JP2000035391A - 薄片化加工時の試料歪除去方法 - Google Patents
薄片化加工時の試料歪除去方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は試料の薄片化加工の過程において、
発生する試料の湾曲歪を除去し、所望の薄さまでイオン
ビーム加工を施し、ＴＥＭ用試料を容易に作成できる加
工方法の提供。 【解決手段】 本発明は試料の薄片化加工の過程におい
て、発生する試料の湾曲歪を当該試料の応力集中部にイ
オンビームを用いて切り込みを入れることによって除去
することを特徴とする試料歪除去方法である。更に具体
的には、本発明は応力集中が試料中材質的に異方性を有
するデバイス領域に生じるものであることを発見し、そ
の知見に基づいてデバイスの存在する深さまでの切り込
みを入れて歪を除去するものである。
発生する試料の湾曲歪を除去し、所望の薄さまでイオン
ビーム加工を施し、ＴＥＭ用試料を容易に作成できる加
工方法の提供。 【解決手段】 本発明は試料の薄片化加工の過程におい
て、発生する試料の湾曲歪を当該試料の応力集中部にイ
オンビームを用いて切り込みを入れることによって除去
することを特徴とする試料歪除去方法である。更に具体
的には、本発明は応力集中が試料中材質的に異方性を有
するデバイス領域に生じるものであることを発見し、そ
の知見に基づいてデバイスの存在する深さまでの切り込
みを入れて歪を除去するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集束イオンビーム
（ＦＩＢ）を用いて透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）等の試料
を薄片化加工する過程で発生する湾曲歪を除去する方法
に関する。
（ＦＩＢ）を用いて透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）等の試料
を薄片化加工する過程で発生する湾曲歪を除去する方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】断面ＴＥＭ用試料は、観察所望箇所を電
子ビームの透過が可能な薄さとなるように薄片化加工を
施す必要がある。従来から、集束イオンビームを照射し
て試験・検査用試料を適正な形状に加工を施すことは周
知であって、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）の試料も電子が
透過できる適正な薄さまで集束イオンビームを用いて削
り試料作成することは、１９９０年３月の第３７回応用
物理学会でも「集束イオンビームを用いた断面ＴＥＭ試
料作成方法」が紹介されたところであり、また本出願人
が先に出願した特願平２−１９２６４１号（特開平４−
７６４３７号公報）もこの技術に関するものである。機
械研磨で数１０μm 程度に削り込んだ試料の観察箇所の
両面を更にイオンビームエッチング加工で削り落とし１
μm 以下の薄い壁を残す加工を施す際、加工位置、加工
形状、断面等の確認観察できる便利のため、電子ビーム
を照射する走査電子顕微鏡を配備して、走査電子顕微鏡
による加工部分のモニターを行いながら加工を施すもの
がこの先願には開示されている。更に試料の表面を局所
成膜を施すことでイオンビームによるダメージを防止す
ると共に、イオンビームの収束角に起因する加工面の傾
き角を試料台の傾斜設定により補償し、試料の厚さの均
一性を確保する技術についても開示されている。
子ビームの透過が可能な薄さとなるように薄片化加工を
施す必要がある。従来から、集束イオンビームを照射し
て試験・検査用試料を適正な形状に加工を施すことは周
知であって、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）の試料も電子が
透過できる適正な薄さまで集束イオンビームを用いて削
り試料作成することは、１９９０年３月の第３７回応用
物理学会でも「集束イオンビームを用いた断面ＴＥＭ試
料作成方法」が紹介されたところであり、また本出願人
