JP2000158329A

JP2000158329A - ウェーハエッジ研磨方法

Info

Publication number: JP2000158329A
Application number: JP10331157A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Tanaka; 弘明田中; Yoshihisa Ogawa; 佳久小川; Akitoshi Yoshida; 明利吉田
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1998-11-20
Filing date: 1998-11-20
Publication date: 2000-06-13
Anticipated expiration: 2018-11-20
Also published as: JP4346712B2

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、シリコンウェーハあるいは化合物ウ
ェーハ等よりなる半導体基板のエッジ部の研磨加工を行
なう研磨剤を用いた研磨加工方法に関する。更に詳しく
は、緩衝作用を有し、かつ導電率の大きい研磨用組成物
を用いたエッジ部の研磨方法に係わる。【構成】酸化珪素粒子を含むコロイド状溶液よりなる研
磨用組成物により半導体ウェーハのエッジ部分を研磨す
る方法であって、前記酸化珪素粒子の平均一次粒子径が
８〜５００ｎｍであり、またその含有量が全液量に対し
て１〜２５重量％であり、かつ前記コロイド溶液よりな
る研磨用組成物が、２５℃における酸解離定数の逆数の
対数値が８．０〜１２．０の弱酸及び／または弱塩基を
使用して、弱酸と強塩基、強酸と弱塩基あるいは弱酸と
弱塩基の何れかの組み合わせのものを添加することによ
って、ｐＨ８．３〜１１．５の間で緩衝作用を有する緩
衝溶液として調整されたものであることを特徴とする半
導体ウェーハのエッジ部分の研磨方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、シリコンウェーハ
あるいは化合物ウェーハ等よりなる半導体基板のエッジ
部の研磨加工を行なう研磨剤を用いた研磨加工方法に関
する。更に詳しくは、緩衝作用を有し、かつ導電率の大
きい研磨用組成物を用いたエッジ部の研磨方法に係わ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、シリコンウェーハあるいは化合物
ウェーハ等よりなる半導体基板の工作物（以下ウェーハ
等と略記する）のエッジ部分の研磨加工を行なう研磨用
組成物としては酸化珪素またはその水和物をコロイド状
に分散した懸濁液、所謂コロイダルシリカが使用され、
加工に際しては合成樹脂発泡体あるいはスウェード調合
成皮革等よりなるポリッシャーを展張した回転加工なド
ラムに工作物を載置し、押圧回転しつつ前記研磨剤溶液
を定量的に供給しながら加工を行なう方法が一般的であ
る。ここでいう研磨加工とは、ベベリング、ラッピン
グ、エッチング等の前加工を行なったウェーハ等を、よ
り凹凸をなくした鏡面に近づけるためにエッジ部をポリ
ッシングする工程を指すものである。

【０００３】研磨剤としては、例えば米国特許第３３２
８１４１号公報に示されているように、アルカリ成分を
含んだ溶液に微細なコロイド状酸化珪素粒子を分散した
溶液が一般的に使用される。この加工は、その前まで
の、例えばダイヤモンド砥石を使用したり、あるいは硬
質なアルミナ系砥粒を用いた所謂機械的な加工とは異な
るものであって、その成分であるアルカリの化学的作
用、具体的にはシリコンウェーハ等工作物に対する浸蝕
性を応用したものである。すなわち、アルカリの腐食性
により、ウェーハ等工作物表面に薄い軟質の浸蝕層が形
成される。その薄層を微細なコロイド状酸化珪素粒子の
機械的作用により除去してゆくことにより加工が進むの
である。研磨剤溶液のｐＨは、溶液が持つアルカリ成分
の化学的作用により加工が進むのであるから、７以上の
アルカリ性領域になければならない。すなわちｐＨが７
の中性を示す数値に近くなるにつれその化学作用の力は
弱くなり、研磨加工速度は遅くなるしまた、１１を越え
１４に近い強アルカリ領域になるほどその力は強くなり
研磨加工速度は速くなる。

