JP2000260571A - エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光層から発光された光を効率よく絶縁性基
板側から出射させて明るい表示を得ることができるＥＬ
表示装置を提供する。 【解決手段】 ガラス基板からなる絶縁性基板１０上
に、ＴＦＴ４０及び有機ＥＬ素子６０を形成した有機Ｅ
Ｌ表示装置において、有機ＥＬ素子６０を形成する領域
には、ＴＦＴ４０を構成する平坦化絶縁膜１９、層間絶
縁膜１７及びゲート絶縁膜１２の各絶縁膜を形成せず、
ガラス基板１０を露出させて、その露出した領域に、陽
極６１、発光素子層６２及び陰極６３を順に形成するこ
とにより、絶縁膜１２，１５，１７の各界面における発
光素子層６２からの光が反射することが抑制でき効率よ
くガラス基板１０側から出射させることができる。
板側から出射させて明るい表示を得ることができるＥＬ
表示装置を提供する。 【解決手段】 ガラス基板からなる絶縁性基板１０上
に、ＴＦＴ４０及び有機ＥＬ素子６０を形成した有機Ｅ
Ｌ表示装置において、有機ＥＬ素子６０を形成する領域
には、ＴＦＴ４０を構成する平坦化絶縁膜１９、層間絶
縁膜１７及びゲート絶縁膜１２の各絶縁膜を形成せず、
ガラス基板１０を露出させて、その露出した領域に、陽
極６１、発光素子層６２及び陰極６３を順に形成するこ
とにより、絶縁膜１２，１５，１７の各界面における発
光素子層６２からの光が反射することが抑制でき効率よ
くガラス基板１０側から出射させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称す
る。）及びＥＬ（Electro Luminescence）素子を備え
ており、そのＴＦＴをスイッチング素子として用いたＥ
Ｌ表示装置に関する。
（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称す
る。）及びＥＬ（Electro Luminescence）素子を備え
ており、そのＴＦＴをスイッチング素子として用いたＥ
Ｌ表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に従来のＥＬ表示装置の表示画素部
の平面図を示し、図４（ａ）に図３中のＡ−Ａ線に沿っ
たＥＬ表示装置の断面図を示し、図４（ｂ）に図３中の
Ｂ−Ｂ線に沿った断面図を示す。
の平面図を示し、図４（ａ）に図３中のＡ−Ａ線に沿っ
たＥＬ表示装置の断面図を示し、図４（ｂ）に図３中の
Ｂ−Ｂ線に沿った断面図を示す。
【０００３】図３に示すように、ゲート信号線５１とド
レイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素が形成さ
れている。両信号線の交点付近には第１のＴＦＴ３０が
備えられており、そのＴＦＴ３０のソース１３ｓは保持
容量電極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ね
るとともに、第２のＴＦＴ４０のゲート４１に接続され
ている。第２のＴＦＴのソース４３ｓは有機ＥＬ素子６
０の陽極６１に接続され、他方のドレイン４３ｄは有機
ＥＬ素子を駆動する駆動電源線５３に接続されている。
レイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素が形成さ
れている。両信号線の交点付近には第１のＴＦＴ３０が
備えられており、そのＴＦＴ３０のソース１３ｓは保持
容量電極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ね
るとともに、第２のＴＦＴ４０のゲート４１に接続され
ている。第２のＴＦＴのソース４３ｓは有機ＥＬ素子６
０の陽極６１に接続され、他方のドレイン４３ｄは有機
ＥＬ素子を駆動する駆動電源線５３に接続されている。
【０００４】また、ＴＦＴの付近には、ゲート信号線５
１と並行に保持容量電極線５４が配置されている。この
保持容量電極線５４はクロム等から成っており、ゲート
絶縁膜１２を介してＴＦＴのソース１３ｓと接続された
容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を成してい
る。この保持容量は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４
１に印加される電圧を保持するために設けられている。
１と並行に保持容量電極線５４が配置されている。この
保持容量電極線５４はクロム等から成っており、ゲート
絶縁膜１２を介してＴＦＴのソース１３ｓと接続された
容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を成してい
る。この保持容量は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４
１に印加される電圧を保持するために設けられている。
【０００５】このように有機ＥＬ素子６０及びＴＦＴ３
０，４０を備えた表示画素が基板１０上にマトリクス状
に配置されることにより有機ＥＬ表示装置が形成され
る。
０，４０を備えた表示画素が基板１０上にマトリクス状
に配置されることにより有機ＥＬ表示装置が形成され
る。
【０００６】図４に示すように、有機ＥＬ表示装置は、
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１
０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの
絶縁膜を形成した上にＴＦＴ３０，４０及び有機ＥＬ表
示素子６０を形成する。
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１
０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの
絶縁膜を形成した上にＴＦＴ３０，４０及び有機ＥＬ表
示素子６０を形成する。
【０００７】まず、スイッチング用のＴＦＴである第１
のＴＦＴ３０について説明する。
のＴＦＴ３０について説明する。
【０００８】図４（ａ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、クロム
（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からな
るゲート電極１１を兼ねたゲート信号線５１及びＡｌか
ら成るドレイン信号線５２を備えており、有機ＥＬ素子
の駆動電源でありＡｌから成る駆動電源線５３を配置す
る。
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、クロム
（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からな
るゲート電極１１を兼ねたゲート信号線５１及びＡｌか
ら成るドレイン信号線５２を備えており、有機ＥＬ素子
の駆動電源でありＡｌから成る駆動電源線５３を配置す
る。
【０００９】続いて、ゲート絶縁膜１２、及び多結晶シ
リコン（以下、「ｐ−Ｓｉ」と称する。）膜からなる能
動層１３を順に形成し、その能動層１３には、いわゆる
ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造が設けられてい
る。その外側にソース１３ｓ及びドレイン１３ｄが設け
られている。
リコン（以下、「ｐ−Ｓｉ」と称する。）膜からなる能
動層１３を順に形成し、その能動層１３には、いわゆる
ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造が設けられてい
る。その外側にソース１３ｓ及びドレイン１３ｄが設け
られている。
【００１０】そして、ゲート絶縁膜１２、能動層１３及
びストッパ絶縁膜１４上の全面には、ＳｉＯ2膜、Ｓｉ
Ｎ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を
設け、ドレイン１３ｄに対応して設けたコンタクトホー
ルにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極１６を設け
る。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にす
る平坦化絶縁膜１７を設ける。
びストッパ絶縁膜１４上の全面には、ＳｉＯ2膜、Ｓｉ
Ｎ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を
設け、ドレイン１３ｄに対応して設けたコンタクトホー
ルにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極１６を設け
る。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にす
る平坦化絶縁膜１７を設ける。
【００１１】次に、有機ＥＬ素子６０の駆動用のＴＦＴ
である第２のＴＦＴ４０について説明する。
である第２のＴＦＴ４０について説明する。
【００１２】図４（ｂ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、
Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１を形成す
る。
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、
Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１を形成す
る。
【００１３】ゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ膜からな
る能動層４３を順に形成する。
る能動層４３を順に形成する。
【００１４】その能動層４３には、ゲート電極４１上方
に真性又は実質的に真性であるチャネル４３ｃと、この
チャネル４３ｃの両側に、その両側にイオンドーピング
してソース４３ｓ及びドレイン４３ｄが設けられてい
る。
に真性又は実質的に真性であるチャネル４３ｃと、この
チャネル４３ｃの両側に、その両側にイオンドーピング
してソース４３ｓ及びドレイン４３ｄが設けられてい
る。
【００１５】そして、ゲート絶縁膜１２及び能動層４３
上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に
積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４３ｄに
対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填
して駆動電源５０に接続された駆動電源線５３を形成す
る。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にす
る平坦化絶縁膜１７を形成する。そして、その平坦化絶
縁膜１７及び層間絶縁膜１５のソース４３ｓに対応した
位置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホー
ルを介してソース１３ｓとコンタクトしたＩＴＯから成
る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦化絶縁
膜１７上に形成する。
上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に
積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４３ｄに
対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填
して駆動電源５０に接続された駆動電源線５３を形成す
る。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にす
る平坦化絶縁膜１７を形成する。そして、その平坦化絶
縁膜１７及び層間絶縁膜１５のソース４３ｓに対応した
位置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホー
ルを介してソース１３ｓとコンタクトしたＩＴＯから成
る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦化絶縁
膜１７上に形成する。
【００１６】有機ＥＬ素子６０は、ＩＴＯ等の透明電極
から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylph
enylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送
層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)t
riphenylanine）からなる第２ホール輸送層、キナクリ
ドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベン
ゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光
層及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層からなる発光素子
層６２、マグネシウム・インジウム合金から成る陰極６
３がこの順番で積層形成された構造である。この陰極６
３は、図３に示した有機ＥＬ表示装置を形成する基板１
０の全面、即ち紙面の全面に設けられている。
から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylph
enylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送
層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)t
riphenylanine）からなる第２ホール輸送層、キナクリ
ドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベン
ゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光
層及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層からなる発光素子
層６２、マグネシウム・インジウム合金から成る陰極６
３がこの順番で積層形成された構造である。この陰極６
３は、図３に示した有機ＥＬ表示装置を形成する基板１
０の全面、即ち紙面の全面に設けられている。
【００１７】また有機ＥＬ素子は、陽極から注入された
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。
【００１８】そして、陽極の厚みによる段差に起因する
発光層の段切れによって発生する陰極６３と陽極６１と
の短絡を防止するために、陽極６１を形成した後、その
陽極６１の周辺部に絶縁膜６４（点線で囲まれた領域以
外）を形成する。その後、発光素子層６２及び陰極６３
を形成する。そして、発光素子層６２にて発光された光
は絶縁性基板１０を透過して出射する。
発光層の段切れによって発生する陰極６３と陽極６１と
の短絡を防止するために、陽極６１を形成した後、その
陽極６１の周辺部に絶縁膜６４（点線で囲まれた領域以
外）を形成する。その後、発光素子層６２及び陰極６３
を形成する。そして、発光素子層６２にて発光された光
は絶縁性基板１０を透過して出射する。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、発光素子層
６２にて発光された光は、発光層６２を中心として放射
状に進んでいく。そのため発光光の一部は、絶縁性基板
１０に至らず、例えば平坦化絶縁膜の表面にて反射され
てしまう。
６２にて発光された光は、発光層６２を中心として放射
状に進んでいく。そのため発光光の一部は、絶縁性基板
１０に至らず、例えば平坦化絶縁膜の表面にて反射され
