JP2000192040A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JP2000192040A JP2000192040A JP10371333A JP37133398A JP2000192040A JP 2000192040 A JP2000192040 A JP 2000192040A JP 10371333 A JP10371333 A JP 10371333A JP 37133398 A JP37133398 A JP 37133398A JP 2000192040 A JP2000192040 A JP 2000192040A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶層または配向膜と接触する材料に起因す
る表示むらを防止した液晶表示装置を提供すること。 【解決手段】 基板と、基板上に配置された着色層と、
着色層上に配置された電極とを有するカラーフィルタ基
板、カラーフィルタ基板と対向して配置された対向基
板、およびカラーフィルタ基板と対向基板との間隙に挟
持された液晶層を具備し、前記着色層が、有機不純物を
含有し、前記液晶層に含まれる液晶分子の疎水性パラメ
ータLogPが6以上であること、または分子子末端に
に―OCF3基を有する液晶化合物を5wt%以上含有する
液晶組成物を用いることを特徴とする。
る表示むらを防止した液晶表示装置を提供すること。 【解決手段】 基板と、基板上に配置された着色層と、
着色層上に配置された電極とを有するカラーフィルタ基
板、カラーフィルタ基板と対向して配置された対向基
板、およびカラーフィルタ基板と対向基板との間隙に挟
持された液晶層を具備し、前記着色層が、有機不純物を
含有し、前記液晶層に含まれる液晶分子の疎水性パラメ
ータLogPが6以上であること、または分子子末端に
に―OCF3基を有する液晶化合物を5wt%以上含有する
液晶組成物を用いることを特徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
する。
する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置は、それぞれ配向膜を有す
る2枚の電極基板を、配向膜同士が対向するように配置
し、その間に液晶層を挾持して構成されている。これら
の2枚の電極基板は、周辺領域に配置されたシール材お
よび封止材によって貼り合わされているとともに、その
間には基板間距離を保持するために粒状スペーサまたは
フォトリソグラフィー法により形成された樹脂からなる
スペーサ柱が配置されている。
る2枚の電極基板を、配向膜同士が対向するように配置
し、その間に液晶層を挾持して構成されている。これら
の2枚の電極基板は、周辺領域に配置されたシール材お
よび封止材によって貼り合わされているとともに、その
間には基板間距離を保持するために粒状スペーサまたは
フォトリソグラフィー法により形成された樹脂からなる
スペーサ柱が配置されている。
【0003】このような液晶表示装置でカラー表示する
場合には、基板の一方に多くの場合赤色(R),緑色
(G),青色(B)からなる着色層が配置される。ある
場合には、これに対向する基板として、基板の一主面上
に交差して配置された複数の信号線及び複数の走査線
と、前記交差部毎に配置されたスイッチング素子を有す
るいわゆるアクティブマトリクスアレイ基板がもちいら
れ、また、ある場合には、アクティブマトリクスアレイ
基板上に着色層が配置される。また、必要に応じて、着
色層上やスイッチング素子を有する基板上に樹脂からな
る透明保護膜が形成されることもある。
場合には、基板の一方に多くの場合赤色(R),緑色
(G),青色(B)からなる着色層が配置される。ある
場合には、これに対向する基板として、基板の一主面上
に交差して配置された複数の信号線及び複数の走査線
と、前記交差部毎に配置されたスイッチング素子を有す
るいわゆるアクティブマトリクスアレイ基板がもちいら
れ、また、ある場合には、アクティブマトリクスアレイ
基板上に着色層が配置される。また、必要に応じて、着
色層上やスイッチング素子を有する基板上に樹脂からな
る透明保護膜が形成されることもある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような液晶表示装
置において、シール材料、封止材料、スペーサ材料、保
護層材料、着色層材料など、液晶層または配向膜と直接
接する材料に起因して、表示むら、焼き付けが発生する
場合があった。
置において、シール材料、封止材料、スペーサ材料、保
護層材料、着色層材料など、液晶層または配向膜と直接
接する材料に起因して、表示むら、焼き付けが発生する
場合があった。
【0005】本発明は、このような事情の下になされ、
液晶層または配向膜と接触する材料に起因する表示むら
などを防止した液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
液晶層または配向膜と接触する材料に起因する表示むら
などを防止した液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、第1の発明は、基板と、前記基板上に配置された着
色層と、前記着色層上に配置された電極とを有するカラ
ーフィルタ基板、前記カラーフィルタ基板と対向して配
置された対向基板、および前記カラーフィルタ基板と前
記対向基板との間隙に挟持された液晶層を具備し、前記
着色層が、アルキル酸、フェニルカルボン酸、フェニル
カルボン酸誘導体、フェニレンジカルボン酸、フェニレ
ンジカルボン酸誘導体、アルキルアミン、アニリン、ア
ニリン誘導体、フェニレンジアミン、フェニレンジアミ
ン誘導体、フェニレンアミンカルボン酸、フェニレンア
ミンカルボン酸誘導体、アルキルイミド、フタルイミド
誘導体、シアノベンゼン誘導体、およびジシアノベンゼ
ン誘導体からなる群から選ばれた少なくとも1種の有機
不純物を含有する液晶表示装置において、前記液晶層に
含まれる液晶混合物の各成分iのモル分率をxiとし、
長鎖アルキル基をメチル基として計算される各成分iの
疎水性パラメータをLogPiとした場合、xiとLo
gPiの積の全成分の総和をLogPとすると、Log
Pが6以上であることを特徴とする液晶表示装置を提供
する。
め、第1の発明は、基板と、前記基板上に配置された着
色層と、前記着色層上に配置された電極とを有するカラ
ーフィルタ基板、前記カラーフィルタ基板と対向して配
置された対向基板、および前記カラーフィルタ基板と前
記対向基板との間隙に挟持された液晶層を具備し、前記
着色層が、アルキル酸、フェニルカルボン酸、フェニル
カルボン酸誘導体、フェニレンジカルボン酸、フェニレ
ンジカルボン酸誘導体、アルキルアミン、アニリン、ア
ニリン誘導体、フェニレンジアミン、フェニレンジアミ
ン誘導体、フェニレンアミンカルボン酸、フェニレンア
ミンカルボン酸誘導体、アルキルイミド、フタルイミド
誘導体、シアノベンゼン誘導体、およびジシアノベンゼ
ン誘導体からなる群から選ばれた少なくとも1種の有機
不純物を含有する液晶表示装置において、前記液晶層に
含まれる液晶混合物の各成分iのモル分率をxiとし、
長鎖アルキル基をメチル基として計算される各成分iの
疎水性パラメータをLogPiとした場合、xiとLo
gPiの積の全成分の総和をLogPとすると、Log
Pが6以上であることを特徴とする液晶表示装置を提供
する。
【0007】また、第2の発明は、基板の一主面上に交
差して配置された複数の信号線及び複数の走査線と、前
記交差部毎に配置されたスイッチング素子と、前記信号
線、前記走査線及び前記スイッチング素子の少なくとも
一部を覆うように配置された着色層と、前記着色層に形
成されるスルーホール部により前記スイッチング素子の
各々に接続されるとともに、前記着色層上に配置された
複数の画素電極とを有するアレイ基板、前記アレイ基板
と対向して配置された対向基板、および前記アレイ基板
と前記対向基板との間隙に挟持された液晶層を具備する
液晶表示装置において、前記液晶層に含まれる液晶混合
物の各成分iのモル分率をxiとし、長鎖アルキル基を
メチル基として計算される各成分iの疎水性パラメータ
をLogPiとした場合、 xiとLogPiの積の全
成分の総和をLogPとすると、LogPが6以上であ
ることを特徴とする液晶表示装置を提供する。
差して配置された複数の信号線及び複数の走査線と、前
記交差部毎に配置されたスイッチング素子と、前記信号
線、前記走査線及び前記スイッチング素子の少なくとも
一部を覆うように配置された着色層と、前記着色層に形
成されるスルーホール部により前記スイッチング素子の
各々に接続されるとともに、前記着色層上に配置された
複数の画素電極とを有するアレイ基板、前記アレイ基板
と対向して配置された対向基板、および前記アレイ基板
と前記対向基板との間隙に挟持された液晶層を具備する
液晶表示装置において、前記液晶層に含まれる液晶混合
物の各成分iのモル分率をxiとし、長鎖アルキル基を
メチル基として計算される各成分iの疎水性パラメータ
をLogPiとした場合、 xiとLogPiの積の全
成分の総和をLogPとすると、LogPが6以上であ
ることを特徴とする液晶表示装置を提供する。
【0008】以上の第1及び第2の発明によると、シー
ル、封止材、スペーサ、保護層、着色層に含まれる不純
物、例えばアルキル酸、フェニルカルボン酸、フェニル
