JP2000019042A - Semiconductor sensor and mounting structure - Google Patents
Semiconductor sensor and mounting structureInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で実装性がよく、また耐環境性もよく、
加えて製造コストが安い半導体センサの構造を提供する
こと
【解決手段】 外部接続基板5の外形寸法は感圧チップ
1よりすこし大きい。外部接続基板5の上に絶縁基板2
が接合され、その上に感圧チップ1が接合されている。
外部接続基板5の下面には表面実装用の金属バンプ6が
形成されている。外部接続基板5の上面における前記端
子パッド部3と対向する部分には中継コンタクト手段が
設けられ、この中継コンタクト手段を介して前記端子パ
ッド部3と前記金属バンプ6とが電気的に接続されてい
る。さらに、外部接続基板5,絶縁基板2及び感圧チッ
プ1の接合部分をモールド樹脂10により全体的に封止
している。
(57) [Summary] [Problem] It is small in size, has good mountability, and has good environmental resistance.
In addition, the present invention provides a structure of a semiconductor sensor whose manufacturing cost is low. The external dimensions of an external connection substrate 5 are slightly larger than the pressure-sensitive chip 1. Insulating substrate 2 on external connection substrate 5
Are joined, and the pressure-sensitive chip 1 is joined thereon.
Metal bumps 6 for surface mounting are formed on the lower surface of the external connection substrate 5. Relay contact means is provided on a portion of the upper surface of the external connection substrate 5 which faces the terminal pad section 3, and the terminal pad section 3 and the metal bump 6 are electrically connected via the relay contact means. I have. Further, the joining portions of the external connection substrate 5, the insulating substrate 2, and the pressure-sensitive chip 1 are entirely sealed with the mold resin 10.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、流体の圧力や加速
度や振動などの物理量に感応する半導体センサに関し、
特に、半導体マイクロマシーン技術により製作する超小
型の半導体センサ及び実装構造に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor sensor responsive to physical quantities such as pressure, acceleration, and vibration of a fluid.
In particular, the present invention relates to a microminiature semiconductor sensor and a mounting structure manufactured by a semiconductor micromachine technology.
【0002】[0002]
【従来の技術】良く知られているように、次のような構
造でごく小型の半導体センサがある。これは半導体デバ
イス製造技術やマイクロマシーン技術を応用してシリコ
ンなどの半導体基板を成形加工し、肉厚の支持枠部の枠
内に肉薄のダイヤフラムを一体形成した小さなチップを
造る。このチップを感圧チップと呼び、これとガラスな
どの絶縁基板とを組み合わせて接合する。この時、感圧
チップのダイヤフラムと絶縁基板の表面とがごく小さな
間隔をおいて対向するようにしておく。そして、ダイヤ
フラムには可動電極を、絶縁基板には固定電極をそれぞ
れ薄膜形成しておくことにより、小さな間隔をおいて対
向する可動電極と固定電極によって可変容量素子が形成
される。従って、例えばダイヤフラムに圧力が作用して
前記間隔が変化すると、両電極間の容量が変化する。こ
れがセンサ出力である。2. Description of the Related Art As is well known, there is a very small semiconductor sensor having the following structure. In this method, a semiconductor substrate made of silicon or the like is formed by applying a semiconductor device manufacturing technology or a micro machine technology, and a small chip is integrally formed with a thin diaphragm in a frame of a thick support frame portion. This chip is called a pressure-sensitive chip, and is combined with an insulating substrate such as glass to be joined. At this time, the diaphragm of the pressure-sensitive chip is opposed to the surface of the insulating substrate at a very small interval. By forming a movable electrode on the diaphragm and a fixed electrode on the insulating substrate, a variable capacitance element is formed by the opposed movable electrode and the fixed electrode at a small interval. Therefore, for example, when the pressure changes on the diaphragm to change the distance, the capacitance between the two electrodes changes. This is the sensor output.
【0003】この種の半導体センサ(圧力センサ)の基
本構造体の外観を図1に示している。図1のように、半
導体基板からなる感圧チップ1と絶縁基板2を積層した
構造となっており、絶縁基板2の外形寸法は感圧チップ
1の外形寸法より明確に小さい。そして、感圧チップ1
と絶縁基板2の接合面における感圧チップ1の余りの部
分(階段状部分)に、前記可変容量素子を含むセンサ回
路の端子パッド部3が配設されている。この端子パッド
部3を介して外部周辺回路と電気的に接続される。FIG. 1 shows an appearance of a basic structure of a semiconductor sensor (pressure sensor) of this kind. As shown in FIG. 1, the pressure-sensitive chip 1 made of a semiconductor substrate and the insulating substrate 2 are laminated, and the outer dimensions of the insulating substrate 2 are clearly smaller than the outer dimensions of the pressure-sensitive chip 1. And pressure sensitive chip 1
A terminal pad portion 3 of a sensor circuit including the variable capacitance element is provided in a remaining portion (step-like portion) of the pressure-sensitive chip 1 on a bonding surface of the pressure-sensitive chip 1 and the insulating substrate 2. The terminal pad section 3 is electrically connected to an external peripheral circuit.
【0004】なお、センサには導圧穴が開口しており、
図1に示したセンサ側部の穴4は導圧穴の一例である。
その導圧穴を通じて内部のダイヤフラムに圧力が作用す
る。絶縁基板2の側にも厚さ方向に延びる導圧穴をあけ
て、そこを通じてダイヤフラムの反対側の面にも外部か
ら圧力を作用させるタイプもある。以上のような構造の
センサ本体のままでは実装面でさまざまな不便があるの
で、これを適当なパッケージに収納した形態で実装する
のが普通である。[0004] A pressure guiding hole is opened in the sensor.
The hole 4 on the sensor side shown in FIG. 1 is an example of a pressure guiding hole.
Pressure acts on the internal diaphragm through the pressure guiding hole. There is also a type in which a pressure guiding hole extending in the thickness direction is also formed on the side of the insulating substrate 2 and pressure is applied from the outside to the opposite surface of the diaphragm through the hole. Since there is various inconveniences in the mounting surface if the sensor main body having the above structure is used, it is usual to mount the sensor body in a suitable package.
