JP2000223399A - Exposure apparatus and device manufacturing method - Google Patents
Exposure apparatus and device manufacturing methodInfo
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- JP2000223399A JP2000223399A JP11023758A JP2375899A JP2000223399A JP 2000223399 A JP2000223399 A JP 2000223399A JP 11023758 A JP11023758 A JP 11023758A JP 2375899 A JP2375899 A JP 2375899A JP 2000223399 A JP2000223399 A JP 2000223399A
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- layout
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 実際のショットに対応したショットレイアウ
トを容易に作成できるようにする。
【解決手段】 所定の情報に基づいてショットレイアウ
トを作成し、このショットレイアウトに基づいて基板を
ステージにより各ショット位置に位置決めし、露光範囲
を制限することにより形成されるレチクルパターン上の
露光エリア内のパターン部分を基板上に露光する露光装
置およびデバイス製造方法において、露光範囲を制限す
ることにより形成されるレチクルパターン上の各露光エ
リア602、603毎に決定される実際のショットの位
置情報としてショットレイアウトを作成する。また、実
際のショットの位置情報に基づいて、実際に露光するエ
リアを表したショットレイアウトの図形を表示する。ま
た、作成されたショットレイアウトの各ショットの位置
情報と露光エリアを制限する手段で形成されるレチクル
パターン上の露光エリアの位置情報とに基づいて各ショ
ット位置にステージを位置決めして露光を行う。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To easily create a shot layout corresponding to an actual shot. SOLUTION: A shot layout is created based on predetermined information, a substrate is positioned at each shot position by a stage based on the shot layout, and an exposure area on a reticle pattern formed by limiting an exposure range. In an exposure apparatus and device manufacturing method for exposing a pattern portion on a substrate, a shot is used as position information of an actual shot determined for each of exposure areas 602 and 603 on a reticle pattern formed by limiting an exposure range. Create a layout. Further, based on the position information of the actual shot, a graphic of a shot layout representing an area to be actually exposed is displayed. The exposure is performed by positioning the stage at each shot position based on the position information of each shot of the created shot layout and the position information of the exposure area on the reticle pattern formed by the means for limiting the exposure area.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子や液晶素
子等のデバイスを製造するための露光装置およびデバイ
ス製造方法に関し、特に、露光のためのショットレイア
ウトの作成と露光位置に関して改良を加えたものに関す
る。本発明は、半導体製造装置、特にウエハ上に回路パ
ターンを焼き付ける半導体露光装置およびこれを用いた
デバイス製造方法に対して特に好適に適用される。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus and a device manufacturing method for manufacturing a device such as a semiconductor element or a liquid crystal element, and more particularly, to an improvement in a shot layout for exposure and an exposure position. About. The present invention is particularly suitably applied to a semiconductor manufacturing apparatus, particularly a semiconductor exposure apparatus for printing a circuit pattern on a wafer and a device manufacturing method using the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、半導体露光装置において、露光す
るデバイスのレイアウトは、ステージの移動距離(ステ
ップサイズ)によって決まるサイズと、露光時にレンズ
中心が来る位置によって作られている。例えば、ステッ
プサイズXが20mm、Yが15mmで、XおよびY方
向に4個づつ露光する場合、15mm×20mmの長方
形がXおよびY方向にそれぞれ4個づつ並んだレイアウ
トを作成するようになっている。このような通常のレイ
アウトの場合は、問題なくショットレイアウトが作成で
き、それに沿って露光を行なうことができる。2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor exposure apparatus, a layout of a device to be exposed is made by a size determined by a moving distance (step size) of a stage and a position where a lens center comes at the time of exposure. For example, when the step size X is 20 mm and Y is 15 mm, and four exposures are performed in the X and Y directions, a layout in which four rectangles of 15 mm × 20 mm are arranged in the X and Y directions, respectively, is created. I have. In the case of such a normal layout, a shot layout can be created without any problem, and exposure can be performed along the shot layout.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例によれば、レイアウトの中にTEGを露光するとき
など、ショットを通常位置からシフトして、レンズ中心
から離れた位置でマスキングブレードを開口して露光す
る必要がある場合、レイアウトの作成は簡単ではなく、
レイアウトの表示においても、同じ大きさのショットが
シフトされ、重なった形で表示される。However, according to the above-mentioned prior art, when the TEG is exposed in the layout or the like, the shot is shifted from the normal position and the masking blade is opened at a position away from the center of the lens. Creating a layout is not easy when you need to expose
Also in the layout display, shots of the same size are shifted and displayed in an overlapping manner.
【0004】たとえば、図4に示すようなレイアウト
を、図6で示すレチクルで露光する場合、作成するレイ
アウトは図5のようになる。図5中の401は通常ショ
ットであり、図6のレチクル601の通常パターン60
3で露光するものである。図4中の402と403はT
EGショットであり、レチクル601のTEGパターン
602で露光するものである。図5に示される従来のシ
ョットレイアウトは、ステージの位置とショットサイズ
に基づいて作られている。TEGショット403を露光
するためには、TEGパターン602で作られる像がT
EGショット403の位置に来る必要があり、そのため
には露光中心604が中心に来る通常パターン603の
像(実際にはマスキングブレードで遮光されているので
像はない)が来る位置にTEGショット403に対応す
るTEGショット502を描いている。同様にTEGシ
ョット402についてはTEGショット501のように
描かれている。したがって、他のTEGショットが上に
描かれているため、一部は隠れている絵になっている。For example, when a layout as shown in FIG. 4 is exposed with a reticle as shown in FIG. 6, a layout to be created is as shown in FIG. Reference numeral 401 in FIG. 5 denotes a normal shot, and the normal pattern 60 of the reticle 601 in FIG.
Exposure is performed in step 3. 402 and 403 in FIG.
This is an EG shot, which is exposed by the TEG pattern 602 of the reticle 601. The conventional shot layout shown in FIG. 5 is made based on the position of the stage and the shot size. To expose the TEG shot 403, the image formed by the TEG pattern
It is necessary to come to the position of the EG shot 403. For that purpose, the TEG shot 403 is placed at the position where the image of the normal pattern 603 (actually, there is no image because it is shielded by the masking blade) with the exposure center 604 at the center The corresponding TEG shot 502 is drawn. Similarly, the TEG shot 402 is drawn like the TEG shot 501. Therefore, since another TEG shot is drawn on top, a part of the picture is hidden.
