JP2000235178A - 液晶パネル用対向基板の製造方法、液晶パネルおよび投射型表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高い光の透過率を有する液晶パネル用対向基板
の製造方法を提供すること。 【解決手段】液晶パネル用対向基板１は、石英のガラス
基板５の表面に多数の凹部３が形成されたマイクロレン
ズ用凹部付き基板２に、光学接着剤よりなる樹脂層１４
を用いて、石英のカバーガラス１３を積層するとともに
マイクロレンズ８を形成する工程と、カバーガラス１３
を研削、研磨する工程と、カバーガラス１３上に、Crで
構成され、多数の開口１１１が形成されたブラックマト
リックス１１を、開口１１１がマイクロレンズ８の光軸
上に位置するように形成する工程と、カバーガラス１３
上に、ブラックマトリックス１１を覆うように、ＩＴＯ
で構成された透明導電膜を形成する工程とを経ることに
より製造される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、ブラックマトリッ
クスを備えた液晶パネル用対向基板の製造方法、かかる
液晶パネル用対向基板を備えた液晶パネル、および、か
かる液晶パネルを備えた投射型表示装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】スクリーン上に、画像を投影する投射型
表示装置が知られている。

【０００３】このような投射型表示装置では、その画像
形成に主として液晶パネル（液晶光シャッター）が用い
られている。

【０００４】この液晶パネルは、例えば、各画素を制御
する薄膜トランジスター（ＴＦＴ）と個別電極とを有す
る液晶駆動基板（ＴＦＴ基板）と、共通電極等を有する
液晶パネル用対向基板とが、液晶層を介して接合された
構成となっている。

【０００５】このような構成の液晶パネル（ＴＦＴ液晶
パネル）では、液晶パネル用対向基板に、光の透過率を
高めるべく、各画素に対応する位置に多数の微小なマイ
クロレンズを設けたものが知られている。

【０００６】このようなマイクロレンズを形成するため
に、基板に凹部を形成する方法として、例えば、特開平
９−１０１４０１に開示の技術が知られている。

【０００７】しかし、かかる技術だけでは、マイクロレ
ンズを形成するための凹部が形成された基板から、優れ
た特性を有する液晶パネル用対向基板、ひいては液晶パ
ネルを適切に製造することは、困難である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高い
光の透過率を有し、鮮明な画像が得られる液晶パネル用
対向基板を歩留りよく製造することができる液晶パネル
用対向基板の製造方法、かかる液晶パネル用対向基板を
備えた液晶パネル、および、かかる液晶パネルを備えた
投射型表示装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１３）の本発明により達成される。

【００１０】（１） ガラス基板上に多数のマイクロレ
ンズ用凹部が形成されたマイクロレンズ用凹部付き基板
を用意し、該マイクロレンズ用凹部付き基板に、樹脂層
を介してカバーガラスを積層し、次いで、該カバーガラ
ス上に、ブラックマトリックスを、前記マイクロレンズ
用凹部の位置に対応するように形成することを特徴とす
る液晶パネル用対向基板の製造方法。

【００１１】（２） ガラス基板上に多数のマイクロレ
ンズ用凹部が形成されたマイクロレンズ用凹部付き基板
を用意し、該マイクロレンズ用凹部付き基板に、樹脂層
を介してカバーガラスを積層するとともに該樹脂層にマ
イクロレンズを形成し、次いで、前記カバーガラス上
に、多数の開口を有するブラックマトリックスを、前記
開口が前記マイクロレンズの光軸上に位置するように、
形成することを特徴とする液晶パネル用対向基板の製造
方法。

【００１２】（３） 前記積層したカバーガラスの厚さ
を調整した後、前記ブラックマトリックスを形成する上
記（１）または（２）に記載の液晶パネル用対向基板の
製造方法。

【００１３】（４） 前記カバーガラスの厚さの調整
は、前記カバーガラスを研削、研磨することにより行わ
れる上記（３）に記載の液晶パネル用対向基板の製造方
法。

【００１４】（５） 前記ブラックマトリックスを形成
後、前記カバーガラス上に、前記ブラックマトリックス
を覆うように、透明導電膜を形成する上記（１）ないし
（４）のいずれかに記載の液晶パネル用対向基板の製造
方法。

【００１５】（６） 前記ブラックマトリックスは、前
記カバーガラス上に気相成膜法を行った後、エッチング
を施すことにより形成されるものである上記（１）ない
し（５）のいずれかに記載の液晶パネル用対向基板の製
造方法。

【００１６】（７） 前記マイクロレンズ用凹部付き基
板は位置決めの指標となるアライメントマークを有し、
前記ブラックマトリックスは、前記アライメントマーク
を指標として形成されるものである上記（１）ないし
（６）のいずれかに記載の液晶パネル用対向基板の製造
方法。

【００１７】（８） 前記ガラス基板および／または前
記カバーガラスは、石英ガラスで構成されている上記
（１）ないし（７）のいずれかに記載の液晶パネル用対
向基板の製造方法。

【００１８】（９） 前記ブラックマトリックスは、金
属膜からなる上記（１）ないし（８）のいずれかに記載
の液晶パネル用対向基板の製造方法。

【００１９】（１０） 上記（１）ないし（９）のいず
れかに記載の液晶パネル用対向基板の製造方法により製
造された液晶パネル用対向基板を備えたことを特徴とす
る液晶パネル。

【００２０】（１１） 個別電極を備えた液晶駆動基板
と、該液晶駆動基板に接合され、上記（１）ないし
（９）のいずれかに記載の液晶パネル用対向基板の製造
方法により製造された液晶パネル用対向基板と、前記液
晶駆動基板と液晶パネル用対向基板との空隙に封入され
た液晶とを有することを特徴とする液晶パネル。

【００２１】（１２） 前記液晶駆動基板はＴＦＴ基板
である上記（１１）に記載の液晶パネル。

【００２２】（１３） 上記（１０）ないし（１２）の
いずれかに記載の液晶パネルを備えたことを特徴とする
投射型表示装置。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に示す好
適実施例に基づいて詳細に説明する。

【００２４】図３は、本発明の液晶パネル用対向基板の
製造方法を示す模式的な縦断面図、図４は、本発明の液
晶パネル用対向基板を示す模式的な縦断面図である。

【００２５】図４に示すように、液晶パネル用対向基板
１は、マイクロレンズ用凹部付き基板２と、かかるマイ
クロレンズ用凹部付き基板２に、所定の屈折率を有する
透明な樹脂層１４を介して接合されたカバーガラス１３
と、かかるカバーガラス１３上に形成され、多数の開口
１１１を有するブラックマトリックス１１と、かかるカ
バーガラス１３上にブラックマトリックス１１を覆うよ
うに形成された透明導電膜１２とを有している。また、
マイクロレンズ用凹部付き基板２は、表面に多数の凹部
（マイクロレンズ用凹部）３が形成されたガラス基板５
からなっている。また、樹脂層１４では、マイクロレン
ズ用凹部付き基板２の凹部３に充填された樹脂により、
マイクロレンズ８が形成されている。

