JP2000277038A - 陰極線管用ガラスパネルの膜形成方法及び膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱ＣＶＤ法により均一な厚さの膜が得られる
陰極線管用ガラスパネルの膜形成方法及び膜形成装置を
提供する。 【解決手段】 本発明は、画像が映し出されるフェース
部２を有する陰極線管用ガラスパネル１を所定の温度に
加熱し、成膜室１０内で陰極線管用ガラスパネル１のフ
ェース部２の表面２ａに膜形成ガス５を吹きつけて熱Ｃ
ＶＤ法により膜９を形成する際に、吹き付けられた後の
膜形成ガス５ａを陰極線管用ガラスパネル１のフェース
部２の周縁２ｂから側方または下方に向けて排気するこ
とを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、陰極線管用ガラス
パネルの映像が映し出されるフェース部の表面に熱ＣＶ
Ｄ法により膜を形成する膜形成方法および膜形成装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、モニター等の表示装置に使用さ
れる陰極線管には、表示面であるパネル前面に反射防止
膜や静電気が蓄積されないように帯電防止膜が形成され
る。従来、図３に示すように、陰極線管用ガラスパネル
１の映像が映し出されるフェース部２の表面２ａに熱Ｃ
ＶＤ法により帯電防止膜４を形成する場合、陰極線管用
ガラスパネル１を搬送手段１１に載せて加熱炉１２中を
搬送しながら所定の温度に加熱した後、成膜室１０に導
入し、成膜室１０内で膜形成ガスノズル７の吹き出し口
７ａから膜形成ガス５を吹き付けて陰極線管用ガラスパ
ネル１の表面２ａに２０〜３０ｎｍ程度の膜厚を有する
帯電防止膜４を形成する膜形成装置が使用されている。

【０００３】上記従来の膜形成装置の場合、膜形成ガス
ノズル７から吹き付けられ帯電防止膜４の形成に使用さ
れた後の膜形成ガス５ａは、膜形成ガスノズル７に隣接
する位置に設けられた排気ダクト８の吸引口８ａにより
フェース部２の表面２ａの直上に向けて排気される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】最近、陰極線管に反射
防止や帯電防止のみならず人体に悪影響を及ぼす電磁波
を遮蔽することが求められており、陰極線管用ガラスパ
ネル１の表面２ａに電磁波遮蔽膜９を形成することが必
要になってきた。このような電磁波遮蔽膜９には帯電防
止膜４よりも高い導電性が要求されるので、帯電防止膜
４の約４〜５倍の膜厚が必要となる。ところが、上記の
膜形成装置を使用して陰極線管用ガラスパネル１の表面
２ａに熱ＣＶＤ法により電磁波遮蔽膜９を形成を行った
場合、次のような問題が生じる。

【０００５】上記の膜形成装置では、陰極線管用ガラス
パネル１の表面２ａに吹き付けられ電磁波遮蔽膜９の形
成に使用された後の膜形成ガス５ａがフェース部２の表
面２ａの直上に向けて排気されるようになっているの
で、陰極線管用ガラスパネル１等の高さのある被膜形成
体が搬送手段１１により所定の間隔で間欠的に膜形成ガ
スノズル７の吹き出し口７ａの下に搬送された場合、陰
極線管用ガラスパネル１間の間隔部分で表面２ａに吹き
付けられる膜形成ガス５の気流に大きな乱れが生じる。
このような膜形成ガス５の気流の乱れは陰極線管用ガラ
スパネル１の表面２ａ上で直ぐには安定せず、膜形成ガ
ス５の濃度が不安定になりフェース部２の部位により熱
ＣＶＤ反応で生成される膜構成物質の量に差異が生じ、
膜厚が変化するので表面２ａに均一な厚さの電磁波遮蔽
膜９を形成することができなくなる。このような膜厚に
差異がある電磁波遮蔽膜９が形成された陰極線管用ガラ
スパネル１を使用した陰極線管の場合、映像が映し出さ
れるフェース部２の表面２ａには光の干渉作用により、
例えば、部分的に１０％厚くなると青紫の色彩模様が生
じ、１０％薄くなると赤みがかった色彩模様が生じて所
望の映像品位が得られず商品価値がなくなるという問題
がある。

