JP2001110051A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JP2001110051A JP2001110051A JP28632299A JP28632299A JP2001110051A JP 2001110051 A JP2001110051 A JP 2001110051A JP 28632299 A JP28632299 A JP 28632299A JP 28632299 A JP28632299 A JP 28632299A JP 2001110051 A JP2001110051 A JP 2001110051A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高保持力と高飽和磁化を両立させた、非晶質
の垂直磁気記録媒体を製造する。 【解決手段】 希土類−遷移金属非晶質膜からなる磁性
層の成膜時に、基板にＤＣバイアス電圧を印加する。
の垂直磁気記録媒体を製造する。 【解決手段】 希土類−遷移金属非晶質膜からなる磁性
層の成膜時に、基板にＤＣバイアス電圧を印加する。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、磁気記録に用いられる垂
直磁気異方性を有する磁気記録媒体の製造方法に関する
ものである。
直磁気異方性を有する磁気記録媒体の製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ディスクなどの磁気記録装置
においては、高密度、高記憶容量化の要求が強くなって
いる。このような記録密度の向上に伴ない、記録ビット
が微細化して、薄膜磁気記録媒体を構成する結晶粒の寸
法に近づくようになり、そのために各結晶粒が単磁区的
に振る舞う程度に結晶粒間の磁気的分離を促進させる必
要がある。さらに、１ビットに含まれる結晶粒の数が減
少するとノイズが増えるため、記録密度の向上に伴っ
て、結晶粒径も小さくする必要がある。しかしながら、
結晶粒が微細化しすぎると、熱揺らぎによる磁化の不安
定性を招くことになる。
においては、高密度、高記憶容量化の要求が強くなって
いる。このような記録密度の向上に伴ない、記録ビット
が微細化して、薄膜磁気記録媒体を構成する結晶粒の寸
法に近づくようになり、そのために各結晶粒が単磁区的
に振る舞う程度に結晶粒間の磁気的分離を促進させる必
要がある。さらに、１ビットに含まれる結晶粒の数が減
少するとノイズが増えるため、記録密度の向上に伴っ
て、結晶粒径も小さくする必要がある。しかしながら、
結晶粒が微細化しすぎると、熱揺らぎによる磁化の不安
定性を招くことになる。
【０００３】記録磁化の熱的安定性について、マイクロ
マグネティックス・モデルに基づいて計算機シミュレー
ションで検討した結果が報告されている（「垂直記録媒
体、長手記録媒体の熱揺らぎのモンテカルロシミュレー
ション」上坂保太郎他 信学技報 ＭＲ９６−３７ １
９９６−１１）。
マグネティックス・モデルに基づいて計算機シミュレー
ションで検討した結果が報告されている（「垂直記録媒
体、長手記録媒体の熱揺らぎのモンテカルロシミュレー
ション」上坂保太郎他 信学技報 ＭＲ９６−３７ １
９９６−１１）。
【０００４】これによると、面内磁気記録、垂直磁気記
録のいずれの記録方式でも、熱的安定性の指標ＫｕＶ／
ｋＴが１００以下となると、記録磁化の減少が起こると
されている。ただし、Ｋｕは磁気異方性エネルギー、Ｖ
は磁化が反転する単位となる活性化体積、ｋはボルツマ
ン定数、Ｔは絶対温度である。従って、記録磁化の熱揺
