JP2007300070A - 半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物、それを用いた研磨用組成物の製造方法、及び研磨加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体ウエハ表面に生じる砥粒の残存（パーティクルの発生）を抑制し、かつ高い研磨速度を維持しつつ、良好な面粗さが得られる半導体ウエハの平面およびエッジ部分の鏡面研磨に使用される半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物およびそれを用いた研磨用組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】２５℃における酸解離定数の逆数の対数値（ｐＫａ）が８．０〜１２．５の弱酸および第４アンモニウムを組み合わせた緩衝溶液組成の水溶液、または２５℃における酸解離定数の逆数の対数値（ｐＫａ）が８．０〜１２．５の弱酸並びに第４アンモニウム及びカリウムを組み合わせた緩衝溶液組成の水溶液であって、１００倍に希釈したときｐＨ９．５〜１２の間で緩衝作用を有することを特徴とする半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物。
【選択図】なし

Description

本発明は、シリコンウエハあるいは表面に金属膜、酸化物膜、窒化物膜等（以下、金属膜等と記載する）が形成された半導体デバイス基板等の半導体ウエハの平面およびエッジ部分に研磨加工を施す研磨用組成物へ添加する研磨用エッチング液組成物及びその研磨用組成物の製造方法に関する。更に本発明は前記研磨用組成物を使用して半導体ウエハの平面およびエッジ部分の鏡面加工を行なう加工方法に係る。

シリコン単結晶等半導体素材を原材料としたＩＣ、ＬＳＩあるいは超ＬＳＩ等の電子部品は、シリコンあるいはその他の化合物半導体の単結晶インゴットを薄い円板状にスライスしたウエハに多数の微細な電気回路を書き込み分割した小片状の半導体素子チップを基に製造されるものである。インゴットからスライスされたウエハは、ラッピング、エッチング、更には研磨（以下ポリッシングと記載することもある）という工程を経て、平面およびエッジ面が鏡面に仕上げられた鏡面ウエハに加工される。ウエハは、その後のデバイス工程にてその鏡面仕上げされた表面に微細な電気回路が形成されて行くのであるが、現在、ＬＳＩの高速化の観点から、配線材料は従来のＡｌからより電気抵抗の低いＣｕに、配線間の絶縁膜は、シリコン酸化膜からより誘電率の低い低誘電率膜に、更にＣｕと低誘電率膜の間に、Ｃｕが低誘電率膜中に拡散することを防止するためのタンタルや窒化タンタルによるバリア膜を介した構造を有する配線形成プロセスに移行しつつある。こうした配線構造の形成と高集積化のために、層間絶縁膜の平坦化、多層配線の上下配線間の金属接続部（プラグ）形成や埋め込み配線形成などに繰り返し頻繁に研磨工程が行われる。この平面の研磨においては、合成樹脂発泡体あるいはスウェード調合成皮革等よりなる研磨布を展張した定盤上に半導体ウエハを載置し、押圧回転しつつ研磨組成物溶液を定量的に供給しながら加工を行なう方法が一般的である。

エッジ面は上記の金属膜等が不規則に堆積した状態となっている。半導体素子チップに分割されるまではウエハは最初の円板状の形状を保ったままエッジ部を支えにした搬送等の工程が入る。搬送時にウエハの外周側面エッジが不規則な構造形状であると、搬送装置との接触により微小破壊が起こり微細粒子を発生する。その後の工程で発生した微粒子が散逸して精密加工を施した面を汚染し、製品の歩留まりや品質に大きな影響を与える。この微粒子汚染を防止するために、金属膜等の形成後に半導体ウエハのエッジ部分を鏡面研磨する加工が必要となっている。

上述のエッジ研磨は、研磨布支持体の表面に、合成樹脂発泡体、合成皮革あるいは不織布等からなる研磨布を貼付した研磨加工機に、半導体ウエハのエッジ部分を押圧しながら、シリカ等の研磨砥粒を主成分とする研磨組成物を供給しつつ、研磨布支持体とウエハもしくはどちらか一方を回転させて達成される。この際用いられる研磨組成物の砥粒としては、シリコンウエハのエッジ研磨に用いられるものと同等のコロイダルシリカや、デバイスウエハの平面研磨に用いられるヒュームドシリカやセリア、アルミナなどが提案されている。特にコロイダルシリカやヒュームドシリカは微細な粒子であるため平滑な鏡面を得られ易く注目されている。
このような研磨組成物または研磨用組成物は「スラリー」とも呼ばれ、以下にそのように記載することもある。

シリカ砥粒を主成分とする研磨組成物は、アルカリ成分を含む溶液が一般的で、加工の原理は、アルカリ成分による化学的作用、具体的には酸化珪素膜や金属膜等の表面に対する浸食作用とシリカ砥粒の機械的な研磨作用を併用したものである。具体的には、アルカリ成分の浸食作用により、ウエハ等被加工物表面に薄い軟質の浸食層が形成される。その浸食層を微細砥粒粒子の機械的研磨作用により除去する機構と推定されており、この工程を繰り返すことにより加工が進むと考えられている。被加工物の研磨後、洗浄工程が施され被加工面およびエッジ部からシリカ砥粒やアルカリ液が取り除かれる。

アルカリ成分は被加工物表面を浸食するのであるが、「浸食」とは金属または金属酸化物の僅かな溶解を伴いつつ緻密な表面を「ふやかす」という意味であって、「エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）」も同じ意味とする。
浸食（エッチング）は、アルカリと金属または金属酸化物との化学反応であって、酸とアルカリの中和反応と同様に、アルカリの一部が中和消費されている。エッジ研磨では一定量のスラリーを繰り回して使用して１０枚以上のウエハを研磨する。この間、スラリーのアルカリは中和されアルカリ濃度が低下するためエッチング能力も低下し、それによって研磨性能も低下してくる。この時点で研磨不良が発生する前にスラリーを新しいスラリーに交換する。平面研磨では繰り回して使用することは少ないが、経済的にも、廃棄物削減という点でも、繰り回して使用することは検討されつつある。