【０００６】また、吹き付けられた後の膜形成ガス５ａ
がフェース部２の表面２ａの直上に向けて排気されるよ
うになっている上記の膜形成装置では、膜形成装置の運
転時間が経過するにつれて排気ダクト８の吸引口８ａの
周囲に電磁波遮蔽膜９と同じ成分の膜が堆積され、長時
間経過すると陰極線管用ガラスパネル１の表面２ａ上に
落下するようになるので、成膜室１０内を頻繁に清掃す
る必要があり問題がある。

【０００７】本発明は、上記従来の問題点を解決する陰
極線管用ガラスパネルの膜形成方法および膜形成装置を
提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に係る陰極線管用
ガラスパネルの膜形成方法は、映像が映し出されるフェ
ース部を有する陰極線管用ガラスパネルを所定の温度に
加熱し、該陰極線管用ガラスパネルを成膜室に導入し、
該陰極線管用ガラスパネルのフェース部表面に膜形成ガ
スを吹きつけて熱ＣＶＤ法により膜を形成する陰極線管
用ガラスパネルの膜形成方法において、吹き付けられた
後の膜形成ガスを前記陰極線管用ガラスパネルのフェー
ス部周縁から側方または下方に向けて排気することを特
徴とする。

【０００９】また、本発明に係る陰極線管用ガラスパネ
ルの膜形成装置は、映像が映し出されるフェース部を有
する陰極線管用ガラスパネルを搬送する搬送手段と、該
搬送手段を覆って設けられ陰極線管用ガラスパネルを所
定の温度に加熱する加熱炉と、膜形成ガスの調製器に接
続され陰極線管用ガラスパネルのフェース部表面に膜形
成ガスを吹き付ける成膜ガスノズルおよび該成膜ガスノ
ズルの少なくとも陰極線管用ガラスパネルの搬入側に配
置され不活性ガスを吹き出す不活性ガスノズルとを有す
る成膜室とを備え、熱ＣＶＤ法により陰極線管用ガラス
パネルのフェース部表面に膜を形成する陰極線管用ガラ
スパネルの膜形成装置において、前記成膜室が陰極線管
用ガラスパネルのフェース部周縁の側方または下方の空
間に吸引口を有して吹き付けられた後の膜形成ガスを排
気する排気ダクトを備えていることを特徴とする。

【００１０】

【作用】本発明の陰極線管用ガラスパネルの膜形成方法
および膜形成装置によれば、吹き付けられた後の膜形成
ガスを陰極線管用ガラスパネルのフェース部周縁から側
方または下方に向けて排気するので、膜形成が行われる
際に陰極線管用ガラスパネルが間隔をあけて間欠的に搬
送された場合でも膜形成ガスの気流が乱れることなく常
時安定しており、フェース部の全表面に亘って濃度が安
定した膜形成ガスを均等に吹き付けることができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の陰極線管用ガラ
スパネルの膜形成装置の説明図であり、図中、１は陰極
線管用ガラスパネルを、２は映像が映し出される略矩形
のフェース部を、３はフェース部２の全周から延在して
側壁を構成するスカート部を、５は膜形成ガスを、６は
膜形成ガス５の調製する調製器を、７は膜形成ガス５吹
きつけて電磁波遮蔽膜９を形成する膜形成ガスノズル
を、８は排気ダクトを、１０は成膜室を、１１は陰極線
管用ガラスパネル１を成膜室１０に導入する搬送手段
を、１２は成膜室１０に導入する陰極線管用ガラスパネ
ル１を所定の温度に加熱する加熱炉を、１３は不活性ガ
スを、１４、１５は不活性ガス１３を吹き出す不活性ガ
スノズルを、１６は電磁波遮蔽膜９が形成された高温の
陰極線管用ガラスパネル１を徐冷する徐冷炉を各々示し
ており、前出の図３と同一部分には同一符号を付してそ
れぞれ示している。

