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JP2001269631A - Substrate cleaning device - Google Patents

Substrate cleaning device

Info

Publication number
JP2001269631A
JP2001269631A JP2000085464A JP2000085464A JP2001269631A JP 2001269631 A JP2001269631 A JP 2001269631A JP 2000085464 A JP2000085464 A JP 2000085464A JP 2000085464 A JP2000085464 A JP 2000085464A JP 2001269631 A JP2001269631 A JP 2001269631A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
ozone
phase flow
ozone water
mixer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000085464A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yusuke Muraoka
祐介 村岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2000085464A priority Critical patent/JP2001269631A/en
Publication of JP2001269631A publication Critical patent/JP2001269631A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate cleaning device which can rapidly remove organic matter adhered to substrate. SOLUTION: A gaseous ozone and ozonized water mixed phase flow is formed by uniformly mixing the gaseous ozone supplied from a gaseous ozone supply source 6 as numerous fine air bubbles into the saturated and ozonized water supplied from an ozonized water supply source 53 in a mixer 30. This mixed phase flow is discharged from a discharge nozzle 20 to the main surface of the substrate W. The dissolved ozone consumed by an oxidation cracking reaction, in addition to the effect of erosion by the mixed phase flow, is immediately supplemented by the ozone existing as bubbles, by which the ozone concentration in the ozonized water may be maintained at the saturation concentration at all times, and therefore, the organic matter sticking to the substrate W can be rapidly removed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板の如きFPD(FlatPane
l Display)用基板、フォトマスク用ガラス基
板および光ディスク用基板など(以下、単に「基板」と
称する)の表面の洗浄処理、例えば基板に付着した有機
物の除去処理等を行う基板洗浄装置に関する。
The present invention relates to a flat panel display (FPD) such as a semiconductor substrate or a glass substrate for a liquid crystal display device.
The present invention relates to a substrate cleaning apparatus that performs a cleaning process on a surface of a substrate for a display, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, and the like (hereinafter, simply referred to as a “substrate”), for example, a process of removing organic substances attached to the substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、上記基板の製造工程において
は、基板の洗浄処理が不可欠である。基板の洗浄処理を
行う洗浄装置の1つにオゾン水を用いた装置がある。こ
の装置は、基板の表面にオゾン水を供給し、オゾンによ
ってレジスト等の有機物を酸化することによりその有機
物を分解・除去して基板の表面洗浄を行う装置である。
周知のようにオゾンは極めて強力な酸化力を有してお
り、そのようなオゾンの強力な酸化力を利用して基板の
洗浄処理を行うのである。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a process of manufacturing the above substrate, a cleaning process of the substrate has been indispensable. As one of cleaning apparatuses for performing a cleaning process of a substrate, there is an apparatus using ozone water. This apparatus supplies ozone water to the surface of a substrate and oxidizes organic substances such as a resist with ozone to decompose and remove the organic substances to clean the surface of the substrate.
As is well known, ozone has an extremely strong oxidizing power, and the substrate is cleaned using such a strong oxidizing power of ozone.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
オゾン水洗浄装置においては、基板の表面に単にオゾン
水を供給しているため、オゾン水の酸化分解反応のみに
よってレジスト等の有機物の除去が進行するため、その
除去速度を大きくすることはできなかった。
However, in the conventional ozone water cleaning apparatus, since ozone water is simply supplied to the surface of the substrate, removal of organic substances such as resist proceeds only by oxidative decomposition reaction of ozone water. Therefore, the removal rate cannot be increased.

【0004】また、オゾン水による有機物の分解速度
は、そのオゾン水中のオゾン濃度に依存するが、オゾン
の溶解度は温度・圧力によって一義的に決まるものであ
る。このため、飽和オゾン水を用いたとしてもそのオゾ
ン濃度には一定の限界があり、有機物除去速度を一定以
上に大きくすることはできなかった。
[0004] The decomposition rate of organic substances by ozone water depends on the ozone concentration in the ozone water, but the solubility of ozone is uniquely determined by temperature and pressure. For this reason, even if saturated ozone water is used, the ozone concentration has a certain limit, and the organic matter removal rate cannot be made higher than a certain value.

【0005】また、オゾン水の酸化分解反応において
は、有機物とオゾン水との界面近傍のオゾンが優先的に
消費されることとなる。このため、当該界面近傍のオゾ
ン水のオゾン濃度が低下し、オゾン水の酸化分解反応の
反応速度はオゾン水中におけるオゾンの拡散速度に依存
することとなっていた。すなわち、オゾン水による酸化
分解反応はオゾンの拡散律速となるため、有機物除去速
度が著しく制限されることとなっていた。
In the oxidative decomposition reaction of ozone water, ozone near the interface between organic matter and ozone water is preferentially consumed. For this reason, the ozone concentration of the ozone water near the interface decreases, and the reaction rate of the oxidative decomposition reaction of the ozone water depends on the diffusion rate of ozone in the ozone water. That is, since the oxidative decomposition reaction by ozone water is diffusion-controlled by ozone, the organic matter removal rate is significantly restricted.

【0006】さらに、洗浄の対象となる基板上において
は、オゾン水の供給口に近い側から順次に酸化分解反応
が進行してオゾンが消費されていた。このためオゾン水
の供給口から見て基板上の上流側から順に有機物が除去
され、上流側の有機物が除去されて初めて下流側に酸化
力を有するオゾン水(オゾンが消費されていないオゾン
水)が供給されて下流側の有機物が除去されることとな
っていた。すなわち、基板表面全体の有機物が除去され
るのには、相当な時間を要していたのである。
Further, on the substrate to be cleaned, the oxidative decomposition reaction proceeds sequentially from the side close to the supply port of ozone water to consume ozone. Therefore, organic substances are sequentially removed from the upstream side of the substrate when viewed from the supply port of the ozone water, and ozone water having an oxidizing power on the downstream side only after the organic substances on the upstream side are removed (ozone water in which ozone is not consumed). Is supplied to remove the organic matter on the downstream side. That is, it took a considerable time to remove the organic substances on the entire surface of the substrate.

【0007】以上のような種々の事情に起因して、従来
のオゾン水洗浄装置においては、有機物の除去速度を一
定以上に大きくすることができず、洗浄処理のスループ
ットも一定以下に制限されるという問題が生じていた。
Due to the various circumstances described above, in the conventional ozone water cleaning apparatus, the removal rate of organic substances cannot be increased to a certain level or more, and the throughput of the cleaning process is limited to a certain level or less. The problem had arisen.

