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JP2001143968A - 固体電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents

固体電解コンデンサおよびその製造方法

Info

Publication number
JP2001143968A
JP2001143968A JP32401799A JP32401799A JP2001143968A JP 2001143968 A JP2001143968 A JP 2001143968A JP 32401799 A JP32401799 A JP 32401799A JP 32401799 A JP32401799 A JP 32401799A JP 2001143968 A JP2001143968 A JP 2001143968A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive polymer
polymer layer
forming
solution
electrolytic capacitor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP32401799A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasunobu Tsuji
康暢 辻
Toshitaka Kato
寿孝 加藤
Takahiro Hamada
貴裕 濱田
Emiko Igaki
恵美子 井垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP32401799A priority Critical patent/JP2001143968A/ja
Publication of JP2001143968A publication Critical patent/JP2001143968A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コーナー部を被覆し、ショートの発生率を低
減する固体電解コンデンサの製造方法を提供することを
目的とする。 【解決手段】 陽極導出線２を有し表面に誘電体酸化皮
膜層を形成した弁作用金属からなる陽極体１と、この陽
極体１の誘電体酸化皮膜層上に固体電解質層として形成
される導電性高分子層５、６と、この導電性高分子層上
に設けた陰極層７、８と、上記陽極導出線２および陰極
層８にそれぞれ接続された引き出し端子９、１０と、こ
の引き出し端子９、１０の一部を除いて全体を被った外
装１１とからなる固体電解コンデンサにおいて、上記陽
極体１のコーナー部の導電性高分子層５、６の厚みが５
μｍ以上１００μｍ以下とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は導電性高分子層を固
体電解質として用いた固体電解コンデンサおよびその製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器のデジタル化にともな
い、それに使用される固体電解コンデンサに優れた高周
波特性が求められている。
【０００３】そこで従来における固体電解コンデンサの
要部の断面図を図１６に、固体電解コンデンサの断面図
を図１７に示す。
【０００４】図１６において、２１は表面に誘電体酸化
皮膜層を形成したタンタルからなる陽極体、２２はタン
タルからなる陽極導出線、２３は陽極体２１の上に形成
された導電性高分子層である。ここで図示しないが、陽
極体２１は多数の細孔を有した多孔質体であり、誘電体
酸化皮膜層及び導電性高分子層２３は全ての細孔表面に
も形成される。２４は陰極としてのカーボン層、２５は
同じく銀塗料層、２６は陽極端子、２７は陰極端子、２
８は外装である。
【０００５】このような導電性高分子層を固体電解質と
して用いた固体電解コンデンサを得るために一般に行わ
れている従来における第１の固体電解コンデンサの製造
方法は、導電性高分子層が米国特許４６９７００１号明
細書並びに図面に示されるように、陽極体をモノマー溶
液と酸化剤溶液に交互に浸漬することにより得られ、先
に浸漬した溶液、例えばモノマー溶液を陽極体内部に含
ませ他方の溶液、例えば酸化剤溶液に浸漬し、陽極体内
部に導電性高分子層を重合生成させていた。
【０００６】また、従来における第２の固体電解コンデ
ンサの製造方法は、特願平９−３１６２８３号に示され
るように先に浸漬した溶液、例えばモノマー溶液を陽極
体内部に含ませ他方の溶液、例えば酸化剤溶液に浸漬す
る際、酸化剤溶液を低温にしておき所定時間浸漬した後
引き上げ低音保持して酸化剤溶液を陽極体内部に拡散さ
せ、その後温度を上昇して反応させ、陽極体内部に導電
性高分子層を重合生成させていた。
【０００７】また、従来における第３の固体電解コンデ
ンサの製造方法は、モノマー溶液と酸化剤溶液の混合液
に陽極体を浸漬することにより、陽極体内部に導電性高
分子層を重合生成させていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来における第１および第２および第３の固体電解コンデ
ンサの製造方法では、陽極体２１のコーナー部の導電性
高分子層２３は図１６に示すように１〜２μｍとなって
おり、化学酸化重合にて導電性高分子を形成しているの
で、陽極体２１のコーナー部付近の導電性高分子が形成
されにくいという問題を有しており、陽極体２１のコー
ナー部における導電性高分子層２３の形成不足による陽
極体２１の露出が引き起こすショートの一因になってい
た。また、陽極体２１の露出がない場合でも陽極体２１
のコーナー部の導電性高分子層２３は薄いので、誘電体
酸化皮膜がストレスを受けやすくなり、ストレス発生時
に酸化皮膜に欠陥が発生しショートの一因になってい
た。
【０００９】本発明は上記問題点を解決するもので、陽
極体のコーナー部を被覆することによりショート不良の
少ない固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の固体電解コンデンサは、陽極導出線を有し表
面に誘電体酸化皮膜層を形成した弁作用金属からなる陽
極体と、この陽極体の誘電体酸化皮膜層上に固体電解質
層として形成される導電性高分子層と、この導電性高分
子層上に設けた陰極層と、上記陽極導出線および陰極層
にそれぞれ接続された引き出し端子と、この引き出し端
子の一部を除いて全体を被った外装とからなる固体電解
コンデンサにおいて、前記陽極体のコーナー部の導電性
高分子層の厚みが５μｍ以上１００μｍ以下になるよう
にしたものである。
【００１１】この構成によれば、陽極体のコーナー部を
被覆することにより、導電性高分子層の形成不足による
陽極体の露出が引き起こすショートを防ぐことができ、
また、誘電体酸化皮膜が外装樹脂後の乾燥などによる熱
ストレスを受けにくくなり、ストレス発生時に誘電体酸
化皮膜の欠陥の発生を抑制しショートを防ぐことができ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、陽極導出線を有し表面に誘電体酸化皮膜層を形成し
た弁作用金属からなる陽極体と、この陽極体の誘電体酸
化皮膜層上に固体電解質層として形成される導電性高分
子層と、この導電性高分子層上に設けた陰極層と、上記
陽極導出線および陰極層にそれぞれ接続された引き出し
端子と、この引き出し端子の一部を除いて全体を被った
外装とからなる固体電解コンデンサにおいて、上記陽極
体のコーナー部の導電性高分子層の厚みが５μｍ以上１
００μｍ以下になるようにしたものであり、コーナー部
の導電性高分子層の厚みが５μｍ以上１００μｍ以下に
なるようにすると、導電性高分子層の形成不足による陽
極体の露出がなくなり、ストレスに対しても誘電体酸化
皮膜の欠陥の発生を抑制できるのでショートを防ぐこと
ができる。
【００１３】請求項２に記載の発明は、導電性高分子層
が化学酸化重合により形成される第１の導電性高分子層
と、化学酸化重合により形成される第２の導電性高分子
層とで構成されたものであり、第２の導電性高分子層を
形成することによりコーナー部の被覆ができるため、導
電性高分子層の形成不足による陽極体の露出がなくな
り、ストレスに対しても誘電体酸化皮膜の欠陥の発生を
抑制できるのでショートを防ぐことができる。
【００１４】請求項３に記載の発明は、弁作用金属がタ
ンタルまたはアルミニウムから選ばれるものであり、弁
作用金属がタンタルまたはアルミニウムであることが好
ましい。
【００１５】請求項４に記載の発明は、第１の導電性高
分子層を形成する陽極体の誘電体酸化皮膜上に化学酸化
重合によるプレ重合膜層を有するものであり、第２の導
電性高分子層を形成しやすくすることができる。
【００１６】請求項５に記載の発明は、プレ重合膜が主
として陽極体の表面近傍に形成された、ポーラスで凸凹
のある導電性高分子層であり、導電性高分子層を陽極体
の内部に形成する前に、陽極体の表面近傍にプレ重合膜
層をポーラスに、かつ凸凹に形成することにより容易に
第２の導電性高分子層を形成することができる。
【００１７】請求項６に記載の発明は、陽極導出線を埋
没した弁作用金属粉末の成形体を焼結して多孔質体と
し、この多孔質体を陽極酸化して表面に誘電体酸化皮膜
を形成して陽極体とし、この陽極体にモノマー溶液と酸
化剤溶液を用いて化学酸化重合により第１の導電性高分
子層を形成し、さらに第１の導電性高分子層上にモノマ
ー溶液と酸化剤溶液を用いて化学酸化重合により第２の
導電性高分子層を形成して少なくとも上記陽極体のコー
ナー部の第１と第２の導電性高分子層の合計の厚みが５
μｍ以上１００μｍ以下となるように固体電解質として
の導電性高分子層を形成し、この導電性高分子層上に陰
極層を形成し、上記陽極導出線および陰極層にそれぞれ
引き出し端子を接続し、この引き出し端子の一部を除い
て樹脂による外装を形成するものであり、第１の導電性
高分子層を陽極体の内部に形成し、その後第２の導電性
高分子層を陽極体の表面近傍に形成することによりコー
ナー部の被覆ができるため、導電性高分子層の形成不足
による陽極体の露出がなくなり、ストレスに対しても酸
化皮膜の欠陥の発生を抑制できるのでショートを防ぐこ
とができる。
【００１８】請求項７に記載の発明は、第１、第２の導
電性高分子層の少なくともいずれか一方が、モノマー溶
液に浸漬した後酸化剤溶液に浸漬して化学酸化重合させ
て形成するものであり、このように導電性高分子層を形
成することによりコーナー部の被覆ができるため、導電
性高分子層の形成不足による陽極体の露出がなくなり、
ストレスに対しても誘電体酸化皮膜の欠陥の発生を抑制
できるのでショートを防ぐことができる。
【００１９】請求項８に記載の発明は、第１、第２の導
