JP2001024061A

JP2001024061A - Ａｓｉｃの設計方法及びプリミティブレイアウト

Info

Publication number: JP2001024061A
Application number: JP11191061A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Ito; 伊藤　　博
Original assignee: NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Current assignee: NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Priority date: 1999-07-05
Filing date: 1999-07-05
Publication date: 2001-01-26

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明の課題は、処理工程を単純化し、確実
にウェルコンタクト及びサブコンタクトを発生させ、生
産性を向上させると共に、不必要なデータ層を減らすこ
とによりコストを低減せしめるプリミティブレイアウ
ト、ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生手法、及
びウェルコンタクト及びサブコンタクト発生手法をコン
ピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュー
タ読み取り可能な記録媒体を提供することを目的とす
る。【解決手段】プリミティブレイアウト内に、トランジ
スタの拡散層と対向し、且つ近接するプリミティブセル
の周縁部とで設定される領域内にダミー層を形成させる
と共に、係るダミー層に近接しているプリミティブセル
の周縁部の延長方向のダミー層の幅を所定の幅に形成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ＡＳＩＣのチッ
プ設計における自動配置後にウェルコンタクト及びサブ
コンタクトを発生する方法及びＡＳＩＣチップを構成す
るプリミティブレイアウト及びウェルコンタクト及びサ
ブコンタクト発生手法をコンピュータに実行させるプロ
グラムを記録したコンピュータ読みとり可能な記憶媒体
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ウェルコンタクト及びサブコン
タクトは、基板電位の安定とラッチアップ対策のため
に、チップ内に必要数配置されるものである。一方でプ
リミティブレイアウト内にウェルコンタクト及びサブコ
ンタクトを配置した場合、全てのプリミティブレイアウ
トにウェルコンタクト及びサブコンタクトを持つ必要は
ない。また、プリミティブレイアウトのセルサイズの増
大を防止し、且つチップ内に必要数配置する従来の手法
を簡単に説明する。係る手法は、プリミティブレイアウ
ト内でウェルコンタクト及びサブコンタクトを持たず、
チップレイアウト作成後にウェルコンタクト及びサブコ
ンタクトを挿入することによりチップサイズの増大を防
止していた。尚、プリミティブレイアウトのセルサイズ
の増大に直接的要因をならない場合は、プリミティブレ
イアウト内でウェルコンタクト及びサブコンタクトを有
する。

【０００３】以上説明した従来技術の一例として図面を
参照して説明する。図９は従来のプリミティブレイアウ
トを示す平面図である。図９に示されたプリミティブレ
イアウト３６は、プリミティブセル枠（周縁部）１４に
よってその配置領域を決定されていた。また、プリミテ
ィブレイアウト３６は、各プリミティブセル（プリミテ
ィブセルは、プリミティブセル枠によって形状や大きさ
が決定されるものであるため、特に符号を付さないこと
とする）の回路機能を満たすように設置されたトランジ
スタや配線のレイアウトである。係るトランジスタや配
線はチップ配置時に隣接するデータとの間隔基準を満た
すようにプリミティブセル枠内に配置されていた。ま
た、係るプリミティブレイアウト３６は、ＶＤＤ供給配
線１５を有し、ＧＮＤ供給配線１６を有していた。更
に、Ｐｃｈトランジスタ拡散層４３にＶＤＤを供給する
ソースコンタクト１７と、Ｎｃｈトランジスタ拡散層４
４にＧＮＤを供給するソースコンタクト１８を有する構
成であった。

【０００４】次に、従来の自動配置時のウェルコンタク
ト及びサブコンタクト発生手法を図９、図１０を参照し
て説明する。図１０は従来技術のウェルコンタクト及び
サブコンタクト発生手法のフローチャートである。配置
情報１は、ＡＳＩＣのチップ設計における自動配置工程
３１によって得られるプリミティブセルの情報であっ
た。チップレイアウト作成工程３は、配置情報１とプリ
ミティブレイアウト３６を読み込みチップレイアウト４
を出力する工程であった。電位追跡工程３７は、チップ
レイアウト４を入力とし、各プリミティブレイアウト３
６の両端にある拡散層（図示せず）がソースとなってい
るか、ドレインとなっているかを検出する工程であっ
た。次に、各プリミティブレイアウト３６の両端にある
拡散層から、拡散層に供給される電位がＶＤＤ又はＧＮ
Ｄであった場合にはソースと判定し、通常信号の場合に
はドレインと判定していた。判定された結果は両端にあ
る拡散層の形状で、ソース・ドレインで異なる層とし
て、またＮウェル内（図示せず）、Ｐウェル内（図示せ
ず）で異なる層として、計４種の層で定義され、ソース
・ドレイン定義３８へ出力されていた。また、境界発生
条件３９は、ソースとなっている拡散層とウェルコンタ
クト及びサブコンタクトとの間隔、及びドレインとなっ
ている拡散層とウェルコンタクト及びサブコンタクトと
の間隔を規定したものである。例えばソースとなってい
る拡散層とウェルコンタクト及びサブコンタクトとの間
隔は０μｍ、ドレインとなっている拡散層とウェルコン
タクト及びサブコンタクトとの間隔は０．３μｍといっ
た値を規定していた。ウェルコンタクト及びサブコンタ
クト発生境界作成工程４０は、ソース・ドレイン定義３
８と境界発生条件３９を入力とし、各ソース・ドレイン
定義３８より境界発生条件３９で規定された距離にある
箇所にウェルコンタクト及びサブコンタクト発生境界４
１を作成する。ウェルコンタクト及びサブコンタクト発
生境界４１はウェルコンタクト及びサブコンタクトを発
生することのできるプリミティブセル枠１４の延長方向
の幅を持って発生していた。また、ウェルコンタクト及
びサブコンタクト発生条件７は、隣接する発生境界４１
の間にウェルコンタクト及びサブコンタクトを発生可能
な距離を規定するものであった。境界間長測定工程４２
は、発生境界４１とウェルコンタクト及びサブコンタク
ト発生条件７を入力とし、隣接するウェルコンタクト及
びサブコンタクト発生境界４１間の距離を測定し、ウェ
ルコンタクト及びサブコンタクト層９を発生させてい
た。また、ウェルコンタクト及びサブコンタクト層９
は、Ｎウェル内、Ｐウェル内で別の層を割り当てられる
ものであった。以降の工程は本発明の実施の形態１と同
様につき説明を省略する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、以上の従来技
術のウェルコンタクト及びサブコンタクトの挿入手法に
あってもさらに次のような問題があった。電位追跡工程
３７といった処理ステップが多く、また一つの処理に要
する処理時間が長い。これは、現状の大規模高集積化さ
れたチップでは、使用されるプリミティブセル数、及び
トランジスタ数とも多い為である。さらに、データ層が
少なくとも４層以上必要であるため、扱うデータ量が大
きくなることによる処理時間の増大である。電位追跡に
は、Ｐ拡散層、Ｎ拡散層、コンタクト、電源配線の最低
４層が必要であり、電源配線でさらに上層の配線層を使
う場合必要なデータ層が増えてしまう。また、ウェルコ
ンタクト及びサブコンタクト発生に要する層もソース・
ドレインを認識するための層が２層増え、計４層が必要
となってしまう。

【０００６】本発明は以上の従来技術における問題に鑑
みてなされたものであって、予めプリミティブセル内に
ダミー層を設けることにより、処理工程を単純化し、確
実にウェルコン・サブコンを発生させ、生産性を向上さ
せると共に、データ層を減らすことによりコストを低減
させることを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本出
願第１の発明は、プリミティブセルの自動配置を行う自
動配置工程と、各プリミティブセルの回路機能を満たす
ようにプリミティブセル内に形成されたトランジスタ及
び配線のレイアウトであり、トランジスタの拡散層と対
向し、且つ近接するプリミティブセルの周縁部とで設定
される領域内にダミー層が形成されると共に、係るダミ
ー層に近接しているプリミティブセルの周縁部の延長方
向のダミー層の幅が所定の幅に形成されてなるプリミテ
ィブレイアウトと、前記自動配置工程によって得られる
プリミティブセルの配置情報とのデータを用いて、チッ
プレイアウトを作成するチップレイアウト作成工程と、
プリミティブレイアウトに含まれるダミー層を抽出し、
発生予定層を形成させる発生予定層抽出工程と、発生予
定層に前記ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生条
件を与えるウェルコンタクト及びサブコンタクト発生予
定領域工程と、前記ウェルコンタクト及びサブコンタク
ト発生条件から、ウェルコンタクト及びサブコンタクト
発生の可否を判定し、可能と判定された発生予定層をウ
ェルコンタクト層及びサブコンタクト層とするウェルコ
ンタクト及びサブコンタクト発生工程と、ウェルコンタ
クト層及びサブコンタクト層の所定の位置にコンタクト
孔を形成させ、ウェルコンタクト及びサブコンタクトを
発生させるコンタクト孔形成工程とからなることを特徴
とするウェルコンタクト及びサブコンタクト発生手法で
ある。

【０００８】したがって、本出願第１の発明のウェルコ
ンタクト及びサブコンタクトの発生手法によれば、プリ
ミティブセルの自動配置を行う自動配置工程と、各プリ
ミティブセルの回路機能を満たすようにプリミティブセ
ル内に形成されたトランジスタ及び配線のレイアウトで
あり、トランジスタの拡散層と対向し、且つ近接するプ
リミティブセルの周縁部とで設定される領域内にダミー
層が形成されると共に、係るダミー層に近接しているプ
リミティブセルの周縁部の延長方向のダミー層の幅が所
定の幅に形成されてなるプリミティブレイアウトと、前
記自動配置工程によって得られるプリミティブセルの配
置情報とのデータを用いて、チップレイアウトを作成す
るチップレイアウト作成工程と、プリミティブレイアウ
トに含まれるダミー層を抽出し、発生予定層を形成させ
る発生予定層抽出工程と、発生予定層に前記ウェルコン
タクト及びサブコンタクト発生条件を与えるウェルコン
タクト及びサブコンタクト発生予定領域工程と、前記ウ
ェルコンタクト及びサブコンタクト発生条件から、ウェ
ルコンタクト及びサブコンタクト発生の可否を判定し、
可能と判定された発生予定層をウェルコンタクト層及び
サブコンタクト層とするウェルコンタクト及びサブコン
タクト発生工程と、ウェルコンタクト層及びサブコンタ
クト層の所定の位置にコンタクト孔を形成させ、ウェル
コンタクト及びサブコンタクトを発生させるコンタクト
孔形成工程とからなることを特徴とすることから、処理
時間及び処理工程が短縮される利点がある。よって、生
産性向上、作業性向上、更にコストの低減を実現するこ
とができる。

【０００９】また、本出願第２の発明は、プリミティブ
セルの自動配置を行う自動配置工程と、各プリミティブ
セルの回路機能を満たすようにプリミティブセル内に形
成されたトランジスタ、配線、及びウェルコンタクト及
びサブコンタクトのレイアウトであり、トランジスタの
拡散層と対向し、且つ近接するプリミティブセルの周縁
部とで設定される領域内にダミー層を形成させると共
に、係るダミー層に近接しているプリミティブセルの周
縁部の延長方向のダミー層の幅が所定の幅に形成され、
更にウェルコンタクト及びサブコンタクトの上層にダミ
ー層が形成されてなるプリミティブレイアウトと、前記
自動配置工程によって得られるプリミティブセルの配置
情報とのデータを用いて、チップレイアウトを作成する
チップレイアウト作成工程と、プリミティブレイアウト
に含まれるダミー層を抽出し、発生予定層を形成させる
発生予定層抽出工程と、発生予定層に前記ウェルコンタ
クト及びサブコンタクト発生条件を与えるウェルコンタ
クト及びサブコンタクト発生予定領域工程と、前記ウェ
ルコンタクト及びサブコンタクト発生条件から、ウェル
コンタクト及びサブコンタクト発生の可否を判定し、可
能と判定された発生予定層をウェルコンタクト層及びサ
ブコンタクト層とするウェルコンタクト及びサブコンタ
クト発生工程と、プリミティブレイアウトで構成される
チップ内に配置するウェルコンタクト及びサブコンタク
トの必要数を規定するウェルコンタクト及びサブコンタ
クト必須条件を与え、ウェルコンタクト及びサブコンタ
クト層がチップ内に必要な間隔に存在するかを判定する
必須条件判定工程と、ウェルコンタクト及びサブコンタ
クト層の所定の位置にコンタクト孔を形成させ、ウェル
コンタクト及びサブコンタクトを発生させるコンタクト
孔形成工程とからなることを特徴とするウェルコンタク
ト及びサブコンタクト発生手法である。

