JP2001303240A

JP2001303240A - スパッタリングターゲット

Info

Publication number: JP2001303240A
Application number: JP2000126599A
Authority: JP
Inventors: Yukinobu Suzuki; 幸伸鈴木; Yasuo Kosaka; 泰郎高阪; Naomi Fujioka; 直美藤岡; Takashi Watanabe; 高志渡辺; Takashi Ishigami; 隆石上; Koichi Watanabe; 光一渡邊
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-04-26
Filing date: 2000-04-26
Publication date: 2001-10-31

Abstract

(57)【要約】【課題】Ｃｕ配線膜に対するバリア層などとして用い
られるＴａＮ膜を、Ｔａターゲットを用いて化相スパッ
タすることにより形成する際に、ＴａＮ膜のＣｕバリア
性をより一層かつ再現性よく高める。【解決手段】高純度Ｔａ、窒素を2at%以下の範囲で含
有する高純度Ｔａ、および高純度ＴａＮから選ばれる少
なくとも1種からなるスパッタリングターゲットであっ
て、このターゲット構成材料中のＣｕ含有量を50ppm以
下とする。さらに、ターゲット全体としてのＣｕ含有量
のバラツキを±30%以内に抑える。このようなスパッタ
リングターゲットを用いて、化成スパッタによりＴａＮ
膜を成膜することによって、Ｃｕバリア性に優れるＴａ
Ｎ膜（バリア層）が再現性よく得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子などに
用いられるＣｕ配線のバリア層の形成に好適なスパッタ
リングターゲットに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＬＳＩに代表される半導体工業は
急速に進捗しつつある。高速ロジックなどの半導体素子
においては、高集積化、高信頼性化、高機能化が進むに
つれて、微細加工技術に要求される精度も益々高まって
きている。このような集積回路の高密度化や高速化など
に伴って、ＡｌやＣｕを主成分として形成される金属配
線の幅は1/4μm以下になりつつある。

【０００３】一方、集積回路を高速で動作させるために
は、Ａｌ配線やＣｕ配線の抵抗を低減することが必須と
なる。従来の配線構造では、配線の厚さを厚くすること
で配線抵抗を低減することが一般的であった。しかし、
さらなる高集積化・高密度化された半導体デバイスなど
では、これまでの積層構造を用いた際に配線上に形成さ
れる絶縁膜のカバレッジ性が悪くなり、当然デバイスの
歩留りも低下するため、配線技術そのものを改良するこ
とが求められている。

【０００４】そこで、従来の配線技術とは異なる、デュ
アルダマシン（ＤＤ）配線技術を適用することが検討さ
れている。ＤＤ技術とは、予め下地膜に形成した配線溝
上に、配線材となるＡｌやＣｕを主成分とする金属をス
パッタリング法やＣＶＤ法などを用いて成膜し、熱処理
（リフロー）によって溝へ流し込み、ＣＭＰ（Chemical
Mechanical Polishing）法などにより余剰の配線金属
を除去する技術である。

【０００５】上述したような配線材料としては、抵抗率
がＡｌより低いＣｕが主流となりつつあり、ロジックな
どの半導体デバイスではおおよそＣｕ配線が使用されて
いる。Ｃｕ配線が有利な点としては、Ａｌ配線に比べて
耐エレクトロマイグレーション性に優れていることも挙
げられる。しかし一方で、ＣｕやＡｕ、Ｆｅといった金
属は、Ｓｉ内を格子拡散するために拡散速度が速く、Ｓ
ｉ基板内に入ると少数キャリアの寿命を短くすることが
懸念されている。

【０００６】このようなことから、Ｃｕ配線を適用する
場合には、ＣｕのＳｉ中への拡散防止を目的としたバリ
アメタル層を設けることが必須である。ここで、半導体
素子用のバリアメタルとしては一般的にＴｉＮが使用さ
れてきたが、最近Ｃｕ配線用のバリア材料としてＴａＮ
が提案され、ＣｕのＳｉ中への拡散防止に対してはＴａ
Ｎが有効であることが明らかとなりつつある。

