JP2001196344A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
素化を図るとともに、大形の基板を処理する場合にも駆
動機構の負担を極力軽減することができる基板処理装置
を提供する。 【解決手段】 基板Wを湾曲した状態で支持する回転支
持板21に上部回転板33を着脱自在に連結する。基板
Wの周縁に係合する駆動ピン22は上部回転板33の支
持機構を兼ねている。上部回転板33はリング状で軽量
化されているので、単一のモータ27で回転支持板21
および上部回転板33を駆動できる。回転支持板21と
上部回転板33との間隙は外周端が絞られて、不活性ガ
スの使用量を軽減するようになっている。
Description
ラス基板や半導体ウエハなどの基板を水平面内で回転さ
せながら洗浄処理や乾燥処理などの所要の処理を施す基
板処理装置に係り、特にサイズの大きな基板を処理する
のに適した基板処理装置に関する。
えば特開平9−330904号公報に開示された装置を
図7を参照して説明する。この基板処理装置は、半導体
ウエハなどの基板Wを水平面内で回転させながら、基板
Wの表裏面に薬液処理、洗浄処理、乾燥処理をその順に
施す装置である。この基板処理装置は、基板Wを水平姿
勢で保持する回転支持板1を備えている。回転支持板1
は平面視で円形状の平板であって、その上面に基板Wの
外周縁に係合して基板Wを支持する複数個の駆動ピン2
が立設されている。この駆動ピン2は、基板Wを支える
大径の円柱状のピン下部2aと、基板Wの側縁に当接す
る小径の円柱状のピン上部2bとが一体に連結した段付
き構造になっている。
り、この開口1aに筒軸3が連結固定されている。この
筒軸3はベルト機構4を介してモータ5に連結されてい
る。筒軸3の中心に沿って液ノズル6が配設されてお
り、この液ノズル6の先端が基板Wの下面中心部に臨ん
でいる。液ノズル6は薬液供給源および洗浄液供給源に
選択的に接続されるようになっている。また、筒軸3と
液ノズル6との間隙は窒素ガスなどの不活性ガス供給源
に連通接続されている。
するように上部回転板7が配設されている。この上部回
転板7も回転支持板1と同様に平面視で円形状の平板で
ある。回転支持板1と同様に、上部回転板7の回転中心
部に開口7aがあり、この開口7aに筒軸8が連結固定
されている。この筒軸8はモータ9の出力軸に連結され
ている。筒軸8の中心に沿って液ノズル10が配設され
ており、この液ノズル10の先端が基板Wの上面中心部
に臨んでいる。液ノズル6の場合と同様に、液ノズル1
0も薬液供給源および洗浄液供給源に選択的に接続され
ており、また、筒軸8と液ノズル10との間隙は不活性
ガス供給源に連通接続されている。
部回転板7を囲むようにカップ11が配設されており、
このカップ11の底部に排気管12が連通接続されてい
る。
れば、次のように基板処理が行われる。まず、上部回転
板7が上方に退避した状態で、回転支持板1に基板Wが
載置される。この基板Wは駆動ピン2によって支持され
る。続いて、上部回転板7が回転支持板1に対向する位
置(図7の状態)にまで下降する。この状態でモータ5
および9が始動して、回転支持板1および上部回転板7
をそれぞれ同期して回転する。回転支持板1の回転に伴
って、その回転力が駆動ピン2を介して基板Wに伝達さ
れ、基板Wも回転支持板1および上部回転板7と同期し
て回転する。基板Wの回転数が所定値に達すると、上下
の開口1a,7aから不活性ガスを導入しながら、上下
の液ノズル6,10から薬液および洗浄液をその順に供
給して、基板Wの表裏面の処理を行う。基板Wの薬液処
理および洗浄処理が終わると、基板Wを回転させながら
不活性ガスだけを導入して、基板Wの乾燥処理を行う。
間、回転支持板1と上部回転板7とで区画された偏平な
処理空間S内で基板Wが処理される。基板Wに供給され
た薬液や洗浄液は不活性ガスとともに、回転支持板1お
よび上部回転板7の回転による遠心力によって外方に追
いやられて処理空間Sの外周端から排出され、カップ1
1の底部に連通する排気管12から排出される。このと
き基板Wから振り切られた薬液や洗浄液がカップ11の
内面に当たって飛散したとしても、基板Wの上下は回転
支持板1と上部回転板7に覆われているので、薬液や洗
浄液のミストで基板Wが汚染されることがない。また、
処理空間Sからは不活性ガスが絶えず噴出しているの
で、ミストが処理空間S内に侵入して基板Wを汚染する
こともない。
れた効果を奏するものであるが、次のような問題点も指
摘されている。すなわち、液ノズル6から噴出された薬
液や洗浄液が開口1aから内部へ侵入すると、乾燥処理
のときに開口1aから噴出される不活性ガスとともに、
薬液などの液滴が上方に飛び散って基板Wの下面を汚染
するおそれがある。このような問題点を解決するため
に、例えば特開平10−135178号に開示された基
