JP2000258144A - ウェーハの平坦度および厚み測定装置 - Google Patents
ウェーハの平坦度および厚み測定装置Info
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- JP2000258144A JP2000258144A JP5889399A JP5889399A JP2000258144A JP 2000258144 A JP2000258144 A JP 2000258144A JP 5889399 A JP5889399 A JP 5889399A JP 5889399 A JP5889399 A JP 5889399A JP 2000258144 A JP2000258144 A JP 2000258144A
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハの平坦度と厚みを同時に精度よく測
定することができるウェーハの平坦度および厚み測定装
置を提供すること 【解決手段】 ウェーハ1および基準平面盤4をそれら
の平面が鉛直となるように保持し、前記平面に対してレ
ーザ光9を二次元的に走査しながら所定の角度αで照射
し、そのとき前記平面において生ずる反射光14をその
径が小さくなるように収束した後、二つの光路19,2
0に分岐し、第1光路19に前記反射光の入射位置を検
出する第1ディテクタ21を設け、第2光路20にfθ
レンズ22およびこのfθレンズの焦点位置に検出面を
有する第2ディテクタ23を設けた。
定することができるウェーハの平坦度および厚み測定装
置を提供すること 【解決手段】 ウェーハ1および基準平面盤4をそれら
の平面が鉛直となるように保持し、前記平面に対してレ
ーザ光9を二次元的に走査しながら所定の角度αで照射
し、そのとき前記平面において生ずる反射光14をその
径が小さくなるように収束した後、二つの光路19,2
0に分岐し、第1光路19に前記反射光の入射位置を検
出する第1ディテクタ21を設け、第2光路20にfθ
レンズ22およびこのfθレンズの焦点位置に検出面を
有する第2ディテクタ23を設けた。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、ウェーハの平坦
度および厚みを測定する装置に関する。
度および厚みを測定する装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、ウェーハの平坦度を測定する装
置として、フィゾー干渉計(Fizeau inter
ferometer)よりなる平坦度測定装置が公知で
あり、また、ウェーハの厚みを測定する手法として、静
電容量式の厚み測定装置が公知である。
置として、フィゾー干渉計(Fizeau inter
ferometer)よりなる平坦度測定装置が公知で
あり、また、ウェーハの厚みを測定する手法として、静
電容量式の厚み測定装置が公知である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記干
渉を利用した平坦度測定装置においては、ウェーハの片
側の面しか測定しないため、その厚みを直接測定するこ
とができず、ある範囲内で平坦度の保証されたチャック
盤にウェーハを吸着させたときの平坦度に基づいて演算
を行い、厚みのばらつきを間接的に求めることができる
に過ぎなかった。そして、この平坦度測定装置において
は、ウェーハとチャック盤との間に異物が介在すること
があり、この異物によって測定値に誤差が生ずることが
しばしばあった。また、静電容量式の厚み測定装置にお
いては、完全平面に一方の面を吸着したときに他方の面
が所定の平坦度になるというように厚みの分布に基づい
て間接的に求めることができるだけであり、平坦度を直
接測定することはできなかった。そして、この静電容量
式の厚み測定装置では、センサの大きさに制限を受け、
ウェーハの面方向における分解能が余りよくなかった。
渉を利用した平坦度測定装置においては、ウェーハの片
側の面しか測定しないため、その厚みを直接測定するこ
とができず、ある範囲内で平坦度の保証されたチャック
盤にウェーハを吸着させたときの平坦度に基づいて演算
を行い、厚みのばらつきを間接的に求めることができる
に過ぎなかった。そして、この平坦度測定装置において
は、ウェーハとチャック盤との間に異物が介在すること
があり、この異物によって測定値に誤差が生ずることが
しばしばあった。また、静電容量式の厚み測定装置にお
いては、完全平面に一方の面を吸着したときに他方の面
が所定の平坦度になるというように厚みの分布に基づい
て間接的に求めることができるだけであり、平坦度を直
接測定することはできなかった。そして、この静電容量
