JP2001060790A - 電波吸収体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い周波数帯域で高い透磁率を示す磁性材料
を具現化し、これを用いて良好な電波吸収特性を示す電
波吸収体を提供する。 【解決手段】 磁性体粒子と樹脂材料、セラミクス材料
または低融点金属材料との混合体からなる電波吸収体に
おいて、前記磁性体粒子１を円盤形状とした。
を具現化し、これを用いて良好な電波吸収特性を示す電
波吸収体を提供する。 【解決手段】 磁性体粒子と樹脂材料、セラミクス材料
または低融点金属材料との混合体からなる電波吸収体に
おいて、前記磁性体粒子１を円盤形状とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電波吸収体に関す
る。より詳しくは、磁性体粒子と樹脂材料、又はセラミ
クス材料との混合体からなる電波吸収体に関するもので
ある。
る。より詳しくは、磁性体粒子と樹脂材料、又はセラミ
クス材料との混合体からなる電波吸収体に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】電子機器あるいは通信装置等において、
外乱となる外部からの電波や内部から漏洩する電波等を
吸収してノイズや電波障害を防止し安定した機能を図る
ために電波吸収体が用いられている。このような電波吸
収体として、従来、スピネル型フェライト焼結体あるい
は六方晶系フェライト焼結体、あるいはフレーク状の金
属軟磁性体を粒子とし、この粒子を樹脂と混合して複合
体とした電波吸収体が実用化されている。従来この電波
吸収体は数ＭＨｚから数ＧＨｚ帯域の電波を吸収する。
外乱となる外部からの電波や内部から漏洩する電波等を
吸収してノイズや電波障害を防止し安定した機能を図る
ために電波吸収体が用いられている。このような電波吸
収体として、従来、スピネル型フェライト焼結体あるい
は六方晶系フェライト焼結体、あるいはフレーク状の金
属軟磁性体を粒子とし、この粒子を樹脂と混合して複合
体とした電波吸収体が実用化されている。従来この電波
吸収体は数ＭＨｚから数ＧＨｚ帯域の電波を吸収する。
【０００３】このような電波吸収体における特性に関与
する材料パラメータは、高周波数における複素誘電率ε
と複素透磁率μである。このうち、磁性材料を用いた電
波吸収体では、複素透磁率μ（＝μ’−ｊμ”）の虚数
成分であるμ”が電波吸収特性に関与する。
する材料パラメータは、高周波数における複素誘電率ε
と複素透磁率μである。このうち、磁性材料を用いた電
波吸収体では、複素透磁率μ（＝μ’−ｊμ”）の虚数
成分であるμ”が電波吸収特性に関与する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】スピネル型フェライト
では、図８に示すような複素透磁率μ＝μ’−ｊμ”を
有する。図は３種類のフェライト材ａ〜ｃのそれぞれの
実数成分μ’および虚数成分μ”を示す。図示したよう
に、ある周波数以上では透磁率の実数成分μ’が低下
し、それより少し高い周波数にある共鳴周波数ｆｒにお
いてμ”が極大値をとる。このときのμ”が高ければ高
い程、エネルギー損失が大きいため良好な吸収を示す。
では、図８に示すような複素透磁率μ＝μ’−ｊμ”を
有する。図は３種類のフェライト材ａ〜ｃのそれぞれの
実数成分μ’および虚数成分μ”を示す。図示したよう
に、ある周波数以上では透磁率の実数成分μ’が低下
し、それより少し高い周波数にある共鳴周波数ｆｒにお
いてμ”が極大値をとる。このときのμ”が高ければ高
い程、エネルギー損失が大きいため良好な吸収を示す。
【０００５】しかしながら、スピネル型フェライトで
は、高い透磁率を示す材料ほど、低い周波数で共鳴を起
こすため、ＧＨｚ帯域のような高周波数で用いることが
できなかった（スネークの限界）。これは、共鳴周波数
と透磁率の積が一定である以下の式（１）で表わされ
る。
は、高い透磁率を示す材料ほど、低い周波数で共鳴を起
こすため、ＧＨｚ帯域のような高周波数で用いることが
できなかった（スネークの限界）。これは、共鳴周波数
と透磁率の積が一定である以下の式（１）で表わされ
る。
【０００６】
【数１】
【０００７】ただし、ｆｒ；共鳴周波数、μ’；透磁率
の実部、γ；ジャイロ磁気定数、μ0 ；真空の透磁率、
Ｉｓ；飽和磁化である。
の実部、γ；ジャイロ磁気定数、μ0 ；真空の透磁率、
Ｉｓ；飽和磁化である。
【０００８】このように高周波数での吸収が低いという
スピネル型フェライトの問題を解決するために、六方晶
系に属し、面内磁気異方性を有するＹおよびＺ型フェラ
イトが実用化されている。これは、六方晶系のフェライ
トは面内の磁気異方性が小さいため透磁率が大きく、面
直方向に磁化を向けるのには異方性エネルギーが大きい
ためスピネル型フェライトよりも高い周波数で共鳴が起
こることを利用している。
スピネル型フェライトの問題を解決するために、六方晶
系に属し、面内磁気異方性を有するＹおよびＺ型フェラ
イトが実用化されている。これは、六方晶系のフェライ
トは面内の磁気異方性が小さいため透磁率が大きく、面
直方向に磁化を向けるのには異方性エネルギーが大きい
