JP2000118175A - 半導体集積回路チップの封止方法、半導体集積回路チップ装置及び半導体集積回路カード - Google Patents
半導体集積回路チップの封止方法、半導体集積回路チップ装置及び半導体集積回路カードInfo
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- JP2000118175A JP2000118175A JP29716298A JP29716298A JP2000118175A JP 2000118175 A JP2000118175 A JP 2000118175A JP 29716298 A JP29716298 A JP 29716298A JP 29716298 A JP29716298 A JP 29716298A JP 2000118175 A JP2000118175 A JP 2000118175A
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 強度が高く、形状や封止厚のばらつきの少な
い半導体集積回路チップ装置を得ることのできる半導体
集積回路チップの封止方法を提案する。 【解決手段】 回路パターンの形成された基板ＦＢ上に
半導体集積回路チップＣＰを接着すると共に、その半導
体集積回路チップＣＰの電極を回路パターンに接続し、
その半導体集積回路チップＣＰの上に封止用樹脂ＳＰ′
を所定量塗布し、塗布された封止用樹脂ＳＰ′上に補強
金属板ＭＰを配すると共に、その補強金属板ＭＰを介し
て封止用樹脂ＳＰ′を加圧して、その封止用樹脂ＳＰ′
を半導体集積回路チップＣＰの周面に流れ込ませ、半導
体集積回路チップＣＰの周面に流れ込まれた封止用樹脂
ＳＰ′を硬化させるようにする。
い半導体集積回路チップ装置を得ることのできる半導体
集積回路チップの封止方法を提案する。 【解決手段】 回路パターンの形成された基板ＦＢ上に
半導体集積回路チップＣＰを接着すると共に、その半導
体集積回路チップＣＰの電極を回路パターンに接続し、
その半導体集積回路チップＣＰの上に封止用樹脂ＳＰ′
を所定量塗布し、塗布された封止用樹脂ＳＰ′上に補強
金属板ＭＰを配すると共に、その補強金属板ＭＰを介し
て封止用樹脂ＳＰ′を加圧して、その封止用樹脂ＳＰ′
を半導体集積回路チップＣＰの周面に流れ込ませ、半導
体集積回路チップＣＰの周面に流れ込まれた封止用樹脂
ＳＰ′を硬化させるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路チッ
プの封止方法、半導体集積回路チップ装置及び半導体集
積回路カードに関する。
プの封止方法、半導体集積回路チップ装置及び半導体集
積回路カードに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体集積回路カード（ＩＣカー
ド）に装填されている半導体集積回路チップ（ＩＣチッ
プ）は、樹脂のスクリーン印刷によって封止されてい
た。
ド）に装填されている半導体集積回路チップ（ＩＣチッ
プ）は、樹脂のスクリーン印刷によって封止されてい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】かかる従来のＩＣカー
ドに装填されているＩＣチップは、樹脂のスクリーン印
刷によって封止されていたため、強度が低く、しかも、
その封止形状や封止厚のばらつきが大きいと言う欠点が
あった。ＩＣチップの強度が低いと、ＩＣカードが外圧
によって曲げられたときに、ＩＣチップが破損したり、
ＩＣチップの電極の基板の回路パターンに対する接続が
外れたりするおそれがあった。ＩＣチップの封止形状や
封止厚のばらつきが大きいと、ＩＣカードの品質や歩留
りの制御が困難となる。
ドに装填されているＩＣチップは、樹脂のスクリーン印
刷によって封止されていたため、強度が低く、しかも、
