JPH0696225B2 - 研磨方法 - Google Patents
研磨方法Info
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- JPH0696225B2 JPH0696225B2 JP62266293A JP26629387A JPH0696225B2 JP H0696225 B2 JPH0696225 B2 JP H0696225B2 JP 62266293 A JP62266293 A JP 62266293A JP 26629387 A JP26629387 A JP 26629387A JP H0696225 B2 JPH0696225 B2 JP H0696225B2
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、特に半導体ウエーハの研磨に好適な研磨方法
に関する。
に関する。
（従来の技術） 第９図に従来の研磨方法の原理図を示すが、例えば半導
体ウエーハＷはプレート106の下面にマウンティング
材、ワックス等にて接着され、その下面を所定の速度で
水平旋回する回転定盤101上に貼設されたバフ（研磨
布）102上にウエイト113…によって所定の力で押圧さ
れ、ノズル108からの研磨剤109の供給を受けて上記バフ
102との間に相対滑りを生じて当該半導体ウエーハＷの
下面が鏡面研磨される。
体ウエーハＷはプレート106の下面にマウンティング
材、ワックス等にて接着され、その下面を所定の速度で
水平旋回する回転定盤101上に貼設されたバフ（研磨
布）102上にウエイト113…によって所定の力で押圧さ
れ、ノズル108からの研磨剤109の供給を受けて上記バフ
102との間に相対滑りを生じて当該半導体ウエーハＷの
下面が鏡面研磨される。
ところで、近年の半導体デバイスの高集積化等に伴い、
半導体ウエーハには高平行度及び高平坦度が要求される
が、この要求を満たすためには、研磨状態において前記
プレート106に撓み変形が生じず、これの平坦度が高く
保たていなければならない。
半導体ウエーハには高平行度及び高平坦度が要求される
が、この要求を満たすためには、研磨状態において前記
プレート106に撓み変形が生じず、これの平坦度が高く
保たていなければならない。
（発明が解決しようとする問題点） ところが、上記従来の研磨方法にあっては、第９図に示
すようにプレート106が逆皿形状を有するトップリング1
03によってその上面周縁を保持され、前記ウエイト113
…の荷重が該プレート106の上面の周縁に局部的に作用
し、当該プレート106の下面には上向きの研磨圧力が作
用するため、プレート106は第10図に実線にて示すよう
に上方に凸状を成す球面状に撓み変形し、当該プレート
106の平坦度が高く保たれず、延いては半導体ウエーハ
Ｗを高精度に研磨することができないという問題があ
る。
すようにプレート106が逆皿形状を有するトップリング1
03によってその上面周縁を保持され、前記ウエイト113
…の荷重が該プレート106の上面の周縁に局部的に作用
し、当該プレート106の下面には上向きの研磨圧力が作
用するため、プレート106は第10図に実線にて示すよう
に上方に凸状を成す球面状に撓み変形し、当該プレート
106の平坦度が高く保たれず、延いては半導体ウエーハ
Ｗを高精度に研磨することができないという問題があ
る。
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的と
する処は、研磨状態におけるプレートの平坦度を高く保
って被研磨物を高精度に研磨することができる研磨方法
を提供するにある。
する処は、研磨状態におけるプレートの平坦度を高く保
って被研磨物を高精度に研磨することができる研磨方法
を提供するにある。
（問題点を解決するための手段） 上記目的を達成すべく本発明は、中心軸回りに回転可能
なプレートの下面に被研磨物を保持せしめ、該プレート
の上面周縁をトップリングによって押圧することによっ
て前記被研磨物の下面を回転定盤上に貼設されたバフ上
に所定の力で押圧し、該被研磨物とバフとの間に相対滑
りを生ぜしめて当該被研磨物の下面を鏡面研磨する研磨
方法において、前記トップリング内に冷却媒体を通し、
前記プレートの上面温度tpと下面温度tcとの差Δｔが次
式： ここに、a:プレート半径 E:プテートのヤング率 h:プレートの厚さ P:プレートに作用する正味荷重 α：プレートの線膨張係数 ν：プレートのポアソン比 を満足するよう温度制御することを特徴とする。