【００１２】本発明において電磁波遮蔽膜９が形成され
る陰極線管用ガラスパネル１は、映像が映し出される略
矩形の表面２ａを有するフェース部２と、フェース部２
の周縁２ｂから延在して側壁を構成するスカート部３と
から構成されている。

【００１３】本発明の陰極線管用ガラスパネルの膜形成
装置は、耐熱仕様の搬送手段１１により陰極線管用ガラ
スパネル１を搬送し、陰極線管用ガラスパネル１を成膜
室１０に導入する前に搬送手段１１を覆って設けられた
加熱炉１２中で陰極線管用ガラスパネル１を搬送しなが
ら所定の温度に加熱し、所定の温度になった陰極線管用
ガラスパネル１を成膜室１０に導入するようになってい
る。成膜室１０は、搬送手段１１を覆って設けられてお
り、膜形成ガス５の調製器６に接続され膜形成ガス５を
吹き出し口７ａから陰極線管用ガラスパネル１に吹き付
ける成膜ガスノズル７と、成膜ガスノズル７の位置から
みて陰極線管用ガラスパネル１の搬入側及び搬出側にそ
れぞれ設けられた不活性ガス１３を吹き出す不活性ガス
ノズル１４、１５と、陰極線管用ガラスパネル１のフェ
ース部２の周縁２ｂの側方または下方の空間に吸引口８
ａを有して吹き付けられた後の膜形成ガス５ａを排気す
る排気ダクト８とを備えている。成膜室１０中では、所
定の温度になった陰極線管用ガラスパネル１のフェース
部２に膜形成ガス５を吹き付けて熱ＣＶＤ法により表面
２ａ上に電磁波遮蔽膜９を形成するようになっている。
電磁波遮蔽膜９が形成された陰極線管用ガラスパネル１
は、不要な歪みが残らないように搬送手段１１を覆って
設けられた徐冷炉１６中で徐冷された後、次の工程に搬
出されるようになっている。

【００１４】搬送手段１１としては、最高で５００℃を
越える温度に繰り返し耐えられ、かつ塵埃が発生しない
耐熱鋼製のコンベア等が使用可能である。

【００１５】加熱炉１２としては、塵埃が発生しない耐
熱材料で構成され、陰極線管用ガラスパネル１を成膜室
１０に導入する前に最高５００℃を越える程度の温度に
加熱できるものであれば使用可能である。

【００１６】調製器６は、電気ヒーター等により内部が
２００〜３００℃の範囲の適当な温度に設定されてお
り、所定の流量のジメチルジクロル錫溶液１７がポンプ
１８を介して供給されると気化するようになっている。
また、調製器６には搬送ガス１９として清浄な空気を供
給する配管が接続されており、調製器６内で気化したジ
メチルジクロル錫と搬送ガス１９とを混合して所定の濃
度の膜形成ガス５を調製し、保温された配管により成膜
ガスノズル７に向けて圧送するようになっている。

【００１７】成膜ガスノズル７としては、塵埃が発生し
ない耐熱材料で構成されており、吹き出し口７ａが陰極
線管用ガラスパネル１のフェース部２の最も高い面から
１０〜１００ｍｍ程度の範囲の適当な位置に配置されて
いる。

【００１８】排気ダクト８としては、図２（Ａ）に示す
ように、搬送手段１１で搬送される陰極線管用ガラスパ
ネル１のフェース部２の周縁２ｂの下方の空間に吸引口
８ａが配置されており、吹き付けられた後の膜形成ガス
５ａを周縁２ｂから下方に向けて吸引して排気するよう
になっていることが好ましい。なお、成膜室１０中に複
数の陰極線管用ガラスパネル１を並列に搬入して膜を形
成する場合等では、排気ダクト８の設置スペースの都合
上、図２（Ｂ）に示すように、膜の形成に使用した後の
膜形成ガス５ａを前記陰極線管用ガラスパネル１のフェ
ース部２の周縁２ｂから側方に向けて排気する排気ダク
ト８としてもよい。

