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JP2001298795A - 超音波プローブ及び超音波プローブ製造方法 - Google Patents

超音波プローブ及び超音波プローブ製造方法

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JP2001298795A
JP2001298795A JP2001031281A JP2001031281A JP2001298795A JP 2001298795 A JP2001298795 A JP 2001298795A JP 2001031281 A JP2001031281 A JP 2001031281A JP 2001031281 A JP2001031281 A JP 2001031281A JP 2001298795 A JP2001298795 A JP 2001298795A
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piezoelectric body
ultrasonic probe
resin layer
piezoelectric
manufacturing
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Takashi Takeuchi
俊 武内
Yasuharu Hosono
靖晴 細野
Mamoru Izumi
守 泉
Yohachi Yamashita
洋八 山下
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 固溶系圧電単結晶と樹脂との複合圧電体を用
いて、切断時の加工不良が生じない一次元及び二次元ア
レイ超音波プローブ及び当該超音波プローブの製造方法
を提供すること。 【解決手段】 少なくともチタン酸鉛を含む固溶系単結
晶により形成された圧電体111を当該圧電体よりも音
響インピーダンスが小さく導電性を有する樹脂層11
3,115で挟むことで、切断時の加工不良の発生を防
止し、樹脂層を音響整合層或いは電極として使用可能で
あることを特徴とする超音波プローブ。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、超音波診断装置や
超音波治療装置等に用いられる超音波プローブと、当該
超音波プローブ製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】超音波プローブは、圧電体を主体として
構成され、超音波を対象物に向けて照射し、その対象物
における音響インピーダンスの異なる界面からの反射波
を受信することにより、対象物の内部状態を画像化する
ために用いられる。このような超音波プローブが採用さ
れた超音波画像装置として、例えば、人体内部を検査す
るための医用診断装置や金属溶接内部の探傷を目的とす
る検査装置等が存在する。
【0003】この医用超音波画像装置である超音波診断
装置では、人体の断層像(Bモード像)に加え、超音波
の血流によるドプラシフトを利用して血流の速度を2次
元でカラー表示するカラーフローマッピング(CFM)
法や、二次高調波を画像化したティッシュハーモニック
イメージング(THI)法等の撮影技術が開発されてい
る。超音波プローブは、これら種々の撮影方法に応じた
形態を有し、人体のあらゆる臓器器官に関する超音波の
送受信を可能にしている。
【0004】一般に超音波診断装置に使用される超音波
プローブには、高分解能の画像が、高感度に得られるこ
とが要求される。これは、診断対象の深部まで明瞭に表
示可能な画像により、小さな病変や空隙を発見できるよ
うにするためである。近年、その方法の一つとして、セ
ンサー部分である超音波プローブをさらに高感度化、広
帯域化することが考えられている。
【0005】上述した高感度化、広帯域化を達成するた
めに、圧電体柱や圧電体粉を樹脂に埋め込んだ構成など
の複合圧電体が研究されている。例えば、特公昭54−
19151、特開昭60−97800、特開昭61−5
3562、特開昭61−109400など、製造方法と
して特開昭57−45290、特開昭58−2188
3、特開昭60−54600、特開昭60−8569
9、特開昭62−122499、特開昭62−1317
00等にその構造が提案されている。
【0006】これらに開示されている複合圧電体を使用
した超音波プローブは、音響インピーダンスが低下して
生体のインピーダンスに近づくこと、1−3型や2−2
型などの構成では電気機械結合係数が薄板の場合に比べ
て増加すること等のメリットを有している。これは、複
合圧電体には、誘電率が大きく電気機械結合係数k33
大きいPZT系圧電セラミックが主として用いられてい
るからである。
【0007】一方、複合圧電体を使用した超音波プロー
ブは、樹脂を含むことによる誘電率低下に比べて電気機
械結合係数の向上が小さいという問題も有している。従
って現実には、複合圧電体は、素子面積が大きいシング
ル型メカニカルプローブやアニュラアレイ等に用いられ
ているのみである。そこで、ktに比べk33が飛躍的に
高い固溶系圧電単結晶を用いることでこの問題を解決し
ようという試みもなされている。(特開平09−841
94)高感度、広帯域の超音波プローブを実現するため
には、図13(a)に示したアレイ状プローブ28のよ
うに、固溶系圧電単結晶32と樹脂34、36との複合
圧電体30を形成する方法がある。しかしながら、この
複合圧電体30の形成においては、切削加工時の不良が
問題となっている。すなわち、一般的に固溶系圧電単結
晶32は破壊靭性が低く脆いため、図13(b)に示す
溝38をアレイ状に形成する切削加工時において、図1
3(c)に示すようなチッピングが発生する問題があ
る。このチッピングは、特性の劣化や素子へのクラック
により不良を引き起こしてしまう。
【0008】そこで我々はこれらの単結晶を用いた超音
波プローブとして図14(a)のような構造を提案し
(特開2000−14672号公報参照)、プローブ作
製歩留まりの改善を試みてきた。図14(a)は、単結
