JP2001268899A - 電源制御装置、電源回路及び電源制御方法並びに電子機器 - Google Patents
電源制御装置、電源回路及び電源制御方法並びに電子機器Info
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Abstract
により負荷に供給する電流を制御する電源制御装置、電
源回路及び電源制御方法並びに電子機器に関し、安価
で、省スペース化が可能であり、さらに、電力損失を低
減できる電源制御装置、電源回路及び電源制御方法並び
に電子機器を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明は、スイッチング素子がオン状態
であることを検出し、スイッチング素子がオン状態であ
ることが検出されたときに、スイッチング素子に流れる
電流に応じてスイッチング素子に発生する電圧を検出
し、スイッチング素子に発生する検出電圧に応じてスイ
ッチング素子を制御して、出力電圧を制御する。
Description
回路及び電源制御方法並びに電子機器に係り、特に、電
源と負荷との間に配置されたトランジスタにより負荷に
供給する電流を制御する電源制御装置、電源回路及び電
源制御方法並びに電子機器に関する。
携帯型の電子機器は、電池を電源として動作する。この
ため、電池での装置稼働時間が重要な要素である。
電池の電圧で駆動するわけではない。よって、電池の電
圧を内部回路に対応した電圧に変換する電源回路が内蔵
されている。
自身の消費電力を減らすことは勿論のこと、電源回路の
効率が重要な要素である。電源回路の効率はそのまま電
池の電力を浪費することになるからである。
同期整流方式の直流(DC)−直流(DC)コンバータ
が主流であり、従来型のDC−DCコンバータに比して
約10%程度の変換効率の向上が見込める。
速度は年々向上しそれに伴って消費電力の増大も激し
い。装置の消費電力の増大を極力抑えるために使用する
電圧も年々低下し、DC−DCコンバータの出力は、低
電圧、大電流化している。
ともない、負荷短絡や過負荷時のDC−DCコンバータ
の保護は重要な過大である。DC−DCコンバータの負
荷短絡や過負荷に対する保護方式としては、DC−DC
コンバータの出力電流を監視して出力電流の最大値を制
限する定電流制御方式や過電流を検出したらDC−DC
コンバータを緊急停止させる過電流保護回路方式があ
る。
目的として出力電流を監視するには、DC−DCコンバ
ータの出力回路に電流センス抵抗を設け、電流センス抵
抗を流れる電流により発生する電圧を監視するのが最も
簡単な方法として用いられている。
置の電源として電池が用いられる。一般的に電池の電圧
は放電が進むに従って低下していくため、電子機器内部
で使用する電圧を一定に保つためにDC−DCコンバー
タにより電池出力の定電圧化を計っている。
半導体デバイス、記憶装置、表示装置まで様々な装置が
搭載される。これらの装置は、それぞれが異なった電圧
で動作している。例えば、HDD、CD−ROM、DV
D等の装置は5.0Vで動作し、メモリや周辺制御回路
用の半導体デバイスは3.3Vで動作する。更にCPU
では0.9V〜2.0Vと言う様に色々な電圧で動作す
る。
部電源又は、内蔵の電池から供給される。このうち、電
池は放電に従って電圧が低下するので定電圧を維持する
為や様々な異なる要求電圧に対応するために、装置内部
で使用する各種電圧はDC−DCコンバータによって作
成される。
合その効率の良さからスイッチングレギュレータ方式が
用いられている。
と負荷との間にトランジスタを設け、このトランジスタ
をスイッチング制御することにより出力電圧を制御する
方法が取られている。このとき、負荷への電流を検出す
るために、トランジスタと負荷との間に電流センス抵抗
が直列に接続されている。この電流センス抵抗には、負
荷に供給される電流が流れる。このため、電流センス抵
抗には、負荷に供給される電流に応じた電圧が発生す
る。よって、電流センス抵抗に印加される電圧を検出す
ることにより、負荷に供給される電流を検出し、過電流
保護などの制御を行なっている。
図を示す。
では、小型軽量化のため外部でACアダプタ2により商
用交流電源3を直流電源に変換し、駆動電源として用い
るのが一般的である。電子機器1には、ACアダプタ2
からの直流電源を内部装置4−1〜4−nに供給するた
めに、電池ユニット5、充電器6、ダイオードD11,D
12、DC-DCコンバータ7−1〜7−3が設けられて
いる。
て用いられる。充電器6は、ACアダプタ2から外部電
源により電池ユニット5を充電する。
