JP2001110030A

JP2001110030A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2001110030A
Application number: JP28398799A
Authority: JP
Inventors: Tomoaki Okuyama; 智明奥山; Naoya Saito; 直哉斎藤; Akira Kikuchi; 暁菊池
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1999-10-05
Filing date: 1999-10-05
Publication date: 2001-04-20
Anticipated expiration: 2019-10-05
Also published as: US6686069B1; JP3864637B2

Abstract

(57)【要約】【課題】非磁性支持体と記録磁性膜との間に軟磁性膜
が設けられた磁気記録媒体の保磁力およびＳ／Ｎを向上
させ、高い記録密度を得ることを課題とする。【解決手段】非磁性支持体１の上に、軟磁性膜３、Ｃ
ｏ系磁性膜５が順に形成されてなる磁気記録媒体の非磁
性支持体１と軟磁性膜３との間に、Ｃｒを主成分とする
非磁性膜２またはＮｉＡｌを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置に適
用される磁気記録媒体に関し、特に、磁気記録媒体の膜
構成に関する。

【０００２】

【従来技術】情報処理技術の発達に伴い、コンピュータ
の外部記憶装置に用いられる磁気ディスク装置の大容量
化が求められている。そのためには、記録媒体である磁
気ディスクの高記録密度化が必要である。磁気ディスク
の記録密度を向上させるための１つの特性として、高い
Ｓ／Ｎが挙げられる。

【０００３】面内磁気記録媒体においては、再生波形の
パルス幅ｐｗ５０は、媒体の静磁気特性である保磁力Ｈ
ｃ、残留磁化Ｍｒ、磁性膜の膜厚ｔとの間に以下のよう
な関係があることが知られている。

【０００４】ａ∝（ｔ×Ｍｒ／Ｈｃ）^1/2 Ｐｗ５０＝（２（ａ＋ｄ）²＋（ａ／２）²）^1/2 ここで、ｄは磁気スペーシングを表す。

【０００５】基本的には、パルス幅が狭いほど、高記録
密度媒体として適している。よって、高い記録密度を得
るためには、上式における「ａ」は小さいほうが好まし
い。ａを小さくするには、ｔＭｒはできるだけ小さく、
保磁力Ｈｃはできるだけ大きいことが望ましい。

【０００６】磁性層のｔＭｒを小さくすることは、媒体
ノイズの低減にもつながるため、磁気記録媒体の高記録
密度化の要求に伴い、媒体のｔＭｒは小さくなる一途を
たどっている。

【０００７】しかし、媒体のｔＭｒが小さくなるに伴
い、磁化の熱揺らぎが起きやすくなり、記録された信号
が時間とともに低下する現象が生じる。

【０００８】熱揺らぎを避けるために、キーパー層と呼
ばれる高透磁率を有する軟磁性膜が、非磁性層を介して
磁性膜の上層または下層に形成された磁気記録媒体が米
国特許第５０４１９２２号に開示されている。このキー
パー層には、磁性膜５に記録されたビットパターンの鏡
像が形成され、記録状態でビット境界の反磁界が低減
し、磁化が安定する。そのため、熱揺らぎに対して耐性
が高いという利点がある。

【０００９】また、米国特許第５８３０５９０号および
５８７０２６０号には、上述のキーパー層が設けられた
磁気記録媒体から信号を読み出すための最適な磁気ヘッ
ドが開示されており、磁気ヘッドでバイアス磁界を形成
し、キーパー層を飽和させることにより信号を読み出
す。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし、磁性膜の上層
にキーパー層を形成する構造においては、磁気ヘッドと
磁性膜との間の距離が拡大するため、良好なＳ／Ｎは得
られない。また、単純に、磁性膜の下層に軟磁性膜が形
成される構造においては、磁性膜のＣ軸の面内配向性が
劣化してしまい、記録再生時の分解能の低下、および媒
体ノイズが増大する原因となる。

