JP2001068194A - 電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだの代替Ｐｂフリー低融
点ろう材層を具備する電子部品を提供する。 【解決手段】 電子部品の一例である気密端子Ａの金属
外環１の露出部分およびリード３，３の内方側にＰｂフ
リーの高融点ろう材層４，４を形成するとともに、リー
ド３，３の外方側の少なくとも表面に，Ｓｎ−Ａｇ系合
金またはＳｎ−Ｂｉ系合金の群から選択された低融点ろ
う材層５，５をめっき形成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品に関し、
より詳細には、Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだの代替となるＰｂ
フリーのろう材層をめっきした気密端子等の電子部品に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ろう付けはいろいろな分野で実施
されており、ろう材としては、錫（Ｓｎ）と鉛（Ｐｂ）
の共晶はんだ（以下Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだ）が最もよく
知られている。このＳｎ−Ｐｂ共晶はんだは、Ｓｎ６
１．９ｗｔ％とＰｂ３８．１ｗｔ％の組成を有し、共晶
点の溶融温度が１８３℃のものである。また、このＳｎ
−Ｐｂ共晶はんだをリフローはんだとして用いる電子部
品のろう付けにおいては、このリフロー温度で電子部品
内部の電子素子のろう付け部分のろう材が溶融して、電
子素子が脱落することがあってはならない。そのため
に、電子部品内部の電子素子のろう付け部分のろう材と
しては、例えば高温はんだと称されるＰｂ９０〜９９ｗ
ｔ％−Ｓｎ１〜１０ｗｔ％の組成のＰｂ−Ｓｎ合金が用
いられている。この高温はんだは、液相線温度が３２０
℃で、固相線温度が３１０℃である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、最近、Ｐｂ
の有害性がクローズアップされて、環境問題のために、
各国でＰｂの使用を規制する動きがあり、我が国の電子
部品業界でも有害物質であるＰｂの使用を制限する動き
がある。このため、Ｐｂフリーと称される代替はんだが
開発研究されている。このようなＰｂフリーの代替はん
だは、専らＳｎ−Ｐｂ共晶はんだの代替として開発研究
されており、できるだけＳｎ−Ｐｂ共晶はんだの共晶点
の溶融温度である１８３℃に近い溶融点のものが求めら
れている。

【０００４】上記のＳｎ−Ｐｂ共晶はんだのＰｂフリー
代替ろう材およびＰｂ−Ｓｎ高融点はんだのＰｂフリー
代替ろう材に共通の要求品質特性（基本品質）として、
次のようなものがある。 圧入封止が可能であること。（圧入封止性） これは、円筒型水晶振動子の封止方法として最も一般的
な圧入封止を実施可能とするためである。 ガス発生がないこと。（非ガス発生性） これは、水晶振動子を始め各種電子部品において、封止
時および封止後にろう材から発生するガスに起因して内
部に収容する電子部品の特性変動を防止するためであ
る。 密着性がよいこと。（密着性） これは、溶融したＰｂフリー代替低融点ろう材およびＰ
ｂフリー代替高融点ろう材が、各種ろう付け部材に対し
て強固に密着するためである。 基板との接合が可能であること。（基板接合性） これは、水晶振動子等の電子部品の一般的なろう付け部
材であるプリント基板に対する接合性を確保するためで
ある。

【０００５】また、上記のＰｂフリー代替低融点ろう材
およびＰｂフリー代替高融点ろう材に共通の製造要求品
質として、次のようなものがある。 湿式めっき法で形成可能であること。（湿式めっき
性） これは、ろう材としていかに優れた物理特性（基本品
質）を有していても、ろう材層の形成方法が蒸着、スパ
ッッタ、ＣＶＤ等のいわゆる乾式めっき方法しか採用で
きない場合は、製造コストが嵩み実用的でないので、形
成が容易でかつ安価な湿式めっき法での形成を確保する
ためである。

【０００６】また、前述のＳｎ−Ｐｂ共晶はんだの代替
低融点ろう材としての要求特性としては、次のようなも
のがある。 耐熱温度が１６０℃以上であること。（耐熱性） これは、耐熱温度がそれよりも低いと、水晶振動子等の
電子部品の使用環境において、代替はんだが溶融ないし
軟化して、水晶振動片等の電子部品素子が脱落ないし移
動することに起因して、各種の不都合を招来しないため
である。 溶融による素子接合が容易であること。（素子接合
性） これは、溶融によって水晶振動片等の電子素子の接合性
を確保するためである。 基板との接合信頼性があること。（基板接合性） これは、水晶振動子等の電子部品のプリント基板への接
合性を確保するためである。