【0005】従来の半導体センサのパッケージング構造
は、樹脂製または金属製のパッケージを別途に製作し
(リードフレームが付いている)、その中に前記のセン
サ本体を収納して接着剤などで固定する。また、センサ
本体のボンディング部とパッケージのリードフレームと
をパッケージ内部でワイヤボンディングしている。もち
ろん、パッケージには検出対象圧力を外部からセンサ本
体内に導入するための通路がある。In the conventional semiconductor sensor packaging structure, a resin or metal package is separately manufactured (with a lead frame), and the sensor body is housed in the package and fixed with an adhesive or the like. I do. Further, the bonding portion of the sensor body and the lead frame of the package are wire-bonded inside the package. Of course, the package has a passage for introducing the pressure to be detected from the outside into the sensor main body.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】前述した従来のパッケ
ージング構造では、樹脂製または金属製のパッケージを
別途に製作するために相当にコスト高になり、パッケー
ジにセンサ本体を収納する組立作業のためにもコスト高
になる。また、別途に製作したパッケージ内にセンサ本
体を収納する構造では、両者の間に相当程度の寸法余裕
を持たせる必要があり、そのためにパッケージング後の
センサの外形寸法が大きくなり、小型化が難しいという
問題があった。さらに、パッケージ内部でセンサ本体と
リードフレームとを接続しているボンディングワイヤ
や、センサ本体自体が中空のパッケージ内部に開放され
た状態になるため、耐環境性が悪くなる等の各種の問題
があった。In the above-mentioned conventional packaging structure, the cost of manufacturing the resin or metal package separately is considerably high, and the assembly work for storing the sensor body in the package is considerable. It also becomes costly. In addition, in a structure in which the sensor body is housed in a separately manufactured package, it is necessary to provide a considerable amount of dimensional margin between the two, so that the external dimensions of the sensor after packaging are large and miniaturization is possible. There was a problem that it was difficult. Furthermore, there are various problems such as poor environmental resistance because the bonding wires connecting the sensor body and the lead frame inside the package and the sensor body itself is opened inside the hollow package. Was.
【0007】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、上記した問題を解決
し、小型で実装性がよく、また耐環境性もよく、加えて
製造コストが安い半導体センサ及び実装構造を提供する
ことにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above background, and has as its object to solve the above-mentioned problems, to be small in size, to have good mountability, to have good environmental resistance, and to have a high manufacturing cost. To provide a cheap semiconductor sensor and a mounting structure.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明に係る半導体センサでは、物理量に応じ
て変位する可動部位を備えた半導体基板と、絶縁基板と
が接合され、前記半導体基板と前記絶縁基板は、両者の
接合面における外形寸法を異ならせ、少なくとも一方の
接合面を露出させるとともに、その露出部分にセンサ回
路の端子パッド部を設けたセンサ本体と、そのセンサ本
体が取り付けられる外部接続基板とを備えた。そして、
前記半導体基板と前記絶縁基板のうち外形寸法の小さい
方と、前記外部接続基板とが接合される。この時、その
外部接続基板の外形寸法を前記センサ本体との接合面よ
り大きくして、前記端子パッドと前記外部接続基板の接
合面側表面とを対向させ、前記外部接続基板の接合側表
面露出部と前記端子パッド部の対向する部分に中継コン
タクト手段が設けられ、この中継コンタクト手段を介し
て前記端子パッド部を外部回路に電気的に接続可能に構
成した(請求項1)。そして、好ましくは前記中継コン
タクト手段の部分が樹脂モールドされていることである
(請求項2)。In order to achieve the above object, in a semiconductor sensor according to the present invention, a semiconductor substrate having a movable portion that is displaced in accordance with a physical quantity and an insulating substrate are joined, The substrate and the insulating substrate are different from each other in outer dimensions at a joint surface thereof, at least one of the joint surfaces is exposed, and a sensor main body having a terminal pad portion of a sensor circuit at an exposed portion thereof is attached to the sensor main body. External connection board. And
The smaller external dimension of the semiconductor substrate and the insulating substrate is joined to the external connection substrate. At this time, the external dimensions of the external connection board are made larger than the bonding surface with the sensor main body, and the terminal pads are opposed to the bonding surface side surface of the external connection board. A relay contact means is provided on a portion of the terminal pad portion opposite to the portion, and the terminal pad portion can be electrically connected to an external circuit via the relay contact means. Preferably, the portion of the relay contact means is resin-molded (claim 2).
【0009】前記外部接続基板の前記センサ本体との接
合面に窪み部を形成し、前記センサ本体を構成する基板
のうち前記外部接続基板に接合する基板の下部を前記窪
み部に挿入した状態で前記外部接続基板と前記センサ本
体とを接合するようにしてもよい(請求項1)。さらに
また、前記外部接続基板はフレキシブル印刷配線板を用
いて構成してもよい(請求項4)。A recess is formed on the surface of the external connection board that is to be joined to the sensor main body, and a lower portion of the board constituting the sensor main body that is bonded to the external connection board is inserted into the recess. The external connection board and the sensor body may be joined (claim 1). Furthermore, the external connection board may be configured using a flexible printed wiring board (claim 4).
【0010】センサ本体は、実施の形態では圧力センサ
に適用した例を示したが、これに限ることはなく、加速
度センサ(振動センサ)等でももちろんよい。また、前
記中継コンタクト手段としては、各種のものが用いられ
るが、例えば外部接続基板に起立形成された金属ピンを
用いることができる。またそれ以外にも、ハンダ,ハン
ダボール,各種のバンプ,導電性接着剤(特に異方性導
電性接着剤がよい),導電性の台座を用いることもでき
る。この導電性の台座としては例えば導電性ゴムを用い
ることができる。In the embodiment, the sensor body has been described as an example applied to a pressure sensor. However, the present invention is not limited to this, and may be an acceleration sensor (vibration sensor) or the like. Also, various types of relay contact means can be used. For example, a metal pin standing upright on an external connection board can be used. Besides, solder, solder balls, various bumps, conductive adhesive (especially anisotropic conductive adhesive is preferable), and conductive pedestal can also be used. As the conductive pedestal, for example, conductive rubber can be used.