ためスピネル型フェライトよりも高い周波数で共鳴が起
こることを利用している。
【０００９】しかしながら、このような六方晶フェライ
トにおいても数ＧＨｚが限界であった。この場合の共鳴
周波数ｆｒと透磁率μ’の積は、以下の式（２）で表わ
される。
トにおいても数ＧＨｚが限界であった。この場合の共鳴
周波数ｆｒと透磁率μ’の積は、以下の式（２）で表わ
される。
【００１０】
【数２】
【００１１】ただし、ＨA1；面内での異方性、ＨA2；面
内からＣ軸方向への異方性である（図１参照）。
内からＣ軸方向への異方性である（図１参照）。
【００１２】式（１）と式（２）を比較すると、式
（２）では平方根の項が付加されている。六方晶フェラ
イトでは、通常この平方根は以下の式（３）のように１
以上である。
（２）では平方根の項が付加されている。六方晶フェラ
イトでは、通常この平方根は以下の式（３）のように１
以上である。
【００１３】
【数３】
【００１４】このため、六方晶フェライトではスピネル
型フェライトよりも高周波数側まで高い透磁率を維持す
ることができる。しかしながら、このような六方晶フェ
ライトにおいても、その飽和磁化が約０．５Ｔであるた
め、数ＧＨｚ以上の帯域まで使用できる高い透磁率の材
料は見出されていない。したがって、電波吸収体として
も使用される帯域が数ＧＨｚまでに限られていた。
型フェライトよりも高周波数側まで高い透磁率を維持す
ることができる。しかしながら、このような六方晶フェ
ライトにおいても、その飽和磁化が約０．５Ｔであるた
め、数ＧＨｚ以上の帯域まで使用できる高い透磁率の材
料は見出されていない。したがって、電波吸収体として
も使用される帯域が数ＧＨｚまでに限られていた。
【００１５】本発明は上記従来技術を考慮したものであ
って、高い周波数帯域で高い透磁率を示す磁性材料を具
現化し、これを用いて良好な電波吸収特性を示す電波吸
収体の提供を目的とする。
って、高い周波数帯域で高い透磁率を示す磁性材料を具
現化し、これを用いて良好な電波吸収特性を示す電波吸
収体の提供を目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、磁性体粒子と樹脂材料、セラミクス材
料または低融点金属材料との混合体からなる電波吸収体
において、前記磁性体粒子を円盤形状としたことを特徴
とする電波吸収体を提供する。
め、本発明では、磁性体粒子と樹脂材料、セラミクス材
料または低融点金属材料との混合体からなる電波吸収体
において、前記磁性体粒子を円盤形状としたことを特徴
とする電波吸収体を提供する。
【００１７】この構成によれば、磁性体粒子を円盤形状
とすることにより、周波数限界を数ＧＨｚ以上の高周波
帯域まで高めることができ、高い周波数で高い透磁率特
性の電波吸収体が得られる。
とすることにより、周波数限界を数ＧＨｚ以上の高周波
帯域まで高めることができ、高い周波数で高い透磁率特
性の電波吸収体が得られる。
【００１８】従来の磁性体粒子は、磁性体材料を適宜な
手段で微細化したものであり、形状は不定であった。こ
のような従来の磁性材料は、スネークの限界を越えるこ
とができなかった。しかし、これを越える手段としてＹ
およびＺ型フェライトがPHILIPS社から商品化されてい
る。これは、スピネル型フェライトと異なり、面内磁気
異方性を有するためである。
手段で微細化したものであり、形状は不定であった。こ
のような従来の磁性材料は、スネークの限界を越えるこ
とができなかった。しかし、これを越える手段としてＹ
およびＺ型フェライトがPHILIPS社から商品化されてい
る。これは、スピネル型フェライトと異なり、面内磁気
異方性を有するためである。
【００１９】このようなＹおよびＺ型フェライト材料よ
り高い周波数でかつ高い透磁率を得るためには、前記式
（２）に示されている項において、飽和磁化Ｉｓを高め
ればよいことが分る。通常フェライトの飽和磁化は、
０．３〜０．５Ｔである。これに対して、金属磁性材料
は、純鉄で２．２Ｔ、鉄コバルト合金（パーメンジュー
ル）では２．４Ｔ、窒化鉄化合物においては、２．８Ｔ
に達する。このため、面内磁気異方性を有する金属磁性
材料を開発すれば、スネークの限界を越え、また、Ｙお
よびＺ型といった面内磁気異方性を有する酸化物磁性体
よりも高周波数まで使用可能となることが分る。
り高い周波数でかつ高い透磁率を得るためには、前記式
（２）に示されている項において、飽和磁化Ｉｓを高め
ればよいことが分る。通常フェライトの飽和磁化は、
０．３〜０．５Ｔである。これに対して、金属磁性材料
は、純鉄で２．２Ｔ、鉄コバルト合金（パーメンジュー
ル）では２．４Ｔ、窒化鉄化合物においては、２．８Ｔ
に達する。このため、面内磁気異方性を有する金属磁性
材料を開発すれば、スネークの限界を越え、また、Ｙお
よびＺ型といった面内磁気異方性を有する酸化物磁性体
よりも高周波数まで使用可能となることが分る。
【００２０】しかしながら、面内磁気異方性を有する金
属軟磁性材料は現在のところ見出されていない。本発明
では、これを実現するため、面内に磁気異方性をもつよ
うに、円盤状の金属磁性体を作製し、高い飽和磁化を維
持したまま、高周波数で高透磁率の磁性材料を実現し
