JP2001271188A

JP2001271188A - 基板処理装置

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Publication number: JP2001271188A
Application number: JP2000084951A
Authority: JP
Inventors: Kazuhisa Ogasawara; 和久小笠原; Tsutomu Ueda; 勉上田; Yutaka Iwanami; 豊岩波; Masayuki Fusano; 正幸房野; Yasuhiko Takasu; 康彦高須; Shuichi Nishino; 周一西野; Hirobumi Shiyoumori; 博文庄盛; Kazutoshi Watanabe; 和俊渡辺; Yasuhiko Inagawa; 泰彦稲川; Hiroki Takahashi; 博樹高橋
Original assignee: KINMON KORUTSU KK; SES Co Ltd
Current assignee: KINMON KORUTSU KK; SES Co Ltd
Priority date: 2000-03-24
Filing date: 2000-03-24
Publication date: 2001-10-02

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体ウェーハ等の基板を能率良く処理でき
る装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１０は、多数枚のウェーハ
Ｗを収容する処理槽１１と、処理槽１１に薬液や純水等
の処理液を供給する処理液供給系配管２４と、排出系配
管６５を含んでいる。内槽１５の内側面とウェーハＷと
の間の距離は、ウェーハＷのピッチと同等である。処理
槽１１は内槽１５と外槽１６とを有している。内槽１５
の底部に処理液供給部２０と処理液排出部５０が互いに
別々の位置に設けられている。処理液供給部２０に処理
液供給管２３が接続されている。処理液排出部５０に内
槽廃液管５２が接続されている。外槽１６の底部に設け
たドレイン用排出部６０に外槽廃液管６３が接続されて
いる。処理液供給管２３と外槽廃液管６３とは、開閉弁
７１とバイパス管７０を備えた配管洗浄系７２によって
互いに接続され、必要に応じて純水を流すことができる
ようにしている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウェ
−ハ、液晶表示装置用の基板、記録ディスク用の基板、
あるいはマスク用基板や、その他の基板を処理するため
の基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体の製造工程において、ウェ−ハの
表面を清浄なものにするために、薬液や純水等の処理液
によってウェ−ハを処理することが行われている。従来
より、ウェ−ハ表面を薬液によって洗浄したのち、純水
等の処理液によってリンスを行い、さらにイソプロピル
アルコール等の有機溶剤を用いてウェ−ハを乾燥させる
といった各種の処理が行われているが、そのための設備
は、パーティクル等の汚染物質に対して厳格な管理が必
要とされるため、各工程を別々の処理装置によって行な
っているのが通例である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】処理槽内で処理される
ウェ−ハ等の基板は、処理能率を高めるために、可能な
限り多数の基板をエレベータ等に保持した状態で槽内に
挿入する必要があり、場合によっては５０〜１００枚と
いったロット単位で基板が処理槽内で同時に処理され
る。その場合、各基板は垂直に立てた姿勢で互いに平行
に支持されるため、基板間のピッチは数ｍｍと狭いもの
となる。このように多量の基板を処理槽内で薬液処理し
たり、純水によるリンス処理を行う場合、処理槽内に多
量の基板を挿入したまま、処理液を処理槽内部に供給し
たり、他の処理液に置換させる必要がある。その際に各
基板に対する処理液の浸漬速度がばらついたり、浸漬に
要する時間が長くかかるなどの問題があった。

【０００４】また、前記一連の工程を共通の処理槽によ
って行うためには、処理槽に薬液供給管や洗浄用の純水
供給管などを接続することになるが、薬液によって処理
を行った後に純水を槽内に流し込むだけでは、槽内のパ
ーティクル等を完全に除去することが困難であった。ま
た処理槽内で薬液による処理を行っている間は、純水供
給系の配管内部で弁から処理液供給部（ノズル）までに
薬液が多量に残留し、また純水の流れが止ってしまうた
めに、処理液供給系や弁あるいは純水供給系の内部にパ
ーティクルが発生しやすいという問題があった。