【００２６】この液晶パネル用対向基板１では、遮光機
能を有するブラックマトリックス１１は、マイクロレン
ズ８の位置に対応するように設けられている。具体的に
は、マイクロレンズ８の光軸Ｑがブラックマトリックス
１１に形成された開口１１１を通るように、ブラックマ
トリックス１１は設けられている。したがって、液晶パ
ネル用対向基板１では、ブラックマトリックス１１と対
向する面から入射した入射光Ｌは、マイクロレンズ８で
集光され、ブラックマトリックス１１の開口１１１を通
過する。また、透明導電膜１２は、透明性を有する電極
であり、光を透過する。このため、入射光Ｌは、液晶パ
ネル用対向基板１を通過する際に、光量の大幅な減衰が
防止される。すなわち、液晶パネル用対向基板１は、高
い光透過率を有している。

【００２７】なお、この液晶パネル用対向基板１では、
１個のマイクロレンズ８と、ブラックマトリックス１１
の１個の開口１１１とが、１画素に対応している。

【００２８】なお、マイクロレンズ用凹部付き基板２
は、例えば反射防止層等の他の構成要素を有していても
よい。

【００２９】この液晶パネル用対向基板１は、例えば、
製造時にマイクロレンズ用凹部付き基板２が有していた
アライメントマーク４（図５参照）を、位置決めの指標
としつつ製造される。

【００３０】本発明の液晶パネル用対向基板１を製造す
る際には、まず、マイクロレンズ用凹部付き基板２を用
意する。かかるマイクロレンズ用凹部付き基板２は、例
えば以下のようにして製造、用意することができる。

【００３１】なお、本明細書において、マイクロレンズ
用凹部付き基板には、個別基板とウエハーの双方を含む
ものとする。

【００３２】まず、図１に示すように、マイクロレンズ
用凹部付き基板２を製造するに際し、ガラス基板５を用
意する。

【００３３】このガラス基板５は、厚さが均一で、たわ
みや傷のないものが好適に用いられる。また、ガラス基
板５は、洗浄等により、その表面が清浄化されているも
のが好ましい。

【００３４】また、製造された液晶パネル用対向基板が
液晶パネルの製造に用いられ、かかる液晶パネルがガラ
ス基板５以外のガラス基板（例えば後述するガラス基板
１７１等）を有する場合には、ガラス基板５の熱膨張係
数は、かかる液晶パネルが有する他のガラス基板の熱膨
張係数とほぼ等しいものであることが好ましい。このよ
うに、ガラス基板５と液晶パネルが有する他のガラス基
板の熱膨張係数をほぼ等しいものとすると、得られる液
晶パネルでは、温度が変化したときに二者の熱膨張係数
が違うことにより生じる反り、たわみ等が防止される。

【００３５】かかる観点からは、ガラス基板５と液晶パ
ネルが有する他のガラス基板とは、同じ材質で構成され
ていることが好ましい。これにより、温度変化時の熱膨
張係数の相違による反り、たわみ等が効果的に防止され
る。

【００３６】特に、製造された液晶パネル用対向基板１
を高温ポリシリコンのＴＦＴ液晶パネルの製造に用いる
場合には、ガラス基板５は、石英ガラスで構成されてい
ることが好ましい。ＴＦＴ液晶パネルは、液晶駆動基板
としてＴＦＴ基板を有している。かかるＴＦＴ基板に
は、製造時の環境により特性が変化しにくい石英ガラス
が好ましく用いられる。このため、これに対応させて、
ガラス基板５を石英ガラスで構成することにより、反
り、たわみ等の生じにくい、安定性に優れたＴＦＴ液晶
パネルを得ることができる。

【００３７】ガラス基板５の厚さは、ガラス基板５を構
成する材料、屈折率等の種々の条件により異なるが、通
常、０．３〜３mm程度が好ましく、０．５〜２mm程度が
より好ましい。厚さをこの範囲内とすると、必要な光学
特性を備えたコンパクトなマイクロレンズ用凹部付き基
板２を得ることができる。

【００３８】＜１＞まず、ガラス基板５の表面に、図１
（ａ）に示すように、マスク層６を形成する。また、こ
れとともに、ガラス基板５の裏面（マスク層６を形成す
る面と反対側の面）に裏面保護層６９を形成する。もち
ろん、これらマスク層６および裏面保護層６９は、例え
ばＣＶＤ法等を用いて同時に形成することもできる。

【００３９】このマスク層６は、後述する工程＜４＞に
おける操作で耐性を有するものが好ましい。

【００４０】かかる観点からは、このマスク層６を構成
する材料としては、例えば、多結晶シリコン（ポリシリ
コン）、アモルファスシリコン、Au／Cr、Au／Ti、Pt／
Cr、Pt／Ti、SiC 等の金属、窒化シリコンなどが挙げら
れる。

【００４１】その中でも特に、マスク層６を構成する材
料としては、多結晶シリコンが好ましい。多結晶シリコ
ンでマスク層６を構成すると、ガラス基板５の表面に緻
密な層を形成することができる。このため、マスク層６
にピンホール等の欠陥が生じにくい。また、多結晶シリ
コンは、ガラスに対する密着性が高い。このため、後述
する工程＜４＞で、ガラス基板５に対しウエットエッチ
ングを施して凹部を形成する場合には、不必要な部分に
エッチング液が侵入しにくくなり、理想的なレンズ形状
を形成することが可能となる。したがって、マスク層６
を多結晶シリコンで構成することにより高い歩留りで、
高性能のマイクロレンズ用凹部付き基板を得ることがで
きる。

【００４２】マスク層６の厚さは、マスク層６を構成す
る材料によっても異なるが、マスク層６が多結晶シリコ
ンで構成されている場合には、０．０１〜１０μm 程度
が好ましく、０．２〜１μm 程度がより好ましい。厚さ
がこの範囲の下限値未満であると、後述する工程＜４＞
でエッチングを施す際に、ガラス基板５のマスクした部
分を十分に保護できない場合があり、上限値を超える
と、マスク層６の内部応力によりマスク層６が剥がれ易
くなる場合がある。

【００４３】マスク層６を多結晶シリコンで構成する場
合には、例えば、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）による
と、マスク層６を好適に形成することができる。これ
は、化学気相成膜法によると、モノシランガス（SiH₄）
をガラス基板５の表面で反応させて多結晶シリコン膜を
成膜することが可能となるため、スパッタリング法等を
用いて成膜した場合に発生しやすいピンホール等の欠陥
の発生を効果的に抑制することができるうえ、緻密で密
着力のある膜を形成できることによる。

【００４４】多結晶シリコンで構成されたマスク層６を
ＣＶＤ法で形成する場合、マスク層６形成時の温度は、
特に限定されないが、３００〜８００℃程度が好まし
く、４００〜７００℃程度がより好ましい。また、マス
ク層６形成時の圧力は、特に限定されないが、３０〜１
６０Pa程度が好ましく、５０〜１００Pa程度がより好ま
しい。また、SiH₄等の多結晶シリコンを形成するための
原料となる気体の供給速度は、特に限定されないが、１
０〜５００mL／分程度が好ましく、４０〜４００mL／分
程度がより好ましい。多結晶シリコンの層の形成条件を
このような範囲内とすると、マスク層６を好適に形成す
ることができる。

