JP2001210598A - エピタキシャル成長用基板およびその製造方法 - Google Patents
エピタキシャル成長用基板およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】転位密度が低減されたＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ
（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ＞０，ｙ，ｚ≧０）膜を有するエ
ピタキシャル成長用基板およびそのようなエピタキシャ
ル成長用基板を提供する。 【解決手段】基材としてのサファイア基板本体２１の表
面にストライプ状の溝２４を形成した後、サファイア基
板本体をＣＶＤ室２５に導入し、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ
（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ＞０，ｙ，ｚ≧０）膜２６を溝２
４を埋めるようにして横方向成長によりエピタキシャル
成長させる。その結果、ＡｌｘＧａｙＩｎ ｚＮ膜２６は
ストライプ状の溝２４におけの凹部上及び凸部上の少な
くとも一方上に低転位密度の領域を有するようになる。
（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ＞０，ｙ，ｚ≧０）膜を有するエ
ピタキシャル成長用基板およびそのようなエピタキシャ
ル成長用基板を提供する。 【解決手段】基材としてのサファイア基板本体２１の表
面にストライプ状の溝２４を形成した後、サファイア基
板本体をＣＶＤ室２５に導入し、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ
（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ＞０，ｙ，ｚ≧０）膜２６を溝２
４を埋めるようにして横方向成長によりエピタキシャル
成長させる。その結果、ＡｌｘＧａｙＩｎ ｚＮ膜２６は
ストライプ状の溝２４におけの凹部上及び凸部上の少な
くとも一方上に低転位密度の領域を有するようになる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、サファイア、ＳｉＣ、
ＧａＮなどの基板本体と、この基板本体の一方の表面に
形成されたＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ
＞０，ｙ，ｚ≧０）膜とを具えるエピタキシャル成長用
基板およびその製造方法に関するものである。
ＧａＮなどの基板本体と、この基板本体の一方の表面に
形成されたＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ
＞０，ｙ，ｚ≧０）膜とを具えるエピタキシャル成長用
基板およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】上述したエピタキシャル成長用基板は、
発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイオード（Ｌ
Ｄ）、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）などのデバイス
において、その上にエピタキシャル成長によりＡｌａＧ
ａｂＩｎｃＮ（ａ＋ｂ＋ｃ＝１，ａ，ｂ，ｃ≧０）膜を
成膜するための基板として使用されている。このような
Ａｌ ａＧａｂＩｎｃＮはバンドギャップが大きいので、
発光素子に使用した場合に、波長の短い光を放射でき
る。
発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイオード（Ｌ
Ｄ）、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）などのデバイス
において、その上にエピタキシャル成長によりＡｌａＧ
ａｂＩｎｃＮ（ａ＋ｂ＋ｃ＝１，ａ，ｂ，ｃ≧０）膜を
成膜するための基板として使用されている。このような
Ａｌ ａＧａｂＩｎｃＮはバンドギャップが大きいので、
発光素子に使用した場合に、波長の短い光を放射でき
る。
【０００３】図１は、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（ｘ＋ｙ＋
ｚ＝１，ｘ，ｙ，ｚ≧０）膜を用いた青色光を発生する
発光ダイオードの一例の構造を示す断面図である。
ｚ＝１，ｘ，ｙ，ｚ≧０）膜を用いた青色光を発生する
発光ダイオードの一例の構造を示す断面図である。
【０００４】例えば、Ｃ面のサファイア（Ａｌ２Ｏ３）
の表面に、バッファ層として作用するＧａＮ膜２が低温
ＣＶＤにより形成され、このＧａＮ膜２の上にｎ型のＡ
ｌａＧａｂＩｎｃＮ膜３がＣＶＤのエピタキシャル成長
により形成され、その上にｐ型のＡｌａＧａｂＩｎｃＮ
膜４がＣＶＤのエピタキシャル成長により形成され、さ
らにこのｐ型ＡｌａＧａｂＩｎｃＮ膜４の上に低抵抗の
ｐ型ＡｌａＧａｂＩｎｃＮ膜５が同じくＣＶＤのエピタ
キシャル成長により形成されている。
の表面に、バッファ層として作用するＧａＮ膜２が低温
ＣＶＤにより形成され、このＧａＮ膜２の上にｎ型のＡ
ｌａＧａｂＩｎｃＮ膜３がＣＶＤのエピタキシャル成長
により形成され、その上にｐ型のＡｌａＧａｂＩｎｃＮ
膜４がＣＶＤのエピタキシャル成長により形成され、さ
らにこのｐ型ＡｌａＧａｂＩｎｃＮ膜４の上に低抵抗の
ｐ型ＡｌａＧａｂＩｎｃＮ膜５が同じくＣＶＤのエピタ
キシャル成長により形成されている。
【０００５】ｎ型ＡｌａＧａｂＩｎｃＮ膜３の表面およ
びｐ型のＡｌａＧａｂＩｎｃＮ膜５の表面にはそれぞれ
電極６および７が形成されている。
びｐ型のＡｌａＧａｂＩｎｃＮ膜５の表面にはそれぞれ
電極６および７が形成されている。
【０００６】このような発光ダイオードを製造するに当
たっては、サファイア基板１の上にｎ型のＡｌａＧａｂ
ＩｎｃＮ膜３を直接ＣＶＤによってエピタキシャル成長
させると、このＧａＮ膜は欠陥が非常に多く、結晶性が
悪く、しかも表面平坦性も悪いものとなってしまう。こ
のようなＡｌａＧａｂＩｎｃＮ膜３を用いた発光ダイオ
ードでは、発光効率が非常に低いものとなってしまう。
たっては、サファイア基板１の上にｎ型のＡｌａＧａｂ
ＩｎｃＮ膜３を直接ＣＶＤによってエピタキシャル成長
させると、このＧａＮ膜は欠陥が非常に多く、結晶性が
悪く、しかも表面平坦性も悪いものとなってしまう。こ
のようなＡｌａＧａｂＩｎｃＮ膜３を用いた発光ダイオ
ードでは、発光効率が非常に低いものとなってしまう。
【０００７】そこで、図１に示すように、サファイア基
板1の表面にｎ型のＡｌ ａＧａｂＩｎｃＮ膜３を直接形
成せず、バッファ層として作用するＧａＮ膜２を低温Ｃ
ＶＤのエピタキシャル成長により形成している。このよ
うな低温のＣＶＤによるエピタキシャル成長では、サフ
ァイア基板１の格子定数と、ｎ型のＡｌａＧａｂＩｎｃ
Ｎ膜３の格子定数との１０％以上の差異が補償されると
共に、ヘテロ接合部で重要になる良好な表面平坦性を実
現できる。
板1の表面にｎ型のＡｌ ａＧａｂＩｎｃＮ膜３を直接形
成せず、バッファ層として作用するＧａＮ膜２を低温Ｃ
ＶＤのエピタキシャル成長により形成している。このよ
うな低温のＣＶＤによるエピタキシャル成長では、サフ
ァイア基板１の格子定数と、ｎ型のＡｌａＧａｂＩｎｃ
Ｎ膜３の格子定数との１０％以上の差異が補償されると
共に、ヘテロ接合部で重要になる良好な表面平坦性を実
現できる。
【０００８】一方、このようなＧａＮ膜２の代わりにＡ
ｌＮ膜を低温ＣＶＤのエピタキシャル成長により形成す
ることも提案されている。
ｌＮ膜を低温ＣＶＤのエピタキシャル成長により形成す
ることも提案されている。
【０００９】しかしながら、このような低温ＣＶＤのエ
ピタキシャル成長によってバッファ層として作用するＧ
ａＮ膜２やＡｌＮ膜を形成し、その上に特にＡｌを必須
成分として含有するＡｌａＧａｂＩｎｃＮ膜３をエピタ
