JP2001124794A - Mounting structure of micro-machined sensor and mounting method thereof - Google Patents
Mounting structure of micro-machined sensor and mounting method thereofInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板に一般の安価な樹脂基板を用い、またワ
イヤボンドを高段差にすることなく、熱膨張差による応
力を吸収するマイクロ加工センサの実装構造及びその実
装方法を提供すること。
【解決手段】 マイクロ加工センサ1を基板14に実装
する実装構造において、上面と下面を導通する上下配線
11及び、下面に前記上下配線と接するバンプ12を形
成した基台10の上面に、マイクロ加工センサ1を搭載
し、マイクロ加工センサ1の信号出力端子部7と基台1
0上部にある上下配線11の電極部13とをワイヤボン
ド8で接続し、マイクロ加工センサ1を搭載した基台1
0を基板14に実装したことを特徴とする。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mounting structure and a mounting method of a micro-machined sensor that uses a general inexpensive resin substrate as a substrate and absorbs stress due to a difference in thermal expansion without increasing a wire bond to a high step. To provide. SOLUTION: In a mounting structure for mounting a micro-processed sensor 1 on a substrate 14, micro-processes are formed on an upper surface of a base 10 having upper and lower wirings 11 conducting between the upper and lower surfaces and bumps 12 formed on the lower surface in contact with the upper and lower wires. The sensor 1 is mounted, and the signal output terminal 7 of the micro-processed sensor 1 and the base 1
The base 1 on which the microfabricated sensor 1 is mounted by connecting the upper and lower electrodes 11 of the upper and lower wirings 11 by wire bonds 8
0 is mounted on the substrate 14.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体圧力センサ
や半導体加速度センサ等のマイクロ加工センサの実装構
造及びその実装方法に関するものである。The present invention relates to a mounting structure of a micromachined sensor such as a semiconductor pressure sensor and a semiconductor acceleration sensor, and a mounting method thereof.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体圧力センサや半導体加速度センサ
等のマイクロ加工センサ1の従来の実装構造を図5に示
す。ここでは、マイクロ加工センサ1に半導体加速度セ
ンサを例にあげて説明を行う。2. Description of the Related Art FIG. 5 shows a conventional mounting structure of a micro-machined sensor 1 such as a semiconductor pressure sensor or a semiconductor acceleration sensor. Here, a description will be given by taking a semiconductor acceleration sensor as an example of the microfabricated sensor 1.
【0003】半導体加速度センサには、加速時に変位す
る重り部2と、この重り部2に連結された撓み部3と、
この撓み部3に重り部2の変位により撓み部3に生じる
歪みを検出するピエゾ抵抗4を有して、このピエゾ抵抗
4の抵抗変化をもとに加速度を検知するものがある。重
り部2及び撓み部3の上部及び下部には、過大な加速度
が生じたとき、重り部2の変位を制限し撓み部4の破壊
を防止する役目をもつガラス材料の上部ストッパ5及び
下部ストッパ6が備えられている。この下部ストッパ6
は重り部2及び撓み部3を形成しているチップ部のガラ
ス台座としての役割も兼ね備える。ピエゾ抵抗4の抵抗
変化で検出された加速度信号を外部に出力する信号出力
端子部7は、配線基板上の配線パターンの電極15にワ
イヤボンド8により接続される。[0003] The semiconductor acceleration sensor includes a weight portion 2 that is displaced during acceleration, a bending portion 3 connected to the weight portion 2,
Some flexures 3 have a piezoresistor 4 for detecting a distortion generated in the flexure 3 due to the displacement of the weight 2, and detect acceleration based on a change in resistance of the piezoresistance 4. Upper and lower stoppers 5 and 5 made of glass material serving to limit displacement of the weight portion 2 and prevent breakage of the flexure portion 4 when excessive acceleration occurs at the upper and lower portions of the weight portion 2 and the flexure portion 3. 6 are provided. This lower stopper 6
The chip portion forming the weight portion 2 and the bending portion 3 also serves as a glass pedestal. A signal output terminal unit 7 for outputting an acceleration signal detected by a change in resistance of the piezo resistor 4 to the outside is connected to an electrode 15 of a wiring pattern on a wiring board by a wire bond 8.