た。この高い透磁率を利用することにより、従来よりも
吸収性能のよい電波吸収体が得られた。
属軟磁性材料は現在のところ見出されていない。本発明
では、これを実現するため、面内に磁気異方性をもつよ
うに、円盤状の金属磁性体を作製し、高い飽和磁化を維
持したまま、高周波数で高透磁率の磁性材料を実現し
た。この高い透磁率を利用することにより、従来よりも
吸収性能のよい電波吸収体が得られた。
【００２１】本発明の原理についてさらに説明する。図
１は本発明に係る金属磁性体からなる磁性微粒子の形状
の図である。本発明では図示したように、偏平な円盤形
状の磁性体１を用いる。この円盤形状の磁性体１のアス
ペクト比（直径と厚さの比）は例えば１０以上である。
１は本発明に係る金属磁性体からなる磁性微粒子の形状
の図である。本発明では図示したように、偏平な円盤形
状の磁性体１を用いる。この円盤形状の磁性体１のアス
ペクト比（直径と厚さの比）は例えば１０以上である。
【００２２】一般に磁性材料では、磁気モーメントはエ
ネルギーを最小にするように配列する。３次元構造の磁
性体においては、ｘ，ｙ，ｚの各方向に向き得る。しか
し、図１に示したような円盤状の金属磁性体では、面直
方向へ磁気モーメントが向こうとすると、形状磁気異方
性エネルギーの増加があるため、面直方向へは向きにく
く、面内にモーメントが配列する。面内の異方性をＨA
1、そこから面直方向に磁気モーメントを向けるときの
異方性をＨA2と呼んでいる。
ネルギーを最小にするように配列する。３次元構造の磁
性体においては、ｘ，ｙ，ｚの各方向に向き得る。しか
し、図１に示したような円盤状の金属磁性体では、面直
方向へ磁気モーメントが向こうとすると、形状磁気異方
性エネルギーの増加があるため、面直方向へは向きにく
く、面内にモーメントが配列する。面内の異方性をＨA
1、そこから面直方向に磁気モーメントを向けるときの
異方性をＨA2と呼んでいる。
【００２３】このとき、面内において磁気モーメントは
円盤状であるため、どの方向においても等方的に配列す
ることができ、動きやすい。つまり、面内の磁気異方性
であるＨA1は比較的小さい。これに対し、面直方向へ磁
気モーメントを向けるには、大きなエネルギーを必要と
するため、ＨA2は大きい値を取る。このため、前記式
（３）で示した平方根の値は大きな値を取り、この結
果、周波数限界を高周波まで伸ばすことができる。
円盤状であるため、どの方向においても等方的に配列す
ることができ、動きやすい。つまり、面内の磁気異方性
であるＨA1は比較的小さい。これに対し、面直方向へ磁
気モーメントを向けるには、大きなエネルギーを必要と
するため、ＨA2は大きい値を取る。このため、前記式
（３）で示した平方根の値は大きな値を取り、この結
果、周波数限界を高周波まで伸ばすことができる。
【００２４】図２はこのような周波数限界を、スピネル
型フェライト（スネークの限界）、ＹおよびＺ型フェラ
イト（六方晶フェライト）および本発明の円盤状金属磁
性体について示す。図示したように、円盤状金属磁性体
を用いることにより、周波数限界を六方晶フェライトよ
りさらに高周波数側に高めることができる。
型フェライト（スネークの限界）、ＹおよびＺ型フェラ
イト（六方晶フェライト）および本発明の円盤状金属磁
性体について示す。図示したように、円盤状金属磁性体
を用いることにより、周波数限界を六方晶フェライトよ
りさらに高周波数側に高めることができる。
【００２５】この場合、円盤のアスペクト比や厚さある
いは吸収体の混合組成等を変えることにより、図３の円
盤金属磁性体ｉ，ｉｉに示すように、透磁率特性を変え
ることができる。いずれの場合でも周波数限界は従来の
六方晶フェライトよりも高い周波数であり、高い透磁率
を高周波数まで維持している。
いは吸収体の混合組成等を変えることにより、図３の円
盤金属磁性体ｉ，ｉｉに示すように、透磁率特性を変え
ることができる。いずれの場合でも周波数限界は従来の
六方晶フェライトよりも高い周波数であり、高い透磁率
を高周波数まで維持している。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態について説明する。図４は、本発明の実施の形態
に係る高透磁率を有する円盤状磁性体の作成方法のフロ
ーを示す説明図である。
の形態について説明する。図４は、本発明の実施の形態
に係る高透磁率を有する円盤状磁性体の作成方法のフロ
ーを示す説明図である。
【００２７】この実施形態は、磁性体として鉄（Ｆｅ）
を用いて、円盤状のＦｅ基軟磁性材料の作成方法を示す
ものである。まず、アトマイズ法または化学的析出法に
より鉄の球状微粒子を作成する。アトマイズ法は、高速
流体中に溶融金属（この場合は鉄）を滴下またはノズル
で吹き出し、流体によって冷却過程中に微粒子を形成す
るものである。この場合、流速や金属吹出し量等の形成
条件により粒径を変えることができる。化学的析出法
は、鉄の金属塩を還元して鉄の微粒子を析出するもので
ある。この場合にも、析出条件により粒径を変えること
ができる。
を用いて、円盤状のＦｅ基軟磁性材料の作成方法を示す
ものである。まず、アトマイズ法または化学的析出法に
より鉄の球状微粒子を作成する。アトマイズ法は、高速