式の厚み測定装置では、センサの大きさに制限を受け、
ウェーハの面方向における分解能が余りよくなかった。
【0004】この発明は、上述の事柄に留意してなされ
たもので、その目的は、ウェーハの平坦度と厚みを同時
に精度よく測定することができるウェーハの平坦度およ
び厚み測定装置(以下、単に測定装置という)を提供す
ることである。
たもので、その目的は、ウェーハの平坦度と厚みを同時
に精度よく測定することができるウェーハの平坦度およ
び厚み測定装置(以下、単に測定装置という)を提供す
ることである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の測定装置は、ウェーハおよび基準平面盤
をそれらの平面が鉛直となるように保持し、前記平面に
対してレーザ光を二次元的に走査しながら所定の角度で
照射し、そのとき前記平面において生ずる反射光をその
径が小さくなるように収束した後、二つの光路に分岐
し、第1光路に前記反射光の入射位置を検出する第1デ
ィテクタを設け、第2光路にfθレンズおよびこのfθ
レンズの焦点位置に検出面を有する第2ディテクタを設
け、前記ウェーハの表面および基準平面盤の基準面にレ
ーザ光を照射したときに前記両ディテクタから得られる
出力と、前記ウェーハの裏面および前記基準面にレーザ
光を照射したときに前記両ディテクタから得られる出力
とに基づいて、前記ウェーハの両面における平坦度およ
びウェーハの厚みを同時に得ることができるようにして
いる(請求項1)。
め、この発明の測定装置は、ウェーハおよび基準平面盤
をそれらの平面が鉛直となるように保持し、前記平面に
対してレーザ光を二次元的に走査しながら所定の角度で
照射し、そのとき前記平面において生ずる反射光をその
径が小さくなるように収束した後、二つの光路に分岐
し、第1光路に前記反射光の入射位置を検出する第1デ
ィテクタを設け、第2光路にfθレンズおよびこのfθ
レンズの焦点位置に検出面を有する第2ディテクタを設
け、前記ウェーハの表面および基準平面盤の基準面にレ
ーザ光を照射したときに前記両ディテクタから得られる
出力と、前記ウェーハの裏面および前記基準面にレーザ
光を照射したときに前記両ディテクタから得られる出力
とに基づいて、前記ウェーハの両面における平坦度およ
びウェーハの厚みを同時に得ることができるようにして
いる(請求項1)。
【0006】上記構成において、ウェーハおよび基準平
面盤を鉛直な軸回りで回転できるようにしてもよい(請
求項2)。
面盤を鉛直な軸回りで回転できるようにしてもよい(請
求項2)。
【0007】上記構成の測定装置においては、ウェーハ
の両面の平坦度を簡単に測定でき、これらの平坦度を、
それぞれの面に対応する基準平面盤の傾きを基準にして
演算を行い、両平面の距離(厚み)を求める。これによ
り、ウェーハの平坦度および厚みを同時に絶対値測定す
ることができる。
の両面の平坦度を簡単に測定でき、これらの平坦度を、
それぞれの面に対応する基準平面盤の傾きを基準にして
演算を行い、両平面の距離(厚み)を求める。これによ
り、ウェーハの平坦度および厚みを同時に絶対値測定す
ることができる。
【0008】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態を、図面を参照
しながら説明する。図1は、この発明の測定装置の構成
を概略的に示すもので、この図において、1は測定対象
であるウェーハで、1a,1bはウェーハ1の検査対象
である表面および裏面で、鏡面となっている。このウェ
ーハ1は、ウェーハステージ2の複数の適宜箇所に設け
られたウェーハ保持具3によって、その平面1a,1b
が鉛直となるように保持されている。4はウェーハ1と
同じ平面においてウェーハ1と同様にその表面4aおよ
び裏面4bが鉛直となるように適宜の保持部材5によっ
て鉛直に保持される基準平面盤で、例えば透明なガラス
板よりなり、表面4aはアルミニウムを適宜蒸着して反
射面とされ、基準面に形成されており、裏面4bは光透
過面とされている。
しながら説明する。図1は、この発明の測定装置の構成
を概略的に示すもので、この図において、1は測定対象
であるウェーハで、1a,1bはウェーハ1の検査対象
である表面および裏面で、鏡面となっている。このウェ
ーハ1は、ウェーハステージ2の複数の適宜箇所に設け
られたウェーハ保持具3によって、その平面1a,1b
が鉛直となるように保持されている。4はウェーハ1と
同じ平面においてウェーハ1と同様にその表面4aおよ
び裏面4bが鉛直となるように適宜の保持部材5によっ
て鉛直に保持される基準平面盤で、例えば透明なガラス
板よりなり、表面4aはアルミニウムを適宜蒸着して反
射面とされ、基準面に形成されており、裏面4bは光透
過面とされている。