その封止形状や封止厚のばらつきが大きいと言う欠点が
あった。ＩＣチップの強度が低いと、ＩＣカードが外圧
によって曲げられたときに、ＩＣチップが破損したり、
ＩＣチップの電極の基板の回路パターンに対する接続が
外れたりするおそれがあった。ＩＣチップの封止形状や
封止厚のばらつきが大きいと、ＩＣカードの品質や歩留
りの制御が困難となる。
【０００４】かかる点に鑑み、本発明は、強度が高く、
封止形状や封止厚のばらつきの少ない半導体集積回路チ
ップ装置を得ることのできる半導体集積回路チップの封
止方法及び半導体集積回路チップ装置を提案しようとす
るものである。
封止形状や封止厚のばらつきの少ない半導体集積回路チ
ップ装置を得ることのできる半導体集積回路チップの封
止方法及び半導体集積回路チップ装置を提案しようとす
るものである。
【０００５】又、本発明は、半導体集積回路チップ装置
が破損したり、その電極の基板の回路パターンに対する
接続が外れたりするおそれがなく、しかも、品質や歩留
りの制御の容易な半導体集積回路カードを提案しようと
するものである。
が破損したり、その電極の基板の回路パターンに対する
接続が外れたりするおそれがなく、しかも、品質や歩留
りの制御の容易な半導体集積回路カードを提案しようと
するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の本発明による半導
体集積回路チップの封止方法は、回路パターンの形成さ
れた基板上に半導体集積回路チップを接着すると共に、
その半導体集積回路チップの電極を回路パターンに接続
し、その半導体集積回路チップの上に封止用樹脂を所定
量塗布し、塗布された封止用樹脂上に補強金属板を配す
ると共に、その補強金属板を介して封止用樹脂を加圧し
て、その封止用樹脂を半導体集積回路チップの周面に流
れ込ませ、半導体集積回路チップの周面に流れ込まれた
封止用樹脂を硬化させるようにしたものである。
体集積回路チップの封止方法は、回路パターンの形成さ
れた基板上に半導体集積回路チップを接着すると共に、
その半導体集積回路チップの電極を回路パターンに接続
し、その半導体集積回路チップの上に封止用樹脂を所定
量塗布し、塗布された封止用樹脂上に補強金属板を配す
ると共に、その補強金属板を介して封止用樹脂を加圧し
て、その封止用樹脂を半導体集積回路チップの周面に流
れ込ませ、半導体集積回路チップの周面に流れ込まれた
封止用樹脂を硬化させるようにしたものである。
【０００７】かかる第１の本発明によれば、回路パター
ンの形成された基板上に半導体集積回路チップを接着す
ると共に、その半導体集積回路チップの電極を回路パタ
ーンに接続する。次に、その半導体集積回路チップの上
に封止用樹脂を所定量塗布し、塗布された封止用樹脂上
に補強金属板を配すると共に、その補強金属板を介して
封止用樹脂を加圧して、その封止用樹脂を半導体集積回
路チップの周面に流れ込ませる。次に、半導体集積回路
チップの周面に流れ込まれた封止用樹脂を硬化させる。
ンの形成された基板上に半導体集積回路チップを接着す
ると共に、その半導体集積回路チップの電極を回路パタ
ーンに接続する。次に、その半導体集積回路チップの上
に封止用樹脂を所定量塗布し、塗布された封止用樹脂上
に補強金属板を配すると共に、その補強金属板を介して
封止用樹脂を加圧して、その封止用樹脂を半導体集積回
路チップの周面に流れ込ませる。次に、半導体集積回路
チップの周面に流れ込まれた封止用樹脂を硬化させる。
【０００８】
【発明の実施の形態】第１の本発明は、回路パターンの
形成された基板上に半導体集積回路チップを接着すると
共に、その半導体集積回路チップの電極を回路パターン
に接続し、その半導体集積回路チップの上に封止用樹脂
を所定量塗布し、塗布された封止用樹脂上に補強金属板
を配すると共に、その補強金属板を介して封止用樹脂を
加圧して、その封止用樹脂を半導体集積回路チップの周