【０００５】従って本発明の第１の目的は、多数の基板
が収容されている処理槽内部に処理液を供給する際に、
処理槽内部の各基板を処理液中に速やかにかつ均等に浸
漬できる処理装置を提供することにある。本発明の第２
の目的は、共通の処理槽を用いることによって基板を能
率良く処理でき、しかもパーティクル等による汚染を防
止できるような処理装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記第１の目的を果たす
ための本発明の基板処理装置は、処理すべき複数枚の基
板を互いに等ピッチで平行かつ垂直な姿勢で支持する支
持手段と、前記支持手段によって支持された基板の集合
体を収容する処理槽と、前記基板の集合体の下方から前
記処理槽の内部に処理液を供給する処理液供給部とを有
し、前記処理槽の内側面と前記基板集合体との間の距離
を、各基板のピッチと同等としたことを特徴とする。こ
の発明の基板処理装置において、処理槽内部に収容され
た多数の基板の下側から供給される処理液は、各基板
間、および基板と処理槽内側面との間を通って液面がほ
ぼ均等に上昇することになる。

【０００７】前記第２の目的を果たすための本発明の基
板処理装置は、処理すべき基板を収容する処理槽と、前
記処理槽の下部に設けた処理液供給部と、前記処理槽の
底部に前記処理液供給部とは独立して設けた処理液排出
部と、前記処理液供給部に接続されて前記処理槽に処理
液を供給する処理液供給系配管と、前記処理液供給系配
管に薬液を供給する薬液供給源と、前記処理液供給系配
管を介して洗浄液を前記処理槽に供給しかつこの洗浄液
を前記処理槽の上部から溢れさせることにより前記処理
槽を洗浄する洗浄液供給手段と、前記処理槽から排出さ
れる前記洗浄液を前記処理槽の外部に導く排出系配管と
を具備している。

【０００８】この発明の基板処理装置では、例えば洗浄
工程において処理液供給系配管を通じて純水が処理槽に
送られ、処理槽の上部から溢れた洗浄用の処理液が洗浄
槽から排出される。エッチングや酸化等の薬液による処
理工程では所望の薬液が処理液供給系配管を通じて処理
槽に送られる。使用済みの純水や薬液は、処理液供給部
とは別の位置にある処理液排出部を経て槽外に排出され
る。

【０００９】この発明の基板処理装置において、前記処
理液供給系配管と排出系配管との間に、バイパス管と開
閉弁を備えた配管洗浄系を接続し、前記処理槽内で薬液
による基板の処理が行われている間にこの配管洗浄系に
前記洗浄液供給手段から純水等の洗浄液を流すようにし
てもよい。この明細書で言う純水とは、塵などの水以外
の物質の混合量を極めて少なくした水を示している。ま
たこの発明で言う不活性ガスとは、窒素をはじめとし
て、アルゴン、ヘリウム等の希ガス類元素のように、化
学的に不活性で、有機溶剤と反応しないガスを意味して
いる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施形態につい
て、添付図面を参照して説明する。図１に示す基板処理
装置１０は、基板の一例としての半導体ウェーハＷを処
理するための設備である。この実施形態で言う処理と
は、ウェーハＷを洗浄，エッチングする処理と、ウェー
ハＷを水洗い（リンス）する処理と、水洗い後のウェー
ハＷを有機溶剤（この例ではＩＰＡ）を用いて乾燥させ
る処理などである。これらの処理は以下に説明する処理
槽１１と配管系１２等を用いて順次行われる。ＩＰＡは
イソプロピルアルコール(isopropyl alcohol)の略称で
ある。

【００１１】処理槽１１は、図２から図４に示すように
構成されている。この処理槽１１は上面が開口した有底
箱形の内槽１５と、内槽１５の上部外周を包囲する外槽
１６とを備えている。内槽１５の底部に処理液供給部２
０が設けられている。図１に示すように処理液供給部２
０は処理液導入管２１に接続されている。処理液導入管
２１は、弁２２を介して処理液供給管２３に接続されて
いる。処理液供給部２０と、処理液導入管２１と、弁２
２と、処理液供給管２３は、この発明で言う処理液供給
系配管２４を構成している。

