び硝酸等の鉱酸が使用でき、特には、
硫酸が好ましい。また、ベンゼンスルホン酸、p−トル
エンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸
及びトリフルオロ酢酸等の有機酸も使用でき、特にはp
−トルエンスルホン酸が好ましい。
【0063】更に、触媒としてタングステン酸、モリブ
デン酸或いはこれらのヘテロポリ酸が挙げられる。ヘテ
ロポリ酸の具体例としては、H3PW1240、H4SiW
12 40、H4TiW1240、H5CoW1240、H5Fe
1240、H621862、H7PW1133、H4TiM
1240、H3PMo1240、H7PMo1139、H62
Mo1862、H4PMoW1140、H4PVMo1140
4SiMo1240、H5PV2Mo1040、H3PMo6
640、H0.5Cs2.5PW1240及びそれらの水和物
等が代表的なものとして挙げられる。また、これらを炭
素やシリカに担持させた触媒等が挙げられる。これらの
ヘテロポリ酸のなかでは、H3PW124 0、H3PMo12
40及びそれらの水和物等が特に好ましい。
【0064】また更に、アンバーリストIR120等の
陽イオン交換樹脂、H−ZSM−5等のH型ゼオライト
等も使用することができる。特に、エステル交換法の場
合の触媒としては、前述の鉱酸類、ヘテロポリ酸類、有
機酸、陽イオン交換樹脂及びH型ゼオライトの他に、3
ZnO−2B23、酢酸カドミウム、酢酸亜鉛及び酢酸
カルシウムに代表される周期律表第II族化合物の脂肪酸
塩等が使用できる。
【0065】これらの触媒の使用量は、基質に対し0.
1〜100重量%が使用でき、経済的には、1〜20重
量%が好ましい。
【0066】本反応は、アクリル酸化合物またはアクリ
ル酸エステル化合物を大過剰用いることもできるが、そ
れらを理論量近傍に減少させて、溶媒を用いて行うこと
もでき、通常は、溶媒を使用することが好ましい。溶媒
の種類としては、1,2−ジクロロエタン(EDC)や
1,1,1−トリクロロエタン等のハロゲン化炭化水素
類、ベンゼン、トルエンやキシレン等の芳香族炭化水素
類、1,2−ジメトキシエタンやジエチレングリコール
ジメチルエーテル等のエーテル等が挙げられる。
【0067】溶媒の使用量は、基質に対し1〜20重量
倍、より好ましくは1〜6重量倍である。反応温度は、
50〜200℃、より好ましくは70〜150℃であ
る。反応は常圧でも加圧でも行うことができる。反応時
間は、1〜50時間で行うことができ、通常2〜12時
間で行うのが実用的である。
【0068】反応後得られた生成物は、カラムクロマト
グラフィー等により精製することができる。
【0069】尚、式[7]においてR4、R5が水素の場
合、反応後もジカルボン酸であるが反応後の後処理で、
加熱減圧乾燥により、反応スキーム(4)で示す式
[3]、[4]で表される酸無水物が得られる。
【0070】
【実施例】以下に実施例を挙げて、本発明を具体的に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例1
【0071】
【化28】
【0072】50ml四つ口反応フラスコに3,4−エ
ポキシ−8,9−ビス(メトキシカルボニル)トリシク
ロ[5.2.1.02,6]デカン(EMD)2.66g
(10mmol)、メタアクリル酸5.16g(60m
mol)及びテトラメチルアンモニウムクロライド(T
MAC)0.055g(0.5mmol)を仕込み、1
10℃で19時間撹拌した。室温に冷却してから1,2
−ジクロロエタン(EDC)と水を加えて分液後、ED
C層を水洗し濃縮すると油状物5.41gが得られた。
この残渣を、n−ヘプタン/酢酸エチル=5/1〜3/
1でシリカゲルカラムクロマトグラフィ−で精製する
と、無色透明な油状物質の3−ヒドロキシ−4−メタア
クリロイルオキシ−8,9−ビス(メトキシカルボニ
ル)トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン(HMM
D)2.58g(収率73.3%)が得られた。尚、こ
の無色透明な油状物質中には4−ヒドロキシ−3−メタ
アクリロイルオキシ−8,9−ビス(メトキシカルボニ
ル)トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン(HMM
D2)の異性体が6.0%含有していた。HMMDの構
造は、下記の分析結果から確認した。
【0073】MASS(FAB+,m/e(%)):353(M+1,17),321(10
0),235(34).1 H-NMR(CDCl3,δppm):1.43(dd,J1=9.77Hz,J2=22.6Hz,1
H),1.55(d,J=10.4Hz,1H),1.95(s,3H),2.10-2.16(m,1H),
2.29-2.35(m,2H),2.48(d,J=4.3Hz,1H),2.53-2.57(m,1
H),2.68(d,J=4.3Hz,1H),3.07(dd,J1=7.9Hz,J2=22.9Hz,2
H),3.61(brs,1H),3.63(s,6H),3.93(t,J=7.3Hz,1H),5.03
(dd,J1=6.7Hz,J2=10.4Hz,1H),5.62(t,J=1.5Hz,1H),6.15
(s,1H).13 C-NMR(CDCl3,δppm):18.25,28.10,39.61,40.61,41.7
4,43.13,43.72,44.84,49.28,51.81(2本分),75.06,8
3.47,126.37,136.00,167.88,173.56,173.65.