【００１０】したがって、本出願第２の発明のウェルコ
ンタクト及びサブコンタクト発生手法によれば、プリミ
ティブセルの自動配置を行う自動配置工程と、各プリミ
ティブセルの回路機能を満たすようにプリミティブセル
内に形成されたトランジスタ、配線、及びウェルコンタ
クト及びサブコンタクトのレイアウトであり、トランジ
スタの拡散層と対向し、且つ近接するプリミティブセル
の周縁部とで設定される領域内にダミー層を形成させる
と共に、係るダミー層に近接しているプリミティブセル
の周縁部の延長方向のダミー層の幅が所定の幅に形成さ
れ、更にウェルコンタクト及びサブコンタクトの上層に
ダミー層が形成されてなるプリミティブレイアウトと、
前記自動配置工程によって得られるプリミティブセルの
配置情報とのデータを用いて、チップレイアウトを作成
するチップレイアウト作成工程と、プリミティブレイア
ウトに含まれるダミー層を抽出し、発生予定層を形成さ
せる発生予定層抽出工程と、発生予定層に前記ウェルコ
ンタクト及びサブコンタクト発生条件を与えるウェルコ
ンタクト及びサブコンタクト発生予定領域工程と、前記
ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生条件から、ウ
ェルコンタクト及びサブコンタクト発生の可否を判定
し、可能と判定された発生予定層をウェルコンタクト層
及びサブコンタクト層とするウェルコンタクト及びサブ
コンタクト発生工程と、プリミティブレイアウトで構成
されるチップ内に配置するウェルコンタクト及びサブコ
ンタクトの必要数を規定するウェルコンタクト及びサブ
コンタクト必須条件を与え、ウェルコンタクト及びサブ
コンタクト層がチップ内に必要な間隔に存在するかを判
定する必須条件判定工程と、ウェルコンタクト及びサブ
コンタクト層の所定の位置にコンタクト孔を形成させ、
ウェルコンタクト及びサブコンタクトを発生させるコン
タクト孔形成工程とからなることを特徴とすることか
ら、大規模高集積化されたチップであっても、図形処理
などの簡単な手法で短時間で前記ダミー層にウェルコン
タクト及びサブコンタクトを発生させることができる利
点がある。また、処理工程を簡易化することができる。
更に、必要なデータ層が従来のものと比べて少なく、扱
うデータ量が小さくなることから、処理時間が短縮され
る利点がある。よって、生産性向上、作業性向上、更に
コストの低減を実現することができる。

【００１１】また、本出願第３の発明は、前記ウェルコ
ンタクト及びサブコンタクト発生条件は、前記トランジ
スタの拡散層に対向するプリミティブセル周縁部と前記
トランジスタの拡散層間の距離で設定されるダミー層の
幅のみで可否を判定することを特徴とする。

【００１２】したがって、本出願第３の発明のウェルコ
ンタクト及びサブコンタクト発生手法によれば、ウェル
コンタクト及びサブコンタクト発生条件は、前記トラン
ジスタの拡散層に対向するプリミティブセル周縁部と前
記トランジスタの拡散層間の距離で設定されるダミー層
の幅のみで可否を判定することを特徴とすることから、
コンタクトを形成させる時に、コンタクトを形成させる
ことができる前記トランジスタの拡散層に対向するプリ
ミティブセルの周縁部の延長方向のダミー層の幅を判定
する工程を省略し、簡単な図形処理のみでウェルコンタ
クト及びサブコンタクトの発生可否を判定することがで
きる利点がある。つまり、処理工程の簡易化とコストの
低減を実現することができる利点がある。

【００１３】また、本出願第４の発明は、コンタクト孔
形成工程における所定の位置を、ウェルコンタクト及び
サブコンタクト層の中心近傍とすることを特徴とする。

【００１４】したがって、本出願第４の発明のウェルコ
ンタクト及びサブコンタクト発生手法によれば、コンタ
クト孔形成工程における所定の位置を、ウェルコンタク
ト及びサブコンタクト層の中心近傍とすることできるこ
とから、所望の機能を果たすことができるウェルコンタ
クト及びサブコンタクトを確実に発生させることができ
る利点がある。

【００１５】また、本出願第５の発明は、トランジスタ
及び配線を含むプリミティブレイアウトにおいて、プリ
ミティブレイアウトが構成されているプリミティブセル
内に設けられたトランジスタの拡散層と対向するプリミ
ティブセルの周縁部と、トランジスタの拡散層とで形成
される領域内にダミー層を配置してなることを特徴とす
るプリミティブレイアウト。

【００１６】したがって、本出願第５の発明の半導体装
置によれば、トランジスタ及び配線を含むプリミティブ
セルで構成されたプリミティブレイアウトにおいて、自
動配置工程におけるプリミティブセル内のダミー層が配
置される所定の位置を、プリミティブセル内に設けられ
たトランジスタの拡散層と対向するプリミティブセルの
周縁部の一部と、トランジスタの拡散層とで形成される
領域内に配置してなることを特徴とすることから、係る
ダミー層に簡単な手法で短時間で確実にウェルコンタク
ト及びサブコンタクトを発生させることができる利点が
ある。

【００１７】また、本出願第６の発明は、係るダミー層
に近接しているプリミティブセルの周縁部の延長方向の
ダミー層の幅が所定の幅に形成されてなることを特徴と
する。

【００１８】したがって、本出願第６の発明の半導体装
置によれば、係るダミー層に近接しているプリミティブ
セルの周縁部の延長方向のダミー層の幅が所定の幅に形
成されてなることから、簡単な図形処理のみでウェルコ
ンタクト及びサブコンタクトを発生させることができる
利点がある。つまり、処理工程の簡易化とコストの低減
を実現することができる利点がある。

【００１９】また、本出願第７の発明は、プリミティブ
セルの自動配置を行う自動配置工程と、各プリミティブ
セルの回路機能を満たすようにプリミティブセル内に形
成されたトランジスタ及び配線のレイアウトであり、ト
ランジスタの拡散層と対向し、且つ近接するプリミティ
ブセルの周縁部とで設定される領域内にダミー層が形成
されると共に、係るダミー層に近接しているプリミティ
ブセルの周縁部の延長方向のダミー層の幅が所定の幅に
形成されてなるプリミティブレイアウトと、前記自動配
置工程によって得られるプリミティブセルの配置情報と
のデータを用いて、チップレイアウトを作成するチップ
レイアウト作成工程と、プリミティブレイアウトに含ま
れるダミー層を抽出し、発生予定層を発生させる発生予
定層抽出工程と、発生予定層にウェルコンタクト及びサ
ブコンタクト発生条件を与えるウェルコンタクト及びサ
ブコンタクト発生予定領域工程と、前記ウェルコンタク
ト及びサブコンタクト発生条件から、ウェルコンタクト
及びサブコンタクト発生の可否を判定し、可能と判定さ
れた発生予定層をウェルコンタクト及びサブコンタクト
層とするウェルコンタクト及びサブコンタクト発生工程
と、ウェルコンタクト層及びサブコンタクト層の所定の
位置にコンタクト孔を発生させ、ウェルコンタクト及び
サブコンタクトを発生させるコンタクト孔形成工程と、
ウェルコンタクト及びサブコンタクトとチップレイアウ
トを入力とし、チップレイアウトにウェルコンタクト及
びサブコンタクトがマージされた状態の実チップレイア
ウトを出力するマージ処理工程とからなることを特徴と
するウェルコンタクト及びサブコンタクト発生手法をコ
ンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュ
ータ読み取り可能な記憶媒体である。

【００２０】したがって、本出願第７の発明のウェルコ
ンタクト及びサブコンタクト発生手法をコンピュータに
実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り
可能な記憶媒体によれば、プリミティブセルの自動配置
を行う自動配置工程と、各プリミティブセルの回路機能
を満たすようにプリミティブセル内に形成されたトラン
ジスタ及び配線のレイアウトであり、トランジスタの拡
散層と対向し、且つ近接するプリミティブセルの周縁部
とで設定される領域内にダミー層が形成されると共に、
係るダミー層に近接しているプリミティブセルの周縁部
の延長方向のダミー層の幅が所定の幅に形成されてなる
プリミティブレイアウトと、前記自動配置工程によって
得られるプリミティブセルの配置情報とのデータを用い
て、チップレイアウトを作成するチップレイアウト作成
工程と、プリミティブレイアウトに含まれるダミー層を
抽出し、発生予定層を発生させる発生予定層抽出工程
と、発生予定層にウェルコンタクト及びサブコンタクト
発生条件を与えるウェルコンタクト及びサブコンタクト
発生予定領域工程と、前記ウェルコンタクト及びサブコ
ンタクト発生条件から、ウェルコンタクト及びサブコン
タクト発生の可否を判定し、可能と判定された発生予定
層をウェルコンタクト及びサブコンタクト層とするウェ
ルコンタクト及びサブコンタクト発生工程と、ウェルコ
ンタクト層及びサブコンタクト層の所定の位置にコンタ
クト孔を発生させ、ウェルコンタクト及びサブコンタク
トを発生させるコンタクト孔形成工程と、ウェルコンタ
クト及びサブコンタクトとチップレイアウトを入力と
し、チップレイアウトにウェルコンタクト及びサブコン
タクトがマージされた状態の実チップレイアウトを出力
するマージ処理工程とからなることを特徴とする。この
ような手順を記録した記録媒体を読み込んで動作するコ
ンピュータを搭載し、各工程のアルゴリズムに基づいて
動作する装置は、大規模高集積化されたチップであって
も、図形処理などの簡単な手法で短時間でウェルコンタ
クト及びサブコンタクトを発生させることができる利点
がある。更に、必要なデータ層が従来のものと比べて少
なく、扱うデータ量が小さくなることから、処理時間が
短縮される利点がある。よって、生産性向上、作業性向
上、更にコストの低減を実現することができる。

