JP2001156013A - 表面改質方法及び表面改質装置 - Google Patents
表面改質方法及び表面改質装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理物のイオン注入の表面処理を均一にな
し得るとともに、定温加熱制御を実現する。 【解決手段】 被処理物１をチャンバ１０内に入れ、チ
ャンバ１０内を真空引き、ガス導入した後、プラズマ発
生用電源４０よりアンテナ３０に高周波電圧を印加し
て、被処理物１近傍をプラズマ状態とし、負の高電圧パ
ルス発生電源５０より、負の高電圧パルスを干渉防止回
路７０を介して導体１１に加え、被処理物１に＋イオン
によるイオン誘引を行う。その後、正の高電圧パルス発
生電源６０より、導体１１に正のパルス電圧を印加して
電子ボンバードして、電子衝突による被処理物１表面の
加熱を行う。
し得るとともに、定温加熱制御を実現する。 【解決手段】 被処理物１をチャンバ１０内に入れ、チ
ャンバ１０内を真空引き、ガス導入した後、プラズマ発
生用電源４０よりアンテナ３０に高周波電圧を印加し
て、被処理物１近傍をプラズマ状態とし、負の高電圧パ
ルス発生電源５０より、負の高電圧パルスを干渉防止回
路７０を介して導体１１に加え、被処理物１に＋イオン
によるイオン誘引を行う。その後、正の高電圧パルス発
生電源６０より、導体１１に正のパルス電圧を印加して
電子ボンバードして、電子衝突による被処理物１表面の
加熱を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、プラズマ中に被
処理物を置いて、高電圧パルスを印加してイオンを注入
する表面改質方法及び表面改質装置に関する。
処理物を置いて、高電圧パルスを印加してイオンを注入
する表面改質方法及び表面改質装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、プラズマ中に置いた被処理物
にパルス状の負の高電圧を印加してイオン注入処理を行
う技術が既に知られている。ここで高電圧を印加するの
は、プラズマ中のイオンを、処理物の周りにできるプラ
ズマシーズを通して加速し、処理物表面にイオン誘引
（注入・衝突・堆積）させるためである。
にパルス状の負の高電圧を印加してイオン注入処理を行
う技術が既に知られている。ここで高電圧を印加するの
は、プラズマ中のイオンを、処理物の周りにできるプラ
ズマシーズを通して加速し、処理物表面にイオン誘引
（注入・衝突・堆積）させるためである。
【０００３】一般に、プラズマ密度が濃いほど、また高
電圧パルス幅が短いほど、プラズマシーズの厚さが薄く
なり、細かい形状を持つ被処理物表面をより均一に表面
処理できる。ところで、このプラズマイオン注入によっ
て形成される膜の構造及び特性を左右する条件として、
被処理物の表面温度条件がある。この種のイオン注入に
おける従来の被処理物の加熱方法においては、被処理物
に高電圧パルスを印加するため、通常のヒータ加熱方法
は適用できない。また真空中で使用可能なランプ類を使
用し、被処理物に照射し、加熱制御する方法や外部ヒー
タにより真空チャンバ全体を加熱する方法がある。
電圧パルス幅が短いほど、プラズマシーズの厚さが薄く
なり、細かい形状を持つ被処理物表面をより均一に表面
処理できる。ところで、このプラズマイオン注入によっ
て形成される膜の構造及び特性を左右する条件として、
被処理物の表面温度条件がある。この種のイオン注入に
おける従来の被処理物の加熱方法においては、被処理物
に高電圧パルスを印加するため、通常のヒータ加熱方法
は適用できない。また真空中で使用可能なランプ類を使
用し、被処理物に照射し、加熱制御する方法や外部ヒー
タにより真空チャンバ全体を加熱する方法がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の加熱制