【０００４】従って、このような加工においては、研磨
剤の性質が極めて重要なファクターとなる。即ち、工作
物表面はアルカリ成分によって浸蝕され薄層が形成され
るのであり、その性状や性質、具体的にはその厚さ硬度
等は使用する研磨剤溶液の性質、特に電気化学的性質に
影響されること極めて大であるため、その電気化学的性
質具体的にはｐＨが安定した範囲にあることが大変重要
である。もしこれが、熱、外気との接触、あるいは外部
からの混入物等の外的条件によって容易に変化するよう
であれば、浸蝕層の深さ、浸蝕の速度、均一性、除去の
し易さ等が微妙に変化し精密かつ均質な加工を期待する
ことはできない。また、前記浸蝕層は、研磨用組成物中
に研磨剤として含有されるコロイド状酸化珪素粒子の機
械的作用によって除去されるのであるから、その粒子は
適度なサイズを有し、容易に破壊したり、あるいは高次
に凝集してゲル化するものであってはならない。即ち、
酸化珪素粒子は、アルカリ成分により形成された浸蝕層
を機械的作用により効果的に除去してゆくものである。
従って、除去後の新しい鏡面に何らかの影響を与えるよ
うなものであってはならないのである。

【０００５】従来より様々な研磨用組成物がウェーハ等
の研磨剤として提案されている。たとえば、米国特許第
３１７０２７３号公報では、シリカゾル及びシリカゲル
が研磨剤として提案されている。さらに米国特許第３３
２８１４１号公報では、該懸濁液のｐＨを１０．５〜１
２．５の範囲内にすることにより、研磨速度が増大する
事が開示されている。米国特許第４１６９３３７号公報
では、アミン類を研磨用組成物に添加することが開示さ
れている。特開平２−１５８６８４号公報には、水、コ
ロイダルシリカ、分子量１０万以上の水溶性高分子、水
溶性塩類からなる研磨用組成物が開示されている。更に
特開平５−１５４７６０号公報では、水溶性アミンの一
種であるピペラジンを、シリカゾルまたはシリカゲルの
シリカ基準にて、１０〜８０重量％含む研磨組成物を使
用した研磨方法を開示している。これら開示されている
方法は、アルカリ性の母液にコロイダルシリカあるいは
シリカゾル等の微細粒子からなる研磨剤を分散させた基
本構造の溶液に、様々な添加剤を加えることにより研磨
剤の分散性を上げたり、加工力の安定性を図ったりする
ものであって、従来の研磨用組成物加工速度を画期的に
改善するようなものではない。

【０００６】基本的に、プレポリッシング、あるいはポ
リッシング工程は上述の研磨用組成物を用いる方法によ
るものであるから、一般的に加工速度が遅く生産効率に
劣る上、外的条件の変化によりｐＨが変化し易く加工の
安定性に欠くことが多く、時間がかかりまた難度の高い
加工方法であり、完全な方法とは言い難いものであっ
た。しかしながら、特に近年電子回路の高集積化および
ウェーハ自体の大型化に伴いシリコンウェーハ、半導体
デバイス基板表面の高度な平坦化が必須となっている。
さらに、生産効率を向上させるため、加工速度が速い研
磨用組成物及び研磨方法が望まれている。更に研磨加工
後のシミの発生のない研磨用組成物による研磨方法も強
く望まれている。

