JP2001351795A - 長尺成膜基体の静電気除去方法及び装置 - Google Patents
長尺成膜基体の静電気除去方法及び装置Info
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Abstract
電気を除去できる方法を提供すること及びその方法の実
施に適した装置を提供すること。 【解決手段】蒸着その他により成膜が施された長尺成膜
基体5に、プラズマを浴びせて該基体の静電気を除去す
る方法に於いて、極性が異なる1対のDCマグネトロン
放電電極7、8間に該長尺成膜基体を通過させてその表
裏両面の電位をゼロを含む同種の電位にする。該1対の
DCマグネトロン放電電極の複数組を設け、長尺成膜基
体を各DCマグネトロン放電電極間に順次に通過させ
る。導電体を成膜した場合には長尺成膜基体の片面に同
極のDCマグネトロン放電電極を対向させ、誘電体を成
膜した場合には該片面に交互に極性の異なるDCマグネ
トロン放電電極を対向させる。
Description
や金属薄板などの長尺基体に薄膜を形成した長尺成膜基
体から静電気を除去する方法と装置に関する。
タリングや真空蒸着などで誘電体或いは導電体の薄膜を
形成して長尺成膜基体を製造することは一般的に行われ
ている。また、長尺成膜基体には静電気が帯電し、これ
をロール状に巻き取るときやロールから解放するとき
に、基体の折れ曲がりや放電を生じ、製品に損傷をもた
らす不都合があるので、該長尺成膜基体にプラズマを浴
びせ、プラズマ中のイオンにより静電気を中和すること
も行われている。
びせても、誘電体の長尺基体に形成される膜が、アルミ
ニウムのような導電体である場合には静電気を十分に除
去することが困難で、基体のべた付きによる折れ曲がり
や放電の不都合は解消できない。
にかかわらず静電気を除去できる方法を提供すること及
びその方法の実施に適した装置を提供することを目的と
するものである。
達成するため、蒸着その他により成膜が施された長尺成
膜基体に、プラズマを浴びせて該基体の静電気を除去す
る方法に於いて、極性が異なる1対のDCマグネトロン
放電電極間に該長尺成膜基体を通過させてその表裏両面
の電位をゼロを含む同種の電位にした。該極性が異なる
1対のDCマグネトロン放電電極は複数組を設けること
が好ましく、この場合、該長尺成膜基体の片面には同極
のDCマグネトロン放電電極を対向させると導電膜を形
成した長尺成膜基体の静電気を十分に除去でき、該長尺
成膜基体の片面に交互に極性の異なるDCマグネトロン
放電電極を対向させると誘電体を形成した長尺成膜基体
の静電気を十分に除去できる。これらの方法の実施に
は、請求項5に記載の装置構成により適切に実施でき
る。
を説明すると、図1は真空蒸着装置に本発明を適用した
例を示し、同図の符号1は真空排気口2から真空排気さ
れた真空成膜室、符号3は該真空成膜室1内の下方に設
置された蒸発源で、該蒸発源3の上方をロール4aから
引き出したポリエチレンテレフタレートフィルムや金属
薄板などの長尺基体4を移動させ、これに蒸発粒子の薄
膜を形成し、その形成を終えた長尺成膜基体5がロール
4bに巻き取られる。該蒸発源3には、AlOXなどの
誘電体やAlなどの導電物が蒸発物質6として用意され
る。
成膜された長尺成膜基体5には静電気が帯電して前記し
たような不都合をもたらすので、プラズマを浴びせてそ
のプラズマ中のイオンにより静電気を中和するが、本発
明では、該長尺成膜基体5の移動経路に沿って極性が異
なる1対のDCマグネトロン放電電極7、8を設け、こ
れらの放電電極7、8を放電作動させてその間に該長尺
成膜基体5を通過させることにより、その静電気を中和
するようにした。
は図2に示す如くであり、スリット9を設けたケース1
0内に、2本の長手の水冷電極11、12を並行に設
け、各水冷電極の内部に軸線方向にNS極が交互になる
ように複数個のドーナツ型の磁石13を配置し、供給口
14、15から冷却水を水冷電極の内部に循環させてこ
れを冷却するようにしたもので、該水冷電極の一方を直
流電源16の陽極に接続してプラス電位にすると共に他
方の電極を直流電源17の陰極に接続してマイナス電位
とし、両電極間で放電を発生するようにした。該ケース
10内に設けた多数の小孔を備えたノズル18を介し
て、放電用のアルゴンガスが導入される。なお、これら
の水冷電極は、アース電位のケース10との間で放電が
発生するようにしてもよい。
