JP2000269548A

JP2000269548A - 窒化物半導体素子

Info

Publication number: JP2000269548A
Application number: JP7171099A
Authority: JP
Inventors: Masatoshi Abe; 雅俊阿部; Yasushi Morioka; 靖森岡
Original assignee: Nichia Chemical Industries Ltd
Current assignee: Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date: 1999-03-17
Filing date: 1999-03-17
Publication date: 2000-09-29

Abstract

(57)【要約】【目的】ｎ型窒化物半導体層から発光層への不純物の拡
散を防ぎ、かつ高い発光効率を維持した発光素子を提供
する。【構成】基板上に、ｎ型窒化物半導体層、活性層および
ｐ型窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子におい
て、前記ｎ型窒化物半導体層を、基板側から順に、アン
ドープの窒化物半導体層からなる第１のｎ型窒化物半導
体層、ｎ型不純物としてＳｉがドープされた窒化物半導
体層からなる第２のｎ型窒化物半導体層、ＩＶ族のＳｉ
より原子番号の大きい元素からなるｎ型不純物がドープ
された第３のｎ型窒化物半導体層の少なくとも３層とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）、レーザダイオード（ＬＤ）、太陽電池、光センサ
ー等の発光素子、受光素子、あるいはトランジスタ、パ
ワーデバイス等の電子デバイスに使用される窒化物半導
体（例えば、Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ、０≦Ｘ、０≦
Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）素子に関する。

【０００１】

【従来の技術】窒化物半導体は高輝度純緑色発光ＬＥ
Ｄ、青色ＬＥＤとして、既にフルカラーＬＥＤディスプ
レイ、交通信号灯、イメージスキャナ光源等の各種光源
で実用化されている。これらのＬＥＤ素子は基本的に、
サファイア基板上にＧａＮよりなるｎ型コンタクト層
と、単一量子井戸構造、若しくは多重量子井戸構造のＩ
ｎＧａＮ層を包含する活性層と、ＭｇドープＡｌＧａＮ
よりなるｐ型クラッド層と、ＭｇドープＧａＮよりなる
ｐ型コンタクト層とが順に積層された構造を有してお
り、２０ｍＡ、発光波長４５０ｎｍの青色ＬＥＤで、活
性層が単一量子井戸構造の場合、２．５ｍＷ、外部量子
効率５パーセント、活性層が多重量子井戸構造の場合、
５ｍＷ、外部量子効率９．１パーセント、また発光波長
５２０ｎｍの緑色ＬＥＤで、単一量子井戸構造の場合、
２．２ｍＷ、外部量子効率４．３パーセント、多重量子
井戸構造の場合、３ｍＷ、外部量子効率６．３パーセン
トと非常に優れた特性を示す。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】この窒化ガリウム系化
合物半導体発光素子は屋外の大型ディスプレイなどへの
種々の応用製品への適用範囲の拡大のために更なる発光
効率の向上が望まれている。この方法としてはｎ型およ
びｐ型の窒化物半導体領域にドープする不純物を多くす
ることで、ｎ側およびｐ側より不純物からの自由電子が
発光層に供給されるようになり発光効率が向上するが、
ドープ量が多くなりすぎるとその不純物が発光層などに
拡散するようになり、発光層の結晶品位が低下してしま
い、逆に発光効率を低減させてしまう。そこで本発明で
は特にｎ型窒化物半導体層から発光層への不純物の拡散
を防ぎ、かつ高い発光効率を維持した発光素子を提供す
ることを目的とする。

【０００３】

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、以下
の（１）から（３）の構成により、本発明の目的を達成
することができる。（１）基板上に、ｎ型窒化物半導体層、活性層および
ｐ型窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子におい
て、前記ｎ型窒化物半導体層が、基板側から順に、アン
ドープの窒化物半導体層からなる第１のｎ型窒化物半導
体層、ｎ型不純物としてＳｉがドープされた窒化物半導
体層からなる第２のｎ型窒化物半導体層、Ｓｉとは異な
るｎ型不純物がドープされた第３のｎ型窒化物半導体層
の少なくとも３層が積層された構造を有することを特徴
とする。（２）前記第３のｎ型窒化物半導体層のｎ型不純物
は、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｐｂよりなる群から選択された少なく
とも１種であり、最も好ましくはＳｎであることを特徴
とする。（３）前記第３のｎ型窒化物半導体層と活性層との間
にアンドープの窒化物半導体層を設けることを特徴とす
る。