【0005】これによれば、ショット中心をレンズ中心
(露光中心)に合わせて、指定されている位置にマスキ
ングブレードを動かせば露光できるため、露光シーケン
スは簡単だが、ショットレイアウトを作成するためには
露光中心から露光するパターンまでの距離を考慮する必
要があり、オペレータにとってはわかりにくい。そこ
で、レイアウト表示について、特開平8−167565
号公報では、実際に露光されるエリアでレイアウトを表
示する方法が提案されているが、レイアウトの作成につ
いては提案されていない。そのため、作成したレイアウ
トが一目で正しいかどうかがわかるようになったが、そ
のようなレイアウトを作成するのは相変わらず大変であ
るという欠点がある。According to this, exposure can be performed by aligning the shot center with the lens center (exposure center) and moving the masking blade to a designated position, so that the exposure sequence is simple. It is necessary to consider the distance from the exposure center to the pattern to be exposed, which is difficult for an operator to understand. Therefore, the layout display is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-167565.
In Japanese Patent Laid-Open Publication No. H10-209, a method of displaying a layout in an area that is actually exposed is proposed, but no proposal is made for creating a layout. For this reason, it has become possible to determine at a glance whether or not the created layout is correct. However, there is a disadvantage that creating such a layout is still difficult.
【0006】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、露光装置およびデバイス製造方法におい
て、容易に実際のショットに対応したショットレイアウ
トを作成できるようにすることにある。An object of the present invention is to provide an exposure apparatus and a device manufacturing method that can easily create a shot layout corresponding to an actual shot in view of the problems of the related art.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明の露光装置は、所定の情報に基づいてショッ
トレイアウトを作成するレイアウト作成手段と、このシ
ョットレイアウトに基づいて、基板をステージにより各
ショット位置に位置決めして基板上にレチクルパターン
を露光する露光手段と、各ショットにおける露光エリア
を制限する露光エリア制限手段とを有する露光装置にお
いて、レイアウト作成手段は、露光エリア制限手段で制
限することにより形成されるレチクルパターン上の各露
光エリア毎に決定される実際のショットの位置情報とし
てショットレイアウトを作成するものであることを特徴
とする。In order to achieve this object, an exposure apparatus according to the present invention comprises: a layout creating means for creating a shot layout based on predetermined information; and a stage using a stage based on the shot layout. In an exposure apparatus having an exposure unit that exposes a reticle pattern on a substrate by positioning it at each shot position and an exposure area limiting unit that limits an exposure area in each shot, the layout creating unit limits the exposure by the exposure area limiting unit A shot layout is created as position information of actual shots determined for each exposure area on a reticle pattern formed thereby.
【0008】また、本発明のデバイス製造方法は、所定
の情報に基づいてショットレイアウトを作成するレイア
ウト作成工程と、このショットレイアウトに基づいて基
板をステージにより各ショット位置に位置決めする工程
と、露光範囲を制限することにより形成されるレチクル
パターン上の露光エリア内のパターン部分を基板上に露
光する露光工程とを備えたデバイス製造方法において、
レイアウト作成工程では、露光範囲を制限することによ
り形成されるレチクルパターン上の各露光エリア毎に決
定される実際のショットの位置情報としてショットレイ
アウトを作成することを特徴とする。Further, the device manufacturing method of the present invention includes a layout creating step of creating a shot layout based on predetermined information, a step of positioning a substrate at each shot position by a stage based on the shot layout, and an exposure range. An exposure step of exposing a pattern portion in an exposure area on a reticle pattern formed by restricting the substrate to a substrate, a device manufacturing method comprising:
The layout creation step is characterized in that a shot layout is created as actual shot position information determined for each exposure area on a reticle pattern formed by limiting the exposure range.
【0009】これによれば、ショットレイアウトを作成
するために必要な情報の設定が容易であるため、実際の
ショットに対応したショットレイアウトが、容易に作成
される。また、そのショットレイアウトによって露光処
理が容易に行なわれる。According to this, it is easy to set information necessary for creating a shot layout, so that a shot layout corresponding to an actual shot can be easily created. Further, the exposure processing is easily performed by the shot layout.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態におい
ては、作成されたショットレイアウトの各ショットの位
置情報と露光範囲を制限して形成されるレチクルパター
ン上の露光エリアの位置情報とに基づいて各ショット位
置にステージを位置決めして露光を行なう。またレイア
ウト作成では、実際のショットの位置情報に基づいて、
実際に露光するエリアを表したショットレイアウトの図
形を表示する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In a preferred embodiment of the present invention, based on position information of each shot of a created shot layout and position information of an exposure area on a reticle pattern formed by limiting an exposure range. Exposure is performed by positioning the stage at each shot position. Also, in the layout creation, based on the actual shot position information,
A figure of a shot layout showing an area to be actually exposed is displayed.
【0011】さらに、レイアウト作成は、露光範囲を制
限して形成されるレチクルパターン上の各露光エリアに
関する位置情報と、露光範囲を制限して形成されるレチ
クルパターン上の各露光エリアに関する大きさまたは隣
接ショット間の間隔情報と、基板上に露光するショット
のローおよびコラム数と、基板上におけるショットレイ
アウトの基準位置とに基づいてショットレイアウトを作
成する。[0011] Further, the layout creation includes the positional information on each exposure area on the reticle pattern formed by limiting the exposure range, and the size or size of each exposure area on the reticle pattern formed by limiting the exposure range. A shot layout is created based on interval information between adjacent shots, the number of rows and columns of shots to be exposed on the substrate, and a reference position of the shot layout on the substrate.