が先に出願した特願平２−１９２６４１号（特開平４−
７６４３７号公報）もこの技術に関するものである。機
械研磨で数１０μm 程度に削り込んだ試料の観察箇所の
両面を更にイオンビームエッチング加工で削り落とし１
μm 以下の薄い壁を残す加工を施す際、加工位置、加工
形状、断面等の確認観察できる便利のため、電子ビーム
を照射する走査電子顕微鏡を配備して、走査電子顕微鏡
による加工部分のモニターを行いながら加工を施すもの
がこの先願には開示されている。更に試料の表面を局所
成膜を施すことでイオンビームによるダメージを防止す
ると共に、イオンビームの収束角に起因する加工面の傾
き角を試料台の傾斜設定により補償し、試料の厚さの均
一性を確保する技術についても開示されている。
【０００３】まず、本発明の前提技術である集束イオン
ビーム加工装置の概要を図３に示す先願の実施例に基づ
いて説明をしておく。１はイオン源、２はイオンビー
ム、３は静電光学系、４が試料で５が試料ステージであ
る。６は電子源、７は電子ビーム、８は電磁光学系、９
はガス銃、１１は二次荷電粒子で１０が二次荷電粒子検
出器である。そして１２がＳＥＭ／ＳＩＭ切換器で１３
がディスプレイとなっている。ここでＳＥＭとは走査電
子顕微鏡であり、ＳＩＭは走査イオン顕微鏡を意味して
いる。加工に当たっては、被加工試料４がステージ５上
に載置されると試料室が図示しない真空装置によって真
空に引かれる。やはり図示しない駆動機構によって試料
ステージ５が所望の位置角度に設定される。駆動機構は
一般にＸ．Ｙ．Ｚ方向変位とイオンビーム軸回転とイオ
ンビーム軸に対する角度調整が出来るものとなってい
る。加工領域が決められると薄壁の端部となる部分のイ
オンビームによる損傷防止のため、その部分にガス銃９
からＣＶＤガスを吹き付けると共にイオンビームを照射
して金属保護膜を成膜する。次に加工領域にイオンビー
ムを照射させてスパッタリングによって、削り加工を施
す。その際のイオンビーム２と試料４の相対変位は静電
光学系の偏向手段によるイオンビームの走査によって行
われ、駆動装置は使わない。それは加工がμm オーダー
の精密加工であるためである。最初は加工時間を短くす
るためイオンビーム電流を大きくとりスパッタレートを
大きくして荒削りの粗加工をし、最終的にサンプルとな
る領域近傍でイオン電流を下げ精密加工を施す。この装
置の特徴は試料面の観察用にイオンビームとは異なる方
向から電子ビームを試料に照射できる構成をとっている
点にあり、これによってイオンビームによる損傷が問題
となる透過電子顕微鏡用の試料には電子ビーム７を走査
して二次荷電粒子検出器１０により二次荷電粒子（電
子）１１を検出し電子顕微鏡像を装置から取り出すこと
なく観察できる。また、ＳＥＭ像とＳＩＭ像は試料から
放出される二次荷電粒子１１の種類が異なるため、異な
る解像度の映像が得られるので、双方の像をディスプレ
イ１３上に比較表示することもできる。
ビーム加工装置の概要を図３に示す先願の実施例に基づ
いて説明をしておく。１はイオン源、２はイオンビー
ム、３は静電光学系、４が試料で５が試料ステージであ
る。６は電子源、７は電子ビーム、８は電磁光学系、９
はガス銃、１１は二次荷電粒子で１０が二次荷電粒子検
出器である。そして１２がＳＥＭ／ＳＩＭ切換器で１３
がディスプレイとなっている。ここでＳＥＭとは走査電
子顕微鏡であり、ＳＩＭは走査イオン顕微鏡を意味して
いる。加工に当たっては、被加工試料４がステージ５上
に載置されると試料室が図示しない真空装置によって真
空に引かれる。やはり図示しない駆動機構によって試料
ステージ５が所望の位置角度に設定される。駆動機構は
一般にＸ．Ｙ．Ｚ方向変位とイオンビーム軸回転とイオ
ンビーム軸に対する角度調整が出来るものとなってい
る。加工領域が決められると薄壁の端部となる部分のイ
オンビームによる損傷防止のため、その部分にガス銃９
からＣＶＤガスを吹き付けると共にイオンビームを照射
して金属保護膜を成膜する。次に加工領域にイオンビー
ムを照射させてスパッタリングによって、削り加工を施
す。その際のイオンビーム２と試料４の相対変位は静電
光学系の偏向手段によるイオンビームの走査によって行