らぎによる劣化に対しては、媒体膜厚を大きくとれる垂
直磁気記録媒体の方が有利であると予想されている。
録のいずれの記録方式でも、熱的安定性の指標ＫｕＶ／
ｋＴが１００以下となると、記録磁化の減少が起こると
されている。ただし、Ｋｕは磁気異方性エネルギー、Ｖ
は磁化が反転する単位となる活性化体積、ｋはボルツマ
ン定数、Ｔは絶対温度である。従って、記録磁化の熱揺
らぎによる劣化に対しては、媒体膜厚を大きくとれる垂
直磁気記録媒体の方が有利であると予想されている。
【０００５】上記の報告結果に基づき、ＣｏＣｒＰｔお
よびＣｏＣｒＰｔＴａ合金の垂直磁気記録媒体につい
て、記録密度特性や媒体ノイズ特性等の検討結果が報告
されており（「ＭＲヘッドと単層垂直媒体を用いた高密
度磁気記録」二本正昭他 日本応用磁気学会誌 Ｖｏ
ｌ．２１ Ｎｏ．６ ｐｐ９５０−９５８ １９９
７）、記録密度が３０〜４０Ｇｂ／ｉｎ2では、ＫｕＶ
／ｋＴの値は、面内磁気記録の４０程度に対して、垂直
磁気記録では１３０程度と増加している。
よびＣｏＣｒＰｔＴａ合金の垂直磁気記録媒体につい
て、記録密度特性や媒体ノイズ特性等の検討結果が報告
されており（「ＭＲヘッドと単層垂直媒体を用いた高密
度磁気記録」二本正昭他 日本応用磁気学会誌 Ｖｏ
ｌ．２１ Ｎｏ．６ ｐｐ９５０−９５８ １９９
７）、記録密度が３０〜４０Ｇｂ／ｉｎ2では、ＫｕＶ
／ｋＴの値は、面内磁気記録の４０程度に対して、垂直
磁気記録では１３０程度と増加している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、臨界値
の１００を考慮すると、更なる改善が必要とされる。ま
た、ＫｕＶ／ｋＴの値を求める際に、Ｋｕの値は単結晶
磁性薄膜を用いて実験で決定された値が使用されている
が、活性化体積Ｖについては結晶粒径と媒体の膜厚から
推定した値が使用されており、上記の値の信頼性は不十
分と考えられる。また、面内磁気記録媒体及び垂直磁気
記録媒体のいずれにおいても、結晶質材料を使用してい
る限り、媒体ノイズを低下させるために結晶粒径を低減
させると、熱揺らぎの影響が増加するという問題は本質
的に回避することが困難である。
の１００を考慮すると、更なる改善が必要とされる。ま
た、ＫｕＶ／ｋＴの値を求める際に、Ｋｕの値は単結晶
磁性薄膜を用いて実験で決定された値が使用されている
が、活性化体積Ｖについては結晶粒径と媒体の膜厚から
推定した値が使用されており、上記の値の信頼性は不十
分と考えられる。また、面内磁気記録媒体及び垂直磁気
記録媒体のいずれにおいても、結晶質材料を使用してい
る限り、媒体ノイズを低下させるために結晶粒径を低減
させると、熱揺らぎの影響が増加するという問題は本質
的に回避することが困難である。
【０００７】そこで、本発明は、このような状況に対し
て、熱揺らぎの影響が小さく、従来の磁気記録媒体の記
録密度の限界を越えることを可能にする磁気記録媒体の
製造方法を提供することを目的とする。
て、熱揺らぎの影響が小さく、従来の磁気記録媒体の記
録密度の限界を越えることを可能にする磁気記録媒体の
製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、非晶質の垂直磁気記録媒体に着目した。非晶質材
料では結晶粒が存在しないため、活性化体積Ｖは粒径に
は支配されなくなる。従って、大きな活性化体積Ｖを持
つことが可能であり、結晶質材料に比べて、熱揺らぎの
影響を受け難いと予想されるからである。
めに、非晶質の垂直磁気記録媒体に着目した。非晶質材