電性高分子層の少なくともいずれか一方が、酸化剤溶液
に浸漬した後モノマー溶液に浸漬して化学酸化重合させ
て形成するものであり、このように導電性高分子層を形
成することによりコーナー部の被覆ができるため、導電
性高分子層の形成不足による陽極体の露出がなくなり、
ストレスに対しても誘電体酸化皮膜の欠陥の発生を抑制
できるのでショートを防ぐことができる。
【００２０】請求項９に記載の発明は、第１、第２の導
電性高分子層の少なくともいずれか一方が、モノマー溶
液に浸漬した後酸化剤溶液に浸漬し、その後所定の雰囲
気温度中で所定の時間保持して化学酸化重合させて形成
するものであり、このように導電性高分子層を形成する
ことによりコーナー部の被覆ができるため、導電性高分
子層の形成不足による陽極体の露出がなくなり、ストレ
スに対しても誘電体酸化皮膜の欠陥の発生を抑制できる
のでショートを防ぐことができる。
【００２１】請求項１０に記載の発明は、第１、第２の
導電性高分子層の少なくともいずれか一方が、酸化剤溶
液に浸漬した後モノマー溶液に浸漬し、その後所定の雰
囲気温度中で所定の時間保持して化学酸化重合させて形
成するものであり、このように導電性高分子層を形成す
ることによりコーナー部の被覆ができるため、導電性高
分子層の形成不足による陽極体の露出がなくなり、スト
レスに対しても誘電体酸化皮膜の欠陥の発生を抑制でき
るのでショートを防ぐことができる。
【００２２】請求項１１に記載の発明は、第１、第２の
導電性高分子層の少なくともいずれか一方が、モノマー
溶液と酸化剤溶液の混合溶液に浸漬して化学酸化重合さ
せて形成するものであり、このように導電性高分子層を
形成することによりコーナー部の被覆ができるため、導
電性高分子層の形成不足による陽極体の露出がなくな
り、ストレスに対しても誘電体酸化皮膜の欠陥の発生を
抑制できるのでショートを防ぐことができる。
【００２３】請求項１２に記載の発明は、第１、第２の
導電性高分子層の少なくともいずれか一方が、モノマー
溶液と酸化剤溶液の混合溶液に浸漬し、その後所定の雰
囲気温度中で所定の時間保持して化学酸化重合させて形
成するものであり、このように導電性高分子層を形成す
ることによりコーナー部の被覆ができるため、導電性高
分子層の形成不足による陽極体の露出がなくなり、スト
レスに対しても誘電体酸化皮膜の欠陥の発生を抑制でき
るのでショートを防ぐことができる。
【００２４】請求項１３に記載の発明は、モノマー溶液
と酸化剤溶液の混合溶液の粘度が１００ｃｐｓ以上とな
る混合溶液に浸漬し、その後所定の雰囲気温度中で所定
の時間保持して化学酸化重合させて第２の導電性高分子
層を形成するものであり、第１の導電性高分子層上によ
り厚く第２の導電性高分子層を形成することができる。
【００２５】請求項１４に記載の発明は、モノマー溶液
と酸化剤溶液の混合溶液に導電性高分子粉末を５ｗｔ％
以上添加したものに浸漬し、その後所定の雰囲気温度中
で所定の時間保持して化学酸化重合させて第２の導電性
高分子層を形成するものであり、第１の導電性高分子層
上により厚く第２の導電性高分子層を形成することがで
きる。
【００２６】請求項１５に記載の発明は、上記第２の導
電性高分子層を形成する混合溶液に添加する導電性高分
子粉末の粒径が０．０１μｍ以上１０μｍ以下であり、
第１の導電性高分子層上により厚く第２の導電性高分子
層を形成することができる。
【００２７】請求項１６に記載の発明は、第１の導電性
高分子層を形成する化学酸化重合の反応速度より第２の
導電性高分子層を形成する化学酸化重合の反応速度を速
くしたものであり、第２の導電性高分子層を形成する化
学酸化重合の反応速度を速くすることで、より陽極体の
表面に導電性高分子層を形成することができるので、コ
ーナー部の被覆を容易に行うことができる。
【００２８】請求項１７に記載の発明は、第１の導電性
高分子層を形成する化学酸化重合の反応速度より第２の
導電性高分子層を形成する化学酸化重合の反応速度を速
くするために、第１の導電性高分子層を形成する化学酸
化重合時より第２の導電性高分子層を形成する化学酸化
重合時の反応温度を高くしたものであり、第２の導電性
高分子層を形成する化学酸化重合の反応速度を速くする
ことで、より陽極体の表面に導電性高分子層を形成する
ことができるので、コーナー部の被覆を容易に行うこと
ができる。
【００２９】請求項１８に記載の発明は、第１の導電性
高分子層を形成する化学酸化重合の反応速度より第２の
導電性高分子層を形成する化学酸化重合の反応速度を速
くするために、第２の導電性高分子層を形成する化学酸
化重合時のモノマー溶液と酸化剤溶液において、第１の
導電性高分子層を形成する化学酸化重合時よりモノマー
もしくは酸化剤の濃度を高くしたものであり、第２の導
電性高分子層を形成する化学酸化重合の反応速度を速く
することができ、より陽極体の表面に導電性高分子層を
形成することができるので、コーナー部の被覆を容易に
行うことができる。
【００３０】請求項１９に記載の発明は、第１の導電性
高分子層を形成する化学酸化重合の反応速度より第２の
導電性高分子層を形成する化学酸化重合の反応速度を速
くするために、第２の導電性高分子層を形成する化学酸
化重合時のモノマー溶液と酸化剤溶液において、第１の
導電性高分子層を形成する化学酸化重合時よりモノマー
及び酸化剤の両方の濃度を高くしたものであり、第２の
導電性高分子層を形成する化学酸化重合の反応速度を速
くすることができ、請求項１８よりも陽極体の表面に導
電性高分子層を形成することができるので、より効果的
にコーナー部の被覆を容易に行うことができる。
【００３１】請求項２０に記載の発明は、第１の導電性
高分子層を形成する化学酸化重合の反応速度より第２の
導電性高分子層を形成する化学酸化重合の反応速度を速
くするために、第１の導電性高分子層を形成する化学酸
化重合時より第２の導電性高分子層を形成する化学酸化
重合時の反応温度を高くするとともにモノマー溶液と酸
化剤溶液においてモノマーもしくは酸化剤の濃度を高く
したものであり、第２の導電性高分子層を形成する化学
酸化重合の反応速度を速くすることができ、請求項１７
および１８よりも陽極体の表面に導電性高分子層を形成
することができるので、より効果的にコーナー部の被覆
を容易に行うことができる。
【００３２】請求項２１に記載の発明は、第１の導電性
高分子層を形成する化学酸化重合の反応速度より第２の
導電性高分子層を形成する化学酸化重合の反応速度を速
くするために、第１の導電性高分子層を形成する化学酸
化重合時より第２の導電性高分子層を形成する化学酸化
重合時の反応温度を高くするとともにモノマー溶液と酸
化剤溶液においてモノマーおよび酸化剤の両方の濃度を
高くしたものであり、第２の導電性高分子層を形成する
化学酸化重合の反応速度を速くすることができ、請求項
２０よりも陽極体の表面に導電性高分子層を形成するこ
とができるので、さらに効果的にコーナー部の被覆を容
易に行うことができる。
【００３３】請求項２２に記載の発明は、陽極導出線を
埋没した弁作用金属粉末の成形体を焼結して多孔質体と
し、この多孔質体を陽極酸化して表面に誘電体酸化皮膜
を形成して陽極体とし、この陽極体にモノマー溶液と酸
化剤溶液を用いて化学酸化重合によりプレ重合膜層を形
成し、このプレ重合膜層上にモノマー溶液と酸化剤溶液
を用いて化学酸化重合により第１の導電性高分子層を形
成し、さらに第１の導電性高分子層上にモノマー溶液と
酸化剤溶液を用いて化学酸化重合により第２の導電性高
分子層を形成して少なくとも上記陽極体のコーナー部の
第１と第２の導電性高分子層の合計の厚みが５μｍ以上
１００μｍ以下となるように固体電解質としての導電性
高分子層を形成し、この導電性高分子層上に陰極層を形
成し、上記陽極導出線および陰極層にそれぞれ引き出し
端子を接続し、この引き出し端子の一部を除いて樹脂に
よる外装を形成するものであり、陽極体の表面近傍にプ
レ重合膜層をポーラスに、かつ凸凹に形成することによ
り容易に第２の導電性高分子層を形成することができ
る。
【００３４】請求項２３に記載の発明は、プレ重合膜層
がモノマー溶液に浸漬した後酸化剤溶液に浸漬して化学
酸化重合させて形成するものであり、陽極体の表面近傍
にプレ重合膜層をポーラスに、かつ凸凹に形成すること
により容易に第２の導電性高分子層を形成することがで
きる。
【００３５】請求項２４に記載の発明は、プレ重合膜層
が酸化剤溶液に浸漬した後モノマー溶液に浸漬して化学
酸化重合させて形成するものであり、陽極体の表面近傍
にプレ重合膜層をポーラスに、かつ凸凹に形成すること
により容易に第２の導電性高分子層を形成することがで
きる。
【００３６】請求項２５に記載の発明は、プレ重合膜層
がモノマー溶液と酸化剤溶液の混合溶液に浸漬して化学
酸化重合させて形成するものであり、陽極体の表面近傍
にプレ重合膜層をポーラスに、かつ凸凹に形成すること
により容易に第２の導電性高分子層を形成することがで
きる。
【００３７】請求項２６に記載の発明は、プレ重合膜層
がモノマー溶液と酸化剤溶液の混合溶液に浸漬し、その
後所定の雰囲気温度中で所定の時間保持して化学酸化重
合させて形成するものであり、陽極体の表面近傍にプレ
重合膜層をポーラスに、かつ凸凹に形成することにより
容易に第２の導電性高分子層を形成することができる。
【００３８】請求項２７に記載の発明は、モノマー溶液
と酸化剤溶液の混合溶液に導電性高分子粉末を５ｗｔ％
以上添加したものに浸漬し、その後所定の雰囲気温度中
で所定の時間保持して化学酸化重合させてプレ重合膜層
を形成するものであり、陽極体の表面近傍にプレ重合膜
層をより凸凹に形成することができ、より効果的に容易
に第２の導電性高分子層を形成することができる。
【００３９】請求項２８に記載の発明は、上記プレ重合
膜層を形成する混合溶液に添加する導電性高分子粉末の
粒径が０．０１μｍ以上１０μｍ以下であり、陽極体の
表面近傍にプレ重合膜層をより凸凹に形成することがで
き、より効果的に容易に第２の導電性高分子層を形成す
ることができる。
【００４０】請求項２９に記載の発明は、第１の導電性
高分子層を形成する化学酸化重合の反応速度よりプレ重
合膜層を形成する化学酸化重合の反応速度を速くしたも
のであり、プレ重合膜層を形成する化学酸化重合の反応
速度を速くすることで、より陽極体の表面近傍にポーラ
スに、かつ凸凹に形成することができる。
【００４１】請求項３０に記載の発明は、第１の導電性
高分子層を形成する化学酸化重合の反応速度よりプレ重
合膜層を形成する化学酸化重合の反応速度を速くするた
めに、第１の導電性高分子層を形成する化学酸化重合時
よりプレ重合膜を形成する化学酸化重合時の反応温度を
高くしたものであり、プレ重合膜層を形成する化学酸化
重合の反応速度を速くすることで、より陽極体の表面近
傍にポーラスに、かつ凸凹に形成することができる。
【００４２】請求項３１に記載の発明は、第１の導電性
