JP2000188181A - 発光装置、露光装置及び画像形成装置 - Google Patents
発光装置、露光装置及び画像形成装置Info
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Abstract
方、発光層についてダークスポットの発生を防止でき、
耐久性が高く安定した発光出力が得られ、そして任意の
発光パターンを容易に得ることができる電荷注入型発光
素子を提供する。 【解決手段】 基板1と、前記基板1の同一面上に配設
される陽極2及び陰極3と、それら両電極の上に配設さ
れる一層または複数層の有機化合物層4とを備えた電荷
注入型発光素子を有する発光装置。
Description
して、電界を印加することにより注入された電荷の再結
合エネルギーを直接光エネルギーに変換する電荷注入型
発光素子を有する発光装置、露光装置及び画像形成装置
に関し、とりわけ、表示パネルとして適用し得るような
発光装置に関する。
ope)らによって1963年にアントラセン単結晶で
観測されており、J.Chem.Phys.38(19
63)2042に示されている。続いて1965年に、
ヘルフリッヒ(Helfinch)とシュナイダー(S
chneider)は、注入効率のよい溶液電極系を用
いることで比較的強い注入型発光の観測に成功してお
り、Phys.Rev.Lett.14(1965)2
29に示されている。
ンゼン環を持つ共役の有機活性化剤とで有機発光性物質
を形成する研究が行われており、例えば、米国特許31
72862号,米国特許3173050号,米国特許3
710167号,J.Chem.Phys.44(19
66)2902,J.Chem.Phys.50(19
69)14364,J.Chem.Phys.58(1
973)1542、あるいはChem.Phys.Le
tt.36(1975)345等に報告がある。そこで
は、有機ホスト物質として、ナフタレン,アンスラセ
ン,フィナンスレン,テトラセン,ピレン,ベンゾピレ
ン,クリセン,ピセン,カルバゾール,フルオレン,ビ
フェニル,ターフェニル,トリフェニレンオキサイド,
ジハロビフェニル,トランス−スチルベン及び1,4−
ジフェニルブタジエン等が挙げられ、有機活性化剤とし
ては、アンスラセン,テトラセン及びペンタセン等が挙
げられている。しかし、そこでの有機発光性物質は何れ
も1μmを越える厚さを持つ単一層として存在し、発光
には高電界が必要であった。
・Films・94(1982)171,Polyme
r・24(1983)748、Jpn.J.Appl.
Phys.25(1986)L773などに見られるよ
うに、真空蒸着法による薄膜素子の研究が進められた
が、そうした薄膜化は駆動電圧の低減には有効ではあっ
たが、実用レベルの高輝度の素子を得るには至らなかっ
た。
と陰極との間に2つの極めて薄い層(電荷輸送層と発光
層)を真空蒸着で積層した発光素子を考案し、低い駆動
電圧で高輝度を実現しており、Appl.Phys.L
ett.51(1987)913あるいは米国特許43
56429号に示されている。この種の積層型有機発光
素子は、その後も活発に研究され、例えば特開昭59−
194393号公報,米国特許4539507号,米国
特許4720432号,特開昭63−264692号公
報,Appl.Phys.Lett.55(1989)
1467,特開平3−163188号公報などに記載さ
れている。
27(1988)L269.L713には、キャリア輸
送と発光の機能を分離した3層構造の有機発光素子が報
告されており、これによると発光色を決める発光層の色
素の選定に際して、キャリア輸送性能の制約が緩和され
て選択の自由度がかなり増し、さらには中央の発光層に
ホールと電子(あるいは励起子)を有効に閉じ込めて発
光効率の向上を図り得る可能性も示唆される。
空蒸着法が用いられているが、例えば、第50回応物学
会学術講演会講演予稿集1006(1989)及び第5
0回応物学会学術講演会講演予稿集1041(199
0)に見られるように、キャスティング法によっても、
かなりの明るさの素子が得られることが報告されてい
る。さらに、例えば第38回応物関係連合講演会講演予
稿集1086(1991)に見られるように、ホール輸
送化合物としてポリビニルカルバゾール、電子輸送化合
物としてオキサジアゾール誘導体及び発光体としてクマ
リン6を混合した溶液から浸積塗布法で形成した混合1
層型有機発光素子でも、かなり高い発光効率が得られる
ことが報告されている。
進歩は著しく広汎な用途の可能性を示唆している。
の歴史はまだまだ浅く、その材料物性の研究やデバイス
化への研究は十分にはなされていない。現状では、成膜
時の膜欠陥及び長時間の使用による経時変化や酸素を含