料では結晶粒が存在しないため、活性化体積Ｖは粒径に
は支配されなくなる。従って、大きな活性化体積Ｖを持
つことが可能であり、結晶質材料に比べて、熱揺らぎの
影響を受け難いと予想されるからである。
【０００９】非晶質の垂直磁気記録媒体としては、光磁
気記録媒体がよく知られている。しかしながら、光磁気
記録媒体では、重希土類金属と３ｄ遷移金属の合金が用
いられており、室温付近に補償温度を調整して保磁力Ｈ
ｃを発散させ、記録を保持している。そのため、室温で
は、重希土類金属と３ｄ遷移金属の磁気モーメントは打
ち消しあい、飽和磁化Ｍｓは小さく、磁気ヘッドで記録
再生する磁気記録媒体には使用できない。これは、磁気
ヘッドで記録再生される磁気記録媒体では、大きな飽和
磁化を有し、室温である程度の保磁力を有するものでな
ければならないからである。
気記録媒体がよく知られている。しかしながら、光磁気
記録媒体では、重希土類金属と３ｄ遷移金属の合金が用
いられており、室温付近に補償温度を調整して保磁力Ｈ
ｃを発散させ、記録を保持している。そのため、室温で
は、重希土類金属と３ｄ遷移金属の磁気モーメントは打
ち消しあい、飽和磁化Ｍｓは小さく、磁気ヘッドで記録
再生する磁気記録媒体には使用できない。これは、磁気
ヘッドで記録再生される磁気記録媒体では、大きな飽和
磁化を有し、室温である程度の保磁力を有するものでな
ければならないからである。
【００１０】一方、軽希土類金属と３ｄ遷移金属の合金
では、磁気モーメントが平行に結合するため、大きな飽
和磁化Ｍｓが得られる。このような例として特開平５−
５４３５８号公報の実施例にＮｄ15Ｃｏ85非晶質合金膜
が報告されている。しかしながら、このような合金薄膜
を使用すると、媒体ノイズが低下することは報告されて
いるが、熱揺らぎの影響については記載されていない。
また、明細書には明確な記載はないが、記載されている
媒体ノイズの原因及び上記の合金組成から、面内磁気記
録媒体と推測される。
では、磁気モーメントが平行に結合するため、大きな飽
和磁化Ｍｓが得られる。このような例として特開平５−
５４３５８号公報の実施例にＮｄ15Ｃｏ85非晶質合金膜
が報告されている。しかしながら、このような合金薄膜
を使用すると、媒体ノイズが低下することは報告されて
いるが、熱揺らぎの影響については記載されていない。
また、明細書には明確な記載はないが、記載されている
媒体ノイズの原因及び上記の合金組成から、面内磁気記
録媒体と推測される。
【００１１】また、軽希土類金属と３ｄ遷移金属の合金
で、非晶質の垂直磁気記録媒体としては、ＰｒＣｏの例
が報告されている（「ＭＡＧＮＥＴＩＺＡＴＩＯＮ、
ＣＵＲＩＥ ＴＥＭＰＥＲＡＴＵＲＥ ＡＮＤ ＰＥＲ
ＰＥＮＤＩＣＵＬＡＲ ＭＡＧＮＥＴＩＣ ＡＮＩＳＯ
ＴＲＯＰＹ ＯＦ ＥＶＡＰＯＲＡＴＥＤ Ｃｏ−ＲＡ
ＲＥ ＥＡＲＴＨ ＡＭＯＲＰＨＯＵＳ ＡＬＬＯＹ
ＦＩＬＭＳ」Ｍ．ＴＡＫＡＨＡＳＨＩ ｅｔ ａｌ．
Ｊ．ＭＡＧＮＥＴＩＺＭ ＡＮＤ ＭＡＧＮＥＴＩＣ
ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ Ｖｏｌ．７５ ｐｐ２５２−２６
２ １９８８）。しかしながら、上記のＰｒＣｏについ
て、実際に磁気記録媒体を作成して特性を測定したとこ
ろ、非晶質でかつ垂直磁気異方性を示す全組成領域にお
いて、保磁力Ｈｃが約２００Ｏｅと小さく、磁気記録媒
体として使用することができなかった。
で、非晶質の垂直磁気記録媒体としては、ＰｒＣｏの例
が報告されている（「ＭＡＧＮＥＴＩＺＡＴＩＯＮ、
ＣＵＲＩＥ ＴＥＭＰＥＲＡＴＵＲＥ ＡＮＤ ＰＥＲ