【００４５】なお、裏面保護層６９は、次工程以降でガ
ラス基板５の裏面を保護するためのものである。この裏
面保護層６９により、ガラス基板５の裏面の侵食、劣化
等が好適に防止される。この裏面保護層６９は、例え
ば、マスク層６と同様の材料で構成されている。このた
め、裏面保護層６９は、マスク層６の形成と同時に、マ
スク層６と同様に設けることができる。

【００４６】＜２＞次に、図１（ｂ）に示すように、マ
スク層６に、複数の第１開口６１および第２開口６２を
形成する。

【００４７】第１開口６１は、凹部３すなわちマイクロ
レンズ８を形成する位置に設け、第２開口６２は、アラ
イメントマーク４を形成する位置に設ける。また、第１
開口６１の形状は、凹部３の形状に対応し、第２開口６
２の形状は、アライメントマーク４の形状の一部分に対
応している。

【００４８】これら第１開口６１および第２開口６２の
形成は、例えば、マスク層６上に、第１開口６１および
第２開口６２に対応したレジスト（例えばフォトレジス
ト等）を塗布してマスク層６上にさらに第２のマスクを
施し、次いで、第２のマスクでマスクされていない部分
のマスク層６を除去し、次いで、前記第２のマスクを除
去することにより行うことができる。

【００４９】なお、マスク層６の除去は、マスク層６が
多結晶シリコンで構成されている場合、例えば、ＣＦガ
ス、塩素系ガス等によるドライエッチング、フッ酸＋硝
酸水溶液、アルカリ水溶液等の剥離液への浸漬（ウエッ
トエッチング）などにより行うことができる。

【００５０】＜３＞次に、図１（ｃ）に示すように、ア
ライメントマーク４を形成する部分のマスク層６上に、
保護層７を形成する。

【００５１】この保護層７は、アライメントマーク４の
形状に対応している。この保護層７は、マスク層６上だ
けでなく、ガラス基板５上に直接形成することもでき
る。例えば、図１（ｃ）に示すように、第２開口６２を
保護層７で覆ってもよい。

【００５２】この保護層７は、後述する工程＜４＞にお
ける凹部３の形成、および、後述する工程＜５＞におけ
るマスク層６の除去に、耐性を有することが好ましい。
これにより、保護層７で保護された部分におけるマスク
層６の食刻等が防止され、アライメントマーク４の形状
を正確に形作ることができる。また、保護層７は、薄膜
で構成されていることが好ましい。保護層７が薄膜で構
成されていると、後述する工程＜４＞および工程＜５＞
で、ガラス基板５の取り扱いが容易となり、また、後述
する工程＜６＞で保護層７の除去が容易となる。

【００５３】かかる観点からは、保護層７は、例えば、
Au／Cr、Au／Ti、Pt／Cr、Pt／Ti、SiC等の金属、窒化
シリコン等のケイ素化合物、ネガ型レジスト等のレジス
ト、テープなどで構成されていることが好ましい。

【００５４】この保護層７は、例えば、蒸着（マスク蒸
着）、スパッタリング（マスクスパッタリング）等の気
相成膜法により、アライメントマーク４を形成する部分
に、アライメントマーク４の形状に対応した薄膜を成膜
することにより形成することができる。

【００５５】なお、保護層７は、ガラス基板５全体に、
マスク層６を覆うように成膜し、次いで、アライメント
マーク４を形成する部分に、アライメントマーク４の形
状に対応したレジストをパターニングし、次いで、エッ
チング等を施すことにより、形成してもよい。

【００５６】また、保護層７は、例えば、アライメント
マーク４を形成する部分に、アライメントマーク４の形
状に対応したテープ等を貼着することにより形成しても
よい。

【００５７】＜４＞次に、図２（ｄ）に示すように、ガ
ラス基板５上に多数の凹部３を形成する。

【００５８】これは、例えば、ガラス基板５にエッチン
グを施すこと等により行うことができる。エッチング法
としては、例えば、ウエットエッチング法、ドライエッ
チング法などが挙げられる。その中でも、ウエットエッ
チング法を用いると、凹部３を好適に形成できる。ウエ
ットエッチング法によりエッチングを行う場合には、フ
ッ酸を含むエッチング液（フッ酸系エッチング液）を用
いると、ガラス基板５を選択的に食刻することができ、
凹部３を好適に形成することができる。

【００５９】エッチングを行うと、ガラス基板５は、マ
スク層６および保護層７が存在しない部分、すなわち第
１開口６１より食刻される。これにより、各第１開口６
１が設けられた部分に各凹部３が形成される。

【００６０】＜５＞次に、図２（ｅ）に示すように、マ
スク層６を除去する。また、この際、マスク層６の除去
とともに裏面保護層６９も除去する。

【００６１】これは、マスク層６等が多結晶シリコンで
構成されている場合、例えば、ＣＦガス、塩素系ガス等
によるドライエッチング、フッ酸＋硝酸水溶液、アルカ
リ水溶液等の剥離液への浸漬（ウエットエッチング）な
どにより行うことができる。

【００６２】このとき、保護層７が形成された部分は、
保護層７により保護されるので、マスク層６は除去され
ず、ガラス基板５上に残存する。

【００６３】＜６＞次に、保護層７を除去する。

【００６４】これは、保護層７の構成材料にもよるが、
例えば、保護層７がAu／Cr等で構成されている場合、塩
酸と硝酸の混合液等を剥離液としたウエットエッチング
などにより行うことができる。また、保護層７が窒化シ
リコン等で構成されている場合には、リン酸等を剥離液
としたウエットエッチングなどにより保護層７を除去す
ることができる。また、保護層７がテープ等により構成
されている場合には、かかるテープを剥離することによ
り、保護層７を除去することができる。

【００６５】これにより、図２（ｆ）に示すように、マ
スク層６のうち保護層７で保護された部分がアライメン
トマーク４として残存する。

【００６６】以上により、図２（ｆ）、図５に示すよう
に、ガラス基板５上に多数の凹部３が形成され、また、
ガラス基板５上に位置決めを行う際の指標となるアライ
メントマーク４が所定の位置に形成されたマイクロレン
ズ用凹部付き基板２が得られる。

【００６７】アライメントマーク４の形成位置は特に限
定されないが、例えば、図５に示すように、アライメン
トマーク４を凹部３の形成領域外に形成することができ
る。

【００６８】アライメントマーク４は、マイクロレンズ
用凹部付き基板２上に複数箇所設けることが好ましい。
特に、アライメントマーク４はマイクロレンズ用凹部付
き基板２の角部に複数箇所設けることが好ましい。これ
により、位置決めをより容易に行うことができるように
なる。

【００６９】図５は、アライメントマーク４を十字型に
した例を示している。アライメントマーク４の形状は、
特に限定されないが、図５に示すように、角を形成する
角部４１を有していることが好ましい。このようにアラ
イメントマーク４が角部４１を有していると、位置決め
をより正確に行うことができるようになる。

【００７０】さらには、図５に示すように、アライメン
トマーク４は、その中心部位を示すマーク（図５では円
形の第２開口６２）を有していることが好ましい。これ
により、位置決めの精度をさらに向上させることができ
る。