流体中に溶融金属（この場合は鉄）を滴下またはノズル
で吹き出し、流体によって冷却過程中に微粒子を形成す
るものである。この場合、流速や金属吹出し量等の形成
条件により粒径を変えることができる。化学的析出法
は、鉄の金属塩を還元して鉄の微粒子を析出するもので
ある。この場合にも、析出条件により粒径を変えること
ができる。
【００２８】このようにして、純鉄からなる球状微粒子
２を形成する。この微粒子２の径は、使用する電波吸収
体の設計条件等に合わせて数百ｎｍから数十μｍ程度ま
で適宜調整して形成することができる。このような球状
微粒子２を、圧延ロール３またはスタンプミル４等の物
理的な力を加えることにより、押し潰して偏平な円盤形
状の金属（鉄）磁性体微粒子５を形成する。
２を形成する。この微粒子２の径は、使用する電波吸収
体の設計条件等に合わせて数百ｎｍから数十μｍ程度ま
で適宜調整して形成することができる。このような球状
微粒子２を、圧延ロール３またはスタンプミル４等の物
理的な力を加えることにより、押し潰して偏平な円盤形
状の金属（鉄）磁性体微粒子５を形成する。
【００２９】この金属磁性体微粒子５を、樹脂又はセラ
ミクスと混合してこの混合体を電波吸収体として用い
る。このような混合体を形成するのは、金属磁性体微粒
子を適当に分散させるため、又、良好な絶縁性を得るた
め、及びペースト状あるいはシート状等その他電波吸収
体として実際に使用しやすい形態とするためである。
ミクスと混合してこの混合体を電波吸収体として用い
る。このような混合体を形成するのは、金属磁性体微粒
子を適当に分散させるため、又、良好な絶縁性を得るた
め、及びペースト状あるいはシート状等その他電波吸収
体として実際に使用しやすい形態とするためである。
【００３０】樹脂材料としては、エポキシ樹脂やフェノ
ール樹脂あるいはゴム系の樹脂その他使用する目的や対
象物等に応じて適宜選定することができる。樹脂の選定
や形成条件および混合条件等により、金属磁性体微粒子
５との混合体をペースト状あるいはシート状の電波吸収
体として形成することができる。
ール樹脂あるいはゴム系の樹脂その他使用する目的や対
象物等に応じて適宜選定することができる。樹脂の選定
や形成条件および混合条件等により、金属磁性体微粒子
５との混合体をペースト状あるいはシート状の電波吸収
体として形成することができる。
【００３１】また、セラミクスと混合することにより、
硬質のセラミクスの形状保持作用により金属磁性体微粒
子５が安定して結合保持され磁性体微粒子５を含む安定
した形状の混合体が得られる。このようなセラミクスと
の混合体は、予め電波吸収体として用いる形状や大きさ
に合わせて形成し、使用場所にそのまま電波吸収体とし
て装着するように形成することができる。
硬質のセラミクスの形状保持作用により金属磁性体微粒
子５が安定して結合保持され磁性体微粒子５を含む安定
した形状の混合体が得られる。このようなセラミクスと
の混合体は、予め電波吸収体として用いる形状や大きさ
に合わせて形成し、使用場所にそのまま電波吸収体とし
て装着するように形成することができる。
【００３２】図５は、本発明の別の実施の形態に係る高
透磁率を有する円盤状磁性体の作成方法のフローを示す
説明図である。
透磁率を有する円盤状磁性体の作成方法のフローを示す
説明図である。
【００３３】この実施形態は、磁性体として鉄（Ｆｅ）
を用いて、円盤状のＦｅ基軟磁性材料の作成方法を示す
ものである。この実施形態では、ベースフィルム６にマ
スク７を介してスパッタリング、蒸着あるいはＣＶＤな
どで薄膜を形成することにより円盤状の磁性体を得るも
のである。ターゲットとしては、Ｆｅ基磁性体等の材料
を用いることができる。図は蒸着法を示し、まず、多数
の孔８のパターンが形成されたマスク７を介してＦｅ基
磁性体の蒸着源９から溶融金属を蒸発させてベースフィ
ルム６上に付着させる。
を用いて、円盤状のＦｅ基軟磁性材料の作成方法を示す
ものである。この実施形態では、ベースフィルム６にマ
スク７を介してスパッタリング、蒸着あるいはＣＶＤな
どで薄膜を形成することにより円盤状の磁性体を得るも
のである。ターゲットとしては、Ｆｅ基磁性体等の材料
を用いることができる。図は蒸着法を示し、まず、多数
の孔８のパターンが形成されたマスク７を介してＦｅ基
磁性体の蒸着源９から溶融金属を蒸発させてベースフィ
ルム６上に付着させる。
【００３４】続いて、マスク７を除去する。これによ
り、ベースフィルム６上に円盤状の金属磁性体５が付着
して残る。この金属磁性体５をベースフィルム６から剥
離して円盤状金属磁性体５の粒子を形成する。この円盤
状粒子を、前述の実施形態と同様に、樹脂又はセラミク
スと混合して、電波吸収体を形成する。
り、ベースフィルム６上に円盤状の金属磁性体５が付着
して残る。この金属磁性体５をベースフィルム６から剥
離して円盤状金属磁性体５の粒子を形成する。この円盤
状粒子を、前述の実施形態と同様に、樹脂又はセラミク
スと混合して、電波吸収体を形成する。
【００３５】このようにして作成した円盤状金属磁性体
の透磁率の周波数依存特性は、前述の図３に示したよう
に、従来の六方晶フィライトに比べ、周波数限界が高周