【０００４】つまり、本発明では上記のような構成にす
ることで、Ｓｉがドープされた第２のｎ型窒化物半導体
層から発光層に自由電子が速やかに供給されるようなり
発光効率が向上し、またＳｎ、Ｇｅ、Ｐｂよりなる群か
ら選択された少なくとも一種、すなわちＩＶ族のＳｉよ
り原子番号の大きい元素がドープされた第３のｎ型窒化
物半導体層を設けることで、高ドープされたＳｉなどの
不純物の発光層への拡散を防ぎ、かつ発光効率の低下を
防ぐことができる。

【０００５】本発明において、アンドープとは、意図的
に不純物をドープしないで形成した層を示し、隣接する
層からの不純物の拡散、原料または装置からのコンタミ
ネーションにより不純物が混入した層であっても、意図
的に不純物をドープしていない場合にはアンドープ層と
する。なお、拡散により混入する不純物は層内において
不純物濃度に勾配がついている場合がある。

【０００６】

【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施の形態であ
る窒化物半導体素子の構造を示す窒化物半導体素子の模
式的断面図である図１を用いて、本発明を詳細に説明す
る。図１は基板１上に、バッファ層２、アンドープの第
１のｎ型窒化物半導体層３、Ｓｉドープの第２のｎ型窒
化物半導体層４、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｐｂよりなる群から選択
された少なくとも一種がドープされた第３のｎ型窒化物
半導体層５、アンドープの第４のｎ型窒化物半導体層
６、多重量子井戸構造の活性層７、ｐ側アンドープの窒
化物半導体層８、ｐ型不純物ドープのｐ型クラッド層
９、ｐ型不純物ドープのｐ型コンタクト層１０が順に積
層された構造を有する。さらに、Ｓｉドープのｎ型窒化
物半導体層４上にｎ電極１１、ｐ型コンタクト層１０上
にｐ電極１２がそれぞれ形成されている。

【０００７】まず本発明において、第１のｎ型窒化物半
導体層３はアンドープのＧａＮからなる。バッファ層２
上にアンドープのＧａＮ層を成長させるとアンドープＧ
ａＮ層の結晶性が良好となり、アンドープＧａＮ層上に
成長させるＳｉドープの第２のｎ型窒化物半導体層など
の結晶性も良好となる。また、この第１のｎ型窒化物半
導体層３の膜厚は１μｍ〜２μｍ、好ましくは１．５μ
ｍ〜２μｍとする。

【０００８】本発明において、第２のｎ型窒化物半導体
層４は、Ｓｉ濃度が１×１０¹⁸／ｃｍ³以上１×１０¹⁹
／ｃｍ³以下、好ましくは３×１０¹⁸／ｃｍ³以上６×１
０¹⁸／ｃｍ³以下のＧａＮとする。また、この第２のｎ
型窒化物半導体層４はＳｉドープのＡｌ_bＧａ_1-bＮとし
ても良いが、この場合ｂ値は０．２以下にすると結晶性
の良い窒化物半導体層が得られて好ましい。また、この
第２のｎ型窒化物半導体層４の膜厚は２μｍ〜３μｍ、
好ましくは２．５μｍ〜３μｍで、前記第１のｎ型窒化
物半導体層３と、第２のｎ型窒化物半導体層４との総膜
厚は４μｍ以上とすることが望ましい。このようにＳｉ
ドープの第２のｎ型窒化物半導体４を形成すると発光層
に自由電子が速やかに供給されるようになる。