【０００７】更に、同時にウェーハエッジ部分の研磨に
ついてもその加工精度の重要性が重要課題としてクロー
ズアップされて来ている。すなわち、ウェーハーのより
清浄化や大型ウェーハーの搬送時の割れや接触によるパ
ーティクルの発生を未然に防ぐためウェーハーエッジ表
面の凹凸を減らし、鏡面に出来るだけ近づけるため、ウ
ェーハーエッジ部を研磨する研磨用組成物と研磨機械に
よりその目的の達成の検討がなされてきた。加えるに、
ウェーハエッジ部分の研磨の特徴として、加工物と研磨
パッドの間での厳しい条件に耐え、更に数回ないし数十
回のリサイクルが可能であり、加工液の粘度の上昇のな
いものが要求されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明者等は上述の、
従来の研磨用組成物を用いたウェーハエッジ研磨方法が
持つ問題点に鑑み、鋭意努力研究を行ない、研磨用組成
物溶液として、微細な酸化珪素の粒子を含むコロイド、
すなわちコロイダルシリカのアルカリ性水溶液であっ
て、ｐＨの緩衝作用を有し、かつ導電率の高い溶液を研
磨用組成物溶液とすることで、安定した高速加工が達成
されることを見出しこの研磨用組成物でエッジ部を研磨
することにより目的とする優れたエッジ部分の加工が可
能であることを見出し、本発明方法を完成するに至った
ものであり、その目的と為す所はｐＨの変化が少なく、
かつ研磨速度が高速で、繰り返し使用においても変化の
少ない安定した研磨用組成物による半導体ウェーハのエ
ッジ部分の研磨方法を提供すること及び前記研磨用組成
物の調整方法を提供することにある。さらに本発明の他
の目的は研磨機械による具体的研磨方法を提供するにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上述の目的は、酸化珪素
粒子を含むコロイド状溶液よりなる研磨用組成物により
半導体ウェーハのエッジ部分を研磨する方法であって、
前記酸化珪素粒子の平均一次粒子径が８〜５００ｎｍで
あり、またその含有量が全液量に対して１〜２５重量％
であり、かつ前記コロイド溶液よりなる研磨用組成物
が、２５℃における酸解離定数の逆数の対数値が８．０
〜１２．０の弱酸及び／または弱塩基を使用して、弱酸
と強塩基、強酸と弱塩基あるいは弱酸と弱塩基の何れか
の組み合わせのものを添加することによって、ｐＨ８．
３〜１１．５の間で緩衝作用を有する緩衝溶液として調
整されたものであることを特徴とする半導体ウェーハの
エッジ部分の研磨方法にて達成することができる。

【００１０】更に、研磨用組成物に含有される酸化珪素
微粒子の表面がアルミニウムで表面を被覆されたもので
あることを特徴とする研磨用組成物を使用することで、
厳しい使用条件に耐え安定した加工ができるようにな
る。すなわち、アルミニウムで被覆した微細な酸化珪素
微粒子を含む特定のコロイダルシリカが、未被覆の酸化
珪素微粒子を含む通常のコロイダルシリカよりも中性領
域及び高アルカリ領域で安定であり、このアルミニウム
被覆タイプ酸化珪素微粒子を含んだ研磨用組成物をを用
いることにより、特に高アルカリ領域でより安定した半
導体ウェーハのエッジ部分の高速加工を達成することが
できる。

【００１１】また、本発明の研磨用組成物が水溶性の有
機溶媒を含ませることにより、加工後の半導体ウェーハ
の汚染を効果的に防止することができる。すなわち、こ
のようなポリッシング用の研磨用組成物においては、酸
化珪素微粒子は水に分散されているが、加工の際の液の
温度の上昇や乾燥した空気の流れとの接触により研磨用
組成物が容易に乾燥され、固形部分である酸化珪素微粒
子のみがゲル状乾燥物としてウェーハ表面に部分的に残
留し、白色系のシミとして現れるようになる。また、ウ
ェーハの成分やコロイダルシリカの一部がアルカリ成分
に溶解し、ポリッシング加工後に表面に不均質に研磨用
組成物が残留していると、これらの溶解物の乾燥したも
のがウェーハのエッチャント（溶解促進剤）の働きをし
斑点状のシミを発生させる原因ともなっていたのである
が、これらのシミ発生の現象は研磨用組成物中に水溶性
有機溶剤、特に１価アルコールまたは多価アルコール、
あるいは水酸基を含む有機化合物を含有させることによ
って、効果的に防止することができる。特に、高分子量
のアルコールあるいはグリコール類等の多価アルコール
は蒸発しにくくシミ防止の効果は顕著である。具体的な
好ましい例としてはエチレングリコール、ポリエチレン
グリコール、グリセリンおよびヒドロキシジエチルアミ
ンを挙げることができる。