カルボン酸誘導体、フェニレンジカルボン酸、フェニレ
ンジカルボン酸誘導体、アルキルアミン、アニリン、ア
ニリン誘導体、フェニレンジアミン、フェニレンジアミ
ン誘導体、フェニレンアミンカルボン酸、フェニレンア
ミンカルボン酸誘導体、アルキルイミド、フタルイミド
誘導体、シアノベンゼン誘導体、ジシアノベンゼン誘導
体を、液晶層に溶解しにくくすることにより、電圧保持
率の低下による白抜け、配向むら、焼き付けなどを防止
することが出来る。
ル、封止材、スペーサ、保護層、着色層に含まれる不純
物、例えばアルキル酸、フェニルカルボン酸、フェニル
カルボン酸誘導体、フェニレンジカルボン酸、フェニレ
ンジカルボン酸誘導体、アルキルアミン、アニリン、ア
ニリン誘導体、フェニレンジアミン、フェニレンジアミ
ン誘導体、フェニレンアミンカルボン酸、フェニレンア
ミンカルボン酸誘導体、アルキルイミド、フタルイミド
誘導体、シアノベンゼン誘導体、ジシアノベンゼン誘導
体を、液晶層に溶解しにくくすることにより、電圧保持
率の低下による白抜け、配向むら、焼き付けなどを防止
することが出来る。
【0009】白抜け、配向むら、焼き付けは、アレイ基
板と対向基板との間隙に挟持された液晶層を具備する液
晶表示装置において、シール、封止材、スペーサ、保護
層、着色層等に含まれる、イオン性や極性の高い上述の
不純物が、液晶層に溶解して液晶の抵抗値を下げるため
に電圧保持率が低下することや、液晶中に不純物が溶解
した後、配向膜に再吸着することにより発生するものと
考えられる。従って、白抜け、配向むら、焼き付けは、
シール、封止材、スペーサ、保護層、着色層等が液晶層
又は配向膜と直接接触する領域がある場合に発生するも
のと考えられる。これは、シール、封止材、スペーサ、
保護層、着色層等に含まれる不純物が、表示領域に関与
する液晶層にしみだしていくことにより、不純物の液晶
層中への溶出や、その後の不純物の配向膜への吸着が原
因であるものと推測される。
板と対向基板との間隙に挟持された液晶層を具備する液
晶表示装置において、シール、封止材、スペーサ、保護
層、着色層等に含まれる、イオン性や極性の高い上述の
不純物が、液晶層に溶解して液晶の抵抗値を下げるため
に電圧保持率が低下することや、液晶中に不純物が溶解
した後、配向膜に再吸着することにより発生するものと
考えられる。従って、白抜け、配向むら、焼き付けは、
シール、封止材、スペーサ、保護層、着色層等が液晶層
又は配向膜と直接接触する領域がある場合に発生するも
のと考えられる。これは、シール、封止材、スペーサ、
保護層、着色層等に含まれる不純物が、表示領域に関与
する液晶層にしみだしていくことにより、不純物の液晶
層中への溶出や、その後の不純物の配向膜への吸着が原
因であるものと推測される。
【0010】疎水性パラメータLogPは、1―オクタ
ノール溶液と水溶液との分配比Pの対数である。このよ
うなLogPを用いる方法は、経験パラメータから計算
する方法である。 LogPには非常に多くの実測値が
あり、経験パラメータも揃っており、実測値と計算値と
がよく一致することが知られている。
ノール溶液と水溶液との分配比Pの対数である。このよ
うなLogPを用いる方法は、経験パラメータから計算
する方法である。 LogPには非常に多くの実測値が
あり、経験パラメータも揃っており、実測値と計算値と
がよく一致することが知られている。
【0011】LogPは平衡定数であるので、 Log
Pは、以下の式に示すように、液晶分子のオクタノール
溶液中と水溶液中の単位濃度当たりの自由エネルギーの
差(ΔG)に比例する。 ΔG=―2.3RTLogP ここで、液晶分子iのモル成分比をxiとし、疎水性パ
ラメータをLogPiとすると、系全体でのオクタノー
ル溶液中の自由エネルギーと水溶液中の自由エネルギー
の差は、下記式に示すように、各成分の自由エネルギー
の和である。
Pは、以下の式に示すように、液晶分子のオクタノール
溶液中と水溶液中の単位濃度当たりの自由エネルギーの
差(ΔG)に比例する。 ΔG=―2.3RTLogP ここで、液晶分子iのモル成分比をxiとし、疎水性パ
ラメータをLogPiとすると、系全体でのオクタノー
ル溶液中の自由エネルギーと水溶液中の自由エネルギー
の差は、下記式に示すように、各成分の自由エネルギー
の和である。
【0012】 ΔGtotal=ΣΔG= ―2.3RTLogPi 従って、LogPについては加成性が成立し、ΣxiL
ogPi=LogPとして液晶混合物のLogPを求め
ることが出来る。下記表1に、液晶成分の分子構造と、
疎水性パラメータLogP、分極率α、双極子モーメン
トDMの各計算値を示す。
ogPi=LogPとして液晶混合物のLogPを求め
ることが出来る。下記表1に、液晶成分の分子構造と、
疎水性パラメータLogP、分極率α、双極子モーメン
トDMの各計算値を示す。
【0013】
【表1】
【0014】上記表1から、末端基が−OCF3基であ
る液晶成分が特徴的であることがわかる。即ち、この液
晶成分は、LogPが大きく、疎水性が大きいにもかか
わらず、分極率α(誘電率に比例)が、末端基がF基の
液晶成分に比べて大きいことが特徴的である。
る液晶成分が特徴的であることがわかる。即ち、この液
晶成分は、LogPが大きく、疎水性が大きいにもかか
わらず、分極率α(誘電率に比例)が、末端基がF基の
液晶成分に比べて大きいことが特徴的である。
【0015】通常は、疎水性を増やそうとすると、極性
基を減らすために誘電率が低下してしまう。誘電率が低
下すると、駆動電圧が高くなるため好ましくない。この
末端OCF3基を有する液晶は、疎水性が高く、保持率
の低下が少なく、かつ駆動電圧も低くできる可能性があ
ることを示している。
基を減らすために誘電率が低下してしまう。誘電率が低
下すると、駆動電圧が高くなるため好ましくない。この
末端OCF3基を有する液晶は、疎水性が高く、保持率
の低下が少なく、かつ駆動電圧も低くできる可能性があ
ることを示している。
【0016】次に、第3の発明は、基板と、前記基板上
に配置された着色層と、前記着色層上に配置された電極
とを有するカラーフィルタ基板、前記カラーフィルタ基
板と対向して配置された対向基板、前記カラーフィルタ
基板と前記対向基板とを所定の間隙をあけて配置して接
着する液晶注入口を除いて基板外周に配置されたシール
手段、前記間隙間を保持するスペーサ、前記液晶注入口
から前記間隙に注入されてなる液晶組成物からなる液晶
層、および前記液晶注入口を封止する封止材を具備し、
前記着色層が、アルキル酸、フェニルカルボン酸、フェ
ニルカルボン酸誘導体、フェニレンジカルボン酸、フェ
ニレンジカルボン酸誘導体、アルキルアミン、アニリ
ン、アニリン誘導体、フェニレンジアミン、フェニレン
ジアミン誘導体、フェニレンアミンカルボン酸、フェニ
レンアミンカルボン酸誘導体、アルキルイミド、フタル
イミド誘導体、シアノベンゼン誘導体、およびジシアノ
ベンゼン誘導体からなる群から選ばれた少なくとも1種
の有機不純物を含有する液晶表示装置において、前記液
晶組成物が、分子末端−OCF3基を有する液晶化合物
を少なくとも1種類以上含み、前記液晶化合物の含有量
が5重量%以上であることを特徴とする液晶表示装置を
提供する。
に配置された着色層と、前記着色層上に配置された電極
とを有するカラーフィルタ基板、前記カラーフィルタ基
板と対向して配置された対向基板、前記カラーフィルタ
基板と前記対向基板とを所定の間隙をあけて配置して接
着する液晶注入口を除いて基板外周に配置されたシール
手段、前記間隙間を保持するスペーサ、前記液晶注入口
から前記間隙に注入されてなる液晶組成物からなる液晶
層、および前記液晶注入口を封止する封止材を具備し、
前記着色層が、アルキル酸、フェニルカルボン酸、フェ
ニルカルボン酸誘導体、フェニレンジカルボン酸、フェ
ニレンジカルボン酸誘導体、アルキルアミン、アニリ
ン、アニリン誘導体、フェニレンジアミン、フェニレン
ジアミン誘導体、フェニレンアミンカルボン酸、フェニ
レンアミンカルボン酸誘導体、アルキルイミド、フタル
イミド誘導体、シアノベンゼン誘導体、およびジシアノ
ベンゼン誘導体からなる群から選ばれた少なくとも1種
の有機不純物を含有する液晶表示装置において、前記液
晶組成物が、分子末端−OCF3基を有する液晶化合物
を少なくとも1種類以上含み、前記液晶化合物の含有量
が5重量%以上であることを特徴とする液晶表示装置を
提供する。
【0017】また第4の発明は、アレイ基板、前記アレ
イ基板に対向して配置された対向基板、および前記アレ
イ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶組成物か
らなる液晶層を具備し、前記アレイ基板は、一主面に交
差して配置された複数の信号線および複数の走査線と、
前記交差部毎に配置されたスイッチング素子と、前記信
号線、前記走査線及び前記スイッチング素子の少なくと
も一部を覆うように配置された、異なる色の複数の着色
層と、前記着色層に形成されたスルーホール部を通して
前記スイッチング素子の各々に接続された、前記着色層
上に配置された複数の画素電極とを有し、前記着色層
は、アルキル酸、フェニルカルボン酸、フェニルカルボ
ン酸誘導体、フェニレンジカルボン酸、フェニレンジカ
ルボン酸誘導体、アルキルアミン、アニリン、アニリン
誘導体、フェニレンジアミン、フェニレンジアミン誘導
体、フェニレンアミンカルボン酸、フェニレンアミンカ
ルボン酸誘導体、およびアルキルイミド、フタルイミド