【0009】前記ウェーハステージ2の下端は、モータ
などによって駆動される回動機構6に連結されており、
ウェーハ1および基準平面盤4を鉛直な軸7を中心にし
ていずれの方向にも自在に回転させることができるよう
に構成されている。すなわち、ウェーハ1および基準平
面盤4は、後述する光照射光学系8および光縮小光学系
13に対して、それらの両面を片面ずつ対向させること
ができるように、ウェーハステージ2によって鉛直に保
持されている。
などによって駆動される回動機構6に連結されており、
ウェーハ1および基準平面盤4を鉛直な軸7を中心にし
ていずれの方向にも自在に回転させることができるよう
に構成されている。すなわち、ウェーハ1および基準平
面盤4は、後述する光照射光学系8および光縮小光学系
13に対して、それらの両面を片面ずつ対向させること
ができるように、ウェーハステージ2によって鉛直に保
持されている。
【0010】8は上述のように保持されたウェーハ1お
よび基準平面盤4に対してレーザ光9を照射する光照射
光学系で、レーザ光源10、レーザ光9をウェーハ1お
よび基準平面盤4に対してその二次元方向に所定の角度
αで走査するための二次元走査ミラー11、走査された
レーザ光9を平行光としてウェーハ1に照射するための
レンズ12とからなる。
よび基準平面盤4に対してレーザ光9を照射する光照射
光学系で、レーザ光源10、レーザ光9をウェーハ1お
よび基準平面盤4に対してその二次元方向に所定の角度
αで走査するための二次元走査ミラー11、走査された
レーザ光9を平行光としてウェーハ1に照射するための
レンズ12とからなる。
【0011】なお、前記二次元走査ミラー11として
は、1つのミラーを二次元的に振動させるようにしてあ
ってもよく、また、2つのガルバノミラーを組み合わせ
たものをそれぞれ一次元的に振動させるようにしてあっ
てもよい。
は、1つのミラーを二次元的に振動させるようにしてあ
ってもよく、また、2つのガルバノミラーを組み合わせ
たものをそれぞれ一次元的に振動させるようにしてあっ
てもよい。
【0012】13は前記光照射光学系8によってウェー
ハ1および基準平面盤4に照射されたレーザ光9がウェ
ーハ1の表面において反射して生ずる光14を縮小する
ところの光縮小光学系で、前記反射光14をその径を縮
小するレンズ15と、この縮小された光を平行光16に
するレンズ17とからなる。
ハ1および基準平面盤4に照射されたレーザ光9がウェ
ーハ1の表面において反射して生ずる光14を縮小する
ところの光縮小光学系で、前記反射光14をその径を縮
小するレンズ15と、この縮小された光を平行光16に
するレンズ17とからなる。
【0013】18は前記光縮小光学系13の後段に設け
られる例えばハーフミラーよりなるビームスプリッタ
で、光縮小光学系13からの縮小平行光16を二つに光
路19,20に分岐させるものである。そして、一方の
光路(第1光路)19には、縮小された平行光16の位
置を検出するための第1ディテクタ21が設けられてい
る。また、他方の光路(第2光路)20には、fθレン
ズ22とこのfθレンズ22の焦点位置に検出面を有す
る第2ディテクタ23が設けられている。
られる例えばハーフミラーよりなるビームスプリッタ
で、光縮小光学系13からの縮小平行光16を二つに光
路19,20に分岐させるものである。そして、一方の
光路(第1光路)19には、縮小された平行光16の位
置を検出するための第1ディテクタ21が設けられてい
る。また、他方の光路(第2光路)20には、fθレン
ズ22とこのfθレンズ22の焦点位置に検出面を有す
る第2ディテクタ23が設けられている。
【0014】前記第1ディテクタ21および第2ディテ
クタ23は、いずれも例えばCCDを二次元的に配置し
た二次元ディテクタアレイよりなり、第1ディテクタ2
1には、反射面の位置およびその傾きの影響を受けた光
が入射する。
クタ23は、いずれも例えばCCDを二次元的に配置し
た二次元ディテクタアレイよりなり、第1ディテクタ2
1には、反射面の位置およびその傾きの影響を受けた光
が入射する。
【0015】また、fθレンズ22は、図2に示すよう
に、入射する光24〜26は焦点fに等しい距離におい
て光軸28に対して垂直な面29上に結像させる性質を
有するとともに、光軸28に対して平行な光24,25
は、光軸28と面29の交点30に結像するが、光軸2
8に対して平行ではない光26,27は、前記点30か
ら距離hだけ離れた面上の点31に結像するといった性
質を有している。このとき、光軸28と光26,27と
のなす角度θと、焦点距離fと前記距離hとの間には、 h=fθ という関係が成り立つ。
に、入射する光24〜26は焦点fに等しい距離におい
て光軸28に対して垂直な面29上に結像させる性質を