従来から半導体ウエハの鏡面研磨では、様々なスラリーが提案されている。たとえば、特許文献１では、炭酸ナトリウムと酸化剤を含有するコロイダルシリカが開示されている。特許文献２には、エチレンジアミンを含有するコロイダルシリカが開示されている。特許文献３には、繭状の形状をしたシリカ粒子の使用が記載されている。特許文献４には、エチレン・ジアミン・ピロカテコールとシリカの微粉末を含有するスラリーを用いたデバイスウエハの研磨方法が開示されている。特許文献５には、グリシン、過酸化水素、ベンゾトリアゾールとシリカの微粉末を含有するスラリーを用いた半導体ウエハの研磨方法が開示されている。特許文献６には、ＫＯＨ水溶液に平均粒子径５〜３０ｎｍのヒュームドシリカを分散したスラリーとその製法が開示されている。特許文献７には、カチオン交換によりナトリウムを除去したコロイダルシリカのスラリーが記載されており、研磨促進剤としてアミンの添加および殺細菌剤としての第４アンモニウム塩の添加が提案されている。特許文献８には、特定のアミンの使用が記載されている。特許文献９には、コロイダルシリカの粒子成長工程で使用するアルカリ剤として、水酸化ナトリウムの代わりに水酸化テトラメチルアンモニウムを使用してコロイダルシリカを製造し、実質的にナトリウムを含有しない研磨用高純度コロイダルシリカが記載されている。特許文献１０には、弱酸と強塩基、弱酸と弱塩基あるいは弱酸と弱塩基の何れかの組み合わせのものを添加することによって、ｐＨ８．７〜１０．６の間で緩衝作用を有する緩衝溶液として調整された酸化珪素コロイド溶液が記載されている。特許文献１１には、アルカリ成分と酸成分とを加えた緩衝作用を持つ研磨用組成物であって、アルカリ成分として第４アンモニウムを用いたものが記載されている。特許文献１２には、繰り回して使用するスラリーをｐＨおよびアルカリ剤の総量、電気伝導度の管理をしつつアルカリ剤を添加して、パーティクル（欠陥）の生じない研磨方法が記載されている。

上記特許文献１、特許文献２のようにコロイダルシリカを用いる場合には不純物の問題がある。コロイダルシリカは珪酸ソーダを原料として製造され、ナトリウムなどのアルカリ金属が比較的多く含まれており、砥粒残りの起きやすい材料である。特許文献３の繭状の形状をしたシリカ粒子は、有機珪素化合物を原料にして製造されるので高純度であり、アルカリ金属を含まない点で優れているが、このシリカ粒子は柔らかいため、研磨速度が低いことが欠点である。特許文献４、特許文献５ではアルカリ金属を含まない点で優れているが、シリカの微粉末を用いる記載であるからヒュームドシリカの使用であり、研磨速度は高いが研磨面にスクラッチが発生しやすくなる。特許文献６はヒュームドシリカを用いたスラリーであり、研磨速度は高いが研磨面にスクラッチが発生しやすくなり、かつＫＯＨ水溶液を使用しており適切な材料ではない。特許文献７に記載の低ナトリウムのコロイダルシリカは同文献７ページに明記されているように、研磨促進剤はアミンであり、第４アンモニウム塩は研磨促進効果も有する殺細菌剤として微量添加されている。実施例ではアミンとしてはアミノエチルエタノールアミンとピペラジンの使用が記載されている。最近になって、アミンはその金属キレート形成作用のため、ウエハの金属汚染、特に銅汚染の原因になることが判ってきた。また、同文献ではｐＨ調製にＫＯＨを使用と記載されナトリウム量の低減を課題としている。特許文献８にはアミノエチルエタノールアミンによるウエハ汚染の危険性が記載されている。特許文献９記載のコロイダルシリカは、水相および粒子表面、粒子内部にもナトリウムが存在しないため極めて好ましい研磨剤である。しかしながら、水酸化ナトリウムに比べて粒子成長が格段と遅く、特に粒子径の大きい５０ｎｍ以上のコロイダルシリカの製造には何らかの対策が求められる。特許文献１０、１１は本発明の先行技術であり、ｐＨ緩衝作用を有する研磨剤であって、研磨中のｐＨ管理や調整を低減でき、省力化に有効であったが、アルカリ濃度が下がった時点では新液と交換するしかなく、研磨剤のコストは高いものになっていた。また、パーティクルの発生抑制に関しても、対策が不十分であった。特許文献１２には、繰り回して使用するスラリーへのアルカリ剤の添加が記載されており、過剰のＮａ₂ＣＯ₃の存在がパーティクルの発生要因であることも記載され、アルカリ剤にはテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの使用もできることも記載されているが、Ｎａ₂ＣＯ₃の濃度管理だけでパーティクルの発生抑制を行う研磨方法になっており、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの使用でパーティクルの発生防止ができることを発見していない。

特開昭６２−１０１０３４号公報 第５頁 特開平２−１４６７３２号公報 特許請求の範囲 特開平１１−６０２３２号公報 第２頁 特開平６−５３３１３号公報 第３頁 特開平８−８３７８０号公報 第５頁 特開平９−１９３００４号公報 特許請求の範囲 特開平３−２０２２６９号公報 特許請求の範囲 第７頁 特開２００２−１０５４４０号公報 第２頁 特開２００３−８９７８６号公報 特開平１１−３０２６３４号公報 特許請求の範囲 特開２０００−８０３４９号公報 特許請求の範囲 特開２００４−３４２８４８号公報

本発明の目的は、半導体ウエハ表面に生じる砥粒の残存（パーティクルの発生）を抑制し、かつ高い研磨速度を維持しつつ、良好な面粗さが得られる半導体ウエハの平面およびエッジ部分の鏡面研磨に使用される半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物およびそれを用いた研磨用組成物の製造方法を提供することにある。本発明は、特にスラリーを繰り回して使用する研磨方法において、有用なものとなる。さらに本発明の他の目的は、前記研磨用組成物を用いた、半導体ウエハの平面およびエッジ部分の鏡面研磨方法を提供することにある。

本発明者等は、第４アンモニウム塩基を主要成分とした半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物を用いることにより、上記目的を達成し、半導体ウエハの平面およびエッジ部分の鏡面研磨加工が効果的に行なえることを見出し、本発明を完成するに到った。本発明にいう半導体ウエハとは、シリコンウエハあるいは表面に金属膜、酸化物膜、窒化物膜等を形成した半導体デバイス基板等を指す。

即ち、本発明の第一の発明は、２５℃における酸解離定数の逆数の対数値（ｐＫａ）が８．０〜１２．５の弱酸および第４アンモニウムを組み合わせた緩衝溶液組成の水溶液であって、かつ１００倍に希釈したときｐＨ９．５〜１２の間で緩衝作用を有することを特徴とする半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物である。
また、本発明の第二の発明は、２５℃における酸解離定数の逆数の対数値（ｐＫａ）が８．０〜１２．５の弱酸並びに第４アンモニウムおよびカリウムを組み合わせた緩衝溶液組成の水溶液であって、かつ１００倍に希釈したときｐＨ９．５〜１２の間で緩衝作用を有することを特徴とする半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物である。これら第一の発明または第二の発明の組成物はスラリーに添加して半導体ウエハ研磨に供せられる。