【００１１】また、信号の読出に用いられる一般的なＭ
ＲヘッドやＧＭＲヘッドにおいて、センス電流を流すこ
とによって発生する磁界は極めて小さく、キーパー層を
十分に飽和させることは不可能であり、信号の読出は困
難である。

【００１２】そこで、本発明の第１の目的は、高記録密
度に適した磁気記録媒体を提供することである。

【００１３】本発明の第２の目的は、Ｓ／Ｎの高い磁気
記録媒体を提供することである。

【００１４】本発明の第３の目的は、磁性膜の面内配向
性が良好な磁気記録媒体を提供することである。

【００１５】本発明の第４の目的は、ＭＲヘッドやＧＭ
Ｒヘッドによる読み出しが可能な磁気記録媒体を提供す
ることである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決すため、
本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体の上に、軟磁性
膜、Ｃｏ系磁性膜が順に形成されてなる磁気記録媒体に
おいて、非磁性支持体と前記軟磁性膜との間に、軟磁性
膜を（１００）面配向させる制御膜が形成される。この
構造によると、キーパー層を設けたことによる熱揺らぎ
耐性が高いという利点を生かしつつ、磁性膜のＣ軸の面
内配向性が良好で保磁力が大きい磁気記録媒体が得られ
る。制御膜としては、Ｃｒを主成分とする材料またはＮ
ｉＡｌに代表されるＢ２構造を持つ材料が選ばれる。

【００１７】好ましくは、軟磁性膜のｔＢｓをＣｏＣｒ
系磁性膜のｔＢｒの１０％〜８５％にする。これによ
り、Ｓ／Ｎが高められるとともに、一般的なＧＭＲヘッ
ドやＭＲヘッドによる信号の読出が可能となる。

【００１８】前記支持体と前記軟磁性膜との間に設けら
れるＣｒ系非磁性膜の厚さは、３ｎｍ以上であることが
望ましい。これにより、面内配向性、保磁力は最適な値
を示す。

【００１９】前記軟磁性膜としては、ＦｅＡｌＳｉを主
成分とする材料が好ましく、このとき、軟磁性膜の膜厚
が０．５〜５．５ｎｍ、もしくは軟磁性膜の飽和密度Ｂ
ｓとこの軟磁性膜の膜厚ｔの積が５〜６０Ｇ・μｍでる
であることにより、高いＳ／Ｎが得られる。

【００２０】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の形態にお
ける磁気ディスクの断面図である。

【００２１】磁気ディスク１０は、非磁性の支持体（基
板）１の上に、Ｃｒ系第一下地膜２、軟磁性膜３、Ｃｒ
系第二下地膜４、Ｃｏ系磁性膜５、およびＣ系保護膜６
が順に積層されている。

【００２２】以下に、磁気記録媒体１０を構成する各膜
について説明する。

【００２３】支持体（基板）１は非磁性体からなり、円
盤状の形状を有する。支持体１を構成する材料として
は、ＮｉＰメッキが施されたアルミニウム（アルミニウ
ム合金を含む）ディスク、ガラス（強化ガラスも含む）
ディスク、表面酸化膜を有するシリコンディスク、Ｓｉ
Ｃディスク、カーボンディスク、プラスチックディス
ク、セラミックディスク等を包含する。なお、本発明の
実施においては、ＮｉＰメッキが形成されたアルミニウ
ムディスクを使用するのが特に有利であり、以下の説明
においてもこれを中心にして説明することにする。

【００２４】支持体１は、ＮｉＰメッキが円周方向に沿
ってテクスチャー処理が施されるのが好ましい。これに
より、磁性膜５の面内配向性を高めることができる。支
持体１のサイズは、所望とする媒体の種類や適用先の磁
気ディスク装置等に応じて決められ、一般的には、直径
が１インチ〜３．５インチ、厚さは０．５ｍｍ〜１．０
ｍｍである。