誘導体、シアノベンゼン誘導体、およびジシアノベンゼ
ン誘導体からなる群から選ばれた少なくとも1種の有機
不純物を含有する液晶表示装置において、前記液晶組成
物が、分子末端−OCF3基を有する液晶化合物を少な
くとも1種類以上含み、前記液晶化合物の含有量が5重
量%以上であることを特徴とする液晶表示装置を提供す
る。
イ基板に対向して配置された対向基板、および前記アレ
イ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶組成物か
らなる液晶層を具備し、前記アレイ基板は、一主面に交
差して配置された複数の信号線および複数の走査線と、
前記交差部毎に配置されたスイッチング素子と、前記信
号線、前記走査線及び前記スイッチング素子の少なくと
も一部を覆うように配置された、異なる色の複数の着色
層と、前記着色層に形成されたスルーホール部を通して
前記スイッチング素子の各々に接続された、前記着色層
上に配置された複数の画素電極とを有し、前記着色層
は、アルキル酸、フェニルカルボン酸、フェニルカルボ
ン酸誘導体、フェニレンジカルボン酸、フェニレンジカ
ルボン酸誘導体、アルキルアミン、アニリン、アニリン
誘導体、フェニレンジアミン、フェニレンジアミン誘導
体、フェニレンアミンカルボン酸、フェニレンアミンカ
ルボン酸誘導体、およびアルキルイミド、フタルイミド
誘導体、シアノベンゼン誘導体、およびジシアノベンゼ
ン誘導体からなる群から選ばれた少なくとも1種の有機
不純物を含有する液晶表示装置において、前記液晶組成
物が、分子末端−OCF3基を有する液晶化合物を少な
くとも1種類以上含み、前記液晶化合物の含有量が5重
量%以上であることを特徴とする液晶表示装置を提供す
る。
【0018】以上の第3及び第4の発明によると、分子
末端にOCF3基を有する液晶化合物を5%以上含有す
る液晶組成物を用いることにより、焼き付きや表示むら
を防止することができる。
末端にOCF3基を有する液晶化合物を5%以上含有す
る液晶組成物を用いることにより、焼き付きや表示むら
を防止することができる。
【0019】発明者らの検討によると、表示むらは、着
色層の中の有機不純物が液晶層や配向膜中に溶出し、そ
の結果、配向むらや焼き付け現象などの表示むらが発生
することが分かった。すなわち、アルキル酸、フェニル
カルボン酸、フェニルカルボン酸誘導体、フェニレンジ
カルボン酸、フェニレンジカルボン酸誘導体、アルキル
アミン、アニリン、アニリン誘導体、フェニレンジアミ
ン、フェニレンジアミン誘導体、フェニレンアミンカル
ボン酸、フェニレンアミンカルボン酸誘導体、アルキル
イミドなどの有機不純物が着色層に含まれており、これ
が原因であることが分かった。
色層の中の有機不純物が液晶層や配向膜中に溶出し、そ
の結果、配向むらや焼き付け現象などの表示むらが発生
することが分かった。すなわち、アルキル酸、フェニル
カルボン酸、フェニルカルボン酸誘導体、フェニレンジ
カルボン酸、フェニレンジカルボン酸誘導体、アルキル
アミン、アニリン、アニリン誘導体、フェニレンジアミ
ン、フェニレンジアミン誘導体、フェニレンアミンカル
ボン酸、フェニレンアミンカルボン酸誘導体、アルキル
イミドなどの有機不純物が着色層に含まれており、これ
が原因であることが分かった。
【0020】また、これらの不純物は、着色層の中でも
緑色層に多く含まれることが分かった。すなわち、通常
液晶表示装置のカラーフィルタの緑色着色材料に用いら
れる顔料は、G7やG36などのような、塩素化銅フタ
ロシアニン顔料、あるいは塩素化臭素化銅フタロシアニ
ン顔料であるが、これらには上記のような不純物が多く
含まれるのである。
緑色層に多く含まれることが分かった。すなわち、通常
液晶表示装置のカラーフィルタの緑色着色材料に用いら
れる顔料は、G7やG36などのような、塩素化銅フタ
ロシアニン顔料、あるいは塩素化臭素化銅フタロシアニ
ン顔料であるが、これらには上記のような不純物が多く
含まれるのである。
【0021】更に、顔料を着色ペーストに分散する際の
分散剤にも多くの不純物が含まれている。また、上記の
顔料や分散剤は、高温時やアルカリへの接触、あるいは
紫外線への暴露によって分解し、上記の有機不純物を発
生することが分かった。このように、緑色層は他の色、
すなわち例えば赤色層や青色層に比べて多くの不純物を
液晶層や配向膜層に発生させることが分かった。
分散剤にも多くの不純物が含まれている。また、上記の
顔料や分散剤は、高温時やアルカリへの接触、あるいは
紫外線への暴露によって分解し、上記の有機不純物を発
生することが分かった。このように、緑色層は他の色、
すなわち例えば赤色層や青色層に比べて多くの不純物を
液晶層や配向膜層に発生させることが分かった。
【0022】更にまた、発明者らは、着色層、特に塩素
化銅フタロシアニン顔料、あるいは塩素化臭素化銅フタ
ロシアニン顔料、あるいはこれらの誘導体からなる顔料
を有する緑着色層がら溶出する不純物に起因した表示む
ら、焼き付け現象は、用いる液晶組成物の種類によって
大きく異なることを見いだした。
化銅フタロシアニン顔料、あるいは塩素化臭素化銅フタ
ロシアニン顔料、あるいはこれらの誘導体からなる顔料
を有する緑着色層がら溶出する不純物に起因した表示む
ら、焼き付け現象は、用いる液晶組成物の種類によって
大きく異なることを見いだした。
【0023】これは、液晶組成物に含有される液晶化合
物の化学構造により、上記の不純物を溶出させる能力が
異なるためと考えられる。第3及び第4の発明は、この
ような知見に基づくものである。
物の化学構造により、上記の不純物を溶出させる能力が
異なるためと考えられる。第3及び第4の発明は、この
ような知見に基づくものである。
【0024】なお、上述の有機不純物として、下記
(1)式で表されるアルキル酸、下記(2)式で表され
るフェニルカルボン酸またはフェニルカルボン酸誘導
体、下記(3)式で表されるフェニレンジカルボン酸ま
たはフェニレンジカルボン酸誘導体、下記(4)式で表
されるアルキルアミン、下記(5)式で表されるアニリ
ンまたはアニリン誘導体、下記(6)式で表されるフェ
ニレンジアミンまたはフェニレンジアミン誘導体、下記
(7)式で表されるフェニレンアミンカルボン酸または
フェニレンアミンカルボン酸誘導体、下記(8)式で表
されるアルキルイミド、下記(9)式で表されるフタル
イミド誘導体、下記(10)式で表されるシアノベンゼ
ン誘導体、下記(11)式で表されるジシアノベンゼン
誘導体が挙げられる。
(1)式で表されるアルキル酸、下記(2)式で表され
るフェニルカルボン酸またはフェニルカルボン酸誘導
体、下記(3)式で表されるフェニレンジカルボン酸ま
たはフェニレンジカルボン酸誘導体、下記(4)式で表
されるアルキルアミン、下記(5)式で表されるアニリ
ンまたはアニリン誘導体、下記(6)式で表されるフェ
ニレンジアミンまたはフェニレンジアミン誘導体、下記
(7)式で表されるフェニレンアミンカルボン酸または
フェニレンアミンカルボン酸誘導体、下記(8)式で表
されるアルキルイミド、下記(9)式で表されるフタル
イミド誘導体、下記(10)式で表されるシアノベンゼ
ン誘導体、下記(11)式で表されるジシアノベンゼン
誘導体が挙げられる。
【0025】
【化1】
【0026】
【化2】
【0027】
【化3】
【0028】以上の式において、R1は炭素数1ないし
20のアルキル基、R2は―Hまたは炭素数1ないし2
0のアルキル基、R3は炭素数1ないし20のアルキル
基、V,W,X,Y,Zは炭素数1ないし10のアルキ
ル基、炭素数1ないし10のアルコキルル基、―F、―
Cl、―Br、―C6 H5 、―Hから選ばれる1つ、
nは1または2である。
20のアルキル基、R2は―Hまたは炭素数1ないし2
0のアルキル基、R3は炭素数1ないし20のアルキル
基、V,W,X,Y,Zは炭素数1ないし10のアルキ
ル基、炭素数1ないし10のアルコキルル基、―F、―
Cl、―Br、―C6 H5 、―Hから選ばれる1つ、
nは1または2である。
【0029】以上説明した有機不純物の液晶への溶出量
は、有機不純物を含む着色材料の硬化片10mm3と液
晶50ccをアンプル管に収容し、封止した後、80℃
で100時間保存し、次いで分析することにより求める
ことが出来る。抽出する液晶材料としては、フッ素系液
晶やシアノ系ネマティック液晶を使用する事が出来、具
体的にはZL1−1565(E.メルク社製)のシアノ
系液晶またはLOXON5001(チッソ社製)のフッ
素系液晶を用いた。測定機には、ガスクロマト分析装置
である島津14A(島津社製)を用いた。
は、有機不純物を含む着色材料の硬化片10mm3と液
晶50ccをアンプル管に収容し、封止した後、80℃
で100時間保存し、次いで分析することにより求める
ことが出来る。抽出する液晶材料としては、フッ素系液
晶やシアノ系ネマティック液晶を使用する事が出来、具
体的にはZL1−1565(E.メルク社製)のシアノ
系液晶またはLOXON5001(チッソ社製)のフッ
素系液晶を用いた。測定機には、ガスクロマト分析装置
である島津14A(島津社製)を用いた。
【0030】本発明において使用可能な、着色層に含ま
れる顔料として、下記に示すものが挙げられるが、これ
らに限定されるものではない。
れる顔料として、下記に示すものが挙げられるが、これ
らに限定されるものではない。
【0031】緑色顔料例
【化4】
【0032】青色顔料例
【化5】
【0033】赤色顔料例
【化6】