われ、駆動装置は使わない。それは加工がμm オーダー
の精密加工であるためである。最初は加工時間を短くす
るためイオンビーム電流を大きくとりスパッタレートを
大きくして荒削りの粗加工をし、最終的にサンプルとな
る領域近傍でイオン電流を下げ精密加工を施す。この装
置の特徴は試料面の観察用にイオンビームとは異なる方
向から電子ビームを試料に照射できる構成をとっている
点にあり、これによってイオンビームによる損傷が問題
となる透過電子顕微鏡用の試料には電子ビーム７を走査
して二次荷電粒子検出器１０により二次荷電粒子（電
子）１１を検出し電子顕微鏡像を装置から取り出すこと
なく観察できる。また、ＳＥＭ像とＳＩＭ像は試料から
放出される二次荷電粒子１１の種類が異なるため、異な
る解像度の映像が得られるので、双方の像をディスプレ
イ１３上に比較表示することもできる。
【０００４】透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）用試料の加工に
ついて、図２に沿って説明する。加工に際しては機械的
に切り出した試料ブロック４が固定された保持片（図示
せず）をホルダー（図示せず）を介して集束イオンビー
ム加工装置の試料台（ステージ）５に設置し、イオンビ
ーム２を照射して加工することになるが、その手順はお
およそ次の通りである。最初の段階は図２Ａに示される
ように試料４は機械的に切削加工された断面凸形状のブ
ロックであり、これが装置の試料ステージ５上に載置さ
れる。次の段階では加工枠が決められ、薄壁となる部分
の端部がイオンビーム２の照射によってダメージを受け
ないようにその部分にＣＶＤガス（例．フェナントレン
Ｃ14Ｈ10）を吹き付けて保護の被覆層４１を形成する。
この状態を図２Ｂに示す。その次の段階でイオンビーム
２が照射され、スパッタリング加工により試料ブロック
の両面が削られ、図２Ｃに示されるように試料の薄壁４
２が形成されてゆくことになる。この透過電子顕微鏡用
の試料は両面形状に差がなく、かつ図２Ｄに示すように
薄壁に垂直方向から入射された電子ビーム７が当該薄壁
を透過する薄さ（0.5 μm 以下）にまで加工することが
求められる。
ついて、図２に沿って説明する。加工に際しては機械的
に切り出した試料ブロック４が固定された保持片（図示
せず）をホルダー（図示せず）を介して集束イオンビー
ム加工装置の試料台（ステージ）５に設置し、イオンビ
ーム２を照射して加工することになるが、その手順はお
およそ次の通りである。最初の段階は図２Ａに示される
ように試料４は機械的に切削加工された断面凸形状のブ
ロックであり、これが装置の試料ステージ５上に載置さ
れる。次の段階では加工枠が決められ、薄壁となる部分
の端部がイオンビーム２の照射によってダメージを受け
ないようにその部分にＣＶＤガス（例．フェナントレン
Ｃ14Ｈ10）を吹き付けて保護の被覆層４１を形成する。
この状態を図２Ｂに示す。その次の段階でイオンビーム
２が照射され、スパッタリング加工により試料ブロック
の両面が削られ、図２Ｃに示されるように試料の薄壁４
２が形成されてゆくことになる。この透過電子顕微鏡用
の試料は両面形状に差がなく、かつ図２Ｄに示すように
薄壁に垂直方向から入射された電子ビーム７が当該薄壁
を透過する薄さ（0.5 μm 以下）にまで加工することが
求められる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】イオンビーム加工によ
り試料の薄片化が進むと、セルロイドの下敷きを両側か
ら圧し曲げたように試料の薄壁部が歪み湾曲した形状に
なることがある。その様な状態になるとイオンビームを
直線的に走査しても試料が変形してしまっているため、
均一な厚さの平面加工を施すことができなくなる。図１
Ａは湾曲歪を生じた試料薄壁をイオンビーム源から見た
図である。従来その様な場合には試料ブロックを交換
し、初めから作業をやり直さなければならなかった。し
かし、試料が同種の素子である場合には組成的構造的な
条件は同じであるため、変形し易い試料は同様の結果と
なることが少なくない。だからといって変形を生じる前