晶振動素子を用いたアレイプローブの断面構造を示して
いる。単結晶振動素子1の両面には電極4、5が形成さ
れており、振動素子1の下面にはバッキング材2が設け
られている。また、単結晶振動素子上面には音響マッチ
ング層3a,3bが形成され、単結晶振動素子1および
音響マッチング層3a、3bアレイ加工されている。ア
レイプローブの配列ピッチは、狭いもので0.1mm程
度である。さらに音響マッチング層3b上に設けられた
音響レンズ8を通して超音波の送受信が行われる。単結
晶振動素子1の両面に形成された電極4、5はFPC
6、7を介してケーブルに接続され、診断装置に繋がる
(図省略)。図14(a)の構造においてFPC6は前記
FPCの導電層を振動素子の面積分に拡張して前記振動
素子と全面に渡ってエポキシ系接着剤で接合されてい
る。また前記導電層としては一般に金属Cuが用いられ
ている。図14(b)は図14(a)で示した信号用F
PCの下部の導電層を単結晶振動素子1から見たもので
ある。図14(a)の信号用FPCの導電層6a’は図
14(b)で示したように導電層6aから千鳥に引き出
されている。これらの配列構造は以下の説明の通りに作
製される。一体形状の単結晶振動素子1に電極4、5を
形成する。FPCを接着した振動素子をバッキング材2
に接着し、音響マッチング層3a、3bを形成した後に
ダイシングソーを用いて、マッチング層側から切断す
る。その後、音響マッチング層3b上に音響レンズ8を
形成して完成となる。
【0009】ところが、上記の製造方法を採用し、導電
層を単結晶振動素子の面積分に拡張したFPCを前記振
動素子と全面に渡ってエポキシ系接着剤し、バッキング
材にエポキシ接着剤で前期振動素子を接着し、前期振動
素子の上に音響マッチング層を形成した後、ダイシング
ソーでアレイ加工すると、単結晶振動素子のFPCが接
着された面のダイシングエッジ部にクラックやチッピン
グが発生することがあるという問題が生じた。これはア
レイ加工時に機械的強度の弱い圧電単結晶と切削性の劣
るFPCの導電層を同時に切断するために生じるものと
考えられる。また、加工中に生じる導電層からのばりは
単結晶振動素子の切断面を荒らし、ブレードに巻き込ま
れた切削屑は切削製を低下させる原因となる。こうした
単結晶振動素子のクラックやチッピングは、加工条件を
調整しても抑制することが困難である。大きなクラック
は断線不良となり、製造歩留まり低下させ、小さなクラ
ックは使用中に進展し、市場事故を起こす原因となり得
る。また、チッピングは短冊形状に加工された振動素子
の電極面積を減少させるため、特性劣化を招くだけでは
なくアレイ素子間の特性ばらつきも大きくなる。アレイ
素子数は数十から数百に及ぶため、アレイ素子間の特性
ばらつきは診断装置に表示される断層像の画質に影響す
る。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
課題を解決するためになされたものであり、固溶系圧電
単結晶と樹脂との複合圧電体を用いて、切断時の加工不
良が生じない一次元及び二次元アレイ超音波プローブ及
び当該超音波プローブの製造方法を提供することにあ
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、次の手段を講じている。
【0012】本発明の第1の視点は、アレイ状に切削さ
れた単結晶圧電体と、前記圧電体の上面に形成され当該
圧電体よりも音響インピーダンスが小さな上面樹脂層、
若しくは、前記圧電体の下面に形成され当該圧電体より
も音響インピーダンスが小さな下面樹脂層の少なくとも
一方と、を備えた超音波振動素子であって、前記上面樹
脂層若しくは前記下面樹脂層の少なくとも一方は、良好
な切削性且つ導電性を備え、電極として機能する超音波
プローブである。
【0013】本発明の第2の視点は、少なくともチタン
酸鉛を含む固溶系単結晶により形成された圧電体と、前
記圧電体の上面に形成され当該圧電体よりも音響インピ
ーダンスが小さな上面樹脂層、若しくは、前記圧電体の
下面に形成され当該圧電体よりも音響インピーダンスが
小さな下面樹脂層の少なくとも一方と、から成る1−3
型若しくは2−2型複合圧電体により形成された超音波
振動素子を具備し、前記上面樹脂層若しくは前記下面樹
脂層の少なくとも一方は、良好な切削性且つ導電性を備
え、電極として機能する超音波振動素子を具備すること
を特徴とする超音波プローブである。
【0014】また、第2の視点に係る超音波プローブに
おいて、前記上面樹脂層若しくは前記下面樹脂層の少な
くとも一方は、2×10g/ms乃至10×10
g/msの音響インピーダンスを有し音響整合層とし
ての機能することを特徴とするものである。
【0015】本発明の第3の視点は、少なくともチタン
酸鉛を含む固溶系圧電単結晶を形成する第1のステップ
と、圧電単結晶の上下面の少なくとも一方に前記固溶系
圧電単結晶よりも音響インピーダンスが小さな樹脂層を
形成する第2のステップと、圧電単結晶と前記の樹脂層
とを切り込み複数の溝を形成する第3のステップと、前
記複数の溝へ樹脂を充填する第4のステップとを具備す
ることを特徴とする超音波プローブ製造方法である。
【0016】なお、第3の視点に係る超音波プローブ製
造方法において、前記第2のステップにおいて、前記複
数の溝は格子状に形成する構成であってもよい。また、
前記樹脂層を研磨して取り除く第5のステップを具備す
る構成であってもよい。
【0017】本発明の第4の視点は、単結晶圧電体の上
下面の少なくとも一方に前記単結晶圧電体よりも音響イ
ンピーダンスが小さな樹脂層を形成する第1のステップ
と、前記単結晶圧電体と前記の樹脂層とを切り込み複数
の溝を形成する第2のステップと、前記複数の溝へ樹脂
を充填する第3のステップと、を具備する超音波プロー
ブ製造方法である。
【0018】本発明の第5の視点は、少なくともチタン
酸鉛を含む固溶系単結晶により形成され、アレイ状に配
列された複数の圧電体と、前記各圧電体の下面に形成さ
れた第1の電極と、それぞれの幅が前記各圧電体のアレ
イ方向の幅よりも小さく、前記各第1の電極から電気配
線を引き出して超音波診断装置本体に接続するための複
数のパターン配線を有する第1のフレキシブル印刷配線