なプレートの下面に被研磨物を保持せしめ、該プレート
の上面周縁をトップリングによって押圧することによっ
て前記被研磨物の下面を回転定盤上に貼設されたバフ上
に所定の力で押圧し、該被研磨物とバフとの間に相対滑
りを生ぜしめて当該被研磨物の下面を鏡面研磨する研磨
方法において、前記トップリング内に冷却媒体を通し、
前記プレートの上面温度tpと下面温度tcとの差Δｔが次
式： ここに、a:プレート半径 E:プテートのヤング率 h:プレートの厚さ P:プレートに作用する正味荷重 α：プレートの線膨張係数 ν：プレートのポアソン比 を満足するよう温度制御することを特徴とする。
（作用） 而して、何ら温度制御がなされない場合、前述のように
プレートはその下面に研磨圧力を受けて上方に凸状を成
す球面状に撓み変形する（第10図参照）が、トップリン
グ内を流れる冷却媒体によってプレートの上面を冷却し
て該プレートの上、下面に温度差をつければ、当該プレ
ートは上記と逆形状を成して撓み変形し、この熱的変形
と前記機械的変形とが互いに相殺し合ってプレートの実
際の撓み変形量が小さく抑えられる。
プレートはその下面に研磨圧力を受けて上方に凸状を成
す球面状に撓み変形する（第10図参照）が、トップリン
グ内を流れる冷却媒体によってプレートの上面を冷却し
て該プレートの上、下面に温度差をつければ、当該プレ
ートは上記と逆形状を成して撓み変形し、この熱的変形
と前記機械的変形とが互いに相殺し合ってプレートの実
際の撓み変形量が小さく抑えられる。
然るに、前掲の式は、プレートの中心での撓み変形量が
零、即ち、プレートの中心と周縁とが同一平面上に位置
するという条件から導かれたものであり、プレートの上
下面の温度差Δｔを同式にて算出される値に等しくなる
よう温度制御すれば、プレートの撓み変形量が極小に抑
えられてその平坦度が高く保たれ、該プレートの下面に
保持された被研磨物は高精度に研磨されることとなる。
零、即ち、プレートの中心と周縁とが同一平面上に位置
するという条件から導かれたものであり、プレートの上
下面の温度差Δｔを同式にて算出される値に等しくなる
よう温度制御すれば、プレートの撓み変形量が極小に抑
えられてその平坦度が高く保たれ、該プレートの下面に
保持された被研磨物は高精度に研磨されることとなる。
（実施例） 以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
先ず、本発明方法を実施するための研磨装置を第１図に
基づいて説明するに、同図中、１は図示矢印方向に一定
速度で水平に回転駆動される回転定盤であり、該回転定
盤１上には適度な弾性を有するバフ（研磨布）２が貼設
されている。そして、この回転定盤１の上方はトップリ
ング３が回転自在に臨んでおり、該トップリング３の下
部には下方が開口する凹部3aが形成されていて該凹部3a
には注水管４及び排水管５が開口している。尚、注水管
４及び排水管５は不図示の冷却水供給装置に連通してい
る。
基づいて説明するに、同図中、１は図示矢印方向に一定
速度で水平に回転駆動される回転定盤であり、該回転定
盤１上には適度な弾性を有するバフ（研磨布）２が貼設
されている。そして、この回転定盤１の上方はトップリ
ング３が回転自在に臨んでおり、該トップリング３の下
部には下方が開口する凹部3aが形成されていて該凹部3a
には注水管４及び排水管５が開口している。尚、注水管
４及び排水管５は不図示の冷却水供給装置に連通してい
る。
一方、前記回転定盤１のバフ２条には予めその下めに複
数枚の半導体ウエーハＷ…を接着したプレート６が載置
されており、該プレート６の上面周縁は弾性シールリン
グ７を介して前記トップリング３によって下方へ所定の
力で押圧されている。尚、第１図中、８は回転定盤１の
中心軸上に開口するノズル、９は該ノズル８から噴出さ
れる砥液である。
数枚の半導体ウエーハＷ…を接着したプレート６が載置
されており、該プレート６の上面周縁は弾性シールリン
グ７を介して前記トップリング３によって下方へ所定の
力で押圧されている。尚、第１図中、８は回転定盤１の
中心軸上に開口するノズル、９は該ノズル８から噴出さ
れる砥液である。
而して、回転定盤１は不図示の駆動装置によってその中
心軸周りに一定速度で水平に回転駆動されており、この
ときトップリング３の凹部3a内には注水管４から冷却水
が供給されており、該冷却水はプレート６の上面を冷却
した後、排出管５から排出され、凹部3a内には冷却水が
常時流れている。尚、トップリング３の凹部3aからの冷
却水の漏洩は、弾性シールリング７のシール効果によっ
て阻止される。