キシャル成長すると、転位が非常に多くなる。このよう
なＡｌａＧａｂＩｎｃＮ膜の転位密度は、例えば１０
１０個／ｃｍ２にも達するものである。
ピタキシャル成長によってバッファ層として作用するＧ
ａＮ膜２やＡｌＮ膜を形成し、その上に特にＡｌを必須
成分として含有するＡｌａＧａｂＩｎｃＮ膜３をエピタ
キシャル成長すると、転位が非常に多くなる。このよう
なＡｌａＧａｂＩｎｃＮ膜の転位密度は、例えば１０
１０個／ｃｍ２にも達するものである。
【００１０】このように転位密度が高いと、これが光の
吸収センタを構成するので、デバイスの特性が劣化する
ことになる。特に、レーザダイオードなどの高効率が要
求される光デバイスにおいては重大な問題となる。ま
た、こうした転位は、ｐｎ接合の劣化を招くため、電子
デバイスを製作する場合においても、転位の低減が重大
な問題となる。
吸収センタを構成するので、デバイスの特性が劣化する
ことになる。特に、レーザダイオードなどの高効率が要
求される光デバイスにおいては重大な問題となる。ま
た、こうした転位は、ｐｎ接合の劣化を招くため、電子
デバイスを製作する場合においても、転位の低減が重大
な問題となる。
【００１１】
【発明が解決すべき課題】上述したような高転位密度の
問題を解決するために、選択横方向成長技術を利用する
ことが、「応用物理」 第６８巻 第７号の７７４〜７７
９頁に記載されている。ただし、この文献に記載された
ものは、サファイア基板本体上にＧａＮ膜をエピタキシ
ャル成長させる場合であるが、この技術をＡｌａＧａｂ
ＩｎｃＮ（ａ＋ｂ＋ｃ＝１，ａ，ｂ，ｃ≧０）膜を成膜
する場合にも適用して方法について検討した。
問題を解決するために、選択横方向成長技術を利用する
ことが、「応用物理」 第６８巻 第７号の７７４〜７７
９頁に記載されている。ただし、この文献に記載された
ものは、サファイア基板本体上にＧａＮ膜をエピタキシ
ャル成長させる場合であるが、この技術をＡｌａＧａｂ
ＩｎｃＮ（ａ＋ｂ＋ｃ＝１，ａ，ｂ，ｃ≧０）膜を成膜
する場合にも適用して方法について検討した。
【００１２】この方法では、図２ａに示すように、サフ
ァイア基板本体１１の一方の表面に、ＧａＮ膜１２をＣ
ＶＤにより１〜２μｍの膜厚にエピタキシャル成長させ
た後、このＧａＮ膜１２の表面にＳｉＮより成るストラ
イプ状のマスク１３を形成し、その上にＡｌｘＧａｙＩ
ｎｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ，ｙ，ｚ≧０）膜１４をエ
ピタキシャル成長させている。
ァイア基板本体１１の一方の表面に、ＧａＮ膜１２をＣ
ＶＤにより１〜２μｍの膜厚にエピタキシャル成長させ
た後、このＧａＮ膜１２の表面にＳｉＮより成るストラ
イプ状のマスク１３を形成し、その上にＡｌｘＧａｙＩ
ｎｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ，ｙ，ｚ≧０）膜１４をエ
ピタキシャル成長させている。
【００１３】この場合においては、図２ｂに示すよう
に、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ膜１４は、マスク１３の沿っ
てＧａＮ膜１２上においてエピタキシャル成長され、そ
の厚さがマスク１３の上面に達した後は、マスク１３上
において横方向に成長する。最終的に、図２ｃに示すよ
うに、横方向成長したＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ膜はマスク
１３上において互いに結合する。
に、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ膜１４は、マスク１３の沿っ
てＧａＮ膜１２上においてエピタキシャル成長され、そ
の厚さがマスク１３の上面に達した後は、マスク１３上
において横方向に成長する。最終的に、図２ｃに示すよ
うに、横方向成長したＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ膜はマスク
１３上において互いに結合する。
【００１４】この場合において、ＧａＮ膜１２とＡｌｘ
ＧａｙＩｎｚＮ膜１４との界面で発生した転位は、縦方
向に伝搬し、横方向には伝搬しない。したがって、Ａｌ
ｘＧａｙＩｎｚＮ膜１４中における転位の量は減少し、
例えば、マスク１３上の領域Ｗにおいては転位密度が約
１０７／ｃｍ２程度となる。
ＧａｙＩｎｚＮ膜１４との界面で発生した転位は、縦方
向に伝搬し、横方向には伝搬しない。したがって、Ａｌ
ｘＧａｙＩｎｚＮ膜１４中における転位の量は減少し、
例えば、マスク１３上の領域Ｗにおいては転位密度が約
１０７／ｃｍ２程度となる。
【００１５】したがって、図１に示すような発光素子を
低転位密度領域Ｗ上に形成することによって、良好な特
性を示す発光素子を得ることができる。
低転位密度領域Ｗ上に形成することによって、良好な特
性を示す発光素子を得ることができる。
【００１６】しかしながら、上述した従来の方法では、
サファイア基板本体１１をＣＶＤ装置に導入してその表
面にＧａＮ膜１２を形成した後、サファイア基板本体１
１をＣＶＤ装置から取り出して、ストライプ状のマスク
１３をフォトリソグラフィ技術を用いて形成し、再びサ
ファイア基板本体１１をＣＶＤ装置に導入して、Ａｌｘ
ＧａｙＩｎｚＮ膜１４を成膜する。
サファイア基板本体１１をＣＶＤ装置に導入してその表
面にＧａＮ膜１２を形成した後、サファイア基板本体１
１をＣＶＤ装置から取り出して、ストライプ状のマスク
１３をフォトリソグラフィ技術を用いて形成し、再びサ
ファイア基板本体１１をＣＶＤ装置に導入して、Ａｌｘ
ＧａｙＩｎｚＮ膜１４を成膜する。
【００１７】このように、サファイア基板本体１１をＣ
ＶＤ装置に導入してＧａＮ膜１２を成膜した後、ＣＶＤ
装置から一旦取り出してマスク１３を形成し、その後再
びＣＶＤ装置に導入してＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ膜１４の
成膜を行うものであるので、作業手順が煩雑になり、効
率良くエピタキシャル成長用基板を製作することができ
ないという問題がある。
ＶＤ装置に導入してＧａＮ膜１２を成膜した後、ＣＶＤ
装置から一旦取り出してマスク１３を形成し、その後再
びＣＶＤ装置に導入してＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ膜１４の
成膜を行うものであるので、作業手順が煩雑になり、効
率良くエピタキシャル成長用基板を製作することができ
ないという問題がある。
【００１８】さらに、バッファ層として作用するＧａＮ
膜１２を成膜した後のマスク１３の形成工程において、
ＧａＮ膜に不純物が混入し、特性を劣化させるという問
題もある。
膜１２を成膜した後のマスク１３の形成工程において、
ＧａＮ膜に不純物が混入し、特性を劣化させるという問
題もある。
【００１９】上述した傾向は、サファイア基板を用いる
場合だけでなく、ＳｉＣ基板やＧａＮ基板を用いる場合
にも同様に観察されるものである。このように、従来技
術では、転位密度が低く、良好な特性を有するＡｌｘＧ
ａｙＩｎｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ，ｙ，ｚ≧０）膜、
特にＡｌを必須の成分として含有するＡｌ ｘＧａｙＩｎ
ｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ＞０，ｙ，ｚ≧０）膜を表面
に有するエピタキシャル成長用基板を効率よく得ること
ができないという問題があった。
場合だけでなく、ＳｉＣ基板やＧａＮ基板を用いる場合
にも同様に観察されるものである。このように、従来技
術では、転位密度が低く、良好な特性を有するＡｌｘＧ
ａｙＩｎｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ，ｙ，ｚ≧０）膜、
特にＡｌを必須の成分として含有するＡｌ ｘＧａｙＩｎ
ｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ＞０，ｙ，ｚ≧０）膜を表面
