JP2001010070A

JP2001010070A - 基板に加工を行うためのエッチング方法およびポリエーテルアミド樹脂層のドライエッチング方法、並びに、インクジェット記録ヘッドの製造方法、インクジェットヘッドおよびインクジェットプリント装置

Info

Publication number: JP2001010070A
Application number: JP16205499A
Authority: JP
Inventors: Junichi Kobayashi; 順一小林; Keiichi Murakami; 圭一村上; Kanki Sato; 環樹佐藤; Norio Okuma; 典夫大熊
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1998-06-11
Filing date: 1999-06-09
Publication date: 2001-01-16
Anticipated expiration: 2019-06-09
Also published as: JP3957920B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ピンホール等の欠陥の生じることのないマスク
材を用いることができ、信頼性の高いエッチングを行う
ことが可能なエッチング方法、並びに、該方法を用いた
インクジェット記録ヘッドの製造方法、インクジェット
ヘッドおよびインクジェットプリント装置を提供するこ
と。【解決手段】エッチングによって基板に加工を行うため
のエッチング方法であって、耐エッチングマスクとして
ポリエーテルアミド樹脂層を用いたエッチング方法、お
よびポリエーテルアミド樹脂層のドライエッチング方法
であって、前記ポリエーテルアミド樹脂層を、酸素を主
たる成分とするエッチングガスによってエッチングする
ドライエッチング方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に加工を行う
ためのエッチング方法およびポリエーテルアミド樹脂層
のドライエッチング方法に関し、特に、インクジェット
ヘッドのインク供給口の形成や圧力センサの形成等、マ
イクロマシニング技術に用いられるＳｉ異方性エッチン
グ方法、あるいは、インクジェットヘッドの耐インク層
としての保護膜、あるいは半導体デバイスの保護膜等の
エッチングに好適なドライエッチング方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】マイクロマシニングに用いられるエッチ
ング方法としては、フォトリソグラフィー技術による化
学的エッチング技術が主流となっている。ここで、使用
される基板としては、＜１００＞，＜１１０＞面の結晶
方位を面に持つシリコン（Ｓｉ）基板（ウェハー）が一
般的である。上記する面方位を有するＳｉ基板に対し
て、アルカリ系の化学的エッチングを行うことにより、
エッチングの進行方向について、深さ（掘り込み）方向
と幅（広がり）方向の選択性ができ、これによりエッチ
ングの異方性が得られる。例えば、深さが深く、幅の狭
い形状の穴を形成することが可能となる。また、＜１０
０＞面の結晶方位を持つ基板を用いた場合、エッチング
する幅により、深さ方向が幾何学的に決定されることか
ら、深さ方向を制御することができる。例えば、エッチ
ング開始面から深さ方向に５４．７°の傾斜で狭くなる
穴を得ることができる。従って、基板の厚さとエッチン
グする幅を考慮することにより、基板を貫通することな
く、基板の途中までの穴形成の制御が確実でかつ容易に
行えることとなる（図４参照）。そして、以上のような
エッチングの性質は、インクジェットヘッドの製造、圧
力センサの製造等のマイクロマシニング技術に応用され
ていることは良く知られたところである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、アルカリ系
のエッチング液による化学的エッチングは、概して強ア
ルカリで長時間行い、さらにこの間に加熱処理を行うた
め、これら条件を考慮して耐エッチングマスク材とし
て、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ膜等の誘電体膜を用いるのが一般
的である。しかし、これらの膜は、通常スパッタやＣＶ
Ｄといった堆積膜として形成されるため、これらの膜を
無欠陥で形成するのは困難であり、この欠陥部（ピンホ
ール）に起因してヘッド等が不良となることがあった。
また、年々、加工の微細化が進み、そのために微小な欠
陥が無視できなくなるという事情もある。以上のよう
に、ヘッド製造等のマイクロマシニング技術において
は、無欠陥のエッチングマスクの形成が大きな要請とな
りつつある。

【０００４】そこで、本発明は、上記した課題を解決
し、耐アルカリ性を有するとともに、ピンホール等の欠
陥の生じることのないマスク材を用いることができ、信
頼性の高いエッチングを行うことが可能なエッチング方
法、並びに、該方法を用いたインクジェット記録ヘッド
の製造方法、インクジェットヘッドおよびインクジェッ
トプリント装置を提供することを目的とするものであ
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するために、基板に加工を行うためのエッチング方法
およびポリエーテルアミド樹脂層のドライエッチング方
法、並びに、インクジェット記録ヘッドの製造方法、イ
ンクジェットヘッドおよびインクジェットプリント装置
を、つぎのように構成したことを特徴とするものであ
る。すなわち、本発明のエッチング方法は、基板の加工
を行うために、基板上に所望の開口パターンを有する耐
エッチングマスクを設け、該耐エッチングマスクを介し
てエッチングを行うエッチング方法であって、前記耐エ
ッチングマスクとしてポリエーテルアミド樹脂層を用い
たことを特徴としている。また、本発明のエッチング方
法は、前記耐エッチングマスクは、ポリエーテルアミド
樹脂層と、誘電体層との２層構造となっており、前記ポ
リエーテルアミド樹脂層は誘電体層上に設けられること
を特徴としている。また、本発明のエッチング方法は、
前記耐エッチングマスクとしての前記ポリエーテルアミ
ド樹脂層の開口は、酸素を主たる成分とするエッチング
ガスによってドライエッチングすることにより形成され
ることを特徴としている。また、本発明のエッチング方
法は、前記耐エッチングマスクとしての前記ポリエーテ
ルアミド樹脂層の開口は、酸素及び四フッ化炭素の混合
ガスを主たる成分とするエッチングガスによってドライ
エッチングすることにより形成されることを特徴として
いる。また、本発明のエッチング方法は、前記基板とし
てシリコンウェハーを用いたことを特徴としている。ま
た、本発明のエッチング方法は、前記エッチングは異方
性エッチングであることを特徴としている。また、本発
明のドライエッチング方法は、ポリエーテルアミド樹脂
層のドライエッチング方法であって、前記ポリエーテル
アミド樹脂層を、酸素を主たる成分とするエッチングガ
スによってエッチングすることを特徴としている。ま
た、本発明のドライエッチング方法は、ポリエーテルア
ミド樹脂層のドライエッチング方法であって、前記ポリ
エーテルアミド樹脂層を、酸素及び四フッ化炭素の混合
ガスを主たる成分とするエッチングガスによってエッチ
ングすることを特徴としている。また、本発明のドライ
エッチング方法は、前記ドライエッチングが、該ドライ
エッチングのエッチングマスクとしてシリコン含有フォ
トレジストを用いることを特徴としている。また、本発
明のドライエッチング方法は、マイクロ波放電を用いた
プラズマ励起により複数枚の処理物を同一処埋するドラ
イエッチング方法において、前記複数枚の処理物を上記
のドライエッチング方法を用いてエッチングすることを
特徴としている。

