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JP2000277369A - 積層セラミック電子部品とその導電ペースト - Google Patents

積層セラミック電子部品とその導電ペースト

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Publication number
JP2000277369A
JP2000277369A JP11085288A JP8528899A JP2000277369A JP 2000277369 A JP2000277369 A JP 2000277369A JP 11085288 A JP11085288 A JP 11085288A JP 8528899 A JP8528899 A JP 8528899A JP 2000277369 A JP2000277369 A JP 2000277369A
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JP
Japan
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ceramic
average particle
particle size
particles
internal electrodes
Prior art date
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Pending
Application number
JP11085288A
Other languages
English (en)
Inventor
Junichi Yagi
淳一 八木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
Priority to JP11085288A priority Critical patent/JP2000277369A/ja
Priority to KR10-2000-0015762A priority patent/KR100481393B1/ko
Priority to US09/537,979 priority patent/US6366444B1/en
Publication of JP2000277369A publication Critical patent/JP2000277369A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 積層体3の内部でのセラミック層7の間の密
着強度が高く、積層体3の内部にクラックやデラミネー
ションが生じにくくする。 【解決手段】 積層セラミック電子部品は、セラミック
層7と内部電極5、6とが交互に積層された積層体3
と、この積層体3の端部に設けられ、内部電極5、6に
それぞれ接続された外部電極2、2とを有する。内部電
極5、6に、その導体粒子の平均粒径と同等かそれ以下
の平均粒径を有する第一のセラミック粒子が存在すると
共に、同内部電極5、6の厚さより大きな平均粒径を有
する第二のセラミック粒子が存在する。この内部電極
5、6を形成するための導電ペーストは、導体粒子の平
均粒径と同等またはそれ以下の平均粒径を有する第一の
セラミック粉末と、導体粒子の平均粒径より大きな平均
粒径の第二のセラミック粉末とが添加されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、内部電極
パターンとセラミック層との積層体を有し、この積層体
の端部に前記内部電極に導通するように外部電極を設け
た積層セラミック電子部品に関し、回路基板上に搭載
し、外部電極を半田付けする時に、積層体内部でのクラ
ックやデラミネーション(層間剥離)が生じにくい積層
セラミック電子部品に関する。
【0002】
【従来の技術】積層電子部品としては、例えば積層コン
デンサ、積層インダクタ、積層圧電部品、積層フィル
タ、セラミック多層回路基板等をあげることができる。
例えば、積層電子部品の最も代表的な例である積層セラ
ミックコンデンサは、内部電極を有する誘電体からなる
セラミック層が多数層に積層され、この積層体の互いに
対向する端面に内部電極が交互に引き出されている。そ
して、これらの内部電極が引き出された積層体の端面に
外部電極が形成され、この外部電極が各々前記内部電極
に接続されている。
【0003】このような積層セラミックコンデンサの前
記積層体3は、例えば、図3に示すような層構造を有す
る。すなわち、内部電極5、6を有する誘電体からなる
セラミック層7、7…が図3で示す順序に積層され、さ
らにその両側に内部電極5、6が形成されてないセラミ
ック層7、7…が各々複数層積み重ねられる。そして、
このような層構造を有する積層体3の端部には内部電極
5、6が交互に露出しており、図1に示すように、この
積層体3の端部に前記の外部電極2、2が形成される。
【0004】このような積層セラミックコンデンサは、
通常図3に示すような部品1個単位が個々に製造される
訳ではなく、実際は次に示すような製造方法がとられ
る。すなわち、まず微細化したセラミック粉末と有機バ
インダーとを混練してスラリーを作り、これをドクター
ブレード法によってポリエチレンテレフタレートフィル
ム等からなるキャリアフィルム上に薄く展開し、乾燥
し、セラミックグリーンシートを作る。次に、このセラ
ミックグリーンシートを支持フィルムの上に載ったまま
カッティングヘッドで所望の大きさに切断し、その片面
にスクリーン印刷法によって導電ペーストを印刷し、乾
燥する。これにより、図4に示すように、縦横に複数組
分の内部電極パターン2a、2bが配列されたセラミッ