【0011】本発明によれば、外部接続基板に対してセ
ンサ本体を取り付けるに際し、従来と逆に外形寸法の小
さい基板を外部接続基板側にくるように配置して接合し
たため、外部接続基板と端子パッドが対向し、しかもそ
の間隔は外部接続基板と接合された基板の肉厚以下とな
るので非常に短い。従って、上記に例示列挙したような
中継コンタクト手段により簡単に端子パッドと実装基板
(実装基板に設けられた配線経路)とを電気的に接続す
ることができる。しかも、従来のワイヤボンディングと
異なり、非常に接近した短い距離でありしかも対向して
いることから、センサ本体の外形寸法とほとんど同じ平
面積で構成できる。また、積層方向の厚さも外部接続基
板の厚さ程度ですむ。つまり、半導体センサが占める容
積を可及的に小さくできる。According to the present invention, when the sensor main body is mounted on the external connection board, a board having a small external dimension is arranged so as to come to the external connection board side and bonded, contrary to the related art. The pads are opposed to each other, and the interval between them is very short because the thickness is equal to or less than the thickness of the substrate joined to the external connection substrate. Therefore, the terminal pads can be easily electrically connected to the mounting board (the wiring path provided on the mounting board) by the relay contact means as exemplified above. Moreover, unlike the conventional wire bonding, since the distance is very short and they are opposed to each other, the sensor can be configured with a flat area almost the same as the outer dimensions of the sensor body. Further, the thickness in the laminating direction may be about the thickness of the external connection board. That is, the volume occupied by the semiconductor sensor can be reduced as much as possible.
【0012】そして、係る半導体センサを実装基板に取
り付ける際には、他のICその他の電子部品と同様に外
部接続基板の非接合面にバンプ等を設けることにより、
リフロー処理により面実装することができるので、一括
処理ができ簡単となる。つまり、従来、半導体基板と絶
縁基板の外形寸法の差に基づく段差があり個別実装しか
できなかった半導体センサが、面実装可能となるので、
処理効率がはるかに向上する。When such a semiconductor sensor is mounted on a mounting substrate, bumps and the like are provided on the non-bonding surface of the external connection substrate in the same manner as other ICs and other electronic components.
Since surface mounting can be performed by reflow processing, batch processing can be performed easily. In other words, a semiconductor sensor that previously could only be mounted individually due to a step based on the difference in the outer dimensions of the semiconductor substrate and the insulating substrate can now be surface-mounted,
Processing efficiency is much improved.
【0013】特に、請求項2のように構成した場合に
は、断線などするおそれが可及的に抑制される。また、
請求項3,4のように構成した場合には、積層方向の肉
厚を低く抑えることができる。なお、請求項4において
窪みとしているのは、接合面の表面から一段低くなって
いればよいことを意味し、その底面の有無は問わない。
つまり、底面がなく、例えば平面形状がロ字状の枠体で
あっても本発明の実装基板になり得る。そして、この場
合に端子パッドと実装基板の間隔が狭くなった時には、
中継コンタクト手段は、ハンダ等であってもよい。ま
た、導電性ゴムや導電性接着剤(樹脂)なども用いるこ
とができる。特に異方性導電材を用いると、加圧するこ
とにより加圧方向(基板の積層方向)にのみ導電性を有
するようになるので、複数の端子パッドを相互に絶縁を
図りつつ外部接続基板のバンプに導通を図ることができ
る。そして、異方性導電材は加熱することに硬化するの
で、接着剤としても機能する。[0013] In particular, in the case of the configuration according to the second aspect, the risk of disconnection or the like is suppressed as much as possible. Also,
According to the third and fourth aspects, the thickness in the stacking direction can be reduced. It should be noted that the depression in claim 4 means that it is only necessary to be one step lower than the surface of the bonding surface, and the presence or absence of the bottom surface does not matter.
In other words, a frame having no bottom surface and, for example, a frame shape having a square shape in plan view can be a mounting substrate of the present invention. And in this case, when the distance between the terminal pad and the mounting board becomes narrow,
The relay contact means may be solder or the like. Further, a conductive rubber, a conductive adhesive (resin), or the like can also be used. In particular, when an anisotropic conductive material is used, the conductive material becomes conductive only in the pressing direction (the laminating direction of the substrates) by pressing, so that a plurality of terminal pads are insulated from each other and bumps on the external connection substrate are provided. Can be conducted. Since the anisotropic conductive material is cured by heating, it also functions as an adhesive.
【0014】一方、本発明に係る半導体センサの実装構
造では、物理量に応じて変位する可動部位を備えた半導
体基板と、絶縁基板とが接合され、前記半導体基板と前
記絶縁基板は、両者の接合面における外形寸法を異なら
せ、少なくとも一方の接合面を露出させるとともに、そ
の露出部分にセンサ回路の端子パッド部を設けたセンサ
本体を有した半導体センサの実装基板への実装構造であ
って、前記半導体基板と前記絶縁基板のうち外形寸法の
小さい方を、前記装基板側に位置させるとともに、前記
端子パッドを前記実装基板に対向させ、前記実装基板に
形成された配線パターンと、前記端子パッドを直接或い
は連結部材を介して接続するようにした(請求項5)。
そして、前記実装基板の取付面に穴部を設け、前記セン
サ本体の外形寸法の小さい方の基板をその穴部内に挿入
するように構成すると好ましい(請求項6)。On the other hand, in the mounting structure of a semiconductor sensor according to the present invention, a semiconductor substrate having a movable portion displaced in accordance with a physical quantity is joined to an insulating substrate, and the semiconductor substrate and the insulating substrate are joined to each other. A mounting structure of a semiconductor sensor having a sensor body having a sensor body provided with a terminal pad portion of a sensor circuit on the exposed portion while varying external dimensions on the surface, and exposing at least one joint surface, A smaller outer dimension of the semiconductor substrate and the insulating substrate is located on the mounting substrate side, and the terminal pads are opposed to the mounting substrate, and a wiring pattern formed on the mounting substrate and the terminal pads are The connection is made directly or via a connecting member (claim 5).
Preferably, a hole is provided in the mounting surface of the mounting board, and a board having a smaller outer dimension of the sensor body is inserted into the hole (claim 6).