有するとともに、光軸28に対して平行な光24,25
は、光軸28と面29の交点30に結像するが、光軸2
8に対して平行ではない光26,27は、前記点30か
ら距離hだけ離れた面上の点31に結像するといった性
質を有している。このとき、光軸28と光26,27と
のなす角度θと、焦点距離fと前記距離hとの間には、 h=fθ という関係が成り立つ。
【0016】したがって、第2ディテクタ23によれ
ば、焦点距離fが予め既知であるので、距離hが判れ
ば、反射面の傾きを求めることができる。
ば、焦点距離fが予め既知であるので、距離hが判れ
ば、反射面の傾きを求めることができる。
【0017】再び図1において、32は例えばパソコン
などの演算装置で、第1ディテクタ21および第2ディ
テクタ23の出力に基づいて演算を行い、ウェーハ1の
表面の平坦度などを判別するもので、この演算装置32
には、二次元走査ミラー11に対する走査信号が入力さ
れ、前記両ディテクタ21,23の出力信号と関連づけ
るように構成されている。
などの演算装置で、第1ディテクタ21および第2ディ
テクタ23の出力に基づいて演算を行い、ウェーハ1の
表面の平坦度などを判別するもので、この演算装置32
には、二次元走査ミラー11に対する走査信号が入力さ
れ、前記両ディテクタ21,23の出力信号と関連づけ
るように構成されている。
【0018】次に、上記測定装置の動作について、図3
をも参照しながら説明する。まず、図1に示すように、
ウェーハ1の表面1aおよび基準平面盤4の基準面4a
が光照射光学系8および光縮小光学系13に対向するよ
うにセットする。この状態において、レーザ光源10か
らのレーザ光9を二次元走査ミラー11を用いて、所定
の角度αで、かつ、前記ウェーハ表面1aおよび基準面
4aを所定の間隔で二次元的に走査しながら照射する。
この走査間隔は、要求される測定データの密度によって
適宜設定される。
をも参照しながら説明する。まず、図1に示すように、
ウェーハ1の表面1aおよび基準平面盤4の基準面4a
が光照射光学系8および光縮小光学系13に対向するよ
うにセットする。この状態において、レーザ光源10か
らのレーザ光9を二次元走査ミラー11を用いて、所定
の角度αで、かつ、前記ウェーハ表面1aおよび基準面
4aを所定の間隔で二次元的に走査しながら照射する。
この走査間隔は、要求される測定データの密度によって
適宜設定される。
【0019】前記ウェーハ表面1aおよび基準面4aに
おいて反射した光14は、光縮小光学系13で所定の径
となるように縮小され、この縮小された光16は、ビー
ムスプリッタ18で二つの光路19,20に分岐され、
第1光路19を進む光は第1ディテクタ21に入射し、
第2光路を進む光はfθレンズ22を経て第2ディテク
タ23に入射する。
おいて反射した光14は、光縮小光学系13で所定の径
となるように縮小され、この縮小された光16は、ビー
ムスプリッタ18で二つの光路19,20に分岐され、
第1光路19を進む光は第1ディテクタ21に入射し、
第2光路を進む光はfθレンズ22を経て第2ディテク
タ23に入射する。
【0020】前記ウェーハ表面1aおよび基準面4aに
対するレーザ光9の二次元照射によって、前記第1ディ
テクタ21および第2ディテクタ23からそれぞれ信号
(情報)が出力されるが、これらの信号は、レーザ光9
の走査位置と関連づけて記録される。これにより、第1
ディテクタ21および第2ディテクタ23のそれぞれに
おいて入射した光のディテクタ上での位置は、入射した
光がウェーハ1上で反射した位置と角度とにより決ま
り、第2ディテクタ23での位置は、入射した光の確度
で決まる。以下、これについて、図3をも参照しながら
説明する。
対するレーザ光9の二次元照射によって、前記第1ディ
テクタ21および第2ディテクタ23からそれぞれ信号
(情報)が出力されるが、これらの信号は、レーザ光9
の走査位置と関連づけて記録される。これにより、第1
ディテクタ21および第2ディテクタ23のそれぞれに
おいて入射した光のディテクタ上での位置は、入射した
光がウェーハ1上で反射した位置と角度とにより決ま
り、第2ディテクタ23での位置は、入射した光の確度
で決まる。以下、これについて、図3をも参照しながら
説明する。
【0021】まず、第2ディテクタ23から得られる情
報は、既に説明したように、fθレンズ22との光学的
関係から、ウェーハ1における反射光14の傾きであ
る。一方、第1ディテクタ21から得られる情報は、前
記反射光14の位置も含んでいる。したがって、前記両
ディテクタ21,23からの情報に基づいて演算するこ
とにより、反射光14の反射点位置が一義的に定められ
る。すなわち、第1ディテクタ21上の入射点(光点)
が同じであっても、光の傾きが異なれば、反射点の位置