【0074】更に、前留分として3,4−ビス(メタア
クリロイルオキシ)−8,9−ビス(メトキシカルボニ
ル)トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン(DMM
D)が0.74g(収率17.6%)得られた。DMM
Dの構造は、下記の分析結果から確認した。
【0075】MASS(FAB+,m/e(%)):421(M+1,22),389(10
0),335(94),189(95),157(60),129(81),105(48),81(71).1 H-NMR(CDCl3,δppm):1.44-1.54(m,2H),1.93(s,3H),1.
94(s,3H),2.20-2.25(m,1H),2.30-2.35(m,2H),2.50(d,J=
3.67Hz,1H),2.55-2.64(m,1H),2.72(d,J=4.88Hz,1H),3.1
3(d,J=9.77Hz,1H),3.36(d,J=9.77Hz,1H),3.65(s,3H),3.
66(s,3H),4.97(t,J=7.64Hz,1H),5.36(dd,J1=7.95Hz,J2=
17.7Hz,1H),5.58(dd,J1=1.84Hz,J2=3.06Hz,1H),5.60(t,
J=1.5Hz,1H),6.11(s,1H),6.13(d,J=7.94Hz,1H).13 C-NMR(CDCl3,δppm):18.20,18.27,27.92,40.03,40.4
8,42.33,43.22,43.78,44.82,47.02,51.92(2本分),76.7
3,78.87,126.26,126.33,135.84,135.89,167.16,167.31,
173.64,173.78. 実施例2
【0076】
【化29】
【0077】50ml四つ口反応フラスコに3,4−エ
ポキシ−8,9−ジカルボキシトリシクロ[5.2.
1.02,6]デカン(ECD)2.38g(10mmo
l)、メタアクリル酸5.16g(60mmol)、ヒ
ドロキノン0.044g(0.4mmol)及びテトラ
メチルアンモニウムクロライド(TMAC)0.055
g(0.5mmol)を仕込み、110℃で8時間撹拌
した。室温に冷却してから1,2−ジクロロエタン(E
DC)と水を加えて分液後、EDC層を水洗し濃縮する
と油状物3.35gが得られた。この残渣を、n−ヘプ
タン/酢酸エチル=1/1〜0/1及びアセトニトリル
でシリカゲルカラムクロマトグラフィ−で精製すると、
3−ヒドロキシ−4−メタアクリロイルオキシトリシク
ロ[5.2.1.02,6]デカン−8,9−ジカルボキ
シ酸無水物(HMDA)の結晶1.91g(収率59.