前記半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物において弱酸を構成する陰イオンは、炭酸イオン及び炭酸水素イオンであり、かつ第４アンモニウムがコリンイオン、テトラメチルアンモニウムイオンもしくはテトラエチルアンモニウムイオンまたはこれらの混合物であることが好ましい。コリンはトリメチル(ヒドロキシエチル)アンモニウムの通称である。
前記半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物は、強酸または弱酸と第４アンモニウムの塩を有することによって、１００倍に希釈したとき２５℃における導電率が、５０ｍＳ／ｍ以上となるように調製されていることが好ましい。強酸と第４アンモニウムの塩としては、硫酸第４アンモニウム、硝酸第４アンモニウムまたはフッ化第４アンモニウムであることが好ましい。
前記半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物は、さらに水溶性高分子化合物または多価アルコールを含有することが好ましい。水溶性高分子化合物または多価アルコールとしては、ヒドロキシエチルセルロース、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール、グリセリン、プロピレングリコールのいずれかひとつであることが好ましい。
前記半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物は、さらに消泡剤を含有することが好ましい。消泡剤としてはシリコーンエマルジョンであることが好ましい。
前記半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物は、さらにノニオン界面活性剤を含有することが好ましい。

本発明の第三の発明は、前記の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物を砥粒を懸濁した研磨液（スラリー）に加えることで研磨用組成物を製造することを特徴とする研磨用組成物の製造方法であって、スラリーはすでに半導体ウエハの研磨に使用されたものが使用できる。また、砥粒はコロイダルシリカまたはヒュームドシリカであることが好ましい。

本発明の第四の発明は、前記の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物をスラリーに添加した研磨用組成物をもちいて、半導体ウエハ平面の上下面もしくは、片面に研磨布を貼付した回転可能な定盤に半導体ウエハを押圧し、研磨用組成物を供給しつつ、定盤及び／または半導体ウエハを回転させて半導体ウエハの平面を研磨することを特徴とする研磨方法である。

本発明の第五の発明は、前記の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物をスラリーに添加した研磨用組成物をもちいて、表面に研磨布を貼付したドラム形状の研磨部材または、円弧状をした作業面を持つ研磨部材を有する研磨装置に、研磨用組成物を供給しつつ、半導体ウエハのエッジ部分を押圧し、研磨部材及び／または半導体ウエハを回転させながら、半導体ウエハのエッジ部分を研磨することを特徴とする研磨方法である。

本発明による半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物を用いれば、半導体ウエハ等の研磨において平面部にパーティクル汚染、特に砥粒の残存（以下、「砥粒残り」と記す）を起こしにくいという卓越した効果が得られる。「砥粒残り」とは、研磨中に研磨用組成物の砥粒成分がウエハの平面部分に固着してしまい、洗浄後にも平面部分に砥粒が残留している状態である。本発明により、従来比較的対策が不十分であった平面部の砥粒残りを解決し、ウエハの鏡面研磨加工において優れた研磨力とその持続性をもった研磨用組成物が得られることから、関連業界に及ぼす効果は極めて大である。

本発明の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物はスラリーに添加して、研磨用組成物を形成して半導体ウエハ研磨に供せられる。この添加量はスラリー量に比較して、微量である。したがって添加に際して、半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物は５０倍ないし１０００倍に希釈され、研磨用組成物として半導体ウエハ研磨に供せられる。したがって、希釈されたときの特性を基にして半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物の性状を設計、限定しなくてはならない。そこで、本発明では５０倍ないし１０００倍の希釈を代表して１００倍希釈とした。

本発明の研磨用エッチング液組成物はアルカリ金属、特にナトリウムを含まないか、あるいはパーティクル汚染を発生しない程度の少量であって、第４アンモニウムを主要成分とすることが肝要である。市販のコロイダルシリカやヒュームドシリカスラリーは一般に２０乃至５０重量％のシリカ(ＳｉＯ_２)成分と、０．１乃至０．３重量％のＮａ_２Ｏ成分またはＫ₂Ｏ成分を含有しており、８乃至１１のｐＨになっている。半導体ウエハ等の研磨に使用する際には純水で希釈して２乃至２０重量％のシリカ濃度とする。希釈したスラリーは本発明の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物を使用してｐＨ９．５〜１２となるようｐＨを調整する。より好ましくはｐＨ１０〜１１に調整する。また、研磨に使用されたスラリーは繰り返し再利用され（繰り回し使用）、徐々にｐＨが低下していく。このときに本発明の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物を使用して再びｐＨ９．５〜１２となるようｐＨを調整する。より好ましくはｐＨ１０〜１１に調整する。

第４アンモニウムとしてはコリンイオン、テトラメチルアンモニウムイオンもしくはテトラエチルアンモニウムイオンまたはこれらの混合物であることが好ましい。その他の第４アンモニウムイオンとしては、炭素数４以下のアルキル基または炭素数４以下のヒドロキシアルキル基から構成される第４アンモニウムイオンが好ましく、アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基であり、ヒドロキシアルキル基としてはヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、ヒドロキシブチル基である。具体的にはテトラプロピルアンモニウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン、メチルトリヒドロキシエチルアンモニウムイオン、トリエチル(ヒドロキシエチル)アンモニウムイオンなどが入手しやすく、好ましい。
更にその他の第４アンモニウムイオンとしては、ベンジルトリメチルアンモニウムイオン、フェニルトリメチルアンモニウムイオンなども入手しやすく、好ましい。
第４アンモニウムイオンは有機基の種類によりウエハに対する腐食性および研磨性能が異なり、また砥粒の洗浄性も異なるため、適宜選択して用いることが好ましく、複数を組み合わせて用いることも好ましい。