基板とを特徴とする超音波プローブである。
【0019】なお、第5の視点に係る超音波プローブ製
造方法において、前記各圧電体の上面に形成された第2
の電極と、それぞれの幅が前記各圧電体のアレイ方向の
幅よりも小さく、前記各第2の電極から電気配線を引き
出してGND接続するための複数のパターン配線を有す
る第2のフレキシブル印刷配線基板とをさらに具備する
ことを特徴とするものである。
【0020】以上述べた構成を有する本発明によれば、
切断時の加工不良が生じない超音波プローブを製造する
ことができる。その結果、高感度、広帯域特性を有する
超音波プローブが実現できる。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第1実施形態〜第
7実施形態を図面に従って説明する。
【0022】(第1の実施形態)図1は、第1実施形態
に係る超音波プローブ10の概略構成を示している。
【0023】図1において、超音波プローブ10は、複
合圧電体(1−3型)11、音響整合層17、音響レン
ズ19、共通電極板21、フレキシブル配線基板23、
バッキング材25を具備する構成となっている。
【0024】複合圧電体(1−3型)11は、単結晶圧
電体111と上側PVC樹脂層113と下側PVC樹脂
層115とを有している。すなわち、複合圧電体(1−
3型)11は、単結晶圧電セラミックスの一次元的な細
棒が3次元的な高分子であるPVC樹脂マトリクスの中
に埋め込まれた圧電体であり、高い電気機械結合係数と
低い音響インピーダンスを有している。複合圧電体11
の上下両面には、圧電気直接効果及び圧電気逆効果によ
る電気信号を送受信するための図示していない電極が、
後述する方法により形成されている。
【0025】単結晶圧電体111は、亜鉛ニオブ酸鉛
(PZN)、チタン酸鉛(PT)等を含む固溶系単結晶
圧電セラミックスであり、後述する方法により作成され
る。
【0026】上側PVC樹脂層113は、圧電体111
の超音波照射側(以下、上側)に銀入りPVC樹脂を塗
布することにより形成された層であり、導電性、良好な
切削性、単結晶圧電体に比して小さい音響インピーダン
ス(例えば、2×10g/ms乃至10×10
/ms程度)を有している。
【0027】下側PVC樹脂層115は、単結晶圧電体
111の上側と反対側(以下、下側)に銀入りPVC樹
脂を塗布することにより形成された層であり、導電性、
良好な切削性、単結晶圧電体に比して小さい音響インピ
ーダンスを有している。下側PVC樹脂層115と上側
PVC樹脂層113は、単結晶圧電体111のチッピン
グやクラック発生を防止する役割を果たしている。この
下側PVC樹脂層115と上側PVC樹脂層113の形
成方法については、後で詳しく説明する。
【0028】音響整合層17は、図示していない被検体
と複合圧電体11との間に位置するように設けられてお
り、単層或いは多層から成っている。当該整合層17に
おける音速、厚み、音響インピーダンス等のパラメータ
を調節することで、被検体と複合圧電体11との音響イ
ンピーダンスの整合を図ることができる。
【0029】音響レンズ19は、音響インピーダンスが
生体に近いシリコーンゴム等から成るレンズであり、音
波の屈折を利用して超音波ビームを集束させ分解能を向
上させる。
【0030】共通電極板21は、上側PVC樹脂層11
3の一端に設けられている。共通電極板21は、複合圧
電体11上面に形成された図示していない電極に電力の
印加等するための電極であり、アース接続されている。
【0031】フレキシブル配線基板23は、下側PVC
樹脂層115の一端に設けられており、各複合圧電体1
1に電力を印加するための柔軟性を備えた電極基板であ
る。
【0032】バッキング材25は、フレキシブル配線基
板23の背面に設けられており、複合圧電体11を機械
的に支持する。また、バッキング材25は、超音波パル
スを短くするために、複合圧電体11を制動している。
このバッキング材25の厚さは、トランスデューサの音
響的特性を良好に保つため、使用する超音波周波数の波
長に対して十分な厚さ(十分減衰される厚さ)に保たれ
ている。
【0033】次に、第1実施形態に係る超音波プローブ
10に使用される1−3型複合圧電体11の製造方法に
ついて説明する。本製造方法は、単結晶圧電体111の
作成(第1ステップ)、上下PVC樹脂層の形成(第2
ステップ)、PVC樹脂層113、15のダイシング
(第3ステップ)、樹脂充填(第4ステップ)、PVC
樹脂層113、15の研磨(第5ステップ)の5つの大
きなステップに分けることができる。
【0034】まず、第1ステップの複合圧電体11の形
成について説明する。
【0035】亜鉛ニオブ酸鉛(PZN)とチタン酸鉛
(PT)とが91:9のモル比をPbフラックスととも
に白金容器に入れ昇温して溶解した後、室温まで冷却し
固溶系単結晶を育成する。その後、ラウエカメラを用い
て前記単結晶の<001>軸方位を出し、この軸に垂直
にカッターで切断する。そして、厚さ300μmに研磨
後、スパッタ法によりTi/Au電極を両面に形成する
ことで単結晶圧電体111を作成することができる。
【0036】次に、第2ステップの上下PVC樹脂層1
13、15の形成について説明する。
【0037】第1ステップにおいて形成された圧電体1
11をガラス板へ仮留めし、周りをカプトンテープにて
マスキングした後、導電性の銀入りPVC樹脂を塗布し
て300μmに平面研磨機にて研磨し切削性良好な上側
PVC樹脂層113を形成する。同様に、圧電体11の
裏面側も300μmの切削性良好な下側PVC樹脂層1
15を形成する。なお、上側PVC樹脂層113と下側
PVC樹脂層115の形成順序は、逆であっても構わな
い。
【0038】次に、第3ステップの上側PVC樹脂層1
13と下側PVC樹脂層115のダイシング、第4ステ
ップの樹脂充填について説明する。
【0039】第2ステップにおいて形成された銀入りP
VC樹脂の層113、115によってサンドイッチされ
た圧電体111を、ダイシングソーで50μm厚のブレ
ードにより200μmピッチで深さ800μm(100
μmの切り残し)の溝をアレイ状に入れ、エポキシ樹脂
12を切断溝に充填して硬化させる。同様に、先の切断
