JP2000510281A - 封止構造体に対するギャップ跳躍 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 フラットパネルディスプレイのような構造体部分（４０及び４４）が、１つの部分の封止領域（４０Ｓ）が少なくとも他の部分の対応する封止領域（４４Ｓ）から部分的に離隔され、ギャップ（４８）が２つの封止領域を少なくとも部分的に、典型的には２５μｍ以上の高さだけ離隔するように位置付けられる。その材料がそのギャップを橋絡し、その部分（４０及び４４）を互いに封止するように、封止領域に沿った少なくとも一部分の材料を局部的に加熱するための「ギャップ跳躍技術」においてエネルギーが加えられる。典型的にはレーザを用いて局部的にその材料を溶融し、表面張力及び毛管作用のような要因を組み合わせることにより材料をギャップ内に吸引する。ギャップ跳躍技術の第１の部分は非真空環境において実行され、その部分を互いに部分溶着するが、ギャップ跳躍技術は、典型的には真空内で完了し、排気されたパネルを形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】 封止構造体に対するギャップ跳躍 発明の分野 本発明は構造体、詳細にはフラットパネルデバイスを封止するための技術に関 連する。また本発明はフラットパネルデバイスのような構造体を、典型的には構 造体封止作業の一部として部分溶着するための技術に関連する。 背景技術 フラットパネルデバイスは、中間機構を介して互いに接続される一対の概ね平 坦なプレートを備える。２枚のプレートは典型的には方形をなす。２枚のプレー ト及び中間接続機構を用いて形成される比較的平坦な構造体の厚さは、何れかの プレートの対角線長さに比べて小さい。 情報を表示するために用いる場合、フラットパネルデバイスは典型的にはフラ ットパネルディスプレイと呼ばれる。フラットパネルディスプレイの２枚のプレ ートは通常、フェースプレート（或いはフロントプレート）及びベースプレート （或いはバックプレート）と呼ばれる。フェースプレートは情報の視認用表面を 提供するものであり、フェースプレート上に形成される１つ或いはそれ以上の層 を含むフェースプレート構造体の一部をなす。同様にベースプレートは、ベース プレート上に形成される１つ或いはそれ以上の層を含むベースプレート構造体の 一部をなす。フェースプレート構造体及びベースプレート構造体は、典型的には 外壁部を介して互いに封止され、封止包囲体を形成する。 フラットパネルディスプレイは陰極線（電子）、プラズマ及び液晶のような機 構を用いて、フェースプレート上に情報を表示する。これらの ３つの機構を用いるフラットパネルディスプレイは一般に、陰極線管（「ＣＲＴ 」）ディスプレイ、プラズマディスプレイ及び液晶ディスプレイと呼ばれる。デ ィスプレイのフェースプレート構造体及びベースプレート構造体の構成及び配列 は、フェースプレート上に情報を表示するために利用される機構のタイプに依存 する。 フラットパネルＣＲＴディスプレイの場合典型的には、電子放出素子がベース プレート内側表面上に設けられる。電子放出素子は、画像素子（画素）の行及び 列からなるマトリクス内に配列される。各画素は典型的には、多数の個別の電子 放出素子を含む。電子放出素子が適切に励起されるとき電子を放出し、その電子 はフェースプレート内側表面上に配置される対応する画素内に配列される発光体 に衝当する。 フラットパネルＣＲＴディスプレイのフェースプレートは、ガラスのような透 明材料からなる。電子放出素子から放出される電子が衝当する際、フェースプレ ート内側表面上に配置された発光体が、フェースプレート外側表面上に可視光線 を放射する。ベースプレート構造体からフェースプレート構造体への電子流を適 切に制御することにより、適当な画像がフェースプレート上に表示される。 フラットパネルＣＲＴディスプレイの電子放出素子は典型的には、電界放出（ 冷陰極放出）技術或いは熱電子放出技術により電子を放出する。いずれの場合で も、特に電界放出技術の場合、ＣＲＴディスプレイが適切に動作し、かつ性能が 急速に劣化しないようにするために、電子放出は著しく排気した環境において行 われる必要がある。フェースプレート構造体、ベースプレート構造体及び外壁部 部により形成される包囲体は、高真空状態、典型的には電界放出タイプのフラッ トパネルＣＲＴディスプレイの場合１０^-7ｔｏｒｒ以下の圧力状態になるように 製造される。通常１つ或いはそれ以上のスペーサが、フェースプレート構造体と ベー スプレート構造体との間に配置され、空気圧のような外力がディスプレイを圧潰 するのを防ぐようにする。 真空度の劣化により種々の問題、例えば電子放出素子を劣化させる汚染ガスに より生じるディスプレイの輝度の不均一性のような問題が生じるようになる。汚 染ガスは、例えば発光体から発生する。また電子放出素子の劣化によりディスプ レイの使用寿命も低下する。従ってフラットパネルＣＲＴディスプレイを気密封 止することが重要である。 電界放出タイプのフラットパネルＣＲＴディスプレイは、電界放出ディスプレ イ（「ＦＥＤ」）と呼ばれる場合もあり、従来空気中で封止され、その後ディス プレイ上に設けられた汲気管状部を介して排気されている。第１ａ図−第１ｄ図 （集合的に「第１図」）は、ベースプレート構造体１０、フェースプレート構造 体１２、外壁部部１４及び多数のスペーサ壁部部１６からなるＦＥＤを封止する ための１つのそのような従来の手順を示す。 第１ａ図に示される時点では、スペーサ壁部１６はフェースプレート構造体１ ２の内側表面上に設置され、外壁部１４は、外壁部１４のフェースプレート縁部 に沿って設けられたフリット（封止用ガラス）１８を介してフェースプレート構 造体１２の内側表面に接続される。フリット２０は外壁部１４のベースプレート 縁部に沿って配置される。管体２２が、ベースプレート構造体１０の開口部２６ において、フリット２４を介してベースプレート構造体１０の外側表面に封止さ れる。汚染ガスを収集するためのゲッタ２８は典型的には、管体２２の内側に沿 って設けられる。ベースプレート構造体１２、外壁部１４及びスペーサ１６によ り形成される構造体はディスプレイ封止前に、ベースプレート構造体１０、管体 ２２及びゲッタ２８により形成される構造体から物理的に離隔される。 構造体１２／１４／１６及び１０／２２／２８は、位置合わせ固定具３０内に 配置され、互いに位置合わせされ、さらに第１ｂ図に示されるようにフリット２ ０に沿って物理的に接触する。位置合わせ固定具３０は、オーブン３２内に配置 或いは設置される。位置合わせ、かつ接触後、構造体１２／１４／１６及び１０ ／２２／２８は、４５０℃から６００℃より高い範囲の封止温度まで徐々に加熱 される。フリット２０が溶融し、構造体１２／１４／１６を構造体１０／２２／ ２８に封止する。封止されたＦＥＤは室温まで徐々に冷却される。加熱／封止／ 冷却プロセスには典型的には１時間かかる。 封止後、ＦＥＤは位置合わせ固定具３０及びオーブン３２から取り出され、別 のオーブン３４内に配置される。第１ｃ図を参照されたい。真空システム３６が 管体２２に接続される。管体２２の周囲に配置された加熱素子３８を用いて、Ｆ ＥＤは管体２２を介して高真空レベルまで汲気される。その後ＦＥＤは徐々に高 温にされ、数時間焼出しされ、ＦＥＤ材料から汚染ガスを除去する。高温状態の ＦＥＤにおいて適当な低圧が保持できるとき、ＦＥＤは室温まで冷却され、管体 ２２が閉塞して高真空でＦＥＤを封止するまで、管体２２は加熱素子３８を介し て加熱される。その後ＦＥＤはオーブン３４から取り出され、真空ポンプ３６か ら切り離される。第１ｄ図は封止されたＦＥＤを示す。 第１図の封止用プロセスは、いくつかの理由により不十分である。多数のＦＥ Ｄが同時に封止されることができたとしても、その封止用手順は量産要求を満足 するには時間がかかりすぎる場合がある。さらにＦＥＤ全体が長期間に渡って高 温に加熱される。これにより位置合わせ公差に関する問題が生じ、さらＦＥＤの 一定の材料が劣化し、場合によっては割れを生じるようになる。さらに管体２２ がＦＥＤから突出する。その結果、ＦＥＤは管体２２を破損し、ＦＥＤを破壊し ないように非常に 注意深く取り扱われなければならない。上記問題点を解消し、管体２２のような 汲気管状部を必要としないフラットパネルデバイス、特に電界放出ＣＲＴタイプ のフラットパネルディスプレイを封止するための技術を実現することは非常に有 益であろう。 発明の全般的な開示 本発明は、封止された構造体の他の部分を実質的に越えて延在する汲気管状部 のような扱いにくい減圧デバイスを有する構造体を設ける必要がなく、封止され た構造体が容易に減圧状態、典型的には高真空レベルを達成することができるよ うに互いに構造体部分を封止するための技術を提供する。本発明では、エネルギ ーが特定の領域に沿って局部的に加えられ、封止部を形成するギャップ跳躍技術 により封止が達成される。ここで用いられる用語「局部的な」或いは「局部的に 」は、エネルギー伝達を記載する際に、概ねエネルギーを受け取ることを目的と する一定の材料に、エネルギーが選択的に配向され、エネルギーを受け取る必要 のない付近の材料に著しく伝達されることがないということを意味する。 構造体を封止するために本発明のギャップ跳躍技術を用いる際に、典型的には 封止が完了する前に構造体全体が加熱され、汚染ガスを除去し、封止の完了中に 生じる場合がある応力を軽減する。しかしながら、ガス除去／応力軽減作業中に 到達する最大温度は、典型的には約３００℃であり、全体的な加熱により封止が 実行される上記のような従来の封止用プロセスにおいて通常到達する温度より著 しく低くなる。構造体の構成要素の割れ及び劣化のような問題は、本ギャップ跳 躍封止技術を用いることにより著しく軽減される。 本発明の封止技術は、上記のタイプの従来の封止用プロセスより非常に少ない 時間で実行されることができる。本封止技術は、フラットパネ ルデバイス、特にＣＲＴタイプのフラットパネルディスプレイを封止するのに特 に適している。扱いにくい突出した汲気管状部を用いない場合、汲気管を破損す ることにより封止された構造体を破壊する危険性は避けられる。すなわち本発明 は従来の気密封止技術より優れた大きな利点をもたらす。 より詳細には本発明により、一次壁部（例えばフラットパネルディスプレイの 外壁部）の第１の縁部が、ギャップがその壁部の第１の縁部を第１のプレート構 造体の封止用領域から少なくとも部分的に離隔するように、第１のプレート構造 体（例えばフラットパネルディスプレイのベースプレート構造体）の相対する封 止領域付近に配置される。通常ギャップは少なくとも２５μｍの平均高を有する 。その後エネルギーがギャップに沿った壁部の材料に局部的に伝達され、壁部及 び第１のプレート構造体の材料がそのギャップを橋絡し、第１のプレート構造体 を壁部に封止するようになる。 そのギャップが橋絡（或いは跳躍）されるようにする局部的なエネルギーは典 型的には光エネルギーであり、エネルギー伝達作業の少なくとも一部においてレ ーザにより供給されることが好ましい。別法では、焦点ランプを用いて光エネル ギーを供給してもよい。またエネルギー伝達作業は、マイクロ波エネルギーを含 む局部的に配向された高周波（「ＲＦ」）波エネルギーのような別のタイプの局 部的エネルギーを用いて、少なくとも部分的に実行されることができる。ある典 型的な場合には、壁部、すなわち局部的エネルギーを受け取る物体の材料が概ね 全てのギャップを橋絡する。 封止される構造体の形状、構造体に用いられる材料及び局部的エネルギー伝達 の条件により、１つ或いはそれ以上の機構が、本発明におけるギャップ跳躍の性 能に関わるようになる。１つの機構は表面張力である。 エネルギーがそのギャップに沿った壁部の材料に局部的に伝達されるとき、ギャ ップに沿った壁部材料は溶融し、特にギャップに沿った壁部材料が一対の角部ま で比較的平坦である場合には、低減表面積を有する体積を占有しようとする。こ れによりギャップに沿った壁部材料は、第１のプレート構造体の封止領域に向か って曲線をなすようになる。 ギャップに沿った壁部の材料内に捕捉されるか、或いはギャップに沿った壁部 材料の組成変化により生成されるガスにより、ギャップに沿った壁部材料は第１ のプレート構造体の封止領域に向かって移動するようになる。またある場合には ギャップに沿った壁部の材料は、壁部材料の体積が増加し、第１のプレート構造 体の封止領域に向かって膨張できるように、密度の減少を生じる層変化を被る場 合がある。 いずれの場合においても、ギャップに沿って溶融した壁部材料は、その封止領 域に沿って第１のプレート構造体の材料と接触し、その材料に行き渡り、封止部 を形成するように流動する。その結果、ギャップに沿った壁部材料に局部的なエ ネルギーを加えることにより、ギャップが閉塞するようになる。当然ギャップは 、局部的なエネルギー伝達により橋絡されるように十分に小さくなければならな い。本発明による局部的な光エネルギー伝達を利用して、３００μｍまでのギャ ップを良好に跳躍することができる。 局部的なエネルギー伝達は典型的には多くのステップにおいて実行される。例 えば、第１のプレート構造体及び壁部が真空環境にない間、エネルギーは最初に ギャップの一部に沿った壁部の材料に局部的に伝達されることができる。最初の 局部的なエネルギー伝達によりギャップの一部が橋絡されるようになる。その後 第１のプレート構造体及び壁部が真空環境、通常高真空状態にある間、エネルギ ーはギャップの残り部分に沿った壁部の材料に局部的に伝達される。その後の局 部的なエネルギー 伝達によりギャップの残り部分が、封止が完了するように橋絡されるようになる 。多数のステップの局部的なエネルギー伝達が典型的には第１のプレート構造体 を壁部に封止するために利用されるが、多数ステップのエネルギー伝達は、ギャ ップ跳躍により２つの物体全体を互いに封止するために用いることができる。 非真空環境に後続して高真空環境を用いてエネルギー伝達ステップを実行する ことにより、いくつかの利点がもたらされる。非真空環境において最初の局部的 なエネルギー伝達を実行してギャップの一部を橋絡することにより、ギャップの その部分を橋絡する材料は通常、同じタイプの局部的なエネルギー伝達を実行さ れるが、高真空環境にある別の同一の材料より低間隙度及び従って高密度を有す ることができる。非真空環境が、最初の局部的なエネルギー伝達の少なくとも一 部において窒素（比較的無反応なガス）並びにまた不活性ガスからなるとき、非 真空環境におけるガスと封止される材料との間で生じる不要な化学反応数は著し く低減される。その結果、最初のエネルギー伝達ステップ中にギャップの一部を 橋絡する材料を用いて強固な封止部が形成されるようになる。 封止された構造体が後続するエネルギー伝達ステップの終了時に包囲体を形成 するとき、高真空環境において後続の局部的なエネルギー伝達を実行して、ギャ ップの残りの部分を橋絡し、封止部を完成し、包囲体に高真空を生成することが できる。重要なことは、真空を生成するために汲気管のような装置を用いること なく、封止用手順の終了時に包囲体内に真空が生成されるということである。最 初の局部的なエネルギー伝達間の非真空環境と後続する局部的なエネルギー伝達 間の高真空環境とを組み合わせることにより、強固な気密封止部が第１のプレー ト構造体と壁部との間に形成されることができ、その一方で汲気管状部を用いて 封止された包囲体内に高真空を生成する必要はない。 ギャップに沿った壁部の材料は通常、封止用領域に沿った第１のプレート構造 体の材料より低い温度で溶融するため、本発明の封止用プロセスは、その封止用 領域に沿った第１のプレート構造体の材料に局部的にエネルギーを伝達し、その 材料をギャップに沿った壁部材料の溶融温度に近い温度まで上昇させることによ り改善することができる。このさらなる局部的なエネルギー伝達は、ギャップ跳 躍部を生成するためにその壁部へのエネルギーの局部的な伝達を開始する前に行 われることができる。別法では、第１のプレート構造体へのエネルギーの局部的 な伝達は、壁部へのエネルギーの局部的な伝達と同時に行うことができる。この 方法において第１のプレート構造体と壁部との両方を局部的に加熱することによ り、封止境界部においてより強固な結合を実現し、それによりその封止部の気密 度を増すことができる。 第１の縁部と反対側をなす壁部の第２の縁部は通常、別の相対する封止用領域 に沿った第２のプレート構造体（例えば、フラットパネルディスプレイのフェー スプレート構造体）に封止（或いは結合）される。第２のプレート構造体の壁部 への封止は典型的には、第１のプレート構造体の壁部への封止前に非真空環境に おいて行われる。しかしながら、壁部への第２のプレート構造体の封止は、第１ のプレート構造体の壁部への封止と同時に実行されてもよい。いずれの場合でも 、壁部への第１のプレート構造体のギャップ跳躍封止は典型的には真空環境、通 常高真空環境において完了される。その結果構造体は高真空レベルの封止包囲体 を形成する。 種々の技術を利用して、本発明の封止用プロセスを改善することができる。例 えば、ガス除去スロットを壁部の第１の縁部に沿って設け、第１のプレート構造 体が壁部に封止されるとき、包囲体からガスを除去する際に助力することができ る。複数のポストのような位置決め構造体を 用いて、ギャップ跳躍を用いて第１のプレート構造体を壁部に封止する前に、互 いに対して所定の位置にプレート構造体を保持することができる。位置決め構造 体は壁部の外側に配置され、封止包囲体に影響を及ぼさないことが好ましい。 また本発明は、多くの位置において構造体の２つの部分を互いに部分溶着（部 分的に結合）するための技術を提供する。その部分溶着作業は通常、構造体の封 止が完了している間に、互いに対して所定の位置にその構造体の２つの部分を保 持するために、封止作業全体の一部として実行される。本部分溶着技術は本発明 のギャップ跳躍封止技術と十分に両立可能であり、それにより封止作業が非常に 経済的に実行できるようにする。 より詳細には本発明の部分溶着技術は、第１のプレート構造体（例えばベース プレート構造体）の相対する規定領域に隣接して一次壁部（例えば外壁部）の第 １の端部を位置付ける過程を伴う。ギャップは再び、平均高が通常少なくとも２ ５μｍであり、典型的には壁部の第１の縁部を第１のプレート構造体の規定領域 から離隔する。エネルギーが第１の縁部に沿った壁部の材料の多数の離隔した部 分に局部的に伝達され、対応する離隔した位置において壁部に第１のプレート構 造体を部分溶着する。ギャップが存在するとき、局部的なエネルギー伝達により 、ギャップの対応する離隔部分が橋絡されるようになる。その結果第１のプレー ト構造体と壁部とが封止用境界に沿った多数の位置において互いに部分溶着（或 いは部分的に結合）される。 壁部への第１のプレート構造体の封止は、ギャップの残り部分を閉塞すること により、好ましくは局部的なエネルギー伝達を用いて、上記方法においてギャッ プ跳躍部を生成することにより完了される。