【００１２】処理液供給管２３は、方向切換弁３０の出
口側に接続されている。方向切換弁３０の入口側に、薬
液供給管３１と純水供給管３２が互いに独立して接続さ
れている。純水供給管３２は、処理液の一例としての純
水を供給するための純水供給源３３に接続されている。
純水供給源３３は、純水製造装置によって製造された純
水を貯えている。純水供給管３２と純水供給源３３は、
この発明で言う洗浄液供給手段として機能する。

【００１３】薬液供給管３１は、ポンプ４０等を介して
薬液調合タンク４１に接続されている。薬液調合タンク
４１は、必要に応じて複数備えていてもよい。これらの
薬液調合タンク４１は、薬液供給源および薬液調合手段
として機能し、処理液の一例としてウェーハＷの薬液処
理を行うための薬液が、所定濃度に調合されかつ所定温
度に温調された状態で収容されている。これらの薬液調
合タンク４１には、薬液貯蔵手段として機能する薬液貯
蔵槽４２から、所望の薬液が所定量供給されるようにな
っている。ここで用いる薬液としては、処理の目的（例
えば洗浄、エッチング、酸化等の処理）に応じて、例え
ばフッ酸、塩酸、過酸化水素水、硫酸、オゾン水、アン
モニア水、アルカリ性洗剤、界面活性剤、アミン系有機
溶剤、フッ素系有機溶剤、電解イオン水などから選択さ
れ、必要に応じてこれら複数の薬液を混合したものであ
ってもよい。

【００１４】内槽１５の最も低い位置に処理液排出部５
０が設けられている。図１に示すように処理液排出部５
０に、弁５１を備えた内槽廃液管５２が接続されてい
る。この内槽廃液管５２は有機排気管５３と廃液管５４
に接続されている。廃液管５４には、内槽１５内の処理
液を排出する際の排出速度を調整可能な可変絞り機構５
５が設けられている。これら処理液排出部５０と、弁５
１と、内槽廃液管５２などは、内槽用の排出系配管５６
を構成する。

【００１５】外槽１６は、内槽１５の上部から溢れ出る
処理液を受け入れるためのオーバーフロー槽として機能
する。この外槽１６の最も低い位置にドレイン用排出部
６０が設けられている。ドレイン用排出部６０にドレイ
ン管６１が接続されている。ドレイン管６１は、弁６２
を介して外槽廃液管６３に接続されている。外槽廃液管
６３の下流側には、廃液の種類に応じた廃液処理設備６
４が設けられている。ドレイン用排出部６０と、ドレイ
ン管６１と、弁６２と、外槽廃液管６３などは外槽用の
排出系配管６５を構成している。

【００１６】外槽廃液管６３と処理液供給管２３とが、
互いにバイパス管７０によってつながれている。バイパ
ス管７０に開閉弁７１が設けられている。開閉弁７１
は、後述するように薬液によるウェーハＷの処理工程を
行っているときに開弁する。この開閉弁７１が開弁する
と、純水供給管３２から切換弁３０を通って処理液供給
管２３に流れてくる純水がバイパス管７０に流入し、外
槽廃液管６３に流出することになる。このバイパス管７
０と開閉弁７１は、この発明で言う配管洗浄系７２を構
成している。

【００１７】この基板処理装置１０は、図２と図５に示
すように、ウェーハＷの搬送手段として機能するエレベ
ータ８０（一部のみ図示する）を備えている。このエレ
ベータ８０は処理槽１１の上方から、５０〜１００枚程
度の多数のウェーハＷの集合体Ｗ′を出し入れすること
ができるようになっている。エレベータ８０は支持手段
として機能するウェーハ支持部８１を備えている。ウェ
ーハ支持部８１は水平方向に延び、各ウェーハＷを互い
に平行に等ピッチで、かつ、垂直に起立した状態で保持
するように構成されている。