てしまう。
【００２０】それは、各層を構成する材料、特に各絶縁
膜の屈折率が異なっているため、各絶縁膜との界面にて
反射されたり、透過しても絶縁膜への入射角度によって
は絶縁膜中を多数回反射して減衰してしまう光がある。
膜の屈折率が異なっているため、各絶縁膜との界面にて
反射されたり、透過しても絶縁膜への入射角度によって
は絶縁膜中を多数回反射して減衰してしまう光がある。
【００２１】図５に発光層のある点における発光光の進
み方を示す。
み方を示す。
【００２２】同図に示すように、ＳｉＮ膜に入った発光
光は、ＳｉＮ膜面の垂線Ｃに対して角度α1を成して進
み、ＳｉＮ膜（屈折率ｎ1＝２．０）とＳｉＯ2膜（屈折
率ｎ2＝１．４６）との界面において屈折される。この
とき、屈折されるた光の角度を垂線Ｅに対してα2とす
ると、スネルの法則ｎ1×Ｓｉｎα1＝ｎ2×Ｓｉｎα2が
成り立つので、α1＝Ｓｉｎ-1（ｎ1／ｎ2）≒４７゜と
なり、この場合ｎ1＞ｎ2であるから、α1が４７゜以上
の角度では、この界面で光が全反射される。
光は、ＳｉＮ膜面の垂線Ｃに対して角度α1を成して進
み、ＳｉＮ膜（屈折率ｎ1＝２．０）とＳｉＯ2膜（屈折
率ｎ2＝１．４６）との界面において屈折される。この
とき、屈折されるた光の角度を垂線Ｅに対してα2とす
ると、スネルの法則ｎ1×Ｓｉｎα1＝ｎ2×Ｓｉｎα2が
成り立つので、α1＝Ｓｉｎ-1（ｎ1／ｎ2）≒４７゜と
なり、この場合ｎ1＞ｎ2であるから、α1が４７゜以上
の角度では、この界面で光が全反射される。
【００２３】従って、α1＜４７゜の成分のみが下方、
即ちＳｉＯ2膜に進むことになるために、この界面での
光を取り出す効率は４７゜／９０゜≒５２％となること
がわかる。
即ちＳｉＯ2膜に進むことになるために、この界面での
光を取り出す効率は４７゜／９０゜≒５２％となること
がわかる。
【００２４】有機ＥＬ形成領域の下の領域では、それぞ
れの屈折率を有する膜が積層されており、屈折率の大き
い材料から小さい材料に光が進む場合には必ず全反射が
起きる角度が存在するため、下方のガラス基板から取り
出される光は実際の発光強度よりも小さくなってしま
う。
れの屈折率を有する膜が積層されており、屈折率の大き
い材料から小さい材料に光が進む場合には必ず全反射が
起きる角度が存在するため、下方のガラス基板から取り
出される光は実際の発光強度よりも小さくなってしま
う。
【００２５】そのため、絶縁性基板１０側から出射する
光は発光層から発光された光よりも少なくなるため、Ｅ
Ｌ表示装置の表示が暗くなってしまうという欠点があっ
た。
光は発光層から発光された光よりも少なくなるため、Ｅ
Ｌ表示装置の表示が暗くなってしまうという欠点があっ
た。
【００２６】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、発光層から発光された光を効率
よく絶縁性基板側から出射させて明るい表示を得ること
ができるＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
て為されたものであり、発光層から発光された光を効率
よく絶縁性基板側から出射させて明るい表示を得ること
ができるＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【００２７】
【課題を解決するための手段】本発明のＥＬ表示装置
は、透明絶縁性基板上に、ＴＦＴと、透明な導電材料か
ら成る陽極、発光層及び不透明な導電材料から成る陰極
が順に積層されたＥＬ素子とを備えたＥＬ表示装置であ
って、前記陽極の一部は前記透明絶縁性基板の直上に形
成されており、前記発光層からの光が前記透明絶縁性基
板を透過して外部に出射するＥＬ表示装置。
は、透明絶縁性基板上に、ＴＦＴと、透明な導電材料か
ら成る陽極、発光層及び不透明な導電材料から成る陰極
が順に積層されたＥＬ素子とを備えたＥＬ表示装置であ
って、前記陽極の一部は前記透明絶縁性基板の直上に形
成されており、前記発光層からの光が前記透明絶縁性基
板を透過して外部に出射するＥＬ表示装置。
【００２８】また、本発明は、前記透明な導電材料は酸
化インジウム錫から成るＥＬ表示装置である。
化インジウム錫から成るＥＬ表示装置である。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下に本発明のＥＬ表示装置につ
いて説明する。
いて説明する。
【００３０】図１に本発明のＥＬ表示装置の表示画素部
の平面図を示し、図２に図１中のＢ−Ｂ線に沿った断面
図を示す。なお、図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図は前
述の図４（ａ）と同じであるので省略する。
の平面図を示し、図２に図１中のＢ−Ｂ線に沿った断面
図を示す。なお、図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図は前
述の図４（ａ）と同じであるので省略する。
【００３１】図１に示すように、ゲート信号線５１とド
レイン信号線５２とに囲まれた領域に有機ＥＬ素子等か
らなる表示画素が形成されている。両信号線の交点付近
には第１のＴＦＴ３０が備えられており、そのＴＦＴ３
０のソース１３ｓは保持容量電極線５４との間で容量を
なす容量電極５５を兼ねるとともに、第２のＴＦＴ４０
のゲート４１に接続されている。第２のＴＦＴのソース
４３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方
のドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子を駆動する駆動電源線
５３に接続されている。
レイン信号線５２とに囲まれた領域に有機ＥＬ素子等か
らなる表示画素が形成されている。両信号線の交点付近
には第１のＴＦＴ３０が備えられており、そのＴＦＴ３
０のソース１３ｓは保持容量電極線５４との間で容量を
なす容量電極５５を兼ねるとともに、第２のＴＦＴ４０
のゲート４１に接続されている。第２のＴＦＴのソース
４３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方
のドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子を駆動する駆動電源線
５３に接続されている。
【００３２】また、表示画素付近には、ゲート信号線５
１と並行に保持容量電極線５４が配置されている。この
保持容量電極線５４はクロム等から成っており、ゲート
絶縁膜１２を介してＴＦＴのソース１３ｓと接続された
容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を成してい
る。この保持容量は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４
１に印加される電圧を保持するために設けられている。
１と並行に保持容量電極線５４が配置されている。この
保持容量電極線５４はクロム等から成っており、ゲート
絶縁膜１２を介してＴＦＴのソース１３ｓと接続された
容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を成してい
る。この保持容量は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４
１に印加される電圧を保持するために設けられている。
【００３３】このように有機ＥＬ素子６０及びＴＦＴ３
０，４０を備えた表示画素が基板１０上にマトリクス状
に配置されることにより有機ＥＬ表示装置が形成され
る。
０，４０を備えた表示画素が基板１０上にマトリクス状
に配置されることにより有機ＥＬ表示装置が形成され
る。
【００３４】図２に示すように、有機ＥＬ表示装置は、
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１
０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの
絶縁膜を形成した上にＴＦＴ及び有機ＥＬ表示素子を形
成する。
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１
０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの
絶縁膜を形成した上にＴＦＴ及び有機ＥＬ表示素子を形
成する。
【００３５】本実施の形態においては、第１及び第２の
ＴＦＴ３０，４０ともに、ゲート電極１１，４１を能動
層１３，４３の下方に設けたいわゆるボトムゲート型の
ＴＦＴであり、半導体膜である能動層として多結晶シリ
コン（Poly-Silicon、以下、「ｐ−Ｓｉ」と称する。）
膜を用いた場合を示す。またゲート電極１１，４１がダ
ブルゲート構造であるＴＦＴの場合を示す。
ＴＦＴ３０，４０ともに、ゲート電極１１，４１を能動
層１３，４３の下方に設けたいわゆるボトムゲート型の
ＴＦＴであり、半導体膜である能動層として多結晶シリ
コン（Poly-Silicon、以下、「ｐ−Ｓｉ」と称する。）
膜を用いた場合を示す。またゲート電極１１，４１がダ
ブルゲート構造であるＴＦＴの場合を示す。
【００３６】スイッチング用のＴＦＴである第１のＴＦ
Ｔ３０については従来の構造と同じであるので説明を省
略する。
Ｔ３０については従来の構造と同じであるので説明を省
略する。
【００３７】ここで、有機ＥＬ素子６０の駆動用のＴＦ
Ｔである第２のＴＦＴ４０について説明する。
Ｔである第２のＴＦＴ４０について説明する。
【００３８】図１及び図２に示すように、石英ガラス、
無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１を形
成する。ゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ膜からなる能
動層４３を順に形成する。
無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１を形
成する。ゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ膜からなる能
動層４３を順に形成する。
【００３９】その能動層４３には、ゲート電極４１上方
に真性又は実質的に真性であるチャネル４３ｃと、この
チャネル４３ｃの両側に、その両側にイオンドーピング
してソース１３ｓ及びドレイン１３ｄが設けられてい
る。
に真性又は実質的に真性であるチャネル４３ｃと、この
チャネル４３ｃの両側に、その両側にイオンドーピング
してソース１３ｓ及びドレイン１３ｄが設けられてい
る。
【００４０】そして、ゲート絶縁膜１２及び能動層４３
上の全面に、例えばＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜
の順に積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４
３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属
を充填して駆動電源に接続された駆動電源線５３を形成
する。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦に
する平坦化絶縁膜１７を形成する。そして、その平坦化
絶縁膜１７及び層間絶縁膜１５のソース４３ｓに対応し
た位置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホ
ールを介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯから
成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦化絶
縁膜１７上に形成する。
上の全面に、例えばＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜
の順に積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４
３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属
を充填して駆動電源に接続された駆動電源線５３を形成
する。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦に
する平坦化絶縁膜１７を形成する。そして、その平坦化
絶縁膜１７及び層間絶縁膜１５のソース４３ｓに対応し
た位置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホ
ールを介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯから
成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦化絶
縁膜１７上に形成する。
【００４１】有機ＥＬ素子６０は、ＩＴＯ等の透明電極
から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylph
enyl phenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送
層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)t
riphenylanine）からなる第２ホール輸送層、キナクリ
ドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベン
ゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光
層及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層からなる発光素子
層６２、マグネシウム・インジウム合金から成る陰極６
３がこの順番で積層形成された構造である。この陰極６
３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置を形成する基板１
０の全面、即ち紙面の全面に設けられている。
から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylph
enyl phenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送
層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)t
riphenylanine）からなる第２ホール輸送層、キナクリ
ドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベン
ゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光
層及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層からなる発光素子
層６２、マグネシウム・インジウム合金から成る陰極６
３がこの順番で積層形成された構造である。この陰極６
３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置を形成する基板１
０の全面、即ち紙面の全面に設けられている。
【００４２】また有機ＥＬ素子は、陽極から注入された
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。
【００４３】ここで、ＴＦＴ４０を作製時に設けたゲー
ト絶縁膜１２、層間絶縁膜１５及び平坦化絶縁膜１７
は、有機ＥＬ表示素子を形成する領域は除去する。
ト絶縁膜１２、層間絶縁膜１５及び平坦化絶縁膜１７
は、有機ＥＬ表示素子を形成する領域は除去する。
【００４４】即ち、有機ＥＬ素子を形成する領域には、
有機ＥＬ素子の形成前には絶縁性基板１０の表面が露出