【００２１】また、本出願第８の発明は、プリミティブ
セルの自動配置を行う自動配置工程と、各プリミティブ
セルの回路機能を満たすようにプリミティブセル内に形
成されたトランジスタ、配線、及びウェルコンタクト及
びサブコンタクトのレイアウトであり、トランジスタの
拡散層と対向し、且つ近接するプリミティブセルの周縁
部とで設定される領域内にダミー層を形成させると共
に、係るダミー層に近接しているプリミティブセルの周
縁部の延長方向のダミー層の幅が所定の幅に形成され、
更にウェルコンタクト及びサブコンタクトの上層にダミ
ー層が形成されてなるプリミティブレイアウトと、前記
自動配置工程によって得られるプリミティブセルの配置
情報とのデータを用いて、チップレイアウトを作成する
チップレイアウト作成工程と、プリミティブレイアウト
に含まれるダミー層を抽出し、発生予定層を形成させる
発生予定層抽出工程と、発生予定層にウェルコンタクト
及びサブコンタクト発生条件を与えるウェルコンタクト
及びサブコンタクト発生予定領域工程と、前記ウェルコ
ンタクト及びサブコンタクト発生条件から、ウェルコン
タクト及びサブコンタクト発生の可否を判定し、可能と
判定された発生予定層をウェルコンタクト層及びサブコ
ンタクト層とするウェルコンタクト及びサブコンタクト
発生工程と、プリミティブレイアウトで構成されるチッ
プ内に配置するウェルコンタクト及びサブコンタクトの
必要数を規定するウェルコンタクト及びサブコンタクト
必須条件と、前記ウェルコンタクト及びサブコンタクト
必須条件を与え、ウェルコンタクト及びサブコンタクト
層がチップ内に必要な間隔に存在するか判定する必須条
件判定工程と、ウェルコンタクト及びサブコンタクト層
の所定の位置にコンタクト孔を形成させ、ウェルコンタ
クト及びサブコンタクトを発生させるコンタクト孔形成
工程とウェルコンタクト及びサブコンタクトとチップレ
イアウトを入力とし、チップレイアウトにウェルコンタ
クト及びサブコンタクトがマージされた状態の実チップ
レイアウトを出力するマージ処理工程とからなることを
特徴とするウェルコンタクト及びサブコンタクト発生手
法をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコ
ンピュータ読み取り可能な記録媒体である。

【００２２】したがって、本出願第８の発明のウェルコ
ンタクト及びサブコンタクト発生手法をコンピュータに
実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り
可能な記録媒体によれば、プリミティブセルの自動配置
を行う自動配置工程と、各プリミティブセルの回路機能
を満たすようにプリミティブセル内に形成されたトラン
ジスタ、配線、及びウェルコンタクト及びサブコンタク
トのレイアウトであり、トランジスタの拡散層と対向
し、且つ近接するプリミティブセルの周縁部とで設定さ
れる領域内にダミー層を形成させると共に、係るダミー
層に近接しているプリミティブセルの周縁部の延長方向
のダミー層の幅が所定の幅に形成され、更にウェルコン
タクト及びサブコンタクトの上層にダミー層が形成され
てなるプリミティブレイアウトと、前記自動配置工程に
よって得られるプリミティブセルの配置情報とのデータ
を用いて、チップレイアウトを作成するチップレイアウ
ト作成工程と、プリミティブレイアウトに含まれるダミ
ー層を抽出し、発生予定層を形成させる発生予定層抽出
工程と、発生予定層にウェルコンタクト及びサブコンタ
クト発生条件を与えるウェルコンタクト及びサブコンタ
クト発生予定領域工程と、前記ウェルコンタクト及びサ
ブコンタクト発生条件から、ウェルコンタクト及びサブ
コンタクト発生の可否を判定し、可能と判定された発生
予定層をウェルコンタクト層及びサブコンタクト層とす
るウェルコンタクト及びサブコンタクト発生工程と、プ
リミティブレイアウトで構成されるチップ内に配置する
ウェルコンタクト及びサブコンタクトの必要数を規定す
るウェルコンタクト及びサブコンタクト必須条件と、前
記ウェルコンタクト及びサブコンタクト必須条件を与
え、ウェルコンタクト及びサブコンタクト層がチップ内
に必要な間隔に存在するか判定する必須条件判定工程
と、ウェルコンタクト及びサブコンタクト層の所定の位
置にコンタクト孔を形成させ、ウェルコンタクト及びサ
ブコンタクトを発生させるコンタクト孔形成工程とウェ
ルコンタクト及びサブコンタクトとチップレイアウトを
入力とし、チップレイアウトにウェルコンタクト及びサ
ブコンタクトがマージされた状態の実チップレイアウト
を出力するマージ処理工程とからなることを特徴とす
る。このような手順を記録した記録媒体を読み込んで動
作するコンピュータによって、各工程のアルゴリズムに
基づいて動作する装置は、大規模高集積化されたチップ
であっても、図形処理などの簡単な手法で短時間でウェ
ルコンタクト及びサブコンタクトを発生させることがで
きる利点がある。更に、必要なデータ層が従来のものと
比べて少なく、扱うデータ量が小さくなることから、処
理時間が短縮される利点がある。よって、生産性向上、
作業性向上、更にコストの低減を実現することができ
る。

【００２３】また、本出願第９の発明は、ウェルコンタ
クト及びサブコンタクト発生条件は、前記トランジスタ
の拡散層に対向するプリミティブセル周縁部と前記トラ
ンジスタの拡散層間の距離で設定されるダミー層の幅の
みで可否を判定することを特徴とする。

【００２４】したがって、本出願第９の発明のウェルコ
ンタクト及びサブコンタクト発生手法をコンピュータに
実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り
可能な記録媒体によれば、ウェルコンタクト及びサブコ
ンタクト発生条件は、前記トランジスタの拡散層に対向
するプリミティブセル周縁部と前記トランジスタの拡散
層間の距離で設定されるダミー層の幅のみで可否を判定
することを特徴とする。このような手順を記録した記録
媒体を読み込んで動作するコンピュータによって、各工
程のアルゴリズムに基づいて動作する装置は、コンタク
トを形成させる時に、コンタクトを形成させることがで
きるプリミティブセルの周縁部方向のダミー層の幅を判
定することが不必要となり、図形処理のみでウェルコン
タクト及びサブコンタクトを発生することができる利点
がある。つまり、処理工程の簡易化とコストの低減を実
現することができる利点がある。

【００２５】また、本出願第１０の発明は、コンタクト
孔形成工程における所定の位置を、ウェルコンタクト及
びサブコンタクト層の中心近傍とすることを特徴とす
る。

【００２６】したがって、本出願第１０の発明のウェル
コンタクト及びサブコンタクト発生手法をコンピュータ
に実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取
り可能な記録媒体によれば、コンタクト孔形成工程にお
ける所定の位置を、ウェルコンタクト及びサブコンタク
ト層の中心近傍とすることを特徴とする。このような手
順を記録した記録媒体を読み込んで動作するコンピュー
タによって、各工程のアルゴリズムに基づいて動作する
装置は、ウェルコンタクト及びサブコンタクトを確実に
発生させることができる利点がある。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態のプリ
ミティブレイアウト、ウェルコンタクト及びサブコンタ
クト発生手法、及びウェルコンタクト及びサブコンタク
ト発生手法をコンピュータに実行させるプログラムを記
録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体につき図面
を参照して説明する。

【００２８】実施の形態１図１は本発明の実施の形態１のを示すプリミティブレイ
アウトを示すレイアウト図である。図２は本発明の実施
の形態１の自動配置時のウェルコンタクト及びサブコン
タクト発生手法のフローチャートである。図２における
本発明の実施の形態１の自動配置時のウェルコンタクト
及びサブコンタクト発生手法を説明する前に、その構成
要素であるプリミティブレイアウト２を図１を参照して
説明する。図１において、本発明の実施の形態１のプリ
ミティブレイアウト２は、チップレイアウト４上の各プ
リミティブセルの回路機能を満たすように配置されたト
ランジスタや配線のレイアウトである。レイアウトされ
ているトランジスタや配線はチップ配置時に隣接するデ
ータとの間隔基準を満たすようにプリミティブセル枠１
４内に配置されている。また、プリミティブレイアウト
２は、プリミティブセル内に設けられたＰｃｈトランジ
スタ拡散層４３又はＮｃｈトランジスタ拡散層４４と対
向するプリミティブセル枠１４と、Ｐｃｈトランジスタ
拡散層４３及びＮｃｈトランジスタ拡散層４４とで形成
される領域内にウェルコンタクト及びサブコンタクト発
生用のダミー層１９、２０、２１を有する。また、プリ
ミティブセル枠１４は、プリミティブセルの領域を規定
するものである。係るプリミティブレイアウト２は前記
プリミティブセル枠１４の内部に構成されるものであ
る。すなわち、プリミティブセル枠１４は規格化された
大きさを有し、トランジスタ等の各要素はプリミティブ
セル枠１４の内部に構成されるものである。また、プリ
ミティブレイアウト２はＶＤＤ供給配線１５とＧＮＤ供
給配線１６を有している。さらにＰｃｈトランジスタ拡
散層４３にＶＤＤを供給するソースコンタクト１７、Ｎ
ｃｈトランジスタ拡散層４４にＧＮＤを供給するソース
コンタクト１８を有している。また、Ｎウェル（図示せ
ず）内のウェルコンタクト及びサブコンタクト発生用の
ダミー層１９は、ソースとなっているＰｃｈトランジス
タ拡散層４３の端部とプリミティブセル枠１４との間に
配置されている。また、係るダミー層１９はトランジス
タの拡散層と対向し、且つ近接するプリミティブセルの
周縁部とで設定される領域内にダミー層が形成されると
共に、係るダミー層に近接しているプリミティブセル枠
１４の延長方向の幅が所定の幅（以下、高さ）に形成さ
れている。また、前記高さは、ウェルコンタクト及びサ
ブコンタクトを発生し得る幅に形成されてなるものであ
る。また、Ｐウェル（図示せず）内に形成されたウェル
コンタクト及びサブコンタクト発生用のダミー層２０
は、ソースとなっているＮｃｈトランジスタ拡散層４４
の端部とプリミティブセル枠１４との間に配置されてい
る。係るダミー層２０はダミー層１９と同様にウェルコ
ンタクト及びサブコンタクトを発生可能な高さに形成し
てなるものである。また、ここで述べたウェルコンタク
ト及びサブコンタクトを発生可能な高さはチップの種類
によって異なるため、特に規定はしない。また、Ｐウェ
ル内のウェルコンタクト及びサブコンタクト発生用のダ
ミー層２１は、ドレインとなっているＮｃｈトランジス
タ拡散層４４の端部から、係るＮｃｈトランジスタ拡散
層４４とウェルコンタクト及びサブコンタクト間隔を規
定した設計基準を満たす距離分離れた位置からプリミテ
ィブセル枠１４との間に配置されている。ダミー層２１
も同様にウェルコンタクト及びサブコンタクトを発生可
能な高さに形成されてなるものである。また、Ｎウェル
内のウェルコンタクト及びサブコンタクト発生用のダミ
ー層１９とＰウェル内のウェルコンタクト及びサブコン
タクト発生用のダミー層２０、２１には実際のレイアウ
トで使用されている層と性質が異なる層を割り当ててあ
る。Ｎウェル内の右端にはダミー層が配置されていない
が、Ｎｃｈトランジスタ拡散層４３とウェルコンタクト
及びサブコンタクトの間隔を規定した設計基準を満たす
距離が確保できない場合は、ダミー層を配置しなくとも
よい。

【００２９】次に、図２を参照して、本発明の実施の形
態１の自動配置時のウェルコンタクト及びサブコンタク
ト発生手法を説明する。ここで説明するウェルコンタク
ト及びサブコンタクト発生手法の構成要素であるダミー
層は、図１に示したダミー層１９、２０、２１である。
また、図２におけるチップレイアウトは図１に示したプ
リミティブレイアウト２をその構成要素としている。ま
た、係るダミー層には、工程が順次進行するにつれ、選
択され、異なるデータ層へ変換される。以上の点から、
図２の説明におけるダミー層は、符号を付すことによる
混乱を回避するべく符号を付さずに説明する。係るダミ
ー層の説明は別の図面を参照して後に行う。

