JP3104328B2 - 垂直磁気記録装置及び垂直磁気記録再生装置 - Google Patents
垂直磁気記録装置及び垂直磁気記録再生装置Info
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- JP3104328B2 JP3104328B2 JP03274235A JP27423591A JP3104328B2 JP 3104328 B2 JP3104328 B2 JP 3104328B2 JP 03274235 A JP03274235 A JP 03274235A JP 27423591 A JP27423591 A JP 27423591A JP 3104328 B2 JP3104328 B2 JP 3104328B2
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- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、垂直磁気記録装置及び
垂直磁気記録再生装置に係わる。
垂直磁気記録再生装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録分野において、高記録密度、短
波長化をはかる上で垂直磁気記録が有利である。
波長化をはかる上で垂直磁気記録が有利である。
【０００３】更に、この垂直磁気記録において、その垂
直磁気記録媒体として、高保磁力、高残留磁束密度を必
要とし、この要求に対処するものとして種々の研究開発
がなされている。
直磁気記録媒体として、高保磁力、高残留磁束密度を必
要とし、この要求に対処するものとして種々の研究開発
がなされている。
【０００４】垂直磁気記録によるリジット・ディスクの
典型的構成として、いくつか提案されているが、これら
はその垂直磁気記録層として、ＣｏＣｒ合金を用いてい
る。
典型的構成として、いくつか提案されているが、これら
はその垂直磁気記録層として、ＣｏＣｒ合金を用いてい
る。
【０００５】ところが、このＣｏＣｒ合金は、その飽和
磁束密度４πＭｓが、４〜６ｋＧ（キロガウス）という
小さいものであるために、，それに比例する再生出力が
実用レベルに達し得なかった。特に垂直磁気記録の特徴
もあって、長波長（λ＞１μｍ）域の再生出力が、従来
から一般に用いられている長手磁気記録媒体に比べて著
しく低かった。又、再生出力は、ＣｏＣｒ層の保磁力の
増大に伴って上昇する傾向があるにもかかわらず、垂直
磁気記録用磁気ヘッド、特に単磁極磁気ヘッドのヘッド
効率の低さ、及び利用できる磁気ヘッド用軟磁性コアー
材料の飽和磁束密度が充分でなく、ＣｏＣｒ層の保磁力
上昇は、得策ではなかった。勿論、ＣｏＣｒの合金薄膜
の保磁力自体にも限界があり、その上限は高々１５００
（Ｏｅ）である。
磁束密度４πＭｓが、４〜６ｋＧ（キロガウス）という
小さいものであるために、，それに比例する再生出力が
実用レベルに達し得なかった。特に垂直磁気記録の特徴
もあって、長波長（λ＞１μｍ）域の再生出力が、従来
から一般に用いられている長手磁気記録媒体に比べて著
しく低かった。又、再生出力は、ＣｏＣｒ層の保磁力の
増大に伴って上昇する傾向があるにもかかわらず、垂直
磁気記録用磁気ヘッド、特に単磁極磁気ヘッドのヘッド
効率の低さ、及び利用できる磁気ヘッド用軟磁性コアー
材料の飽和磁束密度が充分でなく、ＣｏＣｒ層の保磁力
上昇は、得策ではなかった。勿論、ＣｏＣｒの合金薄膜
の保磁力自体にも限界があり、その上限は高々１５００
（Ｏｅ）である。
【０００６】更に、記録密度を示す指標であるＤ50（長
波長出力に比べ、出力が半減する記録密度）は、磁性層
の異方性磁界の大きさと共に上昇するにもかかわらず、
ＣｏＣｒ合金では、その値は高々４〜６ｋＯｅが限界で
あった。
波長出力に比べ、出力が半減する記録密度）は、磁性層
の異方性磁界の大きさと共に上昇するにもかかわらず、
ＣｏＣｒ合金では、その値は高々４〜６ｋＯｅが限界で
あった。
【０００７】そして、このＣｏＣｒ系合金においては、
その垂直保磁力ＨｃV はこの合金薄膜のスパッタリング
等の被着成膜時の基板温度が１５０℃程度に加熱された
場合には、前述の１５００（Ｏｅ）が得られるものの、
その成膜時の基板温度が室温程度である場合は、約３０
０（Ｏｅ）という低い値を示す。そして、垂直方向の角
型比（Ｍｒ／Ｍｓ）V は約０．２である。この場合、そ
の飽和磁束密度Ｂｓが比較的低いという課題と共に、そ
の垂直保磁力ＨｃV は成膜時の基板温度を高くしないと
高い値として得られないことから、その基板としては耐
熱性の低い基板を用いることができない。又、高い基板
温度を必要とすることは工業的に種々の不利益をもたら
す。
その垂直保磁力ＨｃV はこの合金薄膜のスパッタリング
等の被着成膜時の基板温度が１５０℃程度に加熱された
場合には、前述の１５００（Ｏｅ）が得られるものの、
その成膜時の基板温度が室温程度である場合は、約３０
０（Ｏｅ）という低い値を示す。そして、垂直方向の角
型比（Ｍｒ／Ｍｓ）V は約０．２である。この場合、そ
の飽和磁束密度Ｂｓが比較的低いという課題と共に、そ
の垂直保磁力ＨｃV は成膜時の基板温度を高くしないと
高い値として得られないことから、その基板としては耐
熱性の低い基板を用いることができない。又、高い基板
温度を必要とすることは工業的に種々の不利益をもたら
す。
【０００８】これに対して、本出願人は、先に特開平２
−７４０１２号公報、特開平２−７４０１３号公報、特
開平２−７３５１０号公報等において、ＣｏＰｔ基即ち
ＣｏＰｔを主体とする垂直磁性膜の提案をなした。これ
ら、ＣｏＰｔ基の垂直磁性膜は、その膜厚を大としても
充分大きい保磁力Ｈｃが得られ、又、成膜時の基体温度
を高めることなく、且つ、充分な飽和磁束密度Ｂｓを得
ることができるものである。
−７４０１２号公報、特開平２−７４０１３号公報、特
開平２−７３５１０号公報等において、ＣｏＰｔ基即ち
ＣｏＰｔを主体とする垂直磁性膜の提案をなした。これ
ら、ＣｏＰｔ基の垂直磁性膜は、その膜厚を大としても
充分大きい保磁力Ｈｃが得られ、又、成膜時の基体温度
を高めることなく、且つ、充分な飽和磁束密度Ｂｓを得
ることができるものである。
【０００９】然し乍ら、この種のＣｏＰｔ基による垂直
磁性膜を用いてその記録及び再生を行っても従前の磁気
ヘッドによる時は、この特徴を充分生かした高密度高出