【0015】センサ本体のうち、外形寸法の小さい基板
を実装基板側に位置させるので、外形寸法の大きい基板
の接合面側露出面に設けた端子パッドが実装基板側を向
く。従って、実装基板に設けた配線パターンと端子バッ
ドが対向するので、直接または連結部材を介して両者を
接続することができる。これにより、やはりワインボン
ディングなどが不要となり、占有面積が小さくてすむ。
特に、請求項6のように構成すれば、小さい基板が穴部
内に入り込むため、実装時の薄型化が図れるばかりでな
く、端子パッドと配線パターンを直接接続することが可
能となる。なお、ここで言う穴部とは、底部を有するい
わゆる穴のみならず、底部がなく貫通した孔も含む概念
である。In the sensor main body, the substrate having a small external dimension is located on the mounting substrate side, so that the terminal pads provided on the bonding surface side exposed surface of the substrate having the large external dimension face the mounting substrate side. Therefore, since the terminal pattern and the wiring pattern provided on the mounting board face each other, the two can be connected directly or via a connecting member. This also eliminates the need for wine bonding and the like, and occupies a small area.
In particular, according to the structure as described in claim 6, since the small substrate enters the hole, not only the thickness at the time of mounting can be reduced, but also the terminal pad and the wiring pattern can be directly connected. The term “hole” as used herein is a concept including not only a so-called hole having a bottom but also a hole penetrating without a bottom.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】図2は、本発明に係る半導体セン
サの第1の実施の形態の構造を示している。まず、本形
態で用いるセンサ本体は、圧力センサであり、半導体基
板1に肉薄のダイヤフラムを形成し、そのダイヤフラム
と絶縁基板2の表面とをごく小さな間隔をおいて対向さ
せる。これにより、ダイヤフラムに設けた可動電極と、
絶縁基板に成膜した固定電極の間には距離に応じた静電
容量が発生するので、例えばダイヤフラムに圧力が作用
して前記間隔が変化すると、両電極間の容量が変化す
る。よって、両基板1,2により可変容量素子が形成さ
れる。FIG. 2 shows the structure of a semiconductor sensor according to a first embodiment of the present invention. First, the sensor body used in the present embodiment is a pressure sensor, in which a thin diaphragm is formed on the semiconductor substrate 1 and the diaphragm is opposed to the surface of the insulating substrate 2 at a very small interval. Thereby, the movable electrode provided on the diaphragm,
Since a capacitance corresponding to the distance is generated between the fixed electrodes formed on the insulating substrate, for example, when a pressure acts on the diaphragm to change the distance, the capacitance between the two electrodes changes. Therefore, a variable capacitance element is formed by the two substrates 1 and 2.
【0017】さらに、接合面における外形寸法は、絶縁
基板2の方が小さいので、感圧チップ1の接合面側の露
出表面(階段状部分)に、前記可変容量素子を含むセン
サ回路の端子パッド部3が配設されている。このよう
に、使用するセンサ本体は従来と同一の構成のものを用
いることができる。Further, since the outer dimensions of the bonding surface of the insulating substrate 2 are smaller, the terminal pads of the sensor circuit including the variable capacitance element are provided on the exposed surface (stepped portion) of the pressure-sensitive chip 1 on the bonding surface side. A part 3 is provided. As described above, the sensor body to be used may have the same configuration as the conventional one.
【0018】ここで本発明では、同図に示すように、セ
ンサ本体を外部接続基板5に接合するに際し、外形寸法
の小さい半導体基板2を外部接続基板5と接合するよう
にしている。この外部接続基板は、主体は絶縁基板から
なり、外部接続基板5の外形寸法は感圧チップ1よりす
こし大きく設定している。また、外部接続基板5の下面
には表面実装用の金属バンプ6が形成されている。Here, in the present invention, as shown in the figure, when the sensor main body is joined to the external connection substrate 5, the semiconductor substrate 2 having a small external dimension is joined to the external connection substrate 5. This external connection board is mainly composed of an insulating board, and the external dimensions of the external connection board 5 are set slightly larger than the pressure-sensitive chip 1. A metal bump 6 for surface mounting is formed on the lower surface of the external connection substrate 5.
【0019】そして、上記したように半導体基板2と外
部接続基板5を接続したことから、外部接続基板5の接
合面には、絶縁基板2と接合されない領域が形成され、
係る領域を前記感圧チップ1に設けた端子パッド3と対
向するようにする。これにより、係る領域では、外部接
続基板5と感圧チップ1との間で、絶縁基板2の厚さに
応じた距離だけ離反した隙間空間が形成され、その隙間
空間内に端子パッド3が存在することになる。Since the semiconductor substrate 2 and the external connection substrate 5 are connected as described above, a region not bonded to the insulating substrate 2 is formed on the bonding surface of the external connection substrate 5,
Such a region is made to face the terminal pad 3 provided on the pressure-sensitive chip 1. Thus, in such a region, a gap space is formed between the external connection substrate 5 and the pressure-sensitive chip 1 by a distance corresponding to the thickness of the insulating substrate 2, and the terminal pad 3 exists in the gap space. Will do.
【0020】そこで、外部接続基板5の上面(接合面)
における前記端子パッド部3と対向する部分に中継コン
タクト手段が設けられ、この中継コンタクト手段を介し
て前記端子パッド部3と前記金属バンプ6とが電気的に
接続されている。図2の実施の形態においては、中継コ
ンタクト手段として、外部接続基板5に起立形成された
金属ピン7を用い、フリップチップ15を介して端子パ
ッド3と金属ピン7を接続している。よって、図示省略
の実装基板上に、外部接続基板5を置くとともに金属バ
ンプ6を介して実装基板上に面実装ができ、また、金属
ピン7を介して実装基板の配線パターンと導通がとれ
る。Therefore, the upper surface (bonding surface) of the external connection substrate 5
Is provided with a relay contact means at a portion facing the terminal pad section 3, and the terminal pad section 3 and the metal bump 6 are electrically connected via the relay contact means. In the embodiment shown in FIG. 2, the metal pads 7 erected on the external connection substrate 5 are used as the relay contact means, and the terminal pads 3 and the metal pins 7 are connected via the flip chip 15. Therefore, the external connection board 5 can be placed on the mounting board (not shown), and can be surface-mounted on the mounting board via the metal bumps 6, and can be electrically connected to the wiring pattern of the mounting board via the metal pins 7.