【０００７】リフロー温度に耐えるＰｂフリーのＰｂ−
Ｓｎ代替の高融点ろう材としては、次のような諸特性を
満足する必要がある。 耐熱温度が２６０℃以上であること。（高融点性） これは、リフロー温度に耐えるＰｂフリー高融点ろう材
として所期の基本的な要求特性である。 溶融によりろう付けが可能であること。（ろう付け
性） これは、ろう材としての基本的な要求特性である。 後加工が可能であること。（後加工性） これは、例えばろう材をめっきしたリード線の折り曲げ
加工を行っても、ろう材が割れたりしないことの要求特
性である。 基板との接合信頼性があること。（接合信頼性） これは、世の中一般に広く出回っている基板に対する接
合性ばかりでなく、その信頼性に対する要求特性であ
る。 後銀めっきが可能であること。（銀めっき性） これは、ろう材の表面が露出したままでは、表面の光沢
性や美観性等の点で仕上げ銀めっきをする場合の、銀め
っきの析出性および固着性を確保するための要求特性で
ある。

【０００８】そこで、本発明は、上記各種の要求特性を
満足するＰｂフリーのＳｎ−Ｐｂ代替低融点ろう材層を
形成した電子部品を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の電子部品は、Ｓ
ｎ−Ａｇ系合金，Ｓｎ−Ｂｉ系合金の群から選択された
一の材料を単独またはそれを主材料としたろう材層を有
することを特徴とする電子部品である。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の発明は、
Ｓｎ−Ａｇ系合金，Ｓｎ−Ｂｉ系合金の群から選択され
た一の材料を単独またはそれを主材料としたろう材層を
有することを特徴とする電子部品である。ここで、ろう
材層をＳｎ−Ａｇ系合金，Ｓｎ−Ｂｉ系合金に限定する
理由は、Ｓｎ−Ａｇ系合金，Ｓｎ−Ｂｉ系合金が、Ｐｂ
フリーの代替低融点ろう材層としての諸要求特性を満足
するからである。

【００１１】本発明の請求項２記載の発明は、前記ろう
材層が、Ａｇが１〜１５ｗｔ％のＳｎ−Ａｇ系合金より
なる低融点のろう材層であることを特徴とする請求項１
記載の電子部品である。ここで、Ａｇを１〜１５ｗｔ％
に限定する理由は、１ｗｔ％未満ではウィスカーの発生
が懸念され、１５ｗｔ％を超えると液相線温度が高くな
り水晶振動片等の電子部品のプリント基板等へのマウン
トが困難になるからである。

【００１２】本発明の請求項３記載の発明は、前記ろう
材層が、Ｂｉが１〜２０ｗｔ％のＳｎ−Ｂｉ系合金より
なる低融点のろう材層であることを特徴とする請求項１
記載の電子部品である。ここで、Ｂｉを１〜２０ｗｔ％
に限定する理由は、１ｗｔ％未満ではウィスカーの発生
が懸念され、２０ｗｔ％を超えると融点が低くなり過ぎ
るためである。

【００１３】本発明の請求項４記載の発明は、前記ろう
材層が、その表面に酸化防止膜を有することを特徴とす
る請求項１ないし３記載の電子部品である。ここで、ろ
う材層の表面に酸化防止膜を形成する理由は、ろう材層
の構成材料が酸化し易い場合にあっても、ろう材の表面
酸化を防止できるからである。

【００１４】本発明の請求項５記載の発明は、前記電子
部品が、金属外環にガラスを介してリードを気密に封着
した気密端子であることを特徴とする請求項１ないし４
記載の電子部品である。ここで、電子部品を気密端子に
限定する理由は、気密端子がろう付けする電子部品の構
成物として一般的なものであり、その用途を保証するた
めである。

【００１５】本発明の請求項６記載の発明は、前記気密
端子が、リードの外方側のすくなくとも表面に前記のＰ
ｂフリーのろう材層を形成した気密端子であることを特
徴とする請求項１ないし５記載の電子部品である。ここ
で、電子部品を気密端子に限定する理由は、気密端子が
プリント基板等の取付基板にろう付けする電子部品の構
成物として一般的なものであり、その用途を保証するた
めである。

