JP2001266329A - ディスク媒体用ガラス基板 - Google Patents
ディスク媒体用ガラス基板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヘッドクラッシュを低減するとともにスペー
シングを小さくして高記録密度化を図ることのできるデ
ィスク媒体用ガラス基板を提供する。 【解決手段】 原料を７３０℃〜７７０℃まで昇温して
２時間〜７時間保持した後、８２０℃〜９００℃まで昇
温して３時間〜７時間保持して形成し、ＳｉＯ 2が４５
ｗｔ％〜６０ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3が１２ｗｔ％〜２０ｗｔ
％、Ｌｉ2Ｏが０．１ｗｔ％〜４ｗｔ％、ＭｇＯが１２
ｗｔ％〜２０ｗｔ％、ＴｉＯ2が２ｗｔ％〜１０ｗｔ％
の組成比にして形成したディスク媒体用ガラス基板にお
いて、直径を７０ｍｍ以上且つ９０ｍｍ以下、厚みを
０．７ｍｍ以上且つ１ｍｍ以下にした時に、１００００
ＲＰＭの回転数におけるフラッタリング特性を９０ｎｍ
よりも小さくした。
シングを小さくして高記録密度化を図ることのできるデ
ィスク媒体用ガラス基板を提供する。 【解決手段】 原料を７３０℃〜７７０℃まで昇温して
２時間〜７時間保持した後、８２０℃〜９００℃まで昇
温して３時間〜７時間保持して形成し、ＳｉＯ 2が４５
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の組成比にして形成したディスク媒体用ガラス基板にお
いて、直径を７０ｍｍ以上且つ９０ｍｍ以下、厚みを
０．７ｍｍ以上且つ１ｍｍ以下にした時に、１００００
ＲＰＭの回転数におけるフラッタリング特性を９０ｎｍ
よりも小さくした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク等
のディスク媒体に用いられるガラス基板に関する。
のディスク媒体に用いられるガラス基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ハードディスク等のディスク媒体
用の基板として、アルミニウム基板やガラス基板が実用
化されている。ガラス基板は、表面の平滑性や機械的強
度が優れていることから最も注目されている。このよう
なガラス基板として、基板表面をイオン交換で強化した
化学強化ガラス基板や、基板に結晶成分を析出させて結
合の強化を図る結晶化ガラス基板等が知られている。
用の基板として、アルミニウム基板やガラス基板が実用
化されている。ガラス基板は、表面の平滑性や機械的強
度が優れていることから最も注目されている。このよう
なガラス基板として、基板表面をイオン交換で強化した
化学強化ガラス基板や、基板に結晶成分を析出させて結
合の強化を図る結晶化ガラス基板等が知られている。
【０００３】ハードディスクを用いたハードディスク装
置は、高速回転するハードディスク上を動圧軸受により
浮上する磁気ヘッドとのスペーシングを極めて小さくす
ることにより高記録密度化が図られている。従って、高
い平滑性を維持しながら生産性の高いディスク媒体用ガ
ラス基板が求められている。
置は、高速回転するハードディスク上を動圧軸受により
浮上する磁気ヘッドとのスペーシングを極めて小さくす
ることにより高記録密度化が図られている。従って、高
い平滑性を維持しながら生産性の高いディスク媒体用ガ
ラス基板が求められている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ディスク媒体用ガラス基板によると、ハードディスク装
置等に用いた場合に磁気ヘッドとのスペーシングが小さ
いために、磁気ヘッドがディスク媒体に衝突するヘッド
クラッシュが発生しやすい。このため、ヘッドクラッシ
ュが生じないスペーシングとするために更なる高記録密
度化を図ることができない問題があった。
ディスク媒体用ガラス基板によると、ハードディスク装
置等に用いた場合に磁気ヘッドとのスペーシングが小さ
いために、磁気ヘッドがディスク媒体に衝突するヘッド
クラッシュが発生しやすい。このため、ヘッドクラッシ
ュが生じないスペーシングとするために更なる高記録密
度化を図ることができない問題があった。
【０００５】本発明は、ヘッドクラッシュの発生を低減
するとともにスペーシングを小さくして高記録密度化を
図ることのできるディスク媒体用ガラス基板を提供する
ことを目的とする。
するとともにスペーシングを小さくして高記録密度化を
図ることのできるディスク媒体用ガラス基板を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１に記載された発明は、直径が７０ｍｍ以上且
つ９０ｍｍ以下、厚みが０．７ｍｍ以上且つ０．９ｍｍ
以下のディスク媒体用ガラス基板において、回転数が１
００００ＲＰＭの時のフラッタリング特性を９０ｎｍよ
りも小さくしたことを特徴としている。
に請求項１に記載された発明は、直径が７０ｍｍ以上且
つ９０ｍｍ以下、厚みが０．７ｍｍ以上且つ０．９ｍｍ
以下のディスク媒体用ガラス基板において、回転数が１
００００ＲＰＭの時のフラッタリング特性を９０ｎｍよ
りも小さくしたことを特徴としている。
【０００７】この構成によると、厚みが０．７ｍｍ〜
０．９ｍｍのいわゆる３インチサイズのディスク媒体用
ガラス基板を１００００ＲＰＭで回転させた時に、外周
部の軸方向の振動量をレーザー振動計等により測定する
フラッタリング特性を９０ｎｍよりも小さくしている。
０．９ｍｍのいわゆる３インチサイズのディスク媒体用
ガラス基板を１００００ＲＰＭで回転させた時に、外周
部の軸方向の振動量をレーザー振動計等により測定する
フラッタリング特性を９０ｎｍよりも小さくしている。
【０００８】また請求項２に記載された発明は、請求項
１に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、回
転数が１００００ＲＰＭの時のフラッタリング特性を５
８ｎｍ以上にしたことを特徴としている。
１に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、回
転数が１００００ＲＰＭの時のフラッタリング特性を５
８ｎｍ以上にしたことを特徴としている。
【０００９】また請求項３に記載された発明は、請求項
１に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、粘
度をηポイズとしたときに、１４００℃におけるＬｏｇ
ηを１．５以上にしたことを特徴としている。
１に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、粘
度をηポイズとしたときに、１４００℃におけるＬｏｇ
ηを１．５以上にしたことを特徴としている。