【0021】また、中継コンタクト手段としては、上記
した実施の形態に限ることはなく、以下に示す各種の形
態をとれる。すなわち、図3に示す第2の実施の形態に
おいては、絶縁基板2の厚さを薄くしたため、前記中継
コンタクト手段としてハンダ或いはハンダボール8を用
いることができる。なお、図示の例では、外部接続基板
5の対向面に金属製のターミナル16を設け、そのター
ミナルにハンダボール8が接合される。また、このよう
に絶縁基板2が薄くなると、図2に示すように金属ピン
7を用いる必要がなくなり、図2におけるハンダボール
8に替えてフリップチップによる接続もできる。つま
り、この場合にフリップチップが中継コンタクト手段と
なる。The relay contact means is not limited to the above-described embodiment, but may take various forms as described below. That is, in the second embodiment shown in FIG. 3, since the thickness of the insulating substrate 2 is reduced, a solder or a solder ball 8 can be used as the relay contact means. In the illustrated example, a metal terminal 16 is provided on the facing surface of the external connection substrate 5, and the solder ball 8 is joined to the terminal. Further, when the insulating substrate 2 is made thinner in this way, it is not necessary to use the metal pins 7 as shown in FIG. 2, and instead of the solder balls 8 in FIG. That is, in this case, the flip chip serves as the relay contact means.
【0022】さらには、絶縁基板2を薄くするのではな
く、図4に示す第3の実施の形態のように、外部接続基
板5に台座9を用いる(上面にターミナル16がある)
ことにより、フリップチップ15による接続ができる。
この場合に台座9としては、導電材料で形成するとよ
い。そして、この形態における中継コンタクト手段は、
フリップチップ15や台座9(導電性材料の場合)とな
る。さらに、台座9の部分を導電性ゴムで形成すると、
そのゴムの弾性力を利用してフリップチップ15を設け
ずに直接端子パッドとの導通を図ることもできる。Further, instead of making the insulating substrate 2 thin, a pedestal 9 is used for the external connection substrate 5 as in the third embodiment shown in FIG. 4 (the terminal 16 is on the upper surface).
Thereby, connection by the flip chip 15 can be performed.
In this case, the pedestal 9 may be formed of a conductive material. And, the relay contact means in this mode,
The flip chip 15 and the base 9 (in the case of a conductive material) are used. Further, when the base 9 is formed of conductive rubber,
By utilizing the elastic force of the rubber, conduction with the terminal pad can be directly achieved without providing the flip chip 15.
【0023】また図5に示す第4の実施の形態において
は、外部接続基板5の上面に所定形状の窪み部5aを形
成しておき、絶縁基板2の下部をその窪み部5aにはめ
込んで接合する。こうすることでセンサ構造体の全高を
より小さくできる。また図6に示す第5の実施の形態に
おいては、外部接続基板5としてフレキシブル印刷配線
板を用いている。この実施の形態によればさらに全高を
小さくできる。そして、第4,第5の実施の形態はいず
れもフリップチップ15を用いて導通を図るようにした
が、上記した各例のようにハンダ,ハンダボール,バン
プなど各種の構成をとることができる。In the fourth embodiment shown in FIG. 5, a recess 5a of a predetermined shape is formed on the upper surface of the external connection substrate 5, and the lower portion of the insulating substrate 2 is fitted into the recess 5a and joined. I do. In this way, the overall height of the sensor structure can be made smaller. In the fifth embodiment shown in FIG. 6, a flexible printed wiring board is used as the external connection board 5. According to this embodiment, the overall height can be further reduced. In each of the fourth and fifth embodiments, the continuity is achieved by using the flip chip 15. However, various configurations such as solder, solder balls, and bumps can be employed as in the above-described examples. .
【0024】以上説明したいずれの実施の形態において
も、各基板1,2,5の接合部分にシリコーン樹脂等の
モールド樹脂10を塗布し、樹脂モールドにより全体的
に封止し、保護している。また各図に示しているよう
に、外部接続基板5の中央部に貫通孔11を形成し、絶
縁基板2に設けた貫通孔11aを介して感圧チップ1の
ダイヤフラムに外部の圧力を導くようにしている。もち
ろん、図1に示したように絶縁基板2と感圧チップ1の
接合面に設けた穴や、感圧チップ1の上方から圧力を供
給するようにした場合には、この貫通孔11,11aは
設けなくてもよい。In any of the embodiments described above, a mold resin 10 such as a silicone resin is applied to the joints of the substrates 1, 2, 5 and is entirely sealed and protected by a resin mold. . Further, as shown in each figure, a through hole 11 is formed in the center of the external connection substrate 5, and external pressure is guided to the diaphragm of the pressure-sensitive chip 1 through the through hole 11 a provided in the insulating substrate 2. I have to. Of course, as shown in FIG. 1, when the pressure is supplied from a hole provided on the joint surface between the insulating substrate 2 and the pressure-sensitive chip 1 or from above the pressure-sensitive chip 1, the through holes 11 and 11a are provided. May not be provided.
【0025】図7は、第6の実施の形態を示している。
本実施の形態では、絶縁基板2の周囲に感圧チップ1の
未接合領域が存在し(上記した第5の実施の形態まで
は、一辺側にのみ未接合領域が存在していた)端子パッ
ド3が両側に位置している。これに伴い外部接続基板5
の両側に中継コンタクト手段としてのハンダボール8を
介して補助基板17と接続を図っている。なお、この補
助基板17は、上記した各実施の形態で説明したターミ
ナルととらえてもよいし、底上げ用の台座ととらえても
よいし、補助基板17を外部接続基板5の一部と考えそ
の補助基板17の内側を窪み部5aが形成されていると
とらえてもよい。FIG. 7 shows a sixth embodiment.