【００７１】なお、上述した方法では、ガラス基板５上
に保護層７を形成して（上記工程＜３＞参照）から凹部
３を形成した（上記工程＜４＞参照）が、例えば、保護
層７を形成する前に凹部３を形成し、次いで、保護層７
を形成してもよい。すなわち、凹部３を形成した後、保
護層７を形成してもよい。

【００７２】また、上述した方法では、ガラス基板５上
に層を形成することにより、アライメントマークを設け
たが、アライメントマークは、ガラス基板５上に層とし
て形成しなくともよい。例えば、ガラス基板５上に、凹
部３とは異なる形状を有する窪みを、アライメントマー
クとして設けてもよい。このような窪みは、例えば、上
記工程＜２＞において窪み（アライメントマーク）の形
状に対応するように第２開口を形成し、次いで、保護層
７を形成せずに（上記工程＜３＞を行わずに）ガラス基
板５に対してエッチングを施す（上記工程＜４＞を行
う）ことにより、設けることができる。

【００７３】ただし、前述したようにアライメントマー
ク４を形成すると、アライメントマーク４を構成するマ
スク層６、アライメントマーク４近傍のガラス基板５の
侵食が防止されるので、アライメントマーク４の輪郭、
特に角部４１を正確に形作ることが容易となり、位置決
めの際の精度を向上させることができる。

【００７４】なお、アライメントマーク４は、凹部３を
形成する工程の途中で形成しなくてもよく、凹部３を形
成した後、改めて設けてもよい。また、凹部３を形成す
る前に、あらかじめ設けておいてもよい。

【００７５】ただし、前述したようにアライメントマー
ク４を形成すると、凹部３を形成する工程の途中で、ア
ライメントマーク４も形成するので、工程数を大幅に増
やさずにアライメントマーク４を形成することができ
る。

【００７６】なお、上述した例では、マイクロレンズ用
凹部付き基板２にアライメントマーク４を設けたが、ア
ライメントマーク４を設けなくてもよい。

【００７７】このようなマイクロレンズ用凹部付き基板
２を用いて液晶パネル用対向基板１を製造すると、アラ
イメントマーク４を指標として、例えばブラックマトリ
ックス１１を、凹部３すなわちマイクロレンズ８の対応
する位置に位置決めを行いつつ、液晶パネル用対向基板
１を製造することができる。

【００７８】以下、液晶パネル用対向基板１の製造方法
について説明する。

【００７９】＜７＞まず、図３（ｇ）に示すように、カ
バーガラス１３を、接着剤を介して、マイクロレンズ用
凹部付き基板２の凹部３が形成された面に接合する。

【００８０】この接着剤が硬化する（固化する）ことに
より、樹脂層（接着剤層）１４が形成される。また、こ
れにより、樹脂層１４に、凹部３に充填された樹脂で構
成され、凸レンズとして機能するマイクロレンズ８が形
成される。

【００８１】なお、この接着剤には、ガラス基板５の屈
折率よりも高い屈折率（例えばｎ＝１．６０程度）の光
学接着剤などが好適に用いられる。

【００８２】カバーガラス１３の熱膨張係数は、前記と
同様の理由から、製造する液晶パネルが有する他のガラ
ス基板の熱膨張係数とほぼ等しいものであることが好ま
しい。

【００８３】また、同様の観点からは、カバーガラス１
３と液晶パネルが有する他のガラス基板とは、同じ材質
で構成されていることが好ましい。

【００８４】特に、製造された液晶パネル用対向基板１
を高温ポリシリコンのＴＦＴ液晶パネルの製造に用いる
場合には、カバーガラス１３は、前記と同様の理由か
ら、石英ガラスで構成されていることが好ましい。

【００８５】＜８＞次に、図３（ｈ）に示すように、カ
バーガラス１３の厚さを調整する。

【００８６】例えば、カバーガラス１３に研削、研磨、
エッチング等を施すことによりカバーガラス１３の厚さ
を薄くすることができる。

【００８７】カバーガラス１３の厚さは、必要な光学特
性を備えた液晶パネル用対向基板１を得る観点からは、
１０〜１０００μm 程度が好ましく、２０〜１５０μm
程度がより好ましい。

【００８８】なお、積層したカバーガラス１３が、以降
の工程を行うのに最適な厚さの場合には、本工程は行わ
なくてもよい。

【００８９】＜９＞次に、図３（ｉ）に示すように、カ
バーガラス１３上に、開口１１１が形成されたブラック
マトリックス１１を形成する。

【００９０】このとき、ブラックマトリックス１１は、
マイクロレンズ８の位置に対応するように形成する。よ
り具体的には、マイクロレンズ８の光軸Ｑがブラックマ
トリックス１１の開口１１１を通るように形成する（図
４参照）。

【００９１】このブラックマトリックス１１は、例え
ば、Cr、Al、Al合金、Ni、Zn、Ti等の金属膜、カーボン
やチタン等を分散した樹脂層などで構成されている。そ
の中でも、ブラックマトリックス１１は、Cr膜またはAl
合金膜で構成されていることが好ましい。ブラックマト
リックス１１がCr膜で構成されていると、遮光性に優れ
たブラックマトリックス１１を得ることができる。ま
た、ブラックマトリックス１１がAl合金膜で構成されて
いると、優れた放熱性を有する液晶パネル用対向基板１
が得られる。

【００９２】ブラックマトリックス１１の厚さは、液晶
パネル用対向基板１の平坦性に対する影響を抑制する観
点等からは、０．０３〜１．０μm 程度が好ましく、
０．０５〜０．３μm 程度がより好ましい。

【００９３】この開口１１１が形成されたブラックマト
リックス１１は、例えば次のように形成することができ
る。まず、カバーガラス１３上に例えば、蒸着、スパッ
タリング等の気相成膜法によりブラックマトリックス１
１となる薄膜を成膜する。次に、かかるブラックマトリ
ックス１１となる薄膜上にレジスト膜を形成する。次
に、アライメントマーク４を指標として、ブラックマト
リックス１１の開口１１１がマイクロレンズ８（凹部
３）に対応する位置に来るように、前記レジスト膜を露
光してかかるレジスト膜に開口１１１のパターンを形成
する。次に、ウエットエッチングを行い、前記薄膜のう
ちの開口１１１となる部分のみを除去する。次に、前記
レジスト膜を除去する。なお、ウエットエッチングを行
う際の剥離液としては、例えば、ブラックマトリックス
１１となる薄膜がAl合金等で構成されているときは、リ
ン酸系エッチング液を用いることができる。