Cアダプタ2側に電力が供給されるのを防止する。ダイ
オードD2は、ノートパソコンにACアダプタ等の外部
電源が接続されているときに、ACアダプタ2からの電
圧が電池ユニット5に直接印加されるのを防止する。
プタ2又は電池ユニット5からの直流電圧を内部装置4
−1の要求する直流電圧に変換して供給する。DC−D
Cコンバータ7−2は、ACアダプタ2又は電池ユニッ
ト5からの直流電圧を内部装置4−2の要求する直流電
圧に変換して供給する。DC−DCコンバータ7−3
は、ACアダプタ2又は電池ユニット5からの直流電圧
を内部装置4−3の要求する直流電圧に変換して供給す
る。
のブロック構成図を示す。
それぞれ、電源制御IC10、メインスイッチング用ト
ランジスタTr1、同期整流用トランジスタTr2、ダ
イオードD1、D2、チョークコイルL1、平滑用コン
デンサC1、逆流防止用コンデンサC2、電流センス抵
抗R1から構成される。
れる。入力端子Tinは、電源制御IC10の電源端子T
vin 及びメインスイッチング用トランジスタTr1のド
レインに接続される。
は、nチャネルMOSFET(Metal−Oxide
−Semiconductor Field Effe
ctTransistor) から構成される。メイン
スイッチング用トランジスタTr1は、ドレインが入力
端子Tin に接続され、ソースがチョークコイルL1及
び電流センス抵抗R1を介して出力端子Tout に接続さ
れ、ゲートが電源制御IC10の端子Tdhに接続され
る。メインスイッチング用トランジスタTr1は、 電
源制御IC10の端子Tdhからのパルスに応じてスイッ
チングされる。
の出力電流は、チョークコイルL1に供給される。チョ
ークコイルL1は、同期整流用トランジスタTr2、ダ
イオードD2とともに、整流回路を構成しており、メイ
ンスイッチング用トランジスタTr1からのパルス状の
出力電流を整流する。
カソードがチョークコイルL1に接続される。ダイオー
ドD2は、フライホイールダイオードであり、メインス
イッチング用トランジスタTr1がオフのときに、順方
向電流をチョークコイルL1に供給し、メインスイッチ
ング用トランジスタTr1がオフのときには、逆方向電
圧が印加され、オフする。
ネルMOSFET(Metal−Oxide−Semi
conductor Field Effect Tr
ansistor) から構成される。同期整流用トラ
ンジスタTr2は、ドレインがメインスイッチング用ト
ランジスタTr1のソースに接続され、ソースが接地さ
れ、ゲートが電源制御IC10の端子dlに接続される。
同期整流用トランジスタTr2は、電源制御IC10に
よりメインスイッチング用トランジスタTr1がオンと
きにオフし、メインスイッチング用トランジスタTr1
がオフのときにオンするように制御される。同期整流用
トランジスタTr2は、ダイオードD2に順方向電流が
流れるときに、オンして、ダイオードD2の順方向電圧
による電圧降下を低減させる。
期整流用トランジスタTr2により整流された電流は、
電流センス抵抗R1を介して出力端子Tout に供給され
る。なお、チョークコイルL1と電流センス抵抗R1と
の接続点は、電源制御IC10の端子Tcsに接続され
る。
子Tfbに接続されるとともに、コンデンサC1を介して
接地に接続される。平滑用コンデンサC1は、チョーク
コイルL1から電流センス抵抗R1を介して供給された
電流を平滑化する。
駆動電源端子Tvgが接続される。駆動電源端子Tvgに
は、ゲート駆動電圧VGが印加される。電源制御IC1
0の端子Tcbは、逆流防止用ダイオードD2とコンデン
サC2との接続点に接続される。逆流防止用ダイオード
D2は、アノードが駆動電源端子Tvgに接続され、カソ
ードがコンデンサC2に接続される。逆流防止用ダイオ
ードD2は、コンデンサC2により端子Tbcが昇圧され
たときに、端子Tvg側への電流の逆流を防止する。コン
デンサC2は、一端がダイオードD2のカソードと端子
Tbcとの接続点に接続され、他端がメインスイッチング
用トランジスタTr1のソース、トランジスタTr2の
ドレイン、ダイオードD1のカソード、チョークコイル
L1の一端との接続点に接続される。
る。
の電源制御ICのブロック構成図を示す。
ーアンプ12、13、三角波発振器14、PWM(Pu
lse Width Modulation)比較器1
5、ドライブアンプ16、17、基準電圧源18、1
9、抵抗R2、R3から構成される。
Tcsに接続され、反転入力端子が端子Tfbに接続され、
端子Tcsと端子Tfbとの電位差に応じた差動信号を出力
する。端子Tcs及び端子Tfbは、電源制御IC10の外