【0034】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。最初に、本発明の第1および第2の発明に
係る実施形態について説明する。本発明者らは、液晶組
成物の組成を変えて液晶セルを構成し、種々の有機物お
よび無機物が混入した場合に、液晶セルの表示特性に与
える影響(特に電圧保持率低下)に関する実験を以下の
ように行った。
て説明する。最初に、本発明の第1および第2の発明に
係る実施形態について説明する。本発明者らは、液晶組
成物の組成を変えて液晶セルを構成し、種々の有機物お
よび無機物が混入した場合に、液晶セルの表示特性に与
える影響(特に電圧保持率低下)に関する実験を以下の
ように行った。
【0035】液晶セルは、ガラス基板上にスイッチング
素子及び画素電極を有するアレイ基板と、ガラス基板上
に対向電極を有する対向基板に、それぞれ配向膜を塗布
し、これら配向膜が対向するように2枚の基板を配置し
て、基板間に液晶層を挟持したTN構造とした。付着物
として種々の有機物、無機物を配向膜上に付着させた状
態で、電圧保持率を評価した。液晶材料としては、フッ
素系液晶混合物を用いた。
素子及び画素電極を有するアレイ基板と、ガラス基板上
に対向電極を有する対向基板に、それぞれ配向膜を塗布
し、これら配向膜が対向するように2枚の基板を配置し
て、基板間に液晶層を挟持したTN構造とした。付着物
として種々の有機物、無機物を配向膜上に付着させた状
態で、電圧保持率を評価した。液晶材料としては、フッ
素系液晶混合物を用いた。
【0036】電圧保持率測定用液晶セルは、次のように
して作製された。まず、2枚のITO基板を準備し、そ
れぞれの基板上に配向膜材料(可溶性ポリイミド;SE
−5291:日産化学社製)を塗布し、80℃で60分
の熱処理を行い、ラビング処理を行って、配向膜を形成
した。
して作製された。まず、2枚のITO基板を準備し、そ
れぞれの基板上に配向膜材料(可溶性ポリイミド;SE
−5291:日産化学社製)を塗布し、80℃で60分
の熱処理を行い、ラビング処理を行って、配向膜を形成
した。
【0037】これら配向膜上に部分的にドデカン酸をIP
A(イソプロピルアルコール)に溶解した10重量%I
PA溶液1μリットルを塗布して、不純物を付着させ
た。そして、これら2枚の基板間に10種の液晶組成物
を挟持させて、10個の液晶セルを組み立て、それらの
電圧保持率(%)を測定した。また、参照として、不純
物を付着させないで同様に10個の液晶セルを作製し、
それらの電圧保持率(%)を測定した。問題となるの
は、不純物を付着させた液晶セルと、不純物を付着させ
ない液晶セルの電圧保持率(%)の差ΔV(%)であ
り、ΔVが小さい方が好ましい。
A(イソプロピルアルコール)に溶解した10重量%I
PA溶液1μリットルを塗布して、不純物を付着させ
た。そして、これら2枚の基板間に10種の液晶組成物
を挟持させて、10個の液晶セルを組み立て、それらの
電圧保持率(%)を測定した。また、参照として、不純
物を付着させないで同様に10個の液晶セルを作製し、
それらの電圧保持率(%)を測定した。問題となるの
は、不純物を付着させた液晶セルと、不純物を付着させ
ない液晶セルの電圧保持率(%)の差ΔV(%)であ
り、ΔVが小さい方が好ましい。
【0038】次に、焼き付け欠陥評価用の液晶セルを以
下のようにして作製した。まず、アレイ基板と対向基板
を準備し、それぞれの基板上に配向膜材料(可溶性ポリ
イミド;SE−5291:日産化学社製)を塗布し、8
0℃で60分の熱処理を行い、ラビング処理を行って、
配向膜を形成した。
下のようにして作製した。まず、アレイ基板と対向基板
を準備し、それぞれの基板上に配向膜材料(可溶性ポリ
イミド;SE−5291:日産化学社製)を塗布し、8
0℃で60分の熱処理を行い、ラビング処理を行って、
配向膜を形成した。
【0039】これら配向膜上に部分的に、不純物として
ドデカン酸をIPA(イソプロピルアルコール)に溶解し
た10重量%IPA溶液1μリットルを塗布して、不純
物を付着させた。そして、これら2枚の基板間に10種
の液晶組成物を挟持させて、10個の液晶セルを組み立
てた。
ドデカン酸をIPA(イソプロピルアルコール)に溶解し
た10重量%IPA溶液1μリットルを塗布して、不純
物を付着させた。そして、これら2枚の基板間に10種
の液晶組成物を挟持させて、10個の液晶セルを組み立
てた。
【0040】焼き付け欠陥評価の方法としては、この液
晶セルに対し、市松模様のパターンを3時間連続点灯駆
動させた後、全面階調パターンにて不純物塗布領域周辺
の市松模様の焼き付けむらの程度を評価した。更に、こ
の液晶セルを50℃、80%で100時間連続点灯評価
を行い、信頼性試験による表示むらの有無を評価した。
晶セルに対し、市松模様のパターンを3時間連続点灯駆
動させた後、全面階調パターンにて不純物塗布領域周辺
の市松模様の焼き付けむらの程度を評価した。更に、こ
の液晶セルを50℃、80%で100時間連続点灯評価
を行い、信頼性試験による表示むらの有無を評価した。
【0041】液晶分子の疎水性パラメータLogPの化
学計算は、HyperChem(Hypercube社
製)を用い、パーソナルコンピュータ(PV3000:
東芝社製)上で行った。まず、分子力場計算(MM+)
を用いて液晶分子の最適コンフォメーションを計算し、
その構造について経験的QSAR(Quantitat
ive Structure―Activity Re
lationship)プログラムを用いて、疎水性パ
ラメータLogPを計算した。液晶分子は、種々の分子
の混合物であるが、アルキル基はすべてメチル基として
計算した。液晶同士の相対的相違を問題とするために
は、共通であるアルキル基は重要ではないからである。
学計算は、HyperChem(Hypercube社
製)を用い、パーソナルコンピュータ(PV3000:
東芝社製)上で行った。まず、分子力場計算(MM+)
を用いて液晶分子の最適コンフォメーションを計算し、
その構造について経験的QSAR(Quantitat
ive Structure―Activity Re
lationship)プログラムを用いて、疎水性パ
ラメータLogPを計算した。液晶分子は、種々の分子
の混合物であるが、アルキル基はすべてメチル基として
計算した。液晶同士の相対的相違を問題とするために
は、共通であるアルキル基は重要ではないからである。
【0042】下記表2に、上記表1に示す種々の液晶分
子構造を有する液晶を組合せ、混合して作った、異なる
LogP値を有する各種液晶混合物(LC1−LC1
0)のLogP、以上のようにして求めた液晶セルのΔ
V、白抜け不良および焼き付け不良の有無を示す。
子構造を有する液晶を組合せ、混合して作った、異なる
LogP値を有する各種液晶混合物(LC1−LC1
0)のLogP、以上のようにして求めた液晶セルのΔ
V、白抜け不良および焼き付け不良の有無を示す。
【0043】
【表2】
【0044】上記表2から、107/PとΔVはほぼ正
比例していることがわかる。ΔVが10%以下であるた
めには、107/Pが10以下、すなわちLogPが6
以上であればよいことがわかる。ΔVが10%以下であ
れば白抜き欠陥は生じないことが、TFTアレイ基板を
用いた別の実験から分かっている。また、より好ましく
は、LogPが6.3以上であれば、ΔVは5%以下と
なり、液晶表示装置の信頼性は更に向上する。
比例していることがわかる。ΔVが10%以下であるた
めには、107/Pが10以下、すなわちLogPが6
以上であればよいことがわかる。ΔVが10%以下であ
れば白抜き欠陥は生じないことが、TFTアレイ基板を
用いた別の実験から分かっている。また、より好ましく
は、LogPが6.3以上であれば、ΔVは5%以下と
なり、液晶表示装置の信頼性は更に向上する。
【0045】1/Pは液晶分子の分配比[LC]aq/
[LC]octanolであり、[LC]aq>>[LC]octan
olであるから、1/Pは[LC]aqにほぼ比例する。
[LC]aqは液晶と水(極性物質)との相互作用の大き
さを示すと考えられるから、1/Pが大きいほど、極性
の不純物を含みやすく、 ΔVが大きくなる。
[LC]octanolであり、[LC]aq>>[LC]octan
olであるから、1/Pは[LC]aqにほぼ比例する。
[LC]aqは液晶と水(極性物質)との相互作用の大き
さを示すと考えられるから、1/Pが大きいほど、極性
の不純物を含みやすく、 ΔVが大きくなる。
【0046】図1は、上述の実施形態に係る液晶表示装
置を示す断面図である。図1に示すように、液晶表示装
置10は、対向基板120とカラーフィルタ基板110
の間に液晶層70を挟持しており、これらの2枚の基板
間距離は、粒状スペーサ31によって保持されている。
対向基板120とカラーフィルタ基板110は、液晶注
入口を除く基板外周を囲むように配置されるシール25
によって接着され、液晶注入口32には封止材が塗布さ
れている。シール材料としては、熱硬化型エポキシ系接
着剤ES−5500(三井東圧化学(株)社製)を用い
た。
置を示す断面図である。図1に示すように、液晶表示装
置10は、対向基板120とカラーフィルタ基板110
の間に液晶層70を挟持しており、これらの2枚の基板
間距離は、粒状スペーサ31によって保持されている。
対向基板120とカラーフィルタ基板110は、液晶注
入口を除く基板外周を囲むように配置されるシール25
によって接着され、液晶注入口32には封止材が塗布さ