【００１２】更に、本発明の他の目的である半導体ウェ
ーハのエッジ部分の具体的研磨方法としては、回転可能
なドラムに、合成樹脂発泡体、合成皮革あるいは不織布
等からなるポリッシャーを貼付した研磨加工機に、工作
物である半導体ウェーハを減圧吸引方式をもってキャリ
アに把持し、前記ドラムおよびキャリアの少なくとも一
方を回転させながらそのエッジ部を前記ドラムに押圧し
て行なう方法をあげることができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明方法の研磨用組成物に用い
るコロイド溶液に含まれる酸化珪素の微粒子は平均一次
粒子径が８〜５００ｎｍのものであり、望ましくは、８
〜２００ｎｍのものである。これらの酸化珪素の微粒子
は二次凝集していても良い。平均一次粒子径が、８ｎｍ
より小さいとコロイド溶液が凝集し易く研磨用組成物と
しての安定性が低下する。また、平均一次粒子径が、２
００〜５００ｎｍの場合、研磨用組成物としての性能に
影響はないが、安定した製品の製造が難しくまた、価格
的にも不利である。平均一次粒子径が、５００ｎｍを越
えると、粒子がコロイド次元を外れ好ましくない。

【００１４】酸化珪素の濃度は、実際の研磨加工時にお
いて１〜２５重量％であることが肝要であり、より好ま
しい範囲は、３〜１５重量％である。濃度が、１重量％
以下であると研磨加工速度は低くなり実用的ではない。
研磨時の酸化珪素濃度が高くなれば研磨加工速度自体は
増大するが約２５重量％を越えるあたりでその値は飽和
値に達し、それ以上は濃度を高くした意味が少なくな
る。また、加工屑として発生する珪素微粉はそのまま液
中に残り酸化されてケイ酸や酸化珪素となり液中の酸化
珪素濃度を高めて行く。酸化珪素濃度が最初から高濃度
であると、前述の珪素微粉が酸化したものも加わって、
リサイクル液のゲル化をより早める傾向も見られコロイ
ド溶液としての安定性に欠き、研磨用組成物溶液のリサ
イクル性を著しく低下せしめ好ましくない。さらにコス
ト的にも不利である。

【００１５】本発明においては研磨用組成物のｐＨは
８．７〜１０．６の範囲にあることが特に好ましい。ｐ
Ｈが８．６以下であると研磨速度は低下し好ましくな
い。また、ｐＨが１０．７以上になると、コロイダルシ
リカが凝集をはじめるため研磨用組成物の安定性が低下
しこれも好ましくない。そしてまた、このｐＨは摩擦、
熱、外気との接触あるいは他の成分との混合等、考えら
れる外的条件の変化により容易に変化するようなもので
あってはならないが、本発明においては研磨用組成物溶
液自体を、外的条件の変化に対してｐＨの変化の幅の少
ない、所謂緩衝作用の強い液とすることをその必要条件
とするものである。緩衝溶液を形成する弱酸及び／また
は、弱塩基は、２５℃における酸解離定数（ｋａ）の逆
数の対数値（ｐＫａ）が８．０〜１２．０の範囲にある
ことが好ましい。２５℃における酸解離定数の逆数の対
数値が８．０以下の場合、ｐＨを上昇させるために、弱
酸及び／または、弱塩基を大量に添加することが必要と
なるため好ましくない。２５℃における酸解離定数の逆
数の対数値が１２．０より大きいとｐＨを８．７〜１
０．６の範囲で安定させる大きな緩衝能を持つ緩衝溶液
を形成することができない。