む雰囲気や湿気などによる劣化等の耐久性面に問題があ
り、より一層の高輝度発光化が必要である。
用を考えた青,緑,赤の発光色相を精密に選択できるた
めの発光波長の多様化等の問題も、十分には解決されて
いない。
の電荷注入型発光素子の一例を示す断面図であり、この
電荷注入型発光素子は、透光性の基板1の上に、陽極
2,有機化合物からなる有機化合物層4及び陰極3を順
に積層した構成となっている。
界を印加することにより注入された電荷の再結合エネル
ギーを直接光エネルギーに変換するものであり、その発
光強度は電極からのキャリア(ホールまたはエレクトロ
ン)の注入量に強く依存する。そのため電極(陽極2,
陰極3)からのキャリア注入量を増加させるには、電極
間に印加する電界を高くする必要がある。
適用されている陽極2,有機化合物層4、陰極3を順次
積層させた素子構成では、有機化合物層4の膜厚が極め
て薄いため、成膜時のゴミや不純物、基板1表面の凹凸
に起因した膜欠陥が絶縁破壊を起こしてしまい、ダーク
スポットの発生を防ぐことは困難であるという問題があ
った。
発光素子において発光パターンを変えるには、陽極2あ
るいは陰極3の形状を、設定パターンに合わせて成形し
なければならなく、汎用性が低くなり製造コストが高く
なる。
3)は、外気に直接さらされるため、酸素などの気体や
水などにより腐蝕,劣化が進んでしまう。
てなされてものであって、高電界を付与できて高輝度発
光が行える一方、有機化合物層についてダークスポット
の発生を防止することができ、耐久性が高く安定した発
光出力が得られ、そして任意の発光パターンを容易に得
ることができる発光装置、露光装置及び画像形成装置を
提供することを目的とする。
と、前記基板の同一面上に配設される陽極及び陰極と、
それら両電極の上に配設される一層または複数層の有機
化合物層とを備えた電荷注入型発光素子を有することを
特徴とする発光装置、基板と、前記基板の同一面上に配
設される陽極及び陰極と、それら両電極の上に配設され
る一層または複数層の有機化合物層とを備えた電荷注入
型発光素子を有することを特徴とする露光装置及び該露
光装置と、該露光装置により露光される感光体とを少な
くとも有することを特徴とする画像形成装置である。
素子は、陽極及び陰極とが絶縁性の基板の同一面上に形
成され、それら両電極の上に有機化合物層が形成され
る。ここで、印加電圧による電界は陽極と陰極との間に
生じ、これは有機化合物層の膜層面に沿う方向になり、
両電極の間隔は適宜に設定でき、有機化合物層の膜厚に
比べて十分に広く設定することができる。このため、有
機化合物層の膜欠陥の絶縁破壊について印加電界の限界
点を高めることができる。
れて覆われるので、外気と隔絶することができ、酸素や
水分など劣化を促進する物質が侵入することを抑止でき
る。
作用している陽極と陰極の間でなされるので、両電極間
の距離を変えることにより発光パターンを適宜に設定す
ることができる。
面に基づいて説明する。
発明装置に用いる電荷注入型発光素子の構成を示す断面
図である。
陰極3を設けて、それら両電極の上に有機化合物層4を
設けた構成とされている。有機化合物層4は、有機化合
物からなり、ホール輸送能、エレクトロン輸送能及び光
起電力能の性能を単一で有しているもの、あるいはそれ
ぞれの特性を有する化合物を混合させたもので形成され
ている。
し、本発明装置に用いる電荷注入型発光素子の構成を示
す断面図である。
ように、有機化合物層4の上に、透光性の保護膜5を設
けた構成としてもよい。これにより酸素等の気体や水の
混入を防ぐことができ、透光性の保護膜5なので光の取
り出し量の損失が少ない。その結果、耐久性(寿命)を
高めることができる。
ム等の絶縁性板材が用いられ、そうした絶縁性板材を透
光性のものとすれば、当該素子の上下両面から発光を得
ることができる。また、そうした絶縁性板材に、TFT
や光センサ(光ダイオード,光トランジスタ)などを組
み込んでハイブリッド型としてもよい。
きなものがよく、例えばニッケル,金,白金,パラジウ
ム,セレン,レニウム,イリジウムやこれらの合金、あ
るいは酸化錫,酸化錫インジウム(ITO),ヨウ化銅
が好ましい。また、ポリ(3−メチルチオフェン),ポ
リフェニレンスルフィドあるいはポリピロール等の誘電
性ポリマーも使用できる。
なものがよく、例えば銀,鉛,錫,マグネシウム,アル
ミニウム,カルシウム,マンガン,インジウム,クロム
あるいはこれらの合金が用いられる。なお、陰極3上
に、誘電体の膜層を設けて覆うようにすれば、陽極2と
して用いられる上述したような材料を使用することがで
きる。この誘電体の膜層としては、LiF,NaF,M
gF,CaF2などのフッ化物、SiO,SiO2,Zr