【００２５】第一下地膜２は、クロムを主成分とする非
磁性金属材料からなり、具体的な材料としては、クロム
のみを主成分とする金属材料、或いは、ＣｒＷ、Ｃｒ
Ｖ、ＣｒＴｉ、ＣｒＭｏ等のクロム合金が挙げられる。
なお、第一下地膜２として、Ｃｒ系非磁性膜の替わり
に、米国特許第５，６９３，４２６号に開示されるよう
なＢ２構造を持つ材料を用いてもよい。この米国特許で
は、Ｂ２構造を持つ材料として、ＮｉＡｌ，ＡｌＣｏ，
ＦｅＡｌ，ＦｅＴｉ，ＣｏＦｅ，ＣｏＨｆ，ＣｏＺｒ，
ＮｉＴｉ，ＣｕＢｅ，ＣｕＺｎ，ＡｌＭｎ，ＡｌＲｅ，
ＡｇＭｇ，Ａｌ₂ＦｅＭｎ₂等が挙げられており、第一
下地膜２として採用できる。なお、本実施の形態では、
第一下地膜２として、ＣｒＭｏを用いる。

【００２６】第一下地膜２は、例えば、マグネトロンス
パッタ法により成膜される。第一下地膜２は、２００°
Ｃ程度の基板温度、１〜１０ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧
力、１００〜５００ＶのＤＣバイアス電圧の条件下で成
膜されるのが好ましい。マグネトロンスパッタ法に代わ
る他の成膜法として、例えば、蒸着法、イオンビームス
パッタ法が挙げられる。第一下地膜２の膜厚は、媒体の
高保磁力化、および磁性膜５の面内配向性を高めるため
に、３ｎｍ以上のに設定されるのが好ましい。

【００２７】軟磁性膜３は、高い透磁率を有し、磁性膜
５に記録されたビットパターンの鏡像を形成し、ビット
境界の反磁界を低減させて、磁化を熱的に安定させる機
能を持つ。軟磁性膜３を構成する材料としては、ＦｅＡ
ｌＳｉ、ＣｏＴａＺｒ等を含むものが挙げられる。

【００２８】軟磁性膜３は、例えば、マグネトロンスパ
ッタ法により成膜される。軟磁性膜３は、２００°Ｃ程
度の基板温度、１〜１０ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧力、１
００〜５００ＶのＤＣバイアス電圧の条件下で成膜され
るのが好ましい。マグネトロンスパッタ法に代わる他の
成膜法として、例えば、蒸着法、イオンビームスパッタ
法が挙げられる。軟磁性膜３の膜厚は、媒体のＳ／Ｎを
高めるために、０．５〜５．５ｎｍであるのが望まし
い。あるいは、膜厚と飽和磁束密度の積が５〜６０Ｇ・
μｍとなるのが望ましい。

【００２９】第二下地膜４は、クロムを主成分とする非
磁性金属材料からなり、具体的な材料として、クロムの
みを主成分とする金属材料、或いは、ＣｒＷ、ＣｒＶ、
ＣｒＴｉ、ＣｒＭｏ等のクロム合金が挙げられる。な
お、本発明の実施においては、第二下地膜４として、第
一の下地膜２と同様に、ＣｒＭｏを用いるのが特に有利
である。

【００３０】第二下地膜４は、例えば、マグネトロンス
パッタ法により成膜される。第二下地膜４は、２００°
Ｃ程度の基板温度、１〜１０ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧
力、１００〜５００ＶのＤＣバイアス電圧の条件下で成
膜されるのが好ましい。マグネトロンスパッタ法に代わ
る他の成膜法として、例えば、蒸着法、イオンビームス
パッタ法が挙げられる。第一下地膜２の膜厚は、磁性膜
５の面内配向性を高めるために、１ｎｍ以上のに設定さ
れるのが好ましい。

