JP2000294475A - デバイス製造装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 オペレータによるパラメータの変更回数を少
なくし、かつパラメータの設定ミスを防ぐ。 【解決手段】 新規に追加されるパラメータと関係があ
る他のパラメータに関する情報（連動情報）を登録、記
憶し、その連動情報と前記他のパラメータとを解析し
て、新規に追加されるパラメータの設定を自動的に行な
う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶
素子等のデバイスを製造するための装置に関する。本発
明の装置は、半導体の製造装置、特にウエハ上に回路パ
ターンを焼き付ける半導体露光装置に特に好適に適用さ
れる。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体製造工程に用いる、投影露
光装置において、バージョンアップ時に新規に追加され
るパラメータのデータは、データベース内のあるフィー
ルド（カラム）の情報をパラメータの初期値として無条
件に設定していた。

【０００３】

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、も
とからある他のパラメータの設定によっては、新規に追
加されるパラメータに設定される初期値が必ずしも正し
い初期値であるとは限らず、ユーザはバージョンアップ
によって、新規に追加されたパラメータの初期値を再設
定し直さなければならないこともあり、操作が面倒にな
るという問題があった。

【０００４】本発明は、上記事情を考慮したもので、新
規に追加されたパラメータに、そのパラメータと関係が
ある他のパラメータの設定との関係を解析して、自動的
に最適な初期値を反映させることによって、オペレータ
によるパラメータの変更回数を少なくし、かつパラメー
タの設定ミスを防ぐことを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段および作用】上記の問題点
を解決するため本発明では、新規に追加されるパラメー
タと関係がある他のパラメータに関する情報（以後、連
動情報と呼ぶ）を記憶する手段と、その連動情報を解析
して、自動的に解析結果を反映する手段とを備えてい
る。

【０００６】

【作用】本発明によれば、バージョンアップ等によって
新規に追加されるパラメータの初期値を、連動情報を解
析して、自動的に設定するので、オペレータによるパラ
メータの変更回数を少なくすることができ、パラメータ
の設定ミスを防ぐことができる。

【０００７】

【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図１は本発明の一実施例に係る半導体露光装置の外
観を示す斜視図である。同図に示すように、この半導体
露光装置は、装置本体の環境温度制御を行なう温調チャ
ンバ１０１、その内部に配置され、装置本体の制御を行
なうＣＰＵを有するＥＷＳ本体１０６、ならびに、装置
における所定の情報を表示するＥＷＳ用ディスプレイ装
置１０２、装置本体において撮像手段を介して得られる
画像情報を表示するモニタＴＶ１０５、装置に対し所定
の入力を行なうための操作パネル１０３、ＥＷＳ用キー
ボード１０４等を含むコンソール部を備えている。図
中、１０７はＯＮ−ＯＦＦスイッチ、１０８は非常停止
スイッチ、１０９は各種スイッチ、マウス等、１１０は
ＬＡＮ通信ケーブル、１１１はコンソール機能からの発
熱の排気ダクト、そして１１２はチャンバの排気装置で
ある。半導体露光装置本体はチャンバ１０１の内部に設
置される。

【０００８】ＥＷＳ用ディスプレイ１０２は、ＥＬ、プ
ラズマ、液晶等の薄型フラットタイプのものであり、チ
ャンバ１０１前面に納められ、ＬＡＮケーブル１１０に
よりＥＷＳ本体１０６と接続される。操作パネル１０
３、キーボード１０４、モニタＴＶ１０５等もチャンバ
１０１前面に設置し、チャンバ１０１前面から従来と同
様のコンソール操作が行なえるようにしてある。

【０００９】図２は、図１の装置の内部構造を示す図で
ある。同図においては、半導体露光装置としてのステッ
パが示されている。図中、２０２はレチクル、２０３は
ウエハであり、光源装置２０４から出た光束が照明光学
系２０５を通ってレチクル２０２を照明するとき、投影
レンズ２０６によりレチクル２０２上のパターンをウエ
ハ２０３上の感光層に転写することができる。レチクル
２０２はレチクル２０２を保持、移動するためのレチク
ルステージ２０７により支持されている。ウエハ２０３
はウエハチャック２９１により真空吸着された状態で露
光される。ウエハチャック２９１はウエハステージ２０
９により各軸方向に移動可能である。レチクル２０２の
上側にはレチクルの位置ずれ量を検出するためのレチク
ル光学系２８１が配置される。ウエハステージ２０９の
上方に、投影レンズ２０６に隣接してオフアクシス顕微
鏡２８２が配置されている。オフアクシス顕微鏡２８２
は内部の基準マークとウエハ２０３上のアライメントマ
ークとの相対位置検出を行なうのが主たる役割である。
また、これらステッパ本体に隣接して周辺装置であるレ
チクルライブラリ２２０やウエハキャリアエレベータ２
３０が配置され、必要なレチクルやウエハはレチクル搬
送装置２２１およびウエハ搬送装置２３１によってステ
ッパ本体に搬送される。