【0008】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、基板に付着した有機物を迅速に除去することが
できる基板洗浄装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a substrate cleaning apparatus capable of quickly removing organic substances attached to a substrate.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の発明は、基板表面の洗浄処理を行う基板
洗浄装置であって、基板を保持する保持手段と、オゾン
水または純水にオゾンガスを混合することによってオゾ
ン水とオゾンガスとからなる混相流を生成する混相流生
成手段と、前記混相流生成手段によって生成された混相
流を前記保持手段に保持された基板に吐出する吐出手段
と、を備えている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate cleaning apparatus for performing a cleaning process on a substrate surface, comprising: holding means for holding the substrate; ozone water or pure water. Flow generating means for generating a multi-phase flow composed of ozone water and ozone gas by mixing ozone gas with the liquid, and discharging means for discharging the multi-phase flow generated by the multi-phase flow generating means to a substrate held by the holding means And

【0010】また、請求項2の発明は、請求項1の発明
に係る基板洗浄装置において、前記混相流を少なくとも
大気圧よりも高圧に加圧する加圧手段をさらに備え、前
記保持手段を、保持する基板の平面サイズよりも大きな
平面サイズを有する載置台とし、前記吐出手段に、前記
載置台に保持された基板を挟んで前記載置台と対向配置
し、前記基板の平面サイズよりも大きな平面サイズを有
する雰囲気遮断板を含ませるとともに、基板を保持する
前記載置台と前記雰囲気遮断板との間に前記混相流を吐
出させ、前記載置台に保持された基板よりも外周であっ
て、前記載置台と前記雰囲気遮断板との間に流体の通過
を抑制する流体抵抗付与手段を設けている。
According to a second aspect of the present invention, in the substrate cleaning apparatus according to the first aspect of the present invention, the substrate cleaning apparatus further includes a pressurizing means for pressurizing the mixed phase flow to at least a pressure higher than the atmospheric pressure. A mounting table having a plane size larger than the plane size of the substrate to be mounted, and the discharging means is disposed to face the mounting table with the substrate held by the mounting table interposed therebetween, and the plane size is larger than the plane size of the substrate. Including the atmosphere blocking plate having a, the discharge of the multi-phase flow between the mounting table and the atmosphere blocking plate holding the substrate, the outer periphery than the substrate held on the mounting table, Fluid resistance applying means for suppressing the passage of fluid is provided between the mounting table and the atmosphere blocking plate.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0012】<1.第1実施形態>図1は、本発明の第
1実施形態の基板洗浄装置の全体構成を示す図である。
この基板洗浄装置は、基板にオゾン水−オゾンガス混相
流を吐出することによって基板に付着したレジスト等の
有機物等を除去する洗浄装置であり、主として基板Wを
保持するためのスピンベース10と、オゾン水とオゾン
ガスとからなる混相流を生成する混合器30と、その混
相流を吐出する吐出ノズル20とを備えている。
<1. First Embodiment> FIG. 1 is a view showing the entire configuration of a substrate cleaning apparatus according to a first embodiment of the present invention.
This substrate cleaning apparatus is a cleaning apparatus that removes organic substances such as a resist attached to a substrate by discharging an ozone water-ozone gas mixed phase flow onto the substrate, and mainly includes a spin base 10 for holding the substrate W, an ozone The apparatus includes a mixer 30 for generating a multiphase flow composed of water and ozone gas, and a discharge nozzle 20 for discharging the multiphase flow.

【0013】スピンベース10は、円盤状の部材であ
り、その上面に立設された複数の保持ピン15によって
基板Wの端縁部を把持することにより1枚の基板Wを略
水平姿勢にて保持する。なお、スピンベース10の上面
には3つまたは4つの保持ピン15が立設されている
(図1にはそのうち2つのみ図示している)。
The spin base 10 is a disk-shaped member, and a plurality of holding pins 15 erected on the upper surface of the spin base 10 hold one substrate W in a substantially horizontal posture by gripping the edge of the substrate W. Hold. Note that three or four holding pins 15 are provided upright on the upper surface of the spin base 10 (only two of them are shown in FIG. 1).

【0014】また、スピンベース10は、その下面中心
部がモータ12のモータ軸11に接続されている。従っ
て、モータ12はスピンベース10を回転させることが
でき、スピンベース10を回転させることによって、そ
のスピンベース10に保持された基板Wを鉛直方向を軸
として略水平面内にて回転させることができる。なお、
スピンベース10は、基板Wの端縁部を機械的に把持す
る形態に限定されず、基板Wを真空吸着によって保持す
る形態であっても良い。また、基板Wは略水平姿勢に保
持する形態に限定されず、傾めや略垂直姿勢に保持する
形態であっても良い。
The center of the lower surface of the spin base 10 is connected to the motor shaft 11 of the motor 12. Accordingly, the motor 12 can rotate the spin base 10, and by rotating the spin base 10, the substrate W held on the spin base 10 can be rotated in a substantially horizontal plane about the vertical direction as an axis. . In addition,
The spin base 10 is not limited to a mode in which the edge of the substrate W is mechanically gripped, but may be a mode in which the substrate W is held by vacuum suction. In addition, the substrate W is not limited to the configuration in which the substrate W is held in a substantially horizontal position, and may be a configuration in which the substrate W is tilted or held in a substantially vertical position.

【0015】混合器30は、配管42を経由して供給さ
れるオゾン水に配管41を経由して供給されるオゾンガ
スを気泡として混合することによってオゾン水とオゾン
ガスとの二相からなる混相流を生成する。「混相流」と
は、一般に、気相、液相および固相のうちの異なる2以
上の相が混在している流れをいうが、本発明における混
相流はこのうちの気−液混相流であり、オゾン水中に多
数のオゾンガスの気泡が混合している流体である。な
お、本明細書において、単に混相流というときは、オゾ
ンガス−オゾン水混相流を示すものとする。以下、混合
器30における混相流生成について説明する。
The mixer 30 mixes the ozone water supplied via the pipe 41 with the ozone gas supplied via the pipe 41 as bubbles, thereby forming a two-phase mixed flow of ozone water and ozone gas. Generate. The term “multi-phase flow” generally refers to a flow in which two or more different phases of a gas phase, a liquid phase, and a solid phase are mixed, and the multi-phase flow in the present invention is a gas-liquid multi-phase flow. This is a fluid in which a large number of ozone gas bubbles are mixed in ozone water. In this specification, the term “multi-phase flow” refers to an ozone gas-ozone water multi-phase flow. Hereinafter, generation of a multiphase flow in the mixer 30 will be described.

