[go: up one dir, main page]

JP2001119040A - 半導体力学量センサとその製造方法 - Google Patents

半導体力学量センサとその製造方法

Info

Publication number
JP2001119040A
JP2001119040A JP29550099A JP29550099A JP2001119040A JP 2001119040 A JP2001119040 A JP 2001119040A JP 29550099 A JP29550099 A JP 29550099A JP 29550099 A JP29550099 A JP 29550099A JP 2001119040 A JP2001119040 A JP 2001119040A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
substrate
semiconductor
bonding
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP29550099A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshimasa Yamamoto
山本　　敏雅
Yukihiro Takeuchi
竹内　　幸裕
Nobuyuki Kato
信之 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP29550099A priority Critical patent/JP2001119040A/ja
Publication of JP2001119040A publication Critical patent/JP2001119040A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0808—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate
    • G01P2015/0811—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass
    • G01P2015/0814—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass for translational movement of the mass, e.g. shuttle type

Landscapes

  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 キャップで梁構造の可動部を保護するにあた
って、キャップ内の密閉性を容易に確保できるような半
導体力学量センサを提供する。 【解決手段】 シリコン基板１７の上面に、可動部とし
ての梁構造体２と固定電極９ａ〜９ｃ等とよりなるセン
サエレメント部を備え、センサエレメント部と基板１７
との間に、絶縁分離された導電性薄膜１９を埋め込み、
この導電性薄膜１９により形成された配線パターン及び
下部電極２２〜２５を、センサエレメント部と略同一平
面に配置した電極取出部２７ａ〜２７ｄに対し電気的に
接続するとともに、基板１７上における該電極取出部と
センサエレメント部との間に、センサエレメント部を囲
むように段差を持たない平坦部３０を形成し、この平坦
部３０に対し、一面側に凹部２０２を有するキャップ基
板２００の一面側を接合し、センサエレメント部を凹部
２０２にて被覆保護する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、梁構造の可動部を
有する半導体力学量センサに係り、例えば、加速度、ヨ
ーレート、振動等の力学量を検出するための半導体力学
量センサ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、加速度センサ等の力学量センサ
の基本原理は、たわみ梁と呼ばれる梁を用いて梁に連結
した質量部（可動部）に力学量が作用した際の変位また
は力を測定することである。近年、自動車のサスペンシ
ョン制御、エアバッグ用等に用いられる加速度センサ等
の力学量センサの小型化、低価格化、高信頼性化の要望
が高まっている。これらの要望に応えるものとして、特
開平９−２１１０２２号公報に記載されているようなＳ
ＯＩ基板を用いた半導体力学量センサ及びその製造方法
がある。
【０００３】このものは、基板の上面に、単結晶シリコ
ンよりなる可動部としての梁構造体と、梁構造体の可動
電極に対向配置された固定電極とを備え、さらに、基板
の上面部に、下層側絶縁薄膜と導電性薄膜と上層側絶縁
体薄膜との積層体を配置し、導電性薄膜によって、配線
または電極を形成し、当該配線または電極を、上層側絶
縁体薄膜に形成した開口部を通して基板の上に配置した
電気接続部材（ボンディングパッド）に対し電気的に接
続したものである。
【０００４】つまり、基板側の配線として埋め込みの導
電性薄膜（例えばポリシリコン層）を用いたＳＯＩ（シ
リコンオンインシュレータ）基板（埋め込みＳＯＩ基
板)を用いており、それによって、絶縁体により絶縁分
離された配線を形成でき、また、単結晶シリコンによる
梁構造体をトレンチ溝により区画形成して信頼性が高い
半導体力学量センサが実現できるというものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、一般に、上
記のような半導体力学量センサにおいては、可動部を保
護するために可動部をキャップにて覆い、可動部周囲を
不活性ガスあるいは真空になるように封止し、ウェハ状
態からチップにダイシングカットする際の水圧や水流か
ら可動部を保護すると共に、チップを樹脂モールドする
際に可動部内部へ樹脂が浸入することを防げるようにす
ることが行われている（例えば、特開平１０−１１２５
４８号公報等）。
【０００６】ここで、上記した従来のＳＯＩ基板を用い
た半導体力学量センサにおいては、梁構造体や固定電極
と電気接続部材との間に、トレンチ溝等による段差が存
在する。例えば、上記した特開平９−２１１０２２号公
報の図１に示されているものにおいては、ボンディング
パッド（符号３４）と可動部としての梁構造体（符号
２）との間には、トレンチ溝が存在する。
【０００７】そして、可動部を保護するための保護キャ
ップを設けるにあたっては、センサ表面とキャップとの
接合部分に上記の段差が存在して該接合部分に隙間が生
じる。そのため、この隙間からキャップ内へ異物が混入
したり、不活性ガスもしくは真空による封止を行うこと
ができないという問題が生じる。つまり、接合された保
護キャップ内の密閉性が不十分であるという問題が発生
する。
【０００８】そこで、上記問題に鑑み、本発明の目的
は、キャップで梁構造の可動部を保護するにあたって、
キャップ内の密閉性を容易に確保できるような半導体力
学量センサを提供すること、および、そのような半導体
力学量センサを適切に製造できる製造方法を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】まず、請求項１記載の発
明は、第１の基板（１７）の上面に、可動部としての梁
構造体（２）と固定電極（９ａ〜９ｃ、１１ａ〜１１
ｃ、１３ａ〜１３ｃ、１５ａ〜１５ｃ）とよりなるセン
サエレメント部を備え、第１の基板の上面部に、下層側
絶縁薄膜（１８ａ、１８ｂ）と導電性薄膜（１９）と上
層側絶縁体薄膜（２０）との積層体（２１）を配置し、
導電性薄膜により配線（２２、２３、２５）または電極
（２４）を形成し、当該配線または電極を、上層側絶縁
体薄膜に形成した開口部を通して第１の基板の上に配置
した電気接続部材（２７ａ〜２７ｄ）に対し電気的に接
続した半導体力学量センサにおいて、第１の基板上にお
ける電気接続部材とセンサエレメント部との間に、セン
サエレメント部を囲むように、段差を持たない平坦面を
有する平坦部（３０）を形成し、この平坦部に対して、
一面側に凹部（２０２）を有する第２の基板（２００）
の一面側を接合し、センサエレメント部を該凹部にて被
覆保護するようにしたことを特徴としている。
【００１０】本発明によれば、まず、配線または電極と
して絶縁体により絶縁分離された導電性薄膜を用いるこ
とで、当該配線または電極をセンサ内部に埋め込まれた
ものとできる。そのため、センサエレメント部と電気接
続部材との間において、センサエレメント部を囲むよう
に平坦部を形成しても、上記配線または電極は平坦部の
下側を通すことができ、センサエレメント部と電気接続
部材との電気的接続は確保できる。
【００１１】そして、平坦面を有する平坦部に対して、
凹部を有する保護キャップとしての第２の基板を接合す
るから、第２の基板と平坦部との接合部分に隙間が発生
しない。よって、本発明によれば、キャップで可動部を
保護するにあたって、キャップ内の密閉性を容易に確保
できる半導体力学量センサを提供できる。
【００１２】ここで、請求項２の発明のように、導電性
薄膜（１９）が、上層側絶縁体薄膜（２０）に形成され
た開口部を通して上層側絶縁体薄膜の上側まで突き出し
た突出部（１０ａ〜１０ｃ、１２ａ〜１２ｃ、１４ａ〜
１４ｃ、１６ａ〜１６ｃ）を有しており、この突出部を