板処理装置では、図8に示すように、液ノズル6の先端
部周囲に傘状部材13を一体に取り付けて、回転支持板
1の開口1aを上方から覆うことにより、開口1aに薬
液などが侵入しないようしている。
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、図7に示した従来装置は、回転支持板
1と上部回転板7とを個別に同期させて回転駆動してい
る関係で、上下に二つの駆動機構(図7に示したモータ
5,9など)を備える必要があり、それだけ装置構成が
複雑化するという問題点がある。
どの基板の大径化に伴い、回転支持板1や上部回転板7
が大形化して、その重量が増加していることである。特
に、液晶表示器用の矩形状のガラス基板の場合には、そ
の外形が850mm×1000mmにも及ぶので、この
ような角形基板が載置される回転支持板1や上部回転板
7は著しく大きくなる。回転支持板1や上部回転板7の
大形化に伴い、これらを駆動する駆動機構も大形化し
て、装置の製造コストが嵩むという問題を引き起こして
いる。
たものであって、回転支持板と上部回転板とで基板を上
下から挟んだ状態で処理を行う基板処理装置において、
回転支持板および上部回転板の駆動機構の簡素化を図る
とともに、大形の基板を処理する場合にも駆動機構の負
担を極力軽減することができる基板処理装置を提供する
ことを主たる目的としている。
のような目的を達成するために、次のような構成をと
る。 (1)請求項1に記載の発明は、基板を回転させながら
基板に所要の処理を施す基板処理装置において、基板を
支持した状態で回転する、基板と同等以上の大きさの回
転支持板と、前記回転支持板を回転駆動する駆動手段
と、基板を挟んで前記回転支持板に対向して配置され、
基板の周縁領域を覆うリング状の上部回転板と、前記回
転支持板と前記上部回転板との間隙に回転中心側から不
活性ガスを導入する不活性ガス導入手段とを備え、前記
上部回転板は、前記回転支持板と一体回転可能に前記回
転支持板に支持されていることを特徴とする。
基板を支持した回転支持板を駆動手段が回転駆動する
と、回転支持板に一体回転可能に支持された上部回転板
も回転支持板とともに回転する。この状態で回転支持板
と上部回転板との間隙に不活性ガス導入手段から不活性
ガスを導入しながら、回転している基板に所要の処理が
施される。回転中心側から導入された不活性ガスは、回
転支持板と上部回転板との間隙を半径方向に流通して、
その間隙の外周端から排出される。上部回転板は回転支
持板に一体回転可能に支持されているので、回転支持板
と上部回転板とを単一の駆動手段で回転駆動することが
でき、それだけ駆動機構の構成を簡素化することができ
る。また、液晶表示器用の角形ガラス基板のような大形
の基板であっても、上部回転板はリング状であるので、
上部回転板の重量増加は最小限度に抑えられ、駆動機構
の負担を軽減することもできる。
に記載の基板処理装置において、前記回転支持板と前記
上部回転板との間隙は外周端側で絞られて、その上下の
間隔が回転中心側のそれよりも狭くなっている。
回転支持板と上部回転板との間隙が外周端側で絞られて
狭くなっているので、不活性ガスの排出量が規制され
る。つまり、不活性ガスの消費量を低減することができ
る。しかも、間隙の外周端が絞られることにより、その
部分で不活性ガスの流速が上がるので、外部から間隙へ
のミストの侵入を一層抑制することができる。因みに、
図7に示した従来装置によれば、回転支持板1と上部回
転板7との間隙の上下幅は一定であるので、大形の基板
を処理すると、不活性ガスの消費量が膨大になる。
または請求項2に記載の基板処理装置において、前記上
部回転板の中央開口部に、この開口部を介して前記間隙
に導入される不活性ガスの流量を規制する流路抵抗部材
が設けられている。
上部回転板の中央開口部に流路抵抗部材が設けられてい
るので、この流路抵抗部材を介して間隙へ流れ込む不活
性ガスの流入量が規制され、不活性ガスの使用量を低減
することができる。
ないし請求項3のいずれかに記載の基板処理装置におい
て、前記回転支持板が、回転中心側から半径方向外側に
向けてせり上がった傾斜部を備えている。
回転支持板が、回転中心側から半径方向外側に向けてせ
り上がった傾斜部を備えているので、比較的に板厚の薄
い回転支持板であっても剛性が大きくなり、回転支持板
が撓みにくくなる。また、回転支持板を薄くして軽量化
することができるので、駆動手段の負荷を一層軽減する
ことができる。
ないし請求項4のいずれかに記載の基板処理装置におい
て、前記上部回転板が、前記回転支持板に着脱自在に支
持されている。
回転支持板上に基板を載置するときは、上部回転板が取
り外され、基板に処理を施すときは、上部回転板が回転
支持板上に取り付けられる。したがって、回転支持板へ
の基板の搬入・搬出を容易に行うことができる。
に記載の基板処理装置において、前記回転支持板には、