ＰＥＮＤＩＣＵＬＡＲ ＭＡＧＮＥＴＩＣ ＡＮＩＳＯ
ＴＲＯＰＹ ＯＦ ＥＶＡＰＯＲＡＴＥＤ Ｃｏ−ＲＡ
ＲＥ ＥＡＲＴＨ ＡＭＯＲＰＨＯＵＳ ＡＬＬＯＹ
ＦＩＬＭＳ」Ｍ．ＴＡＫＡＨＡＳＨＩ ｅｔ ａｌ．
Ｊ．ＭＡＧＮＥＴＩＺＭ ＡＮＤ ＭＡＧＮＥＴＩＣ
ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ Ｖｏｌ．７５ ｐｐ２５２−２６
２ １９８８）。しかしながら、上記のＰｒＣｏについ
て、実際に磁気記録媒体を作成して特性を測定したとこ
ろ、非晶質でかつ垂直磁気異方性を示す全組成領域にお
いて、保磁力Ｈｃが約２００Ｏｅと小さく、磁気記録媒
体として使用することができなかった。
【００１２】このような状況に対して、更に検討を行っ
た結果、他の特性を低化させること無く、保磁力Ｈｃを
増大する方法を見出した。
た結果、他の特性を低化させること無く、保磁力Ｈｃを
増大する方法を見出した。
【００１３】すなわち、本発明の磁気記録媒体の製造方
法は、基板にバイアス電圧を印加しながら、希土類−遷
移金属非晶質膜からなる垂直磁気異方性の磁気記録層を
形成することを特徴とするものである。
法は、基板にバイアス電圧を印加しながら、希土類−遷
移金属非晶質膜からなる垂直磁気異方性の磁気記録層を
形成することを特徴とするものである。
【００１４】さらに、前記バイアス電圧が、−５０Ｖか
ら＋５０Ｖの範囲の直流バイアス電圧であることを特徴
とするものである。
ら＋５０Ｖの範囲の直流バイアス電圧であることを特徴
とするものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。なお、ここでは、軽希土類金属としてＰｒを用
い、重希土類金属としてＴｂを用い、３ｄ遷移金属とし
てＣｏを用いて説明する。
する。なお、ここでは、軽希土類金属としてＰｒを用
い、重希土類金属としてＴｂを用い、３ｄ遷移金属とし
てＣｏを用いて説明する。
【００１６】図１は本発明による垂直磁気記録媒体の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【００１７】図１に示すように、垂直磁気記録媒体は、
基板１上に磁気記録層（磁性層）２、保護膜３を順に積
層したものである。基板１としてはガラス基板（コーニ
ング社製：＃７６２２）を用い、３×１０-7Ｔｏｒｒ以
下まで排気後、同一真空中で、磁性層２と保護膜３とを
順に形成する。ここでは磁性層２としてＰｒＴｂＣｏ合
金膜を使用し、保護膜３にはＴａ膜を使用した。なお、
ここで使用したＰｒＴｂＣｏ合金膜の組成をＰｒ7Ｔｂ
10Ｃｏ83とし、Ｃｏターゲット上にＰｒおよびＴｂのペ
レットを配置した複合ターゲットを用いて作成した。
基板１上に磁気記録層（磁性層）２、保護膜３を順に積
層したものである。基板１としてはガラス基板（コーニ
ング社製：＃７６２２）を用い、３×１０-7Ｔｏｒｒ以
下まで排気後、同一真空中で、磁性層２と保護膜３とを
順に形成する。ここでは磁性層２としてＰｒＴｂＣｏ合
金膜を使用し、保護膜３にはＴａ膜を使用した。なお、
ここで使用したＰｒＴｂＣｏ合金膜の組成をＰｒ7Ｔｂ
10Ｃｏ83とし、Ｃｏターゲット上にＰｒおよびＴｂのペ
レットを配置した複合ターゲットを用いて作成した。
【００１８】次に、ＰｒＴｂＣｏ合金膜およびＴａ膜の
成膜方法および成膜条件について説明する。
成膜方法および成膜条件について説明する。
【００１９】ＰｒＴｂＣｏ合金膜およびＴａ膜のいずれ
もＤＣマグネトロンスパッタ法を用い、Ａｒガス圧＝５
ｍＴｏｒｒ一定として、ＰｒＴｂＣｏ合金膜はＰｏｗｅ