【００１０】また請求項４に記載された発明は、請求項
３に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、１
４００℃におけるＬｏｇηを２．５以下にしたことを特
徴としている。
３に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、１
４００℃におけるＬｏｇηを２．５以下にしたことを特
徴としている。
【００１１】また請求項５に記載された発明は、請求項
１に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、粘
度をηポイズとしたときに、１３００℃におけるＬｏｇ
ηを２．０以上にしたことを特徴としている。
１に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、粘
度をηポイズとしたときに、１３００℃におけるＬｏｇ
ηを２．０以上にしたことを特徴としている。
【００１２】また請求項６に記載された発明は、請求項
５に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、１
３００℃におけるＬｏｇηを３．０以下にしたことを特
徴としている。
５に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、１
３００℃におけるＬｏｇηを３．０以下にしたことを特
徴としている。
【００１３】また請求項７に記載された発明は、請求項
１に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、粘
度をηポイズとしたときに、１２００℃におけるＬｏｇ
ηを２．４以上にしたことを特徴としている。
１に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、粘
度をηポイズとしたときに、１２００℃におけるＬｏｇ
ηを２．４以上にしたことを特徴としている。
【００１４】また請求項８に記載された発明は、請求項
７に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、１
２００℃におけるＬｏｇηを３．５以下にしたことを特
徴としている。
７に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、１
２００℃におけるＬｏｇηを３．５以下にしたことを特
徴としている。
【００１５】また請求項９に記載された発明は、請求項
１に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、内
部摩擦係数を８×１０-4〜１６×１０-4にしたことを特
徴としている。この構成によると、吊設されたディスク
媒体用ガラス基板に加えられた固有振動の１サイクル当
たりの振動で失う振動エネルギーの割合が８×１０-4〜
１６×１０-4になっている。
１に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、内
部摩擦係数を８×１０-4〜１６×１０-4にしたことを特
徴としている。この構成によると、吊設されたディスク
媒体用ガラス基板に加えられた固有振動の１サイクル当
たりの振動で失う振動エネルギーの割合が８×１０-4〜
１６×１０-4になっている。
【００１６】また請求項１０に記載された発明は、請求
項１に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、
ダンピング係数を５×１０-4〜１２×１０-4にしたこと
を特徴としている。この構成によると、吊設されたディ
スク媒体用ガラス基板を打撃して発生する固有振動の減
衰による損失係数が５×１０-4〜１２×１０-4になって
いる。
項１に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、
ダンピング係数を５×１０-4〜１２×１０-4にしたこと
を特徴としている。この構成によると、吊設されたディ
スク媒体用ガラス基板を打撃して発生する固有振動の減
衰による損失係数が５×１０-4〜１２×１０-4になって
いる。
【００１７】また請求項１１に記載された発明は、請求
項１に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、
比重を３よりも小さくしたことを特徴としている。
項１に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、
比重を３よりも小さくしたことを特徴としている。
【００１８】また請求項１２に記載された発明は、請求
項１に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、
原料を７３０℃〜７７０℃まで昇温して２時間〜７時間
保持した後、８２０℃〜９００℃まで昇温して３時間〜
７時間保持して作成したことを特徴としている。
項１に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、
原料を７３０℃〜７７０℃まで昇温して２時間〜７時間
保持した後、８２０℃〜９００℃まで昇温して３時間〜
７時間保持して作成したことを特徴としている。
【００１９】また請求項１３に記載された発明は、請求
項１〜請求項１２のいずれかに記載されたディスク媒体
用ガラス基板において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ2
が４５ｗｔ％以上で且つ６０ｗｔ％以下、Ａｌ2Ｏ3が１
２ｗｔ％以上で且つ２０ｗｔ％以下、Ｌｉ2Ｏが０．１
ｗｔ％以上で且つ ４ｗｔ％以下、ＭｇＯが１２ｗｔ％
以上で且つ２０ｗｔ％以下、ＴｉＯ2が２ｗｔ％以上で
且つ６０ｗｔ％以下、にしたことを特徴としている。
項１〜請求項１２のいずれかに記載されたディスク媒体
用ガラス基板において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ2
が４５ｗｔ％以上で且つ６０ｗｔ％以下、Ａｌ2Ｏ3が１
２ｗｔ％以上で且つ２０ｗｔ％以下、Ｌｉ2Ｏが０．１
ｗｔ％以上で且つ ４ｗｔ％以下、ＭｇＯが１２ｗｔ％
以上で且つ２０ｗｔ％以下、ＴｉＯ2が２ｗｔ％以上で
且つ６０ｗｔ％以下、にしたことを特徴としている。
【００２０】また請求項１４に記載された発明は、請求
項９に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、
Ｐ2Ｏ5を０．１ｗｔ％以上で且つ５ｗｔ％以下添加した
ことを特徴としている。
項９に記載されたディスク媒体用ガラス基板において、
Ｐ2Ｏ5を０．１ｗｔ％以上で且つ５ｗｔ％以下添加した
ことを特徴としている。
【００２１】また請求項１５に記載された発明は、内部