溝に対して直角に同様の切断溝を形成してエポキシ樹脂
12を充填し硬化させる。
【0040】次に、第5ステップの上下PVC樹脂層1
13、115の研磨について説明する。
【0041】その後、切り残し側を下面としてガラス板
へ仮留めし、反対側の層を平面研磨機にて150μmに
研磨する。更に切り残し側を上面として同様に150μ
mに研磨する。そして、スパッタリングにより両面にT
i/Au電極を形成することで、切削等によるチッピン
グやクラックの少ない1−3型複合圧電体11を形成す
ることができる。
【0042】最後に、上記製造方法により形成された1
−3型複合圧電体11へ、1KV/mmの電界を印加し
て分極処理を施す。
【0043】なお、上記複合圧電体製造方法は、その本
質を変えない範囲で種々変形可能である。例えば、1−
3型複合圧電体11を例として説明したが、本発明は、
第2の実施形態で説明するように2−2型複合圧電体に
ついても適用可能である。また、最初からマトリクス状
にカットして、その後樹脂を充填しても良い。さらに、
本実施例のようにエポキシ樹脂を2段階に分けて充填す
る場合は、その種類を変えても良い。
【0044】次に、上記製造方法によって製造された1
−3型複合圧電体を用いて、一次元アレイ型超音波プロ
ーブ10を製造する方法の例を、図2に従って説明す
る。
【0045】図2は、本実施形態に係る超音波プローブ
10の断面を示す図である。
【0046】まず、複合圧電体11の上側PVC樹脂層
113に共通電極板21を、下側PVC樹脂層115に
フレキシブル配線基板23を、導電ペーストとを用いて
接続し、超音波放射面側に第二の音響整合層17を形成
する。その後、バッキング材25とフレキシブル配線基
板23とをエポキシ樹脂で接着する。
【0047】次に、ダイシングソーにより厚さ50μm
のブレードで、アレイ方向に200μmピッチで切断す
る。その溝にシリコーン系の接着剤を充填し、音響レン
ズ19を接着する。
【0048】そして、静電容量110pF/m、長さ2
mの同軸ケーブルを前記フレキシブル配線基板23に接
続することで、1次元アレイ型超音波プローブ10を製
造することができる。
【0049】次に、上記製造方法によって製造された超
音波プローブによる作用について説明する。
【0050】超音波プローブ10は、1−3型複合圧電
体11は、上側PVC樹脂層113と下側PVC樹脂層
115とで単結晶圧電体111を挟んでいるので、アレ
イ状の溝を形成する際においてもチッピングの発生を防
止することができる。
【0051】また、上側PVC樹脂層113と下側PV
C樹脂層115とは、単結晶圧電体111に比して小さ
い音響インピーダンス、導電性、良好な切削性を有して
いるので、単結晶圧電体111に関する電気信号を送受
信する電極、若しくは、音響整合層とすることが可能で
ある。
【0052】なお、第1〜第4ステップによってアレイ
状の溝形成、エポキシ樹脂12を充填した後、すなわち
チッピング発生の恐れがなくなった後、第5ステップに
おいて上側PVC樹脂層113と下側PVC樹脂層11
5の少なくとも一方を全て研磨し、新たに電極或いは音
響整合層を設ける構成であってもよい。
【0053】また、上側PVC樹脂層113と下側PV
C樹脂層115は、デュロメータ硬さが700乃至10
00HDdであることが好ましい。
【0054】従って、このような構成によれば、本発明
に係わる切削性良好な層を固溶系圧電単結晶の上下面の
少なくとも一方へ設けることで、切断時の加工不良を削
減し高感度、広帯域な超音波プローブを容易に製造する
ことができる。また、PVC樹脂層が導電性を有するた
め、単結晶圧電体との電気的な接続性が高く、良好な特
性の超音波振動素子を形成できる。
【0055】(第2実施形態)第1の実施形態では、1
−3型の複合圧電体11の製造方法、及び当該圧電素子
を使用した超音波プローブ10の製造方法について説明
を行った。これに対し、第2の実施形態では、2−2型
の複合圧電体の製造方法、及び当該2−2型複合圧電体
を使用した超音波プローブの製造方法について説明を行
う。
【0056】なお、2−2型複合圧電体を使用した超音
波プローブの外観は、図2に示した1−3型複合圧電体
を使用した超音波プローブ10と同様であるから、同図
を援用するものとし、既に説明した構成要素についての
説明は省略する。また、第1の実施形態で述べた製造方
法と重複する部分はその説明を省略し、異なる部分のみ
説明する。
【0057】第2の実施形態に係る2−2型複合圧電体
の製造方法は、第1ステップ、第2ステップについては
第1の実施形態と同様である。
【0058】第3ステップの上側PVC樹脂層113と
下側PVC樹脂層115のダイシング、第4ステップの
樹脂充填について説明する。
【0059】第2ステップにおいて形成された銀入りP
VC樹脂の層3、4によってサンドイッチされた圧電体
11を、ダイシングソーで50μm厚のブレードにより
200μmピッチで深さ800μm(100μmの切り
残し)の溝をアレイ方向と垂直に入れた後、エポキシ樹
脂12を切断溝に充填して硬化させる。
【0060】次に、第5ステップの上下PVC樹脂層1
13、115の研磨について説明する。
【0061】その後、切り残し側を下面としてガラス板
へ仮留めし、反対側の層を平面研磨機にて150μmに
研磨する。更に切り残し側を上面として同様に150μ
mに研磨する。そして、スパッタリングにより両面にT
i/Au電極を形成することで、切削等によるチッピン
グやクラックの少ない2−2型複合圧電体11を形成す
ることができる。
【0062】最後に、上記製造方法により形成された2
−2型複合圧電体11へ、1KV/mmの電界を印加し
て分極処理を施す。
【0063】次に、上記製造方法によって製造された2
−2型複合圧電体を用いて、一次元アレイ型超音波プロ
ーブ10を製造する方法の例を説明する。
【0064】まず、複合圧電体11の上側PVC樹脂層
113に共通電極板21を、下側PVC樹脂層115に
フレキシブル配線基板23を、導電ペーストとを用いて
接続し、超音波放射面側に第二の音響整合層18を形成
する。その後バッキング材25にエポキシ樹脂で接着す
る。