介して固定電極（９ａ〜９ｃ、１１ａ〜１１ｃ、１３ａ
〜１３ｃ、１５ａ〜１５ｃ）を導電性薄膜に接続させた
構成を採用できる。
【００１３】また、請求項３記載の発明は、第１の基板
（１７）の上面に、互いに平行に延びる可動電極（７ａ
〜７ｃ、８ａ〜８ｃ）を有する可動部としての梁構造体
（２）と、各可動電極の一方の側面にそれぞれ対向配置
された第１の固定電極（９ａ〜９ｃ、１３ａ〜１３ｃ）
と、各可動電極の他方の側面にそれぞれ対向配置された
第２の固定電極（１１ａ〜１１ｃ、１５ａ〜１５ｃ）と
を備え、梁構造体の可動電極と第１の固定電極とにより
第１のコンデンサが形成されるとともに、前記梁構造体
の可動電極と前記第２の固定電極とにより第２のコンデ
ンサが形成される、いわゆる差動容量型の半導体力学量
センサについてなされたものである。
【００１４】そして、本発明では、この差動容量型の半
導体力学量センサにおいて、第１の基板の上面部に、下
層側絶縁体薄膜（１８ａ、１８ｂ）と導電性薄膜（１
９）と上層側絶縁体薄膜（２０）との積層体（２１）を
配置し、導電性薄膜により可動電極、第１の固定電極及
び第２の固定電極の各配線パターン（２２、２３、２
５）を形成し、これら配線パターンを、上層側絶縁体薄
膜に形成した開口部を通して第１の基板の上に配置した
電気接続部材（２７ｂ、２７ｃ、２７ｄ）に対し電気的
に接続しており、さらに、梁構造体と各固定電極とによ
り構成されたセンサエレメント部と電気接続部材との間
において、上記請求項１と同様に、平坦部（３０）を設
け、第２の基板（２００）を接合したことを特徴として
いる。
【００１５】この請求項３の発明によっても、請求項１
の発明と同様に、センサエレメント部と電気接続部材と
の電気的接続は確保でき、キャップで可動部を保護する
にあたって、キャップ内の密閉性を容易に確保できる半
導体力学量センサを提供できる。
【００１６】ここで、平坦部（３０）は、上層側絶縁体
薄膜（２０）の上側に構成することができるが、この平
坦部を、梁構造体（２）を構成する材料と同一材料とす
れば、別材料を用いる場合に比べて簡単に平坦部を形成
できる。また、請求項８記載の発明のように、センサエ
レメント部と第２の基板（２００）の凹部（２０２）と
の間を、不活性ガスが充填された状態若しくは真空状態
とすれば、センサエレメント部の劣化（変質等）をより
高いレベルにて維持できる。
【００１７】また、請求項９〜請求項１３記載の発明に
よれば、請求項１及び請求項３記載の半導体力学量セン
サを適切に製造することができる。つまり、第１の半導
体基板（４０）と第２の半導体基板（４８）との間に、
第１の絶縁体薄膜（４３）、導電性薄膜（４５）、第２
の絶縁体薄膜（４６ａ、４６ｂ）のサンドイッチ構造を
形成することで、配線として絶縁分離され埋め込まれた
導電性薄膜を有する埋め込みＳＯＩ基板（貼り合わせら
れた第１及び第２の半導体基板）を形成できる。
【００１８】そして、梁構造体（２）のパターン形成
は、請求項９の製造方法においては、出来上がった埋め
込みＳＯＩ基板に対して第１の半導体基板における不要
領域を除去して所望の形状にする第８工程、また、請求
項１０の製造方法においては、埋め込みＳＯＩ基板を貼
り合わせる前に第１の半導体基板（４０）における所定
領域に溝（６０ａ）を形成する第１工程によって、それ
ぞれ実現可能である。
【００１９】さらに、第１の半導体基板（４０）を研磨
して所望の厚さとするとともに、該第１の半導体基板の
表面に平坦部（３０）を形成する工程によって、平坦部
（３０）を形成できる。そして、梁構造体（可動構造
部）を形成した埋め込みＳＯＩ基板における該平坦部に
対して、可動構造部を凹部（２０２）にて覆うように、
第３の半導体基板（２００）を接合用膜（２０１）を介
して接合する工程を経て、上記請求項１及び請求項３記
載の構成を有する半導体力学量センサを形成することが
できる。
【００２０】このように、請求項９〜請求項１３記載の
発明によれば、キャップで梁構造の可動部を保護するに
あたってキャップ内の密閉性を容易に確保できるような
半導体力学量センサを適切に製造できる製造方法を提供
することができる。特に、請求項１１〜請求項１３記載
の発明によれば、請求項１１の発明の効果を有する半導
体力学量センサを適切に製造できる。
【００２１】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
【００２２】
【発明の実施の形態】（第１実施形態）本第１実施形態
は、本発明の半導体力学量センサを半導体加速度セン
サ、より詳しくは、サーボ制御式の差動容量型半導体加
速度センサに具体化したものとして説明する。
【００２３】図１は本実施形態に係る半導体加速度セン
サの平面図である。また、図２は図１の中央部（センサ
エレメント部）拡大図であり、図１にて省略した梁構造
体及び固定電極の各アンカー部を図示してある。また、
図３は図１中のＡ−Ａ断面図、図４は図１中のＢ−Ｂ断
面図、図５は図１中のＣ−Ｃ断面図、図６は図１中のＤ
−Ｄ断面図、図７は図１中のＡ−Ａ断面における斜視図
である。なお、図１及び図２中、各アンカー部、各配線
パターン及び下部電極は破線で図示してある。
【００２４】図３に示す様に、基板１の上面には、単結
晶シリコン（単結晶半導体材料）よりなる梁構造体（可
動部）２が配置されている。梁構造体２は、図２及び図
３に示す様に、基板１側から突出する２つのアンカー部
３ａ、３ｂにより架設されており、基板１の上面におい
て所定間隔を隔てた位置に配置されている。アンカー部
３ａ、３ｂはポリシリコン薄膜よりなる。
【００２５】アンカー部３ａとアンカー部３ｂとの間に
おいて、アンカー部３ａ寄りに梁部４、アンカー部３ｂ
寄りに梁部５が架設されており、梁部４と梁部５との間
において長方形状をなす質量部（マス部）６が架設され
ている。質量部６には上下に貫通する透孔６ａが設けら
れ、この透孔６ａにより後述する犠牲層エッチングの際
にエッチング液が進入し易くなる。
【００２６】さらに、質量部６における一方の側面（図
１においては左側面）からは、３つの可動電極７ａ、７
ｂ、７ｃが突出している。この可動電極７ａ〜７ｃは棒
状をなし、等間隔をおいて平行に延びている。また、質
量部６における他方の側面（図１においては右側面）か
らは、３つの可動電極８ａ、８ｂ、８ｃが突出してい
る。この可動電極８ａ〜８ｃは棒状をなし、等間隔をお
いて平行に延びている。ここで、梁部４、５、質量部
６、可動電極７ａ〜７ｃ、８ａ〜８ｃは、犠牲層酸化膜
３７の一部をエッチング除去することにより可動となっ
ている。このように、梁構造体２は２つの櫛歯状の可動
電極を有している。
【００２７】基板１の上面には、３つの第１の固定電極
９ａ、９ｂ、９ｃが固定され、この固定電極９ａ〜９ｃ
は単結晶シリコン（単結晶半導体材料）よりなる。第１
の固定電極９ａ〜９ｃは基板１側から突出するアンカー
部１０ａ、１０ｂ、１０ｃにより支持されており、梁構
造体２の各可動電極（棒状部）７ａ〜７ｃの一方の側面
に対向して配置されている。
【００２８】また、基板１の上面には３つの第２の固定
電極１１ａ、１１ｂ、１１ｃが固定され、この固定電極
１１ａ〜１１ｃは単結晶シリコンよりなる。第２の固定
電極１１ａ〜１１ｃは基板１側から突出するアンカー部
１２ａ、１２ｂ、１２ｃにより支持されており、梁構造
体２の各可動電極（棒状部）７ａ〜７ｃの他方の側面に
対向して配置されている。
【００２９】同様に、基板１の上面には第１の固定電極
１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび第２の固定電極１５ａ、
１５ｂ、１５ｃが固定され、この固定電極１３ａ〜１３
ｃおよび１５ａ〜１５ｃは単結晶シリコンよりなる。第
１の固定電極１３ａ〜１３ｃはアンカー部１４ａ、１４
ｂ、１４ｃにより支持され、かつ、梁構造体２の各可動
電極（棒状部）８ａ〜８ｃの一方の側面に対向して配置
されている。また、第２の固定電極１５ａ〜１５ｄはア
ンカー部１６ａ、１６ｂ、１６ｃにより支持され、か
つ、梁構造体２の各可動電極（棒状部）８ａ〜８ｃの他
方の側面に対向して配置されている。
【００３０】ここで、基板１は、図３〜図７に示す様
に、シリコン基板（本発明でいう第１の基板）１７の上
に貼合用薄膜３９を介して、下層側絶縁体薄膜１８ａ、
１８ｂと導電性薄膜１９と上層側絶縁体薄膜２０とを積
層した構成となっている。つまり、シリコン基板１７の
上面部に、下層側絶縁体薄膜１８ａ、１８ｂと導電性薄
膜１９と上層側絶縁体薄膜２０との積層体２１を配置し
た構造となっており、導電性薄膜１９が絶縁体薄膜１８
ａ、１８ｂ、２０の内部に埋め込まれた構成となってい
る。
【００３１】下層側絶縁体薄膜１８ａ、１８ｂはシリコ
ン酸化膜及びシリコン窒化膜よりなり（本例では、薄膜
１８ａがシリコン窒化膜、薄膜１８ｂがシリコン酸化
膜）、上層側絶縁体薄膜２０はシリコン窒化膜よりな
り、ＣＶＤ法等により形成されたものである。また、導
電性薄膜１９はリン等の不純物をドーピングしたポリシ
リコン薄膜よりなる。
【００３２】また、導電性薄膜１９により、図１に示す
３つの配線パターン２２、２３、２５が形成されるとと
もに、下部電極（静電気力相殺用固定電極）２４が形成
されている。なお、図１及び図２において、これら配線