【００１８】図４に、内槽１５の一部とウェーハ集合体
Ｗ′の一部を示すように、内槽１５の内側面１５ａとウ
ェーハＷとの間の距離Ｃは、後述する理由により、ウェ
ーハ集合体Ｗ′の全周にわたってウェーハＷのピッチＰ
と同等（０．３〜１．５倍）の寸法としている。例えば
外径２００ｍｍのウェーハＷで、ノーマルピッチ（Ｐ＝
６．３５ｍｍ）の場合、隙間Ｃは３〜６ｍｍ（０．４７
Ｐ〜０．９４Ｐ）である。外径２００ｍｍのウェーハＷ
で、ハーフピッチ（Ｐ＝３．１７５ｍｍ）の場合、隙間
Ｃは３ｍｍ（０．９４Ｐ）である。外径３００ｍｍのウ
ェーハＷでノーマルピッチ（Ｐ＝１０ｍｍ）の場合に、
隙間Ｃは５〜１０ｍｍ（０．５Ｐ〜１．０Ｐ）である。
外径３００ｍｍのウェーハＷでハーフピッチ（Ｐ＝５ｍ
ｍ）の場合に、隙間Ｃは５ｍｍ（１．０Ｐ）である。ウ
ェーハＷの厚さは１ｍｍ以下（例えば０．８ｍｍ前後）
である。各ウェーハＷ間の隙間Ｇは、ピッチＰからウェ
ーハＷの厚さを引いた値となる。

【００１９】前記距離ＣがピッチＰの１．５倍よりも大
きくなると、処理液がウェーハ集合体Ｗ′の周囲から多
量に上昇する傾向となり、各ウェーハＷ間に処理液がゆ
き渡るのに要する時間が長くなる。前記距離Ｃがピッチ
Ｐの０．３倍よりも小さくなると、ウェーハ集合体Ｗ′
の周囲において処理液が上昇しにくくなり、最外側のウ
ェーハの浸漬速度が低下する。しかも内槽１５の製作上
のばらつきなどを考慮すると、現実的に前記距離Ｃを
０．３Ｐ未満にすることが困難である。

【００２０】前記のように内槽１５の内側面１５ａとウ
ェーハＷとの間の距離Ｃを、ウェーハＷのピッチＰと同
等の寸法（０．３Ｐ〜１．５Ｐ）とすることにより、内
槽１５の内部にウェーハＷの下方から純水あるいは薬液
等の処理液が供給されたときに、各ウェーハＷ間および
各ウェーハＷと内槽１５の内側面１５ａとの間に処理液
が速やかに、かつ均等に上昇し、処理液が各ウェーハＷ
の表面に短時間にかつ均等に触れることができる。

【００２１】この実施形態は、ウェーハ集合体Ｗ′を上
方から吊り下げるタイプのエレベータ８０を採用してい
るため、図３に示すように処理槽１１の上方から見たと
きにエレベータの一部分８０ａ，８０ｂがウェーハ集合
体Ｗ′の横に突き出ることになる。このようにウェーハ
集合体Ｗ′と一体に上下する部分８０ａ，８０ｂもこの
明細書ではウェーハ集合体Ｗ′の概念に含まれる。ま
た、内槽１５の内面側に上記部分８０ａ，８０ｂと対応
した形状のガイド部８３を設けた場合には、ガイド部８
３の内側面、すなわちウェーハ集合体Ｗ′と向かい合う
面も内槽の内側面１５ａの一部を構成することになる。

【００２２】ウェーハ集合体Ｗ′を下側から突き上げる
タイプのエレベータを採用すれば、ウェーハ集合体Ｗ′
の横に突き出る部分８０ａ，８０ｂをなくすことができ
るとともに、ガイド部８３を設ける必要がなくなる。そ
の場合もウェーハ集合体Ｗ′の全周にわたって、ウェー
ハ集合体Ｗ′と内槽の内側面１５ａと間の距離Ｃを、前
述のようにウェーハＷのピッチＰと同等にする。