【0004】尚、半導体圧力センサについては図示しな
いが、半導体加速度センサと同様、ピエゾ抵抗変化によ
り圧力を検知する方法がとられる。また、圧力導入孔を
有するガラス台座(下半導体加速度センサの下部ストッ
パ6に相当)が半導体圧力センサチップ下部に設けられ
る。すなわち基本構造は半導体加速度センサに類似す
る。Although a semiconductor pressure sensor is not shown, a method of detecting a pressure by a change in piezoresistance is used similarly to a semiconductor acceleration sensor. Further, a glass pedestal having a pressure introducing hole (corresponding to the lower stopper 6 of the lower semiconductor acceleration sensor) is provided below the semiconductor pressure sensor chip. That is, the basic structure is similar to the semiconductor acceleration sensor.
【0005】このようなマイクロ加工センサ1を配線基
板上にCOB(chip on bord)実装する場
合、マイクロ加工センサ1と配線基板との熱膨張差によ
る応力が発生し、マイクロ加工センサ1のセンシング部
分への影響が問題となる。特に撓み部4に影響を与え、
加速度検知等の誤差要因となる。When such a micro-processed sensor 1 is mounted on a wiring board by COB (chip on board), a stress is generated due to a difference in thermal expansion between the micro-processed sensor 1 and the wiring board, and a sensing portion of the micro-processed sensor 1 is generated. The effect on is a problem. In particular, it affects the bending portion 4,
This becomes an error factor for acceleration detection and the like.
【0006】この熱膨張差の対策として、配線基板に熱
膨張差の少ないセラミック基板18を用いるとともに、
マイクロ加工センサ1と配線基板とを接着するダイボン
ド材料に弾性率の高いシリコンペースト16を用いて応
力を吸収している。As a countermeasure against the difference in thermal expansion, a ceramic substrate 18 having a small difference in thermal expansion is used as a wiring board.
The stress is absorbed by using a silicon paste 16 having a high elastic modulus as a die bond material for bonding the microfabricated sensor 1 and the wiring substrate.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、セラミ
ック基板18は高価であり、一般の安価な樹脂基板を用
いると、樹脂基板とマイクロ加工センサとの熱膨張差が
大きく強い応力が発生し、シリコンペースト16だけで
はその応力を十分吸収できなくなる。さらにその対策と
して、シリコンペースト16の厚みやガラス台座(下部
ストッパ6に相当)の厚みを増やすことが考えられる
が、ワイヤボンド18が高い段差となり、歩留まりが低
下するという問題が新たに生ずる。However, the ceramic substrate 18 is expensive, and if a general inexpensive resin substrate is used, the thermal expansion difference between the resin substrate and the microfabricated sensor is large and a strong stress is generated. 16 alone cannot absorb the stress sufficiently. As a countermeasure, it is conceivable to increase the thickness of the silicon paste 16 or the thickness of the glass pedestal (corresponding to the lower stopper 6). However, there is a new problem that the wire bond 18 becomes a high step and the yield decreases.
【0008】本発明は、上記事由に鑑みてなしたもの
で、その目的とするところは、配線基板に一般の安価な
樹脂基板を用い、またワイヤボンドを高段差にすること
なく、熱膨張差による応力を吸収するマイクロ加工セン
サの実装構造及びその実装方法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to use a general inexpensive resin substrate as a wiring board, and to make a difference in thermal expansion difference without increasing a wire bond to a high step. It is an object of the present invention to provide a mounting structure of a micro-machined sensor and a mounting method thereof, which absorb a stress caused by a micro sensor.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の発明は、半導体圧力センサや半導体
加速度センサ等のマイクロ加工センサを基板に実装する
実装構造において、上面と下面を導通する上下配線及
び、下面に前記上下配線と接するバンプを形成した基台
の上面に、前記マイクロ加工センサを搭載し、前記マイ
クロ加工センサの信号出力端子部と前記基台上部にある
上下配線の電極部とをワイヤボンドで接続し、前記マイ
クロ加工センサを搭載した前記基台を前記基板に実装し
たことを特徴とするものである。In order to achieve the above object, an invention according to claim 1 is directed to a mounting structure for mounting a micro-machined sensor such as a semiconductor pressure sensor or a semiconductor acceleration sensor on a substrate. The upper and lower wirings that are conductive, and the upper surface of a base on which bumps that are in contact with the upper and lower wirings are formed on the lower surface, the micromachining sensor is mounted. An electrode unit is connected by wire bonding, and the base on which the micro-processed sensor is mounted is mounted on the substrate.