【００９４】また、この開口１１１が形成されたブラッ
クマトリックス１１は、例えば次のように形成すること
もできる。まず、カバーガラス１３上に、感光性を有す
るレジスト膜を形成する。次に、マイクロレンズ用凹部
付き基板２のカバーガラス１３と対向する面から光を照
射する。このとき、照射された光は、マイクロレンズ８
で集光され、前記レジスト膜では、マイクロレンズ８の
光軸Ｑの近傍に光が集中する。このため、前記レジスト
膜のうち、光軸Ｑ近傍に位置する部分が感光する。次
に、例えば前記レジスト膜を現像等することにより、感
光した部分以外のレジスト膜を除去する。次に、カバー
ガラス１３上に例えば、蒸着、スパッタリング等の気相
成膜法によりブラックマトリックス１１となる薄膜を成
膜する。このとき、レジスト膜が残存した部分は、レジ
スト膜上にブラックマトリックス１１となる薄膜が成膜
される。次に、剥離液（例えば硫酸と過酸化水素水との
混合液）への浸漬などにより前記残存したレジスト膜を
除去する。このとき、レジスト膜上に成膜した薄膜は、
レジスト膜とともに、カバーガラス１３上から除去され
る。これにより、開口１１１が形成される。このような
方法を用いた場合には、ブラックマトリックス１１を、
アライメントマーク４を用いずに、マイクロレンズ８の
位置に対応するように形成することができる。

【００９５】なお、開口１１１が形成されたブラックマ
トリックス１１は、塩素系ガス等を用いたドライエッチ
ングによっても好適に形成することができる。

【００９６】＜１０＞次に、カバーガラス１３上に、ブ
ラックマトリックス１１を覆うように透明導電膜（共通
電極）１２を形成する。

【００９７】これにより、液晶パネル用対向基板１、ま
たは、液晶パネル用対向基板１を複数個取りできるウエ
ハーを得ることができる。

【００９８】この透明導電膜１２は、例えば、インジウ
ムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド
（ＩＯ）、酸化スズ（SnO₂）などで構成されている。

【００９９】透明導電膜１２の厚さは、０．０３〜１μ
m 程度が好ましく、０．０５〜０．３０μm 程度がより
好ましい。

【０１００】この透明導電膜１２は、例えば、蒸着、ス
パッタリング等の気相成膜法により形成することができ
る。

【０１０１】＜１１＞最後に、ダイシング装置等を用い
て液晶パネル用対向基板１のウエハーを所定の形状、大
きさに（例えば、図５中、一点鎖線で示すように）カッ
トする。

【０１０２】これにより、図４に示すような液晶パネル
用対向基板１を得ることができる。

【０１０３】なお、上記工程＜１０＞で液晶パネル用対
向基板１が得られた場合等、カットを行う必要がない場
合には、本工程は行わなくてもよい。

【０１０４】このようにして得られた液晶パネル用対向
基板１は、ブラックマトリックス１１を有している。し
たがって、画素と画素の間から不要な光が漏出すること
が防止される。これにより、例えば液晶パネル用対向基
板１を液晶パネル等に用いた場合には、鮮明な画像を得
ることができるようになる。

【０１０５】また、液晶パネル用対向基板１は、マイク
ロレンズ８とブラックマトリックス１１の開口１１１と
の間で好適に位置合わせがなされている。したがって、
液晶パネル用対向基板１に入射した入射光Ｌは、液晶パ
ネル用対向基板１を通過する際、特にブラックマトリッ
クス１１を通過する際の入射光Ｌの減衰が抑制される。

【０１０６】このとき、マイクロレンズ用凹部付き基板
２にアライメントマーク４を設けた場合には、液晶パネ
ル用対向基板１を製造する際に、ブラックマトリックス
１１の位置決めを容易に行うことができる。

【０１０７】なお、上述した実施例では、マイクロレン
ズ用凹部付き基板２の凹部３を形成する領域外にアライ
メントマーク４を形成したが、凹部３を形成する領域内
にアライメントマーク４を形成してもよいことは言うま
でもない。

【０１０８】なお、上述した実施例では、アライメント
マーク４をブラックマトリックス１１の位置決めに用い
たが、液晶パネル用対向基板１もしくはそのウエハーが
他の構成要素を有する場合には、アライメントマーク４
を、これらの位置決めに用いてもよい。

【０１０９】次に、上記液晶パネル用対向基板１を用い
た液晶パネル（液晶光シャッター）について、図６に基
づいて説明する。

【０１１０】図６に示すように、本発明の液晶パネル
（ＴＦＴ液晶パネル）１６は、ＴＦＴ基板（液晶駆動基
板）１７と、ＴＦＴ基板１７に接合された液晶パネル用
対向基板１と、ＴＦＴ基板１７と液晶パネル用対向基板
１との空隙に封入された液晶よりなる液晶層１８とを有
している。

【０１１１】ＴＦＴ基板１７は、液晶層１８の液晶を駆
動するための基板であり、ガラス基板１７１と、かかる
ガラス基板１７１上に設けられた多数の個別電極１７２
と、かかる個別電極１７２の近傍に設けられ、各個別電
極１７２に対応する多数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１７３とを有している。

【０１１２】この液晶パネル１６では、液晶パネル用対
向基板１の透明導電膜（共通電極）１２と、ＴＦＴ基板
１７の個別電極１７２とが対向するように、ＴＦＴ基板
１７と液晶パネル用対向基板１とが、一定距離離間して
接合されている。

【０１１３】ガラス基板１７１は、前述したような理由
から、石英ガラスで構成されていることが好ましい。

【０１１４】個別電極１７２は、透明導電膜（共通電
極）１２との間で充放電を行うことにより、液晶層１８
の液晶を駆動する。この個別電極１７２は、例えば、前
述した透明導電膜１２と同様の材料で構成されている。

【０１１５】薄膜トランジスタ１７３は、近傍の対応す
る個別電極１７２に接続されている。また、薄膜トラン
ジスタ１７３は、図示しない制御回路に接続され、個別
電極１７２へ供給する電流を制御する。これにより、個
別電極１７２の充放電が制御される。

【０１１６】液晶層１８は液晶分子（図示せず）を含有
しており、個別電極１７２の充放電に対応して、かかる
液晶分子、すなわち液晶の配向が変化する。

【０１１７】この液晶パネル１６では、通常、１個のマ
イクロレンズ８と、かかるマイクロレンズ８の光軸Ｑに
対応したブラックマトリックス１１の１個の開口１１１
と、１個の個別電極１７２と、かかる個別電極１７２に
接続された１個の薄膜トランジスタ１７３とが、１画素
に対応している。

【０１１８】マイクロレンズ用凹部付き基板２側から入
射した入射光Ｌは、ガラス基板５を通り、マイクロレン
ズ８を通過する際に集光されつつ、樹脂層１４、カバー
ガラス１３、ブラックマトリックス１１の開口１１１、
透明導電膜１２、液晶層１８、個別電極１７２、ガラス
基板１７１を透過する。なお、このとき、マイクロレン
ズ用凹部付き基板２の入射側には通常偏光板（図示せ
ず）が配置されているので、入射光Ｌが液晶層１８を透
過する際に、入射光Ｌは直線偏光となっている。その
際、この入射光Ｌの偏光方向は、液晶層１８の液晶分子
の配向状態に対応して制御される。したがって、液晶パ
ネル１６を透過した入射光Ｌを、偏光板（図示せず）に
透過させることにより、出射光の輝度を制御することが
できる。

【０１１９】なお、偏光板は、例えば、ベース基板と、
かかるベース基板に積層された偏光基材とで構成され、
かかる偏光基材は、例えば、偏光素子（ヨウ素錯体、二
色性染料等）を添加した樹脂よりなる。