【００３０】図２を参照して、自動配置時のウェルコン
タクト及びサブコンタクト発生手法を説明する。尚、本
段落ではまずその構成を説明することとする。配置情報
１は、ＡＳＩＣのチップ設計におけるプリミティブセル
の自動配置３１により得ることができる情報である。ま
た、チップレイアウト作成工程３は、配置情報１とプリ
ミティブレイアウト２を読み込みチップレイアウト４を
出力する工程である。また、発生予定領域抽出工程５
は、プリミティブレイアウト２に含まれるダミー層を抽
出し、Ｎウェル内、Ｐウェル内の各々のダミー層に対応
した発生予定層６を発生させる工程である。ウェルコン
タクト及びサブコンタクト発生条件７は、発生予定層６
にウェルコンタクト及びサブコンタクト１１を発生させ
ることが可能か否かを判定する条件である。例えば、係
る条件を発生予定層６の幅とする。また、係る幅はプロ
セスの制約上、ウェルコンタクト及びサブコンタクト１
１を配置するために最低限必要な幅とする。また、前記
幅は、Ｐｃｈトランジスタ拡散層４３及びＮｃｈトラン
ジスタ拡散層４４と、プリミティブセル枠１４で設定さ
れる方向の発生予定層６の幅である。しかし、本発明の
プリミティブレイアウト２に含まれるダミー層はウェル
コンタクト及びサブコンタクト１１を発生することがで
きる高さを有していることから幅のみを判定基準とする
ことができる。また、ウェルコンタクト及びサブコンタ
クト発生ステップ８は、発生予定層６のうちウェルコン
タクト及びサブコンタクト発生条件７を満たすものをウ
ェルコンタクト層及びサブコンタクト層９に変換する工
程である。例えば、ウェルコンタクト及びサブコンタク
ト発生条件７を発生予定層６のＰｃｈトランジスタ拡散
層４３及びＮｃｈトランジスタ拡散層４４と、プリミテ
ィブセル枠１４で設定される方向の発生予定層６の幅と
して、条件を満たすもの発生予定層６と満たさない発生
予定層６とに判別し、条件を満たす発生予定層６につい
てウェルコンタクト層及びサブコンタクト層９に変換・
出力する工程である。次に、ウェルコンタクト層及びサ
ブコンタクト層９にコンタクト孔が発生されＶＤＤ及び
ＧＮＤを供給するコンタクト孔発生工程１０について説
明する。ＶＤＤ供給配線及びＧＮＤ供給配線の下層でウ
ェルコンタクト層及びサブコンタクト層９の横方向での
中心にコンタクト孔を発生させる。これにより、ウェル
コンタクト及びサブコンタクト１１が発生される。次
に、マージ処理工程１２において、チップレイアウト４
とウェルコンタクト及びサブコンタクト１１をマージ
し、実チップレイアウト１３を作成する。本発明の自動
配置時のウェルコンタクト及びサブコンタクト発生手法
は以上の構成からなるものである。

【００３１】次に、上記の構成でなる本発明の自動配置
時のウェルコンタクト及びサブコンタクト発生手法によ
る動作を図面を参照して更に詳細に説明する。図１及び
図２において、自動配置工程３１によって得られた配置
情報１とプリミティブレイアウト２は、チップレイアウ
ト作成工程３へ入力される。チップレイアウト作成工程
では、入力された配置情報１に含まれる各プリミティブ
セルの配置座標、方向等に沿ってプリミティブレイアウ
ト２をチップ上に配置し、チップレイアウト４を作成す
る。

【００３２】図３は、チップレイアウト４の一例を示し
たレイアウト図である。チップレイアウト４を構成して
いるインバータ等の各種の回路機能を有した各プリミテ
ィブレイアウト２は、配置情報１によって配置座標、方
向が決定されている。また、各プリミティブレイアウト
２の内部に含まれるＮウェル内のダミー層２２を例えば
ａ層とする。また、Ｐウェル内に形成されたダミー層２
３をｂ層とする。

【００３３】チップレイアウト４は、発生予定領域抽出
工程５へ入力される。発生予定領域抽出工程５は、入力
されたチップレイアウト４に含まれるダミー層２２、２
３に対してＯＲ処理を行い、隣接した２つのダミー層を
１つの発生予定領域６（図２における符号）とする。こ
のとき、隣接するダミー層が存在しないものは、そのま
まダミー層を発生予定領域６とする。

【００３４】また、図４は、図３に示されたチップレイ
アウト４を入力とし、発生予定領域抽出工程５の出力結
果である発生予定領域６を示した図である。Ｎウェル
（図示せず）内に発生予定領域２４を有している。さら
に、Ｎウェル内の発生予定領域２５は、隣接したプリミ
ティブセル間でダミー層２２、２３の一部が接触してお
り、ＯＲ処理により１つの発生予定領域２５となってい
る。この時、発生予定領域２４及び発生予定領域２５
は、双方共にａ層のままである。また、Ｐウェル（図示
せず）内に発生予定領域２６を有している。また、Ｐウ
ェル内の発生予定領域２７についても、隣接したプリミ
ティブセル間でダミー層２３の一部が接触しており、Ｏ
Ｒ処理により１つの発生予定領域２７となっている。こ
の時、発生予定領域２６及び発生予定領域２７はｂ層の
ままである。

【００３５】発生予定領域６とウェルコンタクト及びサ
ブコンタクト発生条件７はウェルコンタクト層及びサブ
コンタクト層発生工程８へ入力される。ウェルコンタク
ト及びサブコンタクト発生条件７には発生予定領域６の
幅を規定している。また、各発生予定領域６がその幅を
満たしているかを判定し、満たしているものをウェルコ
ンタクト層及びサブコンタクト層９として出力する。判
定方法は、レイアウトが設計基準を満たしているかをチ
ェックするツール、手法と同等のもので行う。チェック
結果をレイアウトとしてウェルコンタクト層及びサブコ
ンタクト層９で使用している層で出力することにより、
設計基準を満たしているものがウェルコンタクト層及び
サブコンタクト層９として出力される。この時、Ｎウェ
ル内の発生領域とＰウェル内の発生予定領域２４、２
５、２６、２７には実際のレイアウトで使われている層
と性質が異なる層を割り当てる。

【００３６】図５は、図４に示された発生予定領域６を
入力としてウェルコンタクト層及びサブコンタクト層発
生工程８によって出力されるウェルコンタクト層及びサ
ブコンタクト層９を示した図である。ここで、例えばＮ
ウェル内のウェルコンタクト層及びサブコンタクト層２
８はｃ層となり、Ｐウェル内のウェルコンタクト層及び
サブコンタクト層２９はｄ層となる。

【００３７】ウェルコンタクト層及びサブコンタクト層
９はコンタクト孔発生ステップ１０へと入力され、各ウ
ェルコンタクト層及びサブコンタクト層の横方向の中
心、且つＶＤＤ・ＧＮＤ供給配線の下層となる座標にコ
ンタクト孔を発生させる。これにより、ウェルコンタク
ト及びサブコンタクトが発生されたことになる。

【００３８】図６は、図５に示されたウェルコンタクト
層及びサブコンタクト層２８、２９の上にコンタクト孔
を発生させた図である。また、コンタクト孔３０は、Ｖ
ＤＤ供給配線１５及びＧＮＤ供給配線１６の下層に位置
し、更に各ウェルコンタクト層及びサブコンタクト層２
８、２９の横方向の中心に配置されている。

【００３９】次に、ウェルコンタクト及びサブコンタク
ト１１とチップレイアウト４はマージ処理１２の入力と
なり、チップレイアウト４にウェルコンタクト及びサブ
コンタクト１１がマージされた状態の実チップレイアウ
ト１３が出力される。

【００４０】以上で説明した自動配置時のウェルコンタ
クト及びサブコンタクト発生手法によれば、ダミー層１
９、２０、２１をプリミティブレイアウトに置くこと
で、従来例における電位追跡工程３７といった処理を行
うことなく、簡単な図形処理のみでウェルコンタクト及
びサブコンタクトを発生させることができる。つまり、
処理時間を短縮でき、更にコストを低減させることがで
きる。また、必要とするデータ層が、実施の形態１では
２層のみとなることから、扱うデータが小さくなること
で処理時間が短縮される。また、実施の形態１で使用さ
れる２層はＮウェル内、及びＰウェル内を識別するため
のものである。

【００４１】実施の形態２次に上述の実施の形態１のプリミティブレイアウト、ウ
ェルコンタクト及びサブコンタクト発生手法、及びウェ
ルコンタクト及びサブコンタクト発生手法をコンピュー
タに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み
取り可能な記録媒体とは異なる本発明の実施の形態２に
つき図面を参照して説明する。図７を参照すると、本発
明の実施の形態２は、プリミティブレイアウト３２のデ
ータ構成の点とウェルコンタクト及びサブコンタクト必
須条件３３と必須条件判定工程３４を有する点で、実施
の形態１のプリミティブレイアウト、ウェルコンタクト
及びサブコンタクト発生手法、及びウェルコンタクト及
びサブコンタクト発生手法をコンピュータに実行させる
プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録
媒体と異なる。ウェルコンタクト及びサブコンタクト必
須条件３３は、チップ内に配置するウェルコンタクト及
びサブコンタクトの必要数を規定するものある。例えば
２０ｕｍ以内に必ず１個のウェルコンタクト及びサブコ
ンタクト（図示せず）を配置するという規定が行われ
る。また、必須条件判定工程３４は、ウェルコンタクト
層及びサブコンタクト層９とウェルコンタクト及びサブ
コンタクト必須条件３３を入力として、ウェルコンタク
ト層及びサブコンタクト層９がチップ内に必要な間隔に
存在するかを判定する工程である。必要間隔に存在しな
い場合には自動配置工程３１へと戻り再配置を行う。必
要な間隔に存在する場合、コンタクト孔発生工程１０へ
と移行するものである。

【００４２】また、図８は、プリミティブレイアウト３
２のレイアウト図である。図２に示される実施の形態１
のプリミティブレイアウトではプリミティブの両端にあ
るトランジスタの拡散層とプリミティブセル枠との間に
もダミー層を配置していた。本発明の実施の形態２は、
プリミティブレイアウト内のウェルコンタクト及びサブ
コンタクト３０に対し、ダミー層を被せている点で異な
る。被せるダミー層はプリミティブセルの両端にあるト
ランジスタの拡散層とプリミティブセル枠との間に配置
したダミー層と性質が同様な層であり、例えば、Ｎウェ
ルならａ層、Ｐウェルならｂ層とする。

【００４３】次に本発明の実施の形態２の動作につき、
図７、図８を参照して説明する。プリミティブレイアウ
ト３２に含まれるダミー層１９、２０は、プリミティブ
セルの両端にあるＰｃｈトランジスタ拡散層４３及びＮ
ｃｈトランジスタ拡散層４４とプリミティブセル枠との
間に配置されている。更に、プリミティブレイアウト３
２内のウェルコンタクト及びサブコンタクト４５上にダ
ミー層３５が配置されている。プリミティブレイアウト
内のウェルコンタクト及びサブコンタクト４５上のダミ
ー層３５は、チップレイアウト作成工程４以降ウェルコ
ンタクト層及びサブコンタクト層９（図８における位置
は、１９、２０、３５）の発生までの工程において、プ
リミティブセルの両端にあるトランジスタの拡散層とプ
リミティブセル枠との間にあるダミー層１９、２０と同
様の処理を行われウェルコンタクト層及びサブコンタク
ト層９が発生される。ウェルコンタクト及びサブコンタ
クト４５上のダミー層３５に対応するウェルコンタクト
層及びサブコンタクト層９は、プリミティブレイアウト
内のウェルコンタクト及びサブコンタクト４５と同デー
タとなる。つまり、ダミー層３５が配置されている場所
は、既にウェルコンタクト及びサブコンタクトを発生さ
せることができる場所である。よって、ダミー層３５を
ウェルコンタクト及びサブコンタクト４５上に配置し、
順次処理を進めると、必ずウェルコンタクト層及びサブ
コンタクト層９はダミー層１９及び２０と同一形状で発
生する。また、実際の製造段階（図示せず）では、プリ
ミティブレイアウト内のウェルコンタクト及びサブコン
タクト４５とウェルコンタクト層及びサブコンタクト層
９は同じ層になるので、同データとなる。また、以上の
理由でレイアウト上の問題は発生しない。