基板の周縁に係合して基板に回転力を伝える複数個の駆
動ピンが立設されており、前記駆動ピンが、前記上部回
転板を前記回転支持板に着脱自在に支持する支持機構を
兼ねている。
基板に回転力を伝えるために回転支持板に立設された駆
動ピンが上部回転板の支持機構を兼ねるので、上部回転
板を支持する個別の機構を回転支持板に設ける必要がな
くなる。その結果、回転支持板が回転したときの気流の
乱れも最小限度に抑えられるので、基板の処理が安定す
る。
のような課題解決手段も開示している。
処理を施す基板処理装置において、基板を支持した状態
で回転する、基板と同等以上の大きさの回転支持板と、
前記回転支持板を回転駆動する駆動手段と、前記回転支
持板に立設され、基板の周縁に係合して回転力を基板に
伝える駆動ピンと、基板下面から基板を支える支持ピン
とを備え、前記駆動ピンと前記支持ピンとを使って、基
板の回転中心部が低くなるように、基板を湾曲させた状
態で支えることを特徴とする基板処理装置。
ように大型の基板では、基板の周縁部を駆動ピンだけで
支えるのは困難である。そのため、駆動ピンの他に基板
の回転中心側で基板下面から基板を支える複数本の支持
ピンが回転支持板上に立設されている。このような駆動
ピンと支持ピンとを使って基板が回転支持板に対して面
平行になるように支持されている。しかしながら、機械
精度上の限界から、大形の基板の全体を完全に水平状態
に支えるのは困難であり、僅かではあるが基板は局部的
に波打った状態で支持される。このような支持状態で回
転支持板を高速回転させて処理を行うと、波打った基板
が回転中に振動し、これに起因して基板が駆動ピンなど
から脱落することもある。
に、前記(7)の発明は、基板を回転支持板に対して面
平行に支えるのではなく、駆動ピンと支持ピンとを使っ
て、基板の回転中心部が低くなるように、基板を湾曲し
た状態で支える。大形の基板の全体を完全に水平状態で
支持するのに比べて、基板を積極的に湾曲させて支える
方が機械的な精度をあまり必要とせずに、回転中心に対
して基板をバランスさせることが容易である。その結
果、回転支持板を高速回転させたときに、基板の振動が
少なくなり、基板を円滑に処理することができる。
前記回転支持板の上面を水平にし、かつ、前記駆動ピン
の高さを前記支持ピンのそれよりも高くすることによ
り、前記駆動ピンが基板の周縁に係合する位置が、前記
支持ピンが基板下面を支持する位置よりも高く設定され
ている基板処理装置。
に、基板を湾曲させた状態で支えることができる。
前記回転支持板は回転中心側から半径方向外側に向かっ
てせり上がった傾斜部を備え、ほぼ同じ高さの前記駆動
ピンと支持ピンとが上り傾斜方向に設けられることによ
り、前記駆動ピンが基板の周縁に係合する位置が、前記
支持ピンが基板下面を支持する位置よりも高く設定され
ている基板処理装置。
に、基板を湾曲させた状態で支えることができる。
の処理を施す基板処理装置において、基板を支持した状
態で回転する、基板と同等以上の大きさの回転支持板
と、前記回転支持板を回転駆動する駆動手段と、前記回
転支持板に立設され、基板の周縁に係合して回転力を基
板に伝える駆動ピンと、基板下面から基板を支える支持
ピンとを備え、前記駆動ピンと前記支持ピンとを使っ
て、基板の回転中心部が高くなるように、基板を湾曲さ
せた状態で支えることを特徴とする基板処理装置。
(7)に記載の発明と同様であるので、ここでの説明は
省略する。
て、前記回転支持板の上面を水平にし、かつ、前記駆動
ピンの高さを前記支持ピンのそれよりも低くすることに
より、前記駆動ピンが基板の周縁に係合する位置が、前
記支持ピンが基板下面を支持する位置よりも低く設定さ
れている基板処理装置。
に、基板を湾曲させた状態で支えることができる。
て、前記回転支持板は回転中心側から半径方向外側に向
けて下がった傾斜部を備え、ほぼ同じ高さの前記駆動ピ
ンと支持ピンとが前記下り傾斜方向に設けられることに
より、前記駆動ピンが基板の周縁に係合する位置が、前
記支持ピンが基板下面を支持する位置よりも高く設定さ
れている基板処理装置。
に、基板を湾曲させた状態で支えることができる。
の処理を施す基板処理装置において、基板を支持した状
態で回転する、基板と同等以上の大きさの回転支持板
と、前記回転支持板を回転駆動する駆動手段と、前記回
転支持板に立設され、基板の周縁に係合して基板に回転
力を伝える複数個の駆動ピンとを備え、前記各駆動ピン
は、錐台状のピン下部と逆錐台状のピン上部とが連結し
た形状を呈し、その中央の窪んだ部位で基板の周縁と係
合している基板処理装置。
駆動ピンは、大径の円柱状のピン下部と小径の円柱状の
ピン上部とが連結した段付きピン構造であり、基板の周
縁と駆動ピンと接触部分に気流が当たりにくいので、そ
の部分に付着した洗浄液が乾燥されにくいという問題が
ある。
に、(13)に記載の発明では駆動ピンがいわゆる鼓状
になっている。すなわち、回転支持板が高速回転された