高分子層を形成する化学酸化重合の反応速度よりプレ重
合膜層を形成する化学酸化重合の反応速度を速くするた
めに、プレ重合膜層を形成する化学酸化重合時のモノマ
ー溶液と酸化剤溶液において、第１の導電性高分子層を
形成する化学酸化重合時よりモノマーもしくは酸化剤の
濃度を高くしたものであり、プレ重合膜層を形成する化
学酸化重合の反応速度を速くすることで、より陽極体の
表面近傍にポーラスに、かつ凸凹に形成することができ
る。
【００４３】請求項３２に記載の発明は、第１の導電性
高分子層を形成する化学酸化重合の反応速度よりプレ重
合膜層を形成する化学酸化重合の反応速度を速くするた
めに、プレ重合膜層を形成する化学酸化重合時のモノマ
ー溶液と酸化剤溶液において、第１の導電性高分子層を
形成する化学酸化重合時よりモノマー及び酸化剤の両方
の濃度を高くしたものであり、請求項３１よりもプレ重
合膜層を形成する化学酸化重合の反応速度を速くするこ
とで、より効果的に陽極体の表面近傍にポーラスに、か
つ凸凹に形成することができる。
【００４４】請求項３３に記載の発明は、第１の導電性
高分子層を形成する化学酸化重合の反応速度よりプレ重
合膜層を形成する化学酸化重合の反応速度を速くするた
めに、第１の導電性高分子層を形成する化学酸化重合時
よりプレ重合膜層を形成する化学酸化重合時の反応温度
を高くするとともにモノマー溶液と酸化剤溶液において
モノマーもしくは酸化剤の濃度を高くしたものであり、
請求項３０および請求項３１よりもプレ重合膜層を形成
する化学酸化重合の反応速度を速くすることで、より効
果的に陽極体の表面近傍にポーラスに、かつ凸凹に形成
することができる。
【００４５】請求項３４に記載の発明は、第１の導電性
高分子層を形成する化学酸化重合の反応速度よりプレ重
合膜層を形成する化学酸化重合の反応速度を速くするた
めに、第１の導電性高分子層を形成する化学酸化重合時
よりプレ重合膜層を形成する化学酸化重合時の反応温度
を高くするとともにモノマー溶液と酸化剤溶液において
モノマーおよび酸化剤の両方の濃度を高くしたものであ
り、請求項３３よりもプレ重合膜層を形成する化学酸化
重合の反応速度を速くすることで、より効果的に陽極体
の表面近傍にポーラスに、かつ凸凹に形成することがで
きる。
【００４６】以下、本発明の実施の形態について説明す
る。
【００４７】（実施の形態１）図１は本発明の第１の実
施の形態における固体電解コンデンサの製造方法の要部
を説明する図である。
【００４８】図１において、１は陽極体、２は陽極体１
から導出されたタンタルからなる陽極導出線、３はモノ
マー溶液、４は酸化剤溶液である。
【００４９】本発明の第１の実施の形態における固体電
解コンデンサの製造方法は、図１（ａ）に示すようにタ
ンタルからなる陽極導出線２にタンタル粉末を所定の形
状にプレス成形後、焼成して１．４ｍｍ×３．０ｍｍ×
３．８ｍｍの多孔質体を形成し、リン酸水溶液中におい
て印加電圧３０Ｖで陽極酸化して多孔質体の表面に誘電
体酸化皮膜層を形成して陽極体１を得る。
【００５０】次に図１（ｂ）に示すように５℃に保持し
たモノマー溶液３に誘電体酸化皮膜層を形成した陽極体
１を浸漬し、５分後に引き上げる。その後、図１（ｃ）
に示すように２５℃に保持した酸化剤溶液４に１０分間
浸漬し、化学酸化重合反応させる。その後８０℃の純水
で洗浄し、１０５℃で５分間乾燥する。以上の操作を８
回繰り返し、第１の導電性高分子層を形成する。
【００５１】次に図１（ｄ）に示すように５℃に保持し
たモノマー溶液３に第１の導電性高分子層を形成した陽
極体１を浸漬し、５分後に引き上げる。その後、図１
（ｅ）に示すように第１の導電性高分子層を形成した反
応速度よりも速くなるように４０℃に保持した酸化剤溶
液４に１０分間浸漬し、化学酸化重合反応させる。その
後８０℃の純水で洗浄し、１０５℃で５分間乾燥する。
以上の操作を３回繰り返し、第２の導電性高分子層を形
成する。
【００５２】一方、比較として第１の従来における固体
電解コンデンサの製造方法を示す。誘電体酸化皮膜層を
形成するまでは、上記本発明の第１の実施の形態と同様
に作製され、導電性高分子層は上記本発明の第１の実施
の形態の第１の導電性高分子層と同様に形成する。
【００５３】上記のようにして得られた本発明の第１の
実施の形態におけるコンデンサ素子の断面図を図２に示
す。コンデンサ素子のコーナー部は化学酸化重合の第１
の導電性高分子層５および化学酸化重合の第２の導電性
高分子層６により被覆され、厚みは９μｍであった。
【００５４】また、本発明の第１の実施の形態における
コンデンサ素子を図３に示すように第１の導電性高分子
層５、第２の導電性高分子層６からなる固体電解質層上
にカーボン層７、銀塗料層８からなる陰極層を形成し、
引き出し端子としての金属リード端子９及び１０を設
け、樹脂で外装１１を形成して固体電解コンデンサを
得、ショートの発生率の測定を行った。
【００５５】その結果、第１の従来における固体電解コ
ンデンサがショート発生率が２０％であるのに対して、
本発明の第１の実施の形態で得られた固体電解コンデン
サはショート発生率が７％であった。
【００５６】このように本発明の第１の実施の形態の製
造方法は、第１の導電性高分子層５を素子内部に形成
し、その後反応速度を第１の導電性高分子層５を形成す
る反応速度よりも速くして第２の導電性高分子層６を素
子表面の近傍に形成することにより、陽極体１のコーナ
ー部を第１の導電性高分子層５および第２の導電性高分
子層６で被覆できるため、導電性高分子層の形成不足に
よる陽極体１の露出がなくなり、ストレスに対しても誘
電体酸化皮膜の欠陥の発生を抑制できるのでショート発
生率を低減することができる。
【００５７】なお、本発明の第１の実施の形態及び従来
のモノマー溶液は、イソプロピルアルコールを１０ｖｏ
ｌ％含有する水溶液にモノマーとしてピロールを１．０
ｍｏｌ/ｌとなるように溶解させ、酸化剤溶液は、イソ
プロピルアルコールを１０ｖｏｌ％含有する水溶液に酸
化剤として硫酸第二鉄を０．２５ｍｏｌ／ｌ、ドーパン
トとしてアルキルナフタレンスルホン酸イオンをＮａ塩
の形で０．０３ｍｏｌ／ｌとなるように溶解させた。ま
た、モノマーは、ピロールに限られるものではなく、酸
化剤も硫酸第二鉄に限られるものではない。
【００５８】また、本発明の第１の実施の形態では、反
応速度を第１の導電性高分子層を形成する反応速度より
も速くするために、第２の導電性高分子層を形成する酸
化剤溶液の温度を第１の導電性高分子層を形成する酸化
剤溶液の温度よりも上昇したが、モノマー溶液を上昇し
ても良い。また、モノマー溶液と酸化剤溶液の両方の温
度を上昇しても良い。
【００５９】また、本発明の第１の実施の形態では、第
１の導電性高分子層の形成にはモノマー溶液を５℃、酸
化剤溶液を２５℃になるようにし、第２の導電性高分子
層の形成にはモノマー溶液を５℃、酸化剤溶液を４０℃
になるようにしたが、これに限られるものではない。
【００６０】また、本発明の第１の実施の形態では、第
１および第２の導電性高分子層を形成する際モノマー溶
液に浸漬した後酸化剤溶液に浸漬した場合について述べ
たが、酸化剤溶液に浸漬した後モノマー溶液に浸漬した
場合であっても同様の作用と効果を有することはいうま
でもない。
【００６１】また、本発明の第１の実施の形態では、弁
作用金属をタンタルとしたが、アルミニウムであっても
良い。
【００６２】（実施の形態２）図４は本発明の第２の実
施の形態における固体電解コンデンサの製造方法の要部
を説明する図である。
【００６３】図４中において、図１と同一のものについ
ては同一の符号を示してある。
【００６４】本発明の第２の実施の形態における固体電
解コンデンサの製造方法は、誘電体酸化皮膜を形成する
までは、上記本発明の第１の実施の形態と同様に作製さ
れる。次に図４（ｂ）に示すように５℃に保持してモノ
マー溶液３に誘電体酸化皮膜層を形成した陽極体１を浸
漬し、５分後に引き上げる。その後、図４（ｃ）に示す
ように５℃に保持した酸化剤溶液４に浸漬し、１０秒後
引き上げ、図４（ｄ）に示すように５℃の雰囲気中に５
分間保持する。図４（ｃ）および（ｄ）に示す酸化剤溶
液４に浸漬する一連の操作を４回繰り返し、その後図４
（ｅ）に示すように３０℃の雰囲気中に１０分間保持
し、化学酸化重合反応させる。その後上記本発明の第１
の実施の形態と同様に作製され第１の導電性高分子層を
形成する。次に上記本発明の第１の実施の形態と同様に
作製され第２の導電性高分子層を形成する。
【００６５】一方、比較として第２の従来における固体
電解コンデンサの製造方法を示す。誘電体酸化皮膜層を
形成するまでは、上記本発明の第１の実施の形態と同様
に作製され、導電性高分子層は、上記本発明の第２の実
施の形態の第１の導電性高分子層と同様に形成する。
【００６６】上記のようにして得られた本発明の第２の
実施の形態におけるコンデンサ素子のコーナー部は化学
酸化重合の第１の導電性高分子層および化学酸化重合の
第２の導電性高分子層により被覆され、厚みは１０μｍ
であった。
【００６７】また、本発明の第２の実施の形態及び第２
の従来におけるコンデンサ素子は、本発明の第１の実施
の形態と同様な方法で固体電解コンデンサを得、ショー
トの発生率の測定を行った。
【００６８】その結果、第２の従来における固体電解コ
ンデンサがショート発生率が２０％であるのに対して、
本発明の第２の実施の形態で得られた固体電解コンデン
サはショート発生率が５％であった。
【００６９】このように本発明の第２の実施の形態の製
造方法は、本発明の第１の実施の形態と同様の作用と効
果がある。
【００７０】なお、本発明の第２の実施の形態のモノマ
ー溶液及び酸化剤溶液は、本発明の第１の実施の形態と
同様の液組成である。また、モノマーは、本発明の第１
の実施の形態同様ピロールに限られるものではなく、酸
化剤も硫酸第二鉄に限られるものではない。
【００７１】また、本発明の第２の実施の形態では、反
応速度を第１の導電性高分子層を形成する反応速度より
も速くするために、第２の導電性高分子層を形成する酸
化剤溶液の温度を第１の導電性高分子層を形成する酸化
剤溶液の温度よりも上昇したが、本発明の第１の実施の
形態と同様モノマー溶液を上昇しても良い。また、モノ
マー溶液と酸化剤溶液の両方の温度を上昇しても良い。
【００７２】また、本発明の第２の実施の形態では、第
１の導電性高分子層の形成にはモノマー溶液及び酸化剤
溶液を５℃、雰囲気温度を３０℃になるようにし、第２
の導電性高分子層の形成にはモノマー溶液を５℃、酸化
剤溶液を４０℃になるようにしたが、これに限られるも
のではない。
【００７３】また、本発明の第２の実施の形態では、第
１および第２の導電性高分子層を形成する際モノマー溶
液に浸漬した後酸化剤溶液に浸漬した場合について述べ
たが、本発明の第１の実施の形態と同様酸化剤溶液に浸