ｒ＝６２０ｍＷ／ｃｍ2、Ｔａ膜はＰｏｗｅｒ＝８６ｍ
Ｗ／ｃｍ2の成膜条件で形成した。その際、ＰｒＴｂＣ
ｏ合金膜形成時にのみ、基板１表面に−１００Ｖから＋
１００ＶのＤＣ（直流）バイアス電圧を印加した。ま
た、ＰｒＴｂＣｏ合金膜の膜厚は約６００Å、Ｔａ膜の
膜厚は１００Åとした。
もＤＣマグネトロンスパッタ法を用い、Ａｒガス圧＝５
ｍＴｏｒｒ一定として、ＰｒＴｂＣｏ合金膜はＰｏｗｅ
ｒ＝６２０ｍＷ／ｃｍ2、Ｔａ膜はＰｏｗｅｒ＝８６ｍ
Ｗ／ｃｍ2の成膜条件で形成した。その際、ＰｒＴｂＣ
ｏ合金膜形成時にのみ、基板１表面に−１００Ｖから＋
１００ＶのＤＣ（直流）バイアス電圧を印加した。ま
た、ＰｒＴｂＣｏ合金膜の膜厚は約６００Å、Ｔａ膜の
膜厚は１００Åとした。
【００２０】そこで、上述の方法で形成されたＰｒＴｂ
Ｃｏ合金膜の垂直方向の保磁力Ｈｃ⊥および飽和磁化Ｍ
sの基板印加ＤＣバイアス電圧依存性を図２、３に示
し、ＰｒＴｂＣｏ合金膜の垂直磁気異方性Ｋ⊥の基板印
加ＤＣバイアス電圧依存性を図４に示す。
Ｃｏ合金膜の垂直方向の保磁力Ｈｃ⊥および飽和磁化Ｍ
sの基板印加ＤＣバイアス電圧依存性を図２、３に示
し、ＰｒＴｂＣｏ合金膜の垂直磁気異方性Ｋ⊥の基板印
加ＤＣバイアス電圧依存性を図４に示す。
【００２１】図２に示すように、ＰｒＴｂＣｏ合金膜
は、バイアス電圧無印加時においてもＨｃ⊥は大きく、
さらに、基板印加ＤＣバイアス電圧が−５０Ｖ〜＋５０
Ｖの範囲では、垂直方向の保磁力Ｈｃ⊥がバイアス電圧
無印加時よりも大きくなっている。しかし、それ以上の
正および負のＤＣバイアス電圧印加では、垂直方向の保
磁力Ｈｃ⊥はバイアス電圧無印加時よりも小さくなって
しまう。
は、バイアス電圧無印加時においてもＨｃ⊥は大きく、
さらに、基板印加ＤＣバイアス電圧が−５０Ｖ〜＋５０
Ｖの範囲では、垂直方向の保磁力Ｈｃ⊥がバイアス電圧
無印加時よりも大きくなっている。しかし、それ以上の
正および負のＤＣバイアス電圧印加では、垂直方向の保
磁力Ｈｃ⊥はバイアス電圧無印加時よりも小さくなって
しまう。
【００２２】また、図３および図４に示すように、飽和
磁化Ｍｓおよび垂直磁気異方性Ｋ⊥については基板ＤＣ
バイアス電圧印加による変化はほとんど見られない。
磁化Ｍｓおよび垂直磁気異方性Ｋ⊥については基板ＤＣ
バイアス電圧印加による変化はほとんど見られない。
【００２３】以上より、ＰｒＴｂＣｏ合金膜の成膜時
に、基板に−５０Ｖ〜＋５０ＶのＤＣバイアス電圧を印
加することにより、他の特性を低化させること無く、垂
直方向の保磁力Ｈｃ⊥を増大することが可能となり、従
来の結晶質媒体よりも熱的安定性に優れた垂直磁気記録
媒体を作成することができる。
に、基板に−５０Ｖ〜＋５０ＶのＤＣバイアス電圧を印
加することにより、他の特性を低化させること無く、垂
直方向の保磁力Ｈｃ⊥を増大することが可能となり、従
来の結晶質媒体よりも熱的安定性に優れた垂直磁気記録
媒体を作成することができる。
【００２４】本発明の特徴は、飽和磁化は大きいもの
の、十分な保磁力を有しない希土類−遷移金属非晶質膜
において、磁性層成膜時に、基板にバイアス電圧を印加
することにより、高飽和磁化と高保磁力を両立させ得る
ことにある。
の、十分な保磁力を有しない希土類−遷移金属非晶質膜
において、磁性層成膜時に、基板にバイアス電圧を印加
することにより、高飽和磁化と高保磁力を両立させ得る
ことにある。
【００２５】希土類―遷移金属非晶質膜の材料について
は、特願平１１−１８１０４０号、特願平１１−１８１
０４１号、特願平１１−２６４９６１号にてすでに出願
している。従って、磁性層２としては、上述したＰｒＴ