れている。シール材料としては、熱硬化型エポキシ系接
着剤ES−5500(三井東圧化学(株)社製)を用い
た。
【0047】対向基板120は、透明基板21上にIT
Oからなる透明電極22および配向膜13を順次配置し
て構成されている。さらに、図2に示すように、カラー
フィルタ基板(アレイ基板)110は、透明基板11上
にMoW(モリブデン・タングステン)からなる走査線
(図示せず)及びゲート電極16が配置され、走査線及
びゲート電極16を覆うように酸化シリコンおよび窒化
シリコンからなるゲート絶縁膜12を配置して構成され
ている。
Oからなる透明電極22および配向膜13を順次配置し
て構成されている。さらに、図2に示すように、カラー
フィルタ基板(アレイ基板)110は、透明基板11上
にMoW(モリブデン・タングステン)からなる走査線
(図示せず)及びゲート電極16が配置され、走査線及
びゲート電極16を覆うように酸化シリコンおよび窒化
シリコンからなるゲート絶縁膜12を配置して構成され
ている。
【0048】ゲート絶縁膜12上には、アモルファスシ
リコンからなる半導体層15が配置され、更にMo/A
l/Moの3層構造からなるソース電極20、ドレイン
電極18、信号線(図示せず)が配置されている。信号
線及び走査線は交差して配置され、その交差部毎にゲー
ト電極16、ゲート絶縁膜12、半導体層15、ソース
電極20、ドレイン電極18からなるスイッチング素子
14と、このスイッチング素子に接続する画素電極30
が配置されている。
リコンからなる半導体層15が配置され、更にMo/A
l/Moの3層構造からなるソース電極20、ドレイン
電極18、信号線(図示せず)が配置されている。信号
線及び走査線は交差して配置され、その交差部毎にゲー
ト電極16、ゲート絶縁膜12、半導体層15、ソース
電極20、ドレイン電極18からなるスイッチング素子
14と、このスイッチング素子に接続する画素電極30
が配置されている。
【0049】そして、スイッチング素子14を覆うよう
に、赤色着色層(R)24a、緑色着色層(G)24
b、青色着色層(B)24cがストライプ状に配置され
ている。画素電極30は、この着色層24上に配置され
ており、着色層24に形成されているスルーホール26
を介してソース電極20と接続している。更に、画素電
極30及び着色層24を覆うように、基板全面には配向
膜13が配置されている。
に、赤色着色層(R)24a、緑色着色層(G)24
b、青色着色層(B)24cがストライプ状に配置され
ている。画素電極30は、この着色層24上に配置され
ており、着色層24に形成されているスルーホール26
を介してソース電極20と接続している。更に、画素電
極30及び着色層24を覆うように、基板全面には配向
膜13が配置されている。
【0050】着色層材料としては、紫外線硬化型アクリ
ル樹脂CK−2000、CG2000、CR―200
0、CB−2000(富士ハントテクノロジー(株)社
製)を、配向膜材料としては、ポリイミドSE-5294
(日産化学工業社製)を用いた。
ル樹脂CK−2000、CG2000、CR―200
0、CB−2000(富士ハントテクノロジー(株)社
製)を、配向膜材料としては、ポリイミドSE-5294
(日産化学工業社製)を用いた。
【0051】次に、以上説明した液晶表示装置の製造工
程について説明する。まず、カラーフィルタ基板110
の製造工程について説明する。透明基板11上に、スパ
ッタリング法により約0.3μmのモリブデン・タング
ステン膜を堆積し、パターニングすることにより、ゲー
ト電極16、及び走査線を形成した。次いで、CVD法
により、アモルファスシリコン膜を堆積し、これをパタ
ーニングして、TFTの半導体層15を形成した。
程について説明する。まず、カラーフィルタ基板110
の製造工程について説明する。透明基板11上に、スパ
ッタリング法により約0.3μmのモリブデン・タング
ステン膜を堆積し、パターニングすることにより、ゲー
ト電極16、及び走査線を形成した。次いで、CVD法
により、アモルファスシリコン膜を堆積し、これをパタ
ーニングして、TFTの半導体層15を形成した。
【0052】次に、Mo(モリブデン)、Al(アルミ
ニウム)、Mo(モリブデン)を順次堆積し、パターニ
ングして、信号線、ソース電極20、およびドレイン電
極18を形成した。
ニウム)、Mo(モリブデン)を順次堆積し、パターニ
ングして、信号線、ソース電極20、およびドレイン電
極18を形成した。
【0053】その後、紫外線硬化型アクリル系緑色レジ
スト液(上記CGY−S624D)を、電極が形成され
た基板上にスピンナ塗布した。続いて、約90℃で約5
分間プリベークし、所定のマスクパターンを用いて、1
50mJ/cm2の強度の紫外線により露光した。ここ
で用いるフォトマスクパターンは、緑色着色層に対応す
るストライプ形状パターンと、画素電極30とソース電
極12との接続のためのスルーホール26として直径1
5μmの円形形状パターンを有している。
スト液(上記CGY−S624D)を、電極が形成され
た基板上にスピンナ塗布した。続いて、約90℃で約5
分間プリベークし、所定のマスクパターンを用いて、1
50mJ/cm2の強度の紫外線により露光した。ここ
で用いるフォトマスクパターンは、緑色着色層に対応す
るストライプ形状パターンと、画素電極30とソース電
極12との接続のためのスルーホール26として直径1
5μmの円形形状パターンを有している。
【0054】続いて、約0.1重量%のTMAH(テト
ラメチルアンモニウムハイドライド)水溶液を用いて、
緑色レジスト膜を約60秒間現像し、さらに水洗い後、
約200℃で1時間ほどポストベークを行うことによっ
て、スルーホール26を有する緑色着色層24aを形成
した。
ラメチルアンモニウムハイドライド)水溶液を用いて、
緑色レジスト膜を約60秒間現像し、さらに水洗い後、
約200℃で1時間ほどポストベークを行うことによっ
て、スルーホール26を有する緑色着色層24aを形成
した。
【0055】続いて、青色着色層24b,赤色着色層2
4cを、緑色着色層24aと同様の工程により形成し
た。次に、着色層24上にスパッタリング法によりイン
ジウム・すず酸化物(ITO)を堆積し、これをパター
ニングすることにより画素電極30を形成し、ポリイミ
ドからなる配向膜材料を基板全面に塗布し、配向処理を
施して配向膜を形成し、カラーフィルタ基板110を得
た。
4cを、緑色着色層24aと同様の工程により形成し
た。次に、着色層24上にスパッタリング法によりイン
ジウム・すず酸化物(ITO)を堆積し、これをパター
ニングすることにより画素電極30を形成し、ポリイミ
ドからなる配向膜材料を基板全面に塗布し、配向処理を
施して配向膜を形成し、カラーフィルタ基板110を得
た。
【0056】次に、透明基板21上にスパッタリング法
によりITOを約100nmの厚さに堆積して対向電極
22を形成し、続いてポリイミドからなる配向膜材料を
基板全面に塗布し、配向処理を施して配向膜を形成し、
対向基板120を得た。
によりITOを約100nmの厚さに堆積して対向電極
22を形成し、続いてポリイミドからなる配向膜材料を
基板全面に塗布し、配向処理を施して配向膜を形成し、
対向基板120を得た。
【0057】その後、対向基板120の配向膜面上に、
直径約5μmの粒状スペーサ31を1平方mmあたり約
100個の割合で散布した。続いて、図3に示すよう
に、対向基板120の外周周辺部に所定の大きさを有す
るファイバを混入したシール材25を、液晶注入用の注
入口32を除いて塗布した。この対向基板120、カラ
ーフィルタ基板110とをシール材25により貼り合わ
せて、空状態のセルが完成する。
直径約5μmの粒状スペーサ31を1平方mmあたり約
100個の割合で散布した。続いて、図3に示すよう
に、対向基板120の外周周辺部に所定の大きさを有す
るファイバを混入したシール材25を、液晶注入用の注
入口32を除いて塗布した。この対向基板120、カラ
ーフィルタ基板110とをシール材25により貼り合わ
せて、空状態のセルが完成する。
【0058】次に、カイラル材が添加されたネマティッ
ク液晶材料(上記表2に示すLogP値が異なる液晶混
合物LC1〜LC10のいずれか1つ)を注入口32か
ら液晶セル内に真空注入し、注入後、注入口32を封止
材33としての紫外線硬化樹脂を用いて封止した後、セ
ルの両側にそれぞれ偏光板(図示せず)を配置すること
により、液晶表示装置が完成する。
ク液晶材料(上記表2に示すLogP値が異なる液晶混
合物LC1〜LC10のいずれか1つ)を注入口32か
ら液晶セル内に真空注入し、注入後、注入口32を封止
材33としての紫外線硬化樹脂を用いて封止した後、セ
ルの両側にそれぞれ偏光板(図示せず)を配置すること
により、液晶表示装置が完成する。
【0059】以上のようにして、それぞれ異なるLog
Pを有する液晶混合物を注入してつくられた液晶表示装
置について、ライフ試験を行った。即ち、80℃で画像
表示を行い、白抜き不良が発生するまでの時間と焼き付
き不良が発生するまでの時間を測定した。その結果を下
記表3に示す。なお、測定は1000時間まで行い、表
中の「発生せず」は、1000時間経過時に発生してい
ないことである。
Pを有する液晶混合物を注入してつくられた液晶表示装
置について、ライフ試験を行った。即ち、80℃で画像
表示を行い、白抜き不良が発生するまでの時間と焼き付
き不良が発生するまでの時間を測定した。その結果を下