【0016】オゾンガスバルブ60を開放してオゾンガ
スを加圧して圧送するための手段であるポンプ61を作
動させることによりオゾンガス供給源62から配管41
を経由して混合器30にオゾンガスが送給される。一
方、オゾン水バルブ50を開放してポンプ52を作動さ
せることによりオゾン水供給源53から配管42を経由
して混合器30にオゾン水が送給される。本実施形態に
おいて、オゾン水供給源53から供給されるオゾン水は
飽和オゾン水である。混合器30は、この飽和オゾン水
にオゾンガスを混合することによって混相流を生成する
のである。なお、配管42からオゾン水を送給するとき
には、純水バルブ54および薬液バルブ57は閉鎖され
ている。ただし、処理によっては適宜これらを混合して
も良い。また、ヒータ51を作動させることによって混
合器30に送給するオゾン水を加熱するようにしても良
い。
By opening the ozone gas valve 60 and operating a pump 61 which is a means for pressurizing and sending the ozone gas under pressure, a pipe 41 from the ozone gas supply source 62 is turned on.
The ozone gas is supplied to the mixer 30 via the. On the other hand, by opening the ozone water valve 50 and operating the pump 52, the ozone water is supplied from the ozone water supply source 53 to the mixer 30 via the pipe 42. In the present embodiment, the ozone water supplied from the ozone water supply source 53 is saturated ozone water. The mixer 30 generates a multiphase flow by mixing ozone gas with the saturated ozone water. When the ozone water is supplied from the pipe 42, the pure water valve 54 and the chemical liquid valve 57 are closed. However, these may be appropriately mixed depending on the treatment. Further, the ozone water supplied to the mixer 30 may be heated by operating the heater 51.

【0017】図2は、混合器30の内部における混相流
生成を説明するための断面図である。本実施形態におけ
る混合器30は、いわゆるエジェクタタイプのものであ
る。配管42からは矢印A21にて示すように、高速の
オゾン水流が送給され、そのオゾン水流が配管42の先
端から配管40に高速にて流れ込む。一方、混合器30
の内部には、配管41からオゾンガスが送給されてい
る。ここで、オゾン水流が配管42の先端から配管40
に高速にて流れ込むときに、そのオゾン水流の後方側が
負圧となり、混合器30内部のオゾンガスが矢印A23
にて示すように配管40内に吸引されてオゾン水流中に
無数の微細な気泡として均一に混合されるのである。こ
のようにして生成されたオゾン水中にオゾンガスが混合
した混相流が矢印A24にて示すように配管40中を流
れる。
FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining generation of a multiphase flow inside the mixer 30. The mixer 30 in the present embodiment is of a so-called ejector type. As shown by the arrow A21, a high-speed ozone water flow is sent from the pipe 42, and the ozone water flow flows into the pipe 40 from the tip of the pipe 42 at a high speed. On the other hand, the mixer 30
Ozone gas is supplied from a pipe 41 into the inside of the. Here, the ozone water flows from the tip of the pipe 42 to the pipe 40
When the ozone water flows into the mixer 30 at high speed, the rear side of the ozone water flow becomes negative pressure, and the ozone gas inside the mixer 30 is turned into an arrow A23.
As shown by, it is sucked into the pipe 40 and uniformly mixed as countless fine bubbles in the ozone water flow. A mixed phase flow in which ozone gas is mixed into the ozone water generated in this way flows through the pipe 40 as indicated by an arrow A24.

【0018】図1に戻り、混合器30にて生成され、配
管40を介して送給されるオゾンガス−オゾン水混相流
は、スピンベース10に保持された基板Wの主面中心部
近傍に略鉛直方向に吐出ノズル20から吐出される。な
お、吐出ノズル20は、混相流を棒状に吐出するストレ
ートタイプのノズルの他、混相流をシャワー状に吐出す
るシャワータイプのノズルであっても良い。また、吐出
ノズル20は略鉛直方向に吐出する形態に限定されず、
傾めや略水平方向に吐出する形態であっても良い。
Returning to FIG. 1, the ozone gas-ozone water mixed phase flow generated in the mixer 30 and sent through the pipe 40 is substantially in the vicinity of the center of the main surface of the substrate W held on the spin base 10. It is discharged from the discharge nozzle 20 in the vertical direction. The discharge nozzle 20 may be a straight type nozzle that discharges a multiphase flow in a bar shape, or a shower type nozzle that discharges a multiphase flow in a shower shape. Further, the discharge nozzle 20 is not limited to a form in which the discharge is performed in a substantially vertical direction.
A form in which the liquid is ejected in a tilted or substantially horizontal direction may be used.

【0019】また、図1において、配管42からはオゾ
ン水の他、純水または薬液を送給することが可能であ
る。すなわち、純水バルブ54を開放してポンプ55を
作動させることにより純水供給源56から配管42を経
由して混合器30に純水が送給される。また、薬液バル
ブ57を開放してポンプ58を作動させることにより薬
液供給源59から配管42を経由して混合器30に薬液
が送給される。混合器30に純水または薬液が送給され
るときには、オゾン水バルブ50およびオゾンガスバル
ブ60は閉鎖され、混合器30へのオゾンガスおよびオ
ゾン水の供給は停止されている。ただし、処理によって
は適宜これらを混合しても良い。
In FIG. 1, it is possible to supply pure water or a chemical solution from the pipe 42 in addition to ozone water. That is, by opening the pure water valve 54 and operating the pump 55, pure water is supplied from the pure water supply source 56 to the mixer 30 via the pipe 42. By opening the chemical liquid valve 57 and operating the pump 58, the chemical liquid is supplied from the chemical liquid supply source 59 to the mixer 30 via the pipe 42. When pure water or a chemical solution is supplied to the mixer 30, the ozone water valve 50 and the ozone gas valve 60 are closed, and the supply of the ozone gas and the ozone water to the mixer 30 is stopped. However, these may be appropriately mixed depending on the treatment.

【0020】配管42から混合器30に供給された純水
または薬液は、そのまま配管40を流れて吐出ノズル2
0に至り、吐出ノズル20から基板Wに吐出される。基
板Wに純水を吐出するのは、純水によって基板Wの表面
を洗い流すリンス処理を行うためであり、基板Wに薬液
を吐出するのは、基板表面処理を行うためである。換言
すれば、図1の基板洗浄装置においては、オゾン水バル
ブ50およびオゾンガスバルブ60、純水バルブ54並
びに薬液バルブ57の開閉を制御することによって、混
相流による洗浄処理の他にも純水によるリンス処理や薬
液による表面処理を行うことができるのである。
The pure water or the chemical supplied to the mixer 30 from the pipe 42 flows through the pipe 40 as it is, and
0, and the liquid is discharged from the discharge nozzle 20 onto the substrate W. The reason why the pure water is discharged to the substrate W is to perform a rinsing process of washing the surface of the substrate W with the pure water, and the purpose that the chemical solution is discharged to the substrate W is to perform the substrate surface treatment. In other words, in the substrate cleaning apparatus of FIG. 1, by controlling the opening and closing of the ozone water valve 50, the ozone gas valve 60, the pure water valve 54, and the chemical solution valve 57, the cleaning process using the multi-phase flow and the pure water can be used. Rinse treatment and surface treatment with a chemical solution can be performed.

【0021】なお、本実施形態においては、スピンベー
ス10が保持手段に相当し、混合器30が混相流生成手
段に相当し、吐出ノズル20が吐出手段に相当する。
In this embodiment, the spin base 10 corresponds to a holding unit, the mixer 30 corresponds to a multiphase flow generating unit, and the discharge nozzle 20 corresponds to a discharging unit.