【０００６】また、本発明のインクジェットヘッドの製
造方法は、インクを吐出するためのインクジェットヘッ
ドの製造方法であって、インクジェットヘッドを構成す
る基板を用意し、該基板の面にポリエーテルアミド樹脂
層からなるマスクパターンを形成し、該マスクパターン
をマスクとしたエッチング加工を行う、各ステップを有
したことを特徴としている。また、本発明のインクジェ
ットヘッドの製造方法は、インクを吐出するためのイン
クジェットヘッドの製造方法であって、インクジェット
ヘッドを構成する基板を用意し、該基板の面に、誘電体
層上にポリエーテルアミド樹脂層を形成した２層構造の
層からなるマスクパターンを形成し、該マスクパターン
をマスクとしたエッチング加工を行う、各ステップを有
したことを特徴としている。また、本発明のインクジェ
ットヘッドの製造方法は、前記マスクパターンが、酸素
を主たる成分とするエッチングガスを用いたドライエッ
チングにより形成されることを特徴としている。また、
本発明のインクジェットヘッドの製造方法は、前記マス
クパターンが、酸素及び四フッ化炭素の混合ガスを主た
る成分とするエッチングガスを用いたドライエッチング
により形成されることを特徴としている。また、本発明
のインクジェットヘッドの製造方法は、前記エッチング
により前記基板を貫通するインク供給口を形成すること
を特徴としている。また、本発明のインクジェットヘッ
ドの製造方法は、前記基板としてシリコンウェハーを用
いたことを特徴としている。また、本発明のインクジェ
ットヘッドの製造方法は、前記基板には、インクを吐出
するために利用される電気熱変換素子およびインク流路
用部材が形成されることを特徴としている。また、本発
明のインクジェットヘッドの製造方法は、前記エッチン
グが異方性エッチングであることを特徴としている。ま
た、本発明のインクジェットヘッドの製造方法は、イン
クジェットヘッドを構成する基板を用意し、該基板の面
にポリエーテルアミド樹脂層からなる耐インク層として
の保護膜を形成し、該保護膜を上記した本発明のいずれ
かのドライエッチング方法によって加工することを特徴
としている。また、本発明のインクジェットヘッドの製
造方法は、前記保護膜が、少なくとも熱作用部を含む前
記基板上に形成された保護膜であり、該保護膜にエッチ
ングによって該熱作用部の開口部を加工することを特徴
としている。

【０００７】また、本発明のインクジェットヘッドは、
インクジェットヘッドを構成する基板を用意し、該基板
の面にポリエーテルアミド樹脂層からなるマスクパター
ンを形成し、該マスクパターンをマスクとしたエッチン
グ加工を行う、各ステップを有した製造方法によって製
造されたことを特徴としている。また、本発明のインク
ジェットヘッドは、インクジェットヘッドを構成する基
板を用意し、該基板の面に、誘電体層上にポリエーテル
アミド樹脂層を形成した２層構造の層からなるマスクパ
ターンを形成し、該マスクパターンをマスクとしたエッ
チング加工を行う、各ステップを有した製造方法によっ
て製造されたことを特徴としている。また、本発明のイ
ンクジェットヘッドは、前記マスクパターンが、上記し
た本発明のいずれかのドライエッチング方法によつて形
成されたものであることを特徴としている。また、本発
明のインクジェットヘッドは、前記エッチングにより前
記基板を貫通するインク供給口を形成することを特徴と
している。また、本発明のインクジェットヘッドは、前
記基板としてシリコンウェハーを用いたことを特徴とし
ている。また、本発明のインクジェットヘッドは、前記
基板には、インクを吐出するために利用される電気熱変
換素子およびインク流路用部材が形成されることを特徴
としている。また、本発明のインクジェットヘッドは、
前記エッチングは異方性エッチングであることを特徴と
している。また、本発明のインクジェットヘッドは、イ
ンクジェットヘッドを構成する基板を用意し、該基板の
面にポリエーテルアミド樹脂層からなる耐インク層とし
ての保護膜を形成し、該保護膜を上記した本発明のいず
れかのドライエッチング方法によって加工したことを特
徴としている。また、本発明のインクジェットヘッド
は、前記保護膜が、少なくともヘッド基板のヒーター部
上に形成された保護膜であり、該保護膜にエッチングに
よって該ヒーター部の開口面を加工したことを特徴とし
ている。また、本発明のインクジェットプリント装置
は、インクを吐出してプリントを行うインクジェットプ
リント装置であって、インクを吐出するためのインクジ
ェットヘッドが、上記した本発明のいずれかのインクジ
ェットヘッドによって構成されていることを特徴として
いる。

【０００８】

【発明の実施の形態】上記した本発明の構成によれば、
本発明で用いるポリエーテルアミド樹脂は、高強度で可
撓性があり外部からの応力に対する緩和性が高く、ま
た、耐薬品性に優れ、酸、アルカリ、芳香族溶剤等に侵
されず、さらに耐熱性、耐湿性に優れており、極性溶媒
に溶解しワニスにすることができ、溶剤を飛ばすだけの
比較的低温のもとで成膜することができる素材であるた
め、例えば、インクジェットヘッドを構成する基板をエ
ッチング加工する際のマスクとしてポリエーテルアミド
樹脂層を用いることにより、マスク形成時にそのマスク
内に生じるピンホール等の欠陥を少なくできる。また、
本発明においては、上記マスクとして、誘電体層上にポ
リエーテルアミド樹脂層を形成した２層構造のものを用
いることにより、上記欠陥を少なくできることと併せ
て、例えば異方性エッチングにおいて精度の良いエッチ
ング加工を行うことができる。