漬した後モノマー溶液に浸漬した場合であっても同様の
作用と効果を有することはいうまでもない。
【００７４】また、本発明の第２の実施の形態では、弁
作用金属をタンタルとしたが、本発明の第１の実施の形
態と同様アルミニウムであっても良い。
【００７５】（実施の形態３）図５は本発明の第３の実
施の形態における固体電解コンデンサの製造方法の要部
を説明する図である。
【００７６】図５において、１２は混合溶液、その他図
１と同一のものについては同一の符号を示してある。
【００７７】本発明の第３の実施の形態における固体電
解コンデンサの製造方法は、誘電体酸化皮膜を形成する
までは、上記本発明の第１の実施の形態と同様に作製さ
れる。次に図５（ｂ）に示すように１０℃に保持してモ
ノマー溶液と酸化剤溶液の混合溶液１２に誘電体酸化皮
膜層を形成した陽極体１を浸漬し、２０分後に引き上げ
る以外は、上記本発明の第１の実施の形態と同様に作製
され第１の導電性高分子層を形成する。次に上記本発明
の第１の実施の形態と同様に作製され第２の導電性高分
子層を形成する。
【００７８】一方、比較として第３の従来における固体
電解コンデンサの製造方法を示す。誘電体酸化皮膜層を
形成するまでは、上記本発明の第１の実施の形態と同様
に作製され、導電性高分子層は上記本発明の第３の実施
の形態の第１の導電性高分子層と同様に形成する。
【００７９】上記のようにして得られた本発明の第３の
実施の形態におけるコンデンサ素子のコーナー部は化学
酸化重合の第１の導電性高分子層および化学酸化重合の
第２の導電性高分子層により被覆され、厚みは７μｍで
あった。
【００８０】また、本発明の第３の実施の形態及び第３
の従来におけるコンデンサ素子は、本発明の第１の実施
の形態と同様な方法で固体電解コンデンサを得、ショー
トの発生率の測定を行った。
【００８１】その結果、第３の従来における固体電解コ
ンデンサがショート発生率が２２％であるのに対して、
本発明の第３の実施の形態で得られた個体電解コンデン
サはショート発生率が８％であった。
【００８２】このように本発明の第３の実施の形態の製
造方法は、本発明の第１の実施の形態と同様の作用と効
果がある。
【００８３】なお、本発明の第３の実施の形態のモノマ
ー溶液及び酸化剤溶液は、本発明の第１の実施の形態と
同様の液組成である。また、モノマーは、本発明の第１
の実施の形態同様ピロールに限られるものではなく、酸
化剤も硫酸第二鉄に限られるものではない。
【００８４】また、本発明の第３の実施の形態では、反
応速度を第１の導電性高分子層を形成する反応速度より
も速くするために、第２の導電性高分子層を形成する酸
化剤溶液の温度を第１の導電性高分子層を形成する酸化
剤溶液の温度よりも上昇したが、本発明の第１の実施の
形態と同様モノマー溶液を上昇しても良い。また、モノ
マー溶液と酸化剤溶液の両方の温度を上昇しても良い。
【００８５】また、本発明の第３の実施の形態では、第
１の導電性高分子層の形成には混合溶液を１０℃になる
ようにし、第２の導電性高分子層の形成にはモノマー溶
液を５℃、酸化剤溶液を４０℃になるようにしたが、こ
れに限られるものではない。
【００８６】また、本発明の第３の実施の形態では、第
２の導電性高分子層を形成する際モノマー溶液に浸漬し
た後酸化剤溶液に浸漬した場合について述べたが、酸化
剤溶液に浸漬した後モノマー溶液に浸漬した場合であっ
ても同様の作用と効果を有することはいうまでもない。
【００８７】また、本発明の第３の実施の形態では弁作
用金属をタンタルとしたが、本発明の第１の実施の形態
と同様アルミニウムであっても良い。
【００８８】（実施の形態４）図６は本発明の第４の実
施の形態における固体電解コンデンサの製造方法の要部
を説明する図である。
【００８９】図６において、１２は混合溶液、その他図
１と同一のものについては同一の符号を示してある。
【００９０】本発明の第４の実施の形態における固体電
解コンデンサの製造方法は、誘電体酸化皮膜を形成する
までは、上記本発明の第１の実施の形態と同様に作製さ
れる。次に図６（ｂ）に示すように１０℃に保持してモ
ノマー溶液と酸化剤溶液の混合溶液１２に誘電体酸化皮
膜層を形成した陽極体１を浸漬し、５分後に引き上げ
る。その後図６（ｃ）に示すように３０℃の雰囲気中に
１０分間保持し、化学酸化重合させる。その後上記本発
明の第１の実施の形態と同様に作製され第１の導電性高
分子層を形成する。次に上記本発明の第１の実施の形態
と同様に作製され第２の導電性高分子層を形成する。
【００９１】上記のようにして得られた本発明の第４の
実施の形態におけるコンデンサ素子のコーナー部は化学
酸化重合の第１の導電性高分子層および化学酸化重合の
第２の導電性高分子層により被覆され、厚みは１０μｍ
であった。
【００９２】また、本発明の第４の実施の形態における
コンデンサ素子は、本発明の第１の実施の形態と同様な
方法で固体電解コンデンサを得、ショートの発生率の測
定を行った。
【００９３】その結果、本発明の第４の実施の形態で得
られた固体電解コンデンサはショート発生率が５％であ
った。
【００９４】このように本発明の第４の実施の形態の製
造方法は、本発明の第１の実施の形態と同様の作用と効
果がある。
【００９５】なお、本発明の第４の実施の形態のモノマ
ー溶液及び酸化剤溶液は、本発明の第１の実施の形態と
同様の液組成である。また、モノマーは、本発明の第１
の実施の形態同様ピロールに限られるものではなく、酸
化剤も硫酸第二鉄に限られるものではない。
【００９６】また、本発明の第４の実施の形態では、反
応速度を第１の導電性高分子層を形成する反応速度より
も速くするために、第２の導電性高分子層を形成する酸
化剤溶液の温度を第１の導電性高分子層を形成する酸化
剤溶液の温度よりも上昇したが、本発明の第１の実施の
形態と同様モノマー溶液を上昇しても良い。また、モノ
マー溶液と酸化剤溶液の両方の温度を上昇しても良い。
【００９７】また、本発明の第４の実施の形態では、第
１の導電性高分子層の形成には混合溶液を１０℃、雰囲
気温度を３０℃になるようにし、第２の導電性高分子層
の形成にはモノマー溶液を５℃、酸化剤溶液を４０℃に
なるようにしたが、これに限られるものではない。
【００９８】また、本発明の第４の実施の形態では、第
２の導電性高分子層を形成する際モノマー溶液に浸漬し
た後酸化剤溶液に浸漬した場合について述べたが、酸化
剤溶液に浸漬した後モノマー溶液に浸漬した場合であっ
ても同様の作用と効果を有することはいうまでもない。
【００９９】また、本発明の第４の実施の形態では弁作
用金属をタンタルとしたが、本発明の第１の実施の形態
と同様アルミニウムであっても良い。
【０１００】（実施の形態５）図７は本発明の第５の実
施の形態における固体電解コンデンサの製造方法の要部
を説明する図である。
【０１０１】図７において、図１と同一のものについて
は同一の符号を示してある。
【０１０２】本発明の第５の実施の形態における固体電
解コンデンサの製造方法は、第１の導電性高分子層を形
成するまでは、上記本発明の第１の実施の形態と同様に
作製される。次に図７（ｄ）に示すように５℃に保持し
てモノマー溶液３に第１の導電性高分子層を形成した陽
極体１を浸漬し、５分後に引き上げる。その後、図７
（ｅ）に示すように５℃に保持した酸化剤溶液４に浸漬
し、１０秒後引き上げ、図７（ｆ）に示すように５℃の
雰囲気中に５分間保持する。図７（ｅ）および（ｆ）に
示す酸化剤溶液４に浸漬する一連の操作を４回繰り返
し、その後図７（ｇ）に示すように４０℃の雰囲気中に
１０分間保持し、化学酸化重合反応させる。その後上記
本発明の第１の実施の形態と同様に作製され第２の導電
性高分子層を形成する。
【０１０３】上記のようにして得られた本発明の第５の
実施の形態におけるコンデンサ素子のコーナー部は化学
酸化重合の第１の導電性高分子層および化学酸化重合の
第２の導電性高分子層により被覆され、厚みは７μｍで
あった。
【０１０４】また、本発明の第５の実施の形態における
コンデンサ素子は、本発明の第１の実施の形態と同様な
方法で固体電解コンデンサを得、ショートの発生率の測
定を行った。
【０１０５】その結果、本発明の第５の実施の形態で得
られた固体電解コンデンサは、ショート発生率が９％で
あった。
【０１０６】このように本発明の第５の実施の形態の製
造方法は、本発明の第１の実施の形態と同様の作用と効
果がある。
【０１０７】なお、本発明の第５の実施の形態のモノマ
ー溶液及び酸化剤溶液は、本発明の第１の実施の形態と
同様の液組成である。また、モノマーは、本発明の第１
の実施の形態同様ピロールに限られるものではなく、酸
化剤も硫酸第二鉄に限られるものではない。
【０１０８】また、本発明の第５の実施の形態では、反
応速度を第１の導電性高分子層を形成する反応速度より
も速くするために、第２の導電性高分子層を形成する雰
囲気温度を第１の導電性高分子層を形成する酸化剤溶液
の温度よりも上昇したが、モノマー溶液または酸化剤溶
液の温度を上昇しても良い。また、モノマー溶液と酸化
剤溶液の両方の温度を上昇しても良い。
【０１０９】また、本発明の第５の実施の形態では、第
１の導電性高分子層の形成にはモノマー溶液を５℃、酸
化剤溶液を２５℃になるようにし、第２の導電性高分子
層の形成にはモノマー溶液及び酸化剤溶液を５℃、雰囲
気温度を４０℃になるようにしたが、これに限られるも
のではない。
【０１１０】また、本発明の第５の実施の形態では、第
１の導電性高分子層は本発明の第１の実施の形態と同様
の化学酸化重合方法を採用したが、これに限られるもの
ではなく、好ましくは本発明の第２から第４の実施の形
態のいずれかの第１の導電性高分子層を形成する方法を
採用するのが良い。
【０１１１】また、本発明の第５の実施の形態では、モ
ノマー溶液に浸漬した後酸化剤溶液に浸漬した場合につ
いて述べたが、本発明の第１の実施の形態と同様酸化剤
溶液に浸漬した後モノマー溶液に浸漬した場合であって
も同様の作用と効果を有することはいうまでもない。
【０１１２】また、本発明の第５の実施の形態では弁作
用金属をタンタルとしたが、本発明の第１の実施の形態
と同様アルミニウムであっても良い。
【０１１３】（実施の形態６）図８は本発明の第６の実
施の形態における固体電解コンデンサの製造方法の要部
を説明する図である。
【０１１４】図８において、１２は混合溶液であり、そ
の他図１と同一のものについては同一の符号を示してあ
る。
【０１１５】本発明の第６の実施の形態における固体電
解コンデンサの製造方法は、第１の導電性高分子層を形
成するまでは、上記本発明の第１の実施の形態と同様に
作製される。次に図８（ｄ）に示すように４０℃に保持
してモノマー溶液と酸化剤溶液の混合溶液１２に誘電体
酸化皮膜層を形成した陽極体１を浸漬し、２０分後に引
き上げる以外は、上記本発明の第１の実施の形態と同様
に作製され第２の導電性高分子層を形成する。