【００２３】内槽１５と外槽１６は、フッ酸やイソプロ
ピルアルコール(isopropyl alcohol)等の有機溶剤によ
って腐食されにくい材料（例えばポリフッ化ビニリデン
など）からなる。内槽１５と外槽１６は、エレベータ８
０に保持されたウェーハＷが昇降できる大きさの上部開
口８５を有している。

【００２４】図５に示すように外槽１６の上部に、開閉
可能な蓋８６が設けられている。処理槽１１の上部に不
活性ガス供給部８７が設けられている。不活性ガス供給
部８７は、ガス管８８を介して不活性ガス供給源８９に
接続され、常温または加熱された窒素ガス等の不活性ガ
スを、処理槽１１の上部から処理槽１１の内部に供給す
る。

【００２５】処理槽１１にベーパ供給機構９５が設けら
れている。ベーパ供給機構９５は、ベーパ吐出口９６を
有する有機溶剤槽９７と、有機溶剤槽９７の内部に加熱
された有機溶剤を供給する有機溶剤供給部９８と、有機
溶剤回収部９９と、有機溶剤槽９７の内部に窒素等の不
活性ガスを供給する不活性ガス供給部１００などを備え
ている。不活性ガス供給部１００は、不活性ガス供給源
８９に接続されている。ベーパ吐出口９６は内槽１５の
上端付近に開口している。有機溶剤供給部９８は有機溶
剤供給源１０１に接続されている。有機溶剤供給源１０
１は、有機溶剤の一例としてのイソプロピルアルコール
（ＩＰＡ）を収容し、ヒータ等によって有機溶剤を加熱
するようになっている。

【００２６】図１および図２に示すように、内槽１５の
上部に加熱有機溶剤供給機構１１０が設けられている。
加熱有機溶剤供給機構１１０は、有機溶剤供給管１１１
と、加熱有機溶剤を拡散させるための樋状の拡散板１１
２およびスリット１１３を有している。スリット１１３
は０．３ｍｍ〜０．５ｍｍ程度の隙間であり、内槽１５
の上端に沿って水平方向に延びている。有機溶剤供給管
１１１の吐出口１１４は、拡散板１１２の上方に位置
し、加熱有機溶剤を拡散板１１２に向かって吐出するよ
うにしている。

【００２７】有機溶剤供給管１１１は加熱有機溶剤収容
槽１１５（図１に示す）に接続されている。加熱有機溶
剤収容槽１１５には例えばイソプロピルアルコール等の
有機溶剤が収容され、この有機溶剤を、ヒータによって
加熱された温水によって間接的に加熱する。後述する有
機溶剤供給工程（図７（Ｅ）に示す）において、有機溶
剤供給管１１１の吐出口１１４から拡散板１１２上に供
給された高温の有機溶剤は、スリット１１３から流下
し、内槽１５に収容されている純水１１９の液面上に、
均一な有機溶剤の膜１２０を形成する。純水１１９の温
度は例えば室温程度であるが、加熱有機溶剤の温度は純
水１１９の温度よりも十分高くしている。

【００２８】以下にこの実施形態の基板処理装置１０の
作用について、図６から図８を参照して説明する。図６
（Ａ）は処理槽１１から処理液（純水）を排出する工程
を示している。この場合、内槽１５内の処理液は、処理
液排出部５０と弁５１と内槽廃液管５２を通って槽外に
排出される。外槽１６内の処理液は、ドレイン管６１と
弁６２を通って槽外に排出される。

【００２９】その後、図６（Ｂ）に示す薬液供給工程に
おいて、内槽１５の内部に例えばエッチング用の薬液１
１８が導入される。この場合、薬液調合タンク４１から
供給される所望の薬液１１８が、薬液供給管３１と切換
弁３０を通って処理液供給管２３に流入し、弁２２と処
理液導入管２１と処理液供給部２０を経て内槽１５に供
給される。内槽１５に供給された薬液１１８の一部は、
内槽１５の上端から溢れて外槽１６に流れ込み、ドレイ
ン管６１と弁６２を経て槽外に排出される。