【０００９】また、ポリエーテルアミド樹脂はそれ自身
に感光性がないため、それをパターニングするのに、一
般的には、ディスペンサーを用いたり、スクリーン印刷
によることとなる。したがって、ポリエーテルアミド樹
脂は、これまで微細なパターニングが要求されるような
ことのない、例えば、電子部品などの防湿コー卜剤のよ
うな用途には使用可能であるが、微細なパターニングが
要求されるマイクロマシニング技術等におけるエッチン
グマスクや、或は、インクジェット記録ヘッドの耐イン
ク層としての保護膜等には用いることが困難であった。
なぜならば、ポリエーテルアミド樹脂に微細なパターニ
ングをおこなうために、ポリエーテルアミド樹脂をエッ
チングマスクで被覆して不要部を溶剤で溶解させる方法
を採ろうとしても、ポリエーテルアミド樹脂を溶解させ
る溶剤に耐える適当なマスキング材料がなかったためで
ある。しかしながら、本発明のポリエーテルアミド樹脂
層のドライエッチング方法によれば、微細なパターニン
グが可能なため、このような微細なパターニングが要求
されるインクジェット記録ヘッドの耐インク層としての
保護膜等にも用いることが可能となる。

【００１０】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。［実施例１］（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施例１に係
るインクジェットヘッドの構成を示す図であり、（ｂ）
は図１（ａ）のＡ−Ａ´断面図、（ｃ）はそのＳｉ基板
部の模式的平面図、（ｄ）はそのＳｉ基板部の模式的断
面図である。図１（ａ）および図１（ｂ）において、イ
ンクジェットヘッドは電気熱変換素子５に対応する吐出
口６を配した吐出口プレート５と、Ｓｉ基板１の背面か
らインクを供給するためにＳｉ基板１に開けられたイン
ク供給口４を有する構成を備え、インクを基板面に対し
てほぼ垂直に吐出するサイドシュータ型のインクジェッ
トヘッドの構成を備えている。

【００１１】図１（ｃ）において、基板１の片側の基板
面１Ａには図１（ａ）および図１（ｂ）に示されるイン
ク吐出に利用される熱エネルギーを発生する電気熱変換
素子およびインク流路形成用の部材が形成される。ま
た、基板１の中央には貫通する穴としてのインク供給口
４が形成され、これにより基板１の裏面より表面１Ａ側
の上記インク流路にインクを供給することができる。な
お、同図において、符号３は、以下で示す製造工程で形
成されるマスクパターン用のポリエーテルアミド樹脂層
を示す。

【００１２】図２（ａ）〜（ｃ）は、本実施例に係るイ
ンクジェットヘッドの製造工程の一部を示す模式図であ
る。まず、図２（ａ）に示すように、＜１００＞面のＳ
ｉ基板１を用いて、エッチング開始面１Ｂ側にポリエー
テルアミド樹脂層３をスピンコーティングにより形成す
る。本発明の一実施形態では、ポリエーテルアミド樹脂
層３として熱可塑性ポリエーテルアミド（日立化成工業
（株）製、商品名：ＨＬ−１２００）を用いた。上記の
熱可塑性ポリエーテルアミドは溶剤に溶解した溶液とし
て市販されており、これをスピンコーティングによって
所望の膜厚に形成した後、加熱乾燥で溶剤成分を除去す
ることにより、熱可塑性ポリエーテルアミド樹脂層３を
形成することができる。ここで、塗布する膜厚の設定に
関して、本発明の目的である無欠陥のエッチングマスク
を得ることに鑑みると、膜厚と欠陥発生率には相関が見
られるため、本発明者等の実験から、膜厚として２μｍ
以上とすれば効果的であることが確認されている。

【００１３】次に、図２（ｂ）に示すように、熱可塑性
ポリエーテルアミド樹脂層３によるエッチング用マスク
のパターンを形成するが、この形成は次のようにして行
う。本実施例に用いた熱可塑性ポリエーテルアミドを樹
脂膜３の材料として用いる場合は、この材料には感光成
分が付与されていないため、まず、熱可塑性ポリエーテ
ルアミドのパターンを形成するために、別途フォトレジ
ストを用いフォトリソグラフィー技術によりレジストパ
ターン（不図示）を形成する。そして、このレジストパ
ターンを用いて熱可塑性ポリエーテルアミドのエッチン
グを行い、図２（ｂ）に示すエッチング用マスクを形成
する。この場合、熱可塑性ポリエーテルアミドのエッチ
ングはジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、
Ｎ−メチルピロリドン等の溶剤を用いて行うことが可能
であるが、この溶解除去時のマスク材である上記フォト
レジストは、耐溶剤性を必要とする。このため、本実施
例では、上記溶剤に対する耐溶剤性を鑑み、この溶剤を
用いずに反応ガスによるドライエッチング法を用いる。
この反応ガスとしては、Ｏ₂ガスを用いＲＩＥ（リアク
ティブイオンエッチング）、あるいは、プラズマアッシ
ングを用いることができる。

【００１４】この反応ガスを用いたドライエッチングに
おいて、マスクに用いているフォトレジストと熱可塑性
ポリエーテルアミドは、ほぼ同等の速度でエッチングさ
れることから、フォトレジストの膜厚は熱可塑性ポリエ
ーテルアミドの膜厚の２倍以上にすることで、問題は生
じない。熱可塑性ポリエーテルアミド３を所定パターン
にエッチングした後はフォトレジストを剥離し、図２
（ｂ）に示す状態を得ることができる。

【００１５】次に、図２（ｃ）に示すように、熱可塑性
ポリエーテルアミド樹脂膜３をマスクに用いた異方性エ
ッチングにより供給口４を形成する。異方性エッチング
では、アルカリ系のエッチング液であるＫＯＨ、ＮａＯ
Ｈ、ＴＭＡＨ等の溶液を用いることができるが、この溶
液の濃度、処理温度とエッチング速度およびエッチング
面の平滑性とに相関があるため、本実施形態では、ＴＭ
ＡＨ２２ｗｔ％を８０℃の処理温度でエッチングを行っ
た。この場合のエッチング速度は約３０〜４０μｍ／ｈ
となる。また、エッチングを行う間に基板１のエッチン
グ開始面と反対側の面にエッチング液が触れて問題が生
じる場合には、その保護として、前述の熱可塑性ポリエ
ーテルアミドを全面に塗布するか、治具等を用いてエッ
チング液が触れないような手段を講じることができる。