御方法では、成膜中の堆積物の汚れなどで実用化に限界
がある。また、被処理物の表面全体に均一に加熱するに
は、加熱平衡時間までの時間がかかったり、あるいは複
数の方向から照射しなければならないか、あるいは回転
をさせるなどして均一になるのを待たねばならない。ま
た、さらに照射の陰の部分は、熱平衡するまで待たねば
ならないという問題がある。
御方法では、成膜中の堆積物の汚れなどで実用化に限界
がある。また、被処理物の表面全体に均一に加熱するに
は、加熱平衡時間までの時間がかかったり、あるいは複
数の方向から照射しなければならないか、あるいは回転
をさせるなどして均一になるのを待たねばならない。ま
た、さらに照射の陰の部分は、熱平衡するまで待たねば
ならないという問題がある。
【０００５】また、伝熱加熱であると、被処理物全体が
温度均一になってしまう。アルミニュームやマグネシュ
ウムなどの表面処理の場合に、素材の軟化を防止するた
め、内部温度を上昇させないで、表面温度だけを加熱制
御したい場合に不可能か、非常に難しいのが事実であ
り、そのために被処理物を低温処理したいニーズがある
にもかかわらず、実現できていないという問題があっ
た。
温度均一になってしまう。アルミニュームやマグネシュ
ウムなどの表面処理の場合に、素材の軟化を防止するた
め、内部温度を上昇させないで、表面温度だけを加熱制
御したい場合に不可能か、非常に難しいのが事実であ
り、そのために被処理物を低温処理したいニーズがある
にもかかわらず、実現できていないという問題があっ
た。
【０００６】この発明は上記問題点に着目してなされた
ものであって、被処理物のイオン注入の表面処理を表面
均一になし得るとともに、表面の定温加熱制御を実現す
る表面改質方法及び表面改質装置を提供することを目的
としている。
ものであって、被処理物のイオン注入の表面処理を表面
均一になし得るとともに、表面の定温加熱制御を実現す
る表面改質方法及び表面改質装置を提供することを目的
としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の表面改質方法
は、チャンバ内に導体を介して被処理物を配し、被処理
物周囲をプラズマ状態とした上で、前記導体に負の高電
圧パルスを印加して、被処理物にイオン誘引を行う表面
改質方法において、前記負の高電圧パルスを印加する導
体に、正の電圧を印加して、電子を被処理物に誘引衝突
させて被処理物を加熱するようにしている。
は、チャンバ内に導体を介して被処理物を配し、被処理
物周囲をプラズマ状態とした上で、前記導体に負の高電
圧パルスを印加して、被処理物にイオン誘引を行う表面
改質方法において、前記負の高電圧パルスを印加する導
体に、正の電圧を印加して、電子を被処理物に誘引衝突
させて被処理物を加熱するようにしている。
【０００８】また、この発明の表面改質装置は、外部か
らガスを導入するガス導入部、真空引きする真空引き部
及び内部で被処理物に接続し、外部から高電圧を印加す
る導体を備えたチャンバと、このチャンバ内の被処理物
の表面周囲にプラズマを発生するプラズマ発生手段と、
負の高電圧パルスを発生し、前記導体に印加する負の高
電圧パルス発生手段と、正の高電圧パルスを発生し、前
記導体に印加する正の高電圧パルス発生手段とを備えて
いる。
らガスを導入するガス導入部、真空引きする真空引き部
及び内部で被処理物に接続し、外部から高電圧を印加す
る導体を備えたチャンバと、このチャンバ内の被処理物
の表面周囲にプラズマを発生するプラズマ発生手段と、
負の高電圧パルスを発生し、前記導体に印加する負の高
電圧パルス発生手段と、正の高電圧パルスを発生し、前
記導体に印加する正の高電圧パルス発生手段とを備えて
いる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態により、この発
明をさらに詳細に説明する。図１はこの発明の一実施形