【0012】[0012]
【実施例】図1は本発明の一実施例に係る半導体露光装
置の外観を示す斜視図である。同図に示すように、この
半導体露光装置は、装置本体の環境温度制御を行なう温
調チャンバ101、その内部に配置され、装置本体の制
御を行なうCPUを有するEWS本体106、ならび
に、装置における所定の情報を表示するEWS用ディス
プレイ装置102、装置本体において撮像手段を介して
得られる画像情報を表示するモニタTV105、装置に
対し所定の入力を行なうための操作パネル103、EW
S用キーボード104等を含むコンソール部を備えてい
る。図中、107はON−OFFスイッチ、108は非
常停止スイッチ、109は各種スイッチ、マウス等、1
10はLAN通信ケーブル、111はコンソール機能か
らの発熱の排気ダクト、そして112はチャンバの排気
装置である。半導体露光装置本体はチャンバ101の内
部に設置される。FIG. 1 is a perspective view showing the appearance of a semiconductor exposure apparatus according to one embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the semiconductor exposure apparatus includes a temperature control chamber 101 for controlling an environmental temperature of the apparatus main body, an EWS main body 106 disposed therein and having a CPU for controlling the apparatus main body, and a predetermined Display device 102 for displaying EWS information, monitor TV 105 for displaying image information obtained via the imaging means in the device main body, operation panel 103 for making predetermined input to the device, EW
A console unit including an S keyboard 104 and the like is provided. In the figure, 107 is an ON-OFF switch, 108 is an emergency stop switch, 109 is various switches, a mouse, etc.
10 is a LAN communication cable, 111 is an exhaust duct for generating heat from the console function, and 112 is an exhaust device for the chamber. The semiconductor exposure apparatus main body is installed inside the chamber 101.
【0013】EWS用ディスプレイ102は、EL、プ
ラズマ、液晶等の薄型フラットタイプのものであり、チ
ャンバ101前面に納められ、LANケーブル110に
よりEWS本体106と接続される。操作パネル10
3、キーボード104、モニタTV105等もチャンバ
101前面に設置し、チャンバ101前面から従来と同
様のコンソール操作が行なえるようにしてある。The EWS display 102 is of a thin flat type such as EL, plasma, liquid crystal, etc., is housed in the front of the chamber 101, and is connected to the EWS main body 106 by a LAN cable 110. Operation panel 10
3. A keyboard 104, a monitor TV 105, and the like are also installed on the front surface of the chamber 101 so that a console operation similar to the conventional console operation can be performed from the front surface of the chamber 101.
【0014】図2は、図1の装置の内部構造を示す図で
ある。同図においては、半導体露光装置としてのステッ
パが示されている。図中、202はレチクル、203は
ウエハであり、光源装置204から出た光束が照明光学
系205を通ってレチクル202を照明するとき、投影
レンズ206によりレチクル202上のパターンをウエ
ハ203上の感光層に転写することができる。レチクル
202はレチクル202を保持、移動するためのレチク
ルステージ207により支持されている。ウエハ203
はウエハチャック291により真空吸着された状態で露
光される。ウエハチャック291はウエハステージ20
9により各軸方向に移動可能である。FIG. 2 is a diagram showing the internal structure of the apparatus shown in FIG. FIG. 1 shows a stepper as a semiconductor exposure apparatus. In the drawing, reference numeral 202 denotes a reticle, and 203, a wafer. When a light beam emitted from a light source device 204 illuminates the reticle 202 through an illumination optical system 205, a pattern on the reticle 202 is projected by a projection lens 206 onto the wafer 203. Can be transferred to a layer. The reticle 202 is supported by a reticle stage 207 for holding and moving the reticle 202. Wafer 203
Is exposed while being vacuum-sucked by the wafer chuck 291. The wafer chuck 291 is mounted on the wafer stage 20.
9 allows movement in each axis direction.
【0015】レチクル202の上側にはレチクルの位置
ずれ量を検出するためのレチクル光学系281が配置さ
れる。ウエハステージ209の上方に、投影レンズ20
6に隣接してオフアクシス顕微鏡282が配置されてい
る。オフアクシス顕微鏡282は内部の基準マークとウ
エハ203上のアライメントマークとの相対位置検出を
行なうのが主たる役割である。また、これらステッパ本
体に隣接して周辺装置であるレチクルライブラリ220
や、ウエハキャリアエレベータ230が配置され、必要
なレチクルやウエハはレチクル搬送装置221およびウ
エハ搬送装置231によってステッパ本体に搬送され
る。Above the reticle 202, a reticle optical system 281 for detecting the amount of displacement of the reticle is arranged. The projection lens 20 is located above the wafer stage 209.
An off-axis microscope 282 is arranged adjacent to the sixth axis. The main role of the off-axis microscope 282 is to detect the relative position between the internal reference mark and the alignment mark on the wafer 203. A reticle library 220 which is a peripheral device adjacent to these stepper bodies is also provided.
Alternatively, a wafer carrier elevator 230 is arranged, and a required reticle or wafer is transferred to the stepper body by the reticle transfer device 221 and the wafer transfer device 231.
【0016】チャンバ101は、主に空気の温度調節を
行なう空調機室210および微小異物を濾過し清浄空気
の均一な流れを形成するフィルタボックス213、また
装置環境を外部と遮断するブース214で構成されてい
る。チャンバ101内では、空調機室210内にある冷
却器215および再熱ヒータ216により温度調節され
た空気が、送風機217によりエアフィルタgを介して
ブース214内に供給される。このブース214に供給
された空気はリターン口raより再度空調機室210に
取り込まれチャンバ101内を循環する。通常、このチ
ャンバ101は厳密には完全な循環系ではなく、ブース
214内を常時陽圧に保つために循環空気量の約1割の
ブース214外の空気を空調機室210に設けられた外
気導入口oaより送風機を介して導入している。このよ
うにしてチャンバ101は、本装置の置かれる環境温度
を一定に保ち、かつ空気を清浄に保つことを可能にして
いる。また光源装置204には超高圧水銀灯の冷却やレ
ーザ異常時の有毒ガス発生に備えて吸気口saと排気口
eaが設けられ、ブース214内の空気の一部が光源装
置204を経由し、空調機室210に備えられた専用の
排気ファンを介して工場設備に強制排気されている。ま
た、空気中の化学物質を除去するための化学吸着フィル
タcfを、空調機室210の外気導入口oaおよびリタ
ーン口raにそれぞれ接続して備えている。The chamber 101 is mainly composed of an air conditioner room 210 for controlling the temperature of air, a filter box 213 for filtering fine foreign matters to form a uniform flow of clean air, and a booth 214 for shutting off the environment of the apparatus from the outside. Have been. In the chamber 101, air whose temperature has been adjusted by the cooler 215 and the reheat heater 216 in the air conditioner room 210 is supplied into the booth 214 via the air filter g by the blower 217. The air supplied to the booth 214 is taken into the air conditioner room 210 again from the return port ra and circulates in the chamber 101. Normally, the chamber 101 is not strictly a complete circulation system. To maintain the inside of the booth 214 at a positive pressure at all times, about 10% of the amount of circulating air outside the booth 214 is supplied to the outside air provided in the air conditioner room 210. It is introduced from the inlet oa via a blower. In this way, the chamber 101 enables the environment temperature where the apparatus is placed to be kept constant and the air to be kept clean. The light source device 204 is provided with an intake port sa and an exhaust port ea in preparation for cooling of the ultra-high pressure mercury lamp and generation of toxic gas at the time of laser abnormality, and a part of the air in the booth 214 passes through the light source device 204 to be air-conditioned. The air is forcibly exhausted to factory equipment via a dedicated exhaust fan provided in the machine room 210. Further, a chemical adsorption filter cf for removing chemical substances in the air is provided so as to be connected to the outside air introduction port oa and the return port ra of the air conditioner room 210, respectively.