第２のプレート構造体（例えばフェ ースプレート構造体）が第１の縁部と反対側 をなす壁部の第２の縁部に封止される場合、その最終的な構造体は典型的には、 フラットパネルタイプの封止された包囲体を形成する。すなわち本発明は、フラ ットパネルデバイス、特にＣＲＴタイプのフラットパネルディスプレイを気密封 止するために、非常に一環して効果的な技術を提供する。 図面の簡単な説明 第１ａ図−第１ｄ図は、フラットパネルＣＲＴディスプレイを封止するための 従来のプロセスにおけるステップを表す断面図である。 第２ａ図−第２ｅ図は、本発明により局部的なエネルギー伝達を用いて、ギャ ップ跳躍部を生成する、フラットパネルディスプレイを封止するためのプロセス におけるステップを表す断面図である。第２ａ図−第２ｅ図の封止用プロセスの 一部として、局部的なエネルギー伝達を用いて、ギャップ跳躍部を生成し、本発 明によるフラットパネルディスプレイを部分溶着する。 第２ｂ^*図−第２ｃ^*図は、第２ａ図−第２ｅ図のギャップ跳躍封止用プロセス において本発明により利用可能な付加的なステップを表す断面図である。 第２ｃ’図及び第２ｄ’図は、第２ａ図−第２ｅ図のギャップ跳躍封止用プロ セスにおいて第２ｃ図及び第２ｄ図のステップの代わりに本発明により用いるこ とができるステップを表す断面図である。 第３図は、第２ａ図及び第４ａ図のフラットパネルディスプレイの斜視図であ る。 第４ａ図−第４ｅ図は、位置決め構造体及び局部的なエネルギー伝達を用いて 、本発明によるギャップ跳躍部を生成する、フラットパネルディスプレイを封止 するためのプロセスにおけるステップを表す断面図で ある。 第５ａ図−第５ｅ図は、二重レーザシステムを用いて、本発明によるギャップ 跳躍部を生成する、フラットパネルディスプレイを封止するためのプロセスにお けるステップを表す断面図である。 第６図は、本発明に従ってギャップ跳躍によりディスプレイを封止する際に助 力となるガス除去スロットを備える外壁部を有するフラットパネルディスプレイ の一部の断面図である。 第７図は第６図のフラットパネルディスプレイの斜視図である。 第８ａ図−第８ｈ図は、局部的なエネルギー伝達を用いて、本発明によるギャ ップ跳躍部を生成する、フラットパネルディスプレイを封止するための別のプロ セスにおけるステップを表す断面図である。 第９図は、第８ｃ図のフラットパネルディスプレイにおけるベースプレート及 び充填されたモールドの斜視図である。 第１０ａ図−第１０ｅ図は、局部的なエネルギー伝達を用いて、本発明による ギャップ跳躍部を生成する、フラットパネルディスプレイを封止するためのさら に別のプロセスにおけるステップを表す断面図である。 第１１ａ図は、本発明のギャップ跳躍封止用プロセスにおいて光エネルギーを 与えるために、本発明により概ね方形の断面からなるレーザビームを生成するレ ーザの模式的な斜視図である。 第１１ｂ図は第１１ａ図のレーザビームの断面図である。 第１１ｃ図は、第１１ａ図及び第１１ｂ図のレーザビームが本発明により封止 用領域を如何に横断するかを示す斜視図である。 同一の、或いは非常に類似した部材を表すために、図面及び好適な実施例の説 明において同様の参照記号が用いられる。 好適な実施例の説明 第２ａ図−第２ｅ図（集合的に「第２図」）は、本発明の教示によるフラット パネルディスプレイを気密封止するための全般的な技術を示す。第２図に示され る技術は局部的なエネルギー伝達を用いて、フラットパネルディスプレイの個別 部分が互いに封止されるようにするギャップ跳躍部を生成する。第２ｂ^*図及び 第２ｃ^*図は、第２図のプロセスを説明した後に以下で取り扱われ、第２図のプ ロセスにおいて用いることができる追加ステップを示す。第２ｃ’図及び第２ｄ ’図は、同様に第２図のプロセスを説明した後に取り扱われ、第２ｃ図及び第２ ｄ図のステップに代わる方法を示す。第３図は、封止用プロセスの第２ａ図の最 初のステップにおいて封止されていないフラットパネルディスプレイの斜視図を 表す。 ここで用いられるように、フラットパネルディスプレイのフェースプレート構 造体の「外側」表面は、ディスプレイの画像が視認者により視認される表面であ る。フェースプレート構造体の反対側は、フェースプレート構造体の内側表面の 一部が通常、フェースプレート構造体を外壁部を介してベースプレート構造体に 封止することにより形成される包囲体の外側に存在する場合でも、「内側」表面 と呼ばれる。同様にフェースプレート構造体の内側表面に対向して配置されるベ ースプレート構造体の表面は、ベースプレート構造体の内側表面の一部が通常、 フェースプレート構造体、ベースプレート構造体及び外壁部を用いて形成される 封止包囲体の外側に存在する場合でも、ベースプレート構造体の「内側」表面と 呼ばれる。ベースプレート構造体の内側表面の反対側は、ベースプレート構造体 の「外側」表面と呼ばれる。 上記内容を留意すると、第２図のプロセスにより封止されるフラットパネルデ ィスプレイの構成要素はベースプレート構造体（或いは本体）４０、フェースプ レート構造体（或いは本体）４２、外壁部４４及び一 群のスペーサ壁部４６である。ベースプレート構造体４０及びフェースプレート 構造体４２は概ね方形をなす。プレート構造体４０及び４２の内側構造は示され ない。しかしながらベースプレート構造体４０はベースプレート及びベースプレ ート内側表面上に形成される１つ或いはそれ以上の層からなる。フェースプレー ト構造体４２は透明なフェースプレート及びフェースプレート内側表面上に形成 される１つ或いはそれ以上の層からなる。外壁部４４は、方形に配列される４つ の副壁部からなる。スペーサ壁部４６は、封止されたディスプレイのプレート構 造体４０と４２との間に一定間隔を保持し、ディスプレイが空気圧のような外力 に耐え得るようにする。 以下に記載するように、ベースプレート構造体４０は外壁部４４を介してフェ ースプレート構造体４２に気密封止される。封止作業は通常、フラットパネルデ ィスプレイの構成要素を高温まで上昇させる過程を伴う。室温まで冷却中に、フ ラットパネルディスプレイに割れが生じる危険性を低減するために、外壁部４４ は典型的には、ベースプレート及びフェースプレートの熱膨張係数（「ＣＴＥ」 ）と概ね一致する熱膨張係数を有する材料からなるように選択される。 第２図のプロセスに従って封止されるフラットパネルディスプレイは、ＣＲＴ ディスプレイ、プラズマディスプレイ、真空蛍光ディスプレイ及び液晶ディスプ レイのような種々のタイプのフラットパネルディスプレイの任意の１つであって よい。フラットパネルＣＲＴディスプレイの場合、ベースプレート構造体４０は ベースプレート上に設けられた電子放出素子からなる二次元配列の画素を含む。 電子放出素子が電界放出力ソードを形成する。 詳細には、電界放出タイプのフラットパネルＣＲＴディスプレイのベースプレ ート構造体４０は典型的には、行方向においてベースプレート 間に延在する一群のエミッタ行電極を備える。電極間誘電体層がエミッタ電極の 上側をなし、エミッタ電極間の空間においてベースプレートと接触する。ベース プレート構造体４０の各画素位置では、多数の開口部が電極間誘電体層を通り、 エミッタ電極の対応する１つまで下方に延在する。電子放出素子は典型的には円 錐形或いはフィラメントの形状をなし、電極間誘電体の各開口部に配置される。 パターン形成されたゲート層が電極間誘電体上に配置される。各電子放出素子 はゲート層の対応する開口部を介して露出される。一群の列電極はパターン形成 されたゲート層から形成されるか、或いはゲート層と接触する個別の列電極層か ら形成されるかの何れかであり、行方向に垂直をなす列方向において電極間誘電 体層に渡って延在する。行電極と列電極との交差部分における画素からの電子の 放出は、行及び列電極に適当な電圧を加えることにより制御される。 フラットパネル電界放出ディスプレイ（再び「ＦＥＤ」）のフェースプレート 構造体４２は、透明なフェースプレート内側表面上に形成される二次元配列の発 光体画素を含む。アノード、すなわちコレクタ電極が構造体４２の発光体に隣接 して配置される。アノードは発光体上に配置され、それゆえ発光体分だけフェー スプレートから離隔されてもよい。この場合には、アノードは典型的にはアルミ ニウムのような電気的導電性の光反射材料の薄い層からなり、それを介して放出 された電子が容易に通過し、発光体と衝当することができる。光反射層は、フェ ースプレートに向かって戻る後方光（rear-directed light）のうちのある量を 再配向することによりディスプレイ輝度を増加する。米国特許第５，４２４，６ ０５号及び第５，４７７，１０５号は、上記の方法において配列されたフェース プレート構造体４２を備えるＦＥＤの例を示す。別法ではアノードは、フェース プレートと発光体との間に配置される、インジ ウムすず酸化物のような電気的導電性の透明材料の薄い層により形成されること ができる。 ＦＥＤが上記の何れかのように配列されるとき、ベースプレート構造体４０の 行及び列電極に適当な電圧を加えることにより、電子が選択された画素の電子放 出素子から抽出されるようになる。アノードには適当な高電圧が印加されており 、フェースプレート構造体４２の対応する画素において抽出された電子を発光体 に向かって吸引する。電子が発光体に衝当する際、フェースプレート外側表面上 に可視光線を放射し、所望の画像を形成する。カラー動作の場合、各発光体画素 は、ベースプレート上に形成される対応する副画素の電子放出素子から放出され る電子が衝当する際に、それぞれ青色、赤色及び緑色光を放射する３つの発光体 副画素を備える。 外壁部４４の厚さは１−４ｍｍの範囲にある。フラットパネルディスプレイの 構成要素を例示しやすくするために、第２図及び第３図では寸法が調整されてい るが、外壁部４４の高さは通常外壁部厚と同じオーダである。例えば外壁部高は 典型的には１−１．５ｍｍである。 外壁部４４の４つの副壁部は個別に形成され、後に直接、或いは４つの角部品 を介して互いに結合される。また４つの副壁部は適当に成形された材料からなる 単一部品であってもよい。外壁部４４は通常、第３図に示されるように方形環状 に配列され、充填剤及び着色剤を組み合わせたＦｅｒｒｏ ２００４フリットの ようなフリットからなる。外壁部４４のフリットは４００−５００℃の範囲の温 度で溶融する。フリットの溶融温度は、プレート構造体４０及び４２並びにスペ ーサ壁部４６のあらゆる材料の溶融温度に比べて著しく低く、典型的には１００ ℃低い。 第２ａ図及び第３図に示される最初の段階では、外壁部４４は、（ａ）外壁部 ４４の下側縁部４４Ｔにより形成される環状方形封止領域及び （ｂ）フェースプレート構造体４２の内側表面に沿って相対する環状方形封止領 域４２Ｔに沿ったフェースプレート構造体４２に封止（或いは結合）されている 。フェースプレート封止領域４２Ｔは第２図において濃い線により示される。し かしながらこれは例示にすぎない。フェースプレート構造体４２は典型的には、 封止領域４２Ｔの位置を明確に特定する特徴を有してはいない。 フェースプレート構造体４２に外壁部４４を封止する際に、構成要素４２及び ４４は最初に互いに適当な位置に配置され、下側壁縁部４４Ｔがフェースプレー ト封止領域４２Ｔに位置合わせされる。その位置合わせは適当な位置合わせ固定 具を用いて実行される。下側壁縁部４４Ｔは通常、位置決めステップ中にフェー スプレート封止領域４２Ｔと接触する。 フェースプレート構造体４２への外壁部４４の封止は、位置合わせ終了後に、 いくつかの方法で行うことができる。構造体４２への外壁部４４の封止は通常、 室内圧力に近い圧力の非真空状態下で、典型的には乾燥窒素或いはアルゴンのよ うな不活性ガスの環境内で実行される。 フェースプレート構造体−外壁部封止は、封止用オーブン内でフェースプレー ト構造体４２及び外壁部４４を適切な封止温度まで上昇させ、封止部を生成し、 その後構造体を室温まで冷却することにより達成することができる。全加熱作業 中の封止用オーブン内の温度の上昇及び降下にはそれぞれ典型的には３時間かか る。フェースプレート構造体−外壁部封止温度は典型的には約４００−５５０℃ であり、外壁部４４のフリットの溶融温度に等しいか、或いはわずかに大きく、 それゆえフリットが短期間に溶融状態になるようにする。フェースプレート構造 体−外壁部封止温度は、フェースプレート構造体４２のあらゆる部分の溶融を避 けるか、或いは破損しないように十分に低くする。 別法では、外壁部４４は外壁部４４及び構造体４２を２００−３５０℃、典型 的には３００℃のバイアス温度まで上昇させた後、レーザを用いてフェースプレ ート構造体４２に封止することができる。レーザ封止中に上昇した温度を用いて 、封止用境界部に沿った応力を軽減し、割れが生じる危険性を低減する。 スペーサ壁部４６は、外壁部４４内のフェースプレート構造体４２内側表面上 に取着される。スペーサ壁部４６は通常外壁部４４よりも高い。詳細には、スペ ーサ壁部４６は外壁部４４よりフェースプレート構造体４２から遠方に、典型的 には外壁部４４よりフェースプレート構造体４２から平均して少なくとも５０μ ｍ遠方に延在する。構造体４２への外壁部４４の封止後に通常フェースプレート 構造体４２上に取着されるが、スペーサ壁部４６は、フェースプレート構造体− 外壁部封止部を形成する前に、構造体４２上に取着することもできる。その場合 には、フェースプレート構造体−外壁部封止温度は、スペーサ壁部４６の溶融を 避けるか、或いは破損しないように十分に低くする。 複合構造体４２／４４／４６は、（ａ）外壁部４４の上側縁部４４Ｓにより形 成される環状方形の封止領域及び（ｂ）ベースプレート構造体４０の内側表面に 沿った環状方形の封止領域４０Ｓに沿って構造体４０に気密封止されるようにな る。ベースプレート封止領域４０Ｓがベースプレート構造体４０上に配置される 場所を示すために、封止領域４０Ｓは第２図では濃い線により示され、第３図で は破線により示される。フェースプレート封止領域４２Ｔと同様に、これは例示 にすぎない。ベースプレート封止領域４０Ｓの位置を明確に特定する特徴は典型 的にはベースプレート構造体４０上に設けられない。第３図に示されるように、 封止領域４０Ｓの形状は壁縁部封止領域４４Ｓの形状に一致する。 ベースプレート構造体４０は封止領域４０Ｓの少なくとも一部、通常 その大部分に沿って透明である。ベースプレート構造体４０の不透明な電気的導 電性（通常金属）ラインが典型的には封止領域４０Ｓと交差する。その交差が生 じる場所では、これらの不透明なラインは十分に薄くし、本発明による縁部封止 領域４４Ｓに沿った外壁部４４の材料へのエネルギーの局部的伝達、或いは封止 領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体４０の材料へのエネルギーの局部的伝 達に著しい影響を与えないようにする。 ゲッタ（図示せず）が、封止領域４０Ｓ内のベースプレート構造体４０の内側 表面上、或いは外壁部４４内のフェースプレート構造体４２の内側表面上の何れ かに配置される。結果としてゲッタは、ベースプレート構造体４０が複合構造体 ４２／４４／４６に封止される際に形成される包囲体内に配置される。別法では 、ゲッタはベースプレートの外側表面上に取着される薄い補助区画内に配置され 、ベースプレート内の１つ或いはそれ以上の開口部を介して、並びにまた補助区 画の形状により、外壁部４４内の１つ或いはそれ以上の開口部を介して、プレー ト構造体４０と４２との間の包囲領域に到達可能になる。この場合、補助区画は 、ディスプレイ動作を制御するためにベースプレートの外側表面上に形成される 回路の著しく上まで延在することはなく、従ってフラットパネルディスプレイを 取り扱うのを著しく困難にすることはない。 ゲッタは、複合構造体４２／４４／４６へのベースプレート構造体４０の封止 中に、並びにそれに後続して生成される、気密封止フラットパネルディスプレイ 動作中に生成される汚染ガスを含む汚染ガスを収集する。ゲッタを動作させるた めの技術は、Maslennikov等による同時出願の国際特許出願 、弁理士 整理番号第Ｍ−４５２０ ＰＣＴに記載されており、その内容は参照して本明細 書の一部としており、ここではこれ以上繰り返さない。 適当な位置合わせ系（図示せず）を用いて、構造体４０及び４２／４４／４６ は第２ｂ図に示されるように互いに対して位置付けられる。これは、封止領域４ ０Ｓ及び４４Ｓ（第２ｂ図において垂直をなす）を位置合わせする過程と、ベー スプレート構造体４０の内側表面をスペーサ壁部４６の遠隔（第２ｂ図における 上側）縁部に接触させる過程とを伴う。位置合わせは選択的に非真空環境、通常 室内圧力で、プレート構造体４０及び４２上に設けられた位置合わせマークを用 いて実行される。詳細には、ベースプレート構造体４０は選択的にフェースプレ ート構造体４２に位置合わせされ、それによりベースプレート封止領域４０Ｓが 上側壁縁部４４Ｓに位置合わせされるようにする。 構造体４２／４４／４６に対して構造体４０を位置合わせする際に、種々の技 術を用いて、スペーサ壁部４６をベースプレート構造体４０に対する所定の位置 に確実に静止させることができる。例えばスペーサ壁部４６を構造体４０の内側 表面に沿って設けられた浅い溝部(図示せず)に挿入させることができる。溝部は 構造体４０の内側表面の平面下側に延在するか、或いは構造体４０の内側表面の 平面上側に延在する構造体内に設けられることができる。 スペーサ壁部４６がベースプレート構造体４０に固定される方法にかかわらず 、ギャップ４８が、位置合わせした封止領域４４Ｓと４０Ｓとの間に延在するよ うに、スペーサ壁部４６は外壁部４４より十分に高くされる。封止プロセスのこ の段階では、ギャップ４８は通常、封止領域４０Ｓ及び４４Ｓの全（方形）長に 沿って延在する。最小でも、ギャップ４８は封止領域長の少なくとも５０％に沿 って延在する。通常ギャップ４８の平均高は２５−１００μｍの範囲内にあり、 典型的には７５μｍである。その平均ギャップ高は容易に、少なくとも３００μ ｍにすることができる。 位置合わせ系内に配置された構造体４０及び４２／４４／４６を用いて、複合 構造体４２／４４／４６へのベースプレート構造体４０の封止に対する予備過程 として、部分溶着作業が部分的に封止されたフラットパネルディスプレイ上で実 行される。部分溶着作業は構造体４２／４４／４６に対する所定の位置に構造体 ４０を保持する役割を果たす。 部分溶着作業は種々の方法において行われることができる。第２図のプロセス では、部分溶着作業はレーザ５０を用いて実行され、位置合わせされた封止領域 ４０Ｓ及び４４Ｓに沿ったいくつかの個別の位置において構造体４２／４４／４ ６に構造体４０を部分溶着する。第２ｃ図を参照されたい。フラットパネルディ スプレイの部分溶着部がレーザ５０による部分溶着中に高温まで上昇するため、 全加熱作業は、構造体４０及び４２／４４／４６を２５−３００℃の部分溶着バ イアス温度まで上昇するために、レーザ部分溶着直前に構造体４０及び４２／４ ４／４６上で実行されてもよい。温度を上昇させることにより、部分溶着される 領域に沿った応力は軽減され、それにより割れが生じる危険性が低減される。 