態である表面改質装置の概略構成を示す図である。この
実施形態表面改質装置は、チャンバ１０と、このチャン
バ１０内にガスを導入するガス導入装置（図示せず）
と、チャンバ１０内を真空引きする真空装置（図示せ
ず）と、チャンバ１０内に設けられ、チャンバ１０内の
所定位置に配置される被処理物１の周囲にプラズマを発
生させるためのアンテナ３０と、このアンテナ３０にフ
ィルドスルー１２を介して高周波電力を印加するプラズ
マ発生用電源４０と、被処理物１に接続する導体１１に
負の高電圧パルスを印加する負の高電圧パルス発生電源
５０と、同じく被処理物１に接続する導体１１に正の高
電圧パルスを印加する正の高電圧パルス発生電源６０
と、負の高電圧パルス発生電源５０からの負の高電圧パ
ルスと、正の高電圧パルス発生電源６０からの正の高電
圧パルスがそれぞれ他の電源へ干渉するのを防止すると
ともに、それぞれの高電圧パルスを導体１１を介して被
処理物１に印加するための干渉防止回路７０と、チャン
バ１０内の被処理物１の表面温度を検出する温度センサ
８０と、検出された温度等によりプラズマ発生用の高周
波信号、負の高電圧パルス電源、正の高電圧パルス電源
の発生タイミング、周波数、周期、振幅等を制御する制
御部９０とを備えている。なお、この実施形態ではプラ
ズマ発生用電源として高周波電力を使用しているが、Ｅ
ＣＲ放電などの他の手段を用いて発生させてもよい。
明をさらに詳細に説明する。図１はこの発明の一実施形
態である表面改質装置の概略構成を示す図である。この
実施形態表面改質装置は、チャンバ１０と、このチャン
バ１０内にガスを導入するガス導入装置（図示せず）
と、チャンバ１０内を真空引きする真空装置（図示せ
ず）と、チャンバ１０内に設けられ、チャンバ１０内の
所定位置に配置される被処理物１の周囲にプラズマを発
生させるためのアンテナ３０と、このアンテナ３０にフ
ィルドスルー１２を介して高周波電力を印加するプラズ
マ発生用電源４０と、被処理物１に接続する導体１１に
負の高電圧パルスを印加する負の高電圧パルス発生電源
５０と、同じく被処理物１に接続する導体１１に正の高
電圧パルスを印加する正の高電圧パルス発生電源６０
と、負の高電圧パルス発生電源５０からの負の高電圧パ
ルスと、正の高電圧パルス発生電源６０からの正の高電
圧パルスがそれぞれ他の電源へ干渉するのを防止すると
ともに、それぞれの高電圧パルスを導体１１を介して被
処理物１に印加するための干渉防止回路７０と、チャン
バ１０内の被処理物１の表面温度を検出する温度センサ
８０と、検出された温度等によりプラズマ発生用の高周
波信号、負の高電圧パルス電源、正の高電圧パルス電源
の発生タイミング、周波数、周期、振幅等を制御する制
御部９０とを備えている。なお、この実施形態ではプラ
ズマ発生用電源として高周波電力を使用しているが、Ｅ
ＣＲ放電などの他の手段を用いて発生させてもよい。
【００１０】図２は、負の高電圧パルス発生電源５０、
正の高電圧パルス発生電源６０及び干渉防止回路７０の
具体回路例を示す回路図である。負の高電圧パルス電源
５０は負の直流電源５１と、ＯＮにより負の高電圧パル
スを出力するための真空管５２と、この真空管５２を制
御部９０からの指令に応じたタイミングでＯＮ／ＯＦＦ
するスイッチング回路５３と、安全用接地スイッチ回路
を構成する抵抗５４、スイッチ５５と、充電保護用抵抗
５６、充放電コンデンサ５７を備えている。正の高電圧
パルス電源６０は正の直流電源６１と、ＯＮにより正の
高電圧パルスを出力するための真空管６２と、この真空
管６２を制御部９０からの指令に応じたタイミングでＯ
Ｎ／ＯＦＦするスイッチング回路６３と、安全用接地ス
イッチ回路を構成する抵抗６４、スイッチ６５と、充電
保護用抵抗６６、充放電コンデンサ６７を備えている。
正の高電圧パルス発生電源６０及び干渉防止回路７０の
具体回路例を示す回路図である。負の高電圧パルス電源