第４アンモニウムを使用したスラリーのシリカ粒子がウエハ表面に固着しにくいという現象は、本発明者らにより初めて明らかになったのであるが、その機構については以下のように推測できる。まず、水酸化ナトリウムで安定化した一般のコロイダルシリカの場合には、研磨後のウエハ表面にスラリーが付着したままでの僅かな時間の経過中に、水分の若干の蒸発を伴い、シリカ粒子とウエハ表面金属（または金属酸化物）を水酸化ナトリウムが腐食し、シリカと金属水酸化物の結合が起こる。結合は、粒子表面と金属水酸化物表面の融着によるか、あるいはシリカのアニオン電荷と金属水酸化物表面のカチオン電荷による静電気的な結合であろう。
一方、第４アンモニウムを使用したスラリーの場合には、シリカ粒子表面には第４アンモニウムイオンが存在し、ウエハ表面にも第４アンモニウムイオンが存在し、どちらの表面も第４アンモニウムイオンのアルキル基がむき出しになっている。このアルキル基同士の反発力がシリカ粒子のウエハ表面への固着を防止している。金属防食の分野では第４アンモニウムやアミンはインヒビター（防錆剤）として扱われており、分子中の窒素原子が金属面に吸着し、アルキル基側が液相面に向くことで、金属に撥水相を形成して防食作用を発現するとされている。それと似た防食作用がウエハ表面でも発現されているのであろう。

第４アンモニウムイオンは強アルカリであるがアルカリ金属に比べる浸食作用は低く、アルカリ金属を用いた研磨剤よりも、研磨速度は遅い。さらに、アルカリ金属でもカリウムはナトリウムより浸食作用は低く、ナトリウムを用いた研磨剤よりも、研磨速度は少し遅い。このカリウムとナトリウムの違いは、その電気陰性度またはイオン移動度の違いによると推定されるが、明確ではない。いずれにしても、カリウムはナトリウムよりも浸食作用が低くパーティクル汚染、特に砥粒残りを起こしにくい。したがって、パーティクル付着の発生しない程度で炭酸水素カリウムを使用することができる。その場合の炭酸水素カリウムの使用量は、第４アンモニウムのモル量の２倍以下であることが好ましい。

本発明の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物を添加するスラリーのシリカ濃度は２〜５０であることが好ましい。研磨に使用するときのシリカ濃度は、２〜２０重量％であることが望ましい。

さらに、本発明においては、実際の研磨加工時に安定な研磨力を持続するために、半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物を添加したスラリーのｐＨを８〜１２の範囲に保つことが好ましい。ｐＨが８未満であると研磨速度は低下し実用の範囲からは外れることがある。また、ｐＨが１２を超えると、研磨部以外でのエッチングが強くなりすぎ、またシリカ粒子が凝集を始めるためスラリーの安定性が低下しこれも実用の範囲から外れることがある。より好ましくは、ｐＨは１０〜１１の範囲である。

さらに、このｐＨは摩擦、熱、外気との接触あるいは他の成分との混合等、考えられる外的条件により容易に変化しないことが好ましい。スラリーは循環流として繰り回し使用される。すなわち、スラリータンクから研磨部位へ供給されたスラリーは、スラリータンクへ戻す方式で使用される。このとき、アルカリ剤だけを含むスラリーは、使用時に短時間でｐＨが低下してしまう。これは、被研磨物の溶解や洗浄水の混入によるもので、ｐＨの変動がもたらす研磨速度の変動は、研磨不足もしくは、研磨を行いすぎるために生じるオーバーポリッシュを起こしやすくなる。

従って、本発明においては半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物を使用して、スラリーを外的条件の変化に対してｐＨ変化の幅が少ない、所謂緩衝作用の強い液としている。緩衝溶液を形成するためには、２５℃における酸解離定数（Ｋａ）の逆数の対数値（ｐＫａ）が８．０〜１２．５の範囲にある弱酸および第４アンモニウム強塩基を組み合わせて使用すればよい。２５℃における酸解離定数の逆数の対数値（ｐＫａ）が８．０未満の場合、ｐＨを上昇させるために、弱酸及び強塩基を大量に添加することが必要となるため好ましくない。２５℃における酸解離定数の逆数の対数値（ｐＫａ）が１２．５より大きい場合、ｐＨを１０〜１１の範囲で安定させる大きな緩衝作用を持つ緩衝溶液を形成しにくいため好ましくない。

本発明において、半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物に使用する弱酸としては、炭酸（ｐＫａ＝６．３５、１０．３３）が好ましく、ホウ酸（ｐＫａ＝９．２４）、燐酸（ｐＫａ＝２．１５、７．２０、１２．３５）類及び水溶性の有機酸等があげられ、またその混合物であってもかまわない。また、強塩基としては、第４アンモニウムの水酸化物が使用される。本発明で述べる緩衝溶液とは、上述の組合せで形成され、溶液の中で弱酸が価数の異なるイオンとして解離している状態、または、解離状態と未解離状態が共存している溶液を示し、少量の酸または、塩基が混入してもｐＨの変化が少ないことが特徴である。

弱酸を構成する陰イオンは、炭酸イオン及び炭酸水素イオンが好ましく、かつ第４アンモニウム強塩基を構成する陽イオンがコリンイオン、テトラメチルアンモニウムイオンまたはテトラエチルアンモニウムイオンのうち少なくとも一つであることが好ましい。テトラメチルアンモニウムイオンが最も好ましい。
第４アンモニウムイオンの濃度は０．０５乃至５ｍｏｌ／ｋｇが好ましい。０．０５ｍｏｌ／ｋｇ未満では希薄過ぎて研磨剤への添加量が大きくなり砥粒濃度が低下し、研磨性能への影響がある。５ｍｏｌ／ｋｇより濃厚ではスラリーへの添加量が小さくなりすぎて、添加量の制御が煩雑となる。より好ましくは、０．１乃至３ｍｏｌ／ｋｇである。

また、弱酸と強塩基の組み合わせでは、弱酸と強塩基の配合比を適宜選定することで、緩衝ｐＨ値を９乃至１３の間で任意に設定することができるが、極端に弱酸または強塩基を少なくして、ｐＨを１２〜１３あるいは９〜９．５の範囲に設定すると、大気中の炭酸ガスの吸収や希釈によりｐＨが変動するようになり、実用的なｐＨ緩衝作用を得ることができない。したがって、緩衝ｐＨ値は弱酸の解離定数に対応したｐＨ値のプラスマイナス１単位以内とすることが好ましい。
本発明ではテトラメチルアンモニウム強塩基と弱酸の炭酸の組み合わせが代表的であるが、そのモル比は、例えば、炭酸水素イオン／テトラメチルアンモニウムイオンで１乃至８であり、この範囲でｐＨが９．５から１１の緩衝組成がえられる。より好ましくは１乃至３であり、この範囲でｐＨが９．９から１１の緩衝組成がえられる。より好ましくは１．３乃至２．６である。この範囲でｐＨが１０．０から１０．５の緩衝組成がえられる。すなわち、モル比が、１．３ではｐＨが１０．５の緩衝組成、２．６ではｐＨが１０．０の緩衝組成となり、その中間のモル比例えば１．９ではｐＨが１０．２の緩衝組成となる。カリウムイオンを使用したときは、そのモル数をテトラメチルアンモニウムイオンのモル数と合計してモル比の算出を行う。