摩擦係数を８×１０-4〜１６×１０ -4にしたことを特徴
としている。
摩擦係数を８×１０-4〜１６×１０ -4にしたことを特徴
としている。
【００２２】また請求項１６に記載された発明は、ダン
ピング係数を５×１０-4〜１２×１０-4にしたことを特
徴としている。
ピング係数を５×１０-4〜１２×１０-4にしたことを特
徴としている。
【００２３】また請求項１７に記載された発明は、原料
を７３０℃〜７７０℃まで昇温して２時間〜７時間保持
した後、８２０℃〜９００℃まで昇温して３時間〜７時
間保持して作成したことを特徴としている。
を７３０℃〜７７０℃まで昇温して２時間〜７時間保持
した後、８２０℃〜９００℃まで昇温して３時間〜７時
間保持して作成したことを特徴としている。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。図１は一実施形態のディスク
媒体用ガラス基板の製造工程を示している。
図面を参照して説明する。図１は一実施形態のディスク
媒体用ガラス基板の製造工程を示している。
【００２５】まず、プロセスＰ１のガラス溶融工程では
所定のガラス原料を坩堝に入れて溶融し、ブランク材が
形成される。プロセスＰ２のプレス加工工程では所定形
状の金型上に溶融ガラス融液を滴下し、所定の温度でプ
レス加工して所望の形状に成形する。
所定のガラス原料を坩堝に入れて溶融し、ブランク材が
形成される。プロセスＰ２のプレス加工工程では所定形
状の金型上に溶融ガラス融液を滴下し、所定の温度でプ
レス加工して所望の形状に成形する。
【００２６】プロセスＰ３の結晶化熱処理工程では、ブ
ランク材を恒温槽内等に配して熱処理を行って結晶化す
る。プロセスＰ４のコアリング加工工程では円板形状の
ブランク材の中央にモータ等に取付けるための穴加工が
施される。プロセスＰ５の両面研削工程では、ブランク
材の両面をダイヤモンド砥石等によって研削し、ブラン
ク材の両面を平行に粗加工する。
ランク材を恒温槽内等に配して熱処理を行って結晶化す
る。プロセスＰ４のコアリング加工工程では円板形状の
ブランク材の中央にモータ等に取付けるための穴加工が
施される。プロセスＰ５の両面研削工程では、ブランク
材の両面をダイヤモンド砥石等によって研削し、ブラン
ク材の両面を平行に粗加工する。
【００２７】プロセスＰ６の両面研磨工程では、アルミ
ナ砥粒等によりブランク材の両面をポリッシュし、平行
度、平面度及び表面粗さが所定の規格値に仕上げられ
る。そして、プロセスＰ７の洗浄工程で洗浄により砥粒
等を除去し、プロセスＰ８の検査工程で検査を行ってデ
ィスク媒体用ガラス基板が完成する。
ナ砥粒等によりブランク材の両面をポリッシュし、平行
度、平面度及び表面粗さが所定の規格値に仕上げられ
る。そして、プロセスＰ７の洗浄工程で洗浄により砥粒
等を除去し、プロセスＰ８の検査工程で検査を行ってデ
ィスク媒体用ガラス基板が完成する。
【００２８】プロセスＰ３の結晶化熱処理工程は、図２
に示すような温度チャートに基づいて熱処理が行われ
る。図２において、縦軸は温度を示し、横軸は時間を示
している。熱処理が開始されると、結晶核が生成される
１次温度Ｔ１まで昇温時間ｔ１で徐々にブランク材を昇
温する。
に示すような温度チャートに基づいて熱処理が行われ
る。図２において、縦軸は温度を示し、横軸は時間を示
している。熱処理が開始されると、結晶核が生成される
１次温度Ｔ１まで昇温時間ｔ１で徐々にブランク材を昇
温する。
【００２９】ブランク材が１次温度Ｔ１に到達すると、
１次温度Ｔ１で１次時間ｔ２だけ保持して結晶核を生成
する。１次時間ｔ２が経過して結晶核が生成されると、
結晶が成長する２次温度Ｔ２まで昇温時間ｔ３で徐々に
ブランク材を昇温する。ブランク材が２次温度Ｔ２に到
達すると、２次温度Ｔ２で２次時間ｔ４だけ保持するこ
とにより結晶が成長する。２次時間ｔ４が経過して所定
の大きさに結晶が成長すると、ブランク材が除冷時間ｔ
６で常温まで除冷するアニールが行われるようになって
いる。
１次温度Ｔ１で１次時間ｔ２だけ保持して結晶核を生成
する。１次時間ｔ２が経過して結晶核が生成されると、
結晶が成長する２次温度Ｔ２まで昇温時間ｔ３で徐々に
ブランク材を昇温する。ブランク材が２次温度Ｔ２に到
達すると、２次温度Ｔ２で２次時間ｔ４だけ保持するこ
とにより結晶が成長する。２次時間ｔ４が経過して所定
の大きさに結晶が成長すると、ブランク材が除冷時間ｔ
６で常温まで除冷するアニールが行われるようになって
いる。
【００３０】本実施形態は結晶化熱処理工程において、 １次温度Ｔ１：７３０〜７７０℃ １次時間ｔ２：２〜７時間 ２次温度Ｔ２：８２０〜９００℃ ２次時間ｔ４：３〜７時間 にしている。
【００３１】そして、上記製造工程により主成分の組成
範囲を、ＳｉＯ2が４５ｗｔ％以上で且つ６０ｗｔ％以
下、Ａｌ2Ｏ3が１２ｗｔ％以上で且つ２０ｗｔ％以下、
Ｌｉ2Ｏが０．１ｗｔ％以上で且つ４ｗｔ％以下、Ｍｇ
Ｏが１２ｗｔ％以上で且つ２０ｗｔ％以下、ＴｉＯ2が
２ｗｔ％以上で且つ１０ｗｔ％以下、にしたディスク媒
体用ガラス基板を作成することにより、後述するような
特性を得ることができる。
範囲を、ＳｉＯ2が４５ｗｔ％以上で且つ６０ｗｔ％以
下、Ａｌ2Ｏ3が１２ｗｔ％以上で且つ２０ｗｔ％以下、
Ｌｉ2Ｏが０．１ｗｔ％以上で且つ４ｗｔ％以下、Ｍｇ
Ｏが１２ｗｔ％以上で且つ２０ｗｔ％以下、ＴｉＯ2が
２ｗｔ％以上で且つ１０ｗｔ％以下、にしたディスク媒
体用ガラス基板を作成することにより、後述するような
特性を得ることができる。
【００３２】ここで、ＳｉＯ2はガラス形成酸化物のた
め組成比が４５ｗｔ％より少ないと、溶融性が悪くな
り、６０ｗｔ％を越えるとガラスとして安定状態になる
ため結晶が析出しにくくなる。
め組成比が４５ｗｔ％より少ないと、溶融性が悪くな
り、６０ｗｔ％を越えるとガラスとして安定状態になる
ため結晶が析出しにくくなる。
【００３３】Ａｌ2Ｏ3はガラス中間酸化物であり、熱処
理によって析出する結晶相であるマグネシウムアルカリ
系結晶の構成成分である。組成比が１２ｗｔ％よりも少
ないと析出結晶が少なく強度が得られず、２０ｗｔ％を
越えると溶融温度が高くなり失透し易くなる。
理によって析出する結晶相であるマグネシウムアルカリ
系結晶の構成成分である。組成比が１２ｗｔ％よりも少
ないと析出結晶が少なく強度が得られず、２０ｗｔ％を
越えると溶融温度が高くなり失透し易くなる。
【００３４】Ｌｉ2Ｏは融剤として働き、生産時の安定
性を向上させることができる。組成比が０．１ｗｔ％よ
りも少ないと溶融性が悪くなり、４ｗｔ％を越えると両
面研磨工程及び洗浄工程における安定性が悪くなる。
性を向上させることができる。組成比が０．１ｗｔ％よ
りも少ないと溶融性が悪くなり、４ｗｔ％を越えると両
面研磨工程及び洗浄工程における安定性が悪くなる。