力記録再生を行うことができない。
磁性膜を用いてその記録及び再生を行っても従前の磁気
ヘッドによる時は、この特徴を充分生かした高密度高出
力記録再生を行うことができない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した点
に鑑み、ＣｏＰｔ系合金による垂直磁気記録媒体による
垂直磁気記録装置及び垂直磁気記録再生装置において、
高密度記録及び高記録再生出力化をはかる。
に鑑み、ＣｏＰｔ系合金による垂直磁気記録媒体による
垂直磁気記録装置及び垂直磁気記録再生装置において、
高密度記録及び高記録再生出力化をはかる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明においては、図１
にその構成の一例の要部の略線的斜視図を示し、図２に
その磁気記録媒体の一例の断面図を示すように、垂直保
磁力ＨｃV が１５００（Ｏｅ）以上のＣｏＰｔを主体と
する垂直磁性膜１を有し、この垂直磁性膜１が非磁性基
体６上に、補助磁性層７を介して形成されて成り、垂直
磁性膜１および補助磁性層７は、蒸着、あるいはスパッ
タリングによって形成されて成る垂直磁気記録媒体２に
対し、少なくとも、磁気ギャップ部（単磁極構成の場合
は、磁極先端部）が、飽和磁束密度４πＭｓが１９ｋＧ
以上の、Ｆｅを主体とする軟磁性薄膜３よりなる記録ヘ
ッド４により記録を行う。
にその構成の一例の要部の略線的斜視図を示し、図２に
その磁気記録媒体の一例の断面図を示すように、垂直保
磁力ＨｃV が１５００（Ｏｅ）以上のＣｏＰｔを主体と
する垂直磁性膜１を有し、この垂直磁性膜１が非磁性基
体６上に、補助磁性層７を介して形成されて成り、垂直
磁性膜１および補助磁性層７は、蒸着、あるいはスパッ
タリングによって形成されて成る垂直磁気記録媒体２に
対し、少なくとも、磁気ギャップ部（単磁極構成の場合
は、磁極先端部）が、飽和磁束密度４πＭｓが１９ｋＧ
以上の、Ｆｅを主体とする軟磁性薄膜３よりなる記録ヘ
ッド４により記録を行う。
【００１２】又、本発明は、上述の記録ヘッド４を再生
ヘッドとして用いる。
ヘッドとして用いる。
【００１３】又、本発明においては、上述の構成におい
て、その垂直磁性膜１を配向制御層５を介して非磁性基
体６上に形成して、垂直磁気記録媒体２を構成する。
て、その垂直磁性膜１を配向制御層５を介して非磁性基
体６上に形成して、垂直磁気記録媒体２を構成する。
【００１４】又、本発明においては、上記補助磁性膜７
は、透磁率の高い材料により形成するものとする。
は、透磁率の高い材料により形成するものとする。
【００１５】更に又、本発明においては、その垂直磁気
記録媒体２として、非磁性基体６上に補助磁性層７、配
向制御層５、垂直磁性膜１、保護・潤滑層８が順次形成
された構成とする。
記録媒体２として、非磁性基体６上に補助磁性層７、配
向制御層５、垂直磁性膜１、保護・潤滑層８が順次形成
された構成とする。
【００１６】更に、本発明においては、垂直磁気記録媒
体２を、非磁性支持体６の両面に垂直磁性膜１を有する
構成とする。
体２を、非磁性支持体６の両面に垂直磁性膜１を有する
構成とする。
【００１７】また、本発明においては、垂直磁気記録媒
体２が、３．５インチ型ディスクで、片面５００ＭＢ
（メガビット）以上とされた構成とすることができる。
体２が、３．５インチ型ディスクで、片面５００ＭＢ
（メガビット）以上とされた構成とすることができる。
【００１８】更に又、本発明においては垂直磁気記録媒
体２の垂直磁性膜１が、ＣｏとＰｔの人工格子膜による
構成とする。
体２の垂直磁性膜１が、ＣｏとＰｔの人工格子膜による
構成とする。
【００１９】更に又、本発明においては、磁気ヘッド４
の軟磁性薄膜３がＦｅ−Ｎ系合金薄膜又はその積層膜よ
り構成する。
の軟磁性薄膜３がＦｅ−Ｎ系合金薄膜又はその積層膜よ
り構成する。
【００２０】
【作用】上述したように本発明装置においては、その基
本構成が、垂直保磁力ＨｃV が１５００（Ｏｅ）以上の
ＣｏＰｔ基による垂直磁性膜１を有し、この垂直磁性膜
１が非磁性基体６上に、補助磁性層７を介して形成され
て成り、垂直磁性膜１および補助磁性層７は、蒸着、あ
るいはスパッタリングによって形成されて成る垂直磁気
記録媒体２を用いると共に、これに対して特に、その磁
気ギャップ即ち、単磁極の形成部において、飽和磁束密
度４πＭｓが１９ｋＧ以上の特にＦｅを主体とする軟磁
性薄膜３よりなる記録ヘッド４を用いたことによって、
上述したＣｏＰｔ基の垂直磁性層の特徴を充分生かした
高密度及び高記録再生出力を得ることができた。
本構成が、垂直保磁力ＨｃV が１５００（Ｏｅ）以上の
ＣｏＰｔ基による垂直磁性膜１を有し、この垂直磁性膜
１が非磁性基体６上に、補助磁性層７を介して形成され
て成り、垂直磁性膜１および補助磁性層７は、蒸着、あ
るいはスパッタリングによって形成されて成る垂直磁気
記録媒体２を用いると共に、これに対して特に、その磁
気ギャップ即ち、単磁極の形成部において、飽和磁束密
度４πＭｓが１９ｋＧ以上の特にＦｅを主体とする軟磁
性薄膜３よりなる記録ヘッド４を用いたことによって、
上述したＣｏＰｔ基の垂直磁性層の特徴を充分生かした
高密度及び高記録再生出力を得ることができた。
【００２１】
【実施例】本発明においては、例えばいわゆるリジッド
・ディスク型の記録媒体を用いる磁気記録装置、或いは
磁気記録再生装置に適用し得る。
・ディスク型の記録媒体を用いる磁気記録装置、或いは
磁気記録再生装置に適用し得る。
【００２２】垂直磁気記録媒体２、例えばリジット・デ
ィスクは、図２にその一例の略線的断面図を示すよう
に、非磁性基体６の両平滑主面にそれぞれ補助磁性層
７、配向制御層５、垂直磁性膜１、保護・潤滑層８を順
次積層した構成とする。
ィスクは、図２にその一例の略線的断面図を示すよう
に、非磁性基体６の両平滑主面にそれぞれ補助磁性層
７、配向制御層５、垂直磁性膜１、保護・潤滑層８を順
次積層した構成とする。
【００２３】或いは、図示しないが、基体６の一主面に
のみ上述した垂直磁性膜１を形成するようにして、これ
の下に補助磁性層７、配向制御層５、又垂直磁性膜１上
に保護・潤滑層８を形成した片面型の構成とすることも
できる。
のみ上述した垂直磁性膜１を形成するようにして、これ
の下に補助磁性層７、配向制御層５、又垂直磁性膜１上
に保護・潤滑層８を形成した片面型の構成とすることも