上述のｐＨ緩衝についての記載に関して、注釈をここに記載して、本発明の内容を明確化する。記載の多くは、炭酸水素アルカリと水酸化アルカリの緩衝系であるが、この緩衝系は、炭酸水素アルカリと炭酸アルカリの緩衝系と同一の緩衝系である。すなわち、1モル濃度の炭酸水素アルカリと1モル濃度の炭酸アルカリの緩衝系は、２モル濃度の炭酸水素アルカリと1モル濃度の水酸化アルカリの緩衝系と書き表すことができる。記載の正確化、明確化を高めるために表現が使い分けられている。

上述のように、この研磨加工は、その成分であるアルカリの化学的作用、具体的には酸化珪素膜や金属膜等の被加工物に対する浸蝕性を応用したものである。すなわち、アルカリの腐食性により、ウエハ等被加工物表面に薄い軟質の浸蝕層が形成される。その薄層を微細な砥粒粒子の機械的作用により除去してゆくことにより加工が進むのである。金属膜の浸蝕は金属が酸化される反応であり、金属表面は接触している溶液から電子を受け取り、水酸化金属イオンとして溶液に移動する。この電子の授与が速やかに進行するためには、溶液の導電率が高いことが必要である。

本発明においては、半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物を使用してスラリーの導電率を高くすることにより、研磨加工速度を著しく向上することができる。導電率とは液中の電気の通り易さを示す数値であり、単位長さあたりの電気抵抗値の逆数値である。本発明においては半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物を１００倍に希釈したとき２５℃における導電率が、５０ｍＳ／ｍ以上となるように調製されていることが好ましい。１００ｍＳ／ｍ以上であれば更に好ましい。しかしながら、過度の量は、シリカ砥粒の凝集を生じるため配合量には上限がある。上限は、半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物を１００倍に希釈したとき２５℃における導電率が、１３００ｍＳ／ｍ以下となるように調製されていることが好ましい。１０００ｍＳ／ｍ以下であれば更に好ましい。

スラリーの導電率を上昇させる方法としては、次の二方法がある。一つは半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物緩衝溶液を大量に添加して濃度を高くする方法、もう一つは塩類を含有する半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物添加する方法である。半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物を構成する塩類としては、酸及び塩基の組み合わせより構成されるが、酸としては、強酸、弱酸いずれであってもかまわず、鉱酸および、有機酸が使用でき、その混合物でもよい。塩基としては、水溶性の第４アンモニウムの水酸化物が使用される。また、必要に応じ、パーティクル付着の発生しない程度で炭酸水素カリウムを使用することもできる。前述の二方法を併用してもかまわない。好ましい形態は、強酸と第４アンモニウムの塩である。
強酸と第４アンモニウムの塩としては、硫酸第４アンモニウム、硝酸第４アンモニウムまたはフッ化第４アンモニウムの少なくとも一つであることが好ましい。第４アンモニウム強塩基を構成する陽イオンはコリンイオン、テトラメチルアンモニウムイオンまたはテトラエチルアンモニウムイオンのうち少なくとも一つであることが好ましい。その他の第４アンモニウムイオンとしては、前記の物が使用される。

上述のように、この研磨加工は、その成分であるアルカリの化学的作用、具体的には酸化珪素膜や金属膜等の被加工物に対する浸蝕性を応用したものである。アルカリ成分は研磨している部分でない部位にも接触しており、その部位でも浸蝕性を示し、しばしば「染み(シミ)」と称される面荒れを起こすことがある。すなわち、シミもパーティクル汚染もアルカリ成分による過剰エッチングという同じ要因に起因しており、対策方法もいくつか提案されてきている。本発明でも、それらの方法を採用することで、半導体ウエハの鏡面研磨を改善することは好ましい。

本発明の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物は、さらに水溶性高分子化合物を含有することが好ましい。水溶性高分子化合物は過剰エッチングの防止効果がある。水溶性高分子化合物としては、ヒドロキシエチルセルロース、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコールのいずれかひとつであることが好ましい。エチレンオキサイド・プロピレンオキサイドトリブロックコポリマーも好ましい。本発明の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物が研磨スラリーに添加されて１００倍希釈されたとき、例えば、ヒドロキシエチルセルロースであれば３０〜３００ｐｐｍで効果がある。従って、半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物における濃度は０．３〜３重量％である。同じく、ポリエチレングリコールでは０．３〜５重量％、ポリビニルアルコールでは１〜５重量％である。

本発明の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物は、さらに消泡剤を含有することが好ましい。消泡剤としては、シリコーンエマルジョンであることが好ましい。シリコーンエマルジョンとしては、ポリジメチルシロキサンを主要成分とするシリコーンオイルのＯ／Ｗ型エマルジョンである市販のシリコーン消泡剤が使用できる。半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物における濃度は０．１〜１．５重量％である。

本発明の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物は、さらにノニオン界面活性剤を含有することが好ましい。ノニオン界面活性剤は過剰エッチングの防止効果がある。ノニオン界面活性剤としては、ポリオキシエチレンラウリルエーテルなどのポリオキシアルキレンアルキルエーテル、グリセリンエステルなどの脂肪酸エステル、ジ（ポリオキシエチレン）ラウリルアミンなどのポリオキシアルキレンアルキルアミンが使用できる。半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物における濃度は０．００１〜０．１重量％である。

本発明の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物を添加するコロイダルシリカやヒュームドシリカスラリーのシリカ粒子は、ＢＥＴ法による平均粒子径が１０ｎｍ乃至２００ｎｍ、好ましくは２０ｎｍ乃至１２０ｎｍであることが好ましい。ここで言うＢＥＴ法による平均粒子径とは、粉末化したシリカ砥粒の比表面積を窒素吸着ＢＥＴ法で測定し、下式に基づき、比表面積から真球換算で算出した平均一次粒子径である。
２７２０／比表面積（ｍ²／ｇ）＝真球換算で算出した平均一次粒子径（ｎｍ）

また、本発明の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物は、銅と水不溶性のキレート化合物を形成するキレート化剤を含有していることも好ましい。例えば、キレート化剤としては、ベンゾトリアゾールのようなアゾール類やキノリノール、キナルジン酸のようなキノリン誘導体など公知の化合物が好ましい。また、ドデシルベンゼンスルホン酸塩のようなアニオン界面活性剤も過剰エッチング防止に効果があるので好ましい。