及び電極２２〜２５は破線にて示してある。まず、配線
パターン２２は第１の固定電極９ａ、９ｂ、９ｃ及び１
３ａ、１３ｂ、１３ｃの配線であり、図１に示す様に帯
状に延設されている。
【００３３】同様に、配線パターン２３は第２の固定電
極１１ａ、１１ｂ、１１ｃ及び１５ａ、１５ｂ、１５ｃ
の配線であり、図１に示す様に帯状に延設されている。
また、配線パターン２５は可動電極７ａ〜７ｃ及び８ａ
〜８ｃの配線であり、図１に示す様に帯状に延設されて
いる。さらに、下部電極２４は基板１の上面部における
梁構造体２と対向する領域に形成され、図１に示す様に
帯状に延設されている。
【００３４】そして、図２に示す様に、梁構造体２の可
動電極７ａ〜７ｃと第１の固定電極９ａ〜９ｃとの間に
第１のコンデンサＣ１（静電容量Ｃ１）が、また、梁構
造体２の可動電極７ａ〜７ｃと第２の固定電極１１ａ〜
１１ｃとの間に第２のコンデンサＣ２（静電容量Ｃ２）
が形成される。同様に、梁構造体２の可動電極８ａ〜８
ｃと第１の固定電極１３ａ〜１３ｃとの間に第１のコン
デンサＣ１が、また、梁構造体２の可動電極８ａ〜８ｃ
と第２の固定電極１５ａ〜１５ｃとの間に第２のコンデ
ンサＣ２が形成される。
【００３５】また、基板１の上面には、単結晶シリコン
よりなる電極取出部（本発明でいう電気接続部材）２７
ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄが形成され、各電極取出部
２７ａ〜２７ｄは基板１から突出するアンカー部２８
ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄにより支持されている。
【００３６】図５に示す様に、上層側絶縁体薄膜２０に
は開口部２９ａ、２９ｂ、２９ｃおよび３０ｂが形成さ
れ、開口部２９ａ、２９ｂ、２９ｃ内に上述のアンカー
部（不純物ドープトポリシリコン）１０ａ〜１０ｃが配
置されている。また、開口部３０ｂ内にはアンカー部
（不純物ドープトポリシリコン）２８ｂが配置されてい
る。よって、開口部２９ａ〜２９ｃおよびアンカー部１
０ａ〜１０ｃを通して、配線パターン２２と第１の固定
電極９ａ〜９ｃとが電気的に接続され、開口部３０ｂお
よびアンカー部２８ｂを通して、配線パターン２２と電
極取出部２７ｂとが電気的に接続されている。なお、第
１の固定電極１３ａ〜１３ｃと配線パターン２２と電極
取出部２７ｂとの電気的接続構成も同様である。
【００３７】図６に示す様に、上層側絶縁体薄膜２０に
は開口部３１ａ、３１ｂ、３１ｃおよび３０ｄが形成さ
れている。開口部３１ａ〜３１ｃ内には上述のアンカー
部（不純物ドープトポリシリコン）１２ａ〜１２ｃが、
また、開口部３０ｄ内に上述のアンカー部（不純物ドー
プトポリシリコン）２８ｄが配置されている。よって、
開口部３１ａ〜３１ｃおよびアンカー部１２ａ〜１２ｃ
を通して、配線パターン２３と第２の固定電極１１ａ〜
１１ｃとが電気的に接続され、開口部３０ｄおよびアン
カー部２８ｄを通して、配線パターン２３と電極取出部
２７ｄとが電気的に接続されている。なお、第２の固定
電極１５ａ〜１５ｃと配線パターン２３と電極取出部２
７ｄとの電気的接続構成も同様である。
【００３８】図３に示す様に、上層側絶縁体薄膜２０に
は開口部３２ａ、３２ｂ、３０ｃが形成されている。開
口部３２ａ、３２ｂ内には上述のアンカー部（不純物ド
ープトポリシリコン）３ａ、３ｂが、また、開口部３０
ｃ内に上述のアンカー部（不純物ドープトポリシリコ
ン）２８ｃが配置されている。よって、開口部３２ａ、
３２ｂ及びアンカー部３ａ、３ｂを通して、配線パター
ン２５と梁構造体２、質量部６及び可動電極７ａ〜７
ｃ、８ａ〜８ｃとが、電気的に接続されるとともに、開
口部３０ｃ及びアンカー部２８ｃを通して、配線パター
ン２５と電極取出部２７ｃとが、電気的に接続されてい
る。
【００３９】基板１の上面部における梁構造体２と対向
する領域に形成された下部電極２４も、これら配線パタ
ーン２２、２３、２５と同様に、上層側絶縁体薄膜２０
に形成された開口部（図示せず）及びアンカー部（不純
物ドープトポリシリコン）２８ａを通して、電極取出部
２７ａに電気的に接続されている。
【００４０】ここで、図１に示す様に、配線パターン２
２と下部電極２４とが交差し、配線パターン２３と２５
とが交差している。これら交差部分では、図３に示す様
に、上層側絶縁体薄膜２０に形成された開口部とアンカ
ー部（不純物ドープトポリシリコン）２６ａ、２６ｂと
により形成されたブリッジ２６によって、一方が短絡し
ないように他方を跨ぐ形となっている。
【００４１】このように、基板１は、ポリシリコンより
なる配線パターン２２、２３、２５および下部電極２４
をＳＯＩ層の下に埋め込んだ構成となっており、この構
造は、表面マイクロマシニング技術を用いて形成したも
のである。また、図１、図３、図５及び図６に示す様
に、電極取出部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄの上面
には、アルミ薄膜よりなるパッド電極（ボンディングパ
ッド）３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄがそれぞれ設け
られている。
【００４２】よって、本実施形態においては、シリコン
基板（第１の基板）１７の上面部に、下層側絶縁体薄膜
１８ａ、１８ｂと導電性薄膜１９と上層側絶縁体薄膜２
０との積層体２１を配置し、導電性薄膜１９により可動
電極、第１の固定電極及び第２の固定電極の各配線パタ
ーン２２、２３、２５を形成し、これら配線パターン
を、上層側絶縁体薄膜２０に形成した開口部を通してシ
リコン基板１７の上に配置した電極取出部（電気接続部
材）２７ａ〜２７ｄ及びパッド電極３４ａ〜３４ｄに対
し電気的に接続した形となっている。
【００４３】また、本実施形態においては、導電性薄膜
１９が、上層側絶縁体薄膜２０に形成された開口部を通
して上層側絶縁体薄膜２０の上側まで突き出した突出部
としてのアンカー部１０ａ〜１０ｃ、１２ａ〜１２ｃ、
１４ａ〜１４ｃ、１６ａ〜１６ｃを有しており、このア
ンカー部（突出部）を介して各固定電極９ａ〜９ｃ、１
１ａ〜１１ｃ、１３ａ〜１３ｃ、１５ａ〜１５ｃを導電
性薄膜１９に接続させた構成となっている。
【００４４】かかる半導体加速度センサにおいては、梁
構造体２の可動電極７ａ〜７ｃと第１の固定電極９ａ〜
９ｃとの間に形成された第１のコンデンサの容量Ｃ１
（および可動電極８ａ〜８ｃと第１の固定電極１３ａ〜
１３ｃとの間に形成される第１のコンデンサの容量Ｃ
１）、および、梁構造体２の可動電極７ａ〜７ｃと第２
の固定電極１１ａ〜１１ｃとの間に形成された第２のコ
ンデンサの容量Ｃ２（および可動電極８ａ〜８ｃと第２
の固定電極１５ａ〜１５ｃとの間に形成される第２のコ
ンデンサの容量Ｃ２）に基づき、梁構造体２に作用する
加速度を検出することができるようになっている。より
詳しくは、可動電極と固定電極とにより２つの差動型静
電容量を形成し、２つの容量が等しくなるようにサーボ
動作を行う。
【００４５】また、梁構造体２と下部電極２４とを等電
位にすることにより梁構造体２と基板１との間に生じる
静電気力を相殺する。つまり、下部電極２４と、アンカ
ー部３ａ、３ｂを通して梁部４、５および質量部６に結
合されている配線パターン２５とを外部で接続すること
により、電気的に等電位にすることができ、梁部４、５
および質量部６が静電気力により基板１に付着すること
が防止できる。即ち、梁構造体２はシリコン基板１７に
対して絶縁されているため、梁構造体２とシリコン基板
１７間のわずかな電位差によっても梁構造体２が基板１
７側に付着しようとするが、それを防止することができ
る。
【００４６】さらに、本実施形態においては、梁構造体
２と固定電極９ａ〜９ｃ、１１ａ〜１１ｃ、１３ａ〜１
３ｃ、１５ａ〜１５ｃとにより検出部としてのセンサエ
レメント部が構成されている。そして、図１、及び図３
〜図７に示す様に、基板１上におけるパッド電極３４ａ
〜３４ｄとセンサエレメント部との間には、センサエレ
メント部を囲むように、単結晶シリコン（単結晶半導体
材料）よりなるリング状の平坦部３０が形成されてい
る。この平坦部３０は、その表面が段差を持たない平坦
面となっている。
【００４７】また、平坦部３０は、上層側絶縁体薄膜２
０の上側に成膜された膜により構成されており、本例で
は、梁構造体２が形成されている層と同一の層（つま
り、梁構造体の構成材料と同一材料）である。なお、平
坦部３０は、別材料により成膜された層でも良く、さら
には、平坦部３０に相当する部位において上層側絶縁体
薄膜２０を厚く形成するとともに上層側絶縁体薄膜２０
の表面を平坦面として、上層側絶縁体薄膜２０そのもの
を平坦部として構成しても良い。
【００４８】そして、この平坦部３０に対して、一面側
におけるセンサエレメント部と対向する位置に凹部２０
２を有したキャップ基板（本発明でいう第２の基板）２
００が、接合用膜２０１を介して接合されている。ここ
で、各図中、２０３はキャップ基板２００の接合部を示
し、図１中、キャップ基板２００及び接合部２０３は便
宜上、二点鎖線にて示してある。なお、平坦部３０は、
少なくとも接合部２０３の部位が平坦面であればよい。
【００４９】このキャップ基板２００はシリコン基板よ
りなり、キャップ部材２００の一面側（凹部形成面側）