【０００９】次に本発明において、第３のｎ型窒化物半
導体層５は、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｐｂよりなる群から選択され
た少なくとも一種、すなわちＩＶ族のＳｉより原子番号
の大きい元素がドープされたＧａＮとする。さらに、検
討した結果、不純物材料としてはＳｎを用いるのが最も
好ましい。また、ドープ量は５×１０¹⁷／ｃｍ³以上
１．６×１０¹⁹／ｃｍ³以下、好ましくは５×１０¹⁷／
ｃｍ³以上１×１０¹⁸／ｃｍ³以下とすることが望まし
い。これを１．６×１０¹⁹／ｃｍ³より多くドープする
と、表面があれてしまうので好ましくない。また、この
第３のｎ型窒化物半導体層５の膜厚は１０００オングス
トローム以上１００００オングストローム以下、好まし
くは１０００オングストローム以上５０００オングスト
ローム以下、最も好ましくは２０００オングストローム
以上４０００オングストローム以下とすることが望まし
い。このように第３のｎ型窒化物半導体５としてＩＶ族
のＳｉより原子番号の大きい元素がドープされたＧａＮ
を形成することで、Ｓｉドープの第２のｎ型窒化物半導
体層４から発光層への不純物の拡散を防ぐことができ
る。また、この層に含まれる不純物はＧｅ、Ｓｎ、Ｐｂ
等、Ｓｉよりも重い元素であることから、これらの不純
物の発光層への拡散を抑えることができる。

【００１０】次に本発明において、第３のｎ型窒化物半
導体層５上に形成する第４のｎ型窒化物半導体層６はア
ンドープのＧａＮとし、膜厚は１０オングストローム以
上５００オングストローム以下、好ましくは１００オン
グストロームと薄く形成する。この層を形成することで
ＳｉおよびＧｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の不純物の発光層への拡
散をさらに防ぐことができ、またその上に積層する窒化
物半導体層の結晶性を良好にすることができる。

【００１１】以下に図１に示されるｎ型窒化物半導体層
以外の他の素子構造を構成する各層について説明する
が、本発明はこれに限定されない。本発明において、基
板１としては、サファイアＣ面、Ｒ面またはＡ面を主面
とするサファイア、その他スピネル（ＭｇＡｌ₂Ｏ₄）の
ような絶縁性の基板の他、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを
含む）、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、ＧａＮ等の半導体基
板を用いることができる。

【００１２】本発明において、バッファ層２としては、
ＡｌＧａＮからなる窒化物半導体であり、好ましくはＡ
ｌの割合が小さい組成ほど結晶性の改善が顕著となり、
より好ましくはＧａＮからなる層が挙げられる。

【００１３】次に本発明において活性層７は、Ｉｎ、Ｇ
ａを含むアンドープの窒化物半導体、好ましくはＩｎＧ
ａＮよりなる井戸層を有する単一または多重の量子井戸
構造とすることが望ましい。

【００１４】次に本発明においてｐ側の第２の窒化物半
導体層７は、アンドープのＩｎ_cＡｌ_dＧａ_1-c-dＮ（０
≦ｃ、０≦ｄ、ｃ＋ｄ≦１）とし、１０オングストロー
ムから、０．１μｍの範囲で、好ましくは１０オングス
トロームから１００オングストロームの範囲で、活性層
に接して形成する。

【００１５】次に本発明においてｐ型クラッド層８は、
ｐ型不純物としてＭｇをドープしたＡｌ_fＧａ_1-fＮ（０
≦ｆ＜１）の単層からなる層でも良いが、好ましくはＡ
ｌ_gＧａ_1-gＮ（０≦ｇ＜１）とＭｇドープのＩｎ_hＧａ
_1-hＮ（０≦ｈ＜１）との超格子構造とすることが望ま
しい。ｐ型クラッド層を超格子構造とすると抵抗率が低
下するため、Ｖ_fおよび閾値が低下できると共に発光効
率の高い素子を得ることができる。またこの層を超格子
構造とする場合、超格子を構成する窒化物半導体層の膜
厚は１００オングストローム以下、さらに好ましくは７
０オングストローム以下、さらに最も好ましくは５０オ
ングストローム以下に調整する。