O2,ZnO,TiO,TiO2などの酸化物が用いられ
る。
わゆる電子写真プロセスの感光体等で研究されているホ
ール輸送性化合物や、下記化1〜4に示すようなホール
輸送性発光体化合物など、あるいは電子輸送性化合物
や、下記化5,6に示すような電子輸送性発光体化合物
などを、必要に応じて2種類以上使用することもでき
る。
を真空蒸着することにより薄膜形成される。これには適
切な結着剤と組み合わせて薄膜を形成するようにしても
よい。
範囲に選択することができ、例えばポリビニルカルバゾ
ール樹脂,ポリカーボネート樹脂,ポリエステル樹脂,
ポリアクリレート樹脂,ブチラール樹脂,ポリスチレン
樹脂,ポリビニルアセタール樹脂,ジアリルフタレート
樹脂,アクリル樹脂,メタクリル樹脂,フェノール樹
脂,エポキシ樹脂,シリコン樹脂,ポリスルホン樹脂,
尿素樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるもので
はない。また、各種の結着性樹脂は、単独または共重合
体ポリマーとして1種または2種以上混合して用いても
よい。
あればどのようなものでもかまわなく、例えばSiN,
TiN,ガラスなどの無機材料や、エポキシ樹脂,アク
リル樹脂などの高分子化合物が挙げられる。
発光素子は、陽極2及び陰極3とが絶縁性の基板1の同
一面上に形成され、それら両電極2,3の上に有機化合
物層4が形成される。ここで、印加電圧による電界は陽
極2と陰極3との間に生じ、これは有機化合物層4の膜
層面に沿う方向になり、両電極の間隔は適宜に設定で
き、有機化合物層4の膜厚に比べて十分に広く設定する
ことができる。このため、有機化合物層4の膜欠陥の絶
縁破壊について印加電界の限界点を高めることができ、
ダークスポットの発生を防止することができる。そし
て、電界を高くできるので高輝度発光化が図れる。
が形成されて覆われるので、外気と隔絶することがで
き、酸素や水分など劣化を促進する物質が侵入すること
を抑止できる。これにより、当該素子の耐久性を高めて
安定した発光出力が得られ、長寿命化させることができ
る。
界が作用している陽極2と陰極3の間でなされるので、
両電極間の距離を変えることにより発光パターンを適宜
に設定することができ、任意の発光パターンを容易に得
ることができる。従って、汎用性が高く製造コストを低
減できる。
は、高電界の付与により高輝度発光化が図れる一方、耐
久性が高く安定した発光出力が得られることから、高輝
度発光と耐久性の要求が厳しい表示パネル等に使用する
ことができる。
写真方式を用いた画像形成装置の概略構成図を図4に示
す。
電子写真感光体、212は帯電手段、213は現像手
段、214は転写手段、215は定着手段、216はク
リーニング手段である。
示)を用いる。露光装置には駆動用ドライバが接続さ
れ、陽極層をプラス、陰極層をマイナスにして直流電圧
を印加すると、発光部から緑色の発光が得られ、感光体
211上に結像させることができ、良好な画像を得るこ
とができる。
様に帯電する。この感光体211の帯電面に対して出力
される目的の画像情報の時系列電気デジタル画素信号に
対応して露光装置による露光Lがなされ、感光体211
の周面に対して目的の画像情報に対応した静電潜像が形
成される。その静電潜像は絶縁トナーを用いた現像手段
213によりトナー像として現像される。一方、給紙部
(不図示)から記録材としての転写材pが供給されて、
感光体211と、これに所定の押圧力で当接させた接触
転写手段との圧接ニップ部(転写部)Tに所定のタイミ
ングにて導入され、所定の転写バイアス電圧を印加して
転写を行う。
体211の面から分離されて熱定着方式等の定着手段2
15へ導入されてトナー画像の定着をうけ、画像形成物
(プリント)として装置外へ排出される。また転写材P
に対するトナー画像転写後の感光体面はクリーニング手
段216により残留トナー等の付着汚染物の除去をうけ
て清掃され繰り返して作像に供される。
子写真方式を用いた多色画像形成装置の概略構成図を図
5に示す。
手段、E1〜E4は本発明の露光手段、S1〜S4は現
像スリーブ、T1〜T4は転写ブレード、TR1〜TR
2はローラ、TF1は転写ベルト、Pは転写紙、F1は
定着器、301〜304は回転ドラム型の電子写真感光
体である。
R1、TR2に懸架された転写ベルトTF1上に導か
れ、転写ベルトTF1により感光体301と転写ブレー
ドT1に挟持されるように設定されたブラック転写位置
へと移動する。この時、感光体301はドラム周上に配
置された、帯電手段C1、露光手段E1、現像手段D1
の現像スリーブS1により電子写真プロセスにより所望
のブラックのトナー画像を有していて、転写紙Pにブラ
ックトナー画像の転写が行われる。
体302と転写ブレードT2に挟持されるように設定さ