【００４４】ウェルコンタクト層及びサブコンタクト層
９は、チップ内（プリミティブセルを配置した領域）で
発生される全てのウェルコンタクト及びサブコンタクト
４５のデータを有することとなる。つまり、プリミティ
ブセルを配置した領域内のウェルコンタクト及びサブコ
ンタクト４５は、プリミティブレイアウト内に配置され
たウェルコンタクト及びサブコンタクト４５と新たに発
生されたウェルコンタクト層及びサブコンタクト層９に
対応するもののみとなる。ここで、プリミティブレイア
ウト内に配置されたウェルコンタクト及びサブコンタク
ト４５は、ウェルコンタクト層及びサブコンタクト層９
に同一のデータが含まれることとなる。よってウェルコ
ンタクト層及びサブコンタクト層９とウェルコンタクト
及びサブコンタクト必須条件３３を入力とし、必須条件
３３により与えられた距離以上の間隔があいている場
合、自動配置工程３１へと移行して、これをエラーがな
くなるまで繰り返す。

【００４５】以上で説明した本発明の実施の形態２は、
本発明の実施の形態１と同様に、従来例における電位追
跡工程３７といった処理を行うことなく、図形処理のみ
でウェルコンタクト及びサブコンタクト（図示せず）を
発生させることができる。よって、処理時間を短縮で
き、更にコストを低減させることができる。更に、本発
明の実施の形態２は、本発明の実施の形態２とは異な
り、チップ上に必要な間隔にウェルコンタクト及びサブ
コンタクトの存在の有無をチェックすることができる。
これにより、プリミティブレイアウトに含まれるダミー
層１９、２０、２１、３５、つまりウェルコンタクト及
びサブコンタクト用の領域の大きさと、プリミティブセ
ル内に既に存在するウェルコンタクト及びサブコンタク
トの数と、チップ内に配置するウェルコンタクト及びサ
ブコンタクトの必要数を規定の関係により、十分なウェ
ルコンタクト及びサブコンタクトの発生とを見込むこと
ができる。つまり、チップ上に必要な間隔にウェルコン
タクト及びサブコンタクトが存在しているかをチェック
することで、基板電位の安定やラッチアップの抑制に対
する信頼性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態１のプリミティブレイアウトを示
すレイアウト図

【図２】実施の形態１の自動配置時のウェルコンタク
ト及びサブコンタクト発生手法を示すフローチャート

【図３】実施の形態１のチップレイアウトを示すレイ
アウト図

【図４】実施の形態１の発生予定領域のみを示すレイ
アウト図

【図５】実施の形態１のウェルコンタクト層及びサブ
コンタクト層のみを示すレイアウト図

【図６】実施の形態１のコンタクト孔配置位置のみを
示すレイアウト図

【図７】実施の形態２の自動配置時のウェルコンタク
ト及びサブコンタクト発生手法のフローチャート

【図８】実施の形態２のプリミティブレイアウトのレ
イアウト図

【図９】従来のプリミティブレイアウトを示すレイア
ウト図

【図１０】従来の自動配置時のウェルコンタクト及び
サブコンタクト発生手法を示すフローチャート

【符号の説明】

１．配置情報２．プリミティブレイアウト３．チップレイアウト作成工程４．チップレイアウト５．発生予定領域抽出工程６．発生予定領域７．ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生条
件８．ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生工
程９．ウェルコンタクト層及びサブコンタクト層１０．コンタクト孔発生工程１１．ウェルコンタクト及びサブコンタクト１２．マージ処理工程１３．実チップレイアウト１４．プリミティブセル枠１５．ＶＤＤ供給配線１６．ＧＮＤ供給配線１７．ソースコンタクト１８．ソースコンタクト１９．ダミー層２０．ダミー層２１．ダミー層２２．ダミー層２３．ダミー層２３．ダミー層２４．ダミー層２５．発生予定領域２６．発生予定領域２７．発生予定領域２８．ウェルコンタクト層及びサブコンタクト層２９．ウェルコンタクト層及びサブコンタクト層３０．コンタクト孔３１．自動配置工程３２．プリミティブレイアウト３３．ウェルコンタクト及びサブコンタクト必須条
件３４．必須条件判定工程３５．ダミー層３６．プリミティブレイアウト３７．電位追跡工程３８．ソース・ドレイン定義３９．境界発生条件４０．ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生境
界作成工程４１．発生境界４２．境界間長測定工程４３．Ｐｃｈトランジスタ拡散層４４．Ｎｃｈトランジスタ拡散層４５．ウェルコンタクト及びサブコンタクト４６．ゲート最終端４７．ゲート配線

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１１年７月１４日（１９９９．７．１
４）

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正内容】

【書類名】明細書

【発明の名称】ＡＳＩＣの設計方法及びプリミティブ
レイアウト

【特許請求の範囲】

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明はＡＳＩＣの設計方
法、特にＡＳＩＣのチップ設計における自動配置後にウ
ェルコンタクト及びサブコンタクトを発生する方法及び
ＡＳＩＣチップを構成するプリミティブレイアウト及び
ＡＳＩＣの設計方法をコンピュータに実行させるプログ
ラムを記録したコンピュータ読みとり可能な記憶媒体に
関するものである。

【０００２】

【０００４】次に、従来のＡＳＩＣの設計方法を図９、
図１０を参照して説明する。図１０は従来技術のＡＳＩ
Ｃの設計方法のフローチャートである。配置情報１は、
ＡＳＩＣのチップ設計における自動配置工程３１によっ
て得られるプリミティブセルの情報であった。チップレ
イアウト作成工程３は、配置情報１とプリミティブレイ
アウト３６を読み込みチップレイアウト４を出力する工
程であった。電位追跡工程３７は、チップレイアウト４
を入力とし、各プリミティブレイアウト３６の両端にあ
る拡散層（図示せず）がソースとなっているか、ドレイ
ンとなっているかを検出する工程であった。次に、各プ
リミティブレイアウト３６の両端にある拡散層から、拡
散層に供給される電位がＶＤＤ又はＧＮＤであった場合
にはソースと判定し、通常信号の場合にはドレインと判
定していた。判定された結果は両端にある拡散層の形状
で、ソース・ドレインで異なる層として、またＮウェル
内（図示せず）、Ｐウェル内（図示せず）で異なる層と
して、計４種の層で定義され、ソース・ドレイン定義３
８へ出力されていた。また、境界発生条件３９は、ソー
スとなっている拡散層とウェルコンタクト及びサブコン
タクトとの間隔、及びドレインとなっている拡散層とウ
ェルコンタクト及びサブコンタクトとの間隔を規定した
ものである。例えばソースとなっている拡散層とウェル
コンタクト及びサブコンタクトとの間隔は０μｍ、ドレ
インとなっている拡散層とウェルコンタクト及びサブコ
ンタクトとの間隔は０．３μｍといった値を規定してい
た。ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生境界作成
工程４０は、ソース・ドレイン定義３８と境界発生条件
３９を入力とし、各ソース・ドレイン定義３８より境界
発生条件３９で規定された距離にある箇所にウェルコン
タクト及びサブコンタクト発生境界４１を作成する。ウ
ェルコンタクト及びサブコンタクト発生境界４１はウェ
ルコンタクト及びサブコンタクトを発生することのでき
るプリミティブセル枠１４の延長方向の幅を持って発生
していた。また、ウェルコンタクト及びサブコンタクト
発生条件７は、隣接する発生境界４１の間にウェルコン
タクト及びサブコンタクトを発生可能な距離を規定する
ものであった。境界間長測定工程４２は、発生境界４１
とウェルコンタクト及びサブコンタクト発生条件７を入
力とし、隣接するウェルコンタクト及びサブコンタクト
発生境界４１間の距離を測定し、ウェルコンタクト及び
サブコンタクト層９を発生させていた。また、ウェルコ
ンタクト及びサブコンタクト層９は、Ｎウェル内、Ｐウ
ェル内で別の層を割り当てられるものであった。以降の
工程は本発明の実施の形態１と同様につき説明を省略す
る。

【０００５】

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本出
願第１の発明は、プリミティブセルの自動配置を行う自
動配置工程と、各プリミティブセルの回路機能を満たす
ようにプリミティブセル内に形成されたトランジスタ及
び配線のレイアウトであり、トランジスタの拡散層と対
向し、且つ近接するプリミティブセルの周縁部とで設定
される領域内にダミー層が形成されると共に、係るダミ
ー層に近接しているプリミティブセルの周縁部の延長方
向のダミー層の幅が所定の幅に形成されてなるプリミテ
ィブレイアウトと、前記自動配置工程によって得られる
プリミティブセルの配置情報とのデータを用いて、チッ
プレイアウトを作成するチップレイアウト作成工程と、
プリミティブレイアウトに含まれるダミー層を抽出し、
発生予定層を形成させる発生予定層抽出工程と、発生予
定層に前記ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生条
件を与えるウェルコンタクト及びサブコンタクト発生予
定領域工程と、前記ウェルコンタクト及びサブコンタク
ト発生条件から、ウェルコンタクト及びサブコンタクト
発生の可否を判定し、可能と判定された発生予定層をウ
ェルコンタクト層及びサブコンタクト層とするウェルコ
ンタクト及びサブコンタクト発生工程と、ウェルコンタ
クト層及びサブコンタクト層の所定の位置にコンタクト
孔を形成させ、ウェルコンタクト及びサブコンタクトを
発生させるコンタクト孔形成工程とからなることを特徴
とするＡＳＩＣの設計方法である。

【０００９】また、本出願第２の発明は、プリミティブ
セルの自動配置を行う自動配置工程と、各プリミティブ
セルの回路機能を満たすようにプリミティブセル内に形
成されたトランジスタ、配線、及びウェルコンタクト及
びサブコンタクトのレイアウトであり、トランジスタの
拡散層と対向し、且つ近接するプリミティブセルの周縁
部とで設定される領域内にダミー層を形成させると共
に、係るダミー層に近接しているプリミティブセルの周
縁部の延長方向のダミー層の幅が所定の幅に形成され、
更にウェルコンタクト及びサブコンタクトの上層にダミ
ー層が形成されてなるプリミティブレイアウトと、前記
自動配置工程によって得られるプリミティブセルの配置
情報とのデータを用いて、チップレイアウトを作成する
チップレイアウト作成工程と、プリミティブレイアウト
に含まれるダミー層を抽出し、発生予定層を形成させる
発生予定層抽出工程と、発生予定層に前記ウェルコンタ
クト及びサブコンタクト発生条件を与えるウェルコンタ
クト及びサブコンタクト発生予定領域工程と、前記ウェ
ルコンタクト及びサブコンタクト発生条件から、ウェル
コンタクト及びサブコンタクト発生の可否を判定し、可
能と判定された発生予定層をウェルコンタクト層及びサ
ブコンタクト層とするウェルコンタクト及びサブコンタ
クト発生工程と、プリミティブレイアウトで構成される
チップ内に配置するウェルコンタクト及びサブコンタク
トの必要数を規定するウェルコンタクト及びサブコンタ
クト必須条件を与え、ウェルコンタクト及びサブコンタ
クト層がチップ内に必要な間隔に存在するかを判定する
必須条件判定工程と、ウェルコンタクト及びサブコンタ
クト層の所定の位置にコンタクト孔を形成させ、ウェル
コンタクト及びサブコンタクトを発生させるコンタクト
孔形成工程とからなることを特徴とするＡＳＩＣの設計
方法である。

