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JP2000181075A - 露光装置におけるランプ点灯制御方法 - Google Patents

露光装置におけるランプ点灯制御方法

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Publication number
JP2000181075A
JP2000181075A JP10352385A JP35238598A JP2000181075A JP 2000181075 A JP2000181075 A JP 2000181075A JP 10352385 A JP10352385 A JP 10352385A JP 35238598 A JP35238598 A JP 35238598A JP 2000181075 A JP2000181075 A JP 2000181075A
Authority
JP
Japan
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lamp
work
power
exposure
lighting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10352385A
Other languages
English (en)
Inventor
Takanao Ueno
高尚 上野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ushio Denki KK
Ushio Inc
Original Assignee
Ushio Denki KK
Ushio Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ushio Denki KK, Ushio Inc filed Critical Ushio Denki KK
Priority to JP10352385A priority Critical patent/JP2000181075A/ja
Priority to KR1019990056889A priority patent/KR20000057050A/ko
Publication of JP2000181075A publication Critical patent/JP2000181075A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 消費電力を減少させ、かつ、ランプを長寿命
化させ寿命時間内での露光処理を行っている時間を増や
すことができるランプ点灯制御方法を提供すること。 【解決手段】 ランプ1が放出する露光光は、集光鏡2
で集光され、第1平面鏡3、インテグレータレンズ4、
シャッタ5、コリメータミラー6を介して光照射装置1
0から出射する。光照射装置10から出射する露光光
は、図示しないマスクを介してワークに照射されワーク
を露光する。ランプ1に電源を供給するランプ電源回路
12には、切換回路12aが設けられ、ワークの露光処
理を行なうときは、ランプ1に定格電力を入力し、シャ
ッタ5が閉じられワークの露光処理を行っていないとき
には、ランプに定格電力より小さい、例えば定格の50
〜80%の電力を入力する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶カラーフィル
タ、PDP基板、プリント基板等の大型基板の露光処理
に用いられる露光装置におけるランプ点灯制御方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】液晶カラーフィルタ、PDP基板、プリ
ント基板等の大型基板の製造には、マスクを介して上記
基板に紫外線を含む光を照射する露光工程が利用され
る。以降、上記大型基板のことを基板またはワークと呼
称する。例えば、ワークが液晶カラーフィルタである場
合について説明する。一般に、液晶カラーフィルタ(以
下フィルタと略す)は、図7に示すように1枚の大型の
(例えば650mm×750mm)基板上に複数枚製作
される。基板の大きさや1枚の基板から何枚のフィルタ