【００１６】次に本発明においてｐ型コンタクト層９
は、ｐ型不純物としてＭｇをドープしたＧａＮとし、不
純物濃度を１×１０¹⁸〜１×１０²¹／ｃｍ³、より好ま
しくは５×１０¹⁸〜５×１０²⁰／ｃｍ³、より好ましく
は５×１０¹⁹〜１×１０²⁰／ｃｍ³とすることで良好な
ｐ型膜ができ好ましい。

【００１７】

【実施例】以下に、本発明の一実施の形態である実施例
を示すが、本発明はこれに限定されない。［実施例１］図１を元に実施例１について説明する。サ
ファイア（Ｃ面）よりなる基板１をＭＯＶＰＥの反応容
器内にセットし、水素を流しながら、基板の温度を１０
５０℃まで上昇させ、基板のクリーニングを行う。

【００１８】（バッファ層２）続いて、温度を５１０℃
まで下げ、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニア
とＴＭＧ（トリメチルガリウム）とを用い、基板１上に
ＧａＮよりなるバッファ層２を１５０オングストローム
の膜厚で成長させる。

【００１９】（第１のｎ型窒化物半導体層３）バッファ
層２成長後、ＴＭＧのみ止めて、温度を１０５０℃まで
昇温させる。続いて１０５０℃で、同じく原料ガスに、
ＴＭＧ、アンモニアを用い、アンドープＧａＮからなる
第１のｎ型窒化物半導体層３を１．５μｍの膜厚で成長
させる。

【００２０】（第２のｎ型窒化物半導体層４）続いて１
０５０℃で、同じく原料ガスにＴＭＧ、アンモニア、不
純物ガスとしてシランガスを用い、Ｓｉを４×１０¹⁸／
ｃｍ³ドープしたＧａＮよりなる第２のｎ型窒化物半導
体層４を２．５μｍの膜厚で成長させる。

【００２１】（第３のｎ型窒化物半導体層５）続いて同
じく１０５０℃で、原料ガスにＴＭＧ、アンモニア、不
純物ガスとしてＴＥＳｎ（テトラエチルスズ）を用い、
Ｓｎを３×１０¹⁸／ｃｍ³ドープしたＧａＮよりなる第
３のｎ型窒化物半導体層５を２５００オングストローム
の膜厚で成長させる。

【００２２】（第４のｎ型窒化物半導体層６）続いて同
じく１０５０℃で、原料ガスに、ＴＭＧ、アンモニアを
用い、アンドープのＧａＮよりなる第４のｎ型窒化物半
導体層６を１００オングストロームの膜厚で成長させ
る。

【００２３】（活性層７）次に同じく１０５０℃で、ア
ンドープのＧａＮよりなる障壁層を２００オングストロ
ームの膜厚で成長させ、続いて温度を８００℃にして、
ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用いてアンドープＩｎ
_0.3Ｇａ_0.7Ｎよりなる井戸層を３０オングストロームの
膜厚で成長させる。そして障壁＋井戸＋障壁＋井戸・・
・・＋障壁の順で障壁層を５層、井戸層を４層、交互に
積層して、総膜厚１１２０オングストロームの多重量子
井戸構造よりなる活性層７を成長させる。

【００２４】（ｐ側アンドープの窒化物半導体層８）次
に窒素、ＴＭＩを止め、温度を１０５０℃まで昇温し、
ＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニアを用い、アンドープＡｌＧ
ａＮ層８を１０オングストロームの膜厚で成長させる。

【００２５】（ｐ型クラッド層９）続いて１０５０℃
で、ＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、Ｃｐ₂Ｍｇを用い、
Ｍｇを１×１０²⁰／ｃｍ³ドープしたＡｌＧａＮよりな
る層を４０オングストローム成長させ、次に温度を８０
０℃にして、ＴＭＡを止めＴＭＩを流し、同じくＭｇを
１×１０²⁰／ｃｍ³ドープしたＩｎＧａＮよりなる層を
２５オングストロームの膜厚で成長させる。そしてこれ
らの操作を交互に繰り返し、５層ずつ積層させた、超格
子からなるｐ型クラッド層９を成長させる。