ときに、ピン下部とピン上部の各々の傾斜面(錐台・逆
錐台の傾斜した周面)が気流を中央の窪んだ部位に導く
ので、その部分に付着した洗浄液の乾燥が促進される。
の処理を施す基板処理装置において、基板を支持した状
態で回転する、基板と同等以上の大きさの回転支持板
と、前記回転支持板を回転駆動する駆動手段と、前記回
転支持板に立設され、基板の周縁に係合して基板に回転
力を伝える複数個の駆動ピンとを備え、前記各駆動ピン
は、前記回転支持板の回転中心周りに円形状に配置され
ている基板処理装置。
に、各駆動ピンは同じ円形軌道を通過するので、駆動ピ
ンの移動に起因した気流の乱れが少なくなり、基板の処
理が安定する。
て、前記回転支持板の回転中心周りに円形状に配置され
た複数個の駆動ピン(外側駆動ピン)の他に、前記各駆
動ピンよりも回転中心側で基板の周縁に係合する内側駆
動ピンを備え、この内側駆動ピンは回転半径方向に延び
るアームを介して、前記外側駆動ピンと同じ回転半径に
なる、前記回転支持板上の位置に連結されている。
ンの連結部位が同じ円形軌道を通過するので、駆動ピン
の移動に起因した気流の乱れが少なくなり、基板の処理
が安定する。
の処理を施す基板処理装置において、基板を支持した状
態で回転する、基板と同等以上の大きさの回転支持板
と、前記回転支持板を回転駆動する駆動手段と、前記回
転支持板に立設され、基板の周縁に係合して基板に回転
力を伝える複数個の駆動ピンと、前記回転支持板の回転
中心に沿って設けられ、基板下面に向けて処理液を噴出
する液ノズルと、前記液ノズルの周囲に設けられ不活性
ガスを噴出する気体噴出口と、この気体噴出口の上方を
覆うように、前記液ノズルの先端部に取り付けられる傘
状部材とを備え、さらに、この傘状部材を覆うととも
に、不活性ガスの流通孔を備えたリング状のカバー部材
を前記回転支持板に連結固定したことを特徴とする基板
処理装置。
液ノズルや傘状部材は回転支持板とともには回転しない
ので、液ノズルから噴出した液の一部が傘状部材に付着
して残留し、その液が次の乾燥処理のときに飛散して基
板の下面に付着して基板を汚染することがある。
に、(16)に記載の発明は、傘状部材をリング状のカ
バー部材で覆っている。液ノズルから噴出した液の一部
がカバー部材の内外に付着しても、このカバー部材は回
転支持板に連結されており、回転支持板とともに高速回
転するので、付着した液は遠心力の作用によって円滑に
排出される。
の処理を施す基板処理装置において、基板を支持した状
態で回転する、基板と同等以上の大きさの回転支持板
と、基板を挟んで前記回転支持板に対向して配置される
上部回転板と、前記回転支持板と前記上部回転板とを回
転駆動する駆動手段と、前記回転支持板と前記上部回転
板との間隙に回転中心側から不活性ガスを導入する不活
性ガス導入手段と、前記回転支持板と前記上部回転板と
の間隙の外周端に臨んで開口するリング状の排気カップ
とを備え、前記排気カップは前記回転支持板の回転半径
方向内側へ絞り込まれて、前記回転支持板の回転軸と同
芯状の排気管に繋がり、この排気管を介して装置外の排
気手段に連通している基板処理装置。
ップがその底部の複数箇所にそれぞれ連通している排気
管を通して、装置外の排気手段に連通されて排気されて
いる。しかし、基板の大形化に伴い排気カップも大形化
すると、上記のような排気管を介したカップ内の排気で
は、回転支持板と上部回転板との間隙を、その外周端か
ら均等に排気することができないという問題が生じる。
に、(17)に記載の発明は、リング状の排気カップを
回転支持板の回転半径方向の内側に絞り込んで、回転支
持板の回転軸と同芯状の排気管に繋ぎ、この排気管を装
置外の排気手段に連通させている。すなわち、回転中心
に沿った単一の排気管が放射状に拡がって排気カップに
連通するので、排気カップ内に排気量の偏りが生じにく
く、回転支持板と上部回転板との間隙を、その外周端か
ら均等に排気することができる。
照して説明する。ここでは、液晶表示器用のガラス基板
の乾燥処理に用いられる基板処理装置を例に採って説明
する。ただし、本発明は、ガラス基板の処理に限らず、
半導体ウエハなどの各種の基板の処理にも適用すること
ができる。また、本発明が適用できる基板処理は、乾燥
処理に限らず、薬液処理や洗浄処理なども含む。さら
に、本発明装置は、単一の処理を行うものだけに限ら
ず、薬液処理、洗浄処理、および乾燥処理を同じ装置内
で連続して行うものや、洗浄処理と乾燥処理を同じ装置
内で連続して行うものなどにも適用可能である。
例の概略構成を示した縦断断面図、図2は回転支持板に
基板が載置された状態を示した平面図である。この基板
処理装置は、矩形状のガラス基板(以下、単に「基板」
という)Wを保持する回転支持板21を備えている。こ
の基板Wは、例えば縦横長さが850mm×1000m
mで、厚みが0.7mmの大形で薄い基板である。回転
支持板21は、基板と同等以上の大きさを有する平面視