【0022】以上のような構成を有する基板洗浄装置に
おいて、混合器30によって生成されたオゾンガス−オ
ゾン水混相流を吐出ノズル20から基板Wの主面に吐出
することにより、基板Wの表面に付着したレジスト等の
有機物を分解・除去することができる。図7は、混相流
によって基板Wの主面を洗浄する様子を模式的に示した
図である。
In the substrate cleaning apparatus having the above-described structure, the ozone gas-ozone water mixed-phase flow generated by the mixer 30 is discharged from the discharge nozzle 20 onto the main surface of the substrate W, thereby adhering to the surface of the substrate W. Organic substances such as the resist can be decomposed and removed. FIG. 7 is a diagram schematically illustrating a state in which the main surface of the substrate W is cleaned by the multiphase flow.

【0023】レジストR等の有機物が付着した基板Wの
表面(つまり、レジストRの上面)に高速の混相流MP
が流れると、オゾン水OWによる酸化分解反応に加えて
混相流MPによるエロージョンが生じる。すなわち、従
来の様に基板Wの表面に単にオゾン水を供給したのみで
は、オゾンによる酸化分解反応のみによってしかレジス
トRの除去が行われないのであるが、オゾン水OWにオ
ゾンガスOGを混合した混相流MPを基板Wの表面に流
すことによって、流体の運動エネルギーによる摩擦圧が
レジストRに加わり、その結果、レジストRの一部が剥
離(図中に符号RPとしている)されるのである。この
ような混相流MPによるエロージョンは、機械的な有機
物の除去であるため、化学的な有機物の除去である酸化
分解反応に比較して除去速度が著しく大きく、基板Wに
付着したレジストR等の有機物を迅速に除去することが
できる。
The high-speed multiphase flow MP is applied to the surface of the substrate W to which the organic substance such as the resist R is attached (that is, the upper surface of the resist R)
Flows, erosion by the multiphase flow MP occurs in addition to the oxidative decomposition reaction by the ozone water OW. That is, if the ozone water is simply supplied to the surface of the substrate W as in the related art, the resist R is removed only by the oxidative decomposition reaction by ozone. However, the mixed phase obtained by mixing the ozone water OW with the ozone gas OG is used. By causing the flow MP to flow on the surface of the substrate W, friction pressure due to the kinetic energy of the fluid is applied to the resist R, and as a result, a part of the resist R is peeled off (designated by RP in the figure). Since such erosion by the multiphase flow MP is mechanical removal of organic substances, the removal rate is remarkably higher than that of the oxidative decomposition reaction which is removal of chemical organic substances, and the resist R and the like adhered to the substrate W are removed. Organic substances can be quickly removed.

【0024】また、本実施形態の基板洗浄装置において
は、混相流MPによるエロージョンに加えて、混相流M
Pを構成するオゾン水OWによる酸化分解反応によって
も基板Wに付着したレジストR等の有機物が除去される
のは勿論である。このときに、従来であれば有機物とオ
ゾン水との界面近傍のオゾンが優先的に消費され、オゾ
ン水による酸化分解反応がオゾンの拡散律速となること
は既述した通りである。これに対して、本実施形態のよ
うにオゾン水OWにオゾンガスOGを混合した混相流M
Pを用いれば、オゾン水OW中には多数のオゾンガスO
Gの気泡が混在しているため、レジストRとオゾン水O
Wとの界面近傍にて消費された溶解オゾンは、その周辺
に気泡として存在しているオゾンガスOGがオゾン水O
Wに溶解することによって直ちに補われる。その結果、
レジストRとオゾン水OWとの界面近傍においても常に
飽和オゾン濃度が維持されることとなり、基板Wに付着
したレジストR等の有機物の除去速度が低下することは
ない。
Further, in the substrate cleaning apparatus of the present embodiment, in addition to the erosion by the multi-phase flow MP, the multi-phase flow M
Needless to say, the organic substances such as the resist R attached to the substrate W are also removed by the oxidative decomposition reaction using the ozone water OW constituting P. At this time, as described above, conventionally, ozone near the interface between the organic matter and the ozone water is preferentially consumed, and the oxidative decomposition reaction by the ozone water is diffusion-limited by ozone as described above. On the other hand, as in the present embodiment, a multiphase flow M in which ozone water OW is mixed with ozone gas OG is used.
If P is used, a large amount of ozone gas O is contained in the ozone water OW.
Since the bubbles of G are mixed, the resist R and the ozone water O
The dissolved ozone consumed near the interface with W is converted from ozone gas OG existing as bubbles around the dissolved ozone water.
It is immediately supplemented by dissolution in W. as a result,
The saturated ozone concentration is always maintained even near the interface between the resist R and the ozone water OW, and the removal rate of the organic substances such as the resist R attached to the substrate W does not decrease.

【0025】また、混相流MPの供給口から見て基板W
上の上流側(基板W上の吐出ノズル20直下)から順に
オゾン水OWに溶解しているオゾンが消費されたとして
も、オゾン水OW中に気泡として混在しているオゾンガ
スOGが濃度の低下したオゾン水OWに溶解することに
よって直ちに溶解オゾンが補われることとなるため、下
流側にも迅速に飽和オゾン水OWが供給されることとな
る。その結果、基板Wの表面全体にほぼ同時に飽和オゾ
ン濃度のオゾン水OWが供給されることとなり、基板W
の表面全体において迅速にレジストR等の有機物が除去
されることとなる。
The substrate W is viewed from the supply port of the multi-phase flow MP.
Even if ozone dissolved in the ozone water OW is consumed in order from the upper upstream side (directly below the discharge nozzle 20 on the substrate W), the concentration of the ozone gas OG mixed as bubbles in the ozone water OW decreases. Since the dissolved ozone is immediately supplemented by being dissolved in the ozone water OW, the saturated ozone water OW is quickly supplied to the downstream side. As a result, ozone water OW having a saturated ozone concentration is supplied almost simultaneously to the entire surface of the substrate W, and the substrate W
Organic substances such as the resist R are quickly removed from the entire surface of the substrate.

【0026】なお、上述のように、ヒータ51を作動さ
せることによって混合器30に送給するオゾン水を加熱
することもできる。このようにした場合は、生成された
混相流MPも高温となっており、オゾン水OWによる有
機物の酸化分解反応が促進されることとなる。その結
果、基板Wに付着したレジストR等の有機物をより迅速
に除去することができる。
As described above, by operating the heater 51, the ozone water supplied to the mixer 30 can be heated. In such a case, the generated multi-phase flow MP is also at a high temperature, and the oxidative decomposition reaction of organic matter by the ozone water OW is promoted. As a result, organic substances such as the resist R attached to the substrate W can be more quickly removed.