できる。
【００２４】非磁性基体６は、リジット・ディスク基板
例えば硝子基体、或いはＰＣ（ポリカーボネイト）、Ｐ
ＭＭＣ（ポリメタクリレート）等によって構成し得る。
例えば硝子基体、或いはＰＣ（ポリカーボネイト）、Ｐ
ＭＭＣ（ポリメタクリレート）等によって構成し得る。
【００２５】補助磁性層７は、例えば、高透磁率を有す
るＮｉＦｅ、ＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＴａＺｒ、或いは準硬
磁性材料のＦｅＣｏ等を０〜１０００ｎｍの膜厚をもっ
てスパッタ、蒸着等によって被着し得る。
るＮｉＦｅ、ＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＴａＺｒ、或いは準硬
磁性材料のＦｅＣｏ等を０〜１０００ｎｍの膜厚をもっ
てスパッタ、蒸着等によって被着し得る。
【００２６】又、配向制御層５は、垂直磁性膜１の垂直
性即ち配向性を制御するための膜で、例えばＰｔ、Ｐｄ
等を０〜５０ｎｍ の膜厚をもってスパッタ、蒸着等に
よって被着し得る。
性即ち配向性を制御するための膜で、例えばＰｔ、Ｐｄ
等を０〜５０ｎｍ の膜厚をもってスパッタ、蒸着等に
よって被着し得る。
【００２７】又、垂直磁性膜１は、厚さ１０〜５００ｎ
ｍをもって、ＣｏＰｔ基例えばＣｏＰｔＢ或いはＣｏＰ
ｔＢＯ系ないしはＣｏとＰｔとの超薄膜層の繰返し積層
による人工格子膜によって蒸着、スパッタ等によって形
成し得る。
ｍをもって、ＣｏＰｔ基例えばＣｏＰｔＢ或いはＣｏＰ
ｔＢＯ系ないしはＣｏとＰｔとの超薄膜層の繰返し積層
による人工格子膜によって蒸着、スパッタ等によって形
成し得る。
【００２８】即ち、この垂直磁性膜１は例えば、（Ｃｏ
a ＰｔbＢc ）100-x ０x ，（ａ，ｂ，ｃ，ｘは原子
％） ａ＋ｂ＋ｃ＝１００， ０≦ｂ≦５０， ０．１≦ｃ≦３０， ０＜ｘ≦１５ の組成とする。
a ＰｔbＢc ）100-x ０x ，（ａ，ｂ，ｃ，ｘは原子
％） ａ＋ｂ＋ｃ＝１００， ０≦ｂ≦５０， ０．１≦ｃ≦３０， ０＜ｘ≦１５ の組成とする。
【００２９】或いは〔Ｃｏa Ｐｔb Ｂc Ｍ1 d 〕100-x
０x ，（ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｘは原子％） ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００， ０≦ｂ≦５０， ０．１≦ｃ≦３０， ０＜ｄ≦３０，０≦ｘ≦１５ （Ｍ1 は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，
Ｗ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓ
ｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｐ，Ｓｅ，Ｃ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ｒｕ，Ｐｄ，Ｒｅ）とする。
０x ，（ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｘは原子％） ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００， ０≦ｂ≦５０， ０．１≦ｃ≦３０， ０＜ｄ≦３０，０≦ｘ≦１５ （Ｍ1 は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，
Ｗ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓ
ｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｐ，Ｓｅ，Ｃ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ｒｕ，Ｐｄ，Ｒｅ）とする。
【００３０】または、（Ｃｏa Ｐｔb Ｍ2 c）100-x ０
x （ａ，ｂ，ｃ，ｘは原子％） ａ＋ｂ＋ｃ＝１００， ０≦ｂ≦５０， ０．１≦ｃ≦３０， ０≦ｘ≦１５ （Ｍ2 はＴｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，
Ｗ）とする。
x （ａ，ｂ，ｃ，ｘは原子％） ａ＋ｂ＋ｃ＝１００， ０≦ｂ≦５０， ０．１≦ｃ≦３０， ０≦ｘ≦１５ （Ｍ2 はＴｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，
Ｗ）とする。
【００３１】保護・潤活層８は、例えばＣ，ＴｉＯ2 ，
ＺｒＯ2等と潤滑剤の組合せによって膜厚１〜５０ｎｍ
に被着形成される。この場合の使用される潤滑剤として
は、脂肪酸またはその金属塩、脂肪酸アミド、脂肪酸エ
ステル、脂肪族アルコールまたはそのアルコキシド、脂
肪族アミン、多価アルコール、ソルビタンエステル、マ
ンニッタンエステル、硫黄化脂肪酸、脂肪族メルカプタ
ン、変性シリコーンオイル、パーフルオロアルキルエチ
レンオキシド、パーフルオロポリエーテル類、高級アル
キルスルホン酸またはその金属塩、パーフルオロアルキ
ルスルホン酸またはそのアンモニウム塩あるいはその金
属塩、パーフルオロアルキルカルボン酸またはその金属
塩、パーフルオロアルキルカルボン酸エステルやカルボ
ン酸パーフルオロアルキルエステル等を用いることがで
きる。さらには、より厳しい使用条件に対処し、かつ潤
滑効果を持続するために、上記ポリ（Ｎ−パーフルオロ
アルキルカルバモイル）誘導体中に重量比で３０：７０
〜７０：３０程度の配合比で極圧剤を併用してもよい。
ＺｒＯ2等と潤滑剤の組合せによって膜厚１〜５０ｎｍ
に被着形成される。この場合の使用される潤滑剤として
は、脂肪酸またはその金属塩、脂肪酸アミド、脂肪酸エ
ステル、脂肪族アルコールまたはそのアルコキシド、脂
肪族アミン、多価アルコール、ソルビタンエステル、マ
ンニッタンエステル、硫黄化脂肪酸、脂肪族メルカプタ
ン、変性シリコーンオイル、パーフルオロアルキルエチ
レンオキシド、パーフルオロポリエーテル類、高級アル
キルスルホン酸またはその金属塩、パーフルオロアルキ
ルスルホン酸またはそのアンモニウム塩あるいはその金
属塩、パーフルオロアルキルカルボン酸またはその金属
塩、パーフルオロアルキルカルボン酸エステルやカルボ