【0017】図3は、図1の装置の電気回路構成を示す
ブロック図である。同図において、321は装置全体の
制御を司る、前記EWS本体106に内蔵された本体C
PUであり、マイクロコンピュータまたはミニコンピュ
ータ等の中央演算処理装置からなる。322はウエハス
テージ駆動装置、323は前記オフアクシス顕微鏡28
2等のアライメント検出系、324はレチクルステージ
駆動装置、325は前記光源装置204等の照明系、3
26はシャッタ駆動装置、327はフォーカス検出系、
328はZ駆動装置であり、これらは、本体CPU32
1により制御される。329は前記レチクル搬送装置2
21、ウエハ搬送装置231等の搬送系である。330
は前記ディスプレイ102、キーボード104等を有す
るコンソールユニットであり、本体CPU321にこの
露光装置の動作に関する各種のコマンドやパラメータを
与えるためのものである。すなわち、オペレータとの間
で情報の授受を行なうためのものである。331はコン
ソールCPU、332は各種ジョブのパラメータ等を記
憶する外部メモリである。ジョブパラメータには、使用
するマスク、マスキングブレードの開口、露光量、レイ
アウトデータ等が含まれる。FIG. 3 is a block diagram showing an electric circuit configuration of the apparatus shown in FIG. In the figure, reference numeral 321 denotes a main unit C built in the EWS main unit 106, which controls the entire apparatus.
It is a PU and comprises a central processing unit such as a microcomputer or a minicomputer. 322 is a wafer stage driving device, and 323 is the off-axis microscope 28.
2 is an alignment detection system, 324 is a reticle stage driving device, 325 is an illumination system such as the light source device 204, 3
26 is a shutter driving device, 327 is a focus detection system,
Reference numeral 328 denotes a Z drive, which is a main body CPU 32
1 is controlled. 329 is the reticle transport device 2
21, a transfer system such as a wafer transfer device 231. 330
Is a console unit having the display 102, the keyboard 104, etc., for giving various commands and parameters relating to the operation of the exposure apparatus to the main body CPU 321. That is, it is for exchanging information with the operator. Reference numeral 331 denotes a console CPU, and 332 denotes an external memory for storing various job parameters and the like. The job parameters include a mask to be used, an opening of a masking blade, an exposure amount, layout data, and the like.
【0018】この実施例では、マスキングブレード位置
はウエハ上換算とする。また、ショットを露光する場
合、ステップサイズとマスキングブレードの開口幅は同
じ量を指定することとし、パラメータで指定された量、
たとえば0〜1mmの間の量だけX、Y方向とも余分に
両側に開き、レチクル遮光帯幅の1/2くらいまで開く
ようになっている。これは、マスキングブレードの影の
影響が生じないようにするためである。また、レンズ中
心(露光中心)はステージの(0,0)の位置とする。
わかり易く簡単にするために、ウエハの形等によるショ
ットの有効/無効の処理は省く。本実施例は通常のショ
ットとTEGのショットがある場合の例であり、以下で
説明する処理は全てコンソールCPU331で他のコン
ソールユニットを使って処理され、装置を操作する場合
は本体CPU321に送られる。なお、以下の各図で
は、右方向および上方向がプラス方向になっている。In this embodiment, the masking blade position is converted on the wafer. Also, when exposing a shot, the step size and the opening width of the masking blade are specified by the same amount, and the amount specified by the parameter,
For example, an opening between 0 and 1 mm in both the X and Y directions is additionally opened on both sides, and the opening is opened to about 1/2 of the width of the reticle light shielding band. This is to prevent the influence of the shadow of the masking blade from occurring. The lens center (exposure center) is at the position (0, 0) of the stage.
For simplicity and simplicity, the process of validating / invalidating shots according to the shape of the wafer and the like is omitted. This embodiment is an example of a case where there is a normal shot and a TEG shot. All the processing described below is processed by the console CPU 331 using another console unit, and is sent to the main body CPU 321 when operating the apparatus. . In the following drawings, the right direction and the upward direction are plus directions.
【0019】図9はレイアウト作成処理のフローチャー
トであり、このフローチャートに沿ってショットレイア
ウトの作成処理を説明する。処理を開始すると、まずス
テップS901において、露光時のマスキングブレード
の位置情報を設定する。通常この設定はオペレータがコ
ンソールユニットから入力することにより行なう。設定
するデータは、レチクルの複数エリアの露光に対応でき
るようにするために、複数組みの情報が設定できるよう
に、構造体の配列mpinfoとしており、そのメンバ
として、図6のマスキングブレードの右上の位置605
および607のx位置ruxおよびy位置ruyや、左
下の位置606および608のx位置Ldxおよびy位
置Ldy等が含まれている。このマスキングブレードの
位置情報は図10で示される後述の露光処理でも使用さ
れる。FIG. 9 is a flowchart of a layout creation process. The shot layout creation process will be described with reference to this flowchart. When the process is started, first, in step S901, position information of a masking blade at the time of exposure is set. Usually, this setting is performed by the operator inputting from the console unit. The data to be set is an array of structures mpinfo so that a plurality of sets of information can be set in order to correspond to the exposure of a plurality of areas of the reticle. Position 605
And 607, x-position rux and y-position ruy, and lower left positions 606 and 608 of x-position Ldx and y-position Ldy. The position information of the masking blade is also used in the exposure processing described later with reference to FIG.