を製作するかは、製作する大きさのフィルタによって、
数多くの組み合わせがある。フィルタ製造においては、
例えばフィルタの画素パターンを製作するために露光
(フォトリソグラフイ)を利用する。その場合、基板全
体を一括で露光する方法と、製作するフィルタごとに分
割して露光する方法がある。
【0003】基板全体を一括で露光する場合、基板とほ
ぼ同じ大きさでのマスクを用い、マスクと基板の位置合
わせを行ない、マスクを介して基板全体に露光光を照射
する。マスクには、1枚の基板に製作される個数のフィ
ルタに対応するだけのパターンが形成されている。ま
た、製作するフィルタごとに分割して露光する場合は、
1つのフィルタに対応する露光パターンが作られたマス
クを用い、マスクと第1のフィルタとの位置合せ→マス
クを介して第1のフィルタの露光→第2のフィルタへの
基板の移動、を製作するフィルタの枚数分繰り返して露
光する。
【0004】例えば、基板を一括して露光する場合に
は、例えば、図8に示すような構成の露光装置が使用さ
れる。図8において、ランプ1が放出する露光光は、集
光鏡2で集光され、第1平面鏡3で反射してインテグレ
ータレンズ4に入射し、照度分布の均一化が行われる。
インテグレータレンズ4から出射する光は、光路を遮光
するシャッタ機構5を介してコリメータミラー6に入射
して平行光とされ、光照射装置10から出射する。な
お、必要とされる光路長と装置の寸法上の制約により、
途中に第2平面鏡、第3平面鏡を設ける場合もある。光
照射装置10から出射した光は、マスクMを介してワー
クステージWS上に載置・固定されたワークWに照射さ
れる。
【0005】ワークWの露光処理を行うには、光照射装
置10のシャッタ5が閉じられた状態で、被処理物であ
るワークWを、ワーク搬送用ロボット等のワーク搬送機
構7により搬送し、ワークステージWSに載置、固定す
る。光照射装置10とワークWとの間にはマスクパター
ンを形成したマスクMが配置されている。ワークWがワ
ークステージWSに載置されると、マスクMのマスクパ
ターンがワークWの所定の位置に露光されるようにマス
クMとワークWの位置合せが行なわれる。該位置合せ
は、マスクMに印されたマスクアライメントマークとワ
ークWに印されたワークアライメントマークとをアライ
メント顕微鏡8で検出し、互いのマークを重ね合わせる
ように、ワークステージWSに取りつけられたXYθス
テージSTを移動させて行なう。
【0006】位置合せ完了後、シャッタ5を開き、露光
光を、マスクMを介してワークWに照射し、マスクパタ
ーンをワークW上に露光する。ワークWに対し所定の露
光量を与えて露光が終了すると、シャッタ5を閉じ、ワ
ーク搬送機構7によりワークWをワークステージWSか
ら搬出する。光照射装置10に設けられたランプ1に
は、一般的には効率良く紫外光を発する超高圧水銀ラン
プ、キセノン水銀ランプが用いられる。上記ランプは、
点灯開始後ランプ内の水銀が蒸発し、安定した光が得ら
れるまでに数分間〜十数分必要である。また、ランプ点
灯開始時には、絶縁破壊のために高電圧を電極にかける
ので電極への負担が大きく、何度もランプ点灯開始動作
を行なうと電極に磨耗等の悪影響を及ぼす。そのため、
いったん点灯すると、ランプは寿命時間に達するまで原
則として消灯せず、ランプ定格電力で点灯を続ける。露
光処理を行なわないときには、上記に示したように機械
的な遮光手段(シャッタ5)により、ランプ1を点灯し
た状態で遮光するようにしている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】近年、液晶カラーフィ
ルタ、PDP基板、プリント基板等の基板の大きさは、
大型化している。したがって、露光処理に用いられる露
光装置に要求される光照射面積(露光面積)も拡大して
いる。このため、光照射面積が拡大しても、露光面の照
度が低下して必要な露光量を得るための時間が長くなり
スループットが悪化することを防ぐために、より高出力
のランプが必要になる。より高出力のランプは、より大
きな電力を消費する。従来は、露光処理を行なっていな
い時にも定格電力で点灯されており、この時に消費され
る電力は、無駄な電力である。したがって、高出力のラ
ンプになるほど、無駄に消費する電力が多くなる。一