れたシアン転写位置、感光体303と転写ブレードT3
に挟持されるように設定されたマゼンタ転写位置、感光
体304と転写ブレードT4に挟持されるように設定さ
れたイエロー転写位置へと移動し、それそれの転写位置
で、ブラック転写位置と同様の手段により、シアントナ
ー画像、マゼンタトナー画像、イエロートナー画像の転
写が行われる。
回転を行っているので、各記録間では、画像のレジスト
レーションが良好に行える。以上のプロセスにより多色
記録を行った転写紙Pは定着器F1に供給され定着を行
い所望の多色画像を得ることができる。
実施例及びそれの比較例を説明する。
陽極2,陰極3をそれぞれITO,Alから形成したも
ので、基板1となるガラス板上に、ITOを膜厚50n
mに蒸着して陽極2とし、さらにAlを膜厚50nmに
蒸着して陰極3としたが、このとき両電極間の距離は本
実施例では0.5μmとした。
0nmの膜厚に真空蒸着して有機化合物層4を形成し、
図1に示す電荷注入型発光素子を製作した。
上に保護膜5を形成したもので、有機化合物層4までは
実施例1と同様にして形成して、その有機化合物層4の
表面に、絶縁性ガラスを貼り合わせて保護膜5を形成
し、図2に示す電荷注入型発光素子を製作した。
構成としたもので、基板1となるガラス板上に、ITO
を膜厚50nmに蒸着して陽極2とし、その陽極2上
に、Alq3を薄膜50nmに蒸着して有機化合物層4
とし、さらにAlを膜厚120nmに蒸着して陰極3を
形成し、比較例1の電荷注入型発光素子を製作した。
を行った。その測定結果を表1に示す。
せたところ、実施例1,2は、初期からダークスポット
がなく、100時間後も輝度の変化は小さかったが、比
較例1は初期からダークスポットの発生が多くみられ、
100時間後にはほとんど光らなくなった。
陽極2,陰極3を同様にAuから形成したもので、基板
1となるガラス板上に、Auを膜厚60nmに蒸着して
陽極2とし、さらにAuを膜厚60nmに蒸着して陰極
3としたが、このとき両電極間の距離は本実施例では1
μmとした。
記に示す化合物を膜厚100nmに共蒸着して有機化合
物層4を形成し、図1に示す電荷注入型発光素子を製作
した。
上に保護膜5を形成したもので、有機化合物層4までは
実施例3と同様にして形成して、その有機化合物層4の
表面に、絶縁性ガラスを貼り合わせて保護膜5を形成
し、図2に示す電荷注入型発光素子を製作した。
の積層構成としたもので、基板1となるガラス板上に、
Auを膜厚50nmに蒸着して陽極2とし、上記化合物
を膜厚20nmに蒸着し、Alq3を膜厚20nmに蒸
着して有機化合物層4とし、さらにAuを膜厚100n
mに蒸着して陰極3を形成し、比較例2の電荷注入型発
光素子を製作した。
を行った。その測定結果を表2に示す。
せたところ、実施例3,4は、初期からダークスポット
がなく、100時間後も輝度の変化は小さかったが、比
較例2は初期からダークスポットの発生が多くみられ、
100時間後にはほとんど光らなくなった。
同様の材料設定であるが、陰極3の上に、LiFを膜厚
10Åに真空蒸着して誘電体層とした。これ以外は、実
施例2と同様の条件,設定により製作した。
あるが、陰極3の上に、LiFを膜厚12Åに真空蒸着
して誘電体層とした。これ以外は、実施例4と同様の条
件,設定により製作した。
を行った。その測定結果を表3に示す。
せたところ、実施例5,6何れも初期からダークスポッ
トがなく、100時間後も輝度の変化は小さかった。
陽極及び陰極とが絶縁性の基板の同一面上に形成される
ので、印加電圧による電界は陽極と陰極との間に生じ
て、これは有機化合物層の膜層面に沿う方向になり、両
電極の間隔は適宜に設定でき、有機化合物層の膜厚に比
べて十分に広く設定することができる。このため、有機
化合物層の膜欠陥の絶縁破壊について印加電界の限界点
を高めることができ、ダークスポットの発生を防止する
ことができる。そして、電界を高くできるので高輝度発
光化が図れる。
れて覆われるので、外気と隔絶することができ、酸素や
水分など劣化を促進する物質が侵入することを抑止でき
る。これにより、当該素子の耐久性を高めて安定した発
光出力が得られ、長寿命化させることができる。
が作用している陽極と陰極の間でなされるので、両電極
間の距離を変えることにより発光パターンを適宜に設定
することができ、任意の発光パターンを容易に得ること
ができる。従って、汎用性が高く製造コストを低減でき
る。
り高輝度発光化が図れる一方、耐久性が高く安定した発
光出力が得られることから、高輝度発光と耐久性の要求
が厳しい表示パネル等に使用することができる。
子の断面図である。
子の断面図である。
である。
である。
図である。
Claims (11)
- 【請求項1】 基板と、前記基板の同一面上に配設され