面に流れ込ませ、半導体集積回路チップの周面に流れ込
まれた封止用樹脂を硬化させることを特徴とする半導体
集積回路チップの封止方法。
形成された基板上に半導体集積回路チップを接着すると
共に、その半導体集積回路チップの電極を回路パターン
に接続し、その半導体集積回路チップの上に封止用樹脂
を所定量塗布し、塗布された封止用樹脂上に補強金属板
を配すると共に、その補強金属板を介して封止用樹脂を
加圧して、その封止用樹脂を半導体集積回路チップの周
面に流れ込ませ、半導体集積回路チップの周面に流れ込
まれた封止用樹脂を硬化させることを特徴とする半導体
集積回路チップの封止方法。
【０００９】第２の本発明は、回路パターンの形成され
た基板と、その基板上に接着されると共に、電極が回路
パターンに接続された半導体集積回路チップと、補強金
属板と、半導体集積回路チップの周面を被覆すると共
に、その半導体集積回路チップ上に補強金属板を固着す
る封止用樹脂部とを有する半導体集積回路チップ装置で
ある。
た基板と、その基板上に接着されると共に、電極が回路
パターンに接続された半導体集積回路チップと、補強金
属板と、半導体集積回路チップの周面を被覆すると共
に、その半導体集積回路チップ上に補強金属板を固着す
る封止用樹脂部とを有する半導体集積回路チップ装置で
ある。
【００１０】第３の本発明は、回路パターンの形成され
た基板と、その基板上に接着されると共に、電極が回路
パターンに接続された半導体集積回路チップと、補強金
属板と、半導体集積回路チップの周面を被覆すると共
に、その半導体集積回路チップ上に補強金属板を固着す
る封止用樹脂部とを有する半導体集積回路チップ装置
が、カード基板内に装填されてなる半導体集積回路カー
ドである。
た基板と、その基板上に接着されると共に、電極が回路
パターンに接続された半導体集積回路チップと、補強金
属板と、半導体集積回路チップの周面を被覆すると共
に、その半導体集積回路チップ上に補強金属板を固着す
る封止用樹脂部とを有する半導体集積回路チップ装置
が、カード基板内に装填されてなる半導体集積回路カー
ドである。
【００１１】〔発明の実施の形態の具体例〕以下に、図
面を参照して、本発明の実施の形態の具体例の半導体集
積回路チップ（ＩＣチップ）の封止方法、半導体集積回
路チップ装置（ＩＣチップ装置）及び半導体集積回路カ
ード（ＩＣカード）を説明する。
面を参照して、本発明の実施の形態の具体例の半導体集
積回路チップ（ＩＣチップ）の封止方法、半導体集積回
路チップ装置（ＩＣチップ装置）及び半導体集積回路カ
ード（ＩＣカード）を説明する。
【００１２】先ず、図１及び図２を参照して、具体例の
ＩＣチップの封止方法及びＩＣチップ装置（図１Ｂ）を
説明する。図２Ａに示す如く、複数の回路パターンＫＰ
が形成されたフィルム基板ＦＢを用意する。図２Ｂに示
す如く、図２Ａのフィルム基板ＦＢの各回路パターンＫ
Ｐ又は各回路パターンＫＰ内のフィルム基板ＦＢ上に、
少量の接着剤ＢＤ１を塗布する。図２Ｃに示す如く、フ
ィルム基板ＦＢの各回路パターンＫＰの接着剤ＢＤ１上
に各ＩＣチップＣＰを載置し、その各ＩＣチップＣＰを
加圧すると共に、各ＩＣチップＣＰ及びフィルム基板Ｆ
Ｂを加熱して、各ＩＣチップＣＰをフィルム基板ＦＢの
各回路パターンＫＰの所定部分に接着（固着）すると共
に、各ＩＣチップＣＰの電極を、それぞれ対応する回路
パターンＫＰの所定の部分に接続する。
ＩＣチップの封止方法及びＩＣチップ装置（図１Ｂ）を
説明する。図２Ａに示す如く、複数の回路パターンＫＰ
が形成されたフィルム基板ＦＢを用意する。図２Ｂに示
す如く、図２Ａのフィルム基板ＦＢの各回路パターンＫ
Ｐ又は各回路パターンＫＰ内のフィルム基板ＦＢ上に、
少量の接着剤ＢＤ１を塗布する。図２Ｃに示す如く、フ
ィルム基板ＦＢの各回路パターンＫＰの接着剤ＢＤ１上
に各ＩＣチップＣＰを載置し、その各ＩＣチップＣＰを