【０００７】そこで、Ｃｕ配線用のバリア層にはＴａＮ
膜を適用する方向に進んでいる。このようなバリア層と
してのＴａＮ膜の形成方法としては、従来のＴｉＮ膜と
同様に、Ｔａターゲットを用いてＡｒとＮ₂の混合ガス
中でスパッタリングを行う化成スパッタ、すなわちＡｒ
と共にＮ₂ ⁺イオンでＴａターゲット表面を衝撃し、Ｔａ
とＮ₂イオンの化合物であるＴａＮ粒子として飛翔させ
る化学スパッタリングを主として使用することが考えら
れている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
Ｔａターゲットを用いた化成スパッタで得られるＴａＮ
膜では、例えば下地のＳｉＯ₂膜と反応してシリサイデ
ーションを引起し、バリア性に悪影響を及ぼすなど、Ｃ
ｕ配線に対するバリア性が必ずしも十分ではなく、バリ
ア性をより一層向上させたＴａＮ膜を再現性よく形成す
ることを可能にしたスパッタリングターゲットが求めら
れている。

【０００９】特に、上述したようなＤＤ配線を適用し
て、その際の配線溝のアスペクト比が1/4以上になるこ
とが予想される次世代のロジックなどにおいては、Ｔａ
Ｎ膜自体の性質としてのＣｕバリア性を高めることが強
く望まれている。

【００１０】本発明はこのような課題に対処するために
なされたもので、Ｃｕ配線に対するバリア層などとして
用いられるＴａＮ膜のバリア性をより一層かつ再現性よ
く高めることを可能にした、高純度Ｔａなどからなるス
パッタリングターゲットを提供することを目的としてい
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記した課
題を解決するために、Ｔａターゲット（あるいはＴａＮ
ターゲット）中の不純物含有量やターゲット内の不純物
元素のバラツキに対する影響を検討した結果、Ｔａター
ゲット中に含まれるＣｕ量およびＴａターゲット内のＣ
ｕ量のバラツキを調整し、そのようなＴａターゲットを
使用してＴａＮ膜を成膜することによって、ＴａＮ膜の
Ｃｕバリア性をより一層かつ再現性よく高めることを可
能であることを見出した。

【００１２】本発明はこのような知見に基づいて成され
たものであり、本発明のスパッタリングターゲットは、
請求項１に記載したように、Ｃｕ含有量が50ppm以下の
高純度Ｔａからなることを特徴としている。

【００１３】ここで、スパッタリングターゲットの構成
材料である高純度Ｔａは、請求項２に記載したように2a
t%以下の範囲の窒素を含有していてもよい。本発明のス
パッタリングターゲットは、さらに請求項６に記載した
ように、ターゲット全体の前記Ｃｕ含有量のバラツキが
±30%以内であることを特徴としている。

【００１４】本発明のスパッタリングターゲットは、例
えば請求項７に記載したように、バッキングプレートと
接合して用いられる。この際のターゲットとバッキング
プレートとの接合には、例えば拡散接合が用いられる。
また、本発明のスパッタリングターゲットは、請求項８
に記載したように、特にＴａＮ膜からなるバリア層の形
成用として好適である。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について説明する。

【００１６】本発明のスパッタリングターゲットは、Ｃ
ｕ含有量を50ppm以下とした高純度Ｔａからなるもので
ある。ここで、ターゲット構成材料としての高純度Ｔａ
は2at%以下の範囲の窒素を含有していてもよい。

【００１７】ターゲット構成材料としての高純度Ｔａ中
に含まれる窒素の存在形態は、特に限定されるものでは
なく、Ｔａ中に固溶した状態であってもよいし、またＴ
ａＮとして存在していてもよい。また、一部はＴａ中に
固溶した状態で存在し、他はＴａＮとして存在していて
もよい。すなわち、本発明のスパッタリングターゲット
は、高純度Ｔａ、窒素を2at%以下の範囲で含有する高純
度Ｔａ、および高純度ＴａＮから選ばれる少なくとも1
種（以下、総称して高純度Ｔａと記す）からなるもので
ある。

【００１８】本発明において、高純度Ｔａからなるスパ
ッタリングターゲット（Ｔａターゲット）中のＣｕ含有
量を50ppm以下と規定した理由は、以下の通りである。

【００１９】Ｓｉ基板上にＴａターゲットを用いた化成
スパッタによりＴａＮ膜を成膜し、このＴａＮ膜をバリ
ア層としてＣｕ配線を形成する場合を考える。このよう
な場合にバリア層としてのＴａＮ膜が比較的多量のＣｕ
を含んでいると、Ｃｕ配線からＣｕ原子がＴａＮ膜内に
拡散してきた際に、ＴａＮのＣｕ固溶限などを超えやす
くなることから、Ｃｕの濃度勾配などに基づいてＴａＮ
膜内のＣｕ原子がＳｉ基板側に拡散しやすくなる。すな
わち、ＴａＮ膜のバリア層として機能が損われることに
なる。