【００２６】（ｐ型コンタクト層１０）続いて１０５０
℃で、ＴＭＧ、アンモニア、Ｃｐ₂Ｍｇを用い、Ｍｇを
１×１０²⁰／ｃｍ³ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ型
コンタクト層１０を０．１５μｍの膜厚で成長させる。

【００２７】反応終了後、温度を室温まで下げ、更に窒
素雰囲気中、ウエハーを反応容器内において、７００℃
でアニーリングを行い、ｐ型層を更に低抵抗化する。ア
ニーリング後、ウエハーを反応容器から取り出し、最上
層のｐ型コンタクト層１０の表面に所定のマスクを形成
し、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置でｐ型コン
タクト層側からエッチングを行い、図１に示すようにｎ
型コンタクト層４の表面を露出させる。

【００２８】エッチング後、最上層にあるｐ型コンタク
ト層のほぼ全面に膜厚２００オングストロームのＮｉ、
Ａｕを含む透光性のｐ電極１０を０．５μｍの膜厚で形
成し、一方エッチングにより露出させたｎ側のＳｉドー
プの窒化物半導体層４の表面にはＷとＡｌを含むｎ電極
１１を形成してＬＥＤ素子とした。

【００２９】このＬＥＤ素子は順方向電圧２０ｍＡにお
いて、順方向電圧３．４Ｖ、４７０ｎｍの青色発光を示
し、発光出力は６．２ｍＷであった。

【００３０】［実施例２］実施例１において、第３のｎ
型窒化物半導体層５を以下のようにした他は同様にして
ＬＥＤ素子を作製した。（第３のｎ型窒化物半導体層５）続いて同じく１０５０
℃で、原料ガスにＴＭＧ、アンモニア、不純物ガスとし
てＴＥＧｅ（テトラエチルゲルマニウム）を用い、Ｇｅ
を５×１０¹⁸／ｃｍ³ドープしたＧａＮよりなる第３の
ｎ型窒化物半導体層５を２５００オングストロームの膜
厚で成長させる。

【００３１】その結果、このＬＥＤ素子は順方向電圧２
０ｍＡにおいて、順方向電圧３．８Ｖ、４７０ｎｍの青
色発光を示し、発光出力は５．２ｍＷであった。

【００３２】［実施例３］実施例１において、第４のｎ
型窒化物半導体層６を以下のようにした他は同様にして
ＬＥＤ素子を作製した。（第４のｎ型窒化物半導体層６）続いて１０５０℃で、
原料ガスに、ＴＭＧ、アンモニアを用い、アンドープの
ＧａＮよりなる第４のｎ型窒化物半導体層６を４００オ
ングストロームの膜厚で成長させる。

【００３３】その結果、このＬＥＤ素子は順方向電圧２
０ｍＡにおいて、順方向電圧３．６Ｖ、４７０ｎｍの青
色発光を示し、発光出力は６．２ｍＷであった。

【００３４】［実施例４］実施例１において、活性層７
を以下のような単一の量子井戸構造とした他は同様にし
てＬＥＤ素子を作製した。（活性層７）次に温度を８００℃まで下げ、ＴＭＧ、Ｔ
ＭＩ、アンモニアを用い、アンドープＩｎ_0.3Ｇａ_0.7Ｎ
よりなる活性層７を３０オングストロームの膜厚で成長
させる。

【００３５】その結果、このＬＥＤ素子は順方向電圧２
０ｍＡにおいて、順方向電圧３．４Ｖ、４６８ｎｍの青
色発光を示し、発光出力は３．２ｍＷであった。

【００３６】［実施例５］実施例１において、第３のｎ
型窒化物半導体層５から活性層７までを以下のようにし
た他は同様にしてＬＥＤ素子を作製した。（第３のｎ型窒化物半導体層５）１０５０℃で、原料ガ
スにＴＭＧ、アンモニア、不純物ガスとしてＴＥＧｅ
（テトラエチルゲルマニウム）を用い、Ｇｅを５×１０
¹⁸／ｃｍ³ドープしたＧａＮよりなる第３のｎ型窒化物
半導体層５を２５００オングストロームの膜厚で成長さ
せる。