クグリーンシート1a、1bが得られる。
【0005】次に、前記内部電極パターン2a、2bを
有する複数枚のセラミックグリーンシート1a、1bを
積層し、さらに、内部電極パターン2a、2bを有しな
い何枚かのセラミックグリーンシート1、1…を上下に
積み重ね、これらを圧着し、積層体を作る。ここで、前
記セラミックグリーンシート1a、1bは、内部電極パ
ターン2a、2bが長手方向に半分の長さ分だけずれた
ものを交互に積み重ねる。その後、この積層体を所望の
サイズに切断し、積層生チップを製作し、この生チップ
を焼成する。こうして図3に示すような積層体が得られ
る。次に、この焼成済みの積層体3の両端に導電ペース
トを塗布し、焼付け、焼き付けた導体膜の表面にメッキ
を施すことにより、両端に外部電極2、2が形成された
図1に示すような積層セラミックコンデンサが完成す
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】前記のような積層セラ
ミックコンデンサを代表とする積層セラミック電子部品
におけるセラミック層7の積層体3では、セラミック層
7同士の層間の密着性に比べて、内部電極5、6とセラ
ミック層7との層間の密着性が悪い。そのため、特に内
部電極5、6が導出した積層体3の両端部において、セ
ラミック層7が互いに剥がれる、いわゆるデラミネーシ
ョン不良が発生しやすい。また積層体3の内部で微細な
クラック等も発生しやすい。
【0007】特に最近は、小形でより大きな静電容量や
インダクタンス等の電気特性を得るため、内部電極5、
6やセラミック層7の層厚が薄くなる傾向にある。この
ため外部電極2、2を回路基板上のランド電極に半田付
けするときのヒートショックにより、内部電極5、6や
セラミック層7の内部に発生する熱応力も大きい。これ
により、外部電極2、2の半田付け時に、積層体3の内
部にクラックやデラミネーションがより発生しやすい情
況にある。
【0008】そこで、本発明は、前記従来技術の課題に
鑑み、積層体の内部でのセラミック層間の密着強度が高
く、外部電極を回路基板上のランド電極に半田付けする
時やその後の環境の変動等により、積層体の内部でクラ
ックやデラミネーションが生じにくい積層セラミック電
子部品を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明では、前記の目的
を達成するため、積層セラミック電子部品の積層体3の
セラミック層7に挟まれた内部電極5、6に、粒径の異
なる2種類のセラミック粒子9を散在させたものであ
る。第一のセラミック粒子は、内部電極5、6を形成す
る導体粒子の平均粒径と同等かまたはそれ以下の平均粒
径を有するものである。また、第二のセラミック粒子
は、内部電極5、6を形成する導体粒子より大きく、内
部電極5、6を挟む一方のセラミック層7から他方のセ
ラミック層7に達するものである。本発明による積層セ
ラミック電子部品では、第一のセラミック粒子によるヒ
ートショックの緩衝作用と、第二のセラミック粒子のア
ンカー効果を利用し、積層体3を構成するセラミック層
7の剥離、いわゆるデラミネーションの発生の防止を図
ったものである。
【0010】そして、このような積層セラミック電子部
品を製造するために、その内部電極5、6を形成するた
めに、導体粒子の平均粒径と同等またはそれ以下の平均
粒径を有する第一のセラミック粉末と、導体粒子の平均
粒径より大きな平均粒径の第二のセラミック粉末とを添
加した導電ペーストを使用する。
【0011】すなわち、本発明による積層セラミック電
子部品は、セラミック層7と内部電極5、6とが交互に
積層された積層体3と、この積層体3の端部に設けられ
た外部電極2、2とを有し、前記内部電極5、6がセラ
ミック層7の縁に達していることにより、積層体3の端
面に内部電極5、6が導出され、同積層体3の端面に導
出された内部電極5、6が前記外部電極2、2に各々接
続されているものである。そして、前記セラミック層7
に挟まれて積層体3の内部に形成された内部電極5、6
に、その導体粒子の平均粒径と同等またはそれ以下の平
均粒径を有する第一のセラミック粒子が存在すると共
に、同内部電極5、6の一方のセラミック層7から他方
のセラミック層7に達する大きな平均粒径を有する第二
のセラミック粒子が存在する。
【0012】第一のセラミック粒子は、内部電極5、6
の導体粒子の平均粒径と同等またはそれ以下の平均粒径
を有するため、内部電極5、6の導体粒子の間に散在
し、内部電極5、6の熱膨張率をその両側のセラミック
層7、7に近くするため、それらの間の熱膨張率の差が
小さくなる。このため、積層セラミック電子部品の半田
付け時等における温度の変動による積層体3内部のヒー
トショックを和らげることができる。これにより、積層
体3内部のヒートショックによるクラックを低減するこ
とができる。
【0013】第一のセラミック粒子のこの作用は、同粒
子が積層体3のセラミック層7、7を形成するセラミッ
ク材料と共通する共材料であると、より有効にあらわれ
る。また、内部電極5、6を形成する導体粒子への第一
のセラミック粒子の分散性を考慮すると、第一のセラミ
ック粒子の平均粒径は、内部電極5、6を形成する導体
粒子の平均粒径の0.05〜1倍であることが好まし
い。
【0014】他方、第二のセラミック粒子は、内部電極
5、6を挟む一対のセラミック層7を部分的に結合する
アンカーとしての機能を有する。特に、セラミック層7
を構成する共材料によりこのセラミック粒子を形成する
ことにより、そのアンカー効果が大きく、これにより内
部電極5、6を挟む一対のセラミック層7が剥離しにく
くなる。また、セラミック粒子の平均粒径を、内部電極
5、6をの厚さより大きくすることにより、これらのセ