【0010】請求項2記載の発明は、請求項1記載のマ
イクロ加工センサの実装構造において、記マイクロ加工
センサが半導体加速度センサであり、前記基台が、前記
半導体加速度センサ内の加速度を検知する重り部の過大
な振れを抑制するストッパとして兼用してなることを特
徴とするものである。According to a second aspect of the present invention, in the mounting structure of the micro-processed sensor according to the first aspect, the micro-processed sensor is a semiconductor acceleration sensor, and the base detects acceleration in the semiconductor acceleration sensor. It is characterized in that it also serves as a stopper for suppressing excessive swing of the weight portion.
【0011】請求項3記載の発明は、請求項1記載のマ
イクロ加工センサの実装構造の製造方法において、前記
基台と前記マイクロ加工センサとを接着剤で接着し、次
にマイクロ加工センサの信号出力端子部と前記基台上部
にある上下配線の電極部とをワイヤボンドで接続し、次
に前記マイクロ加工センサを搭載した前記基台を前記基
板に、前記基台下部のバンプが前記基板の配線パターン
の電極上に位置するように搭載し、次にリフロー加熱に
より前記バンプを融解して実装するようにしたことを特
徴とするものである。According to a third aspect of the present invention, in the method for manufacturing a mounting structure of a micro-machined sensor according to the first aspect, the base and the micro-machined sensor are bonded with an adhesive, and then a signal of the micro-machined sensor is provided. The output terminal portion and the electrode portion of the upper and lower wirings on the upper portion of the base are connected by wire bonding, and then the base on which the microfabricated sensor is mounted is mounted on the substrate, and the bumps on the lower portion of the base are mounted on the substrate. The bump is mounted so as to be located on the electrode of the wiring pattern, and then the bump is melted and mounted by reflow heating.
【0012】請求項4記載の発明は、請求項2記載のマ
イクロ加工センサの実装構造の製造方法において、半導
体加速度センサの本体部であるチップ部と、前記基台と
を陽極接合し、次にマイクロ加工センサの信号出力端子
部と前記基台上部にある上下配線の電極部とをワイヤボ
ンドで接続し、次に前記マイクロ加工センサを搭載した
前記基台を前記基板に、前記基台下部のバンプが前記基
板の配線パターンの電極上に位置するように搭載し、次
にリフロー加熱により前記バンプを融解して実装するよ
うにしたことを特徴とするものである。According to a fourth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a mounting structure for a micro-machined sensor according to the second aspect, the chip portion, which is the main body portion of the semiconductor acceleration sensor, and the base are anodically bonded. The signal output terminal section of the micro-machined sensor and the upper and lower wiring electrodes on the base are connected by wire bonding, and then the base on which the micro-machined sensor is mounted is mounted on the substrate, The bump is mounted so as to be positioned on an electrode of the wiring pattern of the substrate, and then the bump is melted and mounted by reflow heating.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
マイクロ加工センサの実装構造及びその実装方法につい
て図1乃至図4にもとづき説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A mounting structure and a mounting method of a micro-machined sensor according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【0014】図1は本発明の第1の実施の形態のマイク
ロ加工センサの実装構造を示す側面図である。マイクロ
加工センサ1を実装する配線基板に樹脂基板14を用い
る。本来この基板上にマイクロ加工センサ1(図では半
導体加速度センサ)を実装するが、本発明では、間にガ
ラス基台10を設ける。ガラス基台10は、配線パター
ンを有するが、特に上面と下面を導通する上下配線11
を有し、また、ガラス基台10下面において上下配線1
1に電気的接続がなされるバンプ12(半田バンプ等)
を形成している。マイクロ加工センサ1を、ガラス基台
10上にシリコンペースト16を用いて実装する。マイ
クロ加工センサ1を実装したガラス基台10を、バンプ
12が樹脂基板14上の配線パターンの電極15上に一
致するように、樹脂基板14に搭載し、バンプ12によ
り電気的接続を行う。また、本実施の形態では樹脂基板
14とガラス基台10の間にアンダーフィル樹脂を充填
しこれを硬化し、強度、耐環境性を高めている。FIG. 1 is a side view showing a mounting structure of a micro-machined sensor according to a first embodiment of the present invention. A resin substrate 14 is used as a wiring substrate on which the micro-processed sensor 1 is mounted. Although the micro-machined sensor 1 (semiconductor acceleration sensor in the figure) is originally mounted on this substrate, a glass base 10 is provided therebetween in the present invention. The glass base 10 has a wiring pattern.