または傾きが異なる。逆に、反射光14の傾きと入射光
14の位置(傾きは一定として)が分かれば、反射面の
位置と傾きが分かる。
報は、既に説明したように、fθレンズ22との光学的
関係から、ウェーハ1における反射光14の傾きであ
る。一方、第1ディテクタ21から得られる情報は、前
記反射光14の位置も含んでいる。したがって、前記両
ディテクタ21,23からの情報に基づいて演算するこ
とにより、反射光14の反射点位置が一義的に定められ
る。すなわち、第1ディテクタ21上の入射点(光点)
が同じであっても、光の傾きが異なれば、反射点の位置
または傾きが異なる。逆に、反射光14の傾きと入射光
14の位置(傾きは一定として)が分かれば、反射面の
位置と傾きが分かる。
【0022】図3は、第1ディテクタ21に入射する反
射光を模式的に表すもので、この図3において、ある平
行光32が反射点33において反射した平行光34が第
1ディテクタ21上の点35に入射したとする。このと
き、同じ点35に入射した光であっても、光軸と平行で
なくある角度ηで入射した光は、前記反射点33におい
て反射したのではなく、前記平行光34と点35におい
て角度ηをなす線36と前記光32を直線的に延長して
交わった点37において反射したものである。
射光を模式的に表すもので、この図3において、ある平
行光32が反射点33において反射した平行光34が第
1ディテクタ21上の点35に入射したとする。このと
き、同じ点35に入射した光であっても、光軸と平行で
なくある角度ηで入射した光は、前記反射点33におい
て反射したのではなく、前記平行光34と点35におい
て角度ηをなす線36と前記光32を直線的に延長して
交わった点37において反射したものである。
【0023】そして、平行光32が反射点33において
反射しても、その反射点33が仮想線33’で示すよう
に傾いていた場合には、第1ディテクタ21において前
記点35と異なる位置に入射する。
反射しても、その反射点33が仮想線33’で示すよう
に傾いていた場合には、第1ディテクタ21において前
記点35と異なる位置に入射する。
【0024】このように、第2ディテクタ23から得ら
れるウェーハ1における反射光14の傾きと、第1ディ
テクタ21から得られ反射光14の位置とによって反射
光14の反射点の位置およびその反射点の傾きが判る。
したがって、ウェーハ表面1aに対してレーザ光9を二
次元的に走査しながら照射することにより、ウェーハ表
面1aにおける高さ位置および傾き(図1において、ウ
ェーハ1のX−X方向における傾き)が判る。
れるウェーハ1における反射光14の傾きと、第1ディ
テクタ21から得られ反射光14の位置とによって反射
光14の反射点の位置およびその反射点の傾きが判る。
したがって、ウェーハ表面1aに対してレーザ光9を二
次元的に走査しながら照射することにより、ウェーハ表
面1aにおける高さ位置および傾き(図1において、ウ
ェーハ1のX−X方向における傾き)が判る。
【0025】上述のように、レーザ光9をウェーハ表面
1aに照射し、そのとき生ずる反射光14を二つのディ
テクタ21,23に入射し、これらのディテクタ21,
23の出力からウェーハ表面1a全面における高さ状
態、つまり、平坦度を得ることができる。このとき、基
準面4aについても、同様に平坦度が測定される。
1aに照射し、そのとき生ずる反射光14を二つのディ
テクタ21,23に入射し、これらのディテクタ21,
23の出力からウェーハ表面1a全面における高さ状
態、つまり、平坦度を得ることができる。このとき、基
準面4aについても、同様に平坦度が測定される。
【0026】次に、回動機構6を動作させて、ウェーハ
1および基準平面盤4を、それらの裏面1b,4bが光
照射光学系8および光縮小光学系13に対向するように
セットし、上記と同様に、レーザ光源10からのレーザ
光9を二次元走査しながら照射する。なお、このとき、
基準平面盤4では、第1平面4aにおいてレーザ光9は
反射する。つまり、この場合、基準平面盤4において
は、ウェーハ表面1aの測定と同様に基準面4aが測定
されることになる。
1および基準平面盤4を、それらの裏面1b,4bが光
照射光学系8および光縮小光学系13に対向するように
セットし、上記と同様に、レーザ光源10からのレーザ
光9を二次元走査しながら照射する。なお、このとき、
基準平面盤4では、第1平面4aにおいてレーザ光9は
反射する。つまり、この場合、基準平面盤4において
は、ウェーハ表面1aの測定と同様に基準面4aが測定
されることになる。
【0027】前記ウェーハ裏面1bおよび基準面4a
(厳密には、基準面4aの裏面側)において反射した光
14は、光縮小光学系13で所定の径となるように縮小
され、この縮小された光16は、ビームスプリッタ18
