JP2000332390A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 異方性導電樹脂を用いて半導体実装した場
合、半導体素子との密着性の問題で、吸湿信頼性が十分
に得られないという問題があった。そこで、異方性導電
樹脂と半導体素子の密着性、半導体装置の信頼性が向上
できる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 異方性導電樹脂１を基板４上に凸状に形
成することにより、半導体素子２を異方性導電樹脂１を
介して加熱圧着する際に、異方性導電樹脂１と半導体素
子２の間に、空気だまりができにくくなる。これによ
り、異方性導電樹脂と半導体素子の密着性、半導体装置
の信頼性を向上した異方性導電樹脂を用いた半導体装置
の製造方法を得ることができる。
合、半導体素子との密着性の問題で、吸湿信頼性が十分
に得られないという問題があった。そこで、異方性導電
樹脂と半導体素子の密着性、半導体装置の信頼性が向上
できる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 異方性導電樹脂１を基板４上に凸状に形
成することにより、半導体素子２を異方性導電樹脂１を
介して加熱圧着する際に、異方性導電樹脂１と半導体素
子２の間に、空気だまりができにくくなる。これによ
り、異方性導電樹脂と半導体素子の密着性、半導体装置
の信頼性を向上した異方性導電樹脂を用いた半導体装置
の製造方法を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は異方性導電樹脂材料
を用いてパッケージ形成してなる半導体装置の製造方法
に関するものである。
を用いてパッケージ形成してなる半導体装置の製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の小型化及び低価格化
の競争が進んでおり、それに伴って、狭ピッチパターン
の実装が可能でプロセスの簡易な異方性導電樹脂を用い
た実装方法が注目されるようになってきている。
の競争が進んでおり、それに伴って、狭ピッチパターン
の実装が可能でプロセスの簡易な異方性導電樹脂を用い
た実装方法が注目されるようになってきている。
【０００３】この異方性導電樹脂とは、導電粒子を内部
に分散してなる樹脂材料であり、フィルム状のもの（一
般にＡＣＦと呼ぶ）、ペースト状のもの（一般にＡＣＰ
と呼ぶ）がある。
に分散してなる樹脂材料であり、フィルム状のもの（一
般にＡＣＦと呼ぶ）、ペースト状のもの（一般にＡＣＰ
と呼ぶ）がある。
【０００４】また、この材料を用いた実装プロセスは、
図１０に示す通り、基板に異方性導電樹脂１を塗布また
は仮圧着し、半導体素子２を基板４のパターンにアライ
メントしてマウントし、半導体素子２上から加熱圧着し
てなる。
図１０に示す通り、基板に異方性導電樹脂１を塗布また
は仮圧着し、半導体素子２を基板４のパターンにアライ
メントしてマウントし、半導体素子２上から加熱圧着し
てなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この異
方性導電樹脂を用いて半導体実装した場合、半導体素子
との密着性の問題で、吸湿信頼性が十分に得られないと
いう問題があった。
方性導電樹脂を用いて半導体実装した場合、半導体素子
との密着性の問題で、吸湿信頼性が十分に得られないと
いう問題があった。
【０００６】それは、半導体素子及び異方性導電樹脂を
加熱圧着する際、異方性導電樹脂が硬化すると同時に、
半導体素子と異方性導電樹脂との間に噛み込んだ空気を
吐き出そうとするが、十分に抜け切らないためにできた
空洞が、水分等を溜め込んだりすることによる信頼性劣
化を引き起こすものと考えられている。特に、半導体素
子の電極パッドのある外周部には、空洞ができやすく、
異方性導電樹脂の半導体実装の分野での使用を妨げてき
た。
加熱圧着する際、異方性導電樹脂が硬化すると同時に、
半導体素子と異方性導電樹脂との間に噛み込んだ空気を
吐き出そうとするが、十分に抜け切らないためにできた
空洞が、水分等を溜め込んだりすることによる信頼性劣
化を引き起こすものと考えられている。特に、半導体素
子の電極パッドのある外周部には、空洞ができやすく、
異方性導電樹脂の半導体実装の分野での使用を妨げてき
た。
【０００７】そこで本発明は、異方性導電樹脂を変形さ
せて、加熱圧着時に空気を抜けやすくし、信頼性を向上
することのできる異方性導電樹脂を用いた半導体装置の
製造方法を提供するものである。
せて、加熱圧着時に空気を抜けやすくし、信頼性を向上
することのできる異方性導電樹脂を用いた半導体装置の