ン酸パーフルオロアルキルエステル等を用いることがで
きる。さらには、より厳しい使用条件に対処し、かつ潤
滑効果を持続するために、上記ポリ（Ｎ−パーフルオロ
アルキルカルバモイル）誘導体中に重量比で３０：７０
〜７０：３０程度の配合比で極圧剤を併用してもよい。
【００３２】上記極圧剤は、境界潤滑領域において部分
的に金属接触を生じたとき、これに伴う摩擦熱によって
金属面と反応し、反応生成物被膜を形成することにより
摩擦・摩耗防止作用を行うものであって、リン酸エステ
ル、亜リン酸エステル又はリン酸レステルアミン塩等の
リン系極圧剤、硫化油脂、モノサルファイド又はポリサ
ルファイド等のイオウ系極圧剤、ヨウ素化合物、臭素化
合物又は塩素化合物等のハロゲン系極圧剤、チオリン酸
塩、チオカルバミン酸塩又は金属アルキルジチオカルバ
ミン酸塩等の有機金属系極圧剤、ジアルキルチオリン酸
アミン、チオフォスフェート又はチオフォスファイト等
の複合型極圧剤等が知られている。
的に金属接触を生じたとき、これに伴う摩擦熱によって
金属面と反応し、反応生成物被膜を形成することにより
摩擦・摩耗防止作用を行うものであって、リン酸エステ
ル、亜リン酸エステル又はリン酸レステルアミン塩等の
リン系極圧剤、硫化油脂、モノサルファイド又はポリサ
ルファイド等のイオウ系極圧剤、ヨウ素化合物、臭素化
合物又は塩素化合物等のハロゲン系極圧剤、チオリン酸
塩、チオカルバミン酸塩又は金属アルキルジチオカルバ
ミン酸塩等の有機金属系極圧剤、ジアルキルチオリン酸
アミン、チオフォスフェート又はチオフォスファイト等
の複合型極圧剤等が知られている。
【００３３】また、上述の潤滑剤、極圧剤の他必要に応
じて防錆剤を併用してもよい。使用可能な防錆剤として
は、通常この種の磁気記録媒体の防錆剤として使用され
るものであれば如何なるものでもよく、例えば二価フェ
ノール、アルキルフェノールあるいはニトロソフェノー
ル等のフェノール類、純ナフトール又はニトロ、ニトロ
ソ、アミノ、ハロゲノ置換ナフトール等のナフトール
類、メチルキノン、ヒドロキシキノン、アミノキノン、
ニトロキノン又はハロゲノキノン等のキノン類、ベンゾ
フェノン及びその誘導体であるヒドロキシベンゾフェノ
ン、アミノベンゾフェノン等のジアリールケトン、アク
リジン、４−キノリノール、キヌレン酸又はリボフラビ
ン等の窒素原子を含む複素環化合物、トコフェロール又
はグアノシン等の酸素原子を含む複素環化合物、スルホ
ラン、スルホレン又はビチオン等の硫黄原子を含む複素
環化合物、チオフェノール、ジチゾン又はチオオキシン
等のメルカプト基を有する化合物、エタンチオ酸又はル
ベアン酸等のオチカルボン酸またはその塩、ジアゾスル
フィド又はベンゾチアゾリン等のチアゾール系化合物等
が挙げられる。上記防錆剤は、潤滑剤と混合させて用い
ても良いが、例えば図２に示すように、被磁性支持体１
上に形成された強磁性金属薄膜２の表面に先ず上記防錆
剤４を塗布し、しかる後潤滑剤３を塗布するというよう
に、２層以上に分けて被着する効果が高い。
じて防錆剤を併用してもよい。使用可能な防錆剤として
は、通常この種の磁気記録媒体の防錆剤として使用され
るものであれば如何なるものでもよく、例えば二価フェ
ノール、アルキルフェノールあるいはニトロソフェノー
ル等のフェノール類、純ナフトール又はニトロ、ニトロ
ソ、アミノ、ハロゲノ置換ナフトール等のナフトール
類、メチルキノン、ヒドロキシキノン、アミノキノン、
ニトロキノン又はハロゲノキノン等のキノン類、ベンゾ
フェノン及びその誘導体であるヒドロキシベンゾフェノ
ン、アミノベンゾフェノン等のジアリールケトン、アク
リジン、４−キノリノール、キヌレン酸又はリボフラビ
ン等の窒素原子を含む複素環化合物、トコフェロール又
はグアノシン等の酸素原子を含む複素環化合物、スルホ
ラン、スルホレン又はビチオン等の硫黄原子を含む複素
環化合物、チオフェノール、ジチゾン又はチオオキシン
等のメルカプト基を有する化合物、エタンチオ酸又はル
ベアン酸等のオチカルボン酸またはその塩、ジアゾスル
フィド又はベンゾチアゾリン等のチアゾール系化合物等
が挙げられる。上記防錆剤は、潤滑剤と混合させて用い
ても良いが、例えば図２に示すように、被磁性支持体１
上に形成された強磁性金属薄膜２の表面に先ず上記防錆
剤４を塗布し、しかる後潤滑剤３を塗布するというよう
に、２層以上に分けて被着する効果が高い。
【００３４】この構成による垂直磁気記録媒体即ちリジ
ット・ディスクに対して、図１の記録を、特に少くとも
磁気ギャップ部の形成部が４πＭｓ＞１９ｋＧの軟磁性
材料によって構成した単磁極型ヘッド或いはリング型磁
気ヘッドによる記録磁気ヘッドを用いてその記録を行
う。
ット・ディスクに対して、図１の記録を、特に少くとも
磁気ギャップ部の形成部が４πＭｓ＞１９ｋＧの軟磁性
材料によって構成した単磁極型ヘッド或いはリング型磁
気ヘッドによる記録磁気ヘッドを用いてその記録を行
う。
【００３５】又、再生用磁気ヘッドについては、記録磁
気ヘッドを再生用磁気ヘッドとして兼ねる単磁極ヘッド
或いはリング型ヘッド構成とすることもできるし、又、
記録用ヘッドとは、別に再生専用で短波長再生が可能な
磁気抵抗型或いは、マイクロ波導波路型の磁気ヘッドを
用いることができる。
気ヘッドを再生用磁気ヘッドとして兼ねる単磁極ヘッド
或いはリング型ヘッド構成とすることもできるし、又、
記録用ヘッドとは、別に再生専用で短波長再生が可能な
磁気抵抗型或いは、マイクロ波導波路型の磁気ヘッドを
用いることができる。
【００３６】磁気記録用ヘッドに用いる上述した４πＭ
ｓ＞１９ｋＧの特性を満足する軟磁性薄膜３としては、
耐摩性にすぐれ、Ｂｓが１９ｋＧ以上の下記（ｉ）〜
（Xiii）の組成のないしは構成の磁気膜を用いることが
できる。
ｓ＞１９ｋＧの特性を満足する軟磁性薄膜３としては、
耐摩性にすぐれ、Ｂｓが１９ｋＧ以上の下記（ｉ）〜
（Xiii）の組成のないしは構成の磁気膜を用いることが
できる。
【００３７】（ｉ） Ｆｅa Ａｌb Ｓｉc Ｎd （ａ，
ｂ，ｃ，ｄは重量％）で、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ ７０≦ａ≦９５ ２≦ｂ≦１０ ３≦ｃ≦１６ ０．００５≦ｄ≦４
ｂ，ｃ，ｄは重量％）で、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ ７０≦ａ≦９５ ２≦ｂ≦１０ ３≦ｃ≦１６ ０．００５≦ｄ≦４