0%)が得られた。HMDAの構造は、下記の分析結果
から確認した。
【0078】MASS(FAB+,m/e(%)):307(M+1,68),289(10
0),221(82),131(79),129(71),84(85),81(69).1 H-NMR(CDCl3,δppm):1.45(dd,J1=9.77Hz,J2=22.6Hz,1
H),1.54(d,J=10.4Hz,1H),1.95(s,3H),2.09-2.16(m,1H),
2.29-2.35(m,2H),2.49(d,J=4.3Hz,1H),2.53-2.57(m,1
H),2.68(d,J=4.3Hz,1H),3.07(dd,J1=7.9Hz,J2=22.9Hz,2
H),3.56(brs,1H),3.89(t,J=7.3Hz,1H),5.03(dd,J1=6.7H
z,J2=10.4Hz,1H),5.62(t,J=1.5Hz,1H),6.15(s,1H).13 C-NMR(CDCl3,δppm):18.27,27.90,37.88,38.31,38.5
3,38.75,42.86,43.32,44.38,48.53,75.27,83.50,126.8
7,135.87,168.15,171.22(2本分). 融点(℃):100〜101. 尚、未反応ECDが0.426g(収率17.9%)回
収された。
【0079】実施例3 50ml四つ口反応フラスコにECD2.38g(10
mmol)、メタアクリル酸5.16g(60mmo
l)、ヒドロキノン0.044g(0.4mmol)及
びテトラメチルアンモニウムクロライド(TMAC)
0.055g(0.5mmol)を仕込み、110℃で
15時間撹拌した。室温に冷却してから1,2−ジクロ
ロエタン(EDC)と水を加えて分液後、EDC層を水
洗し濃縮すると油状物4.30gが得られた。この残渣
を、n−ヘプタン/酢酸エチル=1/2〜0/1及びア
セトニトリルでシリカゲルカラムクロマトグラフィ−で
精製すると、前留分として3,4−ビス(メタアクリロ
イルオキシ)トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン
−8,9−ジカルボキシ酸無水物(DMDA)の油状物
1.34g(収率34.8%)が得られた。DMDAの
構造は、下記の分析結果から確認した。
【0080】MASS(FAB+,m/e(%)):374(M+1,7),307(13),2
89(36),96(30),88(100).1 H-NMR(CDCl3,δppm):1.23(d,J=7.3Hz,1H),1.27(t,J=
5.8Hz,1H),1.44(dd,J1=10.1Hz,J2=23.8Hz,1H),1.57(d,J
=12.6Hz,1H),1.64(d,J=12.2Hz,1H),1.82(s,1H),2.08(s,
1H),2.30-2.35(m,1H),2.38-2.43(m,1H),2.79(d,J=3.67H
z,1H),2.98(d,J=4.89Hz,1H),3.30(d,J=7.94Hz,1H),3.64
2.38-2.43(m,1H),3.90(t,J=8.25Hz,1H),5.35-5.40(m,1
H),5.60(s,1H),6.11(d,J=12.4Hz,1H),6.73(s,1H).13 C-NMR(CDCl3,δppm):18.25(2本分),27.85,38.32,3
9.12,43.21,43.54,44.43,44.48,45.76,76.96,78.27,12
6.56,126.77,135.69,135.81,166.82,167.49,173.17,17
3.73.尚、後留分としてHMDAが2.00g(収率6
1.8%)が得られた。
【0081】実施例4 50ml四つ口反応フラスコにECD2.38g(10
mmol)、メタアクリル酸5.16g(60mmo
l)及びヒドロキノン0.044g(0.4mmol)
を仕込み、120℃で8時間撹拌した。室温に冷却して
から1,2−ジクロロエタン(EDC)と水を加えて分
液後、EDC層を水洗後ガスクロマトグラフィ−で分析
した結果、HMDA収率69.9%及びDMDA収率2
3.1%が得られた。 実施例5
【0082】
【化30】
【0083】200ml四つ口反応フラスコに8,9−
ビス(メトキシカルボニル)トリシクロ[5.2.1.
2,6]デセ-3-エン(TCDME)12.5g(50m
mol)と1,4−ジオキサン55.5gを仕込み、3
7%過酢酸11.3g(55mmol)を40℃で1時
間撹拌しながら滴下した。更に同温度で6時間撹拌し
た。濃縮後油状物17.1gが得られた。室温に冷却し
てから1,2−ジクロロエタン(EDC)と水を加えて
分液後、EDC層を水洗・濃縮すると、固形物12.1
g(収率91.1%)が得られた。この結晶を分析の結
果、3,4−エポキシ−8,9−ビス(メトキシカルボ
ニル)トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン(EM
D)であることを確認した。
【0084】MASS(FAB+,m/e(%)):267(M+1,14),187(4
0),149(48),102(41)1 H-NMR(CDCl3,δppm):1.52(d,J=10.4Hz,1H),170(dd,J1
=2.44Hz,J2=1.58Hz,1H),1.95(dd,J1=8.55Hz,J2=15.88H
z,1H),2.21(dd,J1=1.83Hz,J2=10.83Hz,1H),2.46(s,1H),
2.48-2.51(m,1H),2.55(dd,J1=4.89Hz,J2=9.78Hz,1H),2.