記表3に示す。なお、測定は1000時間まで行い、表
中の「発生せず」は、1000時間経過時に発生してい
ないことである。
【0060】
【表3】
【0061】上記表3から、LogPが6以上の液晶混
合物を用いた液晶表示装置は、いずれも300時間以上
の実用的耐性を有していることがわかる。
合物を用いた液晶表示装置は、いずれも300時間以上
の実用的耐性を有していることがわかる。
【0062】次に、本発明の第3および第4の発明に係
る実施形態について説明する。最初に、発明者らが行っ
た実験結果について説明する。まず、1平方センチメー
トルのITO電極をそれぞれ有する2枚のガラス基板に
配向膜としてSE−74928(日産化学工業社製)を
80nmの厚みに塗布し、焼成した後、ラビングを行
い、両者の周辺をシールして空状態のセルを形成し、こ
のセル内に、液晶組成物として、分子末端に−OCF3
基を有する液晶化合物A、B、並びに、分子末端に−O
CF3基を有しない液晶化合物C、D、E、F、G、
H、Iを種々の濃度で混合した各種液晶組成物を作製
し、これに緑色の銅フタロシアニン顔料を3重量%添加
したものを注入し、電圧保持率測定用液晶セルを作製し
た。
る実施形態について説明する。最初に、発明者らが行っ
た実験結果について説明する。まず、1平方センチメー
トルのITO電極をそれぞれ有する2枚のガラス基板に
配向膜としてSE−74928(日産化学工業社製)を
80nmの厚みに塗布し、焼成した後、ラビングを行
い、両者の周辺をシールして空状態のセルを形成し、こ
のセル内に、液晶組成物として、分子末端に−OCF3
基を有する液晶化合物A、B、並びに、分子末端に−O
CF3基を有しない液晶化合物C、D、E、F、G、
H、Iを種々の濃度で混合した各種液晶組成物を作製
し、これに緑色の銅フタロシアニン顔料を3重量%添加
したものを注入し、電圧保持率測定用液晶セルを作製し
た。
【0063】この液晶セルについて、フレーム周波数1
6.6msのゲートパルスを印加した時に保持される電圧の
実効値を算出し、電圧保持率とした。測定温度は60℃
であった。その結果を下記表4に示す。
6.6msのゲートパルスを印加した時に保持される電圧の
実効値を算出し、電圧保持率とした。測定温度は60℃
であった。その結果を下記表4に示す。
【0064】また、緑色の銅フタロシアニン顔料を添加
しない各種液晶組成物を、実際にカラーフィルタが形成
されたアクティブマトリクス基板を用いた、図1に示す
ような液晶表示装置に注入し、焼き付きと、70℃、8
0%動作を300時間行った後の表示ムラを評価した。
その結果を同様に下記表4および表5に示す。
しない各種液晶組成物を、実際にカラーフィルタが形成
されたアクティブマトリクス基板を用いた、図1に示す
ような液晶表示装置に注入し、焼き付きと、70℃、8
0%動作を300時間行った後の表示ムラを評価した。
その結果を同様に下記表4および表5に示す。
【0065】なお、着色層材料として用いた赤色顔料
(ピグメントレッド)を含む紫外線硬化型アクリル樹脂
CRY−S623C(赤色)、緑色顔料(ピグメントグ
リーン7、ピグメントグリーン3b)を含むCGY−S
624D(緑色)、青色顔料(ピグメントブルー16)
を含むCBV−S625C(青色)(富士フィルムオー
リン(株)社製)の液晶組成物への溶出量は、それぞれ
500ppm、30ppm、10ppmである。
(ピグメントレッド)を含む紫外線硬化型アクリル樹脂
CRY−S623C(赤色)、緑色顔料(ピグメントグ
リーン7、ピグメントグリーン3b)を含むCGY−S
624D(緑色)、青色顔料(ピグメントブルー16)
を含むCBV−S625C(青色)(富士フィルムオー
リン(株)社製)の液晶組成物への溶出量は、それぞれ
500ppm、30ppm、10ppmである。
【0066】
【表4】
【0067】
【表5】
【0068】なお、用いた液晶化合物は、下記式に示す
通りである。 A:R−X−X−Y−OCF3 B:R−X−X−C2H4−Y−OCF3 C:R−X−X−Y−F2 D:R−X−Y−Y−F2 E:R−X−X−Y−F3 F:R−X−Y−Y−F3 G:R−X−X− C2H4−Y−F3 H:R−X−X−F。
通りである。 A:R−X−X−Y−OCF3 B:R−X−X−C2H4−Y−OCF3 C:R−X−X−Y−F2 D:R−X−Y−Y−F2 E:R−X−X−Y−F3 F:R−X−Y−Y−F3 G:R−X−X− C2H4−Y−F3 H:R−X−X−F。
【0069】式中、Rは炭素数1ないし8のアルキル
基、Xはシクロヘキサン、Yはベンゼン、− F2は、2
つのF原子で置換されていること、−F3は、3つのF
原子で置換されていることを示す。また、表4には記載
していないが、実際には上記液晶組成物にカイラル材と
してS−811(メルクジャパン社製)を0.5wt%
添加したもの作製し、これを各セルに注入し、各液晶表
示装置の評価を行った。
基、Xはシクロヘキサン、Yはベンゼン、− F2は、2
つのF原子で置換されていること、−F3は、3つのF
原子で置換されていることを示す。また、表4には記載
していないが、実際には上記液晶組成物にカイラル材と
してS−811(メルクジャパン社製)を0.5wt%
添加したもの作製し、これを各セルに注入し、各液晶表
示装置の評価を行った。
【0070】上記表4および表5から明らかなように、
―OCF3基を分子末端に有する液晶化合物の含有量が
5%未満の液晶組成物を用いた場合は、G7やG36を
添加した時の電圧保持率の低下が著しく、また、焼き付
きや表示ムラも発生したのに対し、―OCF3基を分子
末端に有する液晶化合物を5%以上含有する液晶組成物
を用いた場合、G7やG36を添加した時の電圧保持率
の低下が殆ど無く、また、実際の焼き付きや表示ムラも
発生していないことが分かる。
―OCF3基を分子末端に有する液晶化合物の含有量が
5%未満の液晶組成物を用いた場合は、G7やG36を
添加した時の電圧保持率の低下が著しく、また、焼き付
きや表示ムラも発生したのに対し、―OCF3基を分子
末端に有する液晶化合物を5%以上含有する液晶組成物
を用いた場合、G7やG36を添加した時の電圧保持率
の低下が殆ど無く、また、実際の焼き付きや表示ムラも
発生していないことが分かる。
【0071】このように、本発明の第3および第4の発
明に係る実施形態においては、分子末端に―OCF3基
を有する液晶化合物を5%以上含有する液晶組成物を用
いることにより、焼き付きや表示ムラを効果的に防止す
ることができる。
明に係る実施形態においては、分子末端に―OCF3基
を有する液晶化合物を5%以上含有する液晶組成物を用
いることにより、焼き付きや表示ムラを効果的に防止す
ることができる。
【0072】なお、着色層を有するカラーフィルタ基板
とアクティブマトリクスアレイ基板とを対向して設置す
る液晶表示素子の場合、通常はカラーフィルタ基板上の
電極は着色層を全面覆っていることが多いが、必要に応
じて対向するアレイ基板上の表示電極に対応してカラー
フィルタ基板の電極に設けられた穴により発生する電界
により液晶分子配向を制御することがあり、この場合に
は着色層は直接、または、必要応じて設けられて配向膜
を介して液晶層に接触することになる。このような場
合、本発明は特に効果を発揮する。
とアクティブマトリクスアレイ基板とを対向して設置す
る液晶表示素子の場合、通常はカラーフィルタ基板上の
電極は着色層を全面覆っていることが多いが、必要に応
じて対向するアレイ基板上の表示電極に対応してカラー
フィルタ基板の電極に設けられた穴により発生する電界
により液晶分子配向を制御することがあり、この場合に
は着色層は直接、または、必要応じて設けられて配向膜
を介して液晶層に接触することになる。このような場
合、本発明は特に効果を発揮する。
【0073】また、アレイ基板上に着色層が設けられ、
信号線、走査線及びスイッチング素子の少なくとも一部
を覆うように着色層が配置され、これに形成されるスル
ーホール部によりスイッチング素子と画素委電極が接続
される構成の場合、着色層には保護層が設けられていな
いときには、必然的に着色層が画素電極から露出するこ
とになる。この場合も、本発明は特に効果を発揮する。
信号線、走査線及びスイッチング素子の少なくとも一部
を覆うように着色層が配置され、これに形成されるスル
ーホール部によりスイッチング素子と画素委電極が接続
される構成の場合、着色層には保護層が設けられていな
いときには、必然的に着色層が画素電極から露出するこ
とになる。この場合も、本発明は特に効果を発揮する。
【0074】次に、本発明の第3および第4の発明に係
る実施形態の他の例について、図4を参照して説明す
る。
る実施形態の他の例について、図4を参照して説明す
る。
【0075】上述の液晶表示装置では、スイッチング素
子が逆スタガ型で、半導体層としてアモルファスシリコ
ンを用いているのに対し、この例では、スイッチング素
子が正スタガ型で、半導体層としてポリシリコンを用い
ている。また、上述の例では、スペーサとして球状のス
ペーサを用いているのに対し、本例では、一方の基板に
固定された柱状スペーサを用いている。また、本実施形
態では、スペーサとしては、赤、緑、青の顔料が混入さ
れた黒色樹脂を用いた。
子が逆スタガ型で、半導体層としてアモルファスシリコ
ンを用いているのに対し、この例では、スイッチング素
子が正スタガ型で、半導体層としてポリシリコンを用い
ている。また、上述の例では、スペーサとして球状のス