に有するエピタキシャル成長用基板を効率よく得ること
ができないという問題があった。
【００２０】したがって、本発明の目的は、サファイア
基板、ＳｉＣ基板、ＧａＮ基板などの上に、転位密度が
低く、良好な特性を有するＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（ｘ＋
ｙ＋ｚ＝１，ｘ＞０，ｙ，ｚ≧０）膜を表面に有し、そ
の上にエピタキシャル成長によって良好な特性を有する
ＡｌａＧａｂＩｎｃＮ（ａ＋ｂ＋ｃ＝１，ａ＞０，ｂ，
ｃ≧０）膜を成膜することができるエピタキシャル成長
用基板を提供しようとするものである。
基板、ＳｉＣ基板、ＧａＮ基板などの上に、転位密度が
低く、良好な特性を有するＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（ｘ＋
ｙ＋ｚ＝１，ｘ＞０，ｙ，ｚ≧０）膜を表面に有し、そ
の上にエピタキシャル成長によって良好な特性を有する
ＡｌａＧａｂＩｎｃＮ（ａ＋ｂ＋ｃ＝１，ａ＞０，ｂ，
ｃ≧０）膜を成膜することができるエピタキシャル成長
用基板を提供しようとするものである。
【００２１】本発明の他の目的は、サファイア基板、Ｓ
ｉＣ基板、ＧａＮ基板などの上に、転位密度が低く、良
好な特性を有するＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１，ｘ＞０，ｙ，ｚ≧０）膜を表面に有するエピタキシ
ャル成長用基板を効率よく製造することができる方法を
提供しようとするものである。
ｉＣ基板、ＧａＮ基板などの上に、転位密度が低く、良
好な特性を有するＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１，ｘ＞０，ｙ，ｚ≧０）膜を表面に有するエピタキシ
ャル成長用基板を効率よく製造することができる方法を
提供しようとするものである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明によるエピタキシ
ャル成長用基板は、表面にストライプ状の凹凸構造を有
するサファイア、ＳｉＣ、ＧａＮなどの基板本体と、こ
の基板本体の前記ストライプ状の凹凸構造を埋めるよう
に選択横方向成長によりエピタキシャル成長され、前記
ストライプ状の凹凸構造の凸部及び凹部の上方の少なく
とも一方に形成された転位密度の小さな領域を有するＡ
ｌｘＧａｙＩｎｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ＞０，ｙ，ｚ
≧０）膜とを具えることを特徴とする。
ャル成長用基板は、表面にストライプ状の凹凸構造を有
するサファイア、ＳｉＣ、ＧａＮなどの基板本体と、こ
の基板本体の前記ストライプ状の凹凸構造を埋めるよう
に選択横方向成長によりエピタキシャル成長され、前記
ストライプ状の凹凸構造の凸部及び凹部の上方の少なく
とも一方に形成された転位密度の小さな領域を有するＡ
ｌｘＧａｙＩｎｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ＞０，ｙ，ｚ
≧０）膜とを具えることを特徴とする。
【００２３】本発明によるエピタキシャル成長用基板の
好適な実施例においては、上述した基体本体の表面の凹
凸構造を、基体本体の表面に形成した複数のストライプ
状の溝で構成することができる。
好適な実施例においては、上述した基体本体の表面の凹
凸構造を、基体本体の表面に形成した複数のストライプ
状の溝で構成することができる。
【００２４】本発明によるエピタキシャル成長用基板に
おいては、上述した凹凸構造の断面形状や各部の寸法、
方向およびアスペクト比などは、ＣＶＤにおける種々の
条件や使用する材料、エピタキシャル成長用基板を用い
て製作すべきデバイスの種類や特性などに応じて適切に
設定することができる。
おいては、上述した凹凸構造の断面形状や各部の寸法、
方向およびアスペクト比などは、ＣＶＤにおける種々の
条件や使用する材料、エピタキシャル成長用基板を用い
て製作すべきデバイスの種類や特性などに応じて適切に
設定することができる。
【００２５】本発明によるエピタキシャル成長用基板の
製造方法は、サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮなどの基板本
体の一方の表面にストライプ状の凹凸構造を形成し、こ
の表面に、凹凸構造の凹部を埋めるように選択横方向成
長によってＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ
＞０，ｙ，ｚ≧０）膜をエピタキシャル成長させ、前記
ストライプ状の凹凸構造の凸部及び凹部の上方の少なく
とも一方に転位密度の小さな領域を形成することを特徴
とする。
製造方法は、サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮなどの基板本
体の一方の表面にストライプ状の凹凸構造を形成し、こ
の表面に、凹凸構造の凹部を埋めるように選択横方向成
長によってＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ
＞０，ｙ，ｚ≧０）膜をエピタキシャル成長させ、前記
ストライプ状の凹凸構造の凸部及び凹部の上方の少なく
とも一方に転位密度の小さな領域を形成することを特徴
とする。
【００２６】このような本発明によるエピタキシャル成
長用基板の製造方法によれば、前記基体本体の表面に複
数のストライプ状の溝を形成して凹凸構造を形成した
後、基体本体をＣＶＤ装置に導入してＡｌｘＧａｙＩｎ
ｚＮ膜を選択横方向成長によってエピタキシャル成長さ
せるので、製造プロセスは単純となり、製造効率が改善
される。
長用基板の製造方法によれば、前記基体本体の表面に複
数のストライプ状の溝を形成して凹凸構造を形成した
後、基体本体をＣＶＤ装置に導入してＡｌｘＧａｙＩｎ
ｚＮ膜を選択横方向成長によってエピタキシャル成長さ
せるので、製造プロセスは単純となり、製造効率が改善
される。
【００２７】また、エピタキシャル成長させた膜が、凹
凸構造を形成するためのエッチングなどのプロセスによ
って影響されることはなくなるので、その上に特性の良
好なＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ膜を成膜することができるエ
ピタキシャル成長用基板を提供することができる。
凸構造を形成するためのエッチングなどのプロセスによ
って影響されることはなくなるので、その上に特性の良
好なＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ膜を成膜することができるエ
ピタキシャル成長用基板を提供することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】図３は、本発明によるエピタキシ
ャル成長用基板の一実施例を製造する順次の工程を示す
断面図である。先ず、図２ａに示すように、サファイア
基板本体２１の表面にフォトレジスト２２を形成し、フ
ォトリソグラフィによってフォトレジスト２２に開口２
３を形成する。この開口２３は、例えばその幅をほぼ１
μｍとし、順次の開口の間隔をほぼ１μｍとすることが
できる。
ャル成長用基板の一実施例を製造する順次の工程を示す
断面図である。先ず、図２ａに示すように、サファイア
基板本体２１の表面にフォトレジスト２２を形成し、フ
ォトリソグラフィによってフォトレジスト２２に開口２
３を形成する。この開口２３は、例えばその幅をほぼ１
μｍとし、順次の開口の間隔をほぼ１μｍとすることが
できる。
【００２９】次に、図３ｂに示すように、フォトレジス
ト２２をマスクとしてその下側のサファイア基板本体２
１を選択的にエッチングして複数の溝２４を形成し、フ
ォトレジスト２２を除去する。これらの溝２４は互いに
等間隔で平行に延在させるので、ストライプ状の溝とな
る。このサファイア基板本体２１のエッチングは、例え
ばイオンビームエッチングあるいは反応性イオンエッチ