ラミック層7は、内部電極5、6を挟んだ一方のセラミ
ック層7から他方のセラミック層7に達するように配置
される。このようなセラミック粒子の平均粒径は、内部
電極5、6を形成する導体粒子の平均粒径の2〜10倍
であることが好ましい。
【0015】さらに、前記の内部電極5、6を形成する
ために使用する導電ペーストは、溶剤で溶解したバイン
ダ成分中に、前記積層セラミック電子部品の内部電極
5、6の導体層を形成するための導体粉末とセラミック
粉末とを分散させたものである。さらに、導体粒子の平
均粒径と同等またはそれ以下の平均粒径を有する第一の
セラミック粉末と、導体粒子の平均粒径より大きな平均
粒径の第二のセラミック粉末とを添加している。
【0016】このような導電ペーストを使用してセラミ
ックグリーンシート1a、1bの上に内部電極パターン
2a、2bを形成し、積層体3の焼成により内部電極
5、6を形成する。これにより前述のように、導電ペー
ストに含まれる導体粒子の平均粒径と同等かそれ以下の
平均粒径を有する第一のセラミック粉末が、内部電極
5、6の中に分散すると共に、導電ペーストに含まれる
導体粒子の平均粒径より大きな平均粒径の第二のセラミ
ック粉末が、前述のようにセラミック粒子9として内部
電極5、6の間に散在するようになる。
【0017】第一のセラミック粉末の平均粒径は、導体
粒子の平均粒径の0.05〜1倍とすることが好まし
い。これは、第一のセラミック粉末の平均粒径がこの範
囲にないと、このセラミック粒子が内部電極5、6を形
成する導体粒子の中に均一に分散されにくく、内部電極
5、6の熱膨張率にむらが出やすいからである。
【0018】また、第一のセラミック粉末は、導体粉末
の添加量に対し、10〜50重量%とすることが好まし
い。第一のセラミック粉末の添加量がこれ以下である
と、内部電極5、6の熱膨張率をセラミック層7に近く
する作用に乏しく、ヒートショックによるクラックの発
生が多くなるからである。他方、第一のセラミック粉末
の添加量がこれ以上であると、内部電極5、6の導体と
しての連続性が失われ、静電容量等の電子部品としての
所要の特性が得にくくなるからである。
【0019】他方、第二のセラミック粉末の平均粒径
は、導体粒子の平均粒径の2〜10倍とするのが好まし
い。これは、第二のセラミック粉末の平均粒径が小さす
ぎると、内部電極5、6を挟む一方のセラミック層7か
ら他方のセラミック層7に達するセラミック粒子9を形
成しにくいからである。逆に、第二のセラミック粉末の
平均粒径が大きすぎると、内部電極5、6の連続性を損
ない、例えば積層セラミックコンデンサの場合に、所要
の静電容量を得ることが出来ない等の問題を生じるから
である。
【0020】また、導電ペーストへの第二のセラミック
粉末の添加量は、導体粉末の添加量に対し、0.01〜
1重量%とするのが好ましい。これは、第二のセラミッ
ク粉末の添加量が少なすぎると、内部電極5、6を挟む
一方のセラミック層7から他方のセラミック層7に達す
るセラミック粒子9が十分な密度で形成できず、十分な
アンカー効果が得られないからである。すなわち、積層
体3内部のデラミネーションはクラックの発生を防止で
きない。逆に、第二のセラミック粉末の添加量が前記の
範囲より多いと、内部電極5、6の中に占めるセラミッ
ク粒子9の割合が大きくなり、内部電極5、6の電極面
積の減少となり、所要の電気的特性を得ることが出来な
い等の問題を生じる。
【0021】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について具体的且つ詳細に説明する。積
層セラミック電子部品の例として、積層セラミックコン
デンサとその製造方法について説明する。まず、チタン
酸バリウム等の誘電体セラミック原料粉末を溶剤に溶解
したエチルセルロース等の有機バインダに均一に分散
し、セラミックスラリを調整する。このセラミックスラ
リをポリエチレンテレフタレートフィルム等のベースフ
ィルム上に薄く均一な厚さで塗布し、乾燥し、膜状のセ
ラミックグリーンシートを作る。その後、このセラミッ
クグリーンシートを適当な大きさに裁断する。
【0022】次に、図4に示すように、この裁断したセ
ラミックグリーンシート1a、1bの上に、導電ペース
トを使用し、2種類の内部電極パターン2a、2bを各
々印刷する。例えば導電ペーストは、Ni、Cu、A
g、Pd、Ag−Pd等から選択された1種の導体粉末
の100重量%に対して、バインダとしてエチルセルロ
ース、アクリル、ポリエステル等から選択された1種を
3〜12重量%、溶剤としてブチルカルビトール、ブチ
ルカルビトールアセテート、テルピネオール、エチルセ
ロソルブ、炭化水素等から選択された1種を80〜12
0重量%、いわゆる第一のセラミック粉末として、導体
粉末の平均粒径と同等かそれ以下の平均粒径を有するチ
タン酸バリウム粉末を10〜50重量%、第二のセラミ
ック粉末として導体粉末の平均粒径より大きな平均粒径
を有するチタン酸バリウム粉末を0.01〜1重量%添
加し、これらを均一に混合、分散したものを使用する。
【0023】具体的には、第一のセラミック粉末とし
て、導体粉末の平均粒径の0.05〜1倍の平均粒径を
有するチタン酸バリウム粉末を添加し、第二のセラミッ
ク粉末として、導体粉末の平均粒径の2〜10倍の平均
粒径を有するチタン酸バリウム粉末を添加する。
【0024】このようなNiペースト等の導電ペースト
を使用し、セラミックグリーンシート1a、1bの上に
内部電極パターン2a、2bを各々印刷する。このよう
な内部電極パターン2a、2bが印刷されたセラミック
グリーンシート1a、1bを、図4に示すように交互に
積み重ね、さらにその両側に内部電極パターン2a、2
bが印刷されてないセラミックグリーンシート1、1、