ペーサを用いているのに対し、本例では、一方の基板に
固定された柱状スペーサを用いている。また、本実施形
態では、スペーサとしては、赤、緑、青の顔料が混入さ
れた黒色樹脂を用いた。
【0076】図4に示すように、液晶表示装置100
は、対向基板120とカラーフィルタ基板(アレイ基
板)310の間に液晶層70を挟持しており、これらの
2枚の基板間距離は、例えば柱状スペーサ219によっ
て保持されている。
は、対向基板120とカラーフィルタ基板(アレイ基
板)310の間に液晶層70を挟持しており、これらの
2枚の基板間距離は、例えば柱状スペーサ219によっ
て保持されている。
【0077】対向基板120は、透明基板21上に対向
電極22および配向膜13を順次配置して構成されてい
る。一方、カラーフィルタ基板(アレイ基板)310
は、透明基板210上に酸化ケイ素膜と窒化ケイ素膜の
2層構造からなるアンダ−コ−ティング層211を配置
し、その上に半導体活性層(チャネル領域)214およ
びソース・ドレインとなる高濃度不純物領域213を配
置し、これらを覆うようにゲート酸化膜212を形成
し、このゲート酸化膜212上にゲート電極215を配
置して、正スタガ型のポリシリコンTFTが構成されて
いる。
電極22および配向膜13を順次配置して構成されてい
る。一方、カラーフィルタ基板(アレイ基板)310
は、透明基板210上に酸化ケイ素膜と窒化ケイ素膜の
2層構造からなるアンダ−コ−ティング層211を配置
し、その上に半導体活性層(チャネル領域)214およ
びソース・ドレインとなる高濃度不純物領域213を配
置し、これらを覆うようにゲート酸化膜212を形成
し、このゲート酸化膜212上にゲート電極215を配
置して、正スタガ型のポリシリコンTFTが構成されて
いる。
【0078】なお、走査線(図示せず)は、ゲート電極
215と同一の工程で形成される。走査線およびゲート
酸化膜212上には、MoとAlの2層構造からなる信
号線219が配置されている。信号線219は、層間絶
縁膜220とゲート酸化膜212を貫通する第1のコン
タクトホール221を介して高濃度不純物領域213に
接続されている。
215と同一の工程で形成される。走査線およびゲート
酸化膜212上には、MoとAlの2層構造からなる信
号線219が配置されている。信号線219は、層間絶
縁膜220とゲート酸化膜212を貫通する第1のコン
タクトホール221を介して高濃度不純物領域213に
接続されている。
【0079】信号線219上には、酸化ケイ素膜と窒化
ケイ素膜の2層構造からなる無機絶縁膜216、赤、
青、緑の3色のストライプ状の厚さ3μmの有機樹脂か
らなる着色層217が配置されている。有機樹脂として
は、紫外線硬化型アクリル樹脂CK−2000(商品
名:富士フィルムオウリン(株)社製)を用いた。
ケイ素膜の2層構造からなる無機絶縁膜216、赤、
青、緑の3色のストライプ状の厚さ3μmの有機樹脂か
らなる着色層217が配置されている。有機樹脂として
は、紫外線硬化型アクリル樹脂CK−2000(商品
名:富士フィルムオウリン(株)社製)を用いた。
【0080】無機絶縁膜216および着色層217に
は、第2のコンタクトホール222が形成されている。
着色層217上には、後に形成される画素電極の非形成
領域に、アレイ基板310と対向基板120との基板間
間隔を保持するための上述した柱状スペーサ230が配
置されている。なお、この柱状スペーサ230を形成す
る際に、基板の外周に沿って、額縁状に額縁遮光層も同
時に形成した。
は、第2のコンタクトホール222が形成されている。
着色層217上には、後に形成される画素電極の非形成
領域に、アレイ基板310と対向基板120との基板間
間隔を保持するための上述した柱状スペーサ230が配
置されている。なお、この柱状スペーサ230を形成す
る際に、基板の外周に沿って、額縁状に額縁遮光層も同
時に形成した。
【0081】また、着色層217上には、ITOからな
る画素電極218が配置され、この画素電極218は、
信号線219と電気的に接続されている。更に、柱状ス
ペーサ219、画素電極218、着色層217を覆うよ
うに、配向膜13が設けられている。
る画素電極218が配置され、この画素電極218は、
信号線219と電気的に接続されている。更に、柱状ス
ペーサ219、画素電極218、着色層217を覆うよ
うに、配向膜13が設けられている。
【0082】以上のように構成された液晶表示素子は、
分子末端に―OCF3基を有する液晶化合物を20wt%含有
する、上記表4に示す(1)の液晶組成物を用いてお
り、そのため、配向むらや焼き付きなどの表示むらは認
められなかった。
分子末端に―OCF3基を有する液晶化合物を20wt%含有
する、上記表4に示す(1)の液晶組成物を用いてお
り、そのため、配向むらや焼き付きなどの表示むらは認
められなかった。
【0083】また、上記例では、スイッチング素子が配
置されるアレイ基板側にカラーフィルタを配置している
が、対向基板上にカラーフィルタを配置する場合にも適
用できることは言うまでもなく、更には、特に対向基板
上の電極に開口部があり、着色層が配向膜を介して液晶
層に接する、あるいは直接着色層が液晶層に接している
ような場合などに非常に大きな効果をもって適用するこ
とが出来る。
置されるアレイ基板側にカラーフィルタを配置している
が、対向基板上にカラーフィルタを配置する場合にも適
用できることは言うまでもなく、更には、特に対向基板
上の電極に開口部があり、着色層が配向膜を介して液晶
層に接する、あるいは直接着色層が液晶層に接している
ような場合などに非常に大きな効果をもって適用するこ
とが出来る。
【0084】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、第1及び
第2の発明によると、液晶分子の疎水性パラメータLo
gPが6以上の液晶混合物を用いることにより、シー
ル、封止材、スペーサ、保護層、着色層等に含まれる不
純物を液晶層に溶解しにくくすることが出来、それによ
り、電圧保持率の低下による白抜け、配向むら、焼き付
けなどを効果的に防止することが出来る。
第2の発明によると、液晶分子の疎水性パラメータLo
gPが6以上の液晶混合物を用いることにより、シー
ル、封止材、スペーサ、保護層、着色層等に含まれる不
純物を液晶層に溶解しにくくすることが出来、それによ
り、電圧保持率の低下による白抜け、配向むら、焼き付
けなどを効果的に防止することが出来る。
【0085】また、第3および第4の発明によると、分
子末端に―OCF3基を有する液晶化合物を5wt%以上含
有する液晶組成物を用いることにより、着色層から溶出
する不純物に起因した表示むら、焼き付けなどを効果的
に防止することが出来る。
子末端に―OCF3基を有する液晶化合物を5wt%以上含
有する液晶組成物を用いることにより、着色層から溶出
する不純物に起因した表示むら、焼き付けなどを効果的
に防止することが出来る。
【図1】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置を示す
縦断面図。
縦断面図。
【図2】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置のカラ
ーフィルタ基板を示す縦断面図。
ーフィルタ基板を示す縦断面図。
【図3】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置のシー
ル材と封止材との塗布位置を示す略平面図。
ル材と封止材との塗布位置を示す略平面図。
【図4】本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置を示
す縦断面図。
す縦断面図。
10,100…液晶表示装置 11,21,210…基板 12…ゲート絶縁膜 13…配向膜 14…スイッチング素子 15…半導体層 16…ゲート電極 18…ドレイン電極 20…ソース電極 21…基板 22…対向電極 24…着色層 26…スルーホール 30…画素電極 31…スペーサ 70…液晶層 110…カラーフィルタ基板 120…対向基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 羽藤 仁 埼玉県深谷市幡羅町1丁目9番2号 株式 会社東芝深谷電子工場内 (72)発明者 磨矢 奈津子 埼玉県深谷市幡羅町1丁目9番2号 株式 会社東芝深谷電子工場内 (72)発明者 真鍋 敦行 埼玉県深谷市幡羅町1丁目9番2号 株式 会社東芝深谷電子工場内 (72)発明者 庄原 潔 埼玉県深谷市幡羅町1丁目9番2号 株式 会社東芝深谷電子工場内 (72)発明者 宮崎 大輔 埼玉県深谷市幡羅町1丁目9番2号 株式 会社東芝深谷電子工場内 (72)発明者 秋吉 宗治 埼玉県深谷市幡羅町1丁目9番2号 株式 会社東芝深谷電子工場内 Fターム(参考) 2H048 BA45 BB02 BB14 BB44 2H091 FA02Y FB02 FB12 FB13 GA00 GA06 GA13 4H027 BA02 BC04 BD24 BE02 CQ04 CR03 CR04 CT03 CT04 CW04
Claims (6)
- 【請求項1】基板と、前記基板上に配置された着色層
と、前記着色層上に配置された電極とを有するカラーフ
ィルタ基板、 前記カラーフィルタ基板と対向して配置された対向基
板、および前記カラーフィルタ基板と前記対向基板との
間隙に挟持された液晶層を具備し、前記着色層が、アル