５０は負の直流電源５１と、ＯＮにより負の高電圧パル
スを出力するための真空管５２と、この真空管５２を制
御部９０からの指令に応じたタイミングでＯＮ／ＯＦＦ
するスイッチング回路５３と、安全用接地スイッチ回路
を構成する抵抗５４、スイッチ５５と、充電保護用抵抗
５６、充放電コンデンサ５７を備えている。正の高電圧
パルス電源６０は正の直流電源６１と、ＯＮにより正の
高電圧パルスを出力するための真空管６２と、この真空
管６２を制御部９０からの指令に応じたタイミングでＯ
Ｎ／ＯＦＦするスイッチング回路６３と、安全用接地ス
イッチ回路を構成する抵抗６４、スイッチ６５と、充電
保護用抵抗６６、充放電コンデンサ６７を備えている。
【００１１】干渉防止回路７０は、サージ電流をコイル
７４で限流し、ダイオード７２、抵抗７３を介して、回
生電流として流している。この実施形態表面改質装置
で、被処理物１に誘引注入、誘引堆積、誘引衝突を行う
には、チャンバ１０内に被処理物１を導体１１を接続し
た状態で配し、真空装置でチャンバ１０を真空引きする
とともに、ガス導入装置でチャンバ１０内にガス（例え
ば窒素）を導入し、所定のガス圧にする。その上でプラ
ズマ発生用電源４０から高周波電力をアンテナ３０に加
え、被処理物１の周囲にプラズマを発生させる。その後
に、負の高電圧パルス発生電源５０からの負の高電圧パ
ルスを被処理物１に印加する。これにより、プラズマ中
の正の電荷、つまりイオンを被処理物１に誘引させる。
続いて、負の高電圧パルスを印加したと同じ導体１１に
干渉防止回路７０を介して、正の高電圧パルス電源６０
より正の高電圧パルスを印加する。この正の高電圧パル
スの印加により、プラズマ中の電子を被処理物１表面に
誘引衝突させることで、つまり電子ボンバードにより、
表面を面均一に加熱することが可能になり、より精度の
良い表面改質を行うことができる。また、正のパルス電
圧の印加時に発生するパルスグロー放電により生成され
たプラズマ中の電子のボンバードによっても加熱され
る。
７４で限流し、ダイオード７２、抵抗７３を介して、回
生電流として流している。この実施形態表面改質装置
で、被処理物１に誘引注入、誘引堆積、誘引衝突を行う
には、チャンバ１０内に被処理物１を導体１１を接続し
た状態で配し、真空装置でチャンバ１０を真空引きする
とともに、ガス導入装置でチャンバ１０内にガス（例え
ば窒素）を導入し、所定のガス圧にする。その上でプラ
ズマ発生用電源４０から高周波電力をアンテナ３０に加
え、被処理物１の周囲にプラズマを発生させる。その後
に、負の高電圧パルス発生電源５０からの負の高電圧パ
ルスを被処理物１に印加する。これにより、プラズマ中
の正の電荷、つまりイオンを被処理物１に誘引させる。
続いて、負の高電圧パルスを印加したと同じ導体１１に
干渉防止回路７０を介して、正の高電圧パルス電源６０
より正の高電圧パルスを印加する。この正の高電圧パル
スの印加により、プラズマ中の電子を被処理物１表面に
誘引衝突させることで、つまり電子ボンバードにより、
表面を面均一に加熱することが可能になり、より精度の
良い表面改質を行うことができる。また、正のパルス電
圧の印加時に発生するパルスグロー放電により生成され
たプラズマ中の電子のボンバードによっても加熱され
る。
【００１２】また、温度センサ８０で被処理物１の表面
温度を検出し、これをフィードバックして、制御部９０
で正の高電圧パルスの周波数、パルス幅、周期、振幅を
制御することにより、理想的な反応温度での表面改質が
できる。図３は、上記実施形態表面改質装置の波形を示
す図３中、ａはプラズマ発生用電源４０から出力させる
高周波信号を、ｂは負の高電圧パルス発生電源５０から
出力される負の高電圧パルスを、ｃは正の高電圧パルス
発生電源６０から出力される正の高電圧パルスのそれぞ
れ波形を示している。
温度を検出し、これをフィードバックして、制御部９０
で正の高電圧パルスの周波数、パルス幅、周期、振幅を