【００３１】磁性膜５は、円周方向を磁化容易方向と
し、かつＣｏを主成分として含有する任意の磁性金属材
料（合金）から構成される。具体的には、例えば、Ｃｏ
Ｎｉ系合金、ＣｏＣｒ系合金等で構成され、ＣｏＣｒ系
合金で構成するのが特に好ましい。更に、磁性層５は、
このような２成分系合金にその他の元素、例えばＰｔ、
Ｔａ、Ｎｂ、などが追加された三元系合金、四元系合金
あるいは五元系合金から形成されてもよく、むしろこの
ような多元合金から形成したほうが特性的に有利であ
る。

【００３２】上述の磁性層５は、例えば、上記した各膜
の成膜と同様、マグネトロンスパッタ法によって成膜さ
れる。適当な成膜条件として、例えば、約１５０〜３０
０℃の成膜温度、約１〜１０（ｍＴｏｒｒ）のＡｒガス
圧力、そして約８０〜４００ＶのＤＣ負バイアスを挙げ
ることができる。また、必要に応じて、スパッタ法に代
えて、他の成膜法、例えば蒸着法、イオンビームスパッ
タ法等を使用してもよい。磁性層５の膜厚は、１０〜２
５ｎｍが好ましい。

【００３３】保護膜４は、カーボン単体、またはカーボ
ンを含む化合物からなり、例えば、ＷＣ、ＳｉＣ、Ｂ4
Ｃ、水素含有カーボンや、高い硬度を有する点で注目さ
れているダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）が挙げ
られる。保護膜４は、マグネトロンスパッタ法等のスパ
ッタ法により成膜されるのが好ましく、適当な成膜の条
件としては、例えば、２０°Ｃ〜１００°Ｃの成膜温
度、１〜１０ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧力が挙げられる。
また、スパッタ法に代えて他の成膜法、例えば、蒸着
法、イオンビームスパッタ法等を使用してもよい。保護
膜４の膜厚は、種々の要因に依存し、広い範囲内で決定
されるが、好ましくは、５ｎｍ〜２０ｎｍである。

【００３４】また、保護膜４の上に、必要に応じて潤滑
膜が形成されてもよい。潤滑膜は、フロロカーボン樹脂
系の材料からなり、膜厚０．５ｎｍ〜２ｎｍを有する。
潤滑膜７は、上記材料を含有する溶液中に媒体１を浸す
ことにより、記媒体に潤滑剤の膜が形成される。膜厚
は、溶液中の材料の濃度や媒体を溶液から引き上げる速
さに依存する。

【００３５】本実施の形態の磁気ディスクは、磁気ディ
スク装置の記憶媒体として用いられる。以下の、その磁
気ディスク装置について説明する。

【００３６】図２および図３は、磁気ディスクに対して
記録再生を行なう磁気ヘッドを示し、図２は、磁気ヘッ
ドの側断面図であり、図３は、図２の線分Ｂ−Ｂにそっ
た断面図である。

【００３７】図２および図３に示されるように、磁気ヘ
ッドは、情報の記録を行う誘導型の記録ヘッド部１１、
情報の読み出しを行う磁気抵抗効果型の再生ヘッド部１
１を持つ。記録ヘッド部１１は、ＮｉＦｅ等からなる下
部磁極（上部シールド層）１３と、一定間隔をもって下
部磁極１３と対向したＮｉＦｅ等からなる上部磁極１４
と、これらの磁極１３及び１４を励磁し、記録ギャップ
部分にて、磁気記録媒体に情報の記録を行わせるコイル
１５等から構成される。

【００３８】再生ヘッド部１２は、好ましくはＭＲヘッ
ドやＧＭＲヘッド等でもって構成されるものである。再
生ヘッド部１２の磁気抵抗効果素子部１２Ａ上には、磁
気抵抗効果素子部１２Ａにセンス電流を供給するための
一対の導体層１６が記録トラック幅に相応する間隔をも
って設けられている。ここで、導体層１６の膜厚は、磁
気抵抗効果素子部１２Ａの近傍部分１６Ａが薄く形成さ
れ、他の部分１６Ｂは厚く形成されている。磁気抵抗効
果素子部１２Ａに流されるセンス電流は、一般的には、
３〜１５ｍＡである。