製造方法を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に配線パタ
ーンを形成する工程と、前記配線パターンを覆うように
前記基板上に異方性導電樹脂を形成する工程と、半導体
素子の底面に設けられた電極部と前記配線パターンとが
所定位置で前記異方性導電樹脂を介して電気的に接続さ
れるように位置合わせを行う工程と、位置合わせ後、前
記半導体素子を前記基板に対して加熱しながら圧着する
工程とを有し、前記加熱圧着の際に前記基板を前記半導
体素子に対して凸状に反らせることを特徴としている。
この発明によれば、半導体素子を基板に対して加熱しな
がら圧着する際、異方性導電樹脂の中心から周辺へ徐々
に負荷が加えられるため、異方性導電樹脂と半導体素子
の間に、空気だまりができにくくなる。これにより、異
方性導電樹脂と半導体素子の密着性、半導体装置の信頼
性が向上する。
に本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に配線パタ
ーンを形成する工程と、前記配線パターンを覆うように
前記基板上に異方性導電樹脂を形成する工程と、半導体
素子の底面に設けられた電極部と前記配線パターンとが
所定位置で前記異方性導電樹脂を介して電気的に接続さ
れるように位置合わせを行う工程と、位置合わせ後、前
記半導体素子を前記基板に対して加熱しながら圧着する
工程とを有し、前記加熱圧着の際に前記基板を前記半導
体素子に対して凸状に反らせることを特徴としている。
この発明によれば、半導体素子を基板に対して加熱しな
がら圧着する際、異方性導電樹脂の中心から周辺へ徐々
に負荷が加えられるため、異方性導電樹脂と半導体素子
の間に、空気だまりができにくくなる。これにより、異
方性導電樹脂と半導体素子の密着性、半導体装置の信頼
性が向上する。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、基板上に配線パターンを形成する工程と、前記配線
パターンを覆うように前記基板上に異方性導電樹脂を形
成する工程と、半導体素子の底面に設けられた電極部と
前記配線パターンとが所定位置で前記異方性導電樹脂を
介して電気的に接続されるように位置合わせを行う工程
と、位置合わせ後、前記半導体素子を前記基板に対して
加熱しながら圧着する工程とを有し、前記加熱圧着の際
に前記基板を前記半導体素子に対して凸状に反らせるこ
とを特徴としており、その結果、半導体素子を基板に対
して加熱しながら圧着する際、異方性導電樹脂の中心か
ら周辺へ徐々に負荷が加えられるため、異方性導電樹脂
と半導体素子の間に、空気だまりができにくくなり、異
方性導電樹脂と半導体素子の密着性、半導体装置の信頼
性が向上する。
は、基板上に配線パターンを形成する工程と、前記配線
パターンを覆うように前記基板上に異方性導電樹脂を形
成する工程と、半導体素子の底面に設けられた電極部と
前記配線パターンとが所定位置で前記異方性導電樹脂を
介して電気的に接続されるように位置合わせを行う工程
と、位置合わせ後、前記半導体素子を前記基板に対して
加熱しながら圧着する工程とを有し、前記加熱圧着の際
に前記基板を前記半導体素子に対して凸状に反らせるこ
とを特徴としており、その結果、半導体素子を基板に対
して加熱しながら圧着する際、異方性導電樹脂の中心か
ら周辺へ徐々に負荷が加えられるため、異方性導電樹脂
と半導体素子の間に、空気だまりができにくくなり、異
方性導電樹脂と半導体素子の密着性、半導体装置の信頼
性が向上する。
【００１０】本発明の請求項２に記載の発明は、前記異
方性導電樹脂を形成する際に、その中央部が凸状になる
ように形成することを特徴としており、請求項１と同様
の効果が得られる。
方性導電樹脂を形成する際に、その中央部が凸状になる
ように形成することを特徴としており、請求項１と同様
の効果が得られる。
【００１１】本発明の請求項３に記載の発明は、前記異
方性導電樹脂の中央部の凸状形成を、凹状の圧着ヘッド
を前記異方性導電樹脂に押圧することにより行うととも
に、その際、前記圧着ヘッドのエッジ部に設けられた切
断部により、前記異方性導電樹脂を所定の大きさ、形状
に切断することを特徴としており、異方性導電樹脂の貼
り付けと同時に切断も行うことにより、工程の削減がで
きる。
方性導電樹脂の中央部の凸状形成を、凹状の圧着ヘッド
を前記異方性導電樹脂に押圧することにより行うととも
に、その際、前記圧着ヘッドのエッジ部に設けられた切
断部により、前記異方性導電樹脂を所定の大きさ、形状
に切断することを特徴としており、異方性導電樹脂の貼
り付けと同時に切断も行うことにより、工程の削減がで
きる。
【００１２】本発明の請求項４に記載の発明は、前記異
方性導電樹脂を形成する際に、前記半導体素子の大き