【００１０】チャンバ１０１は、主に空気の温度調節を
行なう空調機室２１０および微小異物を濾過し清浄空気
の均一な流れを形成するフィルタボックス２１３、また
装置環境を外部と遮断するブース２１４で構成されてい
る。チャンバ１０１内では、空調機室２１０内にある冷
却器２１５および再熱ヒーター２１６により温度調節さ
れた空気が、送風機２１７によりエアフィルタｇを介し
てブース２１４内に供給される。このブース２１４に供
給された空気はリターン口ｒａより再度空調機室２１０
に取り込まれチャンバ１０１内を循環する。通常、この
チャンバ１０１は厳密には完全な循環系ではなく、ブー
ス２１４内を常時陽圧に保つため循環空気量の約１割の
ブース２１４外の空気を空調機室２１０に設けられた外
気導入口ｏａより送風機を介して導入している。このよ
うにしてチャンバ１０１は本装置の置かれる環境温度を
一定に保ち、かつ空気を清浄に保つことを可能にしてい
る。

【００１１】また光源装置２０４には超高圧水銀灯の冷
却やレーザ異常時の有毒ガス発生に備えて吸気口ｓａと
排気口ｅａが設けられ、ブース２１４内の空気の一部が
光源装置２０４を経由し、空調機室２１０に備えられた
専用の排気ファンを介して工場設備に強制排気されてい
る。また、空気中の化学物質を除去するための化学吸着
フィルタｃｆを、空調機室２１０の外気導入口ｏａおよ
びリターン口ｒａにそれぞれ接続して備えている。

【００１２】図３は、図１の装置の電気回路構成を示す
ブロック図である。同図において、３２１は装置全体の
制御を司る、前記ＥＷＳ本体１０６に内蔵された本体Ｃ
ＰＵであり、マイクロコンピュータまたはミニコンピュ
ータ等の中央演算処理装置からなる。３２２はウエハス
テージ駆動装置、３２３は前記オフアクシス顕微鏡２８
２等のアライメント検出系、３２４はレチクルステージ
駆動装置、３２５は前記光源装置２０４等の照明系、３
２６はシャッタ駆動装置、３２７はフォーカス検出系、
３２８はＺ駆動装置であり、これらは、本体ＣＰＵ３２
１により制御される。３２９は前記レチクル搬送装置２
２１およびウエハ搬送装置２３１等の搬送系である。３
３０は前記ディスプレイ１０２およびキーボード１０４
等を有するコンソールユニットであり、本体ＣＰＵ３２
１にこの露光装置の動作に関する各種のコマンドやパラ
メータを与えるためのものである。すなわち、オぺレー
タとの間で情報の授受を行なうためのものである。３３
１はコンソールＣＰＵ、３３２は例えばハードディスク
であり、内部にデータベースが構築されており、各種パ
ラメータ等を記憶する外部メモリである。コンソールＣ
ＰＵ３３１にはＣＰＵが定められた処理を実行する際に
発生する種々のデータを一時格納するためのレジスタや
フラグを設定されたワーキングメモリ（ＲＡＭ）が付属
している。

【００１３】図４は、図３の外部メモリ３３２内に構築
されている新規に追加されるパラメータのデータベース
の要部の構成を示す。図４において、パラメータテーブ
ルでは、１個のパラメータに対して、１個のパラメータ
ＩＤ４１１、パラメータ名４１２、装置メーカーが決め
たパラメータの上限値４１３、下限値４１４およびデフ
ォルト値４１５、パラメータに設定されている現在値４
１６、ならびにこのパラメータと関係がある他のパラメ
ータに関する情報を納めた連動情報４１７などが定義さ
れている。