【００３９】図２及び図３の構成では、導体層１６の膜
厚が、磁気抵抗効果素子部１２Ａの近傍部分１６Ａで薄
くなっているため、下部磁極（上部シールド層）１３等
の湾曲が小さくなっている。このため、磁気記録媒体に
対向する記録ギャップの形状もあまり湾曲せず、情報の
記録時における磁気ヘッドのトラック上の位置と読み出
し時における磁気ヘッドのトラック上の位置に多少ずれ
があっても、磁気ディスク装置は正確に情報を読み出す
ことができる。そのため、許容されるオフトラック量が
小さいにもかかわらず読み出しの誤差が生じるという事
態を避けることができる。

【００４０】一方、導体層１６の膜厚が、磁気抵抗効果
素子部１２Ａの近傍以外の部分１６Ｂでは厚く形成され
ているため、導体層１６の抵抗を全体として小さくする
こともでき、その結果、磁気抵抗素子部１２Ａの抵抗変
化を高感度で検出することが可能になり、Ｓ／Ｎ比が向
上し、また、導体層１６での発熱も避けることができ、
発熱に起因したノイズの発生も防げる。

【００４１】上記したような磁気抵抗効果型の磁気ヘッ
ドは、その多数個を薄膜技術を用いてセラミック製ヘッ
ド基板上に形成した後、ヘッド基板をヘッド毎に切り出
し、所定の形状に加工することによって製造することが
できる。

【００４２】図４および図５は、磁気ディスク装置を示
す図であり、図４は、カバーが取り外された状態におけ
る本発明の磁気ディスク装置の平面図であり、図５は、
図４の線分Ａ−Ａに沿った断面図である。

【００４３】これらの図において、磁気ディスク１０
は、ベースプレート５１上に設けられたスピンドルモー
タ５２によって駆動される。本実施形態においては、磁
気ディスクは３枚備えられている。

【００４４】アクチュエータ５３は、ベースプレート５
１上に回転可能に支持される。アクチュエータ５３の一
端には、磁気ディスク１０の記録面と平行な方向に延び
る複数のヘッドアーム５４が形成されている。ヘッドア
ームの一端には、スプリングアームが取り付けられる。
スプリングアーム５５のフレクシャー部にスライダ４０
が図示されない絶縁膜を介して取り付けられている。ア
クチュエータ５３の他端には、コイル５７が取り付けら
れている。

【００４５】ベースプレート５１上には、永久磁石及び
ヨークによって構成された磁気回路５８が設けられ、磁
気回路５８の磁気ギャップ内に、上記コイル５７が配置
される。そして、磁気回路５８とコイル５７とによって
ヴォイスコイルモータ（ＶＣＭ）が構成される。また、
ベースプレート５１の上部はカバー５９で覆われてい
る。

【００４６】以下に、上記磁気ディスク装置の動作を説
明する。磁気ディスク１０が停止しているときは、スラ
イダ４０は磁気ディスク１０の退避ゾーンに接触して停
止している。次に、磁気ディスク１０がスピンドルモー
タ５２によって回転されると、磁気ディスク１０の回転
に伴って発生する空気流によって、スライダ４０はディ
スク面から僅かな隙間をもって浮上する。スライダが浮
上している状態でコイル５７に電流が流れると、コイル
５７に推力が発生し、アクチュエータ５３が回転する。
そして、スライダ４０が磁気ディスク１０の所定のトラ
ック上に移動し、データの読み出しや書き込みを行う。

【００４７】

【実施例】本実施例では、断面が図１に示される磁気デ
ィスクを以下に説明する条件に基づいて作製した。実施例１１．磁気ディスクの作製無電解メッキＮｉＰ膜でコートされたアルミディスク１
の表面に、テクスチャ処理を施した後、図１に示される
ように、ＣｒＭｏ第一下地膜２、ＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜
３、ＣｒＭｏ第二下地膜４、ＣｏＣｒＰｔＴａ磁性膜
５、Ｃ保護膜６を順次成膜し、磁気ディスクＡを作製し
た。