【0020】次に、ステップS902においてショット
のカウンタsに0を設定し、ステップS903において
レイアウトの作成が終了かどうかを決める。この決定
も、通常はオペレータの指示により行なう。そして、続
行であればステップS904に進み、終了であればステ
ップS916に進む。Next, in step S902, the shot counter s is set to 0, and in step S903, it is determined whether layout creation is completed. This determination is also usually made according to the instruction of the operator. If the process is continued, the process proceeds to step S904, and if completed, the process proceeds to step S916.
【0021】ステップS904では、ステップS901
で設定したマスキングブレード位置情報の配列の何番目
の情報を使用するかをnに入れる。また、今回作成する
レイアウトのRow(ロー)、Column(コラム)
の数をrow、coLに入力する。このn、row、c
oLも通常オペレータが設定する。In step S904, step S901
The order of the information of the masking blade position information array set in the above is entered in n. In addition, Row (column) and Column (column) of the layout created this time
Is input to row and coL. This n, row, c
oL is also usually set by the operator.
【0022】次にステップS905において、選択した
マスキングブレード位置情報から、次式により、そのマ
スキングブレード位置でのマスキングブレード開口幅m
bw_x、mbw_yを計算する。Next, in step S905, from the selected masking blade position information, the masking blade opening width m at the masking blade position is calculated by the following equation.
bw_x, mbw_y are calculated.
【0023】[0023]
【数1】 次に、ステップS906において、露光時におけるショ
ット中心から次のショット中心までのステージの移動距
離であるステップサイズstepx、stepyを入力
する。ここではわかりやすくするために、マスキングブ
レード開口幅と同じにしている。(Equation 1) Next, in step S906, step sizes stepx and stepy, which are movement distances of the stage from the center of the shot at the time of exposure to the center of the next shot, are input. Here, for the sake of simplicity, the opening width is the same as the masking blade opening width.
【0024】次に、ステップS907において、ローお
よびコラム方向に並べるショットの基準になるショット
の中心位置sbase_x、sbase_yを入力す
る。奇数個並べる場合は中心のショットの中心位置を入
力し、偶数個並べる場合は中心にある2個のショットの
うちプラス方向にあるショットの中心位置を入力する。
たとえば、図7に示すような通常ショットとTEGショ
ットを含んだレイアウト701の場合、通常のショット
ではショット702の中心位置704(ウエハ中心70
3を基準にした位置)を入力する。通常ショットのレイ
アウト作成の一連の処理の次に、TEGショットの処理
を行ない、その場合、TEGショット705の中心位置
706を入力する。この設定も、通常、オペレータが行
なう。Next, in step S907, the center positions sbase_x and sbase_y of the shots, which are the reference of the shots arranged in the row and column directions, are input. When arranging an odd number, the center position of the center shot is input. When arranging an even number, the center position of the shot in the plus direction of the two center shots is input.
For example, in the case of a layout 701 including a normal shot and a TEG shot as shown in FIG. 7, the center position 704 of the shot 702 (the wafer center 70
3). After a series of processing for creating a layout of a normal shot, processing of a TEG shot is performed. In this case, the center position 706 of the TEG shot 705 is input. This setting is also usually performed by the operator.
【0025】次に、ステップS908において、コラム
数coLのカウンタであるcを0に初期化し、ステップ
S909において、ロー数rowのカウンタであるrを
0に初期化する。次に、ステップS910において、次
式により各ショットの中心位置を計算する。Next, in step S908, the counter c for the number of columns coL is initialized to 0, and in step S909, the counter r for the row number row is initialized to 0. Next, in step S910, the center position of each shot is calculated by the following equation.
【0026】[0026]
【数2】 ここで、row/2とcoL/2の計算では余りを切捨
てて整数として、以降の計算をする。shotはショッ
ト情報構造体の配列であり、ここでは各ショットのx,
y座標をメンバx、yに設定し、このショットがどのマ
スキングブレード位置で露光するかを示す番号nをメン
バmpnに設定する。このショット配列shotは図1
0の露光処理でも使用される。(Equation 2) Here, in the calculation of row / 2 and coL / 2, the remainder is rounded down to an integer and the following calculations are performed. shot is an array of shot information structures, and here, x,
The y coordinate is set to members x and y, and the number n indicating at which masking blade position this shot is exposed is set to member mpn. This shot arrangement shot is shown in FIG.
0 is also used in the exposure processing.
【0027】次に、ステップS911において、ショッ
トの中心位置を基準にしてマスキングブレードの開口の
大きさのショットの絵を描く。そして、ステップS91
2において、ロー数rowのカウンタrとショット番号
sを1だけカウントアップする。Next, in step S911, a picture of the shot having the size of the opening of the masking blade is drawn with reference to the center position of the shot. Then, Step S91
At 2, the counter r of the row number row and the shot number s are counted up by one.
【0028】次に、ステップS913において、このカ
ウンタrとロー方向に並べるショットの数rowとを比
べ、rが小さい場合はステップS910に戻る。それ以
外ならステップS914に進み、コラム数coLのカウ
ンタcを1だけカウントアップする。Next, in step S913, the counter r is compared with the number row of shots arranged in the row direction. If r is smaller, the process returns to step S910. Otherwise, the process proceeds to step S914, and the counter c for the column number coL is counted up by one.
【0029】次に、ステップS915において、このカ
ウンタcとコラム方向に並べるショットの数coLと比
べ、cが小さい場合はステップS909に戻る。それ以
外ならステップS903に進み、今まで作成したレイア
ウトにショットレイアウトを更に追加するかまたはレイ
アウトの作成を終了するかを決める。Next, in step S915, if c is smaller than this counter c and the number of shots coL arranged in the column direction, the process returns to step S909. If not, the process advances to step S903 to determine whether to add a shot layout to the layout created so far or to finish creating the layout.
【0030】ステップS916では、ショットカウンタ
sをショット総数shot_nに格納する。shot_
nは図10の露光処理でも使用される。In step S916, the shot counter s is stored in the shot total number shot_n. shot_
n is also used in the exposure processing of FIG.