【００３５】ＭｇＯは融剤であり、これを加えることに
より粒状の結晶を凝集させ結晶粒子塊を形成する。但
し、組成比が１２ｗｔ％よりも少ないと作業温度幅が狭
くなり、ガラスマトリクス相の化学的耐久性が向上しな
い。２０ｗｔ％を越えると、他の結晶が析出して求める
強度を得ることが難しくなる。
より粒状の結晶を凝集させ結晶粒子塊を形成する。但
し、組成比が１２ｗｔ％よりも少ないと作業温度幅が狭
くなり、ガラスマトリクス相の化学的耐久性が向上しな
い。２０ｗｔ％を越えると、他の結晶が析出して求める
強度を得ることが難しくなる。
【００３６】ＴｉＯ2は核剤として働き、生産時の安定
性を向上させることができる。組成比が２ｗｔ％よりも
少ないと溶融性が悪くなるとともに結晶成長がしにくく
なる。１０ｗｔ％を越えると結晶化が急激に促進され、
結晶化状態の制御が困難となり析出結晶の粗大化、結晶
相の不均質が発生する。このため、微細で均質な結晶構
造が得られず、両面研磨工程において所望の平滑面が得
られなくなる。更に、溶融成形時に失透し易くなり生産
性が低下する。
性を向上させることができる。組成比が２ｗｔ％よりも
少ないと溶融性が悪くなるとともに結晶成長がしにくく
なる。１０ｗｔ％を越えると結晶化が急激に促進され、
結晶化状態の制御が困難となり析出結晶の粗大化、結晶
相の不均質が発生する。このため、微細で均質な結晶構
造が得られず、両面研磨工程において所望の平滑面が得
られなくなる。更に、溶融成形時に失透し易くなり生産
性が低下する。
【００３７】また、上記組成にＰ2Ｏ5を０．１ｗｔ％以
上で且つ５ｗｔ％以下添加するとより望ましい。即ち、
Ｐ2Ｏ5は融剤として働き、シリケート系結晶を析出させ
る核形成剤であり、ガラス全体に結晶を均一に析出させ
ることができる。組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十
分な結晶核が生成されにくくなり、結晶粒子が粗大化し
たり結晶が不均質に析出し、微細で均質な結晶構造が得
られにくくなる。これにより、両面研磨加工においてデ
ィスク媒体用ガラス基板として必要な平滑面が得られな
くなる。
上で且つ５ｗｔ％以下添加するとより望ましい。即ち、
Ｐ2Ｏ5は融剤として働き、シリケート系結晶を析出させ
る核形成剤であり、ガラス全体に結晶を均一に析出させ
ることができる。組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十
分な結晶核が生成されにくくなり、結晶粒子が粗大化し
たり結晶が不均質に析出し、微細で均質な結晶構造が得
られにくくなる。これにより、両面研磨加工においてデ
ィスク媒体用ガラス基板として必要な平滑面が得られな
くなる。
【００３８】組成比が５ｗｔ％を越えると、溶融時の炉
剤に対する反応性が増し、また失透性も強くなることか
ら溶融成形時の生産性が低下する。また、化学耐久性が
低下し、基板表面に形成される磁気膜に影響を与えるお
それがあるとともに、両面研磨工程、洗浄工程における
安定性が悪くなる。
剤に対する反応性が増し、また失透性も強くなることか
ら溶融成形時の生産性が低下する。また、化学耐久性が
低下し、基板表面に形成される磁気膜に影響を与えるお
それがあるとともに、両面研磨工程、洗浄工程における
安定性が悪くなる。
【００３９】図３は、ディスク媒体用ガラス基板の内部
摩擦の測定方法を示す図である。測定原理は曲げ共振法
に依っており、吊り糸２２、２３によりフード２１内に
吊り下げられた試料Ｗに、振動器２４によって振動を与
える。その結果、検出器２５により振動を捉えると、図
４に示す共振曲線が得られる。図４において、縦軸は検
出器２５で捉えられる振動の大きさを表す信号電位を示
し、横軸は振動数である。
摩擦の測定方法を示す図である。測定原理は曲げ共振法
に依っており、吊り糸２２、２３によりフード２１内に
吊り下げられた試料Ｗに、振動器２４によって振動を与
える。その結果、検出器２５により振動を捉えると、図
４に示す共振曲線が得られる。図４において、縦軸は検
出器２５で捉えられる振動の大きさを表す信号電位を示
し、横軸は振動数である。
【００４０】信号電位は試料Ｗの最も変動しやすい一次
の固有振動数ｆ０で最大となる。共振曲線が鋭い程、振
動エネルギーの散逸が小さいため、１サイクル当たりに
振動で失う振動エネルギーの割合を内部摩擦係数１／
ｑ、 １／ｑ＝Δｆ／（３1/2・ｆ０） で表すことができる。ここで、Δｆは共振曲線の半値幅
である。内部摩擦係数１／ｑの値が大きい程振動エネル
ギーの散逸が大きいことになる。
の固有振動数ｆ０で最大となる。共振曲線が鋭い程、振
動エネルギーの散逸が小さいため、１サイクル当たりに
振動で失う振動エネルギーの割合を内部摩擦係数１／
ｑ、 １／ｑ＝Δｆ／（３1/2・ｆ０） で表すことができる。ここで、Δｆは共振曲線の半値幅
である。内部摩擦係数１／ｑの値が大きい程振動エネル
ギーの散逸が大きいことになる。
【００４１】また、図５は、ディスク媒体用ガラス基板
のダンピング係数の測定方法を示す図であり、図５
（ａ）、（ｂ）はそれぞれ正面図、側面図を示してい
る。吊り糸３２、３３、３４によりフード３１内に吊り
下げられた試料Ｗを、インパルスハンマー３５で打撃す
る。その結果、騒音計３６により音圧が捉えられ、音圧
の減衰履歴により振動の損失係数（ダンピング係数）を
測定することができる。ダンピング係数が大きいと、振
動がより早く減衰することになる。
のダンピング係数の測定方法を示す図であり、図５
（ａ）、（ｂ）はそれぞれ正面図、側面図を示してい
る。吊り糸３２、３３、３４によりフード３１内に吊り
下げられた試料Ｗを、インパルスハンマー３５で打撃す
る。その結果、騒音計３６により音圧が捉えられ、音圧
の減衰履歴により振動の損失係数（ダンピング係数）を
測定することができる。ダンピング係数が大きいと、振
動がより早く減衰することになる。
【００４２】図６は、ディスク媒体用ガラス基板のフラ
ッタリング特性の測定方法を示す図である。試料Ｗをエ
アスピンドルモータ４１によって矢印Ａにように高速回
転し、試料Ｗの表面にレーザー振動計４２によりレーザ
ー光を照射する。試料Ｗの表面で反射する光は、試料Ｗ
の軸方向の振動により波長が変化するため、試料Ｗの１
周内の振れ量（フラッタリング特性）を検出することが
できる。尚、試料Ｗの外周から１．５ｍｍの位置を測定
点Ｐとしている。
ッタリング特性の測定方法を示す図である。試料Ｗをエ
アスピンドルモータ４１によって矢印Ａにように高速回
転し、試料Ｗの表面にレーザー振動計４２によりレーザ
ー光を照射する。試料Ｗの表面で反射する光は、試料Ｗ
の軸方向の振動により波長が変化するため、試料Ｗの１
周内の振れ量（フラッタリング特性）を検出することが
できる。尚、試料Ｗの外周から１．５ｍｍの位置を測定
点Ｐとしている。
【００４３】前述した組成の本実施形態のディスク媒体