いわゆるダミーシートを積み重ね、これらを圧着し、積
層体を得る。さらに、この積層体を縦横に裁断し、個々
のチップ状の積層体に分割する。その後、これらの積層
体を焼成することで、図3に示すような層構造を有する
焼成済みの積層体3を得る。
【0025】図3に示すように、積層体3は内部電極
5、6を有する誘電体からなるセラミック層7、7…が
積層され、さらにその両側に内部電極5、6が形成され
てないセラミック層7、7…が各々複数層積み重ねられ
たものである。このような積層体3は、セラミック層7
を介して対向している各内部電極5、6が、積層体3の
両端面に交互に導出されている。
【0026】図1に示すように、内部電極5、6が各々
導出している積層体3の両端にNiペーストなどの導電
ペーストが塗布され、これが焼き付けられる。さらにそ
の導電膜上にNiメッキと、Sn或は半田メッキが施さ
れ、外部電極2、2が形成される。これにより、積層セ
ラミックコンデンサが完成する。
【0027】前記のような積層体3の焼成工程におい
て、内部電極パターン2a、2bが焼成されると、焼成
して得られた内部電極5、6には、導電ペーストに添加
した前記の第一のセラミック粉末が、導体膜を形成する
導体粒子の中にセラミック粒子として分散する。この第
一のセラミック粒子は、内部電極5、6の熱膨張率をそ
の両側のセラミック層7、7に近くする作用を有する。
特に、第一のセラミック粒子を、セラミック層7を構成
する材料と共通する共材料とすることにより、内部電極
5、6の熱膨張率をその両側のセラミック層7、7に近
くしやすくなる。これにより、ヒートショックによる積
層体3の内部のクラックの発生等を有効に防止すること
ができる。
【0028】他方、導電ペーストに添加した前記の第二
のセラミック粉末は、セラミック粒子9として内部電極
5、6を形成している導体膜の間に分散した状態で散在
する。このセラミック粒子9は、内部電極5、6を挟む
一方のセラミック層7から他方のセラミック層7に達す
る程度の大きさを有する。
【0029】このセラミック粒子9は、内部電極5、6
を挟む一対のセラミック層7を部分的に結合するアンカ
ーとしての機能を有する。特に、セラミック層7を構成
する共材料によりこのセラミック粒子9を形成すること
により、そのアンカー効果が大きく、これにより内部電
極5、6を挟む一対のセラミック層7が剥離しにくくな
る。
【0030】図2は、出来上がった積層セラミックコン
デンサをアクリル系樹脂に埋め込み、保持した状態でセ
ラミック層7の積層方向と直交する方向に研磨し、その
断面を露出させて光学顕微鏡により観察して得られた顕
微鏡写真を模式的に示したものである。丁度図1のA部
分の拡大図に当たる。
【0031】図2に示すように、セラミック層7の間に
扁平な導体粒子が概ね1個ずつセラミック層7との界面
方向に一列に連なって内部電極5、6が形成されてい
る。この内部電極5、6の間には、その厚さより粒径が
大きなセラミック粒子9が散在している。このセラミッ
ク粒子9は、内部電極5、6を挟む一方のセラミック層
7から他方のセラミック層7に達している。このセラミ
ック粒子9は、内部電極5、6を挟む一方のセラミック
層7、7を部分的に結合している。
【0032】
【実施例】次に、本発明のより具体的な実施例とそれら
に対する比較例について説明する。 (実施例)チタン酸バリウム等の誘電体セラミック原料
粉末を溶剤に溶解したエチルセルロース等の有機バイン
ダに均一に分散したセラミックスラリを作り、これをポ
リエチレンテレフタレートフィルム等のベースフィルム
上に薄く均一な厚さで塗布し、乾燥し、膜状のセラミッ
クグリーンシートを作った。その後、このセラミックグ
リーンシートをベースフィルムから剥離し、150mm
角のセラミックグリーンシートを複数枚作った。
【0033】他方、平均粒径が0.5μmのNi粉末の
100重量%に対して、バインダとしてエチルセルロー
スを8重量%、溶剤を100重量%、第一のセラミック
粉末として粒径0.1μmのチタン酸バリウム粉末を3
0重量%、第二のセラミック粉末として粒径3μmのチ
タン酸バリウム粉末を0.5重量%添加し、均一に混
合、分散し、導電ペーストを調整した。このNiペース
トを使用し、スクリーン印刷機により各々のセラミック
グリーンシートに図4に示すような平均厚さ約2.5μ
mの内部電極パターン1a、1bを各々形成した。
【0034】このような内部電極パターン1a、1bが
印刷されたセラミックグリーンシート2a、2bを交互
に所定枚数積み重ね、その上下に内部電極パターンが印
刷されていないセラミックグリーンシート1、いわゆる
ダミーシートを積み重ね、これらを積層方向に120℃
の温度下において200tの圧力で加圧して圧着し、積
層体を得た。
【0035】この積層体を、5.3mm×5.0mmの
大きさに裁断し、この積層体を1320℃の温度で焼成
し、図3に示すような焼成済の積層体3を得た。さら
に、この焼成済みの積層体3の両端部にNiペーストを
塗布し、これを焼き付けた。その後、チップを電解バレ
ルメッキ槽に入れて、Ni膜をメッキ処理し、同Ni膜
上に半田メッキ膜を施した。これにより、外部電極2、
2を形成し、図1に示すような積層セラミックコンデン
サを得た。
【0036】この積層セラミックコンデンサの100個
をアクリル系樹脂に埋め込み、保持した状態で、内部電
極5、6の積層方向と直交する方向に研磨し、内部電極
5、6とセラミック層7の積層状態を光学顕微鏡により
観察した。その結果、図2に示したように、セラミック
層7の間に扁平な導体粒子が概ね1個ずつセラミック層
7との界面方向に一列に連なって内部電極5、6が形成
されている。そして、この内部電極5、6の所々にセラ
ミック粒子9が存在している。このセラミック粒子9