に形成された接合用膜２０１はＴｉやＡｕ等の薄膜より
なる。そして、この接合用膜２０１と平坦部３０の表面
が共晶接合によって結合しているが、これは、キャップ
基板２００を平坦部３０へ加圧しながら押しつけること
によってなされる。
【００５０】こうして、センサエレメント部はキャップ
基板２００の凹部２０２にて被覆され保護されている。
ここで、凹部２０２が形成されているため、センサエレ
メント部とキャップ基板２００とは非接触状態にある。
そして、センサエレメント部と凹部２０２との間の空洞
部２０４には、不活性ガスが充填されて（もしくは真空
状態となって）おり、センサの検出感度の高感度化、特
性の安定化等が考慮されている。なお、本例では、図１
に示す様に、不活性ガス充填または真空排気を行うため
にキャップ基板２００に連通溝２０５が形成されてお
り、この連通溝２０５は接着剤等にて封止されている。
【００５１】以上のように、絶縁体分離された配線パタ
ーン２２、２３、２５と下部電極２４を用いることで、
パッド電極（ボンディングパッド）３４ａ〜３４ｄを基
板表面の一方の端から取り出すことができ、キャップ基
板２００を接合するためのリング状の平坦部３０を形成
することができることから、加速度センサの製造プロセ
スを容易にすることが可能となる。
【００５２】次に、この加速度センサの検出原理を図２
を用いて説明する。可動電極７ａ〜７ｃ（８ａ〜８ｃ）
は両側の固定電極９ａ〜９ｃ（１３ａ〜１３ｃ）と１１
ａ〜１１ｃ（１５ａ〜１５ｃ）の中心に位置し、可動電
極と固定電極間の静電容量Ｃ１、Ｃ２は等しい。また、
可動電極７ａ〜７ｃ（８ａ〜８ｃ）と第１の固定電極９
ａ〜９ｃ（１３ａ〜１３ｃ）間には電圧Ｖ１が、可動電
極７ａ〜７ｃ（８ａ〜８ｃ）と第２の固定電極１１ａ〜
１１ｃ（１５ａ〜１５ｃ）間には電圧Ｖ２が印加されて
いる。
【００５３】そして、加速度が生じていないときにはＶ
１＝Ｖ２であり、可動電極７ａ〜７ｃ（８ａ〜８ｃ）は
固定電極９ａ〜９ｃ（１３ａ〜１３ｃ）と１１ａ〜１１
ｃ（１５ａ〜１５ｃ）から等しい静電気力で引かれてい
る。ここで、加速度が基板表面に平行な方向に作用し、
可動電極７ａ〜７ｃ（８ａ〜８ｃ）が変位すると、可動
電極と固定電極との間の距離が変わり、静電容量Ｃ１、
Ｃ２が等しくなくなる。
【００５４】このときに静電気力が等しくなるように、
例えば可動電極７ａ〜７ｃ（８ａ〜８ｃ）が固定電極９
ａ〜９ｃ（１３ａ〜１３ｃ）側に変位したとすると、電
圧Ｖ１が下がり、電圧Ｖ２が上がる。これにより静電気
力で固定電極１１ａ〜１１ｃ（１５ａ〜１５ｃ）側に可
動電極７ａ〜７ｃ（８ａ〜８ｃ）は引かれる。可動電極
７ａ〜７ｃ（８ａ〜８ｃ）が中心位置に戻り静電容量Ｃ
１、Ｃ２が等しくなれば、加速度と静電気力が等しく釣
り合っており、このときの電圧Ｖ１、Ｖ２から加速度の
大きさを求めることができる。
【００５５】このように、第１のコンデンサＣ１と第２
のコンデンサＣ２において、力学量の作用による変位に
対して、可動電極が変位しないように第１と第２のコン
デンサＣ１及びＣ２を形成している固定電極の電圧を制
御し、その電圧の変化で加速度を検出する。
【００５６】次に、この加速度センサの製造工程を図８
〜図１３を用いて説明する。尚、図８〜図１３は、図１
におけるＤ−Ｄ断面（つまり、図６に示す断面）を用い
た製造工程を示す概略断面図である。
【００５７】まず、図８（ａ）に示す様に、第１の半導
体基板としての単結晶シリコン基板（最終的に梁構造体
２、固定電極９ａ〜９ｃ、１１ａ〜１１ｃ、１３ａ〜１
３ｃ、１５ａ〜１５ｃ、平坦部３０等となる）４０を用
意し、後で説明する工程において、合わせマーク及び、
薄膜構造体を所望の厚さにするための終点検知用のマー
クとして利用できるように、所望の厚さと同じ深さの溝
Ａを形成する。そして、シリコン基板４０に犠牲層用薄
膜としてのシリコン酸化膜（最終的に犠牲層酸化膜３７
となる）４１を熱酸化、ＣＶＤ法等により成膜する。そ
して、犠牲層エッチング時のエッチングストッパとなる
シリコン窒化膜（第１の絶縁体薄膜、最終的に上層側絶
縁体薄膜２０となる）４３を成膜する。
【００５８】その後、図８（ｂ）に示す様に、シリコン
酸化膜４１とシリコン窒化膜４３との積層体に対してフ
ォトリソグラフィを経てドライエッチング等によりアン
カー部形成領域に開口部４４ａ〜４４ｇを形成する。こ
の開口部４４ａ〜４４ｇは、梁構造体と基板（下部電
極）とを接続するため、および、固定電極及び電極取出
部と配線パターンとを接続するためのものである。
【００５９】引き続き、開口部４４ａ〜４４ｇを含むシ
リコン窒化膜４３上に導電性薄膜となるポリシリコン薄
膜４５（最終的に導電性薄膜１９となる）を成膜し、そ
の後、リン拡散等により不純物を導入し、フォトリソグ
ラフィを経てシリコン窒化膜４３上の所定領域に配線パ
ターン４５ａと下部電極４５ｂとアンカー部４５ｃを形
成する。これらの形成された部分４５ａ〜４５ｃは、最
終的に、上記図１〜図７に示す各配線パターン、下部電
極、及びアンカー部となるものである。
【００６０】さらに、図９（ａ）、（ｂ）に示す様に、
ポリシリコン薄膜４５の上を含むシリコン窒化膜４３上
に第２の絶縁体薄膜としてのシリコン窒化膜（最終的に
下層側絶縁体薄膜１８ａとなる）４６ａ、シリコン酸化
膜４６ｂ（最終的に下層側絶縁体薄膜１８ｂとなる）を
ＣＶＤ法等により成膜する。
【００６１】さらに、図１０（ａ）に示す様に、シリコ
ン酸化膜４６ｂの上に貼合用薄膜としてのポリシリコン
薄膜４７を成膜し、ポリシリコン薄膜４７（最終的に貼
合用薄膜３９となる）に対し貼り合わせのために表面を
機械的研磨等により平坦化する。そして、図１０（ｂ）
に示す様に、シリコン基板４０とは別の単結晶シリコン
基板４８を用意し、ポリシリコン薄膜４７の表面と第２
の半導体基板としてのシリコン基板４８とを貼り合わせ
る。
【００６２】さらに、図１１（ａ）に示す様に、シリコ
ン基板４０、４８を表裏逆にして、シリコン基板４０側
を機械的研磨等を行い、所望の厚さ（例えば１０〜２０
μｍ）まで薄膜化する。この時、先に合わせマークとし
て形成した溝Ａが見えるまで薄膜化することで、所望の
厚さを得るための終点検知をすることができる。また、
この研磨により、シリコン基板４０の研磨された面は段
差のない平坦面となり、上記平坦部３０が形成される。
【００６３】次に、図１１（ｂ）に示す様に、層間絶縁
膜５１を成膜し、フォトリソグラフィを経てドライエッ
チング等によりコンタクトホール５２を形成する。さら
に、アルミ電極（上記パッド電極３４ａ〜３４ｄに相当
するもの）５３を、成膜及びフォトリソグラフィを経て
形成する。
【００６４】その後、図１２（ａ）に示す様に、シリコ
ン基板４０に対しフォトリソ技術を用いて、トレンチエ
ッチングにより一定の幅で溝を掘り、梁構造体を形成す
るための溝パターン４９を形成する。このように、シリ
コン基板４０における不要領域に溝パターン４９を形成
して、不要領域を除去し所望の形状にする。この工程
（シリコン基板４０における不要領域を除去して所望の
形状にする工程）において、先の工程において形成した
溝Ａを用いて、フォトマスク合わせを正確に行うことが
できる。
【００６５】この後、図１２（ｂ）に示す様に、ＨＦ系
のエッチング液によりシリコン酸化膜４１、５１をエッ
チング除去し、可動電極部８ａ〜８ｃ等を有する梁構造
体を可動とする。つまり、エッチング液を用いた犠牲層
エッチングにより所定領域のシリコン酸化膜４１を除去
してシリコン基板４０を可動構造とする。この際、エッ
チング後の乾燥の過程で可動部が基板に固着するのを防
止するため、バラジクロルベンゼン等の昇華剤を用い
る。
【００６６】この工程（エッチング液を用いた犠牲層エ
ッチングにより所定領域のシリコン酸化膜４１を除去し
てシリコン基板４０を可動構造とする工程）において、
可動部におけるアンカー部４５ｃは導電性薄膜（ポリシ
リコン）よりなるため、アンカー部４５ｃにおいてエッ
チングが停止し、バラツキが無くなる。即ち、犠牲層用
薄膜としてシリコン酸化膜を用い、導電性薄膜としてポ
リシリコン薄膜を用い、ＨＦ系エッチング液を用いた本
例においては、シリコン酸化膜はＨＦにて溶けるがポリ
シリコン薄膜は溶けないので、ＨＦ系エッチング液の濃
度や温度を正確に管理したり、エッチングの終了を正確
なる時間管理にて行う必要はなく、製造が容易となる。
【００６７】即ち、犠牲層エッチングに際しては、ＳＯ
Ｉ基板を用いた場合においては、梁の長さがエッチング
時間によって変化してしまうが、本実施形態では、エッ
チング時間に関係なくアンカー部までエッチングしたと
ころで選択的にエッチングが終了するため、梁の長さは
常に一定となる。
【００６８】このようにアンカー部を形成することがで
きることから、梁構造体をリリースする際の犠牲層エッ
チング工程で時間制御による終点制御を行う必要がなく
バネ定数等の制御を容易にすることが可能となる。そし
て、以上の工程により、埋め込みＳＯＩ基板を用い、配
線パターン４５ａおよび下部電極４５ｂを絶縁体分離に
より形成して、サーボ制御式加速度センサを形成するこ
とができる。
【００６９】さらに、本実施形態では、図１３に示す様
に、貼り合わせられた両シリコン基板４０、４８におけ
る平坦部３０に対して、第３の半導体基板としてのキャ