部で、電流センス抵抗R1の両端に接続されている。こ
のため、差動アンプ11の差動信号は、電流センス抵抗
R1に流れる電流に応じた信号となる。
アンプ12の反転入力端子に供給される。エラーアンプ
12の非反転入力端子には、基準電圧源18から基準電
圧e2が印加される。エラーアンプ12は、差動アンプ
11の出力差動信号と基準電圧e2との差に応じた信号
を出力する。エラーアンプ12の出力は、基準電圧e2
から差動アンプ11からの出力差動信号レベルを減算し
た値が出力される。すなわち、エラーアンプ12の出力
は、電流センス抵抗R1に流れる電流が大きいときに小
さくなり、小さいときに大きくなる。なお、エラーアン
プ12の出力信号は、PWM比較器15の非反転入力端
子に供給される。
R1、R2の分圧電圧が供給され、反転入力端子に基準
電圧源19から基準電圧e1が供給される。抵抗R2、
R3は、端子Tfbと端子Tgndとの間に直列に接続さ
れ、端子Tfbに印加される電圧を分圧する。端子Tfb
は、電源制御IC10の外部で、出力端子Toutに接続
されている。よって、抵抗R2、R3は、出力電圧Vou
tを分圧し、エラーアンプ13に供給する。
基準電圧e1から抵抗R2と抵抗R3とで分圧された分
圧電圧を減算した値を出力する。エラーアンプ13の出
力は、出力端子Toutからの出力電圧Voutが小さいとき
に大きくなり、大きいときに小さくなる。エラーアンプ
13の出力は、PWM比較器15の非反転入力端子に供
給される。
角波発振器14から三角波信号が供給される。PWM比
較器15は、エラーアンプ12、13からの信号と三角
波信号とを比較し、その大小に応じたパルスを出力す
る。PWM比較器15は、エラーアンプ12、13の出
力のうち小さい方の出力と三角波発振器2の出力三角波
とを比較して、エラーアンプ12、13の出力のうち小
さい方の出力が三角波より小さくときにハイレベル、大
きいときにローレベルとなるパルスを出力する。
御時の動作波形図、図5に従来の電源制御ICの一例の
電流制御時の動作波形図を示す。図4、図5において
(A)はエラーアンプ12,13、及び三角波発振器1
4の出力波形、(B)はPWM比較器15の出力波形を
示す。
Voutが大きいときには、図4(A)に示すようにエラ
ーアンプ13の出力と三角波とが比較される。PWM比
較器15の出力パルスは、図4(B)に示すようにエラ
ーアンプ13の出力に応じてハイレベルとローレベルと
のデューティー比が変化する。PWM比較器15の出力
パルスのハイレベルとローレベルとのデューティー比
は、出力電圧Voutが大きくなると、ハイレベルのパル
ス幅が小さくなり、ローレベルのパルス幅が大きくな
り、出力電圧Voutが小さくなると、ハイレベルのパル
ス幅が大きく、ローレベルのパルス幅が小さくなる。
Ioutが大きいときには、図5(A)に示すようにエラ
ーアンプ12の出力と三角波とが比較される。PWM比
較器15の出力パルスは、図5(B)に示すようにエラ
ーアンプ12の出力に応じてハイレベルとローレベルと
のデューティー比が変化する。PWM比較器15の出力
パルスのハイレベルとローレベルとのデューティー比
は、出力電流Ioutが大きくなると、ハイレベルのパル
ス幅が小さくなり、ローレベルのパルス幅が大きくな
り、出力電流Ioutが小さくなると、ハイレベルのパル
ス幅が大きく、ローレベルのパルス幅が小さくなる。
ブアンプ16に供給する。ドライブアンプ16は、端子
Tcb及び端子Tvlに接続されており、端子Tcbと端子T
vlとの電位差に応じて駆動され、出力パルスからメイン
スイッチング用トランジスタTr1を駆動するための駆
動信号を生成する。ドライブアンプ16の出力は、端子
Tdhから出力される。電源制御IC10の端子Tdhは、
メインスイッチング用トランジスタTr1のゲートに接
続される。メインスイッチング用トランジスタTr1の
ゲートには、端子Tdhから出力パルスに応じたパルスが
供給される。
は、端子Tdhからのパルスがハイレベルのときにオン
し、ローレベルのときにオフする。
力パルスを反転した反転出力パルスを出力する。反転出
力パルスは、ドライブアンプ17に供給される。ドライ
ブアンプ17は、端子Tvbに接続されており、端子Tvb
に供給される駆動電圧VGにより駆動され、反転出力パ
ルスから同期整流用トランジスタTr2を駆動するため
の駆動信号を生成する。ドライブアンプ17の出力は、
電源制御IC10の端子Tdlから出力される。電源制御
IC10の端子Tdlは、同期整流用トランジスタTr2
のゲートに接続される。同期整流用トランジスタTr2