【００１６】本発明方法に用いる緩衝作用を有する研磨
用組成物溶液の形成に使用する弱酸の一例をあげると、
ホウ酸（ｐＫａ＝９．２４）、炭酸（ｐＫａ＝６．３
５、１０．３３）、燐酸（ｐＫａ＝２．１５、７．２
０、１２．３５）類及び水溶性の有機酸等があげられ、
またその混合物であってもかまわない。弱塩基として
は、水溶性アミンあるいはその混合物が使用できる。具
体的には、例えばエチレンジアミン（ｐＫａ＝７．０
８、９．８９）、モノエタノールアミン（ｐＫａ＝９．
５２）、ジエタノールアミン（ｐＫａ＝８．９０）、ト
リエチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、４−
アミノピリジン、ピペラジン（ｐＫａ＝５．５９、９．
７１）、ピペリジン（ｐＫａ＝１１．１）、ブチレンジ
アミン、プロピレンジアミン、ブチルアミン、ヒドロキ
シエチルピペラジン、アミノエチルピペラジン（ｐＫａ
＝４．０２、９．１１、９．８０）、およびその混合物
をあげることができる。また、強塩基としては、アルカ
リ金属の水酸化物および水溶性の四級アンモニウムの水
酸化物が使用できる。更に強酸としては塩酸、硝酸、硫
酸などが使用できる。上述の物質において、ｐＫａの値
が複数存在する場合は、そのうち一つが範囲内に入って
いればよい。緩衝溶液を形成させるため、（１）弱酸と
強塩基、（２）強酸と弱塩基、（３）弱酸と弱塩基の組
み合わせの塩類、または、塩類と塩基、または、塩類と
酸、で添加しても良い。本発明で述べる緩衝溶液とは、
上述の組み合わせで形成され、溶液の中で弱酸及び／ま
たは、弱塩基がイオンとして解離している状態及び、未
解離の状態が共存している溶液を示し、少量の酸また
は、塩基が混入してもｐＨの変化が少ないことが特徴で
ある。

【００１７】本発明方法においては、研磨用組成物溶液
の導電率を高くすることにより、研磨加工速度を著しく
向上することができる。導電率とは液中の電気の通り易
さを示す数値であり、単位長さあたりの電気抵抗値の逆
数の数値である。本発明においては単位長あたりの導電
率の数値（ｍｉｃｒｏ・Ｓｉｅｍｅｎｓ）を酸化珪素１
重量％当りに換算した数値で示す。本発明においては、
導電率が２０ｍＳ／ｍ／１％−ＳｉＯ²以上であれば研
磨加工速度の向上に対して好ましく、２５ｍＳ／ｍ／１
％−ＳｉＯ²以上であれば更に好ましい。導電率を上昇
させる方法としては、次の二方法がある。一つは緩衝溶
液の濃度を濃くする方法、もう一つは塩類を添加する方
法である。緩衝溶液の濃度を濃くするには、（１）弱酸
と強塩基、（２）強酸と弱塩基、（３）弱酸と弱塩基、
の何れかの組み合わせで、酸と塩基のモル比を変えずに
濃度のみを濃くすればよい。塩類を添加する方法に用い
る塩類は、酸と塩基の組み合わせより構成されるが、酸
としては、強酸、弱酸いずれであってもかまわず、鉱酸
および、有機酸が使用できその混合物であってもよい。
塩基としては、強塩基、弱塩基いずれであってもよく、
アルカリ金属の水酸化物、水溶性の第４アンモニウムの
水酸化物、水溶性アミンが使用できその混合物であって
もかまわない。弱酸と強塩基、強酸と弱塩基、弱酸と弱
塩基の組み合わせで添加する場合は、緩衝液のｐＨを変
化させることがあるため、大量に添加することは望まし
くない。前述の二方法を併用してもかまわない。

【００１８】本発明方法に使用するの研磨組成物の物性
を改良するため、界面活性剤、分散剤、沈降防止剤など
を併用することができる。分散剤、沈降防止剤として
は、水溶性の有機高分子物質、無機層状化合物などがあ
げられる。また、本発明の研磨組成物は水溶液としてい
るが、有機溶媒を添加してもかまわない。本発明の研磨
組成物は、研磨時にコロイダルシリカ及び、塩基と添加
剤と水を混合して調製してもよい。また、一般的にはコ
ロイダルシリカとして、１５〜６５％の高濃度の組成物
を調製しておき、水あるいは、水と有機溶媒の混合物で
希釈して使用することが多い。