【0031】以上のような処理により、従来は図5のよ
うに作られていたレイアウトを、図4のように作成する
ことができ、オペレータにとってレイアウトの作成が簡
単になり、出来上がったレイアウトもわかりやすくな
る。なお、この例では、パラメータをオペレータがその
都度設定するようになっているが、予め設定されている
データを使うことも可能であり、また、パラメータ自体
を自動で作成するようにしても良い。By the above-described processing, the layout conventionally formed as shown in FIG. 5 can be formed as shown in FIG. 4, so that the layout can be easily prepared for the operator, and the completed layout can be understood. It will be easier. In this example, the parameter is set by the operator each time, but it is also possible to use preset data, or the parameter itself may be created automatically.
【0032】次に、このようにして作られるレイアウト
に従って露光を行なう処理について、図10のフローチ
ャートに沿って説明する。露光処理を開始すると、ま
ず、ステップS1001において、ショットカウンタs
に0を設定する。次に、ステップS1002において、
ショットカウンタsで示されるショット情報のマスキン
グブレード位置情報番号shot[s].mpnをmに
設定し、ステップS1003において、そのショットの
マスキングブレード位置情報mpinfo[m]を使っ
て、そのショットを露光するためのマスキングブレード
の開口中心位置を次式により算出し、mbc_x、mb
c_yに設定する。Next, the process of performing exposure in accordance with the layout thus created will be described with reference to the flowchart of FIG. When the exposure processing is started, first, in step S1001, the shot counter s
Is set to 0. Next, in step S1002,
The masking blade position information number shot [s]. mpn is set to m, and in step S1003, using the masking blade position information mpinfo [m] of the shot, the center position of the opening of the masking blade for exposing the shot is calculated by the following equation, and mbc_x, mb
Set to c_y.
【0033】[0033]
【数3】 この位置はレンズ中心を基準にした位置である。この基
準位置は露光中心位置であり、ステージの(0,0)の
位置でもある。(Equation 3) This position is a position based on the lens center. This reference position is the exposure center position, and is also the position of (0, 0) on the stage.
【0034】次に、ステップS1004において、露光
時のステージの位置sx、syを算出する。このときの
位置関係を図8に示す。801はウエハ上に露光するシ
ョットレイアウトのパターンであり、803は露光する
パターンがあるレチクルである。802はちょうど露光
位置に来ているショットであり、そのショットと、光源
からの光がマスキングブレード開口部分、レチクル80
3上のパターン、そしてレンズを通して作る像とがぴっ
たりと合っていることを示している。ここでのレチクル
の位置はレンズを通しているので実際の位置ではない
が、わかり易くするため、便宜的に、上記像の位置がレ
チクルの位置あるとしたものである。804はウエハの
中心であり、ここではステージの中心位置と同じとす
る。ステージの位置は、レンズ中心からこのステージ中
心位置までの位置関係で示される。805はマスキング
ブレードの開口中心位置、806はレンズ中心、807
は露光ショット802の中心位置805を示すウエハ中
心804からのベクトル(shot[s].x,sho
t[s].y)、808はマスキングブレードの開口中
心位置805を示すレンズ中心806からのベクトル
(mbc_x,mbc_y)である。809は、ステー
ジがこのような位置に来るためのステージ原点(レンズ
中心806位置)からのベクトルである。このベクトル
で示される位置が、ステップS1004で計算されるス
テージの移動位置sx、syである。Next, in step S1004, the positions sx and sy of the stage at the time of exposure are calculated. FIG. 8 shows the positional relationship at this time. Reference numeral 801 denotes a shot layout pattern to be exposed on the wafer, and reference numeral 803 denotes a reticle having a pattern to be exposed. Reference numeral 802 denotes a shot that has just come to the exposure position, and the shot and light from the light source are transmitted through the masking blade opening and the reticle 80.
3 shows that the pattern above, and the image made through the lens, fit snugly. The position of the reticle here is not the actual position because it passes through the lens, but for the sake of simplicity, it is assumed that the position of the image is the position of the reticle for convenience. Reference numeral 804 denotes the center of the wafer, which is the same as the center position of the stage here. The position of the stage is indicated by a positional relationship from the lens center to the stage center position. 805 is the center position of the opening of the masking blade, 806 is the lens center, 807
Is a vector (shot [s] .x, sho from the wafer center 804 indicating the center position 805 of the exposure shot 802.
t [s]. y) and 808 are vectors (mbc_x, mbc_y) from the lens center 806 indicating the opening center position 805 of the masking blade. Reference numeral 809 denotes a vector from the stage origin (lens center 806 position) for the stage to come to such a position. The position indicated by this vector is the stage movement position sx, sy calculated in step S1004.
【0035】次に、ステップS1005において、ステ
ップS1004で算出した位置にステージを移動し、ス
テップS1006において、マスキングブレードをマス
キングブレード位置情報mpinfo[m]で設定され
ている位置に開いて露光を行なう。Next, in step S1005, the stage is moved to the position calculated in step S1004, and in step S1006, the masking blade is opened to the position set by the masking blade position information mpinfo [m] to perform exposure.
【0036】次に,ステップS1007において、ショ
ットカウンタsを1だけカウントアップし、ステップS
1008において、ショットカウンタsをショット総数
shot_nと比較し、ショットカウンタsの方が小さ
ければステップS1002へ戻り、露光シーケンスを続
ける。そうでなければ、露光シーケンスを終了する。こ
のような処理によって、実際に露光したいエリアのショ
ットレイアウトを使って露光処理を行なうことができ
る。Next, in step S1007, the shot counter s is incremented by one, and
In step 1008, the shot counter s is compared with the shot total number shot_n. If the shot counter s is smaller, the process returns to step S1002 to continue the exposure sequence. If not, the exposure sequence ends. By such processing, exposure processing can be performed using a shot layout of an area to be actually exposed.
【0037】本実施例によれば、露光したいレイアウト
を簡単にそのままの形でショットレイアウトに作成する
ことができ、そのショットレイアウトによって、目的の
エリアを露光することができ、そして、露光装置のジョ
ブパラメータの作成操作を簡単にすることができるとい
う効果がある。According to this embodiment, a layout to be exposed can be easily created as it is in a shot layout, and a target area can be exposed by the shot layout. There is an effect that the operation of creating parameters can be simplified.