さ、形状に合わせて所定の大きさ、形状に前記異方性導
電樹脂を形成することを特徴とする。
方性導電樹脂を形成する際に、前記半導体素子の大き
さ、形状に合わせて所定の大きさ、形状に前記異方性導
電樹脂を形成することを特徴とする。
【００１３】本発明の請求項５に記載の発明は、前記半
導体素子を前記異方性導電樹脂を介して前記基板に加熱
圧着する際に、前記半導体素子を加熱圧着するための加
熱圧着ヘッドを、その中央部が凸状のものを用いて行う
ことを特徴としており、その結果、半導体素子を基板に
対して加熱しながら圧着する際、異方性導電樹脂の中心
から周辺へ徐々に負荷が加えられるため、異方性導電樹
脂と半導体素子の間に、空気だまりができにくくなり、
異方性導電樹脂と半導体素子の密着性、半導体装置の信
頼性が向上する。
導体素子を前記異方性導電樹脂を介して前記基板に加熱
圧着する際に、前記半導体素子を加熱圧着するための加
熱圧着ヘッドを、その中央部が凸状のものを用いて行う
ことを特徴としており、その結果、半導体素子を基板に
対して加熱しながら圧着する際、異方性導電樹脂の中心
から周辺へ徐々に負荷が加えられるため、異方性導電樹
脂と半導体素子の間に、空気だまりができにくくなり、
異方性導電樹脂と半導体素子の密着性、半導体装置の信
頼性が向上する。
【００１４】本発明の請求項６に記載の発明は、前記半
導体素子を前記異方性導電樹脂を介して前記基板に加熱
圧着する際に、加熱圧着時に発生する前記基板からの蒸
気を、前記基板を載置するためのステージに設けられた
蒸気孔から逃がしながら行うことを特徴としており、基
板及び異方性導電樹脂に蓄えられた水分の影響による異
方性導電樹脂と半導体素子の密着性劣化を防ぎ、半導体
装置の信頼性を向上させる。
導体素子を前記異方性導電樹脂を介して前記基板に加熱
圧着する際に、加熱圧着時に発生する前記基板からの蒸
気を、前記基板を載置するためのステージに設けられた
蒸気孔から逃がしながら行うことを特徴としており、基
板及び異方性導電樹脂に蓄えられた水分の影響による異
方性導電樹脂と半導体素子の密着性劣化を防ぎ、半導体
装置の信頼性を向上させる。
【００１５】本発明の請求項７に記載の発明は、前記半
導体素子を前記異方性導電樹脂を介して前記基板に加熱
圧着する際に、前記基板を載置するためのステージを１
２０℃以下で加熱しながら行うことを特徴としており、
異方性導電樹脂が硬化しない程度の温度で、加熱圧着す
るまでの基板及び異方性導電樹脂への吸湿を妨げ、水分
の影響による異方性導電樹脂と半導体素子の密着性劣化
を防ぎ、半導体装置の信頼性を向上させる。
導体素子を前記異方性導電樹脂を介して前記基板に加熱
圧着する際に、前記基板を載置するためのステージを１
２０℃以下で加熱しながら行うことを特徴としており、
異方性導電樹脂が硬化しない程度の温度で、加熱圧着す
るまでの基板及び異方性導電樹脂への吸湿を妨げ、水分
の影響による異方性導電樹脂と半導体素子の密着性劣化
を防ぎ、半導体装置の信頼性を向上させる。
【００１６】本発明の請求項８に記載の発明は、前記半
導体素子の電極部を構成するバンプの大きさが、前記バ
ンプが前記異方性導電性接着層を介して接続される前記
基板上に設けられた配線パターンのパッド部の大きさよ
りも小さく形成されていることを特徴としており、基板
に含まれる水分の影響がバンプ付近に及ばないようにな
り、半導体素子と基板の接続信頼性を向上する。
導体素子の電極部を構成するバンプの大きさが、前記バ
ンプが前記異方性導電性接着層を介して接続される前記
基板上に設けられた配線パターンのパッド部の大きさよ
りも小さく形成されていることを特徴としており、基板
に含まれる水分の影響がバンプ付近に及ばないようにな
り、半導体素子と基板の接続信頼性を向上する。
【００１７】本発明の請求項９に記載の発明は、前記半
導体素子の電極部を構成するバンプの形状が、加熱圧着
により発生する前記異方性導電樹脂の流動方向に対して
略流線形状に近づくように形成されていることを特徴と
しており、その結果、バンプの陰になる部分に異方性導
電樹脂が流れ込みやすく、バンプの陰付近に空気だまり
ができにくくなり、異方性導電樹脂と半導体素子の密着
性、半導体装置の信頼性が向上する。
導体素子の電極部を構成するバンプの形状が、加熱圧着
により発生する前記異方性導電樹脂の流動方向に対して
略流線形状に近づくように形成されていることを特徴と
しており、その結果、バンプの陰になる部分に異方性導
電樹脂が流れ込みやすく、バンプの陰付近に空気だまり
ができにくくなり、異方性導電樹脂と半導体素子の密着
性、半導体装置の信頼性が向上する。
【００１８】以下、本発明の実施の形態について図１〜
図９を用いて説明する。
図９を用いて説明する。
【００１９】（実施の形態１）図１は、本発明の半導体