は、内部電極5、6の厚さより粒径が大きく、内部電極
5、6を挟む一方のセラミック層7から他方のセラミッ
ク層7に達している。
【0037】またこの100個の積層セラミックコンデ
ンサについて、積層体3の内部のクラックとセラミック
層7の剥離、いわゆるデラミネーションの有無を調べた
ところ、クラックやデラミネーションの発生は認められ
なかった。さらに、同時に製造した別の積層セラミック
コンデンサを100個使用し、その両端の外部電極2、
2を回路基板上のランド電極に半田付けし、その後この
積層セラミックコンデンサを研磨し、同様にして積層体
3の内部のクラックとセラミック層7の剥離、いわゆる
デラミネーションの有無を調べたところ、やはりクラッ
クやデラミネーションの発生は認められなかった。この
実施例の結果を表1の実施例1の欄に示した。
【0038】さらに、表1に実施例2〜9に示すような
第一のセラミック粉末と第二のセラミック粉末とをそれ
ぞれ添加した導電ペーストを使用したこと以外は、前記
実施例1と同様にして積層セラミックコンデンサを作っ
た。これらの積層セラミックコンデンサについても、同
様にして半田付の前後における積層体3の内部のクラッ
クとデラミネーションの有無を調べたところ、実施例1
と同様にクラックやデラミネーションの発生は認められ
なかった。これらの実施例の結果を表1の実施例2〜9
の欄に示した。
【0039】
【表1】
【0040】(比較例)前記実施例1において、表1に
比較例1〜8に示すような第一のセラミック粉末と第二
のセラミック粉末とをそれぞれ添加した導電ペーストを
使用したこと以外は、同実施例と同様にして積層セラミ
ックコンデンサを製造した。また、表1に比較例9に示
すように、第二のセラミック粉末を添加せず、第一のセ
ラミック粉末をのみを添加した導電ペーストを使用した
こと以外は、同実施例と同様にして積層セラミックコン
デンサを製造した。
【0041】これらの積層セラミックコンデンサについ
ても、同様にして半田付の前後における積層体3の内部
のクラックとデラミネーションの有無を調べたところ、
比較例1〜3、比較例5、比較例6及び比較例9では、
積層体3の内部にクラックやデラミネーションが認めら
れた。また、比較例4、比較例7及び比較例8では、積
層体3の内部にクラックやデラミネーションが認められ
なかったが、静電容量が小さく、所要の静電容量を得る
ことができなかった。
【0042】これは、比較例1では、第一のセラミック
粉末の粒径が0.02μmであって、導電ペースト中の
Ni粉末の粒径0.5μの0.04倍と小さ過ぎるため
である。逆に比較例3では、第一のセラミック粉末の粒
径が0.6μmであって、導電ペースト中のNi粉末の
粒径0.5μの1.2倍と大き過ぎるためである。比較
例2では、第二のセラミック粉末の粒径が0.9μmで
あって、導電ペースト中のNi粉末の粒径0.5μの
1.8倍と小さ過ぎるためである。逆に比較例4では、
第二のセラミック粉末の粒径が5.5μmであって、導
電ペースト中のNi粉末の粒径0.5μの11倍と大き
過ぎるためである。
【0043】また、比較例5では、第一のセラミック粉
末の添加量がNi粉末の100重量%に対して、9重量
%と少な過ぎるためである。逆に比較例7では、第一の
セラミック粉末の添加量がNi粉末の100重量%に対
して、55重量%と多過ぎるためである。他方、比較例
6では、第二のセラミック粉末の添加量がNi粉末の1
00重量%に対して、0.005重量%と少な過ぎるた
めである。逆に比較例8では、第二のセラミック粉末の
添加量がNi粉末の100重量%に対して、1.5重量
%と多過ぎるためである。
【0044】さらに、比較例9では、第二のセラミック
粉末を添加してない導電ペーストを使用した積層セラミ
ックコンデンサであり、積層体3の内部に8%という頻
度でクラックの発生が認められる。なお、以上の例は、
積層セラミック電子部品として積層セラミックコンデン
サを主として説明したが、本発明による積層セラミック
電子部品は、例えば、積層セラミックインダクタ、積層
セラミックLC複合部品、セラミック多層配線基板等、
その他の積層セラミック電子部品にも同様にして適用す
ることができる。
【0045】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、積
層セラミック電子部品の積層体3のセラミック層7の間
の熱膨張率の差が小さくなり、またそれらの間の結合力
が強くなるため、この積層セラミック電子部品を回路基
板上に搭載し、外部電極2、2を半田付けする時等のヒ
ートショック等に伴う積層体3の耐熱応力が高く、積層
体3の内部でのクラックやデラミネーション不良が生じ
にくい積層セラミック電子部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による積層セラミックコンデンサの例を
示す一部切欠斜視図である。
【図2】同積層セラミックコンデンサの図1のA部を示
す要部拡大断面図である。
【図3】同積層セラミックコンデンサの例の積層体の各
層を分離して示した分解斜視図である。
【図4】積層セラミックコンデンサを製造するためのセ
ラミックグリーンシートの積層状態を示す各層の分離斜
視図である。
【符号の説明】
2 外部電極 3 積層体 5 内部電極 6 内部電極 7 セラミック層 9 セラミック粒子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E001 AB03 AC09 AE02 AE03 AF00 AF06 AH01 AH05 AH06 AH08 AH09 AJ01 AJ02 5E082 AA01 AB03 BC33 EE04 EE23 EE35 FG06 FG26 FG27 FG46 FG54 GG10 GG11 GG26 GG28 HH43 JJ03 JJ05 JJ12 JJ23 LL02 LL03 MM22 MM24 PP03 PP09