【００４８】また、比較対象として、図６に示されるよ
うな、ＮｉＰメッキが形成されたアルミディスク１上
に、ＣｒＭｏ下地膜を介さずに、ＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜
３、ＣｒＭｏ第二下地膜４、ＣｏＣｒＰｔＴａ磁性膜
５、Ｃ保護膜６が順次成膜された磁気ディスクＢも作製
した。

【００４９】磁気ディスクＡおよび磁気ディスクＢの成
膜にあたっては、マグネトロンスパッタ法が用いられ、
成膜前にスパッタ室内を３×１０^-7Ｔｏｒｒ以下に排気
した後、アルゴンガスを導入してスパッタ室内を５×１
０^-6Ｔｏｒｒに保持し、基板温度２００°Ｃの状態で成
膜した。なお、磁気ディスＡについては、ＣｒＭｏ第一
下地膜２、ＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜３、およびＣｒＭｏ第
二下地膜３の膜厚を変えた複数のサンプルが作製され
た。２．磁気ディスクの評価まず、磁気ディスクＡにおける面内保磁力（Ｈｃ）のＣ
ｒＭｏ第一下地膜２の膜厚依存性を測定した。また、Ｃ
ｒＭｏ第一下地膜２の膜厚が０におけるＨｃを検証すべ
く、磁気ディスクＢのＨｃも測定した。Ｈｃの測定にあ
たっては、日立電子株式会社製の面内Ｋｅｒｒ効果測定
装置（Ｒ０１７００）が用いられた。結果は図７に示さ
れる。

【００５０】図７に示されるように、ＣｒＭｏ第一下地
膜２を介してＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜３を形成することに
より、面内配向性が良くなり、大きなＨｃが得られるこ
とが分かる。また、特に、ＣｒＭｏ第一下地膜２の膜厚
は、３ｎｍ以上に設定することにより、より良好な特性
が得られることも分かる。

【００５１】図８（ａ）は、磁気ディスクＡ（ＣｒＭｏ
第一下地膜２の膜厚２０ｎｍ、ＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜３
の膜厚５ｎｍ、ＣｒＭｏ第二下地膜４の膜厚３０ｎｍ、
ＣｏＣｒＰｔＴａＰｔ磁性膜の膜厚２２ｎｍ）における
Ｘ線解析プロファイルを示し、図８（ｂ）は、磁気ディ
スクＢ（ＣｒＭｏ第一下地膜２が無いことを除き、各膜
の膜厚は磁気ディスクＡと同一）におけるＸ線解析プロ
ファイルを示す。Ｘ線解析の測定には、理学株式会社製
のＸＲＤ装置が用いられた。

【００５２】図８（ａ）に示されるように、磁気ディス
クＡにおいては、Ｃｏ（１１０）面が観測され、面内配
向性が良好であることが分かる。また、ＦｅＡｌＳｉ
（１００）と平行であるＦｅＡｌＳｉ（２００）が観測
されている。一方、図８（ｂ）に示されるように、磁気
ディスクＢにおいては、Ｃｏ（００２）面が観測され、
面内配向性が劣化していることが分かる。

【００５３】図８（ａ）に示される結果は、ＮｉＰメッ
キが施されたアルミディスク１上で（１００）配向しや
すいＣｒＭｏ第一下地膜２の形成により、ＦｅＡｌＳｉ
軟磁性膜３の配向面も（１００）に制御され、更に、そ
の上層のＣｒＭｏ第二下地膜４も（１００）面配向し、
その結果、ＣｏＣｒＰｔＴａ磁性膜５のＣ軸の面内配向
性が改善されたことに起因する。このとき、結晶構造的
には、第二下地膜４の（１１０）面間隔とＣｏ系磁性膜
５の（００２）面の間隔はほぼ等しく、第一下地膜２、
軟磁性膜３および第二下地膜４の格子定数もほぼ等し
い。