ップ基板２００を接合するのであるが、このキャップ基
板２００は、シリコン基板の一面側にドライエッチング
もしくはウェットエッチングを施すことで凹部２０２を
形成する。なお、この凹部２０２は、キャップ基板２０
０に対して直角でも斜めであっても構わない。
【００７０】そして、キャップ基板２００の一面側（凹
部形成面側）に、ＴｉあるいはＡｕ薄膜等よりなる接合
用膜２０１を、蒸着、スパッタ、メッキ等により形成す
る。こうして、一面側に凹部２０２及び接合用膜２０１
を有するキャップ基板２００が形成される。
【００７１】そして、貼り合わせられた両シリコン基板
４０、４８における平坦部３０に対して、可動部を凹部
２０２にて覆うようにキャップ基板２００を接合用膜２
０１を介して接合する（第３の半導体基板接合工程）。
つまり、シリコン基板４０の平坦面（平坦部３０）に接
合用膜２０１を接触させ、圧着することにより、シリコ
ン基板４０と接合用膜２０１とが共晶接合される。
【００７２】なお、この第３の半導体基板接合工程は、
密閉された容器内に不活性ガスを充填する等により形成
された不活性ガス雰囲気や、真空チャンバ内を真空排気
する等により形成された真空雰囲気にて行うことが好ま
しい。それによって、凹部２０２内の空洞部２０４に
は、不活性ガスが充填された状態（もしくは真空状態）
となり、センサの検出感度の高感度化、特性の安定化等
が考慮された構成となる。
【００７３】ここで、本例では、図１に示す様に、キャ
ップ基板２００に連通溝２０５が形成されている。この
連通溝２０５の形成は、上記第３の半導体基板接合工程
を行う前、例えば凹部２０２を形成する第１０工程にお
いて、予めキャップ基板２００を構成するシリコン基板
に対し、凹部２０２の内外を連通する溝を形成すること
により行うことができる。この連通溝２０５を利用すれ
ば、上記の第３の半導体基板接合工程を大気中で行って
も、空洞部２０４内を不活性ガス雰囲気または真空雰囲
気とできる。
【００７４】つまり、上記第３の半導体基板接合工程を
行った後、連通溝２０５を介して凹部２０２の内部へ不
活性ガスを充填し、続いて、連通溝２０５を封止すれ
ば、空洞部２０４に不活性ガスが充填された状態とな
る。また、該第３の半導体基板接合工程を行った後、連
通溝２０５を介して凹部２０２の内部を排気して真空と
し、続いて、連通溝２０５を封止すれば、空洞部２０４
が真空状態となる。なお、連通溝２０５の封止は接着剤
等で行っても良いが、キャップ基板２００を平坦部３０
へ更に押しつけて、連通溝２０５を押し潰して封止する
ようにしても良い。
【００７５】以上の工程により、上記図１等に示す半導
体加速度センサが出来上がる。なお、この後、ダイシン
グブレード等を用いてダイシングカット工程を行い、セ
ンサをチップ単位に分割する。このダイシングカットに
おいては、梁構造体２が形成されたセンサ側の基板１と
キャップ基板２００とを同時にカットしても良いし、ま
ず、キャップ基板２００をカットしてから、次に、セン
サ側の基板１をカットしても良い。
【００７６】ところで、本実施形態の半導体加速度セン
サにおいては、下記（イ）〜（ヘ）の特徴を有する。
【００７７】（イ）梁構造体２は、基板１の上面におい
て所定間隔を隔てた位置に配置され、加速度（力学量）
により変位する作用力を受ける。また、固定電極９ａ〜
９ｃ、１１ａ〜１１ｃ、１３ａ〜１３ｃ、１５ａ〜１５
ｃは、基板１の上面に固定され、かつ、梁構造体２の一
部である可動電極７ａ〜７ｃ、８ａ〜８ｃに対向して配
置される。
【００７８】この種のセンサにおいて、基板１の上面部
に、下層側絶縁体薄膜１８ａ、１８ｂと導電性薄膜１９
と上層側絶縁体薄膜２０との積層体２１を配置し、導電
性薄膜１９により配線パターン２２、２３、２５及び下
部電極２４を形成し、この配線パターン及び下部電極２
２〜２５を、上層側絶縁体薄膜２０に形成した開口部２
９ａ〜２９ｃ、３１ａ〜３１ｃ、３０ｂ〜３０ｄ、３２
ａ、３２ｂを通して基板１の上に配置した固定電極９ａ
〜９ｃ、１１ａ〜１１ｃ、１３ａ〜１３ｃ、１５ａ〜１
５ｃ、梁構造体２、電極取出部（電気接続部材）２７ａ
〜２７ｄに対し電気的に接続した。
【００７９】このように、基板１の上面部に絶縁膜を配
置し、その中に薄膜の配線または電極を埋設して、基板
側の配線または電極として埋め込みの薄膜（ポリシリコ
ン層）を用いたＳＯＩ基板（埋め込みＳＯＩ基板) とし
ている。この構造を用いることで、絶縁体分離による配
線または電極を形成できるとともに、基板１の上面部
で、電極取出部２７ａ〜２７ｄ及びパッド電極３４ａ〜
３４ｄをチップ端部に集中的に配置することができ、電
極取出部２７ａ〜２７ｄとセンサエレメント部との間に
平坦な領域である平坦部３０を容易に形成することがで
きる。
【００８０】さらに、平坦面を有する平坦部３０に対し
て、保護キャップとしての凹部２０２を有するキャップ
基板（第２の基板）２００を、接合用膜２０１を通して
接合するから、キャップ基板２００と平坦部３０との接
合部分に隙間が発生しない。そのため、キャップ基板２
００で可動部を含むセンサエレメント部を保護するにあ
たって、キャップ基板２００内の密閉性を容易に確保で
きる半導体力学量センサが提供される。
【００８１】そして、このようにすることで、単結晶シ
リコンによる梁構造体２を形成して信頼性が高い半導体
力学量センサにおいて、可動部を保護するために可動部
をキャップ基板２００にて覆い、可動部周囲を不活性ガ
スあるいは真空になるように封止し、ウェハ状態からチ
ップにダイシングカットする際の水圧や水流から可動部
を保護すると共に、チップを樹脂モールドする際に可動
部内部へ樹脂が浸入することを防止することが可能とな
る。
【００８２】また、センサエレメント部をキャップ基板
２００で覆うことにより、半導体力学量センサの工程
内、及び動作時のごみ等による動作不良を防止できる。
また、上記キャップ基板２００内をガス封止、もしくは
真空封止することができるので、センサの動作時におけ
る経時変化を最小限に抑えることができる。
【００８３】（ロ）基板１の上面部に、下層側絶縁体薄
膜１８ａ、１８ｂと導電性薄膜１９と上層側絶縁体薄膜
２０との積層体２１を配置し、導電性薄膜１９により第
１の固定電極の配線パターン２２と第２の固定電極の配
線パターン２３を形成し、上層側絶縁体薄膜２０におけ
る開口部２９ａ〜２９ｃ、３１ａ〜３１ｃおよび固定電
極のアンカー部を通して、第１、第２の固定電極用配線
パターン２２、２３と第１、第２の固定電極９ａ〜９
ｃ、１１ａ〜１１ｃ、１３ａ〜１３ｃ、１５ａ〜１５ｃ
とを電気的に接続した。
【００８４】また、配線パターン２２と下部電極２４と
が交差している部分、及び、配線パターン２３と２５と
が交差している部分では、上層側絶縁体薄膜２０に形成
された開口部とアンカー部（不純物ドープトポリシリコ
ン）２６ａ、２６ｂとにより形成されたブリッジ２６に
よって、一方が他方を跨ぐようにした。
【００８５】このように、基板１の上面部に絶縁膜を配
置し、その中に薄膜の配線パターン２２、２３を埋設
し、この配線パターン２２、２３を用いて第１の固定電
極用通電ラインと第２の固定電極用通電ラインを交差さ
せることができるととに、下部電極２４及び可動電極用
（梁構造体用）の配線パターン２５と、各固定電極用通
電ライン２２、２３とを交差させることができる。
【００８６】（ハ）導電性薄膜１９による下部電極（静
電気力相殺用固定電極）２４を形成しており、上層側絶
縁体薄膜２０における開口部（図示せず）および梁構造
体２のアンカー部３ａ、３ｂを通して下部電極２４と梁
構造体２とを電気的に接続した。それによって、梁構造
体（可動部）２と下部電極２４とを等電位にして梁構造
体２と基板１との間に生じる静電気力を相殺することが
でき、梁構造体２と基板１間のわずかな電位差による梁
構造体２の基板１への付着を防止することができる。
【００８７】（ニ）梁構造体２の材料としてヤング率等
の物性値が既知で脆性材料である単結晶シリコンを用い
ているため、梁構造体２の信頼性を高くすることができ
る。（ホ）導電性薄膜１９としてポリシリコン薄膜を用
いて絶縁体薄膜で周囲を分離することにより、ｐｎ接合
分離の場合のような高温域でのリーク電流等の影響をよ
り小さくすることができる。（ヘ）サーボ機構（サーボ
制御）を採用したので、加速度の作用による梁構造体２
の変位を最小限に抑えることができ、従って、センサの
信頼性を高めることができる。
【００８８】（第２実施形態）本第２実施形態は、上記
第１実施形態にて述べた製造方法が、出来上がった埋め
込みＳＯＩ基板４０、４８に対して第１の半導体基板４
０における不要領域を除去することによって、梁構造体
２のパターンを形成したものであるのに対し、埋め込み
ＳＯＩ基板を貼り合わせる前に第１の半導体基板４０に
おける所定領域に溝を形成することで、梁構造体２のパ
ターンを形成することを主たる相違点としている。
【００８９】図１４〜図１８は本実施形態の製造工程を
示す図であり、上記図１におけるＤ−Ｄ断面（つまり、
図６に示す断面）を用いた製造工程を示す概略断面図で
ある。以下、本実施形態において、上記第１実施形態の
製造方法との相違点を中心に説明していくこととし、上
記第１実施形態と同一の製造方法で形成される要素に
は、図中、上記図８〜図１３と同一符号を付して説明を
省略する。