ングのようなドライエッチングで行うことができるが、
ウエットエッチングで行うこともできる。
ト２２をマスクとしてその下側のサファイア基板本体２
１を選択的にエッチングして複数の溝２４を形成し、フ
ォトレジスト２２を除去する。これらの溝２４は互いに
等間隔で平行に延在させるので、ストライプ状の溝とな
る。このサファイア基板本体２１のエッチングは、例え
ばイオンビームエッチングあるいは反応性イオンエッチ
ングのようなドライエッチングで行うことができるが、
ウエットエッチングで行うこともできる。
【００３０】溝２４の幅は開口２３の幅によって決ま
り、深さはエッチング時間によって決まるが、例えば
０．１μｍとすることができる。
り、深さはエッチング時間によって決まるが、例えば
０．１μｍとすることができる。
【００３１】このように表面に複数の溝２４をストライ
プ状に形成したサファイア基板本体２１を、図３ｃに示
すようにＣＶＤ装置２５に導入し、ＡｌｘＧａｙＩｎｚ
Ｎ膜（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ＞０，ｙ，ｚ≧０）２６をエ
ピタキシャル成長により成膜する。ここで、図４におい
て矢印で示すように、サファイア基板本体２１の溝２４
以外の凸部の表面では横方向への成長が可能であるが、
溝２４の内部では横方向成長は溝の壁によって抑止され
るので選択横方向成長が起こる。
プ状に形成したサファイア基板本体２１を、図３ｃに示
すようにＣＶＤ装置２５に導入し、ＡｌｘＧａｙＩｎｚ
Ｎ膜（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ＞０，ｙ，ｚ≧０）２６をエ
ピタキシャル成長により成膜する。ここで、図４におい
て矢印で示すように、サファイア基板本体２１の溝２４
以外の凸部の表面では横方向への成長が可能であるが、
溝２４の内部では横方向成長は溝の壁によって抑止され
るので選択横方向成長が起こる。
【００３２】したがって、サファイア基板２１とＡｌｘ
ＧａｙＩｎｚＮ膜２６の界面で発生した転位は縦方向に
伝搬し、横方向には伝搬しない。
ＧａｙＩｎｚＮ膜２６の界面で発生した転位は縦方向に
伝搬し、横方向には伝搬しない。
【００３３】したがって、サファイア基板本体２１の表
面の凸部から横方に成長していったＡｌｘＧａｙＩｎｚ
Ｎ膜と、溝２４の底面から成長していったＡｌｘＧａｙ
ＩｎｚＮ膜とが合体して平坦な表面を有するＡｌｘＧａ
ｙＩｎｚＮ膜２６が形成される時点では、図５に示すよ
うに、転位は溝２４の上方の領域に湾曲し、ＡｌｘＧａ
ｙＩｎｚＮ膜２６の凸部の上方の領域Ｗ１及び選択横方
向成長によって形成された領域Ｗ２では転位密度は小さ
なものとなる。例えば、サファイア基板本体２１の表面
での転位密度がほぼ１０１０個／ｃｍ２である場合、特
に領域Ｗ１及びＷ２の表面での転位密度はほぼ１０６個
／ｃｍ２と減少する。
面の凸部から横方に成長していったＡｌｘＧａｙＩｎｚ
Ｎ膜と、溝２４の底面から成長していったＡｌｘＧａｙ
ＩｎｚＮ膜とが合体して平坦な表面を有するＡｌｘＧａ
ｙＩｎｚＮ膜２６が形成される時点では、図５に示すよ
うに、転位は溝２４の上方の領域に湾曲し、ＡｌｘＧａ
ｙＩｎｚＮ膜２６の凸部の上方の領域Ｗ１及び選択横方
向成長によって形成された領域Ｗ２では転位密度は小さ
なものとなる。例えば、サファイア基板本体２１の表面
での転位密度がほぼ１０１０個／ｃｍ２である場合、特
に領域Ｗ１及びＷ２の表面での転位密度はほぼ１０６個
／ｃｍ２と減少する。
【００３４】このように、転位密度が減少した領域Ｗ１
及びＷ２を有するエピタキシャル成長用基板の上にＡｌ
ｘＧａｙＩｎｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ＞０，ｙ，ｚ≧
０）膜を順次エピタキシャル成長することにより、例え
ば図１に示したような発光素子を形成することができ
る。この場合、エピタキシャル成長用基板は全体に亘っ
て転位密度が低減されているので、不所望な光の吸収セ
ンタが形成されることはなく、発光効率の高いものとな
る。
及びＷ２を有するエピタキシャル成長用基板の上にＡｌ
ｘＧａｙＩｎｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ＞０，ｙ，ｚ≧
０）膜を順次エピタキシャル成長することにより、例え
ば図１に示したような発光素子を形成することができ
る。この場合、エピタキシャル成長用基板は全体に亘っ
て転位密度が低減されているので、不所望な光の吸収セ
ンタが形成されることはなく、発光効率の高いものとな
る。
【００３５】また、本発明の転位密度低減の効果は、Ａ
ｌｘＧａｙＩｎｚＮ膜中におけるＡｌ含有量が増大する
につれて顕著になり、特に、Ａｌを５０原子％以上含有
する場合、特にはＡｌｘＧａｙＩｎｚＮがＡｌＮ膜であ
る場合に特に顕著になる。
ｌｘＧａｙＩｎｚＮ膜中におけるＡｌ含有量が増大する
につれて顕著になり、特に、Ａｌを５０原子％以上含有
する場合、特にはＡｌｘＧａｙＩｎｚＮがＡｌＮ膜であ
る場合に特に顕著になる。
【００３６】本例では、図４に示したように、サファイ
ア基板本体２１を個々のデバイスに分割する際に、溝２
４をスライブラインとして利用することができ、別途ス
クライブラインを形成する作業が省ける。この点におい
ても、製造プロセスの簡素化が図れる。
ア基板本体２１を個々のデバイスに分割する際に、溝２
４をスライブラインとして利用することができ、別途ス
クライブラインを形成する作業が省ける。この点におい
ても、製造プロセスの簡素化が図れる。
【００３７】
【実施例】基板としてＣ面サファイア基板を用い、この
基板の主面上に塩素系ガスを使用した反応性イオンエッ
チング法で、幅約１μｍ、深さ０．２μｍのストライプ
状の溝を形成した。次いで、この基板を１２００℃に加
熱した後、トリメトルアルミニウム（ＴＭＡ）及びアン
モニア（ＮＨ３）を、圧力１５Ｔｏｒｒ、流量比ＮＨ３
／ＴＭＡ＝４５０で前記基板の主面上に導入し、ＡｌＮ
膜を厚さ２μｍに形成した。なお、この時の成膜速度は
約１μｍ／分であった。
基板の主面上に塩素系ガスを使用した反応性イオンエッ
チング法で、幅約１μｍ、深さ０．２μｍのストライプ
状の溝を形成した。次いで、この基板を１２００℃に加
熱した後、トリメトルアルミニウム（ＴＭＡ）及びアン
モニア（ＮＨ３）を、圧力１５Ｔｏｒｒ、流量比ＮＨ３
／ＴＭＡ＝４５０で前記基板の主面上に導入し、ＡｌＮ
膜を厚さ２μｍに形成した。なお、この時の成膜速度は
約１μｍ／分であった。
【００３８】このようにして形成したＡｌＮ膜の転位密
度を調べたところ全体に亘ってほぼ１０６／ｃｍ２であ
り、従来のエピタキシャル成長用基板と比較して著しく
転位密度の低減されていることが判明した。したがっ
て、このエピタキシャル成長用基板は、発光素子などの
基板として好適に用いられることが判明した。
度を調べたところ全体に亘ってほぼ１０６／ｃｍ２であ
り、従来のエピタキシャル成長用基板と比較して著しく
転位密度の低減されていることが判明した。したがっ
て、このエピタキシャル成長用基板は、発光素子などの
基板として好適に用いられることが判明した。
【００３９】以上、本発明を具体例を挙げながら発明の
実施の形態に基づいて詳細に説明してきたが、本発明は
上述した内容に限定されるものではなく、幾多の変更や
変形が可能である。例えば、上述した実施例では基板本
体を、Ｃ面のサファイアを以て形成したが、ＳｉＣやＧ
ａＮなどで形成された基板本体を用いることもできる。
実施の形態に基づいて詳細に説明してきたが、本発明は
上述した内容に限定されるものではなく、幾多の変更や
変形が可能である。例えば、上述した実施例では基板本
体を、Ｃ面のサファイアを以て形成したが、ＳｉＣやＧ
ａＮなどで形成された基板本体を用いることもできる。
【００４０】さらに、上述した実施例では、青色の光を
発生する発光ダイオードを製造するためのエピタキシャ
ル成長用基板としたが、他の色の光や紫外線を発生する
発光ダイオードや、レーザダイオード、電界効果トラン
ジスタなどの他のｐｎ接合デバイスを製造することもで