【００１０】したがって、本出願第２の発明のＡＳＩＣ
の設計方法によれば、プリミティブセルの自動配置を行
う自動配置工程と、各プリミティブセルの回路機能を満
たすようにプリミティブセル内に形成されたトランジス
タ、配線、及びウェルコンタクト及びサブコンタクトの
レイアウトであり、トランジスタの拡散層と対向し、且
つ近接するプリミティブセルの周縁部とで設定される領
域内にダミー層を形成させると共に、係るダミー層に近
接しているプリミティブセルの周縁部の延長方向のダミ
ー層の幅が所定の幅に形成され、更にウェルコンタクト
及びサブコンタクトの上層にダミー層が形成されてなる
プリミティブレイアウトと、前記自動配置工程によって
得られるプリミティブセルの配置情報とのデータを用い
て、チップレイアウトを作成するチップレイアウト作成
工程と、プリミティブレイアウトに含まれるダミー層を
抽出し、発生予定層を形成させる発生予定層抽出工程
と、発生予定層に前記ウェルコンタクト及びサブコンタ
クト発生条件を与えるウェルコンタクト及びサブコンタ
クト発生予定領域工程と、前記ウェルコンタクト及びサ
ブコンタクト発生条件から、ウェルコンタクト及びサブ
コンタクト発生の可否を判定し、可能と判定された発生
予定層をウェルコンタクト層及びサブコンタクト層とす
るウェルコンタクト及びサブコンタクト発生工程と、プ
リミティブレイアウトで構成されるチップ内に配置する
ウェルコンタクト及びサブコンタクトの必要数を規定す
るウェルコンタクト及びサブコンタクト必須条件を与
え、ウェルコンタクト及びサブコンタクト層がチップ内
に必要な間隔に存在するかを判定する必須条件判定工程
と、ウェルコンタクト及びサブコンタクト層の所定の位
置にコンタクト孔を形成させ、ウェルコンタクト及びサ
ブコンタクトを発生させるコンタクト孔形成工程とから
なることを特徴とすることから、大規模高集積化された
チップであっても、図形処理などの簡単な手法で短時間
で前記ダミー層にウェルコンタクト及びサブコンタクト
を発生させることができる利点がある。また、処理工程
を簡易化することができる。更に、必要なデータ層が従
来のものと比べて少なく、扱うデータ量が小さくなるこ
とから、処理時間が短縮される利点がある。よって、生
産性向上、作業性向上、更にコストの低減を実現するこ
とができる。

【００１２】したがって、本出願第３の発明のＡＳＩＣ
の設計方法によれば、ウェルコンタクト及びサブコンタ
クト発生条件は、前記トランジスタの拡散層に対向する
プリミティブセル周縁部と前記トランジスタの拡散層間
の距離で設定されるダミー層の幅のみで可否を判定する
ことを特徴とすることから、コンタクトを形成させる時
に、コンタクトを形成させることができる前記トランジ
スタの拡散層に対向するプリミティブセルの周縁部の延
長方向のダミー層の幅を判定する工程を省略し、簡単な
図形処理のみでウェルコンタクト及びサブコンタクトの
発生可否を判定することができる利点がある。つまり、
処理工程の簡易化とコストの低減を実現することができ
る利点がある。

【００１４】したがって、本出願第４の発明のＡＳＩＣ
の設計方法によれば、コンタクト孔形成工程における所
定の位置を、ウェルコンタクト及びサブコンタクト層の
中心近傍とすることできることから、所望の機能を果た
すことができるウェルコンタクト及びサブコンタクトを
確実に発生させることができる利点がある。

【００１６】したがって、本出願第５の発明のプリミテ
ィブレイアウトによれば、トランジスタ及び配線を含む
プリミティブセルで構成されたプリミティブレイアウト
において、自動配置工程におけるプリミティブセル内の
ダミー層が配置される所定の位置を、プリミティブセル
内に設けられたトランジスタの拡散層と対向するプリミ
ティブセルの周縁部の一部と、トランジスタの拡散層と
で形成される領域内に配置してなることを特徴とするこ
とから、係るダミー層に簡単な手法で短時間で確実にウ
ェルコンタクト及びサブコンタクトを発生させることが
できる利点がある。

【００１８】したがって、本出願第６の発明のプリミテ
ィブレイアウトによれば、係るダミー層に近接している
プリミティブセルの周縁部の延長方向のダミー層の幅が
所定の幅に形成されてなることから、簡単な図形処理の
みでウェルコンタクト及びサブコンタクトを発生させる
ことができる利点がある。つまり、処理工程の簡易化と
コストの低減を実現することができる利点がある。

【００１９】また、本出願第７の発明は、プリミティブ
セルの自動配置を行う自動配置工程と、各プリミティブ
セルの回路機能を満たすようにプリミティブセル内に形
成されたトランジスタ及び配線のレイアウトであり、ト
ランジスタの拡散層と対向し、且つ近接するプリミティ
ブセルの周縁部とで設定される領域内にダミー層が形成
されると共に、係るダミー層に近接しているプリミティ
ブセルの周縁部の延長方向のダミー層の幅が所定の幅に
形成されてなるプリミティブレイアウトと、前記自動配
置工程によって得られるプリミティブセルの配置情報と
のデータを用いて、チップレイアウトを作成するチップ
レイアウト作成工程と、プリミティブレイアウトに含ま
れるダミー層を抽出し、発生予定層を発生させる発生予
定層抽出工程と、発生予定層にウェルコンタクト及びサ
ブコンタクト発生条件を与えるウェルコンタクト及びサ
ブコンタクト発生予定領域工程と、前記ウェルコンタク
ト及びサブコンタクト発生条件から、ウェルコンタクト
及びサブコンタクト発生の可否を判定し、可能と判定さ
れた発生予定層をウェルコンタクト及びサブコンタクト
層とするウェルコンタクト及びサブコンタクト発生工程
と、ウェルコンタクト層及びサブコンタクト層の所定の
位置にコンタクト孔を発生させ、ウェルコンタクト及び
サブコンタクトを発生させるコンタクト孔形成工程と、
ウェルコンタクト及びサブコンタクトとチップレイアウ
トを入力とし、チップレイアウトにウェルコンタクト及
びサブコンタクトがマージされた状態の実チップレイア
ウトを出力するマージ処理工程とからなることを特徴と
するＡＳＩＣの設計方法をコンピュータに実行させるプ
ログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒
体である。

【００２０】したがって、本出願第７の発明のＡＳＩＣ
の設計方法をコンピュータに実行させるプログラムを記
録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体によれば、
プリミティブセルの自動配置を行う自動配置工程と、各
プリミティブセルの回路機能を満たすようにプリミティ
ブセル内に形成されたトランジスタ及び配線のレイアウ
トであり、トランジスタの拡散層と対向し、且つ近接す
るプリミティブセルの周縁部とで設定される領域内にダ
ミー層が形成されると共に、係るダミー層に近接してい
るプリミティブセルの周縁部の延長方向のダミー層の幅
が所定の幅に形成されてなるプリミティブレイアウト
と、前記自動配置工程によって得られるプリミティブセ
ルの配置情報とのデータを用いて、チップレイアウトを
作成するチップレイアウト作成工程と、プリミティブレ
イアウトに含まれるダミー層を抽出し、発生予定層を発
生させる発生予定層抽出工程と、発生予定層にウェルコ
ンタクト及びサブコンタクト発生条件を与えるウェルコ
ンタクト及びサブコンタクト発生予定領域工程と、前記
ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生条件から、ウ
ェルコンタクト及びサブコンタクト発生の可否を判定
し、可能と判定された発生予定層をウェルコンタクト及
びサブコンタクト層とするウェルコンタクト及びサブコ
ンタクト発生工程と、ウェルコンタクト層及びサブコン
タクト層の所定の位置にコンタクト孔を発生させ、ウェ
ルコンタクト及びサブコンタクトを発生させるコンタク
ト孔形成工程と、ウェルコンタクト及びサブコンタクト
とチップレイアウトを入力とし、チップレイアウトにウ
ェルコンタクト及びサブコンタクトがマージされた状態
の実チップレイアウトを出力するマージ処理工程とから
なることを特徴とする。このような手順を記録した記録
媒体を読み込んで動作するコンピュータを搭載し、各工
程のアルゴリズムに基づいて動作する装置は、大規模高
集積化されたチップであっても、図形処理などの簡単な
手法で短時間でウェルコンタクト及びサブコンタクトを
発生させることができる利点がある。更に、必要なデー
タ層が従来のものと比べて少なく、扱うデータ量が小さ
くなることから、処理時間が短縮される利点がある。よ
って、生産性向上、作業性向上、更にコストの低減を実
現することができる。

【００２１】また、本出願第８の発明は、プリミティブ
セルの自動配置を行う自動配置工程と、各プリミティブ
セルの回路機能を満たすようにプリミティブセル内に形
成されたトランジスタ、配線、及びウェルコンタクト及
びサブコンタクトのレイアウトであり、トランジスタの
拡散層と対向し、且つ近接するプリミティブセルの周縁
部とで設定される領域内にダミー層を形成させると共
に、係るダミー層に近接しているプリミティブセルの周
縁部の延長方向のダミー層の幅が所定の幅に形成され、
更にウェルコンタクト及びサブコンタクトの上層にダミ
ー層が形成されてなるプリミティブレイアウトと、前記
自動配置工程によって得られるプリミティブセルの配置
情報とのデータを用いて、チップレイアウトを作成する
チップレイアウト作成工程と、プリミティブレイアウト
に含まれるダミー層を抽出し、発生予定層を形成させる
発生予定層抽出工程と、発生予定層にウェルコンタクト
及びサブコンタクト発生条件を与えるウェルコンタクト
及びサブコンタクト発生予定領域工程と、前記ウェルコ
ンタクト及びサブコンタクト発生条件から、ウェルコン
タクト及びサブコンタクト発生の可否を判定し、可能と
判定された発生予定層をウェルコンタクト層及びサブコ
ンタクト層とするウェルコンタクト及びサブコンタクト
発生工程と、プリミティブレイアウトで構成されるチッ
プ内に配置するウェルコンタクト及びサブコンタクトの
必要数を規定するウェルコンタクト及びサブコンタクト
必須条件と、前記ウェルコンタクト及びサブコンタクト
必須条件を与え、ウェルコンタクト及びサブコンタクト
層がチップ内に必要な間隔に存在するか判定する必須条
件判定工程と、ウェルコンタクト及びサブコンタクト層
の所定の位置にコンタクト孔を形成させ、ウェルコンタ
クト及びサブコンタクトを発生させるコンタクト孔形成
工程とウェルコンタクト及びサブコンタクトとチップレ
イアウトを入力とし、チップレイアウトにウェルコンタ
クト及びサブコンタクトがマージされた状態の実チップ
レイアウトを出力するマージ処理工程とからなることを
特徴とするＡＳＩＣの設計方法をコンピュータに実行さ
せるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な
記録媒体である。