【００２０】本発明のスパッタリングターゲットは、上
述したＴａＮ膜のバリア層として機能低下原因となる、
例えばＴａＮ膜中の不純物Ｃｕ量を低減することを可能
としたものであり、そのためにターゲットを構成する高
純度Ｔａ中のＣｕ量を50ppm以下としている。このよう
に、ＴａターゲットのＣｕ含有量を50ppm以下とするこ
とによって、それを用いて成膜したＴａＮ膜中のＣｕ量
を減少させることができ、その結果としてＴａＮ膜のバ
リア層として機能を長期間にわたって安定して発揮させ
ることが可能となる。

【００２１】スパッタリングターゲット（Ｔａターゲッ
ト）中のＣｕ含有量は10ppm以下とすることが好まし
い。さらに好ましいＣｕ含有量は5ppm以下であり、より
望ましくは1ppm以下である。このような低Ｃｕ含有量を
満足させることによって、ＴａＮ膜のバリア層としての
機能をより一層高めることが可能となる。このようなス
パッタリングターゲットは、例えば幅が2μm以下、幅と
深さの比（アスペクト比：深さ／幅）が1以上というよ
うな配線溝に、Ｃｕ配線をリフローして形成する際のバ
リア層形成用として特に効果的である。

【００２２】また、本発明のスパッタリングターゲット
中のＣｕ含有量のバラツキは、ターゲット全体として±
30%以内とすることが好ましい。このように、ターゲッ
ト全体のＣｕ含有量のバラツキを低く抑えることによっ
て、それを用いて形成したＴａＮ膜全体としてＣｕバリ
ア性などを向上させることができる。Ｔａターゲット中
のＣｕ含有量のバラツキは、±15%以内とすることがさ
らに好ましく、より望ましくは±10%以内である。

【００２３】すなわち、Ｔａターゲット全体としてのＣ
ｕ含有量のバラツキが±30%の範囲を超えると、それを
用いて形成したＴａＮ膜を使用した半導体デバイスなど
の均一性に悪影響を及ぼすことになる。現在の半導体デ
バイスは8インチＳｉウエハから数万個単位で生産され
るため、Ｔａターゲット内のＣｕ含有量のバラツキがそ
のままＳｉウエハの配線膜に影響を及ぼし、各半導体デ
バイスの信頼性にバラツキを生じさせる結果となる。

【００２４】ここで、本発明のスパッタリングターゲッ
トにおけるＣｕ含有量のバラツキは、以下のようにして
求めた値を指すものとする。例えば、直径320〜330mmの
スパッタリングターゲットの表面から9点の分析用サン
プルを採取する。各サンプルは、ターゲットの中心と中
心に対してＸ軸方向およびＹ軸方向にそれぞれ75mm、15
0mmの各位置から採取する。これら9点の分析用サンプル
（寸法：長さ10mm、幅10mm）のＣｕ含有量を測定する。
そして、各サンプルのＣｕ含有量の最大値および最小値
から以下の式に基づいてバラツキを求める。

【００２５】バラツキ[%]＝｛（最大値−最小値）／
（最大値＋最小値）｝×100 Ｔａターゲット中のＣｕ含有量については、通常使用さ
れているＩＣＰにより測定した値とする。また、サンプ
ルの採取位置は、ターゲットサイズに応じて適宜調整す
ることが可能である。

【００２６】本発明のスパッタリングターゲットは、上
述したように高純度ＴａのＣｕ含有量を50ppm以下とし
たことを特徴とするものであるが、ターゲットを構成す
る高純度Ｔａ（高純度Ｔａや高純度ＴａＮから選ばれる
少なくとも1種）中の他の不純物量（窒素を除く）につ
いては、一般的な高純度金属材のレベル程度であれば多
少含んでいてもよい。

【００２７】具体的には、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔ
ｉの各含有量（質量%）の合計量を100%から引いた値［1
00−(Fe%+Ni%+Cr%+Si%+Ti%)］が99.5%以上というような
高純度Ｔａや高純度ＴａＮを指すものとする。本発明の
スパッタリングターゲットにおいては、例えば配線抵抗
の低減などを図る上で、上記したような高純度Ｔａや高
純度ＴａＮを用いることが好ましい。