波数側に伸び、高い透磁率を高い周波数まで維持してい
る。
の透磁率の周波数依存特性は、前述の図３に示したよう
に、従来の六方晶フィライトに比べ、周波数限界が高周
波数側に伸び、高い透磁率を高い周波数まで維持してい
る。
【００３６】これは、スピネル型フェライトの飽和磁化
が約０．５Ｔであるのに対し、純鉄の場合、２．２Ｔの
飽和磁化を示すためである。すなわち、同一周波数で比
較すると、約４倍の透磁率を有し、同一の値の透磁率で
比較すると、約４倍の高周波数まで値を維持する。
が約０．５Ｔであるのに対し、純鉄の場合、２．２Ｔの
飽和磁化を示すためである。すなわち、同一周波数で比
較すると、約４倍の透磁率を有し、同一の値の透磁率で
比較すると、約４倍の高周波数まで値を維持する。
【００３７】通常、電波吸収体のエネルギー吸収能は、
その透磁率μの虚部μ”を用いて以下の式（４）で表わ
される。
その透磁率μの虚部μ”を用いて以下の式（４）で表わ
される。
【００３８】
【数４】
【００３９】ただし、Ｐ；電波吸収エネルギー、ω；角
周波数、Ｈ；磁界強度である。
周波数、Ｈ；磁界強度である。
【００４０】本発明による円盤状金属軟磁性体は、透磁
率が高いため、μ”も高い値を示す。したがって、式
（４）の電波吸収エネルギーＰが大きくなり、吸収性能
が優れた電波吸収体が得られる。
率が高いため、μ”も高い値を示す。したがって、式
（４）の電波吸収エネルギーＰが大きくなり、吸収性能
が優れた電波吸収体が得られる。
【００４１】前述の純鉄以外に、本発明に用いられる金
属軟磁性材料の例を以下の表１に示す。
属軟磁性材料の例を以下の表１に示す。
【００４２】
【表１】
【００４３】これらの他にも、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの強磁
性元素を少なくとも１以上含む軟磁性金属材料は全て用
いることができる。また、ＭｎＡｌ合金のように、強磁
性元素を含まないが強磁性を発現するホイスラー合金も
本発明の金属磁性材料として用いることができる。
性元素を少なくとも１以上含む軟磁性金属材料は全て用
いることができる。また、ＭｎＡｌ合金のように、強磁
性元素を含まないが強磁性を発現するホイスラー合金も
本発明の金属磁性材料として用いることができる。
【００４４】図６（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明に係る電波
吸収体の使用例を示す。図６（Ａ）は、プリント基板１
０上に搭載されたＩＣ部品１１の上面に、このＩＣ部品
１１の形状に合わせて切断したシート状の電波吸収体１
２を貼付したものである。図６（Ｂ）は、プリント基板
１０上に搭載されたＩＣ部品１１の上側からペースト状
の電波吸収体１３を塗布したものである。図６（Ｃ）
は、プリント基板１０上に形成された配線パターン１４
を覆って、シート状またはペースト状の電波吸収体１５
を設けたものである。
吸収体の使用例を示す。図６（Ａ）は、プリント基板１
０上に搭載されたＩＣ部品１１の上面に、このＩＣ部品
１１の形状に合わせて切断したシート状の電波吸収体１
２を貼付したものである。図６（Ｂ）は、プリント基板
１０上に搭載されたＩＣ部品１１の上側からペースト状
の電波吸収体１３を塗布したものである。図６（Ｃ）
は、プリント基板１０上に形成された配線パターン１４
を覆って、シート状またはペースト状の電波吸収体１５
を設けたものである。
【００４５】図６（Ｄ）は、多層プリント板を構成する
各層の基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ同士を接合する接着
材として本発明の電波吸収体１６を用いたものである。
この場合、本発明の円盤状金属磁性体は粘着性のある樹
脂と混合してこの電波吸収体１６を形成する。
各層の基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ同士を接合する接着
材として本発明の電波吸収体１６を用いたものである。
この場合、本発明の円盤状金属磁性体は粘着性のある樹
脂と混合してこの電波吸収体１６を形成する。
【００４６】図６（Ｅ）は、電波吸収すべき対象物の内
部からの漏洩電波を吸収するために、対象物の外面側に
本発明の電波吸収体１７を設け、その外面を金属の電波
反射板１８で覆ったものである。これにより、矢印Ｅの
ように内部から外部に向かう電波が電波吸収体１７によ
り吸収され、吸収されなかった電波は反射板１８で反射
して再び電波吸収体１７に進入して吸収される。このよ
うに反射板１８と組合せることにより、漏洩電波が効果
的に吸収され外部への影響が抑制される。漏洩電波を吸
収すべき対象物として、本発明の電波吸収体は、ＩＣ部
品や各種電子機器、あるいはテレビ、レーダー、衛星、
電話等の無線通信機器およびこのような電子機器や通信
機器を収容する建物等に対し適用される。
部からの漏洩電波を吸収するために、対象物の外面側に
本発明の電波吸収体１７を設け、その外面を金属の電波
反射板１８で覆ったものである。これにより、矢印Ｅの
ように内部から外部に向かう電波が電波吸収体１７によ
り吸収され、吸収されなかった電波は反射板１８で反射
して再び電波吸収体１７に進入して吸収される。このよ