方、基板は搬送用ロボット等により、露光装置の処理部
に自動搬送され、処理が終了すると処理部より搬出され
る。しかし、基板が大型になると重量が増え、また搬送
装置も大型になり、小さな基板用のものと比べると、基
板の搬送距離が長くなる。
【0008】基板搬送時間が長くなると、露光装置にお
ける露光処理を行っている時間に対する露光処理を行っ
ていない時間の割合も大きくなる。したがって、上記し
た無駄に消費する電力が多くなることに加え、ランプの
寿命時間の中で、実際に露光処理を行なっている時間が
減る。したがって1露光当たりのコストがアップする。
ランプを長寿命化すれば寿命時間内での露光処理を行っ
ている時間を増やすことができる。しかし、長寿命のラ
ンプを開発することは容易なことではない。本発明は上
記した事情に鑑みなされたものであって、その目的とす
るところは、消費電力を減少させ、かつランプを長寿命
化させ、寿命時間内での露光処理を行っている時間を増
やすことができる露光装置におけるランプ点灯制御方法
を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を本発明におい
ては、次のように解決する。ワークの露光処理を行う露
光装置におけるランプの点灯制御方法において、ワーク
の露光処理を行なっているときと、露光処理を行なって
いないときとでランプに入力する電力を切りかえる。す
なわち、ワークの処理を行なうときは、ランプに定格電
力を入力し、ワークの処理を行っていないときには、ラ
ンプの冷却条件を変えないで、ランプに定格電力より小
さい、例えば定格の50〜80%の電力を入力する。本
発明においては上記のように構成したので、消費電力を
減少させ、かつランプを長寿命化させることができる。
このため、寿命時間内での露光処理を行っている時間を
増やすことができコストダウンを図ることができる。
【0010】
【発明の実施の形態】図1は本発明の実施例の光照射装
置の制御系の構成を示す図であり、同図では、前記図8
に示したマスクM、ワークW、ワークステージWS等は
省略されている。図1において、光照射装置10は、前
記したように、露光光を放出するランプ1、集光鏡2、
第1平面鏡3、インテグレータレンズ4、シャッタ機構
5、コリメータミラー6から構成される。また、光照射
装置10にはランプ1、集光鏡2を冷却風を供給しこれ
らを冷却する冷却手段9が設けられている。
【0011】制御部11には、上記ランプ1に電力を供
給するランプ電源回路12、シャッタ5の開閉を制御す
るシャッタコントローラ13、上記冷却風を制御する冷
却風コントローラ14、および、露光装置全体を制御す
る露光装置制御部15が設けられる。また、ランプ電源
回路12には、ランプ1に供給する電力を切り換える切
換回路12aが設けられ、これによりランプの点灯状態
を「フル点灯状態(ランプを定格で点灯させる状
態)」、「スタンバイ点灯状態(ランプを定格以下で点
灯させる状態)」に切り換える。なお、以下では、ラン
プを定格で点灯する場合をフル点灯、定格以下で点灯す
ることをスタンバイ点灯と呼ぶ。上記ランプ電源回路1
2、シャッタコントローラ13、冷却風コントローラ1
4は上記露光装置制御部15により制御される。
【0012】図2は上記ランプ冷却系の一例を示す図で
ある。ランプ点灯中、ランプ1の口金付近および集光鏡
2は高温になるので、同図に示すように、冷却ノズル9
aから口金付近に冷却風を吹きつけて強制冷却するとと
もに、集光鏡2を排風により冷却する。なお、図2に×
で示すランプ封体(ランプのガラス容器、以下封体とい
う)の発光部付近は、水銀の蒸発量を確保するため、あ
る温度以上に保つ必要がある。
【0013】図3は、上記ランプ電源回路12の実施例
を示す図である。ランプ電源回路12には商用電源が接
続され、商用電源は、全波整流回路Db、コンデンサC
1から構成される整流・平滑回路21により整流・平滑
される。整流・平滑回路21から得られる直流電圧は、
スイッチング素子Tr1〜Tr4から構成されるスイッ
チング回路22に供給される。スイッチング回路22の
各スイッチング素子Tr1〜Tr4のベースはデューテ
ィ制御回路27aの出力に接続されており、デューティ
制御回路27aの出力によりスイッチング素子Tr1〜