用ガラス基板は、以下の特性を得ることができる。尚、
粘度η（ポイズ）は、Ｌｏｇηで表している。
用ガラス基板は、以下の特性を得ることができる。尚、
粘度η（ポイズ）は、Ｌｏｇηで表している。
【００４４】 比重 ＜３．０ 粘度（１４００℃） １．５≦Ｌｏｇη≦２．５ （１３００℃） ２．０≦Ｌｏｇη≦３．０ （１２００℃） ２．４≦Ｌｏｇη≦３．５ 内部摩擦係数１／ｑ（×１０-4） ８．０〜１６．０ ダンピング係数 （×１０-4） ５．０〜１２．０
【００４５】また、フラッタリング特性は図７に示すよ
うになる。同図によると、ディスク媒体用ガラス基板の
外径と厚みをパラメータとして各回転数におけるフラッ
タリング特性は、いずれも低い値になっている。
うになる。同図によると、ディスク媒体用ガラス基板の
外径と厚みをパラメータとして各回転数におけるフラッ
タリング特性は、いずれも低い値になっている。
【００４６】従って、本実施形態のディスク媒体用ガラ
ス基板をハードディスク装置等のディスク装置に搭載し
た場合に、磁気ヘッドとのスペーシングを小さくしても
ヘッドクラッシュの発生を抑制することができ、ディス
ク装置の信頼性を向上させるとともに、ディスク装置の
高記録密度化を図ることができる。
ス基板をハードディスク装置等のディスク装置に搭載し
た場合に、磁気ヘッドとのスペーシングを小さくしても
ヘッドクラッシュの発生を抑制することができ、ディス
ク装置の信頼性を向上させるとともに、ディスク装置の
高記録密度化を図ることができる。
【００４７】尚、フラッタリング特性を図７に示す各下
限値よりも低くするために、ディスク媒体用ガラス基板
の組成或いは熱処理条件を変えると、安定して製造する
ことができず歩留りが低下する。
限値よりも低くするために、ディスク媒体用ガラス基板
の組成或いは熱処理条件を変えると、安定して製造する
ことができず歩留りが低下する。
【００４８】また、組成や熱処理条件を変えることによ
り内部摩擦係数を８×１０-4よりも小さくするとフラッ
タリング特性が悪くなり、１６×１０-4よりも大きくす
ると安定して製造することができない。ダンピング係数
も同様に、５×１０-4よりも小さくするとフラッタリン
グ特性が悪くなり、１２×１０-4よりも大きくすると製
造が困難となる。
り内部摩擦係数を８×１０-4よりも小さくするとフラッ
タリング特性が悪くなり、１６×１０-4よりも大きくす
ると安定して製造することができない。ダンピング係数
も同様に、５×１０-4よりも小さくするとフラッタリン
グ特性が悪くなり、１２×１０-4よりも大きくすると製
造が困難となる。
【００４９】粘度（Ｌｏｇη）も同様に、１４００℃に
おいて１．５、１３００℃において２．０、１２００℃
において２．４よりも小さくすると製造が困難となる。
また、１４００℃において２．５、１３００℃において
３．０、１２００℃において３、５よりも大きくすると
フラッタリング特性が悪くなる。
おいて１．５、１３００℃において２．０、１２００℃
において２．４よりも小さくすると製造が困難となる。
また、１４００℃において２．５、１３００℃において
３．０、１２００℃において３、５よりも大きくすると
フラッタリング特性が悪くなる。
【００５０】また、比重を３．０以上にすると、ディス
ク媒体用ガラス基板が重くなり、ディスク装置の消費電
力が高くなるため、本実施形態の組成及び熱処理条件に
より比重を３．０よりも小さくするのが望ましい。
ク媒体用ガラス基板が重くなり、ディスク装置の消費電
力が高くなるため、本実施形態の組成及び熱処理条件に
より比重を３．０よりも小さくするのが望ましい。
【００５１】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。図８に第
１、第２実施例の組成比を示す。第１実施例の組成比
は、ＳｉＯ2が４９．２ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3が１７．７ｗ
ｔ％、Ｌｉ2Ｏが２．８ｗｔ％、Ｋ2Ｏが１．８ｗｔ％、
ＭｇＯが１８．２ｗｔ％、ＴｉＯ2が６．５ｗｔ％、Ｐ2
Ｏ5が３．４ｗｔ％、Ｓｂ2Ｏ3が０．４ｗｔ％になって
いる。
１、第２実施例の組成比を示す。第１実施例の組成比
は、ＳｉＯ2が４９．２ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3が１７．７ｗ
ｔ％、Ｌｉ2Ｏが２．８ｗｔ％、Ｋ2Ｏが１．８ｗｔ％、
ＭｇＯが１８．２ｗｔ％、ＴｉＯ2が６．５ｗｔ％、Ｐ2
Ｏ5が３．４ｗｔ％、Ｓｂ2Ｏ3が０．４ｗｔ％になって
いる。
【００５２】第２実施例の組成比は、ＳｉＯ2が５４．
５ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3が１４．９ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏが３．
８ｗｔ％、Ｋ2Ｏが１．４ｗｔ％、ＭｇＯが１５．９ｗ
ｔ％、ＴｉＯ2が７．８ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5が１．３ｗｔ
％、Ｓｂ2Ｏ3が０．４ｗｔ％になっている。
５ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3が１４．９ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏが３．
８ｗｔ％、Ｋ2Ｏが１．４ｗｔ％、ＭｇＯが１５．９ｗ
ｔ％、ＴｉＯ2が７．８ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5が１．３ｗｔ
％、Ｓｂ2Ｏ3が０．４ｗｔ％になっている。
【００５３】いずれも、融剤として働くＫ2Ｏを加えて
いるために生産時の安定性が向上される。但し、Ｋ2Ｏ
の組成比が０．１ｗｔ％よりも少ないと十分に溶融性が
改善されない。組成比が５ｗｔ％を越えると、ガラスが
安定となり結晶化が抑制される。また化学耐久性が低下
して表面に形成される磁性膜に影響を与えるおそれがあ
り、両面研磨工程及び洗浄工程において安定性が悪くな
る。
いるために生産時の安定性が向上される。但し、Ｋ2Ｏ
の組成比が０．１ｗｔ％よりも少ないと十分に溶融性が
改善されない。組成比が５ｗｔ％を越えると、ガラスが
安定となり結晶化が抑制される。また化学耐久性が低下
して表面に形成される磁性膜に影響を与えるおそれがあ
り、両面研磨工程及び洗浄工程において安定性が悪くな
る。
【００５４】また、清澄剤として働くＳｂ2Ｏ3を加えて
いるため生産時の安定性が向上される。但し、Ｓｂ2Ｏ3
の組成比が０．１ｗｔ％よりも少ないと十分な清澄効果
が得られなくなり生産性が低下する。組成比が５ｗｔ％