In this embodiment, the unbonded region of the pressure-sensitive chip 1 exists around the insulating substrate 2 (until the fifth embodiment described above, the unbonded region exists only on one side). 3 are located on both sides. With this, the external connection board 5
Are connected to the auxiliary substrate 17 via solder balls 8 as relay contact means on both sides of the substrate. The auxiliary board 17 may be considered as the terminal described in each of the above-described embodiments, or may be considered as a pedestal for raising the bottom, and the auxiliary board 17 may be considered as a part of the external connection board 5. The inside of the auxiliary substrate 17 may be regarded as having the depression 5a.
【0026】そして、図示するように外部接続基板5に
形成した金属バンプ6を介して実装基板18に接続して
いる。このような実装基板18への接続形態は、上記し
た各実施の形態で共通である。Then, as shown in the drawing, it is connected to a mounting board 18 via a metal bump 6 formed on the external connection board 5. Such a form of connection to the mounting board 18 is common to the above embodiments.
【0027】また、別紙の実装構造の一例としては、図
8に示すようにすることができる。すなわち、中継コン
タクト手段として金属チップ19を用いフリップチップ
15との接続を図ったタイプのセンサ本体を用い、それ
を外部接続基板5と導通を図る。これにより半導体セン
サが構成される。各実施の形態と等価の他の該当部分は
同一符号を付し、詳細な説明を省略する。FIG. 8 shows an example of a separate mounting structure. That is, a sensor body of a type which uses the metal chip 19 as the relay contact means and is connected to the flip chip 15 is used, and conducts it to the external connection board 5. Thereby, a semiconductor sensor is configured. The other corresponding parts equivalent to those of the embodiments are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
【0028】これを基板22にバンプ6を介して接続
し、この基板22をネジ23によりケース24に取り付
ける。そして、外部接続基板5と同様に、基板22及び
ケース24にも厚さ方向に貫通する圧力導入孔26を設
け、外部からの圧力導入を図っている。なお、外部接続
基板5と基板22の間及び基板22とケース24の間の
圧力導入孔26の周囲には、Oリング25を介在させて
気密性の保持を図っている。This is connected to the substrate 22 via the bumps 6, and the substrate 22 is attached to the case 24 with screws 23. As in the case of the external connection board 5, the board 22 and the case 24 are also provided with a pressure introduction hole 26 penetrating in the thickness direction, thereby introducing pressure from the outside. An O-ring 25 is interposed between the external connection substrate 5 and the substrate 22 and around the pressure introducing hole 26 between the substrate 22 and the case 24 to maintain airtightness.
【0029】図9は、本発明に係る半導体センサの実装
構造の実施の形態を示している。本実施の形態でも、使
用するセンサ本体自体の構造は、上記した各実施の形態
と同様である。そして、外形寸法の小さい絶縁基板2を
実装基板18側に向けて配置する。感圧チップ1に設け
た端子パッド4と実装基板18の間には連結部材28が
設けられている。この連結部材28は、本形態では、平
面ロ字状で絶縁基板2の外周囲に位置するように配置し
ている。そして、ガラスエポキシの両面基板を用い、両
面をスルーホール29で接続している。つまり、端子パ
ッド4は連結部材28の片面に形成した配線パターン2
8aと導通を図り、その配線パターン28aの端部にス
ルーホール29を接続し連結部材28の裏面側に導く。
そして、そのスルーホール29の裏面側端部に実装基板
18の配線パターンを位置させることにより、電極パッ
ド4を実装基板18に導くことができる。FIG. 9 shows an embodiment of the mounting structure of the semiconductor sensor according to the present invention. Also in the present embodiment, the structure of the sensor body itself used is the same as in each of the above-described embodiments. Then, the insulating substrate 2 having a small external dimension is arranged toward the mounting substrate 18 side. A connection member 28 is provided between the terminal pad 4 provided on the pressure-sensitive chip 1 and the mounting board 18. In the present embodiment, the connecting member 28 is arranged so as to be located in the shape of a flat square and located around the outer periphery of the insulating substrate 2. Then, a glass epoxy double-sided board is used, and both sides are connected by through holes 29. That is, the terminal pad 4 is formed on the wiring pattern 2
8a, and a through hole 29 is connected to the end of the wiring pattern 28a to guide the wiring pattern 28a to the back side of the connecting member 28.
The electrode pads 4 can be guided to the mounting board 18 by locating the wiring pattern of the mounting board 18 at the rear end of the through hole 29.
【0030】さらに本形態では、連結部材28の上面に
蓋状のケース30を接続し、ケース30にてセンサ本体
を覆っている。このケース30の天面には、圧力導入管
30aが設けられており、この圧力導入管30aを介し
て導入される測定圧力が、感圧チップ1に設けたダイヤ
フラムに加わるようになっている。Further, in this embodiment, a lid-shaped case 30 is connected to the upper surface of the connecting member 28, and the case 30 covers the sensor body. A pressure introducing pipe 30 a is provided on the top surface of the case 30, and a measurement pressure introduced via the pressure introducing pipe 30 a is applied to a diaphragm provided on the pressure-sensitive chip 1.
【0031】上記した実施の形態では、連結部材28と
して、平面ロ字状の上下開口した基板を用いたが、本発
明はこれに限ることはなく、例えば図10に示すよう
に、底面を有する連結部材32を用いてもよい。つま
り、連結部材32の上面に凹部32aを設け、この凹部
32a内に絶縁基板1を挿入する。そして、連結部材3
2に設けたスルーホール33を介して端子パッド4と実
装基板18に設けた配線パーターン(図示せず)との導
通を図るようにしている。そして、スルーホール33の
両端では、バンプ(ハンダ,金)35を用いて電気的接
続を図っている。In the above-described embodiment, a substrate having a flat rectangular shape and vertically opened is used as the connecting member 28. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. The connecting member 32 may be used. That is, the concave portion 32a is provided on the upper surface of the connecting member 32, and the insulating substrate 1 is inserted into the concave portion 32a. And the connecting member 3
The connection between the terminal pad 4 and a wiring pattern (not shown) provided on the mounting board 18 is established through the through hole 33 provided in the mounting board 18. At both ends of the through hole 33, electrical connection is achieved by using bumps (solder, gold) 35.