次に本発明の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物を用いた半導体ウエハの研磨加工方法について説明する。本発明の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物は研磨加工前および繰り回し使用時に酸化ケイ素の微粒子を水に分散させたスラリーに添加して研磨用組成物とする。

平面研磨の場合、上下面もしくは、片面に合成樹脂発泡体あるいはスウェード調合成皮革等よりなる研磨布を貼付した回転可能な定盤に被加工物の研磨面を押圧し、研磨用組成物を定量的に供給しながら、定盤及び被加工物もしくはそのどちらか一方を回転させて被加工物の研磨面を研磨加工する方法で行われる。研磨用組成物は繰り回して使用し、本発明の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物は繰り回し使用時に研磨用組成物に繰り返し添加する。本発明に用いる平面ポリッシング用加工機とは、例えばスピードファム社製ＳＨ−２４片面研磨装置、ＦＡＭ−２０Ｂ両面研磨装置等に示される装置である。

エッジ研磨の場合、一般的には回転可能な研磨布支持体の表面に、合成樹脂発泡体、合成皮革あるいは不織布等からなる研磨布を貼付した研磨加工機に、ワーク（被加工物）であるべべリング(面取り)を施したシリコンウエハ等のエッジ部分を回転させつつ傾斜押圧し、研磨用組成物を供給しながら、エッジ部分の研磨加工を行なう方法で行われる。研磨用組成物は繰り回して使用し、本発明の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物は繰り回し使用時に研磨用組成物に繰り返し添加する。本発明に用いるエッジポリッシング用加工機とは、例えばスピードファム社製ＥＰ−ＩＶ型エッジポリッシュ装置に示されるようなものであり、表面に研磨布を貼付した回転可能な研磨布支持体と、ワークを把持し回転し任意の角度で傾斜させる把持部とからなり、該把持部に取り付けられたワークのエッジ部分を前記研磨布支持体に押圧し、研磨用組成物を供給しながらワークと研磨布支持体の双方を回転せしめ、ワークのエッジ部分の鏡面研磨加工を行なう。即ち、回転しつつ少しずつ上昇あるいは下降して位置を変えてゆく研磨布支持体に、ワークを回転させながら一定の角度で押しあて、研磨用組成物を加工部分に滴下しながら研磨を行なう。研磨用組成物を用いた半導体ウエハの研磨加工方法は以下の実施例にて詳細に説明する。なお、装置については上記の記載に限定されるものではなく、例えば特開２０００−３１７７８８号公報、特開２００２−３６０７９号公報などに記載のいかなる装置も使用可能である。
鏡面加工を施したウエハの、過剰エッチングなどによる欠陥は、ウエハ観察においてヘイズ（曇り、くすみ）やピットという状態で評価される。集光灯下にて目視観察によることで評価することができる。更に詳細な評価では、ＳＥＭを用いた観察や、レーザー光散乱法表面検査装置を用いて評価することもできる。

次に、実施例及び比較例をあげて本発明の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物、及びそれを用いた研磨加工方法を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。

＜組成物原料の調製＞
強攪拌下に２５％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液１６４０ｇに炭酸ガスを吹き込み、ｐＨ８．４に中和して、３３％炭酸水素テトラメチルアンモニウム水溶液１８４２ｇ(４．５０ｍｏｌ)を作成した。

＜半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物の調製＞
（実施例１）
エッチング液Ａの調製：前記の３３％炭酸水素テトラメチルアンモニウム水溶液１８４２ｇ(４．５０ｍｏｌ)と２５％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液８２０ｇ(２．２５ｍｏｌ)を混合して、２６６２ｇの半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物を作成した。この液は６倍に希釈したときｐＨ１０．１であり、１００倍に希釈したときｐＨ１０．１であり、１０００倍に希釈したときにもｐＨ１０．１でありｐＨ１０．１で緩衝作用を有する。また、１００倍に希釈したとき２５℃における導電率は、２５５ｍＳ／ｍであった。

（実施例２）
エッチング液Ｂの調製：上記エッチング液Ａを１０００ｇ分取し、消泡剤（信越化学(株)製品シリコーン消泡剤ＫＭ−７３Ａ）６．２５ｇ、ポリ（オキシエチレン）ラウリルエーテル０．０７ｇ、ヒドロキシエチルセルロース５ｇを添加混合して、１０１１．３２ｇの半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物を作成した。この液は６倍に希釈したときｐＨ１０．１であり、１００倍に希釈したときｐＨ１０．１であり、１０００倍に希釈したときにもｐＨ１０．１でありｐＨ１０．１で緩衝作用を有する。また、１００倍に希釈したとき２５℃における導電率は、２４５ｍＳ／ｍであった。

（実施例３）
エッチング液Ｃの調製：前記の３３％炭酸水素テトラメチルアンモニウム水溶液５１２ｇ(１．２５ｍｏｌ)と２５％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液４５６ｇ(１．２５ｍｏｌ)を混合し、この混合液に炭酸水素カリウム１２５ｇ（１．２５ｍｏｌ）を溶解し、次いで消泡剤（信越化学(株)製品シリコーン消泡剤ＫＭ−７３Ａ）６．２５ｇ、ポリ（オキシエチレン）ラウリルエーテル０．０７ｇ、ヒドロキシエチルセルロース５ｇを添加混合して、１１０４．３２ｇの半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物を作成した。この液は６倍に希釈したときｐＨ１０．２であり、１００倍に希釈したときｐＨ１０．２であり、１０００倍に希釈したときにもｐＨ１０．２でありｐＨ１０．２で緩衝作用を有する。また、１００倍に希釈したとき２５℃における導電率は、４２５ｍＳ／ｍであった。

＜研磨用組成物の調製＞
（実施例４）
実施例１、実施例２および実施例３において調製したエッチング液Ａ、Ｂ、Ｃを表１、表２の各水準１〜１９になるよう、下記記載の希釈した研磨剤に添加して研磨用組成物を作成し、下記条件にて研磨試験を行ない、結果を表１および表２に記載した。
なお、研磨用組成物の作成方法は、例えば水準１では、３．５３Ｋｇの研磨剤A（EDGE MIRROR(登録商標)-V、シリカ濃度３４．０ｗｔ％）に純水を３６．４７Ｋｇ加えてシリカ濃度を３．０％とした後、４０ｇのエッチング液Aを攪拌下で添加して作成した。この際のエッチング液添加量は１（ｇ／Ｋｇ）となる。水準２〜１９も同様に調整した。