And the upper and lower wiring 1 on the lower surface of the glass base 10.
Bumps 12 (such as solder bumps) that are electrically connected to 1
Is formed. The microfabricated sensor 1 is mounted on a glass base 10 using a silicon paste 16. The glass base 10 on which the microfabricated sensor 1 is mounted is mounted on the resin substrate 14 so that the bumps 12 coincide with the electrodes 15 of the wiring pattern on the resin substrate 14, and electrical connection is made by the bumps 12. Further, in the present embodiment, an underfill resin is filled between the resin substrate 14 and the glass base 10 and is hardened to enhance strength and environmental resistance.
【0015】ここで、マイクロ加工センサ1の信号出力
端子部7は、ガラス基台10上面の上下配線11に電気
的接続がなされている電極部13にワイヤボンド8で接
続される。つまり、信号出力端子部7は、樹脂基板14
の電極15にではなく、ガラス基台10の電極部13に
ワイヤボンディングされる。よって、信号出力端子部7
から出力されるセンサ信号(ここでは加速度検知信号)
は、ワイヤボンド8を通り、ガラス基台10上の電極部
13、ガラス基台10内の上下配線11、バンプ12の
経路で、樹脂基板14上の電極15に導かれる。Here, the signal output terminal portion 7 of the micro-machined sensor 1 is connected to the electrode portion 13 electrically connected to the upper and lower wirings 11 on the upper surface of the glass base 10 by wire bonds 8. That is, the signal output terminal section 7 is
Wire bonding to the electrode portion 13 of the glass base 10 instead of to the electrode 15 of FIG. Therefore, the signal output terminal 7
Sensor signal (acceleration detection signal in this case) output from
Is guided to the electrode 15 on the resin substrate 14 through the wire bond 8, the electrode portion 13 on the glass base 10, the upper and lower wirings 11 in the glass base 10, and the bump 12.
【0016】このようにマイクロ加工センサ1の樹脂基
板14への実装において、ガラス基台10を間に介した
実装構造となっているので、熱膨張差によって生ずる応
力が、ガラス基台10で緩和されるという効果を奏す
る。また、ワイヤボンド8もガラス基台10上の電極部
13になされるので、高い段差になることなく、ワイヤ
ボンディングの歩留まり劣化を防ぐことができるという
効果を奏する。As described above, when mounting the microfabricated sensor 1 on the resin substrate 14, the mounting structure is provided with the glass base 10 interposed therebetween, so that the stress caused by the difference in thermal expansion is reduced by the glass base 10. This has the effect of being performed. Further, since the wire bond 8 is also formed on the electrode portion 13 on the glass base 10, there is an effect that the yield of wire bonding can be prevented from deteriorating without a high step.
【0017】図2は本発明の第2の実施の形態をマイク
ロ加工センサの実装構造を示す側面図である。基本は第
1の実施の形態と同様にガラス基台10を介在させた構
造であるが、本実施の形態では特に、ガラス基台10
が、半導体加速度センサ(マイクロ加工センサ1)内の
加速度を検知する重り部2の過大な振れを抑制するスト
ッパ(下部ストッパ6)と兼用してなる。ワイヤボンド
8は、同様にガラス基台10(下部ストッパ6)上の電
極部11に接続される。FIG. 2 is a side view showing a mounting structure of a micro-machined sensor according to a second embodiment of the present invention. The basic structure is a structure in which a glass base 10 is interposed as in the first embodiment.
Is also used as a stopper (lower stopper 6) for suppressing excessive swing of the weight portion 2 for detecting acceleration in the semiconductor acceleration sensor (micro-processing sensor 1). The wire bond 8 is similarly connected to the electrode section 11 on the glass base 10 (lower stopper 6).