装置の製造方法を示す断面図である。図１において、１
は異方性導電樹脂、２は半導体素子、３はバンプ、４は
基板、５は加熱圧着ヘッド、６は加熱圧着方向を示す。
装置の製造方法を示す断面図である。図１において、１
は異方性導電樹脂、２は半導体素子、３はバンプ、４は
基板、５は加熱圧着ヘッド、６は加熱圧着方向を示す。
【００２０】本発明で説明する半導体装置の実装プロセ
スは、従来例（図１０に示す）とほぼ同様である。本発
明では、図１に示す通り、半導体素子２に対して凸状に
形成した異方性導電樹脂１に半導体素子２を加熱圧着す
ることを特徴としている。このように異方性導電樹脂１
を凸状に形成することにより、半導体素子２を異方性導
電樹脂１を介して加熱圧着する際に、異方性導電樹脂１
の中心から周辺へ徐々に負荷が加えられるため、異方性
導電樹脂１と半導体素子２の間に、空気だまりができに
くくなり、異方性導電樹脂１と半導体素子２の密着性、
半導体装置の信頼性が向上できる。
スは、従来例（図１０に示す）とほぼ同様である。本発
明では、図１に示す通り、半導体素子２に対して凸状に
形成した異方性導電樹脂１に半導体素子２を加熱圧着す
ることを特徴としている。このように異方性導電樹脂１
を凸状に形成することにより、半導体素子２を異方性導
電樹脂１を介して加熱圧着する際に、異方性導電樹脂１
の中心から周辺へ徐々に負荷が加えられるため、異方性
導電樹脂１と半導体素子２の間に、空気だまりができに
くくなり、異方性導電樹脂１と半導体素子２の密着性、
半導体装置の信頼性が向上できる。
【００２１】なお、図１では、半導体素子を基板上にマ
ウントする際に、同時に加熱圧着するように示している
が、半導体素子のマウントと加熱圧着を別工程で行って
も同様の効果が得られる。
ウントする際に、同時に加熱圧着するように示している
が、半導体素子のマウントと加熱圧着を別工程で行って
も同様の効果が得られる。
【００２２】次に、この異方性導電樹脂を凸状に形成す
る方法として、具体的に図を用いて説明する。
る方法として、具体的に図を用いて説明する。
【００２３】図２は、本実施の形態１での半導体素子の
圧着方法を示す断面図である。図２において、７は基板
負荷方向を示す。
圧着方法を示す断面図である。図２において、７は基板
負荷方向を示す。
【００２４】図２に示す通り、半導体素子２を加熱圧着
する際に、基板４の側面から負荷を加えることにより、
基板４を半導体素子２に対して凸状に反らせることを特
徴としており、その結果、半導体素子２を基板４に対し
て加熱しながら圧着する際、異方性導電樹脂１の中心か
ら周辺へ徐々に負荷が加えられるため、異方性導電樹脂
１と半導体素子２の間に、空気だまりができにくくな
り、異方性導電樹脂１と半導体素子２の密着性、半導体
装置の信頼性が向上する。
する際に、基板４の側面から負荷を加えることにより、
基板４を半導体素子２に対して凸状に反らせることを特
徴としており、その結果、半導体素子２を基板４に対し
て加熱しながら圧着する際、異方性導電樹脂１の中心か
ら周辺へ徐々に負荷が加えられるため、異方性導電樹脂
１と半導体素子２の間に、空気だまりができにくくな
り、異方性導電樹脂１と半導体素子２の密着性、半導体
装置の信頼性が向上する。
【００２５】（実施の形態２）次に、実施の形態２での
異方性導電樹脂の形成方法について、図を用いて説明す
る。
異方性導電樹脂の形成方法について、図を用いて説明す
る。
【００２６】図３は、本実施の形態２での異方性導電樹
脂の形成方法を示す断面図である。図３において、８は
仮圧着ヘッド、９は仮圧着方向、１０は保護シートを示
す。
脂の形成方法を示す断面図である。図３において、８は
仮圧着ヘッド、９は仮圧着方向、１０は保護シートを示
す。
【００２７】図３に示す通り、基板４に対して凹状に形
成した仮圧着ヘッド８で、基板４上にフィルム状の異方
性導電樹脂１を仮圧着し、異方性導電樹脂１を凸状に形
成するというものである。これにより、実施の形態１と
同様の効果が得られる。
成した仮圧着ヘッド８で、基板４上にフィルム状の異方
性導電樹脂１を仮圧着し、異方性導電樹脂１を凸状に形
成するというものである。これにより、実施の形態１と
同様の効果が得られる。
【００２８】なお、ペースト状の異方性導電樹脂を用い
る場合、基板中央を厚めに異方性導電樹脂ペーストを塗
布することにより同様の効果が得られる。
る場合、基板中央を厚めに異方性導電樹脂ペーストを塗
布することにより同様の効果が得られる。
【００２９】（実施の形態３）実施の形態３は、実施の
形態２で示した基板に対して凹状に形成した圧着ヘッド
の周辺に切断部を設け、異方性導電樹脂を仮圧着する際
に、同時にシート状の異方性導電樹脂を所望の形状に切
断するというものである。これにより、従来、シート状