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 セラミック層(7)と内部電極(5)、
    (6)とが交互に積層された積層体(3)と、この積層
    体(3)の端部に設けられた外部電極(2)、(2)と
    を有し、前記内部電極(5)、(6)がセラミック層
    (7)の縁に達していることにより、積層体(3)の端
    面に内部電極(5)、(6)が導出され、同積層体
    (3)の端面に導出された内部電極(5)、(6)が前
    記外部電極(2)、(2)に各々接続されている積層セ
    ラミック電子部品において、前記セラミック層(7)に
    挟まれて積層体(3)の内部に形成された内部電極
    (5)、(6)に、その導体粒子の平均粒径と同等また
    はそれ以下の平均粒径を有する第一のセラミック粒子が
    存在すると共に、同内部電極(5)、(6)の一方のセ
    ラミック層(7)から他方のセラミック層(7)に達す
    る大きな平均粒径を有する第二のセラミック粒子が存在
    することを特徴とする積層セラミック電子部品。
  2. 【請求項2】 第一と第二のセラミック粒子は、セラミ
    ック層(7)を形成するセラミック材料と共通する共材
    料の粒子であることを特徴とする請求項1に記載の積層
    セラミック電子部品。
  3. 【請求項3】 第一のセラミック粒子の平均粒径は、内
    部電極(5)、(6)を形成する導体粒子の平均粒径の
    0.05〜1倍であることを特徴とする請求項1または
    2に記載の積層セラミック電子部品。
  4. 【請求項4】 第二のセラミック粒子の平均粒径は、内
    部電極(5)、(6)の厚さより大きいことを特徴とす
    る請求項1〜3の何れかに記載の積層セラミック電子部
    品。
  5. 【請求項5】 第二のセラミック粒子の平均粒径は、内
    部電極(5)、(6)を形成する導体粒子の平均粒径の
    2〜10倍であることを特徴とする請求項1〜4の何れ
    かに記載の積層セラミック電子部品。
  6. 【請求項6】 溶剤で溶解したバインダ成分中に、前記
    請求項1〜5の何れかに記載された積層セラミック電子
    部品の内部電極(5)、(6)の導体層を形成するため
    の導体粉末とセラミック粉末とを分散させた導電ペース
    トであって、導体粒子の平均粒径と同等またはそれ以下
    の平均粒径を有する第一のセラミック粉末と、導体粒子
    の平均粒径より大きな平均粒径の第二のセラミック粉末
    とを添加したことを特徴とする積層セラミック電子部品
    用導電ペースト。
  7. 【請求項7】 第一と第二のセラミック粉末は、セラミ
    ック層(7)を形成するセラミック材料と共通する共材
    料の粉末であることを特徴とする請求項6に記載の積層
    セラミック電子部品用導電ペースト。
  8. 【請求項8】 第一のセラミック粉末の平均粒径は、導
    体粒子の平均粒径の0.05〜1倍であることを特徴と
    する請求項6または7に記載の積層セラミック電子部品
    用導電ペースト。
  9. 【請求項9】 第一のセラミック粉末の添加量は、導体
    粉末の添加量に対し、10〜50重量%であることを特
    徴とする請求項6〜8の何れかに記載の積層セラミック
    電子部品用導電ペースト。
  10. 【請求項10】 第二のセラミック粉末の平均粒径は、
    導体粒子の平均粒径の2〜10倍であることを特徴とす
    る請求項6〜9の何れかに記載の積層セラミック電子部
    品用導電ペースト。
  11. 【請求項11】 第二のセラミック粉末の添加量は、導
    体粉末の添加量に対し、0.01〜1重量%であること
    を特徴とする請求項6〜10の何れかに記載の積層セラ
    ミック電子部品用導電ペースト。
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US09/537,979 US6366444B1 (en) 1999-03-29 2000-03-30 Multilayer ceramic electronic part and conductive paste

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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6930876B1 (en) * 2004-01-30 2005-08-16 Tdk Corporation Multilayer ceramic capacitor
JP2005259638A (ja) * 2004-03-15 2005-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 導電ペースト及びこれを用いた積層型電子部品
US6975502B2 (en) 2004-03-31 2005-12-13 Tdk Corporation Multilayer ceramic capacitor
US6987662B2 (en) 2004-01-30 2006-01-17 Tdk Corporation Multilayer ceramic capacitor
US7046502B2 (en) 2004-03-31 2006-05-16 Tdk Corporation Multilayer ceramic capacitor