【0027】<2.第2実施形態>次に、本発明の第2
実施形態について説明する。図3は、本発明の第2実施
形態の基板洗浄装置の要部構成を示す図である。第2実
施形態の基板洗浄装置も基板にオゾン水−オゾンガス混
相流を吐出することによって基板Wに付着したレジスト
等の有機物等を除去する洗浄装置であり、混相流の吐出
手段として雰囲気遮断板25を用いるとともに、スピン
ベース10と雰囲気遮断板25との間に流体抵抗付与手
段たるラビリンス機構80を設けている。
<2. Second Embodiment> Next, the second embodiment of the present invention
An embodiment will be described. FIG. 3 is a diagram illustrating a main configuration of a substrate cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention. The substrate cleaning apparatus according to the second embodiment is also a cleaning apparatus that removes organic substances such as a resist adhered to the substrate W by discharging an ozone water-ozone gas mixed phase flow onto the substrate. And a labyrinth mechanism 80 as a fluid resistance applying means is provided between the spin base 10 and the atmosphere blocking plate 25.

【0028】基板Wの保持手段たるスピンベース10
は、保持する基板Wの平面サイズよりも大きな平面サイ
ズを有する載置台であり、第1実施形態と同様に、その
上面に立設された複数の保持ピン15によって基板Wの
端縁部を把持することにより1枚の基板Wを略水平姿勢
にて保持する。また、スピンベース10はモータ軸11
を介してモータ(図示省略)と接続され、略水平面内に
て回転可能とされている。
Spin base 10 as holding means for substrate W
Is a mounting table having a plane size larger than the plane size of the substrate W to be held, and similarly to the first embodiment, the edge of the substrate W is gripped by the plurality of holding pins 15 erected on the upper surface thereof. Thus, one substrate W is held in a substantially horizontal posture. In addition, the spin base 10 has a motor shaft 11
Via a motor (not shown), and is rotatable in a substantially horizontal plane.

【0029】雰囲気遮断板25は、スピンベース10に
保持された基板Wを挟んでスピンベース10と対向配置
され、基板Wの平面サイズよりも大きな平面サイズを有
する中空の板状部材である。雰囲気遮断板25は、配管
40を介して混合器30(図1に示したのと同じもの)
と接続されるとともに、その底部には多数の小孔26が
設けられている。混合器30から送給された混相流は雰
囲気遮断板25の内部を流れ、多数の小孔26から基板
Wを保持するスピンベース10と雰囲気遮断板25との
間の空間に吐出される。
The atmosphere shielding plate 25 is a hollow plate-shaped member that is disposed to face the spin base 10 with the substrate W held by the spin base 10 therebetween and has a plane size larger than the plane size of the substrate W. The atmosphere blocking plate 25 is connected to the mixer 30 via the pipe 40 (the same as that shown in FIG. 1).
And a number of small holes 26 are provided at the bottom thereof. The mixed-phase flow sent from the mixer 30 flows inside the atmosphere blocking plate 25, and is discharged from a number of small holes 26 into a space between the spin base 10 holding the substrate W and the atmosphere blocking plate 25.

【0030】ラビリンス機構80は、スピンベース10
に保持された基板Wよりも外周であって、スピンベース
10と雰囲気遮断板25との間に設けられている。ラビ
リンス機構80は、スピンベース10上に設けられた3
つの固定板81と雰囲気遮断板25の下部に設けられた
2つの固定板82とを交互に組み合わせて構成されてい
る。図3に示すように、雰囲気遮断板25とスピンベー
ス10との間の空間は外部空間と連通されているもの
の、ラビリンス機構80が流体の通過を抑制する通過障
害として存在している。すなわち、小孔26からスピン
ベース10と雰囲気遮断板25との間の空間に供給され
た混相流はラビリンス機構80を通過して外部へ流れ出
るのであるが、ラビリンス機構80がその混相流に対す
る流体抵抗となっているのである。なお、流体抵抗とな
り得るものであればラビリンス機構80に代えて、例え
ば細管を構成する形態にしても良い。
The labyrinth mechanism 80 includes the spin base 10
Is provided on the outer periphery of the substrate W held between the spin base 10 and the atmosphere blocking plate 25. The labyrinth mechanism 80 is provided on the spin base 10.
Two fixed plates 81 and two fixed plates 82 provided below the atmosphere shielding plate 25 are alternately combined. As shown in FIG. 3, although the space between the atmosphere blocking plate 25 and the spin base 10 is communicated with the external space, the labyrinth mechanism 80 exists as a passage obstacle that suppresses the passage of the fluid. That is, the multi-phase flow supplied from the small holes 26 to the space between the spin base 10 and the atmosphere blocking plate 25 passes through the labyrinth mechanism 80 and flows out, and the labyrinth mechanism 80 causes the fluid resistance to the multi-phase flow. It is. The labyrinth mechanism 80 may be replaced with a thin tube, for example, as long as it can be a fluid resistance.

【0031】また、第2実施形態においては、混合器3
0に送給するオゾン水をポンプ52によって0.5MP
a程度に加圧し、同じく混合器30に送給するオゾンガ
スをポンプ61によって0.3MPa程度にまで加圧し
ている。これにより混合器30にて生成される混相流は
少なくとも大気圧よりも高圧に加圧される。すなわち、
ポンプ52およびポンプ61は、混相流を少なくとも大
気圧よりも高圧に加圧する加圧手段に相当する。
In the second embodiment, the mixer 3
Ozone water to be fed to the pump 0
The pressure is increased to about a, and the ozone gas to be fed to the mixer 30 is also increased to about 0.3 MPa by the pump 61. Thereby, the mixed phase flow generated in the mixer 30 is pressurized to at least a pressure higher than the atmospheric pressure. That is,
The pump 52 and the pump 61 correspond to a pressurizing unit that pressurizes the multi-phase flow to at least a pressure higher than the atmospheric pressure.

【0032】上記以外の構成(例えば、混合器30)に
ついては第1実施形態と同じであり、その説明は省略す
る。
The configuration other than the above (for example, the mixer 30) is the same as that of the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

【0033】第2実施形態においても、混合器30によ
って生成されたオゾンガス−オゾン水混相流を雰囲気遮
断板25から基板Wの主面に吐出することにより、基板
Wの表面に付着したレジスト等の有機物を分解・除去す
ることができる。このときに、混相流は雰囲気遮断板2
5の小孔26からスピンベース10と雰囲気遮断板25
との間の空間に吐出される。吐出された混相流は基板W
の表面を外周へ向かう方向に流れ、ラビリンス機構80
を通過して外部へと流れ出る。
Also in the second embodiment, the ozone gas / ozone water mixed-phase flow generated by the mixer 30 is discharged from the atmosphere blocking plate 25 to the main surface of the substrate W to remove resist or the like adhering to the surface of the substrate W. Organic substances can be decomposed and removed. At this time, the multi-phase flow is
5 through the small holes 26, the spin base 10 and the atmosphere blocking plate 25.
Is discharged into the space between The discharged multiphase flow is the substrate W
Flows in the direction toward the outer circumference on the surface of the labyrinth mechanism 80
And flows out to the outside.