【0018】このようにガラス基台10が、下部ストッ
パ6を兼用してなるので、工数削減、低コスト化が図れ
るとともに、ワイヤボンド8の段差をさらに小さくする
ことができるので、ワイヤボンディングの信頼性をあげ
ることにつながり、歩留まりが向上するという効果を奏
する。Since the glass base 10 also serves as the lower stopper 6, the number of steps can be reduced and the cost can be reduced, and the step of the wire bond 8 can be further reduced. This has the effect of improving the performance and improving the yield.
【0019】図3は本発明の第3の実施の形態として、
マイクロ加工センサの実装構造の第1の製造方法を示す
工程図である。内部に上下配線11及び、上下配線11
上部に電極部13、上下配線11下部にバンプ12を有
するガラス基台10に、シリコンペースト16を用いて
マイクロ加工センサ1を実装する(a)。次にワイヤボ
ンド8によりマイクロ加工センサ1の信号出力端子部7
とガラス基台10上の電極部13とを接続する(b)。
次に、マイクロ加工センサ1を実装したガラス基台10
を、バンプ12が樹脂基板14上の配線パターンの電極
15上に一致するように、樹脂基板14に搭載する
(c)。そして、リフロー加熱処理によりバンプ12を
融解して上下配線11と樹脂基板上の配線パターンと電
気接続を行う。最後に、樹脂基板14とガラス基台10
の間にアンダーフィル樹脂17を充填しこれを硬化し、
強度、耐環境性を高める。FIG. 3 shows a third embodiment of the present invention.
It is a process drawing showing the 1st manufacturing method of the mounting structure of a micromachining sensor. Upper and lower wiring 11 and upper and lower wiring 11 inside
The microfabricated sensor 1 is mounted on a glass base 10 having an electrode portion 13 on an upper part and a bump 12 on a lower part of an upper and lower wiring 11 using a silicon paste 16 (a). Next, the signal output terminal portion 7 of the micro-processed sensor 1 is formed by wire bonding 8.
And the electrode unit 13 on the glass base 10 are connected (b).
Next, the glass base 10 on which the microfabricated sensor 1 is mounted
Is mounted on the resin substrate 14 such that the bumps 12 are aligned with the electrodes 15 of the wiring pattern on the resin substrate 14 (c). Then, the bumps 12 are melted by the reflow heat treatment, and the upper and lower wirings 11 are electrically connected to the wiring patterns on the resin substrate. Finally, the resin substrate 14 and the glass base 10
Fill the underfill resin 17 between and cure it,
Increase strength and environmental resistance.
【0020】図4は本発明の第4の実施の形態として、
マイクロ加工センサの実装構造の第2の製造方法を示す
工程図である。これは、特に前記第2の実施形態の実装
構造に係る製造方法である。内部に上下配線11及び、
上下配線11上部に電極部13、上下配線11下部にバ
ンプ12を有するガラス基台10に、下部ストッパ6の
無い状態のマイクロ加工センサ1(半導体加速度セン
サ)を搭載し、陽極接合によりマイクロ加工センサ1と
ガラス基台10とを接続する。ここで、ガラス基台10
が下部ストッパ6の役割を兼ねる(a)。次にワイヤボ
ンド8によりマイクロ加工センサ1の信号出力端子部7
とガラス基台10上の電極部13とを接続する(b)。
次に、マイクロ加工センサ1を実装したガラス基台10
を、バンプ12が樹脂基板14上の配線パターンの電極
15上に一致するように、樹脂基板14に搭載する
(c)。そして、リフロー加熱処理によりバンプ12を
融解して上下配線11と樹脂基板上の配線パターンと電
気接続を行う。最後に、樹脂基板14とガラス基台10
の間にアンダーフィル樹脂17を充填しこれを硬化し、
強度、耐環境性を高める。FIG. 4 shows a fourth embodiment of the present invention.