レーザ５０は、そのレーザビーム５２が各部分溶着位置においてベースプレー ト構造体４０の透明材料を通過し、外壁部４４の対応する上側部分に入力するよ うに配列され、その間位置合わせされた構造体は非真空環境にある。ビーム５２ からの光（光子）エネルギーは、ベースプレート構造体４０を介して、封止領域 ４４Ｓに沿った外壁部４４の上側部分まで局部的に伝達される。これにより外壁 部４４の部分４４Ａは、ギャップ４８を跳躍し、封止領域４０Ｓの対応する部分 においてベースプレート構造体４０と接触するようになる。 より詳細には、外壁部４４は封止領域４４Ｓの縁部において角部を備える。ビ ーム５２の光エネルギー部分溶着位置において外壁部４４に局 部的に伝達されるに従って、外壁部４４の一部が、急速に光エネルギーにより溶 融される。表面張力により、外壁部４４の溶融された部分が球形になる。封止領 域４４の角部における溶融材料は、部分溶着位置において領域４４Ｓの中央部に 向かって移動する。これにより領域４４Ｓの中央部における材料が上方に移動す るようになる。 外壁部４４の溶融部分に含まれるか、或いは溶融の結果として生成されるガス は、部分溶着位置における外壁部４４の上方向への膨張の原因となることがある 。また外壁部４４の成分及び局部的なエネルギー伝達の条件（例えば封止領域４ ４Ｓに沿った外壁部温度）により、縁部４４Ｓに沿った外壁部４４の材料は、そ の材料の密度が減少する相変化を被る場合がある。それに伴って封止領域４４Ｓ に沿った外壁部４４の材料の体積が増加することにより、その材料は封止領域４ ０Ｓに向かって膨張するようになる。いずれの場合でも、部分溶着位置における 上側突出部分４４Ａはベースプレート構造体４０と接触する。レーザビーム５２ が各上側突出部分溶着部４４Ａを越えて移動した後、その部分溶着部４４Ａは冷 却されて硬質になる。 レーザ５０は、レーザビーム５２が１つの主要波長を有し、封止領域４４Ｓに 沿った外壁部４４の材料がその波長で発生するビーム5２の光エネルギーを吸収 し、一方封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体４０の透明材料がその波 長で発生したビーム５２の光エネルギーをほとんど吸収しないという条件で、い くつかの種々のタイプのレーザを用いて実装されることができる。外壁部４４が 上記Ｆｅｒｒｏ ２００４フリット複合材のようなフリットを用いて形成される 場合には、封止領域４４Ｓに沿った外壁部４４の材料は０．２μｍ未満から１０ μｍを超える範囲に延在する波長帯域内の光を吸収する。これは０．３８μｍか ら０．７８μｍまで連続する全可視光領域を含む。 封止領域４０Ｓに沿った構造体４０の透明材料が、波長が紫外線（「ＵＶ」） 領域における約０．３μｍから赤外線領域における約２．５μｍまで延在する帯 域内にある光を強く伝送するＳｃｈｏｔｔ Ｄ２６３ガラスのようなガラスから なる場合には、ビーム５２は約０．３−２．５μｍの範囲にある主要波長を有す る。光伝送に関してここで用いられる「強く」は、少なくとも９０％伝送するこ とを意味する。上記制限を仮定すると、レーザ５０は半導体ダイオードレーザ、 炭酸ガスレーザ（９０度だけオフセットしたビーム５２を有する）、ＵＶレーザ 或いはネオジムＹＡＧレーザであることができる。例えばレーザ５０がダイオー ドレーザである場合には、ビーム波長は典型的には０．８５μｍである。ビーム ５２の電力は典型的には２−５ｗである。 上方突出部分溶着部４４Ａは、ベースプレート構造体４０を複合構造体４２／ ４４／４６に堅固に接続する。部分溶着部４４Ａの形成により、ギャップ４８は 部分的に閉塞される。第２ｃ図における部分４８Ａは、全ての部分溶着部４４Ａ が生成された後のギャップ４８の残り部分を示す。全加熱作業が初期段階で構造 体４０及び４２／４４／４６上で実行され、レーザ部分溶着中の応力を軽減する 場合に、部分溶着されたディスプレイを室温まで冷却するものと仮定すると、こ れにより構造体４０の構造体４２／４４／４６への部分的な封止が完了する。 部分溶着／部分的封止フラットパネルディスプレイは位置合わせ系から取り出 され、気密封止を完了するための作業を実行するために第２ｄ図に示されるよう に真空チャンバ５４内に配置される。その後真空チャンバ５４は１０^-2ｔｏｒｒ 以下の圧力、典型的には１０^-6ｔｏｒｒ以下の圧力で高真空レベルまで汲気され る。選択的にゲッタ（図示せず）を動作させた後、フラットパネルディスプレイ の温度は２００−３５０℃、典型的には３００℃のバイアス温度まで上昇する。 温度の上昇は通常約 ３−５℃／分の上昇率で概ね線形に実行される。上昇させた温度が封止領域４０ Ｓ及び４４Ｓに沿った材料における応力を軽減することにより、ディスプレイに 割れが生じる危険性を低減する。 部分溶着されたフラットパネルディスプレイの構成要素は、温度上昇中及びデ ィスプレイ封止前のバイアス温度での後続の「均熱」時間中にガスを発生する。 そのガスは典型的には不要であり、ディスプレイ構造体内に捕捉されていたもの であり、真空チャンバ５４の非占有部分に入り、その圧力を上昇させる。ベース プレート構造体４０が複合構造体４２／４４／４６に完全に封止された後に生成 される包囲体からこれらのガスを除去するために、チャンバ５４において封止作 業中に、チャンバ５４の汲気が継続される。もし動作させるなら、部分的に完了 した包囲体内に含まれる（図示しない）ゲッタが、温度上昇及び後続の均熱中に 不要なガスを収集する際の助力となる。 レーザビーム５８を生成するレーザ５６は真空チャンバ５４の外側に配置され る。レーザ５６は、レーザビーム５８がチャンバ５４の（透明な）窓部５４Ｗを 通過し、その後ベースプレート構造体４０の透明材料を通過することができるよ うに配列される。窓部５４Ｗは典型的には石英からなる。 レーザビーム５８が１つの主要波長を有し、真空チャンバ５４内の窓部５４Ｗ 及び封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体４０の透明材料のいずれにお いても、その波長で移動するビームの光エネルギーが吸収されないものと仮定す ると、レーザ５６はいくつかの種々の異なるタイプのレーザであることができる 。典型的には石英が窓部５４Ｗに用いられ、波長が０．２μｍから約３μｍまで 延在する帯域の光を強く伝送する。封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造 体４０の透明材料は約０．３μｍから約２．５μｍまでの波長帯域内にある光を 強く伝送 するガラスからなる場合、ガラス伝送帯域は石英伝送帯域に含まれる。この例で はビーム５８は石英及びガラスのいずれをも通過しなければならないため、ビー ム５８は約０．３−２．５μｍの範囲にある主要波長を有し、それはまさに部分 溶着作業において用いられるレーザ５０のビーム５２が有する波長である。従っ てレーザ５６は、レーザ５０の場合に上記した任意のタイプのレーザであること ができる。レーザ５６がダイオードレーザである典型的な場合には、ビーム５８ は０．８５μｍの主要波長を有する。ビーム５８の電力は典型的には２−５ｗで ある。 高真空レベルの真空チャンバ５６の圧力及び上記範囲にあるバイアス温度にお いて部分的に封止されたフラットパネルディスプレイを用いる場合、レーザビー ム５８及びディスプレイは、ビーム５８が位置合わせされた封止領域４０Ｓ及び ４４Ｓを概ね完全に通過するように互いに対して動かされる。すなわちビーム５ ８は封止領域４０Ｓ及び４４Ｓに沿ったある場所で開始し、元の場所に到達する まで、方形パターンをなしてその場所から（ディスプレイに対して）移動する。 第２ｄ図は、フラットパネルディスプレイが、封止領域４０Ｓ及び４４Ｓに沿っ たビーム５８の通過中に、中間的な場所において如何に現れるかを示す。レーザ ビーム５８は典型的には、ディスプレイに対して約１ｍｍ／秒の速度で移動をす る。必要な場合には、ビーム５８は部分溶着部４４Ａを跳躍することができる。 レーザビーム５８が封止領域４０Ｓ及び４４Ｓを横断する場合、光エネルギー はベースプレート構造体４０を介して、ギャップの残り部分４８Ａに沿った外壁 部４４の上側材料まで局部的に伝達される。局部的なエネルギーの伝達によりそ の光エネルギーを照射された外壁部４４の材料は溶融し、残りのギャップ４８Ａ を跳躍するようになる。ここでのギャップ跳躍機構は、初期段階のギャップ跳躍 部分溶着作業中に生じたギ ャップ跳躍機構と基本的に同じである。封止領域４４に沿って溶融した壁材料は 、ビーム５８が通過した後に硬化する。 ギャップの残り部分４８Ａは、レーザ５６による封止作業中に徐々に閉塞する 。残りのギャップ４８Ａが閉塞するに従って、ベースプレート構造体４０への外 壁部４４の封止により形成される包囲体内に存在するガスが、ギャップ４８の残 りの部分を徐々に減少することにより包囲体から流出する。ギャップの残り部分 ４８Ａの完全な閉塞は、ビーム５８が封止領域４０Ｓ及び４４Ｓの方形横断を完 了する際に生じる。 レーザ５６による封止作業が完了した後、封止されたフラットパネルディスプ レイが概ねバイアス温度にある間に、（図示されない）ゲッタが動作する（封止 作業前に動作させた場合には再動作する）。その後ディスプレイの温度は室温に 戻される。ここで用語「室温」は外部（通常屋内）大気温度、典型的には約２０ −２５℃を意味する。 室温までの冷却は、瞬時冷却速度が約３−５℃／分の値を超えないように制御 される。熱冷却サイクルの初期段階の自然冷却速度は通常３−５℃／分を超える ため、そのサイクルの最初の部分では熱が加えられ、３−５℃／分の範囲の選択 値に冷却速度を保持する。自然冷却速度が概ね選択値になる温度に到達し、その 後徐々に速度がゼロまで減少して、フラットパネルディスプレイが典型的には自 然に冷却されるようになるまで、加熱を徐々に減少させる。別法では、冷却速度 を上げるために冷却サイクルのこの部分において強制冷却が用いられてもよい。 その後チャンバ圧力は室内圧力まで上昇し、完全に封止されたフラットパネル ディスプレイが真空チャンバ５４から取り出される。ここで用語「室内圧力」は 外部大気圧、通常約１気圧を意味する。別法では、封止されたディスプレイを室 温まで冷却する前に、チャンバ圧力を室内圧力まで上昇させてもよい。いずれの 場合においても、第２ｅ図は、その 最終的な構造体を示す。封止されたフラットパネルディスプレイの成形体４４Ｂ は、外壁部４４の封止された形状を示す。 封止されたフラットパネルディスプレイが室温まで戻された後、ゲッタが再動 作する。ゲッタの再動作は、ディスプレイが真空チャンバ５４内にあるか、或い はディスプレイをチャンバ５４から取り出した後実行されることができる。 高真空環境内で全体的に第２ｄ図の最終的なレーザ封止を実行する代わりに、 ベースプレート構造体４０への複合構造体４２／４４／４６の最終的なギャップ 跳躍レーザ封止が、概ね乾燥窒素或いはアルゴンのような不活性ガスからなる化 学的に中性な（すなわち概ね無反応な）環境内で行われることができる。その後 最終的なギャップ跳躍封止は高真空環境内で完了する。中性環境／真空混成技術 を用いることは、乾燥窒素或いは不活性ガス内で封止されるフリットが、高真空 内で封止される別の同一のフリットより低い孔隙率を有し、それゆえ高密度を有 するという事実を利用する。従って中性環境／真空混成技術を用いることにより 、中性環境内でベースプレート構造体４０に封止される外壁部４４のフリットの 部分は、漏れを生じる危険性が少なく、それにより封止されたフラットパネルデ ィスプレイの全気密度を改善する。また乾燥窒素或いは不活性ガス内でのフリッ トの封止は、良好なウェッティング及び低誘電率角部封止を実現し、さらに全気 密度を改善するようになる。 中性環境／真空混成代替法における最終的な封止作業は、第２ｃ図の部分溶着 された構造体を用いて開始され、ギャップの残り部分４８Ａがベースプレート構 造体４０と複合構造体４２／４４／４６との間に存在する。部分溶着された構造 体が真空チャンバ５４内に配置される。チャンバ５４内の圧力は低い値、典型的 には１０^-2ｔｏｒｒ以下の高真空レベルまで減少する。圧力を高真空レベルまで 減少することにより、部分 溶着された構造体の腐食が防止される。部分的に封止されたフラットパネルディ スプレイは、上記方法において２００−３５０℃、典型的には３００℃のバイア ス温度まで加熱される。温度上昇中に再びガスが発生する。 乾燥窒素或いはアルゴンは真空チャンバ５４の後方に充填され、チャンバ５４ が乾燥窒素で充填される場合、チャンバ圧力を３００−７６０ｔｏｒｒ、典型的 には７６０ｔｏｒｒ（１気圧）まで上昇させる。レーザビーム５８が位置合わせ した封止領域４０Ｓ及び４４Ｓの（環状）長さの実質的な一部を横断するように レーザ５６が操作される。レーザビーム５８が封止領域長の１０％だけ横断する 際に著しく改善することができるが、ビーム５８は通常少なくとも２５％、好適 には少なくとも５０％封止領域長を横断する。構造体４０及び４２／４４／４６ が乾燥窒素或いはアルゴン環境内ある間に、ビーム５８により横断される壁部封 止領域４４Ｓの一部に沿った外壁部材料を介して光エネルギーを局所的に伝達す ることから生じるギャップ跳躍により、ベースプレート構造体４０がビーム５８ により横断された封止領域４４の一部に沿った外壁部４４に封止されるようにな る。 第３図では、外壁部４４は左側副壁部４４Ｌ、上側副壁部４４Ｔ、右側副壁部 ４４Ｒ及び下側副壁部４４Ｂからなる。レーザビーム５８は通常、構造体４０及 び４２／４４／４６が乾燥窒素或いはアルゴン環境内にある間に、副壁部４４Ｌ 、４４Ｔ、４４Ｒ及び４４Ｂのうちの少なくとも２つの隣接する副壁部、例えば ４４Ｌ及び４４Ｔの全長に沿った壁部封止領域４４Ｓの部分を通過する。ビーム ５８は、ギャップ跳躍レーザ封止作業の中性環境ステップ中に、外壁部４４の全 ての４つの角部を含む副壁部４４Ｌ、４４Ｔ、４４Ｒ及び４４Ｂの４つの全長に 沿った封止領域４４Ｓの部分を通過することが好ましい。 乾燥窒素或いはアルゴン内において部分的な封止が完了したとき、真空チャン バ５４は１０^-2ｔｏｒｒ未満、典型的には１０^-6ｔｏｒｒ以下の圧力の高真空レ ベルまで汲気される。所望の真空レベルに到達した後、ゲッタを動作させ不要な ガスを収集することができる。封止作業の残りの部分が上記のように完了される が、レーザビーム５８が封止領域４０Ｓ及び４４Ｓの長さの未封止の部分を超え て著しく横断することはないという点が異なる。第２ｅ図は再び、温度は室温ま で戻され、チャンバ５８の圧力が室内圧力に戻され、さらにフラットパネルディ スプレイがチャンバ５４から取り出された後の最終的な封止フラットパネルディ スプレイを示す。 レーザ部分溶着及び最終的なギャップ跳躍レーザ封止作業の一部として、封止 領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体４０の材料が、縁部封止領域４４Ｓに 沿った外壁部４４の材料の溶融温度近くの温度まで局部的に加熱されることがで きる。封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体材料は通常、封止領域４４ Ｓに沿った外壁部材料より著しく高い溶融温度を有し、その加熱中に溶融しない 。例えば封止領域４４Ｓに沿った外壁部材料が４００−５００℃で溶融し、封止 領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体材料が７００℃で溶融する場合、封止 領域４４Ｓに沿ったベースプレート構造体材料は、封止領域４４Ｓに沿った外壁 部材料の概ね溶融温度まで安全に局部的に上昇させることができる。そうするこ とによりベースプレート構造体４０と外壁部４４との間の境界面に沿った封止材 料において応力を軽減することができる。 封止領域４４Ｓに沿った外壁部４４の材料の溶融温度に近い温度まで封止領域 ４４Ｓに沿ったベースプレート構造体４０の材料を上昇させることは、フラット パネルディスプレイが既に２００−３５０℃の所望のバイアス温度にある時点で 実行される。その結果、外壁部４４の著しく 高い溶融温度までディスプレイ全体を上昇させる過程を伴う大量の時間を延長す る必要もなく、ディスプレイ動作中に最終的に封止された包囲体内に発生し、デ ィスプレイを劣化させてしまうかもしれないガスを発生させるのに十分な高い温 度で、ディスプレイ全体において応力が軽減される。 縁部封止領域４４Ｓに沿った外壁部材料の溶融温度にまでその材料を上昇させ る際に、ある付加的な発生ガスが封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体 材料から発生する。しかしながら、ディスプレイ全体を２００−３５０℃のバイ アス温度にまで加熱すると共に、封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体 材料を外壁部材料のより高い溶融温度にまで上昇させることにより、ディスプレ イの他の部分が高温まで上昇し、ディスプレイのその部分から不要なガスを発生 し、ディスプレイ内の能動素子を損傷するようになるのが避けられる。従ってデ ィスプレイ全体を適度に高いバイアス温度まで加熱すると共に、さらに封止領域 ４０Ｓに沿ったベースプレート構造体を封止領域４４に沿った外壁部材料の溶融 温度に近いより高い温度まで上昇させることより、非常に大きな利点がもたらさ れる。 第２ｂ^*図及び第２ｃ^*図は、封止領域４４Ｓに沿った外壁部４４の材料の溶融 温度に近い温度まで封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体４０の材料を 局部的に加熱するための技術を示す。第２ｂ図の位置決め過程の終了後で、上方 に突出する部分溶着部４４Ａが第２ｃ図のレーザ５０により生成される前に、レ ーザ４９を用いて第２ｂ^*図に示されるような部分溶着部４４Ａに対する所定位 置と反対側をなす封止領域４４Ｓに沿ったベースプレート構造体材料の部分に局 部的に光エネルギーを伝達する。レーザ４９はレーザビーム５１を発生し、封止 領域４４Ｓに沿った外壁部材料の溶融温度に近い選択された部分溶着促進温度ま でベースプレート構造体材料のこれらの部分を上昇させる。部分溶着促進温度は 典型的には、封止領域４４Ｓに沿った外壁部材料の溶融温度より低い。簡単にす るために、レーザ５９も動作させ、部分溶着促進温度まで封止領域４０Ｓに沿っ たベースプレート構造体材料の残りの部分を上昇させてもよい。 レーザビーム５１は、封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体４０の透 明材料の伝送帯域外側にある主要波長を有する。例えば封止領域４０Ｓに沿った ベースプレート構造体４０の透明材料が約０．３μｍから２．５μｍまでの帯域 の波長の光を強く伝送するガラスからなり、外壁部４４が０．２μｍ未満から１ ０μｍを超える帯域内にある波長の光を吸収するフリットからなるとき、レーザ ビーム５１は０．