【0034】第2実施形態においては、上記第1実施形
態と同様のオゾンガス−オゾン水混相流を用いることに
よる効果が得られるのに加えて、ラビリンス機構80が
流体抵抗となるため、ラビリンス機構80から装置外部
に流れ出る混相流の液量よりも雰囲気遮断板25から供
給される混相流の液量の方が一時的に多くなり、スピン
ベース10と雰囲気遮断板25との間の空間には混相流
が満たされた状態となる。そして、雰囲気遮断板25か
らさらに混相流が供給されるとスピンベース10と雰囲
気遮断板25との間の空間に大気圧よりも高い圧力が付
与される。
In the second embodiment, in addition to the effect obtained by using the same ozone gas-ozone water mixed phase flow as in the first embodiment, the labyrinth mechanism 80 has a fluid resistance, so that the labyrinth mechanism 80 The liquid volume of the multi-phase flow supplied from the atmosphere barrier plate 25 is temporarily larger than the liquid volume of the multi-phase flow flowing out of the apparatus from the outside, and the space between the spin base 10 and the atmosphere barrier plate 25 is mixed. The flow is filled. Then, when the multi-phase flow is further supplied from the atmosphere blocking plate 25, a pressure higher than the atmospheric pressure is applied to the space between the spin base 10 and the atmosphere blocking plate 25.

【0035】従って、高圧状態においてはよりオゾンガ
スの溶解度を大きくできるため、スピンベース10と雰
囲気遮断板25との間の空間における混相流中のオゾン
水のオゾン濃度を高くすることができる。よって、第1
実施形態よりも高いオゾン濃度のオゾン水によって酸化
分解反応を行うことができ、基板Wに付着したレジスト
等の有機物をより迅速に除去することができる。
Therefore, the solubility of ozone gas can be increased in a high pressure state, so that the ozone concentration of the ozone water in the multiphase flow in the space between the spin base 10 and the atmosphere blocking plate 25 can be increased. Therefore, the first
The oxidative decomposition reaction can be performed with ozone water having a higher ozone concentration than in the embodiment, and organic substances such as a resist attached to the substrate W can be more quickly removed.

【0036】また、雰囲気遮断板25から吐出される混
相流自体も少なくとも大気圧よりも高圧に加圧されてい
るため、スピンベース10と雰囲気遮断板25との間の
空間において、混相流中のオゾンガスの気泡が膨張しつ
つ、その混相流が基板Wの表面を流れることとなる。こ
のような混相流中のオゾンガスの気泡の膨張によって、
混相流によるエロージョンの作用がより強くなり、基板
Wに付着したレジスト等の有機物をより迅速に除去する
ことができる。
Further, since the multi-phase flow itself discharged from the atmosphere blocking plate 25 is also pressurized to at least a pressure higher than the atmospheric pressure, the space between the spin base 10 and the atmosphere blocking plate 25 causes As the ozone gas bubbles expand, the multiphase flow flows on the surface of the substrate W. Due to the expansion of ozone gas bubbles in such a multiphase flow,
The effect of the erosion due to the multiphase flow becomes stronger, and organic substances such as a resist attached to the substrate W can be more quickly removed.

【0037】<3.第3実施形態>次に、本発明の第3
実施形態について説明する。上述した第1および第2実
施形態においては、基板を1枚ずつ処理するいわゆる枚
葉式の基板洗浄装置であったのに対して、第3実施形態
においては複数の基板を一括して処理するいわゆるバッ
チ式の基板洗浄装置としている。
<3. Third Embodiment> Next, the third embodiment of the present invention
An embodiment will be described. In the above-described first and second embodiments, a so-called single-wafer type substrate cleaning apparatus that processes substrates one by one is used. In the third embodiment, a plurality of substrates are processed collectively. This is a so-called batch type substrate cleaning apparatus.

【0038】図4は、本発明の第3実施形態の基板洗浄
装置の全体構成を示す図である。第3実施形態の基板乾
燥装置は、大別して洗浄処理を行うための洗浄槽70と
その洗浄槽70にオゾンガス−オゾン水混相流を供給す
る機構とにより構成されている。図5は、第3実施形態
の基板乾燥装置を構成する洗浄槽70の側面図である。
FIG. 4 is a view showing the entire configuration of a substrate cleaning apparatus according to a third embodiment of the present invention. The substrate drying apparatus according to the third embodiment includes a cleaning tank 70 for roughly performing a cleaning process, and a mechanism for supplying an ozone gas-ozone water mixed phase flow to the cleaning tank 70. FIG. 5 is a side view of a cleaning tank 70 constituting the substrate drying apparatus according to the third embodiment.

【0039】洗浄槽70の底部内側には吐出手段たる2
本の混相流供給ノズル71が設けられている。2本の混
相流供給ノズル71は、いずれも長手方向を略水平方向
にして配置された中空の円筒形状の部材である。混相流
供給ノズル71には複数の吐出孔71aが形成されてい
る(図5参照)。混相流供給ノズル71には、配管40
を介して混合器30からオゾンガス−オゾン水混相流が
送給される。なお、混相流を供給する機構は、第1実施
形態と同じであって図1と同様の符号を付しており、そ
の説明については省略する。また、混相流供給ノズル7
1は2本に限定されるものではなく、必要に応じて異な
った位置にさらに複数本を追加しても良い。
Inside the bottom of the cleaning tank 70, a discharge means 2 is provided.
A multi-phase flow supply nozzle 71 is provided. Each of the two multi-phase flow supply nozzles 71 is a hollow cylindrical member arranged with its longitudinal direction being substantially horizontal. A plurality of discharge holes 71a are formed in the multi-phase flow supply nozzle 71 (see FIG. 5). The multi-phase flow supply nozzle 71 has a pipe 40
The ozone gas-ozone water mixed phase flow is supplied from the mixer 30 via the. Note that the mechanism for supplying the multiphase flow is the same as that of the first embodiment, and is denoted by the same reference numerals as in FIG. 1, and description thereof will be omitted. Further, the multi-phase flow supply nozzle 7
1 is not limited to two, and a plurality of them may be added at different positions as needed.

【0040】また、第3実施形態においては、複数の基
板Wが保持手段たる3本の保持棒72a、72b、72
cによって保持されている。3本の保持棒72a、72
b、72cのそれぞれには基板Wの外縁部がはまり込ん
で基板Wを起立姿勢にて保持する複数の保持溝が所定間
隔に配列して設けられている。そして、3本の保持棒7
2a、72b、72cは、その長手方向が略水平方向と
なるように(混相流供給ノズル71と平行になるよう
に)リフターアーム73に固設されている。リフターア
ーム73は、図外のリフターに接続されている。このよ
うな構成により、図外のリフターは3本の保持棒72
a、72b、72cによって相互に平行に積層配列され
て保持された複数の基板Wを洗浄槽70に貯留されてい
る液中に浸漬する位置とその液中から引き揚げた位置と
の間で昇降させることができる。なお、複数の基板Wは
略垂直に保持されているがこれに限定されるものではな
く、傾や略水平に保持しても良い。
In the third embodiment, a plurality of substrates W are held by three holding rods 72a, 72b, 72 as holding means.
c. Three holding rods 72a, 72
Each of b and 72c is provided with a plurality of holding grooves arranged at predetermined intervals for holding the substrate W in an upright posture by fitting the outer edge portion of the substrate W. And three holding rods 7
The lifters 2a, 72b, and 72c are fixed to the lifter arm 73 such that their longitudinal directions are substantially horizontal (parallel to the multiphase flow supply nozzle 71). The lifter arm 73 is connected to a lifter (not shown). With such a configuration, a lifter (not shown) is provided with three holding rods 72.
The plurality of substrates W, which are stacked and held in parallel with each other by a, 72b, and 72c, are moved up and down between a position where the substrates W are immersed in the liquid stored in the cleaning tank 70 and a position where the substrates W are pulled up from the liquid. be able to. Although the plurality of substrates W are held substantially vertically, the present invention is not limited to this, and the plurality of substrates W may be held inclined or substantially horizontally.