【００１９】不活性ガスノズル１４、１５としては、塵
埃が発生しない耐熱材料で構成され、成膜ガスノズル７
よりも陰極線管用ガラスパネル１の搬入側に配置されて
いる不活性ガスノズル１４は、加熱炉１２中で所定の高
温になって膜形成ガス５との高い反応性を有する陰極線
管用ガラスパネル１を成膜ガスノズル７から吹き付けら
れる膜形成ガス５と所定の時間以上に接触しないように
隔離しており、膜厚を制御する上で必要不可欠なもので
ある。また、陰極線管用ガラスパネル１の搬出側にも不
活性ガスノズル１５を設けることで、膜形成ガス５と陰
極線管用ガラスパネル１との接触時間をさらに正確に制
御することができ、膜厚の管理が容易になる。

【００２０】徐冷炉１６は、塵埃が発生しない耐熱材料
で構成され、成膜室１０の搬出側に搬送手段１１を覆っ
て設けられており、ガラスの歪み点以上に加熱されて電
磁波遮蔽膜９が形成された陰極線管用ガラスパネル１に
不要な歪みが残らないように徐冷するものである。

【００２１】次に、上記の成膜装置を用いて本発明の膜
形成方法により陰極線管用ガラスパネル１のフェース部
２の表面２ａに１００ｎｍの膜厚を有するＳｎＯ₂から
なる電磁波遮蔽膜９を形成する場合について説明する。

【００２２】本発明の膜形成方法では、まず、図１に示
すように、搬送手段１１の供給部にスカート部３を下に
向けて陰極線管用ガラスパネル１を供給し、搬送手段１
１を覆って設けられた加熱炉１２中を搬送しながら膜形
成ガス５と実用的な反応速度が得られる約５００℃前後
の所定の温度に陰極線管用ガラスパネル１を加熱する。

【００２３】次に、所定の温度になった陰極線管用ガラ
スパネル１を成膜室１０に導入し、不活性ガスノズル１
４から吹き出す清浄な空気からなる不活性ガス１３のエ
アーカーテンをくぐらせて成膜室１０の中央上部に取り
付けられた成膜ガスノズル７の吹き出し口７ａの下まで
搬送する。

【００２４】一方、２００〜３００℃に保たれた調製器
６内では、ジメチルジクロル錫溶液１７と清浄な空気か
らなる搬送ガス１９とが所定の流量で供給されて、ジメ
チルジクロル錫溶液１７を気化した蒸気が搬送ガス１９
により所定の濃度の膜形成ガス５に調整されており、調
整されてた膜形成ガス５は成膜ガスノズル７に向けて定
常的に流れている。

【００２５】成膜ガスノズル７の下では、一定の速度で
搬送されている陰極線管用ガラスパネル１のフェース部
２の表面２ａに、吹き出し口７ａから調整されてた膜形
成ガス５を吹き付けて熱ＣＶＤの反応によりＳｎＯ₂を
生成、堆積させ１００ｎｍの膜厚を有する電磁波遮蔽膜
９を形成する。

【００２６】上記の膜形成の際に、吹き付けれれた後の
膜形成ガス５ａを、排気ダクト８の吸引口８ａにより陰
極線管用ガラスパネル１のフェース部２の周縁２ｂから
側方または下方に向けて吸引排気する。このように排気
することにより、高さのある陰極線管用ガラスパネル１
の有無に関わらず吹き付けられた後の膜形成ガス５ａは
周縁２ｂの位置から側方または下方に向けて定常的に流
れるので、フェース部２の表面２ａに吹き付けられる膜
形成ガス５に気流の乱れが生じることがなく常に濃度が
安定状態に維持されており、一定の速度で搬送される陰
極線管用ガラスパネル１に均一な厚さの電磁波遮蔽膜９
を形成することが可能となる。

【００２７】次いで、電磁波遮蔽膜９が形成された陰極
線管用ガラスパネル１を、搬送手段１１を覆って設けた
徐冷炉１６中を搬送することにより不要な歪みが残らな
いように徐冷した後、次の工程へと搬出する。