【0032】図11は、さらに別の実施の形態であり、
この例では、連結部材を設けることなく、直接実装基板
18に半導体センサを実装している。すなわち、実装基
板18に穴部18aを設ける。そして、その穴部18a
内に半導体センサの小さい基板(この例では、感圧チッ
プ1)を挿入する。大きい基板(絶縁基板2)に設けた
端子パッド4を、実装基板18上の配線パターン(電極
ランド)に直接接続するようにしている。このようにす
ると、上記した図9,図10に示す基板に比べて高さを
低く抑えることができる。FIG. 11 shows still another embodiment.
In this example, the semiconductor sensor is directly mounted on the mounting board 18 without providing a connecting member. That is, the hole 18 a is provided in the mounting board 18. And the hole 18a
A small substrate (a pressure-sensitive chip 1 in this example) of a semiconductor sensor is inserted therein. The terminal pads 4 provided on the large substrate (insulating substrate 2) are directly connected to the wiring patterns (electrode lands) on the mounting substrate 18. In this case, the height can be suppressed lower than that of the substrate shown in FIGS. 9 and 10 described above.
【0033】なお、本形態では、実装基板18の穴部1
8aの底面を開口し、その開口部18bを介してダイヤ
フラム1aに比較圧力(基準圧力)となる大気圧が加わ
るようにしている。また、実装基板18の上面側もケー
ス30で覆い、圧力導入管30aから測定圧力をケース
30の内部に導入し、絶縁基板2の圧力導入孔2aを介
してダイヤフラム1aに測定圧力を加えるようにしてい
る。また、センサ本体と実装基板18の接続及びケース
30と実装基板18との接続は、接着剤36を介して行
うようにしている。In this embodiment, the hole 1 of the mounting board 18 is used.
The bottom surface of 8a is opened, and the atmospheric pressure serving as the comparative pressure (reference pressure) is applied to the diaphragm 1a through the opening 18b. Also, the upper surface side of the mounting substrate 18 is also covered with the case 30, and the measurement pressure is introduced into the case 30 from the pressure introduction pipe 30 a to apply the measurement pressure to the diaphragm 1 a through the pressure introduction hole 2 a of the insulating substrate 2. ing. The connection between the sensor main body and the mounting board 18 and the connection between the case 30 and the mounting board 18 are made via an adhesive 36.
【0034】なお、上記した各実施の形態では、いずれ
も圧力センサに適用した例を示したが、本発明はこれに
限ることはなく、加速度センサ等の他の半導体センサに
も適用できる。さらに、検出方式として静電容量型に限
ることもなく、ピエゾ型その他の形態にも適用できる。
また、半導体センサの各実施の形態では、いずれも感圧
チップ1の方が外形寸法形状が大きい例を説明したが、
これに限ることはなく図11に示すものと同様に、絶縁
基板側が大きくても問題がない。In each of the embodiments described above, examples are shown in which the present invention is applied to a pressure sensor. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to other semiconductor sensors such as an acceleration sensor. Further, the detection method is not limited to the capacitance type, but can be applied to a piezo type or other forms.
Further, in each of the embodiments of the semiconductor sensor, the example has been described in which the pressure-sensitive chip 1 has a larger outer dimension and shape.
The present invention is not limited to this, and there is no problem even if the insulating substrate side is large as in the case shown in FIG.
【0035】[0035]
【発明の効果】本発明によれば、端子パッドと取付基板
(外部接続基板・実装基板)を対向させたため、中継コ
ンタクト手段により簡単に接続できる。よって、ワイヤ
ボンディングのように、外部に引き回す必要がなく、チ
ップサイズと同程度の占有面積ですみ、小型化が図れ
る。このセンサを外部周辺回路システムに組み込むのに
一般的な表面実装方式を採用できるので、既存の実装技
術により高能率に高密度な実装を行うことができる。さ
らに、センサ核心部及びこれに付随した中継コンタクト
部分が樹脂モールドされるので、耐環境性が向上すると
ともに、モールドによる樹脂封止部分も含んだセンサ全
体を従来よりも小型化できる。According to the present invention, since the terminal pads and the mounting board (external connection board / mounting board) are opposed to each other, they can be easily connected by the relay contact means. Therefore, unlike the wire bonding, it is not necessary to route the wires to the outside, and the occupied area is about the same as the chip size, and the size can be reduced. Since a general surface mounting method can be adopted to incorporate this sensor into an external peripheral circuit system, high-density mounting can be performed with high efficiency using existing mounting technology. Further, since the core of the sensor and the relay contact portion attached thereto are molded with resin, the environmental resistance is improved, and the entire sensor including the resin-sealed portion by molding can be made smaller than before.
【図1】本発明の対象となる半導体センサの素体構造
(センサ本体)を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a body structure (sensor main body) of a semiconductor sensor to which the present invention is applied.
【図2】本発明の第1実施の形態に係る半導体センサの
構造図である。FIG. 2 is a structural diagram of the semiconductor sensor according to the first embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第2実施の形態に係る半導体センサの
構造図である。FIG. 3 is a structural diagram of a semiconductor sensor according to a second embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第3実施の形態に係る半導体センサの
構造図である。FIG. 4 is a structural diagram of a semiconductor sensor according to a third embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第4実施の形態に係る半導体センサの
構造図である。FIG. 5 is a structural diagram of a semiconductor sensor according to a fourth embodiment of the present invention.
【図6】本発明の第5実施の形態に係る半導体センサの
構造図である。FIG. 6 is a structural diagram of a semiconductor sensor according to a fifth embodiment of the present invention.
【図7】本発明の第6実施の形態に係る半導体センサの
構造図である。FIG. 7 is a structural diagram of a semiconductor sensor according to a sixth embodiment of the present invention.
【図8】本発明の半導体センサの実装例を示す図であ
る。FIG. 8 is a diagram showing a mounting example of the semiconductor sensor of the present invention.
【図9】本発明に係る半導体センサの実装構造の一実施
の形態を示す図である。FIG. 9 is a view showing one embodiment of a mounting structure of a semiconductor sensor according to the present invention.
【図10】本発明に係る半導体センサの実装構造の別の
実施の形態を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing another embodiment of the mounting structure of the semiconductor sensor according to the present invention.