２μｍ未満から約０．３μｍまでの下側領域内か、或いは約２ ．５μｍから１０μｍを超える上側領域内の主要波長を有する。さらにビーム５ １は封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体４０の透明材料の伝送帯域内 にあるいかなる主要波長も有さない、すなわち封止領域４０Ｓに沿った透明なベ ースプレート構造体材料がＳｃｈｏｔｔ Ｄ２６３ガラスのようなガラスからな るときに、約０．３μｍ〜２．５μｍ波長帯域内にはない。 第２ｃ図のレーザ部分溶着ステップが終了し、部分溶着されたフラットパネル ディスプレイが真空チャンバ５４内に配置された後、ギャップの残り部分４８Ａ が、第２ｄ図のレーザからの局所的なエネルギー伝達により橋絡される前に、レ ーザ５５を用いて、第２ｃ^*図に示されるように封止領域４０Ｓに沿ったベース プレート構造体４０の材料の部分にチャンバ５４の窓部５４Ｗを介して局所的に 光エネルギーを伝達する。レーザ５５はレーザビーム５７を発生し、外壁部材料 の溶融温度に近い選択された封止促進温度まで封止領域４０Ｓに沿ったベースプ レート構 造体材料を上昇させる。封止促進温度は典型的には、封止領域４４Ｓに沿った外 壁部材料の溶融温度に概ね等しい。レーザ５６のレーザビーム５８と同様に、レ ーザビーム５７は著しく吸収されることなくチャンバ窓部５４Ｗを通過する。同 様にレーザ５５はビーム５７が部分溶着部４４Ａと反対側をなすベースプレート 構造体材料の部分を跳躍するように動作してもよい。 レーザビーム５７はチャンバ窓部５４Ｗの伝送帯域内にあるが、封止領域４４ Ｓに沿ったベースプレート構造体４０の透明材料の伝送帯域外にある主要波長を 有する。例えば窓部５４Ｗが、波長が約０．２μｍから３μｍに延在する帯域内 ある光を強く伝送する石英からなり、さらに封止領域４０Ｓに沿ったベースプレ ート構造体４０の透明材料が約０．３μｍ〜２．５μｍ波長帯域内の光を強く伝 送するガラスからなる場合に、外壁部４４が０．２μｍ〜１０μｍ波長帯域内の 光を吸収するフリットからなるとき、ビーム５７は０．３−０．３μｍの適当な 下側領域内にあるか、或いは２．５−３μｍの適当な上側領域にある主要波長を 有する。 レーザビーム５７に対する上記波長領域が不当に狭い場合、窓部５４Ｗに典型 的に用いられる石英は、波長が約０．２μｍから１０μｍを超えて延在する光を 強く伝送するセレン化亜鉛のような透明材料と置き換えることができる。そのと きビーム５７は２．５μｍから１０μｍを超える適当な上側領域内の主要波長を 有することができる。レーザビーム５１と同様にビーム５７は通常、封止領域４ ０Ｓに沿ったベースプレート構造体４０の透明材料の伝送帯域内の主要波長を有 さない、すなわち封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体４０の透明材料 がＳｃｈｏｔｔ Ｄ２６３ガラスのようなガラスから形成される場合、概ね０． ３μｍ〜２．５μｍ波長帯域内に存在しない。 レーザ４９及び５５は、特定の波長領域内に入る波長帯域の光を供給するが、 特定領域の外側の波長帯域の光を与えない焦点ランプに置き換えることができる 。例えば、封止領域４０Ｓ及び４４Ｓに沿ったベースプレート構造体４０及び外 壁部４４の材料が上記のような典型的な伝送／吸収特性を有し、窓部５４Ｗが石 英からなる場合、レーザ４９は、０．２μｍ未満の下側波長領域並びにまた３μ ｍより大きい上側波長領域に入る波長帯域の光を伝送する焦点ランプと置き換え ることができる。その後レーザ５５は０．２−０．３μｍの下側波長領域或いは ２．５−３μｍの概ね上側の波長領域内に入る波長帯域の光を伝送する焦点ラン プと置き換えることができる。窓部５４が石英ではなく、セレン化亜鉛を用いて 形成される場合には、レーザ５５を置き換える焦点ランプの波長帯域に対する上 側領域は概ね２．５−１０μｍである。選択された帯域の波長（周波数）を強く 減衰するフィルタを焦点ランプに用いて、焦点ランプが自然に除去しない場合に 不要な波長帯域の光を除去する。 第２ｃ’図及び第２ｄ’図は、縁部封止領域４４Ｓに沿った外壁部４４の材料 の溶融温度に近い温度まで封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体４０の 材料を局部的に加熱するための別の技術を示す。第２ｃ’図及び第２ｄ’図の技 術と第２ｄ^*図及び第２ｃ^*図の技術との間の差は、第２ｂ^*図及び第２ｃ^*図では 封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体材料の局部的な加熱が、封止領域 ４４Ｓに沿った外壁部４４の材料を局部的に加熱するためにレーザ５０及び５６ を利用する前にそれぞれ実行されるのに対して、第２ｃ’図及び第２ｄ’図の技 術では封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体材料の局部的な加熱が、レ ーザ５０及び５６を用いて、封止領域４４Ｓに沿った外壁部材料を局部的に加熱 するのと同時にそれぞれ実行されるという点である。第２図のプロセスでは、第 ２ｃ’図のステップが第２ｃ図のステップと入れ替 わり、一方同様に第２ｄ’図のステップが第２ｄ図のステップと入れ替わる。 レーザ５０は部分溶着作業において用いられ、２つ或いはそれ以上の個別の部 分溶着波長領域内に入る波長のレーザビーム５０Ａを発生する。第２ｃ’図を参 照されたい。これらの部分溶着波長領域の１つであるビーム５０Ａのエネルギー は、部分溶着部４４Ａに対する所定位置と反対側をなす封止領域４４Ｓに沿った ベースプレート構造体材料の部分の温度を、封止領域４４Ｓに沿った外壁部材料 の溶融温度に近い選択された部分溶着促進温度まで局部的に上昇させる。再び部 分溶着促進温度は典型的には、封止領域４４Ｓに沿った外壁部材料の溶融温度よ り低い。 この部分溶着波長領域のビームエネルギーが、部分溶着促進温度まで封止領域 ４０Ｓに沿ったベースプレート構造体４０の部分を上昇させるのと同時に、別の 波長領域のレーザビーム５０Ａのエネルギーが、封止領域４４Ｓに沿った外壁部 材料の部分に局部的に伝達され、部分溶着部４４Ａを形成するギャップ跳躍を生 じるようになる。部分溶着位置において外壁部材料に同時に局部的に伝送される 光エネルギーの総量に対する所定の部分溶着位置におけるベースプレート構造体 材料に局部的に伝送される光エネルギーの総量は、部分溶着位置におけるベース プレート構造体４０及び外壁部４４の材料の成分に対するビーム５０Ａの場合、 その波長領域において与えられる電力を含む波長領域を適当に選択することによ り制御される。このようにして部分溶着促進温度の値は、縁部４４Ｓに沿った外 壁部材料の溶融温度に対して制御される。 封止領域４４Ｓに沿ったベースプレート構造体材料が約０．３μｍから２．５ μｍの領域内の光を伝送するガラスからなり、外壁部４４が０．２μｍ未満から １０μｍより大きい波長帯域の光エネルギーを吸収するフリットからなるような 上記典型的なディスプレイ値を考慮されたい。 この場合にレーザビーム５２は、（ａ）外壁部材料の部分を局部的に加熱して部 分溶着領域４４Ａを生成するための約０．３−２．５μｍの領域の第１の主要波 長と、（ｂ）部分溶着部分４４Ａと反対側をなすベースプレート構造体材料の部 分を部分溶着促進温度まで加熱するための０．２μｍ未満から約０．３μｍまで に延在する下側領域内か、或いは約２．５μｍから１０μｍを超えて延在する上 側領域内にある別の主要波長とを有する。これらの部分溶着波長領域は、境界を 共有する場合であっても区別される。 レーザ５６は、部分溶着されたフラットパネルディスプレイが真空チャンバ５ ４内にある間に、最終的なギャップ跳躍レーザ封止において用いられ、チャンバ 窓部５４Ｗの波長伝送帯域の端部により画定される２つ或いはそれ以上の個別の 封止波長領域内に入る波長においてレーザビーム５８Ａを発生する。これらの封 止波長領域の１つであるレーザビーム５８Ａのエネルギーは、封止領域４４Ｓに 沿った外壁部材料の溶融温度に近い選択された封止促進温度まで封止領域４０Ｓ に沿ったベースプレート構造体材料の温度を上昇させる。再び封止促進温度は典 型的には、封止領域４４Ｓに沿った外壁部材料の溶融温度にほぼ等しい。 この波長領域におけるビームエネルギーが封止領域４４Ｓに沿ったベースプレ ート構造体材料を封止促進温度まで上昇させるのと同時に、選択された波長領域 の別の１つであるレーザビーム５８Ａのエネルギーは、封止領域４４Ｓに沿った 外壁部材料に局部的に伝送され、ギャップの残り部分４８Ａを完全に閉塞するギ ャップ跳躍部を生成する。第２ｃ’図の部分溶着作業と同様に、封止領域４４Ｓ に沿った外壁部材料に局部的に伝達される光エネルギーの総量に対する封止領域 ４０Ｓに沿ったベースプレート構造体材料に局部的に伝送される光エネルギーの 総量は、ギャップの残り部分４８Ａに沿ったベースプレート構造体４０及び外壁 部 ４４の材料の成分に対するビーム５８Ａの場合、これらの波長領域内に与えられ る電力を含む波長領域を適当に選択することにより制御される。これにより封止 促進温度の値は、縁部４４Ｓに沿った外壁部材料の溶融温度に対して制御される ようになる。レーザ５６は、部分溶着部４４Ａ及びその部分４４Ａと反対側をな すベースプレート構造体４０の部分を跳躍するように動作してもよい。 外壁部４４は少なくとも０．２μｍ〜１０μｍ波長帯域の光を吸収するフリッ トを用いて形成され、さらに封止領域４４Ｓに沿ったベースプレート構造体の材 料が約０．３μｍ〜２．５μｍ波長帯域の光を強く伝送するガラスを用いて吸収 され、チャンバ窓部５４Ｗが概ね０．２μｍから３μｍの範囲の波長帯域内の光 を強く伝送する石英を用いて形成されるような上記典型的なディスプレイ／チャ ンバ窓部値を考慮されたい。そのときレーザビーム５８は、ギャップ跳躍により ギャップ４８Ａを閉塞するように封止領域４４Ｓに沿った外壁部材料を局部的に 加熱するための約０．３−２．５μｍの領域にある１つの主要波長と、（ｂ）封 止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体材料を封止促進温度まで加熱するた めの約０．２μｍから０．３μｍまで延在する下側領域内か、或いは約２．５μ ｍから３μｍまで延在する上側領域内にある別の主要波長を有する。 封止領域４４Ｓに沿ったベースプレート構造体材料を封止促進温度まで加熱す るための前記波長領域が不当に狭い場合、チャンバ窓部５４Ｗに典型的に用いら れる石英は再びセレン化亜鉛のような少なくとも０．２μｍ〜１０μｍ波長帯域 内の光を強く伝送する透明材料と置き換えられることができる。封止領域４４Ｓ に沿ったベースプレート構造体材料を封止促進温度まで加熱するための上側波長 領域は、その時２．５−１０μｍに延長することができる。 レーザ５０は、第２ｃ’図のステップの場合に上記所与の部分溶着波長領域に 入る波長帯域の光を発生する焦点ランプと置き換えられてもよい。同様にレーザ ５６は、第２ｄ’図のステップの場合の上記所与の封止波長領域内に入る波長帯 域内の光を発生する焦点ランプと置き換えられてもよい。再び波長（周波数）フ ィルタを焦点ランプに利用して、不要な波長帯域の光を除去することができる。 第２ｄ’図の最終的なギャップ跳躍レーザ封止は、第２ｄ図の最終的なレーザ 封止の場合に上記したのと同じようにして中性環境／真空混成技術を用いて実行 することができるが、第２ｄ図のレーザビーム５８が第２ｄ’図ではレーザビー ム５８に置き換えられている点が異なる。また第２ｃ^*図における封止促進温度 までの封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体材料の局部的な加熱は、乾 燥窒素或いはアルゴンのような不活性ガス内で開始され、第２ｄ図のプロセスの 場合に上記したのと同じように高真空環境内で完了することができる。すなわち 部分的に仕上げられたられたフラットパネルディスプレイが真空チャンバ５４内 にある間に以下のプロセスを利用することができる。（ａ）封止領域４０Ｓに沿 ったベースプレート構造体材料の少なくとも一部が、乾燥窒素或いはアルゴンに おいて部分溶着促進温度まで局部的に加熱される。（ｂ）ギャップの残り部分４ ８Ａの一部が乾燥窒素或いはアルゴンにおいて局部的なエネルギー伝達により橋 絡される。（ｃ）ギャップの残り部分４８Ａの少なくとも残りの部分に沿ってベ ースプレート構造体材料が高真空環境内で封止促進温度まで局部的に加熱される 。（ｄ）ギャップ４８Ａの残り部分が高真空環境内で局部的なエネルギー伝達に より橋絡される。 第４ａ図−第４ｅ図（集合的に「第４図」）は、複合構造体４２／４４／４６ に対して所定の位置にベースプレート構造体４０を保持するた めの部分溶着作業が、封止領域４０Ｓ及び４４Ｓから離隔した部分溶着用構造体 を用いて実行される、第２図の封止用プロセスの変形例を示す。第４図のプロセ スの場合の出発点は典型的には、第２ａ図の構造体であり、第４ａ図としてここ で繰り返される。第４ａ図に示される時点では、外壁部４４は、第２図のプロセ スの場合に上記したタイプの技術によりフェースプレート構造体４２に封止（或 いは結合）されている。第２ａ図の場合と同様に、第３ａ図は第４ａ図の構造体 の斜視図を示す。 部分溶着用構造体は典型的には、いくつかの横方向に離隔した部分溶着ポスト からなり、それぞれが柱状体６０及び部分溶着接着剤からなる上側をなす片部６ ２からなる。第４ｂ図を参照されたい。部分溶着ポスト６０／６２はフェースプ レート４２の内側表面上、通常外壁部４４の外側に形成される。例えば１つの部 分溶着ポスト６０／６２は典型的には、外壁部４４の４つの副壁部のそれぞれの 外側に設けられる。 部分溶着ポスト６０／６２は、フェースプレート構造体４２の内側表面に柱状 体６０を結合し、その後柱状体６０の上側に部分溶着接着剤の片部６２を堆積す ることにより形成される。柱状体６０は典型的には、着色された酸化アルミニウ ムからなる。部分溶着接着剤は典型的には、ＵＶ硬化性ポリマからなる。別法で は部分溶着接着剤は、部分溶着片部６２に配向されるか、或いは柱状体６０に配 向されるレーザビームを用いて硬化する材料であってもよいが、その場合柱状体 ６０から部分溶着片部６２まで熱エネルギーを伝送することにより部分溶着接着 剤が硬化する。また部分溶着接着剤は部分溶着片部６２上に熱ガスを吹き付ける ことにより硬化する材料であってもよい。 ベースプレート構造体４０及び複合構造体４２／４４／４６／６０／６２は、 その後第４ｃ図に示されるように互いに対して概ね位置合わせされる。第２図の プロセスと同様に、第４図のプロセスの位置合わせは、 ベースプレート封止領域４０Ｓを壁縁部封止領域４４Ｓ（第４ｃ図に垂直をなす ）に位置合わせし、その後ベースプレート構造体40の内側表面をスペーサ壁部４ ６の上側縁部に接触させる過程を伴う。同様にその位置合わせは非真空環境、通 常室内圧力で、プレート構造体４０及び４２上に設けられた位置合わせマークを 用いて行われ、封止領域４０Ｓ及び４４Ｓを位置合わせするように選択的に位置 合わせする。 スペーサ壁部４６がベースプレート構造体４０と接触する際に、部分溶着接着 剤片部６２が構造体４０と接触し、部分溶着ポスト６０／６２を構造体４０に結 合する。部分溶着ポスト６０／６２の合成高は、接着剤片部６２がベースプレー ト構造体４０と接触する際にわずかに圧縮されるように選択される。接着剤片部 ６２が適当な乾燥時間だけでは構造体４０に結合されない場合には、個別の作業 を実行して結合部を形成してもよい。位置合わせ／結合作業の終了時に、ギャッ プ４８が第４ｃ図に示されるように封止領域４０Ｓと４４Ｓとの間に存在する。 第２のプロセスと同様に、第４図のプロセスのギャップ４８は通常、封止領域４ ０Ｓ及び４４Ｓの全長に沿って延在する。 複合構造体４２／４４／４６／６０／６２に対するベースプレート構造体４０ の位置合わせ及び構造体４０に対する部分溶着ポスト６０／６２の結合は、適当 な位置合わせ系（図示せず）において実行される。部分溶着接着剤の特性により 、複合構造体４２／４４／４６／６０は、接着剤片部６２を柱状体６０上に堆積 する前或いは後に、位置合わせ系内に配置されてもよい。 部分溶着された構造体は位置合わせ系から取り出され、第４ｄ図に示されるよ うに真空チャンバ５４内に配置される。真空チャンバ５４は、１０^-2ｔｏｒｒ未 満、再び典型的には１０^-6ｔｏｒｒ以下の圧力の高真空レベルにまで汲気される 。その後ベースプレート構造体４０は、第２ 図のプロセスにおいてベースプレート構造体４０を複合構造体４２／４４／４６ に封止する場合に上記したのと概ね同様にして複合体４２／４４／４６／６０／ ６２に封止される。すなわち構造体を２００−３５０℃、典型的には３００℃の バイアス温度まで上昇させ、レーザ５６のビーム５８がベースプレート構造体４ ０の透明材料を通過し、位置合わせされた封止領域４０Ｓ及び４４Ｓを完全に横 断し、外壁部４４の上側材料がギャップ４８を橋絡するようにする。第４ｄ図は 、封止領域４０Ｓ及び４４Ｓに沿ったビーム５８の横断中の中間点を示す。 第４図のプロセスによる真空チャンバ５４内の封止作業は、第２図のプロセス による真空チャンバ５４内の封止作業に通常概ね同一であるが、第２図のプロセ スにおける外壁部４４の上方突出部分４４Ａが第４図のプロセスでは存在せず、 従って最終的な真空封止中に飛越されることができないという点で異なる。その 後第４ｄ図の封止されたフラットパネルディスプレイは、第２図のプロセスの場 合に規定されたような室温まで冷却され、真空チャンバ５４内の圧力は室内圧力 まで上昇する。第４ｅ図は、チャンバ５４から取り出された後の完全に封止され たフラットパネルディスプレイを示す。再び成形体４４Ｂは外壁部４４の封止形 状を表す。 第２ｄ図の最終的なレーザ封止が中性環境／真空混成技術により別に実行され ることができる第２図のプロセスと同様に、第４ｄ図におけるベースプレート構 造体４０への複合構造体４２／４４／４６の最終的なギャップ跳躍レーザ封止は 中性環境（例えば乾燥窒素或いはアルゴンのような不活性ガス）内で開始され、 高真空環境内で完了されることができる。第２図のプロセスにおけるレーザ生成 型部分溶着部４４Ａではなく、第４図のプロセスでは部分溶着ポスト６０／６２ を用いることから生じる差を除いて、中性環境／真空混成代替法が第２図のプロ セスと同 様に第４図のプロセスに適用される。従って第４ｅ図は、中性環境／真空代替法 が第４図のプロセスに適用される際に、最終的に封止されたフラットパネルディ スプレイが如何に現れるかを示す。また第２ｃ^*図或いは第２ｄ’図の変形例も 第４図のプロセスに適用されることができる。 第５ａ図−第５ｅ図（集合的に「第５図」）は、上記タイプのフラットパネル ディスプレイを気密封止するために、二重レーザ技術が本発明によるギャップ跳 躍と共に用いられる、第２図のプロセスの変形例を示す。二重レーザ技術は種々 の方法において実装されることができる。