【００３８】（ii） Ｆｅa Ａｌb Ｓｉc Ｏd （ａ，
ｂ，ｃ，ｄは重量％）で、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ ７０≦ａ≦９５ ２≦ｂ≦１０ ４≦ｃ≦１５ ０．００５≦ｄ≦５
ｂ，ｃ，ｄは重量％）で、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ ７０≦ａ≦９５ ２≦ｂ≦１０ ４≦ｃ≦１５ ０．００５≦ｄ≦５
【００３９】(iii) Ｆｅa Ｇａ b Ｓｉc （ａ，ｂ，ｃ
は原子比）で、 ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ ６８≦ａ≦８４ １≦ｂ≦２３ ９≦ｃ≦３１ とし、更にそのＦｅ，Ｇａ，Ｓｉの少くとも１種を８〜
１５原子％のＲｕで置換したもの。
は原子比）で、 ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ ６８≦ａ≦８４ １≦ｂ≦２３ ９≦ｃ≦３１ とし、更にそのＦｅ，Ｇａ，Ｓｉの少くとも１種を８〜
１５原子％のＲｕで置換したもの。
【００４０】（iV） Ｆｅx Ｎy Ａz （原子％）で、 ０．５≦ｙ≦２．５ ０．５≦ｚ≦７．５ 残部Ａとし、そのＡが：Ｓｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｂ，Ｍｇ，
Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｍ
ｏ，Ｖ，Ｗ，Ｈｆ，Ｃａ，Ｇｅ、希土類の１種以上。
Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｍ
ｏ，Ｖ，Ｗ，Ｈｆ，Ｃａ，Ｇｅ、希土類の１種以上。
【００４１】（Ｖ） 上記（iV）の組成による磁性膜と
非磁性膜との積層によるもの
非磁性膜との積層によるもの
【００４２】（Vi） Ｆｅ主体で、Ｎ，Ｏ，Ｃの１種類
以上を、Ｎ，Ｏx の場合０．１〜５原子％、Ｃの場合
０．１〜１５原子％添加した磁性金属層と、非磁性金属
層との積層によるもの。
以上を、Ｎ，Ｏx の場合０．１〜５原子％、Ｃの場合
０．１〜１５原子％添加した磁性金属層と、非磁性金属
層との積層によるもの。
【００４３】（Vii) 純Ｆｅ、或いはＦｅを主成分とす
るＦｅＳｉ，センダスト，ＦｅＧａＳｉ，ＦｅＡｌＧ
ｅ，ＦｅＣｏＳｉ，ＦｅＣｏＳｉＡｌ等から成り膜厚が
１０〜１００００Å、好ましくは５０〜５０００Åの結
晶質磁性合金薄膜からなる主磁性層と、ＣｏＺｒ，Ｃｏ
Ｈｆ，ＣｏＴａ，ＣｏＮｂ，ＮｉＺｒ，ＮｉＨｆ，Ｃｕ
Ｚｒ，ＣｕＨｆ等から成り膜厚が３〜１０００Å、好ま
しくは５〜５０Åの非晶質非磁性合金薄膜との積層によ
るもの。
るＦｅＳｉ，センダスト，ＦｅＧａＳｉ，ＦｅＡｌＧ
ｅ，ＦｅＣｏＳｉ，ＦｅＣｏＳｉＡｌ等から成り膜厚が
１０〜１００００Å、好ましくは５０〜５０００Åの結
晶質磁性合金薄膜からなる主磁性層と、ＣｏＺｒ，Ｃｏ
Ｈｆ，ＣｏＴａ，ＣｏＮｂ，ＮｉＺｒ，ＮｉＨｆ，Ｃｕ
Ｚｒ，ＣｕＨｆ等から成り膜厚が３〜１０００Å、好ま
しくは５〜５０Åの非晶質非磁性合金薄膜との積層によ
るもの。
【００４４】（Viii) Ｃｏを主体とするＣｏＺｒ，Ｃｏ
ＮｂＺｒ，Ｃｏ−（ＮｂまたはＴａ）−（ＺｒまたはＨ
ｆ）の組合せから成る合金、ＣｏＨｆＰｄ，ＣｏＺｒＭ
ｏ，ＣｏＺｒＷ，ＣｏＺｒＲｅ，ＣｏＨｆＭｏ，ＣｏＨ
ｆＷ，ＣｏＨｆＲｅ等による非晶質磁性合金による厚さ
５０〜１００００Åを主磁性層とし、中間層としてＣｏ
Ｚｒ，ＣｏＨｆ，ＣｏＴａ，ＣｏＮｂ，ＮｉＺｒ，Ｎｉ
Ｈｆ，ＣｕＺｒ，ＣｕＨｆによる厚さ３〜１０００Å、
好ましくは５〜５０Åの非晶質合金薄膜の積層によるも
の。
ＮｂＺｒ，Ｃｏ−（ＮｂまたはＴａ）−（ＺｒまたはＨ
ｆ）の組合せから成る合金、ＣｏＨｆＰｄ，ＣｏＺｒＭ
ｏ，ＣｏＺｒＷ，ＣｏＺｒＲｅ，ＣｏＨｆＭｏ，ＣｏＨ
ｆＷ，ＣｏＨｆＲｅ等による非晶質磁性合金による厚さ
５０〜１００００Åを主磁性層とし、中間層としてＣｏ
Ｚｒ，ＣｏＨｆ，ＣｏＴａ，ＣｏＮｂ，ＮｉＺｒ，Ｎｉ
Ｈｆ，ＣｕＺｒ，ＣｕＨｆによる厚さ３〜１０００Å、
好ましくは５〜５０Åの非晶質合金薄膜の積層によるも
の。
【００４５】（iX） （Ｆｅa Ｍb ）100-c-d Ｎc Ｏd
（ａ，ｂ，ｃ，ｄは原子％）、（ＭはＳｉ，Ａｌ，Ｔ
ａ，Ｂ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，
Ｎｂ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｖ，Ｗ，Ｈｆ，Ｇａ，Ｇｅ，希土類
元素の少くとも１種類）なる組成式で表され、その組成
範囲が ０．１≦ｂ≦５ ａ＋ｂ＝１００ ０．５≦ｃ≦１５ ０．１≦ｂ≦１３ によるもの。
（ａ，ｂ，ｃ，ｄは原子％）、（ＭはＳｉ，Ａｌ，Ｔ
ａ，Ｂ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，
Ｎｂ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｖ，Ｗ，Ｈｆ，Ｇａ，Ｇｅ，希土類
元素の少くとも１種類）なる組成式で表され、その組成
範囲が ０．１≦ｂ≦５ ａ＋ｂ＝１００ ０．５≦ｃ≦１５ ０．１≦ｂ≦１３ によるもの。
【００４６】（Ｘ） （Ｆｅe ＭI f ＭII g ）100-h Ｎ
h （ｅ，ｆ，ｇ，ｈは原子％）、（ＭI はＡｌ，Ｇａ，
Ｔｉ，希土類元素のうちの少くとも１種を、ＭIIはＮ
ｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｚｒ，Ｈｆのうちの少くとも１種）なる
組成式で表され、その組成範囲が ０．１≦ｆ≦２．５ ０．１≦ｇ≦２．５ ｅ＋ｆ＋ｇ＝１００ ０．５≦ｈ≦１５ によるもの。
h （ｅ，ｆ，ｇ，ｈは原子％）、（ＭI はＡｌ，Ｇａ，
Ｔｉ，希土類元素のうちの少くとも１種を、ＭIIはＮ
ｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｚｒ，Ｈｆのうちの少くとも１種）なる
組成式で表され、その組成範囲が ０．１≦ｆ≦２．５ ０．１≦ｇ≦２．５ ｅ＋ｆ＋ｇ＝１００ ０．５≦ｈ≦１５ によるもの。