キル酸、フェニルカルボン酸、フェニルカルボン酸誘導
体、フェニレンジカルボン酸、フェニレンジカルボン酸
誘導体、アルキルアミン、アニリン、アニリン誘導体、
フェニレンジアミン、フェニレンジアミン誘導体、フェ
ニレンアミンカルボン酸、フェニレンアミンカルボン酸
誘導体、アルキルイミド、フタルイミド誘導体、シアノ
ベンゼン誘導体、およびジシアノベンゼン誘導体からな
る群から選ばれた少なくとも1種の有機不純物を含有す
る液晶表示装置において、 前記液晶層に含まれる液晶混合物の各成分iのモル分率
をxiとし、長鎖アルキル基をメチル基として計算され
る各成分iの疎水性パラメータをLogPiとした場
合、 xiとLogPiの積の全成分の総和をLogP
とすると、LogPが6以上であることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項2】基板の一主面上に交差して配置された複数
の信号線及び複数の走査線と、前記交差部毎に配置され
たスイッチング素子と、前記信号線、前記走査線及び前
記スイッチング素子の少なくとも一部を覆うように配置
された着色層と、前記着色層に形成されるスルーホール
部により前記スイッチング素子の各々に接続されるとと
もに、前記着色層上に配置された複数の画素電極とを有
するアレイ基板、 前記アレイ基板と対向して配置された対向基板、および
前記アレイ基板と前記対向基板との間隙に挟持された液
晶層を具備する液晶表示装置において、 前記液晶層に含まれる液晶混合物の各成分iのモル分率
をxiとし、長鎖アルキル基をメチル基として計算され
る各成分iの疎水性パラメータをLogPiとした場
合、 xiとLogPiの積の全成分の総和をLogP
とすると、LogPが6以上であることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項3】基板と、前記基板上に配置された着色層
と、前記着色層上に配置された電極とを有するカラーフ
ィルタ基板、 前記カラーフィルタ基板と対向して配置された対向基
板、 前記カラーフィルタ基板と前記対向基板とを所定の間隙
をあけて配置して接着する液晶注入口を除いて基板外周
に配置されたシール手段、 前記間隙間を保持するスペーサ、 前記液晶注入口から前記間隙に注入されてなる液晶組成
物からなる液晶層、および前記液晶注入口を封止する封
止材を具備し、前記着色層が、アルキル酸、フェニルカ
ルボン酸、フェニルカルボン酸誘導体、フェニレンジカ
ルボン酸、フェニレンジカルボン酸誘導体、アルキルア
ミン、アニリン、アニリン誘導体、フェニレンジアミ
ン、フェニレンジアミン誘導体、フェニレンアミンカル
ボン酸、フェニレンアミンカルボン酸誘導体、アルキル
イミド、フタルイミド誘導体、シアノベンゼン誘導体、
およびジシアノベンゼン誘導体からなる群から選ばれた
少なくとも1種の有機不純物を含有する液晶表示装置に
おいて、 前記液晶組成物が、分子末端−OCF3基を有する液晶
化合物を少なくとも1種類以上含み、前記液晶化合物の
含有量が5重量%以上であることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項4】前記カラーフィルタ基板または前記対向基
板のいずれか一方に、スイッチング素子が配置されてい
ることを特徴とする請求項1または3に記載の液晶表示
装置。 - 【請求項5】アレイ基板、 前記アレイ基板に対向して配置された対向基板、および
前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶
組成物からなる液晶層を具備し、 前記アレイ基板は、一主面に交差して配置された複数の
信号線および複数の走査線と、前記交差部毎に配置され
たスイッチング素子と、前記信号線、前記走査線及び前
記スイッチング素子の少なくとも一部を覆うように配置
された、異なる色の複数の着色層と、前記着色層に形成
されたスルーホール部を通して前記スイッチング素子の
各々に接続された、前記着色層上に配置された複数の画
素電極とを有し、 前記着色層は、アルキル酸、フェニルカルボン酸、フェ
ニルカルボン酸誘導体、フェニレンジカルボン酸、フェ
ニレンジカルボン酸誘導体、アルキルアミン、アニリ
ン、アニリン誘導体、フェニレンジアミン、フェニレン
ジアミン誘導体、フェニレンアミンカルボン酸、フェニ
レンアミンカルボン酸誘導体、およびアルキルイミド、
フタルイミド誘導体、シアノベンゼン誘導体、およびジ
シアノベンゼン誘導体からなる群から選ばれた少なくと
も1種の有機不純物を含有する液晶表示装置において、 前記液晶組成物が、分子末端−OCF3基を有する液晶
化合物を少なくとも1種類以上含み、前記液晶化合物の
含有量が5重量%以上であることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項6】前記着色層が、塩素化銅フタロシアニン顔
料、塩素化臭素化銅フタロシアニン顔料、およびこれら
の同族体顔料からなる群から選ばれた少なくとも1つを
含有していることを特徴とする請求項3または5に記載
の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10371333A JP2000192040A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10371333A JP2000192040A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000192040A true JP2000192040A (ja) | 2000-07-11 |
Family
ID=18498528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10371333A Pending JP2000192040A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000192040A (ja) |
Cited By (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003183656A (ja) * | 2001-10-12 | 2003-07-03 | Merck Patent Gmbh | 液晶媒体 |
| WO2006041044A1 (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-20 | Toppan Printing Co., Ltd. | カラーフィルタ及びそれを備える液晶表示装置 |
| WO2013094537A1 (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Dic株式会社 | 液晶表示装置 |
| WO2013115164A1 (ja) | 2012-02-01 | 2013-08-08 | Dic株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP5273494B1 (ja) * | 2013-01-21 | 2013-08-28 | Dic株式会社 | 液晶表示装置 |
| WO2013133383A1 (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-12 | Dic株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP5299593B1 (ja) * | 2012-10-03 | 2013-09-25 | Dic株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP5299594B1 (ja) * | 2012-10-23 | 2013-09-25 | Dic株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP5299588B1 (ja) * | 2012-09-20 | 2013-09-25 | Dic株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP5321932B1 (ja) * | 2013-02-21 | 2013-10-23 | Dic株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2014026270A (ja) * | 2012-06-19 | 2014-02-06 | Dic Corp | 液晶表示装置 |
| JP5413705B1 (ja) * | 2013-06-06 | 2014-02-12 | Dic株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2014029477A (ja) * | 2012-05-24 | 2014-02-13 | Dic Corp | 液晶表示装置 |
| JP2014029493A (ja) * | 2012-07-02 | 2014-02-13 | Dic Corp | 液晶表示装置 |
| JP5423936B1 (ja) * | 2012-07-25 | 2014-02-19 | Dic株式会社 | 液晶表示装置 |
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