【図11】本発明に係る半導体センサの実装構造のさら
に別の実施の形態を示す図である。FIG. 11 is a view showing still another embodiment of the mounting structure of the semiconductor sensor according to the present invention.
1 感圧チップ(半導体基板) 2 絶縁基板 3 端子パッド部 4 穴 5 外部接続基板 6 金属バンプ 7 金属ピン 8 ハンダボール 9 台座 10 モールド樹脂 11 貫通孔 REFERENCE SIGNS LIST 1 pressure-sensitive chip (semiconductor substrate) 2 insulating substrate 3 terminal pad portion 4 hole 5 external connection substrate 6 metal bump 7 metal pin 8 solder ball 9 pedestal 10 mold resin 11 through hole
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 外谷 高志 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オ ムロン株式会社内 (72)発明者 古澤 光一 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オ ムロン株式会社内 (72)発明者 山口 浩二 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オ ムロン株式会社内 (72)発明者 原 健太郎 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オ ムロン株式会社内 (72)発明者 政井 琢 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オ ムロン株式会社内 Fターム(参考) 2F055 CC02 DD04 EE23 EE25 FF38 FF43 FF49 GG01 GG13 4M112 AA01 BA07 CA02 CA11 CA13 CA15 DA18 DA20 GA01 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Takashi Toya 10 Hanazono Todocho, Ukyo-ku, Kyoto, Kyoto O Inside the Mron Corporation (72) Inventor Koichi Furusawa 10 Hanazono Todocho, Ukyo-ku, Kyoto, Kyoto Inside Mullon Co., Ltd. (72) Koji Yamaguchi, Inventor Koji Kyoto, Kyoto 10th Hanazono Todocho, Omron Co., Ltd. (72) Inventor Taku Masai F-term (reference) 2F055 CC02 DD04 EE23 EE25 FF38 FF43 FF49 GG01 GG13 4M112 AA01 BA07 CA02 CA11 CA13 CA15 DA18 DA20 GA01
Claims (6)
た半導体基板と、絶縁基板とが接合され、前記半導体基
板と前記絶縁基板は、両者の接合面における外形寸法を
異ならせ、少なくとも一方の接合面を露出させるととも
に、その露出部分にセンサ回路の端子パッド部を設けた
センサ本体と、 そのセンサ本体が取り付けられる外部接続基板とを備
え、 前記半導体基板と前記絶縁基板のうち外形寸法の小さい
方と、前記外部接続基板とが接合され、 その外部接続基板の外形寸法を前記センサ本体との接合
面より大きくして、前記端子パッドと前記外部接続基板
の接合面側表面とを対向させ、 前記外部接続基板の接合側表面露出部と前記端子パッド
部の対向する部分に中継コンタクト手段が設けられ、こ
の中継コンタクト手段を介して外部回路との接続を可能
とした半導体センサ。1. A semiconductor substrate having a movable portion displaced in accordance with a physical quantity and an insulating substrate are joined, and the semiconductor substrate and the insulating substrate have different outer dimensions at a joint surface of the two, and at least one of the two has a different outer dimension. A sensor body having a joint surface exposed and a sensor circuit terminal pad provided on the exposed portion; and an external connection board to which the sensor body is attached, wherein the semiconductor substrate and the insulating substrate have smaller outer dimensions. And the external connection substrate are joined, the external dimensions of the external connection substrate are made larger than the joint surface with the sensor body, and the terminal pads and the joint surface side surface of the external connection substrate face each other, Relay contact means is provided at a portion of the external connection substrate opposite to the joint-side surface exposed portion and the terminal pad portion, and an external circuit is connected via the relay contact means. Allows the connection between the the semiconductor sensor.
ールドされていることを特徴とする請求項1に記載の半
導体センサ。2. The semiconductor sensor according to claim 1, wherein a portion of said relay contact means is resin-molded.
接合面に窪み部を形成し、前記センサ本体を構成する基
板のうち前記外部接続基板に接合する基板の下部を前記
窪み部に挿入した状態で前記外部接続基板と前記センサ
本体とを接合するようにした請求項1または2に記載の
半導体センサ。3. A concave portion is formed on a joint surface of the external connection substrate with the sensor main body, and a lower portion of the substrate constituting the sensor main body, which is bonded to the external connection substrate, is inserted into the concave portion. The semiconductor sensor according to claim 1, wherein the external connection board and the sensor main body are joined in a state.
刷配線板を用いたことを特徴とする請求項1または2に
記載の半導体センサ。4. The semiconductor sensor according to claim 1, wherein a flexible printed wiring board is used as the external connection board.
た半導体基板と、絶縁基板とが接合され、前記半導体基
板と前記絶縁基板は、両者の接合面における外形寸法を
異ならせ、少なくとも一方の接合面を露出させるととも
に、その露出部分にセンサ回路の端子パッド部を設けた
センサ本体を有した半導体センサの実装基板への実装構
造であって、 前記半導体基板と前記絶縁基板のうち外形寸法の小さい
方を、前記実装基板側に位置させるとともに、前記端子
パッドを前記実装基板に対向させ、 前記実装基板に形成された配線パターンと、前記端子パ
ッドを直接或いは連結部材を介して接続するようにした
半導体センサの実装構造。5. A semiconductor substrate having a movable portion displaced in accordance with a physical quantity and an insulating substrate are joined. The semiconductor substrate and the insulating substrate have different outer dimensions at a joint surface of the two, and at least one of the two has a different outer dimension. A mounting structure of a semiconductor sensor having a sensor body having a sensor body provided with a terminal pad portion of a sensor circuit on the exposed portion while exposing a bonding surface, wherein the outer dimensions of the semiconductor substrate and the insulating substrate are The smaller one is located on the mounting board side, and the terminal pad is opposed to the mounting board, and the wiring pattern formed on the mounting board and the terminal pad are connected directly or via a connecting member. Semiconductor sensor mounting structure.
記センサ本体の外形寸法の小さい方の基板をその穴部内
に挿入するようにしたことを特徴とする請求項5に記載
の半導体センサの実装構造。6. The semiconductor according to claim 5, wherein a hole is provided on a mounting surface of said mounting board, and a board having a smaller outer dimension of said sensor body is inserted into said hole. Sensor mounting structure.
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|---|---|---|---|
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