した状態になっている（符号６５で示す領域）。
有機ＥＬ素子の形成前には絶縁性基板１０の表面が露出
した状態になっている（符号６５で示す領域）。
【００４５】従って、陽極６１を形成する際にはＴＦＴ
４０の上方の一部及び絶縁性基板１０の直上に形成する
ことになる。そのため、ＥＬ素子の発光側には屈折率の
異なる絶縁膜が無い構造となるので、屈折率の違いによ
る全反射等が無くなり、絶縁性基板１０側から光を取り
出すことのできる効率を向上させることができるため、
明るい表示を得ることができる。
４０の上方の一部及び絶縁性基板１０の直上に形成する
ことになる。そのため、ＥＬ素子の発光側には屈折率の
異なる絶縁膜が無い構造となるので、屈折率の違いによ
る全反射等が無くなり、絶縁性基板１０側から光を取り
出すことのできる効率を向上させることができるため、
明るい表示を得ることができる。
【００４６】なお、ＴＦＴ４０形成時に形成されたＥＬ
素子形成領域の各絶縁膜の除去は、各絶縁膜形成時ごと
に、有機ＥＬ素子の形成領域のみ除去してもよく、又は
ＴＦＴ４０が完成した後、平坦化絶縁膜１７及び層間絶
縁膜１５のソース４３ｓに対応した位置に形成するコン
タクトホール形成時と同時に、有機ＥＬ素子の形成領域
の各絶縁膜を除去してもよい。工数が増加しない後者の
方が好ましい。
素子形成領域の各絶縁膜の除去は、各絶縁膜形成時ごと
に、有機ＥＬ素子の形成領域のみ除去してもよく、又は
ＴＦＴ４０が完成した後、平坦化絶縁膜１７及び層間絶
縁膜１５のソース４３ｓに対応した位置に形成するコン
タクトホール形成時と同時に、有機ＥＬ素子の形成領域
の各絶縁膜を除去してもよい。工数が増加しない後者の
方が好ましい。
【００４７】露出した絶縁性基板１０上に陽極６１の材
料であるＩＴＯを堆積してエッチングする。その陽極６
１の周辺に絶縁膜６４（点線で示す領域の外側）を形成
する。これは、陽極６１の厚みによる段差に起因する発
光層の断切れによって生じる陰極６３と陽極６１との短
絡を防止するために設ける。そして、陽極６１上に前述
の各相の材料を堆積して発光層６２を形成する。更にそ
の上には不透明材料であるマグネシウム（Ｍｇ）とイン
ジウム（Ｉｎ）との合金から成る各有機ＥＬ素子に共通
の陰極６３をＴＦＴ４０の上方を含む基板１０の全面に
形成する。
料であるＩＴＯを堆積してエッチングする。その陽極６
１の周辺に絶縁膜６４（点線で示す領域の外側）を形成
する。これは、陽極６１の厚みによる段差に起因する発
光層の断切れによって生じる陰極６３と陽極６１との短
絡を防止するために設ける。そして、陽極６１上に前述
の各相の材料を堆積して発光層６２を形成する。更にそ
の上には不透明材料であるマグネシウム（Ｍｇ）とイン
ジウム（Ｉｎ）との合金から成る各有機ＥＬ素子に共通
の陰極６３をＴＦＴ４０の上方を含む基板１０の全面に
形成する。
【００４８】こうして作製した有機ＥＬ装置によれば、
有機ＥＬ素子が絶縁性基板１０の直上に設けられるた
め、発光層から発光した光がＴＦＴ４０を構成する各絶
縁膜、即ち平坦化絶縁膜１９、層間絶縁膜１７、ゲート
絶縁膜１５によって反射されて絶縁基板１０側から取り
出せない光を減少させることができるので、明るい表示
を得ることができる有機ＥＬ表示装置を得られる。
有機ＥＬ素子が絶縁性基板１０の直上に設けられるた
め、発光層から発光した光がＴＦＴ４０を構成する各絶
縁膜、即ち平坦化絶縁膜１９、層間絶縁膜１７、ゲート
絶縁膜１５によって反射されて絶縁基板１０側から取り
出せない光を減少させることができるので、明るい表示
を得ることができる有機ＥＬ表示装置を得られる。
【００４９】
【発明の効果】本発明によれば、ＥＬ素子の発光層から
発せられた光を効率よく絶縁性基板側から出射させるこ
とができるので、明るい表示のＥＬ表示装置を得ること
ができる。
発せられた光を効率よく絶縁性基板側から出射させるこ
とができるので、明るい表示のＥＬ表示装置を得ること
ができる。
【図１】本発明のＥＬ表示装置の平面図である。
【図２】本発明のＥＬ表示装置の断面図である。
【図３】従来のＥＬ表示装置の平面図である。
【図４】従来のＥＬ表示装置の断面図である。
【図５】発光層からの光の進み方を示す断面図である。
１０ 絶縁性基板 １１ 第１のゲート電極 １３ 能動層 １３ｓ ソース １３ｄ ドレイン １３ｃ チャネル １４ ストッパ絶縁膜 １５ 層間絶縁膜 １７ 平坦化絶縁膜 ６１ 陽極 ６２ 発光素子層 ６３ 陰極 ６４ 絶縁膜 ６５ 露出領域
Claims (2)
- 【請求項１】 透明絶縁性基板上に、薄膜トランジスタ
と、透明な導電材料から成る陽極、発光層及び不透明な
導電材料から成る陰極が順に積層されたエレクトロルミ
ネッセンス素子とを備えたエレクトロルミネッセンス表
示装置であって、前記陽極の一部は前記透明絶縁性基板
の直上に形成されており、前記発光層からの光が前記透
明絶縁性基板を透過して外部に出射することを特徴とす
るエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項２】 前記透明な導電材料は酸化インジウム錫
から成ることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロ
ルミネッセンス表示装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11065319A JP2000260571A (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US09/521,747 US6492778B1 (en) | 1999-03-11 | 2000-03-09 | Electroluminescence display device |
| TW089104219A TW450015B (en) | 1999-03-11 | 2000-03-09 | Electro luminescence display device |
| KR1020000011975A KR20010014559A (ko) | 1999-03-11 | 2000-03-10 | 일렉트로 루미네센스 표시 장치 |
| US10/267,319 US6674244B2 (en) | 1999-03-11 | 2002-10-08 | Electroluminescence display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11065319A JP2000260571A (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000260571A true JP2000260571A (ja) | 2000-09-22 |
| JP2000260571A5 JP2000260571A5 (ja) | 2006-04-27 |
Family
ID=13283484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11065319A Pending JP2000260571A (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6492778B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000260571A (ja) |
| KR (1) | KR20010014559A (ja) |
| TW (1) | TW450015B (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002091339A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-27 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、それを用いた投射型液晶表示装置並びに電子機器、および電気光学装置の製造方法 |