【００１６】本発明の請求項７記載の発明は、前記気密
端子が、その金属外環が円筒形状の圧入型水晶振動子用
気密端子であることを特徴とする請求項６記載の電子部
品である。ここで、気密端子を圧入型水晶振動子用気密
端子に限定する理由は、この種気密端子が、金属キャッ
プへの圧入、リード内方端への水晶振動片の接続固着、
リードの折り曲げ、リード外方端のプリント基板等への
接続固着等、ろう材としての要求特性が厳しいにも拘わ
らず、本発明のＰｂフリーの代替低融点ろう材がこれら
諸特性を満足できるからである。

【００１７】本発明の請求項８記載の発明は、前記気密
端子が、金属外環の露出部分およびリードの少なくとも
内方側に高融点のろう材層を形成し、リードの外方側の
少なくとも表面に低融点のろう材層を形成したものであ
ることを特徴とする電子部品である。このように、金属
外環の露出部分およびリードの内方側に高融点のろう材
層を形成し、リードの外方側に低融点のろう材層を形成
することによって、リードの内方側に水晶振動片等の電
子素子を高融点ろう材層によってろう付けした後に、リ
ードの外方側をプリント基板等にろう付けする場合に、
リードの外方側をプリント基板等にろう付けする際のリ
フロー温度で、リードの内方側にろう付けした水晶振動
片等の電子素子がろう材の溶融ないし軟化によって脱落
ないし移動することがない。

【００１８】

【実施例】本発明の実施例について、以下、図面を参照
して説明する。図１は本発明の一実施例の電子部品であ
る円筒形状の圧入型水晶振動子用気密端子Ａの斜視図を
示す。図において、１は円筒形の金属外環で、その内部
にガラス２を介して、２本のリード３，３が気密に封着
されている。前記金属外環１は、例えば低炭素鋼やＦｅ
−Ｎｉ合金やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等よりなり、外径寸
法が１〜３ｍｍのものである。前記ガラス２は、ソーダ
ライムガラスやソーダバリウムガラスやホウケイ酸ガラ
ス等よりなる。前記リード３，３は、Ｆｅ−Ｎｉ合金や
Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等よりなり、外径寸法が０．１５
〜０．３ｍｍのものである。

【００１９】図２は、前記気密端子Ａの金属外環１の露
出部分およびリード３，３の内方側に、次の高融点のろ
う材層４，４が形成され、リード３，３の外方側に、次
の低融点のろう材層５，５が形成された状態の斜視図で
ある。前記ろう材層４，４は、例えば湿式バレルめっき
により例えば厚さ５〜３０μｍ程度に形成されている。

【００２０】前記高融点のろう材層４，４は、例えば次
のものである。 Ｓｎ−Ｚｎ：Ｓｎ１０〜７０ｗｔ％−Ｚｎ ３０〜９
０ｗｔ％ 液相線温度／固相線温度＝４００／２３２℃ Ｓｎ−Ａｕ：Ｓｎ６５〜８０ｗｔ％−Ａｕ２０〜３５
ｗｔ％ 液相線温度／固相線温度＝４８０／２８０℃ Ｚｎ ：Ｚｎ１００ｗｔ％ 液相線温度／固相線温度＝４１９／４１９℃ Ｂｉ ：Ｂｉ１００ｗｔ％ 液相線温度／固相線温度＝２７１／２７１℃

【００２１】また、前記低融点のろう材層５，５は、次
の群から選択されたいずれか一のものである。 Ｓｎ−Ａｇ：Ｓｎ９５〜９９ｗｔ％−Ａｇ １〜１５
ｗｔ％ 液相線温度／固相線温度＝２８０／２２１℃ Ｓｎ−Ｂｉ：Ｓｎ８０〜９９ｗｔ％−Ｂｉ １〜２０
ｗｔ％ 液相線温度／固相線温度＝２３０／１３９℃