【0065】次にダイシングソーにより厚さ50μmの
ブレードで、アレイ方向に200μmピッチで切断し
た。その溝にシリコーン系の接着剤を充填し、音響レン
ズ6を接着する。
【0066】そして、静電容量110pF/m、長さ2
mの同軸ケーブルを前記フレキシブル配線基板23に接
続して一次元アレイ型超音波プローブ10を製造するこ
とができる。
【0067】上記方法によって製造された2−2型複合
圧電体を有する超音波プローブによれば、第1の実施形
態で説明した1−3型複合圧電体を有する超音波プロー
ブと同様の作用・効果を得ることができる。
【0068】(第3実施形態)第3の実施形態では、1
−3型の複合圧電体11を使用して、超音波振動素子が
2次元状配列(例えば、マトリックス状に配列)された
2次元アレイ型超音波プローブを製造する方法について
説明する。
【0069】図3は、第3の実施形態に係る2次元アレ
イ型超音波プローブ30の横断面図である。
【0070】なお、図2で既に説明した構成要素には同
一符号を付し、その説明は省略する。また、第1、第2
の実施形態で述べた製造方法と重複する部分はその説明
を省略し、異なる部分のみ説明する。
【0071】第3の実施形態に係る1−3型複合圧電体
11の製造方法は、第1ステップ、第2ステップについ
ては第1の実施形態と同様である。
【0072】次に、第3ステップの上側PVC樹脂層1
13と下側PVC樹脂層115のダイシング、第4ステ
ップの樹脂充填について説明する。
【0073】第2ステップにおいて形成された銀入りP
VC樹脂の層3、4によってサンドイッチされた圧電体
11を、ダイシングソーで50μm厚のブレードにより
200μmピッチで深さ700μm(100μmの切り
残し)の溝をアレイ状に入れ、エポキシ樹脂12を切断
溝に充填して硬化させる。同様に、先の切断溝に対して
直角に同様の切断溝を形成してエポキシ樹脂12を充填
し硬化させる。
【0074】次に、第5ステップの上下PVC樹脂層1
13、115の研磨について説明する。
【0075】その後、切り残し側を下面としてガラス板
へ仮留めし、反対側の層を平面研磨機にて150μmに
研磨する。更に切り残し側を上面として同様に150μ
mに研磨する。すなわち研磨後も切り残し側の下面PV
C樹脂層113は切断されていない状態となっている。
【0076】そして、スパッタリングにより両面にTi
/Au電極を形成することで、切削等によるチッピング
やクラックの少ない、2次元状配列を有する1−3型複
合圧電体11を形成することができる。
【0077】次に、上記製造方法によって製造された2
次元配列の複合圧電体を用いて、2次元アレイ型超音波
プローブ30を製造する方法の例を説明する。
【0078】まず、切り残し側の上面PVC樹脂層11
3へ共通電極板21を接合し、その反対の面へ2次元的
な信号配線を施したフレキシブル配線基板8を全面で接
合する。超音波放射面側に第二の音響整合層18を形成
した後、バッキング材25にエポキシ樹脂で接着した。
これにシリコーン系の音響レンズ19を接着した。FP
Cの信号側を一括して、信号側とGND側との間に1K
V/mmの電圧を印加し、分極処理を施した。
【0079】これに、静電容量110pF/m、長さ2
mの同軸ケーブルを前記フレキシブル配線基板8に接続
して、2次元アレイ型超音波プローブ30を製造するこ
とができる。
【0080】なお、上記説明においては、1−3型複合
圧電体を使用した2次元アレイ型超音波プローブ30を
説明したが、本発明は2−2型複合圧電体について適用
可能である。
【0081】従って、第3の実施形態に係る、1−3型
複合圧電体を有する2次元アレイ型超音波プローブ30
は、第1、第2の実施形態で説明した1次元アレイ型超
音波プローブと同様の作用・効果を得ることができる。
【0082】(第4の実施形態)第4の実施形態では、
1−3型或いは2−2型の複合圧電体11の他の製造方
法について説明する。
【0083】まず、1−3型の複合圧電体11を製造す
る他の方法について説明する。
【0084】第1の実施形態に示した第1ステップと同
様の手法により、単結晶圧電体111を作成する。
【0085】続く第2ステップにおいて、本実施例で
は、上下PVC樹脂層113、115を次に述べる様に
形成する。すなわち、第1ステップにおいて形成された
複数個の圧電体111を導電性樹脂シート上に並べて接
着し、同シートを同圧電体11の裏面の大きさに切り取
る。導電性樹脂シートとしては導電性銀入りのPVC樹
脂をシート状に成型したものを使用する。
【0086】続いて、第1の実施形態に示した第3ステ
ップ、第4ステップ、第5ステップと同様の工程を経
て、1−3型複合圧電体11を形成する。形成された1
−3型複合圧電体11には、1KV/mmの電界を印加
して分極処理が施される。
【0087】以上述べた製造方法によっても、第1の実
施形態で述べた1−3型複合圧電体11を形成すること
が可能である。また、本製造方法は、圧電単結晶を用い
た超音波プローブを大型化する場合に実益がある。すな
わち、一般に、圧電単結晶自体を大型化することは困難
であるから、圧電単結晶の複合圧電体を使用する超音波
プローブを大型化することは容易ではない。しかし、本
製造方法によれば、特に、導電性の樹脂シート上に複数
の単結晶圧電体111を配列することにより、例えば単
結晶圧電体111がアレイ方向に複数配列された1−3
型複合圧電体11も容易に製造することができ、超音波
プローブを容易に大型化することができる。
【0088】次に、2−2型の複合圧電体11を製造す
る他の方法について説明する。2−2型の複合圧電体1
1においても、上記1−3型の複合圧電体11の製造方
法と同様の手順により、導電性樹脂シートに接着された
単結晶圧電体から2−2型複合圧電体を形成することが
できる。その他の工程は、第2の実施形態と同様であ
る。
【0089】なお、上記各製造方法によって形成された
1−3型或いは2−2型複合圧電体を使用した1次元或
いは2次元アレイ型超音波プローブは、既述の方法によ
って製造することができる。
【0090】(第5の実施形態)第5の実施形態では、
1−3型或いは2−2型の複合圧電体11を用いた他の