で円形の板材で形成されている。具体的には、回転支持
板21の直径は基板Wの対角長さよりも長くなってお
り、本実施例ではその直径が約1500mmである。回
転支持板21は円形状のものに限らず、角形の基板Wに
合わせた矩形状であってもよいが、基板Wから飛散した
洗浄液のミストが回転中の回転支持板21などに再付着
するのを防止する上で、円形状が好ましい。
めに、厚さが1mm程度の薄いステンレス鋼板で形成さ
れている。そして、大形の基板Wや後述する上部回転板
33が載置されたときに、回転支持板21が鉛直方向に
撓まないようにするために、絞り込み加工が施されてき
る。具体的には回転支持板21は、回転中心側から半径
方向外側に向けてせりあがった傾斜部21aを備えてい
る。このような傾斜部21aを備えることにより、回転
支持板21を厚い板材で形成することなく、その撓み剛
性を簡単に向上させることができる。
側がリング状の平坦部21bになっており、この平坦部
21bに、基板Wの周縁に係合して回転力を基板Wに伝
える複数個の駆動ピン22が立設されている。さらに平
坦部21bの外側の外周部21cは下向きに傾斜してい
る。回転支持板21の回転中心側には、基板Wを下面か
ら支える複数本の支持ピン23が立設されている。これ
らの駆動ピン22および支持ピン23は、基板Wの中心
部が低く、かつ基板Wが滑らかに湾曲した状態で支えら
れるように、各々の高さが調節されている。本実施例で
は基板Wの中心部が周縁部に比べて5mm程度低くなっ
ている。因みに、大形の薄い角形基板Wを完全に水平に
支持するには多数の支持ピンが必要であり、また、精度
上の限界から困難を伴い、基板Wが局所的に波打った状
態で支持されやすい。このような状態で基板Wを高速回
転させると基板Wが振動するという不都合が生じる。本
実施例では、上記のように基板Wを滑らかに湾曲した状
態で支持することにより、基板Wの局所的な波打ち(凹
凸)を無くし、基板Wを高速回転させたときの基板Wの
振動を抑制している。
体噴出口)24が設けられている。この開口24に連通
するように、回転支持板21の下面に筒軸25が連結接
続されている。この筒軸25はベルト機構26を介して
モータ27に連結されている。このモータ27は本発明
における駆動手段に相当する。筒軸25の中心に沿って
液ノズル28が配設されており、この液ノズル28の先
端が基板Wの下面中心部に臨んでいる。液ノズル28は
開閉弁29を介して純水などの洗浄液を供給する洗浄液
供給源に接続されている。また、筒軸25と液ノズル2
8との間隙は流量調整弁30を介して窒素ガスなどの不
活性ガスを供給する不活性ガス供給源に連通接続されて
いる。
には、中央部が開口した傘状部材31が嵌め付け固定さ
れている。この傘状部材31によって回転支持板21の
開口24が覆われている。さらに、傘状部材31を覆う
ように、中央が開口した円錐台状のカバー部材32が傘
状部材31に近接して配備されている。カバー部材32
は回転支持板21に支持されて、回転支持板21と一体
回転するようになっている。カバー部材32の基部周面
には、開口24から噴出した不活性ガスを流通させるた
めの流通孔32aが開けられている。
ように上部回転板33が配設されている。この上部回転
板33は基板Wの周縁領域を覆うリング状を呈してお
り、中央部に直径が約600mm程度の大きな開口34
が開けられている。上部回転板33は半径方向外側に向
けて下り傾斜になった傾斜部33aを備え、この傾斜部
33aのさらに外側の外周部33bが下方に屈曲して回
転支持板21の外周部21cに対向している。回転支持
板21の外周部21cと上部回転板33の外周部33b
との間隙は半径方向外側に向けて狭くなっており、その
間隙の外周端であるリング状の排出口35から不活性ガ
スや基板Wから振り切られた洗浄液が排出されるように
なっている。排出口35は下向きに傾斜した状態で配設
されている。上述したような回転支持板21と上部回転
板33で挟まれた空間は、基板Wを処理する処理空間S
を構成している。
周囲には、外方に張り出した鍔部36をその上端に備え
た筒体37が連結されている。この鍔部36の下方から
L形アール38が鍔部36に当接して上下動することに
より、回転支持板21に支持される処理位置と、基板W
の搬入・搬出を許容する上方の退避位置とにわたって上
部回転板33が移動するようになっている。
に、上部回転板33とは別体の流路抵抗部材39が配設
されている。この流路抵抗部材39は、例えばステンレ
ス鋼板に多数の小孔を開けた、いわゆるパンチングプレ
ートであって、開口34を略閉塞する円形状を呈してい
る。流路抵抗部材39は、後述する本実施例装置の排気
構造を介した排気に伴う負圧に応じて、上部回転板33
の上方から引き込まれる不活性ガスの流れに抵抗を与え
て、処理空間S内に供給される不活性ガスの流量を制限
する役目を担っている。流路抵抗部材39は本実施例の