【００２８】スパッタリングターゲットの構成材料とし
て、窒素を2at%以下の範囲で含有する高純度Ｔａや高純
度ＴａＮを用いた場合、それを用いてＴａＮ膜をスパッ
タ成膜する際に、チャンバ内のＮ₂量の分布に差が生じ
ていたとしても、得られるスパッタ膜中の窒素量のバラ
ツキを抑制することができる。言い換えると、Ｔａター
ゲットを用いた化成スパッタによって、均一にＴａＮを
形成することができる。そして、ＴａＮ膜中の窒素量分
布を均一化することによって、膜特性や膜厚の面内均一
性を大幅に高めることが可能となる。

【００２９】Ｔａターゲット中に含有させる窒素量は、
上述したように2at%以下の範囲とすることが好ましい。
Ｔａターゲット中の窒素含有が2at%を超えると、Ｃｕ配
線とのバリア効果は向上するが、ＴａＮ／Ｃｕ配線の抵
抗率が高くなり、高速ロジックなどの配線規格から外れ
るおそれがある。Ｔａターゲット中の窒素含有量は0.01
〜1at%の範囲とすることがさらに好ましく、より望まし
くは0.1〜0.5at%の範囲である。

【００３０】本発明のスパッタリングターゲットは、例
えば以下のようにして作製することができる。すなわ
ち、まずＴａスパッタリングターゲットの形成原料とな
る高純度Ｔａを作製する。具体的には、高品位のＴａ₂
Ｏ₅に対してアルカリ融解法を実施し、分別結晶法さら
にはハロゲン金属による還元法を適用することにより粗
金属Ｔａを得る。これを例えばエレクトロンビーム（Ｅ
Ｂ）溶解して高純度Ｔａを精製する。

【００３１】本発明においては、ＴａターゲットのＣｕ
含有量を50ppm以下と極低いレベルとしているため、特
に粗金属Ｔａ中のＣｕ含有量が低いものを選定して電子
ビーム（ＥＢ）溶解などを行うことが好ましい。さら
に、Ｃｕ含有量の減少やバラツキの低減を目的として、
ＥＢ溶解を複数回繰り返すようにしてもよい。

【００３２】次に、得られたＴａインゴットに対して鍛
造、圧延による塑性加工を施す。この塑性加工時の加工
率は例えば50〜98%とする。このような加工率の塑性加
工によれば、インゴットに適当な熱エネルギーを与える
ことができ、この熱エネルギーによってＣｕの均質化
（バラツキの減少）を図ることができる。塑性加工工程
においては、必要に応じて中間熱処理を実施してもよ
い。

【００３３】この後、500〜1300℃の範囲の温度で1時間
以上の熱処理を施す。塑性加工により一旦結晶粒を破壊
したＴａ材に対して熱処理を施し、Ｔａの結晶組織を再
結晶組織とすることによって、Ｔａ結晶粒の結晶粒径を
微細化ならびに均一化することができる。Ｔａ結晶粒の
微細化ならびに均一化は、ダスト発生の抑制などに対し
て効果を発揮する。また、Ｔａの再結晶組織化はＣｕ含
有量のバラツキの低減に対しても効果を示す。

【００３４】また、窒素含有の高純度Ｔａ（あるいはＴ
ａＮ）を用いる場合には、例えば所定量の窒素を含有す
る高純度Ｔａ粉末、高純度Ｔａ粉末と高純度ＴａＮ粉末
との混合粉末などを用意する。

【００３５】次に、上記した原料粉末をＨＩＰ法やホッ
トプレス法（ＨＰ法）などの公知の焼結法を適用して焼
結させて、所望純度の焼結体を作製する。焼結雰囲気は
Ｎ₂雰囲気とすることが好ましい。焼結体のサイズは直
径100〜400mm程度とすることが好ましい。このような焼
結体に対して、真空中で500〜1300℃程度の温度で熱処
理を施す。この熱処理によって、ターゲット内のＣｕ含
有量のバラツキ、さらには窒素含有量のバラツキを低く
抑える。このようにして、Ｃｕ含有量を低減した窒素含
有高純度Ｔａ素材を得る。

【００３６】このようにして得られる高純度Ｔａ素材
（窒素含有高純度Ｔａ素材を含む）を所望の円板状など
に機械加工し、これを例えばＡｌからなるバッキングプ
レートと接合する。バッキングプレートとの接合には、
ホットプレスなどによる拡散接合を適用することが好ま
しい。拡散接合時の温度は400〜600℃の範囲とすること
が好ましい。これは融点が660℃であるＡｌの塑性変形
を防止するためである。ここで得られたターゲット素材
を所定サイズに機械加工することによって、本発明のス
パッタリングターゲットが得られる。