【００３０】次に、図６（Ｃ）に示す薬液による処理工
程において、内槽１５の内部に挿入されたウェーハＷの
表面が薬液１１８に所定時間浸漬されることによって、
エッチングが行われる。この薬液１１８による処理工程
を行っている時の待ち時間を利用して、配管洗浄系７２
による洗浄が行われる。すなわち、バイパス管７０の開
閉弁７１が開弁することにより、純水供給管３２から供
給される純水が切換弁３０を通って処理液供給管２３に
流入し、バイパス管７０と開閉弁７１を通って外槽廃液
管６３に流れ込む。この純水の流れによって、純水供給
管３２や切換弁３０、処理液供給管２３などの配管内部
の薬液残りを追出して純水の滞留を防ぐことにより、不
純物やパーティクルの発生が防止され、配管系１２をさ
らに清浄に保つことが可能となる。

【００３１】前記薬液１１８による処理工程が終了した
のち、図７（Ｄ）に示す純水供給工程において、内槽１
５の内部に純水１１９が供給される。この場合、純水供
給管３２から切換弁３０を通って処理液供給管２３に流
入する純水が、弁２２と処理液導入管２１を経て内槽１
５に供給される。純水１１９は、内槽１５内に残留して
いた前記薬液１１８を押し出しつつ、内槽１５の上部か
ら溢れて外槽１６に流れ込み、ドレイン管６１から弁６
２を通って槽外に排出される。こうして純水を所定時間
供給し続けることにより、内槽１５の内部が新鮮な純水
１１９によって洗浄され、内槽１５が純水で満たされる
ようになる。その際に不活性ガス供給部８７から窒素等
の不活性ガスが、純水１１９の上方から処理槽１１の内
部に供給され、処理槽１１内部の酸素濃度を下げる。

【００３２】次に、図７（Ｅ）に示す有機溶剤供給工程
において、加熱された有機溶剤（この場合、イソプロピ
ルアルコール）が有機溶剤槽９７に供給されることによ
り、有機溶剤槽９７の内部で有機溶剤のベーパが発生す
る。また、加熱有機溶剤供給機構１１０の吐出口１１４
から、６０℃〜８０℃に加熱された有機溶剤が、拡散板
１１２（図２に示す）に向かって供給される。拡散板１
１２上に供給された加熱有機溶剤は、スリット１１３か
ら純水１１９の液面に向かって流れ落ち、純水１１９の
液面全体に速やかに均一に拡散することにより、純水１
１９の液面上に厚さ１ｍｍ前後の均一な有機溶剤膜（Ｉ
ＰＡ膜）１２０が形成される。

【００３３】図７（Ｆ）に示すベーパ供給工程において
は、不活性ガス供給部１００から窒素等の不活性ガスが
有機溶剤槽９７内に供給されることにより、有機溶剤槽
９７内の有機溶剤ベーパが希釈され、ベーパの体積が増
大する。不活性ガスによって希釈された有機溶剤ベーパ
がベーパ吐出口９６を通って処理槽１１内に導入され
る。

【００３４】そののち、図８（Ｇ）に示すように内槽排
出系配管５６の弁５１をひらくことにより、内槽廃液管
５２を介して、内槽１５の内部から純水１１９を少しず
つ排出してゆく。純水１１９が排出されることに伴な
い、純水１１９の液面が下降するため、ウェーハＷがそ
の上端から液面上に次第に露出してゆく。つまり、ウェ
ーハＷが液面上の有機溶剤膜１２０に対し相対的に上昇
する。液面上に露出したウェーハＷの表面には、有機溶
剤膜１２０を形成している有機溶剤が連続して付着して
ゆく。処理槽１１の内部を満たしている有機溶剤のベー
パＶは、液面上に露出したウェーハＷの表面に触れ、急
冷されることにより、ウェーハＷの表面に凝縮する。こ
のようにウェーハＷの表面においてベーパＶが凝縮する
とともに、有機溶剤膜１２０の有機溶剤がウェーハＷの
表面に付着することにより、ウェーハ表面に十分な量の
有機溶剤が供給される。それまでウェーハＷに付着して
いた純水１１９は、ウェーハ表面の有機溶剤と置換する
ことによりウェーハＷから流れ落ちる。