Tr4がオン/オフし、スイッチング回路22から高周
波出力を発生する。スイッチング回路22が出力する高
周波はトランス23により昇圧され、ダイオードD1,
D2、インダクタンスL1、コンデンサC2から構成さ
れる整流・平滑回路24により直流に変換され、ランプ
電力を測定する電力測定回路25およびランプ1の点灯
を開始させるスタータ26を介して、ランプ1に供給さ
れる。
【0014】また、本実施例のランプ電源回路には、上
記電力測定回路25により測定された電力値に基づき、
ランプ電力が一定になるように制御する電源制御回路2
7が設けられる。電源制御回路27には、上記したデュ
ーティ制御回路27aと、電力測定回路25により測定
したランプ電力値と基準電力値とを比較し比較信号とを
出力する比較器27bと、切換回路12aが設けられて
おり、デューティ制御回路27aは、比較器27bから
の比較信号に応じたデューティ信号を出力する。また、
切換回路12aはスタンバイ点灯基準電力値発生器27
dと、フル点灯基準電力値発生器27eと、該発生器2
7d,27eの出力を切り換える電力切換スイッチ27
cから構成されている。
【0015】フル点灯とスタンバイ点灯とを切り替える
には、上記切換回路12aの電力切換スイッチ27cを
切換え、スタンバイ点灯基準電力値発生器27dが出力
する「スタンバイ点灯基準電力値」またはフル点灯基準
電力値発生器27eが出力する「フル点灯基準電力値」
を比較器27bに与える。比較器27bは電力測定回路
25により測定されるランプ電力と「スタンバイ点灯基
準電力値」または「フル点灯基準電力値」を比較し、そ
の差に応じた比較信号を出力する。デューティ制御回路
27aは比較信号に応じてスイッチング素子Tr1〜T
r4のデューティを変える。これにより、ランプ1の点
灯状態を「フル点灯状態」と「スタンバイ点灯状態」に
切り換えることができる。
【0016】上記電力切換スイッチ27cは、露光装置
制御部15からの信号により切り換えられる。後述する
ように、例えば一括露光の場合はシャッタの開閉動作に
同期して切り換え、また、分割露光の場合は、マスクと
ワークの位置合わせ終了とワークの全領域の露光完了に
同期して切り替える。なお、図示しない電源の制御パネ
ルに手動のスイッチとして設け、手動により切り換える
ようにしてもよい。
【0017】次に、ワークを一括露光する場合およびワ
ークを分割露光する場合について本実施例のランプ点灯
制御について説明する。 (1)ワークの全面を一括して露光する場合 図1および前記図8に示した露光装置において、ワーク
の全面を一括して露光する場合には次のようにしてラン
プの点灯を制御する。図4は一括露光におけるランプ入
力電力の切換えとシャッタ5の開閉動作の関係を示す図
であり、同図中の〜は下記の丸付き数字に対応して
いる。 ワークステージWSにワークWがなく、シャッタ5
も閉じて光照射装置10から露光光を出射していないと
き、ランプ1を例えば定格の70%の電力でスタンバイ
点灯する(図4の)。ランプ1からの光はシャッタ5
により遮光され、光照射装置10から露光光は出射され
ていない。ワーク搬送手段7によって、処理前ワークW
がワークステージWSに搬入される。次いで、アライメ
ント顕微鏡8によりマスクMに印されたマスクアライメ
ントマークとワークWに印されたワークアライメントマ
ークを検出し、マスクMとワークWの位置合せを行う。
【0018】 次に露光処理を行うが、シャッタ5を
開く前に露光装置制御部15によりランプ電源回路12
に設けられた切換回路12aの電力切換スイッチ27c
(図3参照)を切換え、ランプ1を、スタンバイ点灯か
ら定格の点灯状態であるフル点灯に切り替える(図4の
)。これは、電力を定格の70%入力から定格に切り
替えたとき、照度が定格を入力した所定の値にまで上昇
するのに、約0.5秒かかるためである。すなわち、シ
ャッタ閉と同時に電力を切り替えたのでは、露光初期に
おいて、ワークを所定の照度で露光することができな
い。
【0019】 シャッタコントローラ13によりシャ
ッタ5を開き、露光光を光照射装置10から出射させ、
マスクMを介してワークWに露光光を照射してワークW
を一括露光する。露光時間は1〜5秒である(図4の
)。 露光処理終了後、シャッタコントローラ13はシャ