心軸周りに一定速度で水平に回転駆動されており、この
ときトップリング３の凹部3a内には注水管４から冷却水
が供給されており、該冷却水はプレート６の上面を冷却
した後、排出管５から排出され、凹部3a内には冷却水が
常時流れている。尚、トップリング３の凹部3aからの冷
却水の漏洩は、弾性シールリング７のシール効果によっ
て阻止される。
ところで、回転定盤１上のバフ２には半径方向に周速度
の差が生じ、この周速度の差に起因して半導体ウエーハ
Ｗ…、プレート６、トップリング３等がつれ回りする。
そして、このつれ回りによって半導体ウエーハＷ…とバ
フ２との間には相対滑りが生じ、この相対滑りによって
も各半導体ウエーハＷはノズル８から砥液９の供給を受
けながらバフ２によて鏡面研磨される。
の差が生じ、この周速度の差に起因して半導体ウエーハ
Ｗ…、プレート６、トップリング３等がつれ回りする。
そして、このつれ回りによって半導体ウエーハＷ…とバ
フ２との間には相対滑りが生じ、この相対滑りによって
も各半導体ウエーハＷはノズル８から砥液９の供給を受
けながらバフ２によて鏡面研磨される。
以上において、プレート６に対して何ら冷却がなされな
い場合、即ち、トップリング３の凹部3aに冷却水が流れ
ない場合には、プレート６はその下面に研磨圧力を受け
て上方に凸状を成す球面状に撓み変形する（第10図参
照）。
い場合、即ち、トップリング３の凹部3aに冷却水が流れ
ない場合には、プレート６はその下面に研磨圧力を受け
て上方に凸状を成す球面状に撓み変形する（第10図参
照）。
然るに、本実施例においては、プレート６の上面はトッ
プリング３の凹部3aを流れる冷却水によって冷却され、
該上面と下面との間には温度差が生じ、この温度差によ
って当該プレート６は前記と逆形状の下に凸の球面状を
成して撓み変形するため、この熱的変形と前記機械的変
形とが互いに相殺し合ってプレート６の実際の撓み変形
量が小さく抑えられ、この結果プレート６の平担度が高
く保たれて該プレート６の下面に保持された半導体ウエ
ーハＷ…が高精度に研磨される。
プリング３の凹部3aを流れる冷却水によって冷却され、
該上面と下面との間には温度差が生じ、この温度差によ
って当該プレート６は前記と逆形状の下に凸の球面状を
成して撓み変形するため、この熱的変形と前記機械的変
形とが互いに相殺し合ってプレート６の実際の撓み変形
量が小さく抑えられ、この結果プレート６の平担度が高
く保たれて該プレート６の下面に保持された半導体ウエ
ーハＷ…が高精度に研磨される。
以上のように本実施例においては、プレート６のその下
面が受ける研磨圧力に基づく機械的変形を冷却に基づく
熱的変形によって相殺しているが、該プレート６の実際
の撓み変形量を極小に保つための冷却条件（温度制御条
件）を以下に解析的に求める。
面が受ける研磨圧力に基づく機械的変形を冷却に基づく
熱的変形によって相殺しているが、該プレート６の実際
の撓み変形量を極小に保つための冷却条件（温度制御条
件）を以下に解析的に求める。
（１）プレートの機械的変形量 先ず、プレート６の研磨圧力による機械的変形量を第２
図に単純化したモデルについて求める。即ち、プレート
６はその周縁を単純支持されているものとし、該プレー
ト６の上、下面には図示矢印方向の等分布荷重Pp,Pc作
用しているものと考える。
図に単純化したモデルについて求める。即ち、プレート
６はその周縁を単純支持されているものとし、該プレー
ト６の上、下面には図示矢印方向の等分布荷重Pp,Pc作
用しているものと考える。
而して、プレート６の荷重Pp,Pcによる機械的変形量Wp
は次式にて求められる（機械工学便覧、改訂第５版第４
編：材料力学参照）。
は次式にて求められる（機械工学便覧、改訂第５版第４
編：材料力学参照）。
ここに、a:プレートの半径 r:プレートの任意点の半径 h:プレート厚さ E:プレートのヤング率 P:正味荷重（＝Pp-Pc） ν：プレートのポアソン比 （２）プレートの熱的変形量 一方、プレート５の上面温度tpと下面温度tcとの差Δｔ
＝tp−tcに基づく熱的変形量WHには近似的に次式に求め
られる。
＝tp−tcに基づく熱的変形量WHには近似的に次式に求め
られる。
ここに、α：プレート線膨張係数 （３）プレートの実際の変形量 従って、プレート６の実際の変形量Ｗは、第（１）式に
て示される機械的変形量Wpと第（２）式にて示される熱
的変形量WHの和として次式にて求められる。
て示される機械的変形量Wpと第（２）式にて示される熱
的変形量WHの和として次式にて求められる。