【００９０】まず、図１４（ａ）に示す様に、単結晶シ
リコン基板（第１の半導体基板）４０にトレンチエッチ
ングにより、上記第１実施形態と同様の溝Ａ（合わせマ
ーク及び終点検知用のマークとしての溝）を形成すると
ともに、梁構造体を形成するための溝パターン６０ａを
形成する。つまり、シリコン基板４０における所定領域
に溝６０ａを形成する。
【００９１】その後に、図１４（ａ）に示す様に、この
溝６０ａを含むシリコン基板４０上にシリコン酸化膜
（犠牲層用薄膜）４１を成膜し、その上に、シリコン窒
化膜（第１の絶縁体薄膜）４３を成膜する。次に、図１
４（ｂ）に示す様に、シリコン酸化膜４１とシリコン窒
化膜４３との積層体におけるアンカー部形成領域に開口
部４４ａ〜４４ｇを形成する。引き続き、開口部４４ａ
〜４４ｇを含むシリコン窒化膜４３上にポリシリコン薄
膜（導電性薄膜）４５を成膜し、その後、シリコン窒化
膜４３上の所定領域に配線パターン４５ａと下部電極４
５ｂとアンカー部４５ｃを形成する。
【００９２】さらに、図１５（ａ）、（ｂ）に示す様
に、ポリシリコン薄膜４５の上を含むシリコン窒化膜４
３上に、第２の絶縁体薄膜としてのシリコン窒化膜４６
ａ、シリコン酸化膜４６ｂを成膜する。次に、図１６
（ａ）に示す様に、シリコン酸化膜４６ｂの上にポリシ
リコン薄膜（貼合用薄膜）４７を成膜し、その表面を機
械的研磨等により平坦化する。次に、図１６（ｂ）に示
す様に、ポリシリコン薄膜４７の表面とシリコン基板
（第２の半導体基板）４８とを貼り合わせる。
【００９３】さらに、図１７（ａ）に示す様に、シリコ
ン基板４０、４８を表裏逆にして、シリコン基板４０側
を機械的研磨等を行い所望の厚さ（例えば１０〜２０μ
ｍ）まで薄膜化する。この研磨により、シリコン基板４
０の研磨された面は段差のない平坦面となり、上記平坦
部３０が形成される。次に、図１７（ｂ）に示す様に、
層間絶縁膜５１の成膜、コンタクトホール５２の形成、
アルミ電極５３の形成を行う。
【００９４】その後、図１８に示す様に、ＨＦ系のエッ
チング液によりシリコン酸化膜４１、５１をエッチング
除去し、可動電極８ａ〜８ｃ等を有する梁構造体を可動
とする。つまり、エッチング液を用いた犠牲層エッチン
グにより所定領域のシリコン酸化膜４１を除去してシリ
コン基板４０を可動構造とする。以上の工程により、埋
め込みＳＯＩ基板を用い、配線パターン４５ａおよび下
部電極４５ｂを絶縁体分離により形成して、サーボ制御
式加速度センサを形成することができる。
【００９５】なお、本実施形態では、この工程（エッチ
ング液を用いた犠牲層エッチングにより所定領域のシリ
コン酸化膜４１を除去してシリコン基板４０を可動構造
とする工程）において、犠牲層用薄膜としてシリコン酸
化膜を用い、導電性薄膜としてポリシリコン薄膜を用い
ているため、上記第１実施形態と同様、梁構造体をリリ
ースする際の犠牲層エッチング工程で時間制御による終
点制御を行う必要がなくバネ定数等の制御を容易にする
ことが可能となる。
【００９６】次に、本実施形態においても、キャップ基
板（第３の半導体基板）２００の一面側に凹部２０２を
形成する工程、キャップ基板２００の一面側に接合用膜
２０１を形成する工程、貼り合わせられた両シリコン基
板４０、４８における平坦部３０に対して、可動構造部
を凹部２０２にて覆うように、キャップ基板２００を接
合用膜２０１を介して接合する工程（第３の半導体基板
接合工程）を各々、上記第１実施形態同様に行い、半導
体加速度センサを完成させる。
【００９７】ここで、上記第１実施形態と同様、センサ
の検出感度の高感度化、特性の安定化等を考慮して、第
３の半導体基板接合工程を、不活性ガス雰囲気中若しく
は真空中にて行うことが好ましい。また、キャップ基板
２００に連通溝２０５を形成し、大気中で第３の半導体
基板接合工程を行った後、連通溝２０５を利用して空洞
部２０４内を不活性ガス充填状態若しくは真空状態とし
ても良い。
【００９８】（他の実施形態）なお、上記実施形態にお
いて、下部電極２４は無くても良い。また、この発明は
上記各実施形態に限定されるものではなく、例えば、上
記実施例では、静電サーボ方式を用いて加速度を検出し
たが（加速度による変位に対して電圧を印加して変位し
ないような静電気力を印加することによって検出した
が）、変位を直接容量変化として検出するセンサに具体
化してもよい。
【００９９】また、本発明は、上記した特開平９−２１
１０２２号公報に記載されているようなヨーレートセン
サに対しても適用可能である。このヨーレートセンサ
は、基板と、単結晶半導体材料よりなり、前記基板の上
面において所定間隔を隔てた位置に配置され、一側面に
第１の可動電極を有するとともに他側面に第２の可動電
極を有する梁構造体と、前記基板の上面に固定され、前
記第１の可動電極に対向して配置された第１の励振用固
定電極と、前記基板の上面に固定され、前記第２の可動
電極に対向して配置された第２の励振用固定電極と、前
記基板の上面部において前記梁構造体の少なくともその
一部と対向する領域に形成された力学量検出用固定電極
とを備え、前記梁構造体の第１の可動電極と前記第１の
励振用固定電極との間、および、前記梁構造体の第２の
可動電極と前記第２の励振用固定電極との間に逆相の静
電気力を加えて前記梁構造体を強制振動させつつ前記梁
構造体と前記力学量検出用固定電極との間に形成される
コンデンサの容量に基づいて前記梁構造体に作用する力
学量を検出するようにした半導体力学量センサである。
【０１００】また、このヨーレートセンサにおいても、
前記基板の上面部に、下層側絶縁体薄膜と導電性薄膜と
上層側絶縁体薄膜との積層体を配置し、前記導電性薄膜
により前記力学量検出用固定電極、前記各可動電極の配
線パターン及び前記各固定電極の配線パターンを形成
し、これら配線パターンを、前記上層側絶縁体薄膜に形
成した開口部を通して前記基板の上に配置した電気接続
部材に対し電気的に接続すればよい。さらに、上記実施
形態のように、前記梁構造体と前記固定電極とにより検
出部としてのセンサエレメント部を構成し、前記基板上
における前記電気接続部材と前記センサエレメント部と
の間に、前記センサエレメント部を囲むように、段差を
持たない平坦面を有する平坦部を形成し、この平坦部に
対して、上記キャップ基板を接合し、前記センサエレメ
ント部をキャップ基板の凹部にて被覆保護すればよい。
【０１０１】また、本発明は、加速度、ヨーレートの他
にも、振動等の力学量を検出する半導体力学量センサに
具体化できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体加速度センサの
平面図である。
【図２】図１の中央部拡大図である。
【図３】図１中のＡ−Ａ断面図である。
【図４】図１中のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】図１中のＣ−Ｃ断面図である。
【図６】図１中のＤ−Ｄ断面図である。
【図７】図１中のＡ−Ａ断面における斜視図である。
【図８】本発明の第１実施形態に係る半導体加速度セン
サの製造方法を示す工程図である。
【図９】図８に続く製造方法を示す工程図である。
【図１０】図９に続く製造方法を示す工程図である。
【図１１】図１０に続く製造方法を示す工程図である。
【図１２】図１１に続く製造方法を示す工程図である。
【図１３】図１２に続く製造方法を示す工程図である。
【図１４】本発明の第２実施形態に係る半導体加速度セ
ンサの製造方法を示す工程図である。
【図１５】図１４に続く製造方法を示す工程図である。
【図１６】図１５に続く製造方法を示す工程図である。
【図１７】図１６に続く製造方法を示す工程図である。
【図１８】図１７に続く製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
２…梁構造体、７ａ〜７ｃ、８ａ〜８ｃ…可動電極、９
ａ〜９ｃ、１３ａ〜１３ｃ…第１の固定電極、１０ａ〜
１０ｃ、１２ａ〜１２ｃ、１４ａ〜１４ｃ、１６ａ〜１
６ｃ…アンカー部、１１ａ〜１１ｃ、１５ａ〜１５ｃ…
第２の固定電極、１７…シリコン基板（第１の基板）、
１８ａ、１８ｂ…下層側絶縁体薄膜、１９…導電性薄
膜、２０…上層側絶縁体薄膜、２１…積層体、２２、２
３、２５…配線パターン、２４…下部電極、２７ａ〜２
７ｄ…電極取出部（電気接続部材）、３０…平坦部、４
０…シリコン基板（第１の半導体基板）、４１…シリコ
ン酸化膜（犠牲層用薄膜）、４３…シリコン窒化膜（第
１の絶縁体薄膜）、４４ａ〜４４ｇ…開口部、４５…ポ
リシリコン薄膜（導電性薄膜）、４６ａ…シリコン窒化
膜（第２の絶縁体薄膜）、４６ｂ…シリコン酸化膜（第
２の絶縁体薄膜）、４７…ポリシリコン薄膜（貼合用薄
膜）、４８…シリコン基板（第２の半導体基板）、６０
ａ…梁構造体を形成するための溝パターン、２００…キ
ャップ基板（第２の基板）、２０１…接合用膜、２０２
…凹部、２０５…連通溝。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 信之 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 Ｆターム(参考） 4M112 AA02 BA07 CA24 CA26 CA34 DA04 DA05 DA18 EA03 EA04 EA06 EA07