ようなパンチングプレートに限らず、例えば複数枚の板
材を鉛直方向に傾斜させて近接配置したものであっても
よく、好ましくは、このような板材の傾斜角度を変える
ことにより、流路抵抗を可変するようにしてもよい。
口40には、上部回転板33の場合と同様に、外方に張
り出した鍔部41をその上端に備えた筒体42が連結さ
れている。この鍔部41の下方からL形アール43が鍔
部41に当接して上下動することにより、上部回転板3
3の開口34を閉塞する処理位置と、基板Wの搬入・搬
出を許容する上方の退避位置とにわたって流路抵抗部材
39が移動するようになっている。また、流路抵抗部材
39の開口40を介して処理空間S内に挿入されて基板
Wの上面に純水などの洗浄液を供給する液ノズル44が
上下移動自在に設けられている。
る。回転支持板21と上部回転板33との間隙の外周端
である排出口35に臨んで開口したリング状の排気カッ
プ45が配設されている。この排気カップ45は、回転
支持板21の下方で回転支持板21の回転半径方向内側
へ絞り込まれて、回転支持板21の回転軸(本実施例で
は筒軸25)と同芯状の排気管46に繋がり、この排気
管46を介して装置外の排気手段に連通している。ま
た、排気カップ45の底部外周側には、不活性ガスとと
もに排出された洗浄液を排出するための排液管47が連
通接続されている。
4,図5を参照して説明する。上述したように駆動ピン
22は、基板Wの周縁に係合して回転支持板21の回転
力を基板Wに伝える。図2に示すように、本実施例装置
は、回転支持板21の回転中心Pの周りに円形状(図2
中に鎖線で示す)に配置された8個の外側駆動ピン22
1 と、これらの外側駆動ピン221 よりも回転中心側で
基板Wの周縁に係合する4個の内側駆動ピン222 とを
備えている。なお、本明細書では、外側駆動ピン221
と内側駆動ピン222 とを特に区別しない場合は、単に
駆動ピン22として説明している。8個の外側駆動ピン
221 はそれぞれ対になって基板Wの4つの角部周縁に
係合し、4個の内側駆動ピン222 は基板Wの4つの側
縁中央部にそれぞれ個別に係合する。
外側駆動ピン221 は、錘台状のピン下部221Lと逆錐
台状のピン上部221Uとが連結した、いわゆる鼓形状を
呈し、その中央の窪んだ部位221Cで基板Wの周縁と係
合する。ピン下部221Lとピン上部221Uとは上下に分
離可能に構成されている。そして、ピン下部221Lは回
転支持板21に、ピン上部221Uは上部回転板33に、
それぞれ固定して取り付けられている。ピン下部221L
の上面にはガイド孔22aが形成されている。このガイ
ド孔22aに嵌合する凸部22bがピン上部221Uの下
面に形成されている。上部回転板33がL型アーム38
によって処理位置にまで下降移動されたときに、ピン上
部221Uの凸部22bがピン下部221Lのガイド孔22
aに嵌合することにより、上部回転板33が回転支持板
21と一体回転可能に回転支持板21に支持されるよう
になっている。つまり、外側駆動ピン221 は、上部回
転板33を回転支持板21に着脱自在に支持する支持機
構を兼ねている。さらに、ピン下部221Lには凹部22
cと、これに連なる突起22dとが形成されており、基
板Wの下面周縁を突起22cで支持するようになってい
る。凹部22cは、基板Wの回転乾燥処理のときに不活
性ガスの流通を許容して、基板Wの下面周縁の乾燥を促
進させる。ピン下部221Lおよびピン上部221Uにそれ
ぞれ形成されている錘状部位の傾斜面22e,22f
は、基板Wの回転乾燥処理のときに外側駆動ピン221
に当たる不活性ガスを窪んだ部位221Cに案内して基板
Wの周縁に導くことにより、基板Wの周縁の乾燥を促進
させる。
内側駆動ピン222 も外側駆動ピン221 と同様に上下
に分離可能なピン下部222Lとピン上部222Uとによっ
て構成されている。ただし、ピン下部222Lは回転支持
板21に直接に取り付け固定されるのではなく、回転支
持板21の回転半径方向外側に延びる水平アーム22g
を介して回転支持板21に取り付けられている。水平ア
ーム22gの取り付け基部22hは、図2に示すよう
に、外側駆動ピン221 と同じ円形のライン(図2中に
鎖線で示す)上に配置されている。なお、角形基板Wの
長辺中央に係合する内側駆動ピン222 の水平アーム2
2gは、角形基板Wの端辺中央に係合する内側駆動ピン
222 の水平アーム22gに比べて、その長さが長くな
っている。このように外側駆動ピン211 と、内側駆動
ピン222 の取り付け基部22hとを同じ円形のライン
に沿って配置することにより、回転支持板21が回転し
たときに、外側駆動ピン211 と、内側駆動ピン222
の取り付け基部22hとが同じ円形軌道を移動するの
で、各ピンの移動に起因した気流の乱れが少なくなり、
それだけ基板Wの処理を安定して行うことができる。
作を順に説明する。乾燥処理の対象である角形基板Wが