うに反射板１８と組合せることにより、漏洩電波が効果
的に吸収され外部への影響が抑制される。漏洩電波を吸
収すべき対象物として、本発明の電波吸収体は、ＩＣ部
品や各種電子機器、あるいはテレビ、レーダー、衛星、
電話等の無線通信機器およびこのような電子機器や通信
機器を収容する建物等に対し適用される。
【００４７】この場合、透磁率や誘電率の周波数依存性
を利用することにより、予め吸収すべき周波数が分って
いる場合には、その周波数に合わせて電波吸収体１７の
厚さ等を設定し、平面波に対するインピーダンス整合型
電波吸収体を構成して、入射波や反射波同士の干渉等に
よりさらに効果的に電波を吸収させることができる。こ
れにより、特に通信施設等の建物の電波障害を効果的に
防止することが可能になる。
を利用することにより、予め吸収すべき周波数が分って
いる場合には、その周波数に合わせて電波吸収体１７の
厚さ等を設定し、平面波に対するインピーダンス整合型
電波吸収体を構成して、入射波や反射波同士の干渉等に
よりさらに効果的に電波を吸収させることができる。こ
れにより、特に通信施設等の建物の電波障害を効果的に
防止することが可能になる。
【００４８】上記各使用あるいは実施形態において、本
発明の電波吸収材料を格子型に設けることにより、さら
に広い帯域での電波吸収作用を得ることができる。ま
た、周波数に対する透磁率特性の異なる複数の電波吸収
材料を積層して構成することにより、効率的に広い範囲
の周波数にわたって高い電波吸収能力の電波吸収体を得
ることができる。
発明の電波吸収材料を格子型に設けることにより、さら
に広い帯域での電波吸収作用を得ることができる。ま
た、周波数に対する透磁率特性の異なる複数の電波吸収
材料を積層して構成することにより、効率的に広い範囲
の周波数にわたって高い電波吸収能力の電波吸収体を得
ることができる。
【００４９】図７は、本発明の効果を示すグラフであ
る。図に示すように、本発明の円盤状金属磁性体粒子を
用いた電波吸収体は、従来の電波吸収体に比べ、電波吸
収量を約４倍程度向上させることができる。
る。図に示すように、本発明の円盤状金属磁性体粒子を
用いた電波吸収体は、従来の電波吸収体に比べ、電波吸
収量を約４倍程度向上させることができる。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、磁性
体粒子を円盤形状とすることにより、周波数限界を数Ｇ
Ｈｚ以上の高周波帯域まで高めることができ、高い周波
数で高い透磁率特性の電波吸収体が得られる。これによ
り、従来２〜３ＧＨｚでしか用いられなかった電波吸収
体が、本発明により１０ＧＨｚ以上の高周波帯域まで用
いることができるようになり、広い範囲にわたって電波
障害等の防止を図ることができる。また、透磁率が高く
なったため、電波吸収体の厚さを薄くすることができ、
小型でコンパクトな形状の電波吸収体を形成することが
できる。
体粒子を円盤形状とすることにより、周波数限界を数Ｇ
Ｈｚ以上の高周波帯域まで高めることができ、高い周波
数で高い透磁率特性の電波吸収体が得られる。これによ
り、従来２〜３ＧＨｚでしか用いられなかった電波吸収
体が、本発明により１０ＧＨｚ以上の高周波帯域まで用
いることができるようになり、広い範囲にわたって電波
障害等の防止を図ることができる。また、透磁率が高く
なったため、電波吸収体の厚さを薄くすることができ、
小型でコンパクトな形状の電波吸収体を形成することが
できる。
【図１】 本発明に係る円盤状磁性体の形状および作用
説明図。
説明図。
【図２】 磁性体の周波数限界の説明図。
【図３】 本発明の円盤状磁性体の周波数限界の図。
【図４】 本発明の電波吸収体の製造方法の説明図。
【図５】 本発明の電波吸収体の別の製造方法の説明
図。
図。
【図６】 本発明の電波吸収体の使用例の説明図。
【図７】 本発明の効果を示すグラフ。
【図８】 従来のフェライト材の透磁率の周波数特性
図。
図。
１：円盤形状の磁性体、２：球状微粒子、３：圧延ロー
ラ、４：スタンプミル、５：円盤形状の金属磁性体微粒
子、６：ベースフィルム、７：マスク、８：孔、９：蒸
着源、１０：プリント基板、１１：ＩＣ部品、１２，１
３，１５，１６，１７：電波吸収体、１４：配線パター
ン、１０ａ，１０ｂ，１０ｃ：基板、１８：反射板
ラ、４：スタンプミル、５：円盤形状の金属磁性体微粒
子、６：ベースフィルム、７：マスク、８：孔、９：蒸
着源、１０：プリント基板、１１：ＩＣ部品、１２，１
３，１５，１６，１７：電波吸収体、１４：配線パター
ン、１０ａ，１０ｂ，１０ｃ：基板、１８：反射板
Claims (4)
- 【請求項１】磁性体粒子と樹脂材料、セラミクス材料ま
たは低融点金属材料との混合体からなる電波吸収体にお
いて、 前記磁性体粒子を円盤形状としたことを特徴とする電波
吸収体。 - 【請求項２】前記混合体をペースト状に形成したことを
特徴とする請求項１に記載の電波吸収体。 - 【請求項３】前記混合体をシート状に形成したことを特
徴とする請求項１に記載の電波吸収体。 - 【請求項４】電波吸収すべき対象物を覆って前記混合体
を設けるとともにこの混合体の外面に電波反射板を設け
たことを特徴とする請求項１に記載の電波吸収体。