加圧すると共に、各ＩＣチップＣＰ及びフィルム基板Ｆ
Ｂを加熱して、各ＩＣチップＣＰをフィルム基板ＦＢの
各回路パターンＫＰの所定部分に接着（固着）すると共
に、各ＩＣチップＣＰの電極を、それぞれ対応する回路
パターンＫＰの所定の部分に接続する。
【００１３】そして、図２Ｄ及び図１Ａに示す如く、Ｉ
ＣチップＣＰ上に所定量の封止用樹脂ＳＰ′（接着剤Ｂ
Ｄ２）を塗布し、その封止用樹脂ＳＰ′（接着剤ＢＤ
２）に紫外線を照射して仮硬化する。図２Ｅ並びに図１
Ａ及び図１Ｂに示す如く、ＩＣチップＣＰの上面（矩
形）と相似で、その上面より面積の広い補強金属板（矩
形）ＭＰを、仮硬化された封止用樹脂ＳＰ′（接着剤Ｂ
Ｄ２）上に配し、加圧治具を用いて、その補強金属板Ｍ
Ｐを、補強金属板ＭＰ及びＩＣチップＣＰ間の平行状態
を保持しつつ、ＩＣチップＣＰの上面に向かって均一に
加圧して、図１Ｂに示す如く封止厚を一定にすると共
に、封止用樹脂ＳＰ′（接着剤ＢＤ２）をＩＣチップＣ
Ｐの周面に流れ込ませて、補強金属板ＭＰをＩＣチップ
ＣＰの上面に接着すると共に、ＩＣチップＣＰの周面を
被覆する。そして、その封止用樹脂ＳＰ′（接着剤ＢＤ
２）に紫外線を照射して硬化して、図１Ｂに示す如き、
形状が一定で、封止厚が一定の複数のＩＣチップ装置Ｃ
ＰＤを得る。
ＣチップＣＰ上に所定量の封止用樹脂ＳＰ′（接着剤Ｂ
Ｄ２）を塗布し、その封止用樹脂ＳＰ′（接着剤ＢＤ
２）に紫外線を照射して仮硬化する。図２Ｅ並びに図１
Ａ及び図１Ｂに示す如く、ＩＣチップＣＰの上面（矩
形）と相似で、その上面より面積の広い補強金属板（矩
形）ＭＰを、仮硬化された封止用樹脂ＳＰ′（接着剤Ｂ
Ｄ２）上に配し、加圧治具を用いて、その補強金属板Ｍ
Ｐを、補強金属板ＭＰ及びＩＣチップＣＰ間の平行状態
を保持しつつ、ＩＣチップＣＰの上面に向かって均一に
加圧して、図１Ｂに示す如く封止厚を一定にすると共
に、封止用樹脂ＳＰ′（接着剤ＢＤ２）をＩＣチップＣ
Ｐの周面に流れ込ませて、補強金属板ＭＰをＩＣチップ
ＣＰの上面に接着すると共に、ＩＣチップＣＰの周面を
被覆する。そして、その封止用樹脂ＳＰ′（接着剤ＢＤ
２）に紫外線を照射して硬化して、図１Ｂに示す如き、
形状が一定で、封止厚が一定の複数のＩＣチップ装置Ｃ
ＰＤを得る。
【００１４】この複数のＩＣチップ装置ＣＰＤは、図示
せずも、各回路パターンＫＰ毎に打ち抜かれた後、ロー
ルフィルム上に載置されると共に、その各ＩＣチップ装
置ＣＰＤ及びロールフィルム上に亘って、薄膜コーティ
ングが行われた後、加熱ローラ間を通過させて、多数の
ＩＣカードが一列に連結されたカード連結板が得られ、
このカード連結板が定尺切断されて、所定枚数のＩＣカ
ードが一列に連結された定尺カード連結板が複数得ら
れ、その定尺カード連結板が各ＩＣカード毎に打ち抜あ
れて、個別のＩＣカードが得られる。
せずも、各回路パターンＫＰ毎に打ち抜かれた後、ロー
ルフィルム上に載置されると共に、その各ＩＣチップ装
置ＣＰＤ及びロールフィルム上に亘って、薄膜コーティ
ングが行われた後、加熱ローラ間を通過させて、多数の
ＩＣカードが一列に連結されたカード連結板が得られ、
このカード連結板が定尺切断されて、所定枚数のＩＣカ
ードが一列に連結された定尺カード連結板が複数得ら
れ、その定尺カード連結板が各ＩＣカード毎に打ち抜あ
れて、個別のＩＣカードが得られる。
【００１５】次に、図３を参照して、ＩＣチップＣＰの
封入されたＩＣカード（半導体集積回路カード）の構造
を説明する。ＩＣチップ装置ＣＰＤがカード基板内に装
填されている。即ち、ＩＣチップ装置ＣＰＤが、例え
ば、エポキシ樹脂からなる充填樹脂層ＩＰ内に装填さ
れ、その充填樹脂層ＩＣＰの表裏にそれぞれ、例えば、
ポリエチレンテレフタレートからなる外装樹脂基板Ｏ
Ｐ、ＯＰが接着されて、ＩＣカードが構成される。
封入されたＩＣカード（半導体集積回路カード）の構造