る陽極及び陰極と、それら両電極の上に配設される一層
または複数層の有機化合物層とを備えた電荷注入型発光
素子を有することを特徴とする発光装置。 - 【請求項2】 陰極上に誘電体膜が設けられていること
を特徴とする請求項1に記載の発光装置。 - 【請求項3】 有機化合物層上に半透明又は透明保護膜
が設けられていることを特徴とする請求項1または2に
記載の発光装置。 - 【請求項4】 基板が少なくとも1種類以上の半導体層
を含む基板よりなることを特徴とする請求項1〜3に記
載の発光装置。 - 【請求項5】 前記基板が透明絶縁性基板よりなること
を特徴とする請求項1〜4に記載の発光装置。 - 【請求項6】 基板と、前記基板の同一面上に配設され
る陽極及び陰極と、それら両電極の上に配設される一層
または複数層の有機化合物層とを備えた電荷注入型発光
素子を有することを特徴とする露光装置。 - 【請求項7】 陰極上に誘電体膜が設けられていること
を特徴とする請求項6に記載の発光装置。 - 【請求項8】 有機化合物層上に半透明又は透明保護膜
が設けられていることを特徴とする請求項6または7に
記載の露光装置。 - 【請求項9】 基板が少なくとも1種類以上の半導体層
を含む基板よりなることを特徴とする請求項6〜8に記
載の露光装置。 - 【請求項10】 前記基板が透明絶縁性基板よりなるこ
とを特徴とする請求項6〜9に記載の露光装置。 - 【請求項11】 請求項6〜10に記載の露光装置と、
該露光装置により露光される感光体とを少なくとも有す
ることを特徴とする画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36420598A JP2000188181A (ja) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | 発光装置、露光装置及び画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36420598A JP2000188181A (ja) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | 発光装置、露光装置及び画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000188181A true JP2000188181A (ja) | 2000-07-04 |
Family
ID=18481240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36420598A Pending JP2000188181A (ja) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | 発光装置、露光装置及び画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000188181A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE20120997U1 (de) | 2001-12-27 | 2002-03-28 | Moser, Helmut, Dipl.-Volkswirt, 76646 Bruchsal | Elektrolumineszenz auf Leiterbahnen |
| JP2002117985A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-04-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| KR100466399B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2005-01-13 | 현대엘씨디주식회사 | 아이피이 구조를 갖는 유기 이엘소자 |
| US8179033B2 (en) | 2006-09-14 | 2012-05-15 | Panasonic Corporation | Display apparatus |
| JP2016054315A (ja) * | 2008-06-09 | 2016-04-14 | エスディエスユー リサーチ ファウンデーション | 三次元加工電極のアレイ構造を有する有機太陽電池および発光ダイオード |
-
1998
- 1998-12-22 JP JP36420598A patent/JP2000188181A/ja active Pending
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