【００２２】上記各種のろう材の、前述した各種要求特
性に対する評価結果を次表に示す。

【表１】

【００２３】図３は、前記気密端子Ａのリード３，３の
内方端に、電子素子の一例としての矩形状の水晶振動片
６を固着した斜視図を示す。水晶振動片６は、水晶片６
０の両面に電極６１，６２を形成したものである。そし
て、前記電極６１，６２を、リード３，３に被着されて
いるろう材層４，４に当接させて、例えばレーザまたは
熱風を照射する方法等により、リード３，３に被着され
ているろう材層４，４を溶融させることによって、リー
ド３，３に電気的に接続するとともに機械的に固着され
ている。ここで、レーザまたは熱風を照射する局部加熱
方法により、リード３，３に水晶振動片６をろう付け固
着するのは、ろう付け時の加熱によって水晶振動片６の
特性変動が生じないようにするためである。

【００２４】図４は、前記リード３，３に水晶振動片６
が固着された気密端子Ａを、有底円筒状の金属キャップ
７に圧入して固着封止した状態の水晶振動子８の断面図
である。

【００２５】金属キャップ７は、例えば洋白と称せられ
るＣｕ（４５〜６５ｗｔ％）−Ｎｉ（６〜３５ｗｔ％）
−Ｚｎ（１５〜３５ｗｔ％）合金よりなり、その内径寸
法は、気密端子Ａの金属外環１の外径寸法が例えば１．
６ｍｍの場合、それよりも若干小径の例えば１．５５ｍ
ｍに形成されている。そして、金属キャップ７の開口端
に気密端子Ａを圧入することにより、封止されている。
したがって、金属キャップ７の開口部への金属外環１の
最初の挿入を容易にするために、金属外環１の上端肩部
は、図示するように、丸みを帯びたなだらかな曲面に形
成しておくことが望ましい。そのような形状は、例え
ば、金属外環１を板状材料から絞りプレス成形およびプ
レス打ち抜きにより製造することにより容易に得られ
る。

【００２６】このような圧入封止は、上記金属外環１と
金属キャップ７との寸法関係に基いて、金属キャップ７
の開口端が徐々に拡開されることによる金属外環１との
強い密着と、金属外環１の外周に被着されているろう材
層４が両者間を埋めていることと相俟って、十分な気密
性が得られる。なお、もし必要ならば、金属キャップ７
の内面にも、ろう材層を形成しておいてもよい。この圧
入封止時に、金属外環１の外径寸法Φ１と金属キャップ
７の内径寸法Φ２との関係（Φ１＞Φ２）から、ガラス
２は強い圧縮応力を受けるが、ガラスは圧縮応力には強
いので、圧縮応力によって破壊されることはない。この
ような圧入封止は、溶融ろう材による封止や低融点ガラ
スによる封止に比較して、封止時に加熱を必要としない
ので、設備的に有利であるのみならず、加熱によって水
晶振動片６が劣化して特性変動を生じるといったことが
ない。しかも、樹脂封止に比較してガス発生がなく、し
たがって封止時および／または封止後に発生ガスによっ
て、水晶振動片６が劣化して特性変動を生じるといった
ことがない。

【００２７】図５は、前記の水晶振動子８を、プリント
基板等の取付基板９の導電層１０にろう材１１によりろ
う付けした状態を示す一部断面正面図である。すなわ
ち、水晶振動子８のリード３，３を、取付基板９の貫通
孔９ａ，９ａに挿入して、取付基板９の下方からＳｎ−
Ｐｂ共晶はんだの代替Ｐｂフリーろう材を溶融させた溶
融ろう材１１をリフローして、リード３，３を取付基板
９の導電層１０にろう付けしたものである。このリフロ
ーに用いるろう材１１は、Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだの代替
品である、例えばＳｎ−Ａｇ系合金やＳｎ−Ｂｉ系合金
の比較的低融点，すなわち液相線温度が２５０℃未満の
ろう材が用いられる。このリフロー用のろう材１１の溶
融点は、例えば気密端子Ａのリード３，３に被着されて
水晶振動片６を固着している高融点ろう材層４，４の液
相線温度に対して、３０℃以上，より好ましくは５０℃
以上の差があるものを使用する。そのような場合、水晶
振動子８の取付基板９の導電層１０へのリフロー固着作
業時の加熱温度で、水晶振動片６を固着しているろう材
層４が溶融して水晶振動片６がリード３，３から脱落し
たり、ろう材層４が軟化して水晶振動片６が移動して金
属キャップ７に接触して振動特性が損なわれるといった
ことがない。なお、水晶振動子８のリード３，３を取付
基板９の導電層１０にリフローろう材１１により固着す
る際に、リード３，３に形成している低融点ろう材層
５，５は、リフローろう材１１のリード３，３への濡れ
性を確保して、確実な基板接合性および接合信頼性を保
証するのに役立つ。