【０１２０】この液晶パネル１６は、ブラックマトリッ
クス１１を有しているので、鮮明な画像を得ることがで
きる。

【０１２１】また、液晶パネル１６は、マイクロレンズ
８を有しており、しかも、マイクロレンズ８を通過した
入射光Ｌは、集光されて各ブラックマトリックス１１の
開口１１１を通過する。しかも、液晶パネル１６が有す
る液晶パネル用対向基板１は、前述したようにマイクロ
レンズ８とブラックマトリックス１１の開口１１１との
間で好適に位置合わせがなされている。したがって、液
晶パネル１６、特にブラックマトリックス１１を通過す
る際の入射光Ｌの減衰が抑制される。すなわち、液晶パ
ネル１６は、高い光の透過率を有し、比較的小さい光量
で明るい画像を形成することができる。

【０１２２】この液晶パネル１６は、例えば、公知の方
法により製造されたＴＦＴ基板１７と液晶パネル用対向
基板１とを配向処理した後、シール材（図示せず）を介
して両者を接合し、次いで、これにより形成された空隙
部の封入孔（図示せず）より液晶を空隙部内に注入し、
次いで、かかる封入孔を塞ぐことにより製造することが
できる。その後、必要に応じて、液晶パネル１６の入射
側や出射側に偏光板を貼り付けてもよい。

【０１２３】なお、上記液晶パネル１６では、液晶駆動
基板としてＴＦＴ基板を用いたが、液晶駆動基板にＴＦ
Ｔ基板以外の他の液晶駆動基板、例えば、ＴＦＤ基板、
ＳＴＮ基板などを用いてもよい。

【０１２４】なお、上述した実施例では、最終的に得れ
らた液晶パネル用対向基板１にアライメントマーク４を
残存させなかったが、液晶パネル用対向基板１にアライ
メントマーク４を残存させて、これを液晶パネル１６を
製造する際の位置決めに用いてもよい。

【０１２５】以下、上記液晶パネル１６を用いた投射型
表示装置について説明する。

【０１２６】図７は、本発明の投射型表示装置の光学系
を模式的に示す図である。

【０１２７】同図に示すように、投射型表示装置３００
は、光源３０１と、複数のインテグレータレンズを備え
た照明光学系と、複数のダイクロイックミラー等を備え
た色分離光学系（導光光学系）と、赤色に対応した（赤
色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレイ）
２４と、緑色に対応した（緑色用の）液晶ライトバルブ
（液晶光シャッターアレイ）２５と、青色に対応した
（青色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレ
イ）２６と、赤色光のみを反射するダイクロイックミラ
ー面２１１および青色光のみを反射するダイクロイック
ミラー面２１２が形成されたダイクロイックプリズム
（色合成光学系）２１と、投射レンズ（投射光学系）２
２とを有している。

【０１２８】また、照明光学系は、インテグレータレン
ズ３０２および３０３を有している。色分離光学系は、
ミラー３０４、３０６、３０９、青色光および緑色光を
反射する（赤色光のみを透過する）ダイクロイックミラ
ー３０５、緑色光のみを反射するダイクロイックミラー
３０７、青色光のみを反射するダイクロイックミラー
（または青色光を反射するミラー）３０８、集光レンズ
３１０、３１１、３１２、３１３および３１４とを有し
ている。

【０１２９】液晶ライトバルブ２５は、前述した液晶パ
ネル１６と、液晶パネル１６の入射面側（マイクロレン
ズ用凹部付き基板２が位置する面側、すなわちダイクロ
イックプリズム２１と反対側）に接合された第１の偏光
板（図示せず）と、液晶パネル１６の出射面側（マイク
ロレンズ用凹部付き基板２と対向する面側、すなわちダ
イクロイックプリズム２１側）に接合された第２の偏光
板（図示せず）とを備えている。液晶ライトバルブ２４
および２６も、液晶ライトバルブ２５と同様の構成とな
っている。これら液晶ライトバルブ２４、２５および２
６が備えている液晶パネル１６は、図示しない駆動回路
にそれぞれ接続されている。

【０１３０】なお、投射型表示装置３００では、ダイク
ロイックプリズム２１と投射レンズ２２とで、光学ブロ
ック２０が構成されている。また、この光学ブロック２
０と、ダイクロイックプリズム２１に対して固定的に設
置された液晶ライトバルブ２４、２５および２６とで、
表示ユニット２３が構成されている。

【０１３１】以下、投射型表示装置３００の作用を説明
する。

【０１３２】光源３０１から出射された白色光（白色光
束）は、インテグレータレンズ３０２および３０３を透
過する。この白色光の光強度（輝度分布）は、インテグ
レータレンズ３０２および３０３により均一にされる。

【０１３３】インテグレータレンズ３０２および３０３
を透過した白色光は、ミラー３０４で図７中左側に反射
し、その反射光のうちの青色光（Ｂ）および緑色光
（Ｇ）は、それぞれダイクロイックミラー３０５で図７
中下側に反射し、赤色光（Ｒ）は、ダイクロイックミラ
ー３０５を透過する。

【０１３４】ダイクロイックミラー３０５を透過した赤
色光は、ミラー３０６で図７中下側に反射し、その反射
光は、集光レンズ３１０により整形され、赤色用の液晶
ライトバルブ２４に入射する。

【０１３５】ダイクロイックミラー３０５で反射した青
色光および緑色光のうちの緑色光は、ダイクロイックミ
ラー３０７で図７中左側に反射し、青色光は、ダイクロ
イックミラー３０７を透過する。

【０１３６】ダイクロイックミラー３０７で反射した緑
色光は、集光レンズ３１１により整形され、緑色用の液
晶ライトバルブ２５に入射する。

【０１３７】また、ダイクロイックミラー３０７を透過
した青色光は、ダイクロイックミラー（またはミラー）
３０８で図７中左側に反射し、その反射光は、ミラー３
０９で図７中上側に反射する。前記青色光は、集光レン
ズ３１２、３１３および３１４により整形され、青色用
の液晶ライトバルブ２６に入射する。

【０１３８】このように、光源３０１から出射された白
色光は、色分離光学系により、赤色、緑色および青色の
三原色に色分離され、それぞれ、対応する液晶ライトバ
ルブに導かれ、入射する。

【０１３９】この際、液晶ライトバルブ２４が有する液
晶パネル１６の各画素（薄膜トランジスター１７３とこ
れに接続された個別電極１７２）は、赤色用の画像信号
に基づいて作動する駆動回路（駆動手段）により、スイ
ッチング制御（オン／オフ）、すなわち変調される。

【０１４０】同様に、緑色光および青色光は、それぞ
れ、液晶ライトバルブ２５および２６に入射し、それぞ
れの液晶パネル１６で変調され、これにより緑色用の画
像および青色用の画像が形成される。この際、液晶ライ
トバルブ２５が有する液晶パネル１６の各画素は、緑色
用の画像信号に基づいて作動する駆動回路によりスイッ
チング制御され、液晶ライトバルブ２６が有する液晶パ
ネル１６の各画素は、青色用の画像信号に基づいて作動
する駆動回路によりスイッチング制御される。