1次元或いは2次元アレイ型超音波プローブについて説
明する。
【0091】図4は、本実施形態に係るアレイ型超音波
プローブの概略構成を示している。図3に示したプロー
ブと異なる点は、各単結晶圧電体111の下側PVC樹
脂層115に電極24が設けられており、当該電極24
の一端からフレキシブル配線基板23が引き出されてい
ることである。この様な構成においても、第1乃至第3
の実施形態で説明したアレイ型超音波プローブと同様の
作用・効果を得ることができる。
【0092】(第6の実施形態)第6の実施形態では、
下側PVC樹脂層及び上側PVC樹脂層を形成せずに、
チッピング及びクラックを低下させる1次元アレイ型超
音波プローブについて説明する。
【0093】まず、図5、7を参照して本実施形態に係
る1次元アレイ型超音波プローブ35の概略構成につい
て説明する。
【0094】図5は、本実施形態に係る1次元アレイ型
超音波プローブ35の断面図を示している。
【0095】図5に示すように、各単結晶圧電体111
の上面には第1の電極40、下面には第2の電極50が
形成されている。各第1の電極40には第1のフレキシ
ブル配線基板42が導電ペーストにて接続されている。
一方、各第2の電極50には第2のフレキシブル配線基
板44がエポキシ系接着剤にて接続されている。
【0096】各電極40、50には、各フレキシブル配
線基板42、44を介して所定の電力が印可され或いは
検出される。第1のフレキシブル配線基板42は、銅等
からなる導電層420及びポリイミドフィルム等からな
る絶縁層421とからなる多層基板であり、GND接続
をとるためのものである。また、第2のフレキシブル配
線基板44は、銅等からなる導電層440、442と、
ポリイミドフィルム等からなる絶縁層441、443、
445とからなる多層基板となっており、プローブ35
と超音波診断装置本体とを電気的に接続する。なお、導
電層444は、後述する所定の配線パターンを有してい
る(図6参照)。
【0097】1次元アレイ型超音波プローブ35は、第
1の音響整合層17、第2の音響整合層18を有してい
る。このプローブ35の振動素子の配列ピッチは、狭い
もので0.1mm程度である。
【0098】図6は、第2のフレキシブル配線基板44
の導電層440の上面図を示している。
【0099】図6に示すように、第2のフレキシブル配
線基板44は所定パターンの配線440aを有してい
る。当該配線440aのピッチ幅は、プローブ35が有
する単結晶圧電体111のアレイ配列のピッチ幅以下で
ある。各配線440aは、各単結晶圧電体111に対応
する各第2の電極に4の全面にエポキシ系接着剤にて接
着され、図6に示すように交互に逆向きに引き出されて
いる。この配線の交互の引き出しは必須ではなく、例え
ば全ての配線を同一方向に引き出す構成であってもよ
い。
【0100】なお、本実施形態では、第1のフレキシブ
ル配線基板42も第2のフレキシブル配線基板44と同
じものを用いている。
【0101】この様なプローブ35によれば、第1のフ
レキシブル配線基板42及び第2のフレキシブル配線基
板44は単結晶圧電体111のアレイ配列のピッチ幅以
下としているから、アレイ配列を形成する際の切削にお
いて、導電層444と単結晶圧電体111とを同時に切
断する必要がない。すなわち、切削性の異なる導電層4
44と単結晶圧電体111とは同時に切削されないか
ら、アレイ製造にけるクラックやチッピングの発生を抑
制することが可能である。また、第1のフレキシブル配
線基板42及び第2のフレキシブル配線基板44を接続
した状態で単結晶圧電体111を切削することによって
も、クラックやチッピングの発生は抑制される。
【0102】本発明者らの実験によれば、完成したプロ
ーブ35の特性を評価したところ、断線素子は全く存在
せず、感度ばらつきも2dBと小さいものとなった。
【0103】これに対し、従来の手法、例えば第2のフ
レキシブル配線基板44の導電層440を単結晶圧電体
111の接触面サイズに拡張し、当該単結晶圧電体11
1の全面に渡ってエポキシ系接着剤で接合した場合、本
発明者らの評価は次の様になった。すなわち、アレイ加
工時にクラックが3割ほど発生した。プローブを完成さ
せ、特性評価を行ったところ断線素子が2割ほどあり、
感度ばらつきが10dBと大きかった。断線原因を調べ
ると断線の起きたチャンネルの振動素子にはアレイ加工
時に生じたと思われるクラックが存在していた。また、
多くの振動素子にはチッピングも見られた。これらの結
果は、感度のばらつきに影響を与えているものと考えら
れる。
【0104】ところで、プローブ量産の観点からすれ
ば、第1のフレキシブル配線基板42を第2のフレキシ
ブル配線基板44と同じものを用いる必要はない場合が
ある。各フレキシブル配線基板の配線442は、アレイ
配列された単結晶圧電体111と同じ幅以下でパターン
化されているから、第1のフレキシブル配線基板42と
第2のフレキシブル配線基板44との間の位置合わせす
ることは容易ではないからである。
【0105】そこで、第2のフレキシブル配線基板44
にのみ図6に示した導体層を使用する構成としてもよ
い。この様な構成によれば、切断の必要な導電層は第1
のフレキシブル配線基板42の振動素子の端部近傍のみ
となるため、その影響は無視できる程度となり加工中の
クラックやチッピングが発生することはない。本発明者
らの評価によれば、プローブ53の断線素子は全くな
く、感度ばらつきも2dBと小さかった。
【0106】なお、本実施形態に係る超音波プローブ3
5は上記構成に限定する趣旨ではない。例えば次の様な
変形が可能である。
【0107】図7は、超音波プローブ35の変形例を説
明するための図である。また、図8は、当該変形例に係
る超音波プローブ35が有する第2のフレキシブル配線
基板44のパターン配線を示した図である。
【0108】図7において、超音波プローブ35は、図
5に示した構成に加えてスルーホール45を有してい
る。このスルーホール45により、図8に示すように導
電層440の配線440aと440bとの通電が取られ
ている。
【0109】以上述べた本実施形態に係る超音波プロー
ブ35によれば、チッピング及びクラックを低下させる
ことができる。