70(d,J=4.28Hz,1H),2.96(dd,J1=9.78Hz,J2=31.16Hz,2
H),3.35(s,1H),3.55(t,J=2.43Hz,1H),3.64(d,J=4.28Hz,
6H).13 C-NMR(CDCl3,δppm):27.91,40.01,41.95,43.75,44.5
3,44.57,44.61(2本分),47.11,51.77,59.46,60.82,173,2
7,173.48. 融点(℃):82〜83 実施例6
【0085】
【化31】
【0086】200ml四つ口反応フラスコに8,9−
ジカルボキシトリシクロ[5.2.1.02,6]デセ−
3−エン(TCDC)11.1g(50mmol)と
1,4−ジオキサン55.5gを仕込み、37%過酢酸
11.3g(55mmol)を40℃で1時間撹拌しな
がら滴下した。更に同温度で15時間撹拌した。濃縮後
ゼリー状固体15.8gが得られた。水を加え室温で撹
拌する結晶がスラリーで析出した。濾過、水洗更に減圧
乾燥することにより白色結晶8.82g(収率74.1
%)が得られた。
【0087】この結晶を分析の結果、3,4−エポキシ
−8,9−ジカルボキシトリシクロ[5.2.1.0
2,6]デカン(ECD)であることを確認した。
【0088】MASS(FAB+,m/e(%)):239(M+1,78),221(10
0),178(56),169(87),110(98),96(58),86(54).1 H-NMR(CDCl3,δppm):1.46(d,J=10.4Hz,1H),1.74(d,J=
15.3Hz,1H),1.90(dd,J1=8.55Hz,J2=15.9Hz,1H),2.26(d,
J=10.4Hz,1H),2.42(s,1H),2.44-2.47(m,1H),2.51(dd,J1
=4.89Hz,J2=9.78Hz,1H),2.66(d,J=4.27Hz,1H),2.90(dd,
J1=9.78Hz,J2=35.2Hz,2H),3.35(d,J=1.83Hz,1H),3.57
(s,1H).13 C-NMR(CDCl3,δppm):27.86,39.78,41.86,43.64,44.4
9,44.51,44.57,47.21,59.41,60.77,174.76,174.97. 融点(℃):165〜166. 実施例7
【0089】
【化32】
【0090】50ml四つ口反応フラスコにEMD2.
66g(10mmol)、1,4−ジオキサン13.3
g、水6.2g及び95%硫酸0.05gを仕込み、1
00℃で7時間撹拌した。室温に冷却してから1,2−
ジクロロエタン(EDC)と水を加えて分液後、EDC
層を水洗後濃縮すると油状物1.28g(収率45.1
%)が得られた。
【0091】この油状物は分析の結果、3,4−ジヒド
ロキシ−8,9−ビス(メトキシカルボニル)トリシク
ロ[5.2.1.02,6]デカン(DHMD)であるこ
とを確認した。
【0092】MASS(FAB+,m/e(%)):267(M+1,25),235(10
0),207(12),68(22).1 H-NMR(CDCl3,δppm):1.52(d,J=10.4Hz,1H),1.71(dt,J
1=15.9Hz,J2=2.44Hz,1H),1.95(dd,J1=8.55Hz,J2=15.9H
z,1H),2.20(d,J=10.4Hz,1H),2.44-2.51(m,2H),2.55(dd,
J1=4.89Hz,J2=9.17Hz,1H),2.70(d,J=4.88Hz,1H),2.93(d
d,J1=1.83Hz,J2=7.94Hz,1H),2.99(dd,J1=1.83Hz,J2=9.7
7Hz,1H),3.35(d,J=2.44Hz,1H),3.56(t,J=1.83Hz,1H),3.
63(s,3H),3.64(s,3H).13 C-NMR(CDCl3,δppm):27.97,40.06,42.01,43.80,44.5
7,44.63,44.67,47.18,51.81,51.82,59.49,60.86,173.3
1,173.52. 実施例8
【0093】
【化33】
【0094】50ml四つ口反応フラスコにECD4.
76g(20mmol)、1,4−ジオキサン19.0
g、水4.8g及び95%硫酸0.12gを仕込み、1
00℃で5時間撹拌した。濃縮すると粘稠油状物5.9
2gが得られた。この残渣をアセトニトリル/エタノー
ル=1/1〜0/1の展開溶媒によりシリカゲルカラム
クロマトグラフィーで精製すると、濃縮後固体の3,4
−ジヒドロキシ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デ
カン−8,9−ジカルボン酸無水物(DHTC)4.0
1g(収率84.2%)が得られた。DHTCは、以下
の分析結果より確認した。
【0095】MASS(FAB+,m/e(%)):239(M+1,100),221(3
6),207(25),177(36),115(58),110(48).13 C-NMR(CDCl3,δppm):30.29,38.48,40.95,41.24,42.6
4,43.25,44.48,76.41,78.91,174.72,174.83. 融点(℃):125〜126
【0096】
【発明の効果】本発明は、ジシクロペンタジエンを原料
として得られる3,4−エポキシ−8,9−ビス(アル
コキシカルボニル)トリシクロ[5.2.1.02,6
デカン化合物(ETCDE)及び3,4−エポキシ−
8,9−ジカルボキシトリシクロ[5.2.1.