【００１６】異方性エッチングが完了した後のエッチン
グマスクに用いた樹脂膜３としての熱可塑性ポリエーテ
ルアミドは、必要に応じて除去する。その除去手段とし
ては、前述した熱可塑性ポリエーテルアミドのパターン
形成に用いられた方法と同様に、溶剤もしくはドライエ
ッチング法を用いることができる。以上のように、熱可
塑性ポリエーテルアミド樹脂膜３を異方性エッチングの
耐エッチングマスクに用いることにより、インクジェッ
トヘッドを、比較的低コストで、また、工程が容易に形
成することができる。なお、図２（ａ）〜（ｃ）に示し
たインクジェットヘッドの製造工程の後の工程は公知の
ものを用いることができ、これにより、インクジェット
ヘッドを完成させることができるが、その説明は省略す
る。また、本実施例のヘッドは、基板１に対して垂直方
向にインクを吐出する、いわゆるサイドシュータタイプ
のものである。

【００１７】［実施例２］本発明における実施例２は、
エッチングマスクの欠陥を少なくする上でより有効な構
成を提供するものである。すなわち、図３（ａ）〜
（ｃ）に示すように、誘電体層２とポリエーテルアミド
樹脂層３の２層構造でエッチングマスクを形成する。本
来、異方性エッチングの耐エッチングマスクとしては、
誘電体膜２は信頼性があり、一般的に用いられている
が、前述したように誘電体２をＳｉ基板１全面に渡っ
て、欠陥なく形成するのは比較的困難なことである。こ
のため、本実施例では、上述のように２層構造とするも
のである。

【００１８】図３（ａ）に示すように、誘電体膜２とし
て、ＳｉＯ₂またはＳｉＮをＳｉ基板１の全面に成膜
し、さらにその上に実施例１と同様にポリエーテルアミ
ド樹脂層３を形成する。ポリエーテルアミド樹脂層３と
して熱可塑性ポリエーテルアミドを用い、実施例１と同
様にして必要なパターンを形成する。そして、このパタ
ーンをマスクとして誘電体膜２をエッチングする。誘電
体膜２のエッチング手段としては、公知の手段であるフ
ッ化水素酸とフッ化アンモニウムの混合液による方法
や、反応ガスを用いたドライエッチング方法を用いるこ
とができる。

【００１９】また、本実施例では熱可塑性ポリエーテル
アミドのパターンを、誘電体膜のエッチングと異方性エ
ッチングの両方のエッチングマスクとして機能させてい
るが、工程によっては、誘電体層と熱可塑性ポリエーテ
ルアミドのパターン形成を個別の工程に設定することも
可能である。このような場合は、誘電体膜に用いるエッ
チング液により熱可塑性ポリエーテルアミドにダメージ
を与える懸念がある場合に有効である。以上のように、
Ｓｉ基板の密着性、耐異方性エッチング液に有利な誘電
体膜と誘電体膜の欠陥を補う有機樹脂の構成により、パ
ターン精度と歩留りのよいエッチング方法を提供するこ
とができる。

【００２０】図５は、本実施例によって得られるインク
ジェットヘッドを用いることができるインクジェットプ
リント装置を示す概略斜視図である。インクジェットプ
リント装置１００において、キャリッジ１０１は、互い
に平行に延在する２本のガイド軸１０４および１０５と
摺動可能に係合する。これにより、キャリッジ１０１
は、駆動用モータおよびその駆動力を伝達するベルト等
の駆動力伝達機構（いずれも不図示）により、ガイド軸
１０４および１０５に沿って移動することができる。キ
ャリッジ１０１には、インクジェットヘッドと、このヘ
ッドで用いられるインクを収納するインク容器としての
インクタンクとを有するインクジェットユニット１０３
が搭載される。

【００２１】インクジェットユニット１０３は、インク
を吐出するためのヘッドおよびこれに供給されるインク
を収納する容器としてのタンクからなる。すなわち、ブ
ラック（Ｂｋ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）および
イエロー（Ｙ）の４色の各インクをそれぞれ吐出する４
個のヘッドおよびこれらのそれぞれに対応して設けられ
るタンクがインクジェットユニット１０３としてキャリ
ッジ１０１上に搭載される。各ヘッドとタンクとは相互
に着脱可能なものであり、タンク内のインクが無くなっ
た場合等、必要に応じて個々のインク色毎にタンクのみ
を交換できるよう設けられている。また、ヘッドのみを
必要に応じて交換できることは勿論である。なお、ヘッ
ドおよびタンクの着脱の構成は、上記の例に限られず、
ヘッドとタンクが一体に成形された構成としてもよいこ
とは勿論である。

【００２２】プリント媒体としての用紙１０６は、装置
の前端部に設けられる挿入口１１１から挿入され、最終
的にその搬送方向が反転され、送りローラ１０９によっ
て上記キャリッジ１０１の移動領域の下部に搬送され
る。これにより、キャリッジ１０１に搭載されたヘッド
からその移動に伴ってプラテン１０８によって支持され
た用紙１０６上のプリント領域にプリントがなされる。

【００２３】以上のようにして、キャリッジ１０１の移
動に伴うヘッドの吐出口配列の幅に対応した幅のプリン
トと用紙１０６の送りとを交互に繰り返しながら、用紙
１０６全体にプリントがなされ、用紙１０６は装置前方
に排出される。キャリッジ１０１の移動可能な領域の左
端には、キャリッジ１０１上の各ヘッドとそれらの下部
において対向可能な回復系ユニット１１０が設けられ、
これにより非記録時等に各ヘッドの吐出口をキャップす
る動作や各ヘッドの吐出口からインクを吸引する等の動
作を行うことができる。また、この左端部の所定位置は
ヘッドのホームポジションとして設定される。一方、装
置の右端部には、スイッチや表示素子を備えた操作部１
０７が設けられる。ここにおけるスイッチは装置電源の
オン／オフや各種プリントモードの設定時等に使用さ
れ、表示素子は装置の各種状態を表示する役割をする。

【００２４】［実施例３］以下に、本発明のポリエーテ
ルアミド樹脂のドライエッチング方法を適用した更に好
ましい各実施例について説明する。ポリエーテルアミド
樹脂をインクジェットヘッドの耐インク層としての保護
膜、例えば、図１１に示されるように熱作用部を含むイ
ンクジェットヘッドの基板上に形成する保護層として用
い、この熱作用部上の保護層にエッチングで開口部を形
成する場合、この熱作用部を形成している耐キャビテー
ション層上にエッチングによる残渣が存在すると、それ
によって発泡が不安定となり、あるいは吐出量が変動し
て、インクジェット記録ヘッドの吐出性能に悪影響を受
ける。とりわけ、微小液的の飛翔によって印字品位の向
上を目指す最近におけるインクジェット記録ヘッドにお
いては、従来には問題とされなかった微小な残渣すら無
視できないものとなってきている。