【００２８】上記本発明の膜形成方法により形成された
電磁波遮蔽膜９を有する陰極線管用ガラスパネル１は、
例えば、電磁波遮蔽膜９の膜厚がフェース部２の全表面
２ａに亘って１００ｎｍ±５ｎｍという均一なものであ
り、１０００Ω／□以下のシート抵抗値を実現してお
り、陰極線管の表示面から３０ｃｍ離れた位置における
２ｋＨｚ〜４００ｋＨｚの範囲の電磁波の電界強度も１
Ｖ／ｍ以下を実現することができた。また、陰極線管用
ガラスパネル１を用いて作製した陰極線管の画面には、
光の干渉作用による色彩模様は観察されず、所望する映
像品位が得られた。

【００２９】

【発明の効果】本発明の陰極線管用ガラスパネルの膜形
成方法及び膜形成装置によれば、熱ＣＶＤ法により約１
００ｎｍの膜厚を有する膜を映像が映し出されるフェー
ス部の表面に均一に形成することができ、膜が形成され
た陰極線管用ガラスパネルを用いて陰極線管を作製した
場合に、所望の映像品位が得られる実用上優れた効果を
奏するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の説明図であって、陰極線管用ガラスパ
ネルの膜形成装置の全体図

【図２】本発明の要部拡大説明図であって、（Ａ）は吹
き付けられた後の膜形成ガスを前記陰極線管用ガラスパ
ネルのフェース部周縁から下方に向けて排気する膜形成
装置、（Ｂ）は吹き付けられた後の膜形成ガスを前記陰
極線管用ガラスパネルのフェース部周縁から側方に向け
て排気する膜形成装置。

【図３】従来の陰極線管用ガラスパネルの膜形成装置の
説明図。

【符号の説明】 １ 陰極線管用ガラスパネル ２ フェース部 ２ａ 表面 ２ｂ 周縁 ３ スカート部 ５、５ａ 膜形成ガス ６ 調製器 ７ 膜形成ガスノズル ８ 排気ダクト ９ 電磁波遮蔽膜 １０ 成膜室 １１ 搬送手段 １２ 加熱炉 １３ 不活性ガス １４、１５ 不活性ガスノズル １６ 徐冷炉

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 映像が映し出されるフェース部を有する
   陰極線管用ガラスパネルを所定の温度に加熱し、該陰極
   線管用ガラスパネルを成膜室に導入し、該陰極線管用ガ
   ラスパネルのフェース部表面に膜形成ガスを吹きつけて
   熱ＣＶＤ法により膜を形成する陰極線管用ガラスパネル
   の膜形成方法において、吹き付けられた後の膜形成ガス
   を前記陰極線管用ガラスパネルのフェース部周縁から側
   方または下方に向けて排気することを特徴とする陰極線
   管用ガラスパネルの膜形成方法。
2. 【請求項２】 映像が映し出されるフェース部を有する
   陰極線管用ガラスパネルを搬送する搬送手段と、該搬送
   手段を覆って設けられ陰極線管用ガラスパネルを所定の
   温度に加熱する加熱炉と、膜形成ガスの調製器に接続さ
   れ陰極線管用ガラスパネルのフェース部表面に膜形成ガ
   スを吹き付ける成膜ガスノズルおよび該成膜ガスノズル
   の少なくとも陰極線管用ガラスパネルの搬入側に配置さ
   れ不活性ガスを吹き出す不活性ガスノズルとを有する成
   膜室とを備え、熱ＣＶＤ法により陰極線管用ガラスパネ
   ルのフェース部表面に膜を形成する陰極線管用ガラスパ
   ネルの膜形成装置において、前記成膜室が陰極線管用ガ
   ラスパネルのフェース部周縁の側方または下方の空間に
   吸引口を有して吹き付けられた後の膜形成ガスを排気す
   る排気ダクトを備えていることを特徴とする陰極線管用
   ガラスパネルの膜形成装置。