本実施例装置に搬入されるとき、上部回転板33、流路
抵抗部材39、および液ノズル44は上方の退避位置に
ある。上部回転板33が退避位置にある状態で、駆動ピ
ン22は上下に分離されており、回転支持板21上には
ピン下部221L、222Lだけがある。図示しない基板搬
送ロボットで搬送されてきた基板Wは、支持ピン23、
および駆動ピン22のピン下部221L、222Lによって
受け持ち支持される。基板Wが搬入されると、退避位置
にあった上部回転板33、流路抵抗部材39、および液
ノズル44が処理位置にまで下降移動する。上部回転板
33が下降移動することにより、上部回転板33のピン
上部221U、222Uが回転支持板21のピン下部2
21L、222Lに嵌合連結し、基板Wの周縁が駆動ピン2
2によって係合される(図1の状態)。この状態で、基
板Wは回転中心部が低くなるように滑らかに湾曲した状
態で支持される。
が回転する。回転支持板21の回転力が駆動ピン22を
介して基板Wに伝達されて、基板Wが回転支持板21と
ともに回転する。さらに、回転支持板21の回転力は駆
動ピン22を介して上部回転板33に伝達され、上部回
転板33も回転支持板21とともに回転する。このと
き、回転支持板21側の液ノズル28から純水などの洗
浄液が、開口24から窒素ガスなどの不活性ガスが、そ
れぞれ噴出される。
手段が作動して排気カップ45が排気されることによ
り、上部回転板33の上方から窒素ガスなどの不活性ガ
スが流路抵抗部材39を介して処理空間S内へ引き込ま
れる。上下の液ノズル28,44から予め決められた短
い時間だけ洗浄液を噴出すると、後は洗浄液の供給が停
止されて、処理空間Sには不活性ガスだけが供給され
る。このように本実施例では、乾燥処理の初めの短い時
間だけ洗浄液を基板Wに供給して基板Wの表裏面を洗浄
液で再度濡らすことにより、基板Wの搬入時に既に付着
している洗浄液によって基板Wにウォーターマークが形
成されないようにしている。
板21が高速回転駆動されることにより、基板Wに付着
した洗浄液が振り切られる。基板Wから振り切られた洗
浄液のミストは不活性ガスの流れに乗って処理空間S内
を半径方向外側に流動し、回転支持板21と上部回転板
33の間隙の外周端である排出口35から排出される。
排出された洗浄液のミストを含む不活性ガスは排気カッ
プ45および排気管46を介して装置外へ排出される。
リング状の排気カップ45は、その中心に沿って配設さ
れた排気管46を介して吸引排気されるので、排気カッ
プ45の全周囲にわたって均一な排気を行うことができ
る。
の間隙(処理空間S)は外周端側で絞られて、その上下
の間隔が回転中心側のそれよりも狭くなっているので、
排出口35からの不活性ガスの排出量が規制される。こ
れに合わせて、回転支持板21側から処理空間S内へ供
給される不活性ガスの量も流量調整弁30によって調整
され、また、上部回転板33側から処理空間S内へ供給
される不活性ガスの量は流路抵抗部材39によって規制
されるので、不活性ガスの消費量を低減することができ
る。処理空間S内へ供給される不活性ガスの量が少なく
ても、処理空間Sが外周端側で絞り込まれているので、
不活性ガスは処理空間Sの外周側で流速が速くなり、排
出口35から勢いよく排出される。したがって、排出口
35から排出された洗浄液のミストが排出口35から侵
入して基板Wを汚染することもない。
33、流路抵抗部材39、および液ノズル44が退避位
置に戻されて、図示しない基板搬送ロボットによって処
理済の基板Wが装置外へ搬出される。以下、上述したと
同様に未処理の基板Wが搬入されて処理が繰り返し行わ
れる。
ような効果も奏する。仮に流路抵抗部材39が配設され
ておらず、上部回転板33の中心部の開口34が開放さ
れていると、基板Wの上面に大気圧が作用する。一方、
回転支持板21の高速回転に伴って基板Wの下方の処理
空間Sは負圧になる。その結果、基板Wの上下面の差圧
に相当する圧力が基板Wの上面に作用する。基板Wは大
形の薄いガラス基板であるので、この圧力によって破損
されるおそれがある。これに対して、本実施例によれば
上部回転板33の開口34に流路抵抗部材39を介在さ
せることにより、処理空間Sへ流入する不活性ガスの量
を規制している。その結果、基板Wの上方の処理空間S
も負圧になり、基板Wの上下面の差圧が小さくなる。し
たがって、基板Wの破損を防止することができる。
ような効果を奏する。すなわち、傘状部材31はカバー
部材32で覆われているので、液ノズル28から噴出さ
れた洗浄液の一部が落下しても、そのほとんどはカバー
部材32に付着する。傘状部材31は回転しないのに対
して、カバー部材32は回転支持板21と一体に回転す
る。したがって、カバー部材32に付着した洗浄液は即
座に振り切られ、カバー部材32に長く残留しないの
で、カバー部材32に付着した洗浄液が基板Wに再付着