【００２８】図６は、ろう材が酸化しやすい場合の、ろ
う付け前のろう付け部材の状態を示す要部拡大断面図で
ある。すなわち、例えばＺｎは、簡単にめっき形成でき
る利点があるが、酸化しやすく空気中での放置またはろ
う付けが困難である。そのため、ろう付け部材１２，１
３の表面にＺｎよりなる厚さ５〜３０μｍ程度の高融点
ろう材層１４，１５を形成し、そのろう材層１４，１５
の表面を酸化防止膜の一例であるフラッシュＳｎめっき
により形成した厚さが１００〜１０００オングストロー
ム程度のＳｎ膜１６，１７により被覆して、空気中にお
ける放置時またはろう付け時の酸化を防止するものであ
る。この酸化防止用のＳｎ膜１６，１７は、ろう付け時
の加熱により比較的低温の１９８℃で高融点ろう材層１
４，１５を構成するＺｎと共晶を起こし、ろう材層１
４，１５の表面のみを溶融させて、ろう材層１４，１５
どおしを仮固着状態にした後、Ｚｎの溶融温度である４
１９℃よりも高温の，例えば４１９℃に加熱することに
よって溶融した高融点ろう材層１４，１５中に取り込ま
れてしまうので、何ら問題になるものではない。

【００２９】本発明の電子部品をろう付けする場合は、
上記で説明したＳｎ−Ａｇ系合金，Ｓｎ−Ｂｉ系合金の
いずれかの二元合金単独またはそれを主材料とするろう
材層を、液相線温度以上の温度で加熱することにより、
完全に溶融してろう付けする方法はもちろんのこと、固
相がなお残っている温度，すなわち、固相線温度と液相
線温度との中間の温度で加熱し、固相および液相が共存
した状態で凝固させることにより、溶融した液相のみで
最終的なろう付けを完了するようなろう付け方法を採用
してもよい。そのようなろう付け方法を採用すると、液
相線温度以上の温度で加熱してろう材を完全に溶融させ
るろう付け方法に比較して、ろう付け温度を低く設定で
きるため、ろう付け装置が安価になると共に、維持費が
安くなるのみならず、ろう付け部材の耐熱温度等に応じ
て、ろう付け温度を固相線温度と液相線温度との中間の
任意の温度に設定できるという利点がある。

【００３０】なお、本発明の上記実施例は、特定の電子
部品について説明したが、本発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の精神を逸脱しない範囲で、
各種の変形が可能であることはいうまでもない。

【００３１】例えば、上記実施例においては、気密端子
Ａのリード３，３の外方側全体に、低融点ろう材層５，
５を形成する場合について説明したが、プリント基板９
との接続に必要な外方端近傍部のみに形成してもよい。

【００３２】また、上記実施例においては、気密端子Ａ
のリード３，３の外方側に低融点ろう材層５，５のみを
形成する場合について説明したが、金属外環１の露出部
分およびリード３，３の内方側に高融点ろう材層４，４
を形成する際に、リード３，３の外方側にも同時に高融
点ろう材層４，４を形成し、然る後にリード３，３の外
方側のみに低融点ろう材層５，５を形成するようにして
もよい。そのような場合、高融点ろう材層４，４の形成
方法として、容易でかつ安価な湿式バレルめっき法が採
用できるので、高融点ろう材層４，４形成の加工費を低
減できる利点があるのみならず、プリント基板等の取付
基板９へのリード３，３の固着時に、リード３，３への
リフローろう材１１の濡れ性を確保して、確実なろう付
け固着ができるという利点がある。

【００３３】また、上記実施例においては、電子部品と
して、金属外環の形状が直円筒形状の圧入型水晶振動子
用の気密端子について説明したが、もし、必要ならば、
金属外環１の形状を、高さ寸法の中途部から上方部を上
部に行くほど小径になるような傾斜面に形成するととも
に、中途部から下方を円筒状に形成してもよい。このよ
うな形状によっても、金属外環の金属キャップへの最初
の挿入作業および圧入作業が容易になる。

【００３４】また、上記実施例においては、ろう付け部
材として、金属外環の形状が直円筒形状の水晶振動子用
の気密端子におけるリードと水晶振動片とのろう付けに
ついて説明したが、長円形状または楕円形状の水晶振動
子用の気密端子についても、同様に実施できるものであ
る。