第４図のプロセスにおける部分溶着ポ スト６０／６２と類似の部分溶着用構造体を用いて二重レーザ封止技術を実行す る前に、互いに対して所定の位置にフラットパネルディスプレイの構成要素を配 置することができるが、フラットパネルディスプレイの構成要素は本発明による 二重レーザ部分溶着技術を用いて互いに部分溶着されることもできる。後者の部 分溶着技術が第５図に示される。 第５図に示される段階の開始時点では、ベースプレート構造体４０、フェース プレート構造体４２及び外壁部４４は全て互いから離隔される。しかしながらス ペーサ壁部４６はフェースプレート構造体４２上に設置される。 ベースプレート構造体４０は、ベースプレート封止領域４０Ｓ及び上側壁縁部 封止領域４４Ｓに沿った外壁部に封止されるようになる。フェースプレート構造 体４２は、下側壁縁部封止領域４４Ｔ及びフェースプレート封止領域４２Ｔに沿 った外壁部４４に封止されるようになる。再び濃い線を第５図に用いて、封止領 域４０Ｓ及び４２Ｔを画定する。フェースプレート４２は封止領域４２Ｔに沿っ て透過性を有する。 ベースプレート構造体４０、複合構造体４２／４６及び外壁部４４は、適当な 位置合わせ系（図示せず）を用いて第５ｂ図に示されるように互 いに位置合わせされる。これは、（ａ）壁縁部封止領域４４Ｔをフェースプレー ト封止領域４２Ｔ（第５ｂ図に垂直をなす）に位置合わせし、外壁部４４の下側 端部をフェースプレート構造体４２の内側表面に接触させる過程と、（ｂ）ベー スプレート封止領域４０Ｓを壁縁部封止領域４４Ｓ（再び第５ｂ図に垂直をなす ）に位置合わせする過程と、ベースプレート構造体４０の内側表面をスペーサ壁 部４６と接触させる過程とを伴う。位置合わせステップは非真空環境、通常室内 圧力で実行される。 再びスペーサ壁部４６は外壁部４４より高い。その結果、ギャップ４８が封止 領域４０Ｓと４４Ｓとの間に存在する。再び平均ギャップ高は、２５−１００μ ｍの範囲、典型的には５０μｍである。外壁部４４はフェースプレート構造体４ ２と概ね同一高に配置される。封止領域４４Ｔと４２Ｔとの間に著しいギャップ は存在しない。 位置合わせ系において位置合わせされた構造体を用いて、付加的な加熱作業が 第２図のプロセスにおいて上記したように実行され、部分溶着された領域におけ る応力を軽減する。その後部分溶着作業が、外壁部４４に対する所定の位置にプ レート構造体４２及び４０を配置するためにレーザ７０及び７２を用いて実行さ れる。第５ｃ図を参照されたい。 部分溶着作業は、位置合わせされた封止領域４４Ｔ及び４２Ｔに沿ったいくつ かの位置で、さらに位置合わせされた封止領域４０Ｓ及び４４Ｓに沿ったいくつ かの位置で実行される。レーザ７０は、そのレーザビーム７４がフェースプレー ト部分溶着位置でフェースプレート構造体４２の透明材料を通過するように配列 される。上側レーザ７２は、そのレーザビーム７６がベースプレート部分溶着位 置においてベースプレート構造体４０の透明材料を通過するように同様に配列さ れる。 封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体４０の透明材料及び封止領域４ ２Ｔに沿ったフェースプレート構造体４２の透明材料のいずれ も、約０．３−２．５μｍの波長帯域の光を伝送するガラスからなることが好ま しい。従って各レーザ７０及び７２は第２図のプロセスにおいてレーザ５０を実 装するために上記したレーザの任意のものを用いて実装されることができる。同 様に各レーザビーム７４及び７８の電力は２−５ワットである。 部分溶着作業は、単一レーザ部分溶着作業が第２図のプロセスにおいて行われ たのと基本的に同様にして各レーザ７０及び７２を用いて実行される。上側レー ザ７２の光エネルギーは、ベースプレート４０を介して、封止領域４４Ｓに沿っ たベースプレート部分溶着位置において外壁部４４の上側部分に局部的に伝達さ れる。レーザビーム７６を照射された壁部４４の上側部分は加熱され、溶融され る。その後この溶融した材料は上方に突出し、封止領域４４Ｓに沿った部分溶着 位置においてギャップ４８を橋絡する部分４４ｂを形成する。部分溶着部４４ｂ は、ベースプレート構造体４０を外壁部４４に堅固に接続する。第５ｃ図の部分 ４８Ｂはギャップ４８の残り部分である。 レーザビーム７４の光エネルギーは、フェースプレート構造体４２を介して、 封止領域４４Ｔに沿ったフェースプレート部分溶着位置において外壁部４４の下 側部分に局部的に伝達される。ビーム７４を照射された壁部４４の下側部分は加 熱され、溶融される。その後溶融した下側壁部材料は外壁部４４を封止領域４４ Ｔに沿ったフェースプレート部分溶着位置においてフェースプレート４２に結合 する。レーザ７０及び７２は典型的には、封止領域４４Ｓ及び４４Ｔに沿った一 対の対応する部分溶着位置から別の一対の対応する部分溶着位置に移動する際に 、同時にしかも縦列をなして動作する。全ての部分溶着が生成された後、部分溶 着された構造体は必要に応じて室温まで冷却される。 その部分溶着された構造体は位置合わせ系から取り出され、気密封止 を完了するために第５ｄ図に示されるように真空チャンバ７８内に配置される。 真空チャンバ７４は高真空レベルまで汲気される。その後部分溶着されたディス プレイ構造体は２００−３５０℃、再び典型的には３００℃のバイアス温度まで 上昇し、封止領域４０Ｓ及び４２Ｔに沿った材料内の応力を軽減する。温度の上 昇は典型的には、第２図のプロセスと同様にして実行される。温度上昇中に汲気 が継続され、温度が上昇するに従って、部分溶着された構造体から発生するガス を除去する。 レーザ８０及び８２からなる二重レーザシステムは真空チャンバ７８の外側に 配置される。レーザ８０及び８２はそれぞれレーザビーム８４及び８６を生成す る。下側レーザ８０は、レーザビーム８４がチャンバ７８の石英窓部７８Ｗを通 過し、その後封止領域４２Ｔに沿ったフェースプレート構造体４２の透明材料を 通過するように配列される。同様に上側レーザ８２は、レーザビーム８６がチャ ンバ７８の透明窓部７８Ｘを通過し、その後封止領域４０Ｓに沿ったベースプレ ート構造体４０の透明材料を通過するように配列される。チャンバ窓部７８Ｘは 典型的には石英からなる。 真空レベルのチャンバ圧力及び第２図のプロセスにおいて上記したバイアス温 度における部分溶着された構造体を用いて、レーザビーム８４及びディスプレイ は、ビーム８４が封止領域４２Ｔ及び４４Ｔに沿った方形経路を完全に横断する ように互いに対して移動する。同様にレーザビーム８６及びディスプレイが、ビ ーム８６が封止領域４０Ｓ及び４４Ｓに沿った方形経路を完全に横断するように 互いに対して移動する。レーザビーム８４及び８６は典型的には、同時に、かつ 縦列をなして動作する。第５ｄ図は、封止領域に沿ったレーザビーム８４及び８ ６の横断中の中間点を示す。必要に応じて、レーザビーム８４及び８６はそれぞ れフェースプレート及びバックプレート部分溶着位置を飛越すことがで きる。 上側レーザビーム８６が封止領域４０Ｓ及び４４Ｓを横断する際に、ビーム８ ６の光エネルギーは、第２図のプロセスと同様にギャップ４８Ａに沿った外壁部 ４４の材料に局部的に伝達される。その結果、外壁部４４の上側材料はギャップ ４８を跳躍し、ギャップを完全に閉塞する。同様に下側ビーム４８の光エネルギ ーは、封止領域４２Ｔに沿った外壁部４４の材料に局部的に伝達され、壁部４４ の下側壁部全体がフェースプレート構造体４２に封止されるようにする。フラッ トパネルディスプレイはここで気密封止される。 その後フラットパネルディスプレイの温度は室温まで冷却される。温度の冷却 は典型的には、第２図のプロセスと同様にして実行される。真空チャンバ７８内 の圧力を室内圧力まで上昇させた後、封止されたフラットパネルディスプレイは チャンバ７８から取り出される。第５ｅ図は最終的に封止されたフラットパネル ディスプレイを示し、成形体４４Ｃが外壁部４４の封止された形状を示す。汚染 ガスの除去は、第２図のプロセスと同様にして第５図のプロセス中に実行される 。 第２図及び第４図のプロセスの場合に上記した中性環境／真空混成代替法と同 様に、第５ｅ図におけるベースプレート構造体４０への複合構造体４２／４４／ ４６の最終的なギャップ跳躍レーザ封止は、中性環境(再び乾燥窒素或いはアル ゴンのような不活性ガス)において開始され、高真空内で完了されることができ る。第５図のプロセスに適用される場合、中性環境／真空混成代替法は、第２図 のプロセスの場合に上記した方法において実装されるが、以下の点が異なる。真 空チャンバ７８及びレーザ８２（レーザビーム８６を生成する）はそれぞれ、真 空チャンバ５４及びレーザ５６（レーザビーム５８を生成する）に置き換わる。 構造体４０及び４２／４４／４６が乾燥窒素或いはアルゴン環境内にある とき、第５図のプロセスにおけるレーザビーム８６は、第２図のプロセスにおい てレーザビーム５８が形成する位置合わせされた封止領域４０Ｓ及び４４Ｓの長 さの大部分に渡る横断を実行する。 第５図のプロセスにおけるレーザ８０のレーザビーム８４は、部分溶着された 構造体が乾燥窒素或いはアルゴン内にある間、位置合わせされた封止領域４２Ｔ 及び４４Ｔの長さの大部分に沿って移動することができるが、全てではない。ビ ーム８４の移動は、例えばギャップ跳躍レーザ封止の中性環境ステップ中にビー ム８６の移動と同時に行うことができる。別法では、レーザビーム８４は、部分 溶着された構造体が乾燥窒素或いはアルゴン環境内にある間、封止領域４０Ｔ及 び４２Ｔの全長を移動する。いずれの場合においても、第５ａ図は再び最終的に 封止されたフラットパネルディスプレイを示す。 レーザ部分溶着が第５図のプロセスにおいて用いられる際、第２ｂ^*図及び第 ２ｃ^*図の変形例或いは第２ｃ’図及び第２ｄ’図の変形例が第５図のプロセス に適用されることができる。部分溶着ポスト６０／６２に類似の部分溶着構造体 がレーザ部分溶着の場合の代替物として第５図のプロセスにおいて用いられる際 、第２ｃ^*図或いは第２ｄ’図の変形例が第５図のそのように変更されたプロセ スに適用されることができる。さらに第５図のプロセスにおける封止領域４２Ｔ に沿ったフェースプレート構造体４２の材料は、最終的なレーザ封止作業及び用 いるならレーザ部分溶着操作中に、封止領域４４Ｔに沿った外壁部４４の材料の 溶融温度に近い温度まで上昇させることができる。 ガス除去スロットが外壁部４４の縁部封止領域４４Ｓに沿って設けられ、第２ 図、第４図及び第５図の任意のプロセスにおける真空チャンバ５４或いは７４に おいて実行される気密封止作業中に、汚染ガスを除去するのを容易にすることが できる。第６図は、ガス除去スロット９０が 壁縁部封止領域４４Ｓに沿って設けられる際に複合構造体４２／４４／４６の断 面が如何に構成されるかを示す。第７図は、ガス除去スロット９０を備える構造 体４２／４４／４６の斜視図を示す。 第６図及び第７図の例では、１つのガス除去スロット９０が外壁部４４を形成 する４つの副壁部のそれぞれに設けられる。例示されるガス除去スロット９０は 典型的には、そのスロット９０が形成される副壁部の長さの少なくとも５０％に 渡って延在する。他の配列のガス除去スロット９０が用いられてもよい。例えば ２つ或いはそれ以上のスロット９０が、外壁部４４の１つ或いはそれ以上の副壁 部に形成されてもよい。 ガス除去スロット９０は、スロット位置において外壁部４４の部分を物理的に 除去することにより形成することができる。フリット内の結合材料の存在のため 「未焼結の」可塑（柔軟）状態にあるフリットを焼成することにより壁部４４の 副壁部が形成されるとき、スロット９０は、形成後に穴あきフリットが焼成され るまで、ベント９０に対する位置において未焼結のフリットを適当に押下するこ とにより副壁部内に形成されることが好ましい。別法では壁部４４の副壁が、硬 質（例えば焼成）状態にある場合、スロット９０は、それらを軟化するだけの十 分な温度まで副壁を加熱し、その後ベント９０に対する位置において副壁部を適 当に押下することにより形成することができる。 押圧技術のいずれにおいても、外壁部４４はスロット９０の位置の真下におい て横方向に突出する。何れかの押圧技術を用いてスロット９０を形成することに より、スロット９０直近の壁部材料の総量は、壁部封止領域４４Ｓに沿った他の 場所の壁部材料の総量とほぼ同じになる。封止に用いられる壁部材料の体積が封 止部の長さに沿って一定に保持されている場合、封止プロセスから生じると考え られる横方向応力は軽減される。これはギャップ跳躍レーザ封止の気密度を改善 する。 ガス除去スロット９０の存在により、ギャップ４８の高さは、第２ｂ図、第４ ｃ図及び第５ｂ図に示されるように概ね一様な状態ではなく、（０ではない）最 小値から最大値まで変化する。ギャップ高の最小値と最大値との間の差がスロッ ト９０の深さである。ガス除去スロットの深さは最大ギャップ高が、外壁部４４ の材料により跳躍されることができる最大高、典型的には少なくとも３００μｍ を越えないように注意深く選択される。５０μｍ以上、典型的には７５μｍのガ ス除去スロット深さは最大ギャップ高が約１２５μｍであるとき、容易に収容さ れることができる。 フラットパネルディスプレイの封止を完了するためのギャップ跳躍は、上記の ようにベースプレート構造体と外壁部との間の境界部ではなく、フェースプレー ト構造体と外壁部との間の境界部に沿って実行されることができる。また外壁部 と、ギャップ跳躍により外壁部に封止されない特定のプレート構造体との結合は 、そのプレート構造体に概ね仕上げられた外壁部を封止する以外のプロセスによ り製造されることができる。 第８ａ図−第８ｅ図（集合的に「第８図」）は本発明によるギャップ跳躍を用 いてフラットパネルディスプレイを気密封止するためにこれらの変形例を用いる プロセスを示す。 第８図のプロセスは、第８ａ図に示されるようなベースプレート構造体を用い て開始する。外壁部に対して所望の形状をなすモールドキャビティ９４を備える 逆勾配モールド９２がベースプレート構造体４０の内側表面上に配置される。第 ８ｂ図を参照されたい。逆勾配モールド９４は、外壁部に対する所定位置の上側 をなし、従って構造体４０の封止領域４０Ｓに配列される。第８ｂ図の成形体９ ２Ａは、モールド９２の内側壁部をその外側壁部に接続するリッジ部である。キ ャビティ９４に沿ったモールド９２の壁部の内側は、外壁部形成後にモールド９ ２の除去 を容易にするために、ベースプレート構造体４０から離れるに従って、内側に傾 斜する。その勾配は典型的には外壁部高の約１０％である。 ガラスのスラリー、１つ或いはそれ以上の可塑剤及び１つ或いはそれ以上の結 合剤からなる壁部材料が、モールドキャビティ９４内に導入（注入）される。ベ ースプレート構造体４０と壁部材料スラリーを充填されたモールド９４との結合 体は、壁部材料を第８ｃ図に示されるような外壁部９６に変換するために高温で 焼成される。第９図はそれぞれこの時点での構造体を示す。焼成は、高流速で流 動する乾燥窒素を充填されたオーブン内で実行される。 モールド９２はベースプレート構造体４０から除去され、成形された外壁部９ ６があとに残される。第８ｄ図は、外壁部９６が封止領域４０Ｓに沿ってベース プレート４０に結合されるその構造体を示す。第８ｄ図の成形体９６Ｔは、壁部 ９６の遠隔（上側）縁部を示す。複合構造体４０／９６は電気的に検査される。 外壁部９６は縁部９６Ｔに沿ってフェースプレート構造体４２に封止されるよ うになる。スペーサ壁部４６が封止領域４２Ｔ内側のフェースプレート構造体４ ２の内側表面上に設置される場合、複合構造体４０／９６及び４２／４６が、適 当な位置合わせ系（図示せず）を用いて第２ｅ図に示されるように互いに位置合 わせされる。これは、封止領域４２Ｔ及び９６Ｔ（第８ａ図では垂直をなす）を 位置合わせする過程と、フェースプレート構造体４２の内側表面をスペーサ壁部 ４６の遠隔（第８ａ図では下側）縁部と接触させる過程とを伴う。その位置合わ せは非真空環境、通常室内圧力で実行される。ゲッタ（図示せず）が、第２図の プロセスにより封止されるフラットパネルディスプレイの場合に上記した任意の 位置において第８ａ図の構造体内に設けられてもよい。 第８ｅ図のスペーサ壁部４６は外壁部９６より十分に高く、ギャップ ９８が位置合わせされた封止領域４２Ｔと９６Ｔとの間に延在する。第２図のプ ロセスのギャップ４８と同様に、ギャップ９８は封止領域４２Ｔ及び９６Ｔの（ 方形）長さの少なくとも５０％に沿って、通常全封止領域長に沿って延在する。 ギャップ９８は典型的には、ギャップ４８と同じ高さ特性を有する。 位置合わせ系が複合構造体４０／９６及び４２／４６を互いに対して所望の位 置に保持する場合に、部分溶着作業が部分的に封止されたフラットパネルディス プレイ上で実行され、この位置を固定する。構造体４０／９６及び４２／４６の 部分溶着は種々の方法において実行されることができる。第８図のプロセスでは 部分溶着操作は、第２図のプロセスの場合に上記したような部分的なギャップ跳 躍により実行されるが、ベースプレート構造体４０と外壁部４４との間のギャッ プ４８の部分ではなく、フェースプレート構造体４２と外壁部９６との間のギャ ップ９８の部分が跳躍される点は異なる。第８ｆ図は部分溶着ステップを示して おり、レーザ５０のレーザビーム５２の光エネルギーにより外壁部９６の部分９ ６Ａがギャップ９８を跳躍し、フェースプレート構造体９２に封止されるように なる。第８ｆ図の部分９８Ａはギャップ９８の残り部分である。 部分溶着／部分的封止されたフラットパネルディスプレイは位置合わせ系から 取り出され、第８ｇ図に示されるような真空チャンバ５４内に配置される。ギャ ップ跳躍が複合構造体４０／９６及び４２／４６の互いに対する封止を完了する ために実行される。ギャップ跳躍が、フェースプレート構造体４２と外壁部９６ との間のギャップの残り部分９８Ａに渡って実行されるという点は除くが、残り のギャップ９８Ａを橋絡するためのギャップ跳躍は、第２図のプロセスのギャッ プの残り部分４８Ａの場合に上記したのと同様にして実行される。従ってレーザ ５６のレ ーザビーム５８からの光エネルギーの局部的な伝達により、封止領域壁部９６Ｔ に沿った外壁部９６の材料はギャップの残り部分９８Ａを跳躍し、封止領域４２ Ｔに沿ってフェースプレート構造体４２に封止されるようになる。第８ｈ図は完 全に封止された構造体を示しており、成形体９６Ｂが外壁部９６の封止された形 状を表す。 第８図のプロセスは、第２図のプロセスの場合に上記した方法において一般に 変更されることができる。詳細には、複合構造体４０／９６への複合構造体４２ ／４６のギャップ跳躍レーザ封止は、中性環境において開始され、高真空環境に おいて完了されることができる。第２ｂ^*図及び第２ｃ^*図に関して上記した変形 例並びに第２ｃ’図及び第２ｄ’図に関して上記した変形例は、封止領域４０Ｓ に沿ったベースプレート構造体４０の材料が、封止領域４４Ｓに沿った外壁部４ ４の溶融温度に近い温度まで局部的に加熱されており、第８図のプロセスに適用 することができる。すなわち封止領域４２Ｔに沿ったフェースプレート構造体４ ２の材料は、縁部９６Ｔに沿った外壁部９６の溶融温度に近い温度まで局部的に 加熱されることができる。