を説明する。ＩＣチップ装置ＣＰＤがカード基板内に装
填されている。即ち、ＩＣチップ装置ＣＰＤが、例え
ば、エポキシ樹脂からなる充填樹脂層ＩＰ内に装填さ
れ、その充填樹脂層ＩＣＰの表裏にそれぞれ、例えば、
ポリエチレンテレフタレートからなる外装樹脂基板Ｏ
Ｐ、ＯＰが接着されて、ＩＣカードが構成される。
【００１６】
【発明の効果】第１の本発明によれば、回路パターンの
形成された基板上に半導体集積回路チップを接着すると
共に、その半導体集積回路チップの電極を回路パターン
に接続し、その半導体集積回路チップの上に封止用樹脂
を所定量塗布し、塗布された封止用樹脂上に補強金属板
を配すると共に、その補強金属板を介して封止用樹脂を
加圧して、その封止用樹脂を半導体集積回路チップの周
面に流れ込ませ、半導体集積回路チップの周面に流れ込
まれた封止用樹脂を硬化させるので、半導体集積回路チ
ップ、補強金属板及び封止用樹脂が一体構造となって、
強度が高く、封止形状や封止厚のばらつきの少ない半導
体集積回路チップ装置を得ることのできる半導体集積回
路チップの封止方法を得ることができる。従って、かか
る半導体集積回路チップ装置を半導体集積回路カードに
装填して頗る好適なものとなる。
形成された基板上に半導体集積回路チップを接着すると
共に、その半導体集積回路チップの電極を回路パターン
に接続し、その半導体集積回路チップの上に封止用樹脂
を所定量塗布し、塗布された封止用樹脂上に補強金属板
を配すると共に、その補強金属板を介して封止用樹脂を
加圧して、その封止用樹脂を半導体集積回路チップの周
面に流れ込ませ、半導体集積回路チップの周面に流れ込
まれた封止用樹脂を硬化させるので、半導体集積回路チ
ップ、補強金属板及び封止用樹脂が一体構造となって、
強度が高く、封止形状や封止厚のばらつきの少ない半導
体集積回路チップ装置を得ることのできる半導体集積回
路チップの封止方法を得ることができる。従って、かか
る半導体集積回路チップ装置を半導体集積回路カードに
装填して頗る好適なものとなる。
【００１７】第２の本発明によれば、回路パターンの形
成された基板と、その基板上に接着されると共に、電極
が回路パターンに接続された半導体集積回路チップと、
補強金属板と、半導体集積回路チップの周面を被覆する
と共に、その半導体集積回路チップ上に補強金属板を固
着する封止用樹脂部とを有するので、半導体集積回路チ
ップ、補強金属板及び封止用樹脂が一体構造となって、
強度が高く、封止形状や封止厚のばらつきの少ない半導
体装置回路チップ装置を得ることができる。従って、か
かる半導体集積回路チップ装置を半導体集積回路カード
に装填して頗る好適なものとなる。
成された基板と、その基板上に接着されると共に、電極
が回路パターンに接続された半導体集積回路チップと、
補強金属板と、半導体集積回路チップの周面を被覆する
と共に、その半導体集積回路チップ上に補強金属板を固
着する封止用樹脂部とを有するので、半導体集積回路チ
ップ、補強金属板及び封止用樹脂が一体構造となって、
強度が高く、封止形状や封止厚のばらつきの少ない半導
体装置回路チップ装置を得ることができる。従って、か
かる半導体集積回路チップ装置を半導体集積回路カード
に装填して頗る好適なものとなる。
【００１８】第３の本発明によれば、回路パターンの形
成された基板と、その基板上に接着されると共に、電極
が回路パターンに接続された半導体集積回路チップと、
補強金属板と、半導体集積回路チップの周面を被覆する
と共に、その半導体集積回路チップ上に補強金属板を固
着する封止用樹脂部とを有する半導体集積回路チップ装
置が、カード基板内に装填されてなるので、その半導体
集積回路チップ装置は、その半導体集積回路チップ、補
強金属板及び封止用樹脂が一体構造となって、強度が高
く、封止形状や封止厚のばらつきが少なくなり、このた
め、半導体集積回路チップ装置が破損したり、その電極