＜エッジ研磨試験＞
エッチング液Ａ、Ｂ、Ｃを下記記載の希釈した研磨剤に加えて研磨用組成物を作成し、８インチのシリコンウエハ端面の研磨実験を行なった。試験に用いた研磨用組成物は４０Ｋｇで、繰り回して研磨に使用した。
本発明に使用したウエハエッジ研磨装置および研磨条件は以下の通りである。
研磨装置：スピードファム株式会社製、ＥＰＤ−２００Ｘ型エッジポリッシュ装置
ウエハ回転数：２０００回／分
研磨時間：６０秒／枚
研磨用組成物流量：３Ｌ／分
研磨布：ｓｕｂａ４００
荷重：４０Ｎ／ユニット
研磨剤：A：EDGE MIRROR-V
B：EDGE MIRROR-６
研磨剤は純水で表１および表２に記載の濃度になるよう希釈して試験に用いた。
EDGE MIRROR-V（販売元：スピードファム株式会社）はシリカ濃度３４．０ｗｔ％、ｐＨ１０．１、一次粒子径１９ｎｍの物性を有する半導体ウエハ用研磨剤である。
EDGE MIRROR-６（販売元：スピードファム株式会社）はシリカ濃度３９．０ｗｔ％、ｐＨ１０．２、一次粒子径７７ｎｍの物性を有する半導体ウエハ用研磨剤である。
ウエハは連続して１０枚を研磨し、１０枚目について下記の評価試験を行った。研磨速度は、８〜１０枚目の平均値より算出した。

エッジ研磨終了後、研磨用組成物に代えて純水を流して研磨用組成物を洗い流し、研磨装置からウエハを取り外し、１％アンモニア水溶液および純水を用いてブラシスクラブ洗浄後、窒素ブローを施しながらスピン乾燥を実施した。
上記にて得られたウエハについて、ウエハ表裏平面に生じるヘイズ等の状態を集光灯下にて目視観察を行った。さらにエッジポリッシュが不完全であることにより研磨面に発生する削り残りをウエハ全外周に対し、８００倍での光学顕微鏡観察を実施した。研磨速度は、研磨前後のウエハの重量差より求めた。
また、表２記載の水準１９のウエハについて、表面に付着した０．１５μｍ以上のパーティクルをレーザー光散乱法表面検査装置によりパーティクルの個数測定を行った。その結果、計測されたパーティクル数は１６個であった。

（比較例１）
実施例４と同一の研磨試験条件で、エッチング液を加えない条件、及び下記のエッチング液Dもしくはエッチング液Ｅを加えた研磨試験を実施し、実施例４と同一の評価を行い、その結果を表３に記載した。
エッチング液Ｄ：炭酸ナトリウム６３．６ｇ（０．６ｍｏｌ）を純水９３６．４ｇに溶解して作成した。
エッチング液Ｅ：水酸化ナトリウム１２０ｇ（３．０ｍｏｌ）を純水８８０ｇに溶解して作成した。
また、表３記載の水準７のウエハについて、表面に付着した０．１５μｍ以上のパーティクルをレーザー光散乱法表面検査装置によりパーティクルの個数測定を行った。その結果、計測されたパーティクル数は約１５０００個であった。

実施例４と比較例１の結果の説明。表３の比較例の水準１は、研磨剤Ａを純水で、シリカ濃度３％に希釈した研磨用組成物である。表１の水準１、２、３は、表３の水準１の純水で希釈しただけの研磨剤にエッチング液Ａを添加した結果である。エッチング液を加えることにより、表３の水準１に比べ研磨速度は増大した。また、ウエハの表面状態は、全ての水準でヘイズが見られず良好であった。ただし、表３の水準１では削り残りが僅かに観察された。ウエハ表面に付着残留したパーティクル数については、実施例の水準１９と比較例の水準７では千倍近い顕著な差が確認され、実施例の水準１９は極めて良好な結果であった。実施例の水準１９と比較例の水準７で使用した研磨用組成物の違いは、前者がエッチング液として本件発明のエッチング液Ｃを使用したのに対して、後者はエッチング液Ｄを使用した点である。
表３の比較例の水準２は、研磨剤Ａを純水でシリカ濃度５％に希釈した研磨用組成物である。表１の水準４〜１０は、表３の水準２の純水で希釈しただけの研磨剤にエッチング液Ａ、エッチング液Ｂまたはエッチング液Ｃを添加した結果である。エッチング液を加えることにより、表３の水準２に比べ研磨速度は増大した。また、ウエハの表面状態は、全ての水準で良好であった。
表３の比較例の水準３、４、５は、研磨剤Ａを純水でシリカ濃度５％に希釈した後、エッチング液Ｄ、エッチング液Ｅを表３に示した量で添加した研磨用組成物である。研磨速度は上昇したものの、ウエハの表面にヘイズが発生した。
表３の比較例の水準６は、研磨剤Ｂを純水でシリカ濃度６％に希釈した研磨用組成物である。表１の水準１１〜１９は、表３の水準６の純水で希釈しただけの研磨剤にエッチング液Ａ、エッチング液Ｂまたは、エッチング液Ｃを添加した結果である。エッチング液を加えることにより、表３の水準６に比べ研磨速度は増大した。また、ウエハの表面状態は、全ての水準で良好であった。
表３の比較例の水準７、８は、研磨剤Ｂを純水でシリカ濃度６％に希釈した後、エッチング液Ｄを表３に示した量で添加した研磨用組成物である。研磨速度は上昇したものの、ウエハの表面にヘイズが発生した。
以上より、本発明のエッチング液を使用することにより、ウエハの表面状態を損なわず研磨速度を向上させることが達成された。

（実施例５）
表１の水準２の研磨用組成物、すなわち、EDGE MIRROR-Vを純水でシリカ濃度が３ｗｔ％になるよう希釈した後、希釈した研磨剤１Ｋｇあたりエッチング液Ａを２ｇ添加した研磨用組成物を用い、実施例４と同一の研磨試験条件で、シリコンウエハ１００枚を連続して研磨した。次に、研磨後の研磨用組成物にさらにエッチング液Ａを１Ｋｇあたり２ｇを追加してシリコンウエハ５０枚を連続して研磨した。研磨速度は、１枚目、１０１枚目及び他は１０枚目ごとに研磨前後の重量差を測定することにより求めた。その結果を図１に示した。