これは、レーザ部分溶着作業及び最終的なレーザ封止 作業中に、ギャップ跳躍がギャップ９８間で実行される前に（第２ｂ^*図及び第 ２ｃ^*図）、或いはそれと同時に（第２ｃ’図及び第２ｄ’図）に実行すること ができる。同様に、部分溶着ポスト６０／６２のような位置決め構造体を用いて 、第８図のプロセスにおいて構造体４０／９６を構造体４２／４６に部分溶着す ることができる。第５図の二重レーザ技術は第８図のプロセスには適用できない が、第６図及び第７図に示されるタイプのガス除去スロットを外壁部９６の縁部 ９６Ｔに沿って設けることができる。 その部分溶着作業が局部的なエネルギー伝達により実行されるとき、外壁部は 部分溶着を含むディスプレイ封止中にギャップ跳躍を容易にす るように特に成形することができる。外壁部を「Ｔ」或いは逆「Ｌ」の形状に形 成することが有利である。第１０ａ図−第１０ｅ図（集合的に「第１０図」）は 、概ね「Ｔ」形状の外形をなす環状外壁部１１６を備えるフラットパネルディス プレイが、本発明によるギャップ跳躍を利用して気密封止されるプロセスを示す 。外壁部１１６の特別な形状を除いて、第１０図に示されるステップは概ね第２ 図に示されるステップと置き換えられる。 第１０ａ図に示される初期段階では、ベースプレート構造体４０はフェースプ レート構造体４２から隔離されており、その上に内側表面スペーサ壁部４６が設 置される。外壁部は上側縁部封止領域１１６Ｓ及び下側縁部封止領域１１６Ｔを 備える。第１０ａ図の段階では、フェースプレート構造体４２及び外壁部１１６ は、封止領域４２Ｔ及び１１６Ｔに沿って、典型的にはフェースプレート構造体 ４２を外壁部４４に封止するための第２図のプロセスにおいて用いられた手順に より互いに封止されている。複合構造体４２／４６／１１６では、スペーサ壁部 ４６は外壁部１１６より高く、従って外壁部１１６に比べて、封止プレート構造 体４２の内側表面よりさらに離れて延在する。 外壁部１１６は上側部分１１６Ｌ及び下側部分１１６Ｍからなる。上側壁部分 １１６Ｌは下側壁部分１１６Ｍより幅が広い。典型的には、上側壁部分１１６Ｌ の幅（第９図の水平方向）は、下側壁部分１１６Ｍより約１０％〜５０％広い。 上側部分１１６Ｌの上側は、壁縁部封止領域１１６Ｓを構成し、一方下側部分１ １６Ｍの下側縁部は、壁縁部封止領域１１６Ｔを構成する。部分１１６Ｍの上側 縁部は、部分１１６Ｌの（横方向）幅に沿った概ね中間で部分１１６Ｌの下側と 接触し、外壁部１１６が断面図において概ねＴ形をなすようになる。 外壁部１１６は、４つの副壁部からなる方形環状部をなしており、種々 の方法により形成されることができる。各副壁部では、部分１１６Ｌ及び１１６ Ｍは個別に形成され、後に互いに結合されることができる。別法では、各副壁部 の壁部分１１６Ｌ及び１１６Ｍは、型成形プロセス、押出し成形プロセス、積層 プロセス或いは押圧プロセスにより形成される材料の単一片部であってもよい。 各副壁部の壁部分１１６Ｌ及び１１６Ｍは典型的にはフリットからなる。 適当な位置合わせ系（図示せず）を用いて、構造体４０及び４２／４６／１１ ６は、第１０ｂ図に示されるように互いに位置合わせされ、ベースプレート構造 体４０の封止領域４０Ｓが壁縁部封止領域１１６Ｓの垂直に上側をなすようにな る。位置合わせは、第２図のプロセスの場合に上記した方法において実行される 。スペーサ壁部４６は外壁部１６より高いため、ギャップ１１８は構造体４０及 び４２／４６／１１６の全外周に沿って位置合わせされた封止領域４０Ｓと１１ ６Ｓとの間に延在する。ギャップ１１８は４２のプロセスにおけるギャップ４８ と同じ特性を有するが、ギャップ１１８がギャップ４８より大きいという点が異 なる。 部分溶着作業は、封止領域４０Ｓ及び１１６Ｓに沿ったいくつかの個々の位置 においてベースプレート構造体４０を複合構造体４２／４６／１１６に結合する ために、第２図のプロセスの場合に上記したようにレーザ５０を用いて実行され る。第１０ｃ図を参照すると、上側縁部分１１６Ｌの部分１１６Ａが部分溶着位 置においてギャップ１１８を跳躍し、ベースプレート構造体４０を堅固に封止す るようになる。第１０ｃ図には示されないが、封止領域１１６Ｓに沿った部分溶 着位置において上側壁部分１１６Ｌにレーザビーム５２により局部的に伝達され る光エネルギーが、その部分溶着位置において壁部分１１６Ｌの横方向の圧縮を もたらす。この現象は、最終的なレーザ封止に関連して以下にさらに 詳細に議論されるが、上方突出部分溶着部１１６Ａを生成するギャップ跳躍を容 易にする。第１０ｃ図の部分１１８Ａはギャップ１１８の残り部分である。 最終的な封止は、ギャップの残り部分１１８Ａを閉塞し、ベースプレート構造 体４０を複合構造体４２／４６／１１６に気密封止するために第２図のプロセス の場合に上記したような真空チャンバ５４内でレーザ５６を用いて実行される。 第１０ｄ図は、最終的な封止作業における中間点を示す。レーザビーム５８によ る封止領域１１６Ｓに沿って上側壁部分１１６に局部的に伝達される光エネルギ ーは、第１０ｄ図の左側半分に示されるように壁部分１１６Ｌに横方向圧縮をも たらし、ギャップ跳躍を容易にする。 より詳細には、上側壁部分１１６Ｌはレーザビーム５８が上側壁縁部１１６Ｓ を横断するに従って、部分１１６Ｌの断面全体が概ね溶融するような高さに選択 される。壁材料が溶融する際、表面張力により上側壁部分１１６Ｌがその幅に沿 って横方向に圧縮するようになり、それにより壁部分１１６Ｌの材料を上方に押 し上げる。従って下側壁部分１１６Ｍより幅が広い上側壁部分１１６Ｌを形成す ることにより、ギャップが容易に橋絡されるようになる。またギャップ１１８の 高さは、外壁部形状を除いて同一であるフラットパネルデバイスの場合のギャッ プ４８の高さと比べて高くすることができる。 この時点から、第１０図のフラットパネルディスプレイは第２図のプロセスの 場合に上記した方法において処理される。第１０ｅ図は、最終的に封止されたフ ラットパネルディスプレイを示す。成形体１１６Ｂは外壁部１１６の封止された 形状を示す。一方成形体１１６Ｍは上側壁部分１１６Ｌの封止された形状を示す 。第２図の封止プロセスに対する上記全ての変形例は、第１０図の封止プロセス にも適用されることができ る。Ｔ形外壁部１１６を用いて生じる概ね全ての利点は、外壁部が逆Ｌ形をなす 場合にも生じる。 外壁部４４の縁部封止領域４４Ｓ或いは４４Ｔ、外壁部９６の縁部封止領域９ ６Ｔ或いは外壁部１１６の縁部封止領域１１６Ｓに沿った材料に局部的に光エネ ルギーを伝達するレーザビーム（例えばレーザビーム５２及び５８）の形状は、 所望のエネルギー分布をもたらし、その結果封止領域４４Ｓ、４４Ｔ、９６Ｔ或 いは１１６Ｓの幅に渡って所望の温度分布をもたらすように調整されることがで きる。封止領域４４Ｓ、４４Ｔ、９６Ｔ或いは１１６Ｓの幅に渡るエネルギー分 布は概ね一様になる。その結果領域４４Ｓ、４４Ｔ、９６Ｔ或いは１１６Ｓの長 さに沿った各幅位置において領域４４Ｓ、４４Ｔ、９６Ｔ或いは１１６Ｓの幅に 渡って温度が概ね一定になることが好ましい。領域４４Ｓ、４４Ｔ、９６Ｔ或い は１１６Ｓの長さに渡って比較的一定の速度でレーザビームを走査することによ り、領域４４Ｓ、４４Ｔ、９６Ｔ或いは１１６Ｓの各点が、封止プロセス中に概 ね同一温度まで上昇するが、領域４４Ｓ、４４Ｔ、９６Ｔ或いは１１６Ｓが曲線 をなす点では異なる場合もある。これにより、不均一な温度により封止欠陥が生 じる危険性が低減される。 詳細には、熱縁部封止領域４４Ｓ、４４Ｔ、９６Ｔ或いは１１６Ｓに沿った材 料に局部的にエネルギーを配向するレーザビームは、封止領域長さに渡って概ね 一定の速度で照射される方形、通常正方形断面を有することが好ましい。方形の ビームが全封止領域幅を覆う場合には、方形ビームにより局部的に供給されるエ ネルギーの分布は、封止領域の幅及び長さに渡って概ね一様になるが、封止領域 角部は除く。角部を除く封止領域４４Ｓ、４４Ｔ、９６Ｔ或いは１１６Ｔに沿っ た各点は、その後封止領域幅及び長さに沿って概ね同一の温度に到達する。 方形ビームが概ね一様な温度分布をもたらす場合、外壁部４４、９６ 或いは１１６に対して典型的に利用されるフリット内にほとんどバブルは形成さ れない。これは従来の円形レーザビームより実質的に優れた改善であり、従来の 円形レーザビームでは、円形ビームにより横断される経路の中間部付近の光エネ ルギーの濃度が、円形ビームにより横断されるフリットにおいてバブルを形成す る主な理由の１つと考えらる。フリット内のバブルを排除することにより、ラベ ルによる強度の損失が避けられる。従って、特別に調整されたレーザビームの使 用、好ましくは封止領域４４Ｓ、４４Ｔ、９６Ｔ或いは１１６Ｓに沿った材料に 局部的に光エネルギーを伝達するための本発明による方形断面のビームの使用は 、円形レーザビームに比べてより強固な封止部をもたらすようになる。 第１１ａ図は全般的に、第１１ｂ図に示されるような概ね方形の断面１０２の レーザビーム１００を伝達するレーザシステムの主な機構を示す。第１１ａ図の レーザシステムは、ビーム生成セクション１０４及び光ファイバ１０６と光ファ イバ１０６を包囲する円筒形ケーシング１０８とを用いて形成される光ファイバ ケーブルからなる。ケーシング１０８は光ファイバ１０６に向かって下方に伝送 される光子を概ね全反射させる方形環状部として成形される。従ってビーム断面 １０２は概ね方形であり、通常正方形をなす。 第１１ｃ図は、フリット壁１１０の上側縁部１１０Ｓの方形レーザビーム１０ ０が如何に横断するかを示す。方形断面１０２の先頭縁部１０２Ｌは、封止領域 １１０Ｓの長さに垂直に延在し、封止領域１１０Ｓの幅全体に渡って延在する。 ビーム断面１０２の後方縁部１０２Ｔは、先頭縁部１０２Ｌと平行をなすため、 封止領域１１０Ｓの幅に渡るエネルギー分布は、封止領域１１０Ｓの長さに垂直 をなす任意の線に沿って概ね一定になる。封止領域１１０Ｓの長さに沿って一定 の速度でレーザビーム１００を走査することにより、ビームエネルギーの分布は 領域１１ ０Ｓ全体に渡って概ね一様になるが、封止領域１１０Ｓが曲線をなす角部は除く 。先頭縁部１０２Ｌが封止領域１１０Ｓの長さに垂直でない場合、先頭縁部１０ ２Ｌ及び後方縁部１０２Ｔの両方が封止領域１１０Ｓ全体に渡って延在するなら ば、なおも概ね一様なエネルギー分布が得られる（封止領域１１０Ｓの曲線をな す領域は除く）。 本発明は特定の実施例を参照して記載されてきたが、これは例示に過ぎず、以 下に請求される本発明の範囲を制限するものと解釈されるべきではない。例えば 第２図、第４図或いは第５図のプロセスにおける封止領域４０Ｓに沿ったベース プレート構造体４０の材料は、ギャップ４８或いはギャップの残り部分４８Ａを 橋絡するのを促進するように外壁部４４に向かう途中に移動することができる。 同様に第１０図のプロセスにおける封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造 体材料はギャップ１１８或いはギャップの残り部分１１８Ａの跳躍を促進するよ うに外壁部１１６に向かう途中に移動することができる。そのような封止領域４ ０Ｓに沿ったベースプレート構造体材料の移動は、温度がその材料を溶融するほ どは高くない場合でも、温度を上昇させた後に材料がわずかかに軟化するのに従 って、表面張力により引き起こされることができる。 別法では、エネルギーが封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体４０に 局部的に伝達され、その材料が溶融し、ベースプレート構造体４０の他の部分を 溶融或いは劣化させずに、壁部４４或いは１１６に向かう途中に移動できるよう にする。この局部的なエネルギー伝達は、レーザにより配向された光エネルギー を集光することにより或いは他のタイプの集光され或いは局部的に配向されたエ ネルギーを用いて実行されることができる。同様に、第８図のプロセスにおける 封止領域４２Ｔに沿ったフェースプレート構造体４２の材料は、ギャップ９８或 いはギャップの残り部分９８Ａの橋絡を促進するように外壁部９６に向かう途中 に移動することができる。ギャップ跳躍が典型的には外壁部４４、９６或いは１ １６とプレート構造体４０及び４２の１つとの間の境界部においてのみ実行され るが、ギャップ跳躍は、ベースプレート構造体／外壁部境界部及びフェースプレ ート構造体／外壁部境界部の両方において実行されることもできる。 本発明においてギャップ跳躍を引き起こす局部的なエネルギー伝達は、レーザ 或いは焦点ランプから供給される光エネルギーではない局部的に配向されるエネ ルギーを用いて実装されてもよい。対象の１つの例は、適当に集光されたＲＦ波 源からもたらされる集光されたＲＦ波エネルギーである。マイクロ波がＲＦ波帯 域の中央付近に入るという事実に注目すれば、局部的なエネルギーは特に、適切 に集光されたマイクロ波源から供給される集光されたマイクロ波エネルギーであ ることができる。本発明において用いるためのエネルギーのビームを生成するた めに集光を用いる代わりにマスキング技術を用いて、不要な方向をなすエネルギ ー伝送を遮断し、それにより所望の方向をなすエネルギービームを生成すること もできる。 種々のタイプの局部的な光エネルギー源の組み合わせを用いて、本発明による ギャップ跳躍を用いてフラットパネルディスプレイを封止する際に、多くの局部 的なエネルギー伝達を実行することができる。例えばフラットパネルディスプレ イの部分溶着は、レーザ、焦点ランプ或いはマイクロ波源を含む局部的に配向さ れるＲＦエネルギー源を用いて実行されることができるが、一方最終的な封止は これらのものとは別の局部的なエネルギー源を用いて行われる。最終的な封止作 業が非真空環境で開始され、高真空内で完了されるとき、上記の局部的なエネル ギー源の１つが最終的な封止作業の非真空レベルにおいて用いられ、一方他のエ ネルギー源が高真空部分において用いられる。 外壁部４４は方形環状部とは異なる形状を有することができる。フリット以外 の材料が外壁部４４に用いられてもよい。例えば、外壁部４４は、壁部４４の中 央部分に沿ってガラス並びにまたセラミックからなることができる。その後フリ ットが、本発明による気密封止を達成するために壁部４４の上側及び下側におい て設けられることができる。 本発明はディスプレイ以外の気密封止フラットパネルデバイスに用いることが できる。それらは、（ａ）増倍型光電管に類似の高真空セルにおけるマイクロチ ャネルプレート、（ｂ）加速計、ジャイロスコープ及び圧力センサのようなデバ イス用の超小型機械用パッケージ、（ｃ）生体利用注入物用のパッケージである 。従って、本発明の変更例及び応用例は、添付の請求の範囲に定義されるような 本発明の範囲及び精神から逸脱することなく当業者により実施されることもでき よう。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】平成１０年７月１０日（１９９８．７．１０） 【補正内容】 構造体１２／１４／１６及び１０／２２／２８は、位置合わせ固定具３０内に 配置され、互いに位置合わせされ、さらに第１ｂ図に示されるようにフリット２ ０に沿って物理的に接触する。位置合わせ固定具３０は、オーブン３２内に配置 或いは設置される。位置合わせ、かつ接触後、構造体１２／１４／１６及び１０ ／２２／２８は、４５０℃から６００℃より高い範囲の封止温度まで徐々に加熱 される。フリット２０が溶融し、構造体１２／１４／１６を構造体１０／２２／ ２８に封止する。封止されたＦＥＤは室温まで徐々に冷却される。加熱／封止／ 冷却プロセスには典型的には１時間かかる。 封止後、ＦＥＤは位置合わせ固定具３０及びオーブン３２から取り出され、別 のオーブン３４内に配置される。第１ｃ図を参照されたい。真空汲気システム３ ６が管体２２に接続される。管体２２の周囲に配置された加熱素子３８を用いて 、ＦＥＤは管体２２を介して高真空レベルまで汲気される。その後ＦＥＤは徐々 に高温にされ、数時間焼出しされ、ＦＥＤ材料から汚染ガスを除去する。高温状 態のＦＥＤにおいて適当な低圧が保持できるとき、ＦＥＤは室温まで冷却され、 管体２２が閉塞して高真空でＦＥＤを封止するまで、管体２２は加熱素子３８を 介して加熱される。その後ＦＥＤはオーブン３４から取り出され、真空ポンプ３ ６から切り離される。第１ｄ図は封止されたＦＥＤを示す。 第１図の封止用プロセスは、いくつかの理由により不十分である。多数のＦＥ Ｄが同時に封止されることができたとしても、その封止用手順は量産要求を満足 するには時間がかかりすぎる場合がある。さらにＦＥＤ全体が長期間に渡って高 温に加熱される。これにより位置合わせ公差に関する問題が生じ、さらＦＥＤの 一定の材料が劣化し、場合によっては割れを生じるようになる。さらに管体２２ がＦＥＤから突出する。その結果、ＦＥＤは管体２２を破損し、ＦＥＤを破壊し ないように非常に その大部分に沿って透明である。ベースプレート構造体４０の不透明な電気的導 電性（通常金属）ラインが典型的には封止領域４０Ｓと交差する。その交差が生 じる場所では、これらの不透明なラインは十分に薄くし、本発明による縁部封止 領域４４Ｓに沿った外壁部４４の材料へのエネルギーの局部的伝達、或いは封止 領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体４０の材料へのエネルギーの局部的伝 達に著しい影響を与えないようにする。 ゲッタ（図示せず）が、封止領域４０Ｓ内のベースプレート構造体４０の内側 表面上、或いは外壁部４４内のフェースプレート構造体４２の内側表面上の何れ かに配置される。結果としてゲッタは、ベースプレート構造体４０が複合構造体 ４２／４４／４６に封止される際に形成される包囲体内に配置される。別法では 、ゲッタはベースプレートの外側表面上に取着される薄い補助区画内に配置され 、ベースプレート内の１つ或いはそれ以上の開口部を介して、並びにまた補助区 画の形状により、外壁部４４内の１つ或いはそれ以上の開口部を介して、プレー ト構造体４０と４２との間の包囲領域に到達可能になる。この場合、補助区画は 、ディスプレイ動作を制御するためにベースプレートの外側表面上に形成される 回路の著しく上まで延在することはなく、従ってフラットパネルディスプレイを 取り扱うのを著しく困難にすることはない。 ゲッタは、複合構造体４２／４４／４６へのベースプレート構造体４０の封止 中に、並びにそれに後続して生成される、気密封止フラットパネルディスプレイ 動作中に生成される汚染ガスを含む汚染ガスを収集する。ゲッタを動作させるた めの技術は、Maslennikov等による同時出願の国際特許出願ＰＣＴ／ＵＳ９７／ ２１０９３に記載されており、その内容は参照して本明細書の一部としており、 ここではこれ以上繰り返さない。 でベースプレート構造体材料のこれらの部分を上昇させる。部分溶着促進温度は 典型的には、封止領域４４Ｓに沿った外壁部材料の溶融温度より低い。簡単にす るために、レーザ４９も動作させ、部分溶着促進温度まで封止領域４０Ｓに沿っ たベースプレート構造体材料の残りの部分を上昇させてもよい。 