2,6]デカン(ETCDC)化合物或いはこれらの加
水分解物である3,4−ジヒドロキシ−8,9−ビス
[アルコキシカルボニル(カルボキシ)]トリシクロ
[5.2.1.02,6]デカン化合物(DHDE)及び
3,4−ジヒドロキシトリシクロ[5.2.1.
2,6]デカン−8,9−ジカルボン酸無水物(DHD
A)を用いて、優れた性質を有するフォトレジスト用モ
ノマーとなる脂環式エステル化合物及びその製法を提供
できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C07D 307/93 C07D 307/93 // C07B 61/00 300 C07B 61/00 300

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 式[1] 【化1】 (式中、R1は、水素原子または炭素数1〜4のアルキ
    ル基を表し、R2、R3、R4及びR5は、水素原子または
    炭素1〜10のアルキル基を表す。)で表される3
    (4)−ヒドロキシ−4(3)−アクリロイルオキシ−
    8,9−ビス[アルコキシカルボニル(カルボキシ)]
    トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物。
  2. 【請求項2】 式[2] 【化2】 (式中、R1は、水素原子または炭素数1〜4のアルキ
    ル基を表し、R2、R3、R4及びR5は、水素原子または
    炭素1〜10のアルキル基を表す。)で表される3,4
    −ビス(アクリロイルオキシ)−8,9−ビス[アルコ
    キシカルボニル(カルボキシ)]トリシクロ[5.2.
    1.02,6]デカン化合物。
  3. 【請求項3】 式[3] 【化3】 (式中、R1は、水素原子または炭素数1〜4のアルキ
    ル基を表し、R2及びR 3は、水素原子または炭素1〜1
    0のアルキル基を表す。)で表される3(4)−ヒドロ
    キシ−4(3)−アクリロイルオキシトリシクロ[5.
    2.1.02,6]デカン−8,9−ジカルボン酸無水物
    化合物。
  4. 【請求項4】 式[4] 【化4】 (式中、R1は、水素原子または炭素数1〜4のアルキ
    ル基を表し、R2及びR3は、水素原子または炭素1〜1
    0のアルキル基を表す。)で表される3(4),4
    (3)−ビス(アクリロイルオキシ)トリシクロ[5.
    2.1.02,6]デカン−8,9−ジカルボン酸無水物
    化合物。
  5. 【請求項5】 式[5] 【化5】 (式中、R4及びR5は、水素原子または炭素1〜10の
    アルキル基を表す。)で表される3,4−エポキシ−
    8,9−ビス[アルコキシカルボニル(カルボキシ)]
    トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物と式
    [6] 【化6】 (式中、R1は、水素原子または炭素数1〜4のアルキ
    ル基を表し、R2及びR 3は、水素原子または炭素1〜1
    0のアルキル基を表す。)表されるアクリル酸化合物と
    を反応させることを特徴とする式[1]、[2]、
    [3]及び[4] 【化7】 (式中、R1、R2、R3、R4及びR5は、前記と同じ意
    味を表す。)で表される3(4)−ヒドロキシ−4
    (3)−アクリロイルオキシ−8,9−ビス[アルコキ
    シカルボニル(カルボキシ)]トリシクロ[5.2.
    1.02,6]デカン化合物(式[1])、3,4−ビス
    (アクリロイルオキシ)−8,9−ビス[アルコキシカ
    ルボニル(カルボキシ)]トリシクロ[5.2.1.0
    2,6]デカン化合物(式[2])、3(4)−ヒドロキ
    シ−4(3)−アクリロイルオキシトリシクロ[5.