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|---|---|---|---|
| JP11232786A JP2001060790A (ja) | 1999-08-19 | 1999-08-19 | 電波吸収体 |
| EP00117541A EP1077507B1 (en) | 1999-08-19 | 2000-08-14 | Radio wave absorber |
| DE60005897T DE60005897T2 (de) | 1999-08-19 | 2000-08-14 | Absorber für Funkwellen |
| EP20070015115 EP1855080A3 (de) | 1999-08-19 | 2000-08-18 | Verfahren und Vorrichtung zur Messung eines zurückgelegten Weges |
| US09/642,740 US6677881B1 (en) | 1999-08-19 | 2000-08-18 | Radio wave absorber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11232786A JP2001060790A (ja) | 1999-08-19 | 1999-08-19 | 電波吸収体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001060790A true JP2001060790A (ja) | 2001-03-06 |
Family
ID=16944732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11232786A Pending JP2001060790A (ja) | 1999-08-19 | 1999-08-19 | 電波吸収体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP1077507B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001060790A (ja) |
| DE (1) | DE60005897T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003078277A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-14 | Kyocera Corp | 電磁波吸収体 |
| US6773800B2 (en) | 2001-02-15 | 2004-08-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Electromagnetic wave absorbent and method for producing magnetic powder for the same |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001223493A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Sony Corp | 電波吸収体 |
| EP1146591A2 (en) * | 2000-04-10 | 2001-10-17 | Hitachi, Ltd. | Electromagnetic wave absorber, method of manufacturing the same and appliance using the same |
| JP2003283242A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Murata Mfg Co Ltd | 電波反射体及び該電波反射体が取り付けられた構造物 |
| IL162494A0 (en) * | 2003-06-30 | 2005-11-20 | Daido Steel Co Ltd | Powder for use in an electromagnetic wave absorber |
| EP2090555B1 (en) * | 2006-10-19 | 2014-12-31 | Hitachi Metals, Ltd. | Radio wave absorption material and radio wave absorber |
| JP2011129798A (ja) * | 2009-12-21 | 2011-06-30 | Mitsumi Electric Co Ltd | 高周波用磁性材料、高周波デバイス及び磁性粒子 |
| FR2960377B1 (fr) * | 2010-05-21 | 2014-07-04 | Thales Sa | Carte imprimee hyperfrequences, son procede de fabrication et appareil la comportant |