【００３７】（第４のｎ型窒化物半導体層６）続いて同
じく１０５０℃で、原料ガスに、ＴＭＧ、アンモニアを
用い、アンドープのＧａＮよりなる第４のｎ型窒化物半
導体層６を１００オングストロームの膜厚で成長させ
る。

【００３８】（活性層７）温度を８００℃まで下げ、Ｔ
ＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用い、アンドープＩｎ_0.3
Ｇａ_0.7Ｎよりなる活性層７を３０オングストロームの
膜厚で成長させる。

【００３９】その結果、このＬＥＤ素子は順方向電圧２
０ｍＡにおいて、順方向電圧３．８Ｖ、４６８ｎｍの青
色発光を示し、発光出力は２．７ｍＷであった。

【００４０】［実施例６］実施例１において、活性層７
を以下のようにした他は同様にしてＬＥＤ素子を作製し
た。（活性層７）１０５０℃で、アンドープのＧａＮよりな
る障壁層を２００オングストロームの膜厚で成長させ、
続いて温度を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモ
ニアを用いてアンドープＩｎ_0.35Ｇａ_0.65Ｎよりなる井
戸層を３０オングストロームの膜厚で成長させる。そし
て障壁＋井戸＋障壁＋井戸・・・・＋障壁の順で障壁層
を５層、井戸層を４層、交互に積層して、総膜厚１１２
０オングストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層
７を成長させる。

【００４１】このＬＥＤ素子は順方向電圧２０ｍＡにお
いて、順方向電圧３．６Ｖ、５２０ｎｍの緑色発光を示
し、発光出力は３．６ｍＷであった。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
ｎ型窒化物半導体層を基板側から順に、アンドープのＧ
ａＮからなる第１のｎ型窒化物半導体層、Ｓｉがドープ
されたＧａＮからなる第２のｎ型窒化物半導体層、Ｓ
ｎ、Ｇｅ、Ｐｂよりなる群から選択された少なくとも一
種、すなわちＩＶ族のＳｉより原子番号の大きい元素が
ドープされたＧａＮからなる第３のｎ型窒化物半導体層
の少なくとも３層が積層された構造とすることで、Ｓｉ
がドープされた第２のｎ型窒化物半導体層から発光層に
自由電子が速やかに供給されるようになり発光効率が向
上し、またＩＶ族のＳｉより原子番号の大きい元素がド
ープされた第３のｎ型窒化物半導体層を設けることで、
高ドープされたＳｉなどの不純物の発光層への拡散を防
ぎ、かつ発光効率の低下を防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例にかかるＬＥＤ素子の構造を
示す模式断面図。

【符号の簡単な説明】

１・・・基板２・・・バッファ層３・・・第１のｎ型窒化物半導体層４・・・第２のｎ型窒化物半導体層５・・・第３のｎ型窒化物半導体層６・・・第４のｎ型窒化物半導体層７・・・活性層８・・・ｐ側アンドープの窒化物半導体層９・・・ｐ型クラッド層１０・・・ｐ型コンタクト層１１・・・ｐ電極１２・・・ｎ電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、ｎ型窒化物半導体層、活性層お
よびｐ型窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子にお
いて、前記ｎ型窒化物半導体層が、基板側から順に、ア
ンドープの窒化物半導体層からなる第１のｎ型窒化物半
導体層、ｎ型不純物としてＳｉがドープされた窒化物半
導体層からなる第２のｎ型窒化物半導体層、Ｓｉとは異
なるｎ型不純物がドープされた窒化物半導体層からなる
第３のｎ型窒化物半導体層の少なくとも３層が積層され
た構造を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】前記第３のｎ型窒化物半導体層のｎ型不純
物は、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｐｂよりなる群から選択された少な
くとも１種であり、最も好ましくはＳｎであることを特
徴とする請求項１に記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】前記第３のｎ型窒化物半導体層と活性層と
の間にアンドープの窒化物半導体層を設けることを特徴
とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の窒化
物半導体素子。