【0041】以上のような構成を有する第3実施形態の
基板洗浄装置においても、混合器30によって生成され
たオゾンガス−オゾン水混相流を混相流供給ノズル71
から洗浄槽70内の基板Wに吐出することにより、基板
Wの表面に付着したレジスト等の有機物を分解・除去す
ることができる。このときに、混相流は混相流供給ノズ
ル71の複数の吐出孔71aから3本の保持棒72a、
72b、72cによって保持された複数の基板Wのそれ
ぞれの間に吐出され、基板Wの表面を流れることとな
る。
In the substrate cleaning apparatus of the third embodiment having the above-described structure, the ozone gas / ozone water mixed phase flow generated by the mixer 30 is also supplied to the multiphase flow supply nozzle 71.
By discharging to the substrate W in the cleaning tank 70, organic substances such as a resist attached to the surface of the substrate W can be decomposed and removed. At this time, the multi-phase flow is supplied from the plurality of discharge holes 71a of the multi-phase flow supply nozzle 71 to three holding rods 72a,
It is discharged between each of the plurality of substrates W held by 72b and 72c, and flows on the surface of the substrate W.

【0042】このようにしても、第1実施形態と同様の
オゾンガス−オゾン水混相流を用いるのことによる効果
が得られる。すなわち、混相流によるエロージョンの効
果に加えて、酸化分解反応によって消費された溶解オゾ
ンが気泡として存在するオゾンガスによって直ちに補わ
れ、オゾン水中のオゾン濃度を常に飽和濃度に維持する
ことができるという効果が得られる。その結果、基板W
に付着したレジスト等の有機物を迅速に除去することが
できるのは、第1実施形態について述べた通りである。
Also in this case, the same effect can be obtained by using the ozone gas-ozone water mixed phase flow as in the first embodiment. That is, in addition to the effect of erosion due to the multiphase flow, dissolved ozone consumed by the oxidative decomposition reaction is immediately supplemented by the ozone gas present as bubbles, and the effect that the ozone concentration in the ozone water can always be maintained at the saturated concentration. can get. As a result, the substrate W
As described in the first embodiment, it is possible to quickly remove an organic substance such as a resist adhered to the substrate.

【0043】<4.変形例>以上、本発明の実施の形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。例えば、上記の各実施形態においては、
オゾン水供給源53から混合器30に飽和オゾン水を送
給するようにしていたが、これに限らずオゾン水供給源
53から混合器30に溶解度以下(飽和オゾン濃度以
下)のオゾン水を供給し、そのような飽和に満たないオ
ゾン水にオゾンガスを気泡として混合することによって
混相流を生成するようにしても良い。さらに、オゾン水
供給源53に代えて純水供給源56から混合器30に純
水を送給し、純水にオゾンガスを混合(オゾンガスの一
部は純水中に溶解してオゾン水となる)することによっ
て混相流を生成するようにしても良い。もっとも、上記
各実施形態のように、飽和オゾン水中にオゾンガスを混
合させた方が、容易に混相流を生成することができると
ともに、基板W上の有機物分解速度も高いものにするこ
とができる。
<4. Modifications> While the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described examples. For example, in each of the above embodiments,
Saturated ozone water was supplied from the ozone water supply source 53 to the mixer 30. However, the present invention is not limited to this. Ozone water having a solubility (saturation ozone concentration or less) is supplied from the ozone water supply source 53 to the mixer 30. Alternatively, a multi-phase flow may be generated by mixing ozone water as bubbles into such ozone water that is less than saturated. Further, pure water is supplied from the pure water supply source 56 to the mixer 30 in place of the ozone water supply source 53, and the pure water is mixed with ozone gas (part of the ozone gas is dissolved in the pure water to become ozone water). ) To generate a multiphase flow. However, when the ozone gas is mixed with the saturated ozone water as in each of the above-described embodiments, the multi-phase flow can be easily generated and the organic matter decomposition rate on the substrate W can be increased.

【0044】また、上記各実施形態においては、混合器
30にエジェクタタイプのもの(図2)を用いていた
が、これに限定されるものではなく、例えば図6に示す
ようなものとしても良い。図6においては、オゾンガス
が送給される配管41とオゾン水が送給される配管42
との接続部にエアシリンダ90が設けられている。エア
シリンダ90のピストン91が下降している状態におい
ては、配管41と配管42とが遮断され、オゾンガスが
オゾン水中に混合することはない。一方、ピストン91
が上昇している状態においては、配管41と配管42と
が連通され、オゾンガスがオゾン水中に混入する。但
し、このような単純な混合方式では、エジェクタタイプ
のようにオゾン水中に微細なオゾンガスの気泡を均一に
混合させることは困難であり、その結果混相流によるエ
ロージョン等の効果が低下する。そこで、図6において
は、再混合手段として配管42中に複数の球体の充填物
92を設けるようにしている。オゾンガスを混入したオ
ゾン水がこのような複数の球体充填物92を通過するこ
とによって再混合され、オゾンガスが微細な気泡として
均一にオゾン水中に分散することとなり、その結果エジ
ェクタタイプによるのと同様のオゾン水中に微細なオゾ
ンガスの気泡が均一に混合した混相流を得ることができ
るのである。なお、再混合手段としては、球体の充填物
の他、回転翼タイプのもの、固定翼タイプのもの、或い
は板をねじれさせたものを適用することができる。
In each of the above embodiments, an ejector type mixer (FIG. 2) is used as the mixer 30. However, the present invention is not limited to this. For example, a mixer as shown in FIG. 6 may be used. . In FIG. 6, a pipe 41 to which ozone gas is supplied and a pipe 42 to which ozone water is supplied.
An air cylinder 90 is provided at a connection portion with the air cylinder 90. When the piston 91 of the air cylinder 90 is lowered, the pipe 41 and the pipe 42 are shut off, and the ozone gas does not mix with the ozone water. On the other hand, the piston 91
When the pressure is rising, the pipe 41 and the pipe 42 are communicated, and the ozone gas is mixed into the ozone water. However, with such a simple mixing method, it is difficult to uniformly mix fine ozone gas bubbles in ozone water as in an ejector type, and as a result, the effect of erosion or the like due to a multiphase flow is reduced. Therefore, in FIG. 6, a plurality of spherical fillers 92 are provided in the pipe 42 as remixing means. The ozone water mixed with the ozone gas is remixed by passing through such a plurality of spherical packings 92, and the ozone gas is uniformly dispersed as fine bubbles in the ozone water, and as a result, similar to the ejector type, It is possible to obtain a multiphase flow in which fine ozone gas bubbles are uniformly mixed in ozone water. As the remixing means, in addition to the spherical filler, a rotating blade type, a fixed blade type, or a twisted plate can be used.