きる。
発生する発光ダイオードを製造するためのエピタキシャ
ル成長用基板としたが、他の色の光や紫外線を発生する
発光ダイオードや、レーザダイオード、電界効果トラン
ジスタなどの他のｐｎ接合デバイスを製造することもで
きる。
【００４１】
【発明の効果】上述したように、本発明によるエピタキ
シャル成長用基板においては、基板本体の上に形成され
たＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ＞０，
ｙ，ｚ≧０）膜は、転位密度が低くなっているので、そ
の上にＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ，
ｙ，ｚ≧０）膜を順次にエピタキシャル成長して発光ダ
イオード、レーザダイオード、電界効果トランジスタな
どのｐｎ接合デバイスを形成すると、その特性を改善す
ることができる。特に、発光ダイオードやレーザダイオ
ードにおいては、転位による特性の劣化が重大な問題と
なるので、本発明による効果は顕著である。
シャル成長用基板においては、基板本体の上に形成され
たＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ＞０，
ｙ，ｚ≧０）膜は、転位密度が低くなっているので、そ
の上にＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ，
ｙ，ｚ≧０）膜を順次にエピタキシャル成長して発光ダ
イオード、レーザダイオード、電界効果トランジスタな
どのｐｎ接合デバイスを形成すると、その特性を改善す
ることができる。特に、発光ダイオードやレーザダイオ
ードにおいては、転位による特性の劣化が重大な問題と
なるので、本発明による効果は顕著である。
【００４２】さらに、本発明によるエピタキシャル成長
用基板の製造方法においては、基板本体上にバッファ層
をＣＶＤにより形成した後、その上にマスクを形成して
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ膜をＣＶＤにより成膜する場合に
比べて、成膜後基板本体をＣＶＤ装置から取り出してエ
ッチングプロセスを施し、再度ＣＶＤ装置に導入するよ
うな煩雑なプロセスがなくなるので、効率よくエピタキ
シャル成長用基板を製造することができる。
用基板の製造方法においては、基板本体上にバッファ層
をＣＶＤにより形成した後、その上にマスクを形成して
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ膜をＣＶＤにより成膜する場合に
比べて、成膜後基板本体をＣＶＤ装置から取り出してエ
ッチングプロセスを施し、再度ＣＶＤ装置に導入するよ
うな煩雑なプロセスがなくなるので、効率よくエピタキ
シャル成長用基板を製造することができる。
【図１】図１は、従来の発光ダイオードの構成を示す断
面図である。
面図である。
【図２】図２ａ〜２ｃは、転位密度を低減させる従来の
選択横方向成長プロセスの順次の工程を示す断面図であ
る。
選択横方向成長プロセスの順次の工程を示す断面図であ
る。
【図３】図３ａ〜３ｃは、本発明によるエピタキシャル
成長用基板の一例を製造する順次の工程を示す断面図で
ある。
成長用基板の一例を製造する順次の工程を示す断面図で
ある。
【図４】図４は、選択横方向成長過程における転位の移
動を示す断面図である。
動を示す断面図である。
【図５】図５は、本例のエピタキシャル成長用基板にお
ける転位密度の状況を示す断面図である。
ける転位密度の状況を示す断面図である。
２１ サファイア基板本体、 ２２ フォトレジスト、
２３ 開口、 ２４溝、 ２５ ＣＶＤ装置、 ２６
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ膜 Ｗ 転位密度が低減した領
域
２３ 開口、 ２４溝、 ２５ ＣＶＤ装置、 ２６
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ膜 Ｗ 転位密度が低減した領
域
Claims (9)
- 【請求項１】表面にストライプ状の凹凸構造を有するサ
ファイア、ＳｉＣ、ＧａＮなどの基板本体と、この基板
本体の前記ストライプ状の凹凸構造を埋めるように選択
横方向成長によりエピタキシャル成長され、前記ストラ
イプ状の凹凸構造の凸部及び凹部の上方の少なくとも一
方に形成された転位密度の小さな領域を有するＡｌｘＧ
ａｙＩｎｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ＞０，ｙ，ｚ≧０）
膜とを具えることを特徴とする、エピタキシャル成長用
基板。 - 【請求項２】前記ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ膜中のＡｌ含有
量が５０原子％以上であることを特徴とする、請求項１
に記載のエピタキシャル成長用基板。 - 【請求項３】前記ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ膜は、ＡｌＮ膜
であることを特徴とする、請求項２に記載のエピタキシ
ャル成長用基板。 - 【請求項４】前記基体本体の表面の凹凸構造は、前記基
体本体の表面に形成した複数のストライプ状の溝から構
成されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一
に記載のエピタキシャル成長用基板。 - 【請求項５】サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮなどの基板本
体の一方の表面にストライプ状の凹凸構造を形成し、こ
の表面に、凹凸構造の凹部を埋めるように選択横方向成
長によってＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ
＞０，ｙ，ｚ≧０）膜をエピタキシャル成長させ、前記
ストライプ状の凹凸構造の凸部及び凹部の上方の少なく
とも一方に転位密度の小さな領域を形成することを特徴
とする、エピタキシャル成長用基板の製造方法。 - 【請求項６】前記ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ膜中のＡｌ含有
量が５０原子％以上であることを特徴とする、請求項５
に記載のエピタキシャル成長用基板の製造方法。 - 【請求項７】前記ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ膜は、ＡｌＮ膜
であることを特徴とする、請求項６に記載のエピタキシ
ャル成長用基板の製造方法。 - 【請求項８】前記基体本体の表面の凹凸構造を、前記基
体本体の表面に複数のストライプ状の溝を形成して構成
することを特徴とする、請求項５〜７のいずれか一に記
載のエピタキシャル成長用基板の製造方法。 - 【請求項９】前記ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ膜を成膜した
後、前記基板本体に形成された前記複数のストライプ状
の溝をスクライブラインとして、前記基板を分割するこ
とを特徴とする、請求項８に記載のエピタキシャル成長
用基板の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000344808A JP3455512B2 (ja) | 1999-11-17 | 2000-11-13 | エピタキシャル成長用基板およびその製造方法 |
| US09/713,547 US6426519B1 (en) | 1999-11-17 | 2000-11-15 | Epitaxial growth substrate and a method for producing the same |
| EP00124938A EP1101841B1 (en) | 1999-11-17 | 2000-11-15 | A method for producing an epitaxial growth substrate |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32665099 | 1999-11-17 | ||