のゲートには、端子Tdlから反転出力パルスに応じたパ
ルスが供給される。同期整流用トランジスタTr2は、
端子Tdlからのパルスがハイレベルのときにオンし、ロ
ーレベルのときにオフする。
のゲートに供給されるパルスは、メインスイッチング用
トランジスタTr1のゲートに供給されるパルスと、同
期整流用トランジスタTr2のゲートに供給されるパル
スを反転したものとなるので、メインスイッチング用ト
ランジスタTr1がオンの時には同期整流用トランジス
タTr2はオフし、メインスイッチング用トランジスタ
Tr1がオフの時には同期整流用トランジスタTr2は
オンする。
tは、メインスイッチング用トランジスタTr1のオン
期間をTon、オフ期間をToff、(Ton+Toff)=T0
とすると、 Vout={Ton/(Ton+Toff)}×Vin=(Ton/T
0)×Vin で表される。
outとすると、 Iin=(Ton/T0)×Iout で表される。
IC10によりスイッチング用トランジスタTr1のオ
ンとオフのディーティー比を制御することにより、出力
電圧Vout、出力電流Ioutを一定に制御できる。
Voutと出力電流Ioutとを測定して、いずれか大きい方
の測定結果により、メインスイッチング用トランジスタ
Tr1及び同期整流用トランジスタTr2を制御した
が、通常は出力電圧Voutにより制御していおき、過電
流状態になったときに電流制御を行なう電源制御ICが
提案されている。
ロック構成図を示す。同図中、図3と同一構成部分には
同一符号を付し、その説明は省略する。
誤差アンプ12、基準電源18に代えて比較器22、基
準電源23、フリップフロップ24、ORゲート25、
ANDゲート26を設けた構成とされている。
に接続され、反転端子が基準電源23を介して端子Tfb
に接続されている。基準電源23は、基準電圧e11を発
生する。比較器22は、電流センス抵抗R1の両端の電
圧が基準電圧e11より大きいときにハイレベルとなり、
小さいときにローレベルとなる信号を出力する。フリッ
プフロップ24は、RSフリップフロップを構成してお
り、セット端子Sには比較器22の出力が供給され、リ
セット端子Rには三角波発振器14の出力三角波が供給
される。
力がハイレベルとなるとセットされ、三角波発振器14
からの三角波が所定のレベルに達するとリセットされ
る。フリップフロップ24は、一旦セットされるとリセ
ットされるまでハイレベルを出力する。フリップフロッ
プ24は、非反転出力Q及び反転出力*Qを出力する。
非反転出力QはORゲート25に供給され、反転出力*
QはANDゲート26に供給される。
4の非反転出力Q及びPWM比較器15の反転出力が供
給される。ORゲート25は、フリップフロップ24の
非反転出力QとPWM比較器15の反転出力とのOR論
理を出力する。ORゲート25の出力論理は、ドライバ
アンプ17に供給される。
24の反転出力*Q及びPWM比較器15の非反転出力
が供給される。ANDゲート26は、フリップフロップ
24の反転出力*QとPWM比較器15の非反転出力と
のAND論理を出力する。ANDゲート26の出力論理
は、ドライバアンプ16に供給される。
が基準電圧e11以上になると、フリップフロップ24が
セットされる。フリップフロップ24がセットされる
と、フリップフロップ24の非反転出力はハイレベルに
なり、反転出力はローレベルになる。
レベルになると、ORゲート25の出力はPWM比較器
15の反転出力によらずにハイレベルとなる。このた
め、端子Tdlの出力は、ハイレベルを維持する。端子T
dlの出力がハイレベルになると、同期整流用トランジス
タTr2はオン状態に維持される。
ローレベルになることにより、ANDゲート26の出力
はPWM比較器15の非反転出力によらずにローレベル
になる。このため、端子Tdhの出力は、ローレベルを維
持する。端子Tdhの出力がローレベルに維持されると、
メインスイッチング用トランジスタTr1はオフ状態に
維持される。以上により、出力電流Ioutが制限され、
過電流保護が行なわれる。
4の出力が所定のレベルになると、リセットされる。リ
セット時に過電流状態が解消されていれば、フリップフ
ロップ24は、リセット状態に維持され、通常の電圧制
御が行なわれる。また、リセット時に過電流状態が解消
されていなければ、フリップフロップ24は再びセット
され、メインスイッチング用トランジスタTr1のオフ
状態が維持され、過電流保護が継続される。
イッチング用トランジスタTr1をオフし、過電流が解
除されると電圧制御が行なわれるように構成されている
が、過電流時にメインスイッチング用トランジスタTr