レーザビーム５１は、封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体４０の透 明材料の伝送帯域外側にある主要波長を有する。例えば封止領域４０Ｓに沿った ベースプレート構造体４０の透明材料が約０．３μｍから２．５μｍまでの帯域 の波長の光を強く伝送するガラスからなり、外壁部４４が０．２μｍ未満から１ ０μｍを超える帯域内にある波長の光を吸収するフリットからなるとき、レーザ ビーム５１は０．２μｍ未満から約０．３μｍまでの下側領域内か、或いは約２ ．５μｍから１０μｍを超える上側領域内の主要波長を有する。さらにビーム５ １は封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体４０の透明材料の伝送帯域内 にあるいかなる主要波長も有さない、すなわち封止領域４０Ｓに沿った透明なベ ースプレート構造体材料がＳｃｈｏｔｔ Ｄ２６３ガラスのようなガラスからな るときに、約０．３μｍ〜２．５μｍ波長帯域内にはない。 第２ｃ図のレーザ部分溶着ステップが終了し、部分溶着されたフラットパネル ディスプレイが真空チャンバ５４内に配置された後、ギャップの残り部分４８Ａ が、第２ｄ図のレーザからの局所的なエネルギー伝達により橋絡される前に、レ ーザ５５を用いて、第２ｃ^*図に示されるように封止領域４０Ｓに沿ったベース プレート構造体４０の材料の部分にチャンバ５４の窓部５４Ｗを介して局所的に 光エネルギーを伝達する。レーザ５５はレーザビーム５７を発生し、外壁部材料 の溶融温度に近い選択された封止促進温度まで封止領域４０Ｓに沿ったベースプ レート構 造体材料を上昇させる。封止促進温度は典型的には、封止領域４４Ｓに沿った外 壁部材料の溶融温度に概ね等しい。レーザ５６のレーザビーム５８と同様に、レ ーザビーム５７は著しく吸収されることなくチャンバ窓部５４Ｗを通過する。同 様にレーザ５５はビーム５７が部分溶着部４４Ａと反対側をなすベースプレート 構造体材料の部分を跳躍するように動作してもよい。 レーザビーム５７はチャンバ窓部５４Ｗの伝送帯域内にあるが、封止領域４４ Ｓに沿ったベースプレート構造体４０の透明材料の伝送帯域外にある主要波長を 有する。例えば窓部５４Ｗが、波長が約０．２μｍから３μｍに延在する帯域内 ある光を強く伝送する石英からなり、さらに封止領域４０Ｓに沿ったベースプレ ート構造体４０の透明材料が約０．３μｍ〜２．５μｍ波長帯域内の光を強く伝 送するガラスからなる場合に、外壁部４４が０．２μｍ〜１０μｍ波長帯域内の 光を吸収するフリットからなるとき、ビーム５７は０．２−０．３μｍの適当な 下側領域内にあるか、或いは２．５−３μｍの適当な上側領域にある主要波長を 有する。 レーザビーム５７に対する上記波長領域が不当に狭い場合、窓部５４Ｗに典型 的に用いられる石英は、波長が約０．２μｍから１０μｍを超えて延在する光を 強く伝送するセレン化亜鉛のような透明材料と置き換えることができる。そのと きビーム５７は２．５μｍから１０μｍを超える適当な上側領域内の主要波長を 有することができる。レーザビーム５１と同様にビーム５７は通常、封止領域４ ０Ｓに沿ったベースプレート構造体４０の透明材料の伝送帯域内の主要波長を有 さない、すなわち封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体４０の透明材料 がＳｃｈｏｔｔ Ｄ２６３ガラスのようなガラスから形成される場合、概ね０． ３μｍ〜２．５μｍ波長帯域内に存在しない。 レーザ４９及び５５は、特定の波長領域内に入る波長帯域の光を供給するが、 特定領域の外側の波長帯域の光を与えない焦点ランプに置き換えることができる 。例えば、封止領域４０Ｓ及び４４Ｓに沿ったベースプレート構造体４０及び外 壁部４４の材料が上記のような典型的な伝送／吸収特性を有し、窓部５４Ｗが石 英からなる場合、レーザ４９は、０．２μｍ未満から約０．３μｍの下側波長領 域並びにまた約２．５μｍから１０μｍを超える上側波長領域に入る波長帯域の 光を伝送する焦点ランプと置き換えることができる。その後レーザ５５は０．２ −０．３μｍの下側波長領域或いは２．５−３μｍの概ね上側の波長領域内に入 る波長帯域の光を伝送する焦点ランプと置き換えることができる。窓部５４が石 英ではなく、セレン化亜鉛を用いて形成される場合には、レーザ５５を置き換え る焦点ランプの波長帯域に対する上側領域は概ね２．５−１０μｍである。選択 された帯域の波長（周波数）を強く減衰するフィルタを焦点ランプに用いて、焦 点ランプが自然に除去しない場合に不要な波長帯域の光を除去する。 第２ｃ’図及び第２ｄ’図は、縁部封止領域４４Ｓに沿った外壁部４４の材料 の溶融温度に近い温度まで封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体４０の 材料を局部的に加熱するための別の技術を示す。第２ｃ’図及び第２ｄ’図の技 術と第２ｄ^*図及び第２ｃ^*図の技術との間の差は、第２ｂ^*図及び第２ｃ^*図では 封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体材料の局部的な加熱が、封止領域 ４４Ｓに沿った外壁部４４の材料を局部的に加熱するためにレーザ５０及び５６ を利用する前にそれぞれ実行されるのに対して、第２ｃ’図及び第２ｄ’図の技 術では封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体材料の局部的な加熱が、レ ーザ５０及び５６を用いて、封止領域４４Ｓに沿った外壁部材料を局部的に加熱 するのと同時にそれぞれ実行されるという点である。第２図 のプロセスでは、第２ｃ’図のステップが第２ｃ図のステップと入れ替わり、一 方同様に第２ｄ’図のステップが第２ｄ図のステップと入れ替わる。 レーザ５０は部分溶着作業において用いられ、２つ或いはそれ以上の個別の部 分溶着波長領域内に入る波長のレーザビーム５２Ａを発生する。第２ｃ’図を参 照されたい。これらの部分溶着波長領域の１つであるビーム５２Ａのエネルギー は、部分溶着部４４Ａに対する所定位置と反対側をなす封止領域４４Ｓに沿った ベースプレート構造体材料の部分の温度を、封止領域４４Ｓに沿った外壁部材料 の溶融温度に近い選択された部分溶着促進温度まで局部的に上昇させる。再び部 分溶着促進温度は典型的には、封止領域４４Ｓに沿った外壁部材料の溶融温度よ り低い。 この部分溶着波長領域のビームエネルギーが、部分溶着促進温度まで封止領域 ４０Ｓに沿ったベースプレート構造体４０の部分を上昇させるのと同時に、別の 波長領域のレーザビーム５０Ａのエネルギーが、封止領域４４Ｓに沿った外壁部 材料の部分に局部的に伝達され、部分溶着部４４Ａを形成するギャップ跳躍を生 じるようになる。部分溶着位置において外壁部材料に同時に局部的に伝送される 光エネルギーの総量に対する所定の部分溶着位置におけるベースプレート構造体 材料に局部的に伝送される光エネルギーの総量は、部分溶着位置におけるベース プレート構造体４０及び外壁部４４の材料の成分に対するビーム５２Ａの場合、 その波長領域において与えられる電力を含む波長領域を適当に選択することによ り制御される。このようにして部分溶着促進温度の値は、縁部４４Ｓに沿った外 壁部材料の溶融温度に対して制御される。 封止領域４４Ｓに沿ったベースプレート構造体材料が約０．３μｍから２．５ μｍの領域内の光を伝送するガラスからなり、外壁部４４が０．２μｍ未満から １０μｍより大きい波長帯域の光エネルギーを吸収する フリットからなるような上記典型的なディスプレイ値を考慮されたい。 この場合にレーザビーム５２Ａは、（ａ）外壁部材料の部分を局部的に加熱して 部分溶着領域４４Ａを生成するための約０．３−２．５μｍの領域の第１の主要 波長と、（ｂ）部分溶着部分４４Ａと反対側をなすベースプレート構造体材料の 部分を部分溶着促進温度まで加熱するための０．２μｍ未満から約０．３μｍま でに延在する下側領域内か、或いは約２．５μｍから１０μｍを超えて延在する 上側領域内にある別の主要波長とを有する。これらの部分溶着波長領域は、境界 を共有する場合であっても区別される。 レーザ５６は、部分溶着されたフラットパネルディスプレイが真空チャンバ５ ４内にある間に、最終的なギャップ跳躍レーザ封止において用いられ、チャンバ 窓部５４Ｗの波長伝送帯域の端部により画定される２つ或いはそれ以上の個別の 封止波長領域内に入る波長においてレーザビーム５８Ａを発生する。これらの封 止波長領域の１つであるレーザビーム５８Ａのエネルギーは、封止領域４４Ｓに 沿った外壁部材料の溶融温度に近い選択された封止促進温度まで封止領域４０Ｓ に沿ったベースプレート構造体材料の温度を上昇させる。再び封止促進温度は典 型的には、封止領域４４Ｓに沿った外壁部材料の溶融温度にほぼ等しい。 この波長領域におけるビームエネルギーが封止領域４４Ｓに沿ったベースプレ ート構造体材料を封止促進温度まで上昇させるのと同時に、選択された波長領域 の別の１つであるレーザビーム５８Ａのエネルギーは、封止領域４４Ｓに沿った 外壁部材料に局部的に伝送され、ギャップの残り部分４８Ａを完全に閉塞するギ ャップ跳躍部を生成する。第２ｃ’図の部分溶着作業と同様に、封止領域４４Ｓ に沿った外壁部材料に局部的に伝達される光エネルギーの総量に対する封止領域 ４０Ｓに沿ったベースプレート構造体材料に局部的に伝送される光エネルギーの 総量は、ギ ャップの残り部分４８Ａに沿ったベースプレート構造体４０及び外壁部４４の材 料の成分に対するビーム５８Ａの場合、これらの波長領域内に与えられる電力を 含む波長領域を適当に選択することにより制御される。これにより封止促進温度 の値は、縁部４４Ｓに沿った外壁部材料の溶融温度に対して制御されるようにな る。レーザ５６は、部分溶着部４４Ａ及びその部分４４Ａと反対側をなすベース プレート構造体４０の部分を跳躍するように動作してもよい。 外壁部４４は少なくとも０．２μｍ〜１０μｍ波長帯域の光を吸収するフリッ トを用いて形成され、さらに封止領域４４Ｓに沿ったベースプレート構造体の材 料が約０．３μｍ〜２．５μｍ波長帯域の光を強く伝送するガラスを用いて吸収 され、チャンバ窓部５４Ｗが概ね０．２μｍから３μｍの範囲の波長帯域内の光 を強く伝送する石英を用いて形成されるような上記典型的なディスプレイ／チャ ンバ窓部値を考慮されたい。そのときレーザビーム５８Ａは、ギャップ跳躍によ りギャップ４８Ａを閉塞するように封止領域４４Ｓに沿った外壁部材料を局部的 に加熱するための約０．３−２．５μｍの領域にある１つの主要波長と、（ｂ） 封止領域４０Ｓに沿ったベースプレート構造体材料を封止促進温度まで加熱する ための約０．２μｍから０．３μｍまで延在する下側領域内か、或いは約２．５ μｍから３μｍまで延在する上側領域内にある別の主要波長を有する。 封止領域４４Ｓに沿ったベースプレート構造体材料を封止促進温度まで加熱す るための前記波長領域が不当に狭い場合、チャンバ窓部５４Ｗに典型的に用いら れる石英は再びセレン化亜鉛のような少なくとも０．２μｍ〜１０μｍ波長帯域 内の光を強く伝送する透明材料と置き換えられることができる。封止領域４４Ｓ に沿ったベースプレート構造体材料を封止促進温度まで加熱するための上側波長 領域は、その時２．５−１ 【図１】【図２】【図２ｂ】 【図２】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＪＰ，ＫＲ (72)発明者 シュミット、アンソニー・ピー アメリカ合衆国カリフォルニア州92075・ ソラナビーチ・キャニオンドライブ 461 (72)発明者 プレスリー、ロバート・ジェイ アメリカ合衆国カリフォルニア州95014・ クーペルティーノ・アップランドウエイ 11850 (72)発明者 チョ、スティーブン・ティー アメリカ合衆国カリフォルニア州95054・ サンタクララ・＃301・ビスタクラブサー クル 1550 (72)発明者 コンテ、アルフレッド・エス アメリカ合衆国カリフォルニア州95023・ ホリスター・ティエラデルソル 291 (72)発明者 クーパー、アンソニー・ジェイ アメリカ合衆国カリフォルニア州92025・ エスコンディード・ラスパルマスアベニュ ー 2705 (72)発明者 ポソーブン、フロイド・アール アメリカ合衆国カリフォルニア州90250・ ホーソーン・ウエストワンハンドレッドフ ォーティーセカンドストリート 5425

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．ギャップが壁部の第１の縁部を第１のプレート構造体の封止領域から少なく とも部分的に離隔するように、前記第１のプレート構造体の相対する封止領域付 近の一次壁部の前記第１の縁部を位置付ける過程と、 前記ギャップに沿った前記壁部の材料に局部的にエネルギーを伝達し、前記壁 部及び第１のプレート構造体の材料が前記ギャップを橋絡するようにし、さらに その封止領域に沿った前記第１のプレート構造体を前記第１の縁部に沿った前記 壁部に概ね完全に封止する過程とを有することを特徴とする方法。 ２．前記壁部の材料が前記ギャップの概ね全てを橋絡することを特徴とする請求 項１に記載の方法。 ３．前記エネルギー伝達過程が、前記ギャップに沿った前記壁部の材料に局部的 に光エネルギーを配向する過程を少なくとも部分的に有することを特徴とする請 求項１に記載の方法。 ４．前記エネルギー伝達過程が、少なくとも部分的にレーザ或いは焦点ランプを 用いて実行されることを特徴とする請求項３に記載の方法。 ５．前記エネルギー伝達過程前に、前記壁部の第１の縁部と反対側をなす第２の 縁部に沿った前記壁部を、前記壁部の第２の縁部に相対する封止領域に沿った第 ２のプレート構造体に結合する過程をさらに有することを特徴とする請求項１に 記載の方法。 ６．前記プレート構造体の前記封止領域及び前記壁部の前記縁部が環状に成形さ れ、それにより前記プレート構造体及び前記壁部が、前記エネルギ一伝達過程の 完了時に包囲体を形成することを特徴とする請求項５に記載の方法。 ７．前記エネルギー伝達過程が完了する際に、前記２枚のプレート構造体及び前 記壁部が真空環境内にあることを特徴とする請求項６に記載の 方法。 ８．前記エネルギー伝達過程が完了する際に、前記２枚のプレート構造体及び壁 部が非真空環境内あることを特徴とする請求項６に記載の方法。 ９．前記エネルギー伝達過程の完了時の前記非真空環境が、概ね窒素及び不活性 ガスの少なくとも１つからなることを特徴とする請求項８に記載の方法。 １０．前記エネルギー伝達過程に後続して、前記包囲体からガスを除去し、前記 包囲体内に真空を生成する過程をさらに有することを特徴とする請求項８に記載 の方法。 １１．前記エネルギー伝達過程の前に、前記エネルギー伝達過程中の応力を低減 するために十分に高いバイアス温度であるが、前記プレート構造体或いは前記壁 部の何れかに著しい損傷を与えるほど高くなくバイアス温度まで上昇させるため に、前記プレート構造体及び前記壁部を全体的に加熱する過程をさらに有するこ とを特徴とする請求項６に記載の方法。 １２．前記バイアス温度が２００−３５０℃であることを特徴とする請求項１１ に記載の方法。 １３．前記２枚のプレート構造体及び前記壁部がフラットパネルデバイスの構成 要素であることを特徴とする請求項６に記載の方法。 １４．前記フラットパネルデバイスが、外側表面において前記プレート構造体の １つ上の画像を与えるフラットパネルディスプレイであることを特徴とする請求 項１３に記載の方法。 １５．前記エネルギー伝達過程が、 前記第１のプレート構造体及び前記壁部が非真空環境内にある間に、その封止 領域に沿った前記第１のプレート構造体をその第１の縁部に沿った前記壁部に部 分的に封止するように、前記壁部及び前記第１のプレ ート構造体の材料が前記ギャップの一部を橋絡する、前記ギャップの一部に沿っ た前記壁部の材料に局部的にエネルギーを伝達する最初の過程と、 前記第１のプレート構造体及び前記壁部が真空環境内にある間に、前記ギャッ プを完全に閉塞し、その封止領域に沿った前記第１のプレート構造体をその第１ の縁部に沿った前記壁部に完全に封止するように、前記壁部及び前記第１のプレ ート構造体の材料が前記ギャップの残り部分を橋絡する、前記ギャップの前記残 り部分に沿った前記壁部の材料に局部的にエネルギーを伝達する後続の過程とを 有することを特徴とする請求項１に記載の方法。 １６．前記エネルギー伝達過程の少なくとも１つが、選択された非円形断面から なるレーザビームを発生するレーザを用いて実行されることを特徴とする請求項 １５に記載の方法。 １７．前記壁部の第１の縁部の任意の幅において、前記レーザビームが前記幅に 渡って概ね一様な光エネルギーの分布をもたらすことを特徴とする請求項１６に 記載の方法。 １８．前記壁部の第１の縁部と反対側をなす第２の縁部に沿った前記縁部を、前 記壁部の第２の縁部と相対する封止領域に沿った第２のプレート構造体に結合す る過程をさらに有することを特徴とする請求項１５に記載の方法。 １９．前記結合過程が、 前記第２のプレート構造体の封止領域に隣接して前記壁部の第２の縁部を位置 付ける過程と、 その封止領域に沿った前記第２のプレート構造体をその第２の縁部に沿った前 記壁部に封止する過程とを有することを特徴とする請求項１８に記載の方法。 ２０．前記結合過程が、その第２の縁部が前記第２のプレート構造体の相対する 封止領域に隣接するように前記壁部を形成する過程を有すことを特徴とする請求 項１８に記載の方法。 ２１．前記形成過程が、 モールドのモールドキャビティが前記第２のプレート構造体の封止領域に位置 合わせされるように前記モールドを前記第２のプレート構造体に接触させる過程 と、 前記モールドキャビティに壁部材料を配設し、前記壁部を形成する過程と、 前記モールドを除去する過程とを有することを特徴とする請求項２０に記載の 方法。 ２２．前記プレート構造体の前記封止領域及び前記壁部の前記縁部が環状に成形 され、それにより前記プレート構造体及び前記壁部が、前記エネルギー伝達過程 の完了時に包囲体を形成することを特徴とする請求項１８に記載の方法。 ２３．前記位置付け過程が、前記プレート構造体間に位置付け用構造体を配置し 、エネルギー伝達過程中に互いに対する所定の位置にそれらを保持する過程を伴 うことを特徴とする請求項２２に記載の方法。 ２４．前記位置付け用構造体が前記壁部の外側に配置されることを特徴とする請 求項２３に記載の方法。 ２５．前記位置付け用構造体が複数の横方向に離隔したポストを備えることを特 徴とする請求項２４に記載の方法。 ２６．前記壁部内の前記プレート構造体間に少なくとも１つのスペーサを配置し 、前記プレート構造体間を概ね一定の距離に保持する過程をさらに有し、各スペ ーサが前記エネルギー伝達過程前にギャップを確立する助力となるように前記壁 部より高くなることを特徴とする請求項２２ に記載の方法。 ２７．