【００３７】本発明のスパッタリングターゲットは、各
種電子デバイスの配線膜形成用として用いることができ
るが、特にＣｕ膜やＣｕ合金膜からなる配線膜に対する
バリア層としてのＴａＮ膜を形成する際に好ましく用い
られる。本発明のスパッタリングターゲットを用いて、
例えばＡｒとＮ₂の混合ガス中で化成スパッタすること
により成膜してなるＴａＮ膜は、Ｃｕ含有量が50ppm以
下、さらには10ppm以下となり、そのバラツキは±30%以
内、さらには±15%以内となる。

【００３８】上述したようなＴａＮ膜をＳｉＯ₂系の絶
縁膜上などに形成し、さらにその上にＣｕ配線膜（Ｃｕ
膜またはＣｕ合金膜）を形成することによって、Ｃｕ配
線構造が構成される。このようなＣｕ配線構造によれ
ば、例えばＤＤ配線技術を適用する際に好適な配線膜構
造を提供することができ、高密度配線を高信頼性の下で
再現性よく実現することが可能となる。これは超高集積
タイプの半導体デバイスの製造歩留りの向上などに大き
く貢献する。また、このようなＣｕ配線構造は、ＶＬＳ
Ｉなどの半導体デバイスに限らず、ＳＡＷデバイス、Ｔ
ＰＨ、ＬＣＤデバイスなどの各種の電子部品に適用する
ことができる。

【００３９】

【実施例】次に、本発明の具体的な実施例およびその評
価結果について述べる。

【００４０】実施例１、比較例１まず、Ｃｕ含有量を変化させた6種類のＴａ材をＥＢ溶
解して、それぞれＴａインゴットを作製した。これらＴ
ａインゴットに冷間鍛造および冷間圧延を施し、さらに
1100℃×120minの条件で熱処理した。この後、それぞれ
拡散接合を適用してＡｌバッキングプレートと接合し、
さらに機械加工を施して直径320mm×厚さ10mmのＣｕ含
有量が異なる6種類のＴａスパッタリングターゲットを
作製した。なお、Ｃｕ含有量については、ＩＣＰ（発光
分光分析装置：セイコーインスツルメンツ社製・SPS 12
00A）によって分析した。

【００４１】このようにして得た6種類のＴａスパッタ
リングターゲットをそれぞれ用いて、スパッタ方式：Ｌ
ＴＳスパッタ、スパッタガス：Ａｒ＋Ｎ₂、背圧：1×10
^-5Pa、出力ＤＣ：15kW、スパッタ時間：1min、の条件下
で、幅0.5μm、深さ1μm、ピッチ0.5μmの溝を有するＳ
ｉＯ₂系の絶縁膜（8インチＳｉウエハ）上に厚さ30nmの
ＴａＮ膜を成膜してバリア層を形成した。その後、Ｃｕ
ターゲットを用いて、上記した条件と同様な条件下でス
パッタを実施し、厚さ800nmのＣｕ膜を形成した。これ
をリフロー処理によって配線溝内に充填した後、ＣＭＰ
によってＣｕ配線構造を作製した。

【００４２】上記したような配線構造の450℃で1時間、
真空中でアニールしたときに発生するシリサイデーショ
ンの度合いを、シリサイデーションの面積で評価した。
シリサイデーションの面積は、100倍の金属顕微鏡で写
真を撮り、その写真中のシリサイデーションした部分
（黒い部分）の面積を測定し、その10視野中の平均値と
して求めた。

【００４３】これらの結果をＴａターゲット中のＣｕ含
有量およびそのバラツキと共に表１に示す。なお、表１
ではＣｕバリア性の評価（シリサイデーションの度合
い）を以下のようにして示した。シリサイデーションし
た部分の視野中の面積が10%未満のものは◎、10%以上30
%未満のものは○、30%以上50%未満のものは△、50%以上
のものは×とした。

【００４４】

【表１】表１から明らかなように、試料No.4〜No.7の本発明のＴ
ａスパッタリングターゲットを用いて成膜したＴａＮ膜
はＣｕのバリア性に優れているのに対し、Ｃｕ含有量が
本発明の範囲を外れる試料No.1〜No.3の各Ｔａスパッタ
リングターゲットを用いて成膜したＴａＮ膜は、絶縁膜
すなわちＳｉＯ₂膜中にＣｕが拡散してＣｕＳｉ_x（シリ
サイデーション）を形成してしまい、Ｃｕバリア性に劣
ることが分かる。