【０１１６】上記のようにして得られた本発明の第６の
実施の形態におけるコンデンサ素子のコーナー部は化学
酸化重合の第１の導電性高分子層および化学酸化重合の
第２の導電性高分子層により被覆され、厚みは１１μｍ
であった。
【０１１７】また、本発明の第６の実施の形態における
コンデンサ素子は、本発明の第１の実施の形態と同様な
方法で固体電解コンデンサを得、ショートの発生率の測
定を行った。
【０１１８】その結果、本発明の第６の実施の形態で得
られた固体電解コンデンサは、ショート発生率が５％で
あった。
【０１１９】このように本発明の第６の実施の形態の製
造方法は、本発明の第１の実施の形態と同様の作用と効
果がある。
【０１２０】なお、本発明の第６の実施の形態のモノマ
ー溶液及び酸化剤溶液は、本発明の第１の実施の形態と
同様の液組成である。また、モノマーは、本発明の第１
の実施の形態同様ピロールに限られるものではなく、酸
化剤も硫酸第二鉄に限られるものではない。
【０１２１】また、本発明の第６の実施の形態では、第
１の導電性高分子層の形成にはモノマー溶液を５℃、酸
化剤溶液を２５℃になるようにし、第２の導電性高分子
層の形成には混合溶液を４０℃になるようにしたが、こ
れに限られるものではない。
【０１２２】また、本発明の第６の実施の形態では、第
１の導電性高分子層は本発明の第１の実施の形態と同様
の化学酸化重合方法を採用したが、これに限られるもの
でなく、好ましくは、本発明の第２から第４の実施の形
態のいずれかの第１の導電性高分子層を形成する方法を
採用するのが良い。
【０１２３】また、本発明の第６の実施の形態では、モ
ノマー溶液に浸漬した後酸化剤溶液に浸漬した場合につ
いて述べたが、本発明の第１の実施の形態と同様酸化剤
溶液に浸漬した後モノマー溶液に浸漬した場合であって
も同様の作用と効果を有することはいうまでもない。
【０１２４】また、本発明の第６の実施の形態では弁作
用金属をタンタルとしたが、本発明の第１の実施の形態
と同様アルミニウムであっても良い。
【０１２５】（実施の形態７）図９は本発明の第７の実
施の形態における固体電解コンデンサの製造方法の要部
を説明する図である。
【０１２６】図９において、１２は混合溶液であり、そ
の他図１と同一のものについては同一の符号を示してあ
る。
【０１２７】本発明の第７の実施の形態における固体電
解コンデンサの製造方法は、第１の導電性高分子層を形
成するまでは、上記本発明の第１の実施の形態と同様に
作製される。次に図９（ｄ）に示すように１０℃に保持
してモノマー溶液と酸化剤溶液の混合溶液１２に誘電体
酸化皮膜層を形成した陽極体１を浸漬し、５分後に引き
上げる。その後図９（ｅ）に示すように４０℃の雰囲気
中に１０分間保持し、化学酸化重合させる。その後上記
本発明の第１の実施の形態と同様に作製され第２の導電
性高分子層を形成する。
【０１２８】上記のようにして得られた本発明の第７の
実施の形態におけるコンデンサ素子のコーナー部は化学
酸化重合の第１の導電性高分子層および化学酸化重合の
第２の導電性高分子層により被覆され、厚みは１３μｍ
であった。
【０１２９】また、本発明の第７の実施の形態における
コンデンサ素子は、本発明の第１の実施の形態と同様な
方法で固体電解コンデンサを得、ショートの発生率の測
定を行った。
【０１３０】その結果、本発明の第７の実施の形態で得
られた固体電解コンデンサは、ショート発生率が４％で
あった。
【０１３１】このように本発明の第７の実施の形態の製
造方法は、本発明の第１の実施の形態と同様の作用と効
果がある。
【０１３２】なお、本発明の第７の実施の形態のモノマ
ー溶液及び酸化剤溶液は、本発明の第１の実施の形態と
同様の液組成である。また、モノマーは、本発明の第１
の実施の形態同様ピロールに限られるものではなく、酸
化剤も硫酸第二鉄に限られるものではない。
【０１３３】また、本発明の第７の実施の形態では、第
１の導電性高分子層の形成にはモノマー溶液を５℃、酸
化剤溶液を２５℃になるようにし、第２の導電性高分子
層の形成には混合溶液は１０℃、雰囲気温度を４０℃に
なるようにしたが、これに限られるものではない。
【０１３４】また、本発明の第７の実施の形態では、第
２の導電性高分子層を形成するのにモノマー溶液と酸化
剤溶液からなる混合溶液を用いたが、好ましくは、混合
溶液の粘度が１００ｃｐｓ以上の混合溶液が良く、また
は、混合溶液に粒径０．０１μｍ以上１０μｍ以下の導
電性高分子粉末を５ｗｔ％以上添加した混合溶液が良
い。
【０１３５】また、本発明の第７の実施の形態では、第
１の導電性高分子層は本発明の第１の実施の形態と同様
の化学酸化重合方法を採用したが、これに限られるもの
でなく、好ましくは、本発明の第２から第４の実施の形
態のいずれかの第１の導電性高分子層を形成する方法を
採用するのが良い。
【０１３６】また、本発明の第７の実施の形態では、モ
ノマー溶液に浸漬した後酸化剤溶液に浸漬した場合につ
いて述べたが、本発明の第１の実施の形態と同様酸化剤
溶液に浸漬した後モノマー溶液に浸漬した場合であって
も同様の作用と効果を有することはいうまでもない。
【０１３７】また、本発明の第７の実施の形態では弁作
用金属をタンタルとしたが、本発明の第１の実施の形態
と同様アルミニウムであっても良い。
【０１３８】（実施の形態８）図１０は本発明の第８の
実施の形態における固体電解コンデンサの製造方法の要
部を説明する図である。
【０１３９】図１０において、図１と同一のものについ
ては同一の符号を示してある。
【０１４０】本発明の第８の実施の形態における固体電
解コンデンサの製造方法は、第１の導電性高分子層を形
成するまでは、上記本発明の第１の実施の形態と同様に
作製され、第２の導電性高分子層は、図１０（ｅ）に示
すように２５℃に保持し、本発明の第１の実施の形態の
第２の導電性高分子層を形成する際の酸化剤の濃度より
も酸化剤濃度を濃くした酸化剤溶液４に第１の導電性高
分子層を形成した陽極体１を浸漬し、１０分後に引き上
げる以外は、上記本発明の第１の実施の形態の第１の導
電性高分子層と同様に作製され、第２の導電性高分子層
を形成する。
【０１４１】上記のようにして得られた本発明の第８の
実施の形態におけるコンデンサ素子のコーナー部は化学
酸化重合の第１の導電性高分子層および化学酸化重合の
第２の導電性高分子層により被覆され、厚みは１０μｍ
であった。
【０１４２】また、本発明の第８の実施の形態における
コンデンサ素子は、本発明の第１の実施の形態と同様な
方法で固体電解コンデンサを得、ショートの発生率の測
定を行った。
【０１４３】その結果、本発明の第８の実施の形態で得
られた固体電解コンデンサは、ショート発生率が６％で
あった。
【０１４４】このように、本発明の第８の実施の形態の
製造方法は、第２の導電性高分子層を形成する際酸化剤
溶液の酸化剤濃度を濃くしているので反応速度が速くな
り、陽極体の表面近傍に導電性高分子が形成されコーナ
ー部の被覆ができるため、導電性高分子層の形成不足に
よる陽極体の露出がなくなり、ストレスに対しても誘電
体酸化皮膜の欠陥の発生を抑制できるのでショート発生
率を低減することができる。
【０１４５】なお、本発明の第８の実施の形態の第１の
導電性高分子層を形成するモノマー溶液及び酸化剤溶液
は、本発明の第１の実施の形態と同様の液組成であり、
第２の導電性高分子層を形成するモノマー溶液及び酸化
剤溶液は、酸化剤溶液の酸化剤としての硫酸第二鉄を本
発明の第１の実施の形態の０．２５ｍｏｌ／ｌから０．
５ｍｏｌ／ｌに増加した以外は本発明の第１の実施の形
態と同様の液組成である。また、モノマーは、本発明の
第１の実施の形態同様ピロールに限られるものではな
く、酸化剤も硫酸第二鉄に限られるものではない。
【０１４６】また、本発明の第８の実施の形態では、反
応速度を第１の導電性高分子層を形成する反応速度より
も速くするために、第２の導電性高分子層を形成する酸
化剤溶液の酸化剤濃度を第１の導電性高分子層を形成す
る酸化剤溶液の酸化剤濃度よりも上昇したが、モノマー
溶液を上昇しても良い。また、モノマー溶液と酸化剤溶
液の両方の濃度を上昇しても良い。
【０１４７】また、本発明の第８の実施の形態では、第
１及び第２の導電性高分子層の形成にはモノマー溶液を
５℃、酸化剤溶液を２５℃になるようにしたが、これに
限られるものではない。
【０１４８】また、本発明の第８の実施の形態では、本
発明の第１の実施の形態と同様の化学酸化重合方法を採
用したが、これに限られるものでなく、好ましくは、本
発明の第２から第７の実施の形態のいずれかの化学酸化
重合方法を採用するのが良い。
【０１４９】また、本発明の第８の実施の形態では、モ
ノマー溶液に浸漬した後酸化剤溶液に浸漬した場合につ
いて述べたが、本発明の第１の実施の形態と同様酸化剤
溶液に浸漬した後モノマー溶液に浸漬した場合であって
も同様の作用と効果を有することはいうまでもない。
【０１５０】また、本発明の第８の実施の形態では弁作
用金属をタンタルとしたが、本発明の第１の実施の形態
と同様アルミニウムであっても良い。
【０１５１】（実施の形態９）図１１は本発明の第９の
実施の形態における固体電解質コンデンサの製造方法の
要部を説明する図である。
【０１５２】図１１において、図１と同一のものについ
ては同一の符号を示してある。
【０１５３】本発明の第９の実施の形態における固体電
解コンデンサの製造方法は、第１の導電性高分子層を形
成するまでは、上記本発明の第１の実施の形態と同様に
作製され、第２の導電性高分子層は、図１１（ｅ）に示
すように３５℃に保持し、本発明の第１の実施の形態の
酸化剤の濃度よりも酸化剤濃度を濃くした酸化剤溶液４
に第１の導電性高分子層を形成した陽極体１を浸漬し、
１０分後に引き上げる以外は、上記本発明の第１の実施
の形態の第１の導電性高分子層と同様に作製され、第２
の導電性高分子層を形成する。
【０１５４】上記のようにして得られた本発明の第９の
実施の形態におけるコンデンサ素子のコーナー部は化学
酸化重合の第１の導電性高分子層および化学酸化重合の
第２の導電性高分子層により被覆され、厚みは１２μｍ
であった。
【０１５５】また、本発明の第９の実施の形態における
コンデンサ素子は、本発明の第１の実施の形態と同様な
方法で固体電解コンデンサを得、ショートの発生率の測
定を行った。
【０１５６】その結果、本発明の第９の実施の形態で得
られた固体電解コンデンサは、ショート発生率が５％で
あった。
【０１５７】このように本発明の第９の実施の形態の製
造方法は、第２の導電性高分子層を形成する際酸化剤溶
液の温度を上昇し、かつ酸化剤濃度を濃くしているので
より反応速度が速くなり、陽極体のより表面近傍に導電
性高分子が形成され、よりコーナー部の被覆ができるた
め、導電性高分子層の形成不足による陽極体の露出がな
くなり、ストレスに対しても誘電体酸化皮膜の欠陥の発
生を抑制できるのでショート発生率をより効果的に低減