の基板の回路パターンに対する接続が外れたりするおそ
れがなく、しかも、品質や歩留りの制御の容易な半導体
集積回路カードを得ることができる。
成された基板と、その基板上に接着されると共に、電極
が回路パターンに接続された半導体集積回路チップと、
補強金属板と、半導体集積回路チップの周面を被覆する
と共に、その半導体集積回路チップ上に補強金属板を固
着する封止用樹脂部とを有する半導体集積回路チップ装
置が、カード基板内に装填されてなるので、その半導体
集積回路チップ装置は、その半導体集積回路チップ、補
強金属板及び封止用樹脂が一体構造となって、強度が高
く、封止形状や封止厚のばらつきが少なくなり、このた
め、半導体集積回路チップ装置が破損したり、その電極
の基板の回路パターンに対する接続が外れたりするおそ
れがなく、しかも、品質や歩留りの制御の容易な半導体
集積回路カードを得ることができる。
【図１】本発明の実施の形態の具体例のＩＣチップの封
止方法の具体例の主要部を示す工程図である。
止方法の具体例の主要部を示す工程図である。
【図２】本発明の実施の形態の具体例のＩＣチップの封
止方法の具体例の工程図である。
止方法の具体例の工程図である。
【図３】本発明の実施の形態の具体例のＩＣカードを示
す断面図である。
す断面図である。
ＦＢ…フィルム基板、ＣＰ…ＩＣチップ、ＭＰ…補強金
属板、ＳＰ′…封止用樹脂、ＳＰ…封止用樹脂部、ＣＰ
Ｄ…ＩＣチップ装置、ＩＰ…充填樹脂層、ＯＰ…外装樹
脂板
属板、ＳＰ′…封止用樹脂、ＳＰ…封止用樹脂部、ＣＰ
Ｄ…ＩＣチップ装置、ＩＰ…充填樹脂層、ＯＰ…外装樹
脂板
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2C005 NB34 PA18 PA26 4M109 AA02 BA04 CA05 CA22 EA02 EC09 ED01 EE01 GA03 5F061 AA02 BA04 CA05 CA22 CB03 CB04 FA03
Claims (3)
- 【請求項１】 回路パターンの形成された基板上に半導
体集積回路チップを接着すると共に、該半導体集積回路
チップの電極を上記回路パターンに接続し、 該半導体集積回路チップの上に封止用樹脂を所定量塗布
し、 上記塗布された封止用樹脂上に補強金属板を配すると共
に、該補強金属板を介して上記封止用樹脂を加圧して、
該封止用樹脂を上記半導体集積回路チップの周面に流れ
込ませ、 上記半導体集積回路チップの周面に流れ込まれた上記封
止用樹脂を硬化させることを特徴とする半導体集積回路
チップの封止方法。 - 【請求項２】 回路パターンの形成された基板と、 該基板上に接着されると共に、電極が上記回路パターン
に接続された半導体集積回路チップと、 補強金属板と、 上記半導体集積回路チップの周面を被覆すると共に、該
半導体集積回路チップ上に上記補強金属板を固着する封
止用樹脂部とを有することを特徴とする半導体集積回路
チップ装置。 - 【請求項３】 回路パターンの形成された基板と、 該基板上に接着されると共に、電極が上記回路パターン
に接続された半導体集積回路チップと、 補強金属板と、 上記半導体集積回路チップの周面を被覆すると共に、該
半導体集積回路チップ上に上記補強金属板を固着する封
止用樹脂部とを有する半導体集積回路チップ装置が、カ
ード基板内に装填されてなることを特徴とする半導体集
積回路カード。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29716298A JP2000118175A (ja) | 1998-10-19 | 1998-10-19 | 半導体集積回路チップの封止方法、半導体集積回路チップ装置及び半導体集積回路カード |