【００４７】（Xi） （Ｆｅi ＭI j ＭII k ）100-m-n
Ｎm Ｏn （ｉ，ｊ，ｋ，ｍ，ｎは原子％）、（ＭI はＡ
ｌ，Ｇａ，Ｔｉ，希土類元素のうちの少くとも１種を、
ＭIIはＮｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｚｒ，Ｈｆのうちの少くとも１
種）なる組成式で表され、その組成範囲が ０．１≦ｊ≦２．５ ０．１≦ｋ≦２．５ ｉ＋ｊ＋ｋ＝１００ ０．５≦ｍ≦１５ ０．１≦ｎ≦１３ によるもの。
Ｎm Ｏn （ｉ，ｊ，ｋ，ｍ，ｎは原子％）、（ＭI はＡ
ｌ，Ｇａ，Ｔｉ，希土類元素のうちの少くとも１種を、
ＭIIはＮｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｚｒ，Ｈｆのうちの少くとも１
種）なる組成式で表され、その組成範囲が ０．１≦ｊ≦２．５ ０．１≦ｋ≦２．５ ｉ＋ｊ＋ｋ＝１００ ０．５≦ｍ≦１５ ０．１≦ｎ≦１３ によるもの。
【００４８】（Xii) ＣｏＺｒを主体と、Ｎを０．０９
〜１０原子％含むもの。
〜１０原子％含むもの。
【００４９】（Xiii) （Ｆｅa Ｍb Ｎｉc ）d Ｎe Ｏf
（ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆは原子％）、（ＭはＳｉ，Ａ
ｌ，Ｔａ，Ｂ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｒ，Ｍｎ，
Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｖ，Ｗ，Ｈｆ，Ｇａ，Ｇｅ，
希土類元素の少くとも１種）なる組成式で表され、その
組成範囲が ０．１≦ｂ≦５ ０．５≦ｃ≦１０ ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ ０．５≦ｅ≦１５ ０．１≦ｆ≦１３ ｄ＝１００−ｅ−ｆ によるもの。を用い得るが、中でも４πＭｓが１９ｋＧ
以上の２０ｋＧを容易に得ることができるＦｅ−Ｎ系合
金薄膜またはその積層膜を用いることが望ましい。
（ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆは原子％）、（ＭはＳｉ，Ａ
ｌ，Ｔａ，Ｂ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｒ，Ｍｎ，
Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｖ，Ｗ，Ｈｆ，Ｇａ，Ｇｅ，
希土類元素の少くとも１種）なる組成式で表され、その
組成範囲が ０．１≦ｂ≦５ ０．５≦ｃ≦１０ ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ ０．５≦ｅ≦１５ ０．１≦ｆ≦１３ ｄ＝１００−ｅ−ｆ によるもの。を用い得るが、中でも４πＭｓが１９ｋＧ
以上の２０ｋＧを容易に得ることができるＦｅ−Ｎ系合
金薄膜またはその積層膜を用いることが望ましい。
【００５０】記録磁気ヘッドとしては、例えば非浮上型
の単磁極型垂直磁気ヘッド構成をとり得る。図３はこの
場合の一例の略線的側面図を示すもので、この場合、例
えばセラミック等の絶縁体より成るチップ基板２１上に
上述の軟磁性薄膜３を主磁極２２として被着形成をする
とか、対のチップ基板２１間に挟み込んだ構造をとり得
る。そしてこの主磁極２２の周囲に薄膜コイル、ワイヤ
等によるヘッド巻線２３が巻装される。
の単磁極型垂直磁気ヘッド構成をとり得る。図３はこの
場合の一例の略線的側面図を示すもので、この場合、例
えばセラミック等の絶縁体より成るチップ基板２１上に
上述の軟磁性薄膜３を主磁極２２として被着形成をする
とか、対のチップ基板２１間に挟み込んだ構造をとり得
る。そしてこの主磁極２２の周囲に薄膜コイル、ワイヤ
等によるヘッド巻線２３が巻装される。
【００５１】主磁極２２を有するチップ基板２１は、フ
ェライト等のコアチップ２４にとりつけられ、ヘッドア
ーム２５に、上下に移動案内されるように配設され、コ
アチップ２４を含む自重によって垂直記録媒体２即ち、
リジッド・ディスク（ハードディスク）上にその主磁極
２２が所要の圧接力をもって対接するようになされてい
る。
ェライト等のコアチップ２４にとりつけられ、ヘッドア
ーム２５に、上下に移動案内されるように配設され、コ
アチップ２４を含む自重によって垂直記録媒体２即ち、
リジッド・ディスク（ハードディスク）上にその主磁極
２２が所要の圧接力をもって対接するようになされてい
る。
【００５２】一方、図２で説明したように、リジッド・
ディスク磁気記録媒体２が両面型構成をとる場合には、
図３で示すようにディスクの下面側にも前述したと同様
の構成をする単磁極構成の磁気ヘッド４が、ばね機構２
６等によって、所要の押圧力をもって媒体２の裏面に押
し上げられて、これが所要圧接力をもって、ディスク２
に接触するようになされる。
ディスク磁気記録媒体２が両面型構成をとる場合には、
図３で示すようにディスクの下面側にも前述したと同様
の構成をする単磁極構成の磁気ヘッド４が、ばね機構２
６等によって、所要の押圧力をもって媒体２の裏面に押
し上げられて、これが所要圧接力をもって、ディスク２
に接触するようになされる。
【００５３】図４は他の単磁気ヘッドの一例の略線的断
面図を示すもので、この場合Ｎｉ−Ｚｎフェライト等の
補助磁極２７上にＡｌ2 Ｏ3 等の絶縁層２８を介して薄
膜コイルより成るヘッド巻線２３が薄膜ないしは厚膜技
術によって形成され、これの上に絶縁層２８を介して磁
性体が被着されて磁気ヨーク２９が構成されると共にそ
の先端部に上述した軟磁性薄膜３より成る主磁極２２が
被着形成された構成をとったものである。３０は主磁極
２２及び磁気ヨーク２９を覆って形成された保護層であ
る。
面図を示すもので、この場合Ｎｉ−Ｚｎフェライト等の
補助磁極２７上にＡｌ2 Ｏ3 等の絶縁層２８を介して薄
膜コイルより成るヘッド巻線２３が薄膜ないしは厚膜技
術によって形成され、これの上に絶縁層２８を介して磁
性体が被着されて磁気ヨーク２９が構成されると共にそ
の先端部に上述した軟磁性薄膜３より成る主磁極２２が
被着形成された構成をとったものである。３０は主磁極
２２及び磁気ヨーク２９を覆って形成された保護層であ
る。
【００５４】又、図５は更に他の例の単磁極ヘッドを示