前記後続のエネルギー伝達過程前に、前記後続のエネルギー伝達過程中の 応力を低減するだけ十分に高いが、プレート構造体或いは前記壁部の何れかに著 しい損傷を与えるほと高くないバイアス温度までそれらを上昇させるために、前 記プレート構造体及び前記縁部を全体的に加熱する過程をさらに有することを特 徴とする請求項２２に記載の方法。 ２８．前記バイアス温度が２００−３５０℃であることを特徴とする請求項２７ に記載の方法。 ２９．その第１の壁部に沿った前記縁部の材料がそのソース領域に沿った前記第 １のプレート構造体の材料より低い温度で溶融し、前記方法がさらに、 前記最初のエネルギー伝達過程前に、前記プレート構造体及び前記壁部が非真 空環境内にある間に、その封止領域に沿った前記壁部の前記溶融温度に近い温度 まで前記材料を上昇させるために、前記ギャップの少なくとも上記部分に沿った 前記第１のプレート構造体の材料に局部的にエネルギーを伝達する過程と、 前記最初のエネルギー伝達過程と後続のエネルギー伝達過程との間に、前記プ レート構造体及び前記壁部が真空環境にある間に、その封止領域に沿った前記壁 部の前記溶融温度に近い温度まで前記材料を上昇させるために、前記ギャップの 少なくとも前記残り部分に沿った前記第１のプレート構造体の材料に局部的にエ ネルギーを伝達する過程とを有することを特徴とする請求項２２に記載の方法。 ３０．第１の縁部に沿った前記壁部の材料が、その封止領域に沿った前記第１の プレート構造体の材料より低い温度で溶融し、 前記後続のエネルギー伝達過程が、多数の個別の波長領域に入る波長における 光ビームを形成する光源を用いて実行され、 これらの波長領域の１つの波長の前記ビームのエネルギーが、前記後続のエネ ルギー伝達過程中にその第１の縁部に沿った前記壁部の材料に局部的に伝達され 、 これらの波長領域の別の波長の前記ビームのエネルギーが、その第１の縁部に 沿った前記壁部の材料の前記溶融温度に近い温度まで前記材料を上昇させるため に、その封止領域に沿った前記第１のプレート構造体の材料に同時に局部的に伝 達されることを特徴とする請求項２２に記載の方法。 ３１．前記最初のエネルギー伝達過程が、さらに多くの個別の波長領域内に入る 波長のさらに別の光ビームを生成する光源を用いて実行され、 これらの波長領域の１つの波長の前記さらに別のビームのエネルギーが、前記 最初のエネルギー伝達過程中に対応する多数の部分溶着位置において前記第１の プレート構造体を前記壁部に部分溶着するために、その封止領域に沿った前記第 １のプレート構造体の材料の部分に局部的に伝達され、 これらのさらに別の波長領域の別の１つ波長の前記さらに別のビームのエネル ギーが、その封止領域に沿った前記壁部の前記溶融温度に近い温度まで前記材料 を上昇させるために、前記部分溶着位置と反対側をなす各封止領域に沿った前記 第１のプレート構造体の材料の部分に局部的に伝達されることを特徴とする請求 項３０に記載の方法。 ３２．前記最初のエネルギー伝達過程の少なくとも一部の間に、前記非真空環境 が主に、窒素及び不活性ガスの少なくとも１つからなることを特徴とする請求項 ２２に記載の方法。 ３３．前記最初のエネルギー伝達過程が、前記第１のプレート構造体を、前記第 １のプレート構造体の封止領域の多数の離隔した部分に沿った前記壁部に部分溶 着する過程を伴うことを特徴とする請求項２２に記載の 方法。 ３４．前記壁部が、一対の対向する第１の副壁部と一対の対向する第２の副壁部 とを用いて形成される概ね方形の環状部を備え、各第２の副壁部が前記第１の副 壁部の両方に接続されることを特徴とする請求項２２に記載の方法。 ３５．前記最初のエネルギー伝達過程が、前記第１のプレート構造体を、前記副 壁部の全てではなく、少なくとも２枚の概ね全てを用いて形成される前記壁部の 第１の縁部の部分に沿った前記壁部に封止する過程を伴うことを特徴とする請求 項３４に記載の方法。 ３６．前記最初のエネルギー伝達過程の最初の部分が、前記第１のプレート構造 体を、前記第１のプレート構造体の封止領域の多数の離隔した部分に沿った壁部 に部分溶着する過程を伴い、 前記最初のエネルギー伝達過程の後続の部分が、前記第１のプレート構造体を 、前記副壁部の少なくとも２つの概ね全てを用いて実行される前記壁部の第１の 縁部の部分に沿った前記壁部に封止する過程を伴うことを特徴とする請求項３４ に記載の方法。 ３７．前記壁部が連続する第１及び第２の壁部分を備え、前記第１の壁部分が前 記第２の壁部分より幅が広く、さらに前記第２の壁部分から離隔した位置におい て前記壁部の第１の縁部を形成する表面を有することを特徴とする請求項１５に 記載の方法。 ３８．前記第１の壁部分が、前記エネルギー伝達過程中にその幅に沿って圧縮す ることを特徴とする請求項３７に記載の方法。 ３９．前記両方のエネルギー伝達過程前に、前記後続のエネルギー伝達過程の完 了前に前記包囲体からガスを除去することを容易にするように、前記壁部の第１ の縁部に沿って少なくとも１つのガス除去スロットを設ける過程をさらに有する ことを特徴とする請求項１５に記載の方法。 ４０．前記方法が前記壁部の第１の縁部に沿って少なくとも１つのガス除去スロ ットを設ける過程を有し、 前記位置付け過程は、各ガス除去スロットから前記ギャップの少なくとも一部 を形成する過程を伴い、 前記方法がさらに、前記第１の縁部と反対側をなす第２の縁部に沿った前記縁 部を、前記第２の縁部と相対する封止領域に沿った第２のプレート構造体に結合 する過程を有し、 前記エネルギー伝達過程が、前記プレート構造体及び前記壁部から気密封止さ れた包囲体を形成するように実行され、前記エネルギー伝達過程が真空環境内で 完了され、それにより、各ガス除去スロットが、前記エネルギー伝達過程の完了 時に前記包囲体からガスを除去することを容易にすることを特徴とする請求項１ に記載の方法。 ４１．前記ガス除去スロットを設ける過程が、各ガス除去スロットを形成するた めにその第１の端部に沿った前記縁部の材料を押下する過程を有することを特徴 とする請求項４０に記載の方法。 ４２．エネルギー源から前記ギャップに沿った前記縁部の材料まで局部的にエネ ルギーを伝達する過程に加えて、前記エネルギー伝達過程が、前記ギャップを橋 絡し、さらに閉塞するのを促進ようにその第１の端部に沿った前記壁部の材料の 前記溶融温度に近い温度まで前記材料を上昇させるために、その封止領域に沿っ た前記第１のプレート構造体の材料に局部的に前記エネルギー源からのエネルギ ーを同時に伝達する過程を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。 ４３．前記エネルギー源が多数の個別の波長領域における光エネルギーのビーム を供給し、前記波長領域の１つの波長の前記ビームのエネルギーが、その第１の 縁部に沿った前記壁部の材料に局部的に伝達され、一方前記波長領域の別の１つ の波長の前記ビームのエネルギーが、その封 止領域に沿った前記第１のプレート構造体の材料に局部的に同時に伝達されるこ とを特徴とする請求項４２に記載の方法。 ４４．前記第１の縁部と反対側をなす第２の縁部に沿った前記壁部を前記壁部の 第２の縁部と相対する封止領域に沿った第２のプレート構造体に結合する過程を さらに有することを特徴とする請求項４２に記載の方法。 ４５．前記プレート構造体及び縁部が、前記プレート構造体及び壁部が気密封止 された包囲体を形成し、さらに真空が前記包囲体内に概ね存在するように前記エ ネルギー伝達過程の完了時に真空環境にあることを特徴とする請求項４４に記載 の方法。 ４６．前記エネルギー伝達過程前に、（ａ）その第１の縁部に沿った前記壁部の 材料の前記溶融温度に近い温度まで前記材料を上昇させるために非真空環境内に あるその封止領域に沿った前記第１のプレート構造体の材料に局部的に、（ｂ） その横方向に離隔した部分において前記第１のプレート構造体及び壁部の材料が 、前記ギャップを橋絡し、さらに対応する多数の位置において前記第１のプレー ト構造体を前記壁部に部分溶着するように、非真空環境内の前記ギャップに沿っ た前記壁部の多数の横方向に離隔した部分に局部的に、エネルギー源からのエネ ルギーを伝達する過程をさらに有することを特徴とする請求項４５に記載の方法 。 ４７．前記非真空エネルギー伝達過程における前記エネルギー源が、多数の個別 の波長領域の光のエネルギーのさらに別なビームを与え、前記波長領域の１つの 波長の前記さらに別のビームのエネルギーが、その第１の縁部に沿った前記壁部 の材料に局部的に伝達され、一方前記波長領域の別の１つの波長の前記さらに別 のビームのエネルギーが、その封止領域に沿った前記第１のプレート構造体の材 料に局部的に同時に伝達されることを特徴とする請求項４６に記載の方法。 ４８．前記壁部の第１の縁部と反対側をなす前記壁部の第２の縁部を第２のプレ ート構造体の相対する封止領域に隣接して位置付ける過程と、 その封止領域に沿った前記第２のプレート構造体をその第２の縁部に沿った前 記壁部に封止するようにその第２の縁部に沿った前記壁部の材料に局部的にエネ ルギーを伝達する過程をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の方法。 ４９．前記プレート構造体及び壁部が真空環境にある間に、前記エネルギー伝達 過程が少なくとも部分的に同時に実行されることを特徴とする請求項４８に記載 の方法。 ５０．前記エネルギー伝達過程の前に、 非真空環境において、前記ギャップに沿った前記壁部の多数の横方向に離隔し た部分に局部的にエネルギーを伝達し、その横方向に離隔した部分において前記 第１のプレート構造体及び前記壁部の材料が、前記ギャップを橋絡し、対応する 多数の位置において前記第１のプレート構造体を前記壁部に部分溶着する過程と 、 非真空環境において、その第２の縁部に沿った前記壁部の多数の横方向に離隔 した部分に局部的にエネルギーを伝達し、前記第２のプレート構造体を対応する 多数の位置において前記壁部に部分溶着する過程とをさらに有することを特徴と する請求項４８に記載の方法。 ５１．前記非真空エネルギー伝達過程が少なくとも部分的に同時に実行されるこ とを特徴とする請求項５０に記載の方法。 ５２．前記壁部が連続的な第１及び第２の壁部分を備え、前記第１の壁部分が前 記第２の壁部分より広い幅を有し、さらに前記第２の壁部分から離隔した位置に おいて前記壁部の第１の縁部を形成する表面を有することを特徴とする請求項１ に記載の方法。 ５３．前記第１及び第２の壁部分が、概ね「Ｔ」或いは逆「Ｌ」形状の 断面をなし、前記第１の壁部分が、前記壁部の第１の縁部の反対側をなす前記第 １の壁部分の側に沿って概ね中間の位置で前記第２の壁部分の縁部と接触するこ とを特徴とする請求項５２に記載の方法。 ５４．前記第１の壁部分が、前記エネルギー伝達過程中にその幅に沿って圧縮す ることを特徴とする請求項５２に記載の方法。 ５５.ギャップが２つの封止領域をすくなとも部分的に離隔するように、１つの 物体の封止領域を別の物体の相対する封止領域の付近に位置付ける過程と、 前記物体が非真空環境にある間に、前記物体の材料が前記ギャップのその部分 を橋絡し、前記封止領域に沿って互いに前記物体を部分的に封止するために、前 記ギャップの部分に沿った前記本体の特定の１つの材料に局部的にエネルギーを 伝達する最初の過程と、 前記物体が真空環境にある間に、前記物体の材料が前記ギャップの前記残り部 分を橋絡し、前記封止領域に沿って互いに前記物体の封止を完了するために、前 記ギャップの前記残り部分に沿った前記特定の物体の材料に局部的にエネルギー を伝達する後続の過程とを有することを特徴とする方法。 ５６．前記エネルギー伝達過程が、前記ギャップに沿った前記特定の物体の材料 に光エネルギーを局部的に配向する過程を伴うことを特徴とする請求項５５に記 載の方法。 ５７．前記エネルギー伝達過程の少なくとも１つが高周波エネルギー、或いは特 にマイクロ波エネルギーを用いて実行されることを特徴とする請求項５５に記載 の方法。 ５８．前記最初のエネルギー伝達過程が、各封止領域の多数の離隔した部分に沿 って互いに前記２つの物体を部分溶着する過程を伴うことを特徴とする請求項５ ５に記載の方法。 ５９．前記最初のエネルギー伝達過程が、各封止領域の全てではなく、少なくと も２５％に沿って互いに前記２つの物体を封止する過程を伴うことを特徴とする 請求項５５に記載の方法。 ６０．前記最初のエネルギー伝達過程の最初の部分が、各封止領域の多数の離隔 した部分に沿って互いに前記２つの物体を部分溶着する過程を伴い、 前記最初のエネルギー伝達過程の後続の部分が、各封止領域の全てではなく、 少なくとも２５％に沿って互いに前記２つの物体を封止する過程を伴うことを特 徴とする請求項５５に記載の方法。 ６１．前記２つの物体が前記後続のエネルギー伝達過程の終了時に包囲体を形成 し、真空が前記包囲体内に概ね存在することを特徴とする請求項５５に記載の方 法。 ６２．前記後続のエネルギー伝達過程前に、前記後続のエネルギー伝達過程中に 応力を低減するほど十分に高いが、いずれの物体にもいかなる著しい損傷を与え るほど高くはないバイアス温度までそれらを上昇させるために、前記物体を全体 的に加熱する過程をさらに有することを特徴とする請求項５５に記載の方法。 ６３．その封止領域に沿った前記特定の物体の材料が、その封止領域に沿った前 記他の物体の材料より低い温度で溶融し、前記方法がさらに、 前記第１のエネルギー伝達過程前に、前記物体が非真空環境にある間に、その 封止領域に沿った前記特定の物体の材料の前記溶融温度に近い温度まで前記物体 を上昇させるために、前記ギャップの少なくとも上記部分に沿った上記他の物体 の材料に局部的にエネルギーを伝達する過程と、 前記最初のエネルギー伝達過程と後続のエネルギー伝達過程との間に、前記物 体が真空環境にある間に、その封止領域に沿った前記特定の物体 の前記溶融温度に近い温度まで前記物体を上昇させるために、前記ギャップの少 なくとも前記残り部分に沿った上記他の物体の材料に局部的にエネルギーを伝達 する過程とを有することを特徴とする請求項５５に記載の方法。 ６４．その封止領域に沿った前記特定の物体の材料が、その封止領域に沿った前 記他の物体の材料より低い温度で溶融し、 前記後続のエネルギー伝達過程が、多くの個別の波長領域に入る波長の光ビー ムを生成する光源を用いて実行され、 これらの波長領域の１つの波長の前記ビームのエネルギーが、前記後続のエネ ルギー伝達過程中にその封止領域に沿った前記特定の物体の材料に局部的に伝達 され、 これらの波長領域の別の１つの波長の前記ビームのエネルギーが、その封止領 域に沿った前記特定の物体の前記材料の前記溶融温度に近い温度まで前記材料を 上昇させるために、前記封止領域に沿った前記他の物体の材料に局部的に同時に 伝達されることを特徴とする請求項５５に記載の方法。 ６５．前記最初のエネルギー伝達過程が、さらに別の多くの個別の波長領域に入 る波長のさらに別の光ビームを生成する光源を用いて実行され、 これらのさらに別の波長領域の１つの波長の前記さらに別のビームのエネルギ ーが、前記最初のエネルギー伝達過程中に対応する多数の部分溶着位置において 互いに前記２つの物体を部分溶着するために、その封止領域に沿った前記特定の 物体の材料の部分に局部的に伝達され、 これらのさらに別の波長領域の別の１つの波長の前記さらに別のビームのエネ ルギーが、その封止領域に沿った前記特定の物体の前記材料の前記溶融温度に近 い温度まで前記材料を上昇させるために、前記部分溶着位置とそれぞれ反対側を なすその封止領域に沿った上記他の物体の材 料の部分に局部的に伝達されることを特徴とする請求項６４に記載の方法。 ６６．前記位置付け過程に後続して、かつ前記エネルギー伝達過程に先行して、 前記ギャップが前記特定の物体の一定の材料に沿った０ではない最小高から前記 特定の物体の他の材料に沿った最大高まで変化し、前記ギャップの前記最大高が 前記ギャップの前記最小高より少なくとも５０μｍ大きいことを特徴とする請求 項５５に記載の方法。 ６７.ギャップが２つの封止領域を少なくとも部分的に離隔するように、１つの 物体の封止領域を別の物体の相対する封止領域付近に位置付ける過程と、 前記物体の材料が前記ギャップを橋絡し、前記封止領域に沿って互いに前記物 体を封止するように前記ギャップに沿った前記物体の特定の１つの材料に局部的 にエネルギーを伝達する過程であって、前記エネルギーが（ａ）焦点ランプの光 エネルギー、（ｂ）高周波エネルギー及び（ｃ）マイクロ波エネルギーの少なく とも１つである、該過程とを有することを特徴とする方法。 ６８．前記ギャップが少なくとも２５μｍの平均高を有することを特徴とする請 求項１乃至６７の何れか一項に記載の方法。 ６９．一次壁部の第１の縁部を第１のプレート構造体の相対する特定領域に隣接 して位置付ける過程と、 対応する離隔した位置において前記壁部に隣接する前記第１のプレート構造体 を部分溶着するように、前記第１の縁部に沿った少なくとも前記壁部の材料の多 数の離隔した部分に局部的にエネルギーを伝達する過程とを有することを特徴と する方法。 ７０．前記エネルギー伝達過程が、その第１の縁部に沿った前記壁部の前記材料 の前記離隔した部分に局部的に光エネルギーを配向する過程を 少なくとも部分的に伴うことを特徴とする請求項６９に記載の方法。 ７１．ギャップが壁部の第１の縁部を第１のプレート構造体の特定の領域から離 隔するように、前記第１のプレート構造体の相対する特定領域付近に一次壁部の 前記第１の縁部を位置付ける過程と、 前記壁部及び第１のプレート構造体の材料が前記ギャップの対応する離隔部分 を橋絡し、それにより対応する離隔位置において前記壁部に前記第１のプレート 構造体を部分溶着するように、前記ギャップに沿った前記壁部の材料の多数の離 隔した部分に局部的にエネルギーを伝達する過程とを有することを特徴とする方 法。 ７２．前記エネルギー伝達過程が、前記ギャップに沿った前記壁部の前記材料の 前記離隔した部分に局部的に光エネルギーを配向する過程を少なくとも部分的に 伴うことを特徴とする請求項７１に記載の方法。 ７３．前記エネルギー伝達過程がレーザ或いは焦点ランプを用いて実行されるこ とを特徴とする請求項７２に記載の方法。 ７４．前記エネルギー伝達過程後に、前記ギャップの前記残り部分を閉塞し、そ の特定の領域に沿った前記第１のプレート構造体をその第１の縁部に沿った前記 壁部に封止する過程をさらに有することを特徴とする請求項７１に記載の方法。 ７５．前記ギャップの残り部分を閉塞する過程が、前記壁部及び前記第１のプレ ート構造体の材料が橋絡し、前記ギャップを完全に閉塞するように、前記ギャッ プに沿った前記壁部の材料に局部的にエネルギーを伝達する過程を有することを 特徴とする請求項７４に記載の方法。 ７６．前記２枚のプレート構造体及び前記壁部がフラットパネルデバイスの構成 要素であることを特徴とする請求項７５に記載の方法。 ７７．前記フラットパネルデバイスが、外側表面において前記プレート構造体の １つにおける画像を与えるフラットパネルディスプレイである ことを特徴とする請求項７６に記載の方法。 ７８．前記ギャップが少なくとも２５μｍの平均高を有することを特徴とする請 求項７１乃至７７の何れか一項に記載の方法。