することができる。
【０１５８】なお、本発明の第９の実施の形態の第１の
導電性高分子層を形成するモノマー溶液及び酸化剤溶液
は、本発明の第１の実施の形態と同様の液組成であり、
第２の導電性高分子層を形成するモノマー溶液及び酸化
剤溶液は、酸化剤溶液の酸化剤としての硫酸第二鉄を本
発明の第１の実施の形態の０．２５ｍｏｌ／ｌから０．
５ｍｏｌ／ｌに増加した以外は本発明の第１の実施の形
態と同様の液組成である。また、モノマーは、本発明の
第１の実施の形態同様ピロールに限られるものではな
く、酸化剤も硫酸第二鉄に限られるものではない。
【０１５９】また、本発明の第９の実施の形態では、反
応速度を第１の導電性高分子層を形成する反応速度より
も速くするために、第２の導電性高分子層を形成する酸
化剤溶液の温度及び酸化剤濃度を第１の導電性高分子層
を形成する酸化剤溶液の温度及び酸化剤濃度よりも上昇
したが、モノマー溶液の温度及び濃度を上昇しても良
い。また、モノマー溶液と酸化剤溶液の両方の温度及び
濃度を上昇しても良い。
【０１６０】また、本発明の第９の実施の形態では、第
１の導電性高分子層の形成にはモノマー溶液を５℃、酸
化剤溶液を２５℃になるようにし、第２の導電性高分子
層の形成にはモノマー溶液を５℃、酸化剤溶液が４０℃
になるようにしたが、これに限られるものではない。
【０１６１】また、本発明の第９の実施の形態では、本
発明の第１の実施の形態と同様の化学酸化重合方法を採
用したが、これに限られるものでなく、好ましくは、本
発明の第２から第７の実施の形態のいずれかの化学酸化
重合方法を採用するのが良い。
【０１６２】また、本発明の第９の実施の形態では、モ
ノマー溶液に浸漬した後酸化剤溶液に浸漬した場合につ
いて述べたが、本発明の第１の実施の形態と同様酸化剤
溶液に浸漬した後モノマー溶液に浸漬した場合であって
も同様の作用と効果を有することはいうまでもない。
【０１６３】また、本発明の第９の実施の形態では弁作
用金属をタンタルとしたが、本発明の第１の実施の形態
と同様アルミニウムであっても良い。
【０１６４】（実施の形態１０）図１２は本発明の第１
０の実施の形態における固体電解コンデンサの製造方法
の要部を説明する図である。
【０１６５】図１２において、図１と同一のものについ
ては同一の符号を示してある。
【０１６６】本発明の第１０の実施の形態における固体
電解コンデンサの製造方法は、誘電体酸化皮膜層を形成
するまでは、上記本発明の第１の実施の形態と同様に作
製される。次に図１２（ｂ）に示すように５℃に保持し
たモノマー溶液３に誘電体酸化皮膜層を形成した陽極体
１を浸漬し、５分後に引き上げる。その後、図１２
（ｃ）に示すように４０℃に保持した酸化剤溶液４に１
０分間浸漬し、化学酸化重合反応させる。その後８０℃
の純水で洗浄し、１０５℃で５分間乾燥する。以上の操
作を２回繰り返し、プレ重合膜層を形成する。次に上記
本発明の第１の実施の形態と同様に作製され、第１及び
第２の導電性高分子層を形成する。
【０１６７】上記のようにして得られた本発明の第１０
の実施の形態におけるコンデンサ素子の断面図を図１３
に示す。コンデンサ素子のコーナー部は化学酸化重合の
プレ重合膜層１３および化学酸化重合の第１の導電性高
分子層５および化学酸化重合の第２の導電性高分子層６
により被覆され、厚みは１４μｍであった。
【０１６８】また、本発明の第１０の実施の形態におけ
るコンデンサ素子は、本発明の第１の実施の形態と同様
な方法で固体電解コンデンサを得、ショートの発生率の
測定を行った。
【０１６９】その結果、本発明の第１０の実施の形態で
得られた固体電解コンデンサは、ショート発生率が４％
であった。
【０１７０】このように本発明の第１０の実施の形態の
製造方法は、プレ重合膜層１３をまず陽極体の表面近傍
にポーラスに、かつ凸凹状に形成し、導電性高分子層の
被覆性を向上させ、第２の導電性高分子層を素子表面に
形成しやすくしている。これにより、その後第１及び第
２の導電性高分子層を形成したとき陽極体のコーナー部
を本発明の第１の実施の形態より厚く被覆できるため、
導電性高分子層の形成不足による陽極体の露出がなくな
り、ストレスに対しても誘電体酸化皮膜の欠陥の発生を
抑制できるのでより効果的にショート発生率を低減する
ことができる。
【０１７１】なお、本発明の第１０の実施の形態のモノ
マー溶液及び酸化剤溶液は、本発明の第１の実施の形態
と同様の液組成である。また、モノマーは、本発明の第
１の実施の形態同様ピロールに限られるものではなく、
酸化剤も硫酸第二鉄に限られるものではない。
【０１７２】また、本発明の第１０の実施の形態では、
反応速度を第１の導電性高分子層を形成する反応速度よ
りも速くするために、第２の導電性高分子層を形成する
酸化剤溶液の温度を第１の導電性高分子層を形成する酸
化剤溶液の温度よりも上昇したが、本発明の第１の実施
の形態と同様モノマー溶液を上昇しても良い。また、モ
ノマー溶液と酸化剤溶液の両方の温度を上昇しても良
い。
【０１７３】また、本発明の第１０の実施の形態では、
反応速度を第１の導電性高分子層を形成する反応速度よ
りも速くするために、プレ重合膜層を形成する酸化剤溶
液の温度を第１の導電性高分子層を形成する酸化剤溶液
の温度よりも上昇したが、モノマー溶液を上昇しても良
い。また、モノマー溶液と酸化剤溶液の両方の温度を上
昇しても良い。さらにモノマー溶液のモノマー濃度、も
しくは酸化剤溶液の酸化剤濃度を上昇しても良い。ま
た、モノマー溶液のモノマー濃度及び酸化剤溶液の酸化
剤濃度を上昇しても良い。
【０１７４】また、本発明の第１０の実施の形態では、
プレ重合膜層の形成にはモノマー溶液を５℃、酸化剤溶
液を４０℃になるようにし、第１の導電性高分子層の形
成にはモノマー溶液を５℃、酸化剤溶液を２５℃になる
ようにし、第２の導電性高分子層の形成にはモノマー溶
液を５℃、酸化剤溶液を４０℃になるようにしたが、こ
れに限られるものではない。
【０１７５】また、本発明の第１０の実施の形態では、
第１及び第２の導電性高分子層を形成するに当たり本発
明の第１の実施の形態と同様の化学酸化重合方法を採用
したが、これに限られるものでなく、好ましくは、本発
明の第２から第９の実施の形態のいずれかの化学酸化重
合方法を採用するのが良い。
【０１７６】また、本発明の第１０の実施の形態では、
プレ重合膜層、第１、第２の導電性高分子層を形成する
際モノマー溶液に浸漬した後酸化剤溶液に浸漬した場合
について述べたが、酸化剤溶液に浸漬した後モノマー溶
液に浸漬した場合であっても同様の作用と効果を有する
ことはいうまでもない。
【０１７７】また、本発明の第１０の実施の形態では弁
作用金属をタンタルとしたが、本発明の第１の実施の形
態と同様アルミニウムであっても良い。
【０１７８】（実施の形態１１）図１４は本発明の第１
１の実施の形態における固体電解コンデンサの製造方法
の要部を説明する図である。
【０１７９】図１４において、１２は混合溶液であり、
その他図１と同一のものについては同一の符号を示して
ある。
【０１８０】本発明の第１１の実施の形態における固体
電解コンデンサの製造方法は、誘電体酸化皮膜層を形成
するまでは、上記本発明の第１の実施の形態と同様に作
製される。次に図１４（ｂ）に示すように３５℃に保持
してモノマー溶液と酸化剤溶液の混合溶液１２に誘電体
酸化皮膜層を形成した陽極体１を浸漬し、１０分間浸漬
し、化学酸化重合させる。その後８０℃の純水で洗浄
し、１０５℃で５分間乾燥する。以上の操作を２回繰り
返し、プレ重合膜層を形成する。次に上記本発明の第１
の実施の形態と同様に作製され、第１及び第２の導電性
高分子層を形成する。
【０１８１】上記のようにして得られた本発明の第１１
の実施の形態におけるコンデンサ素子のコーナー部は化
学酸化重合のプレ重合膜層１３および化学酸化重合の第
１の導電性高分子層５および化学酸化重合の第２の導電
性高分子層６により被覆され、厚みは１６μｍであっ
た。
【０１８２】また、本発明の第１１の実施の形態におけ
るコンデンサ素子は、本発明の第１の実施の形態と同様
な方法で固体電解コンデンサを得、ショートの発生率の
測定を行った。
【０１８３】その結果、本発明の第１１の実施の形態で
得られた固体電解コンデンサは、ショート発生率が４％
であった。
【０１８４】このように本発明の第１１の実施の形態の
製造方法は、プレ重合膜層１３をまず陽極体の表面近傍
にポーラスに、かつ凸凹状に形成し、導電性高分子層の
被覆性を向上させ、第２の導電性高分子層を素子表面に
形成しやすくしている。これにより、その後第１及び第
２の導電性高分子層を形成したとき陽極体のコーナー部
を本発明の第１の実施の形態より厚く被覆できるため、
導電性高分子層の形成不足による陽極体の露出がなくな
り、ストレスに対しても誘電体酸化皮膜の欠陥の発生を
抑制できるのでより効果的にショート発生率を低減する
ことができる。
【０１８５】なお、本発明の第１１の実施の形態のモノ
マー溶液及び酸化剤溶液は、本発明の第１の実施の形態
と同様の液組成である。また、モノマーは、本発明の第
１の実施の形態同様ピロールに限られるものではなく、
酸化剤も硫酸第二鉄に限られるものではない。
【０１８６】また、本発明の第１１の実施の形態では、
反応速度を第１の導電性高分子層を形成する反応速度よ
りも速くするために、第２の導電性高分子層を形成する
酸化剤溶液の温度を第１の導電性高分子層を形成する酸
化剤溶液の温度よりも上昇したが、本発明の第１の実施
の形態と同様モノマー溶液を上昇しても良い。また、モ
ノマー溶液と酸化剤溶液の両方の温度を上昇しても良
い。
【０１８７】また、本発明の第１１の実施の形態では、
反応速度を第１の導電性高分子層を形成する反応速度よ
りも速くするために、プレ重合膜層を形成する酸化剤溶
液の温度を第１の導電性高分子層を形成する混合溶液の
温度よりも上昇したが、モノマー溶液のモノマー濃度、
もしくは酸化剤溶液の酸化剤濃度を上昇しても良い。ま
た、モノマー溶液のモノマー濃度及び酸化剤溶液の酸化
剤濃度を上昇しても良い。
【０１８８】また、本発明の第１１の実施の形態では、
プレ重合膜層の形成には混合溶液を４０℃になるように
し、第１の導電性高分子層の形成にはモノマー溶液を５
℃、酸化剤溶液を２５℃になるようにし、第２の導電性
高分子層の形成にはモノマー溶液を５℃、酸化剤溶液を
４０℃になるようにしたが、これに限られるものではな
い。
【０１８９】また、本発明の第１１の実施の形態では、
第１及び第２の導電性高分子層を形成するに当たり本発
明の第１の実施の形態と同様の化学酸化重合方法を採用
したが、これに限られるものでなく、好ましくは、本発
明の第２から第９の実施の形態のいずれかの化学酸化重
合方法を採用するのが良い。
【０１９０】また、本発明の第１１の実施の形態では、
モノマー溶液に浸漬した後酸化剤溶液に浸漬した場合に
ついて述べたが、本発明の第１の実施の形態と同様酸化