制御することにより、理想的な反応温度での表面改質が
できる。図３は、上記実施形態表面改質装置の波形を示
す図３中、ａはプラズマ発生用電源４０から出力させる
高周波信号を、ｂは負の高電圧パルス発生電源５０から
出力される負の高電圧パルスを、ｃは正の高電圧パルス
発生電源６０から出力される正の高電圧パルスのそれぞ
れ波形を示している。
【００１３】図４、図５は、図３の波形の観測時間を順
次、さらに大にした波形図である。ここでは、負の高電
圧パルスの印加から次の負の高電圧パルスの印加までの
間に、２０数発の正の高電圧パルスが印加されている。
なお、上記説明ではプラズマ状態とした後、負の高電圧
パルスを印加した後、正の高電圧パルスを印加するよう
にしているが、プラズマ状態で正の高電圧パルスを印加
して、被処理物１を加熱し、一定温度に加熱した状態で
負の高電圧パルスを印加するようにしてもよい。
次、さらに大にした波形図である。ここでは、負の高電
圧パルスの印加から次の負の高電圧パルスの印加までの
間に、２０数発の正の高電圧パルスが印加されている。
なお、上記説明ではプラズマ状態とした後、負の高電圧
パルスを印加した後、正の高電圧パルスを印加するよう
にしているが、プラズマ状態で正の高電圧パルスを印加
して、被処理物１を加熱し、一定温度に加熱した状態で
負の高電圧パルスを印加するようにしてもよい。
【００１４】被処理物においては、イオンを誘引する表
面のみの温度が上昇すればよく、それ以外の表面を含む
内部は高温になると好ましくない。例えば、被処理物が
アルミニウムからなる場合、例えば、被処理物全体が高
温になると、被処理物部材が焼きなましされ、軟化など
の好ましくない事態が起こる。これを防ぐためには、例
えば図６に示すような導体を用いる。ここに示す導体１
は端部が被処理物１０を取り付ける円形の取付台２にな
っている。また、導体１は内部が冷媒流通用の空胴にな
っており、この空胴に同じく冷媒流通用の中管３が配置
されている。中管３は端部に円形状の平板部３ａを有
し、この平板部３ａと導体１の端部の円形状の平板部１
ａとにより流路２１が形成される。更に、中管３の平板
部３ａには渦巻状の仕切壁４ａを有する円形の蓋体４が
取り付けられている。この蓋体４と平板部３ａにより渦
巻状の流路２２が形成され、流路２２は流路２１と連通
する。ここでは平板部１ａ、３ａ及び蓋体４で取付台２
が構成される。
面のみの温度が上昇すればよく、それ以外の表面を含む
内部は高温になると好ましくない。例えば、被処理物が
アルミニウムからなる場合、例えば、被処理物全体が高
温になると、被処理物部材が焼きなましされ、軟化など
の好ましくない事態が起こる。これを防ぐためには、例
えば図６に示すような導体を用いる。ここに示す導体１
は端部が被処理物１０を取り付ける円形の取付台２にな
っている。また、導体１は内部が冷媒流通用の空胴にな
っており、この空胴に同じく冷媒流通用の中管３が配置
されている。中管３は端部に円形状の平板部３ａを有
し、この平板部３ａと導体１の端部の円形状の平板部１
ａとにより流路２１が形成される。更に、中管３の平板
部３ａには渦巻状の仕切壁４ａを有する円形の蓋体４が
取り付けられている。この蓋体４と平板部３ａにより渦
巻状の流路２２が形成され、流路２２は流路２１と連通
する。ここでは平板部１ａ、３ａ及び蓋体４で取付台２
が構成される。
【００１５】なお、冷媒としては水や液体窒素などを用
いる。また、流路２２は渦巻状である必要はなく、取付
台２を通じて被処理物１０を冷却できるのであれば、ど
のような流路パターンでもよい。更には、蓋体４を平板
部１ａ、３ａと一体に構成してもよいが、着脱可能とす
れば流路２１、２２の清掃などのメンテナンスが容易と
なる。
いる。また、流路２２は渦巻状である必要はなく、取付
台２を通じて被処理物１０を冷却できるのであれば、ど
のような流路パターンでもよい。更には、蓋体４を平板