| JP11-326650 | 1999-11-17 | ||
| JP2000344808A JP3455512B2 (ja) | 1999-11-17 | 2000-11-13 | エピタキシャル成長用基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001210598A true JP2001210598A (ja) | 2001-08-03 |
| JP3455512B2 JP3455512B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=26572250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000344808A Expired - Lifetime JP3455512B2 (ja) | 1999-11-17 | 2000-11-13 | エピタキシャル成長用基板およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6426519B1 (ja) |
| EP (1) | EP1101841B1 (ja) |
| JP (1) | JP3455512B2 (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002008985A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体の製造方法及び窒化物半導体基板 |
| JP2002164296A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-06-07 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 半導体基材及びその作製方法 |
| JP2004158500A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-03 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体、窒化物半導体基板、窒化物半導体素子及びそれらの製造方法 |
| JP2005019964A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-01-20 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 紫外線発光素子 |
| JP2006513584A (ja) * | 2002-12-18 | 2006-04-20 | アギア システムズ インコーポレーテッド | 能動領域の欠陥が低減されユニークな接触スキームを有する半導体デバイス |
| WO2006126414A1 (ja) * | 2005-05-25 | 2006-11-30 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2006332228A (ja) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Showa Denko Kk | 半導体素子形成用基板及びエピタキシャルウェーハ並びにそれらを利用した半導体素子及び半導体デバイス |
| JP2007128925A (ja) * | 2004-09-23 | 2007-05-24 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | テクスチャ基板上で成長させるｉｉｉ族発光素子 |
| JP2007161525A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Univ Of Tokushima | 半導体装置用基材およびその製造方法 |
| JP2009059974A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Univ Meijo | 半導体基板、半導体発光素子および半導体基板の製造方法 |
| JP2010114159A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Meijo Univ | 発光素子及びその製造方法 |
| KR20160138419A (ko) | 2014-03-26 | 2016-12-05 | 제이엑스 에네루기 가부시키가이샤 | 에피택셜 성장용 기판 및 이것을 사용한 발광 소자 |
| US10100434B2 (en) | 2014-04-14 | 2018-10-16 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Nitride semiconductor single crystal substrate manufacturing method |
| JP2019192828A (ja) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Ｒａｍｏ４基板のエッチング方法 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6940098B1 (en) | 1999-03-17 | 2005-09-06 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Semiconductor base and its manufacturing method, and semiconductor crystal manufacturing method |
| US6403451B1 (en) * | 2000-02-09 | 2002-06-11 | Noerh Carolina State University | Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers on substrates including non-gallium nitride posts |
| US6864158B2 (en) * | 2001-01-29 | 2005-03-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing nitride semiconductor substrate |
| JP2002231665A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-16 | Sumitomo Metal Ind Ltd | エピタキシャル膜付き半導体ウエーハの製造方法 |
| US6562701B2 (en) * | 2001-03-23 | 2003-05-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing nitride semiconductor substrate |
| JP4055503B2 (ja) | 2001-07-24 | 2008-03-05 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP4092927B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2008-05-28 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体、ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体基板の製造方法 |