【００３５】内槽１５の純水１１９が排出されたのち
に、図８（Ｈ）に示す排気工程において、不活性ガス供
給部８７から常温または加熱された不活性ガスが処理槽
１１に供給され続けるとともに、処理槽１１の内部のベ
ーパおよびウェーハＷの表面から発散した有機溶剤を含
むガスが、処理液排出部５０と弁５１と内槽廃液管５２
と有機排気管５３を経て排気処理設備１３０（図１に示
す）に送り込まれる。

【００３６】所定時間の排気工程が終了し、ウェーハＷ
が処理槽１１から取出されたのち、図８（Ｉ）に示す洗
浄工程において、純水供給管３２と切換弁３０と処理液
供給管２３などを経て、純水１１９が内槽１５に供給さ
れる。内槽１５に供給された純水１１９は内槽１５の上
端から溢れ、外槽１６に流れ込んだのち、ドレイン管６
１と弁６２を経て槽外に排出される。こうしてしばらく
の間純水１１９を供給し、流し続けることにより、内槽
１５や処理液供給管２３、弁２２、処理液導入管２１な
どが洗浄され、パーティクルなどの汚染物質が除去され
る。そののち、図６（Ａ）に示す純水排出工程に戻る。
そして再び図６（Ａ）から図８（Ｉ）に示す各工程を繰
り返すことによって、ウェーハＷの薬液による処理およ
び乾燥、洗浄等の一連の工程を行う。

【００３７】以上説明したように、この実施形態の基板
処理装置１０によれば、処理槽１１の洗浄からウェーハ
Ｗの薬液による処理および乾燥等の一連の工程を、１台
の処理槽１１と配管系１２によって、連続的に能率良く
行うことができる。そして処理槽１１の内部において、
内槽１５の内側面とウェーハＷとの間の距離Ｃを，ウェ
ーハＷのピッチＰと同等としたことにより、処理液供給
部２０から内槽１５内に供給される処理液を、内槽１５
の内部の全てのウェーハＷの表面に対して、均一の速度
で速やかに上昇させることができる。このため内槽１５
の内部において処理液の置換速度が速く、ウェーハＷご
との浸漬ばらつきも回避される。

【００３８】本発明の基板処理装置は前述した実施形態
に制約されるものではない。本発明の基板処理装置は、
半導体ウェーハ以外の基板、例えば、液晶表示装置用の
ガラス基板や、光記録ディスクおよび磁気記録ディスク
等の記録ディスク用基板などの各種基板を処理する用途
にも適用できる。処理槽の内部に多数の基板を支持する
ための支持手段として、前記実施形態のような処理槽の
上方から基板を吊下げる形態のエレベータ８０の代り
に、処理槽１１の下側から基板を突き上げる形態のエレ
ベータを用いてもよい。

【００３９】この発明を実施するに当たって、処理槽を
はじめとして、エレベータ等のウェーハ支持手段、処理
液供給系配管、排出系配管、洗浄液供給手段、配管洗浄
系などの具体的な形状および構造、処理液や基板の態様
など、この発明を構成する各要素をこの発明の要旨を逸
脱しない範囲で適宜に変形して実施できることは言うま
でもない。

【００４０】

【発明の効果】請求項１に記載した発明によれば、処理
槽内部に処理液を供給する際に、処理槽内に収容されて
いるの全ての基板の表面を処理液に速やかにかつ均等に
浸漬することができる。このため処理能率が高く、各基
板間に浸漬ばらつきを生じることを防止できる。

【００４１】請求項２に記載した発明によれば、薬液に
よる基板の処理からリンス処理あるいは基板の乾燥など
の各工程を共通の処理槽を用いて連続的に行うことがで
き、処理能率が向上するとともに、省設備化が図れる。
請求項３に記載した発明によれば、薬液によって基板の
処理を行っている間の時間を利用して、純水等の洗浄液
を流し続けることができ、配管系の汚染発生を防止でき
る。請求項４に記載した発明によれば、処理液供給系配
管を通じて供給される純水によってリンス処理や洗浄等
の各種の処理を行うことができる。