ラズマ放電を発生させると、磁石13の磁界により電子
が拘束されて水冷電極の周囲のプラズマ密度が高まり、
プラス電位の放電電極の回りにはマイナスイオンが集ま
り、マイナス電位の放電電極の回りにはプラスイオンが
集まる。このような極性が異なる2本の放電電極間に、
成膜により静電気が帯電した長尺成膜基体5を、その表
面の帯電状態を考慮して通過させることで、帯電した静
電気をその後の処理に支障のない程度に十分に除去でき
る。
すると、成膜した膜が誘電体であるか導電体であるかに
より相違し、例えばポリエチレンテレフタレートの長尺
成膜基体にAlOXなどの誘電体を成膜した場合には、
その成膜面に正電位と負電位の静電気が混在した状態に
帯電し、Alなどの導電体を成膜した場合には成膜面に
負電位の静電気が帯電すると共に裏面の基体側には正電
位に帯電することが知見され、かかる帯電状態を従来の
ような画一的なプラズマで除去することは難しく、本発
明のように異極のDCマグネトロン放電電極によりプラ
スイオン或いはマイナスイオンを個別に長尺成膜基体5
に照射することで、該長尺成膜基体5の表裏の電位をゼ
ロ電位を含む同電位となし得られ、かくすることにより
該長尺成膜基体5が静電気でべた付くことがなくなり、
これをロール状に巻き取るときに巻きがきつくなる不都
合や、ロールから解きほぐす際の基体間の吸着や放電の
不都合が解消される。
複数組を該長尺成膜基体5の移動経路に沿って設け、こ
れらを順次に通過させることで帯電量の大きな静電気を
除去でき、この場合、該長尺成膜基体5の片面に、図3
に示したように各組のDCマグネトロン放電電極の同極
が揃うように配置し、或いは図4に示したように該片面
に交互に異極が対向するように配置する。こうした電極
の極性の配置は、長尺基体4に成膜される膜の電気特性
により決定され、導電体の膜を形成した場合には、図3
の如く成膜面5aに各CDマグネトロン放電電極のうち
の陽極の方を対向させると共に陰極の方を長尺基体4の
面5bに対向させ、誘電体の膜を形成した場合には、図
4の如く成膜面5aおよび長尺基体4の面5bへ各CD
マグネトロン放電電極の陽極と陰極とが夫々交互に対向
するように配置する。これにより、長尺成膜基体5の面
に帯電する静電気の種類すなわち正又は負の静電気と逆
の極性のイオンを照射して帯電電位を効率よく下げ、且
つ電位を同種類とすることができる。尚、成膜の方法は
スパッタリング法であってもよい。
2μm、幅1650mmのポリエチレンテレフタレート
フィルムの長尺基体の片面に、Al膜を真空蒸着により
成膜して長尺成膜基体5を作製した。該成膜室内には直
流電源16、17により400Vの正と負の極性が与え
られた1対のDCマグネトロン放電電極7、8を3組設
け、これらの間にロールに巻き取るまでの長尺成膜基体
5を通過させた。
性が、図4のように該長尺成膜基体5の片面に於いて交
互になるように配置し、各放電電極のケース10内に5
00SCCMのアルゴンガスを流すと共にボンバード電流を
6.0Aとした。該長尺成膜基体5の移動速度は200
m/sec、Al膜の厚さは480Åである。これらの
放電電極を通過したときの該基板5の静電気電位を測定
したところ、Al膜を形成した成膜面5a側が270〜
280V、基体側の背面5bが−300〜−350Vで
あった。この長尺成膜基体5をロール状に巻き取ったと
き、残存する静電気のため基体同士の吸着が著しかっ
た。
とし、各放電電極の極性が、図3のように該長尺成膜基
体5の片面に於いて同一になるように配置した。そして
各放電電極のケース10内に500SCCMのアルゴンガス
を流すと共にボンバード電流を8.0Aとした。これら
放電電極の間を535Åの厚さでAlを形成した長尺成
膜基体5を200m/secで通過させ、該基体5の静
電気電位を測定したところ、Al膜を形成した成膜面5
a側が−40〜45V、基体側の背面5bが−15〜−
30Vであった。この長尺成膜基体5をロール状に巻き
取ったとき、基体同士の吸着は殆どなかった。
とし、各放電電極の極性が、図3のように該長尺成膜基
体5の片面に於いて同一になるように配置した。そして
各放電電極のケース10内に500SCCMのアルゴンガス
を流すと共にボンバード電流を6.0Aとした。これら
の放電電極の間を400Åの厚さでAl膜を形成した長
尺成膜基体5を500m/secの高速で通過させ、該
基体5の静電気電位を測定したところ、Al膜を形成し
た成膜面5a側が−5〜10V、基体側の背面5bが−