（４）プレートの実際の変形量Ｗを極小に保つ温度条件 プレート６の実際の変形量Ｗを極小に保つ条件として、
該プレート６での撓み変形量Ｗｒ＝０が零（Ｗｒ＝０＝
０）という条件を導入し、この条件を満足すべき温度差
ΔtNを求める。
該プレート６での撓み変形量Ｗｒ＝０が零（Ｗｒ＝０＝
０）という条件を導入し、この条件を満足すべき温度差
ΔtNを求める。
即ち、 上式よりΔtNを求めると、 而して、プレート６の上、下面での温度差Δｔが上式を
満たすとき（即ち、プレート６の中心点での変形量Ｗ
ｒ＝０＝０のとき）のプレート６の実際の撓み変形量Ｗ
は、第（５）式を第（３）式に代入することによって次
式にて求められる。
満たすとき（即ち、プレート６の中心点での変形量Ｗ
ｒ＝０＝０のとき）のプレート６の実際の撓み変形量Ｗ
は、第（５）式を第（３）式に代入することによって次
式にて求められる。
上式にて表わされるプレート６の撓み曲線を第３図に示
すが、最大撓みWMAXが生じる位置は次式を満足すべきｒ
として求められる。
すが、最大撓みWMAXが生じる位置は次式を満足すべきｒ
として求められる。
ｒ＞０であるため、最大撓みWMAXは の位置で生じ、最大撓みWMAXは上式を第（７）式に代入
して次式にて求められる。
して次式にて求められる。
（５）利用可能な温度差 次に、プレート６の上、下面の利用可能な温度差（実現
可能な温度差）Δtvの算出式を求める。
可能な温度差）Δtvの算出式を求める。
先ず、半導体ウエーハＷ…、該半導体ウエーハＷの接着
層（ワックス層）、プレート６、冷却水の境膜（境界
層）及び冷却水の境膜以外の層の伝熱量Ｑは次式にて求
められる。
層（ワックス層）、プレート６、冷却水の境膜（境界
層）及び冷却水の境膜以外の層の伝熱量Ｑは次式にて求
められる。
Ｑ＝AU（t1−t3） …（10） ここに、A:伝熱面積 h1:ウヘーハの厚さ h2:接着層の厚さ k1:ウエーハの熱伝導率 k2:接着層の熱伝導率 k:プレートの熱伝導率 H:境膜伝熱係数 U:総括伝熱係数 t1:ウエーハの温度 t3:冷却水温度 一方、プレート６の伝熱量Ｑは次式にて求められる。
従って、上記（10），（11）式より利用可能な温度差Δ
tvは次式によって求められる。
tvは次式によって求められる。
結局、プレート６の上、下めの温度差Δｔをその撓み変
形量が極小に保たれるべき温度差ΔtN（第（５）式参
照）に調整し得るには、次の条件が満たされなければな
らない。
形量が極小に保たれるべき温度差ΔtN（第（５）式参
照）に調整し得るには、次の条件が満たされなければな
らない。
ΔtN≦tv …（13） （６）具体例 次に、具体的数値を用いた計算結果を示す。尚、計算は
次表に示した数値に基づいて行なわれた。
次表に示した数値に基づいて行なわれた。
而して、プレート６の変形量Ｗ及びその最大値WMAXは前
記第（６）式、第（９）式によりそれぞれ次のように求
められ、その結果は第４図、第５図にグラフ表示され
る。
記第（６）式、第（９）式によりそれぞれ次のように求
められ、その結果は第４図、第５図にグラフ表示され
る。
又、プレート６の変形量Ｗを上記結果に保つために必要
なプレート６の上、下面の温度差ΔtN及び利用可能な温
度差Δtvは第（５）式、第（12）式よりそれぞれ次のよ
うに求められ、その結果は第６図にグラフ表示される。
なプレート６の上、下面の温度差ΔtN及び利用可能な温
度差Δtvは第（５）式、第（12）式よりそれぞれ次のよ
うに求められ、その結果は第６図にグラフ表示される。
ところで、前記第（６）式からプレート６の変形量Ｗを
小さく保ってその平担度を向上せしめるには、第（５）
式で表わされる温度条件を満足することを前提として以
下に列挙する対策が考えられる。
小さく保ってその平担度を向上せしめるには、第（５）
式で表わされる温度条件を満足することを前提として以
下に列挙する対策が考えられる。
（ａ）正味荷重Ｐを可及的に小さくすること。
（ｂ）（１−ν２）/Eの値の小さい材質を選定するこ
と。
と。
（ｃ）厚さｈの大きいプレートを使用すること。
ここで、プレートの最大撓みWMAX及び温度差ΔtNに及ぼ
す厚さｈの影響を直径2a＝52.5cmのプレートに対して計
算すると次式のようになる。
す厚さｈの影響を直径2a＝52.5cmのプレートに対して計
算すると次式のようになる。
上記結果を正味荷重Ｐ＝0.05,0.1,0.2kg/cm2をパラメー
タとしてグラフ表示したものを第７図、第８図にそれぞ
れ示すが、プレート厚さｈを増加は該プレートの撓み変
形量の低減に極めて有効であるとともに、必要温度差Δ
tNを小さくして冷却上の問題を緩和する方向にあるとい