【0045】また、混合器30としては、上記以外に
も、噴霧ノズルタイプ等を採用することができ、オゾン
水中にオゾンガスを無数の微細な気泡として均一に混合
することによって混相流を得ることができるものであれ
ば良い。
In addition, other than the above, a spray nozzle type or the like can be used as the mixer 30, and a multi-phase flow can be obtained by uniformly mixing ozone gas as innumerable fine bubbles in ozone water. Anything can be used.

【0046】[0046]

【発明の効果】以上、説明したように、請求項1の発明
によれば、オゾン水とオゾンガスとからなる混相流を基
板に吐出しているため、混相流によるエロージョンが生
じるとともに、消費された溶解オゾンがオゾンガスによ
って直ちに補充されることとなってオゾン水のオゾン濃
度が高く維持されるため、基板に付着した有機物を迅速
に除去することができる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, since the multiphase flow composed of the ozone water and the ozone gas is discharged to the substrate, the erosion due to the multiphase flow occurs and is consumed. Since the dissolved ozone is immediately replenished with the ozone gas and the ozone concentration of the ozone water is maintained at a high level, the organic substances attached to the substrate can be quickly removed.

【0047】また、請求項2の発明によれば、流体の通
過を抑制する流体抵抗付与手段を設けているため、オゾ
ン水のオゾン濃度を高くすることができるとともに、オ
ゾンガスの膨張によりエロージョンの作用を強化するこ
とができ、基板に付着した有機物をより迅速に除去する
ことができる。
According to the second aspect of the present invention, since the fluid resistance imparting means for suppressing the passage of the fluid is provided, the ozone concentration of the ozone water can be increased, and the action of the erosion due to the expansion of the ozone gas. And organic substances attached to the substrate can be more quickly removed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施形態の基板洗浄装置の全体構
成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of a substrate cleaning apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の基板洗浄装置の混合器の内部における混
相流生成を説明するための断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating generation of a multiphase flow inside a mixer of the substrate cleaning apparatus of FIG. 1;

【図3】本発明の第2実施形態の基板洗浄装置の要部構
成を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a main configuration of a substrate cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3実施形態の基板洗浄装置の全体構
成を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating an overall configuration of a substrate cleaning apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図5】図4の基板洗浄装置の洗浄槽の側面図である。FIG. 5 is a side view of a cleaning tank of the substrate cleaning apparatus of FIG.

【図6】混合器の他の例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing another example of the mixer.

【図7】混相流によって基板の主面を洗浄する様子を模
式的に示した図である。
FIG. 7 is a diagram schematically showing a state in which a main surface of a substrate is cleaned by a multiphase flow.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 スピンベース 20 吐出ノズル 25 雰囲気遮断板 30 混合器 52、61 ポンプ 71 混相流供給ノズル 72a、72b、72c 保持棒 80 ラビリンス機構 W 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Spin base 20 Discharge nozzle 25 Atmosphere shut-off plate 30 Mixer 52, 61 Pump 71 Multi-phase flow supply nozzle 72a, 72b, 72c Holding rod 80 Labyrinth mechanism W Substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/304 642 H01L 21/304 642F 643 643A 647 647Z Fターム(参考) 2H088 FA21 FA30 MA20 2H090 HC18 JB02 JC19 3B201 AA02 AA03 AB34 AB42 AB44 BB02 BB03 BB33 BB38 BB62 BB88 BB90 CD31 4K053 PA17 QA04 RA07 RA13 SA09 XA07 XA21 XA22 XA31 YA04──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/304 642 H01L 21/304 642F 643 643A 647 647Z F-term (reference) 2H088 FA21 FA30 MA20 2H090 HC18 JB02 JC19 3B201 AA02 AA03 AB34 AB42 AB44 BB02 BB03 BB33 BB38 BB62 BB88 BB90 CD31 4K053 PA17 QA04 RA07 RA13 SA09 XA07 XA21 XA22 XA31 YA04

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板表面の洗浄処理を行う基板洗浄装置
であって、 基板を保持する保持手段と、 オゾン水または純水にオゾンガスを混合することによっ
てオゾン水とオゾンガスとからなる混相流を生成する混
相流生成手段と、 前記混相流生成手段によって生成された混相流を前記保
持手段に保持された基板に吐出する吐出手段と、を備え
ることを特徴とする基板洗浄装置。
1. A substrate cleaning apparatus for performing a cleaning process on a substrate surface, comprising: holding means for holding the substrate; and mixing ozone gas with ozone water or pure water to generate a multiphase flow composed of ozone water and ozone gas. A substrate cleaning apparatus, comprising: a multi-phase flow generating unit configured to generate a multi-phase flow generated by the multi-phase flow generating unit;
【請求項2】 請求項1記載の基板洗浄装置において、 前記混相流を少なくとも大気圧よりも高圧に加圧する加
圧手段をさらに備え、前記保持手段は、保持する基板の
平面サイズよりも大きな平面サイズを有する載置台であ
り、 前記吐出手段は、前記載置台に保持された基板を挟んで
前記載置台と対向配置され、前記基板の平面サイズより
も大きな平面サイズを有する雰囲気遮断板を含むととも
に、基板を保持する前記載置台と前記雰囲気遮断板との
間に前記混相流を吐出し、 前記載置台に保持された基板よりも外周であって、前記
載置台と前記雰囲気遮断板との間に流体の通過を抑制す
る流体抵抗付与手段を設けることを特徴とする基板洗浄
装置。
2. The substrate cleaning apparatus according to claim 1, further comprising a pressurizing unit configured to pressurize the mixed phase flow to at least a pressure higher than the atmospheric pressure, wherein the holding unit has a plane larger than a plane size of the substrate to be held. A mounting table having a size, wherein the discharge unit includes an atmosphere blocking plate that is disposed to face the mounting table with the substrate held by the mounting table therebetween and has a plane size larger than the plane size of the substrate. Discharging the mixed-phase flow between the mounting table and the atmosphere shielding plate, wherein the multi-phase flow is discharged between the mounting table and the atmosphere shielding plate, and between the mounting table and the atmosphere shielding plate. A substrate cleaning apparatus, further comprising a fluid resistance applying means for suppressing passage of a fluid.
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