で二つの光路19,20に分岐され、第1光路19を進
む光は第1ディテクタ21に入射し、第2光路を進む光
はfθレンズ22を経て第2ディテクタ23に入射す
る。
(厳密には、基準面4aの裏面側)において反射した光
14は、光縮小光学系13で所定の径となるように縮小
され、この縮小された光16は、ビームスプリッタ18
で二つの光路19,20に分岐され、第1光路19を進
む光は第1ディテクタ21に入射し、第2光路を進む光
はfθレンズ22を経て第2ディテクタ23に入射す
る。
【0028】このウェーハ裏面1b側へのレーザ光9の
照射に基づいて得られる第1ディテクタ21および第2
ディテクタ23の出力を、上述のように処理することに
より、ウェーハ裏面1b全面における高さ状態、つま
り、平坦度を得ることができる。そして、基準面4aに
ついては、ウェーハ表面1aの測定のときと同じ基準面
4aを測定しているので、この基準面4aの高さを基準
にとることにより、ウェーハ1の表面1aおよび裏面1
bを、同じ基準をもとにして比較することができる。す
なわち、ウェーハ1の厚みおよびその分布を絶対値とし
て得ることができる(正確には、基準面4aを構成する
アルミ蒸着膜厚分ずれるが)。
照射に基づいて得られる第1ディテクタ21および第2
ディテクタ23の出力を、上述のように処理することに
より、ウェーハ裏面1b全面における高さ状態、つま
り、平坦度を得ることができる。そして、基準面4aに
ついては、ウェーハ表面1aの測定のときと同じ基準面
4aを測定しているので、この基準面4aの高さを基準
にとることにより、ウェーハ1の表面1aおよび裏面1
bを、同じ基準をもとにして比較することができる。す
なわち、ウェーハ1の厚みおよびその分布を絶対値とし
て得ることができる(正確には、基準面4aを構成する
アルミ蒸着膜厚分ずれるが)。
【0029】ところで、ウェーハ1の表面1a(または
裏面1b)に入射するレーザ光9の角度(図1における
角度α)が小さいほど二次元方向での分解能が低くな
り、高さ方向における分解能は高くなる。逆に、前記角
度αが大きいと、二次元方向での分解能が高くなり、高
さ方向における分解能は低くなる。したがって、その検
査目的や用途に応じて、ウェーハ1の表面1a(または
裏面1b)に入射するレーザ光9の角度αを決定する必
要がある。
裏面1b)に入射するレーザ光9の角度(図1における
角度α)が小さいほど二次元方向での分解能が低くな
り、高さ方向における分解能は高くなる。逆に、前記角
度αが大きいと、二次元方向での分解能が高くなり、高
さ方向における分解能は低くなる。したがって、その検
査目的や用途に応じて、ウェーハ1の表面1a(または
裏面1b)に入射するレーザ光9の角度αを決定する必
要がある。
【0030】上述したように、この発明の測定装置にお
いては、コヒーレントなレーザ光9をウェーハ1に対し
て二次元的に照射して、そのとき得られる反射光を二つ
のディテクタ21,23によって検出し、この反射光の
位置と光軸に対する傾きを求めることにより、これらの
データに基づいてウェーハ1の両面1a,1bにおける
平坦度およびウェーハ1の厚みおよびその分布が同時に
得られる。
いては、コヒーレントなレーザ光9をウェーハ1に対し
て二次元的に照射して、そのとき得られる反射光を二つ
のディテクタ21,23によって検出し、この反射光の
位置と光軸に対する傾きを求めることにより、これらの
データに基づいてウェーハ1の両面1a,1bにおける
平坦度およびウェーハ1の厚みおよびその分布が同時に
得られる。
【0031】そして、上記測定装置においては、ウェー
ハ1を鉛直に保持した状態で平坦度や厚み測定を行うも
のであるため、ウェーハ1の自重による撓みの影響がな
くなり、従来に比べて測定精度が大幅に向上する。
ハ1を鉛直に保持した状態で平坦度や厚み測定を行うも
のであるため、ウェーハ1の自重による撓みの影響がな
くなり、従来に比べて測定精度が大幅に向上する。
【0032】なお、上述の実施の形態においては、ウェ
ーハ1のX−X方向における傾きの検出について説明し
ているが、この発明はこれに限られるものではなく、前
記X−X方向と垂直な方向、つまり、ウェーハ1の紙面
に垂直な方向における傾きについても同様にして検出す
ることができる。
ーハ1のX−X方向における傾きの検出について説明し
ているが、この発明はこれに限られるものではなく、前
記X−X方向と垂直な方向、つまり、ウェーハ1の紙面
に垂直な方向における傾きについても同様にして検出す
ることができる。
【0033】また、ディテクタ21,23としてPSD
(Position Sensing Device
s)を用いてもよい。
(Position Sensing Device
s)を用いてもよい。