の厚さの段階で加工を中断すれば、電子の透過率が低か
ったり、両面の画像に不一致部が残ったりでＴＥＭ試料
としては満足がいかないものであった。図１Ｃに示すよ
うに観察領域の途中に柱４３を残し、薄壁４２の幅を狭
く設定すればこの湾曲歪の現象は生じないが、その場合
には観察領域が限定されるだけでなく加工にも手間がか
かり、観察試料としては好ましいものとはいえない。な
お、この図１Ｃは試料の薄壁をイオンビーム源から見た
図である。そこで、本発明は、試料の薄片化加工の過程
において発生する試料の湾曲歪を除去し、所望の薄さま
で薄片化加工を施し、ＴＥＭ用試料を容易にかつ時間を
かけずに作成できる加工方法を提供しようというもので
ある。
り試料の薄片化が進むと、セルロイドの下敷きを両側か
ら圧し曲げたように試料の薄壁部が歪み湾曲した形状に
なることがある。その様な状態になるとイオンビームを
直線的に走査しても試料が変形してしまっているため、
均一な厚さの平面加工を施すことができなくなる。図１
Ａは湾曲歪を生じた試料薄壁をイオンビーム源から見た
図である。従来その様な場合には試料ブロックを交換
し、初めから作業をやり直さなければならなかった。し
かし、試料が同種の素子である場合には組成的構造的な
条件は同じであるため、変形し易い試料は同様の結果と
なることが少なくない。だからといって変形を生じる前
の厚さの段階で加工を中断すれば、電子の透過率が低か
ったり、両面の画像に不一致部が残ったりでＴＥＭ試料
としては満足がいかないものであった。図１Ｃに示すよ
うに観察領域の途中に柱４３を残し、薄壁４２の幅を狭
く設定すればこの湾曲歪の現象は生じないが、その場合
には観察領域が限定されるだけでなく加工にも手間がか
かり、観察試料としては好ましいものとはいえない。な
お、この図１Ｃは試料の薄壁をイオンビーム源から見た
図である。そこで、本発明は、試料の薄片化加工の過程
において発生する試料の湾曲歪を除去し、所望の薄さま
で薄片化加工を施し、ＴＥＭ用試料を容易にかつ時間を
かけずに作成できる加工方法を提供しようというもので
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は試料の薄片化加
工の過程において、発生する試料の湾曲歪が試料材質中
の応力の集中に起因するものであることを発見し、当該
試料の応力集中部にイオンビームを用いて切り込みを入
れることによって除去することを特徴とする試料歪除去
方法である。更に具体的には、本発明は応力集中が試料
中材質的に異方性を有するデバイス領域に生じるもので
あることを発見し、その知見に基づいてデバイスの存在
する深さまでの切り込みを入れて歪を除去するものであ
る。
工の過程において、発生する試料の湾曲歪が試料材質中
の応力の集中に起因するものであることを発見し、当該
試料の応力集中部にイオンビームを用いて切り込みを入
れることによって除去することを特徴とする試料歪除去
方法である。更に具体的には、本発明は応力集中が試料
中材質的に異方性を有するデバイス領域に生じるもので
あることを発見し、その知見に基づいてデバイスの存在
する深さまでの切り込みを入れて歪を除去するものであ
る。
【０００７】
【本発明の実施形態】この透過電子顕微鏡用試料のイオ
ンビームによる薄片化加工は、先に述べたように両面形
状に差がなく、かつ図２Ｄに示すように薄壁４２に垂直
方向から入射された電子ビーム７が当該薄壁を透過する
薄さ（0.5 μm 以下）にまで加工することが求められ
る。両面形状に差があるとたとえ電子が試料薄壁４２を
透過し得たとしても正確な透過顕微鏡像が得られない。
従って、加工時には両面の観察を行ないつつ作業が進め
られるが、この際の観察はイオンビームとは異なる方向
から電子ビーム７が照射される走査電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）によって行われる。試料に図１Ａに示すように湾曲
歪４４が生じた場合にはこの観察の際に検知することが
できる。薄壁４２の湾曲歪４４の状態は端部側が図１Ａ
に示されるように湾曲するがブロック基板側は基板に連
続しているので湾曲することはない。湾曲歪４４が発見