【００１４】図５は、図４の連動情報４１７の記述の一
例を示す。図６は、図４の連動情報４１７のタイプの種
別定義を示す。図５の連動情報はタイプが“def ”であ
り、図６より“デフォルト値の変更”の記述であること
が分かる。図５の連動情報の条件の記述内容については
後に詳述する。

【００１５】次に、図４のデータベースを有する図１の
装置でのコンソールのソフトウェアのバージョンアップ
処理の中のデータベースのコンバート処理動作を図７の
フローチャートの流れを説明する。

【００１６】バージョンアップ時に既存のデータベース
と新規のデータベースとの間でコンバート処理を行な
う。ここで、既存のデータベースにはない新規に追加さ
れたパラメータがあるか判断をする（ステップＳ１）。
ここで、コンバート処理しているパラメータが、新規に
追加されたパラメータであった場合、新規に追加された
パラメータのパラメータテーブルの連動情報（図４の４
１７）を参照し、連動情報があるかないかを判断する
（ステップＳ２）。連動情報がある場合、速動情報のタ
イプを識別し、条件に書かれている内容を解析し、その
結果を取得する（ステップＳ４）。取得したデータをパ
ラメータテーブル（図４）の初期値としてデータベース
に登録する（ステップＳ６）。連動情報がない場合は、
パラメータテーブルに登録されている初期値をそのまま
使用する（ステップＳ５）。

【００１７】また、新規に追加されたパラメータでなか
った場合は、パラメータテーブルに登録されている初期
値をそのまま使用する（ステップＳ３）。

【００１８】全パラメータのコンバート処理が終了する
まで、繰り返し行なう（ステップ７）。

【００１９】ここで、このように構成された本実施例の
動作について、図１、図４、図５、図６、図７および図
８を参照しながら説明する。

【００２０】まず、図１の装置でコンソールのソフトウ
ェアのバージョンアップ処理要求がなされるとデータベ
ースのコンバート処理を行なう。この処理の内容は、図
７のフローチャートの動作を行なうが、ここでは、バー
ジョンアップ時に新規に追加されるパラメータが“Wafe
r Thickness ”（パラメータの主な項目の設定値は、図
４の通り）である場合を基に説明する。

【００２１】また、パラメータテーブル内の連動情報に
は図５の内容が記述され、その条件の中には、参照すべ
きパラメータとその条件式が記述されている。参照すべ
きパラメータ（ここでは、Wafer Size）の現在値に入っ
ている値を参照して、“６”が入っている場合は、Wafe
r Thickness パラメータの現在値を“０．５２５”に、
“５”が入っている場合は、Wafer Thickness パラメー
タの現在値を“０．６２５”に変更するということを意
味している。

【００２２】ここでは、パラメータ“Wafer Size”の現
在値には“５”が定義されている場合で説明する。

【００２３】図７のフローチャートのステップＳ２で
は、Wafer Thickness パラメータのパラメータテーブル
内の連動情報に図５の内容が記述されているため、ステ
ップＳ４へ進む。

【００２４】次に、ステップＳ４の内容の詳細を図８の
フローチャートを使って説明する。図８のステップＳ４
１では、図５のタイプに“ｄｅｆ”と書かれているの
で、図６のタイプ種別テーブルからデフォルト値の変更
であると判断される。次にステップＳ４２では、図５の
条件に書かれているパラメータ（“Wafer Size”）の現
在値、ここでは、“５”が取得される。

【００２５】ステップＳ４３では、ステップＳ４２よ
り、条件に書かれているパラメータ（“Wafer Size”）
の現在値が“５”と取得されたので、図５の条件よりWa
fer Thickness パラメータのデフォルト値には、“０．
６２５”を入れる。

【００２６】以上の動作を終了すると、図７のステップ
６に戻り、ステップＳ４３で算出されたWafer Thicknes
s パラメータのデフォルト値をWafer Thickness のパラ
メータテーブルのデフォルト値に反映させる。それを全
パラメータの処理が終了するまで繰り返し行なう（ステ
ップＳ７）。

【００２７】

【発明の適用範囲】なお、上述においては、本発明を主
に半導体を製造するための半導体露光装置に適用した例
を示したが、本発明は、露光装置以外の半導体製造装置
等あるいはＬＣＤパネルを製造するための露光装置等、
半導体露光装置以外のデバイス製造装置にも適応するこ
とができる。