【０１４１】これにより赤色光、緑色光および青色光
は、それぞれ、液晶ライトバルブ２４、２５および２６
で変調され、赤色用の画像、緑色用の画像および青色用
の画像がそれぞれ形成される。

【０１４２】前記液晶ライトバルブ２４により形成され
た赤色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２４からの
赤色光は、面２１３からダイクロイックプリズム２１に
入射し、ダイクロイックミラー面２１１で図７中左側に
反射し、ダイクロイックミラー面２１２を透過して、出
射面２１６から出射する。

【０１４３】また、前記液晶ライトバルブ２５により形
成された緑色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２５
からの緑色光は、面２１４からダイクロイックプリズム
２１に入射し、ダイクロイックミラー面２１１および２
１２をそれぞれ透過して、出射面２１６から出射する。

【０１４４】また、前記液晶ライトバルブ２６により形
成された青色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２６
からの青色光は、面２１５からダイクロイックプリズム
２１に入射し、ダイクロイックミラー面２１２で図７中
左側に反射し、ダイクロイックミラー面２１１を透過し
て、出射面２１６から出射する。

【０１４５】このように、前記液晶ライトバルブ２４、
２５および２６からの各色の光、すなわち液晶ライトバ
ルブ２４、２５および２６により形成された各画像は、
ダイクロイックプリズム２１により合成され、これによ
りカラーの画像が形成される。この画像は、投射レンズ
２２により、所定の位置に設置されているスクリーン３
２０上に投影（拡大投射）される。

【０１４６】このとき、液晶ライトバルブ２４、２５お
よび２６は、前述したような液晶パネル１６を有してい
るので、スクリーン３２０上に明るく鮮明な画像を投影
することができる。

【０１４７】

【実施例】（実施例１）以下のように、液晶パネル用対
向基板を製造した。

【０１４８】なお、液晶パネル用対向基板を製造するに
先立って、マイクロレンズ用凹部付き基板を製造した。

【０１４９】まず、ガラス基板として、厚さ１mmの石英
ガラス基板を用意した。

【０１５０】この石英ガラス基板を、８５℃に加熱した
洗浄液（８０％硫酸＋２０％過酸化水素水）に浸漬して
洗浄を行い、その表面を清浄化した。

【０１５１】−１− 次に、この石英ガラス基板を、６
００℃、８０Paに設定したＣＶＤ炉内に入れ、SiH₄を３
００mL／分の速度で供給し、ＣＶＤ法にて、厚さ０．６
μmの多結晶の多結晶シリコン膜（マスク層および裏面
保護層）を形成した。

【０１５２】−２− 次に、形成した多結晶シリコン膜
（マスク層）上に、フォトレジストによりマイクロレン
ズおよびアライメントマークのパターンを有するレジス
トを形成し、次いで、多結晶シリコン膜（マスク層）に
対してＣＦガスによるドライエッチングを行い、次い
で、前記レジストを除去して、多結晶シリコン膜（マス
ク層）に開口（第１開口および第２開口）を形成した。

【０１５３】−３− 次に、多結晶シリコン膜（マスク
層）および石英ガラス基板上の、アライメントマークを
形成する部分に、スパッタリングおよびフォトリソグラ
フィー法により、アライメントマークの形状に対応した
Au／Cr薄膜（保護層）を形成した。

【０１５４】−４− 次に、石英ガラス基板にウエット
エッチングを施し、石英ガラス基板上に多数の凹部を形
成した。

【０１５５】なお、エッチング液には、フッ酸系のエッ
チング液を用いた。

【０１５６】−５− 次に、ＣＦガスによるドライエッ
チングを行い、多結晶シリコン膜（マスク層および裏面
保護層）を除去した。

【０１５７】−６− 次に、石英ガラス基板を硝酸と塩
酸の混合液（剥離液）に浸漬して、Au／Cr薄膜を除去し
た。

【０１５８】これにより、石英ガラス基板上に、中心部
に円形の開口を有する十字型のアライメントマークと、
多数の凹部とが形成されたウエハー状のマイクロレンズ
用凹部付き基板を得た。

【０１５９】このマイクロレンズ用凹部付き基板を用い
て液晶パネル用対向基板を製造した。

【０１６０】−７− 次に、マイクロレンズ用凹部付き
基板の凹部が形成された面に、紫外線（ＵＶ）硬化型エ
ポキシ系の光学接着剤（屈折率１．６０）を用い、石英
ガラス製のカバーガラスを接合した。

【０１６１】また、これにより、マイクロレンズ用凹部
付き基板の凹部に充填された光学接着剤よりなるマイク
ロレンズが、硬化した光学接着剤で構成された樹脂層に
形成された。

【０１６２】−８− 次に、この接合したカバーガラス
を、研削、研磨して、カバーガラスの厚さを５０μm と
した。

【０１６３】−９− 次に、このカバーガラス上に、開
口が形成されたブラックマトリックスを形成した。これ
は、次のようにして行った。まず、カバーガラス上に、
スパッタリングにより厚さ０．１６μm のCr膜を成膜し
た。次に、かかるCr膜上にレジスト膜を形成した。次
に、前記アライメントマークを指標として、露光機を用
い、ブラックマトリックスパターンの各開口部が各マイ
クロレンズの光軸に一致するように露光し、前記レジス
ト膜にブラックマトリックスパターンを形成した。次
に、硝酸セリウムアンモン水溶液を剥離液としてウエッ
トエッチングを行い、Cr膜にブラックマトリックスの開
口を形成した。次に、前記レジスト膜を除去した。

【０１６４】このとき、アライメントマークを位置決め
の指標とすることにより、ブラックマトリックスパター
ンの位置決めを容易かつ正確に行うことができた。

【０１６５】−１０− 次に、カバーガラス上に、ブラ
ックマトリックスを覆うように、スパッタリングによ
り、厚さ０．１５μm のＩＴＯ膜（透明導電膜）を形成
した。

【０１６６】これにより、液晶パネル用対向基板を複数
個含むウエハーを得た。

【０１６７】−１１− 最後に、ダイシング装置を用い
てこのウエハーをカットし、液晶パネル用対向基板を得
た。なお、マイクロレンズ用凹部付き基板が個別基板と
して得られる場合には、液晶パネル用対向基板も個別基
板として得られるので、ウエハーをカットして切り分け
る必要はない。

【０１６８】（実施例２）上記−３−におけるAu／Cr薄
膜を窒化シリコン膜とし、上記−５−におけるＣＦガス
によるドライエッチングをフッ酸、硝酸、水の混合液に
よるウエットエッチングとし、上記−６−における剥離
液をリン酸水溶液とした以外は、実施例１と同様にして
液晶パネル用対向基板を得た。

【０１６９】なお、窒化シリコン膜は、低圧ＣＶＤ法に
より成膜した。

【０１７０】（評価）前記実施例１および２で得られた
液晶パネル用対向基板に、それぞれ、マイクロレンズ用
凹部付き基板側から光を入射させて光を透過させたとこ
ろ、本来はブラックマトリックスのCr膜でけられていた
光が効果的にブラックマトリックスの開口部に導かれ、
明るい出射光を得ることができた。この光の透過率は、
実施例１の液晶パネル用対向基板は８５％、実施例２の
液晶パネル用対向基板は８７％であった。これにより、
これらの液晶パネル用対向基板は、ブラックマトリック
スの開口部とマイクロレンズとが正確に位置合わせされ
ているため、安定的に光利用効率の向上が図られている
ことが確認された。