ｂＣｏ合金膜に限定されるものではなく、Ｐｒ以外の軽
希土類金属（例えば、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ）、Ｔｂ以外の
重希土類金属（Ｇｄ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｄｙ）、Ｃｏ以外の
３ｄ遷移金属（Ｆｅ）を用いても構わず、同様の効果を
得ることができる。
は、特願平１１−１８１０４０号、特願平１１−１８１
０４１号、特願平１１−２６４９６１号にてすでに出願
している。従って、磁性層２としては、上述したＰｒＴ
ｂＣｏ合金膜に限定されるものではなく、Ｐｒ以外の軽
希土類金属（例えば、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ）、Ｔｂ以外の
重希土類金属（Ｇｄ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｄｙ）、Ｃｏ以外の
３ｄ遷移金属（Ｆｅ）を用いても構わず、同様の効果を
得ることができる。
【００２６】また、上述では、保護膜３としてＴａ膜を
用いたが、炭素、アルミナ等の他の無機材料でも使用可
能であり、その膜厚についても、１００Å以外でもよい
ことは明らかである。
用いたが、炭素、アルミナ等の他の無機材料でも使用可
能であり、その膜厚についても、１００Å以外でもよい
ことは明らかである。
【００２７】さらにまた、その上に潤滑層を形成して使
用することも可能である。さらに、基板１と磁性層２と
の間に酸化防止層等を追加することも可能である。
用することも可能である。さらに、基板１と磁性層２と
の間に酸化防止層等を追加することも可能である。
【００２８】また、上記では、基板１としてガラス基板
を用いたが、アルミ合金、セラミックス、プラスチック
等の他の基板、あるいは、これらに表面処理を施した基
板等を使用することもできる。また、ガラス基板のよう
にリジッドな基板のみならず、フレキシブルな基板を使
用することも可能である。
を用いたが、アルミ合金、セラミックス、プラスチック
等の他の基板、あるいは、これらに表面処理を施した基
板等を使用することもできる。また、ガラス基板のよう
にリジッドな基板のみならず、フレキシブルな基板を使
用することも可能である。
【００２９】また、垂直磁気記録媒体の他の例として、
基板１と磁性層２との間に他の磁性層を形成し、磁気ヘ
ッドと他の磁性層により記録層となる磁性層２を挟み込
む形態の媒体が考えられる。なお、他の磁性層には、Ｎ
ｉ-Ｆｅ合金膜、Ｃｏ-Ｆｅ合金膜、Ｆｅ-Ａｌ-Ｓｉ合金
膜、Ｃｏ-Ｚｒ-Ｎｂ合金膜などを用いる。
基板１と磁性層２との間に他の磁性層を形成し、磁気ヘ
ッドと他の磁性層により記録層となる磁性層２を挟み込
む形態の媒体が考えられる。なお、他の磁性層には、Ｎ
ｉ-Ｆｅ合金膜、Ｃｏ-Ｆｅ合金膜、Ｆｅ-Ａｌ-Ｓｉ合金
膜、Ｃｏ-Ｚｒ-Ｎｂ合金膜などを用いる。
【００３０】このようにすることにより、記録にリング
型磁気ヘッドを用いた場合にも、垂直方向に急峻な記録
を行うことができる。また、記録に単磁極ヘッドを用い
た場合には、他の磁性層は２つ目の磁極の役割を果たす
ので、リング型磁気ヘッドを用いた場合よりもトラック
幅方向の磁界の漏れが少ないため、トラックピッチを狭
くでき、さらに記録密度を高めることが可能となる。
型磁気ヘッドを用いた場合にも、垂直方向に急峻な記録
を行うことができる。また、記録に単磁極ヘッドを用い
た場合には、他の磁性層は２つ目の磁極の役割を果たす