部１ａ、３ａと一体に構成してもよいが、着脱可能とす
れば流路２１、２２の清掃などのメンテナンスが容易と
なる。
【００１６】このように構成した導体１では、取付台２
に被処理物１０を取り付け、冷媒を流しながらイオン誘
引を行う。冷媒は、例えば矢印で示すように、中管３か
ら渦巻状の流路２２に入り、→の順に流れた後、流
路２１から導体１の空胴を通って元に戻り、このような
流れで循環する。但し、冷媒が流れる方向は矢印とは反
対でもよい。取付台２に冷媒を流すことで取付台２に取
り付けられた被処理物１０の底面を含む内部全体が冷却
され、表面のみの温度が上昇することになるので、イオ
ン誘引を好条件で行うことができる。
に被処理物１０を取り付け、冷媒を流しながらイオン誘
引を行う。冷媒は、例えば矢印で示すように、中管３か
ら渦巻状の流路２２に入り、→の順に流れた後、流
路２１から導体１の空胴を通って元に戻り、このような
流れで循環する。但し、冷媒が流れる方向は矢印とは反
対でもよい。取付台２に冷媒を流すことで取付台２に取
り付けられた被処理物１０の底面を含む内部全体が冷却
され、表面のみの温度が上昇することになるので、イオ
ン誘引を好条件で行うことができる。
【００１７】
【発明の効果】この発明によれば、プラズマ中で正の高
電圧により被処理物の周囲に電子を衝突させて加熱し、
一定の温度にして負の高電圧パルスを印加して、任意の
形状・大きさの被処理物の表面を改質できる。また、被
処理物の周囲に均等に電子衝突させるので、従来の加熱
方法に比べ、面均一な温度分布特性が得られる。さら
に、電子衝突を被処理物の周囲から全面的に行うことが
できるので、被処理物あるいは加熱手段を回転させる等
の構成が不要であり、構成が簡単で安価な装置を実現で
きる。
電圧により被処理物の周囲に電子を衝突させて加熱し、
一定の温度にして負の高電圧パルスを印加して、任意の
形状・大きさの被処理物の表面を改質できる。また、被
処理物の周囲に均等に電子衝突させるので、従来の加熱
方法に比べ、面均一な温度分布特性が得られる。さら
に、電子衝突を被処理物の周囲から全面的に行うことが
できるので、被処理物あるいは加熱手段を回転させる等
の構成が不要であり、構成が簡単で安価な装置を実現で
きる。
【図１】この発明の一実施形態である表面改質装置の概
略構成を示す図である。
略構成を示す図である。
【図２】同実施形態表面改質装置を構成する負の高電圧
パルス発生電源、正の高電圧パルス発生電源、及び重畳
回路の具体回路例を示す回路図である。
パルス発生電源、正の高電圧パルス発生電源、及び重畳
回路の具体回路例を示す回路図である。
【図３】同実施形態表面改質装置の各印加電圧タイミン
グ、及び波形を示す図である。
グ、及び波形を示す図である。
【図４】同実施形態表面改質装置の各印加電圧タイミン
グ、及び波形を示す図である。
グ、及び波形を示す図である。
【図５】同実施形態表面改質装置の各印加電圧タイミン
グ、及び波形を示す図である。
グ、及び波形を示す図である。
【図６】この発明の実施形態の変形例を説明するための
図である。
図である。
１ 被処理物 １０ チャンバ １１ 導体 ３０ アンテナ ４０ プラズマ発生用電源 ５０ 負の高電圧パルス発生電源 ６０ 正の高電圧パルス発生電源 ７０ 干渉防止回路 ８０ 温度センサ ９０ 制御部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 500034712 宮川 佳子 愛知県名古屋市千種区鹿子殿６−15 (71)出願人 500245994 斎藤 和雄 愛知県名古屋市中村区稲西町183 コープ 野村稲西413 (74)上記４名の代理人 100084962 弁理士 中村 茂信 (72)発明者 宮川 草児 愛知県名古屋市千種区鹿子殿６−15 (72)発明者 宮川 佳子 愛知県名古屋市千種区鹿子殿６−15 (72)発明者 斎藤 和雄 愛知県名古屋市中村区稲西町183 コープ 野村稲西413 (72)発明者 西村 芳実 京都府綴喜郡宇治田原町大字湯屋谷小字西 塔ヶ谷１番33 株式会社栗田製作所内 (72)発明者 堀部 博志 京都府綴喜郡宇治田原町大字湯屋谷小字西 塔ヶ谷１番33 株式会社栗田製作所内 (72)発明者 柴田 雅明 京都府綴喜郡宇治田原町大字湯屋谷小字西 塔ヶ谷１番33 株式会社栗田製作所内 Ｆターム(参考） 4K029 DA08 EA08 EA09 FA05