【0038】<デバイス製造方法の実施例>次に上記説
明した露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を
説明する。図11は微小デバイス(ICやLSI等の半
導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1
(回路設計)ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ2(マスク製作)では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ5(組立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によっ
て作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程で
あり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディン
グ)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含
む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て、半導体デバイスが完成
し、これが出荷(ステップ7)される。<Embodiment of Device Manufacturing Method> Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described exposure apparatus will be described. FIG. 11 shows a flow of manufacturing micro devices (semiconductor chips such as ICs and LSIs, liquid crystal panels, CCDs, thin-film magnetic heads, micromachines, etc.). Step 1
In (Circuit Design), a device pattern is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the designed pattern. Step 3 (wafer manufacturing)
Then, a wafer is manufactured using a material such as silicon or glass. Step 4 (wafer process) is called a pre-process,
An actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and includes processes such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). including. In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7).
【0039】図12は上記ウエハプロセス(ステップ
4)の詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)では
ウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)で
はウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極
形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ス
テップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち
込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハにレジ
ストを塗布する。ステップ16(露光)では上記説明し
た露光装置または露光方法によってマスクの回路パター
ンをウエハの複数のショット領域に並べて焼付露光す
る。ステップ17(現像)では露光したウエハを現像す
る。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト
像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥
離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによっ
て、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。FIG. 12 shows a detailed flow of the wafer process (step 4). Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. In step 15 (resist processing), a resist is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the above-described exposure apparatus or exposure method to align and print the circuit pattern of the mask on a plurality of shot areas of the wafer. Step 17 (development) develops the exposed wafer. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
【0040】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった大型のデバイスを低コストに製造するこ
とができる。By using the production method of this embodiment, it is possible to produce a large-sized device, which was conventionally difficult to produce, at low cost.
【0041】[0041]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
実際のショットに対応したショットレイアウトを容易に
作成し、表示することができる。また、そのショットレ
イアウトによって露光処理を容易に行なうことができ
る。したがって、露光中心と焼き付けるパターンの中心
が離れている場合などでも、ショットレイアウトを簡単
に作成することができる。As described above, according to the present invention,
A shot layout corresponding to an actual shot can be easily created and displayed. Further, the exposure processing can be easily performed by the shot layout. Therefore, even when the center of the exposure and the center of the pattern to be printed are apart from each other, a shot layout can be easily created.
【図1】 本発明の一実施例に係る半導体露光装置の外
観を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an appearance of a semiconductor exposure apparatus according to one embodiment of the present invention.
【図2】 図1の装置の内部構造を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing the internal structure of the device of FIG.
【図3】 図1の装置の電気回路構成を示すブロック図
である。FIG. 3 is a block diagram showing an electric circuit configuration of the device shown in FIG.
【図4】 図1の装置により露光したいショットレイア
ウトであって、図1の装置において作成するショットレ
イアウトの一例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an example of a shot layout to be exposed by the apparatus of FIG. 1, which is created by the apparatus of FIG. 1;
【図5】 図4のショットレイアウトに対応する従来の
ショットレイアウトを示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a conventional shot layout corresponding to the shot layout of FIG. 4;
【図6】 図1の装置で使用するレチクルと露光するシ
ョットの関係を示す図である。FIG. 6 is a view showing a relationship between a reticle used in the apparatus of FIG. 1 and shots to be exposed;
【図7】 図1の装置で作成するショットレイアウトの
一例であって、作成時の基準となるショットがどこにな
るかを示す図である。FIG. 7 is an example of a shot layout created by the apparatus of FIG. 1, showing a reference shot at the time of creation;
【図8】 図1の装置で露光処理をする時の露光ショッ
トとレチクルの位置関係を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a positional relationship between an exposure shot and a reticle when performing exposure processing with the apparatus of FIG. 1;
【図9】 図1の装置におけるレイアウト作成処理を示
すフローチャートである。FIG. 9 is a flowchart showing a layout creation process in the apparatus of FIG. 1;
【図10】 図1の装置における露光処理を示すフロー
チャートである。FIG. 10 is a flowchart showing an exposure process in the apparatus of FIG. 1;
【図11】 本発明の露光装置を利用できるデバイス製
造方法を示すフローチャートである。FIG. 11 is a flowchart illustrating a device manufacturing method that can use the exposure apparatus of the present invention.
【図12】 図11中のウエハプロセスの詳細なフロー
チャートである。FIG. 12 is a detailed flowchart of a wafer process in FIG. 11;
101:温調チャンバ、102:EWS用ディスプレイ
装置、103:操作パネル、104:EWS用キーボー
ド、105:モニタTV、106:EWS本体、10
7:ON−OFFスイッチ、108:非常停止スイッ
チ、109:各種スイッチ、マウス等、110:LAN
通信ケーブル、111:排気ダクト、112:排気装
置、202:レチクル、203:ウエハ、204:光源
装置、205:照明光学系、206:投影レンズ、20
7:レチクルステージ、209:ウエハステージ、28
1:レチクル顕微鏡、282:オフアクシス顕微鏡、2
10:空調機室、213:フィルタボックス、214:
ブース、217:送風機、g:エアフィルタ、cf:化
学吸着フィルタ、oa:外気導入口、ra:リターン
口、321:本体CPU、330:コンソール、33
1:コンソールCPU、332:外部メモリ、401:
通常ショット、402,403,501、502:TE
Gショット、601:レチクル、602:TEGパター
ン、603:通常ショットパターン、604:レンズ中
心位置、605,607:露光時のマスキングブレード
開口部の右上位置、606,608:露光時のマスキン
グブレード開口部の左下位置、701:ショットレイア
ウト、702,705:基準になるショット、703:
ウエハ中心位置、704,706;基準になるショット
中心位置、801:ショットレイアウト、802:露光
ショット、803:レチクル、804:ウエハ中心位
置、805:露光ショット中心位置、806:レンズ中
心位置、807:露光ショット位置を示すベクトル、8
08:マスキングブレード開口中心位置を示すベクト
ル、809:ステージ位置を示すベクトル。101: temperature control chamber, 102: display device for EWS, 103: operation panel, 104: keyboard for EWS, 105: monitor TV, 106: EWS body, 10
7: ON-OFF switch, 108: emergency stop switch, 109: various switches, mouse, etc. 110: LAN
Communication cable, 111: exhaust duct, 112: exhaust device, 202: reticle, 203: wafer, 204: light source device, 205: illumination optical system, 206: projection lens, 20
7: reticle stage, 209: wafer stage, 28
1: reticle microscope, 282: off-axis microscope, 2
10: air conditioner room, 213: filter box, 214:
Booth, 217: blower, g: air filter, cf: chemical adsorption filter, oa: outside air introduction port, ra: return port, 321: main body CPU, 330: console, 33
1: console CPU, 332: external memory, 401:
Normal shot, 402, 403, 501, 502: TE
G shot, 601: reticle, 602: TEG pattern, 603: normal shot pattern, 604: lens center position, 605, 607: upper right position of masking blade opening at the time of exposure, 606, 608: masking blade opening at the time of exposure Lower left position, 701: shot layout, 702, 705: reference shot, 703:
Wafer center position, 704, 706; reference shot center position, 801: shot layout, 802: exposure shot, 803: reticle, 804: wafer center position, 805: exposure shot center position, 806: lens center position, 807: Vector indicating the exposure shot position, 8
08: vector indicating the masking blade opening center position, 809: vector indicating the stage position.