【0034】そして、上述の実施の形態においては、ウ
ェーハ1の両面1a,1bが鏡面であったが、これらが
粗面の場合には、基準平面盤4をセラミックなど平面加
工を行ってもやや粗面性が残るような材料を用いて形成
し、モアレ縞を測定する場合における構成を採用するこ
とにより、同様の測定を行うことができる。
ェーハ1の両面1a,1bが鏡面であったが、これらが
粗面の場合には、基準平面盤4をセラミックなど平面加
工を行ってもやや粗面性が残るような材料を用いて形成
し、モアレ縞を測定する場合における構成を採用するこ
とにより、同様の測定を行うことができる。
【0035】さらに、上述の実施の形態においては、光
照射光学系8および光縮小光学系13を、ウェーハ1お
よび基準平面盤4の一方の面側にのみ設け、ウェーハ1
および基準平面盤4を回転するようにしているが、前記
光学径8,13をウェーハ1および基準平面盤4の両側
に設けようにしてもよい。
照射光学系8および光縮小光学系13を、ウェーハ1お
よび基準平面盤4の一方の面側にのみ設け、ウェーハ1
および基準平面盤4を回転するようにしているが、前記
光学径8,13をウェーハ1および基準平面盤4の両側
に設けようにしてもよい。
【0036】
【発明の効果】この発明の測定装置によれば、ウェーハ
の両面における平坦度とウェーハの厚みとを同時に精度
よく測定することができる。そして、上記測定装置によ
れば、要求される分解能に応じて面方向ディジタルの分
解能を設定して測定を行うことができる。
の両面における平坦度とウェーハの厚みとを同時に精度
よく測定することができる。そして、上記測定装置によ
れば、要求される分解能に応じて面方向ディジタルの分
解能を設定して測定を行うことができる。
【図1】この発明のウェーハの平坦度および厚み測定装
置の構成の一例を概略的に示す図である。
置の構成の一例を概略的に示す図である。
【図2】前記装置において用いるfθレンズの働きを説
明するための図である。
明するための図である。
【図3】前記装置の測定原理を概略的に説明するための
図である。
図である。
【符号の説明】 1…ウェーハ、1a,1b…ウェーハの平面、4…基準
平面盤、4a,4…基準平面盤の平面、7…鉛直な軸、
9…レーザ光、14…反射光、19…第1光路、20…
第2光路、21…第1ディテクタ、22…fθレンズ、
23…第2ディテクタ。
平面盤、4a,4…基準平面盤の平面、7…鉛直な軸、
9…レーザ光、14…反射光、19…第1光路、20…
第2光路、21…第1ディテクタ、22…fθレンズ、
23…第2ディテクタ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA03 AA19 AA24 AA30 AA35 AA47 AA51 BB03 BB25 CC19 DD00 FF61 FF65 GG04 HH03 HH12 JJ01 JJ05 JJ08 JJ16 JJ26 LL00 LL04 LL05 LL10 LL13 LL46 LL62 MM04 MM16 PP11 PP13 QQ28 4M106 AA01 BA05 CA24 CA48 DH03 DH12 DH32 DH39 DJ02 DJ06
Claims (2)
- 【請求項1】 ウェーハおよび基準平面盤をそれらの平
面が鉛直となるように保持し、前記平面に対してレーザ
光を二次元的に走査しながら所定の角度で照射し、その
とき前記平面において生ずる反射光をその径が小さくな
るように収束した後、二つの光路に分岐し、第1光路に
前記反射光の入射位置を検出する第1ディテクタを設
け、第2光路にfθレンズおよびこのfθレンズの焦点
位置に検出面を有する第2ディテクタを設け、前記ウェ
ーハの表面および基準平面盤の基準面にレーザ光を照射
したときに前記両ディテクタから得られる出力と、前記
ウェーハの裏面および前記基準面にレーザ光を照射した
ときに前記両ディテクタから得られる出力とに基づい
て、前記ウェーハの両面における平坦度およびウェーハ
の厚みを同時に得ることができるようにしたことを特徴
とするウェーハの平坦度および厚み測定装置。 - 【請求項2】 ウェーハおよび基準平面盤を鉛直な軸回
りで回転できるようにしてなる請求項1に記載のウェー