| SG115549A1 (en) * | 2002-07-08 | 2005-10-28 | Sumitomo Chemical Co | Epitaxial substrate for compound semiconductor light emitting device, method for producing the same and light emitting device |
| JP4823466B2 (ja) * | 2002-12-18 | 2011-11-24 | 日本碍子株式会社 | エピタキシャル成長用基板および半導体素子 |
| EP3166152B1 (en) * | 2003-08-19 | 2020-04-15 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting diode and method of manufacturing its substrate |
| US20050110040A1 (en) * | 2003-11-26 | 2005-05-26 | Hui Peng | Texture for localizing and minimizing effects of lattice constants mismatch |
| JP4712450B2 (ja) | 2004-06-29 | 2011-06-29 | 日本碍子株式会社 | ＡｌＮ結晶の表面平坦性改善方法 |
| JP2006100787A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-04-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置および発光素子 |
| WO2006054543A1 (ja) * | 2004-11-22 | 2006-05-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 窒素化合物系半導体装置およびその製造方法 |
| JP5084837B2 (ja) * | 2006-10-18 | 2012-11-28 | ナイテック インコーポレイテッド | 深紫外線発光素子及びその製造方法 |
| US20090085055A1 (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-02 | Hui Peng | Method for Growing an Epitaxial Layer |
| US8372738B2 (en) * | 2009-10-30 | 2013-02-12 | Alpha & Omega Semiconductor, Inc. | Method for manufacturing a gallium nitride based semiconductor device with improved termination scheme |
| TW201118946A (en) * | 2009-11-24 | 2011-06-01 | Chun-Yen Chang | Method for manufacturing free-standing substrate and free-standing light-emitting device |
| US9412586B2 (en) | 2009-12-25 | 2016-08-09 | Soko Kagaku Co., Ltd. | Method for producing a template for epitaxial growth having a sapphire (0001) substrate, an initial-stage A1N layer and laterally overgrown A1XGAYN (0001) layer |
| JP5406985B2 (ja) * | 2010-06-07 | 2014-02-05 | 創光科学株式会社 | エピタキシャル成長用テンプレートの作製方法及び窒化物半導体装置 |
| JP5649514B2 (ja) * | 2011-05-24 | 2015-01-07 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子、窒化物半導体層、及び、窒化物半導体層の形成方法 |
| JP5869064B2 (ja) * | 2014-07-17 | 2016-02-24 | 創光科学株式会社 | エピタキシャル成長用テンプレート及びその作製方法 |
| US9556535B2 (en) | 2014-08-29 | 2017-01-31 | Soko Kagaku Co., Ltd. | Template for epitaxial growth, method for producing the same, and nitride semiconductor device |
| KR101581169B1 (ko) | 2014-08-29 | 2015-12-29 | 소코 가가쿠 가부시키가이샤 | 에피택셜 성장용 템플릿 및 그 제조 방법, 그리고 질화물 반도체 장치 |
| CN105070763B (zh) * | 2015-07-22 | 2017-10-03 | 中国科学院半导体研究所 | Soi叉指结构衬底ⅲ‑ⅴ族材料沟道薄膜晶体管及制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10125958A (ja) * | 1997-10-20 | 1998-05-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法 |
| JP2000124500A (ja) * | 1998-10-15 | 2000-04-28 | Toshiba Corp | 窒化ガリウム系半導体装置 |
| JP2000156524A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-06-06 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置、半導体基板とそれらの製造方法 |
| JP2000331947A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-11-30 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 半導体基材及びその作製方法 |
| JP2001053012A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-02-23 | Agilent Technol Inc | 半導体装置の組立方法およびｉｉｉ−ｖ族半導体装置 |
| JP2001057341A (ja) * | 1999-08-18 | 2001-02-27 | Univ Meijo | 半導体の製造方法および該方法により製造した半導体素子 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6153010A (en) * | 1997-04-11 | 2000-11-28 | Nichia Chemical Industries Ltd. | Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device |
| US5218216A (en) * | 1987-01-31 | 1993-06-08 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Gallium nitride group semiconductor and light emitting diode comprising it and the process of producing the same |
| US5787104A (en) * | 1995-01-19 | 1998-07-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element and method for fabricating the same |