すもので、この例ではフェライト等の補助磁極２７に例
えば絶縁層２８を介して薄膜コイルより成るヘッド巻線
が形成され、これの上に磁性層から成る磁気ヨーク２９
が被着される。一方、セラミック等の被磁性基板３１が
設けられ、この被磁性基板３１上にヨーク２９の先端部
と磁気的に結合する単磁極構成を有する上述した軟磁性
薄膜３による主磁極２２を配置した構成とした場合であ
る。
すもので、この例ではフェライト等の補助磁極２７に例
えば絶縁層２８を介して薄膜コイルより成るヘッド巻線
が形成され、これの上に磁性層から成る磁気ヨーク２９
が被着される。一方、セラミック等の被磁性基板３１が
設けられ、この被磁性基板３１上にヨーク２９の先端部
と磁気的に結合する単磁極構成を有する上述した軟磁性
薄膜３による主磁極２２を配置した構成とした場合であ
る。
【００５５】又、図６は、更に他の単磁極型磁気ヘッド
の側面図を示すもので、この例に於ては、夫々前方端に
耐摩耗性を有する被磁性体３３が形成されて媒体との対
接面が形成された対のフェライト等の磁気コア３２Ａ及
び３２Ｂの例えば一方のコアに軟磁性薄膜３より成る主
磁極２２、被着形成し、両コア３２Ａ及び３２Ｂを衝き
合せて主磁極２２が両コア３２Ａ及び３２Ｂ間に挾持さ
れるようにした場合である。そして、この場合主磁極２
２のまわりにヘッド巻線２３が巻装された構成をとるよ
うにした場合である。又、図７に示す単磁極ヘッドは、
例えばセラミックより成る非磁性基板３１上に、所要の
厚さを有する軟磁性薄膜３を被着形成し、これより後方
に延長して同様の軟磁性薄膜或いは他の軟磁性薄膜によ
る肉厚の磁性薄膜が形成された主磁極２２を形成する。
そして、基板３１に図４で説明したと同様に例えば薄膜
コイルによるヘッド巻線２３を形成し、この巻線の中心
部において、主磁極２２と磁気的に結合するＮｉＦｅ等
の磁気ヨーク２９を被着し、これの上に保護膜３０を形
成した構成とした場合である。又、図８に示す構成にお
いては、例えば非磁性基板上補助磁極２７を構成する磁
性層と、非磁性層を介して先端に上述の特性の軟磁性薄
膜３が設けられた主磁極２２を形成し、この主磁極２２
の上下にそれぞれヘッド巻線２３を構成するコイルパタ
ーン３２Ａ及び３２Ｂを形成した構成を採った場合であ
る。
の側面図を示すもので、この例に於ては、夫々前方端に
耐摩耗性を有する被磁性体３３が形成されて媒体との対
接面が形成された対のフェライト等の磁気コア３２Ａ及
び３２Ｂの例えば一方のコアに軟磁性薄膜３より成る主
磁極２２、被着形成し、両コア３２Ａ及び３２Ｂを衝き
合せて主磁極２２が両コア３２Ａ及び３２Ｂ間に挾持さ
れるようにした場合である。そして、この場合主磁極２
２のまわりにヘッド巻線２３が巻装された構成をとるよ
うにした場合である。又、図７に示す単磁極ヘッドは、
例えばセラミックより成る非磁性基板３１上に、所要の
厚さを有する軟磁性薄膜３を被着形成し、これより後方
に延長して同様の軟磁性薄膜或いは他の軟磁性薄膜によ
る肉厚の磁性薄膜が形成された主磁極２２を形成する。
そして、基板３１に図４で説明したと同様に例えば薄膜
コイルによるヘッド巻線２３を形成し、この巻線の中心
部において、主磁極２２と磁気的に結合するＮｉＦｅ等
の磁気ヨーク２９を被着し、これの上に保護膜３０を形
成した構成とした場合である。又、図８に示す構成にお
いては、例えば非磁性基板上補助磁極２７を構成する磁
性層と、非磁性層を介して先端に上述の特性の軟磁性薄
膜３が設けられた主磁極２２を形成し、この主磁極２２
の上下にそれぞれヘッド巻線２３を構成するコイルパタ
ーン３２Ａ及び３２Ｂを形成した構成を採った場合であ
る。
【００５６】尚、上述した磁気ヘッドの各例は、単磁極
型磁気ヘッド構成をとった場合で、この場合、垂直磁気
記録媒体２において、透磁率の高い補助磁性層７を設け
ることによって、主磁極２２の単磁性薄膜３による先端
から効果的に垂直磁性膜１にその膜面と垂直方向に記録
磁界を与えることができる。
型磁気ヘッド構成をとった場合で、この場合、垂直磁気
記録媒体２において、透磁率の高い補助磁性層７を設け
ることによって、主磁極２２の単磁性薄膜３による先端
から効果的に垂直磁性膜１にその膜面と垂直方向に記録
磁界を与えることができる。
【００５７】尚、垂直記録媒体２が、一方の面にのみ垂
直磁性膜１を有する片面構成とする場合においては、そ
の垂直磁性膜１を有する側の面に、磁気ヘッド４を対接
ないしは対向させ、これに垂直磁気記録媒体２を挟んで
対向して、補助磁極を設けて、垂直磁気記録媒体２に対
して効率よく垂直記録磁界が与えられるようにすること
ができる。
直磁性膜１を有する片面構成とする場合においては、そ
の垂直磁性膜１を有する側の面に、磁気ヘッド４を対接
ないしは対向させ、これに垂直磁気記録媒体２を挟んで
対向して、補助磁極を設けて、垂直磁気記録媒体２に対
して効率よく垂直記録磁界が与えられるようにすること
ができる。
【００５８】又、上述した各例においては、磁気ヘッド
４を単磁極構成とした場合であるが、リング型磁気ヘッ
ド構成とすることもできる。
４を単磁極構成とした場合であるが、リング型磁気ヘッ
ド構成とすることもできる。
【００５９】実施例１．飽和磁束密度４πＭｓが２０ｋ
ＧのＦｅ−Ａｌ−Ｎ／Ｓｉ−Ｎの積層構造の単磁極磁気
ヘッドを用い、４πＭｓが１２ｋＧ、垂直保磁力ＨｃV
が３ｋＯｅ、垂直異方性磁界Ｈｋが１５ｋＯｅのＣｏＰ
ｔＢＯ磁性膜１により図２のリジッド・ディスクを用い
た。
ＧのＦｅ−Ａｌ−Ｎ／Ｓｉ−Ｎの積層構造の単磁極磁気
ヘッドを用い、４πＭｓが１２ｋＧ、垂直保磁力ＨｃV
が３ｋＯｅ、垂直異方性磁界Ｈｋが１５ｋＯｅのＣｏＰ
ｔＢＯ磁性膜１により図２のリジッド・ディスクを用い
た。
【００６０】従来例１．パーマロイによる４πＭｓ＝１
４ｋＧの単磁極ヘッドを用い、４πＭｓが６ｋＧ以下、
ＨｃV が１．５ｋＯｅ以下、Ｈｋが７ｋＯｅ以下のＣｏ
Ｃｒ磁性膜によるリジッド・ディスクを用いた。
４ｋＧの単磁極ヘッドを用い、４πＭｓが６ｋＧ以下、
ＨｃV が１．５ｋＯｅ以下、Ｈｋが７ｋＯｅ以下のＣｏ
Ｃｒ磁性膜によるリジッド・ディスクを用いた。
【００６１】実施例１は、従来例１に比し、出力向上と
記録密度の向上がはかられた。図９中曲線９１は実施例
１による場合の記録密度と出力との関係の測定曲線で、
曲線９２は、同様の垂直磁性膜１に対して、４πＭｓ＝
１４ｋＧ級ヘッドを用いた場合、曲線９３はＣｏＣｒ垂