1をオフさせた後は過電流が解除されても電源が再投入
されるまでメインスイッチング用トランジスタTr1を
オフさせたままの状態に維持するようにしてもよい。
成図を示す。同図中、図6と同一構成部分には同一符号
を付し、その説明は省略する。
三角波でフリップフロップ24をリセットしないように
している。
おいては、電流センス抵抗は、メインスイッチングトラ
ンジスタと負荷との間に直列に接続されていたため、電
流センス抵抗により電力損失が発生していた。電流セン
ス抵抗による電力損失は、出力電流の大電流化にともな
い増大する。
さくするためには、電流センス抵抗を小さくすればよ
い。しかし、電流センス抵抗を小さい抵抗値の抵抗にし
たとしても電流センス抵抗による電力損失を完全になく
すことはできない。また、抵抗値の小さい抵抗は、高価
である。さらに、電流センス抵抗は、通常ディスクリー
ト部品によって構成されるため、その物理的にスペース
をとるなどの問題点があった。
で、安価で、省スペース化が可能であり、さらに、電力
損失を低減できる電源制御装置、電源回路及び電源制御
方法並びに電子機器を提供することを目的とする。
素子がオン状態であることを検出し、スイッチング素子
がオン状態であることが検出されたときに、スイッチン
グ素子に流れる電流に応じてスイッチング素子に発生す
る電圧を検出し、スイッチング素子に発生する検出電圧
に応じてスイッチング素子を制御して、出力電圧を制御
する。
するための制御信号により、スイッチング素子がオン状
態であることを検出する。あるいは、スイッチング素子
のゲート−ソース間電圧と所定電圧との大小に応じてス
イッチング素子のオン状態を検出するようにしてもよ
い。さらに、出力電圧と所定の電圧との電位差を検出
し、電位差と所定の電圧との大小に応じてスイッチング
素子のオン状態を検出するようにしてもよい。
抵抗を用いて出力電流を検出できるので、電流センス抵
抗が不要となり、電流センス抵抗による電力消費をなく
すことができるため、省電力化、コスト低下を実現でき
る。
電圧に基づいて設定可能とする。
によりオン状態を検出するための電圧を適正な値に設定
でき、スイッチング素子が確実にオンしたことを検出で
きる。
DCコンバータのブロック構成図を示す。同図中、図2
と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略す
る。
は、例えば、図1の電子機器1に内蔵されるDC−DC
コンバータ7−1〜7−3として用いられる。DC−D
Cコンバータ100は、電流センス抵抗R1をメインス
イッチング用トランジスタTr1のオン抵抗で構成す
る。本実施例のDC−DCコンバータ100は、電流セ
ンス抵抗R1を削除し、抵抗R4を設けるとともに、電
源制御IC110の構成が図3に示される電源制御IC
10とは相違する。
御IC10の端子Tcsに代えて端子Tilが設けられる。
抵抗R4は、電源制御IC110の端子Tilと入力端子
Tvin との間に設けられる。
ブロック構成図を示す。図6と同一構成部分には同一符
号を付し、その説明は省略する。
22、基準電源23に代えて比較器121、122、A
NDゲート123、基準電源124、定電流源125が
設けられる。
dhに接続され、反転入力端子が基準電源124を介して
端子Tvlに供給される。比較器121は、メインスイッ
チング用トランジスタTr1のゲート−ドレイン間電圧
が基準電源124の基準電圧e21より大きいとハイレベ
ル、小さいとローレベルとなる信号を出力する。比較器
121の比較結果によりメインスイッチング用トランジ
スタTr1がオン状態か、オフ状態かを判定できる。
ilに接続され、反転入力端子が端子Tvlに接続される。
また、端子Tilと接地との間には定電流源125が接続
される。定電流源125は、抵抗R4から電流を引き込
み、抵抗R4に基準電圧e31を発生させる。比較器12
2は、メインスイッチング用トランジスタTr1のソー
ス−ドレイン間電圧が基準電圧e31以上のときにハイレ
ベルとなり、基準電圧e31以下のときにローレベルとな
る信号を出力する。比較器122の比較結果により出力
電流を判定できる。
21の出力及びコンパレータ122の出力が供給され
る。ANDゲート123は、コンパレータ121の出力
とコンパレータ122の出力とのAND論理をとる。
ロップ24のセット端子に供給される。フリップフロッ
プ24は、コンパレータ121の出力がハイレベル、す
なわち、メインスイッチング用トランジスタTr1がオ
ン状態であり、かつ、コンパレータ122の出力がハイ
レベル、すなわち、メインスイッチング用トランジスタ