| US6252253B1 (en) * | 1998-06-10 | 2001-06-26 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. | Patterned light emitting diode devices |
| JP3987660B2 (ja) | 1998-07-31 | 2007-10-10 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体構造とその製法および発光素子 |
| JP3594826B2 (ja) * | 1999-02-09 | 2004-12-02 | パイオニア株式会社 | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
| US6940098B1 (en) * | 1999-03-17 | 2005-09-06 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Semiconductor base and its manufacturing method, and semiconductor crystal manufacturing method |
-
2000
- 2000-11-13 JP JP2000344808A patent/JP3455512B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-15 US US09/713,547 patent/US6426519B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-15 EP EP00124938A patent/EP1101841B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10125958A (ja) * | 1997-10-20 | 1998-05-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法 |
| JP2000156524A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-06-06 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置、半導体基板とそれらの製造方法 |
| JP2000124500A (ja) * | 1998-10-15 | 2000-04-28 | Toshiba Corp | 窒化ガリウム系半導体装置 |
| JP2000331947A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-11-30 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 半導体基材及びその作製方法 |
| JP2001053012A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-02-23 | Agilent Technol Inc | 半導体装置の組立方法およびｉｉｉ−ｖ族半導体装置 |
| JP2001057341A (ja) * | 1999-08-18 | 2001-02-27 | Univ Meijo | 半導体の製造方法および該方法により製造した半導体素子 |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002008985A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体の製造方法及び窒化物半導体基板 |
| JP2002164296A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-06-07 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 半導体基材及びその作製方法 |
| JP2004158500A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-03 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体、窒化物半導体基板、窒化物半導体素子及びそれらの製造方法 |
| JP2006513584A (ja) * | 2002-12-18 | 2006-04-20 | アギア システムズ インコーポレーテッド | 能動領域の欠陥が低減されユニークな接触スキームを有する半導体デバイス |
| JP2005019964A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-01-20 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 紫外線発光素子 |
| JP2007128925A (ja) * | 2004-09-23 | 2007-05-24 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | テクスチャ基板上で成長させるｉｉｉ族発光素子 |
| US7842529B2 (en) | 2005-05-25 | 2010-11-30 | Tottori Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element including forming scribe lines sandwiching and removing high density dislocation sections |
| WO2006126414A1 (ja) * | 2005-05-25 | 2006-11-30 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2006332228A (ja) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Showa Denko Kk | 半導体素子形成用基板及びエピタキシャルウェーハ並びにそれらを利用した半導体素子及び半導体デバイス |
| JP2007161525A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Univ Of Tokushima | 半導体装置用基材およびその製造方法 |
| JP2009059974A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Univ Meijo | 半導体基板、半導体発光素子および半導体基板の製造方法 |
| JP2010114159A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Meijo Univ | 発光素子及びその製造方法 |
| KR20160138419A (ko) | 2014-03-26 | 2016-12-05 | 제이엑스 에네루기 가부시키가이샤 | 에피택셜 성장용 기판 및 이것을 사용한 발광 소자 |
| US10100434B2 (en) | 2014-04-14 | 2018-10-16 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Nitride semiconductor single crystal substrate manufacturing method |
| JP2019192828A (ja) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Ｒａｍｏ４基板のエッチング方法 |
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