【0110】(第7の実施形態)第7の実施形態では、
第1の電極40から引き出す配線と第2の電極50から
引き出す配線とを一体化し、単結晶圧電体111の下面
から取り出す超音波プローブについて説明する。
【0111】図9は、第7の実施形態に係る超音波プロ
ーブ50の概略構成を説明するための図である。なお、
同図は、第1の電極40及び第2の電極50と、第2の
フレキシブル配線基板44とを接着する前の状態を示し
ている。図9において、GND用の第1の電極40は、
単結晶圧電体111上面から側面を経由して下面にまで
連続する回し込み電極となっている。第1の電極40
は、第2のフレキシブル配線基板44の導電層442に
接続され、第2の電極50は、第2のフレキシブル配線
基板44の導電層440に接続されている。なお、各導
電層442、440には、図示していないが、単結晶圧
電体111の各電極40、50に合わせて露出部が構成
されている。
【0112】なお、各導電層440、442の厚さは18
μmである。また、ポリイミドからなる絶縁層443の
厚さは12.5〜25μmである。
【0113】次に、超音波プローブ50の変形例を示
す。
【0114】図10は、超音波プローブ50の変形例で
ある超音波プローブ51を示した図である。図10に示
すように、導電層442を延長して単結晶圧電体111
回り込ませた第1の電極40に接続する。延長した導電
層440を延長した絶縁層443に回り込ませて第2の
電極50と接続する。回し込み構造は端部をメッキする
などの方法で形成可能である。
【0115】図9に示した超音波プローブ50と比較し
た場合、図10に示したプローブ51では、導電層44
2と導電層44との段差が無くなっている。従って、こ
の様な構成であれば、加圧接着によって生じる可能性が
ある単結晶圧電体111の破壊を防止することができ
る。
【0116】図11は、超音波プローブ51の変形例で
ある超音波プローブ52を示した図である。図11に示
すプローブ52は、例えば、図10に示したプローブ5
1の形態で導電層440の回し込み構造を取るのが困難
な場合に実益がある。図11に示すように、プローブ5
2では、導電層440と導電層442の上下関係は図1
0の場合と逆になっている。また、第1の電極40の回
し込み構造の位置もプローブ51と逆になっており、導
電部材48によって第1の電極40、導電層442、4
42aとの通電が取られている。
【0117】この様な構成であれば、単結晶圧電体11
1と第2のフレキシブル配線基板44とを接着した後、
導電部材48によって第1の電極40と導電層442、
442aとを接続すればよい。なお、導電部材48は導
電ペーストが好ましい。また、導電部材48による接続
は、超音波振動素子アレイ形成後に行っても良い。
【0118】図12は、超音波プローブ52の変形例で
ある超音波プローブ53を示した図である。図12に示
すように超音波プローブ53は、導電層442の先端か
ら露出部442bを露出させ、単結晶圧電体111接着
後当該露出部442bを折り曲げて第1の電極40と接
続してある。この様な構成であれば、より安定な接続が
得ることができる。
【0119】なお、図10、12、13中で示した第1
のフレキシブル配線基板42を第2のフレキシブル配線
基板44と同様に、ピッチ幅がプローブ35が有する単
結晶圧電体111のアレイ配列のピッチ幅以下であるパ
ターン配線440aを有する構成とすることで、加工中
のクラックやチッピングが抑止できる。切削性の劣る導
電層と単結晶圧電体111とを一緒に切断することがな
いからである。
【0120】以上、本発明を実施形態に基づき説明した
が、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各
種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら
変形例及び修正例についても本発明の範囲に属するもの
と了解される。例えば以下に示す(1)、(2)のよう
に、その要旨を変更しない範囲で種々変形可能である。
【0121】(1)各実施形態で使用する単結晶圧電体
は特に限定されない。例えば、Pb((Zn1/3Nb2/3)0.91Ti
0.09)O3に代表される亜鉛ニオブ酸鉛とチタン酸鉛との
固溶体からなる単結晶のように少なくともチタン酸鉛を
含む複合ペロブスカイト型で、マグネシウムニオブ酸鉛
とチタン酸鉛との固溶体からなる単結晶、スカンジウム
ニオブ酸鉛とチタン酸鉛との固溶体からなる単結晶など
が挙げられる。あるいはニオブ酸リチウム、ニオブ酸カ
リウム等の単結晶を用いても良い。
【0122】(2)上記本発明を第1の実施形態〜第3
の実施形態においては、単結晶圧電体111の上下面に
PVC樹脂層を形成してチッピング発生を防止し、さら
に及び電極或いは音響整合層の機能を持たせる構成によ
り、高感度広帯域の超音波プローブを実現した。しか
し、PVC樹脂層の形成を単結晶圧電体111の片面の
みとしても、チッピング発生防止、電極或いは音響整合
層の役割を果たすることは可能である。
【0123】
【発明の効果】以上本発明によれば、切断時の加工不良
が生じない超音波プローブを製造することができる。そ
の結果、高感度、広帯域特性を有する超音波プローブが
実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、第1、第2の実施形態に係る超音波プ
ローブ10の概略構成を示す斜視図。
【図2】図2は、第1、第2の実施形態に係る超音波プ
ローブ10の断面を示す図。
【図3】図3は、第3の実施形態に係る超音波プローブ
30の断面を示す図。
【図4】図4は、第5の実施形態に係るアレイ型超音波
プローブの概略構成を示す図。
【図5】図5は、第6の実施形態に係るアレイ型超音波
プローブ35の断面図。
【図6】図6は、第2のフレキシブル配線基板44の導
電層440の上面図。
【図7】図7は、超音波プローブ35の変形例を説明す
るための図。
【図8】図8は、変形例に係る超音波プローブ35が有
する第2のフレキシブル配線基板44のパターン配線を
示した図。
【図9】図9は、第7の実施形態に係る超音波プローブ
50の概略構成を説明するための図。