| SG9905073A SG80077A1 (en) | 1998-10-19 | 1999-10-11 | Semiconductor integrated circuit card manufacturing method, and semiconductor integrated circuit card |
| CNB991231392A CN1145207C (zh) | 1998-10-19 | 1999-10-19 | 半导体集成电路卡制造方法和半导体集成电路卡 |
| HK00106727.7A HK1028842B (en) | 1998-10-19 | 2000-10-23 | Method for producing semiconductor integrated circuit card and semiconductor integrated circuit card |
| US09/413,594 US6765286B1 (en) | 1998-10-19 | 2001-07-02 | Semiconductor integrated circuit device |
| US10/790,450 US7041536B2 (en) | 1998-10-19 | 2004-02-27 | Semiconductor integrated circuit card manufacturing method, and semiconductor integrated circuit card |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29716298A JP2000118175A (ja) | 1998-10-19 | 1998-10-19 | 半導体集積回路チップの封止方法、半導体集積回路チップ装置及び半導体集積回路カード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000118175A true JP2000118175A (ja) | 2000-04-25 |
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|---|---|---|---|
| JP29716298A Pending JP2000118175A (ja) | 1998-10-19 | 1998-10-19 | 半導体集積回路チップの封止方法、半導体集積回路チップ装置及び半導体集積回路カード |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000118175A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110713A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Toppan Forms Co Ltd | Ｉｃチップ保護部とその形成方法 |
| JP3319455B2 (ja) | 1999-12-15 | 2002-09-03 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-10-19 JP JP29716298A patent/JP2000118175A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3319455B2 (ja) | 1999-12-15 | 2002-09-03 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2002110713A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Toppan Forms Co Ltd | Ｉｃチップ保護部とその形成方法 |
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