直磁性膜に対して１４ｋＧ級の単磁極磁気ヘッドを用い
た場合の夫々の記録密度の出力の相対値を示したもの
で、これらより明らかなように、本発明装置によるとき
は、格段に記録密度特性の向上がはかられている。尚、
３．５インチ型のディスクにおいても、記録密度と、ト
ラック幅及び最短波長の関係を表１に示す。
記録密度の向上がはかられた。図９中曲線９１は実施例
１による場合の記録密度と出力との関係の測定曲線で、
曲線９２は、同様の垂直磁性膜１に対して、４πＭｓ＝
１４ｋＧ級ヘッドを用いた場合、曲線９３はＣｏＣｒ垂
直磁性膜に対して１４ｋＧ級の単磁極磁気ヘッドを用い
た場合の夫々の記録密度の出力の相対値を示したもの
で、これらより明らかなように、本発明装置によるとき
は、格段に記録密度特性の向上がはかられている。尚、
３．５インチ型のディスクにおいても、記録密度と、ト
ラック幅及び最短波長の関係を表１に示す。
【００６２】
【表１】
【００６３】上述したように、本発明による磁気記録媒
体例えばＣｏＰｔＢ−Ｏの垂直磁性膜１による媒体１を
用いることによりその垂直異方性磁界Ｈｋが向上するこ
とによって記録密度が向上し、又、飽和磁束密度４πＭ
ｓ及び垂直保磁力ＨｃV の向上によって、出力の向上が
期待できるものであるが、特に本発明においては、その
記録磁気ヘッドとして、飽和磁束密度Ｂｓが１９ｋＧ以
上を用いるので、効果的に効率の高効率のこれによる再
生出力の向上がはかられ、上述の磁気記録媒体特性を有
効に発揮させることができるものである。
体例えばＣｏＰｔＢ−Ｏの垂直磁性膜１による媒体１を
用いることによりその垂直異方性磁界Ｈｋが向上するこ
とによって記録密度が向上し、又、飽和磁束密度４πＭ
ｓ及び垂直保磁力ＨｃV の向上によって、出力の向上が
期待できるものであるが、特に本発明においては、その
記録磁気ヘッドとして、飽和磁束密度Ｂｓが１９ｋＧ以
上を用いるので、効果的に効率の高効率のこれによる再
生出力の向上がはかられ、上述の磁気記録媒体特性を有
効に発揮させることができるものである。
【００６４】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、高い垂
直保磁力、飽和磁束密度、異方性磁界を有する垂直磁性
膜による垂直磁気記録媒体を用いることと、高い飽和磁
束密度即ち、４πＭｓが１９ｋＧ以上の磁気ヘッドを用
いることによって、より効果的に記録密度及び高効率記
録、したがって高再生出力向上をはかることができた。
直保磁力、飽和磁束密度、異方性磁界を有する垂直磁性
膜による垂直磁気記録媒体を用いることと、高い飽和磁
束密度即ち、４πＭｓが１９ｋＧ以上の磁気ヘッドを用
いることによって、より効果的に記録密度及び高効率記
録、したがって高再生出力向上をはかることができた。
【図１】本発明による垂直磁気記録装置の一例の略線的
斜視図である。
斜視図である。
【図２】本発明装置に用いられる垂直磁気記録媒体の一
例の略線的断面図である。
例の略線的断面図である。
【図３】本発明装置に用いる磁気ヘッドの一例の略線的
側面図である。
側面図である。
【図４】磁気ヘッドの他の例の断面図である。
【図５】磁気ヘッドの他の例の断面図である。
【図６】磁気ヘッドの他の例の側面図である。
【図７】磁気ヘッドの他の例の断面図である。
【図８】磁気ヘッドの他の例の斜視図である。
【図９】記録密度特性曲線図である。
１ 垂直磁性膜 ２ 垂直磁気記録媒体 ３ 軟磁性薄膜 ４ 磁気ヘッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−157801（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−60204（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−73510（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−36710（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/02 G11B 5/127
Claims (7)
- 【請求項１】 垂直保磁力が、１５００（Ｏｅ）以上の
ＣｏＰｔを主体とする垂直磁性膜を有し、該垂直磁性膜
が非磁性基体上に、補助磁性層を介して形成されて成
り、 上記垂直磁性膜および補助磁性層は、蒸着、あるいはス
パッタリングによって形成されて成るものとし、 少なくとも、磁気ギャップ部が、飽和磁束密度４πＭｓ
が１９ｋＧ以上の、Ｆｅを主体とする軟磁性薄膜よりな
る記録ヘッドにより記録を行うことを特徴とする垂直磁
気記録装置。 - 【請求項２】 上記垂直磁性膜が、蒸着、あるいはスパ
ッタリングによるＣｏとＰｔとの人工格子膜によって形
成されて成ることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁
気記録装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の垂直磁気記録装
置において、 記録ヘッドを再生磁気ヘッドとして用いることを特徴と
する垂直磁気記録再生装置。 - 【請求項４】 請求項１又は３に記載の垂直磁気記録装
置及び垂直磁気記録再生装置において、 非磁性基体上に垂直磁性膜が配向制御層を介して形成さ
れて成ることを特徴とする垂直磁気記録装置及び垂直磁
気記録再生装置。 - 【請求項５】 請求項１又は３に記載の垂直磁気記録装
置及び垂直磁気記録再生装置において、 垂直磁気記録媒体が、非磁性基体上に補助磁性層、配向
制御層、垂直磁性膜、保護・潤滑層が順次形成されてい
ることを特徴とする垂直磁気記録装置及び垂直磁気記録
再生装置。 - 【請求項６】 請求項１又は３に記載の垂直磁気記録装
置及び垂直磁気記録再生装置において、 垂直磁気記録媒体が、非磁性基体の両面に垂直磁性膜を
有して成ることを特徴とする垂直磁気記録装置及び垂直
磁気記録再生装置。 - 【請求項７】 請求項１又は３に記載の垂直磁気記録装
置及び垂直磁気記録再生装置において、 磁気ヘッドの軟磁性薄膜が、Ｆｅ−Ｎ系合金薄膜又はそ
の積層膜よりなることを特徴とする垂直磁気記録装置及
び垂直磁気記録再生装置。
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