の異方性導電樹脂フィルムを用いる場合、切断工程を別
に必要としていたが、本実施の形態では、必要とせず、
工程数が削減できる。
形態２で示した基板に対して凹状に形成した圧着ヘッド
の周辺に切断部を設け、異方性導電樹脂を仮圧着する際
に、同時にシート状の異方性導電樹脂を所望の形状に切
断するというものである。これにより、従来、シート状
の異方性導電樹脂フィルムを用いる場合、切断工程を別
に必要としていたが、本実施の形態では、必要とせず、
工程数が削減できる。
【００３０】また、このように切断する方法を用いて、
より信頼性の得られる形状を実現することが可能とな
る。従来では、異方性導電樹脂フィルムを四角形に切断
していたが、図４に示す通り、この異方性導電樹脂１を
加熱圧着した場合、半導体素子２の角部よりも辺部の方
が多く異方性導電樹脂１がはみ出すことになる。この場
合、半導体素子２の角部付近の異方性導電樹脂１の量が
少なくなるため、その付近での密着力が得にくくなる。
また、半導体素子の角部付近での異方性導電樹脂量を増
やすためには、異方性導電樹脂の切断面積を増やす必要
があり、半導体装置の拡大につながるという問題があ
る。そこで、本実施の形態の切断方法で、図５に示す通
り、半導体素子２の角部を多く取った形状に異方性導電
樹脂１フィルムを切断することにより、半導体装置を拡
大することなく、半導体素子の角部付近での密着力を得
ることができる。
より信頼性の得られる形状を実現することが可能とな
る。従来では、異方性導電樹脂フィルムを四角形に切断
していたが、図４に示す通り、この異方性導電樹脂１を
加熱圧着した場合、半導体素子２の角部よりも辺部の方
が多く異方性導電樹脂１がはみ出すことになる。この場
合、半導体素子２の角部付近の異方性導電樹脂１の量が
少なくなるため、その付近での密着力が得にくくなる。
また、半導体素子の角部付近での異方性導電樹脂量を増
やすためには、異方性導電樹脂の切断面積を増やす必要
があり、半導体装置の拡大につながるという問題があ
る。そこで、本実施の形態の切断方法で、図５に示す通
り、半導体素子２の角部を多く取った形状に異方性導電
樹脂１フィルムを切断することにより、半導体装置を拡
大することなく、半導体素子の角部付近での密着力を得
ることができる。
【００３１】なお、ペースト状の異方性導電樹脂を用い
る場合、半導体素子の角部付近を多めに異方性導電樹脂
ペーストを塗布することにより同様の効果が得られる。
る場合、半導体素子の角部付近を多めに異方性導電樹脂
ペーストを塗布することにより同様の効果が得られる。
【００３２】（実施の形態４）次に、実施の形態４での
半導体素子の圧着方法について、図を用いて説明する。
半導体素子の圧着方法について、図を用いて説明する。
【００３３】図６は、本実施の形態４での半導体素子の
圧着方法を示す断面図である。
圧着方法を示す断面図である。
【００３４】図６に示す通り、本実施の形態では、加熱
圧着するための加熱圧着ヘッド５を、その中央部が凸状
のものを用いて行うことを特徴としており、その結果、
半導体素子２を基板４に対して加熱しながら圧着する
際、異方性導電樹脂１の中心から周辺へ徐々に負荷が加
えられるため、異方性導電樹脂１と半導体素子２の間
に、空気だまりができにくくなり、異方性導電樹脂１と
半導体素子２の密着性、半導体装置の信頼性が向上す
る。
圧着するための加熱圧着ヘッド５を、その中央部が凸状
のものを用いて行うことを特徴としており、その結果、
半導体素子２を基板４に対して加熱しながら圧着する
際、異方性導電樹脂１の中心から周辺へ徐々に負荷が加
えられるため、異方性導電樹脂１と半導体素子２の間
に、空気だまりができにくくなり、異方性導電樹脂１と
半導体素子２の密着性、半導体装置の信頼性が向上す
る。
【００３５】（実施の形態５）次に、実施の形態５での
半導体素子の圧着方法について、図を用いて説明する。
半導体素子の圧着方法について、図を用いて説明する。
【００３６】図７は、本実施の形態５での半導体素子の
圧着方法を示す断面図である。図７において、１１はス
テージ、１２は蒸気孔、１３は加熱装置を示す。
圧着方法を示す断面図である。図７において、１１はス
テージ、１２は蒸気孔、１３は加熱装置を示す。
【００３７】図７に示す通り、本実施の形態では、加熱
圧着装置の基板を載置するステージ１１に蒸気孔１２及
び加熱装置１３を設けることが特徴である。
圧着装置の基板を載置するステージ１１に蒸気孔１２及
び加熱装置１３を設けることが特徴である。
【００３８】吸湿しやすい樹脂基板を用いる場合、半導
体素子２を異方性導電樹脂１を介して基板４に加熱圧着
する際に、加熱圧着時に発生する基板４からの蒸気を、
ステージ１１に設けられた蒸気孔１２から逃がしながら
行うことにより、基板４及び異方性導電樹脂１に蓄えら