【００４２】請求項５と請求項６に記載した発明によれ
ば、半導体ウェーハ等の基板の処理に適した所望の薬液
を処理槽に供給することができる。請求項７に記載した
発明によれば、内槽に供給された処理液を外槽にオーバ
ーフローさせることによって外槽から排出し、内槽内部
の汚染物質やパーティクル等を連続的に洗い流すことが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態の基板処理装置の処理槽
と配管系を示す側面図。

【図２】図１に示された処理装置の処理槽を示す縦断
面図。

【図３】図２に示された処理槽の平面図。

【図４】図３に示された処理槽の一部を示す横断面
図。

【図５】図２中のＦ５−Ｆ５線に沿う処理槽の断面
図。

【図６】図１に示された処理装置において純水排出工
程と薬液供給工程とエッチング工程を示す処理槽の断面
図。

【図７】図１に示された処理装置において純水供給工
程と有機溶剤供給工程とベーパ供給工程を示す処理槽の
断面図。

【図８】図１に示された処理装置において純水排出工
程と排気工程と洗浄工程を示す処理槽の断面図。

【符号の説明】

１０…基板処理装置１１…処理槽２０…処理液供給部２４…処理液供給系配管５０…処理液排出部５６…内槽排出系配管６５…外槽排出系配管７２…配管洗浄系Ｗ…ウェーハ（基板）Ｗ′…基板の集合体Ｐ…基板のピッチ′ Ｃ…基板から内槽までの距離

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Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理すべき複数枚の基板を互いに等ピッチ
で平行かつ垂直な姿勢で支持する支持手段と、前記支持手段によって支持された基板の集合体を収容す
る処理槽と、前記基板の集合体の下方から前記処理槽の内部に処理液
を供給する処理液供給部とを有し、前記処理槽の内側面と前記基板集合体との間の距離を、
各基板のピッチと同等としたことを特徴とする基板処理
装置。
【請求項２】処理すべき基板を収容する処理槽と、前記処理槽の下部に設けた処理液供給部と、前記処理槽の底部に前記処理液供給部とは独立して設け
た処理液排出部と、前記処理液供給部に接続されて前記処理槽に処理液を供
給する処理液供給系配管と、前記処理液供給系配管に薬液を供給する薬液供給源と、前記処理液供給系配管を介して洗浄液を前記処理槽に供
給しかつこの洗浄液を前記処理槽の上部から溢れさせる
ことにより前記処理槽を洗浄する洗浄液供給手段と、前記処理槽から排出される洗浄液を前記処理槽の外部に
導く排出系配管と、を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】前記処理液供給系配管と前記排出系配管と
の間に、バイパス管と開閉弁を備えた配管洗浄系が接続
され、前記処理槽内で薬液による基板の処理が行われて
いる間にこの配管洗浄系に前記洗浄液供給手段から洗浄
液を流すようにしたことを特徴とする請求項２記載の基
板処理装置。
【請求項４】前記洗浄液が純水であることを特徴とする
請求項２記載の基板処理装置。
【請求項５】前記処理液供給系配管に、薬液を所定濃度
および所定温度に調製する薬液調合手段が接続されてい
ることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項６】前記薬液がフッ酸、塩酸、過酸化水素水、
硫酸、オゾン水、アンモニア水、アルカリ性洗剤、界面
活性剤、アミン系有機溶剤、フッ素系有機溶剤、電解イ
オン水から選択された少なくとも１種以上の薬液を含む
ことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項７】前記処理槽が、前記処理液供給系配管から
供給される処理液を収容可能な内槽と、この内槽の上部
から溢れ出た記処理液を流入させる外槽とを有し、前記
内槽の底部に前記処理液供給部と前記処理液排出部とを
互いに独立して設け、前記処理液供給部に前記処理液供
給系配管を接続し、かつ、前記外槽の底部にドレイン用
排出部を設けたことを特徴とする請求項２記載の基板処
理装置。