【００１９】

【実施例】次に実施例及び比較例をあげて本発明の研磨
用組成物、およびそれを用いた研磨加工方法を具体的に
説明するが、特にこれに限定されるものではない。実施
例及び比較例において使用する研磨組成物は以下の方法
にて調製した。使用したコロイダルシリカは、平均一次
粒子径６０、９０及び１１０ｎｍで二酸化珪素濃度３０
重量％の市販品である。また一部コロイダルシリカの表
面がアルミニウムで被覆された市販品も使用した。これ
らコロイダルシリカを所定量分取し、純水１０００ｇを
添加の後、撹拌しながら、酸及びまたは塩基、あるいは
塩類を加えてｐＨを調整し緩衝溶液とし、更にグリセリ
ン、エチレングリコール等添加剤を必要に応じて順次添
加し、ついで必要量の純水で調製したものを使用液とし
た。この状態での液中の酸化珪素の濃度は１０、及び１
５重量％である。研磨条件は以下の方法でエッジ部の研
磨加工を実施した。研磨装置：スピードファム株式会社製ＥＰ−２００−
Ｖ型ドラム回転数：１８００ｒｐｍドラム上下速度：１
ｍｍ／ｍｉｎ．研磨布：ＳＵＢＡ４００（ロデールニッタ社製）研磨組成物流量：６００ｍＬ／分加工時間：５分工作物：８インチ低温酸化膜付シリコンウエーハエッジ研磨はシリコンウェーハを傾斜させた状態で回転
ドラムに押圧し５分間研磨を行い次いでウェーハの表裏
を逆転させ同じく５分間の研磨を行った。研磨量は、加
工時間片面５分で両面の研磨の研磨前後のシリコンウエ
ーハ１枚当たりの重量差（ｍｇ／ｍ）より求めた。研磨
組成物のｐＨはｐＨメーターを用いて測定した。測定に
あたっては、ｐＨ６．８６とｐＨ９．１８のｐＨ標準液
であらかじめｐＨ電極の校正を行った後測定した。導電
率は導電率計にて測定した。研磨面の評価は、サーフコ
ムプロファイラーＭ２０００（チャップマン、インスツ
ルメント社製）を使用してエッジ面の表面粗さを測定し
た。

【００２０】実施例１〜１０、比較例１〜５実施例の研磨組成物の調製方法で、表１〜３に示す処方
の研磨組成物を調製使用し、ベアウェーハーのエッジ部
の研磨速度と表面粗さを測定した。表１、表２および表
３に本発明方法の実施例と従来技術の比較例を示す。本
実施例においては、表中の結果から明らかな如く、比較
例に比較して各実施例のスラリーによるエッジ部の研磨
は研磨速度がはやく、また、表面粗さもミラー研磨面に
近い良好な表面粗さの値が得られることが明らかであ
る。表１〜表３において＊１：アルミムニウム被覆コロイダルシリカを示す＊２：ＴＭＡＯＨとは、水酸化テトラメチルアンモニウ
ム＊３：グリセリンの略＊４：エチレングリコールの略＊５：モノエタノールアミンの略＊６：研磨量はエッジ部片面５分ずつの加工で両面研磨
後のウェーハ一枚当たりの重量差を示す実施例６〜１０および比較例１〜５では研磨後洗浄して
も残るシミの付着試験を行なった。本試験は研磨時ウェ
ーハを保持するキャリアが減圧吸着方式のため、キャリ
アに保持された場所、周辺が風で乾燥しやすく、研磨終
了に続く水洗浄でもシミとして残る状態を目視でその程
度を判定する方法で行なった。