うことがわかる。
タとしてグラフ表示したものを第７図、第８図にそれぞ
れ示すが、プレート厚さｈを増加は該プレートの撓み変
形量の低減に極めて有効であるとともに、必要温度差Δ
tNを小さくして冷却上の問題を緩和する方向にあるとい
うことがわかる。
以上のように、本実施例においては、プレート６の下面
が受ける研磨圧力に基づく機械的変形を同プレート６の
上、下面の温度差に基づく熱的変形でもって相殺し、該
プレート６の撓み変形量を小さく抑えるようにし、特に
その撓み変形量を極小に抑えるに必要な温度差ΔtNを解
析的に求めたため、この温度差ΔtNが維持されるよう温
度制御がなされればプレート６の平担度が高く保たれ、
該プレート６の下面に保持された半導体ウエーハＷ…が
高精度に研摩されてその平行度及び平担度が高く保た
れ、近年の半導体デバイスの高集積化等に伴い半導体ウ
エーハに要求される精度を十分満足し得ることとなる。
が受ける研磨圧力に基づく機械的変形を同プレート６の
上、下面の温度差に基づく熱的変形でもって相殺し、該
プレート６の撓み変形量を小さく抑えるようにし、特に
その撓み変形量を極小に抑えるに必要な温度差ΔtNを解
析的に求めたため、この温度差ΔtNが維持されるよう温
度制御がなされればプレート６の平担度が高く保たれ、
該プレート６の下面に保持された半導体ウエーハＷ…が
高精度に研摩されてその平行度及び平担度が高く保た
れ、近年の半導体デバイスの高集積化等に伴い半導体ウ
エーハに要求される精度を十分満足し得ることとなる。
尚、以上の実施例においては、プレート６の上面を冷却
する冷却媒体として特に水を用いたが、冷却媒体として
は任意のものを用いることができる。又、温度制御は冷
却媒体の温度、流量等を調整することによってなされ
る。
する冷却媒体として特に水を用いたが、冷却媒体として
は任意のものを用いることができる。又、温度制御は冷
却媒体の温度、流量等を調整することによってなされ
る。
（発明の効果） 以上の説明で明らかな如く本発明によれば、中心軸回り
に回転可能なプレートの下面に被研磨物を保持せしめ、
該プレートの上面周縁をトップリングによって押圧する
ことによって前記被研磨物の下面を回転定盤上に貼設さ
れたバフ上に所定の力で押圧し、該被研磨物とバフとの
間に相対滑りを生ぜしめて当該被研磨物の下面を鏡面研
磨する研磨方法において、前記トップリング内に冷却媒
体を通し、前記プレートの上面温度tpと下面温度tcとの
差Δｔが次式： ここに、a:プレートの半径 E:プレートのヤング率 h:プレートの厚さ P:プレートに作用する正味荷重 α：プレートの線膨張係数 ν：プレートのポアソン比 を満足するよう温度制御するようにしたため、プレート
の機械的変形が熱的変形によって相殺され、該プレート
の撓み変形量が極小に抑えられてその平担度が高く保た
れ、同プレートの下面に保持された被研摩物が高精度に
研摩されるという効果が得られる。
に回転可能なプレートの下面に被研磨物を保持せしめ、
該プレートの上面周縁をトップリングによって押圧する
ことによって前記被研磨物の下面を回転定盤上に貼設さ
れたバフ上に所定の力で押圧し、該被研磨物とバフとの
間に相対滑りを生ぜしめて当該被研磨物の下面を鏡面研
磨する研磨方法において、前記トップリング内に冷却媒
体を通し、前記プレートの上面温度tpと下面温度tcとの
差Δｔが次式： ここに、a:プレートの半径 E:プレートのヤング率 h:プレートの厚さ P:プレートに作用する正味荷重 α：プレートの線膨張係数 ν：プレートのポアソン比 を満足するよう温度制御するようにしたため、プレート
の機械的変形が熱的変形によって相殺され、該プレート
の撓み変形量が極小に抑えられてその平担度が高く保た
れ、同プレートの下面に保持された被研摩物が高精度に
研摩されるという効果が得られる。
第１図は本発明方法を実施するための研磨装置の構成
図、第２図はプレートの機械的変形量算出のためのモデ
ル化した図、第３図はプレートの撓み曲線を示す図、第
４図はプレートの撓み量をその半径に対して示したグラ
フ、第５図はプレートの最大撓み量をその半径に対して
示したグラフ、第６図はプレートの温度差及び利用可能
な温度差をプレートの半径に対して示したグラフ、第７
図はプレートの最大撓み量をプレート厚さに対して示し
たグラフ、第８図はプレートの必要温度差をプレート厚
さに対して示したグラフ、第９図は従来の研磨方法を説
明するための研磨装置の構成図、第10図はプレートの撓
み変形の様子を示す説明図である。 １……回転定盤、２……バフ、３……トップリング、４