ので、リング型磁気ヘッドを用いた場合よりもトラック
幅方向の磁界の漏れが少ないため、トラックピッチを狭
くでき、さらに記録密度を高めることが可能となる。
【００３１】
【発明の効果】以上のように、本発明では、ＰｒＴｂＣ
ｏ合金膜の成膜時に、基板にバイアス電圧を印加するこ
とにより、他の特性を低化させること無く、垂直方向の
保磁力を増大することが可能となり、従来の結晶質媒体
よりも熱的安定性に優れた垂直磁気記録媒体を作成する
ことができる。
ｏ合金膜の成膜時に、基板にバイアス電圧を印加するこ
とにより、他の特性を低化させること無く、垂直方向の
保磁力を増大することが可能となり、従来の結晶質媒体
よりも熱的安定性に優れた垂直磁気記録媒体を作成する
ことができる。
【図１】本発明における磁気記録媒体の構造を示す断面
図である。
図である。
【図２】ＰｒＴｂＣｏ合金膜のＨｃ⊥の基板印加ＤＣバ
イアス電圧依存性を示す図である。
イアス電圧依存性を示す図である。
【図３】ＰｒＴｂＣｏ合金膜のＭsの基板印加ＤＣバイ
アス電圧依存性を示す図である。
アス電圧依存性を示す図である。
【図４】ＰｒＴｂＣｏ合金膜のＫ⊥の基板印加ＤＣバイ
アス電圧依存性を示す図である。
アス電圧依存性を示す図である。
１ 基板 ２ 磁気記録層（磁性層） ３ 保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 秀和 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 南方 量二 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 5D112 AA05 BB01 FA04 FB26
Claims (1)
- 【請求項１】 基板にバイアス電圧を印加しながら、希
土類−遷移金属非晶質膜からなる垂直磁気異方性の磁気
記録層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法。 【請求請２】 前記バイアス電圧が、−５０Ｖから＋５
０Ｖの範囲の直流バイアス電圧であることを特徴とする
請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28632299A JP2001110051A (ja) | 1999-10-07 | 1999-10-07 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28632299A JP2001110051A (ja) | 1999-10-07 | 1999-10-07 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001110051A true JP2001110051A (ja) | 2001-04-20 |
Family
ID=17702894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28632299A Pending JP2001110051A (ja) | 1999-10-07 | 1999-10-07 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001110051A (ja) |
-
1999
- 1999-10-07 JP JP28632299A patent/JP2001110051A/ja active Pending
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