It is a flowchart showing the 2nd manufacturing method of the mounting structure of a micromachining sensor. This is a manufacturing method according to the mounting structure of the second embodiment. Upper and lower wiring 11 inside,
The micro-machined sensor 1 (semiconductor acceleration sensor) without the lower stopper 6 is mounted on the glass base 10 having the electrode portion 13 above the upper and lower wirings 11 and the bump 12 below the upper and lower wirings 11, and the micro-machined sensor is formed by anodic bonding. 1 and the glass base 10 are connected. Here, the glass base 10
Also functions as the lower stopper 6 (a). Next, the signal output terminal portion 7 of the micro-processed sensor 1 is formed by wire bonding 8.
And the electrode unit 13 on the glass base 10 are connected (b).
Next, the glass base 10 on which the microfabricated sensor 1 is mounted
Is mounted on the resin substrate 14 such that the bumps 12 are aligned with the electrodes 15 of the wiring pattern on the resin substrate 14 (c). Then, the bumps 12 are melted by the reflow heat treatment, and the upper and lower wirings 11 are electrically connected to the wiring patterns on the resin substrate. Finally, the resin substrate 14 and the glass base 10
Fill the underfill resin 17 between and cure it,
Increase strength and environmental resistance.
【0021】以上、本発明の実施の形態について示し
た。尚、本発明では、上下配線11を有するガラス基台
を使用しているが、HOYA社製に金属ワイヤ入りガラ
スがあり、このガラスをカットし本発明のガラス基台1
0に使用すれば、低コストで本発明の実装構造を実現す
ることができる。The embodiment of the present invention has been described above. In the present invention, a glass base having upper and lower wirings 11 is used. However, there is a glass with a metal wire manufactured by HOYA, and this glass is cut and the glass base 1 of the present invention is cut.
If 0 is used, the mounting structure of the present invention can be realized at low cost.
【0022】[0022]
【発明の効果】上述の如く、本発明の請求項1記載の発
明によれば、半導体圧力センサや半導体加速度センサ等
のマイクロ加工センサを基板に実装する実装構造におい
て、上面と下面を導通する上下配線及び、下面に前記上
下配線と接するバンプを形成した基台の上面に、前記マ
イクロ加工センサを搭載し、前記マイクロ加工センサの
信号出力端子部と前記基台上部にある上下配線の電極部
とをワイヤボンドで接続し、前記マイクロ加工センサを
搭載した前記基台を前記基板に実装するようにしたの
で、実装時の熱膨張差によって生ずる応力がガラス基台
で緩和することができ、基板に低コストの樹脂基板を使
用することができるとともに、ワイヤボンドがガラス基
台上の電極部になされるので、高い段差になることな
く、ワイヤボンディングの歩留まり劣化を防ぐことがで
きるマイクロ加工センサの実装構造が提供できた。As described above, according to the first aspect of the present invention, in a mounting structure for mounting a microfabricated sensor such as a semiconductor pressure sensor or a semiconductor acceleration sensor on a substrate, the upper and lower surfaces for conducting between the upper surface and the lower surface are provided. Wiring and, on the upper surface of the base on which the bumps in contact with the upper and lower wirings are formed on the lower surface, the micromachining sensor is mounted. Are connected by wire bonds, and the base on which the micro-machined sensor is mounted is mounted on the substrate, so that stress caused by a difference in thermal expansion during mounting can be reduced by the glass base, and A low-cost resin substrate can be used, and since the wire bonds are made to the electrodes on the glass base, the wire bonding can be performed without a high step. Mounting structure of a micro-machined sensor that can prevent the yield degradation could be provided.
【0023】請求項2記載の発明においては、請求項1
記載の発明の実装構造において、前記マイクロ加工セン
サが半導体加速度センサであり、前記基台が、前記半導
体加速度センサ内の加速度を検知する重り部の過大な振
れを抑制するストッパとして兼用してなるようにしたの
で、さらに低コスト化が図れるという効果を奏する。According to the second aspect of the present invention, the first aspect is provided.
In the mounting structure of the invention described above, the microfabricated sensor is a semiconductor acceleration sensor, and the base also serves as a stopper that suppresses excessive swing of a weight portion that detects acceleration in the semiconductor acceleration sensor. Therefore, there is an effect that the cost can be further reduced.