【００２８】

【デバイス生産方法の実施例】次に上記説明したデバイ
ス製造装置の一つである露光装置を利用したデバイスの
生産方法の実施例を説明する。図９は微小デバイス（Ｉ
ＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄
膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示
す。ステップ１（回路設計）ではデバイスのパターン設
計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計したパ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いて
ウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前
工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、
リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成
する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、
ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チ
ップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシン
グ、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。

【００２９】図１０は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンが形成される。本実施例の生産方
法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度のデバ
イスを低コストに製造することができる。

【００３０】

【発明の効果】本発明により、バージョンアップによっ
て、新規に追加されるパラメータの初期値が連動情報を
解析して、その解析結果を自動的に初期値に再設定し直
すので、オペレータによるパラメータの変更をする必要
がない。したがって、オペレータによるパラメータの変
更回数を少なくすることができ、かつパラメータの設定
ミスを防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例に係る半導体露光装置の外
観を示す斜視図である。

【図２】 図１の装置の内部構造を示す図である。

【図３】 図１の装置の電気回路構成を示すブロック図
である。

【図４】 図１の装置におけるデータベースの要部の構
成を示す図である。

【図５】 図４のデータベース内の連動情報に記述され
ているデフォルト値変更の場合の一例である。

【図６】 図５の連動情報におけるタイプの種別定義を
示す図である。

【図７】 図１の装置の制御ソフトプログラムのバージ
ョンアップ処理の中のデータベースのコンバート処理動
作を示すフローチャートである。

【図８】 図７のフローチャートのステップＳ４の内容
の詳細を示すフローチャートである。

【図９】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。

【図１０】 図９におけるウエハプロセスの詳細な流れ
を示す図である。

【符号の説明】 １０１：温調チャンバ、１０２：ＥＷＳ用ディスプレイ
装置、１０３：操作パネル、１０４：ＥＷＳ用キーボー
ド、１０５：モニタＴＶ、１０６：ＥＷＳ本体、１０
７：ＯＮ−ＯＦＦスイッチ、１０８：非常停止スイッ
チ、１０９：各種スイッチ、マウス等、１１０：ＬＡＮ
通信ケーブル、１１１：排気ダクト、１１２：排気装
置、２０２：レチクル、２０３：ウエハ、２０４：光源
装置、２０５：照明光学系、２０６：投影レンズ、２０
７：レチクルステージ、２０９：ウエハステージ、２８
１：レチクル顕微鏡、２８２：オフアクシス顕微鏡、２
１０：空調機室、２１３：フィルタボックス、２１４：
ブース、２１７：送風機、ｇ：エアフィルタ、ｃｆ：化
学吸着フィルタ、ｏａ：外気導入口、ｒａ：リターン
口、３２１：本体ＣＰＵ、３３０：コンソール、３３
１：コンソールＣＰＵ、３３２：外部メモリ、４１１：
パラメータＩＤ、４１２：パラメータ名称、４１３：上
限値、４１４：下限値、４１５：デフォルト値、４１
６：現在値、４１７：連動情報。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 新規に追加されるパラメータと関係があ
   る他のパラメータに関する情報である連動情報をデータ
   ベース中に登録および記憶する手段と、データベース内
   に記憶されている連動情報を解析し、新規に追加される
   パラメータにその解析結果を反映する手段とを有するこ
   とを特徴とするデバイス製造装置。
2. 【請求項２】 前記新規に追加されるパラメータにその
   連動情報の解析結果を、自動的に反映させることを特徴
   とする請求項１記載のデバイス製造装置。
3. 【請求項３】 前記連動情報は、上限値、下限値または
   デフォルト値に関する情報であることを特徴とする請求
   項１または２記載のデバイス製造装置。
4. 【請求項４】 前記新規に追加されるパラメータは、ソ
   フトウェアのバージョンアップ時、もしくは、バージョ
   ンダウン時に新規に追加されるパラメータであることを
   特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のデバイス製
   造装置。
5. 【請求項５】 前記連動情報は、新規に追加されるパラ
   メータのパラメータテーブル内に記憶されることを特徴
   とする請求項１〜４のいずれかに記載のデバイス製造装
   置。
6. 【請求項６】 請求項１〜５いずれかに記載のデバイス
   製造装置を用いてデバイスを製造することを特徴とする
   デバイス製造方法。