ッタ5を閉じるとともに、切換回路12aの電力切換ス
イッチ27cを切換え、ランプ1をスタンバイ点灯に切
り替える(図4の)。 次いで、露光処理の終了したワークWをワークステージ
WSより搬出し、未露光ワークを搬入する。「露光済ワ
ークのワークステージからの搬出し→露光処理前ワーク
の搬入→マスクとワークの位置合せ」にかかる時間は約
20秒である。したがって、「フル点灯1〜5秒→スタ
ンバイ点灯20秒」を繰り返すこととなる。
【0020】(2)基板を分割して露光する装置の場
合。 図1および前記図8に示した露光装置において、ワーク
の分割して露光する場合には次のようにしてランプの点
灯を制御する。また、図5は分割露光におけるランプ入
力電力の切換えとシャッタ5の開閉動作の関係を示す図
であり、同図中の〜は下記の丸付き数字に対応して
いる。 上記一括露光の場合と同様にワークステージWSに
ワークWがなく、シャッタ5も閉じて光照射装置10か
ら露光光を出射していないとき、ランプ1を例えば定格
の70%の電力でスタンバイ点灯する(図5の)。ラ
ンプ1がスタンバイ点灯の状態で、ワーク搬送手段7に
よってワークWをワークステージWSヘ搬入し、アライ
メント顕微鏡8により前記したようにワーク1の分割し
た露光領域とマスクMとの位置合わせを行なう。
【0021】 露光装置制御部15によりランプ電源
回路12に設けられた切換回路12aの電力切換スイッ
チ27c(図3参照)を切換え、ランプ1をスタンバイ
点灯から定格の点灯状態であるフル点灯に切り替える
(図5の)。 シャッタコントローラ13はシャッタ5を開き、露
光光を光照射装置10から出射させ、マスクMを介して
ワークWに露光光を照射して、ワークWの所定の領域を
露光する。露光時間は1〜2秒である(図5の)。 露光処理終了後、シャッタ5を閉じ、次の露光領域が
露光できるように、ワークステージWSを移動させる。
ワークWが次の露光領域に達すると、前記したようにマ
スクMとワークWの位置合わせを行なう。この移動と位
置合せに要する時間は1〜2秒である。この間ランプ電
力の切替は行なわない(図5の)。1〜2秒間隔でラ
ンプ電力を切り替えると、電極が磨耗しやすくなり、む
しろランプ1が短寿命化するためである。
【0022】位置合せ終了後、シャッタ5を開いて所
定の領域を露光する(図5の)。これを分割数だけ繰
り返す。 すべての露光領域について露光処理が終了すると、
シャッタコントローラ13はシャッタ5を閉じ、また、
ランプ電源回路12に設けられた切換回路12aを切換
え、ランプ1をスタンバイ点灯に切り替える。露光処理
の終了したワークWをワークステージWSより搬出し、
未露光ワークWを搬入する。処理済ワークWの搬出→処
理前ワークWの搬入→マスクMとワークWの第1領域の
位置合せに要する時間は、上記一括露光の場合と同様に
約20秒である。したがって、「フル点灯数秒〜数十秒
(ひとつの基板から製作されるフィルタの個数による)
→スタンバイ点灯20秒」を繰り返すこととなる。
【0023】以上の実施例では、スタンバイ点灯状態に
おけるランプ電力を定格の70%ととしたが、これは次
の理由による。ランプの初期照度を100%、この照度
が70%に低下したときをランプ寿命とし、定格の入力
電力が8kWであるランプについて定格電力にて連続点
灯した場合の寿命時間を1としたとき、定格電力(8k
W)での点灯と定格の70%(5.6kW)での点灯と
を1分ごとに交互に繰り返した場合のトータルの寿命時
間を調べた。その結果、該寿命時間は、図6に示すよう
に1.4になった。なお、図6において、縦軸は初期照
度を100%としたときのランプの放射照度、横軸はラ
ンプ寿命を1としたときの点灯時間比であり、aは定格
電力で連続点灯させた場合の照度変化、bは定格電力に
よる点灯と定格の70%の電力による点灯を1分毎に交
互に繰り返した場合の照度変化である。図6の結果から
明らかなように、スタンバイ点灯状態におけるランプ電
力を定格の70%とすると、ランプ寿命は1.4倍とな
り、ランプの長寿命化を図ることができる。
【0024】なお、スタンバイ点灯のランプ電力は定格
の70%に限られるものではない。すなわち、光源部で
ある光照射装置においては、前記図2に示したようにラ