Tr1のソース−ドレインに流れる電流が所定値より大
きいときに、セットされる。
の動作説明図を示す。図10(A)はエラーアンプ13
の出力及び三角波発振器14の出力三角波、図10
(B)はメインスイッチング用トランジスタTr1のゲ
ート−ソース間電圧Vgs、図10(C)はメインスイッ
チング用トランジスタTr1のソース−ドレイン間抵抗
SDrの状態を示す。
がエラーアンプ13の出力より小さくなると、PWM比
較器15の出力がハイレベルになる。PWM比較器15
がハイレベルになるとドライブアンプ16の出力もハイ
レベルになる。ドライブアンプ16の出力がハイレベル
になる。ドライブアンプ16の出力は、端子Tdhを介し
てメインスイッチング用トランジスタTr1のゲートに
供給される。
のゲートがハイレベルになると、メインスイッチング用
トランジスタTr1のゲート−ソース間電圧Vgsが図1
0(B)に示すように立ち上がる。メインスイッチング
用トランジスタTr1のゲート−ソース間電圧Vgsが図
10(B)に示すように立ち上がると同時にメインスイ
ッチング用トランジスタTr1がオンしてソースドレイ
ン間抵抗SDr が図10(C)に示すように低下する。
ース間電圧VGSがオン電圧Vonに達すると図10(C)
に示すようにメインスイッチング用トランジスタTr1
のソース−ドレイン間抵抗SDrが最小になる。よっ
て、基準電源124の基準電圧e21をオン電圧Von以上
に設定しておくことによりメインスイッチング用トラン
ジスタTr1のオン状態を確実に検出できる。よって、
常に一定の抵抗値で電流値を検出できるようになる。
トランジスタTr1が確実にオン状態であるときに、メ
インスイッチング用トランジスタTr1のオン抵抗を用
いてメインスイッチング用トランジスタTr1に流れる
電流を検出して過電流状態を検出できる。よって、電流
センス抵抗が不要となり、余分な電流消費を防止でき
る。
メインスイッチング用トランジスタTr1のオン状態を
検出するために基準電圧源124を用いたが、基準電圧
源124に代えてメインスイッチング用トランジスタT
r1のソース−ドレイン間電圧の分圧電圧を用いてもよ
い。
の第1変形例のブロック構成図を示す。同図中、図9と
同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略す
る。
示される電源制御IC110の基準電源124に代えて
抵抗R5、R6を端子Tcbと端子Tvlとの間に直列に接
続し、抵抗R5と抵抗R6との接続点を比較器121の
反転入力端子に接続する。
続された端子Tcbの電圧を抵抗R5、R6で分圧して用
いることにより、外部電源端子Tvgに印加される電圧V
Gを可変することにより、オン状態を検出電圧を可変す
ることができる。
の第2変形例のブロック構成図を示す。同図中、図9と
同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略す
る。
121の非反転入力端子をエラーアンプ13の出力に接
続した構成とされている。
差、すなわち、エラーアンプ13の出力が基準電源12
4の基準電圧e31より大きいときに過電流状態である
と、判定する。
の第2変形例の動作説明図を示す。図13(A)はエラ
ーアンプ13の出力と三角波発振器14の出力三角波、
図13(B)は、メインスイッチング用トランジスタT
r1のゲート−ソース間電圧VGS、図13(C)にメイ
ンスイッチング用トランジスタTr1のソース−ドレイ
ン間抵抗SDrの状態を示す。
3の出力があまりに低いと、図13(B)に示すように
メインスイッチング用トランジスタTr1のゲート−ソ
ース間電圧VGSがオン電圧となる時間が非常の短くな
り、図13(C)に示すようにメインスイッチング用ト
ランジスタTr1のソース−ドレイン間抵抗SDRが最
小となる時間が確保できず、メインスイッチング用トラ
ンジスタTr1を流れる電流による電圧降下を正しく測
定できない。
源124の基準電圧e31と比較し、基準電圧e31以上あ
れば、メインスイッチング用トランジスタTr1のオン
時間が十分に確保できると判断できる。ことを示してい
るので、正しくFET1を流れる電流による電圧降下を
測定できることになる。
0は、電流制御を行なう場合について説明したが、過電
流制御を行なうようにしてもよい。
の第3変形例のブロック構成図を示す。同図中、図9と
同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略す
る。
示す電源制御IC110において、フリップフロップ2
4にリセットをかけない構成としている。