【００５４】ＣｒＭｏ第一下地膜の膜厚は、３ｎｍ以上
であることにより、Ｓ／Ｎの面でも最適な特性が得られ
る。第一下地膜の材料としては、Ｃｒ系合金の替わり
に、結晶学的にＣｒに近い構造のＮｉＡｌが用いられて
も同様の効果が得られる。また、軟磁性膜の材料とし
て、ＦｅＡｌＳｉの替わりに、ＦｅＮｉ軟磁性膜が用い
られても同様の効果があると考えられる。

【００５５】図９は、磁気ディスクＡにおけるＦｅＡｌ
Ｓｉ軟磁性膜の膜厚に対するＰｗ５０の関係を示すグラ
フである。同図より、ＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜３の膜厚が
厚いほど、Ｐｗ５０が低減されることが分かる。パルス
幅が狭いほど、高密度記録に適する。Ｐｗ５０が低減す
る原因は、前述のように、ＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜によ
り、ビット境界での反磁界が低減されたためと考えられ
る。

【００５６】図１０は、磁気ディスクＡにおけるＳ／Ｎ
のＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜依存性を示すグラフである。図
１０より、ＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜３の膜厚ｔが０．５〜
５．５ｎｍ、もしくは、ｔとＡｌＳｉ軟磁性膜３の飽和
磁束密度Ｂｓの積が５〜６０Ｇ・μｍであるときに、所
望のＳ／Ｎ（１５ｄＢ）以上が得られることが分かる。
この値は、上層に形成されるＣｏＣｒＰｔＴａＰｔ磁性
膜５の膜厚ｔと飽和磁化密度Ｂｒの積ｔＢｒの１０％〜
８５％に相当する。

【００５７】図１１は、磁気ディスクＡにおけるＨｃの
ＣｒＭｏ第二下地膜厚依存性を示すグラフである。図１
１より、ＣｒＭｏ第二下地膜の膜厚が大きくなるにつれ
て、Ｈｃも大きくなり、約１ｎｍ以上の範囲において、
Ｈｃの増加が緩やかになるのが分かる。この結果より、
ＣｒＭｏ第二下地膜の膜厚は１ｎｍ以上が好ましいとい
える。

【００５８】図１２は、磁気ディスクＡにおけるＳ／Ｎ
ｍのＣｏＣｒＰｔＴａ磁性膜５のｔＢｒ依存特性を示す
グラフである。磁気ヘッドとしてＭＲヘッドやＧＭＲヘ
ッドの使用を前提とすると、１５ｄＢ以上のＳ／Ｎｍが
要求される。この要求を満たすには、ｔＢｒは、３０〜
９０Ｇ・μｍの範囲内にあることが望ましい。なお。ス
パッタ法を用いたＣｏＣｒＰｔＴａ磁性膜の成膜におい
ては、基板温度を１６０〜３００°Ｃにすることによ
り、高いＳ／Ｎｍが得られる。

【００５９】実施例２１．磁気ディスクの作製磁気ディスクＡにおけるＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜をＣｏＴ
ａＺｒ軟磁性膜に置き換えた磁気ディスクＣを作製し
た。

【００６０】また、比較対照として、磁気ディスクＢに
おけるＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜をＣｏＴａＺｒ軟磁性膜に
置き換えた磁気ディスクＤを作製した。

【００６１】磁気ディスクＣおよび磁気ディスクＤの成
膜にあたっては、マグネトロンスパッタ法が用いられ、
成膜前にスパッタ室内を３×１０^-7Ｔｏｒｒ以下に排気
した後、アルゴンガスを導入してスパッタ室内を５×１
０^-6Ｔｏｒｒに保持し、基板温度２００°Ｃの状態で成
膜した。なお、磁気ディスＣについては、ＣｒＭｏ第一
下地膜２の膜厚を変えた複数のサンプルが作製された。
２．磁気ディスクの評価磁気ディスクＣにおける面内保
磁力（Ｈｃ）のＣｒＭｏ第一下地膜２の膜厚依存性を測
定した。また、ＣｒＭｏ第一下地膜２の膜厚が０におけ
るＨｃを検証すべく、磁気ディスクＤのＨｃも測定し
た。Ｈｃの測定にあたっては、日立電子株式会社製の面
内Ｋｅｒｒ効果測定装置（Ｒ０１７００）が用いられ
た。結果は図１３に示される。