【００２５】上述のドライエッチングによる方法では、
エッチングレー卜が小さくスループットがさほど高くな
い。しかしながら、エッチングレー卜を大きくとるため
に基板温度を高くすると、基板温度が上昇した熱でレジ
ストが変質し、一般的な剥離液ではレジストを除去する
ことができないという点等に問題があった。特に、この
ようなドライエッチングによる場合には、エッチング面
にエッチングあるいは除去液によっても除去することの
できない膜状の薄い残渣が発生するため、加工の微細化
が求められ、印字品位のさらなる向上が望まれているイ
ンクジェットヘッドの保護層におけるエッチング方法と
しては、そのまま採用することには適するものではなか
った。これに対して、本実施例のポリエーテルアミド樹
脂のドライエッチング方法、すなわち酸素及び四フッ化
炭素の混合ガスを主たる成分とするエッチングガスによ
ってエッチングするドライエッチング方法によると、基
板の温度上昇を抑え、エッチング残渣を発生させること
なく、従来の酸素プラズマによる場合の１０００Å／ｍ
ｉｎ前後という小さいエッチングレー卜を大幅に改善す
ることができる。

【００２６】つぎに、このようなポリエーテルアミド樹
脂をドライエッチング方法を適用した実施例３について
詳細に説明する。実施例３においては、まず、ポリエー
テルアミドとして、ＨＩＭＡＬＨＬ−１２００（日立
化成工業製）をスピンナーで塗布し、９０℃で３０分予
備乾燥しさらに２５０℃で本乾燥したものをサンプルと
し、ドライエッチングのエッチング速度を求めた。膜厚
の測定は、光学式の膜厚計で行った。

【００２７】エッチング速度の測定結果を、図６から図
９に示す。図６から図８は、ＲＦ周波数２．４６ＧＨｚ
のエッチング装置を用いて行ったデータであり、図６は
ガス組成とエッチング速度の関係、図７は圧力とエッチ
ング速度の関係、図８はＲＦ出力とエッチング速度の関
係を示したものである。また、図９は、ＲＦ周波数１
３．５６ＭＨｚでアノードカップリング方式のエッチン
グ装置を用いた場合の、ガス組成とエッチング速度の関
係を示したものである。ＣＦ₄を添加することにより、
格段にエッチング速度が向上していることがわかる。

【００２８】ガス組成については、ＣＦ₄の添加量は任
意に変えられるが、レー卜、残渣の観点からＯ₂流量に
対し２％以上加えることが好ましい。ＣＦ₄の添加量を
増やす方向については、オーバーエッチングの時に下地
をエッチングしてしまうことがあるため、（特に、下地
がシリコン、シリコンの酸化膜、窒化膜等はやられやす
い）下地を考慮してガス組成を選択する必要がある。な
お、ＣＦ₄を過剰に添加すると、逆にエッチング速度が
無添加よりも小さくなるため、酸素流量に対し３０％以
内にすることが好ましい。特に、５％から１５％の範囲
が好ましい。ガス圧については、装置の特性に合わせ安
定する条件を選定する。一般的には、１０Ｐａから３０
０Ｐａの範囲で行う。ガス流量、ＲＦパワーについて
も、装置の特性に合わせ適正な条件を選定する。なお、
エッチングガスとして、酸素、四フッ化炭素に、プラズ
マの安定化やエッチングレー卜の向上のため、窒素等の
不活性ガス等を添加する事ができることは言うまでもな
い。

【００２９】次に、レジストをマスクとしてパターニン
グを行い、パターニング特性について評価を行った。ま
ず、シリコンウエハー（６インチ）にＨＩＭＡＬＨＬ
−１２００をスピンナーにより２μｍ塗布し前記条件で
乾燥し、その上にレジストとしてＯＦＰＲ−８００（東
京応化工業製）を用いレジストのパターニングを行っ
た。なお、レジストの膜厚は５μｍとした。エッチング
条件としては、ＲＦ周波数２．４６ＧＨｚのエッチング
装置を用い、エッチングガスとしてＯ₂ １０００ｓｃ
ｃｍ、ＣＦ₄ １００ｓｃｃｍにより、圧力５０Ｐａ、
ＲＦパワー５００Ｗで、エッチングを行った。また、同
様のサンプルを用い、ＲＦ周波数１３．５６ＭＨｚ
０．８Ｗ／ｃｍ²のエッチング装置により、エッチング
ガスとしてＯ₂ １００ｓｃｃｍ、ＣＦ₄１０ｓｃｃｍに
より、圧力５０Ｐａ、ステージ温度５０℃で、エッ
チングを行った。

【００３０】その結果、ともにエッチングの残渣は発生
せず、パターニングの切れもよく、レジストの剥離も問
題なく行えた。この時の基板の最高到達温度は、９０
℃、８０℃であった。レジストの剥離は、剥離液１１１
２Ａ（シプレイ社製）を常温で超音波をかけながら行っ
た。パターニングの精度については、レジストパターン
幅に対し−２μｍに仕上がり、バラツキも±１０％程度
と良好な結果が得られた。

【００３１】［実施例４］従来、ドライエッチングのマ
スクとしては、ドライエッチング耐性、微細加工性の観
点から、ノボラック系のポジ型フォトレジストが用いら
れてきたが、このノボラック系のポジレジストは、ポリ
アミド樹脂のエッチングマスクとしては、エッチングの
選択比の点で十分ではないが（ポリアミド樹脂と同程度
のエッチングレート）、従来のフォトリソラインがその
まま使えることから、膜厚を厚くするなどして上記の欠
点に対処されている。例えば、２μｍのポリアミドのエ
ッチングを行う場合、５〜８μｍ程度の膜厚のノボラッ
ク系のポジレジストを用いていたが、そのため、フォト
レジストの露光、現像時間が長く、生産性に問題があ
る。これに対して、実施例のシリコン含有フォトレジス
トのエッチングマスクによれば、サイドシュータ型ある
いはエッジシュータ型いずれのタイプのものでも、高い
生産性で高品位の微小液滴のインクジェット記録ヘッド
を作成することが可能となる。