されるとイオンビーム加工を中断し、試料上部よりイオ
ンビームを照射して切り込み４５を入れていく。この様
子をＳＥＭ像（場合によってはＳＩＭ像でもよい。）に
よりモニターし、湾曲歪がなくなったところでイオンビ
ーム照射を終了する。走査電子顕微鏡を備えた装置では
イオンビーム２と電子ビーム７は異なる方向から試料に
照射されるようになっているので、この作業は電子顕微
鏡によるＳＥＭ像を観察しながら行うことができる。応
力集中を起こしている箇所は大抵の場合、比較的浅いデ
バイス層の導電部材の部分であるが、この部分に切り込
み４５が入り切断されると、応力が解放され湾曲してい
た薄壁４２はスーっと立ち直って平坦な壁面４２を回復
する。図１Ｂは端部から切り込みを入れて歪が解消した
端部をイオンビーム源からみた図で、図１Ｄはその側面
図。この図から分かるように切り込みは必ずしも深く入
れる必要はなく大抵の場合は上層のデバイス部分に切り
込みが入れば湾曲歪は解消される。この状態で薄片化加
工を更に進めることが可能になるのでイオンビーム加工
を続行し、所望の薄さまで薄片化加工を施してＴＥＭ用
試料を製作する。
ンビームによる薄片化加工は、先に述べたように両面形
状に差がなく、かつ図２Ｄに示すように薄壁４２に垂直
方向から入射された電子ビーム７が当該薄壁を透過する
薄さ（0.5 μm 以下）にまで加工することが求められ
る。両面形状に差があるとたとえ電子が試料薄壁４２を
透過し得たとしても正確な透過顕微鏡像が得られない。
従って、加工時には両面の観察を行ないつつ作業が進め
られるが、この際の観察はイオンビームとは異なる方向
から電子ビーム７が照射される走査電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）によって行われる。試料に図１Ａに示すように湾曲
歪４４が生じた場合にはこの観察の際に検知することが
できる。薄壁４２の湾曲歪４４の状態は端部側が図１Ａ
に示されるように湾曲するがブロック基板側は基板に連
続しているので湾曲することはない。湾曲歪４４が発見
されるとイオンビーム加工を中断し、試料上部よりイオ
ンビームを照射して切り込み４５を入れていく。この様
子をＳＥＭ像（場合によってはＳＩＭ像でもよい。）に
よりモニターし、湾曲歪がなくなったところでイオンビ
ーム照射を終了する。走査電子顕微鏡を備えた装置では
イオンビーム２と電子ビーム７は異なる方向から試料に
照射されるようになっているので、この作業は電子顕微
鏡によるＳＥＭ像を観察しながら行うことができる。応
力集中を起こしている箇所は大抵の場合、比較的浅いデ
バイス層の導電部材の部分であるが、この部分に切り込
み４５が入り切断されると、応力が解放され湾曲してい
た薄壁４２はスーっと立ち直って平坦な壁面４２を回復
する。図１Ｂは端部から切り込みを入れて歪が解消した
端部をイオンビーム源からみた図で、図１Ｄはその側面
図。この図から分かるように切り込みは必ずしも深く入
れる必要はなく大抵の場合は上層のデバイス部分に切り
込みが入れば湾曲歪は解消される。この状態で薄片化加
工を更に進めることが可能になるのでイオンビーム加工
を続行し、所望の薄さまで薄片化加工を施してＴＥＭ用
試料を製作する。
【０００８】
【発明の効果】本発明の加工方法は、ＴＥＭ試料の薄片
化加工の途中で被加工試料の薄壁部が湾曲歪を生じた際
には、薄壁の端部側からイオンビームにより切り込みを
入れていき、応力集中部が切断されると応力が解放さ
れ、湾曲歪が解消し平坦な薄壁を回復することにより、
イオンビームによる薄片化加工を続行することができる
ものであるため、容易に湾曲歪を解消でき、製作中の試
料を廃棄すること無く材料的にも、時間的にも効率よく
ＴＥＭ試料を作成することができる。また、走査電子顕
微鏡を備えたイオンビーム加工装置を用いてこの加工を
実施すれば、加工途中で装置から取り外しＳＥＭ像で確
認して後再加工を行うような、無駄な時間と手間をかけ
ずに、薄片化加工を実施しながらＳＥＭ像を観察でき、
両面像の比較と共に試料薄壁の湾曲歪をすばやく検知で
き、切り込み処理するだけの作業で所望の状態を確保し