を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶
相を制御できなくなる。これにより所望の特性が得られ
なくなる。
いるため生産時の安定性が向上される。但し、Ｓｂ2Ｏ3
の組成比が０．１ｗｔ％よりも少ないと十分な清澄効果
が得られなくなり生産性が低下する。組成比が５ｗｔ％
を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶
相を制御できなくなる。これにより所望の特性が得られ
なくなる。
【００５５】第１、第２実施例はいずれも上記の結晶化
熱処理工程の熱処理条件（図１、図２参照）によって安
定して製造することができる。図９〜図１１は、第１実
施例のディスク媒体用ガラス基板を、結晶化熱処理工程
の熱処理条件をパラメータにして内部摩擦係数とダンピ
ング係数を測定した結果を示している。図９は１次温度
Ｔ１が７００℃の場合、図１０は１次温度Ｔ１が７５０
℃の場合、図１１は１次温度Ｔ１が８００℃の場合をそ
れぞれ示している。
熱処理工程の熱処理条件（図１、図２参照）によって安
定して製造することができる。図９〜図１１は、第１実
施例のディスク媒体用ガラス基板を、結晶化熱処理工程
の熱処理条件をパラメータにして内部摩擦係数とダンピ
ング係数を測定した結果を示している。図９は１次温度
Ｔ１が７００℃の場合、図１０は１次温度Ｔ１が７５０
℃の場合、図１１は１次温度Ｔ１が８００℃の場合をそ
れぞれ示している。
【００５６】その結果、 １次温度Ｔ１：７５０℃ １次時間ｔ２：５時間 ２次温度Ｔ２：８４０℃ ２次時間ｔ４：５時間 の時に内部摩擦係数及びダンピング係数が最も高い値を
示しており、それぞれ１４．０×１０-4、９．４×１０
-4になっている。
示しており、それぞれ１４．０×１０-4、９．４×１０
-4になっている。
【００５７】この時の他の物理特性は前述の図８に示す
ようになっており、比重は２．７９になっている。ま
た、粘度(Ｌｏｇη）は１４００℃において１．７、１
３００℃において２．１、１２００℃において２．５に
なっており、図１２に示すように、従来例のガラス基板
に比して低くなっている。これにより、従来例よりもフ
ラッタリング特性が向上する。
ようになっており、比重は２．７９になっている。ま
た、粘度(Ｌｏｇη）は１４００℃において１．７、１
３００℃において２．１、１２００℃において２．５に
なっており、図１２に示すように、従来例のガラス基板
に比して低くなっている。これにより、従来例よりもフ
ラッタリング特性が向上する。
【００５８】また、フラッタリング特性は図１３に示す
ようになる。同図において、比較のために第１〜第４の
従来例のフラッタリング特性を併記している。第１〜第
３の従来例はガラス基板であり、第４の従来例はアルミ
ニウム基板である。同図によると、ディスク媒体用ガラ
ス基板の外径と厚みをパラメータとして、各回転数にお
けるフラッタリング特性は、いずれも従来例に比較して
低い値になっている。また、第２実施例においても同様
にフラッタリング特性は従来例よりも低い値が得られ
る。
ようになる。同図において、比較のために第１〜第４の
従来例のフラッタリング特性を併記している。第１〜第
３の従来例はガラス基板であり、第４の従来例はアルミ
ニウム基板である。同図によると、ディスク媒体用ガラ
ス基板の外径と厚みをパラメータとして、各回転数にお
けるフラッタリング特性は、いずれも従来例に比較して
低い値になっている。また、第２実施例においても同様
にフラッタリング特性は従来例よりも低い値が得られ
る。
【００５９】
【発明の効果】請求項１の発明によると、ハードディス
ク装置等のディスク装置に搭載した場合に、磁気ヘッド
とのスペーシングを小さくしてもヘッドクラッシュの発
生を抑制することができ、ディスク装置の信頼性を向上
させるとともに、ディスク装置の高記録密度化を図るこ
とができる。
ク装置等のディスク装置に搭載した場合に、磁気ヘッド
とのスペーシングを小さくしてもヘッドクラッシュの発
生を抑制することができ、ディスク装置の信頼性を向上
させるとともに、ディスク装置の高記録密度化を図るこ
とができる。
【００６０】また請求項２の発明によると、ディスク媒
体用ガラス基板のフラッタリング特性を所定値よりも大
きくすることで安定して製造が可能で高い歩留りを得る
ことができる。
体用ガラス基板のフラッタリング特性を所定値よりも大
きくすることで安定して製造が可能で高い歩留りを得る
ことができる。
【００６１】また請求項３〜請求項８のいずれかの発明
によると、粘性を１４００℃におけるＬｏｇηを１．５
以上２．５以下、１３００℃におけるＬｏｇηを２．０
以上３．０以下、１２００℃におけるＬｏｇηを２．４
以上３．５以下、にすることでフラッタリング特性を低
い値にすることができるとともに、安定して高い歩留り
でディスク媒体用ガラス基板を製造することができる。
によると、粘性を１４００℃におけるＬｏｇηを１．５
以上２．５以下、１３００℃におけるＬｏｇηを２．０
以上３．０以下、１２００℃におけるＬｏｇηを２．４
以上３．５以下、にすることでフラッタリング特性を低
い値にすることができるとともに、安定して高い歩留り
でディスク媒体用ガラス基板を製造することができる。
【００６２】また請求項９、請求項１０の発明による
と、内部摩擦係数を８×１０-4〜１６×１０-4、或いは
ダンピング係数を５×１０-4〜１２×１０-4にすること
でフラッタリング特性を低い値にすることができるとと
もに、安定して高い歩留りでディスク媒体用ガラス基板
を製造することができる。
と、内部摩擦係数を８×１０-4〜１６×１０-4、或いは
ダンピング係数を５×１０-4〜１２×１０-4にすること
でフラッタリング特性を低い値にすることができるとと
もに、安定して高い歩留りでディスク媒体用ガラス基板
を製造することができる。
【００６３】また請求項１１の発明によると、比重を３
よりも小さくすることにより、ディスク媒体用ガラス基
板の重量を小さくし、ディスク媒体が搭載されるディス
ク装置の省電力化を図ることができる。
よりも小さくすることにより、ディスク媒体用ガラス基
板の重量を小さくし、ディスク媒体が搭載されるディス
ク装置の省電力化を図ることができる。
【００６４】また請求項１２の発明によると、結晶化熱
処理工程の熱処理条件を １次温度：７３０〜７７０℃ １次時間：２〜７時間 ２次温度：８２０〜９００℃ ２次時間：３〜７時間 にすることにより簡単にフラッタリング特性の値の低い
ディスク媒体用ガラス基板を得ることができる。
処理工程の熱処理条件を １次温度：７３０〜７７０℃ １次時間：２〜７時間 ２次温度：８２０〜９００℃ ２次時間：３〜７時間 にすることにより簡単にフラッタリング特性の値の低い
ディスク媒体用ガラス基板を得ることができる。
【００６５】また請求項１３の発明によると、組成比を