【００６２】図１３に示されるように、ＣｒＭｏ第一下
地膜２を介してＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜３を形成すること
により、面内配向性が良くなり、大きなＨｃが得られる
ことが分かる。また、特に、ＣｒＭｏ第一下地膜２の膜
厚は、１ｎｍ以上に設定することにより、より良好な特
性が得られることも分かる。

【００６３】

【発明の効果】以上のように、本発明の磁気記録媒体
は、非磁性支持体の上に、軟磁性膜、Ｃｒ系下地膜、Ｃ
ｏ系磁性膜が順に形成されており、このうち、軟磁性膜
をＣｒ系非磁性膜或いはＮｉＡｌを介して支持体上に形
成される。これにより、磁性膜の良好な面内配向性、お
よび高い保磁力が得られる。更に、高いＳ／Ｎも得ら
れ、磁気記録媒体の高記録密度化が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気ディスクの断面図である。

【図２】本発明の実施の形態における磁気ヘッドの側断
面図である。

【図３】図２に示される磁気ヘッドの線分Ｂ−Ｂに沿っ
た断面図である。

【図４】本発明の実施の形態における磁気ディスク装置
の平面図である。

【図５】図３に示される磁気ディスク装置の線分Ａ−Ａ
にそった断面図である。

【図６】比較対象の磁気ディスクの断面図である。

【図７】軟磁性膜としてＦｅＡｌＳｉが用いられる磁気
ディスクにおける面内保磁力のＣｒＭｏ第一下地膜厚依
存性を示すグラフである。

【図８】磁気ディスクのＸ線解析プロファイルを示すグ
ラフである。

【図９】Ｐｗ５０のＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜厚依存特性を
示すグラフである。

【図１０】磁気ディスクにおけるＳ／ＮのＦｅＡｌＳｉ
軟磁性膜厚依存性を示すグラフである。

【図１１】面内保磁力のＣｒＭｏ第二下地膜厚依存性を
示すグラフである。

【図１２】磁気ディスクにおけるＳ／ＮｍのｔＢｒ依存
性を示すグラフである。

【図１３】軟磁性膜としてＣｏＴａＺｒが用いられる面
内保磁力のＣｒＭｏ第一下地膜厚依存性を示すグラフで
ある。

【符号の説明】

１・・・非磁性支持体２・・・Ｃｒ系第一下地膜３・・・軟磁性膜４・・・Ｃｒ系第二下地膜５・・・磁性膜６・・・保護膜１０…磁気ディスク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者菊池暁山形県東根市大字東根元東根字大森5400番２（番地なし）株式会社山形富士通内Ｆターム(参考） 5D006 BB02 BB03 BB07 CA01 CA03 CA05 CA06 DA03 FA09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性支持体の上に、軟磁性膜、Ｃｏ系
磁性膜が順に形成されてなる磁気記録媒体において、前記非磁性支持体と前記軟磁性膜との間に、前記軟磁性
膜を（１００）面配向させる制御膜が形成されてなるこ
とを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】前記制御膜として、Ｃｒを主成分とする
非磁性膜またはＮｉＡｌが形成されることを特徴とする
請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】前記軟磁性膜と前記Ｃｏ系磁性膜との間
にＣｒ系非磁性膜が設けられることを特徴とする請求項
１または請求項２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】前記軟磁性膜の膜厚と飽和磁束密度の積
を、前記Ｃｏ系磁性膜の膜厚と残留磁化密度の積の１０
〜８０％とすることを特徴とする請求項１ないし請求項
３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。