実施例５の説明。表１の水準２記載の研磨用組成物を循環使用した例である。循環使用を実施すると、図１に示すよう、研磨速度は徐々に減少する。これは、ウエハのリンス水の混入等で研磨用組成物が徐々に希釈されるためと推定している。そこで、ウエハを１００枚研磨した後、エッチング液Ａを１Ｋｇあたり２ｇ追加してシリコンウエハ５０枚を連続して研磨したところ、エッチング液Ａを追加直後に研磨速度は上昇し、研磨初期と同一性能をもたらすことが可能となった。実施例５の全てのウエハの表裏面において、ヘイズは生じなかった。

（実施例６）
実施例１、実施例２および実施例３において調製したエッチング液Ａ、Ｂ、Ｃを表４の各水準２０〜２８になるよう上述の希釈した研磨剤Ａに添加して研磨用組成物を作成し、下記の研磨試験を行ない、結果を表４に記載した。

＜片面研磨試験＞
下記の条件で８インチシリコンウエハを用いて研磨実験を行なった。
本発明に使用したウエハ研磨装置および研磨条件は以下の通りである。
研磨条件は以下の方法で鏡面研磨を実施した。
研磨装置： スピードファム株式会社製 ＳＨ−２４型
定盤回転数：７０ＲＰＭ
プレッシャープレート回転数：５０ＲＰＭ
研磨布：ＳＵＢＡ４００（ロデールニッタ社製）
荷重：１５０ｇ／ｃｍ^２研磨組成物流量：８０ｍｌ／分
研磨時間：１０分
研磨剤：A：EDGE MIRROR-V
研磨剤は純水で所定の濃度になるよう希釈して試験に用いた。
ウエハは連続して１０枚を研磨し、１０枚目について下記の評価試験を行った。研磨速度は、８〜１０枚目の平均値より算出した。
平面研磨終了後、研磨組成物に代えて純水を流して研磨組成物を洗い流し、研磨装置からウエハを取り外し、１％アンモニア水溶液および純水を用いてブラシスクラブ洗浄後、窒素ブローを施しながらスピン乾燥を実施した。上記にて得られたウエハについて、研磨速度は、研磨前後のシリコンウエハの重量差より求めた。研磨面の評価は、集光灯下で肉眼にてヘイズ及びピットの状態を観察した。

（比較例２）
実施例５と同一の研磨試験条件で、エッチング液を加えない条件、及びエッチング液Ｄもしくはエッチング液Ｅを加えた研磨試験を実施、実施例６と同一の評価を行った。

実施例６と比較例２の結果の説明。表５の比較例の水準９、１０は、研磨剤Ａを純水で、シリカ濃度３％と５％に希釈した研磨用組成物である。表４の水準２０〜２８は、表５の水準９、１０の純水で希釈しただけの研磨剤にエッチング液Ａ、エッチング液Ｂ、エッチング液Ｃを添加した結果である。エッチング液を加えることにより、表５の水準９、１０に比べ研磨速度は増大した。また、ウエハの表面状態は、全ての水準でヘイズが見られず良好であった。
表５の比較例の水準１１、１２、１３は、研磨剤Ａを純水でシリカ濃度５％に希釈した後、エッチング液Ｄ、エッチング液Ｅを表５に示した量添加した研磨用組成物である。研磨速度は上昇したものの、ウエハの表面にヘイズが発生した。
以上より、本発明のエッチング液をシリコンウエハの片面研磨に使用することにより、ウエハの表面状態を損なわず研磨速度を向上させることが達成された。

本発明の実施例５における研磨速度の変化を表わす図である。

Claims (14)

1. ２５℃における酸解離定数の逆数の対数値（ｐＫａ）が８．０〜１２．５の弱酸および第４アンモニウムを組み合わせた緩衝溶液組成の水溶液であって、かつ１００倍に希釈したときｐＨ９．５〜１２の間で緩衝作用を有することを特徴とする半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物。
2. ２５℃における酸解離定数の逆数の対数値（ｐＫａ）が８．０〜１２．５の弱酸並びに第４アンモニウムおよびカリウムを組み合わせた緩衝溶液組成の水溶液であって、かつ１００倍に希釈したときｐＨ９．５〜１２の間で緩衝作用を有することを特徴とする半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物。
3. 弱酸を構成する陰イオンが、炭酸イオン及び炭酸水素イオンであり、かつ第４アンモニウムがコリンイオン、テトラメチルアンモニウムイオンもしくはテトラエチルアンモニウムイオンまたはこれらの混合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物。
4. １００倍に希釈したときの２５℃における導電率が、５０ｍＳ／ｍ以上となるように調製された請求項１ないし３に記載の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物。
5. さらに水溶性高分子化合物または多価アルコールを含有することを特徴とする請求項１ないし４に記載の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物。
6. 水溶性高分子化合物または多価アルコールが、ヒドロキシエチルセルロース、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール、グリセリン、プロピレングリコールのいずれかひとつであることを特徴とする請求項５に記載の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物。
7. さらに消泡剤を含有することを特徴とする請求項１ないし６に記載の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物。
8. 消泡剤がシリコーンエマルジョンであることを特徴とする請求項７に記載の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物。
9. さらにノニオン界面活性剤を含有することを特徴とする請求項１ないし８に記載の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物。
10. 砥粒を懸濁した研磨液に請求項１ないし９に記載の半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物を加えることで研磨用組成物を製造することを特徴とする研磨用組成物の製造方法。
11. 砥粒を懸濁した研磨液が、すでに半導体ウエハの研磨に使用された研磨液であることを特徴とする請求項１０に記載の研磨用組成物の製造方法。
12. 砥粒がコロイダルシリカまたはヒュームドシリカであることを特徴とする請求項１０または１１に記載の研磨用組成物の製造方法。
13. 半導体ウエハ平面の上下面もしくは、片面に研磨布を貼付した回転可能な定盤に半導体ウエハを押圧し、請求項１０ないし１２に記載の製造方法で得られた研磨用組成物を供給しつつ、定盤及び／または半導体ウエハを回転させて半導体ウエハの平面を研磨することを特徴とする研磨方法。
14. 表面に研磨布を貼付したドラム形状の研磨部材または、円弧状をした作業面を持つ研磨部材を有する研磨装置に、請求項１０ないし１２に記載の製造方法で得られた研磨用組成物を供給しつつ、半導体ウエハのエッジ部分を押圧し、研磨部材及び／または半導体ウエハを回転させながら、半導体ウエハのエッジ部分を研磨することを特徴とする研磨方法。

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