ＳｉＯ2が４５ｗｔ％以上で且つ６０ｗｔ％以下、Ａｌ2
Ｏ3が１２ｗｔ％以上で且つ２０ｗｔ％以下、Ｌｉ2Ｏが
０．１ｗｔ％以上で且つ４ｗｔ％以下、ＭｇＯが１２ｗ
ｔ％以上で且つ２０ｗｔ％以下、ＴｉＯ2が２ｗｔ％以
上で且つ１０ｗｔ％以下、にすることにより、フラッタ
リング特性の値が低く製造が容易なディスク媒体用ガラ
ス基板を得ることができる。
ＳｉＯ2が４５ｗｔ％以上で且つ６０ｗｔ％以下、Ａｌ2
Ｏ3が１２ｗｔ％以上で且つ２０ｗｔ％以下、Ｌｉ2Ｏが
０．１ｗｔ％以上で且つ４ｗｔ％以下、ＭｇＯが１２ｗ
ｔ％以上で且つ２０ｗｔ％以下、ＴｉＯ2が２ｗｔ％以
上で且つ１０ｗｔ％以下、にすることにより、フラッタ
リング特性の値が低く製造が容易なディスク媒体用ガラ
ス基板を得ることができる。
【００６６】また請求項１４の発明によると、Ｐ2Ｏ5を
０．１ｗｔ％以上で且つ５ｗｔ％以下添加することによ
り、十分な結晶核が生成されガラス全体に結晶を均一に
析出させることができる。また、生産性及び化学耐久性
の低下を防止する。
０．１ｗｔ％以上で且つ５ｗｔ％以下添加することによ
り、十分な結晶核が生成されガラス全体に結晶を均一に
析出させることができる。また、生産性及び化学耐久性
の低下を防止する。
【００６７】また請求項１５、請求項１６の発明による
と、内部摩擦係数或いはダンピング係数を所定の範囲に
することでフラッタリング特性の値を低くすることがで
きるとともに、製造を容易に行うことができる。
と、内部摩擦係数或いはダンピング係数を所定の範囲に
することでフラッタリング特性の値を低くすることがで
きるとともに、製造を容易に行うことができる。
【００６８】また請求項１７の発明によると、所定の熱
処理条件により簡単にフラッタリング特性の値の低いデ
ィスク媒体用ガラス基板を得ることができる。
処理条件により簡単にフラッタリング特性の値の低いデ
ィスク媒体用ガラス基板を得ることができる。
【図１】 本発明の実施形態のディスク媒体用ガラス
基板の製造工程を示す図である。
基板の製造工程を示す図である。
【図２】 本発明の実施形態のディスク媒体用ガラス
基板の結晶化熱処理工程の熱処理条件を示す図である。
基板の結晶化熱処理工程の熱処理条件を示す図である。
【図３】 内部摩擦係数の測定方法を示す図である。
【図４】 内部摩擦係数を説明する図である。
【図５】 ダンピング係数の測定方法を示す図であ
る。
る。
【図６】 フラッタリング特性の測定方法を示す図で
ある。
ある。
【図７】 本発明の実施形態のディスク媒体用ガラス
基板のフラッタリング特性を示す図である。
基板のフラッタリング特性を示す図である。
【図８】 本発明の第１、第２実施例のディスク媒体
用ガラス基板の組成比を示す図である。
用ガラス基板の組成比を示す図である。
【図９】 本発明の第１実施例のディスク媒体用ガラ
ス基板の一次温度７００℃における内部摩擦係数及びダ
ンピング係数を示す図である。
ス基板の一次温度７００℃における内部摩擦係数及びダ
ンピング係数を示す図である。
【図１０】 本発明の第１実施例のディスク媒体用ガラ
ス基板の一次温度７５０℃における内部摩擦係数及びダ
ンピング係数を示す図である。
ス基板の一次温度７５０℃における内部摩擦係数及びダ
ンピング係数を示す図である。
【図１１】 本発明の第１実施例のディスク媒体用ガラ
ス基板の一次温度８００℃における内部摩擦係数及びダ
ンピング係数を示す図である。
ス基板の一次温度８００℃における内部摩擦係数及びダ
ンピング係数を示す図である。
【図１２】 本発明の第１実施例のディスク媒体用ガラ
ス基板の粘度を示す図である。
ス基板の粘度を示す図である。
【図１３】 本発明の第１実施例のディスク媒体用ガラ
ス基板のフラッタリング特性を示す図である。
ス基板のフラッタリング特性を示す図である。
【符号の説明】 ２１、３１ フード ２２〜２３、３２〜３４ 吊り糸 ２４ 振動器 ２５ 検出器 ３５ インパルスハンマー ３６ 騒音計 ４１ エアスピンドルモータ ４２ レーザー振動計 Ｗ 試料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉本 章 大阪市中央区安土町二丁目３番13号 大阪 国際ビル ミノルタ株式会社内 (72)発明者 遊亀 博 大阪市中央区安土町二丁目３番13号 大阪 国際ビル ミノルタ株式会社内 (72)発明者 長田 英喜 大阪市中央区安土町二丁目３番13号 大阪 国際ビル ミノルタ株式会社内 (72)発明者 石丸 和彦 大阪市中央区安土町二丁目３番13号 大阪 国際ビル ミノルタ株式会社内 Ｆターム(参考） 4G062 AA11 BB01 CC04 CC09 DA05 DA06 DB04 DC01 DD02 DD03 DE01 DF01 EA02 EA03 EB01 EC01 ED04 EE01 EF01 EG01 FA01 FB03 FC01 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM27 NN33 NN40 5D006 CB04 CB07 DA03 FA00
Claims (17)
- 【請求項１】 直径が７０ｍｍ以上且つ９０ｍｍ以下、
厚みが０．７ｍｍ以上且つ０．９ｍｍ以下のディスク媒
体用ガラス基板において、回転数が１００００ＲＰＭの
時のフラッタリング特性を９０ｎｍよりも小さくしたこ
とを特徴とするディスク媒体用ガラス基板。 - 【請求項２】 回転数が１００００ＲＰＭの時のフラッ
タリング特性を５８ｎｍ以上にしたことを特徴とする請
求項１に記載のディスク媒体用ガラス基板。 - 【請求項３】 粘度をηポイズとしたときに、１４００
℃におけるＬｏｇηを１．５以上にしたことを特徴とす
る請求項１に記載のディスク媒体用ガラス基板。 - 【請求項４】 １４００℃におけるＬｏｇηを２．５以
下にしたことを特徴とする請求項３に記載のディスク媒
体用ガラス基板。 - 【請求項５】 粘度をηポイズとしたときに、１３００
℃におけるＬｏｇηを２．０以上にしたことを特徴とす
る請求項１に記載のディスク媒体用ガラス基板。 - 【請求項６】 １３００℃におけるＬｏｇηを３．０以
下にしたことを特徴とする請求項５に記載のディスク媒
体用ガラス基板。 - 【請求項７】 粘度をηポイズとしたときに、１２００
℃におけるＬｏｇηを２．４以上にしたことを特徴とす
る請求項１に記載のディスク媒体用ガラス基板。 - 【請求項８】 １２００℃におけるＬｏｇηを３．５以
下にしたことを特徴とする請求項７に記載のディスク媒
体用ガラス基板。 - 【請求項９】 内部摩擦係数を８×１０-4〜１６×１０
-4にしたことを特徴とする請求項１に記載のディスク媒
体用ガラス基板。 - 【請求項１０】 ダンピング係数を５×１０-4〜１２×
１０-4にしたことを特徴とする請求項１に記載のディス
ク媒体用ガラス基板。 - 【請求項１１】 比重を３よりも小さくしたことを特徴