Claims (7)
トを作成するレイアウト作成手段と、このショットレイ
アウトに基づいて、基板をステージにより各ショット位
置に位置決めして前記基板上にレチクルパターンを露光
する露光手段と、各ショットにおける露光エリアを制限
する露光エリア制限手段とを有する露光装置において、
前記レイアウト作成手段は、前記露光エリア制限手段で
制限することにより形成される前記レチクルパターン上
の各露光エリア毎に決定される実際のショットの位置情
報として前記ショットレイアウトを作成するものである
ことを特徴とする露光装置。1. A layout creating means for creating a shot layout based on predetermined information, and an exposure means for exposing a reticle pattern on the substrate by positioning a substrate at each shot position by a stage based on the shot layout. And an exposure apparatus having an exposure area limiting means for limiting an exposure area in each shot,
The layout creating means creates the shot layout as position information of an actual shot determined for each exposure area on the reticle pattern formed by limiting by the exposure area limiting means. Exposure equipment characterized.
トレイアウトの各ショットの位置情報と前記露光エリア
を制限する手段で形成されるレチクルパターン上の露光
エリアの位置情報とに基づいて各ショット位置に前記ス
テージを位置決めして露光を行なうものであることを特
徴とする請求項1に記載の露光装置。2. The apparatus according to claim 1, wherein the exposure unit is configured to determine a position of each shot based on position information of each shot of the shot layout created and position information of an exposure area on a reticle pattern formed by a unit that limits the exposure area. 2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the stage is positioned to perform exposure.
ショットの位置情報に基づいて、実際に露光するエリア
を表したショットレイアウトの図形を表示する機能を有
することを特徴とする請求項1または2に記載の露光装
置。3. The layout creating means has a function of displaying a shot layout graphic representing an area to be actually exposed, based on the position information of the actual shot. 3. The exposure apparatus according to claim 1.
リア制限手段で形成されるレチクルパターン上の各露光
エリアに関する位置情報と、前記露光エリア制限手段で
形成されるレチクルパターン上の各露光エリアに関する
大きさまたは隣接ショット間の間隔情報と、前記基板上
に露光するショットのローおよびコラム数と、前記基板
上における前記ショットレイアウトの基準位置とに基づ
いて前記ショットレイアウトを作成するものであること
を特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の露光
装置。4. The apparatus according to claim 1, wherein the layout creating unit is configured to store position information on each exposure area on the reticle pattern formed by the exposure area limiting unit, Or the distance between adjacent shots, the number of rows and columns of shots to be exposed on the substrate, and the reference position of the shot layout on the substrate to create the shot layout. The exposure apparatus according to claim 1, wherein:
トを作成するレイアウト作成工程と、このショットレイ
アウトに基づいて基板をステージにより各ショット位置
に位置決めする工程と、露光範囲を制限することにより
形成されるレチクルパターン上の露光エリア内のパター
ン部分を前記基板上に露光する露光工程とを備えたデバ
イス製造方法において、前記レイアウト作成工程では、
前記露光範囲を制限することにより形成されるレチクル
パターン上の各露光エリア毎に決定される実際のショッ
トの位置情報として前記ショットレイアウトを作成する
ことを特徴とするデバイス製造方法。5. A layout creating step for creating a shot layout based on predetermined information, a step of positioning a substrate at each shot position by a stage based on the shot layout, and a step of limiting an exposure range. An exposure step of exposing a pattern portion in an exposure area on a reticle pattern onto the substrate, wherein in the layout creating step,
A device manufacturing method, wherein the shot layout is created as actual shot position information determined for each exposure area on a reticle pattern formed by limiting the exposure range.
ットレイアウトの各ショットの位置情報と前記露光範囲
を制限して形成されるレチクルパターン上の露光エリア
の位置情報とに基づいて各ショット位置に前記ステージ
を位置決めして露光を行なうことを特徴とする請求項1
に記載のデバイス製造方法。6. In the exposing step, each shot position is determined based on position information of each shot of the created shot layout and position information of an exposure area on a reticle pattern formed by limiting the exposure range. 2. The method according to claim 1, wherein the exposure is performed by positioning the stage.
3. The device manufacturing method according to claim 1.
のショットの位置情報に基づいて、実際に露光するエリ
アを表したショットレイアウトの図形を表示することを
特徴とする請求項5または6に記載のデバイス製造方
法。7. The layout creating step according to claim 5, wherein a graphic of a shot layout representing an area to be actually exposed is displayed based on the position information of the actual shot. Device manufacturing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11023758A JP2000223399A (en) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | Exposure apparatus and device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11023758A JP2000223399A (en) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | Exposure apparatus and device manufacturing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223399A true JP2000223399A (en) | 2000-08-11 |
Family
ID=12119244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11023758A Pending JP2000223399A (en) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | Exposure apparatus and device manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000223399A (en) |
-
1999
- 1999-02-01 JP JP11023758A patent/JP2000223399A/en active Pending
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