【０１７１】（実施例３）さらに、前記実施例１および
２で得られた液晶パネル用対向基板を用い、図６に示す
構造のＴＦＴ液晶パネルをそれぞれ組み立てた。このＴ
ＦＴ液晶パネルに用いたＴＦＴ基板には、ガラス基板と
して石英ガラスが用いられていた。

【０１７２】組み立てたＴＦＴ液晶パネルは、両者と
も、前記液晶パネル用対向基板と同様に高い光の透過率
を有していた。また、各画素の輪郭もはっきりしてい
た。

【０１７３】したがって、かかる液晶パネルを用いた投
射型表示装置は、スクリーン上に明るく鮮明な画像を投
射できることが容易に推察される。

【０１７４】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、高
い光の透過率を有する液晶パネル用対向基板を容易に製
造することができる。

【０１７５】また、本発明によれば、液晶パネル用対向
基板が有するマイクロレンズに対するブラックマトリッ
クスの位置決めが正確かつ容易となる。したがって、本
発明によれば、高い歩留りで液晶パネル用対向基板およ
び液晶パネルを製造することができる。

【０１７６】さらに、本発明によれば、明るく鮮明な画
像を投射可能な投射型表示装置を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】マイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法を示
す模式的な縦断面図である。

【図２】マイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法を示
す模式的な縦断面図である。

【図３】本発明の液晶パネル用対向基板の製造方法を示
す模式的な縦断面図である。

【図４】本発明の液晶パネル用対向基板を示す模式的な
縦断面図である。

【図５】マイクロレンズ用凹部付き基板を示す模式的な
平面図である。

【図６】本発明の液晶パネルを示す模式的な縦断面図で
ある。

【図７】本発明の投射型表示装置の光学系を模式的に示
す図である。

【符号の説明】

１ 液晶パネル用対向基板 ２ マイクロレンズ用凹部付き基板 ３ 凹部 ４ アライメントマーク ４１ 角部 ５ ガラス基板 ６ マスク層 ６１ 第１開口 ６２ 第２開口 ６９ 裏面保護層 ７ 保護層 ８ マイクロレンズ １１ ブラックマトリックス １１１ 開口 １２ 透明導電膜 １３ カバーガラス １４ 樹脂層 １６ 液晶パネル １７ ＴＦＴ基板 １７１ ガラス基板 １７２ 個別電極 １７３ 薄膜トランジスタ １８ 液晶層 ２０ 光学ブロック ２１ ダイクロイックプリズム ２１１、２１２ ダイクロイックミラー面 ２１３〜２１５ 面 ２１６ 出射面 ２２ 投射レンズ ２３ 表示ユニット ２４〜２６ 液晶ライトバルブ ３００ 投射型表示装置 ３０１ 光源 ３０２、３０３ インテグレータレンズ ３０４、３０６、３０９ ミラー ３０５、３０７、３０８ ダイクロイックミラー ３１０〜３１４ 集光レンズ ３２０ スクリーン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1335 Ｇ０２Ｆ 1/1335 (72)発明者 山下 秀人 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 JA03 JA04 JB04 JC03 JC12 JC14 JD01 JD18 LA01 LA04 LA12 LA15 2H091 FA29Y FA35Y FB02 FB07 FB08 FC18 FC26 FD04 FD05 FD06 FD12 FD14 GA01 GA13 LA18 MA07 4F213 AA44 AD04 AE03 AH33 AH74 AJ06 WA02 WB01 WB11 WC01 4G062 AA18 BB02 CC07 MM12 NN01

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガラス基板上に多数のマイクロレンズ用
   凹部が形成されたマイクロレンズ用凹部付き基板を用意
   し、 該マイクロレンズ用凹部付き基板に、樹脂層を介してカ
   バーガラスを積層し、 次いで、該カバーガラス上に、ブラックマトリックス
   を、前記マイクロレンズ用凹部の位置に対応するように
   形成することを特徴とする液晶パネル用対向基板の製造
   方法。
2. 【請求項２】 ガラス基板上に多数のマイクロレンズ用
   凹部が形成されたマイクロレンズ用凹部付き基板を用意
   し、 該マイクロレンズ用凹部付き基板に、樹脂層を介してカ
   バーガラスを積層するとともに該樹脂層にマイクロレン
   ズを形成し、 次いで、前記カバーガラス上に、多数の開口を有するブ
   ラックマトリックスを、前記開口が前記マイクロレンズ
   の光軸上に位置するように、形成することを特徴とする
   液晶パネル用対向基板の製造方法。
3. 【請求項３】 前記積層したカバーガラスの厚さを調整
   した後、前記ブラックマトリックスを形成する請求項１
   または２に記載の液晶パネル用対向基板の製造方法。
4. 【請求項４】 前記カバーガラスの厚さの調整は、前記
   カバーガラスを研削、研磨することにより行われる請求
   項３に記載の液晶パネル用対向基板の製造方法。
5. 【請求項５】 前記ブラックマトリックスを形成後、前
   記カバーガラス上に、前記ブラックマトリックスを覆う
   ように、透明導電膜を形成する請求項１ないし４のいず
   れかに記載の液晶パネル用対向基板の製造方法。
6. 【請求項６】 前記ブラックマトリックスは、前記カバ
   ーガラス上に気相成膜法を行った後、エッチングを施す
   ことにより形成されるものである請求項１ないし５のい
   ずれかに記載の液晶パネル用対向基板の製造方法。
7. 【請求項７】 前記マイクロレンズ用凹部付き基板は位
   置決めの指標となるアライメントマークを有し、 前記ブラックマトリックスは、前記アライメントマーク
   を指標として形成されるものである請求項１ないし６の
   いずれかに記載の液晶パネル用対向基板の製造方法。
8. 【請求項８】 前記ガラス基板および／または前記カバ
   ーガラスは、石英ガラスで構成されている請求項１ない
   し７のいずれかに記載の液晶パネル用対向基板の製造方
   法。
9. 【請求項９】 前記ブラックマトリックスは、金属膜か
   らなる請求項１ないし８のいずれかに記載の液晶パネル
   用対向基板の製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項１ないし９のいずれかに記載の
    液晶パネル用対向基板の製造方法により製造された液晶
    パネル用対向基板を備えたことを特徴とする液晶パネ
    ル。
11. 【請求項１１】 個別電極を備えた液晶駆動基板と、該
    液晶駆動基板に接合され、請求項１ないし９のいずれか
    に記載の液晶パネル用対向基板の製造方法により製造さ
    れた液晶パネル用対向基板と、前記液晶駆動基板と液晶
    パネル用対向基板との空隙に封入された液晶とを有する
    ことを特徴とする液晶パネル。
12. 【請求項１２】 前記液晶駆動基板はＴＦＴ基板である
    請求項１１に記載の液晶パネル。
13. 【請求項１３】 請求項１０ないし１２のいずれかに記
    載の液晶パネルを備えたことを特徴とする投射型表示装
    置。