とする請求項１に記載のディスク媒体用ガラス基板。 - 【請求項１２】 原料を７３０℃〜７７０℃まで昇温し
て２時間〜７時間保持した後、８２０℃〜９００℃まで
昇温して３時間〜７時間保持して作成したことを特徴と
する請求項１に記載のディスク媒体用ガラス基板。 - 【請求項１３】 主成分の組成範囲を、 ＳｉＯ2が４５ｗｔ％以上で且つ６０ｗｔ％以下、 Ａｌ2Ｏ3が１２ｗｔ％以上で且つ２０ｗｔ％以下、 Ｌｉ2Ｏが０．１ｗｔ％以上で且つ ４ｗｔ％以下、 ＭｇＯが１２ｗｔ％以上で且つ２０ｗｔ％以下、 ＴｉＯ2が２ｗｔ％以上で且つ１０ｗｔ％以下、 にしたことを特徴とする請求項１〜請求項１２のいずれ
かに記載のディスク媒体用ガラス基板。 - 【請求項１４】 Ｐ2Ｏ5を０．１ｗｔ％以上で且つ５ｗ
ｔ％以下添加したことを特徴とする請求項１３に記載の
ディスク媒体用ガラス基板。 - 【請求項１５】 内部摩擦係数を８×１０-4〜１６×１
０-4にしたことを特徴とするディスク媒体用ガラス基
板。 - 【請求項１６】 ダンピング係数を５×１０-4〜１２×
１０-4にしたことを特徴とするディスク媒体用ガラス基
板。 - 【請求項１７】 原料を７３０℃〜７７０℃まで昇温し
て２時間〜７時間保持した後、８２０℃〜９００℃まで
昇温して３時間〜７時間保持して作成したことを特徴と
するディスク媒体用ガラス基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000079343A JP2001266329A (ja) | 2000-03-16 | 2000-03-16 | ディスク媒体用ガラス基板 |
| US09/808,020 US20010022705A1 (en) | 2000-03-16 | 2001-03-15 | Glass substrate for recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000079343A JP2001266329A (ja) | 2000-03-16 | 2000-03-16 | ディスク媒体用ガラス基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001266329A true JP2001266329A (ja) | 2001-09-28 |
Family
ID=18596604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000079343A Pending JP2001266329A (ja) | 2000-03-16 | 2000-03-16 | ディスク媒体用ガラス基板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2001266329A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2012128927A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Konica Minolta Advanced Layers Inc | 記録媒体用ガラス基板 |
| JP2012126625A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Konica Minolta Advanced Layers Inc | 記録媒体用ガラス基板 |
| JP2012126626A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Konica Minolta Advanced Layers Inc | 記録媒体用ガラス基板 |
| JP6004129B1 (ja) * | 2016-01-07 | 2016-10-05 | 旭硝子株式会社 | 磁気記録媒体用ガラス基板、磁気記録媒体 |
| JP2020093943A (ja) * | 2018-12-10 | 2020-06-18 | Hoya株式会社 | 磁気記録媒体基板用ガラス、磁気記録媒体基板、磁気記録媒体 |
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| CN100449616C (zh) | 1999-02-12 | 2009-01-07 | 通用电气公司 | 数据存储介质及其形成方法、压印衬底及检索数据的方法 |
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| WO2015065747A1 (en) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | United Technologies Corporation | Systems and methods for finishing flow elements |
| WO2020018408A1 (en) * | 2018-07-16 | 2020-01-23 | Corning Incorporated | Methods for ceramming glass with nucleation and growth density and viscosity changes |
| WO2020018432A1 (en) | 2018-07-16 | 2020-01-23 | Corning Incorporated | Glass substrates including uniform parting agent coatings and methods of ceramming the same |
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| CN112437759A (zh) | 2018-07-16 | 2021-03-02 | 康宁股份有限公司 | 具有改善的翘曲的玻璃制品的陶瓷化方法 |
| KR102618611B1 (ko) | 2018-07-16 | 2023-12-27 | 코닝 인코포레이티드 | 개선된 특성을 갖는 유리 세라믹 물품 및 이의 제조 방법 |
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-
2000
- 2000-03-16 JP JP2000079343A patent/JP2001266329A/ja active Pending
-
2001
- 2001-03-15 US US09/808,020 patent/US20010022705A1/en not_active Abandoned
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