……凹部、４……注水管、５……排水管、６……プレー
ト、Ｗ……半導体ウエーハ（被研摩物）。
図、第２図はプレートの機械的変形量算出のためのモデ
ル化した図、第３図はプレートの撓み曲線を示す図、第
４図はプレートの撓み量をその半径に対して示したグラ
フ、第５図はプレートの最大撓み量をその半径に対して
示したグラフ、第６図はプレートの温度差及び利用可能
な温度差をプレートの半径に対して示したグラフ、第７
図はプレートの最大撓み量をプレート厚さに対して示し
たグラフ、第８図はプレートの必要温度差をプレート厚
さに対して示したグラフ、第９図は従来の研磨方法を説
明するための研磨装置の構成図、第10図はプレートの撓
み変形の様子を示す説明図である。 １……回転定盤、２……バフ、３……トップリング、４
……凹部、４……注水管、５……排水管、６……プレー
ト、Ｗ……半導体ウエーハ（被研摩物）。
Claims (1)
- 【請求項１】中心軸回りに回転可能なプレートの下面に
被研磨物を保持せしめ、該プレートの上面周縁をトップ
リングによって押圧することによって前記被研磨物の下
面を回転定盤上に貼設されたバフ上に所定の力で押圧
し、該被研磨物とバフとの間に相対滑りを生ぜしめて当
該被研磨物の下面を鏡面研磨する研磨方法において、前
記トップリング内に冷却媒体を通し、前記プレートの上
面温度tPと下面温度tCとの差Δｔが次式： ここに、a:プレート半径 E:プレートのヤング率 h:プレートの厚さ P:プレートに作用する正味荷重 α：プレートの線膨張係数 ν：プレートのポアソン比 を満足するよう温度制御することを特徴とする研磨方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62266293A JPH0696225B2 (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62266293A JPH0696225B2 (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01109066A JPH01109066A (ja) | 1989-04-26 |
| JPH0696225B2 true JPH0696225B2 (ja) | 1994-11-30 |
Family
ID=17428933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62266293A Expired - Fee Related JPH0696225B2 (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0696225B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3311116B2 (ja) * | 1993-10-28 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置 |
| US5643053A (en) * | 1993-12-27 | 1997-07-01 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control |
| US6024630A (en) | 1995-06-09 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Fluid-pressure regulated wafer polishing head |
| USRE38854E1 (en) | 1996-02-27 | 2005-10-25 | Ebara Corporation | Apparatus for and method for polishing workpiece |
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| CN102343546A (zh) * | 2011-10-10 | 2012-02-08 | 沈阳理工大学 | 烧结聚晶金刚石冷板冷却高速研磨方法 |
-
1987
- 1987-10-23 JP JP62266293A patent/JPH0696225B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01109066A (ja) | 1989-04-26 |
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