の第4変形例のブロック構成図を示す。同図中、図11
と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略す
る。
に示す電源制御IC130において、フリップフロップ
24にリセットかけない構成としている。
50では、メインスイッチング用トランジスタTr1の
ゲート−ソース間電圧からメインスイッチング用トラン
ジスタTr1のオン状態を検出したが、出力電圧Vinか
らオン状態を検出するようにしてもよい。
の第5変形例のブロック構成図を示す。同図中、図12
と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略す
る。
に示す電源制御IC140において、フリップフロップ
24にリセットかけない構成としている。
DC−DCコンバータの出力電流を電流センス抵抗を用
いずにメインスイッチング用トランジスタTr1のオン
抵抗を利用して測定できるようになる。このとき、本実
施例によれば、メインスイッチング用トランジスタTr
1のソース−ゲート間電圧VGSを監視し、この電圧が一
定値以上であるときに、メインスイッチング用トランジ
スタTr1のソースとドレイン間電圧を測定すること
で、メインスイッチング用トランジスタTR1に流れる
電流を測定することにより、メインスイッチング用トラ
ンジスタTr1が確実にオン状態でメインスイッチング
用トランジスタTr1のソースとドレイン間電圧を測定
することができ、誤検出防止できる。
ものではなく、本発明の請求の範囲から逸脱することな
く、各種の変形例が考えられるものである。
ング素子のオン抵抗を用いて出力電流を検出できるの
で、電流センス抵抗が不要となり、電流センス抵抗によ
る電力消費をなくすことができるため、省電力化、コス
ト低下を実現できる等の特長を有する。
からの電圧に基づいて設定可能とすることにより、外部
電圧を可変することによりオン状態を検出するための電
圧を適正な値に設定でき、スイッチング素子が確実にオ
ンしたことを検出できる等の特長を有する。
構成図である。
源制御ICのブロック構成図である。
波形図である。
波形図である。
図である。
る。
ロック構成図である。
成図である。
図である。
例のブロック構成図である。
例のブロック構成図である。
例の動作説明図である。
例のブロック構成図である。
例のブロック構成図である。
例のブロック構成図である。
C 121、122 比較器 125 定電流源
Claims (28)
- 【請求項1】 スイッチング素子が接続され、該スイッ
チング素子に制御信号を供給して該スイッチング素子を
制御することにより電源を制御する電源制御装置におい
て、 前記スイッチング素子がオン状態であることを検出する
オン状態検出手段と、 前記スイッチング素子がオン状態であることが検出され
たときに、前記スイッチング素子に発生する電圧を検出
する電圧検出手段とを有することを特徴とする電源制御
装置。 - 【請求項2】 前記オン状態検出手段は、前記制御信号
に応じて前記スイッチング素子がオン状態か否かを検出
することを特徴とする請求項1記載の電源制御装置。 - 【請求項3】 前記オン状態検出手段は、前記スイッチ
ング素子のゲート−ソース間電圧と所定電圧との大小を
比較する比較手段を有することを特徴とする請求項1又
は2記載の電源制御装置。 - 【請求項4】 前記オン状態検出手段は、前記所定の電
圧を外部からの電圧に基づいて設定可能としたことを特
徴とする請求項3記載の電源制御装置。 - 【請求項5】 前記オン状態検出手段は,出力電圧と所
定の電圧との電位差を検出する誤差検出手段と前記誤差
検出手段で検出された前記電位差と所定の電圧との大小
を比較する比較手段とを有することを特徴とする請求項
1又は2記載の電源制御装置。 - 【請求項6】 前記オン状態検出手段は、前記所定の電
圧を外部からの電圧に基づいて設定可能としたことを特
徴とする請求項5記載の電源制御装置。 - 【請求項7】 前記検出手段は、前記スイッチング素子
のソース−ドレイン間電圧を所定の電圧の大小を比較す
る比較手段を有することを特徴とする請求項1乃至3の
いずれか一項記載の電源制御装置。 - 【請求項8】 出力電圧を制御するスイッチング素子
と、該出力電圧に応じて前記スイッチング素子を制御す
る電源制御手段とを有する電源装置において、 前記スイッチング素子がオン状態であることを検出する
オン状態検出手段と、 前記スイッチング素子がオン状態であることが検出され
たときに、前記スイッチング素子に発生する電圧を検出
する電圧検出手段とを有することを特徴とする電源装