JP2007158267A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Tdk Corp 積層型電子部品およびその製造方法
JP2009170848A (ja) * 2008-01-21 2009-07-30 Taiyo Yuden Co Ltd セラミック電子部品及びその製造方法
JP2009529793A (ja) * 2006-03-16 2009-08-20 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 電気的多層構成素子
WO2009131221A1 (ja) * 2008-04-24 2009-10-29 京セラ株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP2012227198A (ja) * 2011-04-15 2012-11-15 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
US9478357B2 (en) 2012-05-24 2016-10-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic electronic component
JP2017174945A (ja) * 2016-03-23 2017-09-28 京セラ株式会社 積層型電子部品
JP2020161777A (ja) * 2019-03-28 2020-10-01 株式会社村田製作所 内部電極用導電性ペースト、セラミック電子部品、および、積層セラミックコンデンサ

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6545346B2 (en) * 2001-03-23 2003-04-08 Intel Corporation Integrated circuit package with a capacitor
JP2004139838A (ja) * 2002-10-17 2004-05-13 Noritake Co Ltd 導体ペーストおよびその利用
US7290315B2 (en) * 2004-10-21 2007-11-06 Intel Corporation Method for making a passive device structure
US7158364B2 (en) * 2005-03-01 2007-01-02 Tdk Corporation Multilayer ceramic capacitor and method of producing the same
US7375412B1 (en) * 2005-03-31 2008-05-20 Intel Corporation iTFC with optimized C(T)
US7629269B2 (en) * 2005-03-31 2009-12-08 Intel Corporation High-k thin film grain size control
US20060220177A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Palanduz Cengiz A Reduced porosity high-k thin film mixed grains for thin film capacitor applications
US7453144B2 (en) * 2005-06-29 2008-11-18 Intel Corporation Thin film capacitors and methods of making the same
JP4635928B2 (ja) * 2006-03-27 2011-02-23 Tdk株式会社 積層型電子部品およびその製造方法
KR101823160B1 (ko) * 2012-04-26 2018-01-29 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법
KR101396656B1 (ko) 2012-09-21 2014-05-16 삼성전기주식회사 적층형 파워 인덕터 및 이의 제조방법
KR101565639B1 (ko) * 2013-02-20 2015-11-03 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
KR102041629B1 (ko) * 2013-02-28 2019-11-06 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법
KR102061502B1 (ko) * 2013-03-19 2020-01-02 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법
KR102089699B1 (ko) * 2014-05-19 2020-03-16 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 및 그 실장 기판
JP2022095349A (ja) * 2020-12-16 2022-06-28 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法
JP7750662B2 (ja) * 2021-03-17 2025-10-07 太陽誘電株式会社 セラミック電子部品およびその製造方法
US11990284B2 (en) * 2021-05-25 2024-05-21 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayered electronic component