【００２１】

【表１】

【００２２】

【表２】

【００２３】

【表３】

【００２４】

【発明の効果】以上の記載内容から明らかなように、８
〜５００ｎｍの酸化珪素粒子を含み特定な条件下で緩衝
作用を有するコロイダルシリカイダルシリカを使用した
本発明になる半導体ウェーハエッジ部分を研磨する方法
は、シリコンウェーハのエッジポリッシングにおいて優
れた研磨加工速度が得られるとともに、仕上げ面粗さも
良好で、十分な鏡面が得られ、汚染も少なく、シリコン
ウェーハの高精度化に十分対応して行くことができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】酸化珪素粒子を含むコロイド状溶液よりな
る研磨用組成物により半導体ウェーハのエッジ部分を研
磨する方法であって、前記酸化珪素粒子の平均一次粒子
径が８〜５００ｎｍであり、またその含有量が全液量に
対して１〜２５重量％であり、かつ前記コロイド溶液よ
りなる研磨用組成物が、２５℃における酸解離定数の逆
数の対数値が８．０〜１２．０の弱酸及び／または弱塩
基を使用して、弱酸と強塩基、強酸と弱塩基あるいは弱
酸と弱塩基の何れかの組み合わせのものを添加すること
によって、ｐＨ８．３〜１１．５の間で緩衝作用を有す
る緩衝溶液として調整されたものであることを特徴とす
る半導体ウェーハのエッジ部分の研磨方法。
【請求項２】研磨用組成物がｐＨ８．７〜１０．６の間
で緩衝作用を有する緩衝溶液として調整されたものであ
ることを特徴とする請求項第１項に記載の半導体ウェー
ハのエッジ部分の研磨方法。
【請求項３】研磨用組成物の２５℃における導電率が、
酸化珪素１重量％あたり２０ｍＳ／ｍ以上であることを
特徴とする請求項第１項および第２項記載の半導体ウェ
ーハのエッジ部分の研磨方法。
【請求項４】請求項第３項記載の半導体ウェーハのエッ
ジ部分の研磨方法において、溶液の濃度を高くするか、
あるいは塩類を添加することにより、２５℃における導
電率を、酸化珪素１重量％あたり２０ｍＳ／ｍ以上とす
ることを特徴とする研磨用組成物を調整する方法。
【請求項５】請求項第１項に記載の半導体ウェーハのエ
ッジ部分の研磨方法において、酸化珪素粒子の平均一次
粒子径が８〜５００ｎｍであり、またその全液量に対す
る含有量が１５〜６５重量％であり、かつコロイド状溶
液からなる研磨用組成物が、２５℃における酸解離定数
の逆数の対数値が８．０〜１２．０の弱酸及び／または
弱塩基を使用して、弱酸と強塩基、強酸と弱塩基あるい
は弱酸と弱塩基の何れかの組み合わせのものを添加する
ことによりｐＨの緩衝作用を有する緩衝溶液としたもの
を、水、有機溶剤、塩類を含んだ溶液あるいはその混合
物で希釈することを特徴とする研磨用組成物の調整方
法。
【請求項６】研磨用組成物に含有される酸化珪素微粒子
の表面がアルミニウムで表面を被覆されたものであるこ
とを特徴とする請求項第１項記載の半導体ウェーハのエ
ッジ部分の研磨方法。
【請求項７】研磨用組成物が水溶性有機溶媒を含むもの
であることを特徴とする請求項第１項記載の半導体ウェ
ーハのエッジ部分の研磨方法。
【請求項８】水溶性有機溶媒が一価のアルコールまたは
多価のアルコール、あるいは水酸基を含む有機化合物で
あることを特徴とする請求項第７項記載の半導体ウェー
ハのエッジ部分の研磨方法。
【請求項９】半導体ウェーハのエッジ部分の研磨方法
が、回転可能なドラムに、合成樹脂発泡体、合成皮革あ
るいは不織布等からなるポリッシャーを貼付した研磨加
工機に、工作物である半導体ウェーハを減圧吸引方式を
もってキャリアに把持し、前記ドラムおよびキャリアの
少なくとも一方を回転させながらそのエッジ部を前記ド
ラムに押圧して行なうものであることを特徴とする、請
求項第１項ないし請求項第８項に記載の半導体ウェーハ
のエッジ部の研磨方法。