置。 - 【請求項9】 前記オン状態検出手段は、前記制御信号
に応じて前記スイッチング素子がオン状態か否かを検出
することを特徴とする請求項8記載の電源装置。 - 【請求項10】 前記オン状態検出手段は、前記スイッ
チング素子のゲート−ソース間電圧と所定電圧との大小
を比較する比較手段を有することを特徴とする請求項8
又は9記載の電源装置。 - 【請求項11】 前記オン状態検出手段は、前記所定の
電圧を外部からの電圧に基づいて設定可能としたことを
特徴とする請求項10記載の電源装置。 - 【請求項12】 前記オン状態検出手段は,出力電圧と
所定の電圧との電位差を検出する誤差検出手段と前記誤
差検出手段で検出された前記電位差と所定の電圧との大
小を比較する比較手段とを有することを特徴とする請求
項8又は9記載の電源装置。 - 【請求項13】 前記オン状態検出手段は、前記所定の
電圧を外部からの電圧に基づいて設定可能としたことを
特徴とする請求項12記載の電源装置。 - 【請求項14】 前記検出手段は、前記スイッチング素
子のソース−ドレイン間電圧を所定の電圧の大小を比較
する比較手段を有することを特徴とする請求項8乃至1
3のいずれか一項記載の電源装置。 - 【請求項15】 スイッチング素子を制御して、出力電
圧を制御する電源制御方法において、 前記スイッチング素子がオン状態であることを検出し、 前記スイッチング素子がオン状態であることが検出され
たときに、前記スイッチング素子に発生する電圧を検出
し、 前記スイッチング素子に発生する検出電圧に応じて前記
出力電圧を制御することを特徴とする電源制御方法。 - 【請求項16】 前記スイッチング素子を制御する制御
信号に応じて前記スイッチング素子がオン状態か否かを
検出することを特徴とする請求項15記載の電源制御方
法。 - 【請求項17】 前記スイッチング素子のゲート−ソー
ス間電圧と所定電圧との大小に応じて前記スイッチング
素子のオン状態を検出することを特徴とする請求項15
又は16記載の電源制御方法。 - 【請求項18】 前記所定の電圧を外部からの電圧に基
づいて設定可能としたことを特徴とする請求項17記載
の電源制御方法。 - 【請求項19】 前記出力電圧と所定の電圧との電位差
を検出し、 前記電位差と所定の電圧との大小に応じて前記スイッチ
ング素子のオン状態を検出することを特徴とする請求項
15又は16記載の電源制御方法。 - 【請求項20】 前記所定の電圧を外部からの電圧に基
づいて設定可能としたことを特徴とする請求項19記載
の電源制御方法。 - 【請求項21】 前記スイッチング素子のソース−ドレ
イン間電圧を所定の電圧の大小に応じて前記スイッチン
グ素子を制御することを特徴とする請求項15乃至20
のいずれか一項記載の電源制御方法。 - 【請求項22】 入力電圧をスイッチング素子により所
定の駆動電圧に変換して、内部装置に供給する電源制御
手段を備える電子機器において、 前記電源制御手段は、 前記スイッチング素子がオン状態であることを検出し、 前記スイッチング素子がオン状態であることが検出され
たときに、前記スイッチング素子に発生する電圧を検出
し、 前記スイッチング素子に発生する検出電圧に応じて前記
駆動電圧を制御することを特徴とする電子機器。 - 【請求項23】 前記電源制御手段は、前記スイッチン
グ素子を制御する制御信号に応じて前記スイッチング素
子がオン状態か否かを検出することを特徴とする請求項
22記載の電子機器。 - 【請求項24】 前記電源制御手段は、前記スイッチン
グ素子のゲート−ソース間電圧と所定電圧との大小に応
じて前記スイッチング素子のオン状態を検出することを
特徴とする請求項22又は23記載の電子機器。 - 【請求項25】 前記電源制御手段は、前記所定の電圧
を外部からの電圧に基づいて設定可能としたことを特徴
とする請求項24記載の電子機器。 - 【請求項26】 前記電源制御手段は、前記出力電圧と
所定の電圧との電位差を検出し、 前記電位差と所定の電圧との大小に応じて前記スイッチ
ング素子のオン状態を検出することを特徴とする請求項
22又は23記載の電子機器。 - 【請求項27】 前記電源制御手段は、前記所定の電圧
を外部からの電圧に基づいて設定可能としたことを特徴
とする請求項26記載の電子機器。 - 【請求項28】 前記電源制御手段は、前記スイッチン
グ素子のソース−ドレイン間電圧を所定の電圧の大小に
応じて前記スイッチング素子を制御することを特徴とす
る請求項22乃至27のいずれか一項記載の電子機器。
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