ハの平坦度および厚み測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5889399A JP2000258144A (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | ウェーハの平坦度および厚み測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5889399A JP2000258144A (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | ウェーハの平坦度および厚み測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000258144A true JP2000258144A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13097479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5889399A Pending JP2000258144A (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | ウェーハの平坦度および厚み測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000258144A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100339969C (zh) * | 2000-11-16 | 2007-09-26 | 信越半导体株式会社 | 晶片形状评价法、装置及器件制造法,晶片及晶片挑选法 |
| CN103940380A (zh) * | 2014-04-08 | 2014-07-23 | 广东正业科技股份有限公司 | 一种平面度测试方法及其装置 |
| CN108061535A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-05-22 | 江苏科技大学 | 玻镁板厚度及不平度在线测量装置及使用方法 |
| CN113945157A (zh) * | 2021-10-15 | 2022-01-18 | 长鑫存储技术有限公司 | 膜层厚度的测试装置 |
| CN116324380A (zh) * | 2020-09-23 | 2023-06-23 | 大金工业株式会社 | 光学相干断层摄影装置以及光学相干断层摄影法 |
| WO2024041322A1 (en) * | 2022-08-25 | 2024-02-29 | Tcl Zhonghuan Renewable Energy Technology Co., Ltd. | Surface flatness detecting device for single crystal square rod |
-
1999
- 1999-03-05 JP JP5889399A patent/JP2000258144A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100339969C (zh) * | 2000-11-16 | 2007-09-26 | 信越半导体株式会社 | 晶片形状评价法、装置及器件制造法,晶片及晶片挑选法 |
| CN103940380A (zh) * | 2014-04-08 | 2014-07-23 | 广东正业科技股份有限公司 | 一种平面度测试方法及其装置 |
| CN108061535A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-05-22 | 江苏科技大学 | 玻镁板厚度及不平度在线测量装置及使用方法 |
| CN108061535B (zh) * | 2017-11-22 | 2019-06-21 | 江苏科技大学 | 玻镁板厚度及不平度在线测量装置及使用方法 |
| CN116324380A (zh) * | 2020-09-23 | 2023-06-23 | 大金工业株式会社 | 光学相干断层摄影装置以及光学相干断层摄影法 |
| CN113945157A (zh) * | 2021-10-15 | 2022-01-18 | 长鑫存储技术有限公司 | 膜层厚度的测试装置 |
| WO2024041322A1 (en) * | 2022-08-25 | 2024-02-29 | Tcl Zhonghuan Renewable Energy Technology Co., Ltd. | Surface flatness detecting device for single crystal square rod |
| US12487084B2 (en) | 2022-08-25 | 2025-12-02 | Tcl Zhonghuan Renewable Energy Technology Co., Ltd. | Surface flatness detecting device for single crystal square rod |
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