JP7585990B2 (ja) * 2021-06-16 2024-11-19 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
KR20230100937A (ko) * 2021-12-29 2023-07-06 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5918160A (ja) * 1982-07-20 1984-01-30 三菱鉱業セメント株式会社 誘電体磁器組成物
JPS62265796A (ja) * 1986-05-14 1987-11-18 株式会社住友金属セラミックス セラミツク多層配線基板およびその製造法
JPH0728128B2 (ja) * 1988-03-11 1995-03-29 松下電器産業株式会社 セラミック多層配線基板とその製造方法
JP3350949B2 (ja) * 1992-02-20 2002-11-25 株式会社村田製作所 導電性ペースト
JPH06140279A (ja) * 1992-09-11 1994-05-20 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品の焼成方法
US5600533A (en) * 1994-06-23 1997-02-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor having an anti-reducing agent

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6930876B1 (en) * 2004-01-30 2005-08-16 Tdk Corporation Multilayer ceramic capacitor
US6987662B2 (en) 2004-01-30 2006-01-17 Tdk Corporation Multilayer ceramic capacitor
USRE40665E1 (en) 2004-01-30 2009-03-17 Tdk Corporation Multilayer ceramic capacitor
JP2005259638A (ja) * 2004-03-15 2005-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 導電ペースト及びこれを用いた積層型電子部品
US6975502B2 (en) 2004-03-31 2005-12-13 Tdk Corporation Multilayer ceramic capacitor
US7046502B2 (en) 2004-03-31 2006-05-16 Tdk Corporation Multilayer ceramic capacitor
JP2007158267A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Tdk Corp 積層型電子部品およびその製造方法
JP2009529793A (ja) * 2006-03-16 2009-08-20 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 電気的多層構成素子
JP2009170848A (ja) * 2008-01-21 2009-07-30 Taiyo Yuden Co Ltd セラミック電子部品及びその製造方法
WO2009131221A1 (ja) * 2008-04-24 2009-10-29 京セラ株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP2009283880A (ja) * 2008-04-24 2009-12-03 Kyocera Corp 積層セラミックコンデンサ
JP2012227198A (ja) * 2011-04-15 2012-11-15 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
US8520364B2 (en) 2011-04-15 2013-08-27 Taiyo Yuden Co., Ltd. Multi-layer ceramic capacitor
US9478357B2 (en) 2012-05-24 2016-10-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic electronic component
JP2017174945A (ja) * 2016-03-23 2017-09-28 京セラ株式会社 積層型電子部品
JP2020161777A (ja) * 2019-03-28 2020-10-01 株式会社村田製作所 内部電極用導電性ペースト、セラミック電子部品、および、積層セラミックコンデンサ
JP7298238B2 (ja) 2019-03-28 2023-06-27 株式会社村田製作所 内部電極用導電性ペースト、セラミック電子部品、および、積層セラミックコンデンサ

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Publication number Publication date
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KR100481393B1 (ko) 2005-04-11
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