【００２２】したがって、本出願第８の発明のＡＳＩＣ
の設計方法をコンピュータに実行させるプログラムを記
録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、
プリミティブセルの自動配置を行う自動配置工程と、各
プリミティブセルの回路機能を満たすようにプリミティ
ブセル内に形成されたトランジスタ、配線、及びウェル
コンタクト及びサブコンタクトのレイアウトであり、ト
ランジスタの拡散層と対向し、且つ近接するプリミティ
ブセルの周縁部とで設定される領域内にダミー層を形成
させると共に、係るダミー層に近接しているプリミティ
ブセルの周縁部の延長方向のダミー層の幅が所定の幅に
形成され、更にウェルコンタクト及びサブコンタクトの
上層にダミー層が形成されてなるプリミティブレイアウ
トと、前記自動配置工程によって得られるプリミティブ
セルの配置情報とのデータを用いて、チップレイアウト
を作成するチップレイアウト作成工程と、プリミティブ
レイアウトに含まれるダミー層を抽出し、発生予定層を
形成させる発生予定層抽出工程と、発生予定層にウェル
コンタクト及びサブコンタクト発生条件を与えるウェル
コンタクト及びサブコンタクト発生予定領域工程と、前
記ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生条件から、
ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生の可否を判定
し、可能と判定された発生予定層をウェルコンタクト層
及びサブコンタクト層とするウェルコンタクト及びサブ
コンタクト発生工程と、プリミティブレイアウトで構成
されるチップ内に配置するウェルコンタクト及びサブコ
ンタクトの必要数を規定するウェルコンタクト及びサブ
コンタクト必須条件と、前記ウェルコンタクト及びサブ
コンタクト必須条件を与え、ウェルコンタクト及びサブ
コンタクト層がチップ内に必要な間隔に存在するか判定
する必須条件判定工程と、ウェルコンタクト及びサブコ
ンタクト層の所定の位置にコンタクト孔を形成させ、ウ
ェルコンタクト及びサブコンタクトを発生させるコンタ
クト孔形成工程とウェルコンタクト及びサブコンタクト
とチップレイアウトを入力とし、チップレイアウトにウ
ェルコンタクト及びサブコンタクトがマージされた状態
の実チップレイアウトを出力するマージ処理工程とから
なることを特徴とする。このような手順を記録した記録
媒体を読み込んで動作するコンピュータによって、各工
程のアルゴリズムに基づいて動作する装置は、大規模高
集積化されたチップであっても、図形処理などの簡単な
手法で短時間でウェルコンタクト及びサブコンタクトを
発生させることができる利点がある。更に、必要なデー
タ層が従来のものと比べて少なく、扱うデータ量が小さ
くなることから、処理時間が短縮される利点がある。よ
って、生産性向上、作業性向上、更にコストの低減を実
現することができる。

【００２４】したがって、本出願第９の発明のＡＳＩＣ
の設計方法をコンピュータに実行させるプログラムを記
録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、
ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生条件は、前記
トランジスタの拡散層に対向するプリミティブセル周縁
部と前記トランジスタの拡散層間の距離で設定されるダ
ミー層の幅のみで可否を判定することを特徴とする。こ
のような手順を記録した記録媒体を読み込んで動作する
コンピュータによって、各工程のアルゴリズムに基づい
て動作する装置は、コンタクトを形成させる時に、コン
タクトを形成させることができるプリミティブセルの周
縁部方向のダミー層の幅を判定することが不必要とな
り、図形処理のみでウェルコンタクト及びサブコンタク
トを発生することができる利点がある。つまり、処理工
程の簡易化とコストの低減を実現することができる利点
がある。

【００２６】したがって、本出願第１０の発明のＡＳＩ
Ｃの設計方法をコンピュータに実行させるプログラムを
記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれ
ば、コンタクト孔形成工程における所定の位置を、ウェ
ルコンタクト及びサブコンタクト層の中心近傍とするこ
とを特徴とする。このような手順を記録した記録媒体を
読み込んで動作するコンピュータによって、各工程のア
ルゴリズムに基づいて動作する装置は、ウェルコンタク
ト及びサブコンタクトを確実に発生させることができる
利点がある。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態のＡＳ
ＩＣの設計方法及びプリミティブレイアウトにつき図面
を参照して説明する。

【００２８】実施の形態１図１は本発明の実施の形態１のを示すプリミティブレイ
アウトを示すレイアウト図である。図２は本発明の実施
の形態１のＡＳＩＣの設計方法のフローチャートであ
る。図２における本発明の実施の形態１のＡＳＩＣの設
計方法を説明する前に、その構成要素であるプリミティ
ブレイアウト２を図１を参照して説明する。図１におい
て、本発明の実施の形態１のプリミティブレイアウト２
は、チップレイアウト４上の各プリミティブセルの回路
機能を満たすように配置されたトランジスタや配線のレ
イアウトである。レイアウトされているトランジスタや
配線はチップ配置時に隣接するデータとの間隔基準を満
たすようにプリミティブセル枠１４内に配置されてい
る。また、プリミティブレイアウト２は、プリミティブ
セル内に設けられたＰｃｈトランジスタ拡散層４３又は
Ｎｃｈトランジスタ拡散層４４と対向するプリミティブ
セル枠１４と、Ｐｃｈトランジスタ拡散層４３及びＮｃ
ｈトランジスタ拡散層４４とで形成される領域内にウェ
ルコンタクト及びサブコンタクト発生用のダミー層１
９、２０、２１を有する。また、プリミティブセル枠１
４は、プリミティブセルの領域を規定するものである。
係るプリミティブレイアウト２は前記プリミティブセル
枠１４の内部に構成されるものである。すなわち、プリ
ミティブセル枠１４は規格化された大きさを有し、トラ
ンジスタ等の各要素はプリミティブセル枠１４の内部に
構成されるものである。また、プリミティブレイアウト
２はＶＤＤ供給配線１５とＧＮＤ供給配線１６を有して
いる。さらにＰｃｈトランジスタ拡散層４３にＶＤＤを
供給するソースコンタクト１７、Ｎｃｈトランジスタ拡
散層４４にＧＮＤを供給するソースコンタクト１８を有
している。また、Ｎウェル（図示せず）内のウェルコン
タクト及びサブコンタクト発生用のダミー層１９は、ソ
ースとなっているＰｃｈトランジスタ拡散層４３の端部
とプリミティブセル枠１４との間に配置されている。ま
た、係るダミー層１９はトランジスタの拡散層と対向
し、且つ近接するプリミティブセルの周縁部とで設定さ
れる領域内にダミー層が形成されると共に、係るダミー
層に近接しているプリミティブセル枠１４の延長方向の
幅が所定の幅（以下、高さ）に形成されている。また、
前記高さは、ウェルコンタクト及びサブコンタクトを発
生し得る幅に形成されてなるものである。また、Ｐウェ
ル（図示せず）内に形成されたウェルコンタクト及びサ
ブコンタクト発生用のダミー層２０は、ソースとなって
いるＮｃｈトランジスタ拡散層４４の端部とプリミティ
ブセル枠１４との間に配置されている。係るダミー層２
０はダミー層１９と同様にウェルコンタクト及びサブコ
ンタクトを発生可能な高さに形成してなるものである。
また、ここで述べたウェルコンタクト及びサブコンタク
トを発生可能な高さはチップの種類によって異なるた
め、特に規定はしない。また、Ｐウェル内のウェルコン
タクト及びサブコンタクト発生用のダミー層２１は、ド
レインとなっているＮｃｈトランジスタ拡散層４４の端
部から、係るＮｃｈトランジスタ拡散層４４とウェルコ
ンタクト及びサブコンタクト間隔を規定した設計基準を
満たす距離分離れた位置からプリミティブセル枠１４と
の間に配置されている。ダミー層２１も同様にウェルコ
ンタクト及びサブコンタクトを発生可能な高さに形成さ
れてなるものである。また、Ｎウェル内のウェルコンタ
クト及びサブコンタクト発生用のダミー層１９とＰウェ
ル内のウェルコンタクト及びサブコンタクト発生用のダ
ミー層２０、２１には実際のレイアウトで使用されてい
る層と性質が異なる層を割り当ててある。Ｎウェル内の
右端にはダミー層が配置されていないが、Ｎｃｈトラン
ジスタ拡散層４３とウェルコンタクト及びサブコンタク
トの間隔を規定した設計基準を満たす距離が確保できな
い場合は、ダミー層を配置しなくともよい。

【００２９】次に、図２を参照して、本発明の実施の形
態１のＡＳＩＣの設計方法を説明する。ここで説明する
ＡＳＩＣの設計方法の構成要素であるダミー層は、図１
に示したダミー層１９、２０、２１である。また、図２
におけるチップレイアウトは図１に示したプリミティブ
レイアウト２をその構成要素としている。また、係るダ
ミー層には、工程が順次進行するにつれ、選択され、異
なるデータ層へ変換される。以上の点から、図２の説明
におけるダミー層は、符号を付すことによる混乱を回避
するべく符号を付さずに説明する。係るダミー層の説明
は別の図面を参照して後に行う。

【００３０】図２を参照して、ＡＳＩＣの設計方法を説
明する。尚、本段落ではまずその構成を説明することと
する。配置情報１は、ＡＳＩＣのチップ設計におけるプ
リミティブセルの自動配置３１により得ることができる
情報である。また、チップレイアウト作成工程３は、配
置情報１とプリミティブレイアウト２を読み込みチップ
レイアウト４を出力する工程である。また、発生予定領
域抽出工程５は、プリミティブレイアウト２に含まれる
ダミー層を抽出し、Ｎウェル内、Ｐウェル内の各々のダ
ミー層に対応した発生予定層６を発生させる工程であ
る。ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生条件７
は、発生予定層６にウェルコンタクト及びサブコンタク
ト１１を発生させることが可能か否かを判定する条件で
ある。例えば、係る条件を発生予定層６の幅とする。ま
た、係る幅はプロセスの制約上、ウェルコンタクト及び
サブコンタクト１１を配置するために最低限必要な幅と
する。また、前記幅は、Ｐｃｈトランジスタ拡散層４３
及びＮｃｈトランジスタ拡散層４４と、プリミティブセ
ル枠１４で設定される方向の発生予定層６の幅である。
しかし、本発明のプリミティブレイアウト２に含まれる
ダミー層はウェルコンタクト及びサブコンタクト１１を
発生することができる高さを有していることから幅のみ
を判定基準とすることができる。また、ウェルコンタク
ト及びサブコンタクト発生ステップ８は、発生予定層６
のうちウェルコンタクト及びサブコンタクト発生条件７
を満たすものをウェルコンタクト層及びサブコンタクト
層９に変換する工程である。例えば、ウェルコンタクト
及びサブコンタクト発生条件７を発生予定層６のＰｃｈ
トランジスタ拡散層４３及びＮｃｈトランジスタ拡散層
４４と、プリミティブセル枠１４で設定される方向の発
生予定層６の幅として、条件を満たすもの発生予定層６
と満たさない発生予定層６とに判別し、条件を満たす発
生予定層６についてウェルコンタクト層及びサブコンタ
クト層９に変換・出力する工程である。次に、ウェルコ
ンタクト層及びサブコンタクト層９にコンタクト孔が発
生されＶＤＤ及びＧＮＤを供給するコンタクト孔発生工
程１０について説明する。ＶＤＤ供給配線及びＧＮＤ供
給配線の下層でウェルコンタクト層及びサブコンタクト
層９の横方向での中心にコンタクト孔を発生させる。こ
れにより、ウェルコンタクト及びサブコンタクト１１が
発生される。次に、マージ処理工程１２において、チッ
プレイアウト４とウェルコンタクト及びサブコンタクト
１１をマージし、実チップレイアウト１３を作成する。
本発明のＡＳＩＣの設計方法は以上の構成からなるもの
である。

【００３１】次に、上記の構成でなる本発明のＡＳＩＣ
の設計方法による動作を図面を参照して更に詳細に説明
する。図１及び図２において、自動配置工程３１によっ
て得られた配置情報１とプリミティブレイアウト２は、
チップレイアウト作成工程３へ入力される。チップレイ
アウト作成工程では、入力された配置情報１に含まれる
各プリミティブセルの配置座標、方向等に沿ってプリミ
ティブレイアウト２をチップ上に配置し、チップレイア
ウト４を作成する。

【００４０】以上で説明したＡＳＩＣの設計方法によれ
ば、ダミー層１９、２０、２１をプリミティブレイアウ
トに置くことで、従来例における電位追跡工程３７とい
った処理を行うことなく、簡単な図形処理のみでウェル
コンタクト及びサブコンタクトを発生させることができ
る。つまり、処理時間を短縮でき、更にコストを低減さ
せることができる。また、必要とするデータ層が、実施
の形態１では２層のみとなることから、扱うデータが小
さくなることで処理時間が短縮される。また、実施の形
態１で使用される２層はＮウェル内、及びＰウェル内を
識別するためのものである。