加工を施すことができるものである。しかもこれらの作
業をすべて装置内に試料を載置した状態で行うことがで
きるため、試料の出し入れや位置決め作業そして真空引
き作業を繰返して行う必要もなく、極めて効率的、容易
に作業を行うことができる。
化加工の途中で被加工試料の薄壁部が湾曲歪を生じた際
には、薄壁の端部側からイオンビームにより切り込みを
入れていき、応力集中部が切断されると応力が解放さ
れ、湾曲歪が解消し平坦な薄壁を回復することにより、
イオンビームによる薄片化加工を続行することができる
ものであるため、容易に湾曲歪を解消でき、製作中の試
料を廃棄すること無く材料的にも、時間的にも効率よく
ＴＥＭ試料を作成することができる。また、走査電子顕
微鏡を備えたイオンビーム加工装置を用いてこの加工を
実施すれば、加工途中で装置から取り外しＳＥＭ像で確
認して後再加工を行うような、無駄な時間と手間をかけ
ずに、薄片化加工を実施しながらＳＥＭ像を観察でき、
両面像の比較と共に試料薄壁の湾曲歪をすばやく検知で
き、切り込み処理するだけの作業で所望の状態を確保し
加工を施すことができるものである。しかもこれらの作
業をすべて装置内に試料を載置した状態で行うことがで
きるため、試料の出し入れや位置決め作業そして真空引
き作業を繰返して行う必要もなく、極めて効率的、容易
に作業を行うことができる。
【図１】Ａは薄壁端部近傍の湾曲歪の状態をイオンビー
ム源からみた図。Ｂは端部から切り込みを入れて歪が解
消した端部近傍をイオンビーム源からみた図。Ｄはその
側面図。Ｃは薄壁途中に柱を介在させた薄壁端部近傍を
イオンビーム源からみた図。
ム源からみた図。Ｂは端部から切り込みを入れて歪が解
消した端部近傍をイオンビーム源からみた図。Ｄはその
側面図。Ｃは薄壁途中に柱を介在させた薄壁端部近傍を
イオンビーム源からみた図。
【図２】Ａは機械切削加工された試料ブロックの斜視
図。Ｂはガス銃とイオンビームの照射を受け、薄壁端部
に金属保護膜が形成されたことを示す斜視図。Ｃはイオ
ンビームによって薄片化加工が施されている試料の斜視
図。Ｄは作成されたＴＥＭ試料と透過電子ビーム位置関
係を示す斜視図。
図。Ｂはガス銃とイオンビームの照射を受け、薄壁端部
に金属保護膜が形成されたことを示す斜視図。Ｃはイオ
ンビームによって薄片化加工が施されている試料の斜視
図。Ｄは作成されたＴＥＭ試料と透過電子ビーム位置関
係を示す斜視図。
【図３】本発明に使用するイオンビーム加工装置の例を
示す図。
示す図。
１ イオン源 ２ イオンビーム ３ 静電光学系 ４ 試料 ５ 試料ステージ ６ 電子源 ７ 電子ビーム ８ 電磁光学系 ９ ガス銃 １０ 二次荷電粒子検出器 １１ 二次荷電粒子 １２ 切換器 １３ ディスプレイ ４１ 金属保護膜 ４２ 薄壁 ４３ 柱 ４４ 湾曲歪 ４５ 切り込み
Claims (3)
- 【請求項１】 イオンビームを照射して電子顕微鏡用の
試料を薄片化加工する過程で発生する試料の湾曲歪を、
当該試料の応力集中部にイオンビームを用いて切り込み
を入れることによって除去することを特徴とする試料歪
除去方法。 - 【請求項２】 上記切り込みは試料のデバイス層部分に
対して薄壁端部から深さ方向に入れることを特徴とする
請求項１に記載の試料歪除去方法。 - 【請求項３】 走査電子顕微鏡を備えたイオンビーム加
工装置を用いて実施することを特徴とする請求項１又は
２に記載の試料歪除去方法。
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|---|---|---|---|
| JP10202299A JP2000035391A (ja) | 1998-07-16 | 1998-07-16 | 薄片化加工時の試料歪除去方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10202299A JP2000035391A (ja) | 1998-07-16 | 1998-07-16 | 薄片化加工時の試料歪除去方法 |
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