【００３２】また、本発明のポリエーテルアミド樹脂の
ドライエッチング方法において、シリコン含有フォトレ
ジストをエッチングマスクとする手段を、バッチ式（複
数枚処理）のマイクロ波放電によるプラズマ励起方式を
用いたドライエッチング装置に適用することにより、従
来のものに比して、パターニングの生産性を格段に向上
させることが可能となる。従来、上記したドライエッチ
ング装置によって、複数枚の処理物を同一処理するに際
して、処理枚数（処理面積）によりエッチングレートが
変化するローディング効果があることは知られている
が、ノボラック系のポジレジストを用いてポリエーテル
アミド樹脂のパターニングを行う場合も、このようなロ
ーディングの影響によりエッチングレートのピークがず
れ、エッチング面積が、５インチウエハ分以下からは、
ローディングの影響がほとんどなくなる。このような傾
向は、酸素と四フッ化炭素の混合ガスで、ポリエーテル
アミド樹脂をドライエッチングする場合においても、同
様に見られる。図１０は、５インチウエハにポリエーテ
ルアミド樹脂（日立化成工業製ＨＩＭＡＬＨＬ−１２
００）を塗布ベークし、芝浦製作所製のバッチ式ドライ
エッチング装置ＣＤＥ−７−４（マイクロ波電源）を用
いてエッチングレートを測定した結果である。エッチン
グは１分行い、光学方式により膜厚測定を行った。エッ
チング条件は、ＣＦ₄とＯ₂とのｔｏｔａｌ流量は９００
ｓｃｃｍに固定し、ＣＦ₄の添加量をふった。パワー、
圧力は、７００Ｗ、５０Ｐａ固定。ウエハのローディン
グ（１バッチあたりの処理量）は、０．５Ｗ（ウエ
ハ）、１Ｗ、３Ｗ、５Ｗと変えて行った。図１０から明
らかなように、ある組成のところにピークをもち、ピー
クより左側では四フッ化炭素が不足ぎみでレートが小さ
くなり、逆にピークより右側では四フッ化炭素の供給が
過剰となりレートが下がる。すなわち、そのピーク位置
が処理枚数で異なる。したがって、バッチ式のエッチン
グ装置を用いてポリエーテルアミド樹脂のエッチングを
行う場合、処理物とほぼ同一形態のダミーを入れて処理
枚数を合わせてエッチングしたり、処理枚数により、エ
ッチングのガス組成、エッチング時間を変えて対処する
ことが必要となる。しかしながら、本発明のポリエーテ
ルアミド樹脂のドライエッチング方法において、シリコ
ン含有フォトレジストをエッチングマスクとする手段
を、バッチ式（複数枚処理）のマイクロ波放電によるプ
ラズマ励起方式を用いたドライエッチング装置に適用す
ることにより、上記のような生産性を落すような手段を
採ることなく、ポリエーテルアミド樹脂のパターニング
を高スループットで実現することが可能となる。

【００３３】以下、実施例４について更に詳細に説明す
る。実施例４においては、ポリエーテルアミドとして、
ＨＩＭＡＬＨＬ−１２００（日立化成工業製）をスピ
ンナーで２μｍ塗布し、９０℃で３０分予備乾燥しさら
に２５０℃で本乾燥した。その上に、Ｓｉ含有レジスト
として例えば富士ハントエレクトロニクステクノロジー
（株）製のＦＨ−ＳＰ（商品名）を１μｍスピンナーで
塗布し、以下の条件でパターニングを行った。プリベークオーブン９０℃×２０分露光ＰＬＡ−６００Ｆ（キャノン製）４００ｍｊ／ｃｍ² 現像東京応化製ポジレジスト現像液ＮＭＤ−３室温ｄｉｐ２５秒リンス純水１分乾燥リンサードライヤーＳｉ含有レジストは、ポリマーとしてアルカリ可溶性シ
リコーンポリマーと感光物としてナフトキノンジアジド
系からなり、ベースポリマーのＳｉ含有率は、２０％前
後である。基本的に、Ｓｉ含有フォトレジストは、通常
のノボラック系ポジレジストラインでそのまま処理で
き、新たな設備は必要としない。

【００３４】従来のノボラック系ポジレジストでは、ポ
リエーテルアミド樹脂と同程度のエッチングレートとな
るため、膜厚は５〜８μｍ塗布していた。そのため、露
光時間が長く、現像時間も長く生産性に難があった。Ｓ
ｉ含有レジストを用いることで、エッチング耐性が飛躍
的に向上し、塗布膜厚も１μｍ程度にすみ、したがっ
て、露光時間が１／４、現像時間が１／５となり、パタ
ーニングの生産性が格段と向上した。

【００３５】次に、（株）芝浦製作所製のマイクロ波を
用いたドライエッチング装置ＣＤＥ−７−４でエッチン
グを行った。エッチング条件は以下の通りである。ガスＣＦ₄／Ｏ₂＝８５ｓｃｃｍ／８１５ｓｃｃｍエッチング圧力５０Ｐａパワー７００Ｗ（２．４５ＧＨｚ）時間２分（５インチウエハ５枚ローディング、エッチング面積は
５インチウエハ×０．３）エッチング後の膜べりは
０．１μｍ程度と問題ないレベルである。Ｓｉ含有フォ
トレジストはほとんどエッチングされないため、レジス
ト部でのエッチング種の消費が少なく、その分ポリエー
テルアミドのエッチングレートが向上する。従来のレジ
ストを用いた場合の約１／３の時間で処理できた。エッ
チング後、レジストを剥離し、エッチング面をＳＥＭに
て観察したが、斑点状の微小な残渣の発生もなく、良好
にエッチングされた。

【００３６】本実施例の様に、ポリエーテルアミド樹脂
を保護層として用いる様な場合（エッチング面積が小さ
い場合）、ウエハ５枚処理／バッチと同一条件でウエハ
１枚処理〜４枚処理／バッチでもエッチングを行うこと
ができた。これは、シリコン含有レジストがほとんどエ
ッチングされずまた、ノボラック系のポジレジストのよ
うにエッチング特性に影響を与えないため、ウエハ１枚
〜５枚処理まで同一条件でエッチングが可能となる。な
お、Ｓｉ含有フォトレジストには前記のもの以外に、ネ
ガ型のレジストもある。例えば、東ソー（株）製ＳＮＲ
（シリコン系ネガ型レジスト）等がある。