剤溶液に浸漬した後モノマー溶液に浸漬した場合であっ
ても同様の作用と効果を有することはいうまでもない。
【０１９１】また、本発明の第１１の実施の形態では弁
作用金属をタンタルとしたが、本発明の第１の実施の形
態と同様アルミニウムであっても良い。
【０１９２】（実施の形態１２）図１５は本発明の第１
２の実施の形態における固体電解コンデンサの製造方法
の要部を説明する図である。
【０１９３】図１５において、１２は混合溶液であり、
その他図１と同一のものについては同一の符号を示して
ある。
【０１９４】本発明の第１２の実施の形態における固体
電解コンデンサの製造方法は、誘電体酸化皮膜層を形成
するまでは、上記本発明の第１の実施の形態と同様に作
製される。次に図１５（ｂ）に示すように１０℃に保持
してモノマー溶液と酸化剤溶液の混合溶液１２に誘電体
酸化皮膜層を形成した陽極体１を浸漬し、５分後に引き
上げる。その後図１５（ｃ）に示すように４０℃の雰囲
気中に１０分間保持し、化学酸化重合させる。その後８
０℃の純水で洗浄し、１０５℃で５分間乾燥する。以上
の操作を２回繰り返し、プレ重合膜層を形成する。次に
上記本発明の第１の実施の形態と同様に作製され、第１
及び第２の導電性高分子層を形成する。
【０１９５】上記のようにして得られた本発明の第１２
の実施の形態におけるコンデンサ素子のコーナー部は化
学酸化重合のプレ重合膜層１３および化学酸化重合の第
１の導電性高分子層５および化学酸化重合の第２の導電
性高分子層６により被覆され、厚みは１８μｍであっ
た。
【０１９６】また、本発明の第１２の実施の形態におけ
るコンデンサ素子は、本発明の第１の実施の形態と同様
な方法で固体電解コンデンサを得、ショートの発生率の
測定を行った。
【０１９７】その結果、本発明の第１２の実施の形態で
得られた固体電解コンデンサは、ショート発生率が３％
であった。
【０１９８】このように本発明の第１２の実施の形態の
製造方法は、プレ重合膜層１３をまず陽極体の表面近傍
にポーラスに、かつ凸凹状に形成し、導電性高分子層の
被覆性を向上させ、第２の導電性高分子層を素子表面に
形成しやすくしている。これにより、その後第１及び第
２の導電性高分子層を形成したとき陽極体のコーナー部
を本発明の第１の実施の形態より厚く被覆できるため、
導電性高分子層の形成不足による陽極体の露出がなくな
り、ストレスに対しても誘電体酸化皮膜の欠陥の発生を
抑制できるのでより効果的にショート発生率を低減する
ことができる。
【０１９９】なお、本発明の第１２の実施の形態のモノ
マー溶液及び誘電体酸化剤溶液は、本発明の第１の実施
の形態と同様の液組成である。また、モノマーは、本発
明の第１の実施の形態同様ピロールに限られるものでは
なく、酸化剤も硫酸第二鉄に限られるものではない。
【０２００】また、本発明の第１２の実施の形態では、
反応速度を第１の導電性高分子層を形成する反応速度よ
りも速くするために、第２の導電性高分子層を形成する
酸化剤溶液の温度を第１の導電性高分子層を形成する酸
化剤溶液の温度よりも上昇したが、本発明の第１の実施
の形態と同様モノマー溶液を上昇しても良い。また、モ
ノマー溶液と酸化剤溶液の両方の温度を上昇しても良
い。
【０２０１】また、本発明の第１２の実施の形態では、
反応速度を第１の導電性高分子層を形成する反応速度よ
りも速くするために、プレ重合膜層を形成する混合溶液
の温度を第１の導電性高分子層を形成する酸化剤溶液の
温度よりも上昇したが、モノマー溶液のモノマー濃度、
もしくは酸化剤溶液の酸化剤濃度を上昇しても良い。ま
た、モノマー溶液のモノマー濃度及び酸化剤溶液の酸化
剤濃度を上昇しても良い。
【０２０２】また、本発明の第１２の実施の形態では、
プレ重合膜層の形成には混合溶液を１０℃、雰囲気温度
を４０℃になるようにし、第１の導電性高分子層の形成
にはモノマー溶液を５℃、酸化剤溶液を２５℃になるよ
うにし、第２の導電性高分子層の形成にはモノマー溶液
を５℃、酸化剤溶液を４０℃になるようにしたが、これ
に限られるものではない。
【０２０３】また、本発明の第１２の実施の形態では、
プレ重合膜層を形成するのにモノマー溶液と酸化剤溶液
からなる混合溶液を用いたが、好ましくは、混合溶液に
粒径０．０１μｍ以上１０μｍ以下の導電性高分子粉末
を５ｗｔ％以上添加した混合溶液が良い。
【０２０４】また、本発明の第１２の実施の形態では、
第１及び第２の導電性高分子層を形成するに当たり本発
明の第１の実施の形態と同様の化学酸化重合方法を採用
したが、これに限られるものでなく、好ましくは、本発
明の第２から第９の実施の形態のいずれかの化学酸化重
合方法を採用するのが良い。
【０２０５】また、本発明の第１２の実施の形態では、
モノマー溶液に浸漬した後酸化剤溶液に浸漬した場合に
ついて述べたが、本発明の第１の実施の形態と同様酸化
剤溶液に浸漬した後モノマー溶液に浸漬した場合であっ
ても同様の作用と効果を有することはいうまでもない。
【０２０６】また、本発明の第１２の実施の形態では弁
作用金属をタンタルとしたが、本発明の第１の実施の形
態と同様アルミニウムであっても良い。
【０２０７】
【発明の効果】以上のように本発明の固体電解コンデン
サは構成されるため、陽極体のコーナー部の導電性高分
子層の形成不足による陽極体の露出がなくなり、ストレ
スに対しても誘電体酸化皮膜の欠陥の発生を抑制できる
のでショートを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における固体電解コ
ンデンサの製造方法の要部を説明する図
【図２】本発明の第１の実施の形態のコンデンサ素子の
断面図
【図３】本発明の第１の実施の形態の固体電解コンデン
サの断面図
【図４】本発明の第２の実施の形態における固体電解コ
ンデンサの製造方法の要部を説明する図
【図５】本発明の第３の実施の形態における固体電解コ
ンデンサの製造方法の要部を説明する図
【図６】本発明の第４の実施の形態における固体電解コ
ンデンサの製造方法の要部を説明する図
【図７】本発明の第５の実施の形態における固体電解コ
ンデンサの製造方法の要部を説明する図
【図８】本発明の第６の実施の形態における固体電解コ
ンデンサの製造方法の要部を説明する図
【図９】本発明の第７の実施の形態における固体電解コ
ンデンサの製造方法の要部を説明する図
【図１０】本発明の第８の実施の形態における固体電解
コンデンサの製造方法の要部を説明する図
【図１１】本発明の第９の実施の形態における固体電解
コンデンサの製造方法の要部を説明する図
【図１２】本発明の第１０の実施の形態における固体電
解コンデンサの製造方法の要部を説明する図
【図１３】本発明の第１０の実施の形態のコンデンサ素
子の断面図
【図１４】本発明の第１１の実施の形態における固体電
解コンデンサの製造方法の要部を説明する図
【図１５】本発明の第１２の実施の形態における固体電
解コンデンサの製造方法の要部を説明する図
【図１６】従来におけるコンデンサ素子の断面図
【図１７】従来における固体電解コンデンサの断面図
【符号の説明】
１ 陽極体 ２ 陽極導出線 ３ モノマー溶液 ４ 酸化剤溶液 ５ 第１の導電性高分子層 ６ 第２の導電性高分子層 ７ カーボン層 ８ 銀塗料層 ９、１０ 金属リード端子 １１ 外装 １２ 混合溶液 １３ プレ重合膜層 ２１ 陽極体 ２２ 陽極導出線 ２３ 導電性高分子層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 濱田 貴裕 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 井垣 恵美子 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (34)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 陽極導出線を有し表面に誘電体酸化皮膜
    層を形成した弁作用金属からなる陽極体と、この陽極体
    の誘電体酸化皮膜層上に固体電解質層として形成される
    導電性高分子層と、この導電性高分子層上に設けた陰極
    層と、上記陽極導出線および陰極層にそれぞれ接続され
    た引き出し端子と、この引き出し端子の一部を除いて全
    体を被った外装とからなる固体電解コンデンサにおい
    て、上記陽極体のコーナー部の導電性高分子層の厚みが
    ５μｍ以上１００μｍ以下とした固体電解コンデンサ。
  2. 【請求項２】 導電性高分子層が化学酸化重合により形
    成される第１の導電性高分子層と、化学酸化重合により
    形成される第２の導電性高分子層とで構成された請求項
    １に記載の固体電解コンデンサ。
  3. 【請求項３】 弁作用金属がタンタルまたはアルミニウ
    ムから選ばれる１種類である請求項１に記載の固体電解
    コンデンサ。
  4. 【請求項４】 第１の導電性高分子層を形成する陽極体
    の誘電体酸化皮膜上に化学酸化重合によるプレ重合膜層
    を有する請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
  5. 【請求項５】 プレ重合膜が主として陽極体の表面近傍
    に形成されたポーラスで凸凹のある導電性高分子層であ
    る請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
  6. 【請求項６】 陽極導出線を埋没した弁作用金属粉末の
    成形体を焼結して多孔質体とし、この多孔質体を陽極酸
    化して表面に誘電体酸化皮膜を形成して陽極体とし、こ
    の陽極体にモノマー溶液と酸化剤溶液を用いて化学酸化
    重合により第１の導電性高分子層を形成し、さらに第１
    の導電性高分子層上にモノマー溶液と酸化剤溶液を用い
    て化学酸化重合により第２の導電性高分子層を形成して
    少なくとも上記陽極体のコーナー部の第１と第２の導電
    性高分子層の合計の厚みが５μｍ以上１００μｍ以下と
    なるように固体電解質としての導電性高分子層を形成
    し、この導電性高分子層上に陰極層を形成し、上記陽極
    導出線および陰極層にそれぞれ引き出し端子を接続し、
    この引き出し端子の一部を除いて樹脂による外装を形成
    する固体電解コンデンサの製造方法。
  7. 【請求項７】 第１、第２の導電性高分子層の少なくと
    もいずれか一方が、モノマー溶液に浸漬した後酸化剤溶
    液に浸漬して化学酸化重合させて形成する請求項６に記
    載の固体電解コンデンサの製造方法。
  8. 【請求項８】 第１、第２の導電性高分子層の少なくと
    もいずれか一方が、酸化剤溶液に浸漬した後モノマー溶
    液に浸漬して化学酸化重合させて形成する請求項６に記