| JP2003195775A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、回路基板、回路基板の製造方法、電子機器 |
| JP2003297572A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Nec Corp | 発光素子、その製造方法およびこれを用いた表示装置 |
| JP2004126106A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| KR100427883B1 (ko) * | 2000-10-20 | 2004-04-28 | 가부시끼가이샤 도시바 | 자기발광 표시패널 및 그 제조방법 |
| WO2004093500A1 (ja) * | 2003-04-15 | 2004-10-28 | Fujitsu Limited | 有機ｅｌ表示装置 |
| KR100501707B1 (ko) * | 2002-02-12 | 2005-07-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| KR100535855B1 (ko) * | 2002-07-25 | 2006-01-11 | 산요덴키가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ 표시 장치 |
| KR100552962B1 (ko) * | 2003-08-28 | 2006-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR100591254B1 (ko) | 2004-04-29 | 2006-06-19 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
| JP2006210224A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法、および電子機器 |
| US7227306B2 (en) | 2003-08-28 | 2007-06-05 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescence display having recessed electrode structure |
| US7264979B2 (en) | 2001-02-19 | 2007-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing light emitting device |
| KR100782458B1 (ko) * | 2006-03-27 | 2007-12-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| US7362515B2 (en) | 2001-11-06 | 2008-04-22 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, film member, laminated film, low refractivity film, laminated multilayer film and electronic appliances |
| JP2009025453A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Casio Comput Co Ltd | 表示パネル及びその製造方法 |
| JP2012118533A (ja) * | 2000-09-29 | 2012-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2015135972A (ja) * | 2005-07-22 | 2015-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2018018823A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光ダイオード表示装置 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000260571A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2001110575A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US6825496B2 (en) | 2001-01-17 | 2004-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US6720198B2 (en) * | 2001-02-19 | 2004-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US7301279B2 (en) * | 2001-03-19 | 2007-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting apparatus and method of manufacturing the same |
| KR100491144B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2005-05-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR100894651B1 (ko) * | 2002-07-08 | 2009-04-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기 전계발광 표시패널 및 그의제조방법 |
| JP2005534145A (ja) * | 2002-07-23 | 2005-11-10 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | エレクトロルミネセントディスプレイ及びこのようなディスプレイを有する電子デバイス |
| US7057208B2 (en) * | 2003-03-25 | 2006-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US7291967B2 (en) * | 2003-08-29 | 2007-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element including a barrier layer and a manufacturing method thereof |
| US7492090B2 (en) * | 2003-09-19 | 2009-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| US6850000B1 (en) | 2003-09-30 | 2005-02-01 | Au Optronics Corporation | Thin film transistor organic light emitting diode structure |
| US7205716B2 (en) * | 2003-10-20 | 2007-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US7902747B2 (en) | 2003-10-21 | 2011-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide |
| US7495257B2 (en) | 2003-12-26 | 2009-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7825021B2 (en) * | 2004-01-16 | 2010-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