【００３７】［実施例５］実施例５においては、上記し
た実施例４のドライエッチング方法をインクジェットヘ
ッドに適用した。本実施例においては、ポリエーテルア
ミド樹脂層による耐インク層としての保護膜を、基板上
に配されたヒーター部と耐キャビテーション層によって
形成された熱作用部を含むインクジェットヘッドの基板
上に形成した。その際、ポリエーテルアミド樹脂とし
て、例えば、ＨＩＭＡＬＨＬ−１２００（日立化成工
業製）を２μｍ塗布し実施例４の方法によりパターニン
グを行い、上記熱作用部上の保護層にエッチングで開口
部を形成した。該部をエッチング後にＳＥＭで観察した
ところ、この熱作用部を形成している耐キャビテーショ
ン層上にエッチングによる残渣の発生はみられなかっ
た。次に、インクの吐出量が８ｐｌとなるインク吐出口
及びインク供給口を形成し、ヒータの発泡状態及び吐出
状態の観察及び印字のチェックを行ったが、特にヒータ
上の残渣が起因すると思われる異常はみられなかった。

【００３８】なお、以上の説明においては、本発明のエ
ッチング方法を、特にインクジェットヘッドに適用した
場合について述べたが、本発明はこれに限られるもので
はなく、これ以外のエッチングに適用した場合において
も、同様の効果を発揮するものである。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
例えば、インクジェットヘッドを構成する基板をエッチ
ング加工する際のマスクとしてポリエーテルアミド樹脂
層を用いることにより、マスク形成時にそのマスク内に
生じるピンホール等の欠陥を少なくできる。また、本発
明によれば、上記マスクとして、誘電体層上に有機樹脂
層を形成した２層構造のものを用いることにより、上記
欠陥を少なくできることと併せて、例えば異方性エッチ
ングにおいて精度の良いエッチング加工を行うことがで
きる。この結果、精度良く、高い歩留りでインクジェッ
トヘッドを製造可能となり、結果、信頼性のある安価な
インクジェット記録ヘッドを提供することができる。ま
た、本発明のエッチング方法によれば、ポリエーテルア
ミド樹脂層のパターニングを、高スループットで精度良
く、しかも、エッチング残渣を発生させることなく、基
板温度上昇を抑えて行うことができる。また、本発明の
ポリエーテルアミド樹脂層のドライエッチング方法にお
いて、シリコン含有フォトレジストをエッチングマスク
とすることにより、微細なエッチング残渣の発生をなく
すことができるとともに、フォトリソ処理の生産性の改
善を図ることができる。また、このシリコン含有フォト
レジストをエッチングマスクとする本発明のドライエッ
チング方法を、バッチ式（複数枚処理）のマイクロ波放
電によるプラズマ励起方式を用いたドライエッチング装
置に適用することにより、従来のものに比して、パター
ニングの生産性を格段に向上させることが可能となる。
したがって、本発明によれば、ポリエーテルアミド樹脂
の特性を生かしつつ、しかも、微細なパターニングが要
求される用途、例えば、インクジェット記録ヘッドの耐
インク層としての保護層、あるいは、サーマルプリント
ヘッドの保護膜や、半導体デバィスの保護膜として用い
ることが可能となり、これらデバイスの信頼性の向上を
図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施例１に係るイ
ンクジェットヘッドの構成を示す図であり、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ´断面図、（ｃ）はＳｉ基板部の模式的
平面図、（ｄ）はＳｉ基板部の模式的断面図である。

【図２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施例１に係るイ
ンクジェットヘッドの製造工程を示す模式図である。

【図３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施例２に係るイ
ンクジェットヘッドの製造工程を示す模式図である。

【図４】基板を貫通しない異方性エッチングの例を示す
模式的断面図である。

【図５】本発明の実施例２により製造されたインクジェ
ットヘッドを用いることができるインクジェットプリン
ト装置の一例を示す概略斜視図である。

【図６】本発明の実施例３に係るＲＦ２．４５ＧＨｚの
エッチング装置を用いた場合の、ポリエーテルアミドの
エッチング速度とガス組成の関係を示す図である。

【図７】本発明の実施例３に係るＲＦ２．４５ＧＨｚの
エッチング装置を用いた場合の、ポリエーテルアミドの
エッチング速度と圧力の関係を示す図である。

【図８】本発明の実施例３に係るＲＦ２．４５ＧＨｚの
エッチング装置を用いた場合の、ポリエーテルアミドの
エッチング速度とＲＦ出力の関係を示す図である。

【図９】本発明の実施例３に係るＲＦ１３．５６ＭＨｚ
のエッチング装置を用いた場合の、ポリエーテルアミド
のエッチング速度とガス組成の関係を示す図。

【図１０】５インチウエハにポリエーテルアミド樹脂
（日立化成工業製ＨＩＭＡＬＨＬ−１２）を塗布ベー
クし、芝浦製作所製のバッチ式ドライエッチング装置Ｃ
ＤＥ−７−４（マイクロ波電源）を用いてエッチングレ
ートを測定した結果を示す図である。