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１の基板（１７）と、 単結晶半導体材料よりなり、前記第１の基板の上面にお
    いて所定間隔を隔てた位置に配置され、力学量により変
    位する作用力を受ける梁構造体（２）と、 前記第１の基板の上面に固定され、前記梁構造体の少な
    くとも一部に対向して配置された固定電極（９ａ〜９
    ｃ、１１ａ〜１１ｃ、１３ａ〜１３ｃ、１５ａ〜１５
    ｃ）とを備え、 前記第１の基板の上面部に、下層側絶縁薄膜（１８ａ、
    １８ｂ）と導電性薄膜（１９）と上層側絶縁体薄膜（２
    ０）との積層体（２１）を配置し、前記導電性薄膜によ
    り配線（２２、２３、２５）または電極（２４）を形成
    し、当該配線または電極を、前記上層側絶縁体薄膜に形
    成した開口部を通して前記第１の基板の上に配置した電
    気接続部材（２７ａ〜２７ｄ）に対し電気的に接続した
    半導体力学量センサにおいて、 前記梁構造体と前記固定電極とにより検出部としてのセ
    ンサエレメント部が構成されており、 前記第１の基板上における前記電気接続部材と前記セン
    サエレメント部との間には、前記センサエレメント部を
    囲むように、段差を持たない平坦面を有する平坦部（３
    ０）が形成されており、 この平坦部に対して、一面側に凹部（２０２）を有する
    第２の基板（２００）の前記一面側が接合用膜（２０
    １）を介して接合されており、前記センサエレメント部
    は前記第２の基板の前記凹部にて被覆され保護されてい
    ることを特徴とする半導体力学量センサ。
  2. 【請求項２】 前記導電性薄膜（１９）は、前記上層側
    絶縁体薄膜（２０）に形成された開口部を通して前記上
    層側絶縁体薄膜の上側まで突き出した突出部（１０ａ〜
    １０ｃ、１２ａ〜１２ｃ、１４ａ〜１４ｃ、１６ａ〜１
    ６ｃ）を有し、 この突出部を介して前記固定電極（９ａ〜９ｃ、１１ａ
    〜１１ｃ、１３ａ〜１３ｃ、１５ａ〜１５ｃ）が前記導
    電性薄膜に接続されていることを特徴とする請求項１に
    記載の半導体力学量センサ。
  3. 【請求項３】 第１の基板（１７）と、 単結晶半導体材料よりなり、前記第１の基板の上面にお
    いて所定間隔を隔てた位置に配置され、互いに平行に延
    びる可動電極（７ａ〜７ｃ、８ａ〜８ｃ）を有する梁構
    造体（２）と、 前記第１の基板の上面に固定され、前記各可動電極の一
    方の側面にそれぞれ対向して配置された第１の固定電極
    （９ａ〜９ｃ、１３ａ〜１３ｃ）と、 前記第１の基板の上面に固定され、前記各可動電極の他
    方の側面にそれぞれ対向して配置された第２の固定電極
    （１１ａ〜１１ｃ、１５ａ〜１５ｃ）とを備え、 前記梁構造体の可動電極と前記第１の固定電極とにより
    第１のコンデンサが形成されるとともに、前記梁構造体
    の可動電極と前記第２の固定電極とにより第２のコンデ
    ンサが形成されており、 前記第１の基板の上面部に、下層側絶縁体薄膜（１８
    ａ、１８ｂ）と導電性薄膜（１９）と上層側絶縁体薄膜
    （２０）との積層体（２１）を配置し、前記導電性薄膜
    により前記可動電極、前記第１の固定電極及び前記第２
    の固定電極の各配線パターン（２２、２３、２５）を形
    成し、これら配線パターンを、前記上層側絶縁体薄膜に
    形成した開口部を通して前記第１の基板の上に配置した
    電気接続部材（２７ｂ、２７ｃ、２７ｄ）に対し電気的
    に接続した半導体力学量センサであって、 前記梁構造体と前記固定電極とにより検出部としてのセ
    ンサエレメント部が構成されており、 前記第１の基板上における前記電気接続部材と前記セン
    サエレメント部との間には、前記センサエレメント部を
    囲むように、段差を持たない平坦面を有する平坦部（３
    ０）が形成されており、 この平坦部に対して、一面側に凹部（２０２）を有する
    第２の基板（２００）の前記一面側が接合用膜（２０
    １）を介して接合されており、前記センサエレメント部
    は前記第２の基板の前記凹部にて被覆され保護されてい
    ることを特徴とする半導体力学量センサ。
  4. 【請求項４】 前記平坦部（３０）は、前記上層側絶縁
    体薄膜（２０）の上側に構成されていることを特徴とす
    る請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体力学
    量センサ。
  5. 【請求項５】 前記平坦部（３０）を構成する材料は、
    前記梁構造体（２）を構成する材料と同一材料であるこ
    とを特徴とする請求項４に記載の半導体力学量センサ。
  6. 【請求項６】 前記梁構造体（２）は、単結晶シリコン
    よりなることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか
    １つに記載の半導体力学量センサ。
  7. 【請求項７】 前記導電性薄膜（１９）として、ポリシ
    リコン薄膜を用いたことを特徴とする請求項１ないし６
    のいずれか１つに記載の半導体力学量センサ。
  8. 【請求項８】 前記センサエレメント部と前記第２の基
    板（２００）の前記凹部（２０２）との間は、不活性ガ
    スが充填された状態若しくは真空状態となっていること
    を特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の
    半導体力学量センサ。
  9. 【請求項９】 第１の半導体基板（４０）上に、犠牲層
    薄膜（４１）および第１の絶縁体薄膜（４３）を積層す
    る第１工程と、 前記犠牲層用薄膜と前記第１の絶縁体薄膜との積層体に
    おけるアンカー部形成領域を開口する第２工程と、 前記開口部（４４ａ〜４４ｇ）を含む前記第１の絶縁体
    薄膜上の所定領域に導電性薄膜（４５）を形成する第３
    工程と、 前記導電性薄膜の上を含む前記第１の絶縁体薄膜上に第
    ２の絶縁体薄膜（４６ａ、４６ｂ）を形成する第４工程
    と、 前記第２の絶縁体薄膜上に貼合用薄膜（４７）を形成す
    るとともに、当該貼合用薄膜の表面の平坦化を行う第５
    工程と、 前記貼合用薄膜の表面と第２の半導体基板（４８）とを
    貼り合わせる第６工程と、 前記第１の半導体基板を研磨して所望の厚さとするとと
    もに、前記第１の半導体基板の表面に平坦部（３０）を
    形成する第７工程と、 前記第１の半導体基板における不要領域を除去して所望
    の形状にする第８工程と、 エッチング液を用いたエッチングにより所定領域の前記
    犠牲層用薄膜を除去して前記第１の半導体基板を可動構
    造とする第９工程と、 第３の半導体基板（２００）の一面側に凹部（２０２）
    を形成する第１０工程と、 前記第３の半導体基板の一面側に接合用膜（２０１）を
    形成する第１１工程と、 貼り合わせられた前記第１及び第２の半導体基板におけ
    る前記平坦部に対して、前記可動構造部を前記凹部にて
    覆うように、前記第３の半導体基板を前記接合用膜を介
    して接合する第１２工程と、を備えることを特徴とした
    半導体力学量センサの製造方法。
  10. 【請求項１０】 第１の半導体基板（４０）における所
    定領域に溝（６０ａ）を形成する第１工程と、 前記溝を含む前記第１の半導体基板上に、犠牲層用薄膜
    （４１）および第１の絶縁体薄膜（４３）を積層する第
    ２工程と、 前記犠牲層用薄膜と前記第１の絶縁体薄膜との積層体に
    おけるアンカー部形成領域を開口する第３工程と、 前記開口部（４４ａ〜４４ｇ）を含む前記第１の絶縁体
    薄膜上の所定領域に導電性薄膜（４５）を形成する第４
    工程と、 前記導電性薄膜の上を含む前記第１の絶縁体薄膜上に第
    ２の絶縁体薄膜（４６ａ、４６ｂ）を形成する第５工程
    と、 前記第２の絶縁体薄膜上に貼合用薄膜（４７）を形成す
    るとともに、当該貼合用薄膜の表面の平坦化を行う第６
    工程と、 前記貼合用薄膜の表面と第２の半導体基板（４８）とを
    貼り合わせる第７工程と、 前記第１の半導体基板を研磨して所望の厚さとするとと
    もに、前記第１の半導体基板の表面に平坦部（３０）を
    形成する第８工程と、 エッチング液を用いたエッチングにより所定領域の前記
    犠牲層用薄膜を除去して前記第１の半導体基板を可動構
    造とする第９工程と、 第３の半導体基板（２００）の一面側に凹部（２０２）
    を形成する第１０工程と、 前記第３の半導体基板の一面側に接合用膜（２０１）を
    形成する第１１工程と、 貼り合わせられた前記第１及び第２の半導体基板におけ
    る前記平坦部に対して、前記可動構造部を前記凹部にて
    覆うように、前記第３の半導体基板を前記接合用膜を介
    して接合する第１２工程と、を備えることを特徴とした
    半導体力学量センサの製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記第１２工程を不活性ガス雰囲気中
    若しくは真空中にて行うことを特徴とする請求項９また
    は１０に記載の半導体力学量センサの製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記第１２工程を行う前に、前記第３
    の半導体基板（２００）に対し、前記凹部（２０２）の
    内部と外部とを連通させるための連通溝（２０５）を形
    成し、 前記第１２工程を行った後、前記連通溝を介して前記凹
    部の内部へ不活性ガスを充填し、続いて、前記連通溝を
    封止することを特徴とする請求項９または１０に記載の
    半導体力学量センサの製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記第１２工程を行う前に、前記第３
    の半導体基板（２００）に対し、前記凹部（２０２）の
    内部と外部とを連通させるための連通溝（２０５）を形
    成し、 前記第１２工程を行った後、前記連通溝を介して前記凹
    部の内部を排気して真空とし、続いて、前記連通溝を封
    止することを特徴とする請求項９または１０に記載の半
    導体力学量センサの製造方法。
JP29550099A 1999-10-18 1999-10-18 半導体力学量センサとその製造方法 Pending JP2001119040A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29550099A JP2001119040A (ja) 1999-10-18 1999-10-18 半導体力学量センサとその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29550099A JP2001119040A (ja) 1999-10-18 1999-10-18 半導体力学量センサとその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001119040A true JP2001119040A (ja) 2001-04-27