    2.1.02,6]デカン−8,9−ジカルボン酸無水物
    化合物(式[3])及び3(4),4(3)−ビス(ア
    クリロイルオキシ)トリシクロ[5.2.1.02,6
    デカン−8,9−ジカルボン酸無水物化合物(式
    [4])の製造法。
  6. 【請求項6】 式[7] 【化8】 (式中、R4及びR5は、水素原子または炭素1〜10の
    アルキル基を表す。)で表される3,4−ジヒドロキシ
    −8,9−ビス[アルコキシカルボニル(カルボキ
    シ)]トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物
    と式[8] 【化9】 (式中、R1は、水素原子または炭素数1〜4のアルキ
    ル基を表し、R2及びR3は、水素原子または炭素1〜1
    0のアルキル基を表し、Xはハロゲン原子を表す。)で
    表されるアクリロイルハライド化合物とを、塩基存在下
    反応させることを特徴とする前記式[1]、[2]、
    [3]及び[4]で表される3(4)−ヒドロキシ−4
    (3)−アクリロイルオキシ−8,9−ビス[アルコキ
    シカルボニル(カルボキシ)]トリシクロ[5.2.
    1.02,6]デカン化合物(式[1])、3,4−ビス
    (アクリロイルオキシ)−8,9−ビス[アルコキシカ
    ルボニル(カルボキシ)]トリシクロ[5.2.1.0
    2,6]デカン化合物(式[2])、3(4)−ヒドロキ
    シ−4(3)−アクリロイルオキシトリシクロ[5.
    2.1.02,6]デカン−8,9−ジカルボン酸無水物
    化合物(式[3])及び3(4),4(3)−ビス(ア
    クリロイルオキシ)トリシクロ[5.2.1.02,6
    デカン−8,9−ジカルボン酸無水物化合物(式
    [4])の製造法。
  7. 【請求項7】 式[7] 【化10】 (式中、R4及びR5は、水素原子または炭素1〜10の
    アルキル基を表す。)で表される3,4−ジヒドロキシ
    −8,9−ビス[アルコキシカルボニル(カルボキ
    シ)]トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物
    と式[9] 【化11】 (式中、R1は、水素原子または炭素数1〜4のアルキ
    ル基を表し、R2、R3及びR6は、水素原子または炭素
    1〜10のアルキル基を表す。)で表されるアクリル酸
    化合物とを、酸触媒存在下反応させることを特徴とする
    前記式[1]、[2]、[3]及び[4]で表される3
    (4)−ヒドロキシ−4(3)−アクリロイルオキシ−
    8,9−ビス[アルコキシカルボニル(カルボキシ)]
    トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物(式
    [1])、3,4−ビス(アクリロイルオキシ)−8,
    9−ビス[アルコキシカルボニル(カルボキシ)]トリ
    シクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物(式
    [2])、3(4)−ヒドロキシ−4(3)−アクリロ
    イルオキシトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−
    8,9−ジカルボン酸無水物化合物(式[3])及び3
    (4),4(3)−ビス(アクリロイルオキシ)トリシ
    クロ[5.2.1.02,6]デカン−8,9−ジカルボ
    ン酸無水物化合物(式[4])の製造法。
  8. 【請求項8】 式[7] 【化12】 (式中、R4及びR5は、水素原子または炭素1〜10の
    アルキル基を表す。)で表される3,4−ヒドロキシ−
    8,9−ビス[アルコキシカルボニル(カルボキシ)]
    トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物。
  9. 【請求項9】 式[5] 【化13】 (式中、R4及びR5は、水素原子または炭素1〜10の
    アルキル基を表す。)で表される3,4−エポキシ−
    8,9−ビス[アルコキシカルボニル(カルボキシ)]
    トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物。
  10. 【請求項10】 式[10] 【化14】 (式中、R4及びR5は、水素原子または炭素1〜10の
    アルキル基を表す。)で表される8,9−ビス[アルコ
    キシカルボニル(カルボキシ)]トリシクロ[5.2.
    1.02,6]デセ−3−エン化合物と酸素又は過酸化物
    と反応させて、前記式[5]で表される3,4−エポキ
    シ−8,9−ビス[アルコキシカルボニル(カルボキ
    シ)]トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物
    を製造し、次に、このエポキシ化合物に酸触媒下水を付
    加させることを特徴とする式[7] 【化15】 (式中、R4及びR5は前記と同じ意味を表す。)で表さ
    れる3,4−ジヒドロキシ−8,9−ビス[アルコキシ
    カルボニル(カルボキシ)]トリシクロ[5.2.1.
    2,6]デカン化合物の製造法。
  11. 【請求項11】 式[11] 【化16】 で表される3,4−ジヒドロキシトリシクロ[5.2.
    1.02,6]デカン−8,9−ジカルボン酸無水物。
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