【図１１】本発明における耐インク層としての保護層の
構成を説明するためのインクジェットヘッドの一部縦断
面図である。

【符号の説明】

１：Ｓｉ基板２：誘電体膜３：有機樹脂膜４：異方性エッチングによる貫通口（インク供給口）５：電気熱変換素子６：吐出口７：吐出口プレート

フロントページの続き (72)発明者佐藤環樹東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者大熊典夫東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 2C057 AF70 AF93 AP02 AP32 AP34 AQ02 AQ03 (54)【発明の名称】基板に加工を行うためのエッチング方法およびポリエーテルアミド樹脂層のドライエッチング方法、並びに、インクジェット記録ヘッドの製造方法、インクジェットヘッドおよびインクジェットプリント装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の加工を行うために、基板上に所望の
開口パターンを有する耐エッチングマスクを設け、該耐
エッチングマスクを介してエッチングを行うエッチング
方法であって、前記耐エッチングマスクとしてポリエー
テルアミド樹脂層を用いたことを特徴とするエッチング
方法。
【請求項２】前記耐エッチングマスクは、ポリエーテル
アミド樹脂層と、誘電体層との２層構造となっており、
前記ポリエーテルアミド樹脂層は誘電体層上に設けられ
ることを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項３】前記耐エッチングマスクとしての前記ポリ
エーテルアミド樹脂層の開口は、酸素を主たる成分とす
るエッチングガスによってドライエッチングすることに
より形成されることを特徴とする請求項１に記載のエッ
チング方法。
【請求項４】前記耐エッチングマスクとしての前記ポリ
エーテルアミド樹脂層の開口は、酸素及び四フッ化炭素
の混合ガスを主たる成分とするエッチングガスによって
ドライエッチングすることにより形成されることを特徴
とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項５】前記基板としてシリコンウェハーを用いた
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の
エッチング方法。
【請求項６】前記エッチングは異方性エッチングである
ことを特徴とする請求項５に記載のエッチング方法。
【請求項７】ポリエーテルアミド樹脂層のドライエッチ
ング方法であって、前記ポリエーテルアミド樹脂層を、
酸素を主たる成分とするエッチングガスによってエッチ
ングすることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項８】ポリエーテルアミド樹脂層のドライエッチ
ング方法であって、前記ポリエーテルアミド樹脂層を、
酸素及び四フッ化炭素の混合ガスを主たる成分とするエ
ッチングガスによってエッチングすることを特徴とする
ドライエッチング方法。
【請求項９】前記ドライエッチングは、該ドライエッチ
ングのエッチングマスクとしてシリコン含有フォトレジ
ストを用いることを特徴とする請求項１または請求項２
に記載のドライエッチング方法。
【請求項１０】マイクロ波放電を用いたプラズマ励起に
より複数枚の処理物を同一処埋するドライエッチング方
法において、前記複数枚の処理物を請求項３に記載のド
ライエッチング方法を用いてエッチングすることを特徴
とするドライエッチング方法。
【請求項１１】インクを吐出するためのインクジェット
ヘッドの製造方法であって、インクジェットヘッドを構
成する基板を用意し、該基板の面にポリエーテルアミド
樹脂層からなるマスクパターンを形成し、該マスクパタ
ーンをマスクとしたエッチング加工を行う、各ステップ
を有したことを特徴とするインクジェットヘッドの製造
方法。
【請求項１２】インクを吐出するためのインクジェット
ヘッドの製造方法であって、インクジェットヘッドを構
成する基板を用意し、該基板の面に、誘電体層上にポリ
エーテルアミド樹脂層を形成した２層構造の層からなる
マスクパターンを形成し、該マスクパターンをマスクと
したエッチング加工を行う、各ステップを有したことを
特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項１３】前記マスクパターンは、酸素を主たる成
分とするエッチングガスを用いたドライエッチングによ
り形成されることを特徴とする請求項１１又は請求項１
２に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項１４】前記マスクパターンが、酸素及び四フッ
化炭素の混合ガスを主たる成分とするエッチングガスを
用いたドライエッチングにより形成されることを特徴と
する請求項１１または請求項１２に記載のインクジェッ
トヘッドの製造方法。
【請求項１５】前記エッチングにより前記基板を貫通す
るインク供給口を形成することを特徴とする請求項１１
〜１４のいすれか１項に記載のインクジェツトヘッドの
製造方法。
【請求項１６】前記基板としてシリコンウェハーを用い
たことを特徴とする請求項１１〜１５のいずれか１項に
記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項１７】前記基板には、インクを吐出するために
利用される電気熱変換素子およびインク流路用部材が形
成されることを特徴とする請求項１１〜１６のいずれか
１項に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項１８】前記エッチングは異方性エッチングであ
ることを特徴とする請求項１１に記載のインクジェット
ヘッドの製造方法。
【請求項１９】インクを吐出するためのインクジェット
ヘッドの製造方法であって、インクジェットヘッドを構
成する基板を用意し、該基板の面にポリエーテルアミド
樹脂層からなる耐インク層としての保護膜を形成し、該
保護膜を請求項７〜９のいずれか１項に記載のドライエ
ッチング方法によって加工することを特徴とするインク
ジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項２０】前記保護膜が、少なくとも熱作用部を含
む前記基板上に形成された保護膜であり、該保護膜にエ
ッチングによって該熱作用部の開口部を加工することを
特徴とする請求項１９に記載のインクジェット記録ヘッ
ドの製造方法。
【請求項２１】インクを吐出するためのインクジェット
ヘッドであって、インクジェットヘッドを構成する基板
を用意し、該基板の面にポリエーテルアミド樹脂層から
なるマスクパターンを形成し、該マスクパターンをマス
クとしたエッチング加工を行う、各ステップを有した製
造方法によって製造されたことを特徴とするインクジェ
ットヘッド。
【請求項２２】インクを吐出するためのインクジェット
ヘッドであって、インクジェットヘッドを構成する基板
を用意し、該基板の面に、誘電体層上にポリエーテルア
ミド樹脂層を形成した２層構造の層からなるマスクパタ
ーンを形成し、該マスクパターンをマスクとしたエッチ
ング加工を行う、各ステップを有した製造方法によって
製造されたことを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項２３】前記マスクパターンが、請求項７〜９の
いずれか１項に記載のドライエッチング方法によって形
成されたものであることを特徴とする請求項１９または
請求項２０に記載のインクジェットヘッド。
【請求項２４】前記エッチングにより前記基板を貫通す
るインク供給口を形成することを特徴とする請求項２１
〜２２のいずれか１項に記載のインクジェットヘッド。
【請求項２５】前記基板としてシリコンウェハーを用い
たことを特徴とする請求項２１〜２２のいずれか１項に
記載のインクジェットヘッド。
【請求項２６】前記基板には、インクを吐出するために
利用される電気熱変換素子およびインク流路用部材が形
成されることを特徴とする請求項２１〜２５のいずれか
１項に記載のインクジェットヘッド。
【請求項２７】前記エッチングは異方性エッチングであ
ることを特徴とする請求項２５に記載のインクジェット
ヘッド。
【請求項２８】インクを吐出するためのインクジェット
ヘッドであって、インクジェットヘッドを構成する基板
を用意し、該基板の面にポリエーテルアミド樹脂層から
なる耐インク層としての保護膜を形成し、該保護膜を請
求項７〜９のいずれか１項に記載のドライエッチング方
法によって加工したことを特徴とするインクジェットヘ
ッド。
【請求項２９】前記保護膜が、少なくともヘッド基板の
ヒーター部上に形成された保護膜であり、該保護膜にエ
ッチングによって該ヒーター部の開口面を加工したこと
を特徴とする請求項２８に記載のインクジェットヘッ
ド。
【請求項３０】インクを吐出してプリントを行うインク
ジェットプリント装置であって、インクを吐出するため
のインクジェットヘッドが、請求項２１〜２９のいずれ
か１項に記載のインクジェットヘッドによって構成され
ていることを特徴とするインクジェットプリント装置。