することもない。また、傘状部材31とカバー部材32
との間隙に洗浄液が侵入したとしても、回転支持板21
の中心部開口24から噴出した不活性ガスがカバー部材
32の基部にある流通孔32aを通過流通する際に、前
記間隙に侵入した洗浄液を引き込んで即座に排出する。
したがって、傘状部材31とカバー部材32との間隙に
侵入した洗浄液もそこに長く滞留することがないので、
残留洗浄液による基板Wの汚染を防止することができ
る。
に変形実施することができる。 (1)上記実施例では駆動ピン22と支持ピン23の高
さを調整して、回転中心部が低くなるように基板Wを湾
曲した状態で支持した。本発明はこの例に限らず、例え
ば図6(a)〜(d)にそれぞれ示すように変形実施す
ることができる。
て単調にせり上がった傾斜部をもつ回転支持板21A
に、基板Wの支持位置が略同じ高さの駆動ピン22Aと
支持ピン23Aとを外周部と中心部とにそれぞれ立設す
ることにより、回転中心部が低くなくように基板Wを湾
曲した状態で支持した例である。
に、基板Wの支持位置が高く設定された駆動ピン22B
を外周部に、基板Wの支持位置が低く設定された支持ピ
ン23Bを中心部にそれぞれ立設することにより、回転
中心部が低くなくように基板Wを湾曲した状態で支持し
た例である。
に、基板Wの支持位置が低く設定された駆動ピン22C
を外周部に、基板Wの支持位置が高く設定された支持ピ
ン23Cを中心部にそれぞれ立設することにより、上記
(a),(b)の例とは逆に、回転中心部が高くなくよ
うに基板Wを湾曲した状態で支持した例である。このよ
うな例によっても基板Wの局所的な凹凸を簡単に無くす
ことができるので、基板Wを高速回転させたときの基板
Wの振動を防止することができる。
て傾斜した傾斜部をもつ回転支持板21Dに、基板Wの
支持位置が略同じ高さの駆動ピン22Dと支持ピン23
Dとを外周部と中心部とにそれぞれ立設することによ
り、回転中心部が高くなるように基板Wを湾曲した状態
で支持した例である。
回転板33の支持機構を兼ねたが、上部回転板33の支
持機構を駆動ピン22とは個別に設けるようにしてもよ
い。
成を示した縦断断面図である。
である。
大断面図である。
る。
である。
Claims (6)
- 【請求項1】 基板を回転させながら基板に所要の処理
を施す基板処理装置において、 基板を支持した状態で回転する、基板と同等以上の大き
さの回転支持板と、 前記回転支持板を回転駆動する駆動手段と、 基板を挟んで前記回転支持板に対向して配置され、基板
の周縁領域を覆うリング状の上部回転板と、 前記回転支持板と前記上部回転板との間隙に回転中心側
から不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段とを備
え、 前記上部回転板は、前記回転支持板と一体回転可能に前
記回転支持板に支持されていることを特徴とする基板処
理装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置におい
て、 前記回転支持板と前記上部回転板との間隙は外周端側で
絞られて、その上下の間隔が回転中心側のそれよりも狭
くなっている基板処理装置。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の基板処
理装置において、 前記上部回転板の中央開口部に、この開口部を介して前
記間隙に導入される不活性ガスの流量を規制する流路抵
抗部材が設けられている基板処理装置。 - 【請求項4】 請求項1ないし請求項3のいずれかに記
載の基板処理装置において、 前記回転支持板は、回転中心側から半径方向外側に向け
てせり上がった傾斜部をを備えている基板処理装置。 - 【請求項5】 請求項1ないし請求項4のいずれかに記
載の基板処理装置において、 前記上部回転板は、前記回転支持板に着脱自在に支持さ
れている基板処理装置。 - 【請求項6】 請求項5に記載の基板処理装置におい
て、 前記回転支持板には、基板の周縁に係合して基板に回転
力を伝える複数個の駆動ピンが立設されており、 前記駆動ピンは、前記上部回転板を前記回転支持板に着
脱自在に支持する支持機構を兼ねている基板処理装置。
Priority Applications (1)
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| JP2000006434A JP3953248B2 (ja) | 2000-01-14 | 2000-01-14 | 基板処理装置 |
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| JP2000006434A JP3953248B2 (ja) | 2000-01-14 | 2000-01-14 | 基板処理装置 |
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