【図10】図10は、第7の実施形態に係る超音波プロ
ーブの変形例を示した図。
【図11】図11は、第7の実施形態に係る超音波プロ
ーブの変形例を示した図。
【図12】図12は、第7の実施形態に係る超音波プロ
ーブの変形例を示した図。
【図13】図13(a)は、従来の複合圧電体30の断
面を示す図。図13(b)、13(c)は、従来の複合
圧電体30の製造過程において発生するチッピング及び
クラックを説明するための図。
【図14】図14(a)は、従来の超音波プローブの断
面を示す図。図14(b)は、従来の超音波プローブが
有するフレキシブル配線基板6のパターン配線を示した
図。
【符号の説明】
10、35、50、51、52、53…超音波プローブ 11…複合圧電体 12…エポキシ樹脂 17…第1の音響整合層 18…第2の音響整合層 19…音響レンズ 21…共通電極板 23…フレキシブル配線基板 24…電極 25…バッキング材 38…溝 40…第1の電極 50…第2の電極 42…第1のフレキシブル配線基板 44…第2のフレキシブル配線基板 45…スルーホール 50…第2の電極 111…単結晶圧電体 113…上側PVC樹脂層 115…下側PVC樹脂層 420、440、442…導電層 421、443、445…絶縁層 440a…パターン配線 442b…露出部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) A61F 7/00 322 G01N 29/24 502 G01N 29/24 502 A61B 17/36 330 H01L 41/09 H01L 41/08 U 41/08 H 41/22 41/22 Z (72)発明者 泉 守 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 山下 洋八 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株 式会社東芝研究開発センター内

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】アレイ状に切削された単結晶圧電体と、 前記圧電体の上面に形成され当該圧電体よりも音響イン
    ピーダンスが小さな上面樹脂層、若しくは、前記圧電体
    の下面に形成され当該圧電体よりも音響インピーダンス
    が小さな下面樹脂層の少なくとも一方と、 を備えた超音波振動素子であって、 前記上面樹脂層若しくは前記下面樹脂層の少なくとも一
    方は、良好な切削性且つ導電性を備え、電極として機能
    すること、 を特徴とする超音波プローブ。
  2. 【請求項2】少なくともチタン酸鉛を含む固溶系単結晶
    により形成された圧電体と、前記圧電体の上面に形成さ
    れ当該圧電体よりも音響インピーダンスが小さな上面樹
    脂層、若しくは、前記圧電体の下面に形成され当該圧電
    体よりも音響インピーダンスが小さな下面樹脂層の少な
    くとも一方と、から成る1−3型若しくは2−2型複合
    圧電体により形成された超音波振動素子を具備し、 前記上面樹脂層若しくは前記下面樹脂層の少なくとも一
    方は、良好な切削性且つ導電性を備え、電極として機能
    すること、 を特徴とする超音波プローブ。
  3. 【請求項3】前記上面樹脂層若しくは前記下面樹脂層の
    少なくとも一方は、2×10g/ms乃至10×1
    g/msの音響インピーダンスを有し音響整合層
    としての機能することを特徴とする請求項2に記載の超
    音波プローブ。
  4. 【請求項4】単結晶圧電体の上下面の少なくとも一方に
    前記単結晶圧電体よりも音響インピーダンスが小さな樹
    脂層を形成する第1のステップと、 前記単結晶圧電体と前記の樹脂層とを切り込み複数の溝
    を形成する第2のステップと、 前記複数の溝へ樹脂を充填する第3のステップと、 を具備することを特徴とする超音波プローブ製造方法。
  5. 【請求項5】前記第2のステップにおいて、前記複数の
    溝は格子状に形成されていることを特徴とする請求項4
    記載の超音波プローブ製造方法。
  6. 【請求項6】前記超音波プローブ製造方法は、前記樹脂
    層を研磨して取り除く第4のステップを具備することを
    特徴とする請求項4記載の超音波プローブ製造方法。
  7. 【請求項7】樹脂シートに複数個の単結晶圧電体を樹脂
    シートに接着する第1のステップと、 単結晶圧電体と前記の樹脂層とを切り込み複数の溝を形
    成する第2のステップと、 前記複数の溝へ樹脂を充填する第3のステップと、 を具備することを特徴とする超音波プローブ製造方法。
  8. 【請求項8】少なくともチタン酸鉛を含む固溶系単結晶
    により形成され、アレイ状に配列された複数の圧電体
    と、 前記各圧電体の下面に形成された第1の電極と、 それぞれの幅が前記各圧電体のアレイ方向の幅よりも小
    さく、前記各第1の電極から電気配線を引き出して超音
    波診断装置本体に接続するための複数のパターン配線を
    有する第1のフレキシブル印刷配線基板と、 を具備することを特徴とする超音波プローブ。
  9. 【請求項9】前記各圧電体の上面に形成された第2の電
    極と、 それぞれの幅が前記各圧電体のアレイ方向の幅よりも小
    さく、前記各第2の電極から電気配線を引き出してGN
    D接続するための複数のパターン配線を有する第2のフ
    レキシブル印刷配線基板と、 をさらに具備することを特徴とする請求項8記載の超音
    波プローブ。
  10. 【請求項10】樹脂部材上に所定の幅の導電性層が平行
    にパターン化されているフレキシブル印刷配線板と、単
    結晶圧電体を接着する第1のステップと、 導電性層の間に沿って、前記フレキシブル印刷基板と単
    結晶圧電体を共に切削して、ピッチ幅が前記導電性層の
    幅以上の圧電振動素子アレイを形成する第2のステップ
    と、 を備えることを特徴とする超音波プローブ製造方法。
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