0〜−5Vであった。この長尺成膜基体5をロール状に
巻き取ったとき、基体同士の吸着は殆どなかった。
た真空蒸着室内に用意した厚さ12μm、幅1000m
mのポリエチレンテレフタレートフィルムの長尺基体の
片面に、Al2O3の絶縁膜を真空蒸着により成膜して長
尺成膜基体5を作製した。該成膜室内には直流電源1
6、17によりの正と負の極性が与えられた1対のDC
マグネトロン放電電極7、8を3組設け、これらの間に
ロールに巻き取るまでの長尺成膜基体5を通過させた。
性が、図4のように該長尺成膜基体5の片面に於いて交
互になるように配置し、各放電電極のケース10内に1
00SCCMのアルゴンガスを流すと共に、該基体5が最初
に通過するDCマグネトロン放電電極の電位を±326
V、ボンバード電流を0.6A、2番目の放電電極の電
位を±437V、ボンバード電流を3.8A、3番目の
放電電極の電位を±326V、ボンバード電流を1.5
Aとした。該長尺成膜基体5の移動速度は100m/s
ec、Al2O3膜の厚さは120Åである。これらの放
電電極を通過したときの該基板5の静電気電位を測定し
たところ、Al2O3膜を形成した成膜面5a側が5.3
V、基体側の背面5bが9.8Vであった。この長尺成
膜基体5をロール状に巻き取ったとき、静電気による基
体同士の吸着即ちべた付きはなかった。
電極の極性が、図3のように該長尺成膜基体5の片面に
於いて同一になるように配置した。そして各放電電極の
ケース10内に100SCCMのアルゴンガスを流すと共
に、該基体5が最初に通過するDCマグネトロン放電電
極の電位を±327V、ボンバード電流を0.6A、2
番目の放電電極の電位を±145V、ボンバード電流を
4.0A、3番目の放電電極の電位を±327V、ボン
バード電流を0.6Aとした。該長尺成膜基体5の移動
速度は100m/sec、Al2O3膜の厚さは120Å
である。これらの放電電極を通過したときの該基板5の
静電気電位を測定したところ、Al2O3膜を形成した成
膜面5a側が25.4V、基体側の背面5bが−26.
5Vであった。この長尺成膜基体5をロール状に巻き取
ったとき、静電気による基体同士の吸着即ちべた付きが
あった。
された長尺成膜基体の静電気を、極性が異なる1対のD
Cマグネトロン放電電極間に該長尺成膜基体を通過させ
てその表裏両面の電位をゼロを含む同種の電位とするの
で、形成された膜の種類に応じてこれに帯電した静電気
を除去し、多少の静電気が残存してもその悪影響を被る
こと防止できる効果があり、該極性の異なるDCマグネ
トロン放電電極の複数組を設けておくことで帯電量の大
きい静電気を除去でき、長尺成膜基体の片面に同極のD
Cマグネトロン放電電極を対向させることにより導電体
の膜を形成した長尺成膜基体の除電を効率よく迅速に行
え、該片面に交互に極性の異なるDCマグネトロン放電
電極を対向させることで誘電体が成膜された長尺成膜基
体の除電を効率よく迅速に行える。また、請求項5の装
置構成とすることにより本発明の方法を適切に実施でき
る。
体に適用した実施の形態を示す線図
体に適用した実施の形態を示す線図
8 1対のDCマグネトロン放電電極、16・17 直
流電源、
Claims (5)
- 【請求項1】蒸着その他により成膜が施された長尺成膜
基体に、プラズマを浴びせて該基体の静電気を除去する
方法に於いて、極性が異なる1対のDCマグネトロン放
電電極間に該長尺成膜基体を通過させてその表裏両面の
電位をゼロを含む同種の電位にすることを特徴とする長
尺成膜基体の静電気除去方法。 - 【請求項2】上記極性が異なる1対のDCマグネトロン
放電電極の複数組を設け、上記長尺成膜基体を各DCマ
グネトロン放電電極間に順次に通過させることを特徴と
する請求項1に記載の長尺成膜基体の静電気除去方法。 - 【請求項3】上記長尺成膜基体の片面には同極のDCマ
グネトロン放電電極を対向させることを特徴とする請求
項2に記載の長尺成膜基体の静電気除去方法。 - 【請求項4】上記長尺成膜基体の片面には交互に極性の
異なるDCマグネトロン放電電極を対向させることを特
徴とする請求項2に記載の長尺成膜基体の静電気除去方
法。 - 【請求項5】蒸着その他により成膜が施された長尺成膜
基体の移動経路に沿って、極性が異なる1対のDCマグ
ネトロン放電電極を複数組を設けたことを特徴とする長
尺成膜基体の静電気除去装置。
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