れた水分の影響による異方性導電樹脂１と半導体素子２
の密着性劣化を防ぎ、半導体装置の信頼性を向上させる
ことができる。また、半導体素子２を異方性導電樹脂１
を介して基板４に加熱圧着する際に、加熱装置１３によ
りステージ１１を１２０℃以下で加熱しながら行うこと
により、異方性導電樹脂１が硬化しない程度の温度で、
加熱圧着するまでの基板４及び異方性導電樹脂１への吸
湿を妨げ、水分の影響による異方性導電樹脂１と半導体
素子２の密着性劣化を防ぎ、半導体装置の信頼性を向上
させることができる。
体素子２を異方性導電樹脂１を介して基板４に加熱圧着
する際に、加熱圧着時に発生する基板４からの蒸気を、
ステージ１１に設けられた蒸気孔１２から逃がしながら
行うことにより、基板４及び異方性導電樹脂１に蓄えら
れた水分の影響による異方性導電樹脂１と半導体素子２
の密着性劣化を防ぎ、半導体装置の信頼性を向上させる
ことができる。また、半導体素子２を異方性導電樹脂１
を介して基板４に加熱圧着する際に、加熱装置１３によ
りステージ１１を１２０℃以下で加熱しながら行うこと
により、異方性導電樹脂１が硬化しない程度の温度で、
加熱圧着するまでの基板４及び異方性導電樹脂１への吸
湿を妨げ、水分の影響による異方性導電樹脂１と半導体
素子２の密着性劣化を防ぎ、半導体装置の信頼性を向上
させることができる。
【００３９】（実施の形態６）次に、実施の形態６での
半導体装置の構造について、図を用いて説明する。
半導体装置の構造について、図を用いて説明する。
【００４０】図８は、本実施の形態６での基板パッド形
状及び半導体素子のバンプ形状を示す断面図である。図
８において、１３はパッド、１４は導電粒子を示す。
状及び半導体素子のバンプ形状を示す断面図である。図
８において、１３はパッド、１４は導電粒子を示す。
【００４１】図９は、本実施の形態６でのバンプ形状を
示す平面図である。図９において、１５は樹脂の流動方
向を示す。
示す平面図である。図９において、１５は樹脂の流動方
向を示す。
【００４２】まず、図８に示す通り、本実施の形態で
は、半導体素子２の電極部を構成するバンプ３の大きさ
Ａが、バンプ３が異方性導電樹脂の導電粒子１４を介し
て接続される基板上に設けられた配線パターンのパッド
１３部の大きさＢよりも小さく形成されていることを特
徴としており、基板４に含まれる水分の影響がバンプ３
付近に及ばないようになり、半導体素子２と基板４の接
続信頼性を向上することができる。
は、半導体素子２の電極部を構成するバンプ３の大きさ
Ａが、バンプ３が異方性導電樹脂の導電粒子１４を介し
て接続される基板上に設けられた配線パターンのパッド
１３部の大きさＢよりも小さく形成されていることを特
徴としており、基板４に含まれる水分の影響がバンプ３
付近に及ばないようになり、半導体素子２と基板４の接
続信頼性を向上することができる。
【００４３】また、図９に示す通り、半導体素子の電極
部を構成するバンプ３の形状が、加熱圧着により発生す
る異方性導電樹脂の流動方向１５に対して、菱形、楕円
形状等の略流線形状に近づくように形成されていること
を特徴としており、その結果、バンプ３の陰になる部分
に異方性導電樹脂が流れ込みやすく、バンプ３の陰付近
に空気だまりができにくくなり、異方性導電樹脂と半導
体素子の密着性、半導体装置の信頼性を向上することが
できる。
部を構成するバンプ３の形状が、加熱圧着により発生す
る異方性導電樹脂の流動方向１５に対して、菱形、楕円
形状等の略流線形状に近づくように形成されていること
を特徴としており、その結果、バンプ３の陰になる部分
に異方性導電樹脂が流れ込みやすく、バンプ３の陰付近
に空気だまりができにくくなり、異方性導電樹脂と半導
体素子の密着性、半導体装置の信頼性を向上することが
できる。
【００４４】
【発明の効果】以上のように本発明での半導体の製造方
法では、異方性導電樹脂を基板上に凸状に形成すること
により、半導体素子を異方性導電樹脂を介して加熱圧着
する際に、異方性導電樹脂と半導体素子の間に、空気だ
まりができにくくなり、異方性導電樹脂と半導体素子の
密着性、半導体装置の信頼性が向上できる。
法では、異方性導電樹脂を基板上に凸状に形成すること
により、半導体素子を異方性導電樹脂を介して加熱圧着
する際に、異方性導電樹脂と半導体素子の間に、空気だ
まりができにくくなり、異方性導電樹脂と半導体素子の
密着性、半導体装置の信頼性が向上できる。
【図１】本発明の半導体装置の製造方法を示す断面図
【図２】実施の形態１での半導体素子の圧着方法を示す
断面図
断面図
【図３】実施の形態２での異方性導電樹脂の形成方法を
示す断面図
示す断面図
【図４】従来での異方性導電樹脂フィルムの加熱圧着後
の形状を示す図
の形状を示す図