【0024】請求項3記載の発明においては、前記基台
と前記マイクロ加工センサとを接着剤で接着し、次にマ
イクロ加工センサの信号出力端子部と前記基台上部にあ
る上下配線の電極部とをワイヤボンドで接続し、次に前
記マイクロ加工センサを搭載した前記基台を前記基板
に、前記基台下部のバンプが前記基板の配線パターンの
電極上に位置するように搭載し、次にリフロー加熱によ
り前記バンプを融解して実装するようにしたので、本発
明の実装構造を容易に実現できるという効果を奏する。According to the third aspect of the present invention, the base and the microfabricated sensor are adhered to each other with an adhesive, and then a signal output terminal of the microfabricated sensor and an electrode portion of upper and lower wirings provided on the base. Are connected by wire bonding, and then the base on which the microfabricated sensor is mounted is mounted on the substrate so that the bumps on the lower part of the base are located on the electrodes of the wiring pattern of the substrate, Since the bumps are melted and mounted by reflow heating, there is an effect that the mounting structure of the present invention can be easily realized.
【0025】請求項4記載の発明においては、半導体加
速度センサの本体部であるチップ部と、前記基台とを陽
極接合し、次にマイクロ加工センサの信号出力端子部と
前記基台上部にある上下配線の電極部とをワイヤボンド
で接続し、次に前記マイクロ加工センサを搭載した前記
基台を前記基板に、前記基台下部のバンプが前記基板の
配線パターンの電極上に位置するように搭載し、次にリ
フロー加熱により前記バンプを融解して実装するように
したので、本発明の実装構造を容易に実現できるととも
にさらに工数削減ができるという効果を奏する。In the invention according to claim 4, the chip portion, which is the main body portion of the semiconductor acceleration sensor, is anodically bonded to the base, and then the signal output terminal portion of the micro-machined sensor and the upper part of the base are provided. The electrode portions of the upper and lower wirings are connected by wire bonding, and then the base on which the microfabricated sensor is mounted is placed on the substrate, and the bumps on the base are positioned on the electrodes of the wiring pattern on the substrate. Since the mounting is performed and then the bumps are melted and mounted by reflow heating, the mounting structure of the present invention can be easily realized and the number of steps can be further reduced.
【図1】本発明の第1の実施の形態のマイクロ加工セン
サの実装構造を示す側面図である。FIG. 1 is a side view showing a mounting structure of a micro-machined sensor according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2の実施の形態のマイクロ加工セン
サの実装構造を示す側面図である。FIG. 2 is a side view showing a mounting structure of a micro-machined sensor according to a second embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第3の実施の形態として、マイクロ加
工センサの実装構造の第1の製造方法を示す工程図であ
る。FIG. 3 is a process chart showing a first manufacturing method of a mounting structure of a micro-machined sensor as a third embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第4の実施の形態として、マイクロ加
工センサの実装構造の第2の製造方法を示す工程図であ
る。FIG. 4 is a process chart showing a second method of manufacturing a mounting structure of a micro-machined sensor as a fourth embodiment of the present invention.
【図5】従来の実施例を示す側面図である。FIG. 5 is a side view showing a conventional example.