| TWI242886B (en) * | 2004-07-05 | 2005-11-01 | Au Optronics Corp | Display pixel and method of fabricating the same |
| US7211456B2 (en) * | 2004-07-09 | 2007-05-01 | Au Optronics Corporation | Method for electro-luminescent display fabrication |
| US20080023694A1 (en) * | 2006-07-25 | 2008-01-31 | Chi Mei El Corp. | Display device and method of manufacturing the same |
| KR101367140B1 (ko) * | 2006-12-26 | 2014-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치와 그 제조방법 |
| US7576364B2 (en) * | 2007-02-15 | 2009-08-18 | Chi Mei Optoelectronics Corp. | Display device and method of manufacturing the same |
| CN105810719B (zh) * | 2016-05-27 | 2019-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素单元及其制备方法、阵列基板和显示装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4617491A (en) * | 1982-07-16 | 1986-10-14 | Futaba Denshi Kogyo K.K. | Fluorescent display device with interleaved anode and control electrode segments |
| JPS61284092A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-15 | アルプス電気株式会社 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
| JPH04221990A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-12 | Sony Corp | 画像表示装置 |
| US5606225A (en) * | 1995-08-30 | 1997-02-25 | Texas Instruments Incorporated | Tetrode arrangement for color field emission flat panel display with barrier electrodes on the anode plate |
| US5757139A (en) * | 1997-02-03 | 1998-05-26 | The Trustees Of Princeton University | Driving circuit for stacked organic light emitting devices |
| US6144144A (en) * | 1997-10-31 | 2000-11-07 | Candescent Technologies Corporation | Patterned resistor suitable for electron-emitting device |
| JP2000260571A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP3547360B2 (ja) * | 1999-03-30 | 2004-07-28 | 株式会社東芝 | フィールドエミッション型表示装置及びその駆動方法 |
| JP2001102169A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| JP2001109405A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
-
1999
- 1999-03-11 JP JP11065319A patent/JP2000260571A/ja active Pending
-
2000
- 2000-03-09 US US09/521,747 patent/US6492778B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-09 TW TW089104219A patent/TW450015B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-03-10 KR KR1020000011975A patent/KR20010014559A/ko not_active Ceased
-
2002
- 2002-10-08 US US10/267,319 patent/US6674244B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002091339A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-27 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、それを用いた投射型液晶表示装置並びに電子機器、および電気光学装置の製造方法 |
| JP2012118533A (ja) * | 2000-09-29 | 2012-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| KR100427883B1 (ko) * | 2000-10-20 | 2004-04-28 | 가부시끼가이샤 도시바 | 자기발광 표시패널 및 그 제조방법 |
| SG143944A1 (en) * | 2001-02-19 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7264979B2 (en) | 2001-02-19 | 2007-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing light emitting device |
| US7825419B2 (en) | 2001-02-19 | 2010-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US8497525B2 (en) | 2001-02-19 | 2013-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7485478B2 (en) | 2001-02-19 | 2009-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9954196B2 (en) | 2001-02-19 | 2018-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9768405B2 (en) | 2001-02-19 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9502679B2 (en) | 2001-02-19 | 2016-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US8679875B2 (en) | 2001-02-19 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US8866184B2 (en) | 2001-02-19 | 2014-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7362515B2 (en) | 2001-11-06 | 2008-04-22 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, film member, laminated film, low refractivity film, laminated multilayer film and electronic appliances |