【００４１】実施の形態２次に上述の実施の形態１のＡＳＩＣの設計方法及びプリ
ミティブレイアウトとは異なる本発明の実施の形態２に
つき図面を参照して説明する。図７を参照すると、本発
明の実施の形態２は、プリミティブレイアウト３２のデ
ータ構成の点とウェルコンタクト及びサブコンタクト必
須条件３３と必須条件判定工程３４を有する点で、実施
の形態１のＡＳＩＣの設計方法及びプリミティブレイア
ウトと異なる。ウェルコンタクト及びサブコンタクト必
須条件３３は、チップ内に配置するウェルコンタクト及
びサブコンタクトの必要数を規定するものある。例えば
２０ｕｍ以内に必ず１個のウェルコンタクト及びサブコ
ンタクト（図示せず）を配置するという規定が行われ
る。また、必須条件判定工程３４は、ウェルコンタクト
層及びサブコンタクト層９とウェルコンタクト及びサブ
コンタクト必須条件３３を入力として、ウェルコンタク
ト層及びサブコンタクト層９がチップ内に必要な間隔に
存在するかを判定する工程である。必要間隔に存在しな
い場合には自動配置工程３１へと戻り再配置を行う。必
要な間隔に存在する場合、コンタクト孔発生工程１０へ
と移行するものである。

【図面の簡単な説明】

【図２】実施の形態１のＡＳＩＣの設計方法を示すフ
ローチャート

【図７】実施の形態２のＡＳＩＣの設計方法のフロー
チャート

【図１０】従来のＡＳＩＣの設計方法を示すフローチ
ャート

【符号の説明】１．配置情報２．プリミティブレイアウト３．チップレイアウト作成工程４．チップレイアウト５．発生予定領域抽出工程６．発生予定領域７．ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生条
件８．ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生工
程９．ウェルコンタクト層及びサブコンタクト層１０．コンタクト孔発生工程１１．ウェルコンタクト及びサブコンタクト１２．マージ処理工程１３．実チップレイアウト１４．プリミティブセル枠１５．ＶＤＤ供給配線１６．ＧＮＤ供給配線１７．ソースコンタクト１８．ソースコンタクト１９．ダミー層２０．ダミー層２１．ダミー層２２．ダミー層２３．ダミー層２３．ダミー層２４．ダミー層２５．発生予定領域２６．発生予定領域２７．発生予定領域２８．ウェルコンタクト層及びサブコンタクト層２９．ウェルコンタクト層及びサブコンタクト層３０．コンタクト孔３１．自動配置工程３２．プリミティブレイアウト３３．ウェルコンタクト及びサブコンタクト必須条
件３４．必須条件判定工程３５．ダミー層３６．プリミティブレイアウト３７．電位追跡工程３８．ソース・ドレイン定義３９．境界発生条件４０．ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生境
界作成工程４１．発生境界４２．境界間長測定工程４３．Ｐｃｈトランジスタ拡散層４４．Ｎｃｈトランジスタ拡散層４５．ウェルコンタクト及びサブコンタクト４６．ゲート最終端４７．ゲート配線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5B046 AA08 BA04 5F064 BB35 CC12 DD02 DD12 DD14 EE02 EE26 EE27 EE52 HH06 HH11 HH12

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プリミティブセルの自動配置を行う自動配
置工程と、各プリミティブセルの回路機能を満たすようにプリミテ
ィブセル内に形成されたトランジスタ及び配線のレイア
ウトであり、トランジスタの拡散層と対向し、且つ近接
するプリミティブセルの周縁部とで設定される領域内に
ダミー層が形成されると共に、係るダミー層に近接して
いるプリミティブセルの周縁部の延長方向のダミー層の
幅が所定の幅に形成されてなるプリミティブレイアウト
と、前記自動配置工程によって得られるプリミティブセ
ルの配置情報とのデータを用いて、チップレイアウトを
作成するチップレイアウト作成工程と、プリミティブレイアウトに含まれるダミー層を抽出し、
発生予定層を形成させる発生予定層抽出工程と、発生予
定層に前記ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生条
件を与えるウェルコンタクト及びサブコンタクト発生予
定領域工程と、前記ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生条件か
ら、ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生の可否を
判定し、可能と判定された発生予定層をウェルコンタク
ト層及びサブコンタクト層とするウェルコンタクト及び
サブコンタクト発生工程と、ウェルコンタクト層及びサブコンタクト層の所定の位置
にコンタクト孔を形成させ、ウェルコンタクト及びサブ
コンタクトを発生させるコンタクト孔形成工程とからな
ることを特徴とするウェルコンタクト及びサブコンタク
ト発生手法。
【請求項２】プリミティブセルの自動配置を行う自動配
置工程と、各プリミティブセルの回路機能を満たすようにプリミテ
ィブセル内に形成されたトランジスタ、配線、及びウェ
ルコンタクト及びサブコンタクトのレイアウトであり、
トランジスタの拡散層と対向し、且つ近接するプリミテ
ィブセルの周縁部とで設定される領域内にダミー層を形
成させると共に、係るダミー層に近接しているプリミテ
ィブセルの周縁部の延長方向のダミー層の幅が所定の幅
に形成され、更にウェルコンタクト及びサブコンタクト
の上層にダミー層が形成されてなるプリミティブレイア
ウトと、前記自動配置工程によって得られるプリミティ
ブセルの配置情報とのデータを用いて、チップレイアウ
トを作成するチップレイアウト作成工程と、プリミティブレイアウトに含まれるダミー層を抽出し、
発生予定層を形成させる発生予定層抽出工程と、発生予定層に前記ウェルコンタクト及びサブコンタクト
発生条件を与えるウェルコンタクト及びサブコンタクト
発生予定領域工程と、前記ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生条件か
ら、ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生の可否を
判定し、可能と判定された発生予定層をウェルコンタク
ト層及びサブコンタクト層とするウェルコンタクト及び
サブコンタクト発生工程と、プリミティブレイアウトで構成されるチップ内に配置す
るウェルコンタクト及びサブコンタクトの必要数を規定
するウェルコンタクト及びサブコンタクト必須条件を与
え、ウェルコンタクト及びサブコンタクト層がチップ内
に必要な間隔に存在するかを判定する必須条件判定工程
と、ウェルコンタクト及びサブコンタクト層の所定の位置に
コンタクト孔を形成させ、ウェルコンタクト及びサブコ
ンタクトを発生させるコンタクト孔形成工程とからなる
ことを特徴とするウェルコンタクト及びサブコンタクト
発生手法。
【請求項３】ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生
条件は、前記トランジスタの拡散層に対向するプリミテ
ィブセル周縁部と前記トランジスタの拡散層間の距離で
設定されるダミー層の幅のみで可否を判定することを特
徴とする請求項１又は請求項２に記載のウェルコンタク
ト及びサブコンタクト発生手法。
【請求項４】コンタクト孔形成工程における所定の位置
を、ウェルコンタクト及びサブコンタクト層の中心近傍
とすることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の
ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生手法。
【請求項５】トランジスタ及び配線を含むプリミティブ
レイアウトにおいて、プリミティブレイアウトが構成さ
れているプリミティブセル内に設けられたトランジスタ
の拡散層と対向するプリミティブセルの周縁部と、トラ
ンジスタの拡散層とで形成される領域内にダミー層を配
置してなることを特徴とするプリミティブレイアウト。
【請求項６】係るダミー層に近接しているプリミティブ
セルの周縁部の延長方向のダミー層の幅が所定の幅に形
成されてなることを特徴とする請求項５に記載のプリミ
ティブレイアウト。
【請求項７】プリミティブセルの自動配置を行う自動配
置工程と、各プリミティブセルの回路機能を満たすようにプリミテ
ィブセル内に形成されたトランジスタ及び配線のレイア
ウトであり、トランジスタの拡散層と対向し、且つ近接
するプリミティブセルの周縁部とで設定される領域内に
ダミー層が形成されると共に、係るダミー層に近接して
いるプリミティブセルの周縁部の延長方向のダミー層の
幅が所定の幅に形成されてなるプリミティブレイアウト
と、前記自動配置工程によって得られるプリミティブセ
ルの配置情報とのデータを用いて、チップレイアウトを
作成するチップレイアウト作成工程と、プリミティブレイアウトに含まれるダミー層を抽出し、
発生予定層を発生させる発生予定層抽出工程と、発生予定層にウェルコンタクト及びサブコンタクト発生
条件を与えるウェルコンタクト及びサブコンタクト発生
予定領域工程と、前記ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生条件か
ら、ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生の可否を
判定し、可能と判定された発生予定層をウェルコンタク
ト及びサブコンタクト層とするウェルコンタクト及びサ
ブコンタクト発生工程と、ウェルコンタクト層及びサブコンタクト層の所定の位置
にコンタクト孔を発生させ、ウェルコンタクト及びサブ
コンタクトを発生させるコンタクト孔形成工程と、ウェルコンタクト及びサブコンタクトとチップレイアウ
トを入力とし、チップレイアウトにウェルコンタクト及
びサブコンタクトがマージされた状態の実チップレイア
ウトを出力するマージ処理工程とからなることを特徴と
するウェルコンタクト及びサブコンタクト発生手法をコ
ンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュ
ータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項８】プリミティブセルの自動配置を行う自動配
置工程と、各プリミティブセルの回路機能を満たすよう
にプリミティブセル内に形成されたトランジスタ、配
線、及びウェルコンタクト及びサブコンタクトのレイア
ウトであり、トランジスタの拡散層と対向し、且つ近接
するプリミティブセルの周縁部とで設定される領域内に
ダミー層を形成させると共に、係るダミー層に近接して
いるプリミティブセルの周縁部の延長方向のダミー層の
幅が所定の幅に形成され、更にウェルコンタクト及びサ
ブコンタクトの上層にダミー層が形成されてなるプリミ
ティブレイアウトと、前記自動配置工程によって得られ
るプリミティブセルの配置情報とのデータを用いて、チ
ップレイアウトを作成するチップレイアウト作成工程
と、プリミティブレイアウトに含まれるダミー層を抽出し、
発生予定層を形成させる発生予定層抽出工程と、発生予定層にウェルコンタクト及びサブコンタクト発生
条件を与えるウェルコンタクト及びサブコンタクト発生
予定領域工程と、前記ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生条件か
ら、ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生の可否を
判定し、可能と判定された発生予定層をウェルコンタク
ト層及びサブコンタクト層とするウェルコンタクト及び
サブコンタクト発生工程と、プリミティブレイアウトで構成されるチップ内に配置す
るウェルコンタクト及びサブコンタクトの必要数を規定
するウェルコンタクト及びサブコンタクト必須条件と、前記ウェルコンタクト及びサブコンタクト必須条件を与
え、ウェルコンタクト及びサブコンタクト層がチップ内
に必要な間隔に存在するか判定する必須条件判定工程
と、ウェルコンタクト及びサブコンタクト層の所定の位置に
コンタクト孔を形成させ、ウェルコンタクト及びサブコ
ンタクトを発生させるコンタクト孔形成工程とウェルコ
ンタクト及びサブコンタクトとチップレイアウトを入力
とし、チップレイアウトにウェルコンタクト及びサブコ
ンタクトがマージされた状態の実チップレイアウトを出
力するマージ処理工程とからなることを特徴とするウェ
ルコンタクト及びサブコンタクト発生手法をコンピュー
タに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み
取り可能な記録媒体。
【請求項９】ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生
条件は、前記トランジスタの拡散層に対向するプリミテ
ィブセル周縁部と前記トランジスタの拡散層間の距離で
設定されるダミー層の幅のみで可否を判定することを特
徴とする請求項７又は請求項８に記載のウェルコンタク
ト及びサブコンタクト発生手法をコンピュータに実行さ
せるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な
記録媒体。
【請求項１０】コンタクト孔形成工程における所定の位
置を、ウェルコンタクト及びサブコンタクト層の中心近
傍とすることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載
のウェルコンタクト及びサブコンタクト発生手法をコン
ピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュー
タ読み取り可能な記録媒体。