1 マイクロ加工センサ 6 ガラス台座(半導体加速度センサ下部ストッパ) 7 信号出力端子部 8 ワイヤボンド 10 (ガラス)基台 11 上下配線 12 バンプ 13 (上下配線上部)電極部 14 樹脂基板 15 (配線パターン)電極 16 シリコンペースト 17 アンダーフィル樹脂 18 セラミック基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Micro processing sensor 6 Glass pedestal (semiconductor acceleration sensor lower stopper) 7 Signal output terminal part 8 Wire bond 10 (Glass) base 11 Upper and lower wiring 12 Bump 13 (Upper and lower wiring) Electrode part 14 Resin substrate 15 (Wiring pattern) electrode 16 Silicon paste 17 Underfill resin 18 Ceramic substrate
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 29/84 H01L 23/12 L W (72)発明者 西條 隆司 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 齊藤 宏 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 赤井 澄夫 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Fターム(参考) 2F055 AA40 BB20 CC02 CC12 DD04 DD07 FF21 FF23 FF43 GG14 4M112 AA02 CA31 CA33 DA13 DA18 EA13 EA14 GA01 5F044 AA10 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) H01L 29/84 H01L 23/12 L W (72) Inventor Ryoji Saijo 1048 Odakadoma, Kadoma City, Osaka Matsushita Electric Works, Ltd. (72) Inventor Hiroshi Saito 1048 Kadoma, Kadoma, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Works, Ltd. (72) Inventor Sumio Akai 1048 Kadoma, Kazuma, Kadoma, Osaka Prefecture F-term (reference) 2F055 AA40 BB20 CC02 CC12 DD04 DD07 FF21 FF23 FF43 GG14 4M112 AA02 CA31 CA33 DA13 DA18 EA13 EA14 GA01 5F044 AA10
Claims (4)
等のマイクロ加工センサを基板に実装する実装構造にお
いて、上面と下面を導通する上下配線及び、下面に前記
上下配線と接するバンプを形成した基台の上面に、前記
マイクロ加工センサを搭載し、前記マイクロ加工センサ
の信号出力端子部と前記基台上部にある上下配線の電極
部とをワイヤボンドで接続し、前記マイクロ加工センサ
を搭載した前記基台を前記基板に実装したことを特徴と
するマイクロ加工センサの実装構造。In a mounting structure for mounting a microfabricated sensor such as a semiconductor pressure sensor or a semiconductor acceleration sensor on a substrate, a base having an upper and lower wiring conducting between an upper surface and a lower surface and a bump formed on the lower surface in contact with the upper and lower wiring is formed. The base on which the micro-fabricated sensor is mounted, and the signal output terminal portion of the micro-fabricated sensor is connected to the upper and lower wiring electrodes on the base by wire bonding, and the micro-fabricated sensor is mounted. Is mounted on the substrate.
センサであり、前記基台が、前記半導体加速度センサ内
の加速度を検知する重り部の過大な振れを抑制するスト
ッパとして兼用してなることを特徴とする請求項1記載
のマイクロ加工センサの実装構造。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the micro-machining sensor is a semiconductor acceleration sensor, and the base is also used as a stopper for suppressing an excessive deflection of a weight detecting an acceleration in the semiconductor acceleration sensor. The mounting structure of the microfabricated sensor according to claim 1.
接着剤で接着し、次にマイクロ加工センサの信号出力端
子部と前記基台上部にある上下配線の電極部とをワイヤ
ボンドで接続し、次に前記マイクロ加工センサを搭載し
た前記基台を前記基板に、前記基台下部のバンプが前記
基板の配線パターンの電極上に位置するように搭載し、
次にリフロー加熱により前記バンプを融解して実装する
ようにしたことを特徴とする請求項1記載のマイクロ加
工センサの実装方法。3. The base and the microfabricated sensor are bonded with an adhesive, and then the signal output terminal of the microfabricated sensor and the upper and lower wiring electrodes on the base are connected by wire bonding. Then, the base on which the micro-processed sensor is mounted is mounted on the substrate so that the bumps at the lower part of the base are located on the electrodes of the wiring pattern of the substrate,
2. The method according to claim 1, wherein the bump is melted and mounted by reflow heating.
プ部と、前記基台とを陽極接合し、次にマイクロ加工セ
ンサの信号出力端子部と前記基台上部にある上下配線の
電極部とをワイヤボンドで接続し、次に前記マイクロ加
工センサを搭載した前記基台を前記基板に、前記基台下
部のバンプが前記基板の配線パターンの電極上に位置す
るように搭載し、次にリフロー加熱により前記バンプを
融解して実装するようにしたことを特徴とする請求項2
記載のマイクロ加工センサの実装方法。4. A chip, which is a main body of the micro-machined sensor, and the base are anodically bonded. Next, a signal output terminal of the micro-machined sensor and an electrode of upper and lower wirings on the base are connected. Connected by wire bond, and then mounted the base on which the micro-processed sensor was mounted on the substrate such that the bumps under the base were positioned on the electrodes of the wiring pattern of the substrate, and then reflow heating was performed. 3. The method according to claim 2, wherein the bump is melted and mounted.
The mounting method of the microfabricated sensor described.
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| JP30474199A JP2001124794A (en) | 1999-10-26 | 1999-10-26 | Mounting structure of micro-machined sensor and mounting method thereof |
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1999
- 1999-10-26 JP JP30474199A patent/JP2001124794A/en active Pending
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