| JP2003195775A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、回路基板、回路基板の製造方法、電子機器 |
| US7714328B2 (en) | 2001-12-27 | 2010-05-11 | Seiko Epson Corporation | Apparatus and method for manufacturing electro-optical devices |
| KR100501707B1 (ko) * | 2002-02-12 | 2005-07-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| JP2003297572A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Nec Corp | 発光素子、その製造方法およびこれを用いた表示装置 |
| US7598669B2 (en) | 2002-03-29 | 2009-10-06 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Light-emitting diode, its manufacturing method, and display device using the same |
| KR100535855B1 (ko) * | 2002-07-25 | 2006-01-11 | 산요덴키가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ 표시 장치 |
| JP2004126106A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| WO2004093500A1 (ja) * | 2003-04-15 | 2004-10-28 | Fujitsu Limited | 有機ｅｌ表示装置 |
| US7227306B2 (en) | 2003-08-28 | 2007-06-05 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescence display having recessed electrode structure |
| KR100552962B1 (ko) * | 2003-08-28 | 2006-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| CN100448056C (zh) * | 2003-08-28 | 2008-12-31 | 三星Sdi株式会社 | 有机电致发光显示器 |
| KR100591254B1 (ko) | 2004-04-29 | 2006-06-19 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
| JP2006210224A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法、および電子機器 |
| JP7169964B2 (ja) | 2005-07-22 | 2022-11-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2015135972A (ja) * | 2005-07-22 | 2015-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2017005258A (ja) * | 2005-07-22 | 2017-01-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2022177075A (ja) * | 2005-07-22 | 2022-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2020053704A (ja) * | 2005-07-22 | 2020-04-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US9917201B2 (en) | 2005-07-22 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US10103270B2 (en) | 2005-07-22 | 2018-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2019091697A (ja) * | 2005-07-22 | 2019-06-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| KR100782458B1 (ko) * | 2006-03-27 | 2007-12-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| US8415675B2 (en) | 2006-03-27 | 2013-04-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of fabricating the same |
| JP2009025453A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Casio Comput Co Ltd | 表示パネル及びその製造方法 |
| KR20180014380A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 |
| CN107665951B (zh) * | 2016-07-29 | 2019-07-26 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
| US10355069B2 (en) | 2016-07-29 | 2019-07-16 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display capable of reducing RC load |
| CN107665951A (zh) * | 2016-07-29 | 2018-02-06 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
| JP2018018823A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光ダイオード表示装置 |
| KR102598970B1 (ko) | 2016-07-29 | 2023-11-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6492778B1 (en) | 2002-12-10 |
| TW450015B (en) | 2001-08-11 |
| US6674244B2 (en) | 2004-01-06 |
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