Family

ID=17821429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29550099A Pending JP2001119040A (ja) 1999-10-18 1999-10-18 半導体力学量センサとその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001119040A (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003001217A1 (fr) * 2001-06-21 2003-01-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Detecteur d'acceleration et son procede de fabrication
WO2004068591A1 (ja) * 2003-01-29 2004-08-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha 半導体装置の製造方法及び加速度センサ
JP2007150098A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Denso Corp 半導体装置
JP2009164171A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2009229189A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Denso Corp 容量式物理量センサ
JP2010127763A (ja) * 2008-11-27 2010-06-10 Hitachi Ltd 半導体力学量検出センサ及びそれを用いた制御装置
JP2010171368A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
US8089144B2 (en) 2008-12-17 2012-01-03 Denso Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2012088319A (ja) * 2011-11-01 2012-05-10 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
US8390121B2 (en) 2010-06-09 2013-03-05 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and method of manufacture thereof
JP2014021037A (ja) * 2012-07-23 2014-02-03 Seiko Epson Corp Ｍｅｍｓデバイス、電子モジュール、電子機器、及び移動体
US10823570B2 (en) 2017-03-28 2020-11-03 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, electronic apparatus, and vehicle
DE102021210931A1 (de) 2021-09-30 2023-03-30 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Mikromechanische Vorrichtung mit hermetisch dichter Kaverne

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6958529B2 (en) 2001-06-21 2005-10-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Acceleration sensor and method of manufacture thereof
WO2003001217A1 (fr) * 2001-06-21 2003-01-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Detecteur d'acceleration et son procede de fabrication
WO2004068591A1 (ja) * 2003-01-29 2004-08-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha 半導体装置の製造方法及び加速度センサ
US7094620B2 (en) 2003-01-29 2006-08-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device manufacturing method
CN100429791C (zh) * 2003-01-29 2008-10-29 三菱电机株式会社 半导体器件的制造方法以及加速度传感器
DE10392426B4 (de) * 2003-01-29 2008-12-11 Mitsubishi Denki K.K. Halbleitervorrichtungs-Herstellungsverfahren
JP2007150098A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Denso Corp 半導体装置
US8193631B2 (en) 2007-12-28 2012-06-05 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
JP2009164171A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2009229189A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Denso Corp 容量式物理量センサ
JP2010127763A (ja) * 2008-11-27 2010-06-10 Hitachi Ltd 半導体力学量検出センサ及びそれを用いた制御装置
US8089144B2 (en) 2008-12-17 2012-01-03 Denso Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8169082B2 (en) 2008-12-17 2012-05-01 Denso Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2010171368A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
US8390121B2 (en) 2010-06-09 2013-03-05 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and method of manufacture thereof
JP2012088319A (ja) * 2011-11-01 2012-05-10 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2014021037A (ja) * 2012-07-23 2014-02-03 Seiko Epson Corp Ｍｅｍｓデバイス、電子モジュール、電子機器、及び移動体
US10823570B2 (en) 2017-03-28 2020-11-03 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, electronic apparatus, and vehicle
DE102021210931A1 (de) 2021-09-30 2023-03-30 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Mikromechanische Vorrichtung mit hermetisch dichter Kaverne

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9518877B2 (en) Micromechanical component for a capacitive sensor device, and manufacturing method for a micromechanical component for a capacitive sensor device
JP3367113B2 (ja) 加速度センサ
US5905203A (en) Micromechanical acceleration sensor
US8497557B2 (en) Semiconductor device
JP5541306B2 (ja) 力学量センサ装置およびその製造方法
US9194882B2 (en) Inertial and pressure sensors on single chip
US20150198493A1 (en) Micromechanical pressure sensor device and corresponding manufacturing method
EP3052901B1 (en) Inertial and pressure sensors on single chip
JP2002521695A (ja) マイクロメカニカル半導体加速度計
US8785231B2 (en) Method of making semiconductor device
CN108217581B (zh) 一种mems压电传感器及其制作方法
JP2001119040A (ja) 半導体力学量センサとその製造方法
JP3638290B2 (ja) 半導体力学センサ
US10338092B2 (en) Physical quantity sensor and method for manufacturing the same
EP2725334B1 (en) A pressure sensor having a membrane and a method for fabricating the same
CN100378889C (zh) 加速度开关
US7263885B2 (en) Physical quantity sensor having sensor chip and circuit chip
US20240253979A1 (en) Stress isolation process
US8210040B2 (en) Oscillating angular speed sensor
US7531229B2 (en) Microstructured component and method for its manufacture
JP4214572B2 (ja) 半導体力学量センサの製造方法
JP2002148278A (ja) 半導体力学量センサとその製造方法
JPH1151966A (ja) 半導体加速度センサおよびその製造方法
JP3309827B2 (ja) 可動部を有する基板の製造方法及び力学量センサの製造方法
JP3725059B2 (ja) 半導体力学量センサ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Effective date: 20051025

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090428

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090623

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090721

A02 Decision of refusal

Effective date: 20091117

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02