【図５】実施の形態３での異方性導電樹脂フィルムの切
断方法を示す図
断方法を示す図
【図６】実施の形態４での半導体素子の圧着方法を示す
断面図
断面図
【図７】実施の形態５での半導体素子の圧着方法を示す
断面図
断面図
【図８】実施の形態６での基板パッド形状及び半導体素
子のバンプ形状を示す断面図
子のバンプ形状を示す断面図
【図９】実施の形態６でのバンプ形状を示す平面図
【図１０】従来での異方性導電樹脂を用いた半導体実装
プロセス図
プロセス図
１ 異方性導電樹脂 ２ 半導体素子 ３ バンプ ４ 基板 ５ 加熱圧着ヘッド ６ 加熱圧着方向
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E319 AA03 BB16 CD13 5E336 AA04 BB01 CC31 CC36 CC58 EE08 5F044 KK01 LL09 PP16 PP19 QQ01
Claims (9)
- 【請求項１】 基板上に配線パターンを形成する工程
と、前記配線パターンを覆うように前記基板上に異方性
導電樹脂を形成する工程と、半導体素子の底面に設けら
れた電極部と前記配線パターンとが所定位置で前記異方
性導電樹脂を介して電気的に接続されるように位置合わ
せを行う工程と、位置合わせ後、前記半導体素子を前記
基板に対して加熱しながら圧着する工程とを有し、前記
加熱圧着の際に前記基板を前記半導体素子に対して凸状
に反らせることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記異方性導電樹脂を形成する際に、そ
の中央部が凸状になるように形成することを特徴とする
請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記異方性導電樹脂の中央部の凸状形成
を、凹状の圧着ヘッドを前記異方性導電樹脂に押圧する
ことにより行うとともに、その際、前記圧着ヘッドのエ
ッジ部に設けられた切断部により、前記異方性導電樹脂
を所定の大きさ、形状に切断することを特徴とする請求
項２記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記異方性導電樹脂を形成する際に、前
記半導体素子の大きさ、形状に合わせて所定の大きさ、
形状に前記異方性導電樹脂を形成することを特徴とする
請求項３記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記半導体素子を前記異方性導電樹脂を
介して前記基板に加熱圧着する際に、前記半導体素子を
加熱圧着するための加熱圧着ヘッドを、その中央部が凸
状のものを用いて行うことを特徴とする請求項１記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記半導体素子を前記異方性導電樹脂を
介して前記基板に加熱圧着する際に、加熱圧着時に発生
する前記基板からの蒸気を、前記基板を載置するための
ステージに設けられた蒸気孔から逃がしながら行うこと
を特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記半導体素子を前記異方性導電樹脂を
介して前記基板に加熱圧着する際に、前記基板を載置す
るためのステージを１２０℃以下で加熱しながら行うこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記半導体素子の電極部を構成するバン
プの大きさが、前記バンプが前記異方性導電性接着層を
介して接続される前記基板上に設けられた配線パターン
のパッド部の大きさよりも小さく形成されていることを
特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記半導体素子の電極部を構成するバン
プの形状が、加熱圧着により発生する前記異方性導電樹
脂の流動方向に対して略流線形状に近づくように形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13819099A JP4356137B2 (ja) | 1999-05-19 | 1999-05-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13819099A JP4356137B2 (ja) | 1999-05-19 | 1999-05-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000332390A true JP2000332390A (ja) | 2000-11-30 |
| JP2000332390A5 JP2000332390A5 (ja) | 2006-06-08 |