ンプ点灯時、集光鏡は排風により、ランプの口金部分は
冷却風を吹きつけて強制冷却をしている。一方、ランプ
の発光部付近の封体は、前記したようにある温度以上に
保つ必要がある。したがって、冷却量が大きい場合にス
タンバイ点灯時のランプ電力を小さくしすぎるとランプ
を安定して点灯させることができないが、冷却量が小さ
い場合には、スタンバイ点灯時のランプ電力を小さくし
てもランプの点灯を維持することができる。このため、
スタンバイ点灯のランプ電力は、光照射装置の冷却条件
とランプの封体温度を測定し適宜設定するのが望まし
い。
【0025】各種ランプと光照射装置で測定を行なった
結果、ランプがフル点灯している時の冷却条件を変えず
に、ランプ封体を適切な温度に保つことができ、ランプ
の長寿命化が図れるスタンバイ時のランプ電力は、定格
電力の50〜80%であることが分った。なお、ランプ
の冷却条件をフル点灯の時と、スタンバイ点灯の時とで
変更するようにすれば、スタンバイ時のランプ電力の範
囲はさらに広くすることも可能である。しかし、冷却風
量の制御が必要になるので、制御系が複雑になる。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように本発明においては、
以下の効果を得ることができる。 (1)大型の液晶基板の露光に用いる露光装置におい
て、露光装置がワークの搬出・搬入、マスクとワークの
位置合わせなど、露光処理を行っていないときには、ラ
ンプの入力を定格電力よりも小さくして点灯し、トータ
ルのランプ寿命を長くしたので、1露光当たりのコスト
を低減できる。 (2)装置としての消費電力が少なくすることができ、
省電力とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の光照射装置の制御系の構成を
示す図である。
【図2】ランプ冷却系の一例を示す図である。
【図3】ランプ電源回路の実施例を示す図である。
【図4】一括露光におけるランプ入力電力の切換えとシ
ャッタの開閉動作の関係を示す図である。
【図5】分割露光におけるランプ入力電力の切換えとシ
ャッタの開閉動作の関係を示す図である。
【図6】ランプの点灯時間とランプの放射照度との関係
を示す図である。
【図7】液晶カラーフィルタの例を示す図である。
【図8】本発明が適用される露光装置の構成を示す図で
ある。
【符号の説明】
1 ランプ 2 集光鏡 3 第1平面鏡 4 インテグレータレンズ 5 シャッタ 6 コリメータミラー 9 冷却手段 9a 冷却ノズル 10 光照射装置 11 制御部 12 ランプ電源回路 12a 切換回路 13 シャッタコントローラ 14 冷却風コントローラ 15 露光装置制御部 21 整流・平滑回路 22 スイッチング回路 23 トランス 24 整流・平滑回路 25 電力測定回路 26 スタータ 27 電力制御回路 27a デューティ制御回路 27b 比較器 27c 電力切換スイッチ 27d スタンバイ点灯基準電力値発生器 27e フル点灯基準電力値発生器

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 大型基板の露光に用いる露光装置におけ
    るランプの点灯電力制御方法であって、 ワークである基板の露光処理後、処理済ワークの露光処
    理部からの搬出、未処理ワークの露光処理部への搬入、
    および、露光処理部でのワークの位置合せを行なってい
    る間は、ランプに入力する電力を定格電力よりも小さく
    した状態で点灯させることを特徴とする露光装置におけ
    るランプ点灯制御方法。
JP10352385A 1998-12-11 1998-12-11 露光装置におけるランプ点灯制御方法 Pending JP2000181075A (ja)

Priority Applications (2)

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JP10352385A JP2000181075A (ja) 1998-12-11 1998-12-11 露光装置におけるランプ点灯制御方法
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