    載の固体電解コンデンサの製造方法。
  9. 【請求項９】 第１、第２の導電性高分子層の少なくと
    もいずれか一方が、モノマー溶液に浸漬した後酸化剤溶
    液に浸漬し、その後所定の雰囲気温度中で所定の時間保
    持して化学酸化重合させて形成する請求項６に記載の固
    体電解コンデンサの製造方法。
  10. 【請求項１０】 第１、第２の導電性高分子層の少なく
    ともいずれか一方が、酸化剤溶液に浸漬した後モノマー
    溶液に浸漬し、その後所定の雰囲気温度中で所定の時間
    保持して化学酸化重合させて形成する請求項６に記載の
    固体電解コンデンサの製造方法。
  11. 【請求項１１】 第１、第２の導電性高分子層の少なく
    ともいずれか一方が、モノマー溶液と酸化剤溶液の混合
    溶液に浸漬して化学酸化重合させて形成する請求項６に
    記載の固体電解コンデンサの製造方法。
  12. 【請求項１２】 第１、第２の導電性高分子層の少なく
    ともいずれか一方が、モノマー溶液と酸化剤溶液の混合
    溶液に浸漬し、その後所定の雰囲気温度中で所定の時間
    保持して化学酸化重合させて形成する請求項６に記載の
    固体電解コンデンサの製造方法。
  13. 【請求項１３】 モノマー溶液と酸化剤溶液の混合溶液
    の粘度が１００ｃｐｓ以上となる混合溶液に浸漬し、そ
    の後所定の雰囲気温度中で所定の時間保持して化学酸化
    重合させて第２の導電性高分子層を形成する請求項１２
    に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
  14. 【請求項１４】 モノマー溶液と酸化剤溶液の混合溶液
    に導電性高分子粉末を５ｗｔ％以上添加したものに浸漬
    し、その後所定の雰囲気温度中で所定の時間保持して化
    学酸化重合させて第２の導電性高分子層を形成する請求
    項１２に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
  15. 【請求項１５】 第２の導電性高分子層を形成する混合
    溶液に添加する導電性高分子粉末の粒径が０．０１μｍ
    以上１０μｍ以下である請求項１４に記載の固体電解コ
    ンデンサの製造方法。
  16. 【請求項１６】 第１の導電性高分子層を形成する化学
    酸化重合の反応速度より第２の導電性高分子層を形成す
    る化学酸化重合の反応速度を速くした請求項６に記載の
    固体電解コンデンサの製造方法。
  17. 【請求項１７】 第１の導電性高分子層を形成する化学
    酸化重合の反応速度より第２の導電性高分子層を形成す
    る化学酸化重合の反応速度を速くするために、第１の導
    電性高分子層を形成する化学酸化重合時より第２の導電
    性高分子層を形成する化学酸化重合時の反応温度を高く
    した請求項６に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
  18. 【請求項１８】 第１の導電性高分子層を形成する化学
    酸化重合の反応速度より第２の導電性高分子層を形成す
    る化学酸化重合の反応速度を速くするために、第２の導
    電性高分子層を形成する化学酸化重合時のモノマー溶液
    と酸化剤溶液において、第１の導電性高分子層を形成す
    る化学酸化重合時よりモノマーもしくは酸化剤の濃度を
    高くした請求項６に記載の固体電解コンデンサの製造方
    法。
  19. 【請求項１９】 第１の導電性高分子層を形成する化学
    酸化重合の反応速度より第２の導電性高分子層を形成す
    る化学酸化重合の反応速度を速くするために、第２の導
    電性高分子層を形成する化学酸化重合時のモノマー溶液
    と酸化剤溶液において、第１の導電性高分子層を形成す
    る化学酸化重合時よりモノマー及び酸化剤の両方の濃度
    を高くした請求項６に記載の固体電解コンデンサの製造
    方法。
  20. 【請求項２０】 第１の導電性高分子層を形成する化学
    酸化重合の反応速度より第２の導電性高分子層を形成す
    る化学酸化重合の反応速度を速くするために、第１の導
    電性高分子層を形成する化学酸化重合時より第２の導電
    性高分子層を形成する化学酸化重合時の反応温度を高く
    するとともにモノマー溶液と酸化剤溶液においてモノマ
    ーもしくは酸化剤の濃度を高くした請求項６に記載の固
    体電解コンデンサの製造方法。
  21. 【請求項２１】 第１の導電性高分子層を形成する化学
    酸化重合の反応速度より第２の導電性高分子層を形成す
    る化学酸化重合の反応速度を速くするために、第１の導
    電性高分子層を形成する化学酸化重合時より第２の導電
    性高分子層を形成する化学酸化重合時の反応温度を高く
    するとともにモノマー溶液と酸化剤溶液においてモノマ
    ーおよび酸化剤の両方の濃度を高くした請求項６に記載
    の固体電解コンデンサの製造方法。
  22. 【請求項２２】 陽極導出線を埋没した弁作用金属粉末
    の成形体を焼結して多孔質体とし、この多孔質体を陽極
    酸化して表面に誘電体酸化皮膜を形成して陽極体とし、
    この陽極体にモノマー溶液と酸化剤溶液を用いて化学酸
    化重合によりプレ重合膜層を形成し、このプレ重合膜層
    上にモノマー溶液と酸化剤溶液を用いて化学酸化重合に
    より第１の導電性高分子層を形成し、さらに第１の導電
    性高分子層上にモノマー溶液と酸化剤溶液を用いて化学
    酸化重合により第２の導電性高分子層を形成して少なく
    とも上記陽極体のコーナー部の第１と第２の導電性高分
    子層の合計の厚みが５μｍ以上１００μｍ以下となるよ
    うに固体電解質としての導電性高分子層を形成し、この
    導電性高分子層上に陰極層を形成し、上記陽極導出線お
    よび陰極層にそれぞれ引き出し端子を接続し、この引き
    出し端子の一部を除いて樹脂による外装を形成する固体
    電解コンデンサの製造方法。
  23. 【請求項２３】 プレ重合膜層がモノマー溶液に浸漬し
    た後酸化剤溶液に浸漬して化学酸化重合させて形成する
    請求項２２に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
  24. 【請求項２４】 プレ重合膜層が酸化剤溶液に浸漬した
    後モノマー溶液に浸漬して化学酸化重合させて形成する
    請求項２２に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
  25. 【請求項２５】 プレ重合膜層がモノマー溶液と酸化剤
    溶液の混合溶液に浸漬して化学酸化重合させて形成する
    請求項２２に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
  26. 【請求項２６】 プレ重合膜層がモノマー溶液と酸化剤
    溶液の混合溶液に浸漬し、その後所定の雰囲気温度中で
    所定の時間保持して化学酸化重合させて形成する請求項
    ２２に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
  27. 【請求項２７】 モノマー溶液と酸化剤溶液の混合溶液
    に導電性高分子粉末を５ｗｔ％以上添加したものに浸漬
    し、その後所定の雰囲気温度中で所定の時間保持して化
    学酸化重合させてプレ重合膜層を形成する請求項２２に
    記載の固体電解コンデンサの製造方法。
  28. 【請求項２８】 プレ重合膜層を形成する混合溶液に添
    加する導電性高分子粉末の粒径が０．０１μｍ以上１０
    μｍ以下である請求項２７に記載の固体電解コンデンサ
    の製造方法。
  29. 【請求項２９】 第１の導電性高分子層を形成する化学
    酸化重合の反応速度よりプレ重合膜層を形成する化学酸
    化重合の反応速度を速くした請求項２２に記載の固体電
    解コンデンサの製造方法。
  30. 【請求項３０】 第１の導電性高分子層を形成する化学
    酸化重合の反応速度よりプレ重合膜層を形成する化学酸
    化重合の反応速度を速くするために、第１の導電性高分
    子層を形成する化学酸化重合時よりプレ重合膜を形成す
    る化学酸化重合時の反応温度を高くした請求項２９に記
    載の固体電解コンデンサの製造方法。
  31. 【請求項３１】 第１の導電性高分子層を形成する化学
    酸化重合の反応速度よりプレ重合膜層を形成する化学酸
    化重合の反応速度を速くするために、プレ重合膜層を形
    成する化学酸化重合時のモノマー溶液と酸化剤溶液にお
    いて、第１の導電性高分子層を形成する化学酸化重合時
    よりモノマーもしくは酸化剤の濃度を高くした請求項２
    ９に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
  32. 【請求項３２】 第１の導電性高分子層を形成する化学
    酸化重合の反応速度よりプレ重合膜層を形成する化学酸
    化重合の反応速度を速くするために、プレ重合膜層を形
    成する化学酸化重合時のモノマー溶液と酸化剤溶液にお
    いて、第１の導電性高分子層を形成する化学酸化重合時
    よりモノマー及び酸化剤の両方の濃度を高くした請求項
    ２９に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
  33. 【請求項３３】 第１の導電性高分子層を形成する化学
    酸化重合の反応速度よりプレ重合膜層を形成する化学酸
    化重合の反応速度を速くするために、第１の導電性高分
    子層を形成する化学酸化重合時よりプレ重合膜層を形成
    する化学酸化重合時の反応温度を高くするとともにモノ
    マー溶液と酸化剤溶液においてモノマーもしくは酸化剤
    の濃度を高くした請求項２９に記載の固体電解コンデン
    サの製造方法。
  34. 【請求項３４】 第１の導電性高分子層を形成する化学
    酸化重合の反応速度よりプレ重合膜層を形成する化学酸
    化重合の反応速度を速くするために、第１の導電性高分
    子層を形成する化学酸化重合時よりプレ重合膜層を形成
    する化学酸化重合時の反応温度を高くするとともにモノ
    マー溶液と酸化剤溶液においてモノマーおよび酸化剤の
    両方の濃度を高くした請求項２９に記載の固体電解コン
    デンサの製造方法。
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