【００３５】さらに、上記実施例では、圧入封止型の水
晶振動子用の気密端子について説明したが、抵抗溶接封
止型や冷間圧接封止型の水晶振動子用の気密端子につい
ても、同様に実施できるものである。

【００３６】さらにまた、上記実施例においては、水晶
振動子用の気密端子について説明したが、水晶振動子用
の気密端子以外の他の用途の電子部品用や半導体装置用
等の気密端子についても同様に実施できるものである。

【００３７】さらに、ろう材層の厚さも、実施例に記載
した範囲に限定されるものではなく、用途に応じて適宜
設定すればよい。

【００３８】

【発明の効果】本発明の電子部品は、Ｓｎ−Ａｇ系合
金，Ｓｎ−Ｂｉ系合金の群から選択されたいずれか一の
材料を単独またはそれを主材料とするろう材層を形成し
たものであるから、従来のような有害物質のＰｂを含ま
ない，いわゆるＰｂフリーの比較的低融点のろう材層が
形成された電子部品が提供でき、環境問題をクリアでき
るという作用効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１実施例の電子部品であるろう材
層形成前の圧入型水晶振動子用気密端子Ａの斜視図

【図２】 本発明の第１実施例の電子部品であるろう材
層形成後の圧入型水晶振動子用気密端子Ａの斜視図

【図３】 本発明の第１実施例の電子部品である圧入型
水晶振動子用気密端子Ａのリードの内方側に電子素子の
一例である水晶振動片を接続固着した状態の斜視図

【図４】 本発明の第１実施例の水晶振動子用気密端子
Ａを金属キャップの開口部に圧入封止した状態の水晶振
動子を示す縦断面図

【図５】 本発明の水晶振動子をプリント基板等の取付
基板にろう付けした状態を示す一部を断面で示す側面図

【図６】 本発明の第２実施例の電子部品のろう付け方
法について説明するための要部拡大縦断面図

【符号の説明】

Ａ 気密端子 １ 金属外環 ２ ガラス ３ リード ４ Ｐｂフリーの高融点ろう材層 ５ Ｐｂフリーの低融点ろう材層 ６ 水晶振動片 ７ 金属キャップ ８ 水晶振動子 ９ 取付基板（プリント基板） １０ 導電層 １１ 低融点リフローろう材 １２、１３ 電子部品 １４、１５ ろう材層（Ｚｎ層） １６、１７ 酸化防止膜（Ｓｎ膜）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｈ 9/05 Ｈ０１Ｒ 9/09 Ｄ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電子部品構成部材の少なくとも一部に、Ｓ
   ｎ−Ａｇ系合金，Ｓｎ−Ｂｉ系合金の群から選択された
   いずれか一の材料を単独またはそれを主材料とするろう
   材層を形成したことを特徴とする電子部品。
2. 【請求項２】前記ろう材層が、Ａｇが１〜１５ｗｔ％の
   Ｓｎ−Ａｇ系合金よりなる低融点のろう材層であること
   を特徴とする請求項１記載の電子部品。
3. 【請求項３】前記ろう材層が、Ｂｉが１〜２０ｗｔ％の
   Ｓｎ−Ｂｉ系合金よりなる低融点のろう材層であること
   を特徴とする請求項１記載の電子部品。
4. 【請求項４】前記ろう材層が、その表面に酸化防止膜を
   有することを特徴とする請求項１ないし３記載の電子部
   品。
5. 【請求項５】前記電子部品が、金属外環にガラスを介し
   てリードを気密に封着した気密端子であることを特徴と
   する請求項１ないし４記載の電子部品。
6. 【請求項６】前記ろう材層が、前記気密端子のリードの
   外方側に形成されていることを特徴とする請求項１ない
   し５記載の電子部品。
7. 【請求項７】前記気密端子が、その金属外環が円筒形状
   の圧入型水晶振動子用気密端子であることを特徴とする
   請求項６記載の電子部品。
8. 【請求項８】前記気密端子が、金属外環の露出部分およ
   びリードの少なくとも内方側に高融点のろう材層が形成
   され、リードの外方側のすくなくとも表面に低融点のろ
   う材層が形成されていることを特徴とする請求項６また
   は７記載の電子部品。