Claims (7)
- 【請求項１】チャンバ内に導体を介して被処理物を配
し、被処理物周囲をプラズマ状態とした上で、前記導体
に負の高電圧パルスを印加して、被処理物にイオン誘引
を行う表面改質方法において、 前記負の高電圧パルスを印加する導体に、正の電圧を印
加して、電子を被処理物に誘引衝突させて被処理物を加
熱するようにしたことを特徴とする表面改質方法。 - 【請求項２】前記正の電圧は、パルス電圧であることを
特徴とする請求項１記載の表面改質方法。 - 【請求項３】外部からガスを導入するガス導入部、真空
引きする真空引き部及び内部で被処理物に接続し、外部
から高電圧を印加する導体を備えたチャンバと、 このチャンバ内の被処理物の表面周囲にプラズマを発生
するプラズマ発生手段と、 負の高電圧パルスを発生し、前記導体に印加する負の高
電圧パルス発生手段と、正の高電圧パルスを発生し、前
記導体に印加する正の高電圧パルス発生手段とを備えた
こと特徴とする表面改質装置。 - 【請求項４】前記プラズマ発生手段は、前記チャンバ内
に設けられるアンテナと、このアンテナに前記チャンバ
外部から高周波電力を与えるプラズマ発生用電源とから
なるものであることを特徴とする請求項３記載の表面改
質装置。 - 【請求項５】前記チャンバ内の被処理部の表面の温度を
検出する温度センサを備え、この温度センサの出力に応
じて、前記正の高電圧パルス発生手段のパルス特性を制
御するようにしたことを特徴とする請求項３又は請求項
４記載の表面改質装置。 - 【請求項６】前記被処理物の取付台に冷却手段を設けた
ことを特徴とする請求項３、請求項４又は請求項５記載
の表面改質装置。 - 【請求項７】前記冷却手段は、冷却液を流し得る構造を
有するとともに、冷却液を流し、被処理物の表面のみを
前記誘引により加温し、前記被処理物の内部を低温に保
つようにしたことを特徴とする請求項６記載の表面改質
装置。
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| JP33554999A JP3517749B2 (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | 表面改質装置 |
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| JP2001156013A true JP2001156013A (ja) | 2001-06-08 |
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| WO2013065812A1 (ja) | 2011-11-04 | 2013-05-10 | リンテック株式会社 | ガスバリアフィルム及びその製造方法、ガスバリアフィルム積層体、電子デバイス用部材、並びに電子デバイス |
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-
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- 1999-11-26 JP JP33554999A patent/JP3517749B2/ja not_active Expired - Fee Related
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