| CN110167255A (zh) | 2013-03-15 | 2019-08-23 | 伟创力有限责任公司 | 用于创建完全微波吸收印刷电路板的方法和装置 |
| KR20150010519A (ko) | 2013-07-19 | 2015-01-28 | 삼성전자주식회사 | 연자성 자기교환결합 복합 구조체 및 이를 포함한 고주파소자 부품, 안테나 모듈 및 자기저항소자 |
| EP2924804A1 (en) * | 2014-03-28 | 2015-09-30 | Alcatel- Lucent Shanghai Bell Co., Ltd | Radome with absorbent device, and antenna comprising same |
| US20170303386A1 (en) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | L-3 Communications Corporation | Printed Circuit Board Integrated Radio Frequency Absorber |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4538151A (en) * | 1982-03-31 | 1985-08-27 | Nippon Electric Co., Ltd. | Electro-magnetic wave absorbing material |
| US5298903A (en) * | 1982-05-26 | 1994-03-29 | Janos William A | Synthetic dielectric material for broadband-selective absorption and reflection |
| FR2655997B1 (fr) * | 1988-01-18 | 1992-04-30 | Commissariat Energie Atomique | Enduit absorbant, son procede de fabrication et revetement obtenu a l'aide de cet enduit. |
| CA2005743C (en) * | 1988-12-19 | 1994-09-06 | Minoru Yoshinaka | Radio wave absorbing material |
| JP2736691B2 (ja) * | 1989-10-11 | 1998-04-02 | 戸田工業株式会社 | 板状マグヘマイト粒子粉末及びその製造法 |
| JPH04150098A (ja) * | 1990-10-12 | 1992-05-22 | Nec Corp | 電波吸収体 |
| JP2956875B2 (ja) * | 1994-05-19 | 1999-10-04 | 矢崎総業株式会社 | 電磁遮蔽用成形材料 |
| JP2848540B2 (ja) * | 1995-09-13 | 1999-01-20 | 有限会社スイサク | 自己同調材およびその製造方法 |
| KR100215485B1 (ko) * | 1996-09-19 | 1999-08-16 | 나창호 | 세라믹스 조성물 및 그 제조 방법 |
| US5668070A (en) * | 1996-10-21 | 1997-09-16 | Hong; Sung-Yong | Ceramic composition for absorbing electromagnetic wave and a method for manufacturing the same |
-
1999
- 1999-08-19 JP JP11232786A patent/JP2001060790A/ja active Pending
-
2000
- 2000-08-14 DE DE60005897T patent/DE60005897T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-08-14 EP EP00117541A patent/EP1077507B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-18 US US09/642,740 patent/US6677881B1/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE60005897T2 (de) | 2004-09-09 |
| EP1077507B1 (en) | 2003-10-15 |
| US6677881B1 (en) | 2004-01-13 |
| DE60005897D1 (de) | 2003-11-20 |
| EP1077507A1 (en) | 2001-02-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040720 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041116 |