| JP4356137B2 JP4356137B2 (ja) | 2009-11-04 |
Family
ID=15216191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13819099A Expired - Fee Related JP4356137B2 (ja) | 1999-05-19 | 1999-05-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4356137B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008187087A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装方法およびテープ貼付装置 |
| WO2009119427A1 (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-01 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2010067922A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Sony Chemical & Information Device Corp | 熱圧着装置及び電気部品の実装方法 |
| US9536857B1 (en) | 2015-08-26 | 2017-01-03 | Fujitsu Limited | Heating header of semiconductor mounting apparatus and bonding method for semiconductor |
| US9905528B2 (en) | 2015-12-28 | 2018-02-27 | Fujitsu Limited | Semiconductor mounting apparatus, head thereof, and method for manufacturing laminated chip |
-
1999
- 1999-05-19 JP JP13819099A patent/JP4356137B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008187087A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装方法およびテープ貼付装置 |
| WO2009119427A1 (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-01 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP5589836B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2014-09-17 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2010067922A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Sony Chemical & Information Device Corp | 熱圧着装置及び電気部品の実装方法 |
| US9536857B1 (en) | 2015-08-26 | 2017-01-03 | Fujitsu Limited | Heating header of semiconductor mounting apparatus and bonding method for semiconductor |
| KR20170026119A (ko) | 2015-08-26 | 2017-03-08 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 반도체 실장 장치의 가열 헤더 및 반도체의 접합 방법 |
| US9905528B2 (en) | 2015-12-28 | 2018-02-27 | Fujitsu Limited | Semiconductor mounting apparatus, head thereof, and method for manufacturing laminated chip |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4356137B2 (ja) | 2009-11-04 |
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