【００４５】実施例２、比較例２まず、Ｃｕ含有量を変化させた 6種類の窒素含有Ｔａ粉
末（窒素含有量：0.8at%）を用意し、これらをそれぞれ
ボールミルで24時間混合した後、ＨＰ法によりそれぞれ
焼結体を作製した。ＨＰ処理条件は、温度1200℃、保持
時間5時間、面圧25MPaとした。これら各焼結体に1200℃
×120minの条件で熱処理を施した。

【００４６】次に、各焼結体を機械加工により直径320m
m×厚さ10mmに加工して、Ｃｕ含有量が異なる6種類の窒
素含有Ｔａ材を作製した。この後、これら各窒素含有Ｔ
ａ材をＣｕバッキングプレートとソルダー接合して、6
種類のＴａスパッタリングターゲットを得た。なお、Ｃ
ｕ含有量については実施例１と同様な方法で、またＮ含
有量については不活性ガス融解−熱伝導度法（ＬＥＣＯ
製：TC-436）で測定した。

【００４７】このようにして得た6種類のＴａスパッタ
リングターゲットをそれぞれ用いて、実施例１と同一条
件下で、予め配線溝を形成したＳｉＯ₂系の絶縁膜上に
ＴａＮ膜を成膜してバリア層を形成した。その後、Ｃｕ
ターゲットを用いて、同一条件下でスパッタを実施して
Ｃｕ膜を形成した。これをリフロー処理によって配線溝
に充填した後、ＣＭＰによってＣｕ配線構造を作製し
た。

【００４８】上記した各Ｃｕ配線構造について、各Ｔａ
Ｎ膜のＣｕバリア性を実施例１と同様にして評価した。
これらの結果をＴａターゲット中のＣｕ含有量およびそ
のバラツキと共に表２に示す。

【００４９】

【表２】表２から明らかなように、試料No.11〜No.13の本発明の
Ｔａスパッタリングターゲットを用いて成膜したＴａＮ
膜はＣｕのバリア性に優れているのに対し、Ｃｕ含有量
が本発明の範囲を外れる試料No.8〜No.10の各Ｔａスパ
ッタリングターゲットを用いて成膜したＴａＮ膜はＣｕ
バリア性に劣るものであった。このようなＴａＮバリア
層を有するＣｕ配線構造を適用することによって、半導
体デバイスなどの製品歩留りを大幅に向上させることが
可能となる。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のスパッタ
リングターゲットによれば、Ｃｕバリア性に優れるＴａ
Ｎ膜を再現性よく作製することができる。従って、この
ようなＴａスパッタリングターゲットを用いてＴａＮ膜
を成膜し、これをＣｕ配線膜のバリア層などとして使用
することによって、Ｃｕ配線構造の高信頼性化、さらに
は製品歩留りの向上などを図ることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者藤岡直美神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者渡辺高志神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者石上隆神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者渡邊光一神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内Ｆターム(参考） 4K029 AA29 BA58 BB02 BD01 CA06 DC03 DC08 5F103 AA08 BB22 DD30 NN05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｃｕ含有量が50ppm以下の高純度Ｔａか
らなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】請求項１記載のスパッタリングターゲッ
トにおいて、前記高純度Ｔａは2at%以下の範囲の窒素を含有すること
を特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項３】請求項１または請求項２記載のスパッタ
リングターゲットにおいて、前記Ｃｕ含有量が10ppm以下であることを特徴とするス
パッタリングターゲット。
【請求項４】請求項１または請求項２記載のスパッタ
リングターゲットにおいて、前記Ｃｕ含有量が5ppm以下であることを特徴とするスパ
ッタリングターゲット。
【請求項５】請求項１または請求項２記載のスパッタ
リングターゲットにおいて、前記Ｃｕ含有量が1ppm以下であることを特徴とするスパ
ッタリングターゲット。
【請求項６】請求項１ないし請求項３のいずれか１項
記載のスパッタリングターゲットにおいて、ターゲット全体の前記Ｃｕ含有量のバラツキが±30%以
内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項７】請求項１記載のスパッタリングターゲッ
トにおいて、前記ターゲットはバッキングプレートと接合されている
ことを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項８】請求項１記載のスパッタリングターゲッ
トにおいて、前記ターゲットはＴａＮ膜からなるバリア層を形成する
際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲ
ット。
【請求項９】請求項１記載のスパッタリングターゲッ
トにおいて、前記ターゲットはＣｕまたはＣｕ